TW201311926A - 用於平面顯示器之化學沉積裝置 - Google Patents

Abstract

本發明公開一種用於平面顯示器的化學沉積(chemical vapor deposition；CVD)裝置，所述裝置包括：基座，用於支撐基板；真空室，在所述真空室中對所述基板執行沉積製程，且所述真空室包括形成於其底部中心區域上並使用於向上/向下移動所述基座的柱穿過其中的柱通孔、以及與所述柱通孔間隔開的真空抽吸埠；以及真空抽吸控制單元，其與所述真空抽吸埠相連接並控制所述真空室中的抽吸位置。

Description

用於平面顯示器之化學沉積裝置 【相關申請的交叉參考】

本申請案主張基於2011年9月5日向韓國知識產權局提出申請的韓國專利申請案第10-2011-0089405號、2011年9月16日向韓國知識產權局提出申請的韓國專利申請案第10-2011-0093366號的權利，所述韓國專利申請案的內容以引用方式全文併入本文中。

本發明涉及一種用於平面顯示器之化學沉積裝置，更具體而言，涉及如下一種用於平面顯示器之化學沉積裝置：其中調整真空室內的抽吸位置，以使所述真空室內的壓力分佈均勻，因此提高對基板的沉積品質，並在結構上改良用於相對於所述真空室放入或取出基板的狹縫閥總成。

平面顯示器已被廣泛用作電視機、電腦等的顯示器、以及個人移動終端。存在各種平面顯示器，例如液晶顯示器(liquid crystal display；LCD)、電將顯示面板(plasma display panel；PDP)、有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)等。

有機發光顯示器(organic light emitting display；OLED)為基於其自身中的有機材料的發光而顯示彩色圖像的超薄顯示器，鑒於其結構簡單及光學效率高，有機發光顯示器已作為下一代頗有前景的平面顯示器而受到關注。

為製造此種有機發光顯示器(OLED)的基板，需重複地實現對 無機材料的沉積及圖案化製程，以在基板上形成薄膜電晶體(thin film transistor；TFT)，並隨後沉積有機材料以形成發光單元。

通常而言，沉積於有機發光顯示器(OLED)的基板上的無機材料是通過化學沉積(chemical vapor deposition；CVD)製程而沉積，這是因為CVD製程有利於形成各種薄膜。

以下將簡單地闡述CVD製程，其為用於製造有機發光顯示器(OLED)的基板的沉積製程其中之一。在CVD製程中，在外部高頻電源作用下處於電漿狀態並具有高能量的矽化合物離子通過電極而自氣體分配板濺射並沉積於玻璃基板上。此過程在用於CVD製程的真空室中實現。

一種用於CVD的裝置包括：真空室，在所述真空室中對玻璃基板執行沉積製程；電極，設置於所述真空室中，並將作為沉積材料的預定矽化合物離子濺射至作為沉積對象的玻璃基板；基座，設置於所述真空室中並支撐所述玻璃基板；以及柱，其具有耦合至所述基座的中心區域的上端部及穿過所述真空室而向下暴露的下端部，並支撐所述基座以向上及向下移動。

所述真空室形成有供所述柱穿過的柱通孔。所述柱通孔形成於所述真空室的底部中心區域上。

同時，CVD製程需要所述真空室中處於真空狀態。為使所述真空室的內部處於真空狀態，使所述真空室連接至真空泵。與所述真空室相連接的所述真空泵將氣體抽出所述真空室，並因此使所述真空室為真空的。為實現所述真空泵的抽吸操作，在所述真空 室的底部上設置真空抽吸埠並使其連接至所述真空泵。

在如圖1所示的用於平面顯示器的傳統CVD裝置中，柱通孔2形成於真空室1的底部的中心部中，且真空抽吸埠3設置於與柱通孔2間隔開的位置處。換言之，真空抽吸埠3設置於欲與真空室1的底部的中心部間隔開的位置處。

由於真空抽吸埠3設置於與真空室1的中心部偏離的位置處，因此當真空室1中的氣體通過真空抽吸埠3而被抽出時，真空室1中的壓力分佈會不均勻。

因此，與真空室1的中心部偏離的真空抽吸埠3會在真空室1中造成局部壓力差，且該局部壓力差會使玻璃基板上的沉積品質劣化，從而對CVD製程產生不良影響。

此外，在其中對基板執行沉積製程的真空室1的外壁上設置有形狀像狹縫的閘門G，且在閘門G的附近設置有用於閉合及打開該狹縫的狹縫閥(圖中未顯示)。

傳統的狹縫閥被單獨地製造成腔室形式，並視需要而在使用時組裝至真空室1的外壁。

然而，由於狹縫閥被單獨地製造並組裝至真空室1的外壁，因此該狹縫閥所組裝至的真空室1的外壁與其中容納有該狹縫閥的閥室(圖中未顯示)的外壁之間的死空間(dead space)變得更大。

因此，很有可能會使處理結果在狹縫閥附近陷入混亂，且不必要的死空間會增大整個裝置的佔用面積(footprint)。

本發明的一個方面是提供一種用於平面顯示器之化學沉積裝置，在所述裝置中調整真空室內的抽吸位置而使所述真空室內的壓力分佈均勻，並因此提高對基板的沉積品質。

本發明的另一方面是提供一種用於平面顯示器之化學沉積裝置，其包括狹縫閥總成，以減小狹縫閥所組裝至的真空室的外壁與其中容納有狹縫閥的閥室的外壁之間的傳統死空間。

根據本發明的一個方面，提供一種用於平面顯示器的化學沉積(CVD)裝置，所述裝置包括：基座，用於支撐基板；真空室，在所述真空室中對所述基板執行沉積製程，且所述真空室包括形成於其底部中心區域上並使用於向上/向下移動所述基座的柱穿過其中的柱通孔、以及與所述柱通孔間隔開的真空抽吸埠；以及真空抽吸控制單元，其與所述真空抽吸埠相連接並控制所述真空室中的抽吸位置。

