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TW201211203A - High polymer compound, composition, liquid composition, thin film and element containing the high polymer compound, and surface light source and display device having the element - Google Patents

High polymer compound, composition, liquid composition, thin film and element containing the high polymer compound, and surface light source and display device having the element Download PDF

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Publication number
TW201211203A
TW201211203A TW100125056A TW100125056A TW201211203A TW 201211203 A TW201211203 A TW 201211203A TW 100125056 A TW100125056 A TW 100125056A TW 100125056 A TW100125056 A TW 100125056A TW 201211203 A TW201211203 A TW 201211203A
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TW
Taiwan
Prior art keywords
group
substituted
compound
formula
polymer compound
Prior art date
Application number
TW100125056A
Other languages
English (en)
Inventor
Kohei Asada
Osamu Goto
Yusuke Ishii
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co filed Critical Sumitomo Chemical Co
Publication of TW201211203A publication Critical patent/TW201211203A/zh

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Description

201211203 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於高分子化合物、含有該高分子化人 組成物、液狀級成物、薄膜與元件，以及具備該元 狀光源與顯示裝置。 、面 【先前技術】 發光元件，係包含將發光性有機金屬錯合體 劑（Dopant)摻雜於主體材料而成之組成物以作為發/雜 鲁材料者，已知會表現出高效率的發光特性（專 ^的 [先前技術文獻] 敗1)。 [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2010-31246號公報 【發明内容】 (發明欲解決之課題） 然而’於專利文獻1，當用以製作有機電激發光元件 (Organic electroluminescent element)(以下亦稱為「有 機EL元件」）等發光元件時，並未具體地記載使元件擁有 長壽命的材料。 因此，本發明之目的在於提供用以製作有機EL元件等 發光元件時，使元件擁有長壽命的材料。 (解決課題之手段） 本發明係提供下述[1 ]至[2〇 ]。 U] —種高分子化合物，其係含有式（1)所示之重複單元及 式（2)所示之重複單元， 4 323308 (1) 201211203
R4及R5係各自獨立地表示氫原子、烧基、 、芳基、芳基氧基、务基硫基、芳基燒基、 芳烧氧基、芳烧硫基、醯基、醯氧基、醯胺基、酿亞胺（Acid # imide)基、亞胺殘基、取代矽基、取代矽基氧基、取代石夕 硫基、1價的芳香族雜環基、雜芳基氧基、雜芳基硫基、 芳烯基（Arylalkenyl)、芳炔基（Arylalkynyl)、取代緩基 或氰基’ R1、R2、R3、R4及R5之中的至少一個表示氫原子以 外的基，R1、R2、R3、R4及R5中的相鄰之基可互相結合而形 成環；
An及An係各自獨立地表示可具有選自烷基、烧氧 ^ 基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、 芳烷氧基、芳基烷基硫基、醯基、醯氧基、醯胺基、醯亞 胺基、亞胺殘基、取代石夕基、取代石夕基氧基、取代石夕硫義、 ^價的芳香族雜環基、雜芳基氧基、雜芳基硫基、芳烯 =块基、取代減及氰基所構成群k中的取代基之2二 323308 5 201211203
(式中，
An表示芳基或1價的芳香族雜環基；
An表示氫原子、烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳 基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳烷氧基、芳基烷基硫基、 Φ 醯基、醢氧基、醯胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、取代胺基、 取代矽基、取代矽基氧基、取代矽硫基、取代矽基胺基、i 價的芳香族雜環基、雜芳基氧基、雜芳基琉基、芳烯基、 芳炔基、取代羧基或氰基； R6表示烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、 芳基硫基、芳基烷基、芳烷氧基、芳基烷基硫基、醯基、 醯氧基、醯胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、取代胺基、取代 矽基、取代矽基氧基、取代矽硫基、取代矽基胺基、丨價 的芳香族雜環基、雜芳基氧基、雜芳基硫基、芳烯基、芳 快基、取代羧基或氰基；當存在複數個R6時，此等可為相 同或相異； a表示0或1，存在的2個a可為相同或相異）。 [2 ]如[1 ]所述之高分子化合物，其中，前述Rl、R2、R3、 R及R5之中的至少一個係包含烧基的基，前述包含院基的 基中之烷基的脂肪族碳原子數係6以上。 [3]如[1]或[2]所述之高分子化合物，其中，前述ri、r2、 6 323308 201211203 R3、R及R5之中的至少一個係碳原子數12以上的烷基。 [4] 如[1]或[2]所述之高分子化合物，其中，前述r2及r4 係經烷基取代的芳基。 [5] 如[1]至[4]中任一項所述之高分子化合物，其中，前 述An係氫原子、烷基、芳基或丨價的芳香族雜環基。 [6] 如[1]至[5]中任一項所述之高分子化合物，其中，前 述An及An係各自獨立地為式（3)或式（4)所示之2價的芳 香族基，
(式中’ R’表示氫原子或烷基）。 m如[1]至[6]中任一項所述之高分子化合物，其中，相 對= 冓成高分子化合物之全部重複單元，前述式⑴所示之 重複單讀前述式⑵解之重複單元的合計比例係30莫 耳％以上。 [8]如[1]至[7]中任一項所述之高分子化合物，其令， 含有式（5)所示之重複單元， ~ Ars--(5) (式中，Ars表示伸芳基或2價的芳香族雜環基）。 323308 7 201211203 [9]如[8]所述之高分子化合物，其中’前述式（5)所示之 重複單元係式（6)所示之重複單元， (R7)a (R7)a
(式中，
An及An係各自獨立地表示烷基、烷氧基、烷基硫基、 修芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳烷氧基、芳基烷基硫 基、醯基、醯氧基、醯胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、取代 胺基、取代矽基、取代矽基氧基、取代矽硫基、取代矽基 胺基雜务基氧基、雜务基硫基、芳稀基、芳炔基、取代 竣基或氰基； R7表示烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、 芳基硫基、芳基烧基、芳烧氧基、芳基烧基硫基、酿基、 _酿氧基、醜胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、取代胺基、取代 夕f取代矽基氧基、取代矽硫基、取代矽基胺基、1價 的芳香族雜j衣基、雜芳基氧基、雜芳基硫基、芳稀基、芳 块基、取代羧基或氰基； a表示〇或丨，存在的2個a可為相同或相異；當存在 複數個R?時，此等可為相同或相異）。 = Λ[δ]所述之高分子化合物，其中，前述式⑸所示之 後^係選自式⑺所*之重複單元及式⑻所示之重複 早疋所構成的群組中， 323308 8 201211203
Ra
⑺ (式中，R8及R9係各自獨立地表示烷基、烷氧基、烧基 硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳烷氧基、 芳基烷基硫基、醯基、醯氧基、醯胺基、醯亞胺基、亞胺 殘基、取代胺基、取代矽基、取代矽基氧基、取代矽硫基、 取代矽基胺基、1價的芳香族雜環基、雜芳基氧基、雜芳 # 基硫基、芳烯基、芳炔基、取代羧基或氰基） R10 Τ'ήτ ⑻ CR11)b (式中R及R係各自獨立地表示烧基、燒氧基、烧 基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烧基、芳烧氧 土芳基烧基硫基、酿基、酿氧基、酿胺基、酿亞胺基、 籲亞胺殘基、取代胺基、取代石夕基、取代石夕基氧基、取代石夕 硫基、取代％基胺基、丨價的芳香族雜環基、雜芳基氧基、 ^芳基硫基、料基3絲、取倾基或祕；b表示〇 如[8]至[10]中& —項所述之高分子化合物，其中， 成高ί子化合物的全部重複單元，前述式⑴所示 複單7G剛述式⑵所示之重複單元及前述式⑸所示 之重複單元的合計比例係80莫耳％以上。 如[1]至[11]^—項所述之高分子化合物，其中， 323308 201211203 復含有式（9)所示之重複單元， / ^8_^ΑΓι_^ΑΓιοΛ_ \ 个「9 A「11 /(9)
(式中，An、An、Ano及Aru係各自獨立地表示伸芳基 或2價的芳香族雜環基；Aru、八]：12及Αη3係各自獨立地表 示芳基或1價的芳香族雜環基；\及丫係各自獨立地表示〇 或1，但x + y之值為〇或1)。 [13] —種組成物，其係含有：[丨]至[12]中任一項所述之 高分子化合物與選自電洞傳輸材料、電子傳輸材料及發光 材料所構成群組中之至少一種材料者。 [14] 如[13]所述之組成物，其中，前述發光材料含有發光 性有機金屬錯合體化合物。 [15] 一種液狀組成物，其係含有[1]至[12]中任-項所述 籲之焉分子化合物與溶媒或分散媒者。 [16] 一種薄膜’其係含有[1]至[12]中任-項所述之高分 子化合物。 [17] 一種元件，其係具有以陽極及陰極構成的電極與設於 該電極間之含有[1]至[12]中任一項所述之高分子化合物 的有機層者。 [18] —種面狀光源，其係具備[17]所述之元件者。 [19] 一種顯示裝置，其係具備[17]所述之元件者。 10 323308 201211203 [20] —種式（i)所示之化合物，
(式中，Ra、Rf及Rg係各自獨立地表示氫原子或烷基， Rb、Re、Rd及Re係各自獨立地表示烷基或經烷基取代的芳 9 基；An及An係各自獨立地表示可具有選自烷基、烷氧基、 烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳烷 氧基、芳基院基硫基、醯基、醯氧基、醯胺基、酿亞胺基、 亞胺殘基、取代矽基、取代矽基氧基、取代矽硫基、丨價 的芳香族雜環基、雜芳基氧基、雜芳基硫基、芳烯基、芳 炔基、取代羧基及氰基所構成群組中的取代基之2價的芳 香族基；X表示鹵原子、硼酸酯殘基、硼酸殘基、式（a, 所不之基、式（a_2)所示之基、式（a-3)所示之基或式（a_4) 所示之基’存在的2個X可為相同或相異）
T (a-1) (式中，RT表示烷基或芳基） —MgXA (a-2) (式中，XA表示鹵原子） 323308 11 201211203 —ZnXA (2r3) (式中，XA表示與前述者同義） —Sn(RT)3 (a-4) (式中，RT表示與前述者同義，存在的3個RT可為相同或相 異）。 (發明之效果） 本發明之高分子化合物及組成物（以下亦稱為「本發明 m 零 之高分子化合物等」。）於用以製作有機EL元件等之時，使 元件擁有長壽命。於較佳之實施形態，本發明之高分子化 合物等復可使元件擁有優異的發光效率（亦即，量子產率 高）。因此，本發明之高分子化合物等係特別有用於有機 EL元件等發光元件的製造。 【實施方式】 以下，對本發明進行詳細說明。 φ [用語之說明] 以下，對本說明書所使用之共通用語進行說明。 以鹵原子而言，可例示：就原子、氯原子、漠原子及 蛾原子。 「重複單元」係意指於高分子化合物中存在2個以上 的單位。 用語中所謂「Cm至Cn」（m及η係滿足m < η之正整數）， 係表示於該用語之後所述之有機基的碳原子數為m至η。 12 323308 201211203 用語中附於基的前方之「非取代的」，意指該基之氫原 子未經取代基所取代。用語中附於基的前方之「取代（經取 代）」’意指該基之氫原子的一部分或全部為取代基所取 代。用語中附於基的前方之「可具有取代基之」，意指該基 之氫原子未經取代基所取代之情形以及該基之氫原子的一 部分或全部經取代基所取代之情形兩者。 用語中「可具有取代基」之說法即為「可經取代」。以 取代基而言，若無特別說明，即為例示：鹵原子、碳原子 • 數1至30的烴基（Hydrocarbyl)及碳原子數1至30的烴氧 基（Hydrocarbyloxy)，此等之中，以鹵原子、碳原子數1 至18的烴基及碳原子數1至18的烴氧基為較佳，以鹵原 子、碳原子數1至12的烴基及碳原子數1至12的烴氧基 為更佳，以鹵原子及碳原子數1至12的烴基又更佳，以鹵 原子及碳原子數1至6的烴基為特佳。 烷基意指非取代之烷基以及經函原子、胺基及酼基 (Mercapto)等取代基取代的烧基。烧基係包含直鏈狀统基 及環狀烷基（環烷基）兩者。烷基可具有分枝。烷基的碳原 子數，不含取代基之碳原子數的情形下，通常為1至20。 以烷基而言，可列舉例如：曱基、乙基、丙基、異丙基、 丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基、環己基、庚基、 辛基、2_乙基己基、壬基、癸基、甲基十一基、十五基、 2, 2, 4, 4, 6, 8, 8-七曱基壬基、十七基、十八基、2, 6, 10， 14-四曱基十五基、十九基、3, 7-二甲基辛基、十二基、三 氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、三 13 323308 201211203 氟丙基、十三氟-1，1，2, 2~四氫辛基、十七氟-1,1,2, 2-四 氫癸基、巯基丙基、巯基辛基及毓基癸基。以匕至C2〇烷基 而言，可列舉例如：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、 異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、異戊基、己基、環 己基、庚基、辛基、壬基、癸基及十二烧基。 烷氧基意指非取代之烷氧基以及經函原子及烷氧基等 取代基取代的烷氧基。烷氧基包含直鏈狀烷氧基及環狀烷 氧基（環烷氧基）兩者。烷氧基可具有分枝。烷氧基的碳原 '# 子數，在不含取代基之碳原子數的情形下，通常為1至20， 較佳為1至15，更佳為1至10。以烷氧基而言，可列舉例 如：甲氧基、乙氧基、丙基氧基、異丙基氧基、·丁氧基、 異丁氧基、第三丁氧基、戊基氧基、己基氧基、環己基氧 基、庚基氧基、辛基氧基、2-乙基己基氧基、壬基氧基、 癸基氧基、3, 7-二甲基辛基氧基、十二烷基氧基、三氟曱 氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟己基、全氟辛基、 曱氧基曱基氧基及2-曱氧基乙基氧基。以匕至C12烷氧基 而言，可列舉例如：甲氧基、乙氧基、丙基氧基、異丙基 氧基、丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基、戊基氧基、己基 氧基、環己基氧基、庚基氧基、辛基氧基、2-乙基己基氧 基、壬基氧基、癸基氧基、3, 7-二甲基辛基氧基及十二烧 基氧基。 烷基硫基意指非取代之烷基硫基以及經il原子等取代 基取代的烷基硫基。烷基硫基係包含直鏈狀烷基硫基及環 狀烷基硫基（環烷基硫基）兩者。烷基硫基可具有分枝。燒 14 323308 201211203 基硫基的碳原子數，在不含取代基之碳原子數之情;兄下 通常為1至20 ’較佳為1至15，更佳為1至1CN 硫基而言，可列舉例如：曱基硫基、乙基硫基、丙基碗式 異丙基硫基、丁基硫基、異丁基硫基、第三丁基硫基、戊 基硫基、己基硫基、環己基硫基、庚基硫基、辛基硫美、
2一乙基己基硫基 '壬基硫基、癸基硫基、3, 7-二甲基辛基 硫基、十二烷基硫基及三氟曱基硫基。以（^至h燒基硫義 而言，可列舉例如：曱基硫基、乙基硫基、丙基硫基、^ 丙基硫基、丁基硫基、異丁基硫基、第三丁基硫基、戊義 硫基、己基硫基、環己基硫基、庚基硫基、辛基硫基、^ 乙基己基硫基、壬基硫基、癸基硫基、3, 7—二甲基辛義碌 基及十二烧基硫基。
芳基係自芳香族烴去除丨個鍵結於構成芳香環之碳原 子的氫原子後殘留的原子團。芳基意指非取代之芳基以及 經鹵原子、烷氧基及烷基等取代基取代的芳基。芳基亦包 ^ ^縮合環者；選自獨立的笨環及缩合環之2個以上的 ^以早鍵鍵結者；選自獨立的苯環及縮合環之2個以上的 ^ ’係介由2價的有機基（例如伸乙烯基等伸稀基）而鍵结 ^基的碳原子數’在不含取代基之碳原子數的情況下: 通:為6至60,較佳為7至48，更佳為7至3〇。以芳基 例如：苯基、&至Cl2烧氧基苯基、Cl至Cl2 j本基、卜萘基、2'萘基、1-¾基（lUeenyD、2- 广二9蒽基及五氟苯基，以Q &錄基苯基或&至 L烷基笨基為較佳。 323308 15 201211203 以Cl至Cl2烧氧基苯基而言，可列舉例如：曱氧基笨 基、乙氧基苯基、丙基氧基苯基、異丙基氧基苯基、丁氧 基笨基、異丁氧基苯基、第三丁氧基苯基、戊基氧基苯基、 己基氧基苯基、環己基氧基苯基、庚基氧基苯基、辛基氧 基本基、2_乙基己乳基本基、壬基氧基笨基、癸基氧基苯 基、3, 7-二曱基辛基氧基苯基及十二烷基氧基苯基。 以Cl至Cl2烧基苯基而言，可列舉例如：甲基苯基、乙 基苯基、二曱基苯基、丙基苯基、2, 46一三曱笨基 # (2, 4, 6-Mesityl)、甲基乙基苯基、異丙基苯基、丁基苯基、 異丁基本基、苐二丁基苯基、戊基苯基、.異戊苯基、己基 本基、庚基本基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基及十二 烷基苯基。 芳基氧基意指非取代之芳基氧基以及經鹵原子、炫氧 基及烷基等取代基取代的芳基氧基。芳基氧基的碳原子 數’在不含取代基之碳原子數的情況下，通常為6至6〇， 較佳為7至48，更佳為7至30。以芳基氧基而言，可列舉 例如：苯氧基、匕至U烷氧基苯氧基、（：，至G2烷基笨氧 基、卜萘基氧基（1-Naphthyloxy)、2-萘基氧基及五氟笨基 氧基，以（：!至L烷氧基苯氧基或（^至Cu烷基苯氧基為較 佳。 以Ci至C〗2烷氧基苯氧基而言，可列舉例如：曱氧基笨 氧基、乙氧基苯氧基、丙基氧基苯氧基、異丙基氧基苯氧 基、丁氧基苯氧基、異丁氧基苯氧基、第三丁氧基苯氧基、 戊基氧基笨氧基、己基氧基苯氧基、環己基氧基苯氧基、 323308 16 201211203 2-乙基己氧基苯氧基、 ' 3, 7-二甲基辛基氧基 庚基氧基苯氧基、辛基氧基苯氧基、 壬基氧基苯氧基、癸基氧基苯氧基 苯氧基及十二烷基氧基苯氧基。
