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TW201228200A - Power converter with low current ripple - Google Patents

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TW201228200A
TW201228200A TW99145585A TW99145585A TW201228200A TW 201228200 A TW201228200 A TW 201228200A TW 99145585 A TW99145585 A TW 99145585A TW 99145585 A TW99145585 A TW 99145585A TW 201228200 A TW201228200 A TW 201228200A
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TW
Taiwan
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switch
series
voltage
capacitor
winding
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TW99145585A
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English (en)
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TWI407669B (zh
Inventor
Ching-Shan Leu
Pin-Yu Huang
Original Assignee
Univ Nat Taiwan Science Tech
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201228200 0990033TW 34644twf.doc/n 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 最精轉換電路有關,且特別是與-種 I 轉換電路㈣,其可財效地減少電 ==關:電壓應力。此-拓撲結構’除了能夠 吳4電路也可應用於整流器電路。 【先前技術】 屮。f流11電路是將直流輸人電源,轉換成交流電形式輸 —。σ圖1所示,半橋式電路是現有換流器電路技術中的 =電路域。錢輪人電壓源會提供直讀人電流,並 t、、、’且串聯的電容器C1和C2和一組串聯的開關 σ Q2並聯。變壓器T1的初級繞組ρι係分別與前述的 聯電容器和串聯開關的中間端點連接。上、下半橋開關 和Q2會在不同時段導通及截止,因❿得以在變壓器 的-人級繞組S1產生交流輸出電壓ac。 在同樣規格下,相較於純讀㈣雜與全橋式電 未構’半橋式電路架構因為變壓器T1的初級繞組p j只有輸人錢的-半,所以初級繞組ρι會有兩倍的 電流漣波,而導致產生較高強度的電磁干擾(ΕΜι)。 【發明内容】 本發明是針對現有技術的拓撲架構的換流器電路和整 201228200 0990033TW 34644twf.doc/n 流器電路進行改良’以改善其m皮現象。 本發明之主要目標是提供一組切換式電力轉換器,並 藉著使用換流n㈣或整流電路,來達祕低輸入或輸出 之電流漣波之效果。 /士!明之另一目標是要提供一組切換式電力轉換器, ,係糟著使職流H電路或整流電路,並利用變壓器漏電 t電容器來作為無損緩衝器(Snubber),以達錢漏能 篁的回收效果。因此,可以改善該轉換器的效率。 本發明之進'步目標是要提供-組切換式電力轉換 益,其係藉著使用換流器電路或整流電路,並利用兩植電 昼應力較低且相互串聯解導體關,來減 因此,得以進一步提高效率。 貝夭 —為讓本發明的上述特徵和優點能更賴祕,下文特 舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。 【實施方式】 現在將詳細參考本發明之實施例,並參照附圖來說明 所述實施例。