TW201338013A

TW201338013A - 電漿處理裝置

Info

Publication number: TW201338013A
Application number: TW102101565A
Authority: TW
Inventors: Toshihiro Kasahara
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2012-01-17
Filing date: 2013-01-16
Publication date: 2013-09-16
Also published as: TWI581302B; CN103208410B; KR20170015404A; KR20130084627A; CN103208410A; KR101812920B1; JP2013149377A; JP6190571B2

Abstract

本發明係提供一種可防止以介電罩蓋覆蓋之其他的構成組件受到損傷，並且防止沉積物附著於基板之電漿處理裝置。該電漿處理裝置包含有產生電漿之處理室，以及在該處理室內與曝露於電漿之基板呈對向配置之介電罩蓋，介電罩蓋係組合多數個分割片所構成，形成於鄰接之兩個分割片之交界的間隙係以蓋板加以覆蓋，且各分割片係以蓋板加以支撐。

Description

電漿處理裝置

本發明有關於一種使用電漿對大型基板施行電漿處理之電漿處理裝置。

FPD(Flat panel display；平面顯示器)之製造程序中，係對FPD用之玻璃基板施予電漿蝕刻、電漿灰化、電漿成膜等之各種的電漿處理。作為進行其等電漿處理之裝置，已知有一產生高密度之電漿並藉由該電漿來對玻璃基板施行所欲之電漿處理之感應耦合式電漿(ICP)處理裝置。

一般，感應耦合式電漿處理裝置係包含有內部保持為氣密且配置有玻璃基板之處理室，及配置於該處理室外部之線圈狀的高頻天線。處理室具有兼作頂板部分之介電體所構成的介電窗，而高頻天線係配置於介電窗的上方。感應耦合式電漿處理裝置係藉由對高頻天線施加高頻電功率，經介電窗而於處理室內形成感應電場，利用該感應電場激發導入於處理室內之處理氣體而生成電漿，並使用該電漿對玻璃基板進行所欲之電漿處理。

此處，若介電窗之底面露出於處理室，則該介電窗之底面便會曝露於電漿而有所損傷。譬如由於陽離子所引起之濺鍍而受到刨刮。由於介電窗不易裝卸，因此損傷時也不易替換或是清理。對應於此，係以可易於裝卸之介電體所構成的介電罩蓋來覆蓋介電窗之底面(參照譬如專利文獻1)。藉此，可保護介電窗之底面，防止介電窗損傷。

惟，近年來，FPD用之玻璃基板大型化，對應於此，處理室亦大型化，因此，該處理室之頂板部分，亦即介電窗亦大型化，覆蓋該介電窗之介電罩蓋也一併大型化。介電罩蓋大型化時，會不易以一片之組件構成該介電罩蓋，因此，譬如對第4代之後的FPD用玻璃基板進行處理之感應耦合式電漿處理裝置中，如圖11所示，介電罩蓋100係藉由組合複數個分割片101而構成。又，各分割片101係藉由介電罩蓋固定具102a,102b來支撐底面，前述介電罩蓋固定具102a,102b係固定於配置在處理室的頂板部之鋁所構成的樑上。

【專利文獻1】日本特開2001-28299號公報

【專利文獻2】日本特開2010-251708號公報

然而，各分割片101會自電漿接受熱而產生熱膨脹，譬如鄰接之各分割片101的交界處有裂口，但前述之介電罩蓋固定具102a,102b並未將鄰接之各分割片101的交界整個覆蓋住，因此該交界處有裂口時，便會有介電窗及樑曝露於電漿而受損傷之問題。

又，於兩個分割片101之交界處，會有反應生成物滲入並堆積，若各分割片101之交界有裂口時，則會有反應生成物剝離而成為微粒在處理室內飄浮，作為沉積物附著於玻璃基板之問題。

本發明之目的係提供一種可防止以介電罩蓋加以覆蓋之其他的構成組件受到損傷，並且防止沉積物附著於基板之電漿處理裝置。

為達成前述目的，申請專利範圍第1項所記載之電漿處理裝置，係包含有成為產生電漿的處理空間之處理室，以及在該處理室內與曝露於前述電漿之基板呈對向配置之介電罩蓋，其特徵在於：前述介電罩蓋係組合多數個分割片所構成；鄰接之兩個前述分割片之交界係以蓋板加以覆蓋；且各前述分割片係以前述蓋板加以支撐。

