TW201203592A - Oxide nitride stack for backside reflector of solar cell - Google Patents

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201203592 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明實施例大體係關於太陽能電池之製造，且更明 確地’本發明實施例係關於矽太陽能電池之背面鈍化。 【先前技術】 太陽能電池係直接轉換太陽光成電功率之光致電元 件。最常見的太陽能電池材料為矽（Si)，矽之形式為單 晶、多晶、多結晶基板或非晶薄膜。現正努力降低製造 太陽能電池的成本與所得電池的成本，同時維持或提高 製造之太陽能電池的整體效率。 可藉由在太陽能電池之背面上利用鈍化層來提高太陽 能電池之效率。當光線通過一介質至另一介質（諸如，空 氣至玻璃或玻璃至矽）時，某些光線會在兩個介質間之介 面處反射。光線反射的比例係兩個介質間之折射率差異 的函數，其中兩個相鄰介質之折射率的較大差異造成較 奇比例的光線自兩介質之介面處反射。配置於太陽能電 池之背面上的多個層可反射（例如’藉由兩個介質間之介 面）光線回到矽以吸收反射光，並增加太陽能電池之效 率。 太陽能電池轉換入射光能量成為電能的效率係由數個 因素所負面地影響，因素包括入射光由太陽能電池之光 接收表面反射的比例與/或不由太陽能電池之背面反射 201203592 且由電池構造（例如，鈍化層）吸收，以及太陽能電池中 電子與電洞的復合速率。每次電子_電洞對復合會排除電 街載體，藉此降低太陽能電池之效率。復合可發生於基 板之塊狀矽中，復合為塊狀矽中或基板表面上缺陷數目 的函數，復合為存在多少懸垂鍵（即，未中止化學鍵）的 函數。再者，可因為太陽能電池之背面處產生之分流電 流造成載體壽命降低而降低太陽能電池之效率。可因為 相鄰介電/鈍化層中存在有不欲數量的正電荷而在太陽 能電池之背面附近累積過量的負電荷而形成分流電流。 過量負電荷會滲入鄰近背側接點，造成復合發生於接點 介面處’而藉此降低太陽能電池效率。 鈍化層之一功能係使太陽能電池之背面處的載體復合 達到最小。一種改善鈍化層之鈍化功能的方式為在鈍化 層中可取得足夠的氫（H)源以用於塊體與表面純化。另一 種改善鈍化層功能之方式係在鈍化層中提供負電荷或有 限數量的淨正電荷以避免形成分流電流。藉由利用鈍化 層徹底鈍化太陽能電池可藉由降低復合率來改善太陽能 電池之效率。然而’取決於應用之圖案化處理類型與鈍 化層類型，背面鈍化層之圖案化（例如，形成背側接點時） 亦為困難的，造成較慢的産能。再者，傳統鈍化層形成 處理已經無法提供具有所欲電荷數量的鈍化層來避免或 至少降低分流電流形成。 因此，需要一種形成背面鈍化層之改善方法，該方法 提供淨數量的電荷來避免分流電流形成、提供Η源用於 201203592 基板之塊體與/或表面鈍化、增加圖案化之方便以形成背 層接點、並反射光線回太陽能電池以改善形成之太陽能 電池的效率。 【發明内容】 有鑑於上述’本發明實施例大致提供在太陽能電池基 板上形成多層背面鈍化層之方法。方法包括在p_型摻雜 Q之月面上形成淨電何密度低於或等於2,ι χ 庫倫/ 平方公分之氧化矽子層，該p_型摻雜區形成於包括半導 體材料之基板中，並在氧化矽子層上形成氮化矽子層， 而該背面與基板之光接收表面相反。 本發明實施例亦包括可根據本文所述方法製造之太陽 能電池元件。太陽能電池元件包括基板，基板包括半導 體材料且基板具有光接收表面以及與光接收表面相反之 背面。基板亦包括P-型摻雜區之背面上的多層背面鈍化 層，該P-型摻雜區形成於基板中。多層背面鈍化層包括 氧化矽子層與形成於氧化矽子層上之氮化矽子層，氧化 矽子層形成於基板之背面上且淨電荷密度係低於或等於 2.1 X 10丨1庫倫/平方公分。背接點層形成於多層背面鈍化 層上’其中背接點層包括導電材料。㈣接點橫越背面 鈍化層以電耦接背接點層與半導體材料。 【實施方式】 201203592 本發明大致提供形成多層背面鈍化層之方法。相對於 傳統背面鈍化層，藉由本發明實施例形成之多層背面純 化層使得圖案化與姓刻£容易而形成背側接點並提供氣 (H)源給基板之塊體鈍化，藉此形成高效率太陽能電池元 件。一實施例中，方法包括形成氧化矽子層於基板之背 面上並形成含氮化矽-子層（例如，氫化氮化矽）於氧化矽 子層上，接著為多種圖案化技術以形成背側接點層於多 層者面鈍化層上。可自本發明受益之太陽能電池基板包 括主動區，該主動區包含單晶矽、多結晶矽、多晶矽與 非晶矽之基板，但亦有用於可用來轉換太能光成電功率 之包括鍺（Ge)、砷化鎵（GaAs)、碲化鎘（CdTe)、硫化鎘 (CdS)、銅銦鎵硒（CIGS)、銅銦硒（CuInSe2)、鎵銦磷 (GalnP2)、有機材料之基板以及異接面電池（諸如，