所述真空抽吸控制單元可包括：抽吸控制通道，具有大於所述真空抽吸埠的橫截面積並與所述真空抽吸埠相連通；以及抽吸控制蓋，用於自上側覆蓋所述抽吸控制通道並以穿透方式形成有多個彼此間隔開的抽吸控制孔，以與所述抽吸控制通道相連通。

所述多個抽吸控制孔可相對於穿過所述柱通孔及所述真空抽吸埠的參考線而對稱地設置。

所述多個抽吸控制孔可包括：相對於穿過所述柱通孔及所述真空抽吸埠的參考線而對稱地設置的兩個抽吸控制孔。

所述抽吸控制通道可在距所述真空室的底部預定深度處凹陷。

所述抽吸控制通道可具有關於穿過所述柱通孔及所述真空抽吸埠的參考線而對稱的環形形狀或U形形狀其中之一。

所述抽吸控制蓋可包括：頂部，其上形成有所述多個抽吸控制孔；以及側部，自所述頂部延伸並向下彎曲。

所述側部可形成有自其底部凹陷預定深度的溝槽，且所述真空室的所述底部可形成有肋，所述肋欲被插入於所述溝槽中。

所述裝置還可包括設置於所述溝槽與所述肋之間的O形環。

所述側部可形成有自其底部突出的插入突出部，且所述真空室的所述底部可形成有插入孔，所述插入突出部強制配合於所述插入孔。

所述裝置還可包括：：基座支架，耦合至所述真空室中的所述柱，在其頂部的至少一個區域處被接觸支撐於所述基座的後部上，並用於自下側支撐所述基座，以防止所述基座下垂。

根據本發明的一個方面，提供一種用於平面顯示器的化學沉積(CVD)裝置，所述裝置包括：真空室，其包括下腔室及耦合至所述下腔室的頂部的上腔室，所述下腔室設置有狹縫，通過所述狹縫而放入或取出基板；以及狹縫閥總成，其被整合於所述真空室中，並打開所述狹縫以容許所述基板進入所述真空室中或閉合所述狹縫以保持所述真空室為真空的，所述狹縫閥總成包括：閥室，被設置成共用所述下腔室的一個側壁；以及狹縫閥，設置於所述閥室中並用於打開/閉合所述狹縫。

所述閥室可包括：共用壁，形成有狹縫並被共用為所述真空室 的一個側壁及所述閥室的一個側壁；以及閥壁，與所述共用壁間隔開並形成有閘門，所述閘門與所述狹縫相連通並容許所述基板進出。

所述裝置還可包括：閥蓋，可拆卸地耦合至所述共用壁的頂部及所述閥壁的頂部，並形成密封的空間。

所述閥蓋可被設置成重物，以用於平衡由於所述上腔室的負載而施加至所述共用壁的彎矩(bending moment)及防止所述共用壁由於所述上腔室的所述負載而下垂。

所述裝置還可包括：防下垂螺栓，緊固於所述閥壁與所述共用壁之間並防止所述共用壁由於所述上腔室而下垂。

所述裝置還可包括：防下垂螺栓，耦合於所述閥蓋與所述共用壁之間並防止所述共用壁由於所述上腔室而下垂。

所述裝置還可包括：加熱器，其耦合至所述閥蓋的底部並保持所述閥室的內部處於某一溫度，以防止剩餘在所述閥室中的氣體固化。

所述狹縫閥可包括：一對閥葉片(valve blade)，緊密地接觸所述狹縫及所述閘門並用於閉合所述狹縫及所述閘門；壓力氣缸(press cylinder)，用於使所述一對閥葉片分別朝所述狹縫及所述閘門移動；以及升降氣缸(lifting cylinder)，用於支撐所述壓力氣缸，並將所述閥葉片提升至閉合所述狹縫及所述閘門的位置或降下所述葉片以打開所述狹縫及所述閘門。

所述裝置還可包括：O形環，耦合至所述閥葉片以在所述狹縫 閉合時保持所述真空室為不透氣的。

所述裝置還可包括：模糊模組(fuzzy module)，用於保持所述狹縫閥總成的內部的清潔。

所述模糊模組可包括：真空泵管線，用於保持所述真空室的內部為真空的；模糊氣體供應管線，用於供應氮氣以用於清潔所述閥室的所述內部；以及模糊氣體排出管線，用於排出由所述模糊氣體供應管線所供應的氮氣。

如上所述，根據本發明的實例性實施例，可提供一種用於平面顯示器的CVD裝置，其中真空抽吸控制單元與真空抽吸埠相連接並控制真空室中的抽吸位置，使得真空室中的壓力分佈可為均勻的，從而改良對基板的沉積品質。

此外，根據本發明的實例性實施例，可提供一種用於平面顯示器的CVD裝置，在所述裝置中將狹縫閥總成與真空室製造為一體，以減小狹縫閥所組裝至的真空室的外壁與其中容納有狹縫閥的閥室的外壁之間的傳統死空間，從而減小整個裝置的佔用面積。

為充分地理解本發明及其優點，以下將參照用於例示本發明各實施例的附圖。

在下文中，將通過參照附圖解釋本發明的各實施例來詳細闡述本發明。圖中相同的參考編號指示相同的元件。

在參照附圖進行說明之前，以下將闡述的平面顯示器可包括液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、以及有機發光二極體 (OLED)中的任意一種。

