TW201320428A

TW201320428A - 顯示裝置的製造方法

Info

Publication number: TW201320428A
Application number: TW101131984A
Authority: TW
Inventors: Tadashi Goda
Original assignee: Sumitomo Chemical Co
Priority date: 2011-09-05
Filing date: 2012-09-03
Publication date: 2013-05-16
Also published as: WO2013035570A1; JP2013054923A

Abstract

本發明係提供一種當藉由噴嘴印刷法來製作顯示裝置時，能夠抑制有機電激發光元件之發光特性的降低之發光裝置及其製造方法。顯示裝置，係具備有：支撐基板；於該支撐基板上，分別在第1方向及與該第1方向交叉之第2方向隔著預定間隔所配置之複數個有機電激發光元件；設置於前述支撐基板上，在對應於前述複數個有機電激發光元件之位置具有開口，並藉由該開口來個別地界定各有機電激發光元件之絕緣膜；以及屬於由設置於前述絕緣膜上之複數條區隔壁構件所構成之區隔壁，且各區隔壁構件配置於在前述第2方向相鄰之有機電激發光元件間，並且在第1方向延伸存在之區隔壁之在該顯示裝置中，各區隔壁構件係將該區隔壁構件之第2方向的中心位置，相對於在前述第2方向相鄰之開口間的中心往第2方向的一方偏移而配置。

Description

顯示裝置的製造方法

本發明係關於顯示裝置的製造方法。

顯示裝置係具有各種型式。當中之一有將有機電激發光元件(以下亦稱為「有機EL元件」)用作為像素的光源之顯示裝置。該顯示裝置，係包含支撐基板、由在第1方向延伸存在之複數條區隔壁構件20所構成之區隔壁17、以及於區隔壁構件20之間沿著第1方向X隔著等間隔所配置之複數個有機EL元件而構成(參考第4圖)。

有機EL元件係從支撐基板側開始依序積層：第1電極12、1層以上的功能層、及第2電極而構成。

功能層可藉由塗佈法來形成。例如，功能層可藉由將含有成為該功能層之材料的印墨供給至區隔壁構件20與區隔壁構件20之間之凹部，再使該所供給之印墨固化而形成。印墨的供給，例如可藉由噴嘴印刷法來進行。在藉由噴嘴印刷法形成功能層後，再藉由預定方法來形成上部電極，而藉此可將複數個有機EL元件形成於支撐基板上(例如參考專利文獻1)。

[先前技術文獻] (專利文獻)

專利文獻1：日本特開2008-218250號公報

第4圖係示意顯示顯示裝置的一部分之俯視圖，第5圖為顯示裝置之剖面圖。

第4圖中，箭頭係示意表示噴嘴印刷裝置之噴嘴4的路徑。如此於噴嘴印刷法中，係以一筆畫書寫方式來塗佈印墨。本發明人們係發現到：於該系統中，不論如何設定噴嘴印刷裝置的動作，如第5圖所示，乾燥後之功能層的形狀會在區隔壁構件間有無法呈對稱之情形。具有在區隔壁構件間形成為非對稱之功能層之有機EL元件，與具有形成為對稱之功能層之有機EL元件相比，該發光特性有時會降低。

因此，本發明之目的在於提供一種當藉由噴嘴印刷法來製作顯示裝置時，能夠抑制有機EL元件之發光特性的降低之發光裝置及其製造方法。

本發明係提供下列[1]及[2]。

[1]一種顯示裝置，係具備有：支撐基板；於該支撐基板上，分別在第1方向及與該第1方向交叉之第2方向隔著預定間隔所配置之複數個有機電激發光元件；設置於前述支撐基板上，在對應於前述複數個有機電激發光元件之位置具有開口，並藉由該開口來個別地界定各有機電激發光元件之絕緣膜；以及屬於由設置於前述絕緣膜上之複數條區隔壁構件所構成之區隔壁，且各區隔壁構件配置於在前述第2方向相鄰之有機電激發光元件間，並且在第1方向延伸存在之區隔壁；於該顯示裝置中，各區隔壁構件係將該區隔壁構件之第2方向的中心位置，相對於在前述第2方向相鄰之開口間的寬度的中心往第2方向的一方偏移而配置。

[2]一種顯示裝置的製造方法，係製造具備有：支撐基板；於該支撐基板上，分別在第1方向及與該第1方向交叉之第2方向隔著預定間隔所配置之複數個有機電激發光元件；設置於前述支撐基板上，在對應於前述複數個有機電激發光元件之位置具有開口之絕緣膜；以及屬於由設置於前述絕緣膜上之複數條區隔壁構件所構成之區隔壁，且各區隔壁構件配置於在前述第2方向相鄰之有機電激發光元件間，並且在第1方向延伸存在之區隔壁之顯示裝置的製造方法，其具有：製備設置有：i)前述複數個有機電激發光元件的像素電極、及ii)在對應於該像素電極之位置具有開口之絕緣膜的支撐基板之工序；藉由在前述絕緣膜上形成複數條區隔壁構件來設置區隔壁之工序；藉由噴嘴印刷法將預定的印墨供給至前述區隔壁構件間的區域並使該印墨固化，藉此在前述像素電極上形成有機電激發光元件的預定功能層之工序；以及在前述功能層上形成上部電極之工序；在前述設置區隔壁之工序中，各區隔壁構件係將該區隔壁構件之第2方向的中心位置，相對於在前述第2方向相鄰之開口間的寬度的中心往第2方向的一方偏移而形成。

