201239549 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種投影系統、一種微影裝置及一種用於 製造元件之方法。 【先前技術】 微影裝置為將所要圖案施加至基板上（通常施加至基板 之目標部分上）之機器。微影裝置可用於（例如）積體電路 (ic)之製造中。在彼情況下，圖案化元件（其或者被稱作光 罩或比例光罩）可用以產生待形成於I c之個別層上之電路 圖案。可將此圖案轉印至基板（例如，矽晶圓）上之目標部 分（例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒）上。通 常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料（抗蝕劑）層上 而進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地 圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂 步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來 輻照每一目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向 (「掃描」方向）上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反 平行於此方向而同步地掃描基板來轄照每一目標部分。亦 有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉 印至基板。 【發明内容】 可提供投影系統以將圖案自圖案化元件引導至基板上。 典型投影系統將包含組裝於外殼（亦被稱作鏡筒）中之一系 列器件（例如，諸如透鏡之光學器件）β應謹慎地控制鏡筒 161920.doc 201239549 内部之氣體環境，使得其不干擾元件之光學效能或損壞敏 感=學器件。舉例而言，應排除灰塵、應使濕度之位準保 持實質上恆定(通常極低)’及/或應緊密地控制化學污染 (有機的及/或無機的）之位準。亦應控制氣體之組合物。氣 體環境之控制可包括維持通過氣體環境之氣流。通常使壓 力維持於高於大氣壓力之位準下以阻礙氣體及/或污染物 自投影系統外部之流入。 〃 在投影系統内部之氣體環境與投影系統外部之環境之間 的壓力差之變化可縮減形成於基板上之影像之準確度。 舉例而言，需要縮減影像準確度藉由此變化而縮減之程 度。 根據一態樣，提供一種用於一微影裝置之投影系統，其 中：該投影系統經組態以將一經圖案化輻射光束投影至一 基板之一目標部分上；該投影系統包含一第一光學器件， 該第-光學器件包含一第一面及一第二面；該第一面經組 態以曝光至連接至該微影裝置之外部之—外部氣體環境； 該第二面經組態以曝光至一内部氣體環境，該内部氣=環 境係與該外部氣體環境實質上隔離；且該投影系統進一步 包含-壓力補償系、统’該壓力補償系統經組態以回應於該 外部氣體環境中之一壓力改變而調整該内部氣體環境中之 壓力。 根據一態樣’提供一種微影裝置，該微影裝置包含一 投影系統，其經組態以將一經圖案化輻射光束投影至一某 板之一目仏部分上，該投影系統包含一光學器件，兮光與 161920.doc 201239549 器件具有一第一面及一第二面，其中該第一面經組態以曝 光至連接至該微影裝置之外部之一外部氣體環境，且該第 二面經組態以曝光至—内部氣體環境，該内部氣體環境係 與該外部氣體環境實質上隔離；及一壓力補償系統，其經 組態以回應於該外部氣體環境中之一愿力？文變而調整該内 部氣體環境中之壓力。 根據一態樣，提供一種微影裝置，該微影裝置包含：一 投影系統，其經組態以將一經圖案化輻射光束投影至一基 板之目；^部分上，該投影系統包含一光學器件該光學 益件具有第一面及一第二面，其申該第一面經組態以曝 光至連接至該微影裝置之外部之一外部氣體環境，且該第 面組態以曝光至一内部氣體環境’該内部氣體環境係 與亥外。P氣體％ 士兄實質上隔離，且在使用時，在該内部氣 體環境與該外部氣體環境之間存在，差動；及一磨力 補償系統，其經組態以回應於該壓力差動之—經量測改變 而調整該内部氣體環境中之壓力。 根據-態樣’提供一種元件製造方法，該元件製造方法 包含：使用-投影系統以將一經圖案化輻射光束投影至一 基板上纟中該投影系統包含一光學器件，該光學器件具 有第面及f一面，該第一面曝光至連接至該投影系 卜P之外氣體環境，且該第二面曝光至一内部氣 體環境，該内部氣體環境係與該外部氣體環境實質上隔 離；及回應於該外部氣體環境中之一麗力改變而調整該内 部氣體環境中之壓力。 161920.doc 201239549 【實施方式】 現在將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明 之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件。 圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。 該裝置包含： -照明系統（照明器）IL，其經組態以調節輻射光束B(例 如’ UV輻射或DUV輻射）； -支撐結構（例如，光罩台）MT，其經建構以支撐圖案化 元件(例如’光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來 準確地定位該圖案化元件之第一定位器PM ; -基板台（例如，晶圓台）WT，其經建構以固持基板（例 如’抗㈣I塗佈晶|])W，且連接至餘態以根據某些參數 來準確地定位該基板之第二定位器pw ;及 -投影系統（例如，折射投影透鏡系統）ps，其經組態以 將藉由圖案化元件MA賦予至輻射光束8之圖案投影至基板 W之目標部分C(例如，包含一或多個晶粒）上。 照明系統可包括用以引導、塑形或控制賴射的各種類型 之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其 他類型之光學組件，或其任何組合。 、 支撐結構MT以取決於圖案化元件之定向、微影裝置之 設計及其他條件（諸如，圖案化元件是^仙持於真空環 境中)的方式來固持圖案化元件。支樓結構可使用機械： 真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化元件。支樓結構 可為(例如)框架或台，其可根據需要而固定或可移動：支 161920.doc 201239549 I。構可確保圖案化元件（例如）相對 位置。可認為本文對術語「比例光罩」^先處於所要 使用皆與更通用之術語「圖案化元件」同義。任何 代圖案化元件」應被廣泛地解釋為指 在:Γ 橫截面中向輻射光束賦予圖案以便 2板：目標部分中創製圖案的任何元件。