201227166 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於例如液晶顯示裝置等平板顯示器 (Flat Panel Display，以下稱FPD)等之製造中的多調式光罩 之製造方法、及使用上述多調式光罩之圖案轉印方法。 【先前技術】 例如FPD用之薄膜電晶體（Thin Film Transistor，以下稱 TFT)基板係使用於透明基板上形成有包含遮光部及透光部 之轉印圖案之光罩，經過例如5次〜6次之光微影步驟而製 造。近年來’為削減光微影步驟數，而開始使用於透明基 板上形成有包含遮光部、半透光部、及透光部之轉印圖案 之多調式光罩。 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] "於上述多調式光罩中，例如，遮光部係於透明基板上將 半透光膜與遮光膜依該順序形成而成，半透光部係將半透 光膜形成於透明基板上而成，透光部可設為透明基板露出 、者又itb處’所明「依該順序」為只要不妨礙钮刻 者即可’亦可於膜間插人有其他I如此之多調式光罩因 必需對半透光膜與遮光膜分別實施特定之圖案化，故藉由 描繪及顯影每項至少進行2次而製造。具體例如， =，準備將半透光膜、遮光膜、及第!抗飯膜於透明基 順序積層而成之空白光罩。然後，對第1讓 實施第-次之描繪及顯影，從而形成覆蓋遮光部之形成區 156467.doc 201227166 域及半透光部之形成區域之第〗抗蝕圖案，將第丨抗蝕圖案 作為遮罩而蝕刻遮光膜及半透光膜。其次，除去第1抗蝕 圖案而形成第2抗蝕膜，對第2抗蝕膜實施第二次之描繪及 ””員影從而七成覆蓋遮光部之形成區域之第2抗银圖案。進 而將第2抗蝕圖案作為遮罩而蝕刻遮光膜，並除去第2抗蝕 圖案。 然而，用於例如FPD用之TFT基板之製造等中之光罩與 半導體製造用之光罩相比為大型，例如一邊為5〇〇mmwj^ 之方形，甚至1邊為超過1〇〇〇mm之方形者最近也不少，故 描繪舄要較長時間。另一方面，欲提高如此之製品之 生產效率且降低價格之要求亦強烈。 因此，發明者著眼於對於描繪及顯影每項至少進行2次 之上述方法提高生產率之要求。又，上述方法中，因於第 1次之描繪與第2次之描繪之間進行顯影、圖案化（蝕刻）步 驟，故必需將自描繪機卸下且藉由上述步驟而處理之光罩 中間體再次安裝於描繪機。於如此之情形時，為消除第^ 次與第2次所描繪之圖案間之偏移而進行描繪，雖讀取藉 由描繪機而形成於遮罩上之對準標記，並以該對準標記^ 置為基準實施利用描繪機之適當之修正並 對準騎），㈣便μ亦難以完切止位置偏 此之對準描繪時所產生之位置偏移例如根據本發明者之研 九有時會產生0.1 μιη〜〇.5 μιη左右，於該情形時，轉印圖案 之形成精度下降。例如，當欲利用如此之多調式光罩製作 液晶顯示裝置用之TFT時，作為設計值本來具有相同之線 156467.doc 201227166 寬之遮光圖案變為起因於上述位置偏移而不同之線寬且 於面内，相當於所產生之上述位置偏移量，而沿線寬產生 分佈。 進而，根據本發明者之見解，形成根據位置不同而抗蝕 殘膜值不同之抗蝕圖案，且藉由利用該抗蝕圖案之減膜可 削減描繪及顯影之次數。具體而言，首先，準備將半透光 膜、遮光膜、及第1抗敍膜於透明基板上依該順序積層而 成之空白光罩。然後，對第丨抗蝕膜實施描繪及顯影，從 而形成覆蓋遮光部之形成區域及半透光部之形成區域、且 半透光部之形成區域中之抗蝕膜之厚度較遮光部之形成區 域中之抗蝕膜之厚度薄之第丨抗蝕圖案。將該第丨抗蝕圖案 作為遮罩而姓刻遮光膜及半透光膜。其次，將第i抗触圖 案減膜並除去半透光部之形成區域中之第丨抗蝕圖案，藉 此，使遮光膜露出，從而形成覆蓋遮光部之形成區域之第 2抗触圖案。進而將第2抗㈣案作為遮罩而飯刻遮光膜， 其後除去第2抗蝕圖案。若使用如此之方法，則於製造包 含透光部、半透光部、遮光部之（即3調式之）多調式光罩 時’僅進行1次描綠步驟即可。 然而，將其應用於現實之生產步驟_,還存在幾處困 難。其一係關於肖大型空白光罩之描繪步財，根據位置 不同而使曝光量發生變化之技術。光罩用之描繪曝光裝置 一般而言無需描繪包含中間色之圖案，因此雖進行用以描 繪之光束掃描，但使曝光量發生變化並不容易。 作為針對上述之解決方法，有以下者。日本專利特開 156467.doc 201227166 2002-189280號公報（專利文獻丨）中，記載有對於空白光 罩，以相對於形成透光部之部分抗蝕劑完全被感光之曝光 量’或以比相對於形成半透光部之部分抗蝕劑完全被感光 之曝光量少之曝光量對抗触膜進行曝光之步驟。又，曰本 專利特開2005-024730號公報（專利文獻2)中，記載有對於 形成半透光部之部分，包含使用電子束描繪機或雷射描繪 機，並利用上述描繪機之解像極限以下之圖案之描繪資料 而進行描繪之抗蝕膜曝光步驟。 而，根據本發明者之研究，不僅進行描繪步驟，而且 進行藉由描繪、顯影所形成之抗蝕圖案之減膜之步驟中亦 存在困難，且發現存在技術性課題。例如，將抗蚀膜減膜 步驟中必$對空白光罩之形成有抗钱膜之整個面内進 行均一之減膜。若根據面内位置不同而產生不均一之減 膜，則抗钮劑之殘膜量變得不均一，且藉由後續步驟之姓 刻而形成之遮光部、或半透光部之線寬相對於設計值發生 變動。因大型光罩為大面積，故不易維持面内之均一性。 作.為阻礙減膜之面㈣—性之因素之_，可列舉影響減膜 之面内均-性之抗蝕劑之減膜量依存於轉印用圖案之形 狀。具體而言’大多情況下在欲獲得之轉印用圖案中，根 據作為最終製品之裝置，有遮光部與半透光部之疏密之分 或遮光部與半透光部之面積比率中有分佈。於該情形 ’ ’例如’存在第1抗钮圖案之稀疏之區域（每單位面積之 幵口面積之比例較大之區域）中減膜速度相對增大 飯圖案之密集之區域(每單位面積之開口面積之比例較： 156467.doc 201227166 =域)中減膜速度相對減少之情形。其結果，存在正確 艢许丁眼“ 付田難且轉印圖案之形成 精度下降之情形。特別是，因FPD用光 ^ ^ ^ 早甲抗银圖案之疏 被差相對較大’故有容易出現減膜速度之不均一性之傾 向。 