申請專利範圍第2項所記載之電漿處理裝置係如申請專利範圍第1項所記載之電漿處理裝置，其中於前述鄰接之兩個分割片的交界係設有既定寬度的間隙。

申請專利範圍第3項所記載之電漿處理裝置係如申請專利範圍第1或2項所記載之電漿處理裝置，其中前述蓋板係覆蓋鄰接之兩個前述分割片之整個交界的90%以上。

申請專利範圍第4項所記載之電漿處理裝置係如申請專利範圍第1至3項中任一項所記載之電漿處理裝置，其中進而包含有供給處理氣體之氣體供給部，前述蓋板係介於前述氣體供給部及前述處理室之間，且包含有連通前述氣體供給部及前述處理室之氣體導入孔。

申請專利範圍第5項所記載之電漿處理裝置係如申請專利範圍第1至4項中任一項所記載之電漿處理裝置，其中支撐前述蓋板之蓋板支撐具係與前述蓋板分開設置。

申請專利範圍第6項所記載之電漿處理裝置係如申請專利範圍第1至5項中任一項所記載之電漿處理裝置，其中各前述分割片係由正方形或矩形之介電組件所構成，該介電組件之一邊係至少500mm以上。

申請專利範圍第7項所記載之電漿處理裝置係如申請專利範圍第6項所記載之電漿處理裝置，其中前述介電組件之一邊係至少900mm以上。

申請專利範圍第8項所記載之電漿處理裝置係如申請專利範圍第1至7項中任一項所記載之電漿處理裝置，其進而包含有：高頻天線，係相對於前述介電罩蓋而配置於與前述基板為相反側且施加有高頻電功率；介電窗，係配置於前述介電罩蓋及前述高頻天線之間；及樑，係支撐前述介電窗；前述蓋板係裝設於前述樑。

依本發明，鄰接之兩個分割片之交界係以蓋板加以覆蓋，因此，即使各分割片產生熱膨脹，使得鄰接之兩個分割片之交界有裂口，以介電罩蓋覆蓋之其他構成組件仍不會曝露於電漿。藉此，可防止其他構成組件有所損傷。又，縱或堆積於鄰接之兩個分割片之交界的反應生成物剝離，由於蓋板會防止自交界剝離之反應生成物飛散，故，可防止因反應生成物而產生的沉積物附著於基板。