應注意，舉例 二右被料至n射光束之圖案包括相移特徵 助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分^ 之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對庫於目 標部分中所創製之元件(諸如，積體電路)中之特定功能 層。 圖案化s件可為透射的或反射的。圖案化元件之實例包 括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化lcd面板。光罩 在微影中為吾人所熟知’且包括諸如二元、交變相移及衰 減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡 面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中每 一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光 束°傾斜鏡面在藉由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖 案0 本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋 適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空 之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反 射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組 合。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更通 161920.doc 201239549 用之術語「投影系統」同義。 如此處所描繪，裝置為透射類型（例如，使用透射光 罩）。替代地，裝置可為反射類型（例如，使用上文所提及 之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩）。 微影裝置可為如下類型：其具有兩個或兩個以上台（或 載物台或支撐件），例如，兩個或兩個以上基板台，或一 或多個基板台及一或多個感測器或量測台之組合。在此等 「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或 多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝 光极〜裝置可具有可以相似於基板台、感測器台及量測 台之方式並行地使用之兩個或兩個以上圖案化元件（或載 物台或支撐件）。 微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉 由具有相對高折射率之液體（例如，水）覆蓋，以便填充在 投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影 裝置中之其他空間，例如，在光罩與投影系統之間的空 間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數 值孔徑。如本文所使用之術語Γ浸潤」不獨佔式地意謂諸 如基板之結構必須浸潰於液體中，而是意謂液體可在曝光 期間位於投影系統與基板及/或圖案化元件之間。此情形 可能涉及或可能不涉及浸潰於液體中的諸如基板之結構。 參考記號IM展示可供定位用以實施浸潤技術之裝置之處。 此裝置可包括用於浸潤液體之供應系統，及用以使在所關 注區域中含有液體之液體限制結構。 16l920.doc 201239549 參看圖卜照明器比自輻射源so接收輻射光束。舉例而 言，當輻射源為準分子雷射時，輕射源及微影裝置可為分 離實體。在此等狀況下’不認為輻射源形成微影裝置之部 件且“射光束係憑藉包含（例如）合適引導鏡面及/或光束 擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源s〇傳遞至照明器 IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源為水銀燈時，輻 射源可為微影裝置之整體部件。輻射源s〇及照明器江連同 光束遞送系統BD(在需要時）可被稱作輻射系統。 照明器IL可包含用以調整輻射光束之角強度分佈之調整 器AD。通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的 至少外部徑向範圍及/或内部徑向範圍（通常分別被稱作σ 外部及σ内部）^此外，照明器IL可包含各種其他組件，諸 如，積光器IN及聚光器。照明器可用以調節輻射光 束’以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。 輻射光束B入射於被固持於支撐結構（例如，光罩台）MT 上之圖案化元件（例如，光罩）MA上，且係藉由該圖案化元 件而圖案化。在已橫穿圖案化元件MA之情況下，輻射光 束B傳遞通過投影系統ps，投影系統pS將該光束聚焦至基 板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF (例如’干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器），可 準確地移動基板台WT，例如，以便使不同目標部分C定位 於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位 置感測器（其未在圖1中被明確地描繪）可用以（例如）在自光 罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路 161920.doc -10- 201239549 徑來$確地定位圖案化元件MA〇 一般而言，可憑藉形成 第一疋位盗PM之部件之長衝程模組（粗略定位）及短衝程模 組（精細定位）來實現支撐結構乂丁之移動。相似地，可使用 形成第二定位器PW之部件之長衝程模組及短衝程模組來 實現基板台WT之移動。在步進器（相對於掃描器）之狀況 下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。 可使用圖案化元件對準標記M1、河2及基板對準標記ρι、 P2來對準圖案化元件MA及基板w。儘管所說明之基板對 準標s己佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之 間的二間中（此專標§己被稱為切割道對準標記）。相似地， 在一個以上晶粒提供於圖案化元件MA上之情形中，圖案 化元件對準標記可位於該等晶粒之間。 所描繪裝置可用於以下模式中至少一者中： 1. 在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案 一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構]^；1及基板台 WT保持基本上靜止（亦即，單次靜態曝光）。