以G至C1Z烷基苯氧基而言，可列舉例如：甲基苯氧 基、乙基苯氧基、二甲基苯氧基、丙基苯氧基、13, 5一三 甲基苯氧基、甲基乙基苯氧基、異丙絲氧基、丁基苯氧 基、+異丁絲氧基、第三丁絲氧基、絲苯氧基、異戊 基苯氧基、己基苯氧基、庚基苯氧基、辛基苯氧基、壬基 苯氧基、癸基苯氧基及十二烷基笨氧基。 芳基硫基意指非取代之芳基硫基以及經鹵原子、烷氧 基及烷基等取代基取代的芳基硫基。芳基硫基的碳^子 數，在不含取代基之碳原子數的情況下，通常為6至⑽， 較佳為7至48，更佳為7至30。以芳基硫基而言，可列舉 例如：笨基硫基、（^至Cu烷氧基苯基硫基、（^至&烷基 笨基硫基、1-萘基硫基、2-萘基硫基及五氟笨基硫基。 芳基烷基意指非取代之芳基烷基以及經齒原子、烷氡 基及烷基等取代基取代的芳基烷基。芳基烷基的碳原子 數，在不含取代基之碳原子數的情況下，通常為7至即， 較佳為7至48，更佳為7至30。以芳基烷基而言，可列舉 例如：苯基-(^至C2。烷基、（^至Clz烷氧基苯基吒！至。烷 基、（^至C!2烷基苯基-(^至C2。烷基、卜萘基-(^至C2()烷基 及萘基-Cl至C20院基。 芳烧氧基意指非取代之芳院氧基以及經齒原子、院氧 基及烷基等取代基取代的芳烷氧基。芳烷氧基的碳原子 323308 17 201211203 數，在不含取代基之碳原子數的情況下 ，通常為7至6〇， 車乂佳為7至48，更佳為7至3〇。以芳烧氧基而言，可列舉 例如.苯基-匕至（：12烷氧基、d &烧氧基苯基至l 院氧基、c】至c12燒基苯基-匕至Ci2烧氧基、卜蔡基{至 b烷氧基及2-萘基-(^至（：12烷氧基。 方基烧基硫基意指非取代之芳基烧基硫基以及經齒原 子、烧氧基及烧基等取代基取代的芳基烧基硫基。芳基燒 基硫基的碳原子數’在不含取代基之碳原子數的情泥下， _通常為7至60，較佳為7至48，更佳為7至3〇。以芳基 烧基硫基而言，可列舉例如：苯基_Ci至G道基硫基、& 至C1Z烷氧基苯基至clz烷基硫基、Cl至Ci2烷基苯基_Ci 至C!2烷基硫基、卜萘基—(^至Ciz烷基硫基及2_萘基_匕至 Cl2烧基硫基。 芳烯基意指非取代之芳烯基以及經鹵原子、烷氡基及 烧基等取代基取代的芳晞基。料基的碳原+數，在不含 φ 取代基之碳原子數的情況下，通常為8至60，較佳為8至 48，更佳為8至30。以芳烯基而言，可列舉例如：苯基 至U烯基、〇至。烷氧基苯基-匕至&烯基、匕至Ci2燒 基苯基-G至C!2烯基、1-萘基―匕至&烯基及2_萘基_C2至 C!2烯基，以Ci至C!2烷氧基苯基-(^至&烯基或g至匕2烷 基苯基-C2至Cl2稀基為較佳。 以匕至〇烯基而言，可列舉例如：乙烯基、卜丙烯基、 2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、i-戊烯基、2_戊烯基、 1_己烯基、2-己烯基及1-辛烯基。 323308 18 201211203 芳炔基意指非取代之芳炔基以及經_原子、烷氧基及 烧基等取代基取代的芳块基。芳快基的碳原子數，在二含 取代基之碳原子數的情況下，通常為8至6〇，較佳為8 : 48 ’更佳為8至30。以芳炔基而言，可列舉如：苯芙七 至C”炔基、（^至Clz烷氧基苯基七至&炔基、匕至^烷 基苯基吒2至&炔基、丨-萘基—(^至Ciz炔基及2_萘基—^至 c12炔基，較佳為（^至L烷氧基苯基气2至&炔 &烷基苯基-匕至^炔基。 〆 籲 以C2至Cl2炔基而言，可列舉例如：乙块基小丙块基、 2-丙块基、1-丁炔基、2_丁炔基、卜戊炔基、2戊快基、 1-己炔基、2-己炔基及卜辛炔基。 雜方基氧基意指非取代之雜芳基氧基及經取代之雜芳 基氧基。雜芳基氧基的碳原子數，在不含取代基之碳原子 數的情況下’通常為6至6〇，較佳為7至48。以雜芳基氧 基而5，可列舉例如：Cl至l烷氧基吡啶基氧基、Q至& φ烷基吡啶基氧基、噻吩基氧基、匕至。烷氧基噻吩基氧基、 σ比咬基氧基及異嗤琳基氧基，以。至Cl〗烧氧基吼咬基氧基 或Cl至Cl2烷基Π比啶基氧基較佳。 以Cl至Cl2烧氧基吡啶基氧基而言，可列舉例如：甲氧 基°比咬基氧基、乙氧基料基氧基、丙基氧基K基氧基、 異丙基氧基》比咬基氧基、丁氧基^比啶基氧基、異丁氧基0比 咬基氧基、第二丁氧基°比啶基氧基、第三丁氧基吼啶基氧 基、戊基氧基°比啶基氧基、己基氧基吼啶基氧基、環己基 氧基吼唆基氧基、庚基氧基啦啶基氧基、辛基氧基他啶基 19 323308 201211203 氧基、2-乙基己基氧基定基氧基、壬基氧基〇比咬基氧基、 癸基氧基11比啶基氧基、3, 7-二甲基辛基氧基。比啶基氧基及 十二烷基氧基咐•啶基氧基。 以Cl至Cl2烧基吼啶基氧基而言，可列舉例如：甲基〇比 啶基氧基、乙基吼啶基氧基、二甲基0比啶基氧基、丙基吼 啶基氧基、1，3, 5-三甲基啦啶基氧基、甲基乙基〇比啶基氧 基、異丙基吼啶基氧基、丁基π比啶基氧基、異丁基。比啶基 氧基、第二丁基吼啶基氧基、第三丁基吼啶基氧基、戊基 ® β比啶基氧基、異戊基°比啶基氧基、己基吼啶基氧基、庚基 吼啶基氧基、辛基咐啶基氧基、壬基η比啶基氧基、癸基〇比 咬基氧基及十二烧基吼咬基氧基。 雜芳基硫基意指非取代之雜芳基硫基及經取代之雜芳 基硫基。雜芳基硫基的碳原子數，在不含取代基之碳原子 數的情況下，通常為6至60，較佳為7至48。以雜芳基硫 基而言’可列舉例如：吼啶基硫基、匕至^烷氧基吡啶基 馨硫基、Cl至Cl2烷基吡啶基硫基及異喹啉基硫基，以Cl至 C1Z烷氧基吡啶基硫基或（^至&烷基吡啶基硫基較佳。 1價的芳香族雜環基係意指自具有芳香族性之雜環式 化合物去除1個直接鍵結於芳香環的氫原子後殘留的原子 團’亦包含有縮合環者。1價的芳香族雜環基意指非取代 之1價的芳香族雜環基及經烷基等取代基取代的丨價的芳 香族雜環基。裒式化合物係指有著環式構造的有機化合 物之中，構成環的元素不僅碳原子，而包含氧原子、硫原 子、氮原子、磷原子、硼原子及矽原子等雜原子者。以具 323308 20 201211203 有芳香族性的雜環式化合物而言，可列舉例如：嚷二β坐、 噻二唑、噻唑、噚唑、噻吩、吡咯、膦酸異喹啉、咔唑及 二苯並磷雜環戊二婦（Dibenzophosphole)等包含雜原子的 雜環式化合物而雜環本身係表現出芳香性者；啡Q井 (Phenoxazine)、啡噻畊（Phenothiazine)、二苯並蝴雜環 戊二烯（Dibenzoborole)、二苯並矽雜環戊二婦 (Dibenzosi lole)及二苯並咐^南（Dibenzopyran)等包含雜 原子之雜環式化合物，而該化合物中所含包含雜原子之雜 %本身雖不表現出方香性’惟於雜環中具有芳香環經縮環 的構造。 1價的芳香族雜環基的碳原子數，在不含取代基之碳 原子數的情況下’通常為4至60，較佳為4至30。以1價 的芳香族雜環基而言，可列舉例如：噻吩基、（^至Cl2烷基 嗟吩基、吼咯基、呋喃基、吡啶基、Cl至Cl2烷基吡啶基、 塔哄基、嘴。定基、吡啡基、三畊基、喹啉基及異喹啉基， 以°塞吩基、匕至C!2烷基噻吩基、吡啶基或〇至C12烷基吡 σ定基較佳。 胺基意指非取代之胺基以及經選自烷基、芳基、芳基 燒•基及1價的芳香族雜環基之1個或2個取代基取代之胺 基（以下稱作「取代胺基」）。該取代基可復具有取代基（以 下亦會稱作「二次取代基」）。取代胺基的碳原子數，在不 含二次取代基之碳原子數的情況下通常為1至60，較佳為 2至48 ’更佳為2至4〇。以取代胺基而言，可列舉例如： 甲基胺基、二甲基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、丙基胺 21 323308 201211203 基、二丙基胺基、異丙基胺基、二-異丙基胺基、丁基胺基、 異丁基胺基、第二丁基胺基、第三丁基胺基、戊基胺基、 己基胺基、庚基胺基、辛基胺基、2-乙基己基胺基、壬基 胺基、癸基胺基、3, 7-二甲基辛基胺基、十二烧基胺基、 環戊基胺基、二環戊基胺基、環己基胺基、二環己基胺基、 二（三氟曱基）胺基、苯基胺基、二苯基胺基、〇至C12烷氧 基本基胺基、一（Cl至Cl2烧氧基苯基）胺基、Cl至Cl 2燒基 本基fee基、一（Ci至Ci2烧基苯基）胺基、1-蔡胺基、2-蔡胺 ® 基、五氟苯基胺基、吡啶基胺基、嗒哄基胺基、嘧啶基胺 基、吡畊基胺基、三畊基胺基、苯基-C,至C12烷基胺基、 〇至C1Z烷氧基笨基-匕至C!2烷基胺基、二（(^至C12烷氧基 苯基-(^至Cu烷基）胺基、匕至C12烷基苯基-〇至C12烷基胺 基、二至C!2烷基笨基七至C12烷基）胺基、1-萘基 至Ci2烧基胺基及2-奈基-Ci至Ci2烧基胺基。 矽基意指非取代之矽基以及經選自烷基、芳基、芳基 φ 烷基及1價的芳香族雜環基之1個、2個或3個取代基取 代之矽基（以下稱作「取代矽基」）。取代基可具有二次取 代基。取代矽基的碳原子數，在不含二次取代基之碳原子 數的情況下，通常為1至6〇，較佳為3至48，更佳為3至 40。以取代矽基而言，可列舉例如：三甲基矽基三乙基 矽基、三丙基矽基、三-異丙基矽基、二甲基—異丙基矽基、 二乙基-異丙基矽基、第三丁基矽基二甲基矽基、戊基二曱 基矽基、己基二甲基矽基、庚基二甲基矽基、辛基二甲基 矽基、2-乙基己基-二甲基矽基、壬基二曱基矽基、癸基二 22 323308 201211203 甲基石夕基3, 7-一甲基辛基-二甲基石夕基、十二烧基二甲基 矽基、苯基-〇至G烷基矽基、〇至。烷氧基苯基至
Ci2烧基夕基Ci至Ci2炫基苯基-Ci至Ci2烧基夕基、1-萘基 匕至C1Z烷基矽基、2_萘基_(^至Cu烷基矽基、苯基—〇至
Cl2烧基二甲基石夕基、三苯基石夕基、三-對茗基石夕基、三节基 石夕基一笨基甲基石夕基、第三丁基二苯基石夕基及二甲基苯 基碎基。 "取代矽基氧基意指經選自烷基、芳基、芳基烷基、烷 春氧基、方基氧基、芳烧氧基及1價的雜環氧基所構成群組 中之1個、2個或3個的取代基取代之矽基氧基。取代基 可具有二次取代基。取代矽基氧基的碳原子數，在不含二 次取代基之碳原子數的情況下，通常為丨至6〇，較佳為3 至48。以取代矽基氧基而言，可列舉例如：三曱基矽基氧 基、二乙基矽基氧基、三丙基矽基氧基、三_異丙基矽基氧 基、二甲基-異丙基矽基氧基、二乙基—異丙基矽基氧基、 φ 第二丁基二甲基矽基氧基、戊基二甲基矽基氧基、己基二 曱基矽基氧基、庚基二甲基矽基氧基、辛基二曱基矽基氧 基、2-乙基己基-二甲基石夕基氧基、壬基二曱基石夕基氧基、 癸基二甲基矽基氧基、3, 7-二甲基辛基-二曱基矽基氧基、 十二烷基二f基矽基氧基、苯基—匕至c12烷基矽基氧基、 ^至C1Z烷氧基苯基{至Cu烷基矽基氧基、匕至&烷基苯 基-Cl至Cl2烷基矽基氧基、1-萘基-Cl至Cl2烷基矽基氧基、 2-萘基至Cl2烷基矽基氧基、苯基-c!至C!2烷基二甲基 石夕基氧基、三苯基石夕基氧基、三-對茗基石夕基氧基、三节基 323308 23 201211203 本基碎基氧 矽基氧基、二苯基甲基矽基氧基、第三丁基二 基及二甲基苯基矽基氧基。 取代矽基硫基意指經選自烷基、芳基、 # r* it A r* «· 方基烧基、燒
m硫基、芳編硫基及i價的雜環硫基所構 成群組中之1個、2個或3個的取代基取代之矽基硫美。 取代基可具有二次取代基。取代祕硫基的碳原子數，在 不含二次取代基之碳原子數的情況下，通常為丨至60，較 佳為3至48。以取代矽基硫基而言，可列舉例如：三甲^ 矽基硫基、三乙基矽基硫基、三丙基矽基硫基、三異丙ς 石夕基硫基、二甲基-異丙基祕硫基、二乙基〜異丙基石夕^ 硫基、第三丁基二f基⑦基硫基、戊基二甲基硬基硫基、 己基二甲基矽基硫基、庚基二甲基矽基硫基、辛基二甲基 矽基硫基、2-乙基己基—二甲基矽基硫基、壬基二甲基矽基 硫基、癸基二甲基梦基硫基、3, 7—二甲基辛基—二甲基石夕^ 硫基、十二烷基二甲基矽基硫基、苯基_Ci至心烷基矽^ 硫基、匕至l烷氧基苯基-c,至&烷基矽基硫基、Ci至& 烧基苯基力至（：12烧基石夕基硫基、卜萘基—d &烧基矽 基硫基、2-萘基至C1Z烷基矽基硫基、苯基_Ci至Ci2烷 基二曱基矽基硫基、三苯基矽基硫基、三-對茬基矽基硫 基、三苄基矽基硫基、二苯基曱基矽基硫基、第三丁基二 苯基碎基硫基及二甲基苯基矽基硫基。 雜環硫基意指酼基的氫原子經1.價的芳香族雜環基取 代之基。以雜環硫基而言，可舉出例如雜芳基硫基（例如： 吡啶基硫基、嗒畊基硫基、嘧啶基硫基、吡啡基硫基及三 323308 24 201211203 哄基硫基）。 取代矽基胺基意指經選自烷基、芳基、芳基烷基、烧 基胺基、芳基胺基、芳基烧基胺基及1價的雜環胺基所構 成群組中之1個、2個或3個取代基取代之矽基胺基。取 代基可具有二次取代基。取代矽基胺基的碳原子數，在不 含二次取代基之碳原子數的情況下，通常為1至6〇，較佳 為3至48。以取代矽基胺基而言’可列舉例如：三甲基石夕 基胺基、三乙基矽基胺基、三丙基矽基胺基、三-異丙基石夕 基胺基、二曱基-異丙基碎基胺基、二乙基-異丙基碎基胺 基、第三丁基二曱基矽基胺基、戊基二甲基矽基胺基、己 基二甲基矽基胺基、庚基二甲基矽基胺基、辛基二甲基石夕 基胺基、2-乙基己基-二甲基矽基胺基、壬基二曱基矽基胺 基、癸基二甲基矽基胺基、3, 7-二甲基辛基-二曱基矽基胺 基、十二烷基二甲基矽基胺基、苯基-G至Clz烷基矽基氧 基、C!至Cl2烷氧基苯基-Cl至Cl2烷基矽基胺基、G至Cl2 | 烧基苯基-Cl至Cl2燒基珍基胺基、1-萘基-Cl至C12烧基石夕 基胺基、2-萘基-Cl至Cl2烧基碎基胺基、苯基-Cl至Cl2烧 基二甲基矽基胺基、三苯基矽基胺基、三-對茬基矽基胺 基、三苄基矽基胺基、二苯基曱基矽基胺基、第三丁基二 苯基矽基胺基及二甲基苯基矽基胺基。 醯基意指非取代之醯基及經齒原子等取代基取代的醯 基。醯基的碳原子數，在不含取代基之碳原子數的情況下， 通常為1至20，較佳為2至18，更佳為2至16。以醯基 而言，可列舉例如：甲醯基、乙醯基、丙醯基、丁醯基、 323308 25 201211203 異丁醯基、三甲基乙醯基（卩丨¥81〇丫1)、苯甲醯基 (Benzoyl)、三氟乙醯基及五氟苯曱醯基。 醯氧基意指非取代之醯氧基及經函原子等取代基取代 的醯氧基。醯氧基的碳原子數，在不含取代基之碳原子數 的情況下，通常為1至2〇，較佳為2至18，更佳為2至 16。以醯氧基而言，可列舉例如：甲醯基氧基、乙醯氧基 (Acetoxy)、丙醯基氧基、丁醯基氧基、異丁醯基氧基、三 曱基乙醯基氧基、苯甲醯基氧基、三氟乙醯基氧基及五氟 • 苯曱醯基氧基。 亞胺殘基意指由具有式：H_N=C<及式：—N=CH_之至少 一者所不之構造的亞胺化合物，去除該構造中的1個氫原 子後之殘基。以該構造而言，可列舉例如：醛亞胺；酮亞 胺
醛亞胺中鍵結於氮原子之氫原子經烷基、芳基、芳基 烷基、方烯基及芳炔基等取代基取代的化合物。亞胺殘基 的碳原子數，在不含取代基之碳原子數的情況下，通常為 2至2〇，較佳為2至18，更佳為2至16。以亞胺殘基而言， ，如通式.nR’’或通式：_N=C(R，，）2(式中，R’表示 虱原子、燒，、芳基、芳基烧基、芳稀基或芳块基，Η" 烷ί芳基、芳基烷基、芳烯基或芳炔基。後者之通 個R可為彼此相同或相異。亦可以2個R，， 形成2價的基（例如：伸乙基、伸丙基、伸丁基、 m己基等碳原子數…8的伸院基 y ene ’與殘留的原子團成為—體而形成環。）所示 之基。 323308 26 201211203 以亞胺殘基而言，可列舉例如以下構造式所示之基。 ^产A:
(式中，Me表示甲基。） _龜私：基思扣由酿胺（Acid amide)去除鍵結於該酿胺之 氣原子的氫原子所得之殘基。本說明書之醯胺意指氨的氣 原子匕1個或2個酿基取代之丨級或2級醯胺（但具有環式 構造的2級醯胺’亦gm亞絲外）。醯胺基意指非取代之 鲁酿胺基及、J：鹵原子等取代基取代的酿胺基。酿胺基的碳原 子數’在不含取代基之碳原子數的情況下，通常為2至2〇, 較佳為2至18，更佳為2至16。以酿胺基而言可列舉例 如.曱醯胺基、乙醯胺基、丙醯胺基、丁醯胺基、苯曱醯 胺基（benzamide)、三氟乙醯胺基、五氟苯曱醯胺基、二曱 軸基、二乙醯胺基、二丙醯胺基、二丁酿胺基、二苯曱 醯胺基、二（二氟乙醯）胺基及二（五氟苯曱醯）胺基。 酿亞胺基意指從酿亞胺去除鍵結於該醯亞胺之氮原子 27 323308 201211203 的氫原子所得之殘基。醯亞胺基意指#取代之醯亞胺基及 經取代之醯亞胺基。酿亞胺基的碳原子數’在不含取代基 之碳原子數的情況下，通常為4至20 ’較佳為4至18 ’更 佳為4至16。以醯亞胺基而言’可舉例如以下所示之基。
(式中，Me表示甲基。） 竣基意指朴取代之幾基以及經烧基、芳基、芳基烧基 及1價的芳香族雜環基等取代基取代的羧基（以下稱作取 代缓基）。取代基可具有二次取代基。取代缓基的碳原子 數，在不含二次取代基之碳原子數的情況下，通常為1至 60 ’較佳為2至48，更佳為2至45。以取代叛基而言，可 列舉例如.f氧基幾基、乙氣基幾基、丙氧基幾基、異丙 乳基Ik基、丁軋基幾基、異丁氧基幾基、第二丁氧基幾基、 第二丁氧基羰基、戊基氧基羰基、己基氧基羰基、環己基 323308 28 201211203 氧，叛基、庚基氧基料、辛基氧基Μ基、2-乙基己氧基 減、壬基氧基料、癸氧基截基、 3, 7-二甲基辛基氧基 ^十Γ燒基氧基緩基、三I甲氧基幾基、五氟乙氧基 =王Ιτ氧基幾基、全ι己基氧基減、全氟辛基氧 土幾基&笨^基縣、萘氧基祕及^定基氧基幾基。 ^的芳香族基意指由芳香族烴及具有芳香族性的雜 ^ ^°物中之任—者去除2個氫原子所成之原子團。2 貝的方香絲包含非取代之2價的芳香族基及經取代之2 價的芳香族基。以2價的芳香族基而言，可例示伸芳基及 2價的芳香族雜環基。 伸=基意指由芳香族烴去除2個氫原子所成的原子 伸方基包含有著獨立的笨環或縮合環者。伸芳基意指 非取代之伸綠及鋒狀㈣基。伸絲㈣原子數， 通常為6至60 ’較佳為6至48，更佳為6至3〇，復更佳 為6至18。該碳原子數不含取代基的碳原子數。 2 ^料香祕縣意指由具有芳找,㈣雜環式化 :物去除直接結合於芳香環的2個氫原子而㈣的原子 人物m縮合環者。在此’具有芳香族性的雜環式化 與在1價的芳香族雜環基所說明者相同。2價 意Γ取代之2價的芳香族雜環基及經燒 基f取代基取代之2價的芳香族雜環基。 <向分子化合物> 本發明之高分子化合物，因為將該高分子化合物用以 1作發光元㈣’其成膜性以及所得之發光元件:發光效 323308 29 201211203 率及壽命得以提升，其聚苯乙_算的數量平均分子量] 通常係2xl03以上’以2)<1〇3至1χ1〇8為佳較佳為丄咖 至lxlG6。本說明書中，以聚苯乙烯換算之數量平均分子量 為2xl03以上之化合物稱作高分子化合物。其餘，聚苯乙婦 換算之數量平均分子量未達2X1G3之化合物稱作低分子化 合物。又，當聚苯乙烯換算之數量平均分子量為2χ1〇3以上 時，樹枝狀聚合物（Dendr i mer)及寡聚物亦包含在本發明之 高分子化合物内。 本發明之高分子化合物含有式（丨）所示之重複單元及 式（2)所示之重複單元。首先，對式（1)所示之重複單元進 行說明。
式（1)中’ R1、R2、R3、R4及R5係各自獨立，表示氫原 ^ 子、烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫 基、芳基烷基、芳烷氧基、芳基烷基硫基、醯基、醯氧基、 醯胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、取代矽基、取代矽基氧基、 取代矽基硫基、1價的芳香族雜環基、雜芳基氧基、雜芳 基硫基、芳烯基、芳炔基、取代羧基或氰基’ RR、R、 R4及R5之中的至少一個係表示氫原子以外的基。r1、r2、r3、 R4及R5可為彼此相同或相異。r1、R2、R3、R4及R5之中相鄰 之基可互相結合而形成環。 323308 30 201211203 式（1)中的R1、R2、R3、R4及R5之中至少一個係表示氫 原子以外的基。R1、R2、R3、R4及R5之中的至少一個，係以 包含烷基的基為較佳。包含烷基的基，意指烷基本身及部 分包含烷基之的基（可列舉例如：烷氧基；烷基硫基；及經 烷基取代之作為上述R1至R5的候補之基）。從使用本發明 之高分子化合物而得發光元件的壽命的觀點來看，包含燒 基的基以烧基較佳。此外，從使用本發明之高分子化合物 而得發光元件的耐熱性的觀點來看，包含烷基的基以經烧 ^ 基取代之芳基較佳。 包含烷基的基中，其構成烷基的脂肪族碳原子數，因 為可兼顧本發明之高分子化合物用以製作發光元件時對溶 媒的彡谷解性與所得之發光元件的译命，故以6以上為較 佳，12以上為更佳。此外，因為可提升使用本發明之高分 子化合物而得之發光元件的壽命及耐熱性，故前述脂肪族 石反原子數以100以下為較佳’ 60以下為更佳，3〇以下為復 更佳。又，脂肪族碳原子數意指對象的基中脂肪族結構部 胃分所包含的碳原子數。 其中’式（1)中的R1、R2、R3、R4及！^之中的至少一個 係以碳原子數6以上的烧基為較佳，以碳原子數為12以上 的烷基為更佳。 而且，以R3為碳原子數12以上的烷基為更佳。^及 R之至少一者以虱原子為較佳。R2及R4之至少一者以烧基、 芳基或經烷基取代的芳基為較佳，R4係以經烷基取代 的芳基為更佳。 323308 31 201211203 式（1)中，An及Ar*2係各自獨立，表示可具有選自燒 基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基芳 基烧基、芳烧氧基、芳基烧基硫基、醯基、酿氧基、醢胺 基、醯亞胺基、亞胺殘基、取代矽基、取代矽基氧基、取 代矽基硫基、1價的芳香族雜環基、雜芳基氧基、雜芳基 硫基、芳烯基、芳炔基、取代羧基及氰基所構成群組中的 取代基之2價的芳香族基。 在此，以2價的芳香族基而言，可例示伸芳基或2價 Φ 的芳香族雜環基。 以An及An所示之伸芳基而言，可列舉例如：14一伸 本基、1，3-伸苯基及1，2-伸苯基等伸苯基；2, 7-伸聯苯基 (81口1^1^17161^)及3,6-伸聯苯基等伸聯苯基；1，4—萘_二 基（以丫1)、1，5-萘-二基及2,6-萘-二基等萘_二基；1，4_ 蒽-二基、1，5-蒽二基、2, 6-蒽-二基及9, 10-蒽-二基等茛 -二基；2, 7-菲（Phenanthrene)-二基等菲-二基；l 7_稠四 苯（Naphthacene)-二基、2, 8-稠四笨-二基及5, 12_祠四苯 一一基等稍四苯二基；2, 7-苐（Fluorene)-二基及3 6-第- 一基專第-二基；1，6 -祐（Pyrene)-二基，g-祐一二基、〗 芘-二基及4,9-芘-二基等芘二基；3,9-茈（？61^16116)_二 基及3, 10-花-二基等花-二基；聯笨基-二基；聯三苯夷一 二基；苯並苐-二基；及二苯並苐-二基，較佳為伸笨基或 薙二基。
An及An所示之2價的芳香族雜環基的碳原子數，在 不含取代基的碳原子數之情況下，通常為4至60，較佳為 323308 32 201211203 4至30’更佳為6至12。以&、丄、 可列舉例如：2,5~吡啶述2價的芳香族雜環基而言， 基…吩〜二基等二、基及美—^ 二基;終二基等喑；基;其2,5广喃-二基挪 1，5-…二基等異Γ:基;1A4-^ 咖—㈣〜二基等嗤㈣、二基-心苯並二： 二嗤-二基等笨並Π，2,5]，: ’ ’ ’ 基等苯並噻唑~_某.9 7 —基，4, 7-本並噻唑-一 ； 3, ^ 基等哪㈣-二基.及2 / 4啡_—二基；3, 7_啡㈣-二 笨並石夕雜環戊H笨並石夕雜環戊二稀-二基等二 啥啊-二基。一土車乂佳為吼咬-二基、啥琳一二基或 炉其、rL及盆^之至少一者可具有選自烧基、烧氧基、烧基 二土'㈣氧基、芳基硫基、芳基絲、芳烧氧基、 方基院基硫基、醢基、酿氧基、醯胺基、醢亞胺基、亞胺 鲁f基、取切基、取切基氧基、取代縣硫基、1 芳香族雜％基、雜芳基氧基、雜芳基硫基、芳稀基、芳块 基、竣基及氰基所構成群組中的取代基，以伸芳: 的芳香族雜環基為佳。 ^ 以An &An所示之伸芳基而言，可列舉例如：伸笨義 (例如下式1至3)、萘二基（例如下式4至13)、聯笨〜二 (/列如下式20至25)、聯三苯-二基（例如下式26至28)、 菲—二基（例如下式29)、具有縮合環之伸聯苯基（例如下式 31及32)、茚一二基（例如式34及35)、葬-二基（例如下^ 323308 33 201211203 36至38)、苯並苐-二基（例如下式A-l至A-3)及二苯並苐 _二基（例如下式A-4)。
R R R R R R R i R R?
