TW201203329A - Substrate cleaning method and substrate cleaning device - Google Patents

Description

201203329 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種基板洗淨方法及基板洗淨裝置，特 別是關於一種不使用液體來洗淨基板之基板洗淨方法 及基板洗淨裝置。 【先前技術】 經由複數道步驟以於基板(例如晶圓）上製造電子元 件時，係於各步驟中對晶圓施予成膜處理或蝕刻處理， 而於晶圓上形成例如溝槽(trench)或孔洞(h〇le)所構成的 期望圖案。此時，於成膜處理或蝕刻處理中，會有反應 生成物或不期望的異物產生而附著在晶圓上的情況。由 於晶圓上的異物等會對後續步驟的處理造成不良影 響，因此必須極力去除。 越、晶圓上的異物去除方法係利用將晶圓浸潰在 =二洗去異物之方法或將純水或藥液喷在晶圓來 "之方法。該等方法中，由於晶圓洗淨後會在晶 L:有純水或藥液，因此便藉由旋轉乾燥等來將晶 42^=在晶圓乾燥時，如圖从所示般地於溝槽. 殘召有例如藥液4 3時，便會在藥液4 3表面發生氣 倒之虞。。所讀地有圖案的凸部44a或输傾

S 201203329 心為了防止圖案的凸部傾倒’不使用純水或藥液來洗 ’尹晶圓之乾式洗淨方法較為適合，乾式洗淨方法已知有 一種將雷射照射至晶圓上來使異物蒸發之方法，或藉由 電漿濺鍍綠雜地去除異物之方法，但歸雷射日^會 ^晶圓上所形成之薄膜變質之虞，又，電㈣於能量^ 兩’因此不僅是異物而亦會有圖案因濺錢而被削除之 虞。 一於是，近年來，不會對晶圓賦予太高能量之乾式洗 淨方法已開發有-種利用GCIB(Gas cluster Ι〇η Β_) 之方法(例如參照專利文獻：曰本特開2〇〇9—29691號公 報）。GCIB係朝向真空氛圍喷附氣體來形成氣體分子的 團簇(chaster)，進而使該團簇離子化，並藉由對晶圓施 加偏壓來使離子化後的團簇衝撞晶圓之方法。衝撞晶圓 後的團簇在對晶圓賦予動能後，會分解成為氣體分子而 飛散。此時，晶圓上會因動能而促進異物與氣體分子的 化學反應並生成反應物，藉由使該反應物昇華便可去除 異物。 μ 然而，由於GCIB中，離子化後的團簇會因偏壓而 加速衝撞至晶圓，因此會有團蔟中的氣體分子使得晶圓 上所形成之溥膜或晶圓本身產生缺陷，或特定量的氣體 分子被植入而導致薄膜或晶圓劣化的情況。 【發明内容】 本發明之目的在於提供一種可去除附著在基板之

S 201203329 異物，並防止基板或該基板上所形成之薄膜劣化之基板 洗淨方法及基板洗淨裝置。 為達成上述目的，本發明之第丨樣態提供一種基板 洗淨方法’係朝向附著有異物且配置於低壓氛圍中之基 板喷出較該低壓氛圍要高壓之氣L錢數氣體分 子所構成的團簇，並使_簇絲轉子 本發明之第1樣態中’較佳宜將從該關到達後的 該基板被去除之該異物捕集至配置於與該基板的場所 相異之冷卻部。 該高tr第1樣態中，較佳宜對該基板斜向地喷出 ^發明之第丨樣態中’該異物較佳為自然氧化膜， 5亥氣體較佳為三氟化氯氣體。 體車月ί第1樣態中，該異物較佳為有機物，該氣 瑕車又佳為二氧化碳氣體。 較佳樣態中’該異物較佳為金屬，該氣體 時加第1樣態中，較佳宜於該隨衝撞該基板 介於t發明之第1樣態中’嘴4該氣霧時_力較佳宜 J 於 〇.3MPa〜2.0MPa 之間。 洗淨====第2樣態提供-種基板 八八 处至一内部係收納有附著有異