接著，使基板 σ WT在X及/或γ方向上移位，使得可曝光不同目標部分 c。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光 中所成像之目標部分C之大小。 2. 在掃描模式中’在將被賦予至輻射光束之圖案投影 至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構ΜΤ及基板台WT (亦即’單次動態曝光）。可藉由投影系統？8之放大率（縮小 率）及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構1^丁之 速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次 161920.doc 201239549 動態曝光中之目標部分之寬度（在非掃描方向上），而掃描 運動之長度判定目標部分之高度（在掃描方向上）。 3,在另一模式中’在將被賦予至輻射光束之圖案投影 至目標部分c上時，使支撐結構河丁保持基本上靜止，從而 固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT。在 此模式中，如在其他模式中，通常使用脈衝式輻射源，且 在基板台WT之每一移動之後或在一掃描期間之順次輻射 脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模 式可易於應用於利用可程式化圖案化元件（諸如，上文所 提及之類型之可程式化鏡面陣列）之無光罩微影。 亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或 完全不同之使用模式。 如上文所提及，在鏡筒内部之内部氣體環境與投影系統 外部之環境（例如，「潔淨室」且在下文中通常為外部環境） 之間的壓力差之變化可縮減形成於基板上之影像之準確 度。可由於橫越光學器件（例如，其可為（例如）個別透鏡） 的壓力差之合成改變而發生縮減光學準確度。橫越光學器 件之壓力差改變可導致光學器件之失真及/或位移以及投 影系統之光學效能之對應改變。麗力差改變對於投影系統 之極端上部及/或下部末端處之光學器件可大得多，該等 末端在一個側上曝光至外部環境之壓力且在另一側上曝光 至與外部環境貫質上隔離之内部氣體環境。外部環境中之 壓力可顯著地且在相對短時間標度内變化。舉例而言，外 部％境中之門之閉合通常可在微影裝置處造成高達25帕斯 161920.doc 12 201239549 卡=壓力波動，但確切大小將取決於許多因素，包括外部 環境之大小、門之性質及部位、門閉合之方式，等等可 提供通過内部氣體環境之連續氣流。舉例而言，連續氣: 可有用於移除起源於除氣之㈣物。氣流亦可辅助控制鄰 近於内部氣體環境之光學器件中之加熱，但通常，該流相 比於内部氣體環境之體積將太低而不能使此輔助極有效。 原則上τ調整氣體之流入及/或流出以控制總壓力。然 而’難以使此系統足夠快速地作出回應以有效地補償起源 於外部環境之壓力波動。 ’ 在以下描述中，術語「外部氣體環境」用以指代與外部 環境不實質上隔離（以其他方式被稱為經密封而與外部環 境隔絕）且si此維持於與外部環境（例如，料室）之麼力實 質上相同之壓力(亦即，約大氣壓力)下的任何體積。因 可認為外部氣體環境「連接至」微影^卜部之環 境。在此内容背景中’外部氣體環境可因此存在於微影裝 置内部。與此對比，「内部氣體環境」指代與外部環境實 質上隔離之體積。在此内容背景中，術語「實質上隔離」 意謂在允許獨立壓力調節之程度上隔離。因此，内部氣體 環境係與外部氣體環境實質上隔離之事實意謂内部氣體環 境中之壓力將實質上獨立於外部氣體環境中之壓力(在不 存在用以回應於外部氣體環境中之壓力改變而調整内部氣 體環丨兄中之壓力之故意措施的情況下）。因此，内部氣體 %境中之壓力可維持於實質上不同於外部氣體環境中之壓 力之位準下》通常，内部氣體環境中之壓力將維持於高於 161920.doc -13-' 201239549 外部氣體環境之標稱壓力之位準下，但此情形不係必需 的。内部氣體環境之壓力可保持於與外部氣體環境之標稱 壓力實質上相同之壓力下，或保持於較低位準下。 内部氣體環境可位於投影系統之上部部分處。在此狀況 下，内部氣體環境將在第一光學器件（亦即，由經圖案化 輻射光束所遇到的投影系統之第一光學器件）與鄰近光學 器件（「第二」光學器件）之間。然而，替代地或此外，本 發明之一實施例適用於投影系統之最後器件（位於投影系 統之下部末端處）。在此狀況下，「内部氣體環境」將為在 最後光學器件與次末光學器件之間的區域。在浸潤系統 中’最後光學器件將為在使用時將接觸在曝光期間位於投 影系統與基板之間的浸潤液體之光學器件。替代地或此 外，本發明之一實施例可應用於投影系統之另一器件或其 他光學系統（例如，照明系統）。 圖2可被認為描繪投影系統之上部或下部部分。在圖2被 認為表示投影系統之上部部分之狀況下，圖2之上部部件 (亦即，器件2)被認為高於圖2之下部部件（亦即，器件4)。 在圖2被認為表示投影系統之下部部分之狀況下，圖2之上 部部件（亦即，器件2)被認為低於圖2之下部部件（亦即，器 件4)。所描繪部分包含光學器件2(在圖2被認為說明投影系 統之上部部分之狀況下的「第一光學器件」，或在圖2被認 為說明.投影系統之下部部分之狀況下的「最終光學器 件」），光學器件2具有曝光至外部氣體環境之第一面1， 及與外部氣體環境實質上隔離且代替地曝光至受控制（主 161920.doc 201239549 動式地及/或被動式地）内部氣體環境5之第二面3 ^光學器 件2收容於鏡筒7内，鏡筒7通常將足夠剛硬以不會藉由橫 越鏡筒7之壓力變化而顯著地變形。在光學器件2與鄰近光 學器件4之間的區域界定内部氣體環境。 根據所揭示實施例，提供壓力補償系統以回應於外部氣 體環境中之壓力改變而調整内部氣體環境中之壓力。壓力 補償系統以縮減橫越光學器件2的壓力差之合成改變的方 式對外部氣體環境中之壓力改變作出反應。 在圖2至圖7所示之實施例中，提供體積調整器6以調整 内部氣體環境之體積。體積調整器6經組態以回應於外部 氣體環境之壓力增加而減低内部氣體環境之體積、回應於 外部氣體環境之壓力減低而增加内部氣體環境之體積，或 其兩者。 在圆2至圖4中，體積調整器包含經組態以被動式地對外 部氣體環境之Μ力改變作出回應之組件。被動式組件在無 需外部電源或主動式控制系統之情況下作出回應。 在圖5至圖7中’體積調整器包含經組態以主動式地改變 内部氣體環境之體積之組件。主動式組件包含依賴於電源 供應器及控制系統（控制器）之機構。 在圖2中’被動式組件包含在汽缸9内可移動（箭頭⑴之 活塞8。活塞8之橫截面形狀對應於汽紅$之内部橫截面形 狀（其將可為圓形’但亦可使用其他形式）。滑動密封件10