因此’本發明之目的在於藉由利用抗颠圖案之減膜而削 減描繪及顯影之次數，並且提高抗蚀圖案之減膜速度之面 内均一性且提高轉印圖案之形成精度。 [解決問題之技術手段] 本發明之第1態樣係-種多調式光罩之製造方法，其係 於透明基板上形成包含遮光部、半透光部、及透光部之轉 印圖案者，且藉由下述步驟形成上述透光部、上述半透光 部、及上述遮光部，即，準備將半透光膜、遮光膜、及抗 蝕膜於上述透明基板上依該順序積層而成之空白光罩之步 驟；對上述抗钮膜實施騎及顯影，從而形成覆蓋上述遮 光部之形成區域及上述半透光部之形成區域、且上述半透 光部之形成區域令之上述抗钱膜之厚度較上述遮光部之形 成區域中之上述抗蝕膜之厚度薄之第丨抗蝕圖案之步驟； 將上述第1抗钮圖案作為遮罩進行㈣之第g刻步驟·使 用將上述第1抗㈣案減臈而形成之第2抗㈣案進行触刻 之第2蝕刻步驟，且上述第〗抗蝕圖案之減膜係於上述透光 。1^之形成區域中上述半透光膜或上述抗敍膜露出之狀態下 進行。 本發明之第2態樣係一種多調式光罩之製造方法，其係 156467.doc 201227166 於透明基板上形成包含遮光部、半透光部、及透光部之轉 印圖案者，且包含：準備將半透光膜、遮光膜、及抗蝕骐 於上述透明基板上依該順序積層而成之空白光罩之步驟； 對上述抗蝕膜實施描繪及顯影，形成覆蓋上述遮光部之形 成區域及上述半透光部之形成區域、且上述半透光部之形 成區域中之上述抗蝕膜之厚度較上述遮光部之形成區域中 之上述抗蝕膜之厚度薄之第丨抗蝕圖案之步驟；將上述第夏 抗蝕圖案作為遮罩而蝕刻上述遮光膜，從而使上述半透光 膜之一部分露出之第1蝕刻步驟；將上述第i抗蝕圖案減 膜，且使上述半透光部之形成區域中之上述遮光膜露出， 從而形成覆蓋上述遮光部之形成區域之第2抗蝕圖案之步 驟；將上述第2抗蝕圖案及露出之上述遮光膜作為光罩而 蝕刻上述半透光膜從而使上述透明基板之一部分露出之第 2蝕刻步驟；將上述第2抗蝕圖案作為遮罩而蝕刻露出之上 述遮光膜從而使上述半透光膜之一部分露出之第3蝕刻步 驟’及除去上述第2抗钮圖案之步驟。 本發明之第3態樣係一種多調式光罩之製造方法，其係 於透明基板上形成包含遮光部、半透光部、及透光部之轉 印圖案者，且藉由下述步驟形成上述透光部、上述半透光 部、及上述遮光部，即’準備將半透光膜、遮光膜、及抗 蝕膜於上述透明基板上依該順序積層而成之空白光罩之步 驟，對上述抗蝕膜實施描繪及顯影，形成覆蓋上述遮光部 之形成區域及上述半透光部之形成區域、且上述半透光部 之形成區域中之上述抗蝕膜之厚度較上述遮光部之形成區 156467.doc 201227166 域中之上述抗触膜之厚度薄之第⑽圖案之步驟；將上 述第成㈣案作為遮罩而進行㈣之第w刻步驟·及使 用將上述第1抗_案減膜而形成之第2抗㈣案進行 之第2㈣步驟’·且於形成上述第成敍圖案之步驟中，二 上述透光部之形成區域形成上述轉印圖案中不包含之暫定 抗钮圖案；於上述第1餘刻步驟令，將上述暫定抗敍圖案 作為遮罩，形成暫定遮光膜圖案；於上述第2蝕刻步驟 中’除去上述暫定抗㈣案與上述暫^遮光膜圖案。 本發明之第4態樣係一種多調式光罩之製造方法，其係 於透明基板上形成包含遮光部、半透光部、及透光部之轉 印圖案者’且包含：準備將半透光膜、遮光膜、及抗飯膜 於上述透明基板上依該順序積層而成之空白光罩之步驟； 對上述抗蝕膜實施描繪及顯影，形成覆蓋上述遮光部之形 成區域及上述半ϋ光部之形成區❺、且上述半透光部之形 成區域中之上述抗蝕膜之厚度較上述遮光部之形成區域中 之上述抗姓膜之厚度薄之第丨抗钮圖案之步驟；將上述第1 抗蝕圖案與上述暫定抗蝕圖案作為遮罩而蝕刻上述遮光 膜，從而使上述半透光膜之一部分露出之第丨蝕刻步驟； 將上述第1抗蝕圖案減膜，使上述半透光部之形成區域中 之上述遮光膜露出，並形成覆蓋上述遮光部之形成區域之 第2抗蝕圖案之步驟；將上述第2抗蝕圖案及露出之上述遮 光膜作為遮罩而蝕刻上述半透光膜從而除去上述暫定抗蝕 圖案’並且使上述透光部之形成區域之上述透明基板露出 之第2触刻步驟；將上述第2抗蝕圖案作為遮罩而蝕刻露出 156467.doc •10· 201227166 之上述遮光膜從而使上述半透光膜之一部分露出之第3蝕 刻步驟；及除去上述第2抗蝕圖案之步驟。 本發明之第5態樣係如第4態樣中記載之多調式光罩之製 造方法，其中上述暫定抗蝕圖案之除去係藉由伴隨上述半 • 透光膜之姓刻之剝離而進行。 . 本發明之第6態樣係如第5態樣中記載之多調式光罩之製 造方法’其中上述暫定抗姓圖案之尺寸係線寬為丨叫以 下。 本發明之第7態樣係如第4至箄6態樣中任一項所記載之 多調式光罩之製造方法，其中上述暫定抗蝕圖案之膜厚係 與上述遮光部之形成區域中之上述抗蝕膜之厚度相等。 本發明之第8態樣係如第4至第6態樣中任一項所記載之 多調式光罩之製造方法，其中上述暫定抗蝕圖案之膜厚係 與上述半透光部之形成區域中之上述抗蝕膜之厚度相等。 本發明之第9態樣係如第丨至第8態樣中任一項所記載之 多調式光罩之製造方法，其中上述半透光膜包含含有矽之 材料。 本發明之第1 0態樣係一種圖案轉印方法，其包含下述步 . 驟：經由根據如第1至第9態樣中任一項所記載之製造方法 製造之多調式光罩，對形成於被轉印體上之被轉印抗蝕膜 照射上述曝光光，藉此於上述被轉印抗蝕膜上轉印上述轉 印圖案。 [發明之效果] 根據本發明，可藉由利用抗蝕圖案之減膜而削減描繪及 156467.doc 201227166 顯影之次數，並且描其 捉同抗叙圖案之減膜速度之面内均一性 且提高轉印圖案之形成精度。 【實施方式】 如上所述，多調式光罩之製法方法中，例如，為實現3 調式(透光部、遮光部、半透光部)，必需對透明基板上形 成的2層膜實施圖案化，且必需於先前之製造方法中進行 至少2次之描繪及顯影步驟。進而，於4調式以上之多調式 光罩中必需進行至少2次、或更多次數之描繪、顯影步 驟》因而，期待生產效率、製造成本之改良。進而，由於 複數次之描繪之圖案之相互之位置偏移而引起轉印圖案之 形成精度之下降。因此，本發明者為解決上述課題而致力 於描繪及顯影步驟之次數之削減。 