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TW201243803A - Organic light emitting diode pixel circuit - Google Patents

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TW201243803A
TW201243803A TW100121494A TW100121494A TW201243803A TW 201243803 A TW201243803 A TW 201243803A TW 100121494 A TW100121494 A TW 100121494A TW 100121494 A TW100121494 A TW 100121494A TW 201243803 A TW201243803 A TW 201243803A
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coupled
driving
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transistor
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Hieng-Hsiung Huang
Wen-Chun Wang
Wen-Tui Liao
Tsung-Yu Wang
Chih-Hung Huang
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Wintek Corp
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Description

201243803
l w / /y^A-C 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種有機發光二極體（〇rganic Light Emitting Diode ’ 0LED)像素電路，且特別是一種可針對因 長時間使用導致之OLED元件之亮度下降情形進行補償之 OLED像素電路。 【先前技術】 在科技發展日新月異的現今時代中，有機發光二極體 (Organic Light Emitting Diode ’ 〇咖)技術係已經被開發 出來，並被應用在諸多顯示應用場合中，例如是電視、電 腦螢幕、筆記型電腦、行動電話或個人數位助理等。一妒 來說’ OLED赫Μ包料㈣轉方式㈣之〇l^ :各個_像素電路包括〇咖元件及對應之 路需：it 〇LED顯示器中之0咖元件及其驅動電 路而長時,通，以對應地進行影像顯示 電 時間的致能導通將使得〇LED元件產生臨界電、j 及顯示亮度下降的情形。據此，如何 電逢上升 _元件因長時間使用而發生之臨界導通二= =度下降的情形之補償電路，乃業界不斷致力的 【發明内容】
Light 根據本發明提出-種有機發光二極體(〇啡也
201243803 TW7794PA-C
Emitting Diode，0LED)像素電路 之顯示電致元件及提供驅叙帝蔽π* l栝做為顯不操作 素驅動單心其中驅動電壓之位準相H示電致元件之像 補償單元，其中包括補償=牛=，電致 驅動電壓驅動補償電致轉發光，藉此經由補償電致= 來對顯示電致元件進行老化衰退補償H相較 OLED顯示器技術’本發明相關之〇led像素電路具有可 針對其中之顯示電致元件進行老化因子電壓進行補 優點。 啊 根據本發明提出一種OLED像素電路，其中包括驅動 節點、像素驅動單元、顯示電致元件及電致補償單元。像 素驅動單元耦接至資料線以接收資料電壓，並回應於資料 電壓提供驅動電壓至驅動節點。顯示電致元件耦接至驅動 節點，顯示電致元件回應於驅動電壓發光，其中驅動電壓 之位準相關於顯示電致元件之老化因子電壓，老化因子電 壓對應至電致元件之使用時間。電致補償單元耦接至驅動 節點，電致補償電路包括補償電致元件，電致補償單元根 據驅動電壓驅動補償電致元件發光，藉此經由補償電致元 件來對顯示電致元件進行老化衰退補償。 為了對本發明之上述及其他方面有更佳的暸解，下文 特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下： 【實施方式】 本發明貫施例之有機發光二極體（〇rganjc Light 201243803