然而，在以下各實例性實施例中，將以舉例方式將用於OLED的大型玻璃基板視為平面顯示器。此外，‘大型’是指對於第11代基板而言與及長度約為3米的尺寸。

為方便起見，用於OLED的大型玻璃基板將被簡稱為基板。

圖2為顯示根據本發明第一實例性實施例的用於平面顯示器的化學沉積(CVD)裝置的示意性結構的視圖；圖3為圖2所示用於平面顯示器的CVD裝置的真空抽吸控制單元的分解透視圖；圖4為顯示圖3所示真空抽吸控制單元的耦合狀態的視圖；圖5為圖3所示真空抽吸控制單元的抽吸控制蓋的透視圖；且圖6為沿圖3所示的線A-A截取的剖視圖。

如圖2至圖4所示，根據第一實例性實施例的用於平面顯示器的CVD裝置包括：基座110，用於支撐基板P；真空室130，在真空室130中對基板P執行沉積製程，在真空室130底部上的中心部處形成有使用於向上及向下移動基座110的柱120穿過其中的柱通孔131，且真空室130設置有與柱通孔131間隔開的真空抽吸埠133；以及真空抽吸控制單元140，與真空抽吸埠133相連接並用於調整真空室130內的抽吸位置。

真空室130可分為上部及下部，並在所述真空室內對基板P執行沉積製程。

基座110設置於真空室130內並支撐基板P。

為自下側支撐基座110，設置基座支架(圖中未顯示)。基座支 架耦合至真空室130內的柱120，並在其頂部表面的至少一個區域上接觸支撐基座110的後表面，從而支撐基座110的底部，以防止基座110下垂。

換言之，基座支架與基座110的後表面相接觸並支撐基座110，使得可防止基座110下垂，從而提高對基板P的沉積品質。

柱120的上端部耦合至基座110的中心區域，且柱120的下端部沿真空室130的向下方向而暴露，使得可向上及向下移動地支撐基座110。

柱通孔131形成於真空室130的底部上，使得柱120的下端部可沿真空室130的向下方向而暴露。此外，柱通孔131形成於真空室130的底部上的中心部中，使得柱120可支撐基座110的中心部。

真空抽吸埠133設置於真空室130的底部上，並被定位成與柱通孔131間隔開。因此，真空抽吸埠133設置於與真空室130的底部上的中心部偏離的位置處。真空抽吸埠133與真空泵(圖中未顯示)相連接，使得可通過該真空泵的運作經真空抽吸埠133而將氣體抽出真空室130。

此外，用於朝基板P濺射沉積材料(例如，預定矽化合物離子)的電極150設置於真空幫浦130內。

電極150包括：氣體分配板151；以及支承板152，置於氣體分配板151的背部，且氣體分配板151與支承板152之間具有緩衝空間D。

如圖3及圖4所示，真空抽吸控制單元140包括：抽吸控制通道141，具有大於真空抽吸埠133的橫截面積並與真空抽吸埠133相連通；以及抽吸控制蓋142，用於自上側覆蓋抽吸控制通道141並以穿透方式形成有多個彼此間隔開的抽吸控制孔143，以與抽吸控制通道141相連通。

真空泵與真空抽吸埠133相連接，真空抽吸埠133與抽吸控制通道141相連通，且抽吸控制通道141與抽吸控制孔143相連通。因此，真空室130內的氣體是通過所述真空泵的運作經抽吸控制孔143而被吸入、穿過抽吸控制通道141後經真空抽吸埠133而被抽出真空室130。換言之，根據抽吸控制蓋142的抽吸控制孔143來控制真空室130內的抽吸位置。

抽吸控制通道141自真空室130的底部凹陷預定的深度。抽吸控制通道141的深度可近似對應於抽吸控制蓋142的高度。

此外，抽吸控制通道141具有相對於穿過柱通孔131及真空抽吸埠133的參考線C而對稱的U形形狀。

參考線C為穿過柱通孔141的中心及真空抽吸埠133的中心的虛擬直線。

在此實例性實施例中，所述多個抽吸控制孔142相對於穿過柱通孔131及真空抽吸埠133的參考線C而對稱地設置。

在此實例性實施例中，所述多個抽吸控制孔143為相對於穿過柱通孔131及真空抽吸埠133的參考線C而對稱地設置的兩個抽吸控制孔143，但本發明並非限制於此。

如圖3及圖4所示，在此實例性實施例中，兩個抽吸控制孔143分別形成於與真空室130的中心部偏離的位置處，但相對於參考線C而彼此對稱。

由於用於自真空室130吸入氣體的抽吸控制孔143相對於穿過柱通孔131及真空抽吸埠133的參考線C而彼此對稱，因此可使真空室130內的壓力分佈相對於參考線C而平衡。

換言之，在根據此實例性實施例的用於平面顯示器的CVD裝置中，即使真空抽吸埠133與真空室130的中心部偏離，也可通過真空抽吸控制單元140而使真空室130內的壓力分佈相對於參考線C平衡。

由於真空抽吸控制單元140以對稱方式抽吸真空室130內的氣體，因此真空室130的內部可具有均勻的壓力分佈，而不會出現局部壓力差。真空室130內的此種均勻的壓力分佈將改良對基板P的沉積品質。

同時，如圖5所示，抽吸控制蓋142包括：頂部144，其上形成有所述多個抽吸控制孔143；以及側部145，自頂部144延伸並向下彎曲。抽吸控制蓋142的頂部144具有U形形狀，所述U形形狀對應於具有U形形狀的抽吸控制通道141。