GalnP/GaAs/Ge 或 ZnSe/GaAs/Ge 基板）。 一般而言’背面鈍化層將具有所欲的光學特性，以在 光線通過鈍化層時使光線反射達到最大並使吸收達到最 小。此外，背面鈍化層將具有所欲功能特性以「表面」 鈍化配置於背面鈍化層上方之表面，「塊狀」鈍化相鄰區 與基板之表面’並儲存正電荷於鈍化層中或「場」鈍化。 因此’鈍化層包含所欲濃度的氫以復原基板表面處發現 之淺缺陷’特別係在驅使Η離開鈍化層至基板表面與基 板中之基板燒結後。舉例而言，鈍化層藉以能夠執行這 些功能的機制包括形成之鈍化層成為氫（Η)源之能力，氫 (Η)源可用以修正基板之區域中的缺陷；及形成之層能夠 201203592 聯合基板表面處之懸垂鍵的物理與/或化學特徵。 因為太陽能電池之背面處產生之分流電流可造成載體 壽命降低而亦可降低太陽能效率。在太陽能電池基板之 背面106與介電/鈍化層115/117間之介面附近之太陽能 電池基板110中累積負電荷而產生分流電流（參見第1E 圖），該介電/鈍化層115/117形成於背面上。若因為不欲 數量的正電荷存在於介電層中而累積足夠的負電荷，在 P-型摻雜基板110中產生反轉層，即表面1〇6處的電子 數量超過電洞數量。因為反轉層中之電子滲漏或移動至 背侧接點層1 20，反轉層的存在可因此形成分流電流。 換句話說，介面處累積之負電荷滲漏至鄰近背接點區， 造成復合發生在接點介面處’藉此降低太陽能電池效率 與壽命。可設計背面鈍化堆疊以具有避免反轉層形成於 介面處的淨電荷密度，即在p_型基板之表面1〇6上累積 負電荷的數量不足，並藉此避免分流電流形成於太陽能 電池之背面處。 此外，多層背面鈍化層118亦可作為背面反射器，返 回未吸收光線進入太陽能電池基板11 〇並因此改善太陽 能電池效率。某些構造中，多層背面鈍化層118作為太 陽能電池之背面處的反射器。當光線自光接收表面通過 太陽能電池並通過光線吸收ρ-η接合區且朝向背面時， 未吸收光線可被反射回太陽能電池吸收區域。未吸收光 線可自皮側金屬接點與为側金屬接點、純化層中之子層 與矽背面間之介面反射回光線吸收層，藉此改善太陽能 201203592 電池效率。此外，北二人λ ^ _ 月"電/反射塗層可具有低濕蝕刻速 1 ’猎此避免介層洞開孔步驟影響產量。因此，需要 具有所有上述討論特性之鈍化層。 在不減少太陽能電池生產産量下平衡太陽能電池之鈍 化層的所欲特性具有挑戰性，特別係在純化層亦作為反 射塗層與電何固定器時。多種介電層（例如，氧化石夕）可 用於作為ρ•型結晶⑦基板之背側上的背面反射層。舉例 而。氧化_(例如’二氧化碎（si〇2))有助於反射紅外線 (IR)波長回到矽以有效地將光線捕獲於基板中。 然而，因為利用傳統方法形成薄膜時受限的Η含量， w電層（例如，氧化矽）可能無法提供足夠的鈍化。再者， 形成PECVD氧化矽之傳統方法具有較低的沉積速率（例 如’約每分鐘350埃）且不提供足夠的電荷源以避免或最 小化太陽能電池元件之背面附近之分流電流形成。因 此’一實施例中，高品質背面鈍化層可包括一或更多層， 該等層具有不同的組成物、不同的物理性質或不同的電 性質’以提供所欲鈍化作用與光學特性。此外，本發明 實施例提供多層背面鈍化層，該背面鈍化層經調整以用 於钱刻膠圖案化或雷射燒結形成背側接點。本發明實施 例提供較不密集、容易處理的背面鈍化薄膜堆疊，形成 介電鏡子以反射通過太陽能電池之光線回到基板之光線 吸收部分。 鈍化層形成處理 第1Α至1G圖描繪用於在太陽能電池元件1〇〇之背面 201203592 106上形成多層背面鈍化層11 8之處理次序的不同階段 過程中太陽能電池基板110之示意橫剖面圖。第2圖描 繪用於在太陽能電池基板11 〇上形成鈍化層之方法 200。第2圖中的次序對應於本文所述之第ία至1G圖 所示之階段。太陽能電池元件1 〇〇之一實施例中，基極 區101包括具有底部或背面106之p-型結晶矽基板11〇, 而射極區102包括形成於;6夕中且基極區ι〇1上之n—型 層。P-型摻質濃度可為ρ·至p+濃度其中任一，例如每立 方公分1015至1021原子之間。雖然下述主要討論處理n_ 型射極區形成於ρ-型基極區上之基板的方法與設備，但 此構造並不意圖限制本文所述之本發明範圍，因為多層 背面鈍化層11 8亦可形成於n_型基極區太陽能電池構造 之背面上。 本發明另一實施例中，提供太陽能電池元件1 〇〇。太 陽能電池元件100包括基板11〇，基板包括半導體材料 (例如’石夕）’且具有光接收表面（例如，正面1 〇 5)以及與 光接收表面相反之背面106。抗-反射塗層（例如，鈍 化-ARC層114)可沉積於光接收表面上。太陽能電池亦 包括多層背面鈍化層118，多層背面鈍化層包括形成於 P-型摻雜區（例如’形成於基板11〇中之基極1〇1)之背面 106上的氧化矽子層115以及形成於基板丨1〇之氧化矽子 層11 5上的氮化矽子層11 7。氧化石夕子層的淨電荷密度係 低於或等於2.1 X 1011庫倫/平方公分。太陽能電池元件 1 00亦具有形成於多層背面鈍化層丨丨8上之背側接點層 10 201203592 120 ’背側接點層1 20包括導電材料。背側接點丨2 j 多層为面鈍化層11 8以電耦接背側接點層12〇與基板n 〇 之半導體材料。下方討論多種形成太陽能電池元件】〇〇 之方法。 第1Α圖示意性描繪至少部分形成之矽太陽能電池元 件1〇〇的橫剖面圖，該矽太陽能電池元件包括基板110 ^ 基板no包括基極區10卜射極區102與ρ η接合區1〇3。 ρ-η接合區103係配置於太陽能電池之基極區1〇1與射極 區102之間，且為光線之入射光子照射太陽能電池元件 100時產生電子_電洞對於其中之區域。鈍化層114 係形成於太陽能電池元件1〇〇之正面1〇5上。 一實施例中’形成多層背面鈍化層m之方法包括形 成氧化碎（有時以&%或Six〇y:H代表）子層115於基板 110之貪面106上’接著形成氮化石夕（有時以Si為或 SixNy:H代表）子層117於氧化矽子層ιΐ5上。相較於一 般用於介面鈍化之氣切子層（高於2·7克/立方公分卜 氮化石夕子層117可較不密集（低於2.7克/立方公分）。含 氮化石夕-層可為氫化氮化石夕。一實施例中，利用化學氣相 沉積技術（例如’電漿增強化學氣相沉積（pEcvD))將氧化 石夕子層115與氮切子層U7形成於f面1()6上，且可 原位形成於腔室中以降低製造時間。另—實施例中，利 用物理氣相沉積(PVD)技術形成氧化石夕子層與氮化石夕子 :參照第4圖與第5圖進一步於下方描述多層背面鈍 8形成處理之實例，第4圖與第5圖描繪具有多 11 201203592 個可執行本發明不 例。 同實施例之腔室的群集工具之一實 貝施例十’用於在太陽能電池基板

