TW201227008A - Wire grid polarizer and method for manufacturing the same - Google Patents

Description

201227008 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係主張關於2010年1〇月27日申請之韓國專利案號N〇. 10-2010-0135675之優先權。藉以引用的方式併入本文用作參考。 本發明係關於-種可提供穩定的色彩座標之線栅偏光板結構，以 及其製造方法。 【先前技術】 一偏光板(polarizer)或一偏光裝置係指一光學部件，用以在非極 性光’如自然光中’提取-具有特定震動方向之線性偏光⑴此响 polarized light)。一般而言，當一金屬線排列週期係小於入射電磁 波（incident electromagnetic wave)波長的一半時，與一金屬線平行 之一偏極化分量(polarized component) (S波）係被反射，而與一 金屬線相垂直之一偏極化分量（P波）係被傳輸。此現象係被使用來 製造一平面偏光板’其係具有一絕佳偏極化效率、一高傳輸速率、以 及一寬廣視角。該裝置係指一線柵偏光板。 圖1係繪示有一習知線柵偏光板之結構及功能。金屬格拇2 (metal grids)係具有一恆定高度h，且係以一恆定週期A設置於一基 板1之上。在如此之線柵偏光板中，微金屬格栅之循環週期係被設定 為等於或小於可見光波長之一半。在線柵偏光板中一金屬線之循環週 期比入射光之波長小得多之情況下，當非極性光入射時，該線拇偏光 201227008 板係傳輸-p波’亦即具有-向量與—導電線柵垂直之—分量，並反 射一s波，亦即具有一向量與一導電線柵平行之一分量。 在如此之傳統線柵偏光板中，當光入射角係因形成於基板上之微 小金屬格栅而增大時，穿透率係根據人射光之波長而變動。因此，當 根據觀視角度之色彩再現((X)lc)r re_uet㈣受舰制，或光入射 於形成有金屬格柵之基板1之相對表面上時，穿透耗被基板】上的 光反射與光吸收所降低。 為求解決上述問題，如圖2所示，係藉由提供—包覆層3 (c〇ver layer)於形成在基板1上之金屬格柵2之頂面上，並將作為具有低折 射率之一空氣層之孔洞4 (pores)形成於各金屬格栅2之間的一空間。 然而，此結構需要真空製程(vacuum pr〇cesses)如一電漿加強化 學氣相沉積法(PE-CVD)、一濺鍍製程(sputtering pr〇cess)、及一蒸 鍍製程(evaporation process)，以將孔洞4維持在金屬格柵2之間。 孔洞4係具有一結構性弱點，會造成該線柵偏光板在高溫環境下或外 在環境改變時變形或損壞。 【發明内容】 《所欲解決之技術問題》 本發明之一方面係在於提供一種線栅偏光板，其係包括：第一格 桃圖案以及第二格栅圖案形成於一透明基板之上；以及一保護層 201227008 (passivation layer)於各圖案之間。因此，根據入射光之一入射角的 各波長之穿透率係被控制，以使根據一觀測角度(observat i on ang 1 e ) 之色彩變化率（color change rate)達到最小，並改善因奈米微細圖案 (nano-size fine patterns)之物理限制造成之抗刮特性 (anti-scratch characteristic)與抗腐蝕特性（anti-corrosi〇n characteristic) 〇 《技術手段》 根據本發明一實施例，一種線柵偏光板係包括：複數個第一格桃 圖案形成於一透明基板之上；複數個第二格栅圖案，由一金屬形成於 該第一格柵圖案之上；以及一保護層，填於該第一格柵圖案與該第二 格栅圖案pan空間。其巾’該第—格栅職或該第二格栅圖案之週 期係落在50 nm至200 nm之範圍内。 根據本發明另-實施例，-種線栅偏光板係包括：—保護層堆疊 於-透明紐之上；減-個衫㈣二格_案，無透明基板之 表面相隔峨，並餘人於該保護射。在此航下，該第二格拇圖 案之循環週期可落在50 nm至200咖之範圍内，且該第二格刪案 之寬度可落在2 nm至300 nm之範圍内。 