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TW201303548A - 溫度係數電流觸發產生器及溫度係數電流觸發產生模組 - Google Patents

溫度係數電流觸發產生器及溫度係數電流觸發產生模組 Download PDF

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TW201303548A
TW201303548A TW100124018A TW100124018A TW201303548A TW 201303548 A TW201303548 A TW 201303548A TW 100124018 A TW100124018 A TW 100124018A TW 100124018 A TW100124018 A TW 100124018A TW 201303548 A TW201303548 A TW 201303548A
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transistor
coefficient current
current
gate
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TW100124018A
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Inventor
Min-Hung Hu
Chen-Tsung Wu
Original Assignee
Novatek Microelectronics Corp
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Publication date
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Abstract

一種溫度係數電流觸發產生器，用來產生一溫度係數電流。該溫度係數電流觸發產生器包含有一正溫度係數電流產生單元，用來產生一第一正溫度係數電流；一負溫度係數電流產生單元，用來產生一第一負溫度係數電流；以及一觸發單元，用來根據一觸發溫度及該第一正溫度係數電流與該第一負溫度係數電流之一電流差，觸發以產生該溫度係數電流。

Description

溫度係數電流觸發產生器及溫度係數電流觸發產生模組
本發明係指一種溫度係數電流觸發產生器及溫度係數電流觸發產生模組，尤指一種可利用電流抵消作用，以透過較簡單電路使溫度係數電流於觸發溫度前後轉態較平滑的溫度係數電流觸發產生器及溫度係數電流觸發產生模組。
因應半導體特性之緣故，在許多應用上，電流源的輸出電流需設計成具有溫度係數(即隨環境溫度變化而變化)，以補償不同電路非理想因素的溫度效應。
舉例來說，請參考第1圖，第1圖為習知一雙電容振盪器10之示意圖。簡單來說，雙電容振盪器10之一理想震盪頻率fideal可表示為fideal=Ic/2CfVref，即可由一電流源所提供之電流Ic決定理想震盪頻率fideal。然而，理想震盪頻率fideal會因雙電容振盪器10的非理想效應而受溫度影響，且各影響因素加總後，溫度與頻率的關係(即溫度係數，Temperature-Coefficient)並非線性，而是在特定溫度範圍較為顯著。在此情況下，電流源在設計時需加入非線性溫度係數(non-linear Temperature-Coefficient)，使其提供予雙電容振盪器10之電流Ic能補償雙電容振盪器10頻率漂移。換句話說，若原本各影響因素加總後於一特定溫度範圍會使頻率隨溫度上升而上升，則需設計電流Ic在此特定溫度範圍隨溫度上升而下降以抵消各影響因素所造成的頻率漂移。
請參考第2圖，第2圖為習知具有非線性溫度係數之一電流源20之示意圖。如第2圖所示，電流源20包含有一傳統能帶隙(bandgap)電路202、一觸發單元204以及一產生單元206。簡單來說，傳統能帶隙參考電路202可提供具有溫度係數之電壓及電流與不具有溫度係數之電壓及電流予觸發單元204，因此觸發單元204在特定溫度條件下觸發以控制切換產生單元206輸出，使得產生單元206可輸出具有溫度係數之一輸出電流Iout。
舉例來說，傳統能帶隙參考電路202可提供一零溫度係數電壓VZTC予觸發單元204之一比較器208之一正輸入端。觸發單元204則透過一電流鏡之一電晶體M1產生一正溫度係數電流IPTC，使得正溫度係數電流IPTC流經一電阻RPTC轉換為一正溫度係數電壓VPTC予比較器208之一負輸入端。比較器208可將零溫度係數電壓VZTC與正溫度係數電壓VPTC進行比較，以輸出一控制訊號Vcon，進而控制切換產生單元206輸出。傳統能帶隙參考電路202提供零溫度係數電壓VZTC與正溫度係數電流IPTC之方式應為本發明具通常知識者所熟知，於此不再贅述。
此外，在產生單元206中，一放大器210係經配置以利用回授將其一正輸入端之電壓鎖定於零溫度係數電壓VZTC(即當放大器210之正輸入端之電壓小於零溫度係數電壓VZTC時，一電晶體M2導通以抬升放大器210之正輸入端之電壓)，以產生一零溫度係數電流IZTC流經一電阻RZTC，再透過一電流鏡之一電晶體M3產生零溫度係數電流IZTC予一多工器212之高準位輸入端。另一方面，透過另一電流鏡之一電晶體M4產生正溫度係數電流IPTC予多工器212之低準位輸入端。接著，多工器212再根據控制訊號Vcon切換輸出零溫度係數電流IZTC與正溫度係數電流IPTC。
須注意，第2圖之例係設計當環境溫度為一觸發溫度Ttrigger時，零溫度係數電壓VZTC等於正溫度係數電壓VPTC。在此情況下，請參考第3圖，第3圖為理想狀態下第2圖中輸出電流Iout、零溫度係數電流IZTC及正溫度係數電流IPTC之示意圖。如第2圖及第3圖所示，當環境溫度低於觸發溫度Ttrigger時，比較器208輸出控制訊號Vcon為高準位，因此多工器212選擇零溫度係數電流IZTC為輸出電流Iout輸出。當環境溫度上升時，正溫度係數電壓VPTC將隨之升高，而於環境溫度高於觸發溫度Ttrigger時，正溫度係數電壓VPTC會大於零溫度係數電壓VZTC，使得比較器208所輸出之控制訊號Vcon轉態為低準位，因此多工器212選擇正溫度係數電流IPTC為輸出電流Iout輸出。如此一來，輸出電流Iout在環境溫度低於觸發溫度Ttrigger時為零溫度係數，而在環境溫度高於觸發溫度Ttrigger時提供正溫度係數以抵消欲補償電路中的負溫度係數，故輸出電流Iout在整體溫度範圍內具有非線性的溫度係數。
然而，電流源20使用比較器208比較電壓以判別溫度再決定輸出電流Iout，電路架構上較為複雜(比較器208基本結構需一簡單運算放大器，至少5個電晶體)且此種以數位進行切換的方式易受製程影響而產生電流不連續性。如第3圖所示，輸出電流Iout在觸發溫度Ttrigger會形成電流對溫度折點，而零溫度係數電流IZTC與正溫度係數電流IPTC之兩電流源在此折點的電流值須一致為Itrigger。若製程漂移造成兩電流源於觸發溫度Ttrigger不匹配，環境溫度穿越折點時會因數位切換而出現輸出電流Iout不連續(discontinuous)的情形。
舉例來說，請參考第4圖，第4圖為非理想狀態下第2圖中輸出電流Iout、零溫度係數電流IZTC及正溫度係數電流IPTC之示意圖。如第4圖所示，若出現製程漂移使正溫度係數電流IPTC在觸發溫度Ttrigger時不等於零溫度係數電流IZTC，會造成輸出電流Iout不連續。
除此之外，習知架構難以提供具有多次轉折溫度係數的電流，且折點前後的溫度係數因比較器208輸出轉態影響(數位操作)會有劇烈變化，因此難以任意調整，在應用於不同溫度補償的需求時會大幅增加佈局面積與耗電。此外，傳統能帶隙參考電路202若欲產生負溫度係數電流，需另使用一阻值為L*R之電阻來平衡負溫度係數電流，造成大量佈局面積耗費。有鑑於此，習知技術實有改進之必要。
因此，本發明之主要目的即在於提供一種可利用電流抵消作用，以透過較簡單的電路使溫度係數電流於觸發溫度前後轉態較平滑的溫度係數電流觸發產生器及溫度係數電流觸發產生模組。
本發明揭露一種溫度係數電流觸發產生器，用來產生一溫度係數電流。該溫度係數電流觸發產生器包含有一正溫度係數電流產生單元，用來產生一第一正溫度係數電流；一負溫度係數電流產生單元，用來產生一第一負溫度係數電流；以及一觸發單元，用來根據一觸發溫度及該第一正溫度係數電流與該第一負溫度係數電流之一電流差，觸發以產生該溫度係數電流。
本發明另揭露一種溫度係數電流觸發產生模組，用來產生一加總溫度係數電流。該溫度係數電流觸發產生模組包含有複數個溫度係數電流觸發產生器，用來分別產生複數個溫度係數電流；以及一加總單元，用來加總該複數個溫度係數電流，以產生該加總溫度係數電流。各溫度係數電流觸發產生器包含有一正溫度係數電流產生單元，用來產生一第一正溫度係數電流；一負溫度係數電流產生單元，用來產生一第一負溫度係數電流；以及一觸發單元，用來根據一觸發溫度及該第一正溫度係數電流與該第一負溫度係數電流之一電流差，觸發以產生該溫度係數電流。