科,在圖式及實施方式巾使用相同標號的 元件/構件’係代表相同或類似的部分。為能使貴審查委 員清楚本發明電職構組成,以及整體運作方式,兹配合 圖式說明如下: σ ^了實現上述目標,本發明之—實施例的—換流器電 路架構’是用來將直流輸人電壓源Vin,轉換為交流電壓 輸出,如圖2所示’該換流器電路係由包括至少一組變壓 4 201228200 0990033TW 34644twf.doc/n 益的次級k組及二、,且串聯電路所組成,其中三組串聯電路 係.由變壓器T1的兩匝數相同的初級繞組P1和p2、兩個 關Q1和Q2、三個電容器ci、C2和Cc所組成。 幵 第一串聯電路係與直流輸入電壓源Vin相並聯,並由 兩個相互串聯的第一電容器二電容器02所構成。 第二組串聯電路係與直流輸入電壓源Vin相並聯,且 由依序串聯的第一初級繞組P1、第三電容器Cc和第二 級繞組P2所組成,其中第-和第二初級繞植P1和打之 極性相_端點’係分別與直流輸人電壓源Vin的 負端連接,而初級繞組P1和P2之另—極性相同點, 則係分別與第三電容器Cc的兩端點連接。 第三組串聯電路係與前述之第三電容器^相並聯, 且由兩個相互串聯的第-開關^和第二開關吸所 相互串聯的第-電容器C1和第二電容器C2的中 :妾T二互串聯的第一和第二開關Q1和Q2的中間端點 在-個開關週期内,會由兩組交替的控制信號, =動第-和第二開關Q1和Q2之導通或截止。因此,變 适益T1的次級繞組S1將因而產生交流輪出電壓Ac 經過整流濾波後(未繪示),可由電力轅 供直流輸出電壓給負載。 、相輸出化提 本發明的實施例與電路操作原理,將分別以圖3和圖 來說明’圖2的第一和第二開關Q1和Q2將以 %效應電晶體⑽SFETs)代替。假定第—電容器α和 201228200 0990033TW 34644twf.doc/n 第一電容器C2係為兩個相同容值的元件,則第一電容器 ci和第二電容器C2的跨壓將分別等於1/2直流輸入電壓 源Vin。如圖4⑴至圖4 (d)所示,在穩態中,一個開 關週期内有四個操作階段,並詳述如下: 如圖4 (a),為了在第—個時區間,操作驅動控制信 號以使第—開關Q1導通。除了第-電容器C1上的電壓(即 1/2直流輪人電壓源Vin)被提供至第一初級繞、组ρι電壓 外,第三電容器Cc也會經由第三電容器Cc的正端、第— 開關Φ、第二電容器C2、第二初級繞⑽和第三電容哭 =的負端的路徑,而將1/2的直流輸人電壓源—提供至 一::級繞組P2。在第一個時區間,第-電容器ci和第 以二,莫式下操作,而第二電容器則在 2 4⑴所示,在第二個時區間’會操作驅動信號 —關Q1截止。直流輸人電壓源Vin與儲存在 益T1的漏電感的能量對第三電容器&充電。由於變 壓器=的第-和第二初級繞組pl和p2的極性相反,因 而使,第—和第二初級繞組P1和P2的電壓相互抵消,第 三電容器Cc上的電壓即等於直流輸入電壓源Vin。由於漏 電Ϊΐ能量被魏,因此第—開關Q1的麵波形上沒有 電壓犬波’其電壓應力會等於直流輸入電壓源Vin。 如圖4 (c)所示,在第三個時區間,將操作驅動信號 以使得^第二開關Q2導通。除了第二電容器C2上的電壓(即 1/2直流輸入電壓)被提供至第二初級繞組P2電壓外,第 201228200 0990033TW 34644twf.doc/n =第Ϊ電=的正端、第-— 負端,而提供1/2的直流輸人_=^容器的 P1。在第三個日_,第二電容器C2和第三電—/器級^ =電模式下操作,而第―電容器C1則係在^電模式下 以使斤示:在第四個時區間,則操作驅動信號
變壓! τ二、Λ92截止。直流輸入電壓源、Vin與儲存在 支堡裔T1的漏電感中的能量會對第三電容器C H1111的初級繞組PM°P2的極性相反,因而使得 初U且Ρ1和Ρ2的電壓相互抵消, ^壓會等於直流輪人電壓源Vln。由於漏電感的能量^ ,吸收’因此第—開關Q1的電壓波形上沒有電壓突波, 其電壓應力係等於直流輸入電壓源Vin。 如圖5 (a)和圖5 (b)所*,其等分別齡現有半橋 式換流器技術’以及本發明半橋式換流器技術的幾個主要 的電流波形,並進行電路特性比較。如圖5⑻所示,因 =有第二電各S Ce將在半個卫作週期内分別充電及放 ’邊壓a T1的漏感與第三電容器Ce會形成二階效應 second order effect),而使得本發明之輸入電流加的電 ==幅降低。