根據本發明之線柵偏光板可由下述製程來製造。 線栅偏光板之製造方法係包括：形成—[格柵層於—透明基板 6 201227008 之上’其中該第一格栅層係具有複數個第一格柵圖案；沉積一金屬層 於該第一格栅層之上；蝕刻該金屬層，以形成複數個第二格柵圖案於 該第一格柵圖案之上；以及形成一保護層，埋覆該第二格柵圖案。 《功效》 根據本發明，該線柵偏光板係包括：第一格柵圖案以及第二格栅 圖案形成於一透明基板之上；以及一保護層於各圖案間之一空間。因 此’根據入射光之一入射角的各波長之穿透率係被控制，以使根據一 觀測角之色彩變化率達到最小，並改善因奈米微細圖案之物理限制造 成之抗刮特性與抗腐蝕特性。 上述及其他本發明實施例之方面、功效、與優點將配合以下所附 圖示進行說明。 【實施方式】 在以下參考所附圖示，將詳細說明本發明之實施例。相同參考的 數予將會指定到圖示解說中的相同元件，重複解說的部分將予省略。 應理解的是，「第一」、「第二」以及類似的用詞在此是用來描述不同的 元件，這些元件並不限制於此些用詞。這些用詞係用以區分各項元件 者。 圖3(a)至3(f)係根據本發明’繪示有一線栅偏光板製造方法之剖 面圖，圖4(a)、4(b)係根據本發明’繪示有線柵偏光板結構之剖面圖。 201227008 參閱圖 3(a)至 3(c)’一樹脂材料層 120 (resinmaterial layer) 係形成於一透明基板110之上’且包含有複數個第一格柵圖案121之 一第一格柵層係使用樹脂材料層120作為一模型(m〇i(i)來形成。 參閱圖3(d)、3(e)，一金屬層130係被沉積於該第一格柵層之上， 且金屬層130係被姓刻以形成第二格栅圖案131於第一格栅圖案121 之頂面上。 參閱圖3(f) ’ 一保護層140係形成以埋覆第二格柵圖案131。在 此方式下，係完成了本製造流程。 參閱圖4(a)、4(b)，根據本發明之線柵偏光板係包括：第一格柵 圖案121形成於透明基板之上；第二格柵圖案131，以一金屬形成於 第-格栅圖案121之上；以及-保護層14〇，填於該第一格栅圖案與 該第二格柵圖案之間。特別是，在此情況下，第一格柵圖案121之週 期較佳地係落在5〇 nm至2〇〇 nm之範圍内。 也就是說，該第一格栅圖案與該第二格柵圖案之間的空間，亦即 不具有_處，細聚合物或氧化物填人，以使光的變化為最小， 且因無空氣層（孔洞）插人，可確保在高溫與高濕渡環境下的可靠度。 尤其’藉由將第一格栅圖案121以一週期範圍50 nm至200 nm來形 成可藉此確保一可見光區域的平衡，並維繫-白平衡(white )右第一格栅圖案121之週期係小於50 nm或大於2〇〇 nm， 8 201227008 則紅、綠、白光會產生不平衡。 特別是，保護層140可高於第二格栅圖案⑶。較佳地，第一格 栅圖案121鮮二格細案⑶係軸為具有_寬度及高度以使透光 率及偏極化效料最大者。在此情況下，較佳轉—格刪案之寬係 為第二格栅圖案之寬的〇. 2至丨· 5倍。特別是，較佳地，第一格拇圖 案121之寬焉比係落在ΐ:〇·2至1:5之範圍内’且較佳地第一格柵圖 案121之寬度(w)係落在10nm至2〇〇]1111之範圍内，而第一格拇圖案 121之尚度(hi)係落在1〇 nm至5〇〇 nm之範圍内。 透光率可根據兩格柵（該第一及第二格栅圖案）之高度及寬度來 調整。若格栅寬度以相同間距增加，則透光率減弱，而極化消光比 (polarization extinction ratio)增加。為了確保最大的偏光效率， 偏光性質係在間距縮小時提升。若格柵係以相同的格柵間距離以及相 同的格栅寬度形成，則偏光性質係隨著格柵高度增加而改善。在上述 兩格栅類型下’可使偏光性質達到最大。 第二格柵圖案131可提供複數個金屬格柵圖案於第一格栅圖案 121之上。第二格柵圖案131可藉由以一沉積方法形成一金屬層於第 一格柵圖案之上以及蝕刻該金屬層來實施。 另外，第二格柵圖案131係具有一結構，其中由金屬形成之微細 突起圖案係以一恆定週期排列。