TW201224201A - Stable nanoparticles for electroless plating - Google Patents

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201224201 六、發明說明： 本申請案係依據35 U.S.C. §119(e)而主張於2〇1〇年 10月21日申請之美國臨時申請案第61/4〇5 491號之優先 權的權益，該申請案之全部内容係以參考方式全部併入本 文中。 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用於金屬之無電鍍覆之安定無錫奈米粒 子。更具體地，本發明係關於用於金屬之無電鍍覆之安定 無錫奈米粒子’其提供金屬對基材之良好附著力。 【先前技術】 印刷電路板包含層壓（laminated)非導電性介電質夷 材，其仰賴經鑽孔且經鍍覆之貫穿孔以在板之相對兩侧^ 内層之間形成連接。無電鍍覆周知為在表面上製備金屬塗 層。介電質表面之無電鍍覆需要先沉積觸媒。一種在無電 鍍覆前用來催化或活化層壓非導電性介電質基材之常用方 法為以在酸性氣化物媒介中之錫-鈀水性膠體處理基材。該 膠體包含經錫（II)離子錯合物（如，之安定層包覆之 金屬纪芯，該錯合物作為表面安定基團以避免膠體在懸浮 液中凝聚（aggl〇merati〇n)。 士於該活化程序中，鈀系膠體吸附至絕緣基材（如，環氧 $酯或聚醯亞胺）上，以活化無電銅沉積。理論上，於鑛覆 二，、觸媒粒子在從還原劑至金屬離子之電子傳遞路徑中 、載體的角色。雖然無電銅鑛覆之效能受到許多因 /儿積溶液之組成與配位體之選擇，活化步驟為控 95386 3 201224201 制無電沉積之速率和機制之主要因素。錫/鈀膠體已於過去 數十年被商業用作無電金屬沉積之活化劑；然而，其對空 氣敏感和高費用使其還有改善空間。 雖然已於過去許多年使用膠狀錫/鈀觸媒，其有許多缺 點隨著所生產之印刷電路板之品質的增加而變得越來越顯 著。隨著電子裝置之尺寸的減少和效能的增加，電子電路 之封裝密度（packing density)已變得更高，而且後續品質 的工業標準已增加。對於可罪性有更高要求及特別是因為 高和波動之鈀費用之結果，期望有另外的觸媒組成物和採 用另外的非貴重且較不貴之金屬。膠狀鈀觸媒之安定性亦 為關切點。如上述，錫/鈀膠體係藉由錫（11)離子層而安定 化。相對離子可防止鈀聚集，但錫（11)離子會輕易地被氧 化成錫（IV)，因此該膠體無法維持其膠狀結構。此氧化會 因増加溫度和攪動而促進。若允許錫（11)下降至接近零， 則鈀粒子會增加尺寸，凝聚及沉澱且鍍覆停止。 已付出相當的努力來發現新的且更佳的觸媒。例如， 由於鈀的高費用’許多努力集中於發展非貴金屬觸酶，特 ^是往膠狀_媒發展1經有研究集巾於發展無踢把觸 、’這是因為用以降低麵之氣化錫⑴）費用昂貴且已氧化 錄需要侧速化㈣1而，此_媒尚未被證實對貫 =鑛覆有充分的活性或足夠的可靠性。再者，這些觸媒 节在靜置後逐漸地變得較低活性，而此活性改變使得此 員觸媒在商業使用上變得不可靠且不實際。 業經研究過的其他安定部分（m〇iety)，亦即錫錯合物 95386 4 201224201 之替換者，包含聚乙烯吡咯啶酮（PVP)與其他聚合物。許多 研究團隊已發表安定和均勻之經PVP保護之奈米粒子。PVP 扮演保護與安定劑之角色。鈀（11)已知為化學性結合至含 有氮、硫以及填施體（donor)原子之配位體。