根據本發明，可提供一種當藉由噴嘴印刷法來製作顯示裝置時，能夠抑制有機EL元件之發光特性的降低之發光裝置及其製造方法。

4‧‧‧噴嘴

11‧‧‧支撐基板

12‧‧‧像素電極

13‧‧‧電洞注入層

14‧‧‧發光層

15‧‧‧絕緣膜

16‧‧‧上部電極

17‧‧‧區隔壁

18‧‧‧凹部

20‧‧‧區隔壁構件

21‧‧‧發光裝置

22‧‧‧有機EL元件

第1圖係示意顯示本發明的一實施形態之發光裝置21之俯視圖。

第2圖係示意擴大顯示發光裝置21之剖面圖。

第3圖係對於發光裝置21的剖面誇大地顯示功能層等的形狀之圖。

第4圖係示意顯示藉由噴嘴印刷法來塗佈印墨時的動作之圖。

第5圖係對於發光裝置21的剖面誇大地顯示功能層等的形狀之圖。

本發明之顯示裝置，為具備有：支撐基板；於該支撐基板上，分別在第1方向及與該第1方向交叉之第2方向隔著預定間隔所配置之複數個有機電激發光元件；設置於前述支撐基板上，在對應於前述複數個有機電激發光元件之位置具有開口，並藉由該開口來個別地界定各有機電激發光元件之絕緣膜；以及屬於由設置於前述絕緣膜上之複數條區隔壁構件所構成之區隔壁，且各區隔壁構件配置於在前述第2方向相鄰之有機電激發光元件間，並且在第1方向延伸存在之區隔壁；在該顯示裝置中，各區隔壁構件係將該區隔壁構件之第2方向的中心位置，相對於在前述第2方向相鄰之開口間的寬度的中心往第2方向的一方偏移而配置。

顯示裝置主要有主動矩陣驅動型的裝置與被動矩陣驅動型的裝置。本發明可應用在此兩種驅動型的顯示裝置，但在本實施形態中，係以應用在主動矩陣驅動型的顯示裝置作為一例來說明發光裝置。

<發光裝置的構成>

首先說明發光裝置的構成。第1圖係示意顯示本實施形態之發光裝置21之俯視圖，第2圖係示意擴大顯示發光裝置21之剖面圖。發光裝置21，主要是含有：支撐基板11、以及設置於該支撐基板上之複數個有機EL元件22。

本實施形態中，複數個有機EL元件22係於支撐基板11上，分別在第1方向X及與該第1方向X交叉之第2方向Y隔著預定間隔矩陣狀地配置。本實施形態中，有機EL元件22，係在第1方向X隔著等間隔地配置，並且亦在第2方向Y隔著等間隔地配置。

本實施形態中，第1方向X及第2方向Y係相對於支撐基板11的厚度方向Z呈垂直。此外，本實施形態中，第1方向X與第2方向Y相互垂直。以下，有時亦將支撐基板11的厚度方向Z簡稱為厚度方向Z。

前述支撐基板11上，設置有用以個別界定各有機EL元件22之絕緣膜15。此絕緣膜15，在對應於前述複數個有機EL元件之位置具有開口。各有機EL元件22，從厚度方向Z的一方觀看時(以下亦有稱為「俯視觀看」)，係設置於對應於絕緣膜15的開口之位置。如後所述，構成有機EL元件之功能層，係形成為與在第1方向X相鄰之有機EL元件22連接而呈物理接續。然而，係藉由上述絕緣膜15而使在第1方向X相鄰之有機EL元件22形成電性絕緣。

絕緣膜15的開口，由於形成於對應於有機EL元件22之位置，所以與有機EL元件22相同地配置為矩陣狀。如此，絕緣膜15具有矩陣狀的開口。換言之，絕緣膜15於俯視觀看形成為格子狀。絕緣膜15的開口，於俯視觀看形成為與後述像素電極12大致呈一致，例如形成為大致矩形、大致圓形及大致橢圓形等。格子狀絕緣膜15於俯視觀看，主要形成於扣除像素電極12之外的區域。此外，格子狀絕緣膜15之其一部分覆蓋像素電極12的周緣而形成。

本實施形態中，於絕緣膜15上，設置有由複數條區隔壁構件20所構成之區隔壁17。各區隔壁構件20，係配置於在第2方向Y相鄰之有機EL元件間。此外，各區隔壁構件2(0在第1方向X延伸存在。如此，本實施形態中，所謂長條狀的區隔壁17係設置於絕緣膜15上。

有機EL元件22係設置於由區隔壁17所劃分之分隔區。本實施形態中，複數個有機EL元件22係設置於在第2方向Y相鄰之區隔壁構件20間的區域(亦即凹部18)，並在區隔壁構件20間的區域，在第1方向X隔著預定間隔而配置。各有機EL元件22不需物理性相分離，只要可個別地驅動來形成電性絕緣即可。因此，構成有機EL元件之一部分的層(電極或功能層)，可與其他有機EL元件物理性連接。

本實施形態中，有機EL元件22，是以從支撐基板11側依序配置第1電極12、功能層13、14、及第2電極16而構成。本說明書中，係將第1電極12記載為像素電極12，將第2電極16記載為上部電極16。

像素電極12及上部電極16係構成由陽極與陰極所組成之一對電極。亦即，像素電極12及上部電極16中的一方設為陽極，另一方設為陰極。此外，像素電極12係靠近支撐基板11而配置，上部電極16則較像素電極12遠離支撐基板11而配置。