▼ 〜u〜巫低 1 1 I 上形成夕層背面鈍化層118之方法2〇〇通常開始於處理 ^H。處理2(H_2()4執行之處理可在—基板處理腔室中之 早-處理中執行’或者可在一或更多基板處理腔室中之 多個分隔處理中執行。參照第3圖與第4圖進一步於下 方描述處理腔室之實例。可注意到某些實例中樂見確保 基板不暴露於氧中達長時間週期。因此，本發明某些實 施例中，m見在不具氧之惰性與/或真空環境（例如;'群 集工具或系統400(第5圖)之真空處理區）中執行各個處 理202-208，以致在處理之間不將基板暴露於氧中 在將一或更多基板U0置於處理腔室（例如，第4圖之 腔室300)中後，根據本發明實施例處理基板ιι〇。處理 2〇1 ’方法包括將第一處理氣體混合物流入形成於基板表 面上之處理腔室的製程容積3〇6。如處理2〇2所示，在 製程容積306中產生電漿並將氧化矽子層115沉積於與 基板之光接收表面（例如，正面105)相反之基板11()的背 面1 〇 6上（第1B圖）。一實施例中’氧化石夕子層1 i 5係 氧化矽（Si02)。 第一處理氣體混合物可包括含石夕-氣體與氧化氣體。含 石夕-氣體可選自下列所構成之群組：矽烷、二矽烷、氣石夕 烧、二氯石夕炫、三氯梦烧、二溴石夕统、三曱基石夕院、四 甲基石夕燒、三二甲基胺石夕院（TriDMAS)、四乙氧基石夕院 12 201203592 (TEOS)、三乙氧基氟矽烷（TEFS)、四氣化矽、四漠化石夕、 1，3,5,7-四曱基環四矽氧（TMCTS)、二甲基二乙氧基石夕烷 (DMDE)、八甲基環四矽氧（0MCTS)、甲基二乙氧基石夕烷 (MDEOS)、雙（叔丁基氨基μ夕院（BTBAS)或其之組合。氧 化氣體可選自下列所構成之群組〔氧（〇2)、一氧化二氣 (ΝίΟ)、臭氧（〇3)與其之組合。氧化氣體與含矽-氣體之比 例可約5 ·· 1至約1 〇:丨’例如約6:丨。氧化劑與含矽-氣體（例 如’ TEOS氣體）的高比例有助於擴展處理窗口，藉此讓 處理更可靠。一實施例令，在約1〇〇 〇c與2〇〇 〇c間之 溫度下以每分鐘2,000埃（A)或更多（例如，約3〇〇〇 A/ 分）來沉積氧化矽子層115。氧化矽子層115的厚度可在 約500 A與wo A之間。一實施例中，氧化石夕子層ιι5 係750 A。形成之氧化矽子層115的折射率(n)係在μ 與1.47之間。 貫施例中，氧化石夕子層 τ仔隹的捕獲正電荷則 總數量總和具有足夠的捕獲電荷，以達成約2.1 X ι〇η 庫倫/平方公分或更低(例如，約·i χ 1〇1。庫倫/平方公分 與約2.0 X 10"庫倫/平方公分之間)的電荷密度。第$圖 係顯示根據本發明實施例形成之氧切子層中有效表面 復合、開路電壓與淨電荷量間之關係的圖式。 左手邊y-軸顯示可根據本發明實施例形成之氧化石夕薄 膜的有效表面復合率叫單位為右手邊丫轴 :具據本發明實施例形成之氧化”膜的太陽能 件的開路電壓（V。小X-軸顯示可根據本發明實施 13 201203592 例形成之氧化矽薄膜中的淨電荷密度量（l〇g Qf)。隨著電 荷數罝自約2.1 X 1011庫倫/平方公分減少，有效表面復 合減少而開路電壓增加。利用傳統方法pECVD沉積之氧 化矽具有較高的淨電荷量（例如，高於5 〇 χ 1〇11庫倫/平 方公分），藉此在太陽能電池元件之背面中引發分流電流 之形成。 樂見在太陽能電池元件中具有高v〇c與低Seff。如第 5圖所示，與傳統PECVD沉積之氧切相較，具有根據 本發明實施例形成之背面鈍化層（包括氧化矽層）之太陽 能電池元件達成較高的Voc與較低的Seff。咸信與 S e f f的此樂見組合係因為淨電荷量等於或小於2.丨χ i 〇丨〗 庫倫7平方公分。因此，在太陽能電池基板11G上形成多 層背面鈍化層118之一方法包括在？_型摻雜區(例如，形 成於包括半導體材料之基板UG中之基極區⑻）之背面 1〇6上形成淨電荷密度低於或等於2」χ ι〇η庫倫/平方公 分的氧化料層115,並在氧切子層U5上形成氮化石夕 子層117’背面106與基板之光接收表面ι〇5相反。 應當注意的是在所欲電荷密度前缺少負符號僅意圖表 不氧化矽子層之淨電荷量係正(相對於負)的。因此，如 第5圖所不lGg(Qf)為零表示沒有淨電荷，* χ·軸上之負 數表示氧切子層中負電荷的淨數量。氧化料層115 與氮切子層117各自包含正電荷與負f荷之實例卜 本文料之電荷值係電荷的淨值，或者為各個分別層中 正電何的總量絕對值減去貞電荷的總量絕對值 一 14 201203592 ，而言，太陽能電池元件之背面上之氧化石夕子層中正電 荷淨數量越低或者負電荷淨數量越高，太陽能電池之壽 命則越長且SRV越低。 方法200更包括在處理2〇3將第二處理氣體混合物流 入製程容積’其中第二處理氣體混合物包括含矽-氣體與 含氮-氣體。在處理2〇4， 7氣體與 一 隹表杠今積306中產生電漿並 將氮化料層117沉積於氧切子層115上。氧化石夕子 層⑴與氮化石夕子層117共同形成多層背面純化層川 (第1C圖）。一實施例中，在約250。〇：與2〇〇 〇c間之溫 度下以每分鐘超過l5_ A來沉積氮化料層。一實: 例中，氮化石夕子層的厚度在約25〇人與1〇〇〇入之間。另 一實施例中，氮切子層的厚度在約· A與则入之 間。氮切子層117中存在的捕獲正電荷的總數量總和 的電荷密度係約3.0 x 10丨2庫倫/平方公分或更低。 多層背面鈍化層118的總厚度係在❸以⑽入與^00 A之間。舉例而言’氧切子層⑴可為75G A厚而氮 化石夕子層H7可為400人厚，而得到總厚度u5〇 a的 多層背面純化f 118。