再者，由於各分割片係以蓋板加以支撐，因此不需以螺栓固定各分割片，即便各分割片產生熱膨脹也不會因螺栓等而受到約束，故，可防止於各分割片產生壓縮應力或拉伸應力。

進而，各分割片並非固定於支撐介電窗之支撐樑而是以蓋板加以支撐，因此可不考量支撐樑之形狀而決定其分割數及分割形狀。

S‧‧‧基板

1‧‧‧容器

2‧‧‧天線室

3‧‧‧處理室

4‧‧‧介電窗

5‧‧‧分割介電組件

6‧‧‧支撐樑

7‧‧‧懸掛件

8‧‧‧天線

9‧‧‧匹配器

10‧‧‧電漿處理裝置

11‧‧‧高頻電源

12‧‧‧介電罩蓋

13‧‧‧分割片

14‧‧‧氣體供給裝置

15‧‧‧氣體導入路徑

16‧‧‧氣體流道

17‧‧‧蓋板

17a‧‧‧凸緣

17b‧‧‧軸部

18‧‧‧氣體導入孔

19‧‧‧基座

20‧‧‧絕緣體框

21‧‧‧電性絕緣體

22‧‧‧載置面

23‧‧‧匹配器

23a‧‧‧通電棒

24‧‧‧高頻電源

25‧‧‧排氣裝置

26‧‧‧排氣管

27‧‧‧間隙

28‧‧‧支撐座

28a‧‧‧凸緣

28b‧‧‧軸部

29‧‧‧氣體供給部

30‧‧‧氣體流道

31‧‧‧中空部

32‧‧‧螺栓

33‧‧‧頭部

34‧‧‧氣體供給路徑

35‧‧‧間隙

36‧‧‧間隙

37‧‧‧組件

38‧‧‧螺栓

39‧‧‧螺栓座表面

40‧‧‧閘閥/蓋板

41‧‧‧本體

42‧‧‧突出部

100‧‧‧介電罩蓋

101‧‧‧分割片

102a,102b‧‧‧介電罩蓋固定具

103‧‧‧氣體導入孔

104‧‧‧氣體流道

圖1係概略地顯示本發明實施型態之電漿顯示裝置之構成的剖面圖。

圖2係顯示圖1中之介電窗之分割型態的底面圖。

圖3係顯示由沿白色箭頭之方向觀看圖1中之介電罩蓋之圖。

圖4A係圖3中之蓋板其各部分之剖面圖，圖4(A)係沿圖3中之線A-A之剖面圖，圖4(B)係沿圖3中之線B-B之剖面圖，圖4(C)係沿圖3中之線C-C之剖面圖，圖4(D)係沿圖3中之線D-D之剖面圖。

圖4B：圖4(E)係顯示圖4(C)中之蓋板之變形例之剖面圖。

圖5係顯示習知之電漿處理裝置中之氣體流道與氣體導入孔之位置關係圖，圖5(A)顯示分割片未產生熱膨脹之情況，圖5(B)顯示分割片產生熱膨脹之情況。

圖6係顯示將圖3中之各蓋板展開之圖。

圖7係顯示圖3中之各蓋板的第1變形例之圖。

圖8係顯示將圖4(B)中之支撐座安裝於支撐樑之方法的變形例之圖。

圖9係顯示圖3中之各蓋板的第2變形例之圖。

圖10係顯示圖3中之各蓋板的第3變形例之圖。

圖11係顯示習知之電漿處理裝置中之分割片及介電罩蓋固定具之配置型態之圖。

以下，邊參照圖式邊說明本發明之實施型態。

本實施型態之電漿處理裝置，係對於譬如FPD用之玻璃基板(以下簡稱「基板」)S施行電漿蝕刻、電漿灰化、電漿成膜等之電漿處理。使用施有其等電漿處理之基板的FPD，有液晶顯示器(LCD)、電激發光(EL)顯示器、電漿顯示器(PDP)等。

圖1係概略地顯示本實施型態之電漿處理裝置之構成的剖面圖。

圖1中，電漿處理裝置10包含有容器1及介電窗4，該介電窗4係配置於該容器1內，而在形成容器1內的圖中上方空間之天線室2以及形成同下方空間之處理室3區劃出容器1的內部。電漿處理裝置10中，介電窗4係構成天線室2之底部，並且構成處理室3之頂板部分。處理室3係保持為氣密且產生感應耦合式電漿，並藉由該感應耦合式電漿對基板S施予所欲之電漿處理。

容器1係具有上部、底部、及連結其等之四個側壁之方筒形狀的容器。又，容器1之側壁數量並不限於四個，譬如亦可依電漿處理裝置10之構成及所進行之電漿處理之內容而為三個或五個以上。再者，容器1亦可為具有上部、底部、及連結其等之筒狀部的圓筒形狀之容器。容器1之材料，係使用鋁及鋁合金等的導電體，且容器1為接地。使用鋁作為容器1之材料時，為避免由容器1之內壁面產生異常放電，亦可於容器1之內壁面施行防蝕鋁處理。

介電窗4係由與容器1之上部或底部平行地配置之介電體的板狀組件所構成，且分割為複數個分割組件，譬如8個分割介電組件5(參照圖2)。介電窗4之厚度為譬如40mm，構成介電窗4之介電體係使用譬如Al₂O₃等之陶瓷或石英。又，介電窗4之分割型態並不限於圖2所示之8分割，亦可依施行電漿處理之基板的大小及電漿處理之內容來決定分割數量及分割形狀，又，介電窗4亦可不分割。

電漿處理裝置10進而包含有作為支撐介電窗4之支撐組件的支撐樑6。支撐樑6係譬如由鋁所構成的平面視之為井字狀之組件，且由下方支撐各分割介電組件5。支撐樑6係藉由自容器1之頂板部分朝圖中下方延伸而出之圓筒形狀的懸掛件7而被加以懸掛支撐，而配置成譬如於容器1內部中之上下方向的略中央位置處維持呈水平狀態。