此外，須將抽吸控制蓋142密封至真空室130的底部，使得真空室130內的氣體無法在不穿過抽吸控制孔143的條件下而被吸入至抽吸控制通道141。

因此，如圖6所示，在此實例性實施例中，側部145形成有自 其底部凹陷預定深度的溝槽146，且真空室130的底部形成有肋135，肋135欲被插入於溝槽146中。

換言之，設置於真空室130的底部上的肋135被插入於在側部145的底部上凹陷的溝槽146中，並因此將抽吸控制蓋142密封至真空室130，使得真空室130內的氣體可僅經由抽吸控制孔143而被吸入至抽吸控制通道141。

在下文中，將闡述根據本發明實例性實施例的用於平面顯示器的CVD裝置的操作。

為執行用於平面顯示器的CVD製程，須使真空室130的內部為真空的。

為將氣體抽出真空室130，使真空泵連接至真空抽吸埠133。此處，真空抽吸埠133與抽吸控制通道141相連通，且抽吸控制通道141與抽吸控制孔143相連通。

當真空泵運作時，真空室130內的氣體經由抽吸控制孔143而被吸入至抽吸控制通道141。

抽吸控制孔143相對於穿過柱通孔131及真空抽吸埠133的參考線C而對稱地形成，並因此使真空室130中的壓力分佈相對於參考線C而平衡。

換言之，儘管真空抽吸埠133以偏心方式設置於真空室130的中心周圍，然而用於吸入真空室130內的氣體的抽吸控制孔143相對於參考線C而對稱地形成，從而使真空室130中的壓力分佈相對於參考線C而平衡。

經抽吸控制孔143而被吸入的真空室130內的氣體經由抽吸控制通道141並通過真空抽吸埠133而被抽出真空室130。

此時，抽吸控制通道141也關於穿過柱通孔131及真空抽吸埠133的參考線C而對稱地形成，使得當真空室130內的氣體流過抽吸控制通道141時，真空室130中的壓力分佈可相對於參考線C而平衡。

因此，根據此實例性實施例的用於平面顯示器的CVD裝置在真空室中具有均勻的氣體分佈而不會形成局部壓力差，這是因為真空抽吸控制單元140以對稱方式將氣體抽出真空室130。真空室130中的均勻的氣體分佈將改良基板P上的沉積品質。

此外，根據此實例性實施例的用於平面顯示器的CVD裝置根據抽吸控制蓋142的抽吸控制孔143的位置來控制真空室130中的抽吸位置，並因此使得即使與真空泵相連接的真空抽吸埠133偏心地定位於真空室130的中心周圍，真空室130的內部壓力也為的，從而具有改良對基板P的沉積品質的優勢。

圖7為根據本發明第二實例性實施例的用於平面顯示器的CVD裝置的真空抽吸控制單元的分解透視圖。

第二實例性實施例僅在真空抽吸控制單元140a的構造上與第一實例性實施例不同，而其他構造則等效於圖2及圖6所示第一實例性實施例的對應構造。因此，在根據第二實例性實施例的以下說明中，將主要闡述真空抽吸控制單元140的構造。

真空抽吸控制單元140a包括：抽吸控制通道141a，具有大於真 空抽吸埠133的橫截面並與真空抽吸埠133相連通；以及抽吸控制蓋142，用於自上側覆蓋抽吸控制通道141a並形成有多個抽吸控制孔143a，所述多個抽吸控制孔143a穿透抽吸控制蓋142以與抽吸控制通道141相連通且彼此間隔開。

抽吸控制通道141a具有相對於穿過柱通孔131及真空抽吸埠133的參考線而對稱的環形形狀。

在此實例性實施例中，抽吸控制孔143a及抽吸控制通道141a分別具有相對於穿過柱通孔131及真空抽吸埠133的參考線C而對稱的形狀，使得真空室130中的內部壓力分佈可相對於參考線C而平衡。真空室130中的此種均勻的壓力分佈會提高對基板P的沉積品質。

圖8為根據本發明第三實例性實施例的用於平面顯示器的CVD裝置的真空抽吸控制單元的局部剖視圖。

第三實例性實施例僅在設置於溝槽146與肋135a之間的O形環136的構造上與第一實例性實施例不同，而其他構造則等效於圖2及圖6所示第一實例性實施例的對應構造。因此，在根據第三實例性實施例的以下說明中，將主要闡述設置於溝槽146與肋135a之間的O形環136的構造。

如圖8所示，溝槽146自側部145的底部凹陷預定的深度，且肋135a設置於真空室130的底部上，以便被插入於溝槽146中。

O形環136設置於溝槽146與肋135a之間。

換言之，肋135a形成有其中安放有O形環136的安放槽137， 使得O形環136可被安放於在肋135中所設置的安放槽137上。

如果將設置於真空室130的底部上的肋135a插入於在側部145的底部上凹陷的溝槽146中，則設置於溝槽146與肋135a之間的O形環136會更牢固地密封抽吸控制蓋142及真空室130。因此，真空室130內的氣體不會在不穿過抽吸控制孔143的條件下而被吸入至抽吸控制通道141。

圖9為根據本發明第四實例性實施例的用於平面顯示器的CVD裝置的真空抽吸控制單元的分解透視圖；且圖10為沿圖9所示的線B-B截取的剖視圖。

第四實例性實施例僅在插入突出部147及插入槽138的構造上與第一實例性實施例不同，而其他構造則等效於圖2及圖6所示第一實例性實施例的對應構造，其中插入突出部147自側部145的底部突出，且插入槽138設置於真空室130的底部上並與突出部147強制配合。因此，在根據第四實例性實施例的以下說明中，將主要闡述強制配合於真空室130的插入槽的插入突出部147的構造。