請參考第5圖，第5圖為本發明實施例中一溫度係數電流觸發產生模組50之示意圖。溫度係數電流觸發產生模組50包含有一能帶隙參考電路502、溫度係數電流觸發產生器TC1～TCN以及一加總單元504。簡單來說，能帶隙參考電路502可產生一正溫度係數電流IPTC’、一負溫度係數電流INTC’以及一零溫度係數電流IZTC’。溫度係數電流觸發產生器TC1～TCN可分別產生溫度係數電流ITC1～ITCN。加總單元504可加總零溫度係數電流IZTC’及溫度係數電流ITC1～ITCN，以產生一加總溫度係數電流Iout’。其中，溫度係數電流觸發產生器TC1～TCN中各溫度係數電流觸發產生器係分別利用電流相減抵銷方式產生具有各別溫度係數折點的溫度係數電流。如此一來，溫度係數電流觸發產生器TC1～TCN可分別產生較平滑的溫度係數電流ITC1～ITCN，再透過加總單元504加總產生具有多個溫度係數折點且較平滑的加總溫度係數電流Iout’。
詳細來說，相較於傳統能帶隙參考電路202，能帶隙參考電路502係利用電晶體M5、M6產生正溫度係數電流IPTC’，而利用一運算放大器506產生負溫度係數電流INTC’，因此不需另外使用一阻值為L*R之電阻來平衡負溫度係數電流，可有效減小佈局面積。換言之，在能帶隙參考電路502中，由於電壓VA、VB相等(VA=VB=VEB1)，因此透過雙載子電晶體Q1、Q2的基射極電壓差VEB1-VEB2及阻值為R之一電阻RPTC’，可產生正溫度係數電流IPTC’，如式(1)所示：
其中，K表示雙載子電晶體Q2可視為由K個雙載子電晶體Q1並聯而成。由於臨限電壓VT係正溫度係數，因此由式(1)可知電阻RPTC’所載之正溫度係數電流IPTC’係正溫度係數。
另一方面，由於電壓VA、VB相等再加上運算放大器506之正負輸入端輸入電壓VC、VB相等，因此透過雙載子電晶體Q1的基射極電壓差VEB1及阻值為L*R之一電阻RNTC’，可產生負溫度係數電流INTC’，如式(2)所示：
其中，由於VEB1具有負溫度係數，因此電阻RNTC’所載之負溫度係數電流INTC’係負溫度係數。如此一來，經過適當調整電阻RNTC’之阻值L*R，可透過加總正溫度係數電流IPTC’與負溫度係數電流INTC’產生零溫度係數電流IZTC’。如此一來，能帶隙參考電路502不需另外使用一阻值為L*R之電阻來平衡負溫度係數電流，可有效減小佈局面積。
另一方面，請參考第6圖，第6圖為第5圖中溫度係數電流觸發產生器TC1～TCN之一溫度係數電流觸發產生器TCx之示意圖。如第6圖所示，溫度係數電流觸發產生器TCx包含有一正溫度係數電流產生單元600、一負溫度係數電流產生單元602以及一觸發單元604。簡單來說，正溫度係數電流產生單元600可產生一正溫度係數電流IPTC1’，負溫度係數電流產生單元602可產生一負溫度係數電流INTC1’，觸發單元604可根據一觸發溫度Tx及正溫度係數電流IPTC1’與負溫度係數電流INTC1’之一電流差，觸發以產生一溫度係數電流ITCx。如此一來，溫度係數電流觸發產生器TCx可利用電流相減抵銷方式產生具有溫度係數折點為觸發溫度Tx的溫度係數電流ITCx。
詳細來說，溫度係數電流觸發產生器TCx係設計為於一環境溫度等於觸發溫度Tx時，正溫度係數電流IPTC1’等於負溫度係數電流INTC1’。在此情況下，由於環境溫度小於觸發溫度Tx時負溫度係數電流INTC1’大於正溫度係數電流IPTC1’，因此觸發單元604可於環境溫度小於觸發溫度Tx時觸發以產生溫度係數電流ITCx，且溫度係數電流ITCx具有負溫度係數；或者，由於環境溫度大於觸發溫度Tx時正溫度係數電流IPTC1’大於負溫度係數電流INTC1’，因此觸發單元604可於環境溫度大於觸發溫度Tx時觸發以產生溫度係數電流ITCx，且溫度係數電流ITCx具有正溫度係數。其中，溫度係數電流ITCx可以係一正電流或一負電流，即觸發單元604觸發以輸出溫度係數電流ITCx，或觸發單元604觸發以汲取溫度係數電流ITCx。
舉例來說，請參考第7A圖至第7D圖，第7A圖至第7D圖為第6圖中溫度係數電流觸發產生器TCx之變化實施例之四種類型TCT1～TCT4之示意圖，其中，類型TCT1可輸出具有負溫度係數之溫度係數電流ITCx，類型TCT2可汲取具有正溫度係數之溫度係數電流ITCx，類型TCT3可輸出具有正溫度係數之溫度係數電流ITCx，類型TCT4可汲取具有負溫度係數之溫度係數電流ITCx，可以下式表示：
其中，電流I1、I2於類型TCT1～TCT4中分別代表正溫度係數電流IPTC1’與負溫度係數電流INTC1’其中一者，sgn於觸發單元604觸發以輸出溫度係數電流ITCx時為1，而於觸發以汲取溫度係數電流ITCx時為-1，詳細說明請參考以下敘述。
如第7A圖所示，正溫度係數電流產生單元600包含有一電流鏡之一電晶體M7，負溫度係數電流產生單元602包含有一電晶體M8及一電流鏡(包含有電晶體M9、M10)，而觸發單元604包含有電晶體M11、M12，其詳細架構與連接方式如第7A圖所示，即電晶體M7之一閘極耦接於其電流鏡之一電晶體M13之一閘極(如第5圖所示)；電晶體M8之一閘極耦接於其電流鏡之一電晶體M14之一閘極(如第5圖所示)；電晶體M9之一閘極耦接於一汲極，該汲極耦接於電晶體M8之一汲極；電晶體M10之一閘極耦接於電晶體M9之該閘極，一汲極耦接於電晶體M7之一汲極；電晶體M11之一閘極耦接於一汲極，一汲極耦接於電晶體M7之該汲極與電晶體M10之該汲極之間；電晶體M12(大小為電晶體M11之K’倍)之一閘極耦接於電晶體M11之該閘極。其中電晶體M7、M8、M11、M12為P型金氧半(Metal oxide semiconductor，MOS)電晶體，而電晶體M9、M10為N型金氧半電晶體。
在此情況下，在正溫度係數電流產生單元600中，電晶體M7可根據電晶體M13所輸出之正溫度係數電流IPTC’，產生正溫度係數電流IPTC1’(即式(三)中電流I2)。在負溫度係數電流產生單元602中，電晶體M8可根據電晶體M14所輸出之一負溫度係數電流INTC’，產生一負溫度係數電流INTC2’，電晶體M9可於其汲極接收負溫度係數電流INTC2’，電晶體M10可根據電晶體M9所接收之負溫度係數電流INTC2，於其汲極汲取負溫度係數電流INTC1’(即式(三)中電流I1)。
須注意，類型TCT1(即溫度係數電流觸發產生器TCx)係設計為於環境溫度等於觸發溫度Tx時，正溫度係數電流IPTC1’等於負溫度係數電流INTC1’。在此情況下，在觸發單元604中，由於環境溫度小於觸發溫度Tx時負溫度係數電流INTC1’大於正溫度係數電流IPTC1’，因此電晶體M11可於環境溫度小於觸發溫度Ttrigger’時，輸出一負溫度係數電流INTC3’，負溫度係數電流INTC3’等於負溫度係數電流INTC1’減去正溫度係數電流IPTC1’，電晶體M12可根據電晶體M11所輸出之負溫度係數電流INTC3’，於一汲極輸出具有負溫度係數之溫度係數電流ITCx(為負溫度係數電流INTC3’之K倍)。相反地，由於環境溫度大於觸發溫度Tx時正溫度係數電流IPTC1’應大於負溫度係數電流INTC1’，但會因電晶體M7導通能力較強而電晶體M10導通能力較弱使得正溫度係數電流IPTC1’與負溫度係數電流INTC1’相等，因此電晶體M11於環境溫度大於觸發溫度Ttrigger’時，不輸出電流，使得溫度係數電流ITCx為0。如此一來，類型TCT1可於環境溫度小於觸發溫度Ttrigger’時輸出具有負溫度係數之溫度係數電流ITCx，而於環境溫度大於觸發溫度Ttrigger’時不輸出電流，且由於利用電流鏡進行正溫度係數電流IPTC1’與負溫度係數電流INTC1’相減抵銷係類比操作，因此於觸發溫度Ttrigger’前後溫度係數電流ITCx較為平滑且電路較習知比較器的結構簡單。
相似地，請參考第7B圖，類型TCT2與類型TCT1大致相似，因此運用與架構相似之元件以相同符號表示，而相關說明可參考以上敘述。類型TCT2與類型TCT1之主要差異在於觸發單元604包含之電晶體M15、M16為N型金氧半電晶體，可用來觸發以汲取溫度係數電流ITCx(即負電流)，因此正溫度係數電流IPTC1’代表式(三)中電流I1而負溫度係數電流INTC1’代表式(三)中電流I2。