—實施例中，氧切子層ιΐ5係 750 A厚而氮切子層# 人厚，而得到總厚度1，250 A的多層鈍化層。熟悉技術人士可利用多種其他組合來 達成l，〇〇〇A# U00A間之太陽能電池所欲總厚度。一 實施例中，氧切子層可為75G A厚，且僅有氮化石夕子 層厚度提高所需數量以達成所欲之多層鈍化層總厚度。 因此，當氧化矽子層係750 A厚時，氮化矽子層厚度可 15 201203592 在 400 A - looo A 之間。 第二處理氣體混合物之含矽-氣體可選自下列所構成 之群組：矽烷、二矽烷、氣矽烷、二氣矽烷、三氣妙院、 二溴矽烷、三曱基矽烷、四甲基矽烷 '三二曱基胺矽烷 (TriDMAS)、四乙氧基矽烷（TE〇S)、三乙氧基氟石夕燒 (TEFS)、四氯化矽、四溴化矽、^3,5,7-四甲基環四石夕氧 (TMCTS)、二曱基二乙氧基矽烷（DMDE)、八曱基環四石夕 氧（OMCTS)、甲基二乙氧基矽烷（Mde〇S)、雙（叔丁基氨 基）石夕烧（BTBAS)或其之組合《第二處理氣體混合物之含 氮-氣體可選自氨（ΝΗ〇、氮（NO或其之組合所構成之群 組。第二氣體混合物中，含矽-氣體與含氮-氣體的比例 可在約5:1至約15:1之間，例如約7:1。含氮_氣體比例 係氣體混合物中一或更多含氮-氣體的總數量。含石夕-氣 體與含氮-氣體的比例有助於決定氮化矽子層之化學劑 量比與薄膜特性。 形成之氮化矽子層117具有低密度、高Η原子％、高 Ν-Η鍵與Si-H鍵比例、1.9與2 2間之折射率（η)與接近 零的光線吸收係數（k)。高比例的N_H/Si_H鍵有助於改 善局部介面的鈍化，因為N_H鍵在處理過程中更容易損 失其之氫。一般而言，Si〇2比較容易透過利用hf蝕刻， 且為測量濕蝕刻速度（有時稱為濕蝕刻速率比或werr) 的標準。制1% HF溶液比較材料之濕餘刻與熱叫 之濕蝕刻速度以給予材料之WERR。越接近熱之 WERR，越容易以㈣㈣刻材料。㈣膠通常具有肝、 16 201203592 ΝΗπ或其他氟化物離子鹽類作為主要蝕刻劑，然蝕刻膠 可為其他組成化學化合物的漿狀物。氮化矽通常難以蝕 刻且具有低WERR，有時甚至達到比Si〇2之WERR慢 1〇倍。然而’藉由形成低密度與高H組成之氮化矽，氮 化石夕之WERR接近叫之WERR，藉此提高氣化石夕之 WEHR。根據本發明實施例形成之氮化梦子層的戰狀 可低於或等於5.0。 蝕刻膠之一目的係打開太陽能電池背側層以在製造基 板與背側接點時形成介層洞以電連接基板與背接點層。 舉例而σ，種蝕刻通過背側層之方式係在網印背側以 形成背側接點層時利用具有㈣劑的聚狀物。另一種方 法係蝕刻通過氮化物與氧化物層以製造介層洞，並接著 藉由以PVD金屬沉積用聚狀物填充介層洞以形成背側接 點。另-圖案化背側層之方法係利用雷射形成方法，例 如形成雷射-燒結接點（LFC)。因為氧化物層與氮化物層 之組合物理與化學特性，背側層（例如，根據本發明實施 例形成之多層背面鈍化層118)係易於圖案化而不論圖案 化方法如何。當圖案化背側層時容易以雷射#穿與擊穿 整個上述層，詳細描述於下。 1D-1E圖與第2圖所示，在處理2〇5 一實施例中，如第 中將背側_ 120沉積於氮化矽子層U7ji。在處理 2〇6,在沉積背側接點層後接著形成背側接點a〗於基板 110上’其中背侧接點121橫越多層背面鈍化層以電 耗接背側接_ 12G與基板11G之半導體材料。背側接 17 201203592 點層120係導電材料，諸如鋁、銀、鎳、其之合金、其 之組合與任何其他與太陽能電池技術相容之導電材料。 可利用PVD處理、無電沉積處理或其他導電材料沉積處 理來沉積背側接點層120。舉例而言，可利用雷射燒結 處理或網印處理來形成背側接點121。網印處理中，透 過網狀件印刷鋁漿狀物，並接著進行高溫步驟以形成背 側接點121。 另一實施例中，在處理204中沉積氮化矽子層後，如 第1F圖所示圖案化多層背面鈍化層118以暴露基板ιι〇 之背面106。可利用技術中習知的濕或乾蝕刻技術來圖 案化氧化矽115與氮化矽m子層。如第2圖之處理2〇8 所示，在圖案化多層背面鈍化層118後接著藉由沉積背 側接點層120於氮化矽子層117上來形成背側接點me 可參照先前所述之處理205與206，背侧接點層可具有 相似導電材料以及利用相似方法加以形成。 在沉積多層背面鈍化層118後於基板上執行燒結或退 火處理過程中’將氮化矽子層中之氫驅逐至基板11〇以 提供基板110之塊狀鈍化。此外，某些氫將通過氧化矽 子層11 5且鈍化氧化矽與基板丨丨〇之背面1 〇6間之介面。 可將氮化矽子層117中氫庫存驅逐至基板與矽基板之背 面以鈍化基板構造中的任何空缺或結晶缺陷。根據本發 明實施例形成之太陽能電池具有0H 〇%的提高量子效 率。較低沉積溫度通常提供較高的沉積速率。相較於僅 具有金屬背接點層之「標準電池」的約65%或更低，本 18 201203592 發明之反射率可高達95%。 硬體構造 第3圖係電製辨強上 曰強化子軋相沉積（PECVD)腔室300之 一實絶例的示意措丸丨品国 〜相：J面圖’該腔室3〇〇中執行參照第2 圖所描述與討論的__七Φ+ 的 或更多處理。相似構造的電漿增強 化子氣相/儿積腔室可得自Αρρ丨ied Materials，Inc.(位於 Santa Clara，Calif〇rnia)。預期可應用其他沉積腔室（包括 來自其他製造商的那些腔室）來實施本發明。 §用於執行或更多第2圖所述處理時，咸信處理腔 室300提供之電漿處理構造比其他先前技術構造有顯著 優點。一實施例中，PECVD腔室3〇〇係設以一次處理複 數個基板。相對於處理垂直基板堆疊（例如，堆疊於匣中 之批次基板），一實施例中，PECVD處理腔室300係適 以同時處理複數個排列於平面陣列配置（第4圖）之基 板。