i w//y4PA-C
Emitting Diode ’ OLED)像素電路包括做為顯示操作之顯示 電致元件及提供驅動電壓驅動顯示電致元件之像素驅動 單元，其中驅動電壓之位準相關於顯示電致元件之老化因 子電壓。本發明實施例之0LED像素電路更包括電致補償 單70，用以根據驅動電壓驅動補償電致元件發光，藉此經 由補償電致元件對顯示電致元件進行老化衰退補償。 請參照第1圖，其繪示應用本發明實施例之〇LED像 素電路之顯示器的方塊圖。舉例來說，顯示器i中包括資 料驅動器12、掃瞄驅動器14、發光控制器16及顯示面板 18。顯示面板18包括像素陣列，其中例如具有ΜχΝ個 OLED像素電路ρ(ΐ，ι)_ρ⑽，Ν) ’ μ及Ν為大於1之自然 數。資料驅動器12、掃瞄驅動器14及發光控制器16分別 用以提供資料訊號D(1)-D(N)、掃瞄訊號S(1)-S(M)及發光 訊號E(1)-E(M)至顯示面板18，以驅動其中之各個〇LED 像素電路P(1，1)-P(M,N)進行晝面顯示操作。 由於顯示面板18中各個OLED像素電路 P(1，1)-P(M，N)具有實質上相同的電路結構與操作，接下 來，係僅以顯示面板18中之單一個OLED像素電路P(y) 為例，來對顯示面板18中各個OLED像素電路 P(1，1)-P(M，N)之電路結構與操作做進一步的說明，其中i 及j分別為小於或等於Μ及小於或等於N之自然數。 請參照第2圖，其繪示乃第1圖之有機發光二極體 P(i，j)的方塊圖。0LKD像素電路p(i，j)包括驅動節點Nd、 像素驅動單元ul、顯示電致元件U2及電致補償單元u3。 像素驅動單元ul耦接至資料線以接收資料電壓vdata，並 201243803
TW7794PA-C 回應於資料電壓Vdata提供驅動電壓Vdr至驅動節點跡 顯示電致元件驅動節點Nd，並 電壓營發光，其中顯示電致元件以具有老化^子^ Vaging，其例如對應地決定驅動電壓Vdr之位準。 說’顯示電致元件U2 $ 0LED元件，而老化因子^ Vaging例如為OLED元件之臨界導通電壓。〇Led元 臨界導通電壓會隨著OLED元件之長時間使用而上升之 電致補償單元u3耦接至驅動節點Nd，且其中包 償電致元件。電致補償單元u3根據驅動電壓=補 補償電致元件發光，藉此經由補償電致元件來對顯示^ 元件U2進行老化衰退補償。電致補償單元幻更例=勺 補償驅動單元，其用以根據驅動電壓Vdr決定輔助驅^ 流來驅動補償電致元件發光。 ° 電 接下來係針對OLED像素電路P(iJ)提出若干種祀 實例，以對OLED像素電路P(iJ)中之各個子單元做=一 步的詳細說明。 第一實施例 請參照第3圖，其繪示依照本發明第一實施例之有 發光二極體像素電路的詳細電路圖。在本實施例之 像素電路1〇中，像素驅動單元111具有2T1C之電路妹構 其中例如包括節點Nc、電晶體Ml、M2及電容Γ . ’ 電致元件u2包括OLED元件D1 ;電致補償單元u3勺μ 電晶體M3及〇LED元件D2，其中OLED元件d2用^ ^ 現補償電致元件，電晶體M3用以實現輔助驅動單元。實 201243803
TW77y4PA-C 進一步的說，電晶體Ml -M2例如為N型金氧半（Metal
Oxide Semiconductor，MOS)電晶體。電晶體Ml之閘極接 收本級掃瞄訊號S(i)，源極耦接至節點Nc，汲極耦接至資 料線以接收資料電M Vdata。電晶體m2之閘極耦接至節 點Nc，汲極接收高電位參考電壓vdd，源極耦接至驅動 郎點Nd。電容之第一端耗接至節點Nc，第二端接收低電 位參考電壓VSS。OLED元件D1之正端及負端分別耦接 至驅動節點Nd及接收低位準參考電壓VSS。 電晶體Ml回應於本級掃瞄訊號s⑴於對應之本級掃 瞄期間中導通，以根據資料電壓Vdata對電容C進行充 電。電晶體M2回應於電容C兩端之充電電壓對應地為導 通’以提供驅動電流驅動OLED元件D1，其中驅動節點 Nd上之驅動電壓Vdr例如滿足方程式··