4 5 fi 7
34 323308 201211203
35 323308 201211203
R R
A-4 (式中，R表不氫原子或取代基。複數個之R可為彼此相 或相異。） 上述之式1至29、31至38及A-1至A-4中，以R所 示之取代基而言，可列舉例如：烷基、烷氧基、烷基硫基、 芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳烷氧基、芳基 # 烷基硫基、芳烯基、芳炔基、取代矽基、齒原子、醯基、 醯氧基、亞胺殘基、醯胺基、醯亞胺基、丨價的芳香族雜 環基、羧基、取代羧基、氰基、取代矽基氧基、取代矽基 硫基、雜芳基氧基及雜芳基硫基。此等之取代基所含的氫 原子可級氧原子取代。因為可提升本發明之高分子化合物 對〉谷媒的溶解性及所得之發光元件的元件特性，故複數個 的R之中之至少1個係氫原子以外的基（亦即上述之取代基） 為幸乂佳。R所示之取代基，係以烷基、烷氧基、烷基硫基、 36 323308 201211203 芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烧基、芳院氧基或1價 的芳香族雜環基為較佳，以烷基、烷氧基或芳基為更佳。 以An及Αι*2所示之2價的芳香族雜環基而言，可列舉
例如··吡啶-二基（例如下式45至5〇)、二氮雜苯基（例如 下式51至54)、喹啉二基（例如下式55至69)、喹噚啉二 基(例一如下式70至74)、聯吡啶二基(例如下式79至81)、 =木二基（例如下式82至84)、具有十坐構造的基（例如下 :人二87)等包含雜原子之氮原子的2價芳香族雜環基； 之5員·^夕原子、氮原子、硫原子及石西原子等雜原子 子、二族== 例如下式88至92”以及包含氧原 雜(例如下式93至：等雜原子之5員縮合芳香族
R 4G R
R R
R
R R
48
45 R R
-R R
49 J-R R R )=^\1 R R 51
R 50
52
R S3
>N. N=(' H-i
S4
323308 37 201211203
38 323308 201211203
(式中，R表示氫原子或取代基。複數個之R可為彼此相同 或相異。） 上式45至74及79至103中，R所示之取代基之例係 與前述式1R所示之取代基之例相同。又，因為可提升本發 明之高分子化合物對溶媒的溶解性及所得之發光元件的元 件特性，故複數個的R之中之至少1個係氬原子以外的基 (亦即，上述之取代基）為較佳。 較佳之An及Ar2，係至少一者為下述式（3)或（4)所示 之2價的芳香族基，而更佳之An及An係各自獨立，為下 述式（3)或（4)所示之2價的芳香族基。更佳者為下述式（3) 或（4)所示之2價的芳香族基之中，非取代之下述式（3)所 示之2價的芳香族基。 39 323308 201211203
⑶
於式（3)及（4)，R’表示氳原子或烷基。
以式（3)所示之2價的芳香族基之較佳例而言，可列舉 下式3-1至3-15所示之2價的基。
(式中，Me表示曱基。） 40 323308 201211203 以式（4 )所示之2價的芳香族基之較佳例而言，可列舉 下式4-1至4-14所示之2價的基。
(式中，Me表示甲基，t-Bu表示第三丁基。） 於本發明之高分子化合物中，可僅包含一種、亦可包 含兩種以上式（1)所示之重複單元。 以式（1)所示之重複單元之較佳例而& ’可列舉下式 1-1至1-52所示之重複單元。 41 323308 201211203
42 323308 201211203
43 323308 201211203
1-36
44 323308 201211203
1-46 1-47 45 323308 201211203
W
(式中，An及An表示與前述者同義。） 接下來，對本發明之高分子化合物所含的式（2)所示之 重複單元進行說明。 46 323308 201211203
式（2)中’ An表示芳基或1價的芳香族雜環基。因為 使用本發明之高分子化合物而可提升發光元件的壽命，故 Αι*3以方基為較佳。 式（2)中’Αη表示氫原子、烷基、烷氧基、烷基硫基、 芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳烷氧基、芳基 烷基硫基、醯基、醯氧基、醯胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、 取代胺基、取代矽基、取代矽基氧基、取代矽基硫基、取 代石夕基胺基、1價的芳香族雜環基、雜芳基氧基、雜芳基 硫基、芳烯基、芳炔基、取代羧基或氰基。Ar4以氫原子、 烷基、芳基或1價的芳香族雜環基為較佳，氫原子、烷基 或芳基為更佳。 式（2)中，R6表示烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳 基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳烧氧基、芳基烧基硫基、 醯基、醯氧基、醯胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、取代胺基、 取代矽基、取代矽基氧基、取代矽基硫基、取代矽基胺基、 1價的芳香族雜環基、雜芳基氧基、雜芳基硫基、芳烯基、 芳炔基、取代羧基或氰基。當存在複數個R6時，此等可為 相同或相異。 式（2)中’ a表示0或1。存在的2個a可為相同或相 異。 323308 47 201211203 式（2)所示之重複單元之中，以下述式（20)所示之重複 單元為較佳。
(式（20)中，An及Ar4的定義係與式（2)之An及Ar4 的定義相同。） 式（20)中，An以氩原子、烷基、芳基或1價的芳香族 φ 雜環基為較佳，以氫原子、烷基或芳基為更佳。 式（20)中，Ar3或An為芳基時，因為可提升本發明之 高分子化合物對溶媒的溶解性，故該芳基以具有碳原子數 2以上的取代基者為較佳。 以式（20)所示之重複單元而言，可例示下式le至8e 所示之重複單元。 48 323308 201211203
(式中，n-Bu表示正丁基，卜如表示第三丁基。） 於本發明之高分子化合物中，可僅包含一種亦可包含 兩種以上的式（2)所示之重複單元。 相對於構成本發明之高分子化合物的全部重複單元， 式⑴所示之重複單元的比例，從電子傳輸性的觀點（亦 即，使電子傳輸性提升）來看以大者較佳，從以該高分子化 合物用以製作發光元件時所得之發光元件的壽命的觀點來 323308 49 201211203 看係以小者較佳。因此前述比例係以10莫耳％以上30莫耳 °/〇以下為較佳，10莫耳％以上20莫耳％以下為更佳，10莫耳 %以上15莫耳％以下為特佳。另一方面，相對於構成本發明 之高分子化合物的全部重複單元，式（2)所示之重複單元的 比例，因為可提升熱安定性及以該高分子化合物用以製作 發光元件時所得之發光元件的壽命，故以20莫耳％以上為 較佳。而該比例之上限雖無特別限定，惟通常係75莫耳％ 以下。相對於構成本發明之高分子化合物的全部重複單 # 元，式（1)所示之重複單元及式（2)所示之重複單元的合計 比例，因為使用本發明之高分子化合物而可提升發光元件 的電子傳輸性及壽命，故以30莫耳％以上為較佳，40莫耳 °/〇以上為更佳，50莫耳％以上為特佳。 本發明之高分子化合物可復含有下述式（5)所示之重 複單元。 -ΑΓ5- (5) ^ 式（5)中，An表示伸芳基或2價的芳香族雜環基。An 的伸芳基之例係與Αιί及Ar2中之上述伸芳基相同。Ars之2 價的芳香族雜環基之例係與An及An中之上述2價的芳香 族雜環基相同。 以式（5)所示之重複單元而言，可例示下述式（6)所示 之重複單元。 50 323308 201211203
式（6)中，Ar6及An係各自獨立，表示烷基、烷氧基、 烷基硫基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳烷氧基、 芳基烧基硫基、醯基、醯氧基、醯胺基、醯亞胺基、亞胺 殘基、取代胺基、取代發基、取代>5夕基氧基、取代碎基硫 • 基、取代石夕基胺基、雜芳基氧基、雜芳基硫基、芳稀基、 芳炔基、取代羧基或氰基。R7表示烷基、烧氧基、烷基硫 基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烧基、芳烧氧基、 芳基烧基硫基、醯基、酿氧基、醢胺基、酿亞胺基、亞胺 殘基、取代胺基、取代矽基、取代矽基氧基、取代矽基硫 基、取代矽基胺基、1價的芳香族雜環基、雜芳基氧基、 雜芳基硫基、芳烯基、芳炔基、取代羧基或氰基。因為可 • 提升本發明之高分子化合物對溶媒的溶解性及所得之發光 元件的壽命’故以Are及An之至少一者係氫原子或烷基為 較佳。 式（6)中，a表示0或1。存在2個的&可為相同或相 異。當存在複數個R7時，此等可為相同或相異。 以式（5)所示之重複單元而言’復可例示下述式（7)所 示之重複單元及下述式（8)所示之重複單元。 323308 51 201211203
Ra
⑺ 式（Ό中，R8及R9係各自獨立，表示烷基、烷氧基、燒 基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳烷氧 基、芳基烷基硫基、醯基、醯氧基、醯胺基、醯亞胺基、 亞胺殘基、取代胺基、取代矽基、取代矽基氧基、取代矽 基硫基、取代矽基胺基、1價的芳香族雜環基、雜芳基氧 φ 基、雜芳基硫基、芳烯基、芳炔基、取代羧基或氰基。R8 及R9可為彼此相同或相異。 式（Ό中、R8及R9，從本發明之高分子化合物的财熱性 與對有機溶媒之溶解性之平衡的觀點來看，以各自獨立之 烷基、芳基、1價的芳香族雜環基、烷氧基、芳基氧基、 芳基烷基或取代胺基為較佳，以烷基或芳基烷基為更佳， 以烷基復更佳，以丙基、異丙基、丁基、第二丁基、異丁 基、戊基、異戊基、己基、環己基、庚基、辛基、2-乙基 己基、環己基曱基、壬基、癸基、3, 7_二曱基辛基或十二 基為特佳。R與R9可為彼此相同或相異，以相同者較佳。
式（8)中’ Rl°及R11係各自獨立，表示烷基、烷氧基、 T基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳烷 氧基、芳基烷基硫基、醯基、醯氧基、醯胺基、醢亞胺基、 52 323308 201211203 亞胺殘基、取代胺基、取代矽基、取代矽基氧基、取代矽 基硫基、取代矽基胺基、1價的芳香族雜環基、雜芳基氧 基、雜芳基硫基、芳烯基、芳炔基、取代羧基或氰基。ΙΓ 及R11可為彼此相同或相異。 式（8)中，R1()及R11之至少一者，從本發明之高分子化 合物的财熱性與對有機溶媒的溶解性之平衡的觀點來看， 係以烷基、芳基、1價的芳香族雜環基、芳基烷基或胺基 為較佳，以烷基、芳基、1價的芳香族雜環基或胺基為更 # 佳，以烷基、芳基或1價的芳香族雜環基復更佳，以烷基 或芳基為特佳。R1()及R11可為彼此相同或相異。 式（8)中，b表示0或1。 以式（7)所示之重複單元而言，可例示下述式7-001至 7-019、7-101至7-105所示之重複單元。
53 323308 201211203
54 323308 201211203
(式中，Me表示曱基。） 以式（8)所示之重複單元而言，可例示下述式8-001至 8-017、8-101 至 8-113、8-201 至 8-208 所示之重複單元。
Me
Me
t，Bu 8^003
Me
Me Me
Me 8-005
Me
8^008 55 323308 201211203
Me
Me
t-Bu
t-Bu
56 323308 201211203
Mo m
Me
Me
t-Bu
8-205 B-204 57 323308 201211203
(式中，Me表示曱基，Et表示乙基，i-Pr表示異丙基，n-Bu 表示正丁基，t-Bu表示第三丁基。） 於本發明之高分子化合物中，可僅包含一種亦可包含 兩種以上的式（5)所示之重複單元。本發明之高分子化合物 中，以式（5)所示之重複單元而言，可包含：選自式（6)所 φ 示之重複單元、式（7)所示之重複單元及式（8)所示之重複 單元的一種重複單元，或二種以上的重複單元之組合。此 外，以式（5)所示之重複單元而言，本發明之高分子化合物 可包含：各別之式（6)所示之重複單元、式（7)所示之重複 單元及式（8)所示之重複單元組合二種以上者。 相對於構成本發明之高分子化合物的全部重複單元， 式（5)所示之重複單元的比例通常為0莫耳％以上80莫耳％ 以下，係以5莫耳％以上70莫耳％以下為較佳，以10莫耳％ 58 323308 201211203 =60莫耳“下為更佳，以Μ莫耳％以 為特佳。彳晴料叙”重鮮 料%以下 元、式（2)所示之重禎軍分芬々π、 Λ(1)所不之重複單 比例，係以80莫耳㈣上為上所不之重複單元的合計 ⑽莫耳⑽上為佳，85莫耳％«上為更佳， 複單==高分子化合物，以€含有下述式⑻所示之重
式⑼中’ An、Ar9、ArlQ及Arl4係各自獨立，表示伸芳 基或2價的芳香族雜環基。 式（9)中’ Aru、Ari2&Ari3係各自獨立，表示芳基或ι 價的芳香族雜環基。 式（9) t，An、An、An。、Ar"、Ari2、Ari3 及 Ari4 係各 自獨立’可具有取代基。 式（9)中，X&y係各自獨立，表示〇或丨。但x + y之 值為0或1 〇 於式（9)，當 An、Ar9、An。、Aril、An2、An3 或 Ari4 具有取代基時，以該取代基而言，可列舉例如：烷基、烷 氧基、芳基、芳基氧基、芳基烷基、芳烷氧基、芳烯基、 芳炔基、胺基、取代胺基、鹵原子、醯基、醯氧基、丨價 323308 59 201211203 的芳香族雜環基、羧基、硝基及氰基，較佳為烷基、烷氧 基、芳基、芳基氧基、芳基烷基、芳烷氧基、取代胺基、 醯基或氰基，更佳為烷基、烷氧基或芳基。 式（9)中’以An、An、An。及Αγη所示之伸芳基而言， 可列舉例如：1,3-伸苯基、1，4-伸苯基、1，4-萘二基、2,6- 萘二基、9, 10-蒽二基、2, 7-菲二基、5, 12-稠四苯二基及 2, 7-第二基。 式（9)中’ An、Ar” An。及Aru所示之2價的芳香族雜 =基的碳原子數，在不含取代基之碳原子數的情況下，通 常為4至60 ’較佳為4至20,更佳為4至9。以前述2價 的芳香族雜環基而言，可列舉例如：2,5_噻吩二基、^甲 基2, 5-吡咯二基、2, 5—呋喃二基、苯並[2,丨，3]噻二唑 -4, 7-二基、3, 7_啡哄二基及3, 6_咔唑二基。 式（9)中，以Ars、Arg、An。及Ar“而言，可舉例如以 下之式lb至3b所示之2價的基。
式（9)中， 基、1，4~伸笨基 示之基，指φ /土
An及An〇較佳為伸芳基，更佳為丨，3_伸苯 ^、1，4-萘二基、2, 6-萘二基或前述式ib所 二^，復更佳為1，4_伸苯基或14_萘二基，以丨，4—伸 本基為特佳。 式（9)中，An較佳為1>3一伸苯基、1>4_伸笨基、1>4_ 323308 60 201211203 萘二基、2, 7-¾二基、苯並[2, 1，3]°塞二唾-4, 7~二基、3 7- 啡啡二基或前述式lb所示之基，較佳為1，4-伸笨基、1 4-奈一基、2，7 -苐·一基或前述式lb所示之基，復更佳為1 4一 伸苯基或前述式lb所示之基。 式（9)中，Aru、An2及Are係各自獨立，較佳為烷基、 芳基或1價的芳香族雜環基，更佳為烷基或芳基，復更佳 為芳基。 以式（9 )所示之重袓％元之較佳例而言，可列舉以下之 式lc至4c所示之重複單元。又’式lc至如中，RZ1表示 氫原子、烷基、烷氧基、芳基、芳基氧基、 : ;氧基、芳婦基、芳块基、胺基、取代胺基Hi i存:氧二價的芳香族雜環基，基1基或氮基。 田存在硬數奸時，可為相同或相異。
323308 61 201211203
3c
式（9)所示之重複單元之中，以下述式（10)所示之重複 單元為較佳。
至20的烷基、碳原子數1至20的烷氧基、碳原子數7至 26的苯基烷基、碳原子數7至26的苯基烷氧基、苯基、 苯氧基、碳原子數7至26的烷基苯基、碳原子數7至26 的烷氧基苯基、碳原子數2至21的烷基羰基、曱醯基、碳 原子數2至21的烷氧基羰基、或羧基。或者，可為以R31 62 323308 201211203 與R41 —起形成環而取代上述基所表示者。當存在複數個R31 時，該等可為相同或相異，當存在複數個R41時，該等可為 相同或相異，當存在複數個R51時，該等可為相同或相異。 式（10)中，s及t係各自獨立，表示0至4之整數。u 為1或2。v為0至5的整數。 式（10)中，當R31與R41—起形成環時，以該環而言， 可舉例如可具有取代基之（：5至C14的雜環。以該雜環而言， 可列舉例如：嗎琳環、硫代嗎琳（Thiomorpholine)環、11比 φ 咯環、哌啶環及哌畊環。 以式（10)所示之重複單元而言，可列舉例如下述式Id 至10d所示之重複單元。
相對於構成本發明之高分子化合物的全部重複單元， 式（5)所示之重複單元的比例通常係0莫耳％以上20莫耳°/〇 63 323308 201211203 以下’以〇莫耳％以上10莫耳％以下為較佳。相對於前述全 部重複單元，式（1)所示之重複單元、式所系之重複單 元式（5)所示之重複單元及式（9)所示之重複單元的合计 比例’係以90莫耳％以上為較佳，以95莫耳％以上更佳， 以99莫耳％以上復更佳，以1〇〇莫耳％(去除無法避免的雜 質）為特佳。 以下，對本發明之高分子化合物之較佳製造方法進行 6兒明。本發明之高分子化合物例如可藉由縮合聚合而製造。 以上述縮合聚合的方法而言，可列舉例如：藉由Suzuki 反應進行聚合之方法（Chemical Review(Chem. Rev.)，第 95卷，2457頁（1995年））、藉由格任亞（Grignard)反應進 行聚合之方法（共立出版，高分子機能材料系列第2卷，高 分子的合成與反應（2)，432至433頁）、藉由山本偶合反 應（Yamamoto Coupling)進行聚合之方法（Progressive Polymer Science(Prog. Polym. Sci·)，第 17 卷，1153 至1205頁，1992年）、藉由0價鎳錯合體進行聚合之方法、 藉由FeCU等氧化劑進行聚合之方法、進行電化學的氧化聚 合之方法、措由具有適當的脫附基之中間物高分子的分解 進行之方法專’而從構造控制的觀點來看，較佳係.夢由 鈴木偶合反應（Suzuki Coupling)進行聚合之方法、料由格 任亞反應進行聚合之方法及藉由〇價鎳錯合體進行聚合之 方法。 上述高分子化合物，例如可藉由使式：Y3〜WLY4所示之 化合物與式：Y5-W2-Y6所示之化合物進行縮合聚合而製造。 323308 64 201211203 式中，W1及W2係各自獨立，表示前述式（1)、前述式（2)、 前述式（5)或前述式（9)所示之重複單元。Y3、Y4、Y5及Y6 係各自獨立，表示聚合反應性基。本發明之高分子化合物 具有上述以外的重複單元時，使與具有上述以外的重複單 元之2個聚合反應性基的化合物共存並進行縮合聚合即 可。 以上述聚合反應性基而言，可列舉如：鹵原子、烷基 磺酸酯基、芳基磺酸酯基、芳基烷基磺酸酯基、硼酸酯殘 # 基、銃甲基、鱗曱基、膦酸酯曱基、一鹵化曱基、硼酸殘 基（-B(0H)2)、甲醯基、氰基、乙烯基等。 以作為上述聚合反應性基之函原子而言，可例示··氟 原子、氣原子、漠原子、破原子。 以作為上述聚合反應性基的烷基磺酸基而言，可例 示：曱磺酸基、乙磺酸基、三氟曱磺酸基等。 以作為上述聚合反應性基之芳基磺酸基而言，可列 舉：苯磺酸基、對-曱苯磺酸基等。 以作為上述聚合反應性基之芳基虎基續酸基而言，可 列舉¥基磺酸基等。 以作為上述聚合反應性基之硼酸酯殘基而言，可列舉 下述式所示之基。
(式中，Me表示甲基，Et表示乙基。） 65 323308 201211203 以作為上述聚合反應性基之锍曱基而言，可列舉下述 式所示之基。 ~CH2S+Me2X°_、-CH2S+Ph2X。- (式中’ X。表示鹵原子，Ph表示笨基。） 以作為上述^^合反應性基之鱗曱基而言，可列舉下述 式所示之基。 ~CH2P+Ph3X。- (式中，X°表示鹵原子。） ® 以作為上述聚合反應性基之膦酸i旨曱基而言，可列舉 下述式所示之基。 -CH2P〇(〇r，，）2 (式中，R’’表示烷基或芳基。） 以上述聚合反應性基之i曱基而言，可列舉：氟甲基、 氣曱基、溴曱基、碘甲基。 上述聚合反應性基，例如在山本偶合反應等使用〇價 φ 鎳錯合體時，為齒原子、烷基磺酸基、芳基磺酸基、芳基 烷基磺酸基等，鈴木偶合反應等使用鎳觸媒或鈀觸媒時， 為烷基磺酸基、鹵原子、硼酸酯殘基、硼酸殘基等。 以本發明之高分子化合物的製造方法而言，因為高分 子化合物的合成容易，故聚合反應性基可為選自齒原子、 烧基確酸基、芳基磺酸基、芳基烷基磺酸基、硼酸殘基及 硼酸酯殘基所構成群組中之1種以上的基，且，較佳的製 造方法係以具有全原料化合物的鹵原子、院基續酸基、芳 基％酸基及务基烧基續酸基之莫耳數的合計（J)與硼酸殘 66 323308 201211203 基及硼酸酯殘基之莫耳數的合計（K)的比實際上為κ通常 K/J為0. 7至1. 2)，而使用鎳觸媒或鈀觸媒進行縮合聚合 者。 以作為上述原料之化合物的組合（亦即，式：Ylwi-Y4 所示之化合物與式：Y5-W2-Y6所示之化合物）而言，可列舉： 二鹵化化合物、雙（烧基續酸S旨）化合物、雙（芳基項酸醋） 化合物或雙（芳基院基續酸醋）化合物與二鄉酸化合物或二 棚酸醋化合物之組合。 在製造控制順序（Sequence)之高分子化合物時，以上 述化合物而言，以使用鹵-硼酸化合物、硼酸酯化合物、 烷基磺酸酯-硼酸化合物、烷基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳 基磺酸酯-硼酸化合物、芳基磺酸酯-硼酸酯化合物、芳基 烷基磺酸酯-硼酸化合物、芳基烷基磺酸酯-硼酸化合物、 芳基烧基磺酸s旨·•棚酸i旨化合物等為宜。 在此，式：y^w^y4所示之化合物之中，以有著前述式 (1)所示之重複單元的化合物而言，以下述式（i)所示之化
合物為較佳。 x\ /X
(式中，Ra、Rf& Rg係各自獨立地表示氫原子或烷基，Rb、 Re、Rd及Re係各自獨立，表示烷基或經烷基取代的芳基。 67 323308 201211203
Ar1及Ar2係各自獨立，表示可具有選自烷基、烷氧基、烷 基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳烷氧 基、^•基燒基硫基、酿基、酿氧基、醯胺基、醯亞胺基、 亞胺殘基、取代矽基、取代矽基氧基、取代矽基硫基、1 價的芳香族雜環基、雜芳基氧基、雜芳基硫基、芳稀基、 ^'炔基、取代缓基及氰基所構成群組中的取代基之2價的 芳香族基。X表示齒原子、硼酸酯殘基、硼酸殘基、下述 式（a-Ι)所示之基、下述式（a_2)所示之基、下述式（a_3) 所示之基、或下述式（a-4)所示之基。存在的2個χ可為相 同或相異。）
(於1) —MgXA (a-2) —2hXA (a-3) —Sn(RT)3 (a-4) (式中，1^表示烷基或芳基，且可具有取代基。乂4表示鹵原 子。又，式（a-4)中，存在的3個RT可為相同或相異。） 上述縮合聚合所使用之有機溶媒，為了抑制副反應， 以施予充分的脫氧處理、脫水處理為較佳。但是，鈐木偶 合反應等與水的2相系進行反應時，則不在此限。 以上述縮合聚合所使用之有機溶媒而言，可列舉如： 68 323308 201211203 戊烷、己烷、庚烷、辛烷、環己烷等飽和烴；苯、曱苯、 乙基苯、二甲苯等不飽和烴；四氯化碳、氣仿、二氯甲烷、 氣丁烧、漠丁烧、氯戊烧、漠戊炫、氣己烧、漠己烧、氣 環己烷、溴環己烷等ιδ化飽和烴；氯苯、二氯苯、三氯苯 等鹵化不飽和烴；曱醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇、第 三丁基醇等醇類；甲酸、乙酸、丙酸等羧酸類；二曱基醚、 二乙基鱗、曱基-第三丁基鍵、四氮°夫〇南、四氮°底喃、二口琴 烷等醚類；三曱基胺、三乙基胺、Ν，Ν，Ν’，Ν’-四甲基伸 # 乙基二胺、吡啶等胺類；Ν，Ν-二曱基曱醯胺、Ν，Ν-二曱基乙 醯胺、Ν，Ν-二乙基乙醯胺、Ν-曱基Ν-氧化嗎啉等醯胺類等， 以醚類為較佳，以四氫吱喃、二乙基醚為特佳。此等之有 機溶媒，係可單獨使用一種或將兩種以上併用。 於上述縮合聚合，為了促進反應，可添加鹼及/或觸 媒。上述鹼及觸媒係以充分地溶解於反應所使用之溶媒者 為較佳。進行鹼及/或觸媒的混合，係將反應液於氬、氮等 • 惰氣環境下一面攪拌一面徐缓地添加鹼或觸媒之溶液，或 反之將反應液徐緩地添加至鹼及/或觸媒之溶液中即可。 以本發明之高分子化合物用以製作發光元件等時，因 為該化合物純度將對發光特性等發光元件的性能造成影 響，故較佳為將作為聚合前的原料之化合物以蒸餾、昇華 精製、再結晶等方法進行精製後加以聚合。此外，於聚合 後，較佳為進行藉由再沈澱之精製、藉由管柱層析之分離 等的純化處理。 <組成物> 69 323308 201211203 本發明之組成物係含有本發明之高分子化合物與選自 電洞傳輪材料、電子傳輸材料及發光材料所構成群組中之 至少一種材料。 以發光材料而言，可例示：低分子螢光發光材料、發 光性有機金屬錯合體化合物及高分子螢光發光材料。 一般而言，將發光性有機金屬錯合體化合物作為摻雜 劑捧雜於前述高分子化合物所成之組成物用於發光元件的 發光材料時’以主體材料而言，最低三重態激發能量以高 者較佳。因此，本發明之組成物中，在使用作為發光材料 之發光波峰波長為600nm以上而呈現紅色發光的發光性有 機金屬錯合體化合物時，該組成物所含的本發明之高分子 化合物以前述式（5)所示之重.複單元而言，以復包含前述式 (6 )所示之重複單元為較佳。另一方面’本發明之組成物 中’以發光材料而言，在使用發光波峰波長為500ηιη以上 未達600nm之呈現綠色發光的發光性有機金屬錯合體化合 物時’該組成物所含的本發明之高分子化合物以前述式（5) 所示之重複單元而言，以復包含選自前述式（7)所示之重複 單元及前述式（8)所示之重複單元所構成群組中的重複單 元者為較佳。 發光性金屬錯合體化合物之發光波峰波長，例如，使 該化合物溶解於二曱笨、曱笨及氯仿等有機溶媒，調製稀 薄溶液，藉由測定該稀薄溶液的PL((Ph〇t〇iuminescenee ; 光激發光）光譜而得以評定。 以前述發光性有機金屬錯合體化合物而言，可列舉例 323308 70 201211203 如：三重態發光錯合體等公知的化合物、以往被利用作為 低分子系之有機EL元件的發光材料的化合物，以及Nature, (1998)，395，151，Appl. Phys. Lett. (1999)，75(1)，4、
Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105(0rganic Light-Emitting Materials and DevicesIV), 119 ' J. Am. Chem. Soc.，（2001)，123，4304、Appl. Phys· Lett.， (1997)，71(18)，2596、Syn. Met·，（1998)，94(1)，103、 Syn. Met.， （1999)， 99(2)， 136卜 Adv. Mater·， （1999)， • 11(10)， 852 、 Inorg. Chem.， （2003)， 42， 8609 、 Inorg.