處理排列於平面陣列中之批次基板可讓批次中的各 個基板直接且均勻地暴露於產生之電漿、輻射熱與/或處 理氣體。因此’在處理腔室之製程容積中相似地處理平 面陣列中之各個基板，並因此不依賴擴散型處理與/或依 序傳送能量至傳統構造批次中接受處理的所有基板，例 如先前技術中常見的堆疊或背-至-背構造之批次基板。 一構造中，PECVD腔室300係適以接收基板載體325 (第3圖與第4圖），基板載體325係設以在傳送與處理 基板過程中固持批次基板。一實施例中’基板載體325 的表面積係約1〇,〇〇〇平方公分或更高，例如約4〇〇()() 201203592 平方公分或更高、或者約55,000平方公分或更高，基板 載體3 25設以在處理過程中支撐配置於基板載體上之平 面陣列的基板。一實施例中，基板載體325具有複數個 凹部（未顯不）形成於其中，凹部係適以用面向上或面向 下構造固持約4個與約49個間之尺寸為156mmx 156mm x 0.3 mm的太陽能電池基板。基板載體325可由陶瓷（諸 如反化石夕氧化紹）、石墨、金屬或其他適當材料所形 成 構造中，在真空或惰性環境（例如，第4圖之傳送 腔室420)中於基板载體325上同時傳送批次太陽能電池 基板於複數個處理腔室之間，以相對於其他先前技術構 造降低污染機會並改善基板産量。 腔室300通常包括界定製程容積306之壁302、底部 3〇4與喷頭310及基板支撐件33〇。可透過閥3〇8進出製 程容積’以致可將配置於基板載體325上之基板傳送進 出腔室300。基板支樓件33〇包括基板接收表面阳，以 支樓基板；及桿334，該桿㈣至舉升线336以提高 並降低基板支料33〇。遮蔽框架奶可㈣性地置於 基板載體325周邊上。舉升銷338係可移動地配置通過 基板支樓件330以移動基板載體奶來回基板接收表面 332。基板切件33G亦可包括丧人式加熱與/或冷卻元 件339以維持基板切件33()在所欲溫度下。基板支 擇件亦可包括接地帶331，以在基板支料33〇周 邊處提供RF接地。接地帶之實例係揭露於年 15日核發給Law箄人沾$ m * 等人的美國專利第M24,〇44號以及 20 201203592

Park 等人 2006 年 12 日 η 千2月20曰申請之美國專利申請案第 11/613,934㉟’該等專利全文與本揭露不—致的部分以 參考資料併入。-實施例t，基板支擇件33〇具有叩 源（未顯示），RF源搞接至嵌於基板支稽件33〇中之電極 (未顯示）’以致可施加RF偏壓至配置於基板支撐件330 上之基板110。 喷頭310係在其周邊藉由懸置件314耗接至背板312。 喷頭310亦可藉由-或多個中心支料316麵接至背 板，以有助於避免喷頭31〇下垂與/或控制喷頭31〇之筆 直性/曲率。氣體源32〇係耗接至背板312以提供氣體通 過背板312並通過噴頭31〇之通道311而至基板接收表 面332。真空栗309係輕接至腔室300以控制製程容積 3〇6在所欲壓力下eRF功率源、322係相接至背板312與/ 或嗔頭310以提供RF功率至嘴頭31〇，以致在喷頭與基 板支撐件間產生電場’以便利用配置於喷頭310與基板 支樓件330間之氣體產生電容輕合電聚。可應用多種RF 頻率，例如約0.3MHZ與約100MHz間之頻率。一實施 例令’在13.56 MHz之頻率下提供RF功率源。喷頭之 實例係揭露於2002年11月12日核發給篇心等人的美 國專利第6,477,980號、Choi等人2006年11月17日公 開的美國專利公開案2〇〇5〇25199〇、及Ke·等人2編 年3月23日公開的美國專利公開案。 因為腔至300構造在處理過程中直接提供充能與/或離 子化物種至處理表面11〇A所有部分的能力，咸信電容耦 21 201203592 合電聚直接接觸基板110之處理表面110A (第4圖）JL有 優於不直接暴露所有基板於電漿之設計的優點。可藉由 調整施加至噴頭310之RF功率、處理過程中之腔室壓力 與/或施加至基板支撐件330之偏壓，來直接控制腔室 300中施加至完全處理表面110A的電漿交互作用程度。 典型的未直接暴露型腔室構造包括遠端驅動電漿構造或 其他堆疊基板構造，該構造依賴產生之電漿在處理過程 中擴散至一或更多基板、或各個基板的部分。 然而，某些實施例中，遠端電漿源324(例如，感應輕 合遠端電漿源）亦可耦接於氣體源與背板之間。_處理構 造中，可在處理基板之間提供清潔氣體至遠端電毁源 324，以致產生並提供遠端電漿以清潔腔室部件。可藉由 裝設至喷頭的RF功率源322進一步激發清潔氣體。適當 的清潔氣體包括（但不限於）NF3、&與St。遠端電漿源 之實例係揭露於1998年8月4日核發給Shang等人的美 國專利第5,788,778號。 一實施例中，加熱與/或冷卻元件339可經設置以在沉 積過程中提供約3〇〇°C或更少（例如，約1〇〇。〇與約3〇〇 °c之間，或約150〇c與約200 〇c之間，例如約⑽〇c) 的基板支撐件溫度。沉積過程中，配置於基板接收表面 332上之基板載體325上之基板正面與喷頭31〇間之間 距可在400密耳與約i，密耳之間，例如1()gg密耳與 約1，050密耳之間。舉例而言，沉積氧化石夕子層u5過 程中之間距可@密耳，而沉積氣切子層117過 22 201203592 程中之間距可約1,050密耳。 第4圖係處理系統400之一實施例的俯視示意圖，處 理系統400具有複數個處理腔室431_437,諸如第3圖之 PECVD腔室300或其他能夠執行參照第2圖所述處理之 適當腔室。處理系統400包括耦接至裝載鎖定腔室41〇 與處理腔室431-437之傳送腔室42〇β裝載鎖定腔室41〇 可讓基板在系統外之周遭環境與傳送腔室42〇與處理腔 室431-437中之真空環境之間傳送。