有關支撐樑6之上下方向的位置，依後述之天線8的構造及處理室內之構造，並不限於略中央，亦可較中央為上方、或較中央為下方。又，懸掛件7之形狀及配置型態，係可依該懸掛件7所懸掛支撐之支撐樑6的形狀及大小而適宜地決定。支撐樑6之材料係使用導電體，譬如鋁等之金屬材料，使用鋁作為支撐樑6之材料時，為避免由表面產生污染物，係於支撐樑6之內外的表面施予防蝕鋁處理。再者，如後述，於支撐樑6之一部分形成有供處理氣體流通之氣體流道16。

電漿處理裝置10係進而包含有配置於天線室2內部之高頻天線(以下簡稱「天線」)8。天線8係譬如其外輪廓呈大致正方形或大致矩形之平面方形螺旋形狀，且配置於介電窗4之頂面。於容器1之外部，設置有匹配器9及高頻電源11，且天線8之一端係經匹配器9而連接於高頻電源11。天線8之另一端係連接於容器1之內壁，且經容器1接地。

電漿處理裝置10係進而包含有覆蓋介電窗4底面之作為「罩蓋」的介電罩蓋12。介電罩蓋12係由正方形形狀或矩形形狀之板狀組件所構成，該板狀組件係由介電體材料所形成。

介電罩蓋12之形狀精確上宜為正方形或矩形，但由於電漿處理裝置10等之構造上之限制，譬如為解決與構造物之彼此干擾而要避掉構造物時，係部分地於外形產生凹凸，因此，本實施型態是大致正方形或大致矩形。惟，即使是大致正方形或大致矩形，都不影響本發明之效果，因此，包含其等形狀，本實施型態中稱為正方形或矩形。有關後述之分割片13及分割介電組件5亦相同。又，介電罩蓋12之材料係譬如使用Al₂O₃等的陶瓷或石英。

本實施型態中，介電罩蓋12與介電窗4不同，係分割為9個分割片13。具體上，如圖3所示，介電罩蓋12係組合配列成3×3之9個分割片13而構成。

為最低限度的發揮本發明之效果，分割片13之大小並無限制，但分割片13越大，因熱膨脹而導致鄰接之各分割片13之交界的開口量也變得越大，前述之問題點會更為明顯，是故，本發明可發揮之效果，譬如防止其他構成組件損傷之效果及防止微粒飛散之效果益發顯著，若分割片13之一邊的長度至少為500mm以上，理想為800mm至900mm以上時，可發揮更大之功效。本實施型態中，分割片13之形狀雖為正方形或矩形，但分割片13之形狀並不限定於此，亦可依需求而為三角形或五角形等，又，亦可由不同的形狀組合而成。

返回圖1，電漿處理裝置10包含有配置於容器1外部之氣體供給裝置14。氣體供給裝置14係經由作為形成於一部分之懸掛件7內部之中空部的氣體導入路徑15，而連接於支撐樑6之氣體流道16。氣體供給裝置14係供給電漿處理所用之處理氣體，於對基板S進行電漿處理時，處理氣體會經由氣體導入路徑15、支撐樑6內之氣體流道16及形成於後述之蓋板17的氣體導入孔18而被供給至處理室3內。處理氣體係使用譬如CF₄氣體、C₂F₆氣體、SF₆氣體。

進而，電漿處理裝置10包含有：於處理室3內與介電窗4對向，作為經電性絕緣體21而配置於處理室3底面之工作台的基座19；收容基座19之框體狀的絕緣體框20；及於容器1之側壁，配置成面向處理室3內，且將基板S朝處理室3內搬入以及由處理室3搬出時通過之開口的密閉及開放所使用之閘閥40。

基座19之頂面並未披覆絕緣體框20，而是形成有靜電夾具，該靜電夾具構成了用以載置基板S且加以吸附固定之載置面22。該載置面22係與介電罩蓋12對向。基座19之材料係使用譬如鋁等之導電體，靜電夾具係由成為產生靜電電力的靜電電極之導電體層，以及挾住該導電體層而分別形成於上部及下部之介電體層所構成。

