TW201249961A - Organic el multi-color light-emitting device - Google Patents

Description

201249961 ， 六、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種有機EL多色發光裝置。 【先前技術】 有機電激發光（EL)元件作為低消耗電力、薄型 應答速度、廣視角等之顯示器（多色發光裝置）”快 有各種魅力的特徵，而使用該有機EL元件之有機，具 益’洛鍵低分子有機材料形成發光層等之全蒸錢型已於" 動電話等小型顯示器實用化。 ；订 ,全蒸鍍型有機EL顯示器，由於材料的利用效率低，且 製造上需要真空系統及蒸鑛層之各別塗布用遮罩，因此難 以進行大晝面成膜，在低成本化與大畫面化上具有問題。 另一方面，若能實現以喷墨、喷嘴印刷（n〇zzie Panting)、凹版印刷（gravure 等來塗布高分子

有機材料而形成發光層等之塗布型有機EL顯示器的話，則 有可能可解決上述蒸鑛法的問題（例如圖2之顯示器，肌： 電洞注入層，IL : interiayer (電洞傳輸層），LEp :高分子 發光t δ物ETL .電子傳輸層）。然而，塗布型有機EL 顯示器相較於全蒸鍍型，效率及壽命均不足夠，尤其是在 藍色發光上有大問題。 專利文獻1揭示一種將能以低成本大晝面化之塗布型 與尚性能之蒸鍍型混成的混合型有機EL顯示器（圖3 )。 圖3之顯示器，係一種以塗布法各別塗布紅色、綠色 發光層（LEP ) ’並以藍色發光層作為共通層（Blue c〇mm〇n 3 201249961 1啊’藉由低分子蒸鑛形成）的有機EL顯示器，可提升藍 色發光性能，且可將各職布之步㈣3個步驟減為2個 步驟。然而，由於塗布型之電洞傳輸層UL)與藍色發光層 之陽極側接觸，因此藍色發光性能並不足夠。 而非專利文獻1所揭示之圖4的顯示器，藉由在為蒸 鍍層之藍共通層與塗布層之間，g己置以蒸鍍所形成之混合 連接層（Hybrid ConnectingLayer，慨），而可明顯改善 藍色發光性能。 作為HCL之材料，為了提升藍色發光性能，不僅要使 電洞注入、傳輸性與藍色發光層匹配，而且亦需使電子朝 塗布紅色、綠色發光層注入、傳輸，尤其是當塗布紅色、 綠色發光層為發碟光之情形時，& 了防止三重態能量的擴 散’亦需要高的三重態能量（T1)。當分別單獨使用通常 之電洞傳輸材料、電子傳輸材料或高T1材料作為hcl之 材料的情料，在有機EL多色發光裝置之總體性能、色再 現性的提升上會有問題，，由於來自紅色綠色發光 層之三重態能量的擴散，而會有使藍色共通層發光，發生 混色的問題。 專利文獻1 :日本特開平丨〇 —丨53967 非專利文獻1 : IDW2〇丨〇 Digest， p3u 【發明内容】 本發明之目的為提供—種高效率、長壽命及高品質的 有機EL多色發光裝置。 本發明人等經潛心研宑 έ士罢，称# 呵九之結果，發現藉由設置特定之 201249961 層（鄰接層），可得至丨丨古4^ j侍到円效率、長壽命、高品質之有機& 多色發光裝置，其中，兮· ^ ψ β亥特定之層（鄰接層）係由對於红 色、黃色發構光元件或綠色發攝光元件可作為電子傳輸層 及三重態阻擋層用’對於藍色發螢光元件可作為電洞注 入、傳輸層用之材料構成。 根據本發明，提供以下之有機EL多色發光裝置。 1·一種有機EL多色發光裝置，具有基板、與並排配置 於該基板平面而成的第1發光元件及第2發光元件， χ第1 ^光元件，於陽極與陰極之間在垂直於該基板 笛面之方向從陽極側依序具有第1有機層、第2有機層及 第3有機層， 該帛2 #光元#，於陽極與陰極之間在垂直於該基板 面之方向從陽極側依序具有第2有機層及第3有機層， 該第1有機層含有第丨發光摻雜物， 該第3有機層含有第2發光摻雜物， 該第2有機層分別含有下述（Α)〜（d)之化合物中 (A) 具有芳胺部位、與呋喃部位或噻吩部位的化合物。 (B) 具有芳胺部位與含有含氮六員環構造之部位的化 合物。 合物 (C )具有u卡唾部位 (D )具有n卡唾部位 、與呋喃部位或噻吩部位的化合物。 與含有含氮六員環構造之部位的化 2·如第1項之有機EL多色發光裝置，其中，該（A) 201249961 示之化合物 (D)之化合物為下述式⑴《⑺表

Ar\ ^Ar2 N

ArV \ Ar” /N—Ar15—(Ar16)n—Ar17—|/ Ar12 \

(1) (式（J

Ar14 (2)

Ar 與 Ar2、Ari 與 Ar3、及 Ar2 與 Ar3 中 的一組，分別彼此鍵結形成經取代或未經取 數5〜52的芳香族雜環； 成衣原 ^ L , 及/ ; Ar〜Ar分別獨立地為經 取代或未經取代之成環碳數6〜5()的芳㈣㈣、或㈣ 取代或未經取代之成環原子數5〜52的芳香族雜環基。 惟，Ar1〜Ar3中的至少一者為 表示之取代基。 為下述式⑴或下述式（b) 式（2)中，ΑΓ丨丨與 ΑΓΐ5、&丨2 與 Ari5、Ari3 愈"17、 二與Μ其中至少-組，分別彼此鍵結形成經取代或 未：：代之成環原子數5〜52的芳香族雜環；及 分別獨立地為經取代或未經取代之& ^ & ^ ^ ^ 取代之成％碳數6〜50 的方香族烴基、或者經取代或未經取 的芳香族雜環基，Ar·15〜At·17分別獨 數5〜52 代之成環碳數6〜5〇的2㈣香族取代或未經取 經取代之成環原子數5〜52的2價芳二或者取代或未 槓方香族雜環基。 其中，Ar1丨〜Ar14中的至少—去达 式(M表示之取代基。 .、’、下述式⑴或下述 η為〇〜2的整數。） 201249961

-(Ar5^—A2 (b) (i式中2 X為氧原子（_〇_)或硫原子（ Q及Q分卿立地為飽和或不飽和 ° 環。 尽于數5〜2 5之 代的㈣、二 未經取代的四碑基（tetrazinyl)。 s 1取代或 ^分別獨立地為經取代或未經取代之成環碳數 6〜12的2價芳香族烴基、哎 子…的2價芳香族雜環:代4未經取代之成環原 R1及Rl·立地為碳數卜15之直鏈狀或支鍵狀的 …奴數2〜15之直鏈狀或支鏈狀的烯基、碳數3〜15 的環烧基（Cycl〇alkyl)、具有碳數卜15之烧基的三烧石夕 基（tnalkylsilyl)、具有成環碳數6〜25之芳香基的三芳 石夕基（triarylsilyi)、具有碳數1〜15之烧基及成環碳數6 〜25之芳香基的烧基芳石夕基（alkyUryisiiyi)、經取代或未 經取代之成環碳數6〜25的芳香族煙基、經取代或未經取 ^之成ί哀原子數5〜25的芳香族雜環基、鹵素原子、或者 氰基’及/或鄰接之複數個R |彼此、鄰接之複數個r2彼此、 乂及鄰接之R及R其中至少一組，分別彼此鍵結形成經取 7 201249961 代或未經取代之飽和或不飽和之環。 a、b、c及d分別獨立地為0〜3的整數。） 3. 如第2項之有機EL多色發光裝置，其中，於式（1) 中，當Ar1與Ar2、Ar1與Ar3、及Ar2與Ar3沒有彼此鍵結 之情形時，Ar1〜Ar3中的至少一者為式（a )表示之取代基。 4. 如第2項之有機EL多色發光裝置，其中，式（1) 之Ar1、Ar2及Ar3中的至少一者，及式（2 )之Ar丨丨、Ar12、 Ar13及Ar14中的至少一者為式（a)表示之取代基。 5·如第2〜4項中任一項之有機el多色發光裝置，其 中’式U)表示之取代基為下述式（H)表示之取代基。

(式中，X、R1、r2、λ4 k q 6 ά〇 m , 、a ' b 及 c 與式（a )相同。： •士第5項之有機FT交& ☆ . 機此多色發光裝置，装中，彳（^_1、 表示之取代基為下 其中式（a— 1, 2)表不之取代基。

201249961 7·如第2〜6項中任— 中，式⑴之Ar«、Α 2 機机多色發光裝置’其 ΑΓ及Ar3中的至少— 之 Ar11、Ar12、Ari3 及 AjJ 者及式（2) 示之取代基。 中的至少-者為下述式（〇表 -Ar21—

Ar22-^-Ar23 )ρ (c) (式中 成環碳數6 成環原子數 八1*分別獨立地為經取代或未經取代 、芳香無基、或者經取代或未經取代 〜13的芳香族雜環基。 之 之 P為〇〜2的整數。） 8·如第7項之有機EL 示之取代基為下述式（c — 多色發光裝置，其中 1 )表示之取代基。 式（Ο表

(c-1) K ^ Ύ > R*

R及R6分別獨立地為碳數 直鍵 狀或支鏈狀的院基、碳數2〜15之直鏈狀或支鏈狀的稀二 碳數3〜^的環院基、具有碳數卜15之烧基的三烧石夕基、 具有成環碳數6〜25之婪乐Αλα 4 « 之方香基的三芳矽基、具有碳數丨〜 之烧基及成環碳數6〜25夕甘 25之方香基的烧基芳矽基、成環 數6〜25的芳香族炉其、# 万曰联从基、成裱原子數5〜25的芳香族雜環 基、齒素原子、或者敦基；及/或複數個r4彼此、複數個 9 201249961 :皮此、以及複數個Μ彼此其十至少一組，分別彼此鍵結 形成*經取代或未經取代之飽和或不飽和之環；及/或鄰接 以及鄰接之R、R6其中至少-組，分別彼此 、，，。>成經取代或未經取代之飽和或不飽和之環。 p為〇〜2的整數，eu〜4的整數，f “分別為〇 〜5的整數。） 其 之 9.:第2至8項中任一項之有機队多色發光裝置， 中，Am5中的至少一者為下述式⑷《（e)表示 連結基團β

⑼ ⑹ (式中，R、R及R9分別獨立地為碳數！〜1 5之直鍵 狀或支鏈狀的烧基、碳數2〜15之直鏈狀或支鏈狀的稀基、 碳數3〜15的環烧基' 具有碳數】〜15之炫基的三烧石夕基、 具有成環碳數6〜25之芳香基的三芳石夕基、具有碳數卜^ 之烧基及成環碳數6〜25之芳香基的院基芳石夕基、成環碳 數6〜25的芳香族烴基、成環原子數5〜25的芳香族雜環 基齒素原子、或者氰基；及/或複數個r7彼此、複數個 R8彼此、及複數個r9彼此其中至少—組，分別彼此鍵結形 成經取代或未經取代之飽和或不飽和之環；及/或鄰接之 R8及R9彼此鍵結形成經取代或未經取代之飽和或不飽和之 環。 201249961 h、i及j^J別為〇〜4的整數。） 中， 物。 1〇.如第2〜9項中任一項之有機EL多色發光裝置，其 該式（1)表示之化合物為下述式（H)表示之化合

Ar1 R10；

(式中’ Ar’為式（a)或式（b)表示之取代基。 R10、R11 與式（a)之 R1、r2 相同。 k及1分別為〇〜4的整數。） 11_如第2〜1〇項中任一項之有機El 其中 子數 唾基 其中 ，於“一數…芳香族煙=原 5〜25的芳香族雜環基具有取代基時該取代基為咔 、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基（dibenz〇thi〇pheny丨）。 12.如第2〜11項中任-項之有機EL多色發光裝置， ，該式（2)表示之化合物為下述式（〇表示之化合物。

Ar11

(式中，Ar*·及AP分別獨幻也為經取代或未經取代 11 201249961 之成環碳數6〜5G的芳香族煙基、或者經取代或未經取代 之成環原子數5〜52的芳香族雜環基，八屮及Afl3中的至 少一者為式（a)或式（b)表示之取代基。

Rl0、RU與式（a)之Ri、R2相同。 k及1分別為〇〜4的整數。） 13.如第12項之有機EL·多色發光裝置，其中，式（ 表不之化合物為下述式（f _ i )或下述式（f _ 2 )表示之化 合物。