S 5 201203329 物之基板，並為低壓氛圍；氣體喷霧部，係朝向該基板 噴出較該低壓氛圍要高壓之氣霧，而形成複數氣體分子 所構成的團簇，並使該團簇在未經離子化情況下衝撞該 基板。 本么明之弟2樣態中，較佳宜更具備有冷卻部，該 冷卻部係較該基板要低溫且能夠捕集從該團簇到達後 ===該異物’且該冷卻部較佳宜配置於與 板斜該氣體嘴霧部較佳宜對該基 d:第2樣態中’較佳宜更具備有用以加熱該 部嘴^^第2樣態中，較佳宜更具備有朝向該冷卻 簇之嘴出部n(bia啦複數㈣分子所構成的其他團 0 本發明之第2樣態中，該氣體噴霧部較 咖〜1.0mm的孔洞噴出該高麗氣 攸直仏 +本發明之第1樣態中，較佳宜從葙# 贺出讀高觀霧。 續魏方向對該基板 本發明之第1樣態中，較佳宜脎 該各高魏霧的壓力設定為相二僅數方向所喷 Μ氣體的噴霧時間點較佳宜相互錯開R ’且/或該各

S 喷久較佳宜具備有複數個該_ 出該高c霧部較佳宜從複數方向對該基;; 向所各氣體噴霧部從該複數方 體喷霧部喷出該各高壓氣霧的時間點較4, =據本發％，未则好化之複數氣體*子所 團：會衝撞附著有異物之基板。由於未經離子: 不曰因偏壓等而被加速，因此團簇分解 ^ 子便不會被^絲上卿权_絲板本身= 士方面’即使團簇未被加速其質量仍然很大，因此 日守，對基板賊予的動能會大於1個氣體分子對基板蜱= 的動能，藉此，便能夠促進異物與氣體分子的化學反 應。從而便能夠去除附著在基板之異物，並防止基板或 該基板上所形成之薄膜劣化。 依據本發明，從基板被去除而飛散之異物會因熱泳' 動力，而靠近並被捕集至設定為低溫之冷卻部（粒子回 收部）。從而便能夠防止從基板被去除之反應物再度到 達並附著在基板。 依據本發明，係對基板斜向地噴出高壓氣霧。當團 簇衝撞基板時，雖會從基板發生反射波’但由於團簇會 斜向地衝撞基板，因此反射波便會朝向相異於團簇移動 方向之方向發生。於是’由於反射波不會正向衝撞其他 201203329 團義而導致該其他團簇分解’因此便可使團簇及基板的 衝撞持續進行，從而可防止來自基板之異物的去除效率 降低。 依據本發明’異物為自然氧化膜，氣體為三氟化氯 氣體。自然氧化膜會與三氟化氯發生化學反應而產生反 應物。從而便能夠確實地從基板去除異物（自然氧化膜）。 依據本發明，異物為有機物，氣體為二氧化碳氣 體。有機物會與二氧化碳發生化學反應而產生反應物。 從而便能夠確實地從基板去除異物（有機物）。 -依據本發明，異物為金屬，氣體為鹵素化氫氣。金 屬會與鹵素化氫發生化學反應而產生反應物。從而便能 夠確實地從基板去除異物(金屬）。 依據本發明，係於團簇衝撞基板時加熱基板。基板 被加熱後會促進異物與氣體分子的化學反應/從而便能 夠確實地從基板去除異物。 依據本發明，由於喷出氣霧時的壓力係介於 0.3MPa〜2.0MPa之間，因此噴出氣霧時，會在低壓氛圍 中發生發生劇烈的絕熱膨脹而將複數氣體分子急速冷 卻。其結果便可促進團簇的形成。 ~ 依據本發明’由於氣體喷霧部係—邊喷出高塵氣霧 -邊沿著基板表面移動，因此可自基板表面整體会除異 物。 依據本發明，係朝向冷卻部噴出c〇2喷氣或複數氣 體分子所構成的其他團簇，並且被捕集至冷卻部之異物

S 201203329 會從冷卻部_。藉此，可防止大量的反應物附著在冷 卻。卩’從而便肥夠防止從基板被去除之異物的冷卻部的 回收效率降低。 依據本發明，由於氣體喷霧部係從直徑 0.02mm〜1.0mm的孔洞噴出氣霧，因此可增加喷霧時的 氣體膨脹率，從而便能夠更加促進團簇的形成。 依據本發明，由於係從複數方向對基板噴出高壓氣 霧’因此便能夠防止基板中發生未有團簇衝撞的部位。 依據本發明，係使從複數方向所嘴出之各高壓氣霧 的壓力為相互不同，且/或各高壓氣體的噴霧時間點係 相互錯^因此可對高壓氣體造成振動，從而便能夠大 幅地提尚向壓氣體的洗淨能力。 【實施方式】 以下，針對本發明實施型態一邊參照圖式一邊詳細 說明。 圖1係概略地顯示實施本發明實施型態之基板洗 淨方法的基板洗淨裝置的結構之剖面圖。 圖1中，基板洗淨裝置10具備有：内部氛圍為接 近真二(例^減壓至1Pa)，並收納有作為基板的半導體 曰曰圓（以^下單純稱為「晶圓」）W之處理室ιι(處理室）； 配置於:亥處理室11内而用以載置晶圓之台狀的載置台 12 ;與該载^置台12所載置之晶圓呈對向地配置於處理 室11内之氣霧噴嘴13(氣體喷霧部）；配置於載置台12