抽吸控制蓋142包括：頂部144，其上形成有所述多個抽吸控制孔143；以及側部145，自頂部144延伸並向下彎曲。

側部145包括自其底部突出的插入突出部147。真空室130包括插入槽138，插入突出部147強制配合於插入槽138中。

當自側部145的底部突出的插入突出部147強制配合於設置在真空室130的底部上的插入孔138中時，抽吸控制蓋142a將被密 封於真空室130中。因此，真空室130內的氣體不會在不穿過抽吸控制孔143的條件下而被吸入至抽吸控制通道141。

圖11為顯示根據本發明第五實例性實施例的用於平面顯示器的CVD裝置的示意性結構的視圖。

如圖11所示，根據第五實例性實施例的用於平面顯示器的CVD裝置包括：真空室210、220，設置有狹縫221，通過狹縫221而放入或取出基板P；以及狹縫閥總成260，其被整合於真空室210中並容許基板P進出。

真空室210、220被明顯地分成上腔室210及下腔室220。上腔室210及下腔室220被組裝成一體，以在其中形成沉積空間S。沉積空間S與外部隔離並因此在執行沉積製程時為真空的。

在上腔室210內，電極240沿橫向設置。電極240包括：氣體分配板245，設置於朝向下腔室220的前側中；以及支承板241，設置於氣體分配板245的背部，並與氣體分配板245之間留有緩衝空間B。

氣體分配板245沿其厚度方向形成有多個孔口(圖中未顯示)，其中用於沉積製程的處於電漿狀態的氣體經由所述孔口而分佈至形成於真空室210、220內部的沉積空間S。

此外，在氣體分配板245與支承板241之間設置有懸置支撐構件243。懸置支撐構件243不僅用於遮蔽緩衝空間B以防止緩衝空間B中的沉積材料洩漏，還用於抵靠支承板241而支撐氣體分配板245的懸置。懸置支撐構件243還用於補償在沉積製程期間 被加熱至約200℃的氣體分配板245在X軸、Y軸及Z軸至少一個方向上的熱膨脹。

此外，在支承板241與上腔室210之間設置有絕緣體217，以防止支承板241直接接觸上腔室210的外壁並導電。絕緣體217可由特氟龍(Teflon)等製成。在支承板241周圍，可設置板支架(圖中未顯示)以抵靠上腔室210而支撐支承板241。

在上腔室210的頂部上設置有上板213，上板213不僅用於覆蓋上腔室210的頂部，還用於支撐支撐板(圖中未顯示)並與該支撐板相耦合。

支撐板(圖中未顯示)包括：氣體供應單元215，位於所述支撐板的頂部上，用於供應製程氣體；高頻電源212，經由連接線211而電性連接至與上腔室210的內側相耦合的支承板241；氣體輸送管道(圖中未顯示)，設置於氣體供應單元215與高頻電源212之間，使得氣體供應單元215與氣體引導管道可相連接，並用作自氣體供應單元215引入的製程氣體的輸送路徑；以及遮罩箱(shielding box，圖中未顯示)，用於遮罩氣體輸送管道(圖中未顯示)及其週邊區域。

通過此種構造，自氣體供應單元215供應的製程氣體可經氣體引導管道(圖中未顯示)而被供應至緩衝空間B，且支承板241用作基於自高頻電源212所供應的高頻電力的電極，並因此使被引導入緩衝空間B中的製程氣體處於電漿狀態。

下腔室220如下所述。下腔室220為在其中對基板P實質上執 行沉積製程的部分。上述沉積製程S形成於下腔室220中。

雖然圖中未顯示，但在下腔室220中的底部區域上設置有氣體擴散板(圖中未顯示)，且該氣體擴散板將沉積空間S中的製程氣體再次擴散至沉積製程S。

在下腔室220中，設置有：基座230，其中裝載有基板P；以及基座支架233，用於自基座230的底部支撐基座230。

基座230在下腔室220的沉積空間S中沿橫向設置並支撐所裝載的基板P。一般而言，基板P的結構大於基板P的用於沉積的面積。基座230的頂部被製造成近似為平板(surface plate)，使得可精確地及水準地裝載基板P。

基座230包括多個升降銷231，以用於穩定地支撐欲被裝載或卸載的基板P的底部，使得基板P可在置於基座230的頂部上的同時被裝載或卸載。升降銷231安裝於基座230中並穿透基座230。

當基座230向下移動時，升降銷231的下端部壓抵於下腔室220的底部，且其上端部自基座230的頂部突出。升降銷231的突出的上端部提升基板P，並因此使基板P與基座230間隔開。

相反，當基座230向上移動時，升降銷231相對於基座230的頂部而向下移動，並因此使基板P變成與基座230的頂部緊密接觸。換言之，升降銷231另外用於在基板P與基座230之間形成空間，使得機械臂(圖中未顯示)可抓握裝載於基座230中的基板P。

基座230與柱232相耦合，柱232具有耦合至基座230的中心 區域的上端部及穿過真空室220而向下暴露的下端部，並用於支撐所述基座以向上及向下移動。

同時，如果基座230既重又大，則基座230可能會下垂，並因此使裝載於基座230的頂部上的基板P下垂。如圖11所示，在此實例性實施例中，基座支架233設置於柱232上方並穩定地支撐基座230。然而，本發明並非限制於此，且如果基座230不會下垂，則可省略基座支架233。

基座230在下腔室220的沉積空間S中上下移動。換言之，當裝載基板P時，基座230設置於下腔室220的底部區域中，而基座230向上移動使得當基板P與基座230的頂部緊密接觸時，基板P可鄰近氣體分配板230並執行沉積製程。為實現此目的，升降模組250設置於耦合至基座230的柱232中並用於提升及降下基座230。