Chem.，（2004)，43，6513、Journal of the SID 11/1、 161(2003) 、 W02002/066552 、 W02004/020504 及 W02004/ 020448等文獻所記載之化合物。因為可得到高發光效率的 發光元件，故以前述發光性有機金屬錯合體化合物而言， 金屬錯合體的最高佔用分子軌道（HOMO)之中心金屬的最外 殼d轨道之執道係數之平方的和於總原子軌道係數之平方 | 的和所佔的比例以1/3以上的化合物為較佳。以該化合物 而言’可例示中心金屬為屬於週期表中第6週期之過渡金 屬的鄰位金屬化（Ortho metalation)錯合體。 以前述發光性有機金屬錯合體化合物之中心金屬而言， 可列舉例如：原子序為50以上，可對該錯合體發揮自旋_ 軌道交互作用（Spin-orbit interaction)，而於單重態與 二重態間可發生系間跨越（InterSystem crossing)的金屬。 該中心金屬，較佳為金、鉑、銥、餓、銖、鎢、銪、铽、 録、鋼、釤、镨、釓或镱；更佳為金、鉑、銥、鐵、銖或 71 323308 201211203 鎢；復更佳為金、鉑、銥、餓或鍊；以金、鉑、銥或銖為 特佳’又以鉑或銥為尤佳。 以前述發光性有機金屬錯合體化合物的配體而言，可 列舉例如：8-羥喹啉及其衍生物、苯並羥喹啉及其衍生物 以及2 -求基-n比咬及其衍生物。 前述發光性有機金屬錯合體化合物的配體，因為可提
升對溶媒的溶解性，故以具有選自可具有取代基之烷基、 可具有取代基之烷氧基、可具有取代基之芳基及可具有取 代基之雜芳基所構成群組中之取代基（以下稱作「配體取代 土」）為更佳。配體取代基所含的氫原子以外之原子的總 數以3個以上為較佳’ 5個以上為更佳，7個以上為復更佳， 树佳。此外，配錄代仙存在於各個配體為 季乂佳，各個配體中，其種類可為相同或相異。 600nm之呈現發光 ，較佳為具有下述 合物。 以發光波峰波長為500nm以上未達 色的發光性有機金屬錯合體化合物而言 式（11)所示之構造的有機金屬錯合體化
« L J η (11) (式中，Rlp、R2p、r3p、R4p、r5p 表示氫原子或芳基。 、R6p、”及r8p係各自 獨立地 323308 72 201211203 下述式所示之部分表示單陰離手（monoanion)性之雙 齒配體（bidentate ligand)。
Rx& Ry係配位於中心金屬lr之原子’為各自獨立，表示碳 原子、氧原子或氮原子。m表示1炱3之整數，η表示〇至 2之整數。） 以前述單陰離子性之雙齒配體而言，係在式（11)中， Rx與Ry鍵結之圓弧部分以氫原子以外之原子數為3至30 的2價的基之單陰離子性的雙齒配醴為佳，可舉例如具有 下式所示之構造的配體。
(式中’*表示配位原子的位置。） 式（11)中’左侧所示之配體及右侧所示之配體係各自 獨立，可具有前述配體取代基，因為可提升對溶媒的溶解 性，故以具有前述配體取代基為較佳。 其中，以發光波峰波長為5〇〇nm以上未達6〇〇nm之呈 323308 73 201211203 現發光色的發光性有機金屬錯合體化合物而言，係以以下 之化合物為較佳。
74 323308 201211203
75 323308 201211203
(式中，tBu表示第三丁基，R表示氫或取代基。存在 的複數個R，係可為相同或相異。） 以發光波峰波長為600nm以上之呈現紅色的發光色之 發光性有機金屬錯合體化合物而言，較佳可例示具有下述 式（12)、（12-1)或（12-2)所示之構造的化合物。
76 323308 201211203
及r25p係各自獨立，表示氫原子、_原子、烷基、烷氧基、 烧基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基炫基、芳烧 氧基、芳基烧基硫基、醯基、酸氧基、醯胺基、醯亞胺基、 亞胺殘基、取代胺基、取代矽基、取代矽基氧基、取代矽 φ 基硫基、取代矽基胺基、1價的芳香族雜環基、雜芳基氧 基、雜芳基硫基、芳烯基、芳炔基、取代羧基或氰基。此 等基係可具有取代基。m表示0至3之整數。 下述式所示之部分意指與上述式（11)表示者相同。
式（12)及（12-1)中，Z1、Z2、Z3、Z4及Z5係各自獨立， 表示-C(R#)=或氮原子。R#表示氫原子或取代基。 77 323308 201211203 式（12)、（12-1)及（12-2)中’當 r9p、、riip、r12p、 R13p、R14p、p、r16p、Rl7p、Rl8p、Rl9p、R2Dp、R2ip、p、心、 R24p、R25p、Z1、Z2、Z3、Z4及Z5係分別存在複數個時，可為 相同或相異。但2、22、23、24及25中之至少2個為氮原子。 其中’以發光波峰波長為600nm以上之呈現發光色的 發光性有機金屬錯合體化合物而言，係以以下之化合物為 較佳。
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79 323308 201211203
80 323308 201211203
81 323308 201211203
82 323308 201211203
cf3
83 323308 201211203
84 323308 201211203 Ο
(式中，tBu表示第三丁基’Me表示曱基。） 前述發光性有機金屬錯合體化合物，係可單獨使用一 種或將兩種以上併用。 前述低分子螢光材料，通常係波長範圍在400nm以上 700nm以下之具有螢光發光的極大波峰之材料。其分子量 通常未達3000，較佳為1〇〇至2〇〇〇，更佳為ι〇0至1〇〇〇。 八前述低分子螢光材料，係作為有機EL元件發光材料之 =知=材料即可。以前述低分子螢储料而言，可列舉例 •萘何生物、蒽及其衍生物、並及其衍生物、啥。丫綱 323308 85 201211203 (Quinacridone)衍生物、二苯並哌喃（xanthene)系色素、 香豆素（Coumarin)系色素、花青（Cyanine)系色素、三苯基 胺衍生物、曙二嗤衍生物、比唾並啥琳衍生物、二（苯乙烯 基）苯衍生物、聯苯乙婦芳族衍生物、η比咯衍生物、11塞吩環 化合物、吡啶環化合物及低聚噻吩衍生物等的色素系材 料；羥基喹啉鋁錯合體、苯並羥基喹啉鈹錯合體、苯並噚 唑基鋅錯合體、苯並噻唑鋅錯合體、偶氮甲基辞錯合體、 卟琳鋅錯合體及銪錯合體等之於中心金屬具有Al、Zn、Be _ 或稀土族金屬（例如·♦ Tb、Eu、Dy等）等，於配體具有吗二 唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯並咪唑或喹啉構造等的金 屬錯合體系材料。 以前述高分子螢光材料而言，可列舉例如：聚對伸笨 基伸乙烯衍生物、聚噻吩衍生物、聚對伸苯基衍生物、聚 石夕烧衍生物、聚乙炔衍生物、聚苐衍生物、聚乙稀σ卡唆街 生物及包含上述低分子螢光材料所例示之色素系材料的色 0 素體。 本發明之組成物中，「選自電洞傳輸材料、電子傳輪持 料及發光材料所構成群組中之至少一種材料」與前述高分 子化合物之比率，相對於前述高分子化合物100重量份， 「選自電洞傳輸材料、電子傳輸材料及發光材料所構成鮮 組中之至少1種材料」之各材料，通常係設定成為〇.〇1愛 量份至400重量份’較佳係設定成為0.05重量份至15〇意 量份。 前述電洞傳輸材料如係作為有機EL元件之電洞傳輪 86 3233〇» 201211203 材料的公知材料即可。以前述電洞傳輸材料而言，可列舉 例如·聚乙·卡錢其衍生物；㈣烧及其衍生物；於侧 =或主鍵具有芳香族胺之聚矽氧烷衍生物；吡唑啉衍生 _，芳基胺衍生物；芪衍生物 ;聚苯胺（Polyaniline)及其 ηΤ生物’聚嘆吩及其衍生物；聚芳基胺及其衍生物；聚吡 °各及其街生物；聚（對·'笨乙烯）及其衍生物；聚（2, 5-噻吩 ^歸）及其衍生物。前述電洞傳輸材料係可具有伸芳基、2 % 具的方香族雜環基作為共聚合成分（構成單元）。 /述電子傳輸材料如係作為有機EL元件之電子傳輸 =2的公知材料即可。以前述電子傳輸材料而言，可列舉 亏一生奸生物、蒽職二曱烧（Anthraqui nodi me thane) 龙其彳々生物、苯酿及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及 二二生物、四氰基蒽醌二曱烷及其衍生物、苐酮衍生物、 ,、基一氛基乙稀及其衍生物、聯苯酿i(Diphenoquinone) Z生物、8_經基喹啉及其衍生物的金屬錯合體、三芳基三 其$了生物、㈣似其衍生物、聚销似其衍生物、 =¾及其衍生物。前述電子傳輸材料係可具有伸芳基或2 賈的芳香族雜環基作為共聚合成分（構成單元）。 又’本發明的組成物中，各成分係可單獨使用一種或 將兩種以上併用。 <液狀組成物> 本發明之液狀組成物係由含有本發明之高分子化合物 與溶媒或分散媒所成。 以本發明之液狀組成物所使用之溶媒或分散媒而言， 87 323308 201211203 可由習知溶媒選擇能均一地溶解或分散薄膜的成分且為安 定者。以如此之溶媒而言，可舉下述者。 芳香族烴系溶媒：甲苯、二甲苯（各異構物或該等之混 合物）、1, 2, 3-三曱基苯、1，2, 4-三曱基苯、均三曱苯 (1，3, 5-三甲基苯）、乙基苯、丙基苯、異丙基苯、丁基苯、 異丁基苯、2-苯基丁烷、第三丁基苯、戊基苯、新戊基苯、 異戊苯、己基苯、環己基苯、庚基苯、辛基苯、3-丙基曱 苯、4-丙基曱苯、1-曱基-4-丙基苯、1,4-二乙基苯、1，4-# 二丙基苯、1，4-二-第三丁基苯、茚烷（Indane)及四磷 (1，2,3,4-四氫萘）等。 脂肪族烴系溶媒：正戊烷、正己烷、環己烷、甲基環 己烧、正庚炫、正辛烧、正壬烧、正癸炫及十氩萘（Decal in) 等。 芳香族鱗系溶媒：大茴香醚（Anisole)、乙氧基苯、丙 氧基苯、丁氧基苯、戊基氧基苯、環戊基氧基苯、己基氧 ^ 基苯、環己基氧基苯、庚基氧基苯、辛基氧基苯、2-曱基 大茴香醚、3-曱基大茴香醚、4-甲基大茴香醚、4-乙基大 茴香醚、4-丙基大茴香醚、4-丁基大茴香醚、4-戊基大茴 香醚、4-己基大茴香醚、二苯基醚、4-曱基苯氧基苯、4-乙基苯氧基苯、4-丙基苯氧基苯、4-丁基苯氧基苯、4-戊 基苯氧基苯、4-己基苯氧基苯、4-苯氧基曱苯、3-苯氧基 甲苯、1,3-二甲氧基苯、2, 6-二曱基大茴香醚、2, 5-二曱 基大茴香醚、2, 3-二曱基大茴香醚及3, 5-二曱基大茴香醚 等。 88 323308 201211203 脂肪族醚系溶媒：四氫呋喃、二卩萼烷及二氧雜環戊烷 (Dioxolan)等。 酮系溶媒：丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己 酮及苯乙酮等。 酯系溶媒：乙酸乙酯、乙酸丁酯、安息香酸甲酯及乙 酸乙赛赂蘇（Ethyl cel losolve acetate)等。 氯系溶媒：二氯曱烷、氣仿、1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、氣苯及鄰二氯苯等。 醇系溶媒：甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環己醇及酚 等。 多元醇及其衍生物：乙二醇、乙二醇單丁基醚、乙二 醇單乙基醚、乙二醇單甲基醚、二曱氧基乙烷、丙二醇、 二乙氧基甲烷、三乙二醇單乙基醚、甘油及1，2-己二醇等。 非質子性極性溶媒·二甲亞碾（Dimethyl Sulfoxide)、 N-甲基-2-吡咯啶酮、N，N-二甲基曱醯胺及曱基乙 醯胺等。 此等溶媒係可單獨使用一種或將兩種以上作為混合溶 媒使用。用作混合溶媒時，以自上述溶媒之群中組合二種 或三種以上為較佳’該情形係可自相同系之溶媒群中選擇 複數進行組合，亦可自相異系之溶媒群中各選擇丨種以上 進行組合。混合溶媒之組成比係可考量各溶媒的物性及高 分子化合物等之溶解性而進行決定。 以自相同系之溶媒群中選擇複數進行組合而成的混人 溶媒之較佳例衫，可列舉：自芳香族^轉選擇複二 323308 89 201211203 進行組合而成的混合溶媒以及自芳香族醚系溶媒選擇複數 進行組合而成的混合溶媒。以自相異系之溶媒群中各選擇 1種以上進行組合而成的混合溶媒之較佳例而言，可列舉 以下之組合。芳香族烴系溶媒與脂肪族烴系溶媒之組合、 芳香族烴系溶媒與芳香族醚系溶媒之組合、芳香族烴系溶 媒與脂肪族醚系溶媒之組合、芳香族烴系溶媒與非質子性 極性溶媒之組合及芳香族醚系溶媒與非質子性極性溶媒之 組合等。 此外，亦可將水添加在上述之單獨溶媒或混合溶媒中。 從黏度及成膜性之觀點來看，較佳為單獨溶媒或混合 溶媒，其係包含：具有包含苯環之構造、融點為o°c以下、 且沸點100°C以上的有機溶媒，其中，較佳為包含芳香族 烴系溶媒或者是芳香族醚系溶媒的單獨溶媒或混合溶媒。 溶媒可為單獨溶媒或混合溶媒，惟從成膜性之觀點來 看，以使用混合溶媒為較佳。溶媒係可使用藉由：洗淨、 蒸餾及接觸吸附劑等精製方法而進行精製者。 以本發明之液狀組成物，係可容易地製造含有前述高 分子化合物的有機薄膜。可列舉例如：將本發明之液狀組 成物塗佈於基板上，藉由加熱、送風或減壓而餾除溶媒， 而可得到含有前述高分子化合物之有機薄膜。溶媒的顧除 條件，係可對應所使用之有機溶媒進行變更。以該條件而 言，可舉例如··以50至150°C左右之環境溫度（加熱環境） 及10_3Pa左右之減壓環境。 本發明之液狀組成物的合適的黏度亦因印刷法而異， 90 323308 201211203 惟於25 C時’較佳為〇. 5至1 〇〇〇mpa · s，更佳為〇 5至 500mPa· s。此外，如喷墨印刷（inkjet printing)法之上 述液狀組成物經由吐出裝置時，為了防止吐出時的堵塞或 喷歪，液狀組成物於25°C的黏度較佳為〇 5至50mPa· s : 更佳為0. 5至20mPa · s。液狀組成物中之本發明之高分子 化合物的含有量並無特別限定，惟以〇. 〇1至1〇重量％為較 佳，0. 1至5重量％為更佳。 <薄膜> 本發明之薄膜係含有本發明之高分子化合物之發光性 薄膜或導電性薄膜。 本發明之;#膜係可藉自：旋轉塗佈法、流延法、微凹 版塗佈（Micro gravure coating)法、凹版印刷法、棒塗佈 (Bar c〇ating)&、輥塗佈法、線棒塗佈法、浸塗佈（Dip coating)法、喷霧塗佈法、網版印刷法、柔版印刷法、平 版印刷（Offset printing)法、噴墨法、毛細管塗佈 (Capillary⑽ting)法及噴嘴塗佈料方法進行製作。 、使用本發明之液狀組成物製作薄膜時，亦關乎該液狀 組成物所含的高分子化合物之玻璃轉移溫度，惟通常可以 iooc以上之溫度（例如：13(rc、⑽。c)進行供烤而製作。 =明之薄膜的發光量子產率，從元件的亮度及發光 電=觀點來看，係以3咖上為較佳，權以上為更佳， 5(UU上设更佳，6〇%以上為特佳。 ^明之薄膜的表面電阻係以1ΚΩ/Ε]以下為較佳， 誦/□以下為更佳、□以下又更佳。薄膜係可經由 323308 91 201211203 換雜路易斯酸或離子性化合物等而提高導電度。 <發光元件> 本發明之70件係包含本發明之高分子化合物者，例如 具有由陽極及陰極所構成的電極與設於該電極間的含有本 發明之尚分子化合物的有機層的元件。以下 ，以該者作為 代表’對本發明之兀件為有機el元件等發光元件之情形進 行說明。 本發明之發光元件為單層型之發光元件（陽極/發光層 /陰極）時’發光層係、由前述薄膜所構成，此發光層係含有 本發明之高分子化合物。此外，本發明之發光元件為陽極 與陰極之間具有二層以上的層之多層型時，該等之至少一 層為前述薄膜所構成。以多層型發光元件之層構成而言， 可舉例如以下的（a)至（c)。 (a) 陽極/電洞注入層（電洞傳輸層）/發光層/陰極 (b) 陽極/發光層/電子注入層（電子傳輸層）/陰極 # (C)陽極/電洞注入層（電洞傳輸層）/發光層/電子注入層 .(電子傳輸層）/陰極 (在此，「/」表示各層為鄰接積層者。） 本發明之發光元件的陽極係具有將電洞供給至電洞注 入層、電洞傳輸層及發光層等的機能。前述陽極以且有 以上之功函數者效果為彰。陽極的材料係可使用名 屬、合金、金屬氧化物、導電性化合物或此等之混合物。 以陽極的材料而言，具體係可例示：氧化锡、氧化鋅、孽 化銦及氧化_(ITG)等導電性金屬氧化物；金、銀、絡及 323308 92 201211203 錄等金屬；前述導電性金屬氧化物與金屬的混合物或積層 物；碘化銅及硫化銅等無機導電性物質；聚苯胺類、聚噻 吩類（PED0T等）及聚吡咯等有機導電性材料；選自上述材 料1或2以上的材料與IT0之積層物。 本發明之發光元件的陰極係具有將電子供給至電子注 入層、電子傳輸層及發光層等之機能。以陰極的材料而言， 可使用金屬、合金、金屬ώ化物、金屬氧化物、導電性化 合物或此等之混合物。以陰極的材料而言，可列舉例如： • 驗金屬（裡、鈉、卸、铯等）以及其氟化物及氧化物；驗土 類金屬（鎂、鈣、鋇等）以及其氟化物及氧化物；金、銀、 鉛、鋁等金屬類；合金及混合金屬類（鈉-鉀合金、鈉-鉀混 合金屬、裡-銘合金、裡-銘混合金屬、鎮-銀合金、鎮-銀 混合金屬等）；及稀土類金屬（镱等）、銦。 本發明之發光元件的電洞注入層及電洞傳輸層係具 有：自陽極注入電洞之機能、輸送電洞之機能、阻擋自陰 極注入的電子之機能中的任一者。此等之層的材料係可選 擇使用公知的材料。以此等材料而言，可列舉例如：°卡α坐 衍生物、三唾衍生物、曙吐衍生物、卩等二唾衍生物、喃β坐 衍生物、聚芳基烧烴衍生物、π比唾淋衍生物、°比嗤α弄衍生 物、伸苯基二胺衍生物、芳基胺衍生物、胺基取代查耳酮 (Cha 1 cone)衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、苐酮衍生物、腙 衍生物、芪衍生物、石夕氮（Si 1 azane)衍生物、芳香族三級 胺化合物、苯乙烯基胺化合物、芳香族二次曱基系化合物、 卟淋系化合物、聚石夕烧系化合物、聚（N-乙烯0卡吐）衍生物、 93 323308 201211203 有機石夕烧衍生物及包含此等之聚合體；苯胺（Ani 1 ine)系共 聚合體、噻吩寡聚物及聚噻吩等導電性高分子寡聚物。前 述材料係可單獨使用一種或將兩種以上併用。此外，電洞 注入層及電洞傳輸層係各自獨立，可為一種或二種以上前 述材料所構成的單層構造，亦可為單一組成或異種組成之 複數層所構成的多層構造。 本發明之發光元件的電子注入層及電子傳輸層係具 有：自陰極注入電子之機能、輸送電子之機能及阻擋自陽 # 極注入的電洞之機能中的任一者。此等之層的材料係可選 擇使用公知的材料。以此等材料而言，可列舉例如：三唑 衍生物、曙唾衍生物、曙二嗤衍生物、味唾衍生物、荞酮 衍生物、葱酿二曱烧衍生物、蒽酮衍生物、二苯基i昆衍生 物、二氧化β塞喃衍生物、碳二亞胺衍生物、亞苐基甲烧衍 生物、二（苯乙烯基）吡畊衍生物、萘及茈等芳香環之四羧 酸肝；酜青素衍生物、金屬錯合體（例如：8-經基啥琳衍生 I 物之金屬錯合體；將金屬酞青素、苯並噚唑作為配體之金 屬錯合體；及將苯並噻唑作為配體之金屬錯合體）及有機矽 烷衍生物。電子注入層及電子傳輸層係各自獨立，可為一 種或二種以上之前述材料所構成的單詹構造，亦可為單一 組成或異種組成之複數層所構成的多層構造。 此外，本發明之發光元件亦可使用絕緣體及半導體等 無機化合物以作為電子注入層及電子傳輸層的材料。電子 注入層及電子傳輸層若為絕緣體或半導體所構成，可有效 防止電流的洩漏（leak)，提升電子注入性。以前述絕緣體 94 323308 201211203 而言，可列舉例如：選自硫化驗金屬、辟儿 ^ <化鹼土金屬、鹼 金屬的齒化物及驗土金屬的鹵化物所構戍^^組中之至，丨、 個金屬化合物。以硫化鹼金屬之較佳例而言可列兴如. CaO、BaO、SrO、BeO、BaS及CaSe。此外，以構成電子、主 入層及電子傳輸層之半導體而言’可列舉例如：包含選自
Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、
Sb及Zn所構成群組中之至少一個元素的氧化物、氮化物 及氧化IL化物。此等氧化物、1化物及氧化氮化物係可單 • 獨使用一種或將兩種以上併用。 本發明之發光元件係可在陰極與接於陰極之.薄膜間的 界面區添加還原性摻雜劑。以還原性摻雜劑而言，較佳為 選自鹼金屬、鹼土金屬的氧化物、鹼土金屬、稀土金屬、 鹼金屬的氧化物、鹼金屬的函化物、鹼土金屬的氧化物、 鹼土金屬的鹵化物、稀土金屬的氧化物、稀土金屬的鹵化
物、鹼金屬錯合體、鹼土金屬錯合體及稀土金屬錯合體所 構成群組中之至少一個化合物。 本發明之發光元件的發光層於外加電壓時，可經由 極、電洞注人層或電洞傳輸層將電洞注人，係具有下述 月b 、’’二由陰極、電子注入層或電子傳輸層將電子注入之 能；以電場的力使注入的電荷（電子與電洞）移動之機能 以及提供電子與電社再結合的地方，㈣發光之機能 的者纟發明之發光元件的發光層以至少含有本發1 之高分子化合物者為較佳。發光層中的高分子化合物相: 於發光層全體的重量，通常係1G重量％至100重量 323308 95 201211203 5〇重利至1〇0重量％為較佳，以80重量％至1〇〇重量％為 本發明之發光元件係以發光層含有本發明之高分子 化合物以作為發光材料者較佳。 本發明之發光元件並不特別限定於前述之各層的形成 亩”可使用么知的方法。以該方法而言，可列舉例如： —蒸鑛法（電阻加減鑛法、電子束法等）、雜法、lb 法、分子積層法、塗佈法（流延法、旋轉塗佈法、棒塗法、 刮刀塗佈法、輥塗佈法、凹版印刷、網版印刷、喷墨法等） 等。其中’因以塗佈法進行成膜可將製造程序簡略化，故 為較佳。前述塗佈法中，將本發明之高分子化合物等溶解 於溶媒而調製塗佈液，藉由將該塗佈液於所期望之層（或電 :)上進行塗佈乾燥而形成。可使該塗佈液中含有作a為黏結 劑之樹脂，亦可使雜料溶射溶魅分散。以前述樹 脂而言’可使用非共㈣、高分子（例如聚乙烯十幻、丘扼 糸南分子(例如聚烯烴系高分子）。更具體而言，可列舉例 如：聚氣化乙稀、聚碳酸脂、聚苯乙烯、聚甲基丙稀酸甲 酯、聚曱基丙烯酸丁酯、聚酯、聚砜、聚苯醚、聚丁 =乙稀州、烴樹脂、酮樹脂、苯氧樹脂、聚醯胺、 =維素、乙酸乙烯s旨、ABS樹脂、_、美耐皿樹 二Mela_ resin ;三聚氰胺樹脂）、不飽和聚醋樹脂、 醇I樹脂、環氧樹脂及⑪氧（SiUeQne)_，可因應目 =選擇。塗佈液可因應目的而含有抗氧化劑赌 劑等之任意成分。 又门金 本發明之發光元件的各層之較佳厚度係依材料的種類 323308 96 201211203 或層構成而異，惟通常係lnm至l〇〇nm，以數nm至l//m 為較佳。 以本發明之發光元件的用途而言’可例示如：面狀光 源、照明用光源（或者光源）、號誌（Sign)用光源、背光用 光源、顯示裝置（顯示器裝置）及列印頭（Print Head)。以 前述顯示器裝置而言，可使用公知的驅動技術、驅動電路 等，可選擇區段（Segment)型、點矩陣（Dot matrix)型等構 成。 •(實施例） 以下’依據實施例對本發明進行更為具體的說明，然 本發明並不限定為下述實施例者。 (數量平均分子量及重量平均分子量） 數量平均分子量及重量平均分子量係藉由尺寸排除管 柱層析（SEC，Size exclusion chromatography)，求得聚 苯乙烯換算之數量平均分子量及重量平均分子量。SEC中 φ 之移動相為有機溶媒時，稱作膠體滲透管柱層析（Gel permeation chromatography，GPC)。又，以該 GPC 之分析 條件而言，係使用下述之分析條件丨或分析條件2所示之 方法。 [分析條件1]
於四氫呋喃中溶解濃度約為〇.〇5重量％之測定試料。 將所得之溶液30//L注入GPC(島津製作所製，商品名： LC-lOAvp)。於GPC之移動相使用四氫吱喃，以〇. 6mL/分 在里之流1使之流動。管桎為2根TSKgel SuperHM H(T〇s〇H 323308 97 201211203 製）與1根TSKgel SuperH2000(TOSOH製）串聯所構成。檢 測器係使用折射率差檢測器（島津製作所製，商品名： RID-l〇A)。 [分析條件2]
於四氫呋喃中溶解濃度約為0. 05重量％之測定試料。 將所得之溶液10yL注入GPC(島津製作所製，商品名： LC-lOAvp)。於GPC之移動相使用四氫吱喃，以2. OmL/分 鐘之流量使之流動。管柱係使用PLgel MIXED-B(POLYMER H laboratories製）。檢測器係使用UV-VIS檢測器（島津製 作所製’商品名：SPD-lOAvp)。 (NMR測定） 於實施例之NMR測定，係以以下的條件進行。 裝置 ：核磁共振裝置，INOVA300(商品名），Varian 公司製 測定溶媒：氘化氯仿 φ 試樣濃度：約1重量％ 測定溫度：25°C (高速液體管柱層析） 實施例之高速液體管柱層析（以下稱作「HPLC」。）係以 以下的條件進行。 裝置：LC-20AC商品名），島津製作所製 管柱：Kaseisorb LC ODS-AM 4. 6mml. D. xl〇〇mm，東 京化成製 移動相：含有0. 1重量％乙酸的水/含有〇. 1重量％乙酸 323308 98 201211203 的乙腈 檢測器.UV檢測器，檢測波長254nm (氣相管柱層析） 實施例之氣相管柱層析（以下稱作「GC」。）係以以下的 條件進行。 裝置· Agilent Technology 公司 6890N Network GC 管柱· BPX5 0. 25mml. D. x30m、SGE Analytical Science 製 # 移動相：氦 檢測器：氫焰游離檢測器（FID) (發光光譜波峰之評估） 實施例之發光性有機金屬錯合體化合物的發光光譜波 峰的§平估，除非另有特別說明，係以以下之方法進行。於 二曱苯（關東化學公司製：電子工業用（電子級））中溶解燐 光性發光化合物。此時，調製固形分的濃度成為〇 〇〇〇8重 • 量％之溶液。使用螢光分光光度計（日本分光公司製， FP-6500)，將該溶液以350nm之波長進行激發，藉由測定 該溶液的PL光譜以評估發光光譜波峰。 (MALDI-T0FMS 之測定） 實把例之MALDI -T0FMS的測定係以以下之測定條件1 進行。 [測定條件1] 使桂皮酸氰基-4-羥酯溶解於曱醇中，調製飽和溶 液，以此作為基質（Matrix)溶液。於測定之高分子化合物 323308 99 201211203 約4mg中加入200//L的氯仿並使溶解，將所得之溶液20 "L以200 μ L的氯仿進行稀釋，以稀釋後的該溶液作為試 料溶液。混合基質溶液20L與試料溶液20 μ L，將此混
合溶液塗佈於 MALDI 板（MALDI Plate)，進行 MALDI-TOFMS 的測定。測定係使用MALDI-TOFMS裝置：Voyager-DE STR (Applied Biosystems公司製），係以測定模式： Reflector、加速電壓：20kV、雷射：N2(337nm)進行。 <合成例1>
(化合物M-1之合成）
-c X
於氬氣環境下，在燒瓶中混合1,4-二己基-2, 5-二演 苯（化合物CM-1，8· 08g，20. Ommol)、雙（頻那醇合）二硼 馨(Bis(pinacolato)diboron)(12.19g » 48. Ommol) ' [1, Γ -雙（二苯基膦基）鐵莘]二氯鈀（Π)(〇· 98g，L 2mm〇1)、乙酸 鉀（11. 78g，120. Ommol)及脫水 1，4-二Pf 烷（i〇〇mi)，於加 熱回流下攪拌6小時。加入甲苯及離子交換水，進行分液 後以離子交換水洗淨。加入無水硫酸納及活性碳，以經石夕 藻土（Celite)預敷（precoat)的漏斗進行過濾。將濾液濃 縮，得到粗生成物（ll_94g)。以己烷進行再結晶，以甲醇 將、’、β BB洗淨。藉由使所得之結晶減墨乾燥，得到作為目的 323308 100 201211203 物之1，4-二己基-2, 5-雙（4, 4, 5, 5-四曱基-1,3, 2-二氧雜 硼雜環戊烷-2-基）苯（4. 23g，產率42%，化合物M-1)的白 色針狀結晶。 化合物M-1之1H-NMR分析的結果及LC/MS的結果，分 別如以下所示。 !H-NMR (300MHz, CDCh) ： <5 (ppra)=0. 95 (t> 6H) q. 39-1. 42 (bd、36H)、1.62 (m、4H)、2.88 (t、4H)、7.59 (bd、2H) LC/MS (添加 ESi p〇si KC1) : [M + K]+573 <合成例2> (化合物M-2之合成）
於氩氣環境下，在燒瓶中，於鎂小片（19.45g，8〇〇imn()1) 依序加入少量的脫水四氫呋喃與1，2-二溴乙烷（1. ， 馨 8mmol)。藉由發熱與發泡確認鎂已活性化後，約耗時2 ^ 時將脫水四氫呋喃（2〇〇ml)中溶解有2, 6-二壤甲笨 (49. 99g ’ 2〇〇mm〇l)之溶液滴下。完成滴下後，以8〇^的 油浴加熱，於回流下進行丨小時攪拌。自油浴中取出後， 以脫水四氫呋喃（400ml)稀釋，再以冰浴冷卻後，加入2 異丙基氧基-4, 4, 5, 5-四甲基-1，3, 2-二氧雜硼雜環戊产 (148.85g，8〇〇mmol)。自冰浴中取出，並以80°c的油浴進 行加熱’於回流下攪拌1小時半。自油浴中取出，再以、水 323308 101 201211203 浴冷卻後，加入飽和氣化銨水溶液（5〇ml)，授摔3〇、 自冰浴取出，加入己烷（1500ml) ’用力搜拌3〇八t刀在里0 •^7在童〇 4辜口 攪拌且直接靜置15分鐘後，以裝填有矽膠的破璃過濾 行過濾’以己烷（1000ml)將矽膠洗淨，藉由將人為〜° 液進行減壓濃縮而得到粗生成物（72· 〇g)。再度進行相=慮 操作，得到粗生成物（75. 4g)。 同的 接下來，於粗生成物之合計中加入甲醇（74〇ml)，