14_如第1〜丨3項中任一項之有機多色發光裝置， 其中’該第1發光元件之第2有機層與該第2發光元件之 第2有機層含有同一化合物。 15.如第1〜14項中任一項之有機el多色發光裝置， 其中’該第1發光元件之第2有機層的膜厚與該第2發光 元件之第2有機層的膜厚相同。 如第1〜15項中任一項之有機el多色發光裝置， 其中’ 5玄第2有機層鄰接於該第1有機層，該第2有機層 含有該（C )或（D )之化合物。 12 201249961 17.如第1〜16項中任一項之有機虹多色發光 其中，該第2有機層鄰接於該第3有機層，該第2 ^ ， 含有該（A)或（B)之化合物。 機層 18.如第1〜17項中任一項之有機EL乡色發光裝置， 其中’該帛2有機層由單層有機層或經積層之複數層播 層構成，該第2有機層含有選自該（A)〜（d)之化人 中的2種以上。 〇物 如第項之有機 有機層係複數層有機層積層而構成 20.如第卜19項中任一項之有機EL多色發光裝置， 其中，該第2有機層含有三重態能量在2 55ev^ 21. 如第1〜20項中任一項之有機EL多色發光裝置， 其中，該帛2有機層鄰接於該第！有機層，該第2有機層 含有三重態能量在2.65eV以上的化合物。 22. 如第1〜21項中任一項之有機EL乡色發光裝置， 其中’該帛1有機層為紅色、黃色或綠色發磷光層，該第3 有機層為藍色發螢光層。 23. 如第1〜22 J頁中任一項之有機EL乡色發光裝置， 其中’該帛1有機層係、以塗布法形成之層，該第3有機層 係以蒸鑛法形成之層。 24. 如第卜23項中任一項之有機EL多色發光裝置， 、中m 2發光元件之第2有機層的陽極側具有以塗 布' 法形成的電洞注入傳輸層。 13 201249961 根據本發明，可提供一種高效率、長壽命及高品質的 有機EL多色發光裝置。 【實施方式】 本發明之有機EL多色發光裝置具有基板、陽極及陰 極’於陽極與陰極之間’具有並排配置於基板平面而成的 第1發光元件及第2發光元件。 上述第1發光το件，例如係從基板側於垂直方向依序 含有第1有機層、帛2有機層及第3有機層的積層體，上 述第2發光το件，例如係從基板側於垂直方向依序含有第2 有機層及第3有機層的積層體。 另’第1發光元件的第2有機層與第2發光元件的第2 有機層可相同或亦可不同，但較佳為相同。帛"务光元件 的第3有機層與第2發光元件…有機層可相同或亦可 不同，但較佳為相同。 第1有機層含有第1發光摻雜物，第3有機層含有第 發光摻雜物’第i發光元件及第2發光元件的2曰層第“ 機層分別含有下述（A)〜（D)之化合物中的任一者： (A)具有芳胺部位（芳香族胺部位）、與咬喃部位裏 °塞吩部位的化合物。 η (B)具有芳胺部位（芳香族胺部位）與含有含兔六員 %構造之部位（命（azine )部位）的化合物。 (C)具有咔唑部位、與呋喃部位或噻吩部位的化合物。 ⑻具…部位與含有含氮六員環構造之部位 (碑部位）的化合物。 14 201249961 上述芳胺部位如下所示， 基或芳香族雜璜其， 系3氦原子取代有荽 曰俠雜ί衣基（Ar)的構造。 R虿方香族烴 之鍵

(式中，Ar 為芳香族_ ◎香族雜環基 氺為任意 示之構造 上述咔唑部位係指下述所

(式中，*為任意之鍵， 另，卜、f上b 了進—步具有鍵。） 另上述咔唑部位其構成咔唑環之 個CH亦可以氮原子取代。 衣的1個或複數 上述°夫喃部位及嘆吩部位 马下述所示之構造。 呋喃 x* 噻吩 (式中，*為任意之鍵。） 上述含有含氮六員環構造之部位 一尨扣人士 、听#位）’具體而 &，係“有下述所示之吼啶基、，啶基、嗒4基 基、二讲基及四讲基中任一者的構造。 15 201249961

°比咬基 幸

定基 嗒..井基

(式中，*為任意之鍵，亦可進一步具有鍵。） 三〇井基

(式中，氺 ，5 —三。井基 ,4 一三。井基 為任意之鍵

2,3 —三σ井基 亦可進一步 有鍵。） 四Π井基

5 一四u井基 1，2, 3，4 —四.，井基

V 1, 2, 3, 5—四。井基 (式中，*為任意之鍵，亦可進一步具有鍵。） 第2有機層所含之化合物例如為芳胺部位、咔唑部位、 與呋喃部位、噻吩部位及含有含氮六員環構造之部位分別 透過單鍵、芳香族烴基或芳香族雜環基（Ar )鍵結的化合 物。 第2有機層之化合物含有芳胺部位或咔唑部位，藉此 可使第2有機層具有電洞注入性及電洞傳輸性。另一方面， 16 201249961 第2有機層之化合物含有呋喃部位、噻吩部位或含有含氮 六員環構造之部位，藉此可使第2有機層具有電子注入性 及電子傳輸性。 第2有機層之化合物具有電洞注入性與電洞傳輸性、 以及電子注入性與電子傳輸性兩種功能。藉此，可使第1 發光元件之第2有機層具有電子注入性及電子傳輸性於

第2發光元件之第2有機層則具有電洞注人性及電洞傳輪 性。 J 又，由於第2有機層之化合物具有味口坐部位 '盘咬。南 部位、嗟吩部位或含有含氮六員環構造之部位，因此具有 維持高三重態能量的效果，彳防止三重態能量自&、1 發墙光層或綠色發碟光層擴散，可増加碟光發光效率。汽 另’三重態能量意指最低激發三重態與基態的能量差。 ⑷〜⑼之化合物較佳為下述式（ 示之化合物。 / 、~衣

Ar\ N Ar1v1 \ Ar13 /N—A 〜(Arl6)n〜A / Ar12 \ (1) Ar14 (2) ^ Ar^ M Ar3 it aa (式中，Ar1與Ar2、Ar丨與Ar3 組，分別彼此鍵結形成經取代或未經取代之…中的一 〜52的芳香族雜環；及/或Ar丨〜八 成衣原子數5 或未經取代之成環碳數6〜5〇的芳香族別獨立地為經取代 族雜環基 或未經取代之成環原子數5〜52的芳香、^基、或者經取代 17 201249961 亦即，八^與Ar2、Afl與心、 2 可彼此鍵結形成經取代或未經取及Ar與Ar3中的一組 芳香族雜環，或亦可不彼代之成環原子數5〜52的 成環原子數5〜52的芳香族雜環。成！取代或未經取代之 於形成環時，未形成環之Arl 3 代之成環碳數6〜50的芸未# r〜Ar3為經取代或未經取 J万骨孩煙義、 代之成環原子數5〜52的# 或者經取代或未經取 〜方香族雜環其 又，於未形成環時，Ar丨〜八土： 代之成環碳數6〜50的关禾i別為經取代或未經取 代之成環原子數5〜52的-吞 或者經取代或未經取 之Ar1〜Ar3相同）。 、雜基（與未形成上述環 惟，Ar1〜Ar3中的至少— 表示之取代基。 ‘”、下述式（a)或下述式（b) * ^ Ar15> Ari3 . 其中至少-組’分別彼此鍵結形::Ar、及Arl4與Ar17 環原子數5〜52的芳香族雜環;取代或未經取代之成 地為經取代或未經取代之成環碳* ==分別獨立 或者經取代或未經取代之成環 50的方香族烴基、 基，Ar15〜Ar17分別獨立沾也 5 52的芳香族雜環 6〜5。的2價芳香族煙基、或經取代之成環碳數 子數…2價芳香族雜環基取代或未經取代之成環原 亦即，Ar丨丨與Ar丨5、Aru與斛丨5、心丨 與Ar17其中至少1,可 、及Αγμ 取代之成環原子數5〜52的“未鍵結形成經取代或未經 的方香族雜環，或亦可不分別彼 18 201249961 此鍵結形成經取代或未經取代之成 族雜環》 丁歎5〜52的芳香 於形成環時，未形成環之ArU〜Ar 代或未經取代之成ίΒί #缸 刀別獨立地為經取 …奏“〜5〇的芳香族煙基、或者經取 ^左取代之成環原子數5〜52的芳香族雜美 成環之Ar丨5、Ar丨7則八卩丨細 脅族雜％基，未形 立地為經取代或未經取代之成環 :數6〜5〇的2價芳香族烴基、或者 =: 成環原子數5〜52的2價芳香族雜環基。Μ未㈣代之 又’於未形成環時’ Aru 15 之心、〜7相同。 肖上述未形成環 准’ Ar 1〜ArM中的至少一者為下 ⑴表示之取代基。 ' 或下述式 0為0〜2的整數’η為〇之情形時，（心。為單鍵。）