當基座230被升降模組250提升及降下時，在柱232與下腔室220之間無需置有空間。因此，柱232所穿過的下腔室220的對應區域設置有波紋管251以圍繞柱232的外側。當基座230向下移動時波紋管251膨脹，而當基座230向上移動時波紋管251收縮。

下腔室220的外壁形成有狹縫221，預定的工作機器人(圖中未顯示)通過狹縫221而將基板P放入或取出沉積空間S。狹縫221由耦合至其週邊的狹縫閥總成260選擇性地打開或閉合。

如上所述，傳統的用於容納狹縫閥的閥室被獨立地製造並視需要而耦合至真空室的外壁。在此種情形中，在其中閥室的外壁與 真空室的外壁相耦合1的部分中會產生死空間，從而增大整個裝置的佔用面積。

在根據此實例性實施例的用於平面顯示器的CVD裝置中，狹縫閥總成260與真空室210、220形成為一體，從而減小死空間。

圖12為顯示圖11所示的狹縫閥總成的結構的放大視圖。

參照圖12，此實例性實施例中的狹縫閥總成260包括：閥室261，其被整合於下腔室220中；狹縫閥262，設置於閥室261內；以及閥蓋263，用於覆蓋閥室261。

閥室261使用下腔室220的形成有狹縫221的外壁作為共用壁261a，並與下腔室220形成為一體。換言之，共用壁261a不僅用作下腔室220的外壁，還用作閥室261的外壁，同時劃分下腔室220與閥室261的內部腔室。

與其中閥室被單獨地製造並耦合至下腔室的傳統情形相反，下腔室220一側的外壁被共用為閥室261一側的外壁，使得下腔室220與狹縫閥總成260之間的死空間可顯著地減小。

閥室261包括閥壁261b，閥壁261b與共用壁261a間隔預定的距離。閥壁261b設置有閘門261c，閘門261c的高度與形成於共用壁261a中的狹縫221的高度相同。如果打開狹縫閥總成260且閘門261c與狹縫221相連通，則可將基板P放入或取出真空室210、220。

同時，狹縫閥262包括：一對閥葉片262a及262b，緊密地接觸狹縫221及閘門261c並用於閉合狹縫221及閘門261c；壓力氣缸 262c，用於使所述一對閥葉片262a及262b朝狹縫221及閘門261c移動；以及升降氣缸262d，用於支撐壓力氣缸262c並提升及降下壓力氣缸262c。

所述一對閥葉片262a及262b足夠大，以完全覆蓋狹縫221及閘門261c，且O形環可另外地耦合至用於覆蓋狹縫221的閥葉片262b，使得真空室210、220可保持為真空的。

壓力氣缸262c沿水準方向移動所述一對閥葉片262a及262b，並壓迫閥葉片262a及262b以完全覆蓋狹縫221及閘門261c。壓力氣缸262c可由油壓或氣壓驅動。

如果須閉合狹縫221及閘門261c，則連接至壓力氣缸262c的升降氣缸262d會提升壓力氣缸262c直至閥葉片262a及262b位於狹縫221及閘門261c的中心軸線處，而如果須打開狹縫221及閘門261c，則升降氣缸262d會降下壓力氣缸262c。升降氣缸262d也可被設置成由油壓或氣壓驅動的氣缸。

閥蓋263設置於閥室261上方。閥蓋263可拆卸地耦合至共用壁261a及閥壁261b，使得可打開閥室261以維護狹縫閥262。

閥蓋263的一側所耦合至的共用本體261a的一側與上腔室210相耦合。如上所述，上腔室210安裝有各種沉積器件(例如電極240)，並因此會對共用壁261a施加相對高的負載。

具體而言，上腔室210僅耦合至共用壁261a的一側，因此會對共用壁261a施加基於上腔室210的偏心負載。因此，可能會使下垂加劇。

為防止此種情形，在此實施例中，閥蓋263被設置成重物，以用於平衡基於上腔室210的負載而施加至共用壁261a的彎矩。換言之，起因於上腔室210的相對於共用壁261a的中心軸線的順時針彎矩與起因於閥蓋263的逆時針彎矩相互抵消，從而使共用壁261a的下垂最小化。

同時，加熱器264耦合至閥蓋263的內側。加熱器264使閥室261的內部空間的溫度升高。

在此實例性實施例中，閥室261與下腔室220形成為一體，使得真空室210、220中的製程氣體可被引導至閥室261中。此時，如果閥室261的內部溫度降低，則某些氣體可能會固化而產生顆粒。

為防止此種現象，由加熱器264來恒定地維持閥室261的內部溫度，從而防止由於剩餘氣體的固化而產生顆粒。

然而，加熱器264的此種運作可能會加劇上腔室210所耦合至的共用壁261a的下垂。具體而言，安裝有加熱器264的閥蓋263在熱膨脹係數上與共用壁261a不同，使得加熱器264的加熱可能會造成共用壁261a由於熱變形而下垂。

為防止此種情形，在共用壁261a與閥壁261b之間緊固有防下垂螺栓265a。

防下垂螺栓265a連接共用壁261a及閥壁261b，從而防止共用壁261a由於上腔室210的負載及熱變形而下垂。在此種增加有防下垂螺栓265a的情形中，閥蓋263的重量可被設計成小於圖12 所示閥蓋的重量。

圖13為顯示根據不同實例性實施例的具有防下垂螺栓的狹縫閥總成的結構的放大視圖。

根據此實例性實施例，防下垂螺栓265b不僅用於防止共用壁261a下垂，還用於增強閥蓋263與閥室261之間的耦合。

圖14為顯示用於保持狹縫閥總成清潔的模糊模組的示意性結構的視圖。

在此實例性實施例中，模糊模組270自閥室261中移除顆粒並防止顆粒進入真空室210、220中。模糊模組270包括：真空泵管線271，用於保持閥室261的內部為真空的；模糊氣體供應管線272a，用於供應氮氣以用於清潔閥室261的內部；以及模糊氣體排出管線272b，用於排出由模糊氣體供應管線272a所供應的氮氣。