有機EL元件22具備1層以上的功能層。本說明書中，功能層係意味著由像素電極12及上部電極16所夾住之全部的層。有機EL元件22具備至少1層以上的發光層作為功能層。此外，電極之間不限於發光層，可因應必要設置預定層。就在陽極與發光層之間所設置之功能層而言，例如可列舉出電洞注入層、電洞輸送層、及電子阻隔層等。就在發光層與陰極之間所設置之功能層而言，例如可列舉出電洞阻隔層、電子輸送層、及電子注入層等。

本實施形態之有機EL元件22，係在像素電極12與發光層14之間具備電洞注入層13作為功能層。

以下，作為本發明之一實施形態，係說明從支撐基板11側依序包含具有陽極的功能之像素電極12、電洞注入層13、發光層14、及具有陰極的功能之上部電極16之有機EL元件22。

本實施形態之發光裝置21為主動矩陣驅動型的裝置，由於可個別驅動各有機EL元件22，所以對各有機EL元件22個別設置像素電極12。亦即，與有機EL元件22的數目相同之像素電極12被設置於支撐基板11上。例如，像素電極12為薄膜狀，且俯視觀看形成為大致矩形。複數個像素電極12在支撐基板11上，以矩陣狀設置於對應在設置有各有機EL元件之位置。複數個像素電極12，在第1方向X隔著預定間隔，並且在第2方向Y隔著預定間隔來配置。亦即，像素電極12於俯視觀看，設置於在第2方向Y相鄰之區隔壁構件20間的區域，並在區隔壁構件20間，在第1方向X隔著預定間隔而配置。

如前所述，格子狀絕緣膜15於俯視觀看，主要形成於扣除像素電極12之區域，其一部分以覆蓋像素電極12的周緣而形成。亦即，絕緣膜15在對應於像素電極12之位置形成有開口，藉由該開口使像素電極12的表面從絕緣膜15暴露出。

電洞注入層13，係以在第1方向X延伸存在之方式設置於區隔壁構件20間的區域。亦即，電洞注入層13，由在第2方向Y相鄰之區隔壁構件20所區隔之凹部18形成為帶狀，並以橫跨在第1方向X相鄰之有機EL元件22之方式連續地形成。

發光層14，係以在第1方向X延伸存在之方式設置於區隔壁構件20間的區域。亦即，發光層14在由第2方向Y相鄰之區隔壁構件20所區隔之凹部18形成為帶狀，並以橫跨在第1方向X相鄰之有機EL元件之方式連續地形成。帶狀的發光層14積層於帶狀的電洞注入層13上。

本發明亦可適用在單色顯示裝置，但在本實施形態中，係說明彩色顯示裝置作為一例。為彩色顯示裝置時，係在支撐基板11上設置有射出紅色、綠色及藍色中的任一種光之3種有機EL元件。彩色顯示裝置，例如可藉由依序在第2方向Y重複地配置下列(I)、(II)、及(III)的列而實現。

(I)在第1方向X隔著預定間隔配置有射出紅色光之複數個有機EL元件22R之列。

(II)在第1方向X隔著預定間隔配置有射出綠色光之複數個有機EL元件22G之列。

(III)在第1方向X隔著預定間隔配置有射出藍色光之複數個有機EL元件22B之列。

當如此形成發光色不同之3種有機EL元件時，通常對於元件的不同種類設置發光色不同之發光層。本實施形態中，係依序在第2方向Y，重複地配置下述(i)、(ii)、(iii)的列。

(i)設置有射出紅色光之發光層14R之列。

(ii)設置有射出綠色光之發光層14G之列。

(iii)設置有射出藍色光之發光層14B之列。

此時，在第1方向X延伸存在之帶狀的3種發光層14R、發光層14G、發光層14B，分別在第2方向Y隔著2列的間隔依序積層在電洞注入層13上。

上部電極16設置於發光層14上。本實施形態中，上部電極16係橫跨複數個有機EL元件22連續地形成，並設置作為複數個有機EL元件的共通電極。上部電極16不僅形成在發光層14上，亦形成於區隔壁17上，並以使發光層14上的電極與區隔壁17上的電極相連接之方式全面地形成。

第3圖係對於發光裝置21的剖面誇大地顯示功能層等的形狀之圖。第3圖中，為了容易理解而省略像素電極12、上部電極16的圖示。

各區隔壁構件20係將該區隔壁構件20之第2方向Y的中心位置，相對於在前述第2方向Y相鄰之開口間的寬度的中心往第2方向的一方偏移而配置。亦即，在第2方向Y相鄰之開口間形成有絕緣膜15，在該絕緣膜15之第2方向Y的中心，並非對準該區隔壁構件20之第2方向Y的中心位置，而是偏向絕緣膜15之第2方向Y的一方來配置區隔壁構件20。參照第3圖來說明，梯形狀的區隔壁構件20在矩形狀的絕緣膜15上，從該第2方向Y的中心往左方偏移而配置。

區隔壁構件20之第2方向Y的中心位置、與在前述第2方向Y相鄰之開口間的寬度的中心位置之第2方向Y的偏移寬度M，可因應功能層的形狀來適當地設定。一項實施形態中，當將在前述第2方向Y相鄰之開口間的距離(寬度)設為W時，較佳係滿足下列式(1)的關係。

c<M/W≦b………式(1)

上述式(1)中，b較佳為0.2，尤佳為0.1。此外，上述式(1)中，c較佳為0.02，尤佳為0.05。

如前所述，功能層係在區隔壁構件20間非對稱地形成。本發明中，較佳係以使功能層的厚度成為最小之位置與開口之第2方向的中心呈一致之方式來設定前述偏移寬度M。當將開口之第2方向的寬度之某位置以從其一端起算的距離來表示，並將至其另一端為止之距離設為X時，功能層的厚度成為最小之位置A，較佳係滿足下列式(2)的關係。

|A/X-0.5|≦a………式(2)