•^供於活塞8與汽紅9之問以p* l «V 1 乂防止或最小化氣體經過活塞8 之洩漏。汽缸9可在一個太嫂忐、* 個禾舳處連接至内部氣體環境且在 16l920.doc -15- 201239549 另一末端處連接至開口 12。開口 12通向連接至外部氣體環 境之空間。系統經組態成使得外部氣體環境中之壓力增加 造成活塞8向内（在該圖中向左）移動，藉此縮減内部氣體環 去兄之體積且造成其中之壓力之補償性上升。外部氣體環境 中之壓力減低造成活塞8向外（在該圖中向右）推動，藉此增 加内部氣體環境之體積且造成其中之壓力之補償性減低。 在兩種狀況下，效應係減低由外部氣體環境中之壓力波動 造成的橫越光學器件2之壓力差變化之大小。在内部氣體 環境中之壓力相比於外部氣體環境中之壓力維持於較高壓 力位準下的情況下，活塞8將具備使活塞8朝向内部氣體環 境之内部偏置之回彈性構件（圖中未繪示）。偏置力對於平 衡橫越活塞8之標稱壓力差係必要的。在内部氣體環境中 之壓力相比於外部氣體環境中之壓力維持於較低位準下的 情況下，活塞8將具備使活塞8朝向内部氣體環境之外部偏 置之回彈性構件（圖中未繪示）。 活塞8之縱向軸線可經向下定向成遠離於内部氣體環境 而傾斜。以此方式’與移動活塞相關聯之微粒污染將趨向 於遠離於内部氣體環境中之關鍵器件而降落。 圖3描、’會如下實施例：其中被動式組件包含可變形構件 14(在此實例巾，隔膜）’可變形構件14經組態以回應於外 4耽體％境之壓力波動而向内、向外或向内及向外變形 (&箭頭13)。圖3之配置之操作對應於圖：之實施例之活塞8及 之操作。然巾，内冑氣體環境5之體積改變係藉由變 形達成@非藉由位移達成。圖3之配置係有益的，此係 161920.doc 201239549 因為移動部件被最小化H氣體環境5之污染風險因此 縮減。在可變形構件14與鏡筒5之間的連接點固定，藉此 促進°τ靠密封之提供。舉例而言’聚四氟乙稀（ptfe)隔膜 可用作可變形構件。乾燥淨化氣流可提供於隔膜之區域中 以防止濕度通過隔膜之注入。在内部氣體環境5中之壓力 相比於外部氣體環境中之壓力待維持於較高或較低位準下 的狀況下，可變形構件14可再次具備用以提供必要偏置之 回彈陡構件（圖中未繪示）。舉例而言，可變形構件14可由 具有彈性屬性之隔膜形成。 圖4描繪如下實施例：其中被動式組件包含風箱“，風 箱16經組態以回應於外部氣體環境之壓力波動而改變形狀 (箭頭15)。風箱之操作對應於活塞8及汽缸9之配置以及可 變形構件14之配置（兩種配置在上文予以描述）之操作。風 箱16經組態以回應於外部氣體環境之壓力波動而向内、向 外或向内及向外驅動（箭頭15)。實際上，風箱16受到外部 氣體環境之壓力波動驅動而以至少部分地補償該波動之方 式改變内部氣體環境5之體積：外部氣體環境中之壓力增 加伴隨有内部氣體環境5之體積之對應減低，且反之^ 然。如同具有圖3之可變形構件14之配置，風箱16係有益 的，此係因為移動部件被最小化（舉例而言，無需滑動密 封件）。粒子形成理想地被最小化。若内部氣體環境5中之 壓力相比於外部氣體環境之麼力待維持於較高或較低位準 下，則風箱16可具備用以提供必要偏置之回彈性構件（以 相似於上文參看圖2及圖3所描述之實施例的方式）。 161920.doc 17 201239549 圖5至圖7描繪分別對應於圖2至圖4之實施例的實施例。 圖2至圖4之實施例之被動式組件已藉由可對應於存在於圖 2至圖4所示之配置中之組件的一或多個主動式組件替換。 每一配置之系統具備一壓力感測器系統24。壓力感測器系 統24經組態以量測以下各者中之一或多者：外部氣體環境 中之壓力（例如，經由外部氣體環境中之壓力感測器）、内 部氣體環境5中之壓力（例如，經由内部氣體環境5中之壓 力感測器），及/或内部氣體環境5與外部氣體環境之間的壓 力差動（例如，經由位於内部氣體環境與外部氣體環境之 間的界面處之壓力差動感測器）。提供自壓力感測器系統 24接收輸入之控制器22。控制器22可經組態以僅對外部氣 體環i兄中之經量測壓力作出回應。舉例而言，控制器2 2可 經組態以將内部氣體體積中之壓力調整達對應於外部氣體 %境中之壓力之經偵測改變的量。替代地或另外，控制器 22可經組態以對如自内部氣體環境及外部氣體環境中之壓 力之分離量測（經由内部氣體環境及外部氣體環境中每一 者中之分離感測器）所導出的内部氣體環境5與外部氣體環 境之間的壓力差作出回應。舉例而言，控制器22可經組態 以將内部氣體體積中之壓力調整達對應於内部氣體環境及 外部氣體環境中之壓力之間的差之經偵測改變的量。替代 地或另外，控制器22可經組態以對如自經由壓力差動感測 器而對壓力差動之直接量測所導出的内部氣體環境與外部 氣體環境之間的壓力差動作出回應。舉例而言’控制器22 可經組態以將内部氣體體積中之壓力調整達對應於經偵測 161920.doc 201239549 壓力差動之經偵測改變的量。 在圖5中’活塞18及汽缸17與活塞驅動器2〇合作，活塞 驅動器20經組態以驅動活塞18之向内移動及向外移動（箭 頭19)。活塞驅動器20回應於來自控制器22之控制信號而 驅動活塞18。控制信號係用以使活塞1 8在至少部分地補償 外部氣體環境之壓力波動（如藉由壓力感測器系統24所量 測）之方向上移動。舉例而言’若外部氣體環境中之壓力 增加’則控制信號將用以使活塞驅動器2〇向内（在該圖中 向左）驅動活塞18。若外部氣體環境中之壓力減低，則控 制信號將用以使活塞18向外（在該圖中向右）移動。舉例而 言’控制器22可經組態成以回饋配置而操作。替代地或另 外’控制器22可經組態以使用前饋控制。活塞18之縱向軸 線可經向下定向成遠離於内部氣體環境5而傾斜。以此方 式’與移動活塞18相關聯之微粒污染將趨向於遠離於内部 氣體環境5中之關鍵器件而降落。 在圆6中，可變形構件26與可變形構件驅動器25合作。 可變形構件驅動器25經組態以基於來自控制器22之控制信 號而控制變形狀態（箭頭21)。舉例而言，若外部氣體環境 中之壓力增加，則控制信號將用以使可變形構件驅動器25 使可變形構件26變形，以便減低内部氣體環境5之體積。 若外部氣體環境之壓力減低，則控制信號將用以使可變形 構件26變形’以便增加内部氣體環境$之體積。 在圖7中，風箱28具備風箱驅動器3〇，風箱驅動器3〇經 、·且L以基於來自控制器22之控制信號而控制風箱28之體 161920.doc -19- 201239549 積，而言’若外部氣體環境之壓力增加，則控制信號 將用以使風箱驅動器30使風箱28減低内部氣體環境之體 積 加 。若外部氣體壓力減低，則控制彳士啼 ⑴佐制k旒將用以使風箱28增 内部氣體環境之體積。 可以隔離方式使用或以任何組合方式一起使用圖2至圖7 之活塞及汽缸、可變形構件（諸如’隔膜或風箱）或其任何 子集之實施例。此外，儘管針對内部氣體環境5包含實質 上靜止氣體之狀況予以說明’但無需此狀況。舉例而言， 可提供淨化氣體供應系統以供應通過内部氣體環境5之連 續氣流。 替代地或另外，壓力補償系統可包含氣體粒子調整器以 調整内部氣體環境5中之氣體粒子之數目（亦即，内部氣體 環境中之氣體之量可藉由增加氣體粒子之數目來增加 内部氣體環境5中之壓力。