首先，通過在狹縫閥262閉合狹縫221及閘門261c的狀態下經真空泵管線271而自閥室排出空氣及剩餘氣體，從而實現對閥室261的清潔。此時，使加熱器264工作而使剩餘氣體可經真空泵管線271排出而不固化。

在閥室中的氣體經真空泵管線271排出之後，經模糊氣體供應管線272a將氮氣引導至閥室261中。同時，氮氣經模糊氣體排出管線272b而自閥室261中排出。

在引入及排出氮氣時，閥室261中的剩餘氣體及顆粒可與氮氣一起被排出。

當氮氣的模糊迴圈結束時，閥室261中的剩餘氮氣經真空泵管 線271而排出。

雖然已參照本發明的各實例性實施例而具體地顯示及闡述了本發明，然而，應理解，可在不脫離隨附權利要求書的精神及範圍的條件下對其在形式及細節上作出各種改變。

1‧‧‧真空室

2‧‧‧柱通孔

3‧‧‧真空抽吸埠

G‧‧‧閘門

110‧‧‧基座

120‧‧‧柱

130‧‧‧真空室

131‧‧‧柱通孔

133‧‧‧真空抽吸埠

135‧‧‧肋

135b‧‧‧肋

136‧‧‧O形環

137‧‧‧安放槽

138‧‧‧插入槽/插入孔

140‧‧‧真空抽吸控制單元

140a‧‧‧真空抽吸控制單元

141‧‧‧抽吸控制通道

141a‧‧‧抽吸控制通道

142‧‧‧抽吸控制蓋

142a‧‧‧抽吸控制蓋

143‧‧‧抽吸控制孔

143a‧‧‧抽吸控制孔

144‧‧‧頂部

145‧‧‧側部

146‧‧‧溝槽

147‧‧‧插入突出部/突出部

150‧‧‧電極

151‧‧‧氣體分配板

152‧‧‧支承板

D‧‧‧緩衝空間

P‧‧‧基板

C‧‧‧參考線

210‧‧‧真空室/上腔室

211‧‧‧連接線

212‧‧‧高頻電源

213‧‧‧上板

215‧‧‧氣體供應單元

217‧‧‧絕緣體

220‧‧‧真空室/下腔室

221‧‧‧狹縫

230‧‧‧基座

231‧‧‧升降銷

232‧‧‧柱

233‧‧‧基座支架

240‧‧‧電極

241‧‧‧支承板

243‧‧‧懸置支撐構件

245‧‧‧氣體分配板

250‧‧‧升降模組

251‧‧‧波紋管

260‧‧‧狹縫閥總成

261‧‧‧閥室

261a‧‧‧共用壁

261b‧‧‧閥壁

261c‧‧‧閘門

262‧‧‧狹縫閥

262a‧‧‧閥葉片

262b‧‧‧閥葉片

262c‧‧‧壓力氣缸

262d‧‧‧升降氣缸

263‧‧‧閥蓋

264‧‧‧加熱器

265a‧‧‧防下垂螺栓

265b‧‧‧防下垂螺栓

B‧‧‧緩衝空間

S‧‧‧沉積空間/沉積製程

270‧‧‧模糊模組

271‧‧‧真空泵管線

271a‧‧‧模糊氣體供應管線

272b‧‧‧模糊氣體排出管線

結合附圖閱讀以下詳細說明，可更清楚地理解本發明的實例性實施例，在附圖中：圖1為顯示用於平面顯示器的傳統CVD裝置的透視圖；圖2為顯示根據本發明第一實例性實施例的用於平面顯示器的CVD裝置的示意性結構的視圖；圖3為圖2所示用於平面顯示器的CVD裝置的真空抽吸控制單元的分解透視圖；圖4為圖3所示真空抽吸控制單元的耦合狀態的視圖；圖5為圖3所示真空抽吸控制單元的抽吸控制蓋的透視圖；圖6為沿圖3所示的線A-A截取的剖視圖；圖7為根據本發明第二實例性實施例的用於平面顯示器的CVD裝置的真空抽吸控制單元的分解透視圖；圖8為根據本發明第三實例性實施例的用於平面顯示器的CVD裝置的真空抽吸控制單元的局部剖視圖；圖9為根據本發明第四實例性實施例的用於平面顯示器的CVD裝置的真空抽吸控制單元的分解透視圖； 圖10為沿圖9所示的線B-B截取的剖視圖；圖11為顯示根據本發明第五實例性實施例的用於平面顯示器的CVD裝置的示意性結構的視圖；圖12為顯示圖11所示的狹縫閥總成的結構的放大視圖；圖13為顯示根據不同實例性實施例的具有防下垂螺栓的狹縫閥總成的結構的放大視圖；以及圖14為顯示用於保持狹縫閥總成清潔的模糊模組的示意性結構的視圖。

130‧‧‧真空室

131‧‧‧柱通孔

133‧‧‧真空抽吸埠

140‧‧‧真空抽吸控制單元

141‧‧‧抽吸控制通道

142‧‧‧抽吸控制蓋

143‧‧‧抽吸控制孔

C‧‧‧參考線

Claims (22)