許多團隊已發 表其中配位體作為將鈀（II)觸媒固定至基材之有效機制之 金屬-配位體部分。亦業經發表其他金屬膠體，如銀/鈀和 銅/紐。 雖然有替代錫/鈀觸媒的觸媒，仍需要用於無電鍍覆之 改良觸媒。 【發明内容】 於一個具體例中，本發明提供一種包含麵胱甘肽和鈀 之組成物。 於另一個具體例中，本發明提供一種包含下列步驟之 方法：a)提供基材貫穿孔；丨〕）將包含一種或多種陽離子性 界面活性劑之調和劑（condii:i〇ner)施加至該貫穿孔上；c) 將包含麵胱甘肽和鈀之組成物施加至該貫穿孔；以及幻將 金屬無電沉積於該貫穿孔之壁上。· 於又一個具體例中，本發明提供一種包含下列步驟之 方法· a)&供基材貫穿孔；b)將溶脹溶劑（s〇ivent swei 1) 施加至該貫穿孔；c)將氧化劑施加至該貫穿孔；d)將中和 劑施加至該貫穿孔；e)將包含一種或多種陽離子性界面活 性劑之調和劑施加至該貫穿孔；f)微蝕刻該貫穿孔；幻將 包含麵胱甘肽和纪之組成物施加至該貫穿孔；以及h)以無 電金屬浴沉積金屬於該貫穿孔之壁上。 5 95386 201224201 包含麵胱甘肽和把之组成物形成安定之奈米粒子水溶 液，其可用以在電子組件之製造中催化無電金屬沉積。此 外，該組成物能使金屬對基材有良好附著力。該組成物不 含錫’因此避免了與錫（II)離子輕易地氧化成錫（IV)並破 壞觸媒相關之問題。亦防止鈀粒子增加尺寸並凝聚及沉澱 之問題。由於S亥組成物排除錫，觸媒的費用因不再需要昂 貴的氣化錫（II)而降低。又，對於所需要之該速化步驟， 當在製備用於金屬化之基材中避免使用錫時，，因此在製 備用於金屬化之基材中排除傳統步驟。 【實施方式】 如此說明書全文所使用，以下所給的縮寫具有以下意 義，除非内文清楚另外註明：g=公克；mg=毫克；mL=毫升； L=公升，cm=公分；m=公尺；mm=公厘；微米；nm=奈米； min.=分鐘；ppm=百萬分之份；丨mg/L=1 ppm; t =攝氏（度）； M=莫耳；DI=去離子；g/L=每公升公克數；s=秒；wt%=重量 百分率；以及Tg=玻璃轉化溫度。 術語‘印刷電路板”與“印刷線路板”在此說明書全 文中可互換性地使用。術語“鍍覆，，和“沉積，，在此說明 書全文中可互換性地使用。除非另行註明，所有的·量為重 量百分率。所有數值範圍包含上、下限值且可以任何順序 組合，除了此數值範圍邏輯上受限於總計為1〇〇%。 組成物包含麵胱甘肽和鈀。麩胱甘肽和鈀形成鈀奈米 粒子之水溶液，其中麩胱甘肽安定了組成物中之鈀奈米粒 子，致使鈀不會實質上凝聚或從組成物中沉澱出來。奈米 6 95386 201224201 粒子之平均直徑為lnm至20nm或如2nm至5nm。麵胱甘肽 和鈀組成物不含錫。該組成物可作為用於金屬之無電沉積 之觸媒。 該組成物可藉由將一種或多種來源之鈀離子與麩胱甘 肽於水溶液中組合而製備。係包含一種或多種還原劑，以 將鈀（II)離子還原至其金屬態。將溶液之組分攪動以混合 該組分，以形成安定奈米粒子之水溶液。通常，小容量可 用攪拌棒攪動，如高達200mL。大容量可用均質機。典型 混合速率可為 3000 至 25000 rpm。Fischer Scientific 製