(ArV (b) •A2 環 \式中，X為氧原子（―〇—)或硫原子（―s—)。 Q及Q2分別獨立地為飽和或不飽和之原子數5〜乃之 ·，、、3有&氮雜六員環構造之部位，具體而言，為經 經版：取代的°比啶基、經取代或未經取代的哎啶基、 r或未經取代的嗒汫基、經取代或未經取代的三挤 19 201249961 基、經取代或未經取代的四讲基。 之含氮雜六昌 R、R2同樣者。較佳=取代基，可舉與式⑴之 Ar4及Ar5八 為代有1個或2個苯基或者聯苯。 6〜12的2二分別獨立地為經取代或未經取代之成環碳數 子數5 方香族烴基、或者經取代或未經取代之成環原 子數價芳香族雜環基。 ，R ^ 立地為碳數卜15之直鏈狀或支鍵狀的 此丞、破邀 9~ic . 之直鏈狀或支鏈狀的烯基、碳數3〜15 的裒烷基、具有碳數丨〜 r i：>之烷基的二烷矽基、具有成環 〜25之芳香基的三芳矽基、具有碳數卜15之烷基 及^環碳^ 6〜25之芳香基的烧基芳石夕基、成環碳數6〜25 •芳香族n成環原子數5〜25的芳香族雜環基、齒素 原子、或者氰基；及/或鄰接之複數個R丨彼此、鄰接之複 數個R2彼此、及鄰接之…及r2其中至少一組，彼此鍵結 形成經取代或未經取代之飽和或不飽和之環。 亦即，鄰接之複數個R1彼此、鄰接之複數個R2彼此、 及鄰接之R1及R2其中至少一組’可彼此鍵結形成經取代或 未經取代之飽和或不飽和之環，或者亦可不彼此鍵結形成 經取代或未經取代之飽和或不飽和之環。 於形成環時，未形成環之R1及R2分別獨立地為碳數1 〜15之直鏈狀或支鏈狀的烷基、碳數2〜15之直鍵狀或支 鏈狀的烯基、碳數3〜15的環烷基、具有碳數〖〜15之烷 基的三烷矽基、具有成環碳數6〜25之芳香基的三芳矽基、 具有碳數】〜15之烷基及成環碳數6〜25之芳香基的炫基 20 201249961 芳石夕基、成環碳數“25的 的芳香族雜環基、内去$ 基成裱原子數5〜25 鹵素原子、或者氰基。 又’於未形成環時，R丨及2 R2相同。 及尺與上述未形成環之Ri及 、^及d分別獨立地為0〜3的整數。 a - & 2發：本：明之有機EL多色發光褒置，第1發光元件及第 從_二基有=發 __ 另微增第2有機層及第3有機層， 第2右^光％件於陽極與陰極之間，從陽極側則依序含有 第3有機層。較佳為第1發光元件之第1有 ::與第2發光元件之第3有機層為發出不同顏色之光的 發光層。 各元件可含有其他之層，例如，在第i發光元件之第3 有機層與陰極之間，及第2發光元件之第3有機層與陰極 之間可進一步設置電子傳輸層。又，例如在第1發光元 件之第1有機層與陽極之間，及第2發光元件之第2有機 層與陽極之間，可設置電洞傳輸@ (電洞傳輸層、電洞注 入層等）。 又，亦可在各元件之中及/或之間設置絕緣膜。例如， 可设置使第1發光元件之陽極與第丨有機層對第2發光元 件絕緣的絕緣層。 圖1為顯示本發明之有機EL多色發光裝置一實施形態 的概略剖面圖。 有機EL多色發光裝置1為在基板1 〇上並排地具有第1 21 201249961 發光元件100及第2發光元件200的裝置。 第1發光元件100為在陽極110及陰極180之間，依 序具有電洞注入層120、電洞傳輸層13〇、第1發光層14〇、 第1鄰接層150、第2發光層160及電子傳輸層17〇的積層 體。又，第2發光元件200為在陽極21〇及陰極270之間， 依序具有電洞注入層220、電洞傳輸層230、第2鄰接層 240、第2發光層250及電子傳輪層260的積層體。 在第1發光元件1 〇〇及第2發光元件2〇〇之間，具有 層間絕緣膜20、22及24，第I發光元件i〇〇之陽極丨1 〇、 電洞注入層120、電洞傳輸層130與第！發光層14〇，以及 第2發光元件200之陽極210、電洞注入層22〇與電洞傳輸 層230分別受到層間絕緣膜20、22及24的夾持而積層。 另一方面，第1發光元件100之第！鄰接層15〇、第2發光 層160及電子傳輸層170與第2發光元件2〇〇之第2鄰接 層240、第2發光層250及電子傳輸層26〇分別為相同之層， 此等之層係以覆蓋層間絕緣膜20、22及24的方式積層。 第1發光元件1〇〇之第2發光層160亦作為電子傳輸層用。 於有機EL多色發光裝置丨之第1發光元件1〇〇十，， 1發光層U0對應於本發明之第I發光元件的第1有機層' 第1鄰接層150對應於本發明之第丨發光元件的第2有^ 層，第2發光層160對應於本發明之第丨發光元件的第 有機層。同樣地，於有機EL多色發光裝i i之第2發光 件200 +，第2鄰接層240對應於第2發光元件的第^ 機層，第2發光層25〇對應'於第2發光元件的帛3有機層 22 201249961 如圖1所示，第1及第2發光元件除了第i有機層、第2 有機層及第3有機層之外，亦可包含其他之層。 於有機EL多色發光裝置1令，第i鄰接層15〇與第2 鄰接層240、第2發光層160與第2發光層25〇、電子傳輸 層170與電子傳輸層260、陰極18〇與陰極27〇為同—層二 由於可由同一化合物形成，因此可在不使用遮罩下藉由蒸 鍍一次將此等之層加以積層。此於第丨發光元件及第2發 光το件的發光顏色彼此不同之情形時，特別是可提升其生 產性。 於圖1，雖然是將陽極形成於基板上，然後再於其上積 層各層，但疋亦可先將陰極形成於基板上，然後再於其上 將各層顛倒過來（從電子傳輸層積層至電洞注入層）。' 又，於圖1中，雖然使第i發光元件為綠色發光元件， 使第2發光元件為藍色發光元件，但是亦可使第1發光元 件為黃色發光元件’使第2發光元件為藍色發光元件。 於圖卜除了使第1發光元件之第i發光層為紅色發光 層以外’亦可進一步設繼1發光元件相同之構成且為 紅色發光元件之第3發光元件。此種第3發光元件較佳為 設置在第1發光元件旁。 較佳為，第1發光元件為綠色發磷光元件，第2發光 元件為藍色發螢光元件，第3發光元件為紅色發磷光元;牛。 以下’以圖1之有機EL多色發光裝置i的各層為例， 說明本發明之有機EL多色發光裝置的各層。 [鄰接層] 23 201249961 於本發明之有機EL多色發光裝置’第1鄰接層及第2 鄰接層含有上述（A)〜（D)之化合物中的任一者，較佳 為含有具有式（1)或（2)表示之構造的化合物（以下， 有時將（A)〜（D)之化合物及具有式（1)或表示 之構造的化合物稱為鄰接層化合物）。 式（1)或（2)表示之構造分別為芳香基單胺 (ary lmo noamine )構造及芳香基二胺（aryldiamine)構造， 具有電洞注入性及電洞傳輸性。藉由使式（1 )或式（2 ) 表示之構造具有式（a)或式（b)表示之取代基，可使鄰接 層化合物亦具有電子注入性及電子傳輸性。因此，藉由使 鄰接層3有式（1)或（2)表示之化合物，而可於第1鄰 接層’效率佳地將電子傳輸並注入第1發光層，提高第4 發光元件的發光效率，於第2鄰接層，則可效率佳地將電 洞傳輸並注入第2發光層，提高第2發光元件的發光效率。 而且，式（a)或式（b)表示之取代基具有使三重態能 量（T1 )變大的效果，可防止三重態能量自紅、黃色發磷 光層或綠色發磷光層擴散。另，三重態能量意指最低激發 二重態與基態的能量差。 從上述，藉由使鄰接層含有鄰接層化合物，本發明之 有機EL多色發光裝置可得到總性能提升及色再現性提升的 效果。 鄰接層化合物較佳為式（1)之Ar1、Ar2 & Ar3中的至 少-者’及式⑺之Ar"、Ari2、心13及A，中的至少一 者為式（a)表示之取代基。 24 201249961 此係於方香基單胺構造及芳香基二胺構造，分別選擇 气）表示之取代基，藉此保有適度的電子注入性及電子 傳輸性，因此可抑龍色發光效率降低。 上述式（a)表示之取代基較佳為下述式（3—^表示 之取代基，更佳為下述式（a_2)表示之取代基。 式（a~~l)表示之取代基及（a—2)表示之取代基皆可 輕易合成，且亦容易取代於芳香基單胺構造 '芳香基二胺 構以。又，式（a—2)表示之取代基其耐電子性高，可提升 藍色發光元件的壽命。

(式中，X、R1、R2、Ar4、a、b及c與式（a)相同

鄰接層化合物較佳為式（1 )之Ar1、Ar2及Ar3中的至 >>—*者’及式（2)之八1'丨|、八1'12、八1>13及八1'14中的至少一 者為式（b)表示之取代基。 25 201249961 此係於芳香基單胺構造及芳香基二胺構造，分別選擇 =(b )表示之取代基，藉此雖然沒有如（a )般的效果但 是保有適度的電子注人性及電子傳輸性，因此可抑制藍色 發光效率降低。 上述式（b)表示之取代基，從構造上電性穩定、不會 使三重態能量下降之觀點，較佳為經取代或未經取代的： 啶基、經取代或未經取代的嘧啶基、或者經取代或未經取 代的1，3,5~三味基。 、“上述。比咬基、定基及匕3,5—三々基的取代基，較佳 為苯基聯笨基、聯二苯基（terphenyl )。此等取代基可 升電穩定性。 鄰接層化合物較佳為式（1)之Ar1 ' &2及Ar3中的至 少一者，及式⑺之ArU、Arl2、Ari3及Aru中的至少一 者為下述式（c)表示之取代基。 藉由將式（C)表示之取代基導入鄰接層化合物 耐熱性獲得提升，而可提升藍色發光元件的壽命。 -A〆1—

Ar^HAr23) ⑹

P HAf23分關线為經取代或未經取代 =數…芳香族煙基、或者經取代或未經取代 成衣原子數5〜13的芳香族雜環基。 P為〇〜2的整數。） 另，於式（C)表示之取代基中，？為2時式（C) 26 201249961 . 示之取代基如下。 -Ar21- -Ar22—Ar23

Ar23 上述式（c)表示之取代基較佳為下 之取代基。 、以1)表不 藉由將式U—D表示之取代基導人鄰接層化合物，可 使耐熱性獲得提升，而可提升藍色發光元件的壽命，且具 有使鄰接：化合物之三重態能量（T1)變大的效果，可防 止一重態月b里自紅、黃色發磷光層或綠色發磷光層擴散。

(式中，R4、R5及R6分別獨立地為碳數i〜15之直鏈 狀或支鏈狀的烷基、碳數2〜15之直鏈狀或支鏈狀的烯基、 碳數3〜15的環烧基、具有礙數ι〜15之院基的三烧矽基、 具有成環碳數6〜25之芳香基的三芳矽基、具有碳數i〜l5 之院基及成環碳數6〜25之芳香基的烧基芳石夕基' 成環碳 數6〜25的芳香族烴基、成環原子數5〜25的芳香族雜環 基、鹵素原子、或者氰基；及/或複數個R4彼此、複數個 R5彼此、及複數個R6彼此其中至少一組，分別彼此鍵結形 成經取代或未經取代之飽和或不飽和之環；及/或鄰接之 R4與R5、及R5與R6其中至少一組，分別彼此鍵結形成經 27 201249961 取代或未經取代之飽和或不飽和之環。 亦即’複數個R4彼此、複數：R;彼此複數個尺6彼 此、鄰接之R、r5、及鄰接之〜以其中至少一植，可 分別彼此鍵結形成經取代或未經取代之飽和或不飽和之 環，或亦可不分別彼此鍵結形成經取代或未經取代之飽和 或不飽和之環。 於形成環時，未形成環之〜及R6分別獨立地為端 數1〜15之直鍵狀或支鍵狀的貌基、碳數2〜15之直鍵狀 或支㈣㈣基 '碳數3〜15的環院基、旦有碳數卜^ 之烷基的三烷矽基、具有成環碳數6〜25之芳香基的三芳 石夕基具有碳數1〜15之烧基及成環碳數卜25之芳香基 的烧基芳石夕基、成環碳數6〜25的芳香族煙基、成環原子 數5 25的芳香族雜環基、鹵素原子、或者氰基。 又，於未形成環時，R4、R5及R6與上述未形成環之R4、 R5及R6相同。 另，可使式（1 )之Ar1、Ar2及Ar3全部及式（2)之 A’、、Arn及Arl4全部為式（&)、（㈧及/或（c)。 P為0〜2的整數，e為0〜4的整數，f及g分別為〇 〜5的整數。） 鄰接層化合物之以式（a )及式（b )表示的取代基，較 佳為Ar4及Ar5巾的至少一者為下述式（d)或（e)表示之 連結基團。 藉由將式（d)或（e)表示之連結基團導入式及 式（b )表示之取代基，可使耐熱性獲得提升，而可提升藍 28 201249961 色發光兀件的壽命，且具有使三重態能量⑺）變大的效 果，可防止三重態能量自紅、黃色發構光層或綠色發鱗光 層擴散。

(式中，R7、118及R9分別獨立地為碳數之直鏈 线支鏈狀的览基、碳數2〜15之直鏈狀或支鏈狀的稀基、 炭數3 15的環院基 '具有碳數1〜15之烧基的三炫石夕基、 具有成環碳數6〜25之芳香基的三芳矽基、具有碳數 之烧基及成環碳數6〜25之芳香基的院基芳♦基、成環碳 數6〜25的芳香族烴基、成環原子數5〜25的芳香族雜環 基、齒素原子 '或者氰基；及/或複數個R7彼此、R8彼此、 及R彼此其中至少一組，分別彼此鍵結形成經取代或未經 取代之飽和或不飽和之環；及/或鄰接之…與R9彼此鍵結 形成經取代或未經取代之飽和或不飽和之環。 亦即複數個R彼此、複數個R8彼此、複數個R9彼 此、及鄰接之R8與R9其中至少一組，可分別彼此鍵結形成 經取代或未經取代之飽和或不飽和之環，或亦可不分別彼 此鍵結形成經取代或未經取代之飽和或不飽和之環。 於形成環時，未形成環之R7、R8及R9分別獨立地為碳 數1〜15之直鏈狀或支鏈狀的烷基、碳數2〜15之直鏈狀 或支鏈狀的烯基、碳數3〜15的環烷基、具有碳數丨〜15 29 201249961 之烷基的三烷矽基、具有成環碳數6〜25之芳香基的三芳 矽基、具有碳數1〜15之烷基及成環碳數6〜25之芳香基 的烧基芳石夕基 '成環碳數6〜25的芳香族煙基、成環原子 數5 25的芳香族雜環基、函素原子或者氛基。 又，於未形成環時，R7、R8及R9與上述未形成環之R7、 R8及R9相同。 h、1、』分別為〇〜4的整數。） 為鄰接層化合物之式（2)表示的化合物，較佳為含有 下述式（f)表示之構造的化合物，更佳為下述式（f)表示 之化&物，再更佳為含有下述式（f— 1)表示之構造或下述 式（f 2)表示之構造的化合物，最佳為下述式（【一】）表 示之化合物或下述式（f—2)表示之化合物。 藉由含有式（f)表示之構造，可具有使鄰接層化合物 之一重態此量（T1 )變大的效果，可防止三重態能量自紅、 黃色發磷光層或綠色發磷光層擴散。式（f)表示之構造之 中’式（f — 1 )表示之構造或下述式（f — 2 )特別容易合成。

Ar11

(式中’ Aru及Ar13與式（2)相同，Aru及Arn中之 至少一者為式（a)或式（b)表示之取代基。 R10及R11分別獨立地為碳數1〜15之直鏈狀或支鏈狀 30 201249961 的烷基、碳數2〜15之直鏈狀或支鏈狀的烯基、碳數3〜i5 的環烷基、具有碳數1〜15之烷基的三烷矽基、具有成環 反數6 25之芳香基的三芳矽基、具有碳數1〜ι5之院爲 及成環碳數6〜25之芳香基的烷基芳矽基、成環碳數6〜25 的芳香族烴基、成環原子數5〜25的芳香族雜環基齒素 原子、或者氰基。 〃 k及1分別為〇〜4的整數。）