首先，如圖7(a)所例示般，準備將半透光膜1〇1，、遮光 膜102·依該順序形成於透明基板1〇〇，上、且於最上層形成 有抗蝕膜103,之空白光罩i〇b，。然後，如圖7(b)之1〇3p,中 以實線所例示般，對空白光罩10b，所具有之抗蝕膜1〇3,實 施曝光、顯影，從而形成具有例如2段階之厚度之第1抗姓 圖案103p’ 。 第1抗蝕圖案103p'形成為覆蓋遮光部11〇,之形成區域及 半透光部11 5’之形成區域’且半透光部11 5,之形成區域中 之抗触膜103’之厚度較遮光部110’之形成區域中之抗触膜 103'之厚度薄。又，所謂遮光部110'或半透光部us'之形成 區域，係指在欲獲得之多調式光罩中，欲形成遮光部110' 或半透光部115'之區域。 I56467.doc •12- 201227166 然後，將第1抗蝕圖案l〇3p，作為遮罩而蝕刻遮光膜1〇2, 及半透光膜101，。其次，如圖7(b)21〇4p，中以虛線與部分 實線所例示般，將第成触圖案吻，減膜，從而形成覆蓋 遮光部110’之形成區域之第2抗蝕圖案1〇4〆。然後，於圖 7(c)中，例示將第2抗蝕圖案1〇4ρι作為遮罩而蝕刻半透光 膜101’後，將第2抗蝕圖案ι〇4ρ·除去完時之態樣。根據該 方法，可分別將描繪及顯影步驟之次數削減至〖次，且可 解決上述之課題。此處，所謂減膜，係指例如自抗蝕圖案 1〇3ρ’之露出之上部（表面）沿垂直方向使所需量之抗蝕圖案 103ρ'消失’從而使膜厚減少。 上述中第1抗蝕圖案1〇3ρ，之減膜可藉由例如使用電漿灰 化法將由電漿而產生之活性物質例如活性氧供給至第^充 蝕圖案103ρ ’且分解並灰化（ashing)構成抗蝕膜1⑽，之有 機物而進行。然而，根據本發明者之研究，可知該方法中 第1抗蝕圖案l〇3p，之減膜速度之面内均一性不充分。其結 果，正確地進行利用減膜之抗蝕圖案之形狀控制變得困 難，例如，如圖7(02^5所示，可知存在部分之轉印圖案 之尺寸形成得較預定區域小之情形。 因此本發明者就降低減膜速度之面内均一性之理由進行 積極研究。 以下’參照圖說明其理由。 圖6係例示第！抗蝕圖案1031)，之減膜機制之刮面圖。圖6 中，（bl)表示減膜前之第1抗蝕圖案1〇315，之構成，（b2)表示 利用活性氧將第1抗蝕圖案10313，減膜之情形，（b3)表示將 156467.doc -13- 201227166 藉由減膜所獲得之第2抗姓圖案104p,作為遮罩而姓刻遮光 膜從而形成轉印圖案之情形。 圖（1)所示’第1抗韻圖案1〇3〆包含稀疏之區域（例 。每單位面積之開口面積之比例較大之區域）與密集之 ° ( 'J 士每單位面積之開口面積之比例較小之區域）。 具體而吕，例如透光部120,(參照圖7(c))之形成區域相當於 品域遮光部U〇'(參照圖7(C))或半透光部115·(參照 圖7⑷)之形成區域相當於密集之區域。 处於稀疏之區域令，因作為減膜對象之抗蝕材料 (第1抗姓圖案103〆)相對較少，故活性氧之消耗並無那麼 b稀疏之區域中，易成為供給至第1抗蝕圖案 1〇3ρ之母單位面積之活性氧之供給量較藉由將第1抗㈣ 案103ρ減膜所消耗之每單位面積之活性氧之消耗量多之狀 態。即’於稀疏之區域中第！抗钮圖案1〇3ρ，之減膜速度容 易相對地增大。 對此’於密集之區域中，因作為減膜對象之抗蝕材料 (第1抗蝕圖案1〇3〆）相對充足地存在，故活性氧之消耗量 良多。因此’密集之區域中’易成為供給至第"充蝕圖案 1〇3Ρ’之每單位面積之活性氧之供給量較藉由將第】抗姓圖 案⑻Ρ’減膜所消耗之每單位面積之活性氧之消耗量不充分 之狀態。即，於密集之區域第m姓圖案ι〇3ρ.之減膜速度 谷易相對地減少。 如此，可知存在受到作為減膜對象之第i抗姓圖案⑼〆 之形狀之影響，從而減膜速度之面内均一性下降之情形。 I56467.doc •14· 201227166 於該情形時，藉由減膜速度之面内均一性下降，正確地進 订利用減膜之形狀控制變得困難，如圖6(b3)所例示般轉印 圖案之形成精度下降。特別是，FPD用光罩中因抗#圖案 之疏密差相對較大，故有易顯著地出現減膜速度之不均一 性之傾向。又，減膜速度之面内均一性之下降不僅出現於 抗蝕圖案之疏密差較大之情形時，亦顯著地出現於抗蝕圖 案之開口面積自身之差較大之情形。 因此本發明者就提高減膜速度之面内均一性之方法進一 步進行積極研究。其結果發現於減膜處理步驟中，將活性 氧之消耗量於面内均一化之方法。即，最終獲得以下見 解：於活性氧相料易變得過量之區域（抗姓膜之露出較 少之區域），使與活性氧反應之材料露出，藉此，使供給 至第1抗餘圖案H)3p，之活性氧之—部分消耗，從而可提高 減膜速度之面内均^性。 根據本發明者之研究，藉由採用如此之方法，形成於多 調式光罩之半透光部與遮光部之圖案線寬（即，半透光膜 圖案與遮光膜圖案之線寬）可接近於遮罩之設計資料所提 供之設計值。又，即便設計值與實際之線寬產生特定之差 異，亦可使該產生之差異於面内均一。 本發明係基於本發明者所提出之上述見解者。 <本發明之第1實施形態> 以下參舨圖1及圖2對本發明之第丨實施形態進行說 月圖1係本第1實施形態之多調式光罩i〇之製造步驟之流 程圖。圖2係表示使用多調式光罩1〇之圖案轉印方法之剖 156467.doc •15- 201227166 面圖。 (i)多調式光罩之製造方法 (空白光罩準備步驟） 首先’如圖1(a)所例示般’準備將半透光膜1〇ι、遮光膜 102依該順序形成於透明基板1〇〇上、且於最上層形成有抗 姓膜103之空白光罩1 〇b。 透明基板100主要由作為包含含有例如石英（Si〇2)玻璃、 或 Si02、Al2〇3、B2〇3、R〇(R為鹼 土金屬）、r2〇(r2為鹼金 屬）等低脹玻璃等之平板而構成。透明基板1〇〇之主面（正面 及背面）經研磨等平坦且平滑地構成。透明基板1 〇〇可設為 例如一邊為2000 mm〜2400 mm左右之方形。透明基板1〇〇 之厚度可設為例如3 mm~20 mm左右。 半透光膜101包含含有鉬（Mo)或鈕（Ta)等金屬材料與石夕 (Si)之材料’且包含例如MoSi、MoSix、MoSiN、 MoSiON、MoSiCON、TaSix等。