TW201224185A - Sputtering apparatus - Google Patents

Description

201224185 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明疋關於—種濺錢裝置 【先前技術】 的2體f置、磁裝置等的製造程序中被廣泛使用 ."^ ^使離子衝撞於濺鍍靶（sputtering target) 主不f鍍面二藉由使從該靶釋出的濺鍍粒子堆積在基板 、面“ t成薄膜。做為此濺錄裝置之—，為了形成從合 金:化合物等組成的薄膜’具有複數個陰極（cathode) 的夕元式濺鍍裝置被開發。靶分別被配置在多元式濺鍍 襄，的複數個陰極。* 般來說這錄與基板的相; 距離為固定，所以各靶的被濺鍍面被設有成相對於成膜 對象的基板表面傾斜。 、 在使靶的被濺鍍面相對於基板表面傾斜的狀況，在 基板表面，產生與被濺鍍面的相對距離為短的區域，以 及與被濺鍍面的相對距離為長的區域。在通常的狀況， 在與被藏鍵面的相對距離為相對短的區域，賤鐘粒子入 射至基板表面的粒子數會相對變多。在與被濺鍍的相對 距離為長的區域’由於散亂至基板的周圍的濺鍍粒子變 多’入射至基板表面的粒子數會相對變少。因此，—般 來說，被多元式濺鍍裝置形成的薄膜的膜厚會散此^ 均。具體來說，在薄膜的同一面内，會有在與被濺鍍面 的相對距離為短的區域，膜厚變大，在與被濺鍍面的相 201224185 對距離為長的區域，膜厚變小的傾向。 對於膜厚分佈不均的問題的對策，提案了將從旋轉 的基板的旋轉軸線到基板的外周緣部的距離、從旋轉軸 線到陰極（乾）表面的中心點的距離、與從基板表面到 陰極表面的中心點的距離的比，做為特定範圍者（參照 專利文獻1 )。 ’ 【先前技術文獻】 【專利文獻】 【專利文獻1】國際公開第2006/077837號公報 但是，即使是在同樣成膜條件進行濺鍍的狀況，在 基板上所形成的薄膜的膜厚分佈會因為靶材質而不 第十五圖表示分別使用以不同材質組成的三個乾進 :濺鍍時賴厚分佈。縱軸表示膜厚，橫軸表示與基板 離。例如，在材料1以及材料2，與基板中心 的f離在-定抱_，薄膜的厚度大致 ==的位置’膜厚會變小，可看到與以；問題； ;心變p L 在材料3 ’可看到膜厚在基板 大，作若。中Ί遺著從基板中心分離，膜厚會變 右與基板中心的距離到達固定值，則膜厚會變小。 的〆百i此*乾的材質不同，則在同—面内的膜厚分佈 ::由大幅不同。在用以往的贿= _成㈣膜⑽厚分佈會對餘材 所以在同時使用不同把來形成薄膜的狀況，薄 电方向會變得不均句’同-層内的薄膜 、成在㈣向也有不同。例如，假設基板騎在第十五 201224185 圖的材料3的曲線的頂峰位 鍍裝置將複數個材料卜2、3的狀況。用以在的濺 厚分佈，所以在i:L寻=斗由綱 周緣形成越厚的薄膜。又，二:心附近變薄’越” 到在中心附近變低，越靠緣，料3的比率，付 條件的變更，不财可即使猜供給電力等 均勾化也有限制。W到想要的膜質，在膜厚的 【發明内容】 鍵沪置，即上述問題點’其目的在於提供一種滅 =升=二同材質組成的複數個爾況，也 薄種膜r内均勻性。 靶，在成膜空門所;>5 φ八種'賤鍍襞置，具備複數個 備閘門機構，心二薄臈。該濺鍍裝置具 間之間，前述f句機構開::複= 前述成:空 成膜空間被暴露的前述献應在則述 射控制部運用在該選擇=种將適合該選擇乾的入 根據此結構，複數個入射控制部中，對應在成膜空 201224185 單體的膜厚分佈’將入射控制部的任 傾*所以即使在使用乾單體的膜厚分佈 傾向彼此相異的複數錄的狀況，可 粒子數的分佈錄每—面内均句化。因此，提$ = 所形成的薄膜的膜厚面㈣勻性，並可以 ^ 薄膜組成的均勻性。 m 在較佳例中，前述複數個入射控制部， ”個靶的外側所配置的壁部高度，具有不二= 根據此結構’藉由不同高度的壁部，可以使 入射控制部的遮蔽度不同。因此， 驟複雜化，相力求錢^置或成膜步 部，=圭::控複數個入射控制 周所設有_: 外 忒開口可暴露前述靶的被濺鍍面。 、且成 入射==包==構設有入射控制部，該 穴2由開口部組成的入射 = 控制：相面對，可力求膜厚以及組成的均句化。的入射 右μ·二車乂仏例中’別述閘門機構，具備：第-閘門，豆 數量少的開口部，對於前述』數個 轉地被δ又有，前述選擇乾是經由前述第1門的 引迷開σ部’在前述賴m選擇性地被暴露的乾；以 201224185 及第二閘門，被設於比該第一閘門靠近前述基板的位 置，具有前述複數個入射控制部，使適合藉由前述第一 閘門被選擇性地露出的前述選擇靶的入射控制部，面對 該選擇乾。 根據此結構，藉由第一閘門選擇性地暴露靶，第二 閘門使適合該暴露靶的入射控制部面對於該把。因此， 即使在使乾選擇性地暴露，由於可以適用適合該乾的入 射控制部，所以不會妨礙成膜步驟的自由度，可力求膜 厚以及組成的均勻化。 ' 在較佳例中’前述複數個入射控制部中，具有相對 大的遮蔽度的入射控制部，具有壁部，該壁部妨礙從前 述選擇靶的被濺鍍面釋放並前往前述基板外周部的濺 鍍粒子。選擇靶是一材質，使得在該靶單體濺鍍時形成 的薄膜在基板外周部的膜厚比基板中央部大，在此狀 況，對於該選擇靶，適用具有前述相對大的遮蔽度的前 述入射控制部。 —、根據此結構，選擇靶是一材質，使得在該靶單體進 行濺鍍時形成的薄膜在基板外周部的膜厚比基板中央 部大，在此狀況，藉由對於該選擇靶，適用具有相對大 的遮蔽度的人射控制部’以遮蔽從該乾的被贿面釋放 並向著基板外周面去的濺鍍粒子。因此，不會使裝 成膜步驟複雜化’可以使遮蔽度不同，可力求薄膜的二 厚以及組成均勻化。 、 在一例中，前述閘門機構，包含可在前述成膜办 内旋轉的圓蓋（dome)狀部材，前述複數個人射控制 201224185 具備：第一入射控制部，包含：第一開口部，被形成於 前述圓蓋狀部材；以及第一遮蔽部，包圍前述第一開口 部，該第一遮蔽部從前述圓蓋狀部材向著前述基板僅以 第一高度突出；以及第二入射控制部，包含第二開口 部，該第二開口部，未被向著前述基板突出的遮蔽部包 圍，被形成在前述圓蓋狀部材，前述濺鍍裝置，更具備 使前述圓蓋狀部材旋轉的驅動馬達，前述驅動馬達，使 前述圓蓋狀部材旋轉，使得在前述複數個入射控制部的 前述開口部中，經由對應前述選擇靶的材質所選擇的開 口部，暴露該選擇靶。 根據此結構，藉由驅動馬達的動作，可以切換遮蔽 度。 在一例中，前述複數個入射控制部，更包含第三入 射控制部，該第三入射控制部包含：第三開口部，被形 成在前述圓蓋狀部材；以及第二遮蔽部，包圍前述第三 開口部，從前述圓蓋狀部材向著前述基板僅以不同於前 述第一高度的第二高度突出。 根據此結構，可以對應處理選擇靶的種類增加。 在一例中，前述第一遮蔽部，是包圍前述第一開口 部的環狀壁部。 根據此結構，以簡單的結構，可以賦予複數個遮蔽 度在閘門機構（例如第二閘門）。 【實施方式】 [第一實施形態] 201224185 以下，根據第-圖〜第十一圖來說明本發明的第一 實施形態的濺鍍裝置。 賤鑛裝置1是磁控_ (magnet麵Sputtering)裝 置。具有内部空間，即成m空間2S的腔室2，包含例 如有底筒狀的腔室本體2a以及將腔室本體厶内密閉至 真空狀態的上壁部2b。腔室本體2a，經由被形成在底 壁部2c等的排氣口 2d，被連接至由真空泵所組成的排 氣機構3。 在腔室本體2a’形成有用來導人濺鍍氣體的氣體導 入口 2e，在該氣體導入口 2e，連接有氣體供給機構9， 該氣體供給機構9是由質量流動控制器（massfl〇w controller)等組成。氣體供給機構9經由氣體導入口 2e，控制氬（Ar)、氮（Kr)、氙（Xe)等氣體流量，並 導入至腔室本體2a。又，做為濺鍍氣體，也可以是包含 氮或一氧化碳等反應氣體的結構。 在腔室2，經由圖未顯示的搬送口，搬入例如矽基 板、玻璃基板等基板S。基板S被载置於設在腔室2内 的旋轉式基板夾4的基板位置。 基板失4被形成為圓盤狀，在其底面經由驅動轴5 以及傳達機構7，連接驅動馬達6。驅動馬達6的驅動 軸5，可旋轉地被支持在腔室2的底壁部2c。當驅動馬 達ό旋轉，則經由傳達機構7，旋轉被傳達至驅動軸5， 基板夾4與驅動馬達6的旋轉方向同方向旋轉。此驅動 馬達6在濺鍍執行時，使基板夾4旋轉，堆積在被載置 在基板夾4的基板S的滅鍍粒子的偏離會被抑制。 201224185 在腔室2的内部，設有複數個防附著板8，防附著 板8覆蓋基板夹4的外周面或腔室本體2a的内壁。防 附著板8抑制濺嫂粒子附著於基板夾4的外周面 — 本體2a的内壁。 ° s二至 在腔室2的上壁部2b，可傾斜移動地固定有複數 個（在圖示例中為3個）陰極（cath〇de) 1〇。第二圖表 示被固定在上壁部2b的陰極1〇。如第二圖所示，在^ 實施形態，第一陰極10A、第二陰極10B、第三陰極1〇匸 係沿著周方向相隔角度〇 ( = 12〇。）而被固定二