類型TCT2(即溫度係數電流觸發產生器TCx)亦係設計為於環境溫度等於觸發溫度Tx時，正溫度係數電流IPTC1’等於負溫度係數電流INTC1’。在此情況下，在觸發單元604中，由於環境溫度大於觸發溫度Tx時正溫度係數電流IPTC1’大於負溫度係數電流INTC1’，因此電晶體M15可於環境溫度大於觸發溫度Ttrigger’時，汲取一正溫度係數電流IPTC2’，正溫度係數電流IPTC2’等於正溫度係數電流IPTC1’減去負溫度係數電流INTC1’，電晶體M16可根據電晶體M15所汲取之正溫度係數電流IPTC2’，於一汲極汲取具有正溫度係數之溫度係數電流ITCx(為K倍正溫度係數電流IPTC2’之負電流)。相反地，電晶體M15於環境溫度小於觸發溫度Ttrigger’時，不汲取電流，使得溫度係數電流ITCx為0。如此一來，類型TCT2可於環境溫度大於觸發溫度Ttrigger’時汲取具有正溫度係數之溫度係數電流ITCx，而於環境溫度小於觸發溫度Ttrigger’時不汲取電流，且由於利用電流鏡進行正溫度係數電流IPTC1’與負溫度係數電流INTC1’相減抵銷係類比操作，因此於觸發溫度Ttrigger’前後溫度係數電流ITCx較為平滑。
另一方面，如第7C圖所示，負溫度係數電流產生單元602包含有一電流鏡之一電晶體M17，正溫度係數電流產生單元600包含有一電晶體M18及一電流鏡(包含有電晶體M19、M20)，而觸發單元604包含有電晶體M21、M22，其詳細架構與連接方式如第7C圖所示，即電晶體M17之一閘極耦接於其電流鏡之電晶體M14之該閘極(如第5圖所示)；電晶體M18之一閘極耦接於其電流鏡之電晶體M13之該閘極(如第5圖所示)；電晶體M19之一閘極耦接於一汲極，該汲極耦接於電晶體M18之一汲極；電晶體M20之一閘極耦接於電晶體M19之該閘極，一汲極耦接於電晶體M17之一汲極；電晶體M21之一閘極耦接於一汲極，該汲極耦接於電晶體M17之該汲極與電晶體M20之該汲極之間；電晶體M22(大小為電晶體M21之K’倍)之一閘極耦接於電晶體M11之該閘極。其中電晶體M17、M18、M21、M22為P型金氧半電晶體，而電晶體M19、M20為N型金氧半電晶體。
在此情況下，在負溫度係數電流產生單元602中，電晶體M17可根據電晶體M14所輸出之負溫度係數電流INTC’，產生負溫度係數電流INTC1’(即式(三)中電流I2)。在正溫度係數電流產生單元600中，電晶體M18可根據電晶體M13所輸出之一正溫度係數電流IPTC’，產生一正溫度係數電流IPTC3’，電晶體M19可於其汲極接收正溫度係數電流IPTC3’，電晶體M20可根據電晶體M19所接收之正溫度係數電流IPTC3’，於其汲極汲取正溫度係數電流IPTC1’(即式(三)中電流I1)。
須注意，類型TCT3(即溫度係數電流觸發產生器TCx)係設計為於環境溫度等於觸發溫度Tx時，正溫度係數電流IPTC1’等於負溫度係數電流INTC1’。在此情況下，在觸發單元604中，由於環境溫度大於觸發溫度Tx時正溫度係數電流IPTC1’大於負溫度係數電流INTC1’，因此電晶體M21可於環境溫度大於觸發溫度Ttrigger’時，輸出一正溫度係數電流IPTC4’，正溫度係數電流IPTC4’等於正溫度係數電流IPTC1’減去負溫度係數電流INTC1’，電晶體M22可根據電晶體M21所輸出之正溫度係數電流IPTC4’，於一汲極輸出具有正溫度係數之溫度係數電流ITCx(為正溫度係數電流IPTC4’之K倍)。相反地，由於環境溫度小於觸發溫度Tx時負溫度係數電流INTC1’應大於正溫度係數電流IPTC1’，但會因電晶體M17導通能力較強而電晶體M20導通能力較弱使得負溫度係數電流INTC1’與正溫度係數電流IPTC1’相等，因此電晶體M21於環境溫度小於觸發溫度Ttrigger’時，不輸出電流，使得溫度係數電流ITCx為0。如此一來，類型TCT3可於環境溫度大於觸發溫度Ttrigger’時輸出具有正溫度係數之溫度係數電流ITCx，而於環境溫度小於觸發溫度Ttrigger’時不輸出電流，且由於利用電流鏡進行正溫度係數電流IPTC1’與負溫度係數電流INTC1’相減抵銷係類比操作，因此於觸發溫度Ttrigger’前後溫度係數電流ITCx較為平滑。
相似地，請參考第7D圖，類型TCT4與類型TCT3大致相似，因此運用與架構相似之元件以相同符號表示，而相關說明可參考以上敘述。類型TCT4與類型TCT3之主要差異在於觸發單元604包含之電晶體M23、M24為N型金氧半電晶體，可用來觸發以汲取溫度係數電流ITCx(即負電流)，因此負溫度係數電流INTC1’代表式(三)中電流I1而正溫度係數電流IPTC1’代表式(三)中電流I2。
類型TCT4(即溫度係數電流觸發產生器TCx)亦係設計為於環境溫度等於觸發溫度Tx時，正溫度係數電流IPTC1’等於負溫度係數電流INTC1’。在此情況下，在觸發單元604中，由於環境溫度小於觸發溫度Tx時負溫度係數電流INTC1’大於正溫度係數電流IPTC1’，因此電晶體M23可於環境溫度小於觸發溫度Ttrigger’時，汲取一負溫度係數電流INTC4’，負溫度係數電流INTC4’等於負溫度係數電流INTC1’減去正溫度係數電流IPTC1’，電晶體M24可根據電晶體M23所汲取之負溫度係數電流INTC4’，於一汲極汲取具有負溫度係數之溫度係數電流ITCx(為K倍負溫度係數電流INTC4’之負電流)。相反地，電晶體M23於環境溫度大於觸發溫度Ttrigger’時，不汲取電流，使得溫度係數電流ITCx為0。如此一來，類型TCT4可於環境溫度小於觸發溫度Ttrigger’時汲取具有負溫度係數之溫度係數電流ITCx，而於環境溫度小於觸發溫度Ttrigger’時不汲取電流，且由於利用電流鏡進行正溫度係數電流IPTC1’與負溫度係數電流INTC1’相減抵銷係類比操作，因此於觸發溫度Ttrigger’前後溫度係數電流ITCx較為平滑且電路較習知比較器的結構簡單。
值得注意的是，本發明之主要精神在於各溫度係數電流觸發產生器可利用電流鏡進行正溫度係數電流與負溫度係數電流甚至是零溫度係數電流(如圖五IZTC’產生方式)相減抵銷方式，以於溫度係數折點一邊產生溫度係數電流而另一邊不產生電流，因此觸發溫度前後溫度係數電流較為平滑，且因不需比較器所以電路較為簡單，更可進一步加總多個溫度係數電流觸發產生器所產生之多個溫度係數電流，以產生具有多個溫度係數折點且較平滑的加總溫度係數電流。本領域具通常知識者當可據以修飾或變化，而不限於此。舉例來說，能帶隙參考電路502只要能產生正溫度係數電流IPTC’、負溫度係數電流INTC’以及零溫度係數電流IZTC’即可，而不限於本發明之架構；各溫度係數電流觸發產生器中正溫度係數電流產生單元600及負溫度係數電流產生單元602只要能產生正溫度係數電流IPTC1’(或是零溫度係數電流)及負溫度係數電流INTC1’(或是零溫度係數電流)，使觸發單元604利用電流相減抵銷方式產生具有較平滑的溫度係數電流ITCx即可，而不限於本發明使用電流鏡之實施方式。
雖然上述第7A圖至第7E圖之實施例皆為透過正溫度係數電流與負溫度係數電流相減抵銷產生溫度係數電流，但本發明亦可透過正溫度係數電流或負溫度係數電流與零溫度係數電流相減抵銷產生溫度係數電流。舉例來說，請參考第7E圖，第7E圖為第7C圖所示之類型TCT3之變化實施例一類型TCT3’之示意圖。第7E圖所示之類型TCT3’與第7C圖所示之類型TCT3大致相似，其主要差別在於第7C圖所示之類型TCT3’中負溫度係數電流產生單元602另包含一電晶體Mx以做為零溫度係數電流產生單元，電晶體Mx之一閘極亦耦接於電晶體M13之該閘極(如第5圖所示)，用來根據電晶體M13所輸出之正溫度係數電流IPTC’，產生一正溫度係數電流IPTCx’，進而與電晶體M17所產生之負溫度係數電流INTC1’加總產生一零溫度係數電流IZTCx(即式(三)中電流I2)。換言之，相較於類型TCT3係透過正溫度係數電流IPTC1’與負溫度係數電流INTC1’相減抵銷以產生具有正溫度係數之溫度係數電流ITCx，類型TCT3’係透過正溫度係數電流IPTC1’與零溫度係數電流IZTCx’相減抵銷以產生具有正溫度係數之溫度係數電流ITCx。如此一來，由於相較於設計正溫度係數電流與負溫度係數電流於觸發溫度Ttrigger’時相等而言，使用零溫度係數電流時其於所有溫度底下電流相同，因此可使設計複雜度較低。
依此類推，可於第7A圖所示之類型TCT1之正溫度係數電流產生單元600、第7B圖所示之類型TCT2之正溫度係數電流產生單元602、第7D圖所示之類型TCT4之正溫度係數電流產生單元600分別加入一電晶間，以做為零溫度係數電流產生單元產生零溫度係數電流，以正溫度係數電流或負溫度係數電流抵銷產生溫度係數電流ITCx。