因此’其所需的輸入電容器數量將 本發明所提出的換流器中的開關^和吸,除了可使 上述提到的M0SFET開關外,還可以其他主動式半導體 201228200 0990033TW 34644twf.doc/n 開關替換。 如圖6所示為本發明的第二實施例,其中標號^及 Φ之兩個半導體開關會形成第一對開關Q1-Q3,以取代圖 2的第一半導體開關Q1 ’標號Q2及Q4之兩個半導體開 關則會形成第二對開關q2_q4,以取代圖2的第二半導體 開關Φ ’而在圖6卿電路帽分別加人兩個箝位二極體 DCl和Dc2,以確保相互串聯的第一對開關Qi, ^二 對開關Q2 · Q4中的各個半導體_,都具有綱的電壓應 力。因此,可以使用較低電賴格的半導體開關來降低導 通損耗’並提高轉換效率。與第_實施例進行比較,只有 第三組串聯電路的組成及操作行為需要作進-步的補充, 第三組串聯電路係與第三電容器Cc相並聯,且係由 兩個相互串聯的第一對及第二對開關qi_q3和Q2_Q4組 成。^-箝位二極體Del是連接在直流輸人龍-的正 =rf開關φ·φ的中心端點,而第二箝位二極體 疋?,二對開關Q2_Q4的令心端點和直流輸入 的負端。第-電容器C1和第二電容器c2的中心 端點係與第一半導體開關Q1和第― 端點連接。 Μ第-體開關φ的中心 用’兩對交替的驅動信號係分別 ,來同時驅動第-對或第二對開關Q1_Q3或Q2_Q4。由於 I甘位二極體Del和Dc2t交替的導通,而使得第一對 二對開關Q1-Q3與q2_q4的電壓,分別籍制在一半的輪 201228200 0990033TW 34644twf.doc/n 入電壓(l/2Vin)。 因此’次級繞組S1將會產生一個交流輸出電壓ac。 在經過整流和濾波後(未繪示),電力轉換器會對負載提 供直流輸出電壓。
再次說明,針對一應用實施例,本發明所提出的轉換 器中的開關,除了如圖7所示的,可以使用上述提到的 MOSFET半導體開關元件以纟卜,還可則域其他主動式半 導體開關或是任何機電開關。 本發明的前述兩實施例可以將它的功能從一個換流器 電路延伸到整流器電路,將說明如下: β —如圖8所示,其係為本發明的第三實施例。其是將變 =T1 ^級繞組P1上的交流電壓,轉換成直流輸出電 由包括至少一組變壓器T1白勺初級繞組P1及 之=心J所組成,其中三組串聯電路係由變壓器T1
Cc所組成。電谷裔C〇1和Co2以及一個第三電容器 w 係與錢如麵〜相並聯 兩個相互串聯的輪出電容器㈤和如。聯 括依序串聯㈣壓V。相並聯,並包 C〇 T1 S1和第二次級繞組s二、組S2 ’其中第-次級繞組 輸出電壓化的⑼連m無’係分別與直流 鲕連接而第一次級繞組S1和第 201228200 0990033TW 34644twf.doc/n --人級繞組S2之另—相同極性 電容器兩端點連接。 ,則係分別與第三 第二組串聯電路係與第三 個相互串聯的二極體m和m组成。C相並聯,且由兩 相互串聯的輪出電容器Cowcw、、山、 相互串聯的二極體D 々中〜螭點,以及 假設第-輸出電容哭端點係連接在一起。 相同電容值,第—幹出;—和第一輸出電容器C02具有 乐輸出電容器Col和笫-认b兩― 的跨壓,分別為直流輸出電壓v〇的一輪出電谷器C〇2 級繞組P1上的電壓,軸合到第—欠Ti的初 級繞組S2以產生交流電壓。因此,如圖= 且S1和第二次 所示’二極體m和D2係分別因順 』:,d) 導通和截止。在轉能 ""向偏壓而父替地 段: 穩態中,一個開關週期内會有四個操作階 路。變:器的所T ’其係操作在第-個時區間的等效電 變壓器η的次二、fnpl會將輸人的交流電壓相合到 次級繞纽S1的正=楚並經由變壓器T1的第-及第輸出電容11C。2、二極體m if提=的負端點迴路,來對第-輪出電容 ΐ 八電電流;同時,經由變壓器Τ1的第一次級W S1之正端點、自番Ώ _ 人、,及繞組 及第-.欠級輸出電容器c。2、二極體如 且1之負端點迴路,來提供負載R所兩Μ 電f:此外’變壓器蝴二次級繞組S2之正端之: 纹第—輸出電容器co2、二極體D1及第三電容器Cc: 201228200 0990033TW 34644twf.doc/n 路徑’而使得第三電容器Ce於充電模式下操作。在第〜 個時區間内,第-輪出電容器㈤和第三電容器&係於 充電的工作模式下操作。