如第一圖所示，各陰極10具有扁平形狀的背板 (backing p丨ate) n。在此背板„的底面，即基板側的 面，設有地屏障（ground shield) 12。地屏障12具有. 圓盤狀靶收容部12a，用來收容靶13 ;以及環狀、凸部 12b’被形成為包圍收容部12a。此環狀凸部i2b的言^ 為例如數mm程度。 η X 各背板11，被連接於對應的外部電源G，將來自該 外部電源G的直流或交流電力’供給至被收容在㈣g 部12a的靶13。 a在各背板11的底面，各地屏障12的靶收容部12a， ，疋有靶13。靶13的材質沒有特別限定，由金屬金 舄化，物、絕緣物等構成。三個陰極1〇的靶13，彼此 是相異的材質。在本實施形態，在第一陰極1〇Α固 疋$由錄（Ni)組成的第一靶13A，在第二陰極1〇B， 固，有由鈷（Co)組成的第二靶13B，在第三陰極1〇(：， 口疋有由氧化鎮（Mg〇)組成的第三乾13C。 201224185 被固定在各陰極10的把13的基板側的表面，即被 濺鑛面13a ’係街於基板s的表面S1傾斜。例如，從 靶13的中心向著基板S的邊緣中的最遠位置的直線， 與基板表面所成角度在〇。以上30。以下。在本實施形 態，被濺鍍面l3a的法線稱為乾軸線X1 ’此靶軸線XI 與通過基板s的表面si的法線（基板中心）的中心軸 線X2所成角度為靶13的傾斜角。 如第二圖所示，第--第三靶13A〜13C分別形成 為圓盤狀。第一〜第三靶13A〜13C的中心點PC1〜PC3 位於同一圓周上。第*--第三靶13A〜13C在周方向相 隔角度α = 12〇。）被設置。又，在本實施形態，第一 乾13Α被配置在腔室2的正面，第二乾被配置在 從腔室2的正面來看的左侧，在右侧配置有第三乾13C。 在各陰極10，以背板11為界’在乾13對面的位置 設有磁氣裝置14。各磁裝置14具備磁迴路15。來自外 部電源G的電力在被供給至背板11的狀態下，當磁迴 路15被驅動，則在靶13的被賤鑛面13a產生磁控管 (magnetron)磁場。然後’猎由被產生的磁控管磁場貢 獻於被濺鍍面13a的附近的電梁產生’電漿被高密度 化，被滅鍍面13a被藏锻氣體的離子賤鍍。 在腔室2的上壁部2t>，設有閘門機構Μ。此閘門 機構Μ具有第一閘門20以及第二閘門30。如第三圖所 示，閘門20、30沿著中心軸Χ4被配置在同軸。從腔室 2的上方來看時，閘門20、30為重疊。第二閘門被 設有在第一閘門20的下方（内侧）° c 11 201224185 如第三圖所示，第一閘門20，具有大致半球形狀 或圓蓋狀的閘門本體21，閘門本體21在其外周緣具有 簷部21a。在閘門本體21，兩個開口部22被貫穿形成。 各開口部22是用來使靶13相對於成膜空間2S露出的 孔，配合靶13的形狀形成為圓形狀，其内徑被形成為 比乾13的直徑略大。 第四圖表示第一閘門20的下面20a。開口部22被 形成在閘門本體21的頂點PC4與簷部21a之間。開口 部22在閘門本體21的周方向僅以角度α隔開而被設 有。換言之，一方的開口 22的中心點PC5與第一閘門 20的頂點PC4相連的直線，與另一方的開口部22的中 心點PC6與上述頂點PC4相連的直線所成角度α是120 。。又，一方的開口部22的中心點PC5位於腔室2的正 面，從腔室2的正面來看，在另一方的開口部22位於 其右側的狀態，稱為第一閘門20的基準位置。在基準 位置所配置的第一閘門20，如上述，使在腔室2的正 面所配置的第一靶13Α與從正面來看在右側所配置的 第三靶13C，在成膜空間2S露出。 此第一閘門20可在腔室2内部旋轉。如第一圖所 示，第一閘門20經由傳達機構25被連接於驅動馬達 23的驅動軸24。此驅動軸24被支持成可在腔室2的上 壁部2b轉動。驅動軸24與第一閘門20之間所設有的 傳達機構25，將驅動軸24的旋轉傳達至第一閘門20。 雖然傳達機構25的結構並沒有特別限定，但例如構成 為具有馬達等驅動源、齒輪（gear )、棘輪（ratchet)等， 12 201224185 來切換將驅動軸24的旋轉傳達至第一閘門2〇的傳達模 式，與將驅動軸24的旋轉不傳達至第一閘門2〇的非傳 達模式。 當將驅動馬達23驅動，使第一閘門20轉動，則如 第四圖所示’各開口部22在具有與開口部22直徑相同 的寬度的環狀軌跡R1上移動。如第二圖所示，在此軌 跡R1内包含各乾13。因此，當使第一閘門20從基準 位置轉動120°，則第一閘門20的開口部22分別與三 個乾13中的兩個13的位置重疊，面對這些開口部 22的兩個靶13選擇性地暴露在成膜空間2S。此時，三 個靶13中的一個靶在第一閘門20被遮蔽並未暴露在成 膜空間2S。 接下來’說明關於第二閘門30。如第三圖所示， 第二閘門30與第一閘門20 —樣，具有大致半球形狀或 圓蓋狀的閘門本體31，閘門本體31在下端具有筹部 31 a。閘門本體31被形成為與第一閘門2〇的閘門本體 21幾乎同樣大小。在此閘門本體31設有第__第三入