造之PowerGenTM700為可使用之裝置之實例。可使用L和R 麩胱甘肽兩者及麩胱甘肽之消旋變體。通常，係使用L麩 * 胱甘肽。楚胱甘肽以5mg/L至500mg/L，如50mg/L至 200mg/L之量包含於組成物中。 鈀之來源包含把金屬之水溶性鹽。此鹽包含，但不限 於：氯化把、氣化鈉le、氯化鉀把、氣化銨把、硫酸飽、 硝酸把、醋酸la以及氧化纪。包含50mg/mL至10g/mL之量， 如lg/L至5g/L之量之鈀鹽。 還原劑包含，但不限於，諸如下列之化合物：硼氫化 合物，如胺硼烷（諸如二曱胺硼烷（DMAB)、三曱胺硼烷、異 丙胺硼烷以及嗎啉硼烷）、硼氫化鈉以及硼氫化鉀；其之次 磷酸鹽、銨鹽、鋰鹽、鈉鉀鹽及鈣鹽；甲醛；次磷酸鹽（諸 如，次罐酸納）；無水肼（hydrazine anhydride);狻酸（諸 如’甲酸與抗壞血酸）以及還原糖（諸如，葡萄糖、半乳糖、 麥芽糖、乳糖、木糖以及果糖）。還原劑係以5mg/L至 7 95386 201224201 500mg/L之量，如2〇mg/L至200mg/L之量包含於組成物。 水性組成物具有2.5至10,或如3至5之pH範圍。 可包含於水性組成物中之緩衝劑包含，但不限於，羧酸， 諸如，擰檬酸、酒石酸、丁二酸、蘋果酸、丙二酸、馬來 酸、乳酸、醋酸以及其鹽類；胺及其鹽；以及胺基酸及其 鹽；以及無機酸，諸如，鹽酸、硫酸以及硝酸。可包含用 以調整pH之鹼性化合物，其包含，但不限於，鹼金屬氫氧 化物’諸如’氫氧化触氫氧㈣pH調整 望之範圍之量包含緩衝劑。 包含麩胱甘肽與鈀之水性組成物可作為無電式金屬鍍 學基材之觸媒使用，該基材包含無機和有機材料，諸如， 玻璃、陶瓷、瓷土、樹脂、紙、布以及其組合。基材亦包 含金屬包覆（clad)或未包覆（unciad)之材料，諸如，印刷 電路板。此印刷電路板包含具有熱固性樹脂、熱塑性 及其組合之金屬包覆或未包覆之材料，包含纖維，諸如: 玻璃纖維、以及前述者之浸潰具體例，由於水性組成物 含錫，因此其排除將組成物施加至基材之前使用速化= (accelerator)之傳統步驟，進而降低全部金屬化程序之舟 驟數目。在組成物中，鈀奈米粒子濃度的範圍為 lOOOppm，或如25ppm至5〇ppm。基材之金屬化方法步驟的 溫度和時段為傳統的且本領域周知的。 熱塑性樹脂包含，但不限於，縮醛樹脂、丙烯酸系（諸 如，丙烯酸甲醋）、纖維素類樹脂（諸如，醋酴 ' 咽故乙酯、丙駿 \ 纖維素、醋酸丁酸纖維素以及硝酸纖維素）、聚 95386 8 201224201 聚乙稀、聚苯乙稀、苯乙稀摻和物（諸如，丙烯腈與笨乙稀 共聚物以及㈣腈_丁二稀笨Μ共聚物）、聚碳醆醋、聚 三氟氯乙烯、以及乙烯基聚合物與共聚物（諸如，醋酸乙烯 酯、乙烯基醇、乙烯醇縮丁醛（vinyl butyral)、氯乙烯、 氯乙烯-醋酸酯共聚物、二氣亞乙烯以及乙烯曱醛 formal)) 〇 熱固性樹脂包含，但不限於，酞酸烯丙酯、呋喃、三 聚氰胺-曱醛、酚-甲醛以及酚-糠醛共聚物，其係單獨存在 或與下列者複合：丁二烯丙烯腈共聚物或丙烯腈—丁二烯_ 苯乙烯共聚物、聚两烯酸系酯、聚矽氧、尿素曱駿、環氧 樹脂、烯丙基樹脂、欧酸甘油酯以及聚醋。 麩胱甘肽與鈀之水性組成物可用以催化低與高I之樹 脂兩者。低Tg樹脂具有低於160。(：之低Tg，而且高Tg樹脂 具有160C及更南之Tg。通常’ rij Tg樹脂具有i6〇°c至 280°C，或如170°C至240°dTg。高Tg聚合物樹脂包含’ 但不限於，聚四氟乙烯（PTEF)與聚四氟乙烯摻合物。此換 合物包含’例如，PTEF及聚伸笨基氧基與氰酸s旨。