S 201203329 室11内的氣 附近之清潔喷嘴14(喷出部）；及排出處理 體之排氣管15。 係内建有例如帶狀的峻加熱器(加熱部; 圖中未顯不）’以加熱該載置台12所载置之晶圓w(以 下稱為「載置晶圓w」）e氣霧噴嘴13係呈 的基部16 ;沿著中心轴方向貫穿該基部16、之例如直徑 為0.〇2mm〜L〇mm的氣體喷出孔17;於基部π中之曰 圓W側端料有穿孔且㈣該端部呈漏斗狀地直徑^曰 大之氣體雜孔18;以及，於基部16中之關w側端 部處’與載置晶圓W略呈平行地延伸而出之板狀的粒 子回收部19。 基部16係相對於載置晶圓w而呈例如45。地傾斜 配置，氣體噴出孔17係以介於〇 3赂〜2 〇MPa的壓力 並透過氣體膨脹孔18來喷出氣霧。於是，氣霧喷嘴13 便會對晶圓W以45。角喷出氣霧。 粒子回收部19内建有冷卻裝置（例如致冷器（peltier Device)) ’該致冷器可使粒子回收部i9表面的溫度降低 至較載置晶圓W的溫度要更低(例如1〇。〇。 又，氣霧噴嘴13可相對於載置晶圓w表面平行地 =動’其移動量係大於載置晶圓^的直徑。於是，氣 紫13便可朝向載置晶圓W的表面整體噴出氣霧。 氣霧喷f 13係設置於基部16之財的左側，以使得當 該氣霧噴嘴I3在可移動範圍中移動至圖中的最左側 時，粒子回收部19不會與載置晶圓w呈對向。 201203329 清潔噴嘴14為筒狀喷嘴，係於 中上方具有開口，清潔喷嘴14的開口部 内朝向圖 嘴13在可移動範时移動至圖令的最^ a當氣霧噴 子回收部19呈對向。 寻’會與粒 排氣管15係於下游側處與乾式 子幫浦(TMP)相連接，可將處理室u内 P)或渦輪分 11内的浮游 11内的氛圍減壓至接近真空，並將處理/來使處理室 粒子排出。 ' 1¾ 厶Λ〜闽 基板洗淨方法的各步驟之步驟圖。乎、置所實施之 從載置晶圓w去除異物22時，首先，产 係朝向晶圓W而從氣體喷出孔17以介於’虱霧噴嘴13 0.3MPa〜2.0MI>a的壓力喷出洗淨氣體（高、 霧。此時，由於氣體膨脹孔18内的氛=)的亂 内的氛圍同樣地接近真空，因此洗淨氣體的^^1 速地降低，並且由於該氣體膨脹孔18的直—便曰心 氣體分子20的行進路線急速地變大，因此：：係沿著 體積便會急速地變大。亦即，從氣體噴出體白勺 之洗淨氣體的氣霧會發生劇烈的絕熱_ 』斤嘴出 分子2G ^^卩°最初1個1 _轉動^4、 子20當被急速冷卻時，動能便會降低且會因作 氣體分子20間之分子間力（凡德瓦爾力）而相互密接，藉 此，便會形成夕數氣體分子20所構成的團簇21(圖2Α> 接下來，團簇21會在未經離子化情況下直接衝撞