Vdr = Vth D1 _ (1) 其中Vth一D1為OLED元件D1之臨界導通電壓。 在一個操作貫例中，OLED元件D1之臨界導通電壓 Vth_Dl會隨著其之使用時間增加而對應地提升，如此將 導致驅動電壓Vdr亦對應地提升。舉例來說，〇LED元件 D1之臨界導通電壓Vth_Dl可以方程式（2)表示：
Vth Dl = Vth Dl initial + AV ~ ' ' (2) 其中Vth—Dljnitial為OLED元件D1在未受到應力效應 (Stress Effect)時之起始6¾界導通電麗，而為受到應力^ 應影響下OLED元件D1之臨界導通電壓的變異量，其之 數值係與OLED元件D1之使用時間長度正相關。 電晶體M3亦例如為NMOS電晶體，其中電晶體M3 201243803
TW7794PA-C 之閘極接收驅動電壓Vdr，源極耦接至OLED元件D2，汲 極接收高位準參考電壓VDD。OLED元件D2之正端及負 如分別輕接至電晶體]V13之源極及接收低位準參考電壓 VSS。換吕之’電晶體m3之閘極及源極分別搞接至oled 元件D1及D2之正端。 在一個例子中，經由設計電晶體M3及OLED元件D1 及D2的元件長寬比（width/Length Ratio)，可對應地使 OLED元件D1之臨界導通電壓vth_Dl、OLED元件D2 之臨界導通電壓Vth_D2及電晶體M3之臨界導通電壓 Vth_M3滿足方程式（3):
Vth_Dl_Initial - Vth_D2 < Vth_M3 (3 如此’當OLED像素電路10在未受到應力效應影響時， OLED元件D1兩端之跨壓減去〇leD元件D2的臨界導通 電壓小於或等於電晶體M3之臨界導通電壓。換言之，在 OLED像素電路1〇之使用初期，〇LED元件D1兩端之跨 壓不足以導通電晶體M3,使得OLED元件D2為截止而不 發光。舉一個操作實例來說，電晶體M3之臨界導通電壓
Vth_M3 為 2 伏特（Volt ’ V)，而 VOLED 元件 D1 及 D2 的 臨界導通電壓分別等於2V及3V。 而當OLED像素電路1〇使用一段時間Tu(例如是 10000小時）’OLED元件D1因長時間導通發生亮度衰減， 同時OLED元件D1之臨界導通電壓Vth_Dl亦受到應力 效應之影響而對應地上升，其亦連帶的使驅動電壓Vdr上 升。此時之驅動電壓Vdr(Tu)可以方程式（4)來表示： Vdr(Tu) = Vth_Dl(Tu) = Vth_Dl Jnitial + AV(Tu) (4 8 201243803
TW7794PA-C 其中’ Δν(Τιι)為在經過時間Tu之使用後，臨界導通電壓 Vth—D1減去OLED元件D1的起始臨界導通電壓 Vth_Dl—initial的變異量，而此時驅動電壓vdr(Tu)例如滿 足方程式（5):
Vth_Dl(Tu) - Vth__D2 = Vth_Dl Jnitial + AV(Tu) - Vth_D2 > Vth_M3 (5) 換吕之’由於OLED元件D1因應力效應發生元件老 化使知OLED tl件D1之阻抗上升，進而導致流經〇LED 兀件D1的電流下降’而使得〇哪像素電路⑺之顯示亮 度下降。㈣〇LED元件m之臨界導通電壓穩⑴亦 因應力效應之影響而產生Δν(Τι〇㈣異量，進喊得臨界 =電壓vth一m及vth—D2之的差值高於電晶體μ3之臨 通電壓Vth—M35而使電晶體Μ3導通，並使得做為補 貝-致元件之OLKD元件D2發光。據此，本實施例之 =ED像素電路1G可經由導通之〇LED元件Μ(做為補償 電^件）來針對0LED元件D1(做為顯示電致元件u2)之 梵度衰減進行補償。 御‘此外’臨界導通1壓Vth-D1將隨著應力影響時間的 曰而對應地增加，使得臨界導通電壓Vth_Dl與vth_D2 對應地增加，藉此驅動電晶體M3提供更大之電流 件之〇 元件D2進行驅動。換言之，做為補償電致元 LED元件D2的亮度會與顯示操作時間及老化因子 堅，即是OLED元件D1之臨界導通電壓Vth—D1，成正 第一實施例 201243803