反之,第二輸出電容器㈤則係 於放電的工作模式下操作。 如圖9(b),為了操作在第二個時區間的等效電略。 變壓器T1的次級側的交流電壓為零電位。第一或第二欠 級繞組S1和S2 ’都無法使二極體D1導通。此時,餘f 在變壓器τι的次級側漏感和第三電容器Cc的能量,會二 由變壓器T1的第一次級繞組S1、輸出負载R、變壓器丁 的第二次級繞組S2’來提供負载R所需的電流。由於 器T1的兩組次級繞組S1和S2的極性減,跨在 Ή的第—和第二次级繞組S1 * S2的電壓將相互抵消,^ 三電容器Cc的電壓會等於輸出電壓。 | 收,從而第一二極體m的電壓波形沒== ^力專於輸出電Φ Vo。此外’由於變壓器τι的 電容器C:的能量會形成二階效應,所輸出的 仟以大幅降而所需的輪出電容器就可以大大 如圖9(c),其係操作在第三個時區 T1的初級繞組P1會將輸人的交流電_合到變壓 器T1的次級繞、组S1和S2,經由變壓器τι的第二 ,S2之正端點、二極體D2、第二輪出電容器Cq第、·: 負端::卜供第 充電電流’同時’經由㈣器T1的第二次級繞組S2之正 11 201228200 0990033TW 34644twf.doc/n 點、一極體D2、第一輸出電容器c〇i、負載r、及二次 繞組S2之負端點迴路,來提供負載所需的電流。此外, 變壓器T1的第一次級繞組S1正端點,會經由第三電容器 Cc、二極體D2、第一輸出電容器c〇卜及第一次級繞纽 S1負端點的路徑,而使得第三電容器以於充電模式下操 作。在第二個時區間内,第一輸出電容器c〇1和第三電容 器Cc係於充電的工作模式下操作。反之,第二輸出電容 器C〇2則於放電的工作模式下操作。 如圖9 (d) ’其係操作在第四個時區間的等效電路。 、楚壓器T1的次級側的交产雷 T1的第-戍第-.欠jit 為零電位。無論是賴器 導iTm;? si和s2,都無法使二極體仍 导通此時’储存在變厭 芎垩°〇 T1的次級侧漏感和第三電容 窃的此里,將經由變壓考 負載r及變壓器T1的第_。的第一m组s卜輸出 需的電流。由於_ 3 ΤΓ人級繞組S2,而提供負載R所 性相反,跨在變壓器°T1 ^的兩組次級繞組S1 *S2的極 的電壓會相互抿消1 一 ^第—和第二次級繞組S1和S2 由於洩漏能量被吸收,:^ CC的電壓等於輸出電壓。 電壓突波,其麵庫力1^;二極體D2的電壓波形沒有 器η的次級侧於^電壓%。此外,由於變壓 應,輪出電流漣油胳/苐二電容器Cc的能量會形成二階效 可以大大降低。/侍以大幅降低,所需的輸出電容器便 在圖8的實施例中 件,也可以使用如圖二極體D1和D2作為整流元 M u甲所示的M0SFET同步整流,或 201228200 0990033TW 34644twf.doc/n 是二極體與mosfet同步整流的組合以提高轉換效率。 圖11所示是根據本發明的第四實施例,其中標號D1 及D3之兩個整流元件會形成第一對整流元件D1_D3,以 取代圖8的二極體D1,標號D2及D4之兩個整流元件會 形成第二對整流元件D2-D4,以取代圖8的二極體D2,且 在圖11所示電路中另外增加兩個箝位二極體DC1和Dc2, 以保證第一對整流元件D1-D3和第二對整流元件D2-D4 的各個整流元件’都有相同的電壓應力,丨/2輸出電壓v〇。 因此,得以使用低電壓規格的整流元件,來減少導通損施, 提南轉換效率。 與第三實施例比較,其只有第三組串聯電路的組成與 操作原理需要作進一步的補充,並說明如下: 第三組串聯電路係與第三電容器CC相並聯,並由兩 個相互串聯的第一對整流元件D1-D3以及第二對整流元件 D2-D4組成。第一箝位二極體Dcl是連接在直流輸入電壓 源Vin的正端,以及第一對整流元件D1D3的中心端點, 而第二箝位二極體Dc2則是連接在第二對整流元件D2_D4 的中心端點和直流輸入電壓源Vin的負端。第一輸出電容 器Col和第二輸出電容器Co2的中心端點,係與第一整流 元件D1和第二整流元件D2的中心端點連接。 在一個開關切換周期内,第一對整流元件D1_D3和第 二對整流元件D2_D4,會因順向偏壓或逆向偏壓而分別導 通或截止。由於箝位二極體Del和De2係交替地導通,而 使得兩對整流元件D1_D3與D2-D4魏,係分別籍制在 13 201228200 tWy〇U33'r\V 34644twf.doc/n 一半的輸出電壓(l/2V〇)。 