此外，本發明所描述之溫度係數電流觸發產生模組50可應用於任何使用參考電流源之電路中，而不限於能帶隙參考電路，而亦可透過電流電壓轉換器(I-V converter)轉換為電流源，或是以其他電路轉換為類比或數位訊號。舉例來說，請參考第8圖，第8圖為第5圖中溫度係數電流觸發產生模組50之一變化實施例。如第8圖所示，溫度係數電流觸發產生模組50另包含一輸出單元800。輸出單元800可利用電流鏡複製加總溫度係數電流Iout’，於一電流輸出端直接產生加總溫度係數電流Iout’，還可另外將所複製之加總溫度係數電流Iout’通過一電阻Rout或其它阻抗元件，以於一電流輸出端產生一加總溫度係數電壓Vout’。須注意，在其它實施例中，輸出單元800亦可僅用於單一個溫度係數電流觸發產生器，此外，輸出單元800可僅將加總溫度係數電流Iout’通過電阻Rout或其它阻抗元件以產生加總溫度係數電壓Vout’，而不限於第8圖中輸出單元800同時產生加總溫度係數電流Iout’及加總溫度係數電壓Vout’。
除此之外，類型TCT1～TCT4中尺寸比皆為K’倍，應用上可視實際需求而為不同比例，溫度係數電流觸發產生器TC1～TCN之數量可為一至多個類型TCT1～TCT4中不同類型的溫度係數電流觸發產生器，溫度係數電流觸發產生器TC1～TCN可具有不同觸發溫度Ttrigger’，以根據實際需求設計加總溫度係數電流Iout’之溫度係數，進而補償所應用之不同電路非理想因素的溫度效應。
舉例來說，請參考第9A圖及第9B圖，第9A圖為第5圖中溫度係數電流觸發產生模組50選擇性僅包含一個溫度係數電流觸發產生器TC1之變化實施例，而第9B圖為第9A圖中加總溫度係數電流Iout’、零溫度係數電流IZTC’及溫度係數電流ITC1之示意圖，其中，溫度係數電流觸發產生器TC1為類型TCT3，且其尺寸比K’值為2.5而觸發溫度Ttrigger’為-10℃。如第9B圖所示，由於溫度係數電流ITC1係類型TCT3透過電流相減抵銷方式產生，因此於環境溫度大於-10℃時輸出具有正溫度係數之溫度係數電流ITC1，而於環境溫度小於-10℃時不輸出電流，因此與零溫度係數電流IZTC’以類比方式疊加後產生的加總溫度係數電流Iout’比習知數位切換方式較為平滑。
另一方面，請參考第10A圖及第10B圖，第10A圖為第5圖中溫度係數電流觸發產生模組50選擇性包含三個溫度係數電流觸發產生器TC1～TC3之變化實施例，而第10B圖為第10A圖中加總溫度係數電流Iout’、零溫度係數電流IZTC’及溫度係數電流ITC1～ITC3之示意圖，其中，溫度係數電流觸發產生器TC1為類型TCT3，且其尺寸比K’值為2.5而觸發溫度Ttrigger’為-10℃；溫度係數電流觸發產生器TC2為類型TCT1，且其尺寸比K’值為1.5而觸發溫度Ttrigger’為-10℃；溫度係數電流觸發產生器TC3為類型TCT2，且其尺寸比K’值為1.5而觸發溫度Ttrigger’為-10℃。如第10B圖所示，第10B圖中溫度係數電流ITC1～ITC3產生溫度係數電流ITC1～ITC3與第9B圖中溫度係數電流ITC1產生溫度係數電流ITC1之方式相似，可參考之前敘述。
第10B圖與第9B圖之主要差別在於：溫度係數電流觸發產生器TC1之K’值較溫度係數電流觸發產生器TC2～TC3之K’值大，因此溫度係數電流ITC1～ITC3與零溫度係數電流IZTC’以類比方式疊加後產生的加總溫度係數電流Iout’當中溫度係數電流ITC1成份較高；而溫度係數電流觸發產生器TC3之觸發溫度Ttrigger’不同於溫度係數電流觸發產生器TC1～TC2之觸發溫度Ttrigger’，因此加總溫度係數電流Iout’具有兩個溫度係數折點。如此一來，透過適當設計溫度係數電流觸發產生器TC1～TCN之類型、尺寸比K’及觸發溫度Ttrigger’，即可以簡單的電流鏡設計而不需複雜的比較器得到較平滑且具有多個溫度係數折點的加總溫度係數電流Iout’，進而補償所應用之不同電路非理想因素的溫度效應。
在習知技術中，由於使用比較器的數位操作進行切換以得到溫度係數電流，因此電路較為複雜且溫度係數電流在溫度係數折點附近會有不連續現象。相較之下，本發明的溫度係數電流觸發產生器利用電流鏡以進行電流相減抵銷的類比操作，因此可以較簡單的電路得到較平滑的溫度係數電流。更進一步地，本發明的溫度係數電流觸發產生模組可設計並加總多個溫度係數電流觸發產生器，以產生較平滑且具有多個溫度係數折點的加總溫度係數電流，進而補償所應用之不同電路非理想因素的溫度效應。
總而言之，本發明可以電流相減抵銷的類比操作，以較簡單的電路得到較平滑的溫度係數電流，以符合實際需求。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10．．．雙電容振盪器
20．．．電流源
202．．．傳統能帶隙電路
204．．．觸發單元
206．．．產生單元
208．．．比較器
210．．．放大器
212．．．多工器
50．．．溫度係數電流觸發產生模組
502．．．能帶隙參考電路
504．．．加總單元
506．．．運算放大器
600．．．正溫度係數電流產生單元
602．．．負溫度係數電流產生單元
604．．．觸發單元
800．．．輸出單元
Ic．．．電流
Cf．．．電容
Vref、VA、VB、VC．．．電壓
Iout．．．輸出電流
VZTC．．．零溫度係數電壓
IZTC、IZTC’、IZTCx．．．零溫度係數電流
VPTC．．．正溫度係數電壓
IPTC、IPTC’、IPTC1’～IPTC4’、IPTCx’．．．正溫度係數電流
M1～M24．．．電晶體
Vcon．．．控制訊號
RZTC、RPTC、RPTC’、RNTC’、Rout．．．電阻
Ttrigger．．．觸發溫度
TC1～TCN、TCx．．．溫度係數電流觸發產生器
ITC1～ITCN、ITCx．．．溫度係數電流
INTC’、INTC1’～INTC4’．．．負溫度係數電流
Iout’．．．加總溫度係數電流
Q1、Q2．．．雙載子電晶體
VDD．．．系統電壓
TCT1～TCT4、TCT3’．．．類型
I1、I2．．．電流
K’．．．尺寸比
Vout’．．．加總溫度係數電壓
第1圖為習知一雙電容振盪器之示意圖。
第2圖為習知具有非線性溫度係數之一電流源之示意圖。
第3圖為理想狀態下第2圖中一輸出電流、一零溫度係數電流及一正溫度係數電流之示意圖。
第4圖為非理想狀態下第2圖中一輸出電流、一零溫度係數電流及一正溫度係數電流之示意圖。
第5圖為本發明實施例中一溫度係數電流觸發產生模組之示意圖。
第6圖為第5圖中一溫度係數電流觸發產生器之示意圖。
第7A圖至第7D圖為第6圖中溫度係數電流觸發產生器之變化實施例之四種類型之示意圖。
第8圖為第5圖中溫度係數電流觸發產生模組之另一變化實施例。
第9A圖為第5圖中溫度係數電流觸發產生模組僅包含一個溫度係數電流觸發產生器之變化實施例。
第9B圖為第9A圖中一加總溫度係數電流、一零溫度係數電流及一溫度係數電流之示意圖。
第10A圖為第5圖中溫度係數電流觸發產生模組選擇性包含三個溫度係數電流觸發產生器之變化實施例。
第10B圖為第10A圖中一加總溫度係數電流、一零溫度係數電流及三溫度係數電流之示意圖。
50．．．溫度係數電流觸發產生模組
502．．．能帶隙參考電路
504．．．加總單元
506．．．運算放大器
TC1～TCN．．．溫度係數電流觸發產生器
ITC1～ITCN．．．溫度係數電流
Iout’．．．加總溫度係數電流
VA、VB、VC．．．電壓
IZTC’．．．零溫度係數電流
IPTC’．．．正溫度係數電流
M5～M6、M13～M14．．．電晶體
RNTC’、RPTC’．．．電阻
INTC’．．．負溫度係數電流
Q1、Q2．．．雙載子電晶體
VDD．．．系統電壓

Claims (58)

  1. 一種溫度係數電流觸發產生器，用來產生一溫度係數電流，包含有：一正溫度係數電流產生單元，用來產生一第一正溫度係數電流；一負溫度係數電流產生單元，用來產生一第一負溫度係數電流；以及一觸發單元，用來根據一觸發溫度及該第一正溫度係數電流與該第一負溫度係數電流之一電流差，觸發以產生該溫度係數電流。
  2. 如請求項1所述之溫度係數電流觸發產生器，其中於一環境溫度等於該觸發溫度時，該第一正溫度係數電流等於該第一負溫度係數電流。
  3. 如請求項1所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該觸發單元於一環境溫度小於該觸發溫度時，觸發以產生該溫度係數電流，且該溫度係數電流具有負溫度係數。
  4. 如請求項1所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該觸發單元於一環境溫度大於該觸發溫度時，觸發以產生該溫度係數電流，且該溫度係數電流具有正溫度係數。
  5. 如請求項1所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該觸發單元觸發以輸出該溫度係數電流。
  6. 如請求項1所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該觸發單元觸發以汲取該溫度係數電流。
  7. 如請求項1所述之溫度係數電流觸發產生器，其另包含一零溫度係數電流產生單元，用來根據該第一正溫度係數電流產生一零溫度係數電流；該觸發單元根據該觸發溫度及該零溫度係數電流與該第一負溫度係數電流之一電流差，觸發以產生該溫度係數電流。