TW7794PA-C 請參照第4圖，其繪示依照本發明第二實施例之有機 發光二極體像素電路的電路圖。本實施例之〇LED像素電 路20與第一實施例之OLED像素電路10不同之處在於其 中之電晶體是採用LTPS製程，所以全部都是p型m〇S 電晶體。 以電致補償單元u3來說，其中之電晶體M13的閘極 係接收低電位參考電壓VSS ’沒極搞接至〇led元件D2 之正端，而OLED元件D2之負端接到接收低位準參考電 壓VSS的端點，電晶體M13的源極耗接至驅動節點 以接收驅動電壓Vdr。如此’在OLED像素電路20未受到 應力效應影響時，OLED元件D1之正端電壓做為電致補 償電路u3的電源供應。此時，由於電晶體M13的閘極接 地，因此電晶體M13的閘極_源極跨壓VGS一M13為負值， 而使電晶體Ml3導通。舉例來說，此時電晶體]yQ3的閘 極-源極跨壓VGS—M13滿足方程式（6): VGS_M13=VSS-Vth D1 initial <0 一 _ (6) 而當OLED像素電路20顯示一段時間Tu後，〇LEd 元件D1正端及負端間的跨壓因老化問題而上升，使得 OLED元件D1的正端位準亦對應地上升。如此，將使得 電晶體M13的閘極-源極跨壓VGS一M13的位準變得更 負，使得流經電晶體M13的電流提升，進而使得做為補償 電致元件之OLED元件D2發光亮度更亮，藉此對做為^ 示電致元件u2之OLED元件D1的亮度衰減進行補償f 201243803
TW7794PA-C 第三實施例 凊參照第5圖，其緣示依照 ：^ ^ ^ ^ 發光二極體像素電路的電路圖 ^ 一 有機 , ^ 園。本實施例之OLED像音带 路30與第一實施例之〇LEd# 素電 m素電路〗〇不同之處在 中之像素驅動單元ul具有；^ 於其 丄& 另+问之電路結構。進一步來却 本實施例之像素驅動單元ul — Λ 果說’ ……包括節點价卜价2、電曰辦 Μ21-Μ25及電容C，复中蛩日咖 电日曰體 電晶體。 …日曰體助-Μ25例如為— 電晶體題之閉極接收本級掃瞒訊 接收資料電㈣咖， 二接 電晶體觀之閘極接收本級_訊號NC1。 點Nc卜源極麵接至節點阳。電晶體以 麵接至節 節點N㈣_至節點- =接至 3_之閘極輕接至節 VDD ’源極麵接至驅動節點_。電容=位參考 第二端分別輕接至節點阳及接收時脈 ^ 一端及 舉例來說，電晶體购導通以短路連接電\牌 的閘極與汲極，他~兩 思钱電晶體M23 極使得電晶體M23被偏壓為-態’耦接在電s興Λ/Γμ t 尖巧一極體連接組 电日日體M21與〇LED元件D1之„ M21、M23及m 一从 Λ , ^ <間。電晶體 當厭w 讀D1更形成分壓電路，來縣-祖 電 伽進行分屢，使得驅動節點Nd上之驅氣带、貝， 實質上為資料雷厭〜+ v 動電壓Vdr 电屋Vdata之分塵成分。舉例炎 壓Vdr及資料電壓別伽滿足方程式⑺··來說，驅動電 Vdr = Vdata -~·〜 Z Dl ZM21 + z_M23+Z D1 11 201243803
TW7794PA-C 其中Z一D1、Z_M21及MJVI23分別為OLED元件D1、電 晶體M21及M23的等效電阻值。 如此，當OLED元件D1受到應力效應之影響，而對 應地具有較南之臨界導通電壓Vth—D1時，〇led元件D1 之電阻值2_01亦對應地上升；如此，依據方程式（7)可知， 驅動電壓Vdr因為電阻值ZJD1之上升而對應地具有一電 壓上升變異量。綜合以上，像素驅動單元ul可回應於 OLED元件D1上升之臨界導通電壓VthJ)1，對應地提供 較高之驅動電壓Vdr，藉此對〇lED元件D1之臨界導通 電壓Vth_Dl的變異做出補償。 本實施例之OLED像素電路3〇亦對應地包括電致補 该單元u3，其例如由電晶體]y[25及〇led元件D2來實 現。