其他類 別之聚合物樹脂（包含具有尚Tg之樹脂）包含，但不限於， 環氧樹脂（諸如’二官能性與多官能性之環氧樹脂、雙馬來 醯亞胺/三哄以及環氧樹脂（BT環氧基）、環氧/聚伸苯基氧 基树脂）、丙稀猜丁·一稀本乙稀、聚兔酸輯（pc )、聚伸苯灵 氧基（ΡΡ0)、聚苯醚（PPE)、聚伸苯基硫基（pps)、聚项^(ρς)、 聚醯胺、聚酯（諸如’聚酞酸伸乙酯（PET)以及聚醜酸伸丁 酉旨（PBT))、聚酮（PEEK)、液晶聚合物、聚胺甲酸乙g旨、 95386 9 201224201 聚醚醯亞胺、環氧化合物以及其複合物。 於一個具體例中，麩胱甘肽與鈀之水性組成物可用以 將金屬沉積於貫穿孔之壁上。麩胱甘肽與鈀之水性組成物 可用於印刷電路板製造之水平和垂直加工兩者中。 貫穿孔係藉由鑽孔或打孔或本領域中已知的任何其他 方法而形成於板中。在形成貫穿孔之後，視需要地以水淋 洗板’以及使用傳統有機溶液清洗板並將其去油潰，然後 將貫穿孔去污潰。通常，貫穿孔之去污潰係以溶脹溶劑之 施加開始。

傳統溶脹溶劑可用以將貫穿孔去污潰。此溶脹溶劑包 含，但不限於，甘醇醚與其相關的醚醋酸酯。可使用傳統 含量之甘醇醚與其相關的醚醋酸酯。此溶脹溶劑為本領域 中周知的。可商購之溶脹溶劑包含，但不限於，CIRCUP0SIT CONDITIONERS 3302、CIRCUPOSIT HOLE PREPTM 3303 以及 CIRCUPOSIT HOLE PREPTM 4120(可商購自 Rohm and Haas Electronic Materials, Marlborough, ΜΑ) o 視需要地，以水淋洗貫穿孔。隨後，將氧化劑施加至 貫穿孔。此氧化劑包含，但不限於，硫酸、鉻酸、驗性過 錳酸鹽或藉由電漿蝕刻。通常，鹼性過猛酸鹽係作為氧化 劑使用。可商購之氧化劑為CIRCUPOSIT PROMOTER7®1 4130， 其可商購自 Rohm and Haas Electronic Materials, Marlborough, MA) ° 視需要地以水再度淋洗貫穿孔。隨後，將中和劑施 加至貫穿孔’以中和氧化劑所留下之任何酸性殘質或鹼性 10 95386 201224201 殘質。可使用傳統中和劑。通常，中和劑為含有一種或多 種胺之鹼性溶液，或3wt%之過氧化物與3wt%硫酸之溶液。 視需要地’以水淋洗貫穿孔，以及乾燥印刷電路板。 在中和之後，將鹼性調和劑施加至貫穿孔。此鹼性調 和劑包含，但不限於，含有一種或多種四級胺與聚胺以及 一種或多種陽離子性界面活性劑之鹼性界面活性劑水溶 液。此外，調和劑中亦可包含pH調節劑或緩衝劑、非離子 性界面活性劑、陰離子性界面活性劑以及兩性界面活性 劑。通常，陽離子性界面活性劑係與非離子性界面活性劑 組合。界面活性劑可以〇. 〇5wt%至5wt%，或如0. 25wt%至 lwt%的量包含於調和劑中。可商購之鹼性調和劑包含，但 不限於，可獲得自 Rohm and Haas Electronic Materials 之 CIRCUPOSIT CONDITIONER” 23卜 813 以及 860。視需要 地，在調和之後，以水淋洗貫穿孔。 陽離子性界面活性劑包含，但不限於，四烷基銨鹵化 物、烷基三曱基銨鹵化物、羥基乙基烷基咪唑啉、烷基苄 烷銨鹵化物、烷基胺醋酸酯、烷基胺油酸酯以及烷基胺基 乙基甘胺酸。 非離子性界面活性劑包含，但不限於，脂族醇，諸如， 醇烧氧化物。此脂族醇具有環氧乙烧、環氧丙燒或其組合， 以製造在分子内具有聚氧伸乙基或聚氧伸丙基鏈之化合 物，亦即，由重複出現之（-0-CH2-CH2-)基團所組成之鏈、 或由重複出現之（-O-CHrCH- CH3-)基團所組成之鏈、或其組 合。通常，此醇烷氧化物為醇乙氧化物，其具有7至15個 95386 11 201224201 碳，直鏈或分支鏈，以及4至20莫耳之乙氧化物，通常為 5至40莫耳之乙氧化物，以及更常為5至15莫耳之乙氧 化物。 許多此醇烷氧化物為可商購的。可商購之醇烷氧化物