S 201203329 到附著在晶fflw之異物m時，隨2i會在對異物 2賦予祕後，而被分解成為複數氣體分子20並飛散 (圖 2B)。 此處，由於團簇21未經離子化，因此即使是例如 ，了使載置晶圓w吸附在載置台12而施加偏壓，該團 族21仍不會因該偏壓而被加速。其結果，團簇u便會 t穩地衝撞至異物22。另—方面，由於_21即使未 被加速其質量仍然很大，因此可對異物22賦予較王個 軋體分子20對異物22賦予的能量要大之能量。於是， 枚圑旗21飛散之各氣體分子2()便會穩穩地衝撞至異物 22或載置晶圓W ’使得載置晶圓w上所形成之薄膜或 載置晶圓W本身不會產生缺陷或被植人，但另一方面 卻會因團簇21衝撞異物22所賦予的大的動能而促進異 物22與氣體分子2〇的一部分之化學反應並生成反應物 M。此處，由於载置台12所内建之碳加熱器會透過晶 圓W而加熱反應物23,因此藉此亦會促進異物22與氣 體分子20的一部分之化學反應。 接下來，反應物23會因接連衝撞而來的其他團蔟 而，持續賦予動能，並且會因載置台12所内建之碳加 熱=而被持續加熱。又，反應物23周圍的氛圍為接近 真二。於是，反應物23便會容易昇華，而自載置晶圓 綠並在處理室〗1内飄浮。此處，由於粒子回收部 19表面係藉由内建之致冷器（PeltierDevice)而設定為較 載置晶圓W要低溫’因此昇華後的反應物23便會因熱

S 12 201203329 泳動力而朝向粒子回收郁丨0 部叫圖抑。亦即動並附著在該粒子回收 w剝離的反應物23 (圖邶收。卩19會回收自載置晶圓 上述圖2A〜圖筇的步驟係 置晶圓W表面平行移動期間重複執行。 十、载 氣霧喷背13所嘴出之洗淨氣體的種類係依附著在 晶圓W的異物22種類而適當地蚊。例如，當異物22 為自然氧化膜(例如二氧切(Si〇綱，由於三氣化氣 (卿)會與自储發生化學反應而生纽應物23、， 因此可使用二氟化氯氣體來作為洗淨氣體；當異物Μ 為有機物時’由於二氧化碳(c〇2)會與有機物發生化學 反應而生成反應物23，因此可使用二氧化碳氣體來作 為洗淨氣體；當異物22為金屬時，由於_素化氯(例如 氟化氫(HF)或氯化氫(HC1))會與金屬發生化學反應而生 成反應物23,因此可使用鹵素化氫氣來作為洗淨氣體。 又，由於氣霧喷嘴13的基部16係相對於載置晶圓 W呈例如45。角傾斜配置，因此從氣霧噴嘴13噴出之 洗淨氣體所形成的團簇21便會以45。的方向衝撞載置 晶圓w。假設，若團簇21垂直地衝撞載置晶圓w，則 因團蔟21之衝撞的反作用所產生之反射波便會相對於 ，圓W垂直地產生。於是，由於反射波會正對衝撞持 續而來的其他團簇，因而會造成該其他團簇被分解。另 —方面，圖2的基板洗淨方法由於團簇21係以45。的方 向衝撞载置晶圓W，因此因團簇21之衝撞的反作用所

S 13 201203329 產生之反射波便會產生於135。的方向，且反射波不會正 對衝撞持續絲的其他_而造成該其他Μ被分解。 持續圖2的基板洗淨方法後，由於㈣在粒子回收 部19之反應物23的量會變多，且粒子回收部19表面 會幾乎全被反應物23覆蓋，因此接連產生之反應物23 便會無法附著在粒子回收部19，而有在處理室u内持 續飄浮之虞。 本實知型恶中’為了對應域狀況，便定期洗淨粒 子回收部19。具體來說，係於洗淨特定牧數的晶圓w 後，在處理室11内未存在有晶圓…之肢下，使氣霧 喷嘴在可㈣範_移動至时的最左侧，並使粒 子回收部19對向於清潔噴嘴M的開口部^(圖从）。 接下來’從清潔喷嘴14的開口部14a朝向粒子回 收部19喷出例如〇)2喷__或氣體分子的團鎮。 附著在粒子回收部19之反應物23會__之c〇2 喷氣或氣體分子的團鎮而自粒子回收部19剝離（圖 3B)。剥離後的反應物23會藉由排氣管15❿從處理室 η被排出。II此，可防止粒子回收部19表面幾乎全被 反應物23覆蓋-事’從而便能夠防止反應物23之粒子 回收部19的回收效率降低。 依據本實施型態之基板洗淨方法，則未經離子化之 複數氣體分子2G所構成的團簇21會衝撞至附著有異物 22之載置晶圓W。由於未經離子化之團藤21不會因偏 壓等而被加速’因此團簇21分解而飛散之各氣體分子 201203329 20,會對載置晶圓W上所形成之薄 本身產生缺陷或被植入。另-方面 飞載置曰曰囡w ^皮加速其質量仍錄大，因此输時，對 ^ :之動能係較賴分子20對異物22賦予、之動二 大，藉此’便能夠促進異物22與氣體分子2〇的 ^化學反應。於是，便可去除附著在载置㈣^之显刀 物22 ’並防止載置晶圓w或該載置晶二 薄膜的劣化。 ㈤评上所形成之 上述本實施型態之基板洗淨方法中，從载置晶圓w 被去除之反應物23會靠近並被捕集至配置於與載置晶 ，w相異的場所之粒子回收部19。於是，便能夠防: 從载置晶圓W被去除之反應物23再度到達並附 置晶圓W。 又，上述本實施型態之基板洗淨方法係對載置晶圓 w以例如45。的方向喷出洗淨氣體的氣霧，因此因團簇 21之衝撞的反作用而產生之反射波便會產生於135。的、 方向。於是，反射波便不會正對衝撞其他團簇而造成該 其他團簇被分解，因此可持續團簇2丨及載置晶圓w的 衝撞，從而便能夠防止來自載置晶圓w之異物22的去 除效率降低。 再者，上述本實施型態之基板洗淨方法中，由於洗 淨氣體嘴霧時的壓力係介於〇 3MPa〜2.0MPa之間，因 此噴出氣霧時，可使洗淨氣體的壓力急速降低，又，由 於洗淨氣體的氣霧係從直徑〇.〇2mm〜1.0mm的氣體噴