上述式(2)中，a較佳為0.2，尤佳為0.1。

此外，在預定的凹部18中，當對第2方向Y的一方之區隔壁構件20與功能層的表面之切片H1、與另一方之區隔壁構件20與功能層的表面之切片H2進行比較時，係以使區隔壁構件20之第2方向Y的中心位置往切片較高者偏移之方式來配置區隔壁構件20。記號H1、H2分別表示距離支撐基板11之高度。藉由如此地配置區隔壁構件20，例如可滿足上述式(2)的關係。

例如參照第3圖來說明，由於左方的切片H1較右方的切片H2更高，所以區隔壁構件20之第2方向Y的中心位置，較佳係較在第2方向Y相鄰之開口間的寬度的中心位置往左方偏移。

區隔壁構件20之第2方向Y的中心位置、與在前述第2方向Y相鄰之開口間的寬度的中心位置之第2方向Y的偏移寬度M以及該偏移方向，可依循下列方法來決定。亦即實際將區隔壁構件20形成於支撐基板11上作為試作品，並在區隔壁構件20間的區域形成薄膜。然後掌握H1、H2的關係，並可根據該關係來決定偏移寬度M以及該偏移方向。

如上所述，藉由配置區隔壁構件20，可於開口內在第2方向Y使功能層呈大致對稱地形成。藉此，可實現俯視觀看時在開口內大致均一地發光之有機EL元件，並可提升有機EL元件的發光特性。

<發光裝置的製造方法>

接著說明發光裝置的製造方法。

本發明之發光裝置的製造方法，係關於一種顯示裝置的製造方法，為製造具備有：支撐基板；於該支撐基板上，分別在第1方向及與該第1方向交叉之第2方向隔著預定間隔所配置之複數個有機EL元件；在對應於前述複數個有機電激發光元件之位置具有開口之絕緣膜；以及是由設置於前述絕緣膜上之複數條區隔壁構件所構成之區隔壁，且各區隔壁構件配置於在前述第2方向相鄰之有機電激發光元件間，並且在第1方向延伸存在之區隔壁之顯示裝置的製造方法，係具有：製備設置有i)前述複數個有機電激發光元件的像素電極、及ii)在對應於該像素電極之位置具有開口之絕緣膜的支撐基板之工序；藉由在前述絕緣膜上形成複數條區隔壁構件來設置區隔壁之工序；藉由噴嘴印刷法將預定的印墨供給至前述區隔壁構件間的區域並使該印墨固化，藉此在前述像素電極上形成有機電激發光元件的預定功能層之工序；以及在前述功能層上形成上部電極之工序；在前述設置區隔壁之工序中，各區隔壁構件係將該區隔壁構件之第2方向的中心位置，相對於在前述第2方向相鄰之開口間的寬度的中心往第2方向的一方偏移而形成。

(製備支撐基板之工序)

本工序中，係製備在其上方設置有i)複數個有機EL元件之像素電極12、及ii)在對應於該像素電極12之位置具有開口之絕緣膜15之支撐基板11。為主動矩陣型的顯示裝置時，可將預先形成有用以個別地驅動複數個有機EL元件之電路之基板用作為支撐基板11。例如，可將預先形成有TFT(Thin Film Transistor：薄膜電晶體)及電容器等之基板用作為支撐基板。接著如下列所述地藉由本工序來形成像素電極12，藉此來製備在其上設置有像素電極12及絕緣膜15之支撐基板11。或者是從市面上取得預先在其上設置有像素電極12及絕緣膜15之支撐基板11作為支撐基板11。

首先將複數個像素電極12以矩陣狀形成於支撐基板11上。像素電極12，例如可將導電性薄膜形成於支撐基板11上的全面，並藉由微影技術將此薄膜圖案形成為矩陣狀。此外，例如可將在預定部位形成有開口之遮罩配置於支撐基板11上，並透過該遮罩使導電性材料選擇性地沉積於支撐基板11上的預定部位而藉此將像素電極12形成圖案。關於像素電極12的材料，將於之後詳述。

接著將格子狀絕緣膜15形成於支撐基板11。絕緣膜15是由有機物或無機物所構成。構成絕緣膜15之有機物，例如可列舉出丙烯酸樹脂、酚樹脂、及聚醯亞胺樹脂等樹脂。此外，構成絕緣膜15之無機物，例如可列舉出SiO_x、SiN_x等。

當形成由無機物所構成之絕緣膜15時，例如可藉由電漿CVD法或濺鍍法等將由無機物所構成之薄膜全面地形成，接著去除預定部位來形成格子狀絕緣膜15。預定部位的去除，例如可藉由微影技術法來進行。

當形成由有機物所構成之絕緣膜15時，首先，例如可將正型或負型感光性樹脂全面地塗佈，使預定部位進行曝光、顯影。然後進行硬化而藉此形成格子狀絕緣膜15。感光性樹脂可使用光阻。

接著形成區隔壁17。亦即，將複數條區隔壁構件20形成於前述絕緣膜15上而設置區隔壁17。本工序中，各區隔壁構件，係將該區隔壁構件20之第2方向上的中心位置，相對於在前述第2方向相鄰之開口間的寬度的中心往第2方向的一方偏移而形成。