之實例為直鏈一級醇乙氧化物’諸如，NE0D0L 9卜6、NEODOL 91-8以及NEODOL 91-9(每莫耳直鏈醇乙氧化物具有平均為 6至9莫耳之環氧乙烷之Cs-Cu醇）以及NEODOL 1-73B(每 莫耳直鏈一級醇乙氧化物具有7莫耳之環氧乙烷之平均摻 & 物之 Cii 醇）。皆可商購自 shell Oil Company, Houston, Texas ° 陰離子性界面活性劑包含，但不限於，烷基苯磺酸酯、 萘磺酸烷酯或萘磺酸烷氧酯、烷基二苯基醚磺酸酯、烷基 醚磺酸酯、烷基硫酸酯、聚氧伸乙基烷基醚硫酸酯、聚氧 伸乙基烷基酚醚硫酸酯、高級醇磷酸單酯、聚氧伸烷基烷 基醚磷酸（磷酸鹽）以及磺丁二酸燒醋。 兩性界面活性劑包含，但不限於，2_烷基_N_羧基甲基 或乙基-N-羥基-乙基或甲基咪唑鏺甜菜素、2_烷基一N_羧基 甲基或乙基-N-羧基甲基氧基乙基咪唑鐵甜菜素、二甲基烷 基甜菜素、N-烷基-胺基丙酸或其鹽以及脂肪酸醯胺基 丙基二甲基胺基醋酸甜菜素。 調和後，接著微蝕刻貫穿孔。可使用傳統微蝕刻組成 物。微蝕刻係在經暴露之銅上提供經微粗糙化之銅表面 (如，内層與表Φ蝕刻劑），以加強經沉積之無電與電子板 之後續附著力。微蝕刻劑包含，但不限於，6〇g/L至12吆几 95386 12 201224201 之過硫酸鈉或氧基單過硫酸鈉（或卸）與硫酸（2%)之混合 物、或一般硫酸/過氧化氫。可商講之微钱刻組成物為可獲

得自 Rohm and Haas Electronic Materials 之 CIRCUP0SIT MICR0ETCHtm 3330。視需要地，以水淋洗貫穿孔。 視需要地，接著將預浸劑（pre-dip)施加至經微银刻之 貫穿孔。預浸劑之實例包含2%至5%之鹽酸或含25g/L至 75g/L氣化鈉之酸性溶液。視需要地，以冷水淋洗貫穿孔。 接著’將包含麵胱甘肽與把金屬奈米粒子之水性組成 物施加至貫穿孔，以作為無電金屬沉積之觸媒β pH範圍為 2. 5至10。於室溫至50Ϊ，通常為室溫至4(TC之溫度，將 水性組成物施加至貫穿孔。在施加觸媒之後，可視需要地 以水淋洗貫穿孔。 接著’將貫穿孔之壁以無電金屬鍍覆浴無電式鍍覆金 屬。可使用包含浸浴之傳統無電浴。此浴為本領域和文獻 中周知。通常’將印刷電路板放置於含有欲沉積於貫穿孔 之壁上之期望金屬之離子之無電浴或浸浴中。可沉積於貫 穿孔之壁上之金屬包含，但不限於，銅、鎳、金、銀以及 銅/鎳合金。使用浸金或銀之飾金層或飾銀層亦可沉積於貫 穿孔之壁上之銅、銅/鎳或鎳沉積物上。通常，銅、金以及 銀係沉積於貫穿孔之壁上，銅更常為沉積於貫穿孔之壁上。 在金屬沉積於貫穿孔之壁上之後’視需要地以水淋洗 貝穿孔。視需要地’防銹組成物亦可施加至沉積於貫穿孔 之壁上之金屬。可使用傳統防銹組成物。防銹組成物之實 例為 ANTI TARNISHtm 7130 與 CUPRATECtm 3(可商購自 Rohm 95386 201224201

熱水淋洗，接著可乾燥該板。 貫穿孔可視需要地以

屬洛。此浴為本領域和文獻中周知。 壞觸媒相關之問題。 。亦防止鈀粒子增加尺寸與凝聚及沉搬