半透光膜1〇1構成為可使 用氟（F)系之|虫刻液（或钮刻氣體）而進行触刻。又，半透光 膜1 〇 1具有對包含含有硝酸鈽銨（(NH4)2Ce(N03)6)及過氣酸 (HCIO4)之純水之鉻用蝕刻液之蝕刻耐性，且作為如後述 般使用鉻用蝕刻液蝕刻遮光膜102時之蝕刻終止層而發揮 作用。 遮光膜102實質上含有鉻（Cr)。又’若於遮光膜1〇2之表 面積層有Cr化合物（CrO、CrC、CrN等）（未圖示），則遮光 膜102之表面可具有反射抑制功能。遮光膜1 〇2構成為可使 用上述之鉻用蝕刻液而進行蝕刻。 156467.doc -16- 201227166 抗蝕膜103可由正型光阻劑材料或負型光阻劑材料而構 成。於以下之說明中，將抗蝕膜1〇3作為由正型光阻劑材 料而形成者。抗蝕膜103可使用例如狹縫塗佈機或旋轉塗 佈機等而形成。 (第1抗蝕圖案形成步驟） 其次’對空白光罩i〇b利用雷射描繪機等進行描緣曝 光，使抗蝕膜1 03感光，將顯影液供給至抗蝕膜丨〇3並進行 顯影，從而形成覆蓋遮光部110之形成區域及半透光部ιΐ5 之形成區域之第1抗蝕圖案l〇3p。將形成有第1抗蝕圖案 1 〇3p之狀態例示於圖1 (b)。如圖1 (b)所示，第i抗钱圖案 l〇3p形成為半透光部U5之形成區域中之抗蝕膜ι〇3之厚度 較遮光部110之形成區域中之抗蝕膜1〇3之厚度薄。又所 謂遮光部110或半透光部115之形成區域係指欲獲得之多調 式光罩10中，欲形成遮光部11〇或半透光部115之區域。 如此，為形成厚度不同之第1抗蝕圖案103p，可使用例 如以下之方法。根據以下之方法，可藉由丨次描繪與丨次顯 影處理而形成具有2個以上之殘膜量之第1抗钱圖案ι〇3ρ。 具體而言，於準備上述之空白光罩l〇b進行描繪時，於形 成透光部120之區域，應用使抗姓膜1 〇3完全感光之曝光 量’又’於形成半透光部115之區域，應用較使抗蝕膜ι〇3 完全感光少之曝光量。就該描繪方法之詳細情況，以下舉 出2個例子進行詳細敍述。 (a)利用半劑量描繪之方法 將編排有遮光部110、透光部120及半透光部115之全部 156467.doc 17 201227166 之圖案資料之遮罩圖案之合成資料以如圖8⑷所示般，包 a遮光。p資料11Qd、透光部資料、及半透光部資料 115d之情形作為例子。於該情形時，將遮罩圖案之合成資 料刀離為圖8(b)所示之遮光部資料110d及透光部資料 12〇d、與圖8(c)所示之半透光部資料115d。此處，上述資 料之分離時，遮光部資料u〇d可包含於圖8(c)之半透光部 資料側。於使用正型抗蝕劑之情形時，因遮光部資料丨 為無法進行描繪之部分，故無論根據哪一種之資料分離方 法於以後之描繪步驟中表示相同之結果，故不會產生問 題。而且，以抗蝕膜103可完全除去之曝光量〇 〇〇%)對透 光部120之形成區域進行描繪後，以抗蝕膜1〇3完全被感光 之曝光量之大約一半之曝光量對半透光部U5之形成區域 進行描繪，藉此’可進行圖8(a)所示之圖案之描繪。再 者’就透光部120之形成區域與半透光部U5之形成區域之 描繪之順序而且，雖順序不同，但哪一個在先均可。於抗 蝕膜103上（正抗蝕劑上之描繪例）描繪上述圖8(a)所示之描 緣圖案時之曝光量之分佈如圖9所示。即，區域c(透光部 120之形成區域）之曝光量為wo%，區域a(半透光部115之 形成區域）之曝光量為50。/。’區域b(遮光部11〇之形成區域） 之曝光量為0%(未曝光）。半透光部之曝光量並不限定於上 述之值，例如可設為30%以上70%以下。只要為該範圍， 則抗蝕殘膜量作為蝕刻時之遮罩不會產生不良，且可在明 確保持抗蝕膜之較厚之部分與較薄之部分之邊界之狀態下 進行精度之較高之減膜。 156467.doc •18· 201227166 而如作為圖9之I-Ι剖面圖的圖i〇(a)所示，以圖9所 不之曝光分佈進行描繪之情形時，以區域B未曝光，區域 A曝光、顯影後之膜厚為區域]3之殘膜值之大約一半之方 式調節描繪時之曝光量。於區域c進行抗蝕圖案化時，提 供抗蝕劑完全被除去之足夠之曝光量。例如，作為此時之 才田繪方法，利用雷射描繪機以曝光量100%之光量進行區 域c之祸繪後，以曝光量5〇%左右之光量進行區域a之描 繪。就區域A、C之描繪順序而言哪一個在先均可。 其次，如圖10(b)所示般，以具有膜厚差之方式對抗蝕 膜103進行顯影。此時，抗蝕膜103之膜厚為區域A係區域 B之大約一半左右，區域c為完全被除去之狀態。又，此 處，雖將半透光部115之形成區域（區域A)之曝光量設為 50%，但根據所需之殘膜值，可於例如2〇%〜8〇%左右之範 圍内進行變更。藉由如此般變更曝光量，可以顯影後成為 所而之殘膜值之方式形成區域A。本第丨實施形態中，可於 如此般一個步驟中連續地進行描繪。 (b)利用未解像圖案描續·之方法 其次，對其他抗蝕圖案形成方法進行說明。於該方法 中，亦使用上述空白光罩l〇b，並使用雷射描繪機等進行 描繪。描繪圖案如作為一例圖12所示般，包含遮光部圖案 110a、110b、透光部圖案12〇p、及半透光部圖案丨丨祚。此 處，半透光部圖案115p為形成有包含使用之描繪機之解像 極限以下之微細圖案（線與間隙）之遮光圖案U5a、及透過 圖案115b之區域。例如，若使用之雷射描繪機之解像極限 156467.doc -19- 201227166 為2.0 μιη，則圖12中半透光部圖案115p中之透過圖案n5b 之間隙寬度可設為未滿2.0 μιη，且可將遮光圖案U5a之線 寬設為描繪機之解像極限以下之未滿2 . 〇 μιη。又，於線與 間隙圖案之情形時，可根據將線寬設為多少，調節藉由該 圖案進行曝光時之曝光量，並可最終控制形成半透光部 115之部分上之抗蝕膜1〇3之殘膜值。例如，線寬可設為未 滿描繪機之解像最小線寬之i/2，例如ι/8〜1/3。 使用包含如此之遮光部圖案1 1 〇a、1 1 〇b、透光部圖案 120p、及半透光部圖案115p之圖案之描繪資料（於圖丨之之 圖案之情形時，例如較佳為利用合成透光部圖案丨2〇p之資 料與半透光部圖案115p之資料之1種資料）進行一次描繪。 