電致補償單it u3回應於驅動電壓输對應地發光， 藉此對QLED元件D1隨使用時間而產生之亮度衰退進行 補償。本實$例之電致補償單元u3動偏理與第一實施 例的電致補償單το u3相同，於此不多資述。 雷-例之0led像素電路3"，更應用 ϊί曰ill/接收時脈訊號CK。在-個操作實例中， 虽電曰日體M21及M22回瓶於太紐 a-Φ ^ * 應於本、，及知瞄訊號S(i)於本級掃 目田期間中導通時’時脈訊號CK例如對細 壓VSS;如此資料㈣r“賴至低位準參考電 ^ . 5 r wi N ? data係鉍由電晶體M21及M22 寫入至卽點Nc2，使得節 而電容c之第-端相產^對應至操作電壓Vdata，， 乂於第一端係對應地儲存儲存電壓
S 12 201243803
1 W/7V4PA-C
Vdata，-VSS。 在完成OLED元件D1顯示操作後，本實施例之〇咖 像素電路30接著將提供負電位電壓來對電晶體態進行 驅動’藉此減緩電晶體M24因長時間導通之應力效應的影 響。進-步的說，在完成〇LED元件D1之顯示操作後， 此時時脈訊號ck係低電位參考電壓vss切換至一負電位 ^考電壓Vmin;如此’電容c之第—端之位準將因為電 容c兩端之耦合效應被拉低至操作電壓Vdata，+Vmin。舉 例來說，操作電S Vdata，之絕對值實質上小於負電位參考 電壓Vmm之絕對值，使得操作電壓Vdata，+Vmin實質上 ^應至低於低電位參考電壓vss之負電位。如此，在本級 掃0*田期間後’電容c之第一端上可對應地提供負電位電壓 來對電晶體M24進行驅動，藉此減缓電晶體M24因長時 間導通之應力效應的影響。 第四實施例 〇月同時參照第6及7圖，第6圖繪示依照本發明第四 實鉍例之有機發光二極體像素電路的電路圖；第7圖繪示 為第® #電路動作時序，分成預充電期間Tp、預寫入期 間Tr、寫入期間Tw及顯示期間丁£。 本實施例之OLED像素電路40與第一實施例之〇LED 像素電路1〇不同之處在於其中之像素驅動單元^具有不 同之，路結構。進一步來說，本實施例之像素驅動單元U1 包括即點Nc：l、Nc2、電晶體Μ31·Μ37及電容C1_C3，而 電致補償單元u3包括電晶體M38及OLED元件D2;其中 13 201243803 電晶體M31-M38例如為NMOS電晶體。 電晶體» 1UK々p_h上^，丄.
於預充電期間Tp及預寫入期間Tr中導通，並於其他操作 期間中截止。 ' 號S(i-l) ’源極分別接收低電位參考電壓 點Nc2及耦接至驅動節點Nd，而電晶體 至節點Ncl，電晶體M33及M36之汲榀4 電晶體M32、M33及]VI36回應於前— 電晶體Μ31及Μ37之閘極接收本級掃瞄訊號s⑴， 汲極接收資料電壓Vdata ’源極分別耦接至節點Nci及驅 動節點Nd。電晶體M3i及M37回應於本級掃目苗訊號s(i) 於寫入期間Tw中導通，並於其他操作期間中截止。 電晶體M34之閘極接收本級發光訊號E(i)，汲極接收 高電位參考電壓VDD，源極耦接至節點Nc3。電晶體M34 回應於本級發光訊號E(i)於預充電期間Tp及顯示期間Te 中導通，並於其他操作期間中截止。 電晶體M35之閘極輕接至節點Nc2,汲極耦接至節點 ’源極耦接至顯示電致元件U2。電容C1之兩端分別 耦接至節點Ncl及接收低電位參考電壓vss ;電容C2之 第一端C2—E1及第二端C2_E2分別耦接至節點Nc2及 Ncl ;電容C3之第一端C3一E1及第二端C3—E2分別耦接 至驅動節點Nd及接收低電位參考電壓vss。
電晶體M38之閘極接收驅動電壓vdr，源極柄接至 〇LED元件D2，淡極接收向位準參考電壓vdd。OLED 元件D2之正端及負端分別耦接至電晶體M38之源極及接
S 201243803
TW7794PA-C 收低位準參考電壓VSS。 請再參照第7圖。在預充電期間Tp中，前一級掃瞄 訊號S(i-l)與本級發光訊號Ε⑴為致能，而本級掃瞄訊號 S(i)為非致能。據此，電晶體Μ32、Μ33、Μ34、Μ35及 Μ36為導通而電晶體Μ31及Μ37為截止，使得電容C2 之第一端C2一El相較於第二端C2—E2具有預充電電壓 Vpre，且電谷C3之第一端C3一E1相較於第二端C3—E2亦 具有預充電電壓Vpre。舉例來說，預充電電壓v 滿足方程式（7):