又，容器1之外部設置有匹配器23及高頻電源24。基座19係經插通處理室3底面的孔(未圖式)之通電棒23a而連接於匹配器23，進而，經該匹配器23而連接於高頻電源24。對基板S進行電漿處理時，係由高頻電源24對基座19供給偏壓用之高頻電功率(譬如380kHz之高頻電功率)，來將電漿中之離子有效地吸引至載置於載置面22之基板S。

進而，容器1之外部係設置有排氣裝置25。排氣裝置25係經連接於容器1底部之排氣管26而連接於處理室3。對基板S進行電漿處理時，排氣裝置25會將處理室3內之空氣加以排氣，而將處理室3內維持為真空環境。

電漿處理裝置10中，對基板S進行電漿處理時，係由高頻電源11對天線8供給感應電場形成用之高頻電功率(譬如13.56MHz之高頻電功率)。藉此，天線8便會在處理室3內形成感應電場。此感應電場會激發處理氣體而產生電漿。

圖3係顯示由沿白色箭頭之方向觀看圖1中之介電罩蓋之圖。

圖3中，如前述，各分割片13係配列成3×3，且於鄰接之兩個分割片13之交界，設有既定之寬度，譬如於室溫中為2mm至3mm之寬度的間隙27。進而，於介電罩蓋12之基板S側之面(以下稱為「底面」)，長邊的矩形狀組件，即複數個蓋板17，係對應於各間隙27而加以配置，以覆蓋各間隙27。蓋板17之長度係設定為至少500mm以上，宜為800mm以上，更理想者為900mm以上，且寬度係設定為較間隙27之寬度要來得大，未與蓋板17中之間隙27呈對向的部分，則係由下方支撐挾間隙27而鄰接之兩個分割片13之緣部。亦即，各蓋板17會支撐各分割片13。

又，各蓋板17係藉由兩個支撐座28(蓋板支撐具)而被裝設於支撐樑6，且包含有設於與支撐樑6之氣體流道16及後述氣體供給部29之氣體流道30對應處之複數個氣體導入孔18。

圖4(A)至圖4(D)係圖3中之蓋板各部分的剖面圖，圖4(A)係沿圖3中之線A-A之剖面圖，圖4(B)係沿圖3中之線B-B之剖面圖，圖4(C)係沿圖3中之線C-C之剖面圖，圖4(D)係沿圖3中之線D-D之剖面圖。

如圖4(A)所示，蓋板17係覆蓋間隙27，且由下方支撐鄰接之兩個分割片13之緣部。

如圖4(B)所示，支撐座28係包含有凸緣28a及軸部28b之剖面T字狀的蓋組件，而藉由凸緣28a來支撐蓋板17，且藉由包含有中空部31之軸部28b內側面所形成之陰螺紋部(未圖式)，以及螺合於支撐樑6底面之螺栓32其頭部33側面所形成之陽螺紋部(未圖式)的螺合，來將蓋板17安裝於支撐樑6。

又，於軸部28b及各分割片13之間，設有既定寬度，譬如於室溫為2mm至3mm寬度之間隙35。藉此，即使各分割片13產生熱膨脹，亦不會與軸部28b碰觸，因此，可確實地防止於各分割片13或軸部28b產生壓縮應力。

如圖4(C)所示，於支撐樑6，在內部形成有氣體流道16之部位處，於罩蓋17係設有貫通該罩蓋17且連通氣體流道16及處理室3內之複數個氣體導入孔18。又，如圖4(D)所示，於支撐樑6不存在之部位處，被分割介電組件5挾住般而設置有氣體供給部29，氣體供給部29的內部形成有氣體流道30，且於氣體供給部29連接有由包含有氣體導入路徑15之懸掛件7分支出的氣體供給路徑34。

圖4(C)及圖4(D)中，蓋板17係由包含有凸緣17a及軸部17b之剖面為T字狀的組件所構成，凸緣17a係由下方支撐各分割片13之緣部，軸部17b係貫通兩個分割片13之間且到達支撐樑6及氣體供給部29。由於各氣體導入孔18係貫通軸部17b，因此會使氣體流道30及處理室3內相連通。