在圖11的實施例中,以二極體D卜D2、D3和D4來 作為整流器之元件。為提高效率,整流元件亦可為本發明 第五實施例的圖12之MOSFET同步整流元件,或是任何 二極體與同步整流元件的組合之衍生實施例。 本發明之「低電流漣波電力轉換電路」的所有實施例 中之s亥開關’係以使用二極體或金屬氧化場效應電晶體(内 建二極體body diode可資利用作為嵌位二極體)為範例。 但其他合適的元件,包括現有的或未來發展的技術所開發 之半導體主動開關元件:如電晶體(BJT)、絕緣閘級電 晶體(IGBT),甚至微機電開關(Micro Machined Switch ), 都可資利用。 本發明之「低電流漣波電力轉換電路」所揭露的技術 可以與各種習知電路架構組合使用。以本發明整流器電路 為例,先前技藝的各種電路架構之換流器電路,可以搭配 本發明之整流器電路組合使用;同時,先前技藝的各種電 路架構之整流器電路,亦可以搭配本發明之換流器電路組 合使用。唯以上所述,僅為本發明之最佳可行實施例,而 不應據此而侷限本發明之專利範圍,同理,舉凡應用本創 作說明書及圖式内容所為之等效結構變化,均皆包含於本 發明之範圍内,核予陳明。 如前說明可知,本發明為提供一種精簡的電路架構, 其藉由巧妙軌置電容ϋ,變壓_合_及半導體開 關,而保有低電越衝及開航件所承受的低錢應力的 201228200 0990033TW 34644twf.doc/n 特性。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以阳a 本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫^ 本發明的精神和範圍内,當可作些許更動與潤飾,故本發 明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。S 【圖式簡單說明】 圖1是先前技藝之半橋式電力換流器電路架構。 圖2是依照本發明之一示意圖,其具有低電流漣波之 半橋式電力換流器電路架構。 圖3和圖4(a)至圖4(d)是依照本發明之—實施例, 其具有低輸入電流漣波之半橋式電力換流器電路架構,以 及操作原理說明之等效電路圖。 圖5 (a)和圖5 (b)分別為先期技藝及本發明之半橋 式電力換流器電路架構主要波形圖,以比較各電路特性。 圖6和圖7是依照本發明之二示意圖及實施例,其具 有低輸入電流漣波之半橋式電力換流器的電路架構。 圖8和圖9 (a)至圖9 (d)是依照本發明之又一實施 例’其具有低輸出電流漣波之倍壓電力整流器電路架構, 以及及操作原理說明之等效電路圖。 圖10至圖12是依照本發明之又三實施例,具低輸出 電流漣波之倍壓電力整流器電路架構。 15 201228200 0990033TW 34644twf.doc/n 【主要元件符號說明】 AC :交流輸出電壓 Cc :第三電容器 Col :第一輸出電容器 Co2 :第二輸出電容器 C1 :第一電容器 C2 :第二電容器 Del :第一箝位二極體
Dc2:第二箝位二極體 _ D1 :第一二極體 D2 :第二二極體 D3 :第三二極體 D4 :第四二極體
Iin :輸入電流 P1 ··變壓器的第一初級繞組 P2 :變壓器的第二初級繞組 Q1 :第一開關 Q2:第二開關 鲁 Q3 :第三開關 Q4 :第四開關 R :負載 51 :變壓器的第一次級繞組 52 :變壓器的第二次級繞組 T1 :變壓器
Vin :直流輸入電壓源 Vo :直流輸出電壓 16

Claims (1)

  1. 201228200 0990033TW 34644twf.doc/n 七、申請專利範圍: 1· 一種低電流漣波的電力轉換電路,其係用 直流電壓轉換為交流電壓輸出,包括 入 以將輪 變壓器’其包括至少—次級繞組和具有同 -第-初級繞組及-第二初級繞組,該第—初級繞给 二初級繞組係以磁轉合方式,而將輸出交流=二第 次級繞組; k彳/、予該 包括聯:路,其係與輸入直流電壓相並聯,且 包括相互串聯的一第一電容器和一第二電容器; 且 勺括:it?