裝載鎖定腔室41〇 包括一或更多可排空區，可排空區設以固持一或更多基 板載體325，基板載體325設以支撐複數個基板11(^在 輸入基板進入系統400過程中抽空可排空區，並在自系 統400輸出基板過程中洩出可排空區。傳送腔室‘π具 有至少一真空機器人422配置於其中，真空機器人422 適以傳送基板載體325與基板於裝載鎖定腔室41〇與處 理腔至43 1 -437之間。第4圖顯示七個處理腔室，然則， 系統400可具有任何適當數目的處理腔室。 系統400之一實施例中，第一處理腔室43 1係設以執 灯處理201 ’第二處理腔室432係設以執行處理 202-206 ’第二處理腔室433係設以執行處理2〇7_2〇8， 而第四處理腔室434係設以執行處理209或210於基板 上。其他實施例可應用系統400之處理腔室431_437的 夕種組合來執行處理201-2〇4或甚至201-208。系統400 之又實施例中’至少一處理腔室u 1-437係設以執行 大部分的處理（例如，2〇1_2〇4)於基板上。 23 201203592 鈍化層形成處理 口頭參見第2圖，在方法之—階段中，基板ιι〇 之表面接受複數個用來在基板之背面1Q6上形成氧化石夕 子層⑴與氮化石夕子層117的處理。下文為處S 201-204 之丁範！·生實例，該等實例可執行於相似上述之處理腔室 的處理腔至中。下述之處理通常包括主要利用乾燥 處理技術製備基板之背面的方法，方法執行於一或更多 群集工具(例如’系統4〇〇)中存在的一或更多處理腔室 (例如，處理腔室300)中。一實施例中，方法2〇〇中執行 的所有處理係執行於一或更多系统4〇〇令存在的一或更 多處理腔室431-437中。可注意㈣3圖與第4圖所纷 之硬體構造並㈣圖p艮制本文所述之本發明範圍。 —實施例中，將批次基板110置於基板載體325上並 置入處理腔室中，以致可在基板上執行處理2〇卜2〇4。一 貫施例中將基板暴路於第一處理氣體混合物與電漿 以形成氧化矽子層115於基板11〇之暴露後表面ι〇6上。 —實例中，基板係暴露於13.56随2 &含第一氣體混合 物中-定數量氣體前驅物的RF電毁，該第一氣體混合物 係用來形成氧化石夕子層作為太陽能電池上多層冑面鈍化 薄膜的第一層。 一實施例中，第一氣體混合物可包括先前所述之含矽_ 前驅物（諸如，矽烷類氣體、矽氧類氣體或其之組合）與 氧化氣體。與含矽-前驅物同時選擇性導入腔室之氣體包 括載氣，諸如氦、氮、氧、一氧化二兔與氮。-實例中， 24 201203592 首先藉由在所欲流率下輸送 & 載氣(例如，氦)進入腔室以達：…氧化前驅物與 形成氧化紗子層。切=約托耳的腔室壓力來 2 ?ηη ,Φ ^ 物之仙·率可在約1，800至約 =广方公分—之間。氧化氣體流率可在約 匕，咖至約16，_、之間。或者，流率可正規 (n〇maliZed)成流率/基板表面面積（每平方公分 :了)。舉例而言’可處理56個基板且具有⑶一 ’3〇〇mm(15，_平方公分)的组合表面積。因此，含石夕_ 前驅物流率可在每平方公分約〇115與約MM咖之 間’而氧化氣體流率可在每平方公分約Q 865至約ι 1〇 —之間，以沉積氧切子層115。進人腔室之氧化前 驅物（例如，乂〇)之流率與含石夕-前驅物（例如，TEOS)之 :率的比例係在約5: 1至約10·· 1之間，例如約6:卜 一實施例中，氧化前驅物流率係每升製程容積約8〇 ❿切.前驅物流率係每升製程容積約2“_。 第6圖係顯示形成氧化矽子層時沉積 物流率以及氧切子層之折㈣間之關係的圖 邊y-軸顯示氧化矽子層lls之沉積速率，而1轴顯示用 於形成氧化矽子層之含矽-前驅物的流率（sccm)。沉積之 氧化矽子層的折射率（n)係顯示於右手邊y_軸上。如圖所 示’隨著含矽-前驅物之流率提高，氧化矽子層115之沉 積速率跟著提高，且不顯著改變折射率，但此現象僅止 於某一數值。 針對此實例而言’提高含矽-前驅物流率超出約65〇 25 201203592 seem會劇烈地提高沉積之氧化矽層的折射率。咸广 率的劇烈提高係因為富含矽與/或富含氫之，工積^斤射 薄膜。基於此數據’氣體混合物中含氧-氣體斑含二 體的比例超出5:1 B夺通常使得薄膜富含石夕與/或富含/ 造成形成之氧化矽薄膜的折射率不欲之提高。田3虱， 然而，較低折射率係較佳用於背側純化:。因此 據本發明實施例’可提高沉積速率高達每分鐘3,咖^ 而不負面地影響沉積之氧化石夕子層 xbos^omcC" 的某些實施例中’用於形成氧化石夕子層的含氧'氣體數量 可更低而不導致折射率提高的負面效應。因此，矽前驅 物具有Si-ο鍵的時候，含氧_氣體與含石夕-氣體的比例可 低至1:卜然而’當氣體混合物比例達到1:"寺，在沉積 氧化石夕薄膜時會將含氧·氣體的有機部分保留於氧化石夕 薄膜’。因此’需要額外的處理來移除沉積過程中保留 於氧化矽薄膜中的任何有機殘基。 一實施例中，置於處理腔室30〇中之基板支撐件330 的溫度可在1GG°C至彻。c之間，例如彻至39〇〇c 之間。T輸送含石夕-前驅物與氧化前驅物進入腔室達一段 時間，該段時間足以沉積厚度約5⑼A與約丨灣入間 之氧切子層。可在i3.56 MHz之頻率下以約3〇〇 讀“2至約1,2 W/cm2(例如，約〇·5 W/cm2)之RF功率 在提供電漿。氧化石夕子層沉積的RF功率密度可產生電聚達 ’力2〇秒的時間週期.可提供RF功率至喷頭31〇與/或基 26 201203592 板支撐件330。可在高於每分鐘2,〇〇〇 A(例如，每分鐘 3,000 A)之速率下沉積氧化矽子層115。某些傳統方法 中，在每分鐘僅350 A下形成太陽能電池鈍化之氧化矽。 因此，可幾乎比傳統方法快上〗〇倍地形成氧化矽子層。 