至少一者為式（a)或式（b)表示之取代基。 R及R分別獨立地為碳數1〜丨5之直鏈狀或支鏈狀 的烷基、碳數2〜15之直鏈狀或支鏈狀的烯基、碳數3〜15 的％烷基、具有碳數1〜15之烷基的三烷矽基、具有成環 碳數6〜25之芳香基的三芳矽基、具有碳數丨〜。之烷基 及成環碳數6〜25之芳香基的烷基芳矽基、成環碳數6〜25 的芳香族烴基、成環原子數5〜25的芳香族雜環基、函素 原子、或者氰基。 k及1分別為〇〜4的整數。） 以下說明鄰接層化合物之各基。 31 201249961

Ar〜Ar及Ar〜Ar之成環碳數6〜5〇的芳香族煙基 可列舉苯基、1—萘基、2—萘基、[—蒽基（1_anthryl)、 2 蒽基、9 _ 蒽基、1 一菲基（].—phenanthryl )、2 —菲基、 3— 菲基、4—菲基、9一菲基、稠四苯基（naphthacenyi)、 芘基、筷基（chrysenyl)、苯并[c]菲基、苯并[g]筷基聯 伸三苯基（triphenylenyl)、！—第基、2一第基、3〜第基、 4— 第基、9—第基、苯并第基（benz〇f丨u〇renyl)、二^并 苐基、2 —聯苯基、3_聯苯基、4一聯苯基、聯三笨基、丙 稀合第基（fWanthenyl)等，較佳為苯基、聯笨基: 基、二甲苯基及1一萘基。 成壞碳數6〜5G的芳香族烴基較佳為成環碳數 的芳香族烴基，更佳為成環碳數6〜12的芳香族炉基 舉二:Γ之2價的成環碳數6〜5°的芳香㈣基，可 ，、上述方香族烴基對應的殘基。又，A〆〜 A〜環碳數6〜12的芳香族烴基，可 厂〜

之成環碳數為6〜12之其日攻方香族烴基 〜〜〜〜二使價數對應之基’〜W 可舉上二 成環碳數6〜25的芳香族烴其 厂方香族烴基之成環碳數為ό〜25之基。' 土 产其ΑΓ〜心3、ArII〜Ar,4之成環原子數5〜52的芳吞 广可列舉対基、吼香埃雜 基' 咪唑基、咕„杰A 〇、， *基、異°引哚 苯并咬喃基、2、%'/；^基、以并^基、^ 笨并。夫喃基、二=T3—二笨并咳喃基 , 一并噻吩基、2—二苯并噻吩義,〜 本开噻吩基、4— _ 萃刀基、3〜二 -本开嗟吩基、啥咐基、異唾琳基、啥 32 201249961 啉基（quinoxalinyl ) 、1 —咔唑基、2 -咔唑基、3 一咔 嗤基、4一味吐基、9_味哇基、哪啶基、β丫啶基、唯啉基、 啡讲基（phenazinyl)、啡噻讲基、啡讲基（phen〇xaziny丨）、 2 —二苯并呋喃基、3 —二苯并呋喃基、4一 1 ~二苯并噻吩基、2 —二苯并噻吩基、3 _ 4 —二苯并噻吩基' 1 —咔唑基、2 —咔唑基 —咔唑基及9 —咔唑基。 4唾基、g二嗤基uxadiazolyl)…夫咕&…塞吩基、苯 、并噻吩基（benzothiophenyl)等，較佳為1—二苯并呋喃基、 本并°夫喃基、 苯并噻吩基、 1 — °卡°坐基、4 成環原子數5〜52的芳香族雜Λ 〜20 W ^ & 杳族雜％基較佳為成環原子數5 2〇的方香㈣環基，更佳為成 雜環基。 的方香族

Ar15〜Ar1?之）偕从上、 .價的成環原子數5〜52的芳香族雜 基，可舉與上述芳 方香族雜核 及基對應之殘基。又，A〜

述芳香族雜環基之成j^數5〜13的芳香族雜環基，可舉上 &签 < 成環原子數A 之基，Rl〜R2、r4〜 7 ‘，、〜13之基且使價數對應 5〜25的芳香族雜：基，、了R:R9及〜"之成環原子數 數為5〜25之基。土 +上述芳香族雜環基之成環原子 此處，尺1〜… 原子數5〜25的芳香族〜25的芳香族烴基、成環 苯并呋喃基（具體 衣土其進一步的取代基，可舉二 并咳喃基、3、二:^可列舉卜二苯并咬喃基、2—二笨 并噻吩基（旦俨本开°夫°南基、4〜二苯并呋喃基）、-— 土、具體而言可列與, "； 牛—二苯并噻吩基、2 —二苯并 33 201249961 笨并°塞吩基）、味唑基 咔唑基、3 —咔唑基、4 噻吩基、3〜二苯并噻吩基、4 — (具體而言可列舉1 —咔唑基、2 —咔唑基及9 一咔唑基）。

Ar 與 Ar、Ar2 與 Ar3、Ar11 與 Ar15、Ar12 與 Ar15、Ar13 盥 Ar" j» * u 及&與Ar17所形成之成環原子數5 〜5班2的芳香族雜環，可舉與上述〜μ、Μ〜μ之 成％原子數5〜52的芳香族雜環基對應之環。較佳為β卡唾。 R1〜R2、R4〜RW〜RlRl0〜Rll之碳數卜15的 直鍵狀或支鏈狀烧基，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、 正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、正戊基、正己基、 正庚基、正辛基等，較佳可列舉甲基、乙基、丙基、異丙 基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基較佳為甲基、 乙基、丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、三級丁基。 R〜R2、R4〜r6、R7〜r9及Rl()〜Rll之碳數2〜15的 直鍵狀或支鍵狀烯基，可舉上述烷基之分子内具有不飽和 鍵結的取代基。 R1〜R2、R4〜R6、尺7〜汉9及Rio〜Rii之碳數3〜15的 環烧基’可列舉環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環戊 基甲基（cyclopentyl methyl )、環己基曱基（cyclohexyl methyl )、環己基乙基、1—金剛烧基（i_ adamantyl ) 、2 —金剛烧基、1 一降攻基（1 — norbornyl) ' 2 —降莰基 (norbornyl )等，較佳為環戊基、環己基。 R1〜R2、R4〜R6、R7〜R9及R10〜R11之具有碳數1〜 1 5之炫基的三炫石夕基，可列舉三曱石夕基（trimethylsilyl )、 34 201249961 * 三乙石夕基（triethylsilyl )、三丙石夕基（tripropylsilyl )、丙 基二甲石夕基（propyldimethylsilyl )、三丁石夕基 '三級丁基 二甲矽基、三戊矽基、三庚矽基、三己矽基等，較佳為三 甲矽基、三乙矽基。 取代於矽基之烷基可相同或亦可不同。 R1〜R2、R4〜R6、R7〜R9及R1()〜R11之具有成環碳數 6〜25之芳香基的三芳矽基，可列舉三苯矽基、三萘石夕基 (trinaphthylsilyl)等，較佳為三苯矽基。 取代於矽基之芳香基可相同或亦可不同。 R1〜R2、R4〜R6、R7〜R9及Ri〇〜Rii之具有碳數卜 15之烧基及成環碳數6〜25之芳香基的烷基芳矽基，可列 舉二甲基苯矽基、二乙基苯矽基、二苯基甲矽基、乙基二 苯石夕基等’較佳為二苯基甲矽基、乙基二苯矽基。 取代於矽基之烧基、芳香基可相同或亦可不同。

Rl〜R2、r4〜r6、R7〜R9及R1◦〜R11之_素原子，可 列舉氟原子、氯原子及溴原子，較佳為氟原子。 鄰接層化合物較佳為三重態能量在2 55eV以上，更佳 在2.60eV以上，再更佳在2 7〇eV以上，特佳在2 8〇eV以 上。上限並無限定’但通常在3.2eV以下。 藉由使鄰接層化合物之三重態能量在2.55eV以上，可 防止三重態能量自紅、黃色發磷光層或綠色發磷光層擴 散。另一方面，於鄰接層化合物之三重態能量未達2.55eV 的it形a夺，無法完全抑制三重態能量自紅、黃色發鱗光層 或綠色發破光層擴散，而有使藍色共通層發光，或者使得 35 201249961 紅、黃色發磷光層或綠色發磷光層的發光效率降低之虞。 另’尤其是於鄰接層為2層以上之構成的情形時，發 磷光層侧之層較佳由三重態能量在2 65eV以上的化合物形 成。又，於鄰接層為由2種以上之化合物構成之單層的情 形時，較佳於發磷光層側存在大量三重態能量更高之化合 物’例如2.65eV以上之化合物。 鄰接層化合物之游離電位較佳為5 45〜 5 75eV，更佳 為 5·50〜5_70eV，再更佳為 5.55〜5.65eV。 藉由使鄰接層化合物之游離電位為5_45〜5.75eV，例 如可促進電洞自第2鄰接層注入第2發光層（藍色發螢光 層）而心·尚藍色發光效率及壽命。另一方面，於鄰接層 化合物之游離電位未達5 45eV的情形時，電洞往藍色發螢 光層庄入的障壁大，而有使藍色發光效率降低之虞。又， 若鄰接層化合物之游離電位超過5 75eV，則電洞自陽極側 往第2 #接層〉主入的障壁大，而有使冑色發光效率及壽命 降低之虞。 鄰接層化合物之電子親和力較佳為2 35〜2 65eV，更 佳為2.40〜2.60eV，再更佳為2 45〜2 55eV。 藉由使鄰接層化合物之電子親和力為2 35〜2 65eV， 可促進電子自帛1鄰接層注人第光層之紅色發鱗光層 或4色發鱗層’而提高紅色發麟光層或綠色發磷光層的 效率及壽命。另一方面’若鄰接層化合物之電子親和力未 達2.35eV，則電子自陰極側往第1鄰接層注入的障壁大， 而有使紅色發磷光層或綠色發磷光層的效率及壽命降低之 36 201249961 4. • 虞。又，若鄰接層化合物之電子親和力超過2.65eV，則電 子往紅色發磷光層或綠色發磷光層注入的障壁大，而有使 紅色發磷光層或綠色發磷光層的效率及壽命降低之虞。 以下顯示本發明之鄰接層化合物的具體例。 本發明之鄰接層化合物較佳為可列舉w〇2〇〇9/ 145016揭示之下述化合物。 37 201249961