射控制部30A〜30C’第--第三入射控制部30A〜30C 控制從靶13釋放並向著基板外周部的濺鍍粒子數。 第五圖表示第二閘門30的下面3〇a。入射控制部 30A〜30C分別具有貫穿閘門本體31的開口部33〜 35。各開口部33〜35是用來使在第一閘門2〇夫祐披結 的靶13暴露在成膜空間2S的孔，與第一閘門2〇的各 ，口部22 —樣，配合靶13的形狀形成為圓形狀，其内 徑被形成為略大於乾13的直徑。

S 13 201224185 開口部33〜35被形成在閘門本體31的頂點PC8 與簷部31a之間。開口部33〜35在閘門本體31的周方 向，相隔角度α以等間隔地被設有。換言之，開口部 33〜35的中心點PC9〜PC11與閘門本體31的頂點PC8 相連的直線中，鄰接的直線彼此所成角度α為120°。 入射控制部30Α〜30C對應做為壁部的屏障部高 度，具有不同的遮蔽度，該壁部被設於開口部33〜35 外側。例如，第一入射控制部30Α在開口部33的外周 具備第一屏障部36。第一屏障部36是包圍開口部33 的環狀壁部。第一屏障部36的下面36u分隔開口 36Ρ。 如第三圖所示，第一屏障部36，具有高度，即第一屏 障長ΙΠ。又，雖然第一屏障長H1沒有特別限定，但較 佳為50〜120mm。 第一入射控制部30A的屏障部36的高度，在入射 控制部30A〜30C中是最高，因此，第一入射控制部30A 的遮蔽度也是最大。 第二入射控制部30B僅被開口部34構成。與第一 入射控制部30A不同，第二入射控制部30B在開口部 34的外周不具備向著基板S突出的環狀壁部。換言之， 第二入射控制部30B的開口部34的外周的壁部高度為 「零」。因此，第二入射控制部30B的遮蔽度在入射控 制部30A〜30C中是最小。 第三入射控制部30C在開口部35的外周具備第二 屏障部37。第二屏障部37是包圍開口部35的環狀壁 部。第二屏障部37的下面37u分隔開口 37P。此第二 14 201224185 屏障部37具有高度，即第二屏障長H2。第二屏障長 H2比第一屏障長H1短。第二屏障長H2是在上述範圍 50〜120mm，且比第一屏障長H1短就行。第三入射控 制部30C具有次於第一入射控制部30A大的遮蔽度。 如第一圖所示，此第二閘門30也可以在腔室2的 内部旋轉。第二閘門30經由例如傳達機構25被連接至 驅動馬達23成為第二閘門30的中心軸X4 (參照第三 圖）一致於驅動馬達23的驅動軸24的中心線。第二閘 門30在與驅動馬達23的轉動方向相同的方向轉動。 當將驅動馬達23驅動，使第二閘門30轉動，·則如 第五圖所示，入射控制部30A〜30C的開口部33〜35， 在具有與開口部33〜35的直徑相同寬度的環狀軌跡R2 上移動。如第二圖所示，在此執跡R2内，包含各乾13 的位置。因此，對於被第一閘門20選擇性暴露的兩個 靶13，第二閘門30的開口部33〜35中的任兩個被停 止成一致於第一閘門20的開口部22的位置時，該兩個 靶13經由第一閘門20以及第二閘門30變成暴露於成 膜空間2S。又，藉由使第二閘門30每次旋轉120°，就 可以變更面對被暴露的靶13的屏障部36、37或開口部 34 ° 又，第一屏障部36位於腔室2的正面的狀態，稱 為第二閘門30的基準位置。當將第一閘門20以及第二 閘門30分別配置在基準位置，則經由第一閘門20的開 口部22被暴露的第一靶13A，面對於第一屏障部36。 又，經由開口部22被暴露的第三靶13C，面對於第二 201224185 屏障部37。 接下來，根據第六圖〜第人圖來說明關於入射控制 部30A〜30C的作用。第六圖表示—乾13經由第一問 門20的開口部22 ’面對第二閘門3〇的第一入射控制 部30A的狀態。此乾13，經由第一間門2〇的開口部22 以及第二閘H30的開口部33,被暴露在成膜空間. 在韻進行時，從該執13的被崎面仏向著基板s 釋放贿粒子。㈣放並向著基板相部去的舰粒子 的-部分’被第-屏障部36遮蔽。因此，第一屏障部 36’使在基板外周部堆積的粒子數相較於沒有第一屏障 邻36的狀況減少，使在基板外周部的膜厚變小。 具體來說，例如從靶13的周緣部，距離通過基板 中心的中心轴線X2相對遠的基準點pu釋放並向著基 板S去的粒子執跡SP1，如圖中兩點虛線所示，在第一 屏障部36未被遮蔽。又，從位於靶13的中心部的基準 點Pk2釋放並向著基板s去的粒子執跡sp2，也沒有被 第一屏障部36遮蔽。 另一方面，從位於靶13的周緣部，距離通過基板 中心的中心軸線X2相對近的Pk3釋放並向著基板s去 的粒子軌跡SP3 ’其一部分被第一屏障部36遮蔽。也 就是說，若將基準點Pk3做為起始點，接近第一屏障部 36的下面36u後以最短距離到達基板S的表面S1的直 線L1，與該表面S1所成角度做為入射角0 inl，則以比 該入射角（9 ini小的角度入射的濺錢粒子被第一屏障部 36遮蔽。因此，以比該入射角0 ini小的角度釋放的藏 201224185 鑛粒子’不會堆積在基板s上’所以此舰粒子到 之前航的區域，係相較於在沒有屏障部的狀態雜的 狀況，膜厚會變小。此區域從基準點pk3來看，是^於 基板中心軸線X2的另一側的基板外周部S2。又， -屏障部36賴厚變小的基板外周部S2的寬度 wi。