Vpre = VDD - VSS = VDD ⑺ 在預寫入期間Tr中，前一級掃瞄訊號”卜”為致能， 而本級發光訊號E⑴及本級掃瞄訊號S⑴為非致能。據 此’電晶體M32、M33、M35及M36為導通而電晶體、 M34及M37為截止，其中導通之電晶體M33短路連接電 晶體M35之閘極與汲極，使電晶體M35被偏壓為二極體 組態。如此’使得電容C2兩端之電壓係經包括電晶體m35 及OLED元件D1之路徑放電至臨界電壓乂比1，而電容 C3兩端之電壓係經包括電晶體M35、M36及OLED元件 D1之路徑放電至臨界電壓vth2，其中臨界電壓vthl及 Vth2滿足方程式（8):
Vthl = Vth2 = Vth_M35 + Vth_Dl (8 其中Vth_M35及Vth_Dl分別為電晶體M35及〇LED元 件D1的臨界導通電壓。換言之，電容C2及C3記錄電晶 體M35及OLED元件D1的臨界導通電壓的和。 15 201243803
TW7794PA-C 在資料寫入期間Tw中，本級掃瞄訊號S(i)為致能， 而前一級掃瞄訊號S(i-l)及本級發光訊號E(i)為非致能。 據此電晶體M31及M37為導通而電晶體M32-M36為截 止，使得電容C1兩端被充電至資料電壓Vdata，電容C2 兩端持續儲存臨界電壓Vthl，而電容C3兩端之電壓Vth2, 因應電晶體M37的導通而滿足以下方程式（9):
Vth2'= Vth_M35 + Vth_Dl - Vdischarge (9 其中放電電壓Vdischarge與資料電壓Vdata之位準相關。 進一步言之，電晶體M37具有高導通阻抗Ron，而放電電 壓Vdischarge之放電速度取決於電晶體M37導通時之高 導通阻抗Ron ;如此，使得在不同位準的資料電壓Vdata 下，對OLED元件D1的衰減進行不同程度之補償。換言 之，電晶體M37係用以在資料寫入期間Tw中將資料電壓 Vdata提供驅動節點Nd，使驅動節點Nd上之驅動電壓vdr 可追隨資料電壓Vdata之位準，藉此在資料電壓Vdata對 應至不同之電壓位準時，經由提供資料電壓Vdata至•驅動 節點Nd來對〇LED元件D1的臨界導通電壓上升之元件 特性衰退做出不同程度之補償。 在驅動期間Te中，本級與前一級掃瞄訊號8(丨)與 為非致能，而本級發光訊號E(i)為致能。據此電晶體m34 及M35為導通而電晶體M31-M33及M36-M37為戴止，以 將電容C2之第一端C2 一 E1至電容C1之第二端C1—E2的 跨壓，即是臨界電壓Vthl及資料電壓Vdata之和，施加於 電晶體M35的閘極與源極及OLED元件D2上。如此，配 合方程式（8)可知，其中電晶體M35的閘極與源極電壓 201243803
i w / /y^A-C
Vgs_M35滿足方程式（10):
Vgs_M3 5 = Vth 1 + Vdata - Vth_D 1 = Vth_M3 5 + Vth_D 1 + Vdata - Vth_D 1 = Vth_M35+Vdata (10) 由於電晶體M35的閘極-源極電壓Vgs_M35可以方程 式（10)表示，如此流經電晶體M35之源極電流I，即是流 經OLED單元D1的驅動電流，滿足方程式（11): I = k(Vgs_M35 - Vth—M35)2 = k[(Vth—M35+Vdata) - Vth_M35]2 =k[Vdata]2 (11) 由方程式（11)可知，通過OLED元件D1的電流方程 式不會受到電晶體M35的臨界導通電壓Vth_M35及OLED 元件D1的臨界導通電壓Vth_Dl的影響。據此，即便電晶 體M35及OLED元件D1的臨界導通電壓vth_M35及 Vth一D1因為應力效應而上升，驅動電流I的大小仍不受其 之影響’而只有跟資料電壓Vdata相關。換言之，本實施 例之OLED像素電路40可對應地針對其中之驅動電晶體 M35及OLED元件D1的臨界導通電壓變異量進行補償。 此外，本實施例之OLED像素電路4〇亦具有電致補 償單元u3’來針對顯示電致元件心之亮度衰減進行補償。 此外，在本實施例之OLED像素電路4〇中，驅動節點Nd 上之驅動電壓Vdr係與電晶體M35及〇LED元件Di之臨 界導通電壓vth_M35及vth—m相關；當電晶體M35及 OLED元件D1之臨界導通電壓Vth一M35及vth—叫因應 力效應之影響而變得越高時，驅動電壓Vdr對應至較高之 電歷位準。這樣-來，電致補償單元u3中之電晶體^38 17 201243803