區隔壁17，例如可使用絕緣膜15的材料中所例示出之上述材料，並藉由與形成絕緣膜15之方法相同來形成為長條狀。

區隔壁17較佳是由有機物所構成。為了將供給至由區隔壁17所包圍之凹部18的印墨保持在凹部18內，區隔壁較佳係顯示出撥液性。一般而言，有機物相較於無機物更顯示出對印墨之撥液性，故可藉由有機物來構成區隔壁，而提高將印墨保持在凹部18內之能力。

區隔壁17的形狀及其配置，可因應像素數及解析度等之顯示裝置的規格、製造的容易度等來適當地設定。例如，區隔壁構件20之第2方向Y的寬度L1為5μm至50μm左右，區隔壁構件20的厚度方向Z之高度L2為0.5μm至5μm左右，凹部18之第2方向Y的寬度L3為10μm至200μm左右。此外，像素電極12之第1方向X及第2方向Y的寬度分別為10μm至400μm左右。

(形成功能層之工序)

本工序中，係藉由噴嘴印刷法將預定的印墨供給至區隔壁構件間的區域並使該印墨固化，而在像素電極上形成有機EL元件的預定功能層。所謂預定的印墨，是指含有成為功能層(本實施形態中為電洞注入層及發光層)之材料的印墨。本工序中，當設置複數層功能層時，係藉由噴嘴印刷法來形成至少1層。

本實施形態中，由於形成對全部有機EL元件為共通之電洞注入層13，故不需侷限於區隔壁構件20間的區域來供給含有成為電洞注入層13之材料的印墨(以下亦稱為「電洞注入層用印墨」)，亦可全面地供給電洞注入層用印墨。因此，可藉由任意方法來供給電洞注入層用印墨。例如可藉由旋轉塗佈法、狹縫塗佈法、噴墨印刷法、噴嘴印刷法、凸版塗佈法、凹版塗佈法等的塗佈法來供給電洞注入層用印墨。電洞注入層用印墨的供給方法，較佳係可在短時間內均勻地供給電洞注入層用印墨之方法。從該觀點來看，較佳為旋轉塗佈法、狹縫塗佈法或噴嘴印刷法。當全面地塗佈電洞注入層用印墨時，由於區隔壁表面性狀的不同，會有將電洞注入層形成至區隔壁上之情形。為了避免此情形，亦有較佳為將電洞注入層用印墨僅供給至凹部18之情形。此時，係藉由可選擇地將電洞注入層用印墨供給至凹部18之塗佈法來供給電洞注入層用印墨。本實施形態中，係藉由噴嘴印刷法來供給電洞注入層用印墨，作為可選擇地供給電洞注入層用印墨之塗佈法。

以下參照第4圖來說明本工序。第4圖係示意顯示藉由噴嘴印刷法來塗佈印墨時之動作的圖。本第4圖，係使用與在課題的項目中所引用之圖為相同的圖，但本實施形態的顯示裝置，與在課題的項目中所說明之先前的顯示裝置，就區隔壁構件的配置有所不同。

噴嘴印刷法中，係以一筆畫書寫方式將電洞注入層用印墨供給至各列(凹部18)。亦即，在維持從配置於支撐基板11的上方之噴嘴吐出液柱狀的電洞注入層用印墨之狀態下，一邊使噴嘴4往第1方向X來回移動。然後在噴嘴4之來回移動的折返時，在第2方向Y使支撐基板11移動達預定距離，藉此將電洞注入層用印墨供給至各列。例如在噴嘴4之來回移動的折返時，藉由使支撐基板往第2方向Y移動達1列的量，可將電洞注入層用印墨供給至全部的列。

更具體而言，在維持從噴嘴4吐出液柱狀的電洞注入層用印墨之狀態下，可依序重複進行下列(1)至(4)的工序而藉此將電洞注入層用印墨供給至全部區隔壁構件20間的區域(凹部18)。

(1)將噴嘴4從第1方向X的一端往另一端移動之工序。

(2)將支撐基板11往第2方向Y的一方移動達1列的量之工序。

(3)將噴嘴4從第1方向X的另一端往一端移動之工序。

(4)將支撐基板往第2方向Y的一方移動達1列的量之工序。

如上述，藉由噴嘴印刷法來供給電洞注入層用印墨，可形成由電洞注入層用印墨所構成之印墨。

如前所述，本實施形態中，各區隔壁構件，係將該區隔壁構件之第2方向的中心位置，相對於在前述第2方向相鄰之開口間的寬度的中心往第2方向的一方偏移而配置。藉由如此地配置區隔壁構件，即使藉由噴嘴印刷法來塗佈印墨，如第3圖所示，亦可於開口內，在第2方向使電洞注入層呈大致對稱地形成。

(形成發光層之工序)

接著形成發光層。如前所述，當製作彩色顯示裝置時，必須製作3種有機EL元件。因此，必須對各列分別塗佈發光層的材料。例如，當將3種發光層按各列形成時，必須在各第2方向Y，隔著2列的間隔塗佈含有射出紅色光之材料的紅色印墨、含有射出綠色光之材料的綠色印墨、及含有射出藍色光之材料的藍色印墨。藉由在預定列依序塗佈此等紅色印墨、綠色印墨、藍色印墨，可使各發光層塗佈成膜。

在預定列依序塗佈紅色印墨、綠色印墨、藍色印墨之方法，只要是可選擇地將印墨供給至區隔壁構件間的區域之塗佈法，則可為任意方法。例如可藉由噴墨印刷法、噴嘴印刷法、凸版塗佈法、及凹版塗佈法等來供給印墨。印墨的供給方法，較佳係可在短時間內均勻地供給印墨之方法。從該觀點來看，較佳為噴嘴印刷法。本實施形態中，與前述形成電洞注入層相同，係藉由噴嘴印刷法來供給印墨。