S 15 201203329 出孔π被噴出，因此可增加喷霧時的氣體膨脹率，從 而可引發劇烈的絕熱膨脹來將複數氣體分子20急速冷 卻。其結果，可更加促進團簇21的形成。 又’上述本實施型態之基板洗淨裝置由於不需將團 蔟21離子化，因此基板洗淨裝置10不需具備離子產生 器等離子化裝置，從而便可簡化基板洗淨裝置10的構 造。 再者’上述本實施型態之基板洗淨裝置中，由於氣 霧喷嘴13係一邊喷出洗淨氣體的氣霧一邊沿著載置晶 圓W表面移動，因此可自載置晶圓w的表面整體去除 異物22 〇 此外’依洗淨氣體的種類，雖然亦有難以形成團簇 21者，但此時，由於團簇21的質量不會變得非常大， 因此為了促進異物22與氣體分子20的一部分之化學反 應’較佳宜藉由碳加熱器來更加強烈地加熱異物22。 另一方面’當洗淨氣體容易形成團簇21時，由於團簇 21的質量會變得非常大，因此即使不藉由碳加熱器來 加熱異物22 ’仍可促進異物22與氣體分子20的一部 分之化學反應。 上述本實施型態之基板洗淨裝置雖係配置為以1 個氣霧噴嘴13來對載置晶圓W而以45。角喷出洗淨氣 體=氣霧’但此時，會有因載置晶圓W上所形成之圖 案等使得洗淨氣體局部地被遮住，而產生未有團簇21 衝撞的部位之虞。於是，為了對應於此，亦可配置有複

S 16 201203329 數氣務喷嘴(例如配置有2個氣霧喷嘴來分別從45。及 85°角對载置晶圓W喷出氣霧），以便能夠從複數方向分 別對载置晶圓W喷出洗淨氣體的氣霧。藉此，便可從 複數方向對载置晶圓w噴出洗淨氣體的氣霧，從而可 防止洗淨氣體局部地被遮住，並防止未有團簇21衝撞 的部位產生。又’藉由從複數方向喷出洗淨氣體的氣 霧’亦可提高團簇21與異物22的衝撞頻率。 配置有複數個氣霧噴嘴時，各氣霧喷嘴之氣體噴出 孔的直徑或所喷霧之洗淨氣體的壓力可設定為相互不 同。又’各氣霧喷嘴之洗淨氣體的喷霧時間點可相互錯 開。藉此’便可對洗淨氣體造成振動，從而便能夠大幅 地提高洗淨氣體的洗淨能力。 再者’上述本實施型態之基板洗淨裝置中，雖係使 氣務嘴嘴13沿著載置晶圓w表面移動，但亦可固定氣 霧喷嘴的位置，而使將載置晶圓W往特定方向滑動或 旋轉。藉此亦可自載置晶圓W的表面整體去除異物22。 又，上述實施型態中’基板洗淨方法所使用之基板 不限於半導體晶圓，而亦可為包含LCD(Liquid Crystal Display)等有之FPD(Flat Panel Display)等所使用之各種 基板或光罩、CD基板、印刷基板等。 【圖式簡單說明】 圖1係概略地顯示實施本發明實施型態之基板洗 淨方法的基板洗淨裝置的結構之剖面圖。