又，在本實施形態，從基準點pkl、pk2釋放向 基板表面去的賤鑛粒子’雖然沒有被第一屏障部 蔽’也可以將第-屏障部36構成為該賴遮 第七圖表示一乾13經由第一閑門2〇的—口敝部 22 ’面向第一閘Π 30的第三入射控制部3〇c的狀綠。 此靶13經由第-閘門20的開口部22以及第 ； 的開口部35，被暴露在成膜空間2S。在濺鍍進 從該靶13的被濺鍍面13a向著基板s釋放濺鍍粒早。 該釋放的濺鍍粒子的一部分中，向著基板外周部S2 的一部分粒子的飛行，被第一屏障部37遮蔽。° 第二屏障部37，使在基板外周部S2堆積的粒子 較於沒有第二屏障部37的狀況減少，使在基 目 S2的膜厚變小。但是，由於第二屏障部37的高声° = -屏障部36低，所以藉由第二屏障部37產生的ς 小的基板外周部S 2的寬度，比藉由第一屏障部3 6 : ^ 者小。 座生 具體來說，在乾13的被濺鍍面i3a中，從上 準點Pkl、Pk2釋放並向著基板s去的濺鍍粒子^二 SP1、SP2 ’並不會被第二屏障部37遮蔽。另一方面 從上述基準點Pk3釋放，並向著基板s去的粒子轨跡

S 17 201224185 ϋ 刀被第二屏障部37遮蔽。也就是說，若將 土準黑 做為起始點，接近第二屏障部37的下面37u 後以最短距_達基板s的表面si的直線L2，與該表 面si所成角度做為入射角^ in2，則以比該入射角心2 1的角度來入射的濺鑛粒子，會被第二屏障部遮 蔽口此從基準點Pk3以比入射角θ μ小的角度所 釋放的麟好;^會_在基板s上，所以此濺鑛粒子 到達的之雨預定的基板外周部Μ，相較於在沒有屏障 部的狀態濺錢的狀況，膜厚會變小。 又’以第一屏障部37將膜厚變小的基板外周部Μ 的寬度’比在第—屏障部36的狀況的基板外周部 S2的寬度AW1小。又’上述入射角…以，比在第一 屏障部36的狀況的入射角0inl小。 第八圖表示-乾13經由第—閘門2()的―開口部 22,面向第二閘H 3G的第二人射控制部遞的狀離。 在此狀況，由於沒有包圍開口部34的屏障部，所以 上述基準點Pkj〜Pk3向著基板s的表面S1去的賤錄粒 子’並不會被第二入射部30B遮蔽。因此，從面 部34的把13釋放的機鍍粒子，與在沒有第二 的狀態下被濺鍍的狀況，以幾乎相同的膜厚分佈堆積在 基板上。 接下來，根據第九圖〜第十一圖，來說明關於一 閘門20以及第二閘門30的配置模式（旋轉位置）。 九圖〜第十-圖是在第—閘門2〇以及第二閘門3 口 ’被重疊在把13的狀態，從下面施來看第二^ 201224185 30的圖。 在第九（a)圖〜第九（c)圖，第一閘門20被配 置在基準位置。在此狀況，第一閘門20的開口部22， 分別面對於第一靶13A以及第三靶13C。因此，第一靶 13A以及第三靶13C經由開口部22被暴露在成膜空間 2S，第二靶13B被閘門本體21遮蔽。 如此，對於在成膜空間2S所暴露的第一把13 A以 及第三靶13C，第二閘門30的配置模式係如第九（a) 圖〜第九（c)圖所示的三個配置模式中，配合第一靶 13A以及第三靶13C的材質來選擇。 第九（a)圖表示將第二閘門30配置在基準位置的 狀態。在此狀態，第一屏障部36面對第一靶13A，第 二屏障部37面對第三靶13C。因此，如本實施形態， Ni傾向於在基板外周部S2使膜厚增大，在用Ni做為 第一靶13A的狀況，可以藉由第一屏障部36來抑制在 基板外周部S2的膜厚增大，所以結果，可以均勻化在 基板S所形成的薄膜膜厚以及組成。又，在用MgO做 為第三靶13C的狀況，也可以抑制在基板外周部S2的 膜厚增大，結果，可以均勻化在基板S所形成的薄膜膜 厚以及組成。 在用上述材質做為第一靶13A以及第三靶13C的 狀況，第九（a)的配置模式在膜厚的均勻化上有效， 但在第一靶13A以及第三靶13C為其他材質的狀況， 對應該材質的膜厚分佈傾向，也可以將第二閘門30做 為其他配置模式。又，在僅使第二閘門30轉動至想要 201224185 的配置模式的狀況，驅動傳達機構25，做為旋轉力未 被傳達至第一閘門20的非傳達狀態，可以僅使第二閘 門30從基準位置旋轉到想要的配置模式。 在以下的說明，從第二閘門30的下面來看第一閘 門20以及第二閘門30的旋轉方向是順時針，但即使是 逆時針也可以，彼此相異也可以。 第九（b)圖表示使第二閘門30從基準位置旋轉 120°的狀態。在此狀況，第一靶13A面對開口部34， 第三靶13C面對第一屏障部36。此配置模式例如在以 下狀況是有效的：將即使在沒有屏障部的狀態也能獲得 相對均勻的膜厚分佈的材質使用在第一靶13A，將一材 質使用在第三靶13C，該材質在沒有屏障部的狀態，使 在基板外周部S2的膜厚變大，且使在基板外周部S2膜 厚增大的區域（以下稱為膜厚增大區域）的寬度特別增 大。 第九（c)圖表示使第二閘門30從基準位置旋轉240 °的狀態。在此狀況，第一靶13A面對第二屏障部37， 第三靶13C面對開口部34。此配置例如在以下狀況是 有效的：將即使在沒有屏障部的狀態，在基板外周部 S2膜厚也會變大的材質使用在第一靶13A，將即使沒 有屏障部也可獲得相對均勻的膜厚分佈的材質使用在 第三靶13C。 又，在沒有屏障部的狀態下濺鍍時，在基板外周部 S2使用膜厚會變大的材質做為靶13的狀況，進行預先 實驗或模擬來調查其膜厚增大區域的寬度。在本說明