尤其，第二格柵圖案131可藉由使用 201227008 選自由IS(A1)、鉻(Cr)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、及钻(c〇)其中任 一金屬或其合金，以一沉積方法等等形成於第一格栅圖案121之上。 『週期』係指一金屬格栅圖案（第二格柵圖案）與一相鄰之金屬格柵 圖案（第二格柵圖案）之間的一距離。 另外，第二格柵圖案131之截面可具有各種不同形狀，例如一矩 形、一三角形、或一半圓形，或可具有局部地形成於一印刷為三角形、 矩形、或正鎌形(sinusoidal shape)之基板上之—金屬線形(metal wire shape)。也就是說，可使用任何以一恆定週期排列於一單一方向 之金屬線形格柵’而不需考慮賊面結構。在此情況下，週期可等於 或小於其使用的光波長之-半。據此，該週期可落在5〇 nm至2〇〇聊 之範圍内。另外，在本發明-較佳實施例中，第二格拇圖案ΐ3ι之寬 高柯落在1:0.5至1:1.5之範圍内。特別是，第二格_案之寬度 可落在2 nm至300 ηιη之範圍内。 圖5係根據本發明，缘示有依據第一格拇圖案或第二格拇圖案之 週期的光效率模擬結果。 >閱圖5中的模擬結果’當週期為2〇〇咖時，一短波邊緣之效率 係在保護财軸之狀況下大量轉低。當職與浦本發明之第一 格栅圖案或第二格栅圖案之週期相等，亦即落在50歷至200腹、 特别是小於等於⑽nm時’就算在保護層有形成之狀況下，仍可達到 201227008 白平衡。也就是說，不具色彩變化之保護層可經由根據本發明之第一 格拇圖案或第二格柵圖案之週期設計來實施。 圖6係根據本發明另一實施例，繪示有一線栅偏光板。 保濩層140係形成於一透明基板HQ之上，而由金屬形成之第 二格柵圖案131係相隔而設於該透明基板之上。第二格栅圖案i3i可 被埋覆於保護層14〇中。 在此情況下，第二格栅圖案131之週期、材料、寬度、及面積可 等於圖3中所設之範圍。當該保護層以與形成圖3中第-格柵圖案相 同之聚合物或氧錄來形树，可_此結構。 圖7係根據本發明另一修正例’綠示有一線栅偏光板在圖3中保 遵層形成前之圖示。 在繪示的結構中，表面處理層14〇係形成於第一格拇圖案⑵或 第二格柵圖請之上。顯而易見的是，當保護層係以與第一格桃圖 案相同材料形成時，如圖6所示，第 币俗珊圖案131與表面處理層14〇 係被埋覆於該保護層中。 在圖7所示之結構中，為求改善耐久性與強度，表面處理層刚 可藉由以一大氣壓電製處理(咖_抑Pressure plasma treatment)、一真空電漿處理( plasma treatment)、一過氧化 物處理（peroxide treatment)、一於 |J ~抗氧化物處理（pr〇-〇xidant 201227008 treatment)、一抗腐蚀處理（anticorrosive treatment)、以及一自組 裝單分子層（self-assembly monolayer，SAM)塗覆其中任一者以進行 表面處理來形成。 尤其’如圖7所示’當表面處理層係形成以覆蓋整個第二格桃圖 案，與第一格栅圖案和第二格栅圖案間的連接區域時，不會造成各格 栅圖案表面變形且可改善耐久性之一氧化膜或一相似之表面處理膜係 被提供，以實施物理性質，而不會減弱光學性質，且可改善第二格栅 圖案與第一格柵圖案之聚合物層之間的黏著力。 另外，可藉由在第二格栅圖案131上進行一黑化程序(biackening process)來達到表面處理的作用。一黑化層可由使用一有機材料或一 無機材料，將第二格柵圖案131之局部或整體部分黑化而形成。也就 是說，該黑化層可形成於形成於第二格柵圖案131之局部或整體部分。 尤其，根據本發明一較佳實施例，黑化係指一使用一有機材料或 無機材料來覆蓋第一格拇圖案131表面之包覆層的形成。更佳地， 該基板之表面反射率可設為等於或小於該黑化層的。 該用於黑化之有機材料之例子係包括一鉻氧化物（chr〇mi咖 oxide)或一含碳材料(carb〇n-containing materiai);而該無機材料 可由在銅上進行一氧化製程來處理。也就是說，當使用無機材料時， 銅係被沉積於上述金屬格栅_之上，且係被侧，以使僅有鋼會局 12 201227008 部地或整體地賴於該金屬格_案之上。