上述之外，本發明之鄰接層化合物的具體例還可列舉 下述化合物。 38 201249961

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0¾ CA3CR^

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85 201249961 °χΡ °τΡ

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第1鄰接層及第2鄰接層含有上述鄰接層化合物即 可，較佳為實質上由鄰接層化合物構成，更佳為僅由鄰接 層化合物構成。此處，「實質上」意指例如鄰接層化合物 之含量為90wt%以上、95wt%以上、98wt%以上、99wt% 92 201249961 以上。 第1鄰接層及第2鄰接層亦可進_ 注入傳輸層的構成材料。 一有後迷之電洞 第1鄰接層及第2鄰接層較佳為相同的膜厚。夢由使 第1鄰接層與第2鄰接層的膜厚相同，而可同時形^第ι 鄰接層與第2鄰接層，可使有機EL多色發光裝置之製程簡 化及低成本化。 同時，該膜厚例如 第1鄰接層及第2鄰接層之膜厚相 為5nm〜20nm，較佳為7〜1 5nm。 於鄰接層之膜厚未達5nm的情形時，鄰接層無法充分 發揮功能，而有無法充分得到第丨發光元件（例如綠色發 磷光元件、紅色發磷光元件）及帛2發光元件（例如藍： 發螢光元件）的效率及壽命之虞。另一方面，⑨鄰接層之 膜厚超過2〇nm的情形時，會使得發光元件高電壓化，載體 平衡變差，結果，有無法充分得到效率及壽命之虞。 第1鄰接層及第2鄰接層，較佳為第ι鄰接層鄰接於 第1發光層，並含有具有式⑴表示之取代基的化合物， 或者第2鄰接層鄰接於第2發光層，並含有具有式（a)表 示之取代基的化合物。 與第1發光層（例如紅、黃色發磷光層或綠色發磷光 層）鄰接之第1鄰接層含有具有式（b)表示之取代基的化 合物，因此可促進電子往第丨發光層側之傳輸與注入，及 可防止三重態能量自紅、黃色發磷光層或綠色發磷光層擴 散0 93 201249961 與第2發光層（例如藍色發螢光層）鄰接之第2鄰接 層含有具有式（a)表示之取代基的化合物，因此可促進電 洞往第2發光層之傳輸與注入，而可提高藍色發光的效率、 壽命。 又’第I鄰接層及第2鄰接層，較佳為第1鄰接層鄰 接於第1發光層’並含有上述（C)或（D)之化合物，或 者第2鄰接層鄰接於第2發光層，並含有上述（a)或（B) 之化合物。 與第1發光層（例如紅、黃色發磷光層或綠色發磷光 層）鄰接之第1鄰接層含有（C)或（D)之化合物，因此 可促進電子往第1發光層側之傳輸與注入，及可防止三重 態flb 1£自紅、黃色發碌光層或綠色發碌光層擴散。 與第2發光層（例如藍色發螢光層）鄰接之第2鄰接 層含有（A)或（B)之化合物，因此可促進電洞往第2發 光層之傳輸與注入，而可提高藍色發光的效率、壽命。 鄰接層可為單層構成或亦可為多層構成。為單層時， 由選自上述（A)〜（D)之化合物中的丨種或2種以上之 化合物形成。使用2種以上之化合物時，例如使用具有式 (a)表示之取代基的2種以上之化合物、具有式（b)表禾 之取代基的2種以上之化合物、或者具有式（〇表示之取 代基的化合物與具有式（b)表示之取代基的化合物的混合 物。又，於層内，亦可改變2種以上之化合物的漠度。 為積層有不同之2層以上之層的構成時，例如，以如 上述之2種以上之化合物形成各層並加以積層。為多層構 94 201249961 成時’多層之中’右以二重態能量敕盆仙a ·* 里心此里杈具他層向的化合物（（ 或（D)之化合物，例如具有咔唑部位與_ 兴一本并呋喃部位之 化合物）來形成與帛i發光元件之第i有機層（第！發光 層）接觸之層’則可防止三重態能量自第1有機層（第^ 發光層）擴散，故較佳。 同樣地，於使用2種以上之化合物形成濃度梯度製成 單層時’若在第i發光元件之第！有機層（第i發光層） 側提高三重態能量較高之化合物的濃度，則較佳。 [發光元件] 並列在本發明之有機EL多色發光裝置基板上而成的第 1發光元件及第2發光元件，第i發光元件例如具有以陽極 /電洞注入層/電洞傳輸層，第i發光層，第1鄰接層/ 第2電子注入、傳輸層，第丨電子注入、傳輸層/陰‘表 不之構造，第2發光元件例如具有以陽極，電洞注入層/ 電洞傳輸層/第2鄰接層/第2發光層/第}電子注入、 傳輸層/陰極表示之構造。 此處，第1鄰接層之材料與第2鄰接層之材料分別為 上述（A)〜（D)之化合物中的任一者。 又於第2發光層為藍色發光層之情形時，第2發光 層亦：與第1發光元件之第2電子注入、傳輸層相同。 可使第1發光層及第2發光層之發光從陽極側、陰極 側或兩側射出。 [發光層] 發光層提供電子與電洞再結合的地方，具有使其發光 95 201249961 的功能。 其中，發光層即使對電洞注入容易度與電子注入容易 2:::同亦可’且以電洞與電子之遷移率表示的傳輸能 刀$向低之分亦可，惟較伟 丨隹平乂住為移動其中任一邊的電荷。 丄:發光層（相當於第丨有機層）含有第"务光摻雜 父為磷光摻雜物，而可作為發攝光層（例如紅、立 色發峨光層或綠色發峨光層）用。該Μ光層較佳為^ 磷光主體物及磷光摻雜物的發磷光層。 磷光主體物可列舉下述化合物：在同一分子内 唾骨架與芳香族環或含氮芳香族環的化合物；在同一分子 内含有複數個^坐骨架的化合物；連結有複數個芳香族 環、縮合芳香族環及含芳香族雜環的化合物等主體物可 為早獨1種’或亦可為2種以上之混合物。 =雜物可舉金屬錯合物化合物，該金屬錯合物化 合物較佳為具有選自Ir、Pt、0s、Au、Cum"k 、屬:子”配位基的化合物。配位基若具有鄰位金屬鍵 C ortho metal bond )，則較佳。 從構光量子產率高，可更加提升發光元件之外部量子 效率的觀點，碳光摻雜物若為含有選自ir 〇q 化合物’則較佳’若為銀錯合物、餓錯合物、鉑 物4之金屬錯合物，則更佳，其中更佳為銀錯合物及 始錯合物，最佳為鄰位金屬化銀錯合物。摻雜 種，或亦可為2種以上之混合物。 .、、平却 第1發光層視需要亦可含有鄰接層化合物、電洞傳輸 96 201249961 材料、電子傳輸材料。 第發光層（相當於第3有機層）含有第2發光摻雜 物’較佳為螢光摻雜物’而可作為發螢光I (例如藍色發 螢光層）。該發螢光層較佳為含有下述螢光主體物及下述 螢光摻雜物的發螢光層。 螢光主體物可舉各種縮合芳香族環化合物，例如可使 用選自下述⑺〜（12)表示之化合物中的i 。

97 201249961 (式中’ R為經取代或未經取代之成環碳數6〜4 〇的芳 香基（較佳為經取代或未經取代之成環碳數6〜18的芳香 基）、經取代或未經取代之成環原子數3〜4〇的雜環基（較 佳為經取代或未經取代之成環原子數3〜18的雜環基）、 或者經取代或未經取代之碳數】〜5〇的烷基（較佳為經取 代或未經取代之碳數1〜20的烷基）。 a為〇〜7的整數，b為〇〜9的整數，c為〇〜η的整 數d為0〜22的整數，f為〇〜18的整數，當a〜f分別為 2以上時，複數個R彼此可相同或亦可不同。 4上述芳香基、雜環基及烷基，與鄰接層化合物之Ari〜 A二之經取代或未經取代的芳香族烴基、經取代或未經取代 的方香族雜環基及經取代或未經取代的烷基相同。 於上述式（2 )〜（12 )中，R亦可鍵結於任一芳香族 環或雜環，且亦可使2個以上之R鍵結於同一芳香族環或 雜環。） 螢光摻雜物較佳為下述式表示婪 一 q 衣不之方香族胺、下述式表 示之苯乙烯基胺（styrylamine)等。螢光摻雜物可為單獨^ 種’或亦可為2種以上之混合物。