又，於軸部17b及各分割片13之間，設有既定寬度，譬如於室溫為2mm至3mm寬度之間隙36。藉此，即使各分割片13產生熱膨脹，亦不會與軸部17b碰觸，因此，可確實地防止於各分割片13或軸部17b產生壓縮應力。

再者，蓋板17之剖面形狀並不限於T字狀，譬如圖4(E)所示，亦可為頂面平坦的一字狀。此時，支撐樑6係朝下方突出，而與蓋板17之頂面相接觸。

然而，圖11所示之習知電漿處理裝置中，由於無蓋板17，因此需以介電罩蓋之分割片覆蓋支撐樑或氣體供給部之氣體流道，如圖5(A)所示，分割片101係設置有氣體導入孔103，該氣體導入孔103會使氣體流道104及處理室內相連通。

惟，分割片101係一邊的長度為至少500mm之正方形狀或矩形狀的板狀組件，因此，分割片101由電漿接受熱並產生熱膨脹時，會遍及整個周長大幅伸展。通常，由於氣體導入孔103係設於分割片101之周緣部，故氣體導入孔 103之位置會大幅偏移，如圖5(B)所示，一部分的氣體導入孔103未與氣體流道104相對向，其結果，氣體流道104及處理室內之連通受到阻礙。又，氣體導入孔103之直徑最多為φ 0.5mm至1mm，因此不易於陶瓷等所構成的分割片101開削出氣體導入孔103，於分割片101，即使只有一個，一旦有氣體導入孔103加工不良情形，該分割片101便會成為缺陷品。並且分割片101如前述，一邊之長度至少為500mm，因此一旦分割片101成為缺陷品時，由材料節約之觀點來看，效率極差。又，圖11中，介電罩蓋100係分割為4份，但即使藉由譬如將介電罩蓋100分割為9份而多少縮小分割片101之大小，氣體導入孔103之開削困難性並未改變，因此缺陷品之產生頻率幾乎沒改變，有關材料節約，並無法期待大幅改善。

另一方面，本實施型態之電漿處理裝置10中，氣體導入孔18並非設於分割片13而是設於蓋板17。蓋板17之寬度較分割片101之一邊的長度小許多，即使蓋板17產生熱膨脹，蓋板17在寬度方向並未伸展那樣多，如圖4(C)及圖4(D)所示之剖面，僅氣體導入孔18在寬度方向移動。因此，電漿處理裝置10中，氣體流道16,30及處理室3內之連通不會受到蓋板17之固定位置阻礙。又，縱或氣體導入孔18產生加工不良而導致該蓋板17成為缺陷品，由於蓋板17係較分割片101小，故由材料節約之觀點而論，並不會有太大的問題。

各蓋板17之厚度係較小為宜，譬如宜設定為5mm以下。藉此，由於蓋板17不會朝處理室3內突出，因此不會有蓋板17成為異常放電之起點的情況。又，基於同樣理由，蓋板17之緣部係實施倒角俾不會成為稜部，或形成為圓狀。再者，亦可讓蓋板17整個成為圓形狀。

又，構成介電罩蓋12之分割片13，係由Al₂O₃或ZrO₂等的陶瓷或石英等的介電體、於既定的芯材火焰噴塗Y₂O₃ 等的介電性材料、抑或導電體(譬如於鋁表面施予防蝕鋁處理)而構成。

依本實施型態之電漿處理裝置10，鄰接之兩個分割片13之交界所設置的間隙27係以蓋板17加以覆蓋，因此，即使各分割片13產生熱膨脹而導致間隙27有開口，蓋板17仍會覆蓋間隙27，介電窗4及支撐樑6不會曝露於電漿。藉此，可防止介電窗4或支撐樑6因電漿而受到損傷。又，由於係以蓋板17加以覆蓋，成為沉積物之主要原因的反應生成物便不易堆積於間隙27，進而，譬如即使反應生成物堆積於間隙27，由於蓋板17係覆蓋間隙27，可防止由該間隙27剝離之反應生成物飛散，因此，便可防止由於反應生成物引起之沉積物附著於基板S。