更具體而言，在維持從噴嘴4吐出液柱狀的紅色印墨之狀態下，可依序重複進行下列(1)至(4)的工序，藉此在第2方向Y隔著2列的間隔，將紅色印墨供給至區隔壁構件 20間的區域(凹部18)。

(1)將噴嘴4從第1方向X的一端往另一端移動之工序。

(2)將支撐基板11往第2方向Y的一方移動達3列的量之工序。

(3)將噴嘴4從第1方向X的另一端往一端移動之工序。

(4)將支撐基板往第2方向Y的一方移動達3列的量之工序。

與上述紅色印墨相同地分別供給綠色印墨、藍色印墨，可在第2方向Y隔著2列的間隔，分別將綠色印墨、藍色印墨供給至區隔壁構件20間的區域(凹部18)。

關於紅色印墨、綠色印墨、藍色印墨所使用之發光材料，將於之後說明。各印墨亦可含有可藉由施加能量而聚合之聚合性化合物。印墨亦可使用：含有具有可藉由施加能量而聚合之聚合性基之發光材料作為聚合性化合物之紅色印墨、綠色印墨、藍色印墨。此外，亦可使用：含有本身不會聚合之發光材料、以及除了該發光材料之外更具有可聚合之聚合性基之聚合性化合物之紅色印墨、綠色印墨、藍色印墨。

聚合性基，例如可列舉出乙烯基、乙炔基、丁烯基、丙烯醯基、丙烯醯胺基、甲基丙烯醯基、甲基丙烯醯胺基、乙烯氧基、乙烯胺基、矽醇基、環丙基、環丁基、環氧基、氧雜環丁烷基(oxetanyl)、二乙烯酮基(diketenyl)、環硫基、內酯基、及內醯胺基等。

此外，聚合性化合物，例如可列舉出具有聚合性基之PDA(N,N’-四苯基-1,4-伸苯二胺)的衍生物、具有聚合性基之TPD(N,N’-雙(3-甲基苯基)-N,N’-雙(苯基)-聯苯胺)的衍生物、具有聚合性基之NPD(N,N’-雙(萘-1-基)-N,N’-雙(苯基)-聯苯胺)的衍生物、丙烯酸三苯胺酯、丙烯酸三伸苯二胺酯、丙烯酸伸苯酯、雙苯氧基乙醇茀二丙烯酸酯(bisphenoxyethanol fluorene diacrylate)(Osaka Gas Chemical公司製，商品名稱BPEF-A)、二新戊四醇六丙烯酸酯(日本化藥公司製，商品名稱KAYARD DPHA)、參新戊四醇八丙烯酸酯(廣榮化學公司製)、1,4-丁二醇二丙烯酸酯(Alfa Aesar公司製)、Aron Oxetane(OXT 121；東亞合成公司製交聯劑)等，此等當中，較佳為丙烯酸苯基茀酯。

如前所述，本實施形態中，各區隔壁構件係將該區隔壁構件之第2方向的中心位置，相對於在前述第2方向相鄰之開口間的寬度的中心往第2方向的一方偏移而配置。藉由如此地配置區隔壁構件，即使藉由噴嘴印刷法來塗佈印墨，如第3圖所示，亦可於開口內，在第2方向中使發光層呈大致對稱地形成。

形成發光層後，可因應必要，藉由預定方法來形成預定的有機層或無機層等。此等可藉由使用印刷法、噴墨法、噴嘴印刷法等之預定塗佈法，或是使用預定的乾式法來形成。

(形成上部電極之工序)

接著形成上部電極。如前所述，本實施形態中係將上部電極形成於支撐基板上的全面。藉此可在基板上形成有複數個有機EL元件。

如以上所說明，本實施形態中，各區隔壁構件，係將該區隔壁構件之第2方向的中心位置，相對於在前述第2方向相鄰之開口間的寬度中心往第2方向的一方偏移而配置。藉由如此地配置區隔壁構件20，可於開口內，在第2方向使電洞注入層、發光層呈大致對稱地形成。藉此，可實現俯視觀看時在開口內大致均勻地發光之有機EL元件，並可提升有機EL元件的發光特性。

<有機EL元件的構成>

如前所述，有機EL元件22可採取各種層構成，以下更詳細地說明有機EL元件的層構造、各層的構成、以及各層的形成方法。

如前所述，有機EL元件係含有由陽極及陰極所構成之一對電極(像素電極及上部電極)、與設置於該電極間之1層或複數層功能層而構成，1層或複數層功能層至少具有一層發光層。有機EL元件，可含有包含無機物與有機物之層、以及無機層等。構成有機層之有機物，可為低分子化合物或高分子化合物，亦可為低分子化合物與高分子化合物之混合物。有機層較佳是含有高分子化合物，並以含有經聚苯乙烯換算之數量平均分子量為10³至10⁸的高分子化合物。

設置於陰極與發光層之間之功能層，例如可列舉出電子注入層、電子輸送層、電洞阻隔層等。當電子注入層及電子輸送層兩者之層設置於陰極與發光層之間時，將接近於陰極之層稱為電子注入層，將接近於發光層之層稱為電子輸送層。設置於陽極與發光層之間之功能層，例如可列舉出電洞注入層、電洞輸送層、電子阻隔層等。當設置有電洞注入層及電洞輸送層兩者之層時，將接近於陽極之層稱為電洞注入層，將接近於發光層之層稱為電洞輸送層。