於金屬化之基材中排除傳統步驟。 〜包含麵胱甘肽與纪之組成物形成了安定把奈米粒子水 二液，其可用以在電子組件之製造中催化無電金屬沉積。 此外，該减㈣使金料基財良相著力。該組成物 =含錫，因此避免與錫⑻離子輕易地氧化成錫⑽並破 包含以下實施例以進一步闡釋本發明.，但非意圖限制 本發明之範疇。 實施例1(及比較例） 此實施例中所使用之所有化學化合物為試劑等級，除 非另行指明。化學化合物獲得自Aldrich Chemical Comparw lnc·(Milwaukee， WI)或 Fischer Scientific, lnc.，除 非另行指明。藉由於室溫在含有35mL之DI水之燒杯中添 加14 mg/L之L-麩胱甘肽，而製備L-麩胱甘肽與鈀水溶液 95386 14 201224201 之母液。在含有L-麵胱甘肽之燒杯中’隨著攪動而添加於 3mL DI水中之66mg氯化鈉把’接著使用攪拌棒強烈授動 混合物。在混合物中隨著另外的強烈攪動而添加於2mL水 中之68mg棚虱化納。該>谷液變成黑色，表示飽離子還原成 纪金屬。L-麵胱甘肽與鈀金屬之奈米粒子水溶液的pH係使 用 Fisher Scientific 的 AccumetTM AB15 pH 測定計進行測

量。水溶液之pH在8至9之範圍。在該水溶液中添加3 g/L 之擰檬酸鈉，而且將pH以〇· 1M鹽酸調整至4。纪奈米粒 子之濃度為25 ppm。奈米粒子之平均直徑測定為2.5nm± 〇.9nm。穿透式電子顯微鏡係用於測量奈米粒子之直徑。該 不米粒子之溶液係安定的。沒有任何奈米粒子之沉澱或凝 聚現象。 各兩個370T環氧樹脂/玻璃、FR406環氧樹脂/玻璃、 NELC0_6環氧樹脂/玻璃、NP-175環氧樹脂/玻璃、SY 1000-2 環氧樹脂/玻璃以及TU752環氧樹脂/玻璃層壓板獲得自

Tech Circuits，Wellingford，CT。所有板係經銅包覆。 在各板中鑽孔多個貫穿孔。貫穿孔之平均直徑為1mm。接 著將各貝穿孔去污潰（預備用於無電銅鍍覆），以及於垂直 加工中以鋼進行無電鍍覆如下： ^ 於，將各板以240公升之溶脹溶劑處理7分 鐘。該溶脹溶劑為含有10%之二乙二醇單丁醚與35 g/L之氫氧化鈉之水溶液。 2. 接著，於室溫，以水龍頭冷水淋洗板4分鐘。 3. 接著’於80Ϊ和pH 12，將各板中之貫穿孔以550 15 95386 201224201 公升之鹼性氧化劑（5〇至60 g/L之水性鹼性過猛 酸鹽）處理10分鐘。 4.於至〉孤’以水龍頭冷水淋洗板 4分鐘。 5·接著’於50°C，將板中之貫穿孔以180公升之水 性中和劑（由3 wt°/D之氫氧化鈉與3 wt%之硫酸所組 成）處理5分鐘。 6. 接著’以水龍頭冷水淋洗板4分鐘。 7. 接著，將各板以包含陽離子性界面活性劑和緩衝系 統之CONDITIONERS 860鹼性調和劑處理，以維持 pH在約11。驗性調和劑可商賭自R〇hm and Haas