可藉由減低氣體粒子之數目來 減低内部氣體環境5中之壓力。可基於變化内部氣體環境5 之體積而獨自地使用或結合上述實施例中任一者或其多者 來使用用以操縱内部氣體環境5中之壓力之此途徑。 對氣體粒子之數目之調整可藉由經組態以含有壓力不同 於内部氣體環境5中之壓力之氣體的一或多個儲集器實 施。將此儲集器連接至内部氣體環境將會導致進入或離開 内部氣體環境5之淨氣流。若儲集器中之壓力高於内部氣 體環境5中之壓力，則淨氣流將進入内部氣體環境5。進入 内部氣體環境5之淨氣流將趨向於增加内部氣體環境5中之 塵力。若儲集器中之壓力低於内部氣體環境5中之壓力， 161920.doc • 20- 201239549 則淨氣流將離開内部氣體環境5。雜 . 碓開内部氣體環境5之淨 氣流將趨向於減低内部氣體環培 衣境5中之壓力。因此，藉由 選擇性地控制至壓力不同於内邻 m J 〃、Μ。卩虱體環境5之壓力之儲 器的連接，有可能控制或調整進 一 選入或離開内部氣體環境5 之氣流。 控制或調整可（例如）經由在儲集器與内部氣體環境5之 間的直接連接而為直接的。替代地或另外，控制或調整可 經由至通向或來自内部氣體環境5之供應管路的連接而為 間接的。供應管路可為與(例如)用以供應通過内部氣體環 境5之淨化氣流之淨化翁體徂_ 4 平軋體供應系統相關聯的供應管路。 經組態以含有壓力低於内部氣體環境5之壓力之氣體的儲 集器可被稱作「低壓力儲集器」。經組態以含有壓力高於 内部氣體環境5之壓力之氣體的儲集器可被稱作「高壓力 儲集器」》在-情況下為低壓力健集器之儲集器在另一情 況下可為兩壓力儲集器。低壓力儲集器無需不同於高壓力 儲集器。舉例而言，儲集器可在一時刻出於創製離開内部 氣體環境5之淨氣流之目的而具有縮減壓力，i因此可緩 特性化為低壓力儲集器。在另一時刻，同—儲集器可出於 創製進入内部氣體環境5之淨氣流之目的而具有高壓力， 且因此可經特性化為高壓力儲集器。儲集器可以(例如)一 序列（諸如’交替序列）來執行低壓力功能及高壓力功能兩 者。 圖8描繪應用於投影系統之上部或下部部分之實例配 置。上文參看圖2而描述投影系統之上部或下部部分之性 161920.doc 201239549 質。如在參看圖2至圖7所描述之實施例中，提供光學器件 2，光學器件2具有曝光至外部氣體環境之第一面丨，及曝 光至收容於鏡筒7中之内部氣體環境5之第二面3。在此實 例中，k供淨化氣體供應系統以供應通過内部氣體環境5 之氣流。舉例而言，氣流可用以自内部氣體環境5移除經 除氣污染物。氣流可為連續的或次連續的（亦即，間歇地 對於一時段係接通的及對於一時段係斷開的）。 淨化氣體供應系統將氣體自源36經由輸入氣體控制器32 及輸入管路40而供應至内部氣體環境5，且將氣體經由輸 出管路42及輸出氣體控制器34而抽取至貯槽38。抽取可為 主動式的或被動式的。 在此實例中，氣體粒子調整器包含兩個低壓力儲集器牝 及48，以及兩個高壓力儲集器5〇及52。每一儲集器 48、50、52係經由一閥61、63、“、67而連接至一供應， 路44。供應管路44通向内部氣體環境5。 低壓力儲集器46、48維持於低於内部氣體環境5之壓^ 的壓力下，理想地維持於接近真空之壓力（例如，小於〇 巴、·邑對值)下。以此方式，一個或兩個閥6丄、Ο之敞開導 致氣體流出内部氣體環境5，或導致將經供應流重新引導 至低壓力儲m 48中之—者或其兩者卜因此在内 邛氣體％扰5中氣體粒子之數目減低且因此壓力減低。提 仏負壓源47以經由至氣體貯槽56之閥、51而選擇性地減 低低厘力儲集器46、48中之壓力。 南壓力儲集器5 〇、5 2維持於高於内部氣體環境5之壓力 161920.doc •22- 201239549 的壓力下。以此方式，閥65或67之敞開將導致氣體流入内 部氣體環境5，因此在内部氣體環境5中增加氣體粒子之數 目且因此增加壓力。提供過壓源51以經由來自氣體源58之 各別閥53及55而選擇性地增加高壓力儲集器5〇、52中之壓 力。氣體源58可源自於源36(如該圖所示），或源自於分離 源0 自低或咼壓力儲集器46、48、50、52進入或離開内部氣 體環境5之氣體之流率取決於儲集器46、48、5〇、52與内 部氣體環境5之間的壓力差。就低壓力儲集器牝、48而 言，用於增加儲集器46、48、50、52與内部氣體環境5之 間的壓力差之範疇受到限制。因為壓力差不能超過内部氣 體環境5内之壓力（因為不能使低壓力儲集器扑、48中之絕 對壓力為負）’所以會出現此限制。然而，可藉由如下方 式來減輕此問題：使低壓力儲集器46、48之體積較大，使 得當該等健集器連接至㈣&體環境5時該等儲冑器中之 壓力上升之速率較低對於高壓力儲集器，相比於對於低 !力儲集器，可使壓力差大得多。因，匕，可使高壓力儲集 益較小。冑㊣壓力儲集器較小通常係理想的，此係因為有 利的疋將該等儲集器^位成儘可能地靠近内部氣體環境5 且此區域中之空間受到限制。 提供控制器60以回應於力感測器㈣24之讀數而 閥 61、63、65、67夕叙· P丐 ** al au γ- 胳… 壓力增加，則控制器6〇 將献開通向高壓力儲集器之閥65、67中之—者或其兩者。 献開通向高麼力儲集器之闊65、67令之一者或其兩者將會 161920.doc •23- 201239549 增加内部氣體環境5中之壓力。若外部壓力減低，則控制 器60將敞開通向低壓力儲集器之閥61、63中之一者或其兩 者。敞開通向低壓力儲集器之閥61、63中之一者或其兩者 將會減低内部氣體環境5中之壓力。在此實例中，控制器 60亦經組態以控制閥49、51、53及55以確保將儲集器中之 壓力驅動至準備好使用之所要起始值。 在此實例中，提供複數個低壓力儲集器46、48。此情形 提供藉由選擇性地敞開儲集器46、48中之一者或其兩者來 變化自内部氣體環境5抽取氣體之速率（及/或自内部氣體環 境5所抽取之氣體之總量）的可能性。替代地或另外複數 個儲集器允許Μ力在-個儲集n中返回朝向起始值減低， 同時另一儲集器用以調整内部氣體環境5中之壓力。 相似地，複數個高壓力儲集器5〇、52提供藉由選擇性地 敞開儲集器50、52中之一者或其兩者來變化將氣體供應至 内部氣體環境5之速率（及/或供應至内部氣體環境5之氣體 之總量）的可此性。替代地或另夕卜，複數個儲集器允許塵 力在一個儲集器中返回朝向起始值增加，同時另一儲集器 用以調整内部氣體環境5中之壓力。 用於調整來自給定儲集器46、48、5〇、52之氣體之流率· 的替代或額外方法係提供能夠在儲集器46、48、5〇、52與 ，應管路44之間提供可變流動阻力之一或多個間。舉例而 口閥可提供自元全閉合狀態（極高流動阻力）至完全敞開 狀態（極低流動阻力）之連續可變流動阻力❶替代地或另 外，閥可經組態以施加大於兩個之複數個離散流動阻力中 161920.doc •24- 201239549 之-個可選擇流動阻力。在此等變化中任一者中，控制器 ㈣依據氣體之所要流率而經組態以：υ選擇哪些赌集器 待敞開，·及/或2)選擇至選定儲集器之閥應敞開之程度、(亦 即’選擇閥之流動阻力）。 