前述之電漿處理裝置10中，間隙27具既定的寬度，因此，即使鄰接之兩個分割片13分別產生熱膨脹，亦不會彼此碰觸，藉此，可確實防止於各分割片13產生壓縮應力。

又，各分割片13係藉由蓋板17而被加以支撐，因此無須藉由螺栓等來固定各分割片13，即使各分割片13產生熱膨脹，亦不會因螺栓等而受到約束，可防止於各分割片13產生壓縮應力及拉伸應力。

進而，安裝蓋板17之支撐座28係與蓋板17分開設置，由於支撐座28之凸緣會支撐蓋板17，因此蓋板17亦無須藉由螺栓等加以固定，可防止於蓋板17產生壓縮應力及拉伸應力。

以上，雖已利用前述實施型態說明本發明，但本發明並不限於前述實施型態。

譬如圖6所示，各蓋板17雖係由長邊之矩形狀組件所構成，但蓋板之型態並不限於此，各蓋板17亦可由相互接合之一個井字狀組件所構成，或譬如圖7所示，各蓋板係由大致十字狀之組件37所構成，各組件37亦可加以組合使用。

支撐座28雖係藉由與螺合於支撐樑6底面之螺栓32的頭部33嵌合而安裝於支撐樑6，但將支撐座28安裝於支撐樑6之方法並不限於此，譬如圖8所示，亦可由支撐樑6之上方，藉由擴孔加工而將螺栓座表面39設置於支撐樑6內，並藉由螺栓38同時鎖緊支撐樑6及支撐座28，來將支撐座28安裝於支撐樑6。

又，前述實施型態雖係說明各分割片13為正方形或矩形之情況，但由於各分割片13間之間隙27的位置並不受限於支撐樑6的位置，因此各分割片13之形狀亦可為三角形或五角形，抑或更多的多角形，進而，亦可為因應各分割片之設置環境的不規則形狀。

又，前述之實施型態中，各蓋板17雖係覆蓋所有的間隙27，但若依加工精確度及構造上的理由等而不易完全覆蓋所有間隙27的話，則實質上不加以覆蓋也不會產生問題的部分，譬如圖9所示，於容器1之側壁附近，間隙27露出一部分亦無妨。由於容器1之側壁附近之間隙27的一部分，係僅與未存有基座19之容器1的底部對向，因此反應生成物由該間隙27之一部分飛散並因重力而落下時，該反應生成物只會落下至容器1之底部，而不會到達載置於基座19之載置面22上的基板S。再者，由於前述間隙27之一部分至基座19之載置面22係相分離，因此即使飛散之反應生成物藉由氣體而加以搬運時，並不易到達基板S。進而，若各蓋板17至少覆蓋所有間隙27的90%以上，則可降低來自間隙27之反應生成物的飛散量，因反應生成物而產生的沉積物幾乎不會附著於基板。故，各蓋板17宜至少覆蓋所有間隙27之90%以上。

前述之專利文獻2中，由於固定於樑之介電罩蓋固定具102a,102b係藉由配置於各分割片101之交界而支撐各分割片101，故各分割片101之交界的位置需與樑之配置處一致，然而前述之電漿處理裝置10中，安裝於支撐樑6之支撐座28並不直接支撐分割片13，是經蓋板17而支撐分割片13，且只要蓋板17係配置於各分割片13間之交界即可，故，不一定非得各分割片13之交界的位置需與支撐樑6之配置處一致。

前述之實施型態中，雖係說明藉由分割為8份之介電窗4及分割為9份之介電罩蓋12而構成的情況，即介電窗4及介電罩蓋12之分割數不同之情況，但譬如亦可讓介電窗4及介電罩蓋12之分割數同為9，此時，亦可讓分割片13間之交界與支撐樑6的配置處為一致。另一方面，譬如圖10所示，設於各分割片13之交界之間隙27的位置，亦可偏離支撐樑6之配置處(圖中虛線所示)。此時，於各蓋板40，係以沿介電罩蓋12底面之方式而設置有自本體41突出之突出部42，並藉由以支撐座28支撐該突出部42，便可讓蓋板40之本體41由支撐座28之位置(支撐樑6之配置處)偏離，據此，可以蓋板40之本體41覆蓋各間隙27且支撐各分割片13。

又，無須贅言，介電罩蓋12之分割數及分割片13之形狀並不限於前述實施型態中之分割數及形狀，可依需求而改變分割數及分割片之形狀。