氧化矽子層的氫濃度係在約1原子百分比（at %)與5此 %之間’例如約2至約3 at %之間。 接著，處理203-204，將基板暴露於包含RF電漿之反 應！生氣體反應性氣體係用來形成氮化石夕子層11 7於氧 ^石夕子層115上’而氧切子層115係形成基板11〇之 月面106上。第二處理氣體混合物可包括含矽-氣體、含 氮-氣體與氫氣（H2)稀釋物。第二處理氣體混合物可為石夕 烧（SiH4)與氮⑽、μ與氨（贿3)、或碎烧、|與氮之 組合。 -實例中’含矽-前驅物之流率可相同於用於沉積氧化 石夕子層的流率。含氮-氣體流率可在約^，別咖至約 19,〇3〇SCCm之間。或者，流率可正規化成流率/基板表 面面積（每平方公分sccm)。因μ .. m ^ )因此利用與上述相同的基 板面積，含矽-前驅物流率 J仕母十方公分約0.11 5與約 0.141 seem之間，而含_ 3氮-軋體流率可在每平方公分約 0.998與約1.22 seem之間，以、„拉在 1 以^儿積氮化矽子層11 7。進 入腔室之含氮-前驅物（例如， N2)之流率與含矽-氣體（例 如’ TEOS)之流率的比例係約51 至Ά 1 5 :1，例如約7:1。 另一實例t，包含矽烷、氨輿 ^^ ^ v 虱與氮之第二處理氣體混合 物的^率：別為每升腔室體穑 主菔積 20 sccm、6〇 sccm 與 6〇 27 201203592 seem ^包含矽烷、氨、氮與氫之處理氣體混合物的流率 分別為每升腔室體積20 seem、20 seem > e〇 seem 與 60 seem。氮與矽烷之比例可約為3而氨與矽烷之比例可約 為3。在此處理過程中，通常將基板支撐件33()溫度維 持在約350。0至450 0C之溫度下。 在處理腔室中產生電漿以沉積氮化矽子層117於氧化 矽子層H5上，其中複合之氧化矽子層與氮化矽子層適 合作為太陽能電池之背面鈍化層與反射層。氮化矽子層 的質量密度係約2.5與3克/立方公分之間，而氣濃度係 在約6原子百分比與15原子百分比之間。舉例而言，氮 :矽子層的質量密度係等於或小於2 7克/立方公分。一 實施例中，可在腔室中維持2托耳的腔室塵力並在1356 MHZ頻率下施加約〇5 w/cm2至約2q暫一之間⑽ 如’約UW/cn^RF功率密度至處理腔室3〇〇之喷頭 3 10以產生電漿達約 耖的時間週期，同時將第二處理 氣體混合物輸送至製程交 A… 製私谷積306。可在低於每分鐘2，_ A的速率下沉積氮化矽子層117。 處理2〇3_2〇4之一竇祐办丨士 貫施例中，可在處理腔室中 托耳的腔室壓力並在η ^ λ τ啤符2 MHz頻率下施加1 〇 w/c 2 功率強度至處理腔室3 約15秒的時嘴頭310以產生電聚達 J τ間週期，同時脾笛_必 製程容積306。 時將第-處理氣體混合物輪送至 實例1 ~將氧化矽子層 實例 沉積於用於太陽能電池元件之 28 201203592 基板之P-型摻雜區的背面上。 接者形成氮化矽子層於氧 :石夕子層上，藉此形成多層背面鈍化層於太陽能電池基 板上。根據下列表i所示之條件形成氧切與氮化石夕子 層：且基板面積係U00 x U00 mm，該面積可用於搭 1高達56個以7 X 8配置口 氧化矽子層 間距(密耳） ' 凡0流率(seem) 1,200 ------- 15,000 N2 流率(seem) N/A TEOS 流率(seem) 2,000 10,000

17,300 2,000 間距係在喷頭與基板支撐件之間。氧化矽子層的沉積 速率係每分鐘3,000 A且厚度為750 A。氮化矽子層的沉 積速率係每分鐘約1，665 A且厚度為500 A。因此，多層 背面鈍化層的總體厚度係約1，25〇 A且利用PECVD處理 在剛過3 0秒後形成。具有多層背面鈍化層之太陽能電池 的復合載體壽命係7 5 0 μ s。根據傳統方法形成之氧化石夕 層與氧化矽層僅提供75 ps的壽命。因此，利用根據本 發明實施例之多層背面鈍化可改善太陽能電池壽命達1〇 倍。 本發明實施例大致提供多種鈍化優點。舉例而言，多 層背面鈍化層包含某些氮，氫可與矽基板之懸垂鍵反應 29 201203592 以鈍化矽表面層與塊體層。多層背面鈍化層中之氫可在 燒結處理過程中深深地流入矽基板中。不論是否有在太 陽能電池上執行燒結處理均可達切表面鈍化。因此， 本發明實施例提供為氫源與反射器之鈍化源，該鈍化源 相對於傳統老面鈍化層容易蝕刻或圖案化。氧化物與氮 物之、.且成係經選擇，以致其最大地相容於餘刻勝處理 或雷射開孔處理。再者’氧切子層的淨電荷量有助於 避免帶電荷反轉層（亦即1中與鈍化層相反過多電子的 層）的累積或形成’該反轉電荷層可，人背側接點，造成 分流電流。 雖然上述係針對本發明之實施例，但可在不捧離本發 明之基本範圍下設計出本發明之其他與更多實施例，而 本發明之範圍係隨附之中請專㈣圍所決定。 【圖式簡單說明】 了更詳、..田地了解本發明之上述特徵，可參照實施例 (某些描、㈣附圖中）來理解本發明簡短概述於上之特定 、:而H讀圖僅描繪本發明之典型實施例而 @此不被視為本發㈣圍的限制因素，因為本發明可允 許其他等效實施例。 第1A-1G圖描緣對應於第2圖所示之處理之不同階段 之基板之一部分的橫剖面圖。 第2圖描繪根據本發明實施例執行於石夕基板上之多層 30 201203592 背面純化層形成處理的處理流程圖。