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⑴ (式中，Μ〜Μ分別獨立地為經取代或未經取代之 成環奴數6〜4〇的芳香基、經取代或未經取代之成環原子 數3〜40的雜環基、或者經取代或未經取代之碳數卜5〇 98 201249961 的烧基。 X為經取代或未經取代之成環碳數1〇〜4〇的i + s價縮 合芳香族環基、經取代或未經取代的丨+ s價苯乙烯基。 s為0〜3的整數，s為2或3之情形時，2或3個一 論如可相同或亦可不同，s & Q之情料，-版如 表示氫原子。） [基板] 基板可使用玻璃板、聚合物板等。 玻璃板尤其可列舉納約玻璃（s〇da Ume glass)、含銷錄 之玻璃、鉛玻璃、鋁矽酸鹽玻璃（ahlmin〇siUcate gUss) 硼矽酸鹽玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、石英等。又，聚合物板 可列舉聚碳酸酯、丙烯酸、聚對酞酸乙二酯、聚醚砜 (polyether sulfone)、聚颯等。 [陽極] 陽極例如由導電性材料構成，具有大於4eV之功函數 的導電性材料較為適合。 上述導電性材料可列舉碳、鋁、釩、鐵、鈷、鎳、鎢、 銀、金、鉑、鈀等及其等之合金；用於IT〇基板、νε§α基 板之氧化錫、氧化錮等氧化金屬；以及聚噻吩或聚吡咯等 有機導電性樹脂。 如果有需要，亦可以2層以上之層構成來形成陽極。 [陰極] 陰極例如由導電性材料構成，具有小於4eV之功函 的導電性材料較為適合。 “ 99 201249961 上述導電性材料可列舉鎖、辦、錫、錯、m m氣化”及此等之合金，但並不限定於此等。 …又，上述合金可列舉鎮，銀、鎖/銦、鐘/紹等作為 :;例環：並不限定於此等。合金之比率可藉由蒸錢源之 以錢、真空度等來加以控制，而選擇在適當的 如果有需要，亦可以2層以上之層構成來形成陰極， 县極可4由驗或濺鍍上料電性材㈣方法 來進行製作。 使發光層之發光從陰極射出的情形時’對於陰極 之透射率較佳為大於10%。 又’陰極之薄片電阻較佳在數〜□以下，膜厚通常 為10nm〜1 v m，較佳為5〇〜2〇〇nm。 [電洞注入層及電洞傳輸層] 電洞注入、傳輸層為有助於電洞注入發光層，將電洞 傳輸至發光區域之層’係電洞遷移率大，游離能通常小至 5.6eV以下之層。 電洞注入、傳輸層的材料’較佳為能以較低之電場強 度將電洞傳輸至發光層的材料，並且例如於施加1〇4〜…v /cm之電場時，若電洞的遷移率至少為秒， 則較佳。 電洞注入、傳輸層的材料，具體而言，可列舉三唑衍 生物（參照美國專利3，112，197號說明書等）、#二嗤衍生 物（參照美國專利3，i 8 9，4 4 7號說明書等）、味唑衍生物（參 100 201249961 照日本特公昭37 — 16096號公報等）、聚芳基烷烴 (polyarylalkane)衍生物（參照美國專利3,615 4〇2號說明 書，美國專利3,820,989號說明書，美國專利3,542,544號 說明書，日本特公昭45 — 555號公報，日本特公昭51_ 1〇983 號公報，曰本特開昭5 1 — 93224號公報，日本特開昭5 5 — 17 105號公報，日本特開昭56 — 4丨48號公報，曰本特開昭 55 — 108667號公報，日本特開昭55 _ 156953號公報，曰本 特開昭56 — 36656號公報等参照），吡唑啉衍生物及吡唑 °弄衍生物（參照美國專利第3,180,729號說明書，美國專利 第4,27 8,746號說明書，日本特開昭55 — 88〇64號公報，曰 本特開昭55 — 88065號公報，日本特開昭49一 1〇5537號公 報，日本特開昭55 — 5 1086號公報，日本特開昭56_ 8〇〇51 號公報，曰本特開昭5 6 — 8 8 141號公報，日本特開昭5 7 — 45 545號公報，曰本特開昭54— 1 12637號公報，曰本特開 日口 55 — 74546號公報等），苯二胺衍生物（參照美國專利 第3,615,404號說明書，日本特公昭51— 1〇1〇5號公報，曰 本特公昭46— 3712號公報，日本特公昭47一 25336號公 報，日本特開昭54— 53435號公報，日本特開昭54_ιι〇536 號公報，日本特開昭54— 1 19925號公報等），芳胺衍生物 (參照美國專利第3,567,450號說明書，美國專利第 3，180,703號說明書，美國專利第3,24〇 597號說明書，美國 專利第3,658,520號說明書，美國專利第4 232 1〇3號說明 書，美國專利第4，175,961號說明書，美國專利第4,〇12,376 號說明書，日本特公昭49— 35702號公報，日本特公昭39 101 201249961 -27577號公報，日本特開昭55 — 14425q號公報，日本特 開昭56— 1 19132號公報，日本特開昭56—^“了號公報， 西德專利第UUU丨8號說明書等），經胺基取代之查嗣衍 生物（參照美國專利第3,526,5G1號說明書等），+ 坐衍生 物（美國專利第3,257,203號說明書等所揭示者），苯乙稀 基蒽（styrylanthracene)衍生物（參照日本特開昭56— 號公報等），第酮衍生物（參照日本特開昭54— 11〇837號 公報等），腙（hydrazone)衍生物（參照美國專利第3,717,462 號說明書，日本特開日3 54_ 59143號公報，日本特開昭Μ 7 52063號公報，日本特開昭55 — 52〇64號公報，日本特開 昭55 — 46760號公報，日本特開昭55_ 85495號公報，日 本特開日〇 57 — 1 1 350號公報，日本特開昭57 _丨48749號公 報’曰本特開平2一311591號公報等），二苯乙稀衍生物 (參照日本特開日召61 _ 21〇363號公報，日本特開昭第61 -228451號公報，日本特開昭61一 14642號公報，日本特 開0。61 — 72255號公報，日本特開昭62_ 47646號公報， 1本特開昭62— 36674號公報，日本特開昭62—1〇652號 公報，日本特開昭62—30255號公報，日本特開眧6〇一 93455 號a報，日本特開昭6〇 — 94462號公報，日本特開昭6〇 一 9號A報，日本特開昭60 — 1 75052號公報等），石夕氮 烧衍生物（美國專利第4,95〇,95〇號說明書），聚石夕烧系（曰 本特開平2-2〇4996號公報），笨胺系共聚物（日本特開 平2— 282263號公報），日本特開平1 一 21 1399號公報所 揭不之導電性高分子寡聚物（尤其是噻吩寡聚物）等。 102 201249961 又P型Si、p型SiC等之無機化合物亦可使用作為電 洞注入材料。 電洞注入、傳輸層的材料可使用交聯型材料，交聯型 之電洞注入傳輸層，例如可舉經熱、光等對m獻 2008, 20, 413-422 >Chem. Mater. 201 1, 23 ( 3 ) s 658- 681 ^ W02008108430 > W02009102027 > WO2009123269 ^ W〇20U)()16555、W咖_813 f之交聯材進行不溶化之 層。 [電子注入層及電子傳輸層] 電子注入 '傳輸層為有助於電子注入發光層，將電子 傳輸至發光區域之層，係電子遷移率大之層。 由於有機EL元件所發出之光會被電極（例如陰極）反 射，因此已知直接從陽極射出之光與經由電極反射所射出 之光會發生干涉。為了有效率地利用此干涉效果，而會以 :瞻〜數…膜厚適當選擇電子注入、傳輸層，但膜厚 寺別=時，為了要避免電壓上升，於施加1〇4〜1〇〜/咖 之電场時’較佳為電子遷移率至少要在ur5cm2/Vs以上。 使用於電子注入、傳輸層之電子傳輸性材料，較佳使 含有1個以上之雜原子(heter。-—)的芳香族 2化5物’尤佳為含氮環衍生物。又，含氮環衍生物較 人“有含氮6員環或5員環骨架之芳香族環，或 3虱6員環或5員環骨架之縮合芳香族環化合物。 [層間絕緣膜] 本發明之有機虹多色發光裝置中的層間絕緣膜，主要 103 201249961 目的在於用以將各發光元件（發光層）加以分離但除此 之外’亦用於高精細電極之側邊的平坦化、有機el元件下 部電極與上部電極之間的電絕緣（防止短路）。 使用於層間絕緣膜之構成材料，$常可列舉丙烯酸樹 脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂等有機材料；氧化矽（si〇2 或 SiOx)、氧化铭（Al2〇3 或 Α1〇χ)、氧化鈦、 氣化石夕（Si3N4)、氮化石夕氧化物（Si〇xNy)等無機氧化物。 層間絕緣膜較佳為將感光性基導入上述構成材料，然 後以光刻（photolithography)法加工成想要之圖案，或者 以印刷方法形成想要之圖案。 [有機EL多色發光裝置之製造方法] 本發明之有機EL多色發光裝置各層的形成，可應用真 空蒸鐘、濺鍵、電衆、離子鐘覆（i〇npladng)等公知的乾 式成膜法，或旋塗法、澆鑄（casting )法 '微凹版塗布（ graVUre C〇at)法、凹版塗布（grwure coat)法、棒塗布（bar coat)法、輥塗（r〇丨丨c〇at)法、狹縫塗布（at 法、 線棒塗布（wirebarcoat)法' 浸塗法、喷塗（听叮⑽〇 法、網板印刷法、快乾印刷（flex〇graphic Μ —。法平 板印刷（offset printing )法、喷墨法、喷嘴印刷法等公知 的濕式成膜法’於形成圖案之情形時，可應用網板印刷法、 快乾印刷法、平板印刷法、喷墨印刷法等方法。 各層的膜厚並無特別限定，惟必須設定在適當的膜 厚。若膜厚過厚，則為了要得到一定的光輸出，而需要高 的施加電壓’會使得效率變差。若膜厚過薄，則會發生針 104 201249961 孔等，即使施加電場，亦盔法馄 …、击侍到充分的發光亮度。通常 的膜厚適宜在5nm〜1〇以mr阁 的$已圍’更佳在i〇nm〜〇 的範圍。 μ 形成電洞注入、傳輪居夕士、t 得翻層之方法，例如可舉使用含有芳 香族胺衍生物之溶液進行成膜 τ取膜成膜方法可列舉旋塗法、 澆鑄法、微凹版塗布法、凹版+ 凹版塗布法、棒塗布法、輥塗法、 狹縫塗布法、線棒塗布法、读涂土 ^ ^ 长 /文塗法、噴塗法、網板印刷法、 快乾印刷法、平板印刷法、嗜 』、π + 则忒噴墨法、喷嘴印刷法等，於形 成圖案之情形時，較佳為_ e Μ 為板印刷法、快乾印刷法、平板 印刷法、喷墨印刷法。利 』用此等方法之成膜可以該行章 周知的條件來進行。 仃系者 成膜後’進行直办、| 進扞利用本/熱乾燥將溶劑去除即可，毋須 進订利用先、尚溫（2〇〇〇c H m L以上）加熱之聚合反應。因此， 可抑制因光、高溫加熱使性能劣化。 電洞注入、傳輸層成膜用 胺衍生物即可，除了苦, 夕3有1種方香族 電词傭於好W 、 矣胺何生物以外，亦可含有其他 劑、稃定W望子傳輸材料、發光材料、受體材料、溶 別穩疋劑等添加劑。 成膜用溶液Ψ $ $ I a 括溶劑之％忐你 、胺衍生物的含量，4"f於不包 4物的總重量，較佳為2G〜刚 為51〜1〇〇重詈叱， 0又1主 溶劑的比可為不包括溶劑之組成物的主成分。 合d的比例較佳為成 8。〜99重量％。 液的卜"·9重量％，更佳為 另 ， 厂 主成刀」係意指芳香族胺衍生物的含量在5〇質 105 201249961 量％以上。 ^述成犋用溶液亦可含有用以調節黏度 力的添加劑’例如增黏劑（高 =面張 =之不良溶劑等)、黏度降低劑(二 界面活性劑等。又’為了改善保存穩定性，亦可; ，化劑、碟系抗氧化劑等不會 有 響的抗氧化劑。 味疋件r生月匕造成影 乙猊=溶液:溶劑可例示氣仿、二氣甲烧、…二氣 風夫南-巧烧、二氧雜環戊燒（di〇x〇iane) 醚等醚系溶劑丨甲苯、二甲苯等 土甲土 τ本專方香族烴系溶劑；環己烷、

土衣己烧、正纽、正己烧、正庚烧、正辛院、正壬院、 :貌等脂肪族烴系溶齊"丙納1基乙基嗣、環己嗣、 -本基酮、苯乙明等酮系溶劑；乙酸乙醋、乙酸丁 =醋酸乙醋（ethylee】lGS()lveaeetate)、|MWl …旨等酯系溶劑；乙二醇、乙二醇一丁基醚、乙二醇一 乙基趟、乙二醇一甲基鱗、二甲氧乙烧、丙二醇、二乙氧 :烷、三乙二醇一乙基醚、甘油、“2—已二醇等多元醇及 劍街生物；甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環己醇等醇系溶 ―，-曱亞颯等亞礙系溶劑；N—甲基—2—料咬嗣、NN :二甲基甲酿胺等醯胺系溶劑。又，此等有機溶劑可單獨 使用’或亦可組合複數種來使用。 此等之中，從溶解性、成膜均—性、黏度特性等觀點， 以芳香族烴系溶劑、㈣溶劑、脂肪族烴系溶劑、酿系溶 106 201249961 劑、酮系溶劑為佳，較佳為曱苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、 —甲苯、正丙基苯、異丙基苯、正丁基苯異丁基苯、5一 丁苯、正己笨、環己苯、i—甲萘、四氫萘、U3 一二谔烷、 1，4—二锷烷、1,3—二氧雜環戊烷、苯基曱基醚、乙氧苯、 環己烷、聯環己烷、環己烯基環己酮、正庚基環己烷，正 己基環己烷、十氫萘、苯曱酸甲酯、環己酮、2一丙基環己 酮、2-庚酮、3-庚酮、4—庚酮、2—辛酮、2—壬酮、2 -癸酮、二環己酮、苯乙s同、二苯基酮（benz〇phen〇ne )。 圖案化形成發光層及電洞注入、傳輸層等時之各別塗 2步驟’較理想'亦為使用上述塗布方法來形成，但並不限 定於此等，可藉由公知的方法來各別塗布。除了塗布法之 外，亦可使用金屬遮罩來形成圖案。亦可藉由日本特開2〇叼 —229258號公報或日本特開2〇〇4—2〇〇17〇號公報所記載之 雷射轉印法來形成圖案。 藉由上述例示之各種材料及層形成方法，可形成具有 例如陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/第丨發光層/第^ 鄰接層/第2電子傳輸層i電子傳輸層，陰極之構造 的第1發光元件，可形成具有例如陽極，電洞注入層/電 洞傳輸層/第2鄰接層/第2發光層，第i電子傳輸層/ 陰極之構造的第2發光元件，而可製作本發明之有機此多 土發光裝置。X ’亦可自陰極往陽極，以與前述相反的順 序來製作有機ELit件。&，電洞注人層 、 ^ ^ . 曰置，冋傳輪層不一 要為不同種類之二層的積層所形成的構造，亦 作為電洞注入傳輸層用的材料以一層來加以製作。 此 107 201249961 尤其於本發明之有機EL多色發光裝置中，鄰接層化合 物為適於位在塗布層與蒸鍍層邊界之混合連接層（HCL )的 有機EL材料，可製成將低成本且可大畫面化之塗布層與高 性能之蒸鍍層組合的混合型有機EL多色發光裝置。 [實施例] 於實施例及比較例中’使用下述化合物

口物來製作有機EL 元件。

108 201249961

HT2

EM2

GD1 109 201249961

化合物3

110 201249961

化雜1 1 化細1 2

化雜1 7

111 201249961

化飾2 2

112 201249961

化合物B 以下述方法測量上述化合物1〜4、8〜12、14〜28、A 〜C的三重態能量T卜單重態能量S卜游離電位IP及電子 親和力Af。結果示於表1。 (1 )三重態能量（T1 ) 三重態能量係使用市售之裝置F — 4500 ( Hitachi High-Technologies股份有限公司製）測量。T1之換算式如 下〇 換算式：T1 (eV) = 1239.85/kedge 另，Xedge (單位：nm )係指以磷光強度為縱軸，以波 長為橫軸’來表示磷光光譜時，對磷光光譜之短波長側的 陡升部分晝一切線，該切線與横軸之交點的波長值。 (2 )游離電位（IP ) 游離電位係在大氣下使用光電子光譜儀（理研計器股 份有限公司製：AC — 3 )測量。具體而言，係對材料照射光， 測量此時因電荷分離所產生之電子量，藉此來加以測量。 另，游離電位（Ip)係指從主體材料（h〇st matedal) 113 201249961 之化合物移除電子使其離子化所需之能量。 (3 )親和力（八【） 從游離電位1p與單重態能量（S 1 : Eg )之測定值算出 親和力。算出式如下。