以下係顯示本實施形態之有機EL元件所能夠採取之層構成的一例。

a)陽極/發光層/陰極

b)陽極/電洞注入層/發光層/陰極

c)陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極

d)陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/陰極

e)陽極/電洞注入層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極

f)陽極/電洞輸送層/發光層/陰極

g)陽極/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極

h)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極

i)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極

j)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/陰極

k)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極

l)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/ 陰極

m)陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極

n)陽極/發光層/電子注入層/陰極

o)陽極/發光層/電子輸送層/陰極

p)陽極/發光層/電子輸送層/電子注入層/陰極

(在此，記號「/」係表示夾住記號「/」之各層為鄰接而積層者。以下相同。)

本實施形態之有機EL元件，可具有2層以上的發光層。上述a)至p)之層構成中的任一項中，當將為陽極與陰極所夾住之積層體設為「構造單位A」時，作為具有2層發光層之有機EL元件的構成，可列舉出下列q)所示之層構成。有2個(構造單位A)的層構成，可互為相同或不同。

q)陽極/(構造單位A)/電荷產生層/(構造單位A)/陰極

此外，當將「(構造單位A)/電荷產生層」設為「構造單位B」時，作為具有3層以上的發光層之有機EL元件的構成，可列舉出下列r)所示之層構成。

r)陽極/(構造單位B)x/(構造單位A)/陰極

記號「x」係表示2以上之整數，(構造單位B)x表示構造單位B經x段積層而成之積層體。此外，有複數個(構造單位B)的層構成，可互為相同或不同。

在此，所謂電荷產生層為藉由施加電場而產生電洞與電子之層。電荷產生層，可列舉出例如由氧化釩、氧化銦錫(Indium Tin Oxide：略稱為ITO)、氧化鉬等所構成之薄膜。

有機EL元件，可將陽極配置於較陰極更靠近支撐基板而設置於支撐基板上，此外，亦可將陰極配置於較陽極更靠近支撐基板而設置於支撐基板。例如在上述a)至r)之構成中，可為從右側依序將各層積層於支撐基板上而構成有機EL元件或是從左側依序將各層積層於支撐基板上而構成有機EL元件。積層之層的順序、層數、及各層的厚度，可考量到發光效率、元件壽命來適當地設定。接著更具體地說明構成有機EL元件之各層的材料及形成方法。

<陽極>

為從發光層所射出之光通過陽極往元件外射出之構成的有機EL元件時，陽極係使用光穿透性的電極。光穿透性的電極，例如可使用金屬氧化物、金屬硫化物及金屬等薄膜。當中較佳係使用電傳導率及光穿透率高之薄膜。具體而言，可使用由氧化銦、氧化鋅、氧化錫、ITO、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide：略稱為IZO)、金、鉑、銀、及銅等所構成之薄膜，此等中，較佳係使用由ITO、IZO或氧化錫等所構成之薄膜。

陽極的製作方法，例如可列舉出真空蒸鍍法、濺鍍法、離子蒸鍍法、電鍍法等。此外，陽極亦可使用聚苯胺或其衍生物，聚噻吩或其衍生物等之有機透明導電膜。

陽極的膜厚，可考量所要求之特性及成膜工序的簡易度等來適當地設定。例如為10nm至10μm，較佳為20nm 至1μm，更佳為50nm至500nm。

<陰極>

陰極的材料，較佳為功函數小，電子容易注入於發光層，且電傳導率高之材料。此外，在從陽極側取出光之構成的有機EL元件中，由於在陰極將來自發光層的光反射至陽極側，所以陰極的材料，較佳為對可見光之反射率高之材料。陰極，例如可使用鹼金屬、鹼土類金屬、過渡金屬及週期表之13族的金屬等。陰極的材料，例如可列舉出鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鋁、鈧、釩、鋅、釔、銦、鈰、釤、銪、鋱、鐿等金屬；前述金屬中之2種以上的合金；前述金屬中之1種以上與由金、銀、鉑、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、及錫所構成群中所選擇之1種以上的合金；或是石墨或石墨層間化合物等。合金的例子，可列舉出鎂-銀合金、鎂-銦合金、鎂-鋁合金、銦-銀合金、鋰-鋁合金、鋰-鎂合金、鋰-銦合金、鈣-鋁合金等。此外，陰極亦可使用由導電性金屬氧化物及導電性有機物等所構成之透明導電性電極。具體而言，導電性金屬氧化物可列舉出氧化銦、氧化鋅、氧化錫、ITO、及IZO，導電性有機物例如可列舉出聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物等。陰極可由積層2層以上之積層體所構成。亦有將電子注入層用作為陰極之情形。

陰極的膜厚，可考量所要求之特性及成膜工序的簡易度等來適當地設定，例如為10nm至10μm，較佳為20nm至1μm，更佳為50nm至500nm。

陰極的製作方法，可列舉出真空蒸鍍法、濺鍍法、以及將金屬薄膜進行熱壓著之層合法等。

<電洞注入層>

構成電洞注入層之電洞注入材料，例如可列舉出氧化釩、氧化鉬、氧化釕及氧化鋁等氧化物，或是苯基胺系化合物、星爆型胺系化合物、酞青素系化合物、非晶碳、聚苯胺、及聚噻吩衍生物等。