控制器60通常可經組態以依據外部氣體環境之經量測塵 力與内部氣體環境内之經預期或經量測麼力之間的經⑽ 差之大小而控制氣體之流率。若偵測大波動，相比於若積 測較小波動，則㈣H60㈣開更多㈣器及/或更遠地 敞開閥。視情況，提供流量計68以量測供應管路料中之氣 體之流率。來自流量計68之讀數饋送至控制器6〇。控制器 60經組態以在計算待施加至閥61、〇、65、67令之一或多 者之控制信號時考量該讀數。舉例而言，控制請可經組 態以變化閥之致動，直至藉由流量計68量測之流率收敛至 某-流率（例如’目標設定點流率）為止。替代地或另外， 控制器60經組態以控制選定儲集器粍、判、5〇、52敞開以 便控制内部氣體環境5之壓力被調整之量所針對的時間。 圖9說明連接至供應管路44之儲集器系統之另外組態。 此處，提供具有呈級數1:1:2:4:8之相對體積之複數個低壓 力儲集器71Α、71Β、72、74及78。此級數具有體積可經 選擇性地求和以提供均勻&間隔之總體積（均句地間隔之 16個不同總體積）範圍的屬性。有可能藉由控制閥:81至85 中哪些閥敞開而選擇所要總體積Q取決於所需要之有效體 積範圍，可選擇其他級數。可能體積之數目愈大，則用於 調整氣體自内部氣體環境5之校正流出之大^及/或速率的 161920.doc -25- 201239549 範疇愈大。舉例而言，級數1:1:2:4:8:16相比於級數 1:1:2:4:8將允許兩倍的離散步驟之數目。較高數目個離散 步驟可允許以較高解析度達成補償。替代地或另外，低壓 力儲集器可經配置以具有不同壓力。 圖9之變化亦包含一系列高壓力儲集器9〇，高壓力儲集 器90經組態成使得可個別地控制每一高壓力儲集器中之壓 力。在所示實例中’個別控制係藉由經個別指派之過壓供 應器101至106而達成。替代地或另外’可使用共同過壓供 應器。在此狀況下’每一儲集器可具備可設定於一所要壓 力下之一個別過壓釋放閥。後一途徑實施起來可能較便 宜’此係因為需要較少過壓源。 可調整儲集器101至106中之壓力以達成諸如用於低壓力 儲集器71A、71B、72、74及78之級數的級數。此級數允 許根據閥91至96中哪些閥敞開而選擇合適流入範圍。舉例 而言’可選擇儲集器90之壓力以具有呈幕級數1:1:2:4:8:16 之比率。控制器6G甚至可經組態以根據經偵測波動或使用 者要求而在使用時變化標稱壓力（亦即，在儲集器敞開之 前的壓力）。替代地或另外，高壓力儲集器可經配置以具 有不同體積。 在圖9所示之實<列中，低壓力肖集器具備不同體積且 壓力儲集器具備不同壓力’但應理解，可獨立地提供此 特徵。低壓力儲集器可具備不同體積’而高壓力儲集器丨 :於相同壓力下(或提供僅單一高壓力儲集器）。相似地 尚壓力儲集器可具備不同壓力’而低壓力儲集器全部具; 161920.doc -26- 201239549 相同體積（或可提供僅單一低壓力儲集器）。 據預期，對於高壓力儲集器，高達約6巴絕對值之過壓 將係實務的。對於低壓力儲集器，據預期，低至約〇丨巴 絕對值之壓力將係實務的，在許多情形中，據預期，高壓 力儲集器之體積可在介於（例如）約θ θ丨公升與θ J公升之間 的範圍内。每一儲集器之最適當體積將取決於所預期之壓 力波動類型，例如，經預期大小及持續時間，如上文所解 釋’波動類型將尤其取決於安裝位點之性質。舉例而言， 外部環境之大小將係相關的。個別儲集器之大小亦將取決 於多少儲集器被提供且取決於多個儲集器是否可同時地用 於補償目的。體積亦將取決於在致動之前維持於儲集器内 之壓力。 以下内容為單一儲集器用以補償單一波動事件之狀況之 說明性實例。對於用以補償早先所提及之乃帕斯卡之壓力 波動的高壓力儲集器，若該儲集器維持於2巴絕對值下， 則可使用約0·05公升之體積。若該儲集器維持於6巴絕對 值下，則可使用約〇·〇1公升之體積。對於用以補償25帕斯 卡之過壓波動的低壓力儲集器，若該儲集器維持於約 巴絕對值下’則可使用約〇〇5公升之體積。 圖10描繪圖8之配置之變化。此處，低壓力儲集器扑及 48連接至（經由選用流量計68)供應管路443，而非連接至 供應管路44(如在圖8中）。供應管路44Β通向淨化氣體供應 系統之輸出側，即，在此實例中為輸出氣體控制器34及7 或輪出管路42。實際上，低壓力儲集器46及48經組態以能 161920.doc •27· 201239549 夠（亦即’提供必要連接）使經由輸出管路42而抽取氣體β 高廢力儲集器50及52連接至（經由選用流量計68)供應管路 44Α。供應管路44Α相似於圖8之供應管路44。供應管路 44Α通向淨化氣體供應系統之輸入側，即，在此實例中為 輸入氣體控制器32及/或輸入管路40。實際上，高壓力儲 集器50及52經組態以能夠（亦即，提供必要連接）經由輸入 管路40而將氣體供應至内部氣體環境。圖丨〇之功能性係與 上文參看圖8所描述之功能性相同’惟如下情形除外：低 壓力儲集器至輸出側之連接幫助確保低壓力儲集器調整内 部氣體環境5中之壓力之使用不引起淨化氣流通過内部氣 體環境5之方向之不良改變。另外，相對於圖8之組態圖 10之配置將趨向於增加淨化氣體通過内部氣體環境5之流 量。淨化氣體之增加流量可改良淨化氣體之所欲作用。舉 例而言，增加流量可改良經除氣污染物自内部氣體環境5 被移除之效率。 圖11描繪連接至圖10之供應管路44Α及44Β之儲集器系 統之組態。儲集器配置係與上文參看圖9所描述之配置相 同，惟如下情形除外：低壓力儲集器71Α、71Β、72、 74、78連接至輸出側供應管路44Β，且高壓力儲集器9〇連 接至輸入側供應官路44Α。此配置之理想效應包括上文參 看圖10所論述之效應。淨化氣流之方向之不良改㈣以避 免。此外，淨化氣體之平均流率將趨向於增加，此情形玎 改良淨化氣體之功能。舉例而言，可改良經除氣污染物之 移除。 161920.doc •28· 201239549 爐管在本文中可特定地參考微影裝置在ic製造中之使 用’但應理解’本文所描述之微影裝置可具有其他應用， 諸如，製造整合光學系統、用於磁_記憶體之導引及偵測 圖案、平板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭，等 等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之内容背景 中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分 別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝 光之前或之後在（例如）塗佈顯影系統（通常將抗蝕劑層施加 至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具）、度量衡工具及/或檢 測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文中之 揭示内容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基 板處理-次以上，例如，以便創製多㈣，使得本文所使 用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基 恤言上又 ……无学微影之内容背f中對本發 ::丨，實=之使用’但應瞭解’本發明可用於其他應用 纪 者景允許時不限於光學微 衫。