S 201203329 圖2A〜圖2D係顯示圖1之基板洗淨裝置所實施之 基板洗淨方法的各步驟之步驟圖。 圖3A、圖3B係顯示圖1中粒子回收部之洗淨方法 的各步驟之步驟圖。 圖4A、圖4B係顯示習知晶圓洗淨方法的各步驟 步驟圖。 【主要元件符號說明】 F 氣液界面張力 W 晶圓 10 基板洗淨農置 11 處理室 12 載置台 13 氣霧喷嘴 14 清潔噴嘴 14a 開口部 15 排氣管 16 基部 17 氣體噴出孔 18 氣體膨脹孔 19 粒子回收部 20 氣體分子 21 團簇 22 異物 201203329 23 反應物 41、42 溝槽 43 藥液 44a〜44c圖案的凸部

Claims (1)

1. 201203329 七、申請專利範圍： 1. 一種基板洗淨方法，其特徵在於： 係朝向附著有異物且配置於低壓氛圍中之基 板喷出較該低壓氛圍要高壓之氣霧，而形成複數氣 體分子所構成的團簇（cluster); 使該團簇在未經離子化情況下衝撞該基板。 2. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨方法，其中係將 從該團簇到達後的該基板被去除之該異物捕集至 配置於與該基板的場所相異之冷卻部。 3. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨方法，係對該基 板斜向地喷出該高壓氣霧。 4. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨方法，其中該異 物為自然氧化膜，該氣體為三氟化氯氣體。 5. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨方法，其中該異 物為有機物，該氣體為二氧化碳氣體。 6. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨方法，其中該異 物為金屬，該氣體為鹵素化氫氣。 7. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨方法，其中係於 該團叙衝撞該基板時加熱該基板。 8. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨方法，其中喷出 該氣霧時的壓力係介於〇.3MPa〜2.0MPa之間。 9. 一種基板洗淨裝置，其特徵在於具有： 處理室，其内部係收納有附著有異物之基板， 並為低壓氛圍； S 20 201203329 氣體喷霧部，係朝向該基板喷出較該低壓氛圍 要高壓之氣霧，而形成複數氣體分子所構成的團 簇，並使該團簇在未經離子化情況下衝撞該基板。 10. 如申請專利範圍第9項之基板洗淨裝置，其更具備 有冷卻部，該冷卻部係較該基板要低溫且能夠捕集 從該團簇到達後的該基板被去除之該異物，且該冷 卻部係配置於與該基板相異之場所。 11. 如申請專利範圍第9項之基板洗淨裝置，其中該氣 體喷霧部係一邊喷出該高壓氣霧一邊沿著該基板 表面移動。 12. 如申請專利範圍第9項之基板洗淨裝置，其中該氣 體喷霧部係對該基板斜向地喷出該高壓氣霧。 13. 如申請專利範圍第9項之基板洗淨裝置，其更具備 有用以加熱該基板之加熱部。 14. 如申請專利範圍第10項之基板洗淨裝置，其更具 備有朝向該冷卻部喷出C02喷氣(blast)或複數氣體 分子所構成的其他團簇之喷出部。 15. 如申請專利範圍第9項之基板洗淨裝置，其中該氣 體喷霧部係從直徑〇.〇2mm〜1.0mm的孔洞喷出該 高壓氣霧。 16. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨方法，其係從複 數方向對該基板喷出該高壓氣霧。 17. 如申請專利範圍第16項之基板洗淨方法，其中係 將從該複數方向所噴出之該各高壓氣霧的壓力設 S 21 201203329 定為相互不同，且/或該各高壓氣體的喷霧時間點 係相互錯開。 18. 如申請專利範圍第9項之基板洗淨裝置，其係具備 有複數個該氣體喷霧部，該各氣體喷霧部係從複數 方向對該基板喷出該高壓氣霧。 19. 如申請專利範圍第18項之基板洗淨裝置，其中該 各氣體喷霧部從該複數方向所噴出之該各高壓氣 霧的壓力係相互不同，且/或該各氣體喷霧部喷出 該各高壓氣霧的時間點係相互錯開。 S 22