織，進行—濕或乾金屬 氧化（黑化）製程，以將該銅黑化。或者，黑化層可由將絡沉積於金 屬格柵圖案之上’然後餘刻之，以使鉻局部地或整體地形成於該金層 格柵圖案之上。該黑化層係顯著地降低來自外界之光於表面重新反射 (re-reflection)之比例’進而改善一對比率（c〇ntrastrati〇)以及辨 識度(readability)。 根據本發明’ ® 3所示之線栅偏光板可由下述順序來製造。 特別是’線柵偏光板之製造方法可包括：—第—製程，其係形成 -第-格柵層於-透明基板之上，其中該第—格栅層係具有複數個第 -格栅圖案卜第二製程’其係沉積—金屬層於該第—格栅層之上； -第三製程’其健該金麟_化，_成複數個第二格柵圖案於 該第-格柵圖案之上；以及-第四製程，其係形成—保護層以埋覆該 第二格柵圖案。 也就是說’如@ 3至5所示之結構之_可由上_縣形成。 尤其’該第-格栅圖案或該第二格栅圖案之週期可落在5〇服至· nm之範圍内’且該第〆格柵圖案與該第二格柵圖案之寬度、高度、寬 高比可等於上述實施例中所述者。如—例所述，該第—格栅圖案之寬 度可落在10 run至200 nm之範圍内，該第—格栅圖案之高度可落在 咖至500 nm^範圍内，且該第一格栅圖案之寬高比可落^:〇 2 13 201227008 至1.5之範圍内。在该第三製程中，該金屬層可由一濕侧方法(㈣ etching process)來進行钱刻，以使該第二格柵圖案之寬度落在2咖 至300 nm之範圍内，或者，該第一格柵圖案與該第二格拇圖案之寬 度比落在1 :〇· 2至1 :ι. 5之範圍内。 特別是’較佳地’在本發明之第四製財，填人於該第一格桃圖 案與該第二格柵__空間之該保護層可藉由塗覆—液態樹脂來形 成’該液態樹脂可為與該第一格栅圖案之材料相同者，亦可為與該第 -格柵_之材料不同者。使用—也鶴脂射較佳地軸形成一有 效填塞結構於具有-奈求尺寸寬度與職之圖案之_—空間中，來 實施不具細或泡泡的結構。尤其，在崎況下，該祕樹脂係較佳 地使用具有-黏度(Vis〇)Sity)為約5 ep至_ ep之聚合物或氧化 物。當不使用驗態獅時’可藉由—真空沉積方法，使用—聚合物 或氧化物來埋覆該第一及第二格柵圖案。 在第四製程進行之前，可進-步地使用一大氣壓電聚處理 (atmospheric pressure plasma treatment)、一真空電漿處理(vacuum plasma treatment)、一過氧化物處理(peroxide treatment)、一前一 抗氧化物處理（pro-oxidant treatment)、一抗腐蝕處理 (anticorrosive treatment)、以及一自組裝單分子層（self_assembly monolayer，SAM)塗覆其中任一者，來進行一表面處理製程於該第一格 201227008 柵圖案或該第二格栅圖案之上在此方式下，可製造具相$所示之社 構的線栅偏光板。 ° 雖然參考實施例之許多說明性實施例來描述實施例，但應理解， 熟習此項技術者可想出將落人本發明之原理的精神及範和的眾多其 他修改及實闕。因此，本發明之範魏由顺之專概圍之範嘴， 而非本參考書之制蚊，來定義，且所树人本發明料之修改均 應被理解為被包括於本發明申請範疇之内。 【圖式簡單說明】 圖1、2係繪示有一習知線柵偏光板之結構剖面圖及運作原理； 圖3(a)至3(f)係根據本發明，繪示有一線栅偏光板製造方法之； 圖4(a)、4(b)係根據本發明，繪示有線栅偏光板結構之剖面圖； 圖5係根據本發明，繪示有線柵偏光板光效率模擬結果；以及 圖6、7係根據本發明另一實施例，繪示有一線栅偏光板。 【主要元件符號說明】 1、11〇 基板 2 金屬格柵 3 包覆層 4 孔洞 120 樹脂材料層 15 201227008 121 ' 131 格桃圖案 130 金屬層 140 保護層 A 週期 h 高度 Pi >Si 極化入射光 Pt ' St 極化透射光 16

Claims (1)