  8. 如請求項1所述之溫度係數電流觸發產生器，其另包含一零溫度係數電流產生單元，用來根據該第一負溫度係數電流產生一零溫度係數電流；該觸發單元根據該觸發溫度及該零溫度係數電流與該第一正溫度係數電流之一電流差，觸發以產生該溫度係數電流。
  9. 如請求項1所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該正溫度係數電流產生單元包含有一第一電流鏡之一第一電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第一電流鏡之一第二電晶體之一閘極，用來根據該第二電晶體所輸出之一第二正溫度係數電流，產生該第一正溫度係數電流。
  10. 如請求項9所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該負溫度係數電流產生單元包含有：一第三電晶體，屬於一第二電流鏡，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第二電流鏡之一第四電晶體之一閘極，用來根據該第四電晶體所輸出之一第二負溫度係數電流，產生一第三負溫度係數電流；以及一第三電流鏡，包含有：一第五電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第三電晶體之該汲極，用來於該汲極接收該第三負溫度係數電流；以及一第六電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第五電晶體之該閘極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極，用來根據第五電晶體所接收之該第三負溫度係數電流，於該汲極汲取該第一負溫度係數電流。
  11. 如請求項10所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該觸發單元係一第四電流鏡，包含有：一第七電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極與該第六電晶體之該汲極之間，用來於一環境溫度小於該觸發溫度時，輸出一第四負溫度係數電流，該第四負溫度係數電流等於該第一負溫度係數電流減去該第一正溫度係數電流；以及一第八電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第七電晶體之該閘極，用來根據該第七電晶體所輸出之該第四負溫度係數電流，於該汲極輸出具有負溫度係數之該溫度係數電流。
  12. 如請求項11所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該第一電晶體、該第二電晶體、第三電晶體、該第四電晶體、第七電晶體及該第八電晶體為P型金氧半(Metal oxide semiconductor，MOS)電晶體，而該第五電晶體及該第六電晶體為N型金氧半電晶體。
  13. 如請求項10所述之溫度係數電流觸發產生器，其另包含一零溫度係數電流產生單元，該零溫度係數電流產生單元包含有該正溫度係數電流產生單元及一電晶體；該電晶體之一閘極耦接於該第二電流鏡之該第四電晶體之該閘極，用來根據該第四電晶體所輸出之該第二負溫度係數電流，產生一負溫度係數電流；該零溫度係數電流產生單元根據該第一正溫度係數電流及該負溫度係數電流，產生一零溫度係數電流。
  14. 如請求項13所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該觸發單元係一第四電流鏡，包含有：一第七電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極與該第六電晶體之該汲極之間，用來於一環境溫度小於該觸發溫度時，輸出一第四負溫度係數電流，該第四負溫度係數電流等於該第一負溫度係數電流減去該零溫度係數電流；以及一第八電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第七電晶體之該閘極，用來根據該第七電晶體所輸出之該第四負溫度係數電流，於該汲極輸出具有負溫度係數之該溫度係數電流。
  15. 如請求項10所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該觸發單元係一第四電流鏡，包含有：一第七電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極與該第六電晶體之該汲極之間，用來於一環境溫度大於該觸發溫度時，汲取一第三正溫度係數電流，該第三正溫度係數電流等於該第一正溫度係數電流減去該第一負溫度係數電流；以及一第八電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第七電晶體之該閘極，用來根據該第七電晶體所汲取之該第三正溫度係數電流，於該汲極汲取具有正溫度係數之該溫度係數電流。
  16. 如請求項15所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該第一電晶體、該第二電晶體、第三電晶體及該第四電晶體為P型金氧半(Metal oxide semiconductor，MOS)電晶體，而該第五電晶體、該第六電晶體、第七電晶體及該第八電晶體為N型金氧半電晶體。
  17. 如請求項10所述之溫度係數電流觸發產生器，其另包含一零溫度係數電流產生單元，該零溫度係數電流產生單元包含有該負溫度係數電流產生單元及一電晶體；該電晶體之一閘極耦接於該第一電流鏡之該第二電晶體之該閘極，用來根據該第二電晶體所輸出之該第二正溫度係數電流，產生一正溫度係數電流；該零溫度係數電流產生單元根據該第一負溫度係數電流及該正溫度係數電流，產生一零溫度係數電流。
  18. 如請求項17所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該觸發單元係一第四電流鏡，包含有：一第七電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極與該第六電晶體之該汲極之間，用來於一環境溫度大於該觸發溫度時，汲取一第三正溫度係數電流，該第三正溫度係數電流等於該第一正溫度係數電流減去該零溫度係數電流；以及一第八電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第七電晶體之該閘極，用來根據該第七電晶體所汲取之該第三正溫度係數電流，於該汲極汲取具有正溫度係數之該溫度係數電流。
  19. 如請求項1所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該負溫度係數電流產生單元包含有一第一電流鏡之一第一電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第一電流鏡之一第二電晶體之一閘極，用來根據該第二電晶體所輸出之一第二負溫度係數電流，產生該第一負溫度係數電流。
  20. 如請求項19所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該正溫度係數電流產生單元包含有：一第三電晶體，屬於一第二電流鏡，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第二電流鏡之一第四電晶體之一閘極，用來根據該第四電晶體所輸出之一第二正溫度係數電流，產生一第三正溫度係數電流；以及一第三電流鏡，包含有：一第五電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第三電晶體之該汲極，用來於該汲極接收該第三正溫度係數電流；以及一第六電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第五電晶體之該閘極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極，用來根據第五電晶體所接收之該第三正溫度係數電流，於該汲極汲取該第一正溫度係數電流。
  21. 如請求項20所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該觸發單元係一第四電流鏡，包含有：一第七電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極與該第六電晶體之該汲極之間，用來於一環境溫度大於該觸發溫度時，輸出一第四正溫度係數電流，該第四正溫度係數電流等於該第一正溫度係數電流減去該第一負溫度係數電流；以及一第八電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第七電晶體之該閘極，用來根據該第七電晶體所輸出之該第四正溫度係數電流，於該汲極輸出具有正溫度係數之該溫度係數電流。