在壓印微影中，圖案化器 定創製於基卜夕T之構形（topography)界 製板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓&至被 供應至基板之抗蝕劑層中，在 破 雷磁㈣… 抗蝕劑係藉由施加 電磁軸射、熱、壓力或其組合而 後，將圖案化器件移出抗蝕劑：劑固化之 本文所使用之術語「輻射」及「而光在/中留下圖案。 電磁賴射，包括紫外線(UV)輻射(例如束」涵蓋所有類型之 丨如’具有為或為約436 161920.doc •29- 201239549 =米、4:5奈米、365奈卡、355奈米、⑽奈米、i93奈 ；；7不米或126奈米之波長）及極紫外線（Euv)輻射（例 如’具有在5奈米至2〇奈米之範圍内之波長），以及粒子束 (諸如，離子束或電子束）。 U" 透鏡」在内谷背景允許時可指代各種類型之光學 、·件中任者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及 靜電光學組件。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以 與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而 言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如上 文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料 儲存媒體（例如，半導體記憶體、磁碟或光碟），其具有儲 存於其中之此電腦程式。 以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習 此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闞明之申請專 利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。 條項 1. 一種用於一微影裝置之投影系統，其中： 該投影系統經組態以將一經圖案化輻射光束投影至—基 板之一目標部分上； 該投影系統包含一光學器件，該光學器件包含一第一面 及一第二面； 該第一面經組態以曝光至連接至該微影裝置之外部之一 外部氣體環境； 161920.doc 30· 201239549 …岐組態以曝光至一内部氣體環境，該 環境係與該外部氣體環境實質上隔離；且 該投影系統進一步包含一壓力補償系統，該壓力補償系 統經組態以回應於該外部氣體環境中之一壓力改變而調整 該内部氣體環境中之壓力。 2.如條項i之投影系統，其中該壓力補償系統包含一 體積調整器以調整該内部氣體環境之體積。 3·如條項1或2之投影系統，其中該壓力補償系統經組 回應於該外部氣體環境之一壓力增加而減低該内部氣體 環境之該體積；且 回應於該外部氣體環境之-壓力減低而增加該内部氣體 環境之該體積。 =如前述條項中任-項之投影系統，其中該投影系統 包含選自以下各者之—或多者以調整該内部氣體環境之該 體積：—活塞及汽紅；具有—縱向轴線之—活塞及汽缸， 該縱向軸線遠離於該内部氣體體積而傾斜；一風箱；及/ 或一可變形隔膜。 5.如前述條項中任一項之投影系統，其中該壓力補償 系統包含： 一壓力感測器系統，其經組態以量測選自以下各者之一 或多者：該外部氣體環境中之該壓力；該内部氣體環境中 之該壓力；及/或該内部氣體環境與該外部氣體環境之間 的壓力差動；及 161920.doc -31 - 201239549 一控制器’其經組態以基於來自該麼力感測器系統之— 輸出而控制該壓力補償系統。 6.如條項5之投影系統，其中該麼力補償系統包含經 組態以回應於來自該控制器之一控制信號而調整該内部氣 體環境之該體積之一組件。 7· 如條項6之投影系統，其中經組態以回應於來自該 控制器之一控制信號而調整該内部氣體環境之該體積之= 組件包含選自以下各者之一或多者：一活塞及汽缸；具^ 一縱向軸線之一活塞及汽缸，該縱向軸線遠離於該内部氣 體環境而傾斜；一風箱；及/或一可變形隔膜。 8·如前述條項中任一項之投影系統，其中該壓力補償 系統包含經組態以被動式地調整該内部氣體環境之該體積 之一組件。 9.如條項8之投影系統，其中經組態以被動式地調整 該内部氣體環境之該體積之該組件包含選自以下各者之一 或多者：一活塞及汽缸；具有一縱向軸線之一活塞及汽 缸’該縱向軸線遠離於該内部氣體環境而傾斜；一風箱； 及/或一可變形隔膜。 10·如前述條項中任一項之投影系統，其中該壓力補償 系統包含一氣體粒子調整器以調整該内部氣體環境中之氣 體粒子之數目β 11.如前述條項中任一項之投影系統，其中該壓力補償 系統經組態以： 回應於該外部氣體環境中之一壓力增加而增加該内部氣 161920.doc •32· 201239549 體環境中之氣體粒子之數目；且 回應於^亥外氣體環境中之一壓力減低而減低該内部氣 體環境中之氣體粒子之數目。 12. 如前述條項申任一項之投影系統，其中： 該壓力補償系統包含一儲集器以含有一壓力不同於該内 部氣體環境中之該壓力之氣體；且 該壓力補償系統經組態以控制至該儲集器之一連接，以 便控制或調整氣體至或自該内部氣體環境之一供應。 13. 如條項12之投影系統，其中該壓力補償系統經組態 以將至該儲集器之該連接之流動阻力調整至大於2個之複 數個離散值中之-個可選擇值、調整至—連續值範圍，或 其兩者。 14. 如條項12或13之投影系統，其中： 該麼力補償线包含經組態以含有—壓力高於該内部氣 體環境之該壓力之氣體之複數個，該等儲集器、經组離以含 有-廢力低於該内部氣體環境之該壓力之氣體之複數個該 等儲集器，或其兩者；且 該壓力補償系統經組態以控制至該等儲集器中每一者之 -連接，以便控制或調整氣體至該内部氣體環境之一供 應0 K如條項Μ之投影系統，其中經組態以含有—塵力高 於該内部氣體環境之該壓力之翁舻 η 宝刀之軋體之該複數個儲集器的全 部或一子集、經組態以含有一 坚刀低於3亥内部氣體環境之 該壓力之氣體之該複數個儲集器的全部或一子集或其兩者 16l920.doc -33- 201239549 保持於不同壓力下、具有不同體積，或其兩者。 16>如條項15之投影系統，其中該等不同壓力、該等不 同體積或其兩者包含可經選擇性地求和以提供一均勻間隔 總計範圍之一系列值。 17·如條項14至16中任一項之投影系統，其中該壓力補 償系統經組態以藉由選擇性地敞開至該等儲集器之該等連 接之全部或一子集來控制對該内部氣體環境中之該壓力之 調整的量。 