1 W77y4FA-C 可回應於具有較高電壓位準之驅動電壓純(請參照方程 式(9))，對應地提供較大之驅動電流來對OLED元件D2 進行驅動。換s之，0LED元件D2可根據〇LED元件D1 及電晶體M35之臨界導通電壓vth一M35及vth D1的變異 幅度來對應地調整亮度；當臨界導通電壓Vth_M35及 Vth_Dl的變異量越大時，驅動電壓Vdr之位準越高，而 驅動OLED元件D2的電流就越大。 本發明上述實施例之0LED像素電路中係包括做為顯 示操作之顯示電致元件及提供驅動電壓驅動顯示電致元 件之像素驅動單元，其中驅動電壓之位準相關於顯示電致 元件之老化因子電壓。本發明上述實施例之0LED像素電 路更使用包括補償電致元件之電致補償單元，以根據驅動 電壓驅動補償電致元件發光，藉此經由補償電致元件來對 顯示電致元件進行老化衰退補償。據此，相較於傳統 顯示器技術’本發明上述實施例之OLED像素電路具有可 斜對其中之顯示電致元件進行老化因子電壓進行補償的 優點。 綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如 «U，然 其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中且有通常 知識者’在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種 更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請 利範圍所界定者為準。 Μ 【圖式簡單說明】 201243803
i w/m尸A-C 第1圖繪示應用本發明實施例之有機發光二極體像 素電路之顯示器的方塊圖。 第2圖繪示有機發光二極體像素電路P(i，j)的方塊圖。 第3圖繪示依照本發明第一實施例之有機發光二極體 像素電路的電路圖。 第4圖繪示依照本發明第二實施例之有機發光二極體 像素電路的電路圖。 第5圖繪示依照本發明第三實施例之有機發光二極體 像素電路的電路圖。 第6圖繪示依照本發明第四實施例之有機發光二極體 像素電路的電路圖。 第7圖繪示乃第6圖之有機發光二極體像素電路的相 關訊號時序圖。 【主要元件符號說明】 1 .顯不益 12 :資料驅動器 14 :掃目苗驅動器 16 :發光控制器 18 :顯示面板 P(i，j)、10、20、30 : OLED 像素電路 ill :像素驅動單元 u2 :顯示電致元件 u3 :電致補償單元 M1-M3、M11-M13、M21-M25、M31-M38 :電晶體 201243803
1 W / / WA-C C、C1-C3 :電容
Nc、Ncl、NC2、Ncl-Nc3 :節點
Nd :驅動節點 D1、D2 : OLED 元件 20

Claims (1)

  1. 201243803 TW7794PA-C 七、申請專利範圍： 1. 一種有機發光二極體（Organic Light Emitting Diode，0LED)像素電路，包括： 一驅動節點； 一像素驅動單元，耦接至一資料線以接收一資料電 壓，並回應於該資料電壓提供一驅動電壓至該驅動節點； 一顯示電致元件，耦接至該驅動節點，該顯示電致元 件回應於該驅動電壓發光，其中該驅動電壓之位準相關於 該顯示電致元件之一老化因子電壓，該老化因子電壓對應 至該顯示電致元件之使用時間；以及 一電致補償單元，耦接至該驅動節點，該電致補償電 路包括一補償電致元件，該電致補償單元根據該驅動電壓 驅動該補償電致元件發光，藉此經由該補償電致元件來對 該顯示電致元件進行老化衰退補償。 