Electronic Materials, LLC(Marlborough， ΜΑ)。 8. 接著’於室溫，以水龍頭冷水淋洗各板4分鐘。 9. 接著’於室溫，將各板以1〇〇公升之鹼性水溶液（2〇 g/L過硫酸銨）微蝕刻2分鐘。 10. 接著，於室溫，以水龍頭冷水淋洗板4分鐘。 11. 接著’於室溫，將含5%之濃鹽酸之預浸劑施加至 貝穿孔1分鐘。 12. 接著，於室溫，以水龍頭冷水淋洗板丨分鐘。 13·於40°C，將半數的板的貫穿孔以2公升之上述l- 麵胱甘肽與鈀之觸媒打底5分鐘，以供進行無電銅 鐘覆。纪奈米粒子之濃度為25 ppm。觸媒之PH為 4 °於40eC ’將另一半的板以2公升之控制組錫/ Is觸媒（把粒子濃度為25 ppm)打底5分鐘。母液 具有以下表1中之配方。 16 95386 201224201 表1 組分 量 氯化 1 g 濃鹽酸 300 ml 錫酸鈉 1.5 g 氯化錫 40 g 水 至1升 14. 接著，於室溫，以水龍頭冷水淋洗板2. 5分鐘。 15. 接著，於36°C，將板之貫穿孔壁以無電銅進行鍍 覆15分鐘。該無電銅浴具有以下配方： 表2 組分 量 硫酸銅五水合物 2 g 曱醛 2.5 g 氫氧化納 5 g 乙二胺四乙酸鹽 (ethylene diamine tertraacetate ; EDTA) 25 g 氯化物離子 5 g 2, 2-二吡啶基 2 ppm 水 至1升 16.在無電銅沉積之後，以水龍頭冷水於室溫淋洗板4 17 95386 201224201 17.將各板侧向剖面 各板之經剖面貫 以暴路貫穿孔之經銅鍍覆壁。從 穿孔之壁取得多個1mm厚之側向 剖面，以使用歐洲背光分級表（European 如似咖㈤咖細⑼収板之貫穿孔壁之覆 蓋率。 ^自各板之·別崎置*5〇χ倍率之〇ι卿u Ml光學顯微鏡下。藉由顯微鏡下所觀察到的光量，決吳 2積物之品質。若無觀察到光，則剖面呈全黑且以如 =覆蓋，而且評為背光表上之5。若光穿過整個剖面j 任何黑區域，此表㈣上有转少至無銅金屬沉積， 二且此剖面評為0。若此剖面具有一些暗區域及光區域， 則其評為0至5之間。 工計數各剖面之孔與間隙，記算以及平均各板。以 下表顯示取自各板之剖面之結果。 表3 觸媒 —----- 層壓板 370T 層壓板 FR406 層壓板 NELC0-6 層壓板 NP-175 — . 層壓板 SY1000-2 層壓板 TU752 ^麵胱甘肽 _/Pd ----_ 4.81 4. 50 4. 60 4. 90 4. 75 4. 99 4.42 4. 20 4. 11 4. 70 4. 30 4. 80 背光結果顯示相較於錫/la(Sn/Pd)觸媒，L-麵胱甘肽/ 知*觸媒在各層壓板具有更佳的銅覆蓋率。只有兩種使用 Sn/Pd觸媒無電鍍覆銅之層壓板具有大於4. 5之背光值。 95386 18 201224201 所有使用L-麵胱甘肽/纪觸媒無電鍍覆銅之層壓板都具有 4. 5或更大之背光值。 實施例2(附著力測試） 將具有平均直徑為1腿之複數個貫穿孔之370T環氧樹 脂/玻璃、FR406環氧樹脂/玻璃、NELC0-6環氧樹脂/玻璃、 NP-175環氧樹脂/玻璃、SY 1000-2環氡樹脂/玻璃以及TU 752環氧樹脂/玻璃層壓板去汙潰（預備用於無電銅鏡覆）， 以及於垂直加工中以銅進行無電鍍覆如下： 1·於80°C，將各板以240公升之溶脹溶劑處理7分 鐘。該溶脹溶劑為含有10%之二乙二醇單丁喊與35 g/L之氫氧化鈉之水溶液。 2. 接著，於室溫’以水龍頭冷水淋洗板4分鐘。 3. 接著’於80°C和pH 12 ’將各板中之貫穿孔以550 公升之鹼性氧化劑（50至60 g/L之水性鹼性過猛 酸鹽）處理10分鐘。 4. 於室溫，以水龍頭冷水淋洗板4分鐘。 5·接著’於室溫’將板中之貫穿孔以180公升之水性 中和劑（由3 wt%之氫氧化鈉與3 wt%之硫酸所組成） 處理4分鐘。 6.