聯電路’其係與輸入直流電壓相並聯,且 ο括依序串聯的該第一初級繞組、一第三 二該第一初級繞組與第二初級繞:二 係77別與輸人直流電壓的正端點與負端點連接在— 包括相hi串聯電路,其係細第三電容11相並聯,並 =的一第一開關和—第二開關;以及 共同端點,盥# 电4态和第一電谷器的 起。…亥第開關和第二開關的共同端點連接在_ 該二範圍第1項所逃的電力轉換電路,立中 ㈣A第一開關係為一個金屬吩八甲 半導體開關或機電開關。 @效應電晶體、主動 3·種低電流漣波的電力轉換m 直流電_換為交流電壓輸出,=路’其侧以將輸入 17 201228200 0990033TW 34644twf.doc/n -MM器’其包括至少一次級繞組和具有同樣阻數的 了第一初級繞組及一第二初級繞組,該第一組初級繞組和 第一組初級繞組係以磁轉合方式,而將輸出交流電壓提供 予該次級繞組; 一第一組串聯電路,其係與輸入直流電壓相並聯,且 包括相互串聯的一第一電容器和一第二電容器; 一第二組串聯電路,其係與輸入直流電壓並相聯,且 包括依序串聯之該第-初級繞組、—第三電容器及該第二 初級繞組,其中該第-初級繞組與第二初級繞组的同極性 ^ k點’係分別與輸人直流電壓的正端點與貞端點連接在— 起; 一第二組串聯電路,其係與該第三電容器相並聯,並 包括相互串聯的第一對開關和第二對開關,其中該第—對 開關包括相互串聯的一第一開關及一第三開關,該 開關包括相互串聯的一第二開關及一第四開關; 第--極體’其係連接在輸人直流電壓的正端點與 S亥第一開關及該第三開關的共同端點間; -第二二極體’其係連接在該第二開關及該第四 · 的共同端點與輸入直流電壓的負端點間;以及 一紐路線,其係用以將該第一電容器和第二電容 共同端點,與該第H關和第二開關的共同端輯接在一 起。 4.如申請專利範圍第3項所述的電力轉換電路, 該第一開關、第二開關、第三開關及第四開關,係為:個 18 201228200 0990033TW 34644twf.doc/n 金屬氧化場效應電晶體、主動半導體開關或機電開關。 5. —種低電流漣波的電力轉換電路,其係用以將輸入 交流電壓轉換為直流電壓輸出,包括: 一變壓器,其包括至少一初級繞組和具有同樣匝數的 一第一次級繞組及一第二次級繞組,該初級繞組係以磁耦 合方式,將輸出交流電壓提供予該第一次級繞組和該第二 次級繞組; 0 —第一組串聯電路,其係與輸出直流電壓相並聯,且 包括相互串聯的一第一電容器和一第二電容器; 一第二組串聯電路,其係與輸出直流電壓相並聯,且 包括包括依序串聯的該第一次級繞組、一第三電容器及該 第二次級繞組,其中該第一次級繞組與第二次級繞組的同 極性端點,係分別與輸出直流電壓的正端點與負端點連接 在一起; 一第三組串聯電路,其係與該第三電容器相並聯,且 包括相互串聯的一第一開關和一第二開關;以及 ⑩ 一短路線,其係將該第一電容器和第二電容器的共同 端點,與該第一開關和第二的開關共同端點連接在一起。 6. 如申請專利範圍第5項所述的電力轉換電路,其中 該第一開關或第二開關,係為一個整流二極體、金屬氧化 場效應電晶體或主動的半導體開關。 7 —種低電流漣波的電力轉換電路,其係用以將輸入 交流電壓轉換為直流電壓輸出,包括: 一變壓器,包括至少一初級繞組和同樣匝數的一第一 19 201228200 0990033TW 34644twf.doc/n 次級繞組及一第二次級繞%, 式,將輸出交流電壓提㈣魏繞組係以,合方 組; ⑼1級繞組和第二:欠㈣ 一第一組串聯電路,其 包括相互串聯的-第_電②。'::、4直流電壓相並聯,且 私谷益和一fc ^ ^ ^ 35;. 一第一組串聯電路,其係盘 ° 包括依序串聯之該第—次、Ά直流電壓相並聯,且 次級繞組,其中該第-次級=二第f 2器與該第二 ^,係分別與輸出直流電壓的::;^ 包括對電容器相並聯,且 ;對開關f相互串聯的-第-開 Γ則:目;;:的一第二開關及-第四開關? 與該第-開·該第;:::=流電壓的正端點 的共上 -短路線,其係將該第―電容器和第二電容器的 端點’與該第—開關和第二開_共_點連接在一 ς。 8.如申請專利範圍第7項所述的電力轉換電路,其 該第-開關、第二開關、第三開關或第四開關,係為二個 整SlL—極體金屬氧化場效應電晶體或主動的半導體開關。 20
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