  22. 如請求項21所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該第一電晶體、該第二電晶體、第三電晶體、該第四電晶體、第七電晶體及該第八電晶體為P型金氧半(Metal oxide semiconductor，MOS)電晶體，而該第五電晶體及該第六電晶體為N型金氧半電晶體。
  23. 如請求項20所述之溫度係數電流觸發產生器，其另包含一零溫度係數電流產生單元，該零溫度係數電流產生單元包含有該負溫度係數電流產生單元及一電晶體；該電晶體之一閘極耦接於該第二電流鏡之該第四電晶體之該閘極，用來根據該第四電晶體所輸出之該第二正溫度係數電流，產生一正溫度係數電流；該零溫度係數電流產生單元根據該第一負溫度係數電流及該正溫度係數電流，產生一零溫度係數電流。
  24. 如請求項23所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該觸發單元係一第四電流鏡，包含有：一第七電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極與該第六電晶體之該汲極之間，用來於一環境溫度大於該觸發溫度時，輸出一第四正溫度係數電流，該第四正溫度係數電流等於該第三正溫度係數電流減去該零溫度係數電流；以及一第八電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第七電晶體之該閘極，用來根據該第七電晶體所輸出之該第四正溫度係數電流，於該汲極輸出具有正溫度係數之該溫度係數電流。
  25. 如請求項20所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該觸發單元係一第四電流鏡，包含有：一第七電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極與該第六電晶體之該汲極之間，用來於一環境溫度小於該觸發溫度時，汲取一第三負溫度係數電流，該第三負溫度係數電流等於該第一負溫度係數電流減去該第一正溫度係數電流；以及一第八電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第七電晶體之該閘極，用來根據該第七電晶體所汲取之該第三負溫度係數電流，於該汲極汲取具有負溫度係數之該溫度係數電流。
  26. 如請求項25所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該第一電晶體、該第二電晶體、第三電晶體及該第四電晶體為P型金氧半(Metal oxide semiconductor，MOS)電晶體，而該第五電晶體、該第六電晶體、第七電晶體及該第八電晶體為N型金氧半電晶體。
  27. 如請求項20所述之溫度係數電流觸發產生器，其中另包含一零溫度係數電流產生單元，該零溫度係數電流產生單元包含有該正溫度係數電流產生單元及一電晶體；該電晶體之一閘極耦接於該第一電流鏡之該第二電晶體之該閘極，用來根據該第二電晶體所輸出之該第二負溫度係數電流，產生一負溫度係數電流；該零溫度係數電流產生單元根據該第一正溫度係數電流及該負溫度係數電流，產生一零溫度係數電流。
  28. 如請求項27所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該觸發單元係一第四電流鏡，包含有：一第七電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極與該第六電晶體之該汲極之間，用來於一環境溫度小於該觸發溫度時，汲取一第三負溫度係數電流，該第三負溫度係數電流等於該第一負溫度係數電流減去該零溫度係數電流；以及一第八電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第七電晶體之該閘極，用來根據該第七電晶體所汲取之該第三負溫度係數電流，於該汲極汲取具有負溫度係數之該溫度係數電流。
  29. 如請求項1所述之溫度係數電流觸發產生器，其另包含有一阻抗元件，用來根據該溫度係數電流，產生一溫度係數電壓。
  30. 一種溫度係數電流觸發產生模組，用來產生一加總溫度係數電流，包含有：複數個溫度係數電流觸發產生器，用來分別產生複數個溫度係數電流，各溫度係數電流觸發產生器包含有：一正溫度係數電流產生單元，用來產生一第一正溫度係數電流；一負溫度係數電流產生單元，用來產生一第一負溫度係數電流；以及一觸發單元，用來根據一觸發溫度及該第一正溫度係數電流與該第一負溫度係數電流之一電流差，觸發以產生該溫度係數電流；以及一加總單元，用來加總該複數個溫度係數電流，以產生該加總溫度係數電流。
  31. 如請求項30所述之溫度係數電流觸發模組，其中於一環境溫度等於該觸發溫度時，該第一正溫度係數電流等於該第一負溫度係數電流。
  32. 如請求項30所述之溫度係數電流觸發模組，其中該觸發單元於一環境溫度小於該觸發溫度時，觸發以產生該溫度係數電流，且該溫度係數電流具有負溫度係數。
  33. 如請求項30所述之溫度係數電流觸發模組，其中該觸發單元於一環境溫度大於該觸發溫度時，觸發以產生該溫度係數電流，且該溫度係數電流具有正溫度係數。
  34. 如請求項30所述之溫度係數電流觸發模組，其中該觸發單元觸發以輸出該溫度係數電流。
  35. 如請求項30所述之溫度係數電流觸發模組，其中該觸發單元觸發以汲取該溫度係數電流。
  36. 如請求項30所述之溫度係數電流觸發模組，其中該各溫度係數電流觸發產生器另包含一零溫度係數電流產生單元，用來根據該第一正溫度係數電流產生一零溫度係數電流；該觸發單元根據該觸發溫度及該零溫度係數電流與該第一負溫度係數電流之一電流差，觸發以產生該溫度係數電流。
  37. 如請求項30所述之溫度係數電流觸發模組，其中該各溫度係數電流觸發產生器另包含一零溫度係數電流產生單元，用來根據該第一負溫度係數電流產生一零溫度係數電流；該觸發單元根據該觸發溫度及該零溫度係數電流與該第一正溫度係數電流之一電流差，觸發以產生該溫度係數電流。
  38. 如請求項30所述之溫度係數電流觸發模組，其中該正溫度係數電流產生單元包含有一第一電流鏡之一第一電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第一電流鏡之一第二電晶體之一閘極，用來根據該第二電晶體所輸出之一第二正溫度係數電流，產生該第一正溫度係數電流。
  39. 如請求項38所述之溫度係數電流觸發模組，其中該負溫度係數電流產生單元包含有：一第三電晶體，屬於一第二電流鏡，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第二電流鏡之一第四電晶體之一閘極，用來根據該第四電晶體所輸出之一第二負溫度係數電流，產生一第三負溫度係數電流；以及一第三電流鏡，包含有：一第五電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第三電晶體之該汲極，用來於該汲極接收該第三負溫度係數電流；以及一第六電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第五電晶體之該閘極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極，用來根據第五電晶體所接收之該第三負溫度係數電流，於該汲極汲取該第一負溫度係數電流。
  40. 如請求項39所述之溫度係數電流觸發模組，其中該觸發單元係一第四電流鏡，包含有：一第七電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極與該第六電晶體之該汲極之間，用來於一環境溫度小於該觸發溫度時，輸出一第四負溫度係數電流，該第四負溫度係數電流等於該第一負溫度係數電流減去該第一正溫度係數電流；以及一第八電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第七電晶體之該閘極，用來根據該第七電晶體所輸出之該第四負溫度係數電流，於該汲極輸出具有負溫度係數之該溫度係數電流。
  41. 如請求項40所述之溫度係數電流觸發模組，其中該第一電晶體、該第二電晶體、第三電晶體、該第四電晶體、第七電晶體及該第八電晶體為P型金氧半(Metal oxide semiconductor，MOS)電晶體，而該第五電晶體及該第六電晶體為N型金氧半電晶體。