平板PECVD 第3圖係可用於執行本發明實施例之平行 系統的示意側視圖。 第4圖係具有複數個處 的俯視示意圖。 理腔室之處理系統之一實施例 第5圖係顯示根據本發明實施例形成之氧化石夕子層中 有效表面復合、開路電壓與淨電荷量間之關係的圖式。 第6圖係顯示形成氧切子層時沉積速率與切-前驅 物流率以及氧化料層之折射率間之關係的圖式。 爲了促進理解，可盡可能應用相同的元件符號來標示 圖式中相同的元件。預期一實施例揭露之元件可有利地 用於其他實施例而不需特別詳述。 【主要元件符號說明】 100 太陽能電池元件 101 基極區 102 射極區 103 P-n接合區 105 正面 106 背面 110 太陽能電池基板 110A 處理表面 114 鈍化-ARC層 115 氧化梦子層 117 氮化矽子層 118 多層背面鈍化層 120 背侧接點層 121 背側接點 200 方法 201、 202 ' 203 ' 204 、 205 ' 206 、207 、 208 處 31 201203592 300 腔室 302 壁 304 底部 306 製程容積 308 閥 309 真空泵 310 喷頭 311 通道 312 背板 314 懸置件 316 中心支撐件 320 氣體源 322 RF功率源 324 遠端電漿源 325 基板載體 330 基板支撐件 331 接地帶 332 基板接收表面 333 遮蔽框架 334 桿 336 舉升系統 338 舉升銷 339 加熱與/或冷卻元件 400 糸統 410 裝載鎖定腔室 420 傳送腔室 431、43 2、43 3、43 4、43 5、43 6、43 7 處理腔室 32

Claims (1)

1. 201203592 七、申請專利範圍: 1.種形成夕層背面鈍化層於一太陽能電池基板上 的方法’該方法包括以下步驟： 在- P-型摻雜區之—背面上形成—淨電荷密度低於 或等於2.1 xl〇M庫倫/平方公分的氧化石夕子層該p型 摻雜區形成於包括半導體材料之_基板中，該背面與該 基板之一光接收表面相反；及 开’成一氮化矽子層於該氧化矽子層上。 2·如請求们之方法，其中該氮切子層的—淨電荷密 度係低於或等於3.0 X 1012庫倫/平方公分。 一氫濃度係 3.如請求項1之方法，其中該氧化矽子層的 在約1原子％至5原子％之間。 4.如請求項 荷密度。 之方法，其中該氧化矽子層具有一 淨負電 子層與該氮化 5.如請求項丨之方法，其中形成該氧化矽 石夕子層的步騍包括以下步驟：

   將一第 處理氣體混合物流入—處理腔室 其中該第一處理氣體混合物包括： 之—製程 一含矽-氣體；及 33 201203592 一氧化氣體； 之遠背面上； 入該製程容積中，其中該 沉積該氧化硬子層於該基板 將一第二處理氣體混合物流 第二處理氣體混合物包括： 一含碎-氣體；及 一含氮-氣體；及 沉積該氮化矽子層於該氧化矽子層上。 ，其中該氧化矽子層係在每分鐘 而該氮化矽子層係在每分鐘超過 6.如請求項5之方法 2,000 A或更多下沉積， 1，000 A下沉積。 7. 如:求項5之方法，其中該氧化石夕子層係在約⑽乂 與 200 C 間之 ^一 *ττ 。^ 皿又下》儿積，而該氮化矽子層係在約250 。。，、200 〇c間之—溫度下沉積。 8. 如請求項5之方法，其十該第—氣 氣體與該含矽裔駚& ,, “夕-氣體的-比例係在5:1與1〇:1之間。 -氣體與二5::其::/二氣體混合物中該含氮 氣體的一比例係在5:1與15:1之間。 10.如請求堪 八項丨之方法，其中該氧化石夕 約500入逝〗〇ηη Λ /十層的厚度係在 34 201203592 在約250 A與1000 A之間 11 ’如清求項1之方法’其中該多層背面鈍化層的一總體 厚度係在約I，000 A與1,500 A之間。 12.如明求項1之方法，該方法進一步包括以下步驟： 沉積一背側接點層於該氮化矽子層上；及 在沉積該背側接點層之後形成數個背側接點於該基 板上，其中該等背側接點橫越該多層背面鈍化層以電耦 接該背側接點層與該半導體材料。 13如明求項1之方法，該方法進一步包括以下步驟： 圖案化該多層背面鈍化層以暴露該基板之該背面；及 在圖案化該多層背面鈍化層之後，沉積一背側接點層 於該氮化梦子層上。 14. 一種太陽能電池元件，該太陽能電池元件包括： 一基板，該基板包括一半導體材料，且該基板包括一 光接收表面以及一與該光接收表面相反的背面； 一多層背面鈍化層，該多層背面鈍化層位於一卜型 摻雜區之該背面上，該p_型摻雜區形成於該基板中，該 多層背面純化層包括： 一氧化矽子層，該氧化矽子層形成於該基板之該 背面上’該氧化矽子層的一淨電荷密度係低於或等於 35 201203592 2·1 χ 10"庫倫/平方公分；及 "含氮化碎-子層，續人与， °亥含氮化矽-子層形成於該基 板之該氧化^7子層上； 一背接點層，該背接點層位 w m w孩多層背面鈍化層上， 該背接點層包括一導電材料；及 旁側接點，該月b側接點橫越該多層背面鈍化層以電 搞接該背接點層與該半導體材料。 15. 如請求们4之太陽能電池元件，其中該基板包括： 一基極區，該基極區包括一 p_型矽，該基極區的部 分形成該背面； 射極區’該射極區包括一 η -型推雜石夕； 一 Ρ-η接合區，該ρ_η接合區形成於該基極區與該射 極區之間；及 一抗-反射塗層，該抗-反射塗層沉積於該射極區上。 16. 如請求項14之太陽能電池元件，其中該導電材料係 紹而該氧化矽子層包括二氧化矽。 17. 如請求項14之太陽能電池元件，其中該氮化矽子層 係在約250 Α與約！，000 Α之間，而該氧化矽子層係在 約750 A與約ι，〇〇〇 A之間。 18. 如請求項17之太陽能電池元件，其中該多層背面鈍 36 201203592 化層的一厚度係在約A與約i 5〇〇 a之間。 9如月长項14之太陽能電池元件’其中該基板包括- P-型基板而該背面包括—p型摻雜區以致該背面多層 鈍化層係位於該P-型摻雜區上。 20.如請求項14 的一氫濃度係在 之太陽能電池元件，其中該氧化矽子層 約1原子❾/。至5原子％之間。 37