20 201224185 書，在不具有屏障部（36、37)的濺鍍裝置，用給予的 靶濺鍍時所形成的薄膜的膜厚分佈，稱為「依照靶材料 的膜厚分佈」或「以靶單體濺鍍時的膜厚分佈」。然後 在濺鍍進行時，從藉由第一屏障部36可以抑制膜厚增 大的寬度Δλνΐ與藉由第二屏障部37可抑制膜厚增大 的寬度AW2中，選擇接近預先調查的膜厚增大區域的 寬度者，做為面對該靶13的屏障部。再者，使具備被 選擇的屏障部的陰極10傾斜移動，並變更靶13的傾斜 角，藉此能進行微調整，使得以該屏障部可以抑制膜厚 增大區域的寬度，接近實際膜厚增大區域的寬度。例如 當靶13的傾斜角變大，則藉由屏障部可抑制膜厚增大 的區域寬度會變小。當靶13的傾斜角變小，則藉由屏 障部可以抑制膜厚增大的區域寬度變大。 用第二靶13Β以及第三靶13C進行濺鍍時，如第 十（a)〜（c)圖所示，使第一閘門20從基準位置配 置至旋轉120 °的位置。在此位置所配置的第一閘門 20，經由開口部22，使第二靶13B以及第三靶13C選 擇性地暴露在成膜空間2S，藉由閘門本體21遮蔽第一 靶 13A。 然後，第二閘門30，係如第十（a)〜（c)圖所示 的三個配置模式中，被配置在配合其選擇靶（13B、13C) 材質的配置模式。 第十（a)圖表示將第二閘門30配置在基準位置的 狀態。第二靶13B面對開口部34，第三靶13C面對第 二屏障部37。此配置模式為例如本實施形態，用Co做

S 21 201224185 為第二乾13B，用MgO做為第三把nc的狀况 的。也就是說，第二乾13B係如c。，在即使没有= 部，也獲得相對均勻的膜厚分佈的材f的狀況 二 門30藉由使沒有壁部的開口部34面對第二靶，甲 會妨礙到達至基板外周部S2的賴粒子的飛行，可= 使第一靶13B的濺鍍粒子堆積在該基板外周部幻。 二靶13B係如MgO，在沒有屏障部的狀態下， 外周部S2膜厚變大的材質的狀況，第二閘門3〇，二f 使第二屏障部37面對第二耙13B，結果可以均2 基板S所形成的薄膜的膜厚以及組成。 —在 第十（b)圖表示使第二閘門3〇從基準位 120的狀態。第二靶13B面對第二屏障部37，第= 13C面對第一屏障部36。此配置模式例如在以下狀 有效的：將在沒有屏障部的狀態下於基板外周部$ = 厚會變大的材質使用在第二靶13B，在第三耙l3c 、 一材質，該材質在沒有屏障部的狀態下於基板 ， S2膜*厚會變大，該骐厚之增大區域的寬度特別大。邻 。第十（〇圖表示使第二閘門30從基準位置旋 。的狀態。第二靶13B面對第一屏障部36，第三靶240 面，開口部34。此配置模式例如在以下狀況是有l3c 在第一乾13B使用一材質，該材質在沒有屏障部、乂 下於基板外周部S2犋厚會變大，該膜厚之增大區^ ^ 寬度特別大的，而在第三靶13C使用即使在沒有 的狀態下也可獲得相對均勻的膜厚分佈的材質。率部 用第一靶13A以及第二靶13B進行濺鍍時，如w 22 201224185 十一（a)〜（c)圖所示，使第一閘門20從基準位置 配置至旋轉240°的狀態。配置在此位置的第一閘門 20，經由開口部22使第一靶13A以及第二靶13B選擇 性地暴露於成膜空間2S，以閘門本體21遮蔽第三靶 13C。 然後，第二閘門30係如第十一（a)〜（c)圖所 示的三個配置模式中，被配置在配合其選擇靶（13A、 13B)材質的配置模式。 第十一（a)圖表示將第二閘門30配置在基準位置 的狀態。第一靶13A面對第一屏障部36，第二靶13B 面對開口部34。此配置模式為例如本實施形態，用Ni 做為第一靶13A，用Co做為第二靶13B的狀況是有效 的。也就是說，對於第一靶13A，第二閘門30藉由第 一屏障部36來抑制在基板外周部S2的膜厚增大，對於 第二靶13B，第二閘門30不會妨礙到達基板外周部S2 的藏鑛粒子的飛行。 第十一（b)圖表示使第二閘門30從基準位置旋轉 120°的狀態。第一靶13A面對開口部34，第二靶13B 面對第二屏障部37。此配置模式例如在以下狀況是有 效的：即使沒有屏障部也可獲得相對均勻的膜厚分佈的 材質使用在第一靶13A，在沒有屏障部的狀態下於基板 外周部S2膜厚會變大的材質使用在第二靶13B。 第十一（c)圖表示使第二閘門30從基準位置旋轉 240°的狀態。第一靶13A面對第二屏障部37，第二靶 13B面對第一屏障部36。此配置模式例如在以下狀況是