  42. 如請求項39所述之溫度係數電流觸發模組，其中該各溫度係數電流觸發產生器另包含一零溫度係數電流產生單元，該零溫度係數電流產生單元包含有該正溫度係數電流產生單元及一電晶體；該電晶體之一閘極耦接於該第二電流鏡之該第四電晶體之該閘極，用來根據該第四電晶體所輸出之該第二負溫度係數電流，產生一負溫度係數電流；該零溫度係數電流產生單元根據該第一正溫度係數電流及該負溫度係數電流，產生一零溫度係數電流。
  43. 如請求項42所述之溫度係數電流觸發模組，其中該觸發單元係一第四電流鏡，包含有：一第七電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極與該第六電晶體之該汲極之間，用來於一環境溫度小於該觸發溫度時，輸出一第四負溫度係數電流，該第四負溫度係數電流等於該第一負溫度係數電流減去該零溫度係數電流；以及一第八電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第七電晶體之該閘極，用來根據該第七電晶體所輸出之該第四負溫度係數電流，於該汲極輸出具有負溫度係數之該溫度係數電流。
  44. 如請求項39所述之溫度係數電流觸發模組，其中該觸發單元係一第四電流鏡，包含有：一第七電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極與該第六電晶體之該汲極之間，用來於一環境溫度大於該觸發溫度時，汲取一第三正溫度係數電流，該第三正溫度係數電流等於該第一正溫度係數電流減去該第一負溫度係數電流；以及一第八電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第七電晶體之該閘極，用來根據該第七電晶體所汲取之該第三正溫度係數電流，於該汲極汲取具有正溫度係數之該溫度係數電流。
  45. 如請求項44所述之溫度係數電流觸發模組，其中該第一電晶體、該第二電晶體、第三電晶體及該第四電晶體為P型金氧半(Metal oxide semiconductor，MOS)電晶體，而該第五電晶體、該第六電晶體、第七電晶體及該第八電晶體為N型金氧半電晶體。
  46. 如請求項39所述之溫度係數電流觸發模組，其中該各溫度係數電流觸發產生器另包含一零溫度係數電流產生單元，該零溫度係數電流產生單元包含有該負溫度係數電流產生單元及一電晶體；該電晶體之一閘極耦接於該第一電流鏡之該第二電晶體之該閘極，用來根據該第二電晶體所輸出之該第二正溫度係數電流，產生一正溫度係數電流；該零溫度係數電流產生單元根據該第一負溫度係數電流及該正溫度係數電流，產生一零溫度係數電流。
  47. 如請求項46所述之溫度係數電流觸發模組，其中該觸發單元係一第四電流鏡，包含有：一第七電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極與該第六電晶體之該汲極之間，用來於一環境溫度大於該觸發溫度時，汲取一第三正溫度係數電流，該第三正溫度係數電流等於該第一正溫度係數電流減去該零溫度係數電流；以及一第八電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第七電晶體之該閘極，用來根據該第七電晶體所汲取之該第三正溫度係數電流，於該汲極汲取具有正溫度係數之該溫度係數電流。
  48. 如請求項30所述之溫度係數電流觸發模組，其中該負溫度係數電流產生單元包含有一第一電流鏡之一第一電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第一電流鏡之一第二電晶體之一閘極，用來根據該第二電晶體所輸出之一第二負溫度係數電流，產生該第一負溫度係數電流。
  49. 如請求項48所述之溫度係數電流觸發模組，其中該正溫度係數電流產生單元包含有：一第三電晶體，屬於一第二電流鏡，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第二電流鏡之一第四電晶體之一閘極，用來根據該第四電晶體所輸出之一第二正溫度係數電流，產生一第三正溫度係數電流；以及一第三電流鏡，包含有：一第五電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第三電晶體之該汲極，用來於該汲極接收該第三正溫度係數電流；以及一第六電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第五電晶體之該閘極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極，用來根據第五電晶體所接收之該第三正溫度係數電流，於該汲極汲取該第一正溫度係數電流。
  50. 如請求項49所述之溫度係數電流觸發模組，其中該觸發單元係一第四電流鏡，包含有：一第七電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極與該第六電晶體之該汲極之間，用來於一環境溫度大於該觸發溫度時，輸出一第四正溫度係數電流，該第四正溫度係數電流等於該第一正溫度係數電流減去該第一負溫度係數電流；以及一第八電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第七電晶體之該閘極，用來根據該第七電晶體所輸出之該第四正溫度係數電流，於該汲極輸出具有正溫度係數之該溫度係數電流。
  51. 如請求項50所述之溫度係數電流觸發模組，其中該第一電晶體、該第二電晶體、第三電晶體、該第四電晶體、第七電晶體及該第八電晶體為P型金氧半(Metal oxide semiconductor，MOS)電晶體，而該第五電晶體及該第六電晶體為N型金氧半電晶體。
  52. 如請求項49所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該各溫度係數電流觸發產生器另包含一零溫度係數電流產生單元，該零溫度係數電流產生單元包含有該負溫度係數電流產生單元及一電晶體；該電晶體之一閘極耦接於該第二電流鏡之該第四電晶體之該閘極，用來根據該第四電晶體所輸出之該第二正溫度係數電流，產生一正溫度係數電流；該零溫度係數電流產生單元根據該第一負溫度係數電流及該正溫度係數電流，產生一零溫度係數電流。
  53. 如請求項52所述之溫度係數電流觸發產生器，其中該觸發單元係一第四電流鏡，包含有：一第七電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極與該第六電晶體之該汲極之間，用來於一環境溫度大於該觸發溫度時，輸出一第四正溫度係數電流，該第四正溫度係數電流等於該第一正溫度係數電流減去該零溫度係數電流；以及一第八電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第七電晶體之該閘極，用來根據該第七電晶體所輸出之該第四正溫度係數電流，於該汲極輸出具有正溫度係數之該溫度係數電流。
  54. 如請求項49所述之溫度係數電流觸發模組，其中該觸發單元係一第四電流鏡，包含有：一第七電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極與該第六電晶體之該汲極之間，用來於一環境溫度小於該觸發溫度時，汲取一第三負溫度係數電流，該第三負溫度係數電流等於該第一負溫度係數電流減去該第一正溫度係數電流；以及一第八電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第七電晶體之該閘極，用來根據該第七電晶體所汲取之該第三負溫度係數電流，於該汲極汲取具有負溫度係數之該溫度係數電流。
  55. 如請求項54所述之溫度係數電流觸發模組，其中該第一電晶體、該第二電晶體、第三電晶體及該第四電晶體為P型金氧半(Metal oxide semiconductor，MOS)電晶體，而該第五電晶體、該第六電晶體、第七電晶體及該第八電晶體為N型金氧半電晶體。
  56. 如請求項49所述之溫度係數電流觸發模組，其中該各溫度係數電流觸發產生器另包含一零溫度係數電流產生單元，該零溫度係數電流產生單元包含有該正溫度係數電流產生單元及一電晶體；該電晶體之一閘極耦接於該第一電流鏡之該第二電晶體之該閘極，用來根據該第二電晶體所輸出之該第二負溫度係數電流，產生一負溫度係數電流；該零溫度係數電流產生單元根據該第一正溫度係數電流及該負溫度係數電流，產生一零溫度係數電流。
  57. 如請求項56所述之溫度係數電流觸發模組，其中該觸發單元係一第四電流鏡，包含有；一第七電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該汲極，該汲極耦接於該第一電晶體之該汲極與該第六電晶體之該汲極之間，用來於一環境溫度小於該觸發溫度時，汲取一第三負溫度係數電流，該第三負溫度係數電流等於該第一正溫度係數電流減去該零溫度係數電流；以及一第八電晶體，包含有一閘極、一汲極及一源極，該閘極耦接於該第七電晶體之該閘極，用來根據該第七電晶體所汲取之該第三正溫度係數電流，於該汲極汲取具有正溫度係數之該溫度係數電流。