將此時之曝光量作為形成有透光部丨2〇之區域之抗蚀膜丨〇3 充为地被感光之曝光量。於是，於形成有透光部12〇之區 域（圖11所示之C區域）中，抗蝕膜1〇3充分地被感光；於形 成有遮光部110之區域（圖11所示之B區域）中，抗姓膜1〇3 為未曝光（未曝光）狀態。進而’於形成有半透光部115之區 域（圖11所示之A區域）中，因上述遮光圖案1153無法利用 描繪機解像’故無法描繪其線寬，作為整體之曝光量變得 不足。即’於半透光部115之形成區域中可獲得與減少該 形成區域整體之曝光量並對抗蝕膜1〇3進行曝光相同之效 果。描緣後，若將其以特定之顯影液進行顯影，則空白光 罩l〇b上形成有遮光部ii〇(b區域）與半透光部115(A區域）中 抗触膜103之殘膜值不同之第1抗蝕圖案ι〇3ρ(參照圖 11(b))。半透光部115之形成區域中，因實際之曝光量較抗 156467.doc •20· 201227166 蝕膜103完全被感光之曝光量少’故若對抗蝕膜ι〇3進行顯 影，則無法完全溶解’且以較未曝光之遮光部11 0之抗蚀 膜103薄之膜厚而殘存。又，透光部120中，抗钮膜1.成 為完全被除去之狀態。 ' 又，包含2個以上之殘膜量之抗蝕圖案之形成方法並不 限定於上述。可藉由一面進行描繪機之光束掃描，一面根 據掃描區域變更其強度之方法等上述以外之方法根據抗触 膜103之位置進行不同之曝光量之描繪。 (第1钱刻步驟） 其次’如圖1 (C)所示般’將形成之第1抗蝕圖案i 03p作為 遮罩’蝕刻遮光膜1 02從而形成遮光膜圖案1 〇2p。遮光膜 102之姓刻可將上述之鉻用飯刻液利用喷霧方式等方法供 給至遮光膜102而進行濕式触刻。此時，基底之半透光膜 101作為钱刻終止層而發揮作用。如此，將形成有遮光膜 圖案102p之狀態例示於圖i(c)。 (第2抗蝕圖案形成步驟） 其次’將第1抗蚀圖案1 〇3p減膜，而使半透光部115之形 成區域中之遮光膜1〇2露出。此時，抗蝕膜103之較厚之遮 • 光部110之形成區域中殘留有抗蝕膜103。藉此，形成覆蓋 • 遮光部110之形成區域之第2抗蝕圖案1 〇4p。將其狀態例示 於圖1(d)。 第1抗触圖案l〇3p之減膜可使第1抗蝕圖案1〇3p灰化而進 行°例如’使氧（〇2)氣等反應性氣體之電漿產生，利用產 生之活性氧將作為有機物之抗蝕劑分解為c〇x& h2〇等並 156467.doc 201227166 除去，藉此，可進行減膜。若如此般將活性氧供給至第】 抗姓圖案103p，則可分解構成抗钮膜i 之有機物並進行 減膜。作為反應性氣體，可使用例如〇3氣體或氣體。… 氣體可藉由利用例如公知之真空紫外線（Vacuum Ultra-Violet : 以下稱 VUV) 照 射裝置 、或準分子11乂燈 、低壓水 銀燈等光照射，或電漿照射使空氣中之氧（〇2)臭氧（〇3)化 而產生。 此處所明活性氧，可認為係指例如除〇3自身以外，包含 於電黎·化之〇3氣體或〇2氣體中之經基自由基（Η〇·)、或包 含反應性氣體中存在之為與抗触膜103發生反應而具有充 分之活性之氧原子（0)之化學物種全體。 然，如上所述，於藉由供給活性氧而將第丨抗飯圖案 1〇3ρ減膜之情形時’根據第i抗蝕圖案1〇3ρ之形狀，存在 活性氧之供給量與消耗量之平衡於面内變得不均一從而減 膜速度之面内均一性下降之情形。即，第i抗蝕圖案丨〇3ρ 於稀疏之區域中，存在減膜速度相對地增大之情形。 對此’本第1實施形態中，於抗蝕膜103之露出較少之區 域中’於具有消耗活性氧之效果之半透光膜1〇1露出之狀 態下將第1抗蝕圖案1〇3ρ減膜《藉此使供給至第1抗蝕圖案 1 〇3ρ之活性氧之一部分消耗，不論抗蝕圖案之疏密，活性 氧之供給量與消耗量之平衡於面内變得均一，從而可提高 減膜速度之面内均一性。圖4係表示本第1實施形態之第又 抗蝕圖案103ρ之減膜機制之剖面圖。圖4中，表示減膜 前之第1抗飯圖案l〇3p之構成；（b2)表示利用活性氧將第i 156467.doc -22- 201227166 抗蝕圖案ι〇3ρ減膜之情形；（b3)表示將藉由減膜所獲得之 第2抗蝕圖案10415作為遮罩而形成轉印圖案之情形。如圖4 所不，根據本第1實施形態，於稀疏之區域將半透光膜 露出並進行配置，藉此，可抑制於稀疏之區域及密集之區 域之各者所消耗之每單位面積之活性氧之消耗量之差。 即，使供給至第1抗蝕圖案103p之活性氧之一部分藉由露 出之半透光膜101而消耗。然後，藉由將第！抗蝕圖案ι〇3ρ 減膜所消耗之每單位面積之活性氧之消耗量之面内之差能 夠以藉由半透光膜1〇1所消耗之每單位面積之活性氧之$ 耗量而填補。其結果，可提高減膜速度之面内均一性，且 可正確地進行藉由減膜而形成之第2抗蝕圖案ι〇4ρ之形狀 控制。X，半ϋ光膜101所具有之活性氧之消耗效果係藉 由使包含於半透光膜101之8丨與活性氧發生反應，從而活 性氧被si所捕捉，或因活性氧與半透光膜1〇1表面之間所 產生之相互作用使活性氧失活而產生。 (第2蝕刻步驟） 其-人，將第2抗蝕圖案1 〇4p及露出之遮光膜1〇2作為遮 罩，蝕刻半透光膜101而形成半透光膜圖案1〇lp ,從而使 透明基板100部分露出。半透光膜1〇1之蝕刻可藉由將氟 (F)系之蝕刻液（或蝕刻氣體）供給至半透光膜1〇1而進行。 如此，將形成有半透光膜圖案1〇lp之狀態例示於⑷。 (第3蝕刻步驟） 繼而，將第2抗敍圖案叫作為遮罩，進而触刻遮光膜 102從而使半透光膜1〇1露出。遮光膜1〇2之蝕刻可藉由將 156467.doc -23· 201227166 上述之鉻用蝕刻液供給至遮光膜102而進行。此時，基底 之半透光膜101作為蝕刻終止層而發揮作用。將第3蝕刻步 驟所實施之狀態例示於圖1(f)。 (第2抗蝕圖案除去步驟） 然後，除去第2抗蝕圖案ι〇4ρ，從而完成本第1實施形態 之多調式光罩10之製造。第2抗触圖案刚卩可藉由使剝離 液等與第2抗蝕圖案104p接觸而除去。將除去第2抗蝕圖案 之狀態例示於圖1(g)。 藉由以上，完成如例示於圖1(g)之多調式光罩1〇之製造 步驟。