1. 201227008 七、申請專利範圍： 1. 一種線栅偏光板，包括： 複數個第一格栅圖案形成於一透明基板之上； 複數個第二格栅圖案，以一金屬形成於該第一格拇圖案之上； 以及 ’ -保護層，填於該第-格柵圖案與該第二格栅圖案間之一空 其中，該第-格栅_或該第二格柵圖案之週_落在5〇咖 至200 nm之範圍内。 2. 如申請專利範圍第丨項所述之線柵偏紐，其中該保護層係由一聚 合物或一氧化物形成。 3. 如申請專利範圍第2項所述之線柵偏光板，其中該第一格桃圖案之 寬麟落在10 nra至200 nm之範圍内，且該第一格拇圖案之高度 係落在10 nm至500 nm之範圍内。 4. 如㈣專利範圍第3項所述之線栅偏光板，其中該第一格拇圖案之 寬高比係落在1:0.2至1:5之範圍内。 5. 如申請專利範圍第i項所述之線栅偏光板，其中該第二格拇圖案係 由選自由銘(A1)、鉻(Cr)、銀(Ag)、銅(Cu)、錦⑽）、及鐵⑻其 中任一金屬或其合金來形成。 17 201227008 6. 如申請專利範圍第5項所述之線柵偏光板，其中該第一格桃圖案與 該第二格栅圖案之寬度比係落在1:0.2至1:1. 5之範圍内。 7. 如申請專利範圍第6項所述之線栅偏光板，其中該第二格拇圖案之 寬度係落在2nm至300 nm之範圍内。 8·如申請專利範圍第7項所述之線栅偏光板，其進一步包括一表面處 理層形成於該第一格栅圖案或該第二格柵圖案之表面上。 9.如申請專利範圍第8項所述之線栅偏光板，其中該表面處理層係為 下述其中任一者：一電漿處理層、一有機或無機黑化層、一過氧化 物處理層、一前-抗氧化物處理層、一抗腐蝕處理層、以及一自組 裝單分子層（SAM)塗覆層。 瓜一種線栅偏光板，包括： 一保護層堆疊於一透明基板之上；以及 一或多個第二格柵圖案與該透明基板之表面相隔而設，且被埋 覆於該保護層中。 11. 如申睛專利範圍帛1〇項所述之線栅偏光板，其中該第二格拇圖案 之週期係落在50nm至200 nm之範圍内。 12. 如申请專利範圍帛u項所述之線栅偏光板，其中該第二格拇圖案 之寬度係落在2nm至300 nm之範圍内。 13·種線栅偏光板製造方法，包括： 201227008 形成一第一格柵層於一透明基板之上，其中該第一格柵層係具 有複數個第一格栅圖案； 沉積一金屬層於該第一格柵層之上； 钱刻該金屬層，以形成複數個第二格柵圖案於該第一格栅圖案 之上；以及 形成一保護層，以埋覆該第二格柵圖案。 14. 如申請專利範圍第a項所述之線栅偏光板製造方法，其中形成該 第一格柵層之製程係藉由形成複數個週期落在5〇nm至2〇〇 nm之 範圍内的第一格栅圖案來進行。 15. 如申請專利範圍第13項所述之線柵偏光板製造方法，其中在形成 該第二格柵圖案之製程中’該第二格柵圖案之寬度落在2nm至300 nm之範圍内。 16. 如申5月專利範圍帛15項所述之線柵偏光板製造方法，其中在形成 該第二格栅圖案之製程中，該第-格柵圖案與該第二格栅圖案之窗 度比係落在1:〇.2至1:1.5之範圍内。 17. 如申轉利範圍帛13項所述之線柵偏光板製造方法，其中形成該 保蔓層之製程係包括塗覆一液態樹脂，該液態樹脂係與該第一格拇 圖案使用相同材料’或者與該第一格栅圖案使用不同材料。 18. 如申叫專利範圍第17項所述之線栅偏光板製造方法其中在形成 19 201227008 該保護層之製程中，該液態樹脂係使用黏度為5 cp至500 cp之 一聚合物或氧化物。 19. 如申請專利範圍第18項所述之線柵偏光板製造方法，其中形成該 保遵層之製程係藉由使用一聚合物或一氧化物，以一真空沉積方法 埋覆該第二格栅圖案來進行。 20. 如申請專利範圍第19項所述之線栅偏光板製造方法，其在形成該 第一格柵層以及該第二格柵圖案之製程後、形成該保護層之製程 前，係進一步包括： 以一大氣壓電漿處理、一真空電漿處理、一過氧化物處理、一 刖抗氧化物處理、一抗腐蚀處理、以及一自組裝單分子層（Mm) 塗覆’上述其中任一者來進行一表面處理製程於該第一格柵圖案或 該第二袼栅圖案之上。 21. 如申請專利範圍第19項所述之線栅偏光板製造方法，其中在形成 該第-格柵層之製程中，該第一格栅圖案之寬度係落在1〇⑽至 111之範圍内，該第一格柵圖案之高度落在1〇 nm至咖之 範圍内，且該第-格栅圖案之寬高比落在1:Q2至1:5之範圍内。