Af= Ip- Eg 單重態能量（s 1 : Eg )係指最低激發單重態與基態之 能量差’從苯中之吸收光譜的吸收端測得。具體而言，係 使用市售之可見 '紫外分光光度計測量吸收光譜然後 從該光譜開始上升之波長算出。 另親和力（A f ’電子親和力）係指給予主體材料之 刀子1個電子時所放出或吸收的能量，將放出之情形定義 為正，吸收之情形定義為負。 114 201249961 [表l] 三重態能量 [eV] 單重態能量 [eV] 游離電位 [eV] 親和力 [eV] 化雜1 2.61 3.17 5.68 2.51 化飾2 2.65 3.15 5.52 2.37 化飾3 2.80 3.10 5.72 2.62 化雜4 2.91 3.09 5.53 2.44 化飾8 2.61 3.15 5.63 2.48 化雜9 2.58 3.14 5.57 2.43 化合物10 2.57 3.18 5.68 2.50 化雜11 2.58 3.13 5.71 2.58 化_12 2.60 3.14 5.51 2.37 化雜14 2.61 3.17 5.61 2.44 化合物15 2.84 3.36 5.42 2.06 化合物16 2.81 3.40 5.65 2.25 化赖17 2.55 3.09 5.67 2.58 化^#118 2.56 3.16 5.52 2.36 化雜19 2.74 3.41 5.48 2.07 化合物20 2.90 3.16 6.16 3.00 化合物21 2.73 3.41 5.58 2.17 化合物22 2.72 3.14 5.70 2.56 化細23 3.04 3.54 6.13 2.59 化合物24 2.93 3.54 6.11 2.62 化合物25 2.94 3.36 5.50 2.14 化合物26 2.65 3.51 6.13 2.62 化飾27 2.72 3.25 5.91 2.66 化合物28 2.90 3.55 5.71 2.16 化合物A 2.46 3.09 5.49 2.40 化 2.81 3.38 5.86 2.48 化飾C 2.69 3.52 6.10 2.58 實施例1 為了確認本發明之有機EL多色發光裝置的效果，而對 第1發光元件與第2發光元件進行了評價。 [第2發光元件（藍色發螢光元件）之形成] 將25mmx75mmx 1 · 1mm厚之附有ITO透明電極的玻璃 115 201249961 基板於異丙醇中進行5分鐘超音波清洗，然後進行30分鐘 uv臭氧清洗。以旋塗法在清洗後之附有透明電極的玻璃基 j形成膜厚25nm之刪5〇1 (日產化學工業公司製：苯胺 养聚物），然後以23CTC加熱而形成電洞注入層。其次，以 方疋塗法形成膜厚3〇nm之HT1的二甲苯溶液（丨〇重量％ )， 後以120 C進行乾燥，而形成電洞傳輸層。接著，藉由蒸 鍍化合物1作為第2鄰接層（第2有機層）之材料，成膜 為膜厚10nm。接著以97 : 3之質量比蒸鍍主體物材料emi 與摻雜物材料BD1作為第2發光層（藍色發光層）（第3 有機層），形成膜厚35nm之發光層。並且，將ET1蒸鍍成 膜，使膜厚為25nm。此層係作為電子傳輸層用。然後，共 ?矣鑛還原性摻雜物之Li ( Li源：SAES Getter公司製）與 AU ’形成Alq : Li膜（膜厚i〇nm)作為電子注入層。在此 q Li膜上蒸鑛金屬a丨，形成金屬陰極，於氮中進行玻璃 社封’製得作為第2發光元件之藍色發光有機el元件。 使電流（10mA/cm2)流經所製得之第2發光元件評價 性能之結果’發藍色光，發光效率為7.0cd/A，於50°C、 25mA/cm2下亮度衰減20%之壽命（LT80)為250hr。結 果示於表2。 [第1發光元件（綠色發磷光元件）之製作] 將25mmx75mmxl.imm厚之附有πό透明電極的玻璃 基板於異丙醇中進行5分鐘超音波清洗，然後進行3〇分鐘 UV臭氧清洗。以旋塗法在清洗後之附有透明電極的玻璃基 板形成膜厚25 nm之ND1501 (日產化學工業公司製），然 116 201249961 後以230。。加熱而形成電洞注入層。其次，以旋塗法將 W02009/ 102027所揭示之HT2的二甲苯溶液（丨〇重量 加以成膜’使膜厚為3〇nm，然後以23(rc加熱乾燥，而形 成電洞傳輸層。接著，製備主體物材料EM2與摻雜物材料 GDI之90 . 10之重量比的二甲苯溶液（i 〇重量％ )，以 旋塗法加以成膜（使膜厚為6Gnm)，錢以丨抓乾燥， 來作為第1發光層（綠發光層）（第i有機層）。接著， 以與第2鄰接層之材料相同的化合物i作為第】鄰接層(第 2有機層）之材料’藉由蒸鍍成膜’使膜厚為1〇細。接著， 、97 3之速率比蒸鍍主體物材料EM i與摻雜物材料bd 1， 形成膜厚35nm之層（藍色共通層）（第3有機層），接著， 將ET1蒸鑛成膜，使膜厚為25nm。此等之層係作為電子傳 輪層用。然後，共蒸鍍還原性摻雜物之u( u源：saes 公司製）與Alq，形成Alq : Li膜（膜厚l〇nm)作為電子 注入層。在此构：Li膜上蒸錢金屬A卜形成金屬陰極， 於氮中進行玻璃㈣，製得作為帛丨發光元件之綠色發光 有機EL元件。 使電流UmA/W)流經所製得之第i發光元件評價 性能之結果，發綠色光，發光效率為53cd/A。又，使電流 ((M〜SChnA/W)流經第丨發光元件，確認發光顏色: 色度變化，結果CIE_x之變化（Δχ)為〇 〇24，cie—y之 變化（Ay)為0.057。結果示於表2。 實施例2〜11 8 〜12、14 〜18 除了採用分別蒸鍍表2所示之化合物 117 201249961 而成之單層鄰接層來代替由化合物1構成之第1鄰接層及 第2鄰接層外，其餘皆以與實施例t相同方式製造第1發 光元件及第2發光元件，並加以評價。結果示於表2。 實施例1 2 除了採用分別蒸鍍化合物2為5nm然後蒸鍍化合物1 為5nm而成之鄰接層來代替由化合物1構成之第1鄰接層 及第2鄰接層外，其與皆以與實施例1相同方式製造第1 發光元件及第2發光元件，並加以評價。結果示於表2。 實施例13〜54 除了使用表2所示之化合物形成第1鄰接層及第2鄰 接層來代替實施例12中使用化合物1、2形成第1鄰接層 及第2鄰接層外’其餘皆以與實施例12相同方式製造第1 發光元件及第2發光元件’並加以評價。結果示於表2。 比較例1〜3 除了使用表2所示之化合物（a〜c )代替實施例1之 化合物1 ’分別形成單層之第1鄰接層及第2鄰接層外，其 餘皆以與實施例1相同方式製造第1發光元件及第2發光 元件’並加以評價。結果示於表2。 118 201249961 [表 2- 1] 鄰接層 第2發光元件 第1發光元件 發光效率 壽命 發光效率 色度變化Ζΐχ 色度變化zJy [cd/A] [hr] [cd/A] [-] η 實施例1 化雜1 7.0 250 53 0.024 0.057 實施例2 化彿8 7.0 250 53 0.025 0.060 實施例3 化触9 7.2 230 55 0.028 0.058 實施例4 化合物10 7.1 240 52 0.028 0.059 實施例5 化物11 7.0 250 53 0.025 0.055 實施例6 化雜12 6.8 200 50 0.020 0.050 實施例7 化* 7.2 250 51 0.033 0.058 實施例8 化飾15 6.5 200 58 0.020 0.056 實施例9 化合物16 6.5 180 58 0.023 0.057 實施例10 化雜17 6.5 180 50 0.021 0.055 實施例11 化合物18 6.9 240 51 0.024 0.057 實施例12 化潍2A匕物1 6.7 100 50 0.038 0.089 實施例13 化雜3/化雜1 7.1 250 58 0.012 0.015 實施例14 化雜4/化雜1 7.3 160 57 0.011 0.016 實施例15 化合物19/化合物1 5.8 120 55 0.009 0.012 實施例16 化飾19/化雜8 5.7 110 54 0.010 0.013 實施例17 化合物19/化合物9 5.8 120 55 0.009 0.012 實施例18 化合物19/化合物10 5.7 100 56 0.009 0.011 實施例19 化雜20/化^? 1 5.2 110 57 0.011 0.013 實施例20 化雜20/化雜8 5.1 100 56 0.010 0.013 實施例21 化細'20/化彿9 5.2 110 57 0.012 0.014 實施例22 化辦20/化潍14 5.2 120 55 0.013 0.012 實施例23 化雜21/化雜1 4.9 100 52 0.006 0.008 實施例24 化雜21/化飾8 4.7 110 51 0.007 0.009 實施例25 化合物21/化合物9 4.9 100 52 0.006 0.007 實施例26 化飾21/化^#111 5.0 100 51 0.006 0.008 實施例27 化合物22/化合物1 5.4 180 57 0.011 0.013 實施例28 化合物22/化合物9 5.5 180 58 0.012 0.013 119 201249961 [表 2- 2] 鄰接層 第2發光元件 第1發光元件 發光效率 [cd/A] 壽命 [hr] 發光效率 [cd/A] 色度變化zlx Η 色度變化dy [-] 實施例29 化雜22/化雜11 5.4 190 57 0.012 0.013 實施例30 化挪22/化飾14 5.5 190 56 0.013 0.014 實施例31 化合物23/化合物1 6.5 280 58 0.008 0.010 實施例32 化物23/化雜8 6.5 280 58 0.008 0.010 實施例33 化合物23/化合物9 6.6 270 59 0.008 0.011 實施例34 化細23"匕雜14 6.7 260 59 0.007 0.010 實施例35 化飾24/化雜1 6.6 260 57 0.010 0.012 實施例36 化飾24/化雜8 6.7 250 57 0.010 0.012 實施例37 化雜24/化输9 6.6 270 58 0.011 0.013 實施例38 化飾24/化雜14 6.7 260 56 0.012 0.013 實施例39 化合物25/化合物1 6.2 200 55 0.016 0.019 實施例40 化雜25/化雜8 6.2 190 55 0.017 0.019 實施例41 化雜25/化雜9 6.1 220 54 0.017 0.019 實施例42 化飾25/化飾11 6,2 200 56 0.016 0.018 實施例43 化合物26/化合物1 6.2 200 55 0.016 0.019 實施例44 化输26/化雜8 6.2 190 54 0.016 0.019 實施例45 化输26/化雜9 6.2 210 55 0.017 0.020 實施例46 化合物26/化合物10 6.1 200 55 0.016 0.019 實施例47 化触27/化触1 6.2 200 55 0.016 0.019 實施例48 化雜27"匕雜8 6.2 200 54 0.016 0.019 實施例49 化雜27"匕雜9 6.1 210 55 0.017 0.019 實施例50 化合物27/化合物11 6.1 190 55 0.017 0.019 實施例51 化雜28/化雜1 6.2 200 55 0.016 0.019 實施例52 化雜28/化雜9 6.1 210 54 0.016 0.019 實施例53 化練28/化挪11 6.2 200 55 0.015 0.018 實施例54 化合物28/化合物14 6.1 220 56 0.017 0.020 比較例1 4.8 80 48 0.072 0.165 比較例2 化雜B 2.4 1 — - — 比較例3 0.2 1 — — — 以單層構成鄰接層之實施例1〜11，係使用化合物1、 8〜12、14〜18。此等之化合物含有芳胺部位與二苯并呋喃 部位，或咔唑部位與二苯并呋喃部位。亦即，由於具有胺、 咔唑之電洞傳輸性單元與二苯并呋喃之電子傳輸性單元， 因此第2發光元件（藍色）及第1發光元件（綠色）之效 率均為良好。推斷此係由於第2發光元件（藍色）電洞充 分注入發光層，且第1發光元件（綠色）電子充分注入發 120 201249961 光層的緣故。 又’第2發光元件（藍色）的壽命良好。推斷此係由 於除了胺單元或味嗤單元外’還具有耐電子性高的二苯并 π夫喃單元的緣故。 以2層構成鄰接層之實施例12〜54，係積層有由化合 物2、3、4' 19〜28構成之層與由化合物卜8、9、i〇、u、 14構成之層。 化合物2、3、4、19〜28具有芳胺部位與二笨并呋喃 部位，或吁唑部位與二苯并呋喃部位、咔唑部位與含有含 氮六員環構造之部位，為T1相對較大的化合物。於此等^ 施例中，係使用由T1大於其他層之化合物構成之層作為與 第1發光元件之發光層接觸之層。 藉由積層T1大的化合物（2 65以上），再加上單層構 成的效果’可使第i發光元件（綠色）色度的電流相依性 變小。推斷此係由於所積層之化合物藉由三重態激子之封 閉:文：’而抑制了帛i發光元件（綠色）之發光層的三重 態月fa畺往上層之藍色發光層擴散的緣故。 尤其是化合物23、24(咔唑部位與二苯并呋喃部位）， τ 1特別大，電洞與電子被控制在適量，因此可平衡性佳地 控制第2發光元件（藍色）及第i發光元# (綠色）的效 率與第1發光元件（綠色）色度的電流相依性。 另一方面，於比較例丨〜3中所使用之化合物A〜C， 第2發光元件（藍色發光元件）的效率低，且壽命極短， 並無法構築高效率且長壽命、高品質的有機el多色發光裝 121 201249961 置。 另’化合物A〜C中的化合物A，第2發光元件之藍色 的效率及壽命最為良好，但是於第1發光元件（綠色發光 元件）綠色發光之中出現藍色發光，因此色度的電流變化 大’綠色的發光效率亦降低。推斷此係由於化合物A會使 得綠色的三重態激發能量經由化合物A而往藍色發光層擴 散的緣故。 [產業上之可利用性] 本發明之有機EL多色發光裝置可適用於民生用或工業 用之顯示機器、彩色顯示器等，適合被使用於薄型電視、 華δ己型電腦、行動電話、遊戲機顯示、車輛用電視等。 以上對本發明之幾種實施形態及/或實施例進行了詳 細說明，但是該行業者可輕易在實質上不偏離本發明之新 穎教示及效果下，對該等例示之實施形態及/或實施例作 多種變化。因此’該等多種變化亦包括在本發明之範圍。 本說明書所記載之文獻的内容全部引用於此。 【圖式簡單說明】 圖1 ’係顯示本發明之有機EL多色發光裝置一實施形 態之圖。 圖2 ’係塗布型有機EL顯示器的概略剖面圖。 圖3 ,係塗布型、蒸鍍型混合有機EL顯示器的概略剖 面圖。 圖4,係具備混合連接層之有機el顯示器的概略 圖。 。 122 201249961 【主要元件符號說明】 10 基板 20 、 22 、 24 層間絕緣膜 100 第1發光元件 110 陽極 120 電洞注入層 130 電洞傳輸層 140 第1發光層 150 第1鄰接層 160 第2發光層 170 電子傳輸層 180 陰極 200 第2發光元件 210 陽極 220 電洞注入層 230 電洞傳輸層 240 第2鄰接層 250 第2發光層 260 電子傳輸層 270 陰極 123