85t：的油浴於加熱回流下攪拌1小時。自油浴中取出後用 一面攪拌一面冷卻至室溫後，濾取固體並以甲醇洗淨，藉 由使減壓乾燥而得到白色結晶（59. 7g)。使經乾燥的結晶^ 熱溶解於異丙醇後，藉由於靜置狀態徐緩冷卻至室溫=使 結晶析出’濾取後以甲醇洗淨，藉由以5(TC使減壓乾燥一 晚，以得到作為目的物之化合物M-2(50.8g，HPLC面積百 分率（紫外線波長254nm)為99. 8%、產率37%)的白色結晶。 化合物M-2之1H-NMR分析的結果如以下所示。 ^-NMR (300MHz> CDCh) <5 (ppm)=l. 34 (s> 24H)> 2. 74 (s 3H)、7.14 (t、1H)、7.79 (d、2H) <合成例3 > (化合物M-3之合成） •化合物CM-3 <合成 以氮氣取代4 口燒瓶内部的氣體，加入2, 7-二溴 (1當量）使懸濁於二苯基醚（27當量）。將所得之懸濁液加 熱至120°C，使2, 7-二溴苐酮溶解後，於此加入氫氧化許 (5. 7當量），昇溫至160°C，且攪拌2. 5小時。放冷至室溫 102 323308 201211203 後加入己划23當量），進行過濾後，藉由以己 到粗生成物。以氮氣取代4 口燒瓶内部的氣體，放 之粗生成物’使溶解於脫水DMF(4G當量）。將所得 ^ 昇溫為9G°C後，徐緩地加人碘曱烧（7·7當量）。 反應Η)小時。將所得之反應液放冷至室溫後，滴下至冷= 為0C的水（340當量）中，以己烧（46當量）萃取2次 所得之萃取液用敷以娜的玻璃過濾^進行賴後^所 得之有機層進行濃縮。將此有機層濃縮物藉由娜管柱層厅 析進行精製，得到下述式所示之化合物CM_3(產率74%); C〇2Me 化合物CM-3之1H-NMR分析的結果及13c-nmr分析的結 果係分別如以下所示。 'H-NMR (300MHz/CDCh)： (5(ppm)=3.68 (s，3H)、7. 15 (d，2H)、7.20 (d，1H)、 7.52 (d，2H)、7. 65 (d，1H)、8.00 (brs，1H) 13C-NMR (300MHz/CDCh)： 5 (ppm)=52.匕 121. 8> 122. 2、130. 1、131. 6、132.丄 132. 4、 133. 2、134. 7、139.4、140. 6、167.8 •化合物CM-4之合成 於3 口圓底燒瓶裝入1-溴-4-正己基苯（1當量）及無水 四氫呋喃（以下亦記為THF)(34當量），冷卻至-78。(：。於此 徐緩裝入正丁基鋰（n-BuLi)(1.6M己烷溶液）（1當量），以 103 323308 201211203 -78°C攪拌2小時而得到反應液。將溶有化合物CM-3C0. 43 當量）之無水THF (5· 6當量）之溶液裝入滴液漏斗，以反應 液的溫度不越過-7〇°C以下之滴下速度進行滴下。完成滴下 後，以同溫攪拌2小時，緩慢地昇溫至室溫。之後，於此 時加入約一半體積量之加有氯化銨飽和水溶液的無水THF 並進行攪拌，移至分液漏斗且將水層去除。將所得之有機 層以水洗淨2 :欠，於所得之有機層加人無水硫酸鈉並使乾 燥。於玻璃過濾器敷以矽膠的層，通入THF溶液進行過濾 後’以THF洗淨。將所得之溶液進行濃縮且使乾燥。以己 烧進行再聚（repulp)洗淨，得到下述式所示之化合物 CM-4(產率 27%);
•化合物M-3之合成 於3 口燒瓶裝入化合物cm-4(1當量）及二氯曱烷（38 當量），用冰浴冷卻至0¾。將三氟化硼二乙基醚錯合體（22 當量）裝入滴液漏斗後進行滴下。將反應液以〇°c攪拌2小 時後’加注至裝有水與冰的燒杯（Beaker)使反應停止。將 反應液移至分液漏斗進行分液，以二氯曱烷進行萃取後， 與有機層一同以水洗淨2次，以無水硫酸鈉使乾燥。於玻 璃過濾器敷以石夕膠之層，通入THF溶液將硫酸鈉過濾並進 104 323308 201211203 行濃縮。於所得之油狀物中加入曱苯，進行加熱以使回流。 接下來，冷卻至70°C後，加入異丙醇進行攪拌，放置至室 溫為止而產生結晶。過濾此結晶並使乾燥後，裝入梨形燒 瓶中，加入己烷、活性碳後進行加熱，進行回流2小時而 得到混合物。於玻璃過濾器敷以鈉沸石（Radiol ite)，於其 上覆以矽藻土，先以烤箱加熱至70°C，以此過濾前述混合 物。將所得之溶液濃縮為一半量，加熱濃縮物使進行回流 後，於室溫攪拌1小時。再用冰浴一面降溫一面攪拌2小 # 時，過濾並收集產生的結晶，得到下述式所示之化合物M-3 (產率92%);
化合物M-3之1H-NMR分析的結果及13C-NMR分析的結果 φ 分別如以下所示。 丽R (300MHz/CDC13): 5(ppm)=0.87 (t，6H)、1.28〜1.37 (m，12H)、1.50〜1.62 (m，4H)、2.54 (t，4H)、7.04 (s，8H)、7.45 (d，2H)、 7.49 (s，2H)、7.55 (d，2H) 13C-丽R (300MHz/CDC13): (5 (ppm)=14.4、22.9、29.4、31.6、32.0、35.8、65.4、 121.8、122. 1、128. 1、128.7、129.7、131.1、138.3、141.9、 105 323308 201211203 142. 1、153. 7 <合成例4 > (化合物Μ-4之合成）
Br
n-BuLi Et20
CI^N^CI ΝγΝ Cl
Et20
於氮環境下，將1，4-二溴苯（27. lg)之脫水二乙基醚 (217ml)溶液使用乾冰/甲醇混合浴進行冷卻。於所得之懸 濁液中徐緩滴下2.77M的正丁基鋰（n-BuLi)之己烷溶液 (37. 2ml)後，進行攪拌1小時，調製成鋰試劑。 於氮環境下，將三聚氯化氰（10.Og)之脫水二乙基醚 (68ml)懸濁液使用乾冰/曱醇混合浴進行冷卻，緩慢地加入 前述鋰試劑後昇溫至室溫，使於室溫下反應。過濾所得之 生成物，使減壓乾燥。將所得之固體（16. 5g)進行精製， 得到13.2g的針狀結晶（化合物CM-11)。
Βγ〇ι2η25^3"Μ9Βγ
C12H25 M-4 於氮環境下，在加有脫水四氫呋喃（65ml)之鎂（1. 37g) 懸濁液中，逐次地加入少量4-十二烷基溴苯（14.2g)的脫 水四氫咬喃（15ml)溶液，進行加熱，並於回流下檀拌。放 106 323308 201211203 冷後於反m追加鎂（Q. 39g)，再:欠進行加熱，使於回 流下騎j，調製成格任亞試劑（Grignard reagent)。 於氮％境下，一面攪拌一面將前述格任亞試劑加入前 懸^狀結晶（12.Gg，化合物CM_U)的脫水四氫α夫喃⑽⑷ 應蜀液中，使加熱回流。放冷後，以稀鹽酸水溶液洗淨反 ^'夜。有機層與水層分開後，以二乙基醚萃取水層。將所 之有機層一同再度以水洗淨，以無水硫酸鎂使有機層脫 〜後’進行過濾並濃縮。將所得之白色固體以矽膠管柱進 订精製’並藉由再結晶而得到白色固體之6. 5g的化合物 M、4。 <合成例5 > (化合物M-5之合成） 與合成例4以相同方式進行，得到13. 2g的針狀結晶 (化合物CM-11)。
Μ一 5 於氮環境下，在鎂（1. 37g)中加有脫水四氫吱σ南（65ml) 之懸濁液中，逐次地加入少量4-己基溴苯（14· 2g)的脫水 四氫呋喃（15ml)溶液後，加熱並於回流下攪拌。放冷後， 於反應溶液中追加鎂（0.39g)，並再次加熱使於回流下反 107 323308 201211203 應，調製成格任亞試劑。 於氮環境下，一面攪拌前述針狀結晶（12. Og)之脫水四 氫D夫喃（10Om 1)懸濁液一面加入前述格任亞試劑，並使加熱 回流。放冷後，將反應液以稀鹽酸水溶液洗淨。有機層與 水層分開後，以二乙基醚萃取水層。將所得之有機層一同 再度以水洗淨，以無水硫酸鎂使有機層脫水後，進行過濾 並濃縮。將所得之白色固體以矽膠管柱進行精製，並藉由 再結晶而得到白色固體之化合物M-5(6. 5g)。
化合物M-5之1 H-NMR分析的結果如以下所示。 ^-NMR (300MHz、CDC13) : J (ppm)=0. 90 (t、J=6. 2Hz、3H)、 1. 25-1. 42 (m、6H)、1. 63-1. 73 (m、2H)、2. 71 (t、J=7· 6Hz、 2H)、7.34 (d、J=7.9Hz、2H)、7.65 (d、J=7.9Hz、4H)、 8.53-8. 58 (m、6H) LC-MS (APCI、positive) : m/z+=566 [M + H] + <合成例6 > (化合物M-6之合成）
(式中，Me表示曱基。） 在内部氣體經氮氣取代的反應容器中，加入乙酸鈀（II) (0.90g)、參（2-曱基苯基）膦（2.435g)及甲苯（125mL)，於 室溫攪拌15分鐘。於此加入2, 7-二溴-9, 9-二辛基苐 108 323308 201211203 (27.4g)、（4-甲基苯基）笨基胺（22.91g)及第三丁醇鈉 (t-BuONa、19. 75g) ’使加熱回流一晚後，冷卻至室溫，並 加入水後進行洗淨。取出有機層並將溶媒以減壓餾除。使 其殘留物溶解於甲苯，將所得之溶液通入氧化鋁管柱 (Alumina column)。減壓並濃縮該析出液，於此加入曱醇， 使產生沉澱。濾取該沉澱，並以對-二曱苯使進行再結晶。 使該結晶再溶解於曱笨中，將所得之溶液通入氧化鋁管 柱。將該溶液進行濃縮後，當注入攪拌的曱醇中時，產生 Φ 沉澱。收集該沉澱，以室溫進行減壓而使乾燥18小時後， 可得到白色的2, 7-雙[N-(4-曱基苯基）-N-苯基]胺基-9, 9-二辛基苐（25. Og)。 在内部氣體經氮氣取代的反應容器中’加入2, 7-雙 [1^-(4-甲基苯基）4-苯基]胺基-9,9-二辛基苐12.52與二 氣甲烷95mL，一面攪拌一面將反應溶液冷卻至~10°C。於 此，將二曱基曱醯胺（DMF)20mL溶解有N-溴琥珀醯亞胺 φ (NBS)5. 91g的溶液徐緩滴下。攪拌3. 5.小時後’使與低溫 甲醇（Cold methanol)混合，瀘、取產生的沉殿’藉由對-二 甲笨進行再結晶。使用甲苯與甲醇，將所得之結晶再度再 結晶，得到作為化合物M-6之白色固體12. lg ° 化合物M-6之1H-NMR分析的結果如以T所示。 Ή-NMR (300MHz, CDCh) ： 5 (ppm)=0. 61-0. (ιη' 4H)' 〇.86(t、J=6.8Hz、6H)、0.98-1.32 (m、2〇H)、丨·72-1·?? (m、4H)、2. 32(br、6H)、6. 98-7. 08 (m、16H)、7. 29(d、 J=8.3Hz、4H)、7.44 (br、2H) 323308 109 201211203 <合成例7 > (化合物M_7之合成） •化合物CM-5之合成 以氮氣取代3 口燒瓶内部的氣體’量取1-溴-3-正己 基苯（1當量），使溶解於脫水四氫呋喃（33當量）中。將所 得之溶液冷卻至-75°C以下，滴下2.5M正丁基鋰/正己燒 溶液（0· 95當量）’ 一面保持-75°C以下一面攪拌5小時。 一面保持-70°C以下，一面在所得之溶液中將溶解有2-甲 # 氧基羰基-4, 4’ -二溴聯苯（〇. 43當量）之脫水四氫呋喃（5. 3 當量）的溶液進行滴下。將所得之溶液徐緩昇溫至室溫後， 進行徹夜攪拌。一面以〇°C攪拌反應液，一面於此將水滴 入。餾除溶媒後，在殘渣中加入水’並進行己烷1次與己 烷2次萃取。將有機層一同以飽和食鹽水洗淨，將水層以 己烷進行再萃取後，以硫酸鎂使所得之有機層進行乾燥。 餾除溶媒後，得到下述式所示之化合物CM-5的粗生成物 (4290，
CM-5 此粗生成物並不予以精製，而用於接下來的步驟。 又，2-甲氧基羰基-4, 4’ -二溴聯苯係以Journal of the American Chemical Society(1956)，78，3196-3198.所記 110 323308 201211203 載的方法進行合成。 •化合物CM-6之合成 秤取化合物CM-5(1當量）至3 口燒瓶，使二氯曱烷（35 當量）溶解，且以氮氣取代該燒瓶内的氣體。將所得之溶液 冷卻至0°C以下，一面保持5°C以下一面滴下三氟化硼二乙 基醚錯合體（4.8當量）。缓慢地昇溫至室溫後，徹夜進行 攪拌。一面於冰水中攪拌一面注入反應液，攪拌30分鐘。 將所得之溶液進行分液，以二氯甲烷萃取水層。將有機層 鲁 一同加入10重量％填酸钾水溶液並進行分液，以水將有機 層洗淨2次。以硫酸鎂使有機層乾燥後，將餾除溶媒所得 之油（Oil)溶解於曱苯，通過敷有矽膠的玻璃過濾器以進行 過濾。餾除溶媒後，加入甲醇用力攪拌。過濾所得之結晶， 以曱醇進行洗淨。藉由以己烷/乙酸丁酯之混合溶媒進行再 結晶，得到下述式所示之化合物CM-6(產率47%);
化合物CM-6之1H-NMR分析的結果如以下所示。 'H-NMR (300MHz, CDCh) ； 5 (ppm)=0. 86 (6H, t), 1.26(12H, m)、1. 52 (4H, m)、2. 51 (4H，t)、6. 87 (2H, d)、7. 00 (2H， s)、7. 04 (2H，d)、7. 12 (2H，t)、7.46 (2H，dd)、7.48 (2H, d), 7. 55 (2H, d) ppm •化合物M-7之合成 111 323308 201211203 的氣體。於此加入脫水四氳呋喃（80當量），冷卻至-70°C 以下。一面將所得之溶液保持於-70°C以下，一面滴下2. 5M 正丁基鋰/正己烷溶液（2. 2當量）。滴下後，一面保持溫度 一面攪拌4小時。加入2-異丙基氧基-4, 4, 5, 5-四曱基 -1, 3, 2-二氧雜硼雜環戊烷（3. 9當量）後，緩慢地昇溫至室 溫並徹夜進行攪拌。將反應液冷卻至-30°C。於此滴下2M 鹽酸/二乙基醚溶液（2當量）後，昇溫至室溫。餾除溶媒後， 加入甲苯進行溶解，通過敷有矽膠的玻璃過濾器以進行過 # 濾，將所得之溶液的溶媒餾除後可得到粗生成物。藉由於 氮環境下由曱苯/乙腈溶媒進行再結晶，得到下述式所示之 化合物M-7(產率60%);
化合物M-7之1H-NMR分析的結果如以下所示。 W-NMRUOOMHz，CDCl3);5(ppm)=0.86(6H，t)、1.26-1.29 (12H, m)> 1. 31 (24H, s)> 1. 52-1. 53 (4H, m), 2. 50 (4H, t)、6.92 (2H，d)、7.00 (2H，d)、7.08 (2H，t)、7.13 (2H, s)、7.77 (2H，d)、7.81-7.82 (4H，m) <合成例8 > (化合物M-8之合成） •化合物CM-8之合成 112 323308 201211203 •化合物CM-8之合成
氮氣流下，於反應容器裝入1_漠_3，5_二-正己基苯（1 當量）與四氫呋喃（36當量），調製均一溶液，並將該溶液 冷卻至-69°C。在-68°C下耗時1. 5小時將2. 76M的正丁基 ^ 鋰己烷溶液（1當量）滴至該溶液中，再於-70°C下攪拌1. 5 小時。接下來，將化合物CM-3(0. 4當量）與四氫咬喃（3. 6 當量）所構成的溶液在-70°C下耗時1小時滴下，在-70°C下 攪拌2小時。接下來，在-70°C中加入曱醇（2. 4當量）、蒸 餾水（5.5當量）並進行攪拌後，昇溫至室溫，於室溫中攪 拌一晚。接下來，過濾、反應混合物，將滤液濃縮，加入庚 烷及水並進行攪拌，靜置並自分液後之有機層去除水層。 φ 於該有機層中加入飽和食鹽水並進行攪拌，靜置並自分液 後的有機層去除水層。於有機層中加入硫酸鎂後攪拌，將 過濾所得之濾液進行濃縮，得到作為目的之化合物CM-8(產 率 46%)。 •化合物CM-9之合成 113 323308 201211203
於氬氣流下，將化合物CM_8(1當量）及二氯甲烷（29 當量）裝入反應容器，調製均一溶液，並冷卻至。於 該溶液中耗時30分鐘滴下三氟化硼二乙基醚錯合體 Φ (BIV0Et2，1當量）。之後，於室溫攪拌一晚❶接下來，將 該反應混合物冷卻至-2(Tc，加入蒸餾水（112當量）攪拌1 小時後，靜置後將分液的水層自有機層去除。接下來，加 入水（57 §量）並進行攪拌，靜置後將分液的水層自有機層 去除。於所得之有機層中加入1〇重量％碳酸氫鈉水溶液（22 當量）並進行攪拌’靜置後將分;^的水層自有機層去除。濃 縮該有機層並去除溶媒。接下來，將曱苯及庚烧作為沖提 劑而以㈣管柱層析進行精製，濃縮後去除賴。接下來， #藉由使用乙酸丁酯與甲醇進行再結晶，得到作為目的之化 合物CM-9(產率57%)。 •化合物M-8之合成
於氬氣流下’在4 口燒瓶中敦入化合物CM_9(1當量）、 化合物CM-10(2.2當量）、1，4〜二噚烷（87當量）、乙酸鉀 323308 114 201211203 (6. 1 當量）、1，1’-雙（二苯基膦基）鐵莘（dppf ’ 1.5mol%) 及1，Γ-雙（二苯基膦基）鐵莘二氣把（Η)二氯甲烷錯合體 (PdCl2dppf_CH2Cl2 ’ 1·5πι〇1%) ’ 並以 1〇〇 至 102C 擾摔 5 小時。接下來，將所得之反應混合物冷卻至室溫後’以裝 填有石夕藻土及石夕膠的過滤器進行過遽，將所得之滤液濃縮 後去除溶媒。接下來，在加入己烷調製而成的溶液中加入 活性碳，將己烷於回流的溫度下攪拌1小時。冷卻至室溫 後，以裝填有石夕藻土的過濾器進行過濾、，濃縮後去除溶媒。 # 接下來，藉由以甲苯及乙腈進行再結晶，得到作為目的之 化合物Μ-8(95%)。 <合成例9> (化合物Μ-9之合成）
於内部氣體經氬氣取代的可拆式燒瓶（Separable f lask)中加入：化合物 L-5(4. Og，8. 5mmol)、化合物 CM-l 1 (16g，37· 6mmol)、肆（三苯基膦）鈀（〇)(Pd(PPh3)4，494mg， 0.43mmol，5mol%)，甲苯（780mL)及乙醇（260mL)，一面攪 拌一面加熱至35°C。接下來，於離子交換水（260mL)中滴 下溶解有碳酸鉀（3. 54g，26mmol)的水溶液，攪拌64小時。 將反應液移至分液漏斗，以離子交換水及1〇重量％食鹽水 進行洗淨’以硫酸鈉將有機層進行脫水後流通於裝填有矽 115 323308 201211203 膠的漏斗，將溶媒減壓餾除。將所得之殘渣以中壓分離管 柱層析（矽膠管柱，展開溶媒：氯仿/己烷=4/6(體積比）） 進行精製後，以曱苯進行再結晶，藉由以真空乾燥機使所 得之固體充分地乾燥，得到作為目的之M_9的白色粉末 (1. 5g，產率 24%)。 又，化合物L-5係依照W002/66552所記載的方法進行 合成。 <合成例10> (化合物M-10之合成）
於内部氣體經氬氣取代的可拆式燒瓶中加入：化合物 CM-13(4. Og，4.5mmol)、化合物 CM-ll(8.4g，20.〇mm〇i)、 φ 肆（三苯基膦：)鈀（〇)(Pd(PPh3)4, 26lmg’ 〇. 23賴〇卜 、 曱苯（780mL)及乙醇（260mL) ’ 一面擾掉一面加熱至35°C β 接下來，將離子交換水（260mL)中溶解有碳酸鉀（丨.87g， 14mmol，3當量）的水溶液進行滴下，並攪拌23小時。將 反應液移至分液漏斗’以離子交換水及10重量％食鹽水進 行洗淨，以硫酸納將有機層進行脫水後，流通於襄填有石夕 膠的漏斗，將溶媒減壓餾除。 將上述作業進行2次’集所得之殘渣進行秤量後，殘 323308 116 201211203 渣的合計為22g。將所得之殘渣以中壓分離管柱層析（矽膠 管柱，展開溶媒：氣仿/己烷=4/6(體積比））進行精製後， 以己烷進行再漿洗淨及熱過濾，藉由以真空乾燥機使所得 之粉末充分地乾燥，得到作為目的之M-10的白色粉末 (5g，產率 50%)。 <合成例11 > (發光性有機金屬錯合體化合物MC-1之合成）
依國際公開2002/066552號小冊子所記載之合成法， 合成燐光發光性化合物A。具體而言，係在氮環境下，藉 由2-溴吡啶與1.2當量之3-溴苯基硼酸的鈴木偶合（觸 媒：肆（三笨基膦）鈀（0)，鹼：2M碳酸鈉水溶液，溶媒： 乙醇、甲苯），得到下述式所示之2-(3’ -溴苯基）吡啶；
接下來，於氮環境下，藉由三溴苯與2. 2當量的4-第 ^ 三丁基苯基硼酸之鈴木偶合（觸媒：肆（三苯基膦）鈀（0)， 鹼：2M碳酸鈉水溶液，溶媒：乙醇、甲苯）而得到下述式 所示之漠化合物；
於氮環境下，將前述溴化合物溶解在無水THF後，冷 117 323308 201211203 卻為-78°C，滴下略為過剩的第三丁基鋰。於冷卻下，復滴 下B(0C4H9)3，使於室溫進行反應。將所得之反應液以3M 鹽酸水進行後處理後，得到下述式所示之硼酸化合物；
b(oh)2 藉由2-(3’-漠苯基）°比°定與1.2當量的前述棚酸化合 物之鈴木偶合（觸媒：肆（三苯基膦）鈀（0)，鹼：2M碳酸鈉 水溶液，溶媒：乙醇、曱苯），得到下述式所示之配體（亦 即成為配體之化合物）；
於氬環境下，裝入IrCl3.3H2〇與2. 2當量之前述配體、 2-乙氧基乙醇及離子交換水，使進行回流。將所析出之固 體進行抽氣過濾。將所得之固體以乙醇、離子交換水的順 序進行洗淨後，使乾燥，得到作為下述式所示之化合物的 黃色粉體； 118 323308 201211203
於氬環境下，在前述黃色粉體中加入2當量的前述配 體與2當量的三氟曱磺酸銀，藉由於二乙二醇二甲基醚中 進行加熱，得到下述式所示之發光性有機金屬錯合體化合 物 MC-1 ;
發光性有機金屬錯合體化合物MC-1之1H-NMR分析的 結果及LC-MS的結果分別如以下所示。 !H-NMR (300MHz> CDCh) ： 5(ppm) = 1.38 (s, 54H)> 6.93 119 323308 201211203 (dd、J=6.3Hzand6. 6Hz、3H)、7. 04(br、3H)、7. 30(d、 J=7. 9Hz、3H)、7. 48(d、J=7. 3Hz、12H)、7. 61-7. 70(m、 21H)、7.82 (s、6H)、8.01 (s、3H)、8.03 (d、J=7.9Hz、 3H) LC-MS (APCI、positive) : m/z+=1677 [Μ+ΗΓ 發光性有機金屬錯合體化合物MC-1的發光光譜波峰 係 513nm。 <合成例12>
(發光性有機金屬錯合體化合物MC-2之合成）
1) n-BuU 2) B(0-W»rj4 3) NaOH aq. <HHaaq. t-Bu (〇H)j L-1
Cl N、 Pd(PPh3)4 Na^COs _ 甲苯MaO 回流
(式中’ t-Bu表示第三丁基。）
首先’依日本特開2008-179617號公報所記載的方法 合成5-溴-2-苯基η比啶及4, 6-雙（4-第三丁基苯基）-2-氯 -1，3, 5-三明：。 於氮氣流下，量取5-溴-2-笨基吡咬（103. 0g’440ramol) 與脫水二乙基醚1320mL至反應容器，冷卻至-67°C。於此， 耗時20分鐘將正丁基鋰/己烷溶液（15训，3182mL， 506_〇1)滴下。完成滴下後，將所得之溶液以-67°C攪拌 1. 5小時’接下來，加入硼酸三異丙酯（B(〇_i_pr)3, 95. 2g， 506mmol) ’在_67°c下攪拌4小時後使徐緩地昇溫至室溫， 120 323308 201211203 徹夜進行攪拌。於反應液中加入IN氫氧化鈉水溶液44〇mL 與蒸餾水500mL，於室溫中攪拌30分鐘。以分液操作從反 應液回收水層’於5亥水層中加入約40OniL的3N鹽酸而調整 成為pH5後’產生糖膏狀的沉澱。從反應液將上清液傾析 (Decantation)倒除’將該沈澱以蒸餾水洗淨2次後，使溶 解於曱醇，得到曱醇溶液。以乙酸乙酯2次萃取上清液， 以無水硫酸鎂使乾燥後，與該曱醇溶液一同進行減壓濃 縮。於所得之殘渣加入乙酸乙酯，藉由共沸將水分去除， • 得到淺灰色粉末之化合物L-l(82. 9g)。 量取4,6-雙（4-第三丁基苯基）-2-氣-1，3,5-三啡 (137. lg ’ 361mmol)、化合物 L-l(82. 6g，415mmol)、曱苯 (2890mL)及肆（三苯基膦）鈀（〇)(Pd(PPh3)4，8. 34g， 7. 22mmol)至反應容器中，於氮氣流下，在50°C下一面攪 拌一面使固形分溶解。於所得之溶液中加入2M碳酸鈉水溶 液（722mL)，使回流17小時。自反應液回收有機層，以5 ^ 重量％碳酸氫鈉水溶液及10重量％食鹽水進行洗淨。以硫酸 鈉使經洗淨之有機層乾燥並濃縮。將所得之濃縮液以矽膠 管柱層析苯）進行精製，且餾除溶媒。使所得之殘渣溶 解於氣仿，加入乙醇使結晶化。將結晶分濾回收後，以乙 醇洗淨該結晶，藉由使乾燥而得到化合物L-2(169. 2g)。 化合物L-2之LC-MS的結果及1H-NMR分析的結果分別 如以下所示。 LC-MS (APPI, positive) ra/z · 499 ([M + H]+) lH-NMR (300MHz> CDCh) 121 323308 201211203 (5 (ppm) = 1.42 (s, 18H), 7.52 (m, 3H), 7.62 (d, J=6. 8Hz, 4H), 7.95 (d, J=8.4Hz, 1H), 8.16 (d, J=7. 3Hz, 2H), 8.69 (d, J=6.8Hz, 4H), 9.04 (d, J=8.4Hz, 1H), 10.02 (s, 1H)
122 323308 201211203
量取化合物L-2(22. 17g，44mmol)、三水合氣化銀 (6. 95g，20mmol)、2_乙氧基乙醇（96mL)及水（32mL)至反應 容器中，於氬氣流下，在140°C下加熱15小時。以空氣冷 卻後，將所得之混合物進行分濾，藉由將殘渣以曱醇、水、 甲醇的順序進行洗淨而得到紅色固體。使該紅色固體溶解 於氯仿，加入乙醇使回流2小時。以空氣冷卻後，將析出 之固體進行分濾回收，以乙醇洗淨。重複此操作3次後， 集中所得之固體，藉由使減壓乾燥而得到金屬錯合體 complex 1(20.03g)。 量取金屬錯合體complex 1 (759mg，0. 30mmol)、依國 際公開第2006/062226號小冊子所記載的方法合成的化合 物1^-3(33〇111£，0.61111111〇1)及二甘二曱_(91111〇至反應容器 中，加入三氟曱續酸銀（AgOTf，157mg，0. 61mmol)，於氬 氣流下以100°C攪拌10小時。以空氣冷卻後，於反應混合 物中加入純水（50mL)，分濾所產生的沈澱。於該沈澱加入 曱苯/己烷（1/2(體積基準））之混合溶媒（40mL)並進行過 濾。以硫酸鈉使濾液乾燥。過濾該溶液，以矽膠管柱層析（己 烷/曱苯= 1/1. 5(體積基準））進行精製，餾除溶媒。以曱醇 洗淨所得之殘渣，藉由使減壓乾燥而得到發光性有機金屬 錯合體化合物 MC-2(252mg，0· 15mmol)。 發光性有機金屬錯合體化合物MC-2之LC-MS的結果及 ^-NMR分析的結果分別如以下所示。 LC-MS (APCI, positive) ra/z ： 1733 ([M + H]+) !H-NMR (600MHz, THF-ds) 123 323308 201211203 d (ppm) = 1.22 (s, 18H), 1.35 (s, 18H), 1.38 (s, 18H), 6. 81 (m, 1H), 6. 82 (m, 1H), 6. 86 (m, 1H), 6. 90 (m, 1H), 6.96 (d, J=7. 1Hz, 1H), 7.41 (d, J=7. 1Hz, 1H), 7.22 (d, J=8. 2Hz, 1H), 7.24(d, J=8. 2Hz, 1H), 7.47 (d, J=8. 2Hz, 4H), 7.48 (d, J-8.5Hz, 4H), 7.50 (d, J=8.2Hz, 4H), 7. 66(m, 1H), 7. 66 (d, J=8. 2Hz, 4H), 7.71 (m, 2H), 7.74 (s, 1H), 7.84 (s, 2H), 7.89 (d, J=7. 9Hz, 1H), 7.93 (d, J=7. 9Hz，1H), 8.03 (d, J=6.4Hz，1H), 8.06 (m，1H)， # 8.29 (d, J=8. 8Hz, 1H), 8.38 (d, J=8. 5Hz, 4H), 8.41 (d, J=8.8Hz, 1H), 8.43 (d, J=8.2Hz, 4H), 8.67 (s, 1H), 8.99 (d, J=8. 8Hz, 1H), 9.21 (m, 1H), 9.23 (d, J=8. 8Hz, 1H), 9.28 (s, 1H), 9. 44(s, 1H) 發光性有機金屬錯合體化合物MC-2之發光光譜波峰 係 611nm。 <合成例13>
(發光性有機金屬錯合體化合物MC-3之合成） • 5-溴-2-苯基D比啶之合成
b(oh)2 +
Pd(PPh3)4 Ν32〇〇3 甲苯則20 80°C,6 h 量取 2, 5-二溴峨啶（7. llg，30mmol)、曱苯（130mL)、 苯基硼酸（4. 57g，37. 5mmol)及肆（三苯基膦）鈀（〇) (1· 73g，1. 5mmol)至反應容器’於氮氣流下，在5(TC下進 124 323308 201211203 行擾摔’使反應物溶解。接下來’加入2M雙酸鈉水溶液 (30raL) ’在80°C下擾拌6小時。回收所得之反應液的有機 層’以碳酸鈉水溶液及飽和食鹽水進行洗淨。以硫酸納使 有機層乾燥，於過濾後餾除溶媒。以矽膠警桂層析（己烧/ 曱苯）將該殘渣進行精製，餾除溶媒，得到5〜、臭_2_苯基咐 0定（6. 21g，26.5mmol)。 •金屬錯合體complex 2之合成