S 23 201224185 有效的：在沒有屏障部的狀態下於基板外周部S2膜厚 會變大的材質使用在第一靶13A，而在第二靶13B使用 一材質，該材質在沒有屏障部的狀態下於基板外周部 S2膜厚會變大，該膜厚之增大區域的寬度特別大。 接下來，說明關於濺鍍處理的順序。對於基板S進 行成膜處理時，將基板搬入腔室2内，將該基板S載置 於基板夾4，並使其旋轉至特定的成膜開始位置。再者， 將來自氣體供給機構9的濺鍍氣體導入至成膜空間 2S，並調整腔室2内的壓力至特定壓力。 接下來，藉由驅動馬達23.將第一閘門20以及第二 閘門30轉動至想要的旋轉位置，選擇兩個靶13。使適 合這些靶13的入射控制部面對。此時，第一閘門20以 及第二閘門30到達至想要的旋轉位置的旋轉角度，若 彼此為相同角度，使閘門20、30在同方向旋轉相同角 度就可以。在旋轉角度彼此相異的狀況，使第一閘門 20旋轉至想要的旋轉位置。其後，將傳達機構25切換 至非傳達模式，在驅動馬達23的旋轉不被傳達至第一 閘門20的狀態下，使驅動馬達23在順時針或反時針方 向，旋轉與第二閘門30的想要的旋轉位置相對應的角 度。藉此，第一閘門20被保持在停止狀態，僅第二閘 門30被轉動至想要的旋轉位置。如此，可以使適合選 擇靶的屏障部36、37或開口部34面對這些選擇靶。 各閘門20、30旋轉至想要的旋轉位置後，驅動對 於選擇靶的陰極10的磁迴路15，在選擇靶的被濺鍍面 13a產生磁控管磁場。將特定直流或交流電力施加至該 24 201224185 選擇靶。藉此，在選擇靶的被濺鍍面13a與成膜空間2S 之間開始放電，用該被濺鍍面13a進行濺鍍。 此時，適合各選擇靶材質的屏障部36、37或開口 部34面對著各選擇靶。因此，屏障部36或37面對在 沒有屏障部的狀態濺鍍時使基板外周部S2的膜厚增大 的靶13。在此狀況，藉由因屏障部36、37導致濺鍍粒 子的遮蔽，到達基板外周部S2的濺鍍粒子會變少，在 基板外周部S2的膜厚增大會被抑制。又，在沒有屏障 部的狀態下可獲得相對均勻膜厚分佈的靶13,面對開 口部34，所以不遮蔽濺鍍粒子也可以進行成膜。如此， 對與選擇靶的膜厚分佈傾向相應的屏障部36、37或開 口部34，該選擇靶被選擇性地面對，因此可抑制每個 選擇靶的膜厚的偏差。氣體流量、靶的傾斜角、來自外 部電源G的供給電力等諸條件不變更下，結果在薄膜的 徑方向的膜厚偏差會被抑制。因此，不變更膜質下，膜 厚的面内均勻性被提升，並可以均勻化同一層内的組 成。 在接著變更選擇靶進行濺鍍的狀況，使第一閘門 20轉動並使第一閘門20的開口部22,面對變更後的選 擇靶13。又，使第二閘門30旋轉，並使適合變更後的 各選擇靶的材質的屏障部36、37或開口部34面對各選 擇靶。其後，進行濺鍍。 根據上述實施形態，可以獲得如下效果。 (1)在上述實施形態，濺鍍裝置1是具備複數個 靶的多元式裝置，在複數個靶13與成膜空間2S之間，

S 25 201224185 具備閘門機構Μ，閘門機構Μ具有使選擇靶 膜空間2S的開口部22。此閘門機構Μ是由第 20與第二閘門30所構成。第二閘門3〇具備^ 部30Α、30B、30C (屏障部36、37以及開口部341 入射控制部30Α、30Β、30C：控制經由開口部^ 靶釋放並向著基板外周部S2去的濺鍍粒子數。， 進行濺:鑛時’根據經由第一閘門20的開〇部2;二 在成膜空間2S的選擇靶，以單體賤鍍時的“ 向，將從人射控制部30A〜30C之中適合該選擇乾的任 一入射控制部適用於該選擇靶。例如如恥的材 盥 ^ Co、Ti等材料，在料㈣鍍時的轉分佈彼此相 異。即使搭載複數個靶13在相同裝置，在靶每一面内 可以均勻化到達基板s的濺鍍粒子數的分佈。因此，在 不改變氣體流量、靶的傾斜角、來自外部電源g 電力等諸條件以變更膜質之前提下，可以提升在某ϋ 膜膜厚的面内均句性’並提升同-層内土的薄 膜組成的均句性。 (2 )在上述貫施形悲，入射控制部、3〇b、3〇c (屏障部36、37以及開口部34)，對應壁部高度有不 同的遮蔽部，該壁部包圍#13的被賤鑛自仏的外周。 也f是說，入射控制部3〇Α具備即為相對高（Η1)的 壁部的第-屏障部36，所以有大遮蔽度，入射控制部 30C具備即為比第一屏障部36低（Η2)的壁部的第二 屏障部37,所以具有比入射控制部3〇α 入射控制部地具備簡單關口部34。沒；開 201224185 口部34的壁部，即高度為「零」。因此，入射控制部 30B具有最小的遮蔽度。因此’不會複雜化裝置或成膜 步驟，對應靶13可以使遮蔽度不同。 (3)在上述實施形態，閘門機構Μ是由具有兩個 開口部的第一閘門20與具有屏障部36、37以及開口部 34的第二閘門30所構成。第一閘門20被設為對於靶 13可旋轉，使兩個乾13，經由兩個開口部22，對於成 膜空間2S選擇性地暴露。第二閘門30被設於比第一間 門20靠近基板S的位置，藉由轉動至想要的位置，與 以第一閘門20選擇性地被暴露的兩個乾丨3相對應地， 使屏障部36、37以及開口部34中的兩者分別面對該兩 個靶13。因此，即使在選擇性地暴露複數個靶13並濺 鍍的狀況’由於可以適用適合這些靶13的入射控制部 哪叼目由度，刁以力求 薄膜的膜厚以及組成的均勻化。 也就是說’如第十五圖所示，膜厚分佈是依照乾的 材貝。因此’驅動馬達2 3使第二閘門3 〇旋轉，第二間 部3GA〜3GC之中，經由對餘的材 貝所選擇的入射控制部的開口 可以解除依照該並在Μ 錄暴路。错此， 者。可以在基板上以大厂部膜厚會變厚 膜。在糖為複數個：^ 部的開口部，使嗲u斤選擇的複數個入射控制 亥贿個選擇衫別暴露。藉此，可以 201224185 在基板上以大致均勻的膜厚、大致均勻的組成，形成複 數個選擇靶所對應的複合組成薄膜。 [第二實施形態] 接下來，根據第十二圖〜第十三圖來說明將本發明 具體化的第二實施形態。又，由於第二實施形態只是變 更第一實施形態的第一閘門20的結構，所以關於同樣 的部分省略其詳細說明。 如第十二圖所示，本實施形態的第一閘門20，是 一個開口部22在其閘門本體21被貫穿形成。與第一實 施形態相同，開口部22為圓形狀，其内徑被形成為略 大於靶13的直徑。因此，在本實施形態，在濺鍍進行 時，一個靶13經由開口部22被暴露在成膜空間2S。 第十三（a)圖表示第一閘門20以及第二閘門30 被配置在基準位置的狀態。此位置所配置的第一閘門 20,經由開口部22,使第一靶13A在成膜空間2S露出。 第二閘門30的第一屏障部36面對於該第一靶13A。僅 用例如由Ni所組成的第一靶13A進行成膜時，第十三 (a)圖的配置模式是有效的。又，在本實施形態，雖 然使第一屏障部36面對第一靶13A，但對應靶的膜厚 分佈，也可以使第二屏障部37面對第一靶13A。 第十三（b)圖表示使第一閘門20從基準位置旋轉 120°，將第二閘門30配置在基準位置的狀態。此位置 所配置的第一閘門20，經由開口部22，使第三靶13C 在成膜空間2S露出。第二閘門30的第二屏障部37面 對於該第三靶13C。僅用例如由MgO所組成的第三靶