Claims (1)

1. 201249961 七、申請專利範圍·· 種有機EL多色發光裝置’具有基板、與並排配置 ;-土板平面而成的第i發光元件及第2發光元件， 、, 1發光70件，於陽極與陰極之間在垂直於該基板 平面之方向從陽極側依序具有第i有機層第2有機層及 第3有機層， 該第2發光元件’於陽極與陰極之間在垂直於該基板 平 方向彳文陽極側依序具有第2有機層及第3有機層， s玄第1有機層含有第丨發光摻雜物， 邊第3有機層含有第2發光摻雜物， 5亥第2有機層分別含有下述（A )〜（D )之化合物中 的任一者， (A )具有芳胺部位、與呋喃部位或噻吩部位的化合物， (B)具有芳胺部位與含有含氮六員環構造之部位的化 合物， (C )具有咔唑部位、與呋喃部位或噻吩部位的化合物， (D)具有咔唑部位與含有含氮六員環構造之部位的化 合物。 2.如申清專利範圍第1項之有機EL·多色發光裝置，其 中，該（A)〜（D)之化合物為下述式（1)或（？）表示 之化合物， 124 201249961 Ar\ .Ar2 N (1)

   Ar12 —Ar15—(Ar16)n—Ar17 / N Ar13

   (2) (式（1)中，與 Ar2、^1與 Ar3、及 Ar2 與 Ar3 中 的組，分別彼此鍵結形成經取代或未經取代之成環原子 數5 52的方香族雜環；及^/或AjJ〜Ar3分別獨立地為經 取代或未經取代之成環碳數6〜5q的芳香族煙基、或者經 取代或未經取狀成環原子數5〜52的料族雜環基， 惟，AJ〜Μ中的至少一者為下述式u)或下述式⑴ 表示之取代基， 及Ar14與Ari7其中至 ..... 夫錄& A λ、3 刀別彼此鍵結形成經取代或 〜Ar]4八:”广原子數5〜52的芳香族雜環；及，或Ar11 Ar刀別獨立地為經取神七土 z 的芳番m , 經取代之成環碳數6〜50 的方香族烴基、或者經取代或未 的芳香族雜環基，Ari、Ar”八⑴ 成衣原子數5〜52 代之成環碳數6〜5〇的2立地為經取代或未經取 經取代之成環原子數5〜52 :2香^ 惟—〜至:―2:芳香族雜環基， ⑴表示之取代基， 者為下述式（a)或下述式 π為0〜2的整數） 125 201249961

   O (A^^—az (b) 或硫原子（—S —) 環 ’ 代或未經取代的吡啶基、經取代去έ- 的嘧啶基、經取代式去广. 、取代或未經取代 5 、座取代的吡^基、經取代戋未經取 夫,1 “ 或未經取代的三讲基、或者經取代或 未經取代的四讲基（tetraziny丨）， 欠戈 “ /及Μ,別獨立地為經取代或未經取代之成環碳數 6〜12的2價芳香族烴基、戋 次者左取代或未經取代之成環原 數5〜1 3的2價芳香族雜環基， 及R2分別獨立地為碳數卜15之直鏈狀或支鍵狀的 坑基、碳#t 2〜15之直鏈狀或支鏈狀的稀基、碳數3〜15 的環院基―lky0、具有碳數卜15之烧基的三烧石夕 基Wylsuyl)、具有成環碳數6〜25之芳香基的三芳 石夕基（tri_suyl)、具有碳數卜15之烧基及成環碳數6 〜25之方香基的烷基芳矽基（alkylaryisUyi )、經取代或未 、’！取代之成環碳婁t 6〜25 #芳香族煙基、經取代或未經取 代之成環原子數5〜25的芳香族雜環基、鹵素原子、或者 氰基；及/或鄰接之複數個Ri彼此、鄰接之複數個R2彼此、 以及鄰接之R1及R2其中至少一組，分別彼此鍵結形成經取 126 201249961 代或未經取代之飽和或不飽和之環， a、b、c及d分別獨立地為〇〜3的整數）。 3. 如申請專利範圍第2項之有機多色發光裝置，其 中，於式（1 )中，當Arl與Ar2、Arl與Ar3、及Ar2與Ar3 沒有彼此鍵結之情形時，Ari〜Ar3中的至少一者為式（a ) 表示之取代基。 4. 如申請專利範圍第2項之有機El多色發光裝置，其 中，式（1 )之Ar1、Ar2及Ar3中的至少―者，及式（2 ) 之Ar"、Ar12、Ari3及Arl4中的至少一者為式表示之 取代基。 5·如申#專利圍帛2項之有冑el多色發光裝置，其 中式（a)表不之取代基為下述式（卜纟示之取代基，

   (式中，X、Ri、R2、Αγ4 6_如申請專利範圍第5項 中，式（a — 1)表示之取代基為下述式 'a、b及c與式（a)相同）。 之有機EL多色發光裝置，其 基， a—2)表示之取代 127 201249961

   、玩〒，R1 、 R2 、 A 4 Ar、a、b及c與式（a)相 7.如申請專利範圍第 门）’ 示2項之有機EL多色發光裝置， 中’式（1 )之 Ar1、Ar2 » λ 3 置 ^ Λι·及Ar3中的至少一 之Ar丨丨、Ar丨2 ' Arn及 及式（2 久Ar 中的至少一去兔nr、+，j , 示之取代基， 纟為下述式（c): P (式中Ar〜Ar分別獨立地為經取代或未經取代之 成環碳數6〜12的芳香祐;，喊Α ., J方骨筷矬基、或者經取代或未經取代之 成環原子數5〜丨3的芳香族雜環基， Ρ為0〜2的整數）。 8.如申請專利範圍第7 τ5 > 囷弟7項之有機EL多色發光裝置，其 中’式（c )表示之取代基為 、土今下述式（C—1)表示之取代基， (R4)e (R5)f (R6 ii^S (人 P (c-1) (式中’ R、R及R6分別獨立地為碳數卜1 5之直鏈 狀或支鏈狀的烷基、碳數2〜15之直鏈狀或支鏈狀的稀基、 128 201249961 石反數3〜15的環烧基、具有碳數1〜15之烧基的三烧石夕基、 具有成環碳數6〜25之芳香基的三芳矽基、具有碳數i〜！ 5 之烷基及成環碳數6〜25之芳香基的烷基芳矽基、成環碳 數6〜25的芳香族烴基、成環原子數5〜25的芳香族雜環 基、_素原子、或者氰基；及/或複數個R4彼此、複數個 R5彼此、及複數個R6彼此其中至少一組，分別彼此鍵結形 成經取代或未經取代之飽和或不飽和之環；及/或鄰接之 R4及R5、以及鄰接之以，至少一組，分別彼此鍵 結形成經取代或未經取代之飽和或不飽和之環， P為0〜2的整數’ e & 〇〜4的整數，f及g分別為〇 〜5的整數）。 9.如申請專利範圍第2項之有機EL多色發光裝置，其 中，八’及Ar5中的至少一者為下述式⑷或（e)表示之 連結基團，

   (式中R、r8及R9分別獨立地為碳數！〜丨5之直鏈 狀或支鏈狀的坑基、碳數2〜15之直鏈狀或支鏈狀的烯基、 石反數3 15的丨衣烷基、具有碳數ι〜15之烷基的三烷矽基、 具有成¥&數6〜25之芳香基的三芳石夕基、具有碳數丄〜^ 之烧基及成環碳數6〜25之芳香基的烷基芳石夕基、成環碳 數6 25的方香族烴基、成環原子數5〜25的芳香族雜環 129 201249961 基，南素原子、或者氰基；及/或複數個r7彼此、複數個 R彼此、及複數個R9彼此其中至少-組，分別彼此鍵結形 成广取9代或未經取代之飽和或不飽和之環；及，或鄰接之 R及尺彼此鍵結形成經取代或未經取代之飽和或不飽 環， h丨及j分別為0〜4的整數）。 ίο.如申請專利範圍第2項之有機EL多色發光裝置， 其中’該式（1)表示之化合物為下述式（1—n表示 合物， Ar1

   1^0、111|與式（&)之111、112相同 k及1分別為〇〜4的整數）。 11. 如申請專利範圍第2項之有機EL多色發光裝置， 其中，於R1、R2之成環碳數6〜25的芳香族烴基與成環原 子數5〜25的芳香族雜環基具有取代基時，該取代基為咔 土 一本并夫喃基或一本并0塞吩基（dibenzothiophenyl)。 12. 如申請專利範圍第2項之有機el多色發光裝置， 其中，該式（2)表示之化合物為下述式（〇表示之化合物， 130 201249961 Ar11

   (式中，Ar11及Ar13分依上,, 刀別獨立地為經取代或未經取代 之成環碳數6〜50的芳香族庐其—、土 ^ L, 工暴、或者經取代或未經取代 之成環原子數5〜52的芳吞# μ 方香知雜環基，Ar丨丨及Ar丨3中的至 少一者為式（a)或式（b)矣_ )表不之取代基， Rl°、與式（a)之 R1 . κ 、R2相同， k及1分別為〇〜4的整數） 13.如申請專利範圍第 其中’式⑺表示之化合物主項之有機紅多色發光裝置， -2)表示之化合物， “、、下述式（f-1)或下述式（f

   (式中，Ar11、Arn、R1| (f-2) 、汉"、k及1與式（f)相同） 14_如申請專利範圍第1 件之 置’其中，該第1發光元 < 或2項之有機EL多色發光裝 、一 2有機層含有 2件之第2有機層與該第2發光元 "°卜化合物。 131 201249961 1 5·如申請專利範圍第！戎7 …^ 弟1或2項之有機EL多色發光裝 置，其中，3亥第1發光元件 <•乐2有機層的膜厚與該第2 發光元件之第2有機層的膜厚相同。 16.如申請專利範圍第1或2 A 2項之有機eL多色發光裝 置’其中，該第2有機層鄰接於 州接於3亥第1有機層，該第2有 機層含有該（C)或（D)之化合物。 17.如申請專利範圍第…項之有機π多色發光裝 置，其中，該第2有機層鄰接於該第3有機層，該第2有 機層含有該（A)或（B)之化合物。 1 8.如申4專利範圍第！或2項之有機el多色發光裝 置其中。亥第2有機層由單層有機層或經積層之複數層 有機層構成’該第2有機層含有選自該（A)〜（D)之化 合物中的2種以上。 19. 如申凊專利範圍第丨8項之有機El多色發光裝置， 其中’該第2有機層係複數層有機層積層而構成。 20. 如申請專利範圍第丨或2項之有機el多色發光裝 番 ’其中’該第2有機層含有三重態能量在2 55eV以上的 化合物。 2 1.如申請專利範圍第1或2項之有機EL多色發光裝 ’其中’該第2有機層鄰接於該第1有機層，該第2有 層έ有二重態能量在2_65eV以上的化合物。 22.如申請專利範圍第1或2項之有機EL多色發光裝 置 ^ 其中’該第1有機層為紅色、黃色或綠色發磷光層， 。亥第3有機層為藍色發螢光層。 132 201249961 $申晴專利範圍笛〗+ 置，其尹，“ 固第】或2項之有機EL多色發光裝 她思及、4 ^ ]有機層係以塗布法形成之層，該第3有 機層係以蒸鍍法形成之層。 24.如申請專利範圍第1或2項之右搶^ 署甘士 & @之有機EL多色發光裝 置’其中，於該第2發光元件之第2 機層的陽極侧具有 以塗布法形成的電洞注入傳輸層。 133