量取5-溴-2-苯基吼咬（7. 39g，30mm〇i)、三水合氣化 銥（4. 76g，13· 5mmol)、2-乙氧基乙醇（58虹）及水（19mL) 至反應容器中，於氮氣流下，在14〇°c下加熱16小時。以 空氣冷卻後，分濾所得之反應混合物，以水、曱醇及己烷 的順序進行洗淨，得到作為黃色固體之上式所示之金屬錯 合體 complex 1(9. l〇g，6· 58mmol)。 接下來，量取金屬錯合體comPlex Κ6· 94g，5. Ommol)、 5-溴-2-苯基吡啶（7. 32g，30. Ommol)及二甘二曱醚（43mL) 並加入三氟甲磺酸銀（2.57g ’ lO.Ommol)至反應容器中，在 130°C下攪拌14小時。分濾所得之反應生成物，使固體溶 解於二氯曱烷。過濾該溶液’且將濾液濃縮。分濾回收所 析出之固體，並藉由以己烧洗淨而得到上式所示之金屬錯 合體 complex 2(6. 35g ’ 7. lmmol)。 125 323308 201211203 金屬錯合體complex 2之LC-MS的結果及1H-NMR分析 的結果分別如以下所示。 LC-MS (positive) m/z : 890 ([M + H] + ) 泔 fiMR (300MHz，DMS0-d6) 5(ppm)=6.51 (d, J=7. 8Hz, 3H), 6.72 (m, 3H), 6.84 (m, 3H), 7.66 (d, J=2.0Hz, 3H), 7.80 (d, J=7.8Hz, 3H), 8. 05 (dd, J=2.0，8.8Hz, 3H), 8.14 (d, J=8.8Hz, 3H) •金屬錯合體complex 3之合成
錯合體3 於氮氣流下，量取金屬錯合體complex 2(3.27g， 3. 7mmol)、乙酸鉀（3. 27g，33. 3mmol)、雙（頻那醇合）二棚 (3.38g，13.3mmol)、1，Γ-雙（二苯基膦基）鐵莘（245mg， 0.44mmol)、[1，Γ-雙（二苯基膦基）鐵莘]二氣鈀（II) (361mg，0.44mmol)及四氫0夫喃（400mL)至反應容器中，回 流30小時。濃縮所得之反應液，並加入二氯曱烷使溶解後 進行過濾。以矽膠管柱層析（二氯曱烷）將濾液精製，餾除 溶媒且以二乙基醚洗淨殘渣，而得到上式所示之金屬錯合 126 323308 201211203 體 complex 3(2. 55g，2.47mmol)。 金屬錯合體complex 3之LC-MS的結果及1h-NMR分析 的結果分別如以下所示。 LC-MS (positive) m/z · 1072 ([M + K] + ) !H NMR (300MHz, CDCh) (5 (ppm)=l. 21 (s, 36H), 6.87 (ra, 9H), 7.69 (d, J=7. 7Hz, 3H), 7.82(s, 3H), 7.86 (m, 6H)
.2, 4-二（4’ -第三丁基苯基）-6-氯-1，3, 5_三畊之合成 ci
(式中，t-Bu表示第三丁基。）
於氬氣流下，裝入卜溴-4-第三丁基苯（125 g，587mmol) 與四氫呋喃（470mL)至反應容器中，冷卻至_了〇。〇。接下來， 在-70°C下耗時90分鐘將正丁基鋰/己烷溶液（丨6M， 367mL，587imnol)滴下。完成滴下後，在_7(^c下攪拌2小 時得到4-第三丁基苯基鋰/四氫呋喃溶液。於氬氣流下， 裝入三聚氯化氰（50. 8g，276mmol)及四氫呋喃（463mL)至另 外的反應容器中’冷卻至-7〇。(：。將先前所調製的4-第三 丁基苯基鋰/四氫呋喃溶液一面冷卻使反應溫度成為-601 以下’一面徐緩滴至所得之混合物中。完成滴下後，將反 應液在-40°C下4小時及室溫下4小時進行攪拌。於反應混 合物中加入水以使反應結束，餾除四氫呋喃。於所得之殘 127 323308 201211203 渣中加入水與氯仿以萃取有機層，再以水洗淨有機層後將 溶媒館除。使殘渣溶解於乙腈，藉由熱過濾、將不溶的固體 濾除。濃縮所得之濾液，使冷卻至-70°C後再將所析出之固 體進行分濾回收。使所回收的固體溶解於氯仿/己烷之混合 溶媒，以矽膠管柱層析（展開溶媒：氯仿/己烷）進行精製。 餾除溶媒，藉由將該殘渣以乙腈進行再結晶，而得到2, 4-二（4’-第三丁基苯基）-6-氯-1，3, 5-三畊（41. 3g， 109mmol) 〇
2, 4-二（4’ -第三丁基苯基）-6-氣-1，3, 5-三畊之LC-MS 的結果及1H-NMR分析的結果分別如以下所示。
LC-MS (APPI, positive) m/z ： 380 ([M + H] + ) 4 NMR (300MHz, CDC13) 5 (ppm) = l. 39 (s, 18H), 7.56 (d, J=8. 4Hz, 4H), 8. 54 (d, J=8. 4Hz, 4H) •發光性有機金屬錯合體化合物MC-3之合成
(式中，t-Bu表示第三丁基。） 於氮氣流下，量取金屬錯合體complex 3(546mg， 128 323308 201211203 0· 53ππηο 1)、2,4 -二（4’_第三丁基苯基）_6_氯_1，3，5_三啡 (702mg，1. 85mmol)、碳酸鉋（1· 73g，5. 31mmol)、肆（三笨 基膦）ls(0)(196mg，0. 17mmol)及四氫D夫喃（53mL)至反應容 器中，回流9小時。濃縮反應液，於此濃縮反應液中加入 甲苯使溶解。過濾該溶液，將濾液以矽膠管柱層析進行2 次精製（第1次的展開溶媒：曱苯、第2次的展開溶媒：己 院/曱苯= 1/1(體積比））。顧除溶媒，藉由曱醇洗淨殘渔， 得到上式所示之發光性有機金屬錯合體化合物MC-3 馨(257mg，0. 15mmol)。 發光性有機金屬錯合體化合物MC-3之LC-MS的結果及 ^-NMR分析的結果分別如以下所示。 LC-MS (APCI, positive) m/z · 1686 ([M + H] + )
4 NMR (300MHz, CDCM (5 (ppm) = l. 14 (s, 54H), 6. 96 (m, 9H), 7.39 (d, J-8. 4Hz, 12H), 7.83 (d, J=7. 5Hz, 3H), 8.18 (d, J=8.4Hz, 3H), 8.36 (d, J=8. 4Hz, 12H), 9.14 (d, J=8.4Hz, 3H), 9.33 • (s, 3H) <合成例14> (發光性有機金屬錯合體化合物MC-4之合成） 下述式：
MC-4 129 323308 201211203 所示之發光性有機金屬錯合體化合物MC-4係依照國際公 開第2002/44189號所記載的方法合成。 <合成例15 > (發光性有機金屬錯合體化合物MC-5之合成） •金屬錯合體complex 4之合成
於氬氣流下’量取發光性有機金屬錯合體化合物Μ(>1 (4. 25g ’ 2. 5 mmol)與氣仿（4〇〇mL)至反應容器中，使發光 性有機金屬錯合體化合物MC-1溶解。接下來，加入N_漠 琥珀醯亞胺（872mg，4. 9imnol)，在室溫下攪拌24小時。餾 • 除溶媒後’於殘渣中加入氯仿/己烷之混合溶媒（l〇〇mL)使 溶解。將所得之溶液以矽膠管柱層析（展開溶媒：氯仿/己 烧之混合溶媒）進行精製。回收析出的溶液，將溶媒顧除 後’藉由曱醇洗淨殘渣而得到上式所示之金屬錯合體 complex4(3. Ommol)。
金屬錯合體Complex4之MALDI-T0FMS的結果及1H-NMR 分析的結果分別如以下所示。 MALDI-TOFMS (positive，[測定方法 1]) m/z: 1890 130 323308 201211203 ([Μ]) *Η NMR (300MHz, THF-ds) 5(ppm)=1.27 (s, 18Η), 1.36 (s, 18H), 1.41 (s, 18H), 6.95 (m, 4H), 7.24 (m, 2H), 7.48 (m, 12H), 7.69 (ra, 5H), 7. 74(m, 3H), 7. 83 (s, 2H), 7. 99 Cd, J=6. 0Hz, 1H), 8.09(m, 3H), 8. 40 (m, 9H), 8. 54 (d, J=8. 6Hz, 1H), 8.68 (s, 1H), 9.05 (m, 1H), 9.22 (m, 2H), 9.28 (d, J=8. 6Hz, 1H), 9.46 (s, 1H)
•發光性有機金屬錯合體化合物MC-5之合成
於氬氣流下，量取金屬錯合體c〇roplex4(2. 84g， 鲁 1· 5mmol)、化合物 L-5(l. 56g，3. 3mmol)、20 重量％氫氧化 四乙基銨（Tetraethylammonium Hydroxide)水溶液（5. 42g 7.4mmol)、肆（三笨基膦）鈀（〇)(6lmg，〇.〇5mmol)及四氫吱 喃（90mL)至反應容器中，回流14小時。於反應液中加入曱 苯與水以進行洗淨，回收有機層。以飽和食鹽水將該有機 層洗淨，以硫酸鈉使乾燥。過濾所得之溶液，且進行濃縮。 將所得之濃縮液以矽膠管柱層析（展開溶媒：甲笨）進行精 製。回收析出的溶液’餾除溶媒後，於殘渣中加入氣仿/ 131 323308 201211203 己烧之混合溶媒使溶解。將所得之溶独赠管柱層析（展 開，媒：氣仿/己幻進行難，顧除溶媒。將殘渣溶解於 甲苯’於所付之溶液中加入乙腈，藉由結晶化而進行精製。 分遽所得之©體並進行回收，得到上式所*之發光性有機 金屬錯合體化合物MC-5(2.85g，1.2mm〇l)。 又，化合物L-5係依照WO02/66552所記載的方法合成。 金屬錯合體MC-5之MALDI-T0FMS的結果及1h-nm分 析的結果分別如以下所示。 MALDI-TOFMS (positive，[測定方法 1]) m/z : 2413 ([M]) !H NMR (300MHz, THF-ds) 5(ppm) = 1.26 (s，18H)，1.37(s，18H)，1.38 (s，18H)， 1.40 (s, 18H), 1.42 (s, 18H), 7.26 (d, J=8. 1Hz, 1H), 7, 31(d, J=8. 1Hz, 1H), 7. 33 (d, J=8. 1Hz, 2H), 7.35 (d, J=8. 1Hz, 1H), 7. 39 (d, J=8. 1Hz, 1H), 7. 48 (d, J=8. 4Hz, 4H), 7.49 (d, J=8.3Hz, 4H), 7.50 (d, J=8. 1Hz, 4H), 7. 51(d, J=8. 1Hz, 4H), 7.52 (d, J=8. 5Hz, 4H), 7.68 (d, J=8. 4Hz, 4H), 7. 69 (d, J=8. 5Hz, 4H), 7.72 (d, J=8. 3Hz, 4H), 7.74 (m, 4H), 7.75 (s, 1H), 7.78 (s, 1H), 7.88 (s，2H), 7. 91(s, 2H), 7. 92(s, 2H)，8. l〇(m，iH)，8. 11 (d, J=6. 2Hz, 1H), 8.35 (s, 1H), 8.39 (m, 5H), 8.44 (d, J=8. 1Hz, 4H), 8. 56 (d, J=8. 8Hz, 1H), 8.69 (d, J=8. 8Hz, 1H), 8. 73(s, 1H), 9. 03 (d, J=8. 8Hz, 1H), 9. 26 (m, 1H), 9.27 (d, J=8.8Hz, 1H), 9.38 (s, 1H)，9. 5i (s，in) 132 323308 201211203 <電洞傳輸性南分子化合物HP-1 > 電洞傳輪性高分子化合物HP-1係以以下的順序進行 調製。 於惰性氣體環境下，混合化合物M_8(17. 3g)、化合物 4g)、9’ 9-二辛基-2, 7-二溴苐（2. 62g)、9, 9-雙（苯 並環丁烯-4-基）-2,7-二溴苐（1.51g)、及甲苯（580mL)後， 一面加熱一面進行攪拌。於此加入乙酸鈀（4. 30mg)及參（2-甲氧基苯基）膦（27. Omg)，加熱至i〇〇°c後，將2〇重量％的 鲁氫氧化四乙基錢水溶液⑽.5g)滴下後，使加熱回流7小 時。 接著加入苯基硼酸（〇. 230g)、二氯化雙（三苯基膦）鈀 (13.41^)及20重量％的氫氧化四乙基銨水溶液（68.5§)，使 徹夜加熱回流。 從反應液去除水層後，加入N，N-二乙基二硫胺甲酸納 三水合物（Sodium N，N-diethyldithiocarbamate φ trihydrate)(l〇. 8g)及離子交換水（l2〇mL)，在 4(TC 下攪 捧3小時。 於反應液中，將有機層與水層分離後，依序以離子交 換水1次、以10重量％鹽酸2次、以3重量％氨水溶液2次、 以離子交換水2次，將有機層進行洗淨。 將所得之有機層流通於預先經流通甲苯的充填有矽膠 及氧化鋁的管柱，將通過的溶液滴下至曱醇且使析出沉澱 物。濾取沉澱物後進行乾燥，提到高分子化合物（以下稱作 「高分子化合物HP-1」）19.5g。高分子化合物HP-1之聚 133 323308 201211203 苯乙烯換算的數量平均分子量（Μη)及重量平均分子量（Mw) 分別為 Μη=7· 5xl04，Mw=3. 6xl05。 從原料單體的裝入比而言，高分子化合物HP-1係被推 定為具有以下的構成單元及莫耳比率，而（PA)之構成單元 與選自（PB)構成單元為互相聚合之高分子化合物。
<電洞傳輸性高分子化合物HP-2> 電洞傳輸性高分子化合物HP-2係以以下的順序進行 調製。 於惰性氣體環境下，混合化合物M-8(0. 9339g)、Ν，Ν’ -雙（4-溴苯基）-Ν，Ν’ -雙（2, 6-二甲基-4-正丁基苯基）-1，4-# 苯二胺（1. 9223g)、9, 9-二辛基-2, 7-二溴 g (0. 5947g)、 9, 9-雙（苯並環丁烯-4-基）-2, 7-二溴苐（0. 3437g)及曱苯 (118mL)後，一面加熱一面進行擾拌。於反應液中加入乙酸 鈀（l.Omg)及參（2-甲氧基苯基）膦（6. lmg)，加熱至100°C 後，將20重量％的氫氧化四乙基銨水溶液（15. 3g)滴下，一 面加熱11小時一面使回流。 接下來，於反應液中加入苯基硼酸（〇.〇53g)、乙酸把 (1. Omg)、參（2-曱氧基苯基）膦（6. lmg)及20重量％的氫氧 134 323308 201211203 化四乙基銨水溶液（15. 3g)，一面徹夜加熱一面使回流。 從反應液去除水層後，加入N，N-二乙基二硫胺曱酸鈉 三水合物（2.41g)及離子交換水（48mL)，在85°C下攪拌2 小時。 將反應液之有機層與水層分離後，將有機層以離子交 換水2次、3重量％的乙酸水溶液2次、離子交換水2次的 順序進行洗淨。
將所得之有機層於曱醇中滴下，並濾取產生的沉澱 後，進行乾燥而得到固體。將此固體溶解於曱苯，使曱苯 溶液流通於預先經流通曱苯之充填有矽膠/氧化鋁之管 柱。將流通後的析出液滴至曱醇中並濾取所產生的沉澱後 加以乾燥，得到3. 71 g的電洞傳輸性高分子化合物HP-2。 以分析條件1所測定之聚苯乙烯換算的數量平均分子量及 重量平均分子量分別為Mn=5. 6xl04，Mw=l. 5xl05。 從單體的裝入比來看，電洞傳輸性高分子化合物HP-2 係被推定為具有以下的構成單元及莫耳比率，且（PA)之構 成單元與選自（PB)之構成單元互相聚合的高分子化合物。
(式中，Me表示曱基，n-Bu表示正丁基。） 135 323308 201211203 [實施例1] <南分子化合物A之合成> 於惰性氣體環境下，混合化合物M-1 (2, 5-雙（4, 4, 5, 5-四甲基-1，3, 2-二氧雜侧雜環戊烧-2-基）-1，4-二己基苯） (1· 451g)、化合物 M-2(2, 6-雙（4, 4, 5, 5-四曱基-1，3, 2-二 氧雜硼雜環戊烷-2-基）-甲苯）（〇.424g)、化合物M-3(9,9-雙（4-正己基苯基）-2, 7-二漠苐）（2. 120g)、化合物 (2, 4-雙（4-溴苯基）-6-(4-正十二烷基苯基）-1，3, 5-三明：） (0. 523g)及曱苯（59mL) ’ 一面加熱一面進行授摔。加入乙 酸鈀（1.4mg)及參（2-曱氧基苯基）膦（8.7mg)，滴下20重量 %的鼠氧化四乙基錢水溶液（14· 7g) ’使加熱回流17小時。 接著加入苯基删酸（〇. 〇51g)、乙酸|巴（1· 4mg)、參（2-曱氧基笨基）膦（8. 7mg)及20重量％的氫氧化四乙基銨水溶 液（14. 7g) ’使加熱回流π小時。 去除水層後，加入二乙基二硫胺甲酸鈉三水合物 • (2.28g)及離子交換水（46mL)，在85。(：下攪拌2小時。有 機層與水層分離後，將有機層以離子交換水2次、3重量％ 的乙自文水;谷液2次、離子交換水2次之順序進行洗淨。 將有機層滴至甲醇中並濾取所產生的沉澱後，乾燥後 得到固體。將此固體溶解於甲苯，再次使甲苯溶液流通於 預先經流通f苯之充填有石夕膠/氧化紹的管柱。將流通後的 析出液滴至f醇中並濾、取產生的沉;殿後進行乾燥，得到高 分子化合物（以下稱作「高分子化合物Ap)2.43g。依分 析條件2所測定之高分子化合物a的聚苯乙稀換算的數量 323308 136 201211203 平均分子量及重量平均分子量分別為Mn=8.6xlQ4， Χίο5。 從單體的裝人比來看，高分子化合物Α係被推定為具 有以下的重複單70及莫耳比率，而（ΡΑ)之重複單元與選自 (ΡΒ)之重複單元為互相聚合之高分子化合物。 (ΡΑ)
CftH13
= 35/15
ch3 xy
<有機EL元件之製作及評估> 於附有藉由濺鍍法而得的厚度奶⑽之IT〇膜的玻璃基 板上’以聚售吩賴之乙二醇單丁基醚/水（3/2(體積比）） 溶液（Sigma-Aldrich 公司，商品名：ρΐεχ_ 〇c 12〇〇)
2旋轉㈣，成料厚度65nm，於加熱板 乾燥15分鐘。 洞傳触高分子化合物㈣以U重量 ? 20nffl ° 分子化合物二二重，濃度溶解有高 比成為心。之〜，;物製=液藉= 323308 137 201211203 組成物1進行旋轉塗佈，而以1800rpm之旋轉速度成膜。 膜的厚度約為80nm。將此膜於氮氣環境下在i3〇°c中乾燥 10分鐘後，蒸鍍作為陰極的氟化鈉約3nm，接著蒸鍍鋁約 80nm，製作有機EL元件。又，真空度在達到ixi〇_4Pa以下 後開始金屬的蒸鍍。 於所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC-1之於520nm具有波峰 的電激發光（Electroluminescence)發光（以下稱作EL發 # 光）。該元件自3· 0 V開始發光，以6. 2V顯示1000cd/m2 的發光，最大發光效率為60. 88cd/A。 使上述所得之有機EL元件之初始亮度成為8000cd/m2 之方式設定電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化。其結果為，免度於72. 1小時後衰減至初始亮度的 80%，於235小時後衰減至初始亮度的7〇0/0。 [實施例2] ^ <高分子化合物B之合成> 於惰性氣體環境下，混合化合物M-1 (2, 5-雙（4, 4, 5, 5-四曱基-1，3, 2-二氧雜硼雜環戊烷_2_基）-1，4_二己基苯） (8. 182g)、化合物M-3(9, 9-雙（4-正己基苯基）-2, 7-二溴 苐）（8.508宮）、化合物||-4(2,4-雙（4-溴苯基）-6-(4-正十 二烷基苯基）-1,3,5-三畊）（2.〇97g)及甲苯（250mL)，一面 加熱一面進行攪拌。加入乙酸鈀（3. 7mg)及參（2-甲氧基苯 基）膦（23. 2mg)’加熱至1〇〇它。於所得之溶液中滴下20 重量％的氫氧化四乙基銨水溶液（61.3g)，使加熱回流8小 138 323308 201211203 時。 接著加入苯基硼酸（0.20g)、乙酸鈀（3.7mg)、參（2〜 甲氧基苯基）膦（23.3mg)及20重量％的氫氧化四乙基錢水 溶液（58. 3g)，使加熱回流15小時。 去除水層後，加入N，N-二乙基二硫胺甲酸鈉三水合物 (9. 31g)及離子交換水（60mL)且在40°C下攪拌3小時。 有機層與水層分離後，將有機層以離子交換水1次、 1〇重量％鹽酸2次、3重量％氨水溶液2次、離子交換水2 鲁次的順序進行洗淨。 以溶液將有機層流通於預先經流通曱苯之充填有砂膠 及氧化紐之管柱，將通過的溶液滴至甲醇中使析出沉殿 物。遽取沉澱物後進行乾燥，得到高分子化合物（以下稱作 「高分子化合物B」）9.80g。高分子化合物B依分析條件i 所測定之聚苯乙烯換算的數量平均分子量及重量平均分子 里’为別為 Mn=9. 2xl04，Mw=2. 3xl05。
從單體的裝入比來看’高分子化合物B係被推定為具 有以下的重複單元及莫耳比率，而（PA)之重複單元與選自 (PB)之重複單元為互相聚合之高分子化合物。 (PA)
=50
323308 139 201211203 <有機EL元件之製作及評估> 除了將以1. 9重量％的濃度使高分子化合物8溶解於二 曱苯溶媒中之溶液與以19重量％的濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC-1溶解於二曱苯溶媒中的溶液以重量 比成為70 : 30之方式進行混合，調製組成物2以取代實施 例1之級成物1以外，與實施例玉以相同方式進行，製作 有機EL元件。 於所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC_；[之於52〇11111具有波峰 的EL發光^該元件自2.9V開始發光，在5.8V顯示1000cd/m2 的發光’最大發光效率為55.4cd/A。 使上述所得之有機EL元件之初始亮度成為8000cd/m2 之方式設定電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化。其結果為，亮度於101. 6小時後衰減至初始亮度的 80% ’於262. 5小時後衰減至初始亮度的70%。 [實施例3] <高分子化合物C之合成> 於惰性氣體環境下，混合化合物雙（4, 4, 5, 5_ 四甲基~1，3, 2-二氧雜棚雜環戊烧—2-基）-1，4-二己基苯） (1. 688g)、化合物 m-2(2, 6-雙（4, 4, 5, 5-四曱基-1，3, 2-二 氧雜硼雜環戊炫_2-基）-甲苯）（〇. 497g)、化合物M-3(9, 9-雙（4-正己基苯基）-2,7-二溴苐）（2. 484g)、化合物M-5 (2, 4-雙（4-演苯基）-6-( 4-正己基苯基）_1，3, 5-三畊） (〇.531g)及曱苯（66mL)，一面加熱一面進行擾拌。加入乙 140 323308 201211203 酸鈀（1.7mg)及參（2_甲氧基苯基）膦（1〇 2mg)，滴下2〇重 量％的氫氧化四乙基銨水溶液（17.2g)，使加熱回流7小時。 接著加入苯基硼酸（〇· 〇59g)、乙酸鈀（1. 7mg)、參（2-甲氧基苯基）膦（10.3mg)及20重量％的氫氧化四乙基銨水 各液（17. lg) ’使加熱回流15小時。 從反應液去除水層後，加入N，N-二乙基二硫胺甲酸鈉 二水合物（2. 68g)、離子交換水（54mL)並在85°C下擾拌2 小時。將反應液之有機層與水層分離後，將有機層以離子 ® 交換水2次、3重量％的乙酸水溶液2次、離子交換水2次 之順序進行洗淨。 將有機層滴至甲醇中並濾取所產生的沉澱後，乾燥後 得到固體。將此固體溶解於甲苯，再次使甲苯溶液流通於 預先經流通甲苯之充填有矽膠/氧化鋁的管柱。將流通後的 析出液滴至曱醇中並濾取產生的沉澱後進行乾燥，得到高 分子化合物（以下稱作「高分子化合物c」）2 81g。高分子 φ 化合物C之依分析條件2所測定之聚苯乙烯換算的數量平 均分子量及重量平均分子量分別為Μη=8. 1χ1〇4，Mw=2 8x 105。 <有機EL元件之製作及評估> 除了將以1. 9重量％的濃度使高分子化合物c溶解於二 甲苯溶媒中之溶液與以丨.9重量％的濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC-1溶解於二甲苯溶媒中的溶液以重量 比成為70 : 30之方式進行混合，調製組成物3以取代實施 例1之組成物1以外，與實施例丨以相同方式進行，製作 323308 141 201211203 有機EL元件。 於所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC-1之於520nm具有波峰 的EL發光。該元件自2. 9V開始發光，在6. IV顯示1000cd/m2 的發光，最大發光效率為61. 8cd/A。 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為8000cd/m2 之方式設定電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化。其結果為，亮度於44. 4小時後衰減至初始亮度的 # 80%，於163. 5小時後衰減至初始亮度的70%。 從單體的裝入比來看，高分子化合物C係被推定為具 有以下的重複單元及莫耳比率，而（PA)之重複單元與選自 (PB)之重複單元為互相聚合之高分子化合物。
c5h13 = 35/15 = 40/10 [實施例4] <高分子化合物D之合成> 於惰性氣體環境下，混合化合物M-1 (2, 5-雙（4, 4, 5, 5-四曱基_1，3，2-二氧雜刪雜環戊院-2-基）-1，4-二己基苯） (2.807g)、化合物M-3(9,9-雙（4-正己基苯基）-2,7-二溴 苐）（2. 903g)、化合物M-5(2,4-雙（4-溴苯基）-6-(4-正己 142 323308 201211203 基苯基）-1，3, 5-三畊）（〇. 621g)及曱苯（85mL)，一面加熱〜 面進行搜拌。加入乙酸鈀（1.9mg)及參（2-曱氧基笨基）鱗 〇l*9mg) ’滴下2〇重量。/q的氫氧化四乙基銨水溶液 (19· 9g)，使加熱回流5小時。 接下來，加入苯基硼酸（〇. 〇69g)、乙酸鈀（1. 9mg)及參 (2甲氧基笨基）膦（11. 9mg)，使加熱回流15. 5小時。 從反應液去除水層後，加入N，N-二乙基二硫胺曱酸納
二水合物（3· 13g)及離子交換水（63mL)，在85〇c下攪拌2 小時。將反應液之有機層與水層分離後，將有機層以離子 交換水2次、3重量％的乙酸水溶液2次、離子交換水2 3 的順序進行洗淨。 入 將有機層滴至甲醇中並濾取所產生的沉澱後，乾燦 得到固體。將此1H㈣解於f苯’使甲苯溶液流通於預 經流通甲苯之充填㈣膠/氧化|s的管柱。將流通後的析 液滴至甲醇中並據取產生的沉殿後進行乾燥，得到高分 化合物（以下稱作「高分子化合物D」）3 52g。高分子化人 物D之依分析條件1所測定之聚苯⑽換算的數量二 子量及重量平均分子量分別為_.5><1()5，.=4.7_5。刀 從單體的裝入比來看，高分子化合物D係被推定為且 有以下的重，早π及莫耳比率，而（PA)之重複單元與選自、 (PB)之重複單το為互相聚合之高分子化合物。 323308 143 =50201211203
= 40/10 <有機EL元件之製作及評估> 除了將以1. 5重量％的濃度使高分子化合物D溶解於二 甲苯溶媒中的溶液與以1.5重量％的濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC-1溶解於二甲苯溶媒中的溶液以重量 比成為70 : 30之方式進行混合，調製組成物4以取代實施 例1之組成物1以外，與實施例1以相同方式進行，製作 有機EL元件。 於所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC-1之於520nm具有波峰 的EL發光。該元件自2. 9V開始發光，在6. 0V顯示1000cd/m2 # 的發光，最大發光效率為56.48cd/A。 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為8000cd/m2 之方式設定電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化。其結果為，亮度於19. 6小時後衰減至初始亮度的 80%，於75. 4小時後衰減至初始亮度的70%。 [比較例1 ] <高分子化合物E之合成> 於惰性氣體環境下，混合化合物M-1 (2, 5-雙（4, 4, 5, 5- 144 323308 201211203 四曱基-1，3, 2-二氧雜硼雜環戊烷-2-基）-1，4-二己基苯） (3. 124g)、9, 9-二辛基-2, 7-二溴苐（2. 770g)、化合物 M-5 (2, 4-雙（4-溴苯基）-6-(4-正己基苯基）-1，3, 5-三哄） (0. 696g)及甲苯（82mL)，一面加熱一面進行擾摔。加入乙 酸鈀（2. lmg)及參（2-甲氧基苯基）膦（13.4mg)，滴下20重 量％的氫氧化四乙基銨水溶液（22. 3g)，使加熱回流5小時。 接下來’加入苯基硼酸（0. 〇78g)、乙酸鈀（2. lmg)、參 (2-甲氧基苯基）膦（13.3mg)及20重量％的氫氧化四乙基銨 ^ 水溶液（22_ 3g)。使加熱回流Π. 5小時。 從反應液去除水層後，加入N，N-二乙基二硫胺曱酸鈉 三水合物（3. 51g)及離子交換水（7〇mL)後在85°C下攪拌2 小時。將反應液之有機層與水層分離後，將有機層以離子 交換水3次、3重量％的乙酸水溶液3次、離子交換水3次 的順序進行洗淨。 將有機層滴至曱醇中並濾取所產生的沉澱後，乾燥後 φ 得到固體。將此固體溶解於曱苯，再次使曱苯溶液流通於 預先經流通曱本之充填有；5夕膠/氧化铭的管柱。將流通後的 析出液滴至曱醇中，並濾取產生的沉澱後進行乾燥，得到 高分子化合物（以下稱作「高分子化合物E」）3.43g。高分 子化合物E之依分析條件2所測定之聚笨乙烯換算的數量 平均分子量及重量平均分子量分別為Μη=16χ1〇5, Mw=5 2 xlO5 〇 從單體的裝入比來看，高分子化合物Ε係被推定為具 有以下的重複單元及莫耳比率，而（ΡΑ)之重複單元與選自 323308 145 201211203 (PB)之重複單元為互相聚合之高分子化合物。
PeHi3
(PA) =50
CeH13
(PB) C$H17 CgHt?