1. 一種用於平面顯示器之化學沉積裝置，所述裝置包括：一基座，用於支撐一基板；一真空室，在所述真空室中對所述基板執行一沉積製程，且所述真空室包括一柱通孔(column through hole)及一真空抽吸埠，所述柱通孔形成於所述真空室的一底部中心區域上，且用於向上/向下移動所述基座的一柱穿過所述柱通孔，所述真空抽吸埠與所述柱通孔間隔開；以及一真空抽吸控制單元，其與所述真空抽吸埠相連接並控制所述真空室中的一抽吸位置。
2. 如權利要求1所述的裝置，其特徵在於，所述真空抽吸控制單元包括：一抽吸控制通道，具有大於所述真空抽吸埠的一橫截面積並與所述真空抽吸埠相連通；以及一抽吸控制蓋，用於自一上側覆蓋所述抽吸控制通道並以穿透方式形成有多個彼此間隔開的抽吸控制孔，以與所述抽吸控制通道相連通。
3. 如權利要求2所述的裝置，其特徵在於，所述多個抽吸控制孔相對於穿過所述柱通孔及所述真空抽吸埠的一參考線而對稱地設置。
4. 如權利要求2所述的裝置，其特徵在於，所述多個抽吸控制孔包括：相對於穿過所述柱通孔及所述真空抽吸埠的一參考 線而對稱地設置的兩個抽吸控制孔。
5. 如權利要求2所述的裝置，其特徵在於，所述抽吸控制通道自所述真空室的一底部凹陷一預定的深度。
6. 如權利要求5所述的裝置，其特徵在於，所述抽吸控制通道具有環形形狀或U形形狀其中之一，所述環形形狀或U形形狀沿著穿過所述柱通孔及所述真空抽吸埠的一參考線而對稱。
7. 如權利要求5所述的裝置，其特徵在於，所述抽吸控制蓋包括：一頂部，其上形成有所述多個抽吸控制孔；以及一側部，自所述頂部延伸並向下彎曲。
8. 如權利要求7所述的裝置，其特徵在於，所述側部形成有自其底部凹陷一預定深度的一溝槽，以及所述真空室的所述底部形成有一肋，所述肋被插入於所述溝槽中。
9. 如權利要求8所述的裝置，還包括設置於所述溝槽與所述肋之間的一O形環。
10. 如權利要求7所述的裝置，其特徵在於，所述側部形成有自其底部突出的一插入突出部，以及所述真空室的所述底部形成有插入孔，所述插入突出部強制配合於所述插入孔。
11. 如權利要求1所述的裝置，還包括：一基座支架，耦合至所述真空室中的所述柱，在其頂部的至少一個區域處被接觸支撐於所述基座的一後部上，並用於支撐所述基座的下側，以防止所述基座下垂。
12. 一種用於平面顯示器之化學沉積裝置，所述裝置包括：一真空室，其包括一下腔室及一上腔室，所述下腔室設置有一狹縫，通過所述狹縫而放入或取出一基板，所述上腔室耦合至所述下腔室的一頂部；以及一狹縫閥總成，其被整合於所述真空室中，並打開所述狹縫以容許所述基板進入所述真空室中或閉合所述狹縫以保持所述真空室為真空的，所述狹縫閥總成包括：一閥室，被設置成共用所述下腔室的一個側壁；以及一狹縫閥，設置於所述閥室中並用於打開/閉合所述狹縫。
13. 如權利要求12所述的裝置，其特徵在於，所述閥室包括：一共用壁，形成有狹縫並被共用為所述真空室的一個側壁及所述閥室的一個側壁；以及一閥壁，與所述共用壁間隔開並形成有一閘門，所述閘門與所述狹縫相連通並容許所述基板進出。
14. 如權利要求13所述的裝置，還包括：一閥蓋，可拆卸地耦合至所述共用壁的頂部及所述閥壁的頂部，並形成一密封的空 間。
15. 如權利要求14所述的裝置，其特徵在於，所述閥蓋被設置成一重物，以用於平衡由於所述上腔室的負載而施加至所述共用壁的彎矩(bending moment)及防止所述共用壁由於所述上腔室的所述負載而下垂。
16. 如權利要求14所述的裝置，還包括：一防下垂螺栓，緊固於所述閥壁與所述共用壁之間並防止所述共用壁由於所述上腔室而下垂。
17. 如權利要求14所述的裝置，還包括：一防下垂螺栓，耦合於所述閥蓋與所述共用壁之間並防止所述共用壁由於所述上腔室而下垂
18. 如權利要求14所述的裝置，還包括：一加熱器，其耦合至所述閥蓋的一底部並保持所述閥室的內部處於某一溫度，以防止剩餘在所述閥室中的氣體固化。
19. 如權利要求13所述的裝置，其特徵在於，所述狹縫閥包括一對閥葉片(valve blade)，緊密地接觸所述狹縫及所述閘門並用於閉合所述狹縫及所述閘門；一壓力氣缸(press cylinder)，用於使所述一對閥葉片分別朝所述狹縫及所述閘門移動；以及一升降氣缸(lifting cylinder)，用於支撐所述壓力氣缸，並將所述閥葉片提升至閉合所述狹縫及所述閘門的位置或降下所述閥葉片以打開所述狹縫及所述閘門。
20. 如權利要求19所述的裝置，還包括：一O形環，耦合至所述閥葉片以在所述狹縫閉合時保持所述真空室為不透氣的。
21. 如權利要求12所述的裝置，還包括：一模糊模組(fuzzy module)，用於保持所述狹縫閥總成的內部的清潔。
22. 如權利要求21所述的裝置，其特徵在於，所述模糊模組包括一真空泵管線，用於保持所述真空室的所述內部為真空的；一模糊氣體供應管線，用於供應氮氣以用於清潔所述閥室的所述內部；以及一模糊氣體排出管線，用於排出由所述模糊氣體供應管線所供應的氮氣。