電洞注入層的膜厚，可考量所要求之特性及成膜工序的簡易度等來適當地設定，例如為1nm至1μm，較佳為2nm至500nm，更佳為5nm至200nm。

<電洞輸送層>

構成電洞輸送層之電洞輸送材料，例如可列舉出聚乙烯咔唑或其衍生物、聚矽烷或其衍生物、於側鏈或主鏈具有芳香族胺之聚矽氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳胺衍生物、茋(stilbene)衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚芳胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚(對伸苯乙烯)或其衍生物、或是聚(2,5-伸噻吩乙烯)或其衍生物等。

電洞輸送層的膜厚，可考量所要求之特性及成膜工序的簡易度等來適當地設定，例如為1nm至1μm，較佳為2nm至500nm，更佳為5nm至200nm。

<發光層>

發光層，通常主要是由發出螢光及/或磷光之有機物，或是該有機物與輔助其之摻雜劑所形成。摻雜劑，例如用以提升發光效率或改變發光波長而添加。構成發光層之有機物，可為低分子化合物或高分子化合物。當藉由塗佈法來形成發光層時，發光層較佳係含有高分子化合物。構成發光層之高分子化合物之經聚苯乙烯換算的數量平均分子量，例如為10³至10⁸左右。構成發光層之發光材料，例如可列舉出下列色素材料、金屬錯合物系材料、高分子系材料、摻雜材料。

(色素材料)

色素材料，例如可列舉出環戊達明(cydopendamine)衍生物、四苯基丁二烯衍生物化合物、三苯基胺衍生物、二唑衍生物、吡唑喹啉衍生物、二苯乙烯苯衍生物、二苯乙烯伸芳衍生物、吡咯衍生物、噻吩環化合物、吡啶環化合物、紫環酮(perinone)衍生物、苝衍生物、低聚噻吩衍生物、二唑二聚物、吡唑啉二聚物、喹吖酮衍生物、香豆素衍生物等。

(金屬錯合物系材料)

金屬錯合物系材料，例如可列舉出於中心金屬具有稀土類金屬(例如Tb、Eu、Dy等)、Al、Zn、Be、Ir、及Pt等金屬，並於配位基具有二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯並咪唑、及喹啉結構等之金屬錯合物。具體而言，例如可列舉出銥錯合物、鉑錯合物等具有源自三重激發態的發光之金屬錯合物；鋁喹啉錯合物、鈹苯並喹啉錯合物、鋅苯並唑錯合物、鋅苯並噻唑錯合物、鋅偶氮甲基錯合物、鋅卟啉錯合物、銪啡啉錯合物等。

(高分子系材料)

高分子系材料的例子，例如可列舉出聚對伸苯乙烯衍生物、聚噻吩衍生物、聚對伸苯衍生物、聚矽烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚茀衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、將上述色素材料或金屬錯合物系發光材料進行高分子化者等。

發光層的厚度通常約為2nm至200nm。

<電子輸送層>

構成電子輸送層之電子輸送材料，可使用一般所知之材料，例如可列舉出二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、茀酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、聯苯醌衍生物、或是8-羥基喹啉或其衍生物的金屬錯合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹啉或其衍生物、聚茀或其衍生物等。

電子輸送層的膜厚，可考量所要求之特性及成膜工序的簡易度等來適當地設定，例如為1nm至1μm，較佳為2nm至500nm，更佳為5nm至200nm。

<電子注入層>

構成電子注入層之材料，可因應發光層的種類來適當地選擇最佳材料，例如可列舉出鹼金屬、鹼土類金屬、含有鹼金屬及鹼土類金屬中之1種以上的合金；鹼金屬或鹼土類金屬的氧化物、鹵化物、及碳酸鹽；以及該等之混合物等。鹼金屬、鹼金屬的氧化物、鹵化物、及碳酸鹽，例如可列舉出鋰、鈉、鉀、銣、銫、氧化鋰、氟化鋰、氧化鈉、氟化鈉、氧化鉀、氟化鉀、氧化銣、氟化銣、氧化絕、氟化銫、碳酸鋰等。此外，鹼土類金屬、鹼土類金屬的氧化物、鹵化物、及碳酸鹽，例如可列舉出鎂、鈣、鋇、鍶、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、氟化鈣、氧化鋇、氟化鋇、氧化鍶、氟化鍶、碳酸鎂等。電子注入層，可由積層2層以上之積層體所構成，例如可列舉出LiF/Ca等。

電子注入層的厚度，較佳為1nm至1μm左右。

當功能層中存在有複數層可藉由塗佈法所形成之功能層時，較佳係使用塗佈法來形成全部功能層，但例如亦可使用塗佈法來形成可藉由塗佈法所形成之複數層功能層中的至少1層，並藉由與塗佈法不同之方法來形成其他功能層。此外，即使是藉由塗佈法來形成複數層功能層時，亦可藉由具體方法為不同之塗佈法來形成複數層功能層。例如，本實施形態中，係藉由噴嘴印刷法來形成電洞注入層及發光層，但亦可藉由旋轉塗佈法來形成電洞注入層，藉由噴嘴印刷法形成發光層。

塗佈法中，係將含有成為各功能層之有機EL材料的印墨予以塗佈成膜而形成有機EL層。此時所使用之印墨的溶劑，例如可列舉出三氯甲烷、二氯甲烷、二氯乙烷等氯系溶劑；四氫呋喃等醚系溶劑；甲苯、二甲苯等芳香族烴系溶劑；丙酮、丁酮(methyl ethyl ketone)等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸乙賽璐蘇等酯系溶劑；及水等。

此外，亦可藉由與塗佈法不同之方法來形成功能層，例如可藉由真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD法、層合法等來形成功能層。