28 201224185 13C進行成膜時，第十三（b)圖的配置模式是有效的。 又，在本實施形態，雖然使第二屏障部37面對第三靶 13C，但對應靶的膜厚分佈，也可以使第一屏障部36 面對第三靶13C。 第十三（c)圖表示使第一閘門20從基準位置旋轉 240°，將第二閘門30配置在基準位置的狀態。此位置 所配置的第一閘門20，經由開口部22，使第二靶13B 在成膜空間2S露出。開口部34面對於該第二靶13B。 僅用例如由Co所組成的第二靶13B進行成膜時，第十 三（c)圖的配置模式是有效的。 因此，根據第二實施形態，除了第一實施形態所記 載的效果，還可以得到以下的效果。 (4)在第二實施形態，將在第一閘門20所形成的 開口部22做為一個，在濺鍍進行時，用一個靶13來進 行成膜。又，在第二閘門30，設有適合複數個靶13的 屏障部36、37以及開口部34。因此，即使在使一個靶 13選擇性地暴露並進行成膜的狀況，由於可以適用適 合該靶13的入射控制部30A〜30C，所以不會妨礙成膜 步驟的自由度，可以力求膜厚以及組成的均勻化。 [第三實施开i態] 接下來，根據第十四圖說明將本發明具體化的第三 實施形態。又，第三實施形態，是僅變更第一實施形態 的閘門機構Μ的結構，所以關於同樣的部分省略掉其 詳細說明。 在本實施形態的濺鍍裝置1，設有兩個靶13Α、

S 29 201224185 13B，閘門機構μ具有一閘門40。閘門40與上述實施 形態一樣’被連接於驅動馬達23的驅動軸24，被構成 為相對於被固定在腔室2的陰極1〇的把13轉動。 閘門40在其閘門本體41設有兩個入射控制部 50Α、50Β。入射控制部5〇Α、50Β分別具備開口部51、 52。第一入射控制部5〇α具備環狀的屏障部53，屏障 部53被設於開口部51的外周。第二入射控制部5〇β僅 具備開口部52。在此開口部52的外周並未設有環狀的 屏障部。又，開口部51、52與上述實施形態的開口部 33、34是同樣的結構。 在濺鍍時，閘門40被旋轉，兩個靶13經由開口部 52、53被暴露在成膜空間2S。靶13Α為例如Ni，在基 板外周部S2是使臈厚變小的材質的狀况，罝有屏障部 =的第一入射控制部50A面向靶13A。靶別為例二 Co,即使在沒有屏障部的狀態下，相對的财變成 =的狀況’沒有屏障部的第二人射控制部观面向& :，根據第三實施形態’除了第—實施形態所記 載的（1)以及（2)的效果，還可以得到以下的效果。 (5)在上述實施形態，閘門機構Μ是由一片閘 40所構成，在該閘門4〇，設有：具有屏障部兄的第一 入射控制部50Α與沒有屏障部的第二入射控制部5〇β。 因此’以一片閘門40在每靶均勻化膜厚分佈，所以會 提升在基板S所形成的薄膜膜厚的面内均句性，並可以 提升同一層内的薄膜級成的均勻性。 30 201224185 又，上述各實施形態也可以變更如下。 •在上述實施形態，複數個入射控制部包含環狀屏 障部36、37與開口部34。複數個入射控制部對應開口 部33〜35的周圍壁部的高度（也包含高度為零），具有 不同的遮蔽部。入射控制部的壁部也可以是其他形狀。 例如環狀，而且也可以是隨著從靶侧向著基板側，其内 徑會變小的尖細形狀。或者是，環狀部件的内側，也可 以設有準直儀（collimator) ’該準直儀在靠近基板s的 中心軸X4處具有分隔板’在遠離中心軸處不設有 準直儀，藉由使準直儀通過，使到達基板外周部S2的 濺鍍粒子數減少。重要的是遮蔽度高的入射控制部只要 疋使到達基板外周部S2的濺鍵粒子數減少的形狀就 行。 •在第一實施形態’屏障部36、37彼此有不同高 度’但依輕13的材質，屏障部3 6、3 7彼此也可以形成 為相同高度。 •在上述實施形態’在各屏障部36、37的壁部高 度為固定。但沿著對應各屏障部的開口部的周方向連續 的壁部高度也可以不同。在此狀況，可以提高壁部的一 部分’降低其他部分’使到達基板外周部S2的濺鑛粒 子數減少。 •在上述實施形態，將濺鍍裝置具體化成磁控濺鍍 裝置’但也可以具體化成ECR ( Electron Cyclotron Resonance)濺鍍裝置。即使在具體化成此裝置的狀況， 對應乾所對應的膜厚分佈的傾向，妨礙向著欲將膜厚變 201224185 小的區域的濺鍍粒子的飛行的屏障部，被設有成面對該 把。 【圖式簡單說明】 第一圖：满:鐘裝置的概略剖面圖。 第二圖：表示乾的配置的概略圖。 第三圖：閘門機構的分解斜視圖。 第四圖：第一閘門的下面圖。 第五圖：第二閘門的下面圖。 第六圖：乾以及第一遮蔽部的剖面圖。 第七圖：靶以及第二遮蔽部的剖面圖。 第八圖：把及開口部的剖面圖。 第九圖.（a)〜（e)是表示第一及第二閘門的配置模 式的概略圖。 第十圖.（a)〜（c)是表示第一及第二閘門的配置模 式的概略圖。 =十圖.（a)〜（c)是表示第一及第二閘門的配置 模式的概略圖。 ^十=圖：第二實施形態的閘門機構的分解斜視圖。 二十二圖：（a)〜（c)是表示第一及第二閘門的配置 模式的概略圖。 =十四圖.變形例的濺鍍裝置的概略剖面圖。 第十五圖：表示不同材質的靶的膜厚分佈的曲線圖。 【主要元件符號說明】 32 201224185 1濺鍍裝置 2腔室 2a腔室本體 2b上壁部 2c底壁部 2d排氣口 2e氣體導入口 2S成膜空間 4基板爽 5、 24驅動轴 6、 23驅動馬達 7、 25傳達機構 8防附著板 9氣體供給機構 10陰極 10A〜10C陰極 11背板 12地屏障 12a收容部 13、13A〜13C 靶 13a被藏鑛面 14磁裝置 15磁迴路 20、30、40 閘門 20a、30a 下面 33 201224185 21、 31、41閘門本體 簷部 21a、31a 22、 33〜35、51、52 開口部 30A〜30C、50A、50B入射控制部 36、37、53屏障部 36u下面 36P 開口 37u下面 37P 開口 G外部電源 HI、H2 長 LI、L2直線 Μ閘門機構 PC1 〜PC3、PC5、PC6、PC9〜PC11 中心點 PC4、PC8 頂點