圖1(g)所示之多調式光罩10係用於例如平板顯示器 (FPD)用之薄膜電晶體（TFT)基板之製造等。然，圖1(g)係 例示多調式光罩之積層結構者，實際之圖案未必與此相 同。 多調式光罩10包含之遮光部110、半透光部115、及透光 部120係構成為相對於具有例如i線〜g線之範圍内之代表波 長之曝光光，分別具有特定之範圍内之透過率。即，遮光 部110構成為使曝光光遮蔽（光透過率大約為〇%)，透光部 120構成為使曝光光大約透過1〇〇%。且，半透光部ιι5構成 為例如曝光光之透過率為20%〜80%(將足夠寬之透光部12〇 之透過率設為100%時，以下同樣），較佳為減少至 3 0/〇〜60%左右。又，所謂丨線（365 nm)、h線⑽5㈣、g線 (436 nm)’係指水銀（Hg)之主要之發光光譜，此處所謂代 表波長係指i線、h線、g線中任一之任意之波長。又，相 對於i線〜g線中任一之波長，更佳為上述透過率者。 156467.doc -24· 201227166 (2)對被轉印體之圖案轉印方法 圖2中例示根據使用多調式光罩1〇之圖案轉印步驟而形 成於被轉印體30上之抗蝕圖案302p(實線部）之部分剖面 圖。抗触圖案302p係藉由對作為形成於被轉印體3〇上之被 轉印抗蝕膜之正型抗蝕膜302(虛線部與部分實線部）經由多 調式光罩10照射曝光光’並進行顯影而形成。被轉印體3 〇 包含基板300及於基板300上依序積層之金屬薄膜或絕緣 層、半導體層等任意之被加工層301，正型抗钮膜302係於 被加工層301上預先以均一之厚度而形成者。又，構成被 加工層301之各層亦可構成為對各層之上層之蝕刻液（或蝕 刻氣體）具有耐性。 若經由多調式光罩1 0對正型抗蝕膜3 〇2照射曝光光，則 遮光部110中不透過曝光光，又，曝光光之光量依半透光 部11 5、透光部120之順序階段性地增加。而且，正型抗鞋 膜302係於與遮光部11 〇、半透光部！〗5之各者相對應之區 域膜厚依序變薄，於與透光部12〇對應之區域被除去。如 此，被轉印體30上形成有膜厚階段性地不同之抗蝕圖案 302p ° 一旦形成抗蝕圖案302p，則對露出在未由抗蝕圖案3〇2p 所覆蓋之區域（與透光部120對應之區域）之被加工層3〇1自 表面側依序進行蝕刻並將其除去。然後，將抗蝕圖案3〇2p 灰化（減膜）並除去膜厚較薄之區域（與半透光部丨15對應之 區域），依序蝕刻並除去重新露出之被加工層3〇]^如此， 藉由使用膜厚階段性地不同之抗蝕圖案3〇2p，實施先前之 156467.doc -25- 201227166 光罩2枚之步驟，可削減光罩枚數，且可簡化光微影法步 驟。 (3)本第1實施形態之效果 根據本第1實施形態，發揮以下所示之1個或複數個作 用。 根據本第1實施形態，藉由利用第1抗蝕圖案l〇3p之減 膜，可削減描繪及顯影步驟之次數。藉此，可提高多調式 光罩10之生產_，且可降低製造成本。X，於形成3調式 之轉印圖㈣’可防止2種（遮光膜®案化與半透光膜圖案 化）圖案間之位置偏移，故可抑制轉印圖案之形成精度之 下降。 又，根據本第1實施形態，於抗蝕劑減膜步驟之時，遍 及面内而配置與活性氧反應之物質或介質。即，於抗蝕膜 1〇3之露出相對較少之透光部12〇中，為使半透膜露 出，故若使該半透光膜101中含有Si等可與活性氧反應 者，則面内所消耗之活性氧之多少產生較大之不均一。換 言之，露出之半透光膜101將代替第丨抗蝕圖案ι〇3ρ，而使 產生之活性氧之一部分消耗。又，半透光膜101較佳為包 含含有Mo等金屬材料與Si之材料。藉此，能夠以藉由半透 光膜101所消耗之每單位面積之活性氧之消耗量填補藉由 將第1抗蝕圓案103p減膜所消耗之每單位面積之活性^之 消耗量之面内之差，並且將第旧钱圖案叫減膜。又， 為使供給至第1抗蝕圖案103p之活性氧之一部分消耗，。
使活性氧接觸半透光膜101而進行。其係由於可藉由利Z I56467.doc •26· 201227166 半透光膜101所包含之以使捕捉活性氧或使其失活而進 行因此’可局部抑制稀疏之區域之減膜速度而使其接近 密集之區域之減膜祙疳，你而π接宜说时4 面 性。並且，可提高第2抗蝕圖案104p之形成精度，且可提 高轉印圖案之形成精度。 又，根據本第1實施形態，藉由同時獲得上述之圖案間 之位置偏移防止、與轉印圖案之形成精度提高兩個效果， 而可更有效地進行圖案之線寬控制。具體而言，圖案線寬 不背離設計值，並且不會產生設計值與實際之線寬之差異 (不為0之情形）之面内偏差。換言之，相對於設計值實際 之線寬不會偏向正側或偏向負側，進而差異之傾向於面内 為固定。即，可提高半透光部與遮光部之重合精度，且可 提尚線寬之面内均一性。因此，TFT基板之圖案等具有對 稱性之圖案(例如’透光部' 遮光部、半透光部、遮光 部、透光部依該順序沿一個方向排列，相對於半透光部， 位於兩側之遮光部之線寬為相同之情形等）中，消除1前 之方法中由於2次之描繪所引起之位置偏移而無法維持該 對稱性之問題。又，亦可抑制由圖案疏密差起因及開口率 起因所引起之面内之線寬變動之偏差，故對於目標線寬之 製造過程中之控制亦變得容易。 <本發明之第2實施形態> 繼而，使用圖3對本發明之第2實施形態進行說明。約 實施形態中’上述第i抗姓圖案吻之減膜係於透光部⑽ 之形成區域殘存有半透光膜1〇1 ’於該半透光膜ι〇ι露出之 156467.doc -27- 201227166 狀態下而進行，然本第2實施形態中，第1抗蝕圖案103p之 減膜係藉由於透光部120之形成區域配置暫定之抗蝕圖 案’並使該抗蝕圖案露出而進行。即，本第2實施形態 中’形成第1抗蝕圖案l〇3p之時，同時於透光部120之形成 區域形成暫定圖案（暫定抗蝕圖案）l〇3d，藉由構成暫定圖 案103d之抗蝕膜103，一面使活性氧之一部分消耗一面將 第1抗蝕圖案l〇3p減膜，就此方面而言，與上述之第i實施 形態不同。以下，就與上述之第1實施形態不同之方面， 參照圖3進行詳細闡述。 (1)多調式光罩之製造方法 (光罩用空白基底準備步驟） 於本第2實施形態之多調式光罩10之製造步驟中，亦使 用如圖3(a)所例示般，與上述之第i實施形態相同之空白光 罩 10b。 (第1抗蝕圖案形成步驟） 以與上述之第1實施形態相同之方法，形成覆蓋遮光部 110之形成區域及半透光部115之形成區域之第丨抗触圖 案。此時，於透光部120之形成區域形成暫定圖案1〇3d。 暫疋圖案10 3 d並非作為最終之結構體，即轉印圖案而殘存 者（不包含於欲獲得之多調式光罩10之轉印圖案中），但於 夕。周式光罩10之製造步驟中’其係用於提高圖案形成精产 而發揮作用者。例如於第2抗蝕圖案形成步驟中之第丨抗钮 圖案103p之減膜時對提高減膜速度之面内均_ 丨王寻，具有 作為輔助之圖案之作用。 156467.doc -28- 201227166 又，暫定圖案l〇3d之線寬較佳為不太大，其係於下述之 暫疋圖案l〇3d之除去步驟中，與位於下層側之半透光膜 1 01之溶析同時而迅速地被剝離。即，暫定圖案1 d作為 例如抗蝕圖案之線寬較理想的是為丨μιη以下，較佳為〇 5 μηι以下，更佳為〇 .! μη1以下；作為鄰接之圖案與圖案之間 隙之部分，較理想的是為i μιη以上’較佳為2 μιη〜4 μιη左 右。即，若暫定圖案103d以線與間隙而形成，則線部線寬 較佳為0.01 μχη〜1.0㈣，進而較佳為〇〇1 μιη〜〇5 _，進 而更佳為0.01 μηχ〜(Μ μιη。又，間隙部分可為1㈣〜4 _ 左右。但，暫定圖案103d並不限制於線與間隙，於透光部 120之形成區域配置具有相同之大小之圖案（點狀圖案等 再者，本第2實施形態中，將藉由積層之膜之中至少一 層之膜之除去，而除去包含該膜且於形成於該膜之上層之 膜之態樣視為剝離。例如，於透明基板上，半透光膜、遮 光膜、抗㈣依該順序形成時，藉由將半透光膜触刻除 去’而將遮光膜與抗㈣連同半透光膜—併藉由剝離而除 去。 又，構成暫定圖案103(1之抗敍膜1〇3為以將第成领圖案 1〇3Ρ減膜時之活性氧之供需調整為㈣，而必需為於第^ 抗蝕圖案1〇3p之減膜之時’成為存在於透光部12〇之形成 區域且使表面露出之狀態’但膜厚並無特別限制。因此， 如下所述’可為與遮光膜110之形成區域相同之(相對較厚 之）膜厚’亦可為與半透光部115之形成區域相同之（相對較 4之）膜厚此處’设為具有與例如遮光部削之形成區域 156467.doc •29- 201227166 中之抗银膜103同程度之厚度者。將形成有包含暫定圖案 103p之第1抗蝕圖案i〇3p之狀態例示於圖3(b)。 (第1蝕刻步驟） 其次，以與上述之第1實施形態相同之方法，將形成之 第1抗蝕圖案103p作為遮罩而蝕刻遮光膜1〇2，從而形成遮 光膜圖案102p。此時’將暫定圖案i〇3d作為遮罩，亦形成 暫定遮光膜圖案。將形成有遮光膜圖案l〇2p之狀態例示於 圖 3(c)。 (第2抗蝕圖案形成步驟） 其次，將第1抗姓圖案l〇3p減膜，使半透光部115之形成 區域中之遮光膜102露出’從而形成覆蓋遮光部no之形成 區域之第2抗姓圖案ι〇4ρ。此時，於暫定圖案1〇3d中亦將 抗蝕膜103減膜。將其狀態例示於圖3(d)。 第1抗蝕圖案103p之減膜與上述之第1實施形態相同，以 任一方法對第1抗蚀圖案10 3 p供給活性氧而進行。本第2實 施形態中’具有與活性氧發生反應並消耗之效果之半透光 膜101露出，並且於在透光部120之形成區域配置暫定圖案 103d之狀態下將第1抗蚀圖案ι〇3ρ減膜。藉此，可消耗掉 供給至第1抗姓圖案1〇3ρ之活性氧之一部分，且可進一步 南減膜速度之面内均一性。 圖5係表示本第2實施形態之第1抗蝕圖案103ρ之減膜機 制之剖面圖。圖5中’（b 1)表示減膜前之第1抗蝕圖案丨03ρ 之構成；（b2)表示利用活性氧將第1抗蝕圖案⑺邛減膜之情 形；（b3)表示將藉由減膜所獲得之第2抗蝕圖案1〇4{)作為遮 156467.doc •30- 201227166 罩而银刻遮光膜，從而形成轉印圖案之情形。如圖5所 示’根據本第2實施形態，本來第1抗蝕圖案1〇31)藉由於稀 疏之區域配置暫定圖案l〇3d，而可使稀疏之區域及密集之 區域之各者中消耗之每單位面積之活性氧之消耗量均一 . 化。即，所產生之活性氧之一部分藉由構成暫定圖案i〇3d - 之抗蝕膜103而消耗。然後，藉由將第1抗蝕圖案1 〇3p減膜 所消耗之每單位面積之活性氧之消耗量之面内之差能以藉 由暫定圖案103d之抗蝕膜103所消耗之每單位面積之活性 氧之消耗量而填補。其結果，可進一步提高減膜速度之面 内均一性，且可更正確地進行藉由減膜而形成之第2抗蝕 圖案104p之形狀控制。又，所謂抗蝕臈1〇3之活性氧之消 耗’意味著構成抗蝕膜103之材料與活性氧發生反應並被 分解，並且該活性氧變得不與材料反應。 (第2蝕刻步驟） 其次’以與上述之第1實施形態相同之方法，將第2抗钮 圖案l〇4p及露出之遮光膜102作為遮罩，對半透光膜1〇1進 行濕式蝕刻從而形成半透光膜圖案101p。此時，暫定圖案 103d為線寬較小之圖案，故位於其下層側之半透光膜i i . 被濕式蝕刻時，藉由剝離而自半透光膜開始將上層之膜自 • 基板上除去。此時，包含暫定圖案103d之下層之暫定遮光 膜圖案亦被除去。藉此’透明基板10〇露出之透光部12〇形 成。將該狀態例示於圖3(e)。如上所述，因可使第2蝕刻步 驟中暫定圖案103d消失，故不再另外需要用於除去暫定圖 案103d之步驟。又，可形成具有特定之透過率之透光部 156467.doc 201227166 110 〇 (第3蚀刻步驟） 繼而’與上述之第1實施形態相同，將第2抗蝕圖案l〇4p 作為遮罩’進而蝕刻遮光膜1〇2從而使半透光膜1〇1重新露 出。將第3蝕刻步驟所實施之狀態例示於圖3(f)。 (第2抗蝕圖案除去步驟） 然後’與上述之第1實施形態相同，除去第2抗蝕圖案 1〇4ρ從而完成本實施形態之多調式光罩1〇之製造。將除去 第2抗蝕圖案之狀態例示於圖3(g)。 以上’圖3(g)中所例示之多調式光罩10亦具有與上述之 第1實施形態相同之形狀、光學特性等。 (2)本第2實施形態之效果 即便於本第2實施形態’亦具有與第1實施形態相同之效 果。