NVN T =40/10 Φ <有機EL元件之製作及評估> φ 除了將以1.6重量％的濃度使高分子化合物E溶解於二 甲苯溶媒中的溶液與以1.6重量°/◦的濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC-1溶解於二甲苯溶媒中的溶液以重量 比成為70 : 30之方式進行混合，調製組成物5以取代實施 例1之組成物1以外，與實施例1以相同方式進行，製作 有機EL元件。 於所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC-1之於520nm具有波峰 # 的EL發光。該元件自3.0V開始發光，在6.7V顯示1000cd/m2 的發光，最大發光效率為47. 54cd/A。 將上述所得之有機EL元件的初始亮度成為8000cd/m2 之方式設定電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化。其結果為，亮度於11.3小時後衰減至初始亮度的 80%，於28. 9小時後衰減至初始亮度的70%。 [實施例5] <高分子化合物F之合成> 146 323308 201211203 於惰性氣體環境下，混合9, 9-雙（4-正己基苯基）-2,7-雙（4 4 R c ’ ’，5〜四曱基-1，3,2-二氧雜硼雜環戊烷-2-基）-苐 _ 、9, 9~二辛基-2, 7-雙（4, 4, 5, 5-四甲基-1，3, 2- 二氧雜蝴雜環戊烷-2-基）-第（0.9422)、9,9-雙（3-正己基 笨基）一2, 二溴第（2. 194g)、化合物M-4(2, 4-雙（4-溴苯 基'正十二烷基苯基）-1，3, 5-三啡）（〇· 666g)、N, N，- 又（4- >臭苯基）—N，ν’ -雙（2, 6_二曱基一4-第三丁基苯基） 本月女（〇.580g)及甲本（114mL) ’ 一面加熱一面進行 攪拌。加入二氯化雙（三苯基膦）鈀（3. 7mg)加熱至10(TC， /商下20重量％的氫氧化四乙基銨水溶液（18. 5g)，使加熱回 流8小時。 接著加入笨基硼酸（〇.〇65g)、二氯化雙三苯基膦把 (3.7mg)及20重量％的氫氧化四乙基銨水溶液（18 5g)，使 徹夜加熱回流。 從反應液去除水層後，加入N，N-二乙基二硫胺甲酸鈉 % 三水合物（2·91§)及離子交換水（58mL)後在85。(：下攪拌2 小時。將反應液之有機層與水層分離後，將有機層以離子 交換水2次、3重量％的乙酸水溶液2次、離子交換水2次 的順序進行洗淨。 將有機層滴至曱醇中並濾取所產生的沉澱後，乾燥後 得到固體。將此固體溶解於曱苯，再次使曱苯溶液流通於 預先經流通曱苯之充填有矽膠/氧化鋁的管柱。將流通後的 析出液滴至甲醇中並濾取產生的沉澱後進行乾燥，得到高 分子化合物（以下稱作「高分子化合物F」）4 28g。高分子 147 323308 201211203 化合物F之依分析條件2所測定之聚苯乙稀換 均分子量及重量平均分子量分別為Mn=9. Π)5 〇 右從比來看’高分子化合物？係被推定為具 有以下的纽早减莫耳比率，而⑽之重鮮元 ⑽之重複單元為互相聚合之高分子化合物。Ά自
^Ηι/ί：βΗ17 (ΡΑ) C€H13
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C12H2S 32.5 / 1〇 / 7.5 (式中，Me表示甲基，卜Bu表示第三丁基 <有機EL元件之製作及評估〉 實施例1中’除了將電洞傳輸性高分子化合物肝_2以 =7重量㈣二甲苯溶液之狀態進行旋轉塗佈，成膜為厚度 ίΓ1"之二及將以U重量％的濃度使高分子化合物F :解於二：本溶媒中的溶液與以16重量爾度使發光 性有機金屬錯合體化合物M(>2轉於二ψ苯溶媒中的溶 液以重量比成為92. 5 : 7 5夕士斗，、办/ 之方式進行混合，調製成組成 =以取代組成物丨之點，以及將該纟且成物6藉由旋轉塗 Γ 155G_之旋概度_為膜的厚度約_ra之點以 與實仏例1以相同方式進行，製作有機EL元件。 自私::21機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性錢金屬錯合魏合物㈣之於615nm具有波峰 323308 148 201211203 的EL發光。該元件自2. 3V開始發光，在4. 7V顯示1000cd/m2 的發光’最大發光效率為21. 15cd/A。 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為8000cd/m2 之方式設定電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化。其結果為，亮度於525小時後衰減至初始亮度的 80% ’於1244. 4小時後衰減至初始亮度的70%。 [實施例6] <而分子化合物G之合成> 於惰性氣體環境下，混合9, 9-雙（4-正己基苯基）-2,7-雙（4’ 4, 5, 5~四曱基-1，3, 2-二氧雜硼雜環戊烷-2-基）-苐 ^〇21g)、9 9_二辛基_2 7_雙（4,4,5,5_四曱基_13,2_ 一氧雜蝴雜環戊烷-2-基）-苐（0.691运）、9,9-雙（3-正己基 笨基）-2,7-二溴苐（i.6〇8g)、化合物M-5(2,4-雙（4-溴苯 基）-6-(4-正己基苯基）_1，3,5-三畊）（0.423§)、1^-雙 (4〜漠笨基）_NN，-雙（2,6_二曱基_4_第三丁基苯基）_14_ Φ 笨二胺（0. 425g)及甲苯（82mL) ’ 一面加熱一面進行攪拌。 加入二氣化雙（三苯基膦）鈀（2. 7mg)，滴下20重量％的氩氧 化四乙基銨水溶液（13. 7g)，使加熱回流7小時。 接下來，加入笨基硼酸（〇· 〇47g)、二氯化雙（三苯基膦） 鈀（1. 4mg)及20重量％的氫氧化四乙基銨水溶液（a. 6g)， 使加熱回流16 · 5小時。 從反應液去除水層後，加入N，N-二乙基二硫胺曱酸鈉 二水合物（1.81g)及離子交換水（36mL)後在8yc下攪拌2 小時。將反應液之有機層與水層分離後，將有機層以離子 149 323308 201211203 交換水2次、3重量％的乙酸水溶液2次、離子交換水2次 的順序進行洗淨。
將有機層滴至甲醇並濾取所產生的沉澱後，乾燥後得 到固體。將此固體溶解於甲苯，再次使甲苯溶液流通於預 先經流通甲苯之充填有矽膠/氧化鋁的管柱。將流通後的析 出液滴至甲醇中並濾取產生的沉澱後進行乾燥，得到高分 子化合物（以下稱作「高分子化合物G」）3. 〇4g。高分子化 合物G之依分析條件2所測定之聚苯乙烯換算的數量平均 分子量及重量平均分子量分別為Mn=9. lxl〇4, Mw=2. 5xl05。 從單體的裝入比來看，高分子化合物G係被推定為具 有以下的重複單元及莫耳比率，而（PA)之重複單元與選自 (PB)之重複單元為互相聚合之高分子化合物。
(式中’ Me表示曱基’ t-Bu表示第三丁基。） <有機EL元件之製作及評估> 除了將以1. 5重量％的濃度溶解有高分子化合物F的溶 液與以1.5重量％的濃度使發光性有機金屬錯合體化合物 MC-2溶解於二曱笨溶媒中的溶液以重量比成為92. 5 : 7. 5 之方式進行混合，調製組成物7以取代實施例5之組成物 6以外，與實施例5以相同方式進行，製作有機EL元件。 150 323308 201211203 於所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC-2之於615nm具有波峰 的EL發光。該元件自2.…開始發光，在5. 〇v顯示i〇〇〇cd/m2 的發光，最大發光效率為16.93cd/A。 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為8000cd/m2 之方式設定電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化°其結果為’亮度於105小時後衰減至初始亮度的 80% ’於408小時後衰減至初始亮度的70%。 [比較例2] <尚分子化合物Η之合成> 於惰性氣體環境下，混合9, 9-二辛基-2, 7-雙（1，3, 2-二氧雜硼雜環戊烷-2-基）-苐（2.652g)、9,9-二辛基-2,7-二填第（1.920g)、2,4-雙（4-溴苯基）-6-(4-正己基苯基） -1，3, 5-三哄（〇. 531g)、N，N，-雙（4-溴苯基）-N，N，-雙（2, 6- 二曱基-4-第三丁基苯基）-1 4-苯二胺（〇.369g)、氣化甲基 —辛基錢（商品名：A1 iquat336，Aldrich 公司製）（〇. 65g) 及甲苯（50mL)，一面加熱一面進行攪拌。加入二氯化雙（三 笨基膦）l£(3.5mg)，滴下17.5重量％的碳酸鈉水溶液 (13. 5mL) ’使加熱回流3小時。 接下來，加入苯基硼酸（〇. 61〇g)、二氯化雙（三苯基膦） 鈀（3. 5mg)及甲苯（50mL)，使加熱回流μ小時。 從反應液去除水層後’加入N，N-二乙基二硫胺甲酸納 二水合物（3.04g)及離子交換水（3〇mL)後在85〇c下攪拌2 小時。將反應液之有機層與水層分離後，將有機層以離子 151 323308 201211203 交換水2次、3重量％的乙酸水溶液2次、離子交換水2次 的順序進行洗淨。 將有機層滴至曱醇中並濾取所產生的沉澱後，乾燥後 得到固體。將此固體溶解於曱苯，再次使曱苯溶液流通於 預先經流通曱苯之充填有矽膠/氧化鋁的管柱。將流通後的 析出液滴至曱醇中並濾取產生的沉澱後進行乾燥，得到高 分子化合物（以下稱作「高分子化合物H」）3.48g。高分子 化合物Η之依分析條件1所測定之聚苯乙烯換算的數量平 # 均分子量及重量平均分子量分別為Mn=1.4xl05，Mw=3.7x 105。 從單體的裝入比來看，高分子化合物Η係被推定為具 有以下的重複單元及莫耳比率，而（ΡΑ)之重複單元與選自 (ΡΒ)之重複單元為互相聚合之高分子化合物。 (PA) =50
CeHi7 〇^n
(式中，Me表示曱基，t-Bu表示第三丁基。） <有機EL元件之製作及評估> 除了將以1. 6重量％的濃度使高分子化合物Η溶解於二 曱苯溶媒中的溶液與以1.6重量％的濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC-2溶解於二曱苯溶媒中的溶液以重量 比成為92. 5 : 7. 5之方式進行混合，調製組成物8以取代 152 323308 201211203 實施例5之組成物6以外，與實 製作有機EL元件。 、15以相同方式進行’ 自：=:EL元件外加電壓後’可從該元件得到來 的合體化合物_之於615⑽具有波峰 的發光’悬二件自2·5ν開始發光’在5.5v顯示 lOOOcd/m2 的心先，最大發光效率為18. 2〇cd/A。
2稍得之有機EL元件的初始亮度成為圆cW 3式^疋電流值後，以電流使驅動，敎亮度的時間 ，支化、、結果為，亮度於63小時後衰減至初始亮度的廳， 於148. 2小時後衰減至初始亮度的。 [實施例7] 〈高分子化合物I之合成> =取1’ 4_雙U’ 3’ 2-二氧雜娜環戊烧_2_基）_2, 5-二 =基本ailg，2.23圓D'u—雙（132_二氧雜硼雜環 雙（4~己基苯基）第（1.44&，2.24_1)、化合物^9(0.438, 0.56_〇1)、乙酸鈀（II)〇.6mg、參（2_曱氧基苯基）膦3. 9呢 及曱笨43mL至内部氣體經氮氣取代的反應容器中，以1〇〇 C 一面加熱一面進行混合。於反應液中滴下2〇重量％的氫 氧化四乙基銨水溶液l〇ml，使回流5小時。反應後，加入 苯基硼酸69mg、乙酸鈀（iI)〇 6mg、參（2-甲氧基苯基）膦 3. 9mg、曱苯7mL及20重量％的氫氧化四乙基銨水溶液 10ml ’復使回流15小時。接下來，加入〇·2Μ的二乙二硫 胺曱酸鈉（Sodium diethyldithiocarbamate)水溶液 153 323308 201211203 16ml，在85°C下攪拌2小時。將反應液冷卻至室溫，以曱 苯稀釋後，以水2次、3重量％的乙酸水溶液2次、水4次 之順序進行洗淨。將有機層滴至甲醇後產生沉澱。過濾該 沉澱後，使乾燥而得到固體。將此固體溶解於甲苯，藉由 將所得之溶液通入氧化鋁管柱及矽膠管柱而進行精製。析 出液滴至曱醇後，得到高分子化合物（以下稱作「高分子化 合物I」）1.56g。高分子化合物I之依分析條件2所測定 之聚苯乙烯換算的數量平均分子量為5. OxlO4,聚苯乙烯換 # 算之重量平均分子量為1. lxlO5。 高分子化合物I，由裝入的原料所求得的理論值，係 以40 : 10 : 40 : 10之莫耳比包含下述式：
所示之重複單元與下述式：
(式中，Me表示曱基。） 所示之重複單元與下述式：
154 323308 201211203 所示之重複單元與下述式：
(式中，t-Bu表示第三丁基。） 所示之重複單元的共聚合體。 φ <有機EL元件之製作及評估> 除了將以2.2重量％的濃度使高分子化合物I溶解於二 曱苯溶媒中的溶液與以2.2重量％的濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC-1溶解於二甲苯溶媒中的溶液以重量 比成為70 · 30之方式進行混合，調製組成物g以取代實施 例1之組成物1之點，以及將該組成物9藉由旋轉塗佈並 以1_聊之旋轉速度成膜之點以外，與實施例i以相同 方式進行，製作有機EL元件。 鲁 於所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物，之於52()nm具有波峰 的EL發光。該元件自2.64V開始發光，在57v顯示腦^ m的發光，最大發光效率為62.80cd/A。 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為酬cd/m2 之方式設定電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化。其結果為，亮度於82小時後衰減至初始亮度的應。 [實施例8] 323308 155 201211203 <高分子化合物J之合成> 量取1，4-雙（1，3, 2-二氧雜硼雜環戊烷_2_基）-2, 5-二 己基苯（1· 00g，2. OOmmol)、1，3-雙3, 2__二氧雜硼雜環 戊烷-2-基）-2-曱基苯（0. 17g，〇. 5〇mm〇1)、2, 7-二溴-9, 9-雙（4-己基苯基）苐（1. 29g ’ 2. 00_〇1)、化合物M-10 (0· 58g，0. 5mmol)、乙酸鈀（Π)〇· 6mg、參（2一甲氧基苯基） 膦3. 5mg及甲苯44mL至内部氣體經氮氣取代的反應容器 中，在100°C下一面加熱一面進行混合。於反應液滴下20 Φ 重量％的氩氧化四乙基銨水溶液9ml，使回流11小時。反 應後，加入苯基硼酸62mg、乙酸鈀（！{)〇. 6mg、參（2_甲氧 基笨基）膦3. 5mg、甲苯7mL及20重量％的氫氧化四乙基敍 水溶液9mL，復使回流15小時。接下來，加入〇. 2M的二 乙二硫胺曱酸鈉水溶液14mL，在85°C下攪拌2小時。將反 應液冷卻至室溫，以甲苯稀釋後，以水2次、3重量％的乙 酸水溶液2次、水6次之順序進行洗淨。有機層滴至甲醇 中後產生沉澱。將該㈣進行猶後，使乾燥而得到固體。 將此固體溶解於甲笨，藉由將所得之溶液通過氧化紹管柱 及石夕膠g柱而進行精製。析出液滴至甲醇中後，得到高分 子化合物（以下稱作「高分子化合物卿。高分子化 合=之依分析條件2所測定之聚苯乙婦換算的數量平均分 子5里為4.9xlG ’聚苯乙稀換算之重量平均分子量為I。 10° 向分子化合物J ’由裝入的原料所求得的理論值，係 以40:Η):40:10之莫耳比包含下述式： 323308 156 201211203 ^6^13
C6H13
所示之重複單元與下述式： (式中，Me表示曱基。） ® 所示之重複單元與下述式：
所示之重複單元與下述式：
(式中，t-Bu表示第三丁基。） 所示之重複單元的共聚合體。 <有機EL元件之製作及評估> 除了將以2. 2重量％的濃度使高分子化合物J溶解於二 157 323308 201211203 甲苯溶媒中的溶液與以2·2重量％的濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC-1溶解於二甲苯溶媒中的溶液以重量 比成為70 : 30之方式進行混合，調製組成物1〇以取代實 施例1之組成物1之點’以及將該組成物1〇藉由旋轉塗佈 並以1690rpm之旋轉迷度成膜之點以外，與實施例1以相 同方式進行，製作有機EL元件。 於所彳于之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物之於挪⑽具有波峰 的EL發光。該兀件自2.69v開始發光，在5 4V顯示1〇〇〇cd/ m2的發光，最大發光效率為58 5〇cd/A。 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為8GO〇Cd/m2 之方式設定電流值後’以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化。其結料，冑度於刚小時後㈣至初始亮度的継。 [實施例9] <有機EL元件之製作及評估> 除了將以2.2重量％的濃度使高分子化合物丨溶解於二 :苯溶媒中的溶液與以2.2重量％的濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物M03溶解於二甲苯溶媒中的溶液以重量 比成為70:30之方式進行混合，調製組成物心取代實 施例7之組成物9之點’以及將該經成物^藉由旋轉塗佈 並以1580_之旋轉速度成膜之點以外，與實施例7 同方式進行，製作有機EL元件。 :所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件 自發光性有機金屬錯合體化合物Mc_3之於6G5nm具有波二 323308 158 201211203 的^f。該元件自2._始發光，在7.6V_ 1000cd/ m的發先’最大發光效率為27.8Gcd/A。 夕述所付之有機EL元件的初始亮度成為_〇cd/m2 之万式纟又定電流值後， 變化。其社里也^ ώ疋電机使驅動，測定亮度的時間 議。…’贵又於41·9 *時後衰減至初始亮度的 [實施例1〇] <有機EL元件之製作及評估> :::以2.2重量%的濃度使高分子化合物】溶解於二 的溶液與以2.2重量%的渡度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC-3溶解於-甲贫、々w丄 ...7Λ 合鮮於一甲本溶媒中的溶液，以重量 比成為70 . 30之方式進行混人，綱制 你加Q 史仃此口凋製組成物12以取代實 施例8之組成物10之點， 地斗、 M及將該組成物12藉由旋轉塗 佈並以162〇rpm之旋轉速度成膜 取联&點从外，與實施例8以 相同方式進行，製作有機EL元件。 ^所得之有祕元件轴糕彳4，可從料件得到來 =性有機金屬錯合體化合物㈣之於6Q5nm具有波峰 光。該元件自2.82V開始發光，在7τν顯示圈^ m的I光，最大發光效率為24. 6〇cd/A。 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為綱Ocd/m2 ^式設定電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 炎。其結果為，减於5Q 6小時後衰絲初始亮度的 8U% 〇 [比較例3] 323308 159 201211203 〈有機EL元件之製作及評估> 除了將以2. 2重量％的濃度使言八 曱苯溶媒中的溶液與以2.2重量^二子化合物E溶解於二 屬錯合體化合物MC-3溶解於 ^農度使發光性有機金 比成為70 : 30之方式進行混合，調本:媒中的溶液以重量 較例1之組成物5之點，以及將該^成物U以取代比 並以2400rPm之旋轉速度成膜之點 13藉由旋轉塗佈 同方式進行，製作有機EL元件。’，肖比較例1以相 於所得之有機EL元件外加電壓 自發光性有機金屬錯合體化合㈣’可從該元件得到來 的乩發光。該元件自2._開 =於咖⑽具有波峰 “發光’最大發光效率為23.二;，3V顯示圆… 使上述所得之有機EL元件的初二 之方式設定電流值後，^電成為_0cd/m 變化。其結果為，亮度於5.3小時後吏t，測定亮度的時間 [實施例U] 』時後农减至初始亮度的80%。 〈有機EL元件之製作及評估〉 二：分子化合物_於二 屬錯合體化合物Me_4 量°之濃度使發紐有機金 比成為92 5. 7 5》谷解於二甲苯溶媒中的溶液以重量 實施例5之組⑽t方式進行混合，調製組成物14以取代 佈並以2540 之點，以及將該組成物14藉由旋轉塗 方式轉速度成膜以外，與實施例5以相同 丁 1作有機EL元件。 323308 160 201211203 於所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC-4之於625nm具有波峰 的EL發光。該元件自2· 41V開始發光，在4. 5V顯示l〇〇〇cd/ m的發光，最大發光效率為11. 70cd/A。 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為8000cd/m2 之方式設定電流值後’以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化。其結果為，亮度於107. 2小時後衰減至初始亮度的 80%。此者相對於比較例4，係表現為長壽命化6. 7倍。 [實施例12 ] <有機EL元件之製作及評估> 除了將以1.8重量％之濃度使高分子化合物F溶解於二 甲苯溶媒中的溶液與以1.8重量％之濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC-3溶解於二曱苯溶媒中的溶液以重量 比成為92. 5 : 7. 5之方式進行混合’調製組成物15以取代 實施例5之組成物6之點，以及將該組成物15藉由旋轉塗 佈並以2570rpm之旋轉速度成膜之點以外，與實施例5以 相同方式進行，製作有機EL元件。 於所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC-3之於600nm具有波峰 的EL發光。該元件自2. 29V開始發光，在4. 2V顯示l〇〇〇cd/ m2的發光’最大發光效率為31. 20cd/A。 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為別〇〇cd/m2 之方式設定電流值後’以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化。其結果為，亮度於593· 8小時後衰減至初始亮度的 161 323308 201211203 80。/◦。此者相對於比較例5，係表現為長壽命化5. ?6倍。 [實施例13] <有機EL元件之製作及評估〉 除了將以1.8重量％之濃度使高分子化合物ρ溶解於二 曱苯溶媒中的溶液與以18重量％之濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC-5溶解於二曱苯溶媒中的溶液以重量 比成為92. 5 : 7. 5之方式進行混合，調製組成物16以取代 實施例5之組成物6之點，以及將該組成物16藉由旋轉塗 ® 佈並以2740rpm之旋轉速度成膜之點以外，與實施例5以 相同方式進行’製作有機EL元件。 於所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC-5之於615nm具有波峰 的EL發光。該元件自2. 39V開始發光，在5. 0V顯示lOOOcd/ m2的發光’最大發光效率為20. 40cd/A。 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為8000cd/m2 • 之方式設定電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化。其結果為，亮度於493. 6小時後衰減至初始亮度的 80%。此者相對於比較例6，係表現為長壽命化8. 9倍。 [實施例14] <高分子化合物K之合成> 於惰性氣體環境下，混合9, 9-雙（4-正己基苯基）-2,7-雙（4, 4, 5, 5-四曱基-1，3, 2-二氧雜硼雜環戊烷-2-基）-苐 (2· 79g)、9, 9-二辛基-2, 7-雙（4, 4, 5, 5-四曱基-1，3, 2-二 氧雜硼雜環戊烷-2-基）-$(〇. 943g)、9, 9-雙（3-正己基苯 162 323308 201211203 基）-2, 7-二溴第（i. 86g)、2, 4-雙（4-溴苯基）-6-(4-正十二 烧基笨基）-1,3,5-三哄（0.999g)、N，N，_雙（4-溴苯基） 州川’-雙（2,6-二甲基-4-第三丁基苯基）_14_苯二胺 (0. 581g)及甲笨（ii4mL) ’ 一面加熱一面進行攪拌。於混合 物中加入二氯化雙（三苯基膦）鈀（3. 7〇mg)並加熱至1〇〇 C，滴下20重量％的氳氧化四乙基銨水溶液（18. 5g)，使加 熱回流。 接下來，加入苯基硼酸（〇· 〇65〇g)、二氯化雙（三苯基 膦）纪（3. 70mg)及20重量％的氫氧化四乙基敍水溶液 (18. 5g)，使徹夜加熱回流。 從反應液去除水層後，加入N，N-二乙基二硫胺曱酸鈉 二水合物（2.91g)及離子交換水（58mL)，在85°C下授拌2 小時。將反應液之有機層與水層進行分離後，將有機層以 離子交換水2次、3重量％的乙酸水溶液2次、離子交換水 3次之順序進行洗淨。 將有機層滴至曱醇中並濾取所產生的沉澱後，乾燥後 得到固體。將此固體溶解於甲苯，使所得之溶液流通於預 先經流通曱苯之矽膠/氧化鋁的管柱。將通過的溶液滴至甲 醇中使析出沉澱物。濾取沉澱物後進行乾燥，得到高分子 化合物（以下稱作「尚分子化合物](」）4. 25g。高分子化合 物K之依分析條件2所測定之聚苯乙烯換算的數量平均^ 子量（Μη)及重量平均分子量（MW)分別為Mn=14xl〇5， 4. 3xl05。 從單體的裝入比來看，高分子化合物κ係被推定為具 323308 163 201211203 有以下的構成單元另曾甘 ⑽之構成單元為成單元與選自 (PA) ^6^13 (PB) c6h13