Pld、Pk2、Pk3 基準點 R1、R2環狀執跡 S基板 S1表面 S2基板外周部 SP1、SP2、SP3粒子執跡 XI靶軸線 X2中心轴線 X4中心軸 α角度

34 201224185 0 ini、Θ in2入射角 △ W1、△ W2 寬度 s： 35

Claims (1)

1. 201224185 七 申請專利範圍： 1. 一種濺鍍裝置，具備複數個靶，在成膜空間所配置 的基板形成薄膜，其特徵在於：具備閘門機構，該閘 門機構配置在前述複數個靶與成膜空間之間， 前述閘門機構，具有開口部，該開口部使前述 複數個靶中的選擇靶露出於前述成膜空間， 前述閘門機構具備：複數個入射控制部，控制 從前述選擇靶釋放並前往基板外周部的濺鍍粒子 數，該複數個入射控制部，對於濺鍍粒子具有複數個 遮蔽度， 對應在前述成膜空間被暴露的前述選擇粗被單 獨濺鍍時的膜厚分佈，從前述複數個入射控制部中， 將適合該選擇靶的入身f控制部運用在該選擇靶。 2. 如申請專利範圍第1項所述的濺鍍裝置，其中前述 複數個入射控制部，對應在前述複數個靶的外側所配 製的壁部高度，具有不同的遮蔽度。 3. 如申請專利範圍第1項所述的濺鍍裝置，其中前述 閘門機構的前述複數個入射控制部，包含： 入射控制部，具有在前述選擇靶的被濺鍍面的 外周所設有的壁部；以及 入射控制部，僅由開口所組成，該開口可暴露 前述選擇靶的被濺鍍面。 4. 如申請專利範圍第1項所述的濺鍍裝置，其中前述 閘門機構，具備： 第一閘門，具有比前述複數個靶的數量少的開 口部，對於前述複數個靶可旋轉地被設有，前述選擇 靶是經由前述第一閘門的前述開口部，在前述成膜空 36 201224185 間選擇性地被暴露的靶；以及 第二閘門，被設於比該第一閘門靠近前述基板 '的位置，具有前述複數個入射控制部，使適合藉由前 述第一閘門被選擇性地露出的前述選擇靶的入射控 制部，面對該選擇靶。 5. 如申請專利範圍第1項所述的濺鍍裝置，其中前述 複數個入射控制部中，具有相對大的遮蔽度的入射控 制部，具有壁部，該壁部妨礙從前述選擇靶的被濺鍍 面釋放並前往前述基板外周部的丨賤艘粒子， 前述選擇靶是一材質，使得在該靶單體濺鍍時 形成的薄膜在基板外周部的膜厚比基板中央部大，在 此狀況，對於該選擇靶，適用具有前述相對大的遮蔽 度的前述入射控制部。 6. 如申請專利範圍第1項所述的濺鍍裝置，其中前述 閘門機構，包含可在前述成膜空間内旋轉的圓蓋 (dome)狀部材， 前述複數個入射控制部，具備： 第一入射控制部，包含：第一開口部，被形成 於前述圓蓋狀部材；以及第一遮蔽部，包圍前述第一 開口部，該第一遮蔽部從前述圓蓋狀部材向著前述基 板僅以第一高度突出；以及 第二入射控制部，包含第二開口部，該第二開 口部，未被向著前述基板突出的遮蔽部包圍，被形成 在前述圓蓋狀部材， 前述濺鍍裝置，更具備使前述圓蓋狀部材旋轉的驅動 馬達， 前述驅動馬達，使前述圓蓋狀部材旋轉，使得 S. 37 201224185 在前述複數個入射控制部的前述開口部中，經由對應 前述選擇靶的材質所選擇的開口部，暴露該選擇靶。 7. 如申請專利範圍第6項所述的濺鍍裝置，其中前述 複數個入射控制部，更包含第三入射控制部，該第三 入射控制部包含： 第三開口部，被形成在前述圓蓋狀部材；以及 第二遮蔽部，包圍前述第三開口部，從前述圓 蓋狀部材向著前述基板僅以不同於前述第一高度的 第二高度突出。 8. 如申請專利範圍第6項所述的濺鍍裝置，其中前述 第一遮蔽部，是包圍前述第一開口部的環狀壁部。

   38