18. 如條項14至17中任一項之投影系統，其中該壓力補 償系統經組態以藉由選擇性地變化與至該複數個儲集器之 該等連接中每一者或至該複數個儲集器之該等連接之一選 定子集中每一連接相關聯的該流動阻力來控制對該内部氣 體環境中之該壓力之調整的量。 19. 如前述條項中任一項之投影系統，其進一步包含一 流量計以量測進入或離開該内部氣體環境之氣體之流率， 該壓力補償系統經組態以使用來自該流量計之一輸出以調 整該内部氣體環境中之該壓力。 20. 如前述條項中任一項之投影系統，其中該内部氣體 環境維持於不同於該外部氣體環境之該壓力的一壓力下。 21. 如前述條項中任一項之投影系統，其進一步包含一 淨化氣體供應系統，該淨化氣體供應系統經組態以提供通 過該内部氣體環境之一連續氣流。 22. 如條項21之投影系統，其中： "亥淨化氣體供應系統經組態以經由一輸入管路而將氣體 161920.doc -34- 201239549 供應至該内部氣體環境’且經由一輸出管路而自該内部氣 體環境抽取氣體； 該壓力補償系統包含用以含有一壓力高於該内部氣體環 境中之該壓力之氣體之一或多個儲集器，及用以含有一壓 力低於該内部氣體環境中之該壓力之氣體之一或多個儲集 器； 用以含有一壓力高於該内部氣體環境中之該壓力之氣體 之*亥一或多個儲集器經組態以能夠經由該輸入管路而將氣 體供應至該内部氣體環境；且 用以含有一壓力低於該内部氣體環境中之該壓力之氣體 之該一或多個儲集器經組態以能夠經由該輸出管路而自該 内部氣體環境抽取氣體。 23. 種微影裝置，其包含一如前述條項中任一項之投 影系統。 24· 一種微影裝置，其包含： 一投影系統，其經組態以將—經圖案化輻射光束投影至 一基板之一目標部分上，該投影系統包含一光學器件，該 光學器件具有—第一面及—第二面，#中該第-面經組態 以曝光至連接至該微影裝置之外部之一外部氣體環境，且 該第一面經組態以曝光至一内部氣體環境，該内部氣體環 境係與該外部氣體環境實質上隔離；及 壓力補償系統，其經組態以回應於該外部氣體環境中 之一Μ力改變而調整該内部氣體環境中之壓力。 25· 一種微影裝置，其包含： 161920.doc •35· 201239549 -投影系統’其經組態以將—經圖案化輻射光束投影至 -基板之-目標部分上，該投影系統包含一光學器件，該 ’其中該第一面經組態 之一外部氣體環境，且 光學器件具有一第一面及一第二面 以曝光至連接至該微影裝置之外部 該第二面經組態以曝光至-内部氣體環境，該内部氣體環 境係與該外部氣體環境實質上隔離，且在使用時，在該内 部氣體環境與該外部氣體環境之間存在一壓力差動；及 一壓力補償系統，其經組態以回應於該壓力差動之一經 量測改變而調整該内部氣體環境中之壓力。 26. —種元件製造方法，其包含： 使用一投影系統以將一經圖案化輻射光束投影至一基板 上’其中該投影系統包含一光學器件，該光學器件具有一 第-面及-第二面’該第-面曝光至連接至該投影系統之 外郤之外部氣體環境，且該第二面曝光至一内部氣體環 境，該内部氣體環境係與該外部氣體環境實質上隔離；及 回應於該外部氣體環境中之一壓力改變而調整該内部氣 體環境中之壓力。 7· 一種用於一微影裝置之投影系統，其中： 忒投影系統經組態以將一經圖案化輻射光束投影至一基 板之一目標部分上； s亥投影系統包含一光學器件，該光學器件包含一第一面 及一第二面，該第一面經組態以曝光至一第一氣體環境， 且該第二面經組態以曝光至一第二氣體環境，該第二氣體 環境係與該第一氣體環境實質上隔離；且 161920.doc •36· 201239549 該投影系統進-步包含—虔 統經組態以回應於該第—氣體環以統’該壓力補償系 -氣體環境與該第二氣體環境 之一壓力改變或該第 而調整該第二氣體環境中之壓力。 至刀圭勁之一改變 【圖式簡單說明】 1描繪根據本發明之-實施例的微影裝置 國 ，描繪投影系統之上部或下部部分處之内 扰，其中被動式組件包含活塞及汽缸丨 〃裒 圖3描繪包含隔膜之被動式組件； 圖4描繪包含風箱之被動式組件； 圖5描繪投影系統之上部或下部部分處之内部氣體戸 境，其中主動式組件包含活塞、汽缸及活塞驅動器〆< 圖6描繪包含隔膜及隔膜驅動器之主動式組件； 圖7描繪包含風箱及風箱驅動器之主動式組件； 圖8描緣投影系統之上部或下部部分處之内部氣體p 境，其中氣體粒子調整器用以調整内部氣體環境中之二 粒子之數目（亦即，氣體之量），氣體粒子調整器包含高墨 力儲集器及低壓力儲集器以及關聯閥； 圖9描繪包含不同體積之―系列低壓力儲集器及保持於 不同壓力下之一系列高壓力儲集器的氣體粒子調整器；、 圖10描繪圖8所示之系統之變化；及 圖11描繪根據圖8所示之系統的圖9所示之系統之變化 【主要元件符號說明】 1 第一面 161920.doc 201239549 2 光學器件 3 第二面 4 光學器件 5 内部氣體環境 6 體積調整器 7 hiL· Mis 鏡同 8 活塞 9 汽缸 10 滑動密封件 11 可移動方向 12 開口 13 變形方向 14 可變形構件 15 形狀改變方向/驅動方向 16 風箱 17 汽缸 18 活塞 19 移動方向 20 活塞驅動器 21 變形狀態 22 控制器 24 壓力感測器系統 25 可變形構件驅動器 26 可變形構件 161920.doc -38- 201239549 28 風箱 30 風箱驅動器 32 輸入氣體控制器 34 輸出氣體控制器 36 源 38 貯槽 40 輸入管路 42 輸出管路 44 供應管路 44A 供應管路 44B 供應管路 46 低壓力儲集器 47 負壓源 48 低壓力儲集器 49 閥 50 高壓力儲集器 51 閥/過壓源 52 高壓力儲集器 53 閥 55 閥 56 氣體貯槽 58 氣體源 60 控制器 61 閥 -39- I61920.doc 201239549 63 閥 65 閥 67 閥 68 流量 71A 低壓 71B 低壓 72 低壓 74 低壓 78 低壓 81 閥 82 閥 83 閥 84 閥 85 閥 90 高壓 91 閥 92 閥 93 閥 94 閥 95 閥 96 閥 101 過壓 102 過壓 103 過壓 力儲集器 計 力儲集器 力儲集器 力儲集器 力儲集器 力儲集器 供應器/儲集器 供應器/儲集器 供應器/儲集器 161920.doc -40- 201239549 104 過壓供應器/儲集器 105 過壓供應器/儲集器 106 過壓供應器/儲集器 AD 調整器 B 輻射光束 BD 光束遞送系統 C 目標部分 CO 聚光器 IF 位置感測器 IL 照明系統/照明器 IM 可供定位用以實施浸潤技術之裝置之處 IN 積光器 Ml 圖案化元件對準標記 M2 圖案化元件對準標記 MA 圖案化元件 MT 支撐結構 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PM 第一定位器 PS 投影系統 PW 第二定位器 SO 輻射源 w 基板 WT 基板台 161920.doc -41 -