接著，以水龍頭冷水淋洗板4分鐘。 7·接著，將各板以包含陽離子性界面活性劑和緩衝系 統之CONDITIONERS* 860鹼性調和劑處理，以維持 pH在約11。 8. 接著，於室溫’以水龍頭冷水淋洗各板4分鐘。 95386 19 201224201 9· 接著，於室溫，將各板以loo公升之鹼性水溶液（20 g/L之過硫酸銨）微蝕刻2分鐘。 1 〇.接著’於室溫，以水龍頭冷水淋洗板4分鐘。 11. 接著，於室溫，將含5%濃鹽酸之預浸劑施加至貫 穿;1分鐘。 12. 接著，於室溫’以水龍頭冷水淋洗板1分鐘。 13. 於40°C，將2公升之實施例1 _所述之L-麩胱甘 肽/鈀觸媒施加至貫穿孔5分鐘。 W·接著，於室溫，以水龍頭冷水淋洗板2. 5分鐘。 15.接著，於36¾ ’以無電銅來鍍覆板之貫穿孔壁15 分鐘。無電銅浴具有與實施例1中相同的配方。 I6·在無電銅沉積之後，以水龍頭冷水於室溫淋洗板4 分鐘。接著，將它們風乾。 17 ·對各板之銅沉積物之附著力進行膠帶測試。該測試 係進行如下：對沉積於各貫穿孔表面之銅層施用 3M Scotch膠帶，而且從沉積物上撕下膠帶。在從 銅層上撕下膠帶樣本後，沒有發現任何膠帶樣本上 有可觀察到的銅殘質。據此，所有經無電鍍覆之鋼 具有良好附著力。 【圖式簡單說明】 無。 【主要元件符號說明】 無。 95386 20

Claims (1)

1. 201224201 七、申請專利範圍： 1. 一種組成物，其包括麩胱甘肽與把。 2. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其中，該鈀為奈 米粒子之形式，該把奈米輯子在該組成物中之範圍為 15 ppm 至 1000 ppm ° 3. 如申請專利範圍第2項所述之組成物，其中，該鈀奈米 粒子在該組成物中之範圍為25 ppm至50 ppm。 4. 如申請專利範圍第1項所述之組成物，其pH為2. 5至 10 ° 5. —種方法，其包括： a) 提供基材複數個貫穿孔； b) 將包含一種或多種陽離子性界面活性劑之調和 劑施加至該貫穿孔； c) 將包含麵胱甘肽和纪之組成物施加至該貫穿 孔；以及 d) 以無電金屬浴沉積金屬於該貫穿孔之壁上。 6. 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中，該組成物具 有pH範圍為2. 5至10。 7. 申請專利範圍第5項所述之方法，進一步包括電解式沉 積與該貫穿孔之該壁上之該金屬鄰接之第二金屬之步 驟。 8. —種方法，其包括： a) 提供基材複數個貫穿孔； b) 將溶脹溶劑施加至該貫穿孔； 1 95386 201224201 C)將氧化劑施加至該貫穿孔； d) 將中和劑施加至該貫穿孔； e) 將包含一種或多種陽離子性界面活性劑之調和 劑施加至該貫穿孔； f) 微蝕刻該貫穿孔； g) 將包含麵胱甘肽和把之組成物施加至該貫穿 孔；以及 h) 以無電金屬浴沉積金屬於該貫穿孔之壁上。 2 95386 201224201 四、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：本案無圖式。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：無。 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 本案無化學式。 2 95386