2. 如申請專利範圍第1項所述之0LED像素電路， 其中該電致補償單元包括： 一輔助驅動單元，耦接至該驅動節點，該輔助驅動單 元根據該驅動電壓決定一輔助驅動電流，並據以驅動該補 償電致元件發光。 3. 如申請專利範圍第2項所述之OLED像素電路， 其中該輔助驅動單元包括： 一電晶體，閘極耦接至該驅動節點以接收該驅動電 壓，汲極接收一高電位參考電壓，源極耦接至該補償電致 21 201243803 1 W77V4HA-C 元件。 4. 如申請專利範圍第3項所述之OLED像素單元， 其中該補償電致元件包括： 一 OLED，正端耦接至該電晶體之源極，負端接收一 低電位參考電壓。 5. 如申請專利範圍第2項所述之OLED像素單元， 其中該輔助驅動單元包括： 一電晶體，源極耦接至該驅動節點以接收該驅動電 壓，汲極耦接至該補償電致元件，閘極接收一低電位參考 電壓。 6. 如申請專利範圍第5項所述之OLED像素單元， 其中該補償電致元件包括： 一 OLED，正端耦接至該電晶體之汲極，負端接收該 低電位參考電壓。 7. 如申請專利範圍第1項所述之OLED像素單元， 其中該顯示電致元件包括： 一 OLED，正端耦接至該驅動節點接收該驅動電壓， 負端接收一低電位參考電壓。 8. 如申請專利範圍第1項所述之OLED像素單元， 其中該像素驅動單元包括： ， 22 201243803 IW7794PA-C 一節點； 一第一電晶體，閘極接收一本級掃瞄訊號，源極耦接 至該節點，汲極耦接至該資料線以接收該資料電壓； 一第二電晶體，閘極耦接至該節點，汲極接收一高電 位參考電壓，源極耦接至該驅動節點；及 一電容，第一端耦接至該節點，第二端接收一低電位 參考電壓。 9. 如申請專利範圍第1項所述之OLED像素單元， 其中該像素驅動單元包括： 一節點； 一第一電晶體，閘極接收一本級掃瞄訊號，汲極耦接 至該節點，源極耦接至該資料線以接收該資料電壓； 一第二電晶體，閘極耦接至該節點，汲極耦接至該驅 動節點，源極接收一高電位參考電壓；及 一電容，第一端耦接至該節點，第二端接收該高電位 參考電壓。 10. 如申請專利範圍第1項所述之OLED像素單元， 其中該像素驅動單元包括： 一第一節點及一第二節點； 一第一電晶體，閘極接收一本級掃瞄訊號，汲極耦接 至該資料線以接收該資料電壓，源極耦接至該第一節點； 一第二電晶體，閘極接收該本級掃瞄訊號，汲極耦接 至該第一節點，源極耦接至該第二節點； 23 201243803 TW7794PA-C 一第三電晶體，閘極耦接至該第二節點，汲極耦接至 該第一節點，源極耦接至該驅動節點； 一第四電晶體，閘極耦接至該第二節點，汲極接收一 高電位參考電壓，源極耦接至該驅動節點；及 一電容，第一端及第二端分別耦接至該第二節點及接 收一時脈訊號。 11.如申請專利範圍第1項所述之OLED像素單元， 其中該像素驅動單元包括： 一第一節點、一第二節點及一第三節點； 一第一電晶體，閘極接收一前一級掃目苗訊號，汲極耦 接至該第一節點，源極接收一低電位參考電壓； 一第二電晶體，閘極接收該前一級掃描訊號，沒極麵 接至該第三節點，源極耦接至該第二節點； 一第三電晶體，閘極接收該前一級掃瞒訊號，汲極粞 接至該第三節點，源極耦接至該驅動節點； 一第四電晶體，閘極接收一本級掃瞄訊號，汲極接收 該資料電壓，源極耦接至該第一節點； 一第五電晶體，閘極接收該本級掃瞄訊號，汲極接收 該資料電壓，源極耦接至該驅動節點； 一第六電晶體，閘極接收一本級發光訊號，汲極接收 該高電位參考電壓，源極耦接至該第三節點； 一第七電晶體，閘極耦接至該第二節點，汲極耦接至 該第三節點，源極耦接至顯示電致元件u2 ; 一第一電容，兩端分別耦接至該第一節點及接收該低μ 24 201243803 l w/mPA-C 電位參考電壓； 一第二電容，兩端分別耦接至該第一及該第二節點； 及 一第三電容，兩端分別耦接至該驅動節點及接收該低 電位參考電壓。 25
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