C12H25 36/14 Μβ/ΝΗ^-Ν Me ^/~Me t-Bu t-Bu 27.5/15/7.5 (式中，Me表示甲基’n，表示正丁基 〈有機EL元件之製作及評估〉 '、了將X 1. 8重量％之濃度使高分子化合物^溶 甲苯溶媒中的溶液鱼以，。+曰、 a '、 18重之濃度使發光性有機全 屬錯合體化合物MC~4 w切μ . L 4〉谷解於二曱苯溶媒中的溶液以重量 ^成為92_ 5 · 7. 5之方式進行混合，調製組成物17以取代 實施例5之組成物6之點，以及將該組成物17藉由旋轉塗 佈並以200〇rpm之旋轉速度成膜之點以外，與實施例5以 相同方式進行，製作有機EL元件。 於所得之有機EL元件外加電壓後’可從該細得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC_4之於625⑽具有波峰 的EL發光。該兀件自2.請開始發光，在4.㈣頁示剛㈣/ &的發光，最大發光效率為11.40cd/A。 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為8〇〇〇cd/m2 之方式設定電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化。其結果為，焭度於71· 1小時後衰減至初始亮度的 80%。此者相對於比較例4，係表現為長壽命化4.44倍。 164 323308 201211203 [實施例15] 〈有機EL元件之製作及評估〉 除了將以1. 8重量％之濃度使高分子化合物κ溶解於二 曱苯溶媒中的溶液與以1.8重量％之濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC-3溶解於二曱苯溶媒中的溶液以重量 比成為92. 5 : 7. 5之方式進行混合，調製組成物18以取代 實施例5之組成物6之點，以及將該組成物1 §藉由旋轉塗 佈並以2120rpm之旋轉速度成膜之點以外，與實施例5以 # 相同方式進行，製作有機EL元件。 於所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC-3之於600ηπι具有波峰 的EL發光。該元件自2. 26V開始發光，在3. 9V顯示1 Q〇〇cd/ m2的發光，最大發光效率為30. 90cd/A。 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為8000cd/m2 之方式設定電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 ^ 變化。其結果為，亮度於360. 2小時後衰減至初始亮度的 80%。此者相對於比較例5，係表現為長壽命化3. 49倍。 [實施例16] 〈有機EL元件之製作及評估〉 除了將以1.8重量％之濃度使高分子化合物κ溶解於二曱苯 溶媒中的溶液與以1.8重量％之濃度使發光性有機金屬錯 合體化合物MC-5溶解於二甲苯溶媒中的溶液以重量比成 為92.5: 7· 5之方式進行混合，調製組成物μ以取代實施 例5之組成物6之點，以及將該組成物19藉由旋轉塗佈並 323308 165 201211203 以2090rpm之旋轉速度成膜之點以外’與實施例5以相同 方式進行，製作有機EL元件。 於所得之有機EL元件外加電壓後’可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC-5之於61511111具有波峰 的EL發光。該元件自2. 27V開始發光，在4.3V顯示i000cd/ m2的發光，最大發光效率為19. 60cd/A。 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為8〇〇〇cd/m2 之方式設定電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 • 變化。其結果為，亮度於297. 1小時後衰減至初始亮度的 80%。此者相對於比較例6，係表現為長壽命化5. 35倍。 [實施例17] <高分子化合物L之合成> 於惰性氣體環境下，混合9, 9-雙（4-正己基苯基）_2,7-雙（4, 4, 5, 5-四曱基-1, 3, 2-二氧雜硼雜環戊烷-2-基）-苐 (〇.7542)、9,9-二辛基-2,7-雙（4,4,5,5-四曱基-1，3,2-φ 二氧雜硼雜環戊烷-2-基）-第（0.259g)、9,9-雙（3-正己基 苯基）-2,7-二溴第（〇.6022)、2,4-雙（4-溴苯基）-6-(3,5-雙（4-第三丁基苯基）苯基）-1,3,5-三畊（0.210g)、N，N，-雙（4-溴笨基）-ν, Ν’-雙（2, 6-二甲基-4-第三丁基苯基） -1,4-苯二胺（〇. i59g)及甲苯（35mL)，一面加熱一面進行攪 拌。於混合物中加入二氣化雙（三苯基膦）le(l. 〇mg)且加熱 至100 °C，滴下20重量％的氫氧化四乙基銨水溶液 (7. 64g) ’使加熱回流5小時。 接著加入苯基硼酸（0. 035g)、二氯化雙（三苯基膦）鈀 166 323308 201211203 (1. Omg)及20重量％的氫氧化四乙基銨水溶液（7. 6知），使 徹夜加熱回流。 從反應液去除水層後，加入N，N—二乙基二硫胺甲酸鈉 三水合物（0.40g)及離子交換水（8mL)，在85。〇下攪拌2小 時。將反應液之有機層與水層進行分離後，將有機層以36 重篁％鹽酸2次、2. 5重量％氨水溶液2次、離子交換水4 次之順序進行洗淨。 將有機層滴至曱醇使析出沉澱物。滤取沉殿物而乾燥 ♦後得到固體。將此固體溶解於甲苯，使所得之溶液流通於 預先經流通甲苯之石夕膠/氧化铭之管柱。將通過的溶液滴至 曱醇中並濾取產生的沉澱後進行乾燥，得到高分子化合物 (以下^作「高分子化合物L」。）1.21g。高分子化合物l 之依分析，件2所測定之聚笨乙稀換算的數量平均分子量 (Mn)及重罝平均分子量(Mw)分別4 Mn=7. 3xl04，Mw=2. 1X 105。 、從單體的裝入比來看，高分子化合物L係被推定為具 有、下的構成單元及莫耳比率，*(pA)之構成單元與選自 (PB)之ί气單元為互相聚合之高分子化合物。 (ΡΑ)
^6^13 35.5/14 C6H13 c8h17 CjH17 (PB) c6h13
^ ^ ^ Me Ο-Me Me-〇 t-Bu t-Bu t-Bu 32.5/10/7.5 t-Bu (式中Me表示甲基，t_Bu表示第三丁基 167 323308 201211203 <有機EL元件之製作及評估> 甲苯H=2.G重量％的濃度使高分子化合沉溶解於二 甲本4中的减與以重量 屬錯合體化合物Mr 9、々切λ 枚又使ItU生有機金 比成為& 5 : 7 5 U 3苯溶媒中的溶液以重量 訾絲方式進仃混合，調製組成物20以取代 佈並以35nrT成物6之點’以及將該組成物2G藉由旋轉塗
旋轉速度成膜之點以外，與實施例5以 相同方式進仃，製作有機EL元件。 自發:Γ:之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 的EL何機金屬錯合體化合物MC_2之於615nm具有波峰 Π元件自2.2_始發光，在4.卿員示刪W m的發光’最大發光效率為18.20cd/A。 使j所知之有機EL元件的初始亮度成為8刪cd/jfl2 之方式錢電流值後’以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化。其結果為，亮度於238 2小時後衰減至初始亮度的 。此者相對於比較例2，係表現為長壽命化3. 78倍。 [實施例18] <有機EL元件之製作及評估> 除了將以2. 0重量％的濃度使高分子化合物L溶解於二 曱苯溶媒中的溶液與以2.0重量％的濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC-3溶解於二曱笨溶媒中的溶液以重量 比成為92· 5 : 7. 5之方式進行混合，調製組成物21以取代 實施例5之組成物6之點，以及將該組成物21藉由旋轉塗 佈並以3000rpm之旋轉速度成膜之點以外，與實施例5以 323308 168 201211203 相同方式進行，製作有機el元件。 於所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC-3之於600nm具有波峰 的EL發光。該元件自2. 24V開始發光，在4. 2V顯示l〇〇〇cd/ m2的發光，最大發光效率為29.80cd/A。 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為8000cd/m2 之方式設定電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化。其結果為，亮度於517. 3小時後衰減至初始亮度的 # 80%。此者相對於比較例5係表現為長壽命化，5. 02倍。 [實施例19] <有機EL元件之製作及評估> 除了將以1. 8重量％之濃度使高分子化合物G溶解於二 甲本溶媒中的溶液與以1.8重量％之濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC-4溶解於二甲苯溶媒中的溶液以重量 比成為92. 5 : 7. 5之方式進行混合，調製組成物22以取代 鲁 實施例5之組成物6之點，以及將該組成物22藉由旋轉塗 佈並以2500rpm之旋轉速度成膜之點以外，與實施例5以 相同方式進行，製作有機EL元件。 於所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC-4之於625nm具有波峰 ^EL發光。該元件自2.4^開始發光，在4 6V顯示i〇〇〇cd/ m2的發光’最大發光效率為11.4〇cd/A。 使上述所得之有機el元件的初始亮度成為8〇〇〇cd/m2 之方式》又疋電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 323308 169 201211203 變化。其結果為，亮度於86」小時後衰減至初始亮度的 80%。此者相對於比較例4，係表現為長壽命化5. 38倍。 [實施例20] <有機EL元件之製作及評估> 除了將以1. 8重罝％之濃度使高分子化合物〇溶解於二 曱苯溶媒中的溶液與以1.8重量％之濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC-3溶解於二甲笨溶媒中的溶液以重量 比成為92. 5 : 7. 5之方式進行混合，調製組成物23以取代 •實施例5之組成物6之點，以及將該組成物23藉由旋轉塗 伸並以2370rpm之旋轉速度成膜之點以外，與實施例5以 相同方式進行，製作有機EL元件。 於所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC-3之於600nm具有波峰 的EL發光。該元件自2· 31V開始發光，在4. 3V顯示l〇〇〇cd/ m2的發光，最大發光效率為31. 80cd/A。 0 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為8000cd/m2 之方式設定電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化。其結果為，亮度於308. 1小時後衰減至初始亮度的 80%。此者相對於比較例5，係表現為長壽命化2. 99倍。 [實施例21] <有機EL元件之製作及評估〉 除了將以1. 8重量％之濃度使高分子化合物G溶解於二 甲苯溶媒中的溶液與以1.8重量％之濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC-5溶解於二甲苯溶媒中的溶液以重量 170 323308 201211203 比成為92. 5 : 7. 5之方式進行混合，調製組成物24以取代 實施例5之組成物6之點，以及將該組成物24藉由旋轉塗 佈並以2500rpm之旋轉速度成膜之點以外，與實施例5以 相同方式進行，製作有機EL元件。 於所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC-5之於615nm具有波峰 的EL發光。該元件自2.39V開始發光’在5.0V顯示lOOOcd/ m2的發光，最大發光效率為20.40cd/A。 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為8000cd/m2 之方式設定電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化。其結果為，亮度於443.4小時後衰減至初始亮度的 80%。此者相對於比較例6，係表現為長壽命化7. 99倍。 [比較例4 ] <有機EL元件之製作及評估> 除了將以1.4重量％的濃度使高分子化合物Η溶解於二 曱本溶媒中的溶液與以1. 4重量％的濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC-4溶解於二甲笨溶媒中的溶液以重量 比成為92. 5 : 7. 5之方式進行混合，調製組成物25以取代 實施例5之組成物6之點，以及將該組成物25藉由旋轉塗 佈並以2000rpm之旋轉速度成膜之點以外，與實施例5以 相同方式進行，製作有機EL元件。 於所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC-4之於625nm具有波峰 的EL發光。該元件自2. 59V開始發光，在5· IV顯示i〇〇〇cd/ 323308 171 201211203 m2的發光’最大發光效 使上迷所得之有機EL广心。 之方式設定電流值後，以;；件&的初始亮度成為_cd/m2 變化。其結果為，亮度於^ ；:使轉，駭亮度的時間 8〇%。 、lb.u小時後衰減至初始亮度的 [比較例5] 〈有機EL元件之製作及評估>
除了將以1. 5重量％的嚿择你_、 Ψ ^ ^ ^ ,4> 的濃度使向分子化合物H溶解於二 甲本✓合媒中的溶液與以1 曰 A .5重1%的濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC—3溶解 ...no 冷解於一甲苯溶媒中的溶液以重量 .5 . 7. 5之方式進行混合，調製組成物26以取代 «•例5之組成物6之點’以及將該經成物％藉由旋轉塗 以 佈並以295Grpm之旋轉速度成膜之點以外，與實施例 相同方式進行，製作有機EL元件。 於所付之有機EL το件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC-3之於60〇nm具有波♦ ^EL發光元件自2.46V開始發光，在4. 5V顯示1〇〇〇cd/ m2的發光，最大發光效率為29. 1〇cd/A。 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為8〇〇〇cd/m2 之方式設定電流值後，以定電流使驅動，測定亮度的時間 變化。其結果為，亮度於肌丨小時後韻至初始亮度的 80%。 [比較例6] <有機EL元件之製作及評估〉 323308 172 201211203 除了將以1..4重量％的濃度使高分子化合物Η溶解於二 甲苯溶媒中的溶液與以1.4重量％的濃度使發光性有機金 屬錯合體化合物MC-5溶解於二曱苯溶媒中的溶液以重量 比成為92· 5 : 7. 5之方式進行混合，調製組成物27以取代 實施例5之組成物6之點，以及將該組成物27藉由旋轉塗 佈並以2ll〇rpm之旋轉速度成膜之點以外，與實施例5以 相同方式進行，製作有機EL元件。
於所得之有機EL元件外加電壓後，可從該元件得到來 自發光性有機金屬錯合體化合物MC-5之於615nm具有波峰 的EL發光。該元件自2. 56V開始發光，在5. 3V顯示lOOOcd/ m2的發光，最大發光效率為18. 60cd/A。 使上述所得之有機EL元件的初始亮度成為8000cd/m2 之方式設定電流值後，以定電流使驅動’測定亮度的時間 變化。其結果為，亮度於55·5小時後衰減至初始亮度的 80% 〇 [實施例22] <化合物Μ_ 11之合成> * CM-16之合成
CM-14
(式中，Me表示甲基，t-Bu表示第三丁基。） 於内部氣體經氬氣取代的可拆式燒瓶中加入3, 5-二溴 173 323308 201211203 -4_曱基安息香酸（化合物CM-14、60g，205mmol)、化合物 CM-15(200g，430mrool)、二氯化雙（三笨基膦）鈀（8 6g， 12mmol，6mol%)及曱苯（l3〇〇mL)。一面攪拌一面加熱至90 C。接下來，滴下20重量％的氫氧化四乙基敍水溶液 (600mL)。完成滴下後，使加熱回流24小時。將反應液移 至分液漏斗，以0· 5mol/L的鹽酸及1〇重量％食鹽水進行洗 淨，將有機層以硫酸鎂進行脫水後，流通於裝填有矽膠的 漏斗，將溶媒減壓顧除。藉由將所得之殘渣於氣仿_甲醇系 Φ 進行再結晶，得到白色的化合物CM-16。
(式中，Me表示甲基，t-Bu表示第三丁基。） 於内部氣體經氬氣取代的可拆式燒瓶中加入化合物 CM-16(41g ’ 50mmol)、單氯苯（i〇〇mL)及 DMF(0. lmL)，在 Φ 60°C下進行加熱攪拌。接下來，將亞硫醯氯（Thionyl chloride)(12. 5g，105mmo卜2. 1當量）徐緩滴下。加熱攪 拌10小時以上後，減壓鶴除溶媒。於所得之殘渣中加入單 氯苯（200mL)及4-溴苯甲腈（18g，lOOmmol)，將反應器冰 冷並進行攪拌。接下來’徐緩滴下五氣化銻（15g，50mmol)， 完成滴下後使昇溫至室溫，進行擾拌48小時以上。將所得 之反應混合物一面攪拌一面滴至25重量％氨水溶液中。當 有機層產生沉澱時或形成乳膠狀（Emulsion)時，以氯仿進 174 323308 201211203 行稀釋。從反應液去除水層，將有機層以離子交換水洗淨 2次以上，以硫酸鈉進行脫水。減壓餾除溶媒，使所得之 殘渣溶解於氯仿，於裝填有矽膠的漏斗進行通液後，減壓 餾除溶媒。藉由將所得之殘渣以氯仿-曱醇系進行再結晶， 得到白色的化合物Μ-11。 【圖式簡單說明】 無。 【主要元件符號說明】 • 無。
175 323308

Claims (1)

  1. 201211203 七、申請專利範圍： 1. 一種尚分子化合物，其係含有：式（丨）所示之重複單元 及式（2)所示之重複單元，
    (式中， R1、R2、R3、R4及R5係各自獨立地表示氫原子、烷 基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、 芳基烷基、芳烷氧基、芳基烷基硫基、醯基、醢氧基、 醯胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、取代矽基、取代矽基氧 基、取代矽基硫基、1價的芳香族雜環基、雜芳基氧基、 雜芳基硫基、芳烯基、芳炔基、取代羧基或氰基，R1、 R2、R3、R4及R5之中的至少一個表示氫原子以外的基， R、R2、R3、R4及R5之中的相鄰之基可互相結合而形成 環； An及An係各自獨立地表示可具有選自烷基、垸氧 基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、 芳烷氧基、芳基烷基硫基、醯基、醯氧基、醯胺基、醢 亞胺基、亞胺殘基、取代矽基、取代矽基氧基、取代矽 基硫基、1價的芳香族雜環基、雜芳基氧基、雜芳基破 基、芳烯基、芳炔基、取代絲及氰基所構成群組中的 取代基之2價的芳香族基） 323308 1 201211203
    (式中， An表不芳基或1價的芳香族雜環基； An表示氫原子、烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、 芳基氧基、芳基硫基、芳基烧基、芳院氧基、芳基烧基 硫基、醯基、醯氧基、醯胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、 取代胺基、取代矽基、取代矽基氧基、取代矽基硫基、 取代矽基胺基、1價的芳香族雜環基、雜芳基氧基、雜 芳基硫基、芳烯基、芳炔基、取代羧基、或氰基； R6表示烷基、烷氧基、烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳 基硫基、芳基烷基、芳烷氧基、芳基烷基硫基、醯基、 醯氧基、醯胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、取代胺基、取 代矽基、取代矽基氧基、取代矽基硫基、取代矽基胺基、 1價的芳香族雜環基、雜芳基氧基、雜芳基硫基、芳烯 基、芳炔基、取代羧基或氰基；當存在複數個R6時， 此等R6可為相同或相異； a表示〇或1 ’存在2個的a可為相同或相異）。 2.如申請專利範圍第1項所述之高分子化合物，其中，前 述1^、1^、1^、1^及¥之中的至少一個係包含烷基的基， 前述包含烷基的基中之烷基的脂肪族碳原子數為6以 323308 2 201211203 3. 如申請專利範圍第1項所述之高分子化合物，其中，前 述R1、R2、R3、R4及R5之中的至少一個係碳原子數為12 以上的烧基。 4. 如申請專利範圍第1項所述之高分子化合物，其中，前 述R2及R4係經烷基取代的芳基。 5. 如申請專利範圍第1項所述之高分子化合物，其中，前 述Ar4係氫原子、烷基、芳基或1價的芳香族雜環基。 6. 如申請專利範圍第1項所述之高分子化合物，其中，前 述An及Ar2係各自獨立地為式（3)或式（4)所示之2價 的芳香族基，
    (3)
    (式中，R’表示氩原子或烷基）。 7. 如申請專利範圍第1項所述之高分子化合物，其中，相 對於構成高分子化合物的全部重複單元，前述式（1)所 示之重複單元與前述式（2)所示之重複單元的合計比例 係30莫耳％以上。 8. 如申請專利範圍第1項所述之高分子化合物，其中，復 含有式（5)所示之重複單元， 323308 201211203 -Ar5 (5) (式中’ Ars表示伸芳基或2價的芳香族雜環基）。 9.如申請專利範圍第8項所述之高分子化合物，其中，前 述式（5)所示之重複單元係式（6)所示之重複單元，
    (式中， Are及An係各自獨立地表示烷基、烷氧基、烷基硫 基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳烷氧基、芳基 烧基硫基、醯基、醯氧基、醯胺基'醯亞胺基、亞胺殘 基、取代胺基、取代矽基、取代矽基氧基、取代矽基硫 基、取代矽基胺基、雜芳基氧基、雜芳基硫基、芳烯基、 芳炔基、取代羧基、或氰基； R表不烧基、烧氧基、烧基硫基、芳基、芳基氧基、 芳基硫基、芳基烧基、芳烧氧基、芳基烧基硫基、醯基、 酉落氧基、酿胺基、酿亞胺基、亞胺殘基、取代胺基、取 代矽基、取代矽基氧基、取代矽基硫基、取代矽基胺基、 1價的芳香族雜環基、雜芳基氧基、雜芳基硫基、芳稀 基、芳炔基、取代羧基或氰基； a表示0或1，存在2個的a可為相同或相異；當 存在複數個R7時’此等可為相同或相異）。 10·如申請專利範圍第8項所述之高分子化合物，其中，前 323308 4 201211203 述式（5)所7F之4複單元，係選自式⑺所示之重複單元 及式（8)所示之重複單元所構成的群組之中， R8
    (式中，R8及R9係各自獨立地表示烷基、烷氧基、 烷基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烷基、芳 烷氧基、芳基烷基硫基、醯基、醯氧基、醯胺基、醯亞 胺基、亞胺殘基、取代胺基、取代矽基、取代矽基氧基、 取代矽基硫基、取代矽基胺基、丨價的芳香族雜環基、 雜芳基氧基、雜芳基硫基、芳烯基、芳炔基、取代羧基 或氰基）
    (式中’R及R係各自獨立地表示烧基、烧氧基、 烧基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、芳基烧基、芳 烷氧基、芳基烷基硫基、醯基、醯氧基、醯胺基、醯亞 胺基、亞胺殘基、取代胺基、取代矽基、取代矽基氧基、 取代矽基硫基、取代矽基胺基、1價的芳香族雜環基、 雜芳基氧基、雜芳基硫基、芳稀基、芳炔基、取代緩基 或氰基；b表示0或1)。 11.如申請專利範圍第8項所述之高分子化合物，其中，相 對於構成高分子化合物的全部重複單元，前述式（1)所 5 323308 201211203 示之重複單元、爺、、、 所示之重複單元⑺述式（2)所示之重複單元及前述式（5) 12.如申請專利範^的合計比例係80莫耳％以上。 含有下述式（9)第1項所述之高分子化合物，其中，復 / 外示之重複單元，
    (9)
    (式中，Ar8 Λ 13 芳基或2價的^ Ar9、Am及Aru係各自獨立地表示伸 獨立地表示芳香族雜環基；Ar"、Arlz及Aru係各自 獨立地表示或1價的芳香族雜環基；X&y係各自 一種組成物，但X + y之值為〇或1)。 分子化合物，與=合有.申請專利範圍第1項所述之高 光材料所構成雜，、自電洞傳輸材料、電子傳輸材料及發 呼、、且中之至少一種材料 14. 如申請專利範圍心3項所述之組;：勿其令，前述發 光材料係含有發光性有機金屬錯合體化合物。 15. —種液狀組成物，其係含有：申請專利範圍第1項所述 之高分子化合物’與溶媒或分散媒者。 16. —種薄臈，其係含有申請專利範圍第丨項所述之高分子 化合物。 17. —種元件，其係具有··陽極及陰極所構成之電極，與設 於該電極間之含有ΐ請專利範圍f i項所述之高分子 323308 6 201211203 化合物的有機層者。 18. —種面狀光源，其係具備申請專利範圍第17項所述之 元件者。 19· 一種顯示裝置，其係具備申請專利範圍第項所述之 元件者。 20. —種式（i)所示之化合物，
    (式中，Ra、Rf及Rg係各自獨立地表示氫原子或烧 基；Rb、Re、Rd及Re係各自獨立地表示烷基、或經烧基 取代的芳基；Ar1及Ar2係各自獨立地表示可具有選自燒 基、烧氧基、院基硫基、芳基、芳基氧基、芳基硫基、 芳基烷基、芳烷氧基、芳基烷基硫基、醯基、醯氧基、 醯胺基、醯亞胺基、亞胺殘基、取代矽基、取代矽基氧 基、取代梦基硫基、1價的芳香族雜環基、雜芳基氧基、 雜芳基硫基、芳烯基、芳炔基、取代羧基及氰基所構成 群組中的取代基之2價的芳香族基；X表示鹵原子、硼 酸酿殘基、臂殘基、式（a-1)所示之基、式（a-2)所示 之基、式（a-3)所示之基或式（a-4)所示之基，存在2 個的X可為相同或相異） 7 323308 201211203
    (式中，RT表示烷基或芳基） —MgXA (a-2) (式中，XA表示鹵原子） 一ZiXA (a^3)
    (式中，XA表示與前述者同義） —Sn(RT)3 (式中，RT表示與前述者同義，存在的3個RT可為相同 或相異）。 323308 201211203 四、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：本案無圖式。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：無。 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：
    3 323308
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