  58. 如請求項30所述之溫度係數電流觸發模組，其另包含有一阻抗元件，用來根據該加總溫度係數電流，產生一加總溫度係數電壓。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI756849B (zh) * 2020-01-07 2022-03-01 華邦電子股份有限公司 定電流電路及半導體裝置
US11809207B2 (en) 2021-09-14 2023-11-07 Winbond Electronics Corp. Temperature compensation circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140100855A (ko) * 2013-02-07 2014-08-18 에스케이하이닉스 주식회사 주기신호생성회로
US9264027B1 (en) * 2013-03-14 2016-02-16 Integrated Device Technology, Inc. Process compensated delay
CN104199509B (zh) * 2014-09-17 2016-06-08 电子科技大学 一种用于带隙基准源的温度补偿电路
KR102373545B1 (ko) * 2015-11-23 2022-03-11 삼성전자주식회사 온도 계수에 기초하여 기준 전압을 생성하는 회로 및 방법
CN105912064B (zh) * 2016-04-25 2018-02-27 华中科技大学 一种高精度高电源抑制比的带隙基准源
KR20190025406A (ko) * 2017-09-01 2019-03-11 삼성전기주식회사 공정편차 보상기능을 갖는 기준 전류 생성회로
US10191507B1 (en) 2017-11-22 2019-01-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Temperature sensor using proportional to absolute temperature sensing and complementary to absolute temperature sensing and electronic device including the same
CN110543201B (zh) * 2018-05-28 2024-07-30 江西指芯智能科技有限公司 电流源控制电路和电流源
CN111158421B (zh) * 2020-01-09 2021-07-13 重庆邮电大学 一种分段补偿的带隙基准电压源电路
KR20230112326A (ko) * 2022-01-20 2023-07-27 에스케이하이닉스 주식회사 온도 변화에도 기준 전류 혹은 기준 전압을 생성하는 반도체 장치
US12072722B2 (en) * 2022-06-24 2024-08-27 Analog Devices, Inc. Bias current with hybrid temperature profile
US12360542B2 (en) * 2022-06-24 2025-07-15 Analog Devices, Inc. Bias current with hybrid temperature profile
CN116578158B (zh) * 2023-07-13 2023-10-03 厦门智多晶科技有限公司 一种应用于fpga的带隙基准调整电路及方法
CN116610169B (zh) * 2023-07-19 2023-10-20 四川公路桥梁建设集团有限公司 一种目标对象智能化养护系统及方法
US12517540B2 (en) * 2023-10-24 2026-01-06 Synaptics Incorporated Temperature compensation for integrated circuits

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6356161B1 (en) * 1998-03-19 2002-03-12 Microchip Technology Inc. Calibration techniques for a precision relaxation oscillator integrated circuit with temperature compensation
US6268764B1 (en) 2000-02-18 2001-07-31 Microchip Technology Incorporated Bandgap voltage comparator used as a low voltage detection circuit
US7543253B2 (en) * 2003-10-07 2009-06-02 Analog Devices, Inc. Method and apparatus for compensating for temperature drift in semiconductor processes and circuitry
US7250806B2 (en) * 2005-03-02 2007-07-31 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Apparatus and method for generating an output signal that tracks the temperature coefficient of a light source
KR100652422B1 (ko) * 2005-08-10 2006-12-01 삼성전자주식회사 온-칩 온도 센서 및 온도 검출 방법, 이를 이용한 리프레쉬제어 방법
EP1942663B1 (en) * 2007-01-02 2013-07-24 STMicroelectronics (Research & Development) Limited Column current source
US7920015B2 (en) 2007-10-31 2011-04-05 Texas Instruments Incorporated Methods and apparatus to sense a PTAT reference in a fully isolated NPN-based bandgap reference
TWI355485B (en) 2007-12-04 2012-01-01 Univ Nat Taiwan Science Tech Time domain digital temperature sensing system and
US8194433B2 (en) * 2008-02-20 2012-06-05 Ovonyx, Inc. Method and apparatus for accessing a bidirectional memory
CN101950191B (zh) 2010-09-16 2012-05-09 电子科技大学 一种具有高阶温度补偿电路的电压基准源
US8451047B2 (en) * 2011-05-17 2013-05-28 Issc Technologies Corp. Circuit used for indicating process corner and extreme temperature

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI756849B (zh) * 2020-01-07 2022-03-01 華邦電子股份有限公司 定電流電路及半導體裝置
US11429131B2 (en) 2020-01-07 2022-08-30 Winbond Electronics Corp. Constant current circuit and semiconductor apparatus
US11809207B2 (en) 2021-09-14 2023-11-07 Winbond Electronics Corp. Temperature compensation circuit and semiconductor integrated circuit using the same

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