即，不論圖案形狀（疏密差、周邊開口率）均可獲得面 内均一性之極高之減膜行為。 又’根據本第2實施形態，供給至第i抗蝕圖案1〇3ρ之活 性氧之一部分藉由構成暫定圖案〗〇3d之抗蝕膜1〇3而消 耗。藉此，藉由將第1抗蝕圖案103p減膜所消耗之每單位 面積之活性氧之消耗量之面内之差能以藉由構成暫定圖案 103d之抗钮膜1 〇3所消耗之每單位面積之活性氧之消耗量 而填補，並且可將第1抗蝕圖案1031)減膜。因此，可進一 步提兩減膜速度之面内均一性，且可提高第2抗蝕圖案 l〇4p之形成精度。 又，根據本第2實施形態，於第2蝕刻步驟中，暫定圖案 156467.doc -32- 201227166 l〇3d藉由位於其下層側之半透光膜ι〇ι之濕式蝕刻而剝 離。藉此，不再另外需要用於除去暫定圖案i〇3d之步驟。 又，根據本第2實施形態，如上所述，因使暫定圖案 l〇3d消失，故對特定之透光部11〇之透過率不殘留任何影 * 響’且可形成欲獲得之轉印圖案。 <本發明之其他實施形態> 以上，對本發明之實施形態進行了具體地說明，但本發 明並不限定於上述之第丨、第2實施形態，於不脫離其主旨 之範圍内可作種種變更。 上述之第1、第2實施形態中，半透光膜1〇1係例如包含 MoSi等鉬（Mo)者，亦可包含含有例如矽化鎢（WSi)或矽化 鎳（NiSi)等其他金屬材料與矽（Si)之材料。此外，亦可包含 矽合金、矽之氮化物、氧化物、碳化物等、或該等與上述 之材料複合而成者。 上述之第2實施形態中’將暫定圖案1〇3d作為包含複數 之細線者，但暫定圖案1 〇3d之形狀並不限於此。例如，亦 可使點狀之暫定圖案l〇3d分散存在於透光部12〇之形成區 域。於該情形時，理想的是點之尺寸不會給第2蝕刻步驟 - 中之暫定圖案l〇3d之除去帶來障礙。 上述之第2實施形態中，將暫定圖案l〇3d所具有之抗蝕 膜103設為具有與遮光部110之形成區域中之抗蝕膜ι〇3同 程度之厚度者，而暫定圖案l〇3d所具有之抗蝕膜103之厚 度可設得較上述厚度薄，亦可設為與例如半透光部115之 形成區域中之抗蝕膜103同程度之厚度。於該情形時，暫 156467.doc •33- 201227166 定圖案则之抗姓賴3於將第】抗触圖案叫減膜期間被 除去，於其後之第2钮刻步驟中使暫定圖案_消失時， 可降低產生例如對空白光罩1〇b上之抗银材料之再附著等 之虞。 本發明利用活性氧等活性物質進行抗_案之減膜時， 因根據抗钱圖案之疏密差所消耗之活性物質之量不同，故 可防止產生減膜速度之面此，不僅電聚灰 化，對於具有上述問題之抗钱劑灰化方法亦可適用。亦可 適用於例如使用臭氧或活性氧之對抗敍圖案供給臭氧水之 灰化方法、對抗姓圖案供給臭氧氣體之灰化方法、對抗姓 圖案照射紫外線或真空紫外線之灰化方法、或組合 灰化方法。 例如’使用臭氧水之灰化方法中，可於2 ppm〜150 ppm 之範圍内調整臭氧水之濃度，從而使減膜量之調整成為可 能。因此，為精密地控制減膜量，較理想的是設為2 PPm〜5〇啊之範圍者’進而較佳為2 PPm〜30 ppm。藉由 將臭氧設為如此之濃度’易控制減膜量，從而使較控制線 寬更精密之抗蝕圓案之減膜成為可能。若將此時之 供給量換算為光罩之每單位面積，則變成2〇〇 。更佳為可為 2〇〇 m cm侧〜〇.50 mI/cm2.min。只要為該範圍之供給量即 便於臭氧濃度較低之情形時，亦可將活性氧之供給量設為 過量之狀態’故較佳。又’該供給量例如可以供給之臭氣 水量除以進行處理之空白光罩基板之面積而獲得。又，臭 156467.doc -34- 201227166 氧濃度可藉由利用臭氧吸光度等之公知之測定裝置而測 定，且可測定即將供給至抗蝕圖案之前之濃度。 【圖式簡單說明】 圖Ua)-(g)係本發明之第丨實施形態之多調式光罩之製造 步驟之流程圖。 圖2係表示使用本發明之第丨實施形態之多調式光罩之圖 案轉印方法之刮面圖。 圖3(a)-(g)係本發明之第2實施形態之多調式光罩之製造 步驟之流程圖。 圖4(bl)-(b3)係表示本發明之第1實施形態之抗蝕圖案減 膜步驟之機制之剖面圖。 圖5(bl)-(b3)係表示本發明之第2實施形態之抗蝕圖案減 膜步驟之機制之剖面圖。 圖6(bl)-(b3)係表示參考例之抗蝕圖案減膜步驟之機制 之剖面圖。 圖7(a)-(c)係表示參考例之多調式光罩之製造方法之說 明圖。 έ圖8係表示本發明之第1實施形態之對空白光罩的一種描 、:, 曰（a)係表示包含遮光部資料、透光部資料、及 半透光部資料之合成f料之平面圖’（b)係表示自⑷所示 之合成資料分離出之遮光部資料及透光部資料之平面圖，
⑷係表示自⑷所示之合成資料分離出之半透光部資二之 平面圖。 H IT 圖9係表示於本發明之第i實施形態之空白光罩之抗㈣ 156467.doc -35- 201227166 上描繪叫)之描繪圖案時 圖10係圖⑹之剖面圖C佈之平面圖。 圖案之空白光罩之剖面圖 顯=姓膜上描緣出· 之剖面圖。 ⑻係顯影有抗—之空白光罩 圖ll(a)-(e)係表示本發明 其他描繪方法之流程圖。 之第1實施形態之 對空白光罩的 圖12係表示用於本發明之第1實施形態之斜空白光罩的 其他描繪方法之描繪圖案之圖。 【主要元件符號說明】 10 10b ' 10b' 30 100、100， 101、10Γ 101p 102 、 102' 102p 103 、 103' 103d 103p 、 103p， 104p ' 104p' 110 、 110， 110a 、 110b llOd 多調式光罩 空白光罩 轉印體 透明基板 半透光膜 半透光臈圖案 遮光膜 遮光膜圖案 抗钮膜 暫定圖案 第1抗Ί虫圖案 第2抗姓圖案 遮光部 遮光部圖案 遮光部資料 156467.doc -36- 201227166 115、115， 半透光部 115a 遮光圖案 115b 透過圖案 115d 半透光部資料 115p 半透光部圖案 120、120- 透光部 120d 透光部資料 1 20p 透光部圖案 300 基板 301 被加工層 302 正型抗蝕膜 302p 抗蝕圖案 156467.doc - 37 -