TWI514451B - Substrate cleaning method and substrate cleaning device - Google Patents

Description

基板洗淨方法及基板洗淨裝置

本發明關於一種基板洗淨方法及基板洗淨裝置，特別是關於一種不使用液體來洗淨基板之基板洗淨方法及基板洗淨裝置。

經由複數道步驟以於基板(例如晶圓)上製造電子元件時，係於各步驟中對晶圓施予成膜處理或蝕刻處理，而於晶圓上形成例如溝槽(trench)或孔洞(hole)所構成的期望圖案。此時，於成膜處理或蝕刻處理中，會有反應生成物或不期望的異物產生而附著在晶圓上的情況。由於晶圓上的異物等會對後續步驟的處理造成不良影響，因此必須極力去除。

過去，晶圓上的異物去除方法係利用將晶圓浸漬在藥液槽來洗去異物之方法或將純水或藥液噴在晶圓來洗去異物之方法。該等方法中，由於晶圓洗淨後會在晶圓上殘留有純水或藥液，因此便藉由旋轉乾燥等來將晶圓乾燥。

然而，在晶圓乾燥時，如圖4A所示般地於溝槽41、42殘留有例如藥液43時，便會在藥液43表面發生氣液界面張力F，該氣液界面張力F會作用在圖案的凸部44a~44c，而圖4B所示般地有圖案的凸部44a或44c傾倒之虞。

為了防止圖案的凸部傾倒，不使用純水或藥液來洗淨晶圓之乾式洗淨方法較為適合，乾式洗淨方法已知有一種將雷射照射至晶圓上來使異物蒸發之方法，或藉由電漿濺鍍來物理性地去除異物之方法，但照射雷射時會有晶圓上所形成之薄膜變質之虞，又，電漿由於能量很高，因此不僅是異物而亦會有圖案因濺鍍而被削除之虞。

於是，近年來，不會對晶圓賦予太高能量之乾式洗淨方法已開發有一種利用GCIB(Gas Cluster Ion Beam)之方法(例如參照專利文獻：日本特開2009-29691號公報)。GCIB係朝向真空氛圍噴附氣體來形成氣體分子的團簇(cluster)，進而使該團簇離子化，並藉由對晶圓施加偏壓來使離子化後的團簇衝撞晶圓之方法。衝撞晶圓後的團簇在對晶圓賦予動能後，會分解成為氣體分子而飛散。此時，晶圓上會因動能而促進異物與氣體分子的化學反應並生成反應物，藉由使該反應物昇華便可去除異物。

然而，由於GCIB中，離子化後的團簇會因偏壓而加速衝撞至晶圓，因此會有團簇中的氣體分子使得晶圓上所形成之薄膜或晶圓本身產生缺陷，或特定量的氣體分子被植入而導致薄膜或晶圓劣化的情況。

本發明之目的在於提供一種可去除附著在基板之異物，並防止基板或該基板上所形成之薄膜劣化之基板洗淨方法及基板洗淨裝置。

為達成上述目的，本發明之第1樣態提供一種基板洗淨方法，係朝向附著有異物且配置於低壓氛圍中之基板噴出較該低壓氛圍要高壓之氣霧，而形成複數氣體分子所構成的團簇，並使該團簇在未經離子化情況下衝撞該基板。

本發明之第1樣態中，較佳宜將從該團簇到達後的該基板被去除之該異物捕集至配置於與該基板的場所相異之冷卻部。

本發明之第1樣態中，較佳宜對該基板斜向地噴出該高壓氣霧。

本發明之第1樣態中，該異物較佳為自然氧化膜，該氣體較佳為三氟化氯氣體。

本發明之第1樣態中，該異物較佳為有機物，該氣體較佳為二氧化碳氣體。

本發明之第1樣態中，該異物較佳為金屬，該氣體較佳為鹵素化氫氣。

本發明之第1樣態中，較佳宜於該團簇衝撞該基板時加熱該基板。

本發明之第1樣態中，噴出該氣霧時的壓力較佳宜介於0.3MPa~2.0MPa之間。

為達成上述目的，本發明之第2樣態提供一種基板洗淨裝置，其具有：處理室，其內部係收納有附著有異物之基板，並為低壓氛圍；氣體噴霧部，係朝向該基板噴出較該低壓氛圍要高壓之氣霧，而形成複數氣體分子所構成的團簇，並使該團簇在未經離子化情況下衝撞該基板。

本發明之第2樣態中，較佳宜更具備有冷卻部，該冷卻部係較該基板要低溫且能夠捕集從該團簇到達後的該基板被去除之該異物，且該冷卻部較佳宜配置於與該基板相異之場所。

本發明之第2樣態中，該氣體噴霧部較佳宜一邊噴出該高壓氣霧一邊沿著該基板表面移動。

本發明之第2樣態中，該氣體噴霧部較佳宜對該基板斜向地噴出該高壓氣霧。

本發明之第2樣態中，較佳宜更具備有用以加熱該基板之加熱部。

本發明之第2樣態中，較佳宜更具備有朝向該冷卻部噴出CO₂ 噴氣(blast)或複數氣體分子所構成的其他團簇之噴出部。

本發明之第2樣態中，該氣體噴霧部較佳宜從直徑0.02mm~1.0mm的孔洞噴出該高壓氣霧。

本發明之第1樣態中，較佳宜從複數方向對該基板噴出該高壓氣霧。

本發明之第1樣態中，較佳宜將從該複數方向所噴出之該各高壓氣霧的壓力設定為相互不同，且/或該各高壓氣體的噴霧時間點較佳宜相互錯開。

本發明之第2樣態中，較佳宜具備有複數個該氣體噴霧部，該各氣體噴霧部較佳宜從複數方向對該基板噴出該高壓氣霧。

本發明之第2樣態中，該各氣體噴霧部從該複數方向所噴出之該各高壓氣霧的壓力較佳宜相互不同，且/或該各氣體噴霧部噴出該各高壓氣霧的時間點較佳宜相互錯開。

依據本發明，未經離子化之複數氣體分子所構成的團簇會衝撞附著有異物之基板。由於未經離子化之團簇不會因偏壓等而被加速，因此團簇分解而飛散之氣體分子便不會被植入至基板上所形成之薄膜或基板本身。另一方面，即使團簇未被加速其質量仍然很大，因此衝撞時，對基板賦予的動能會大於1個氣體分子對基板賦予的動能，藉此，便能夠促進異物與氣體分子的化學反應。從而便能夠去除附著在基板之異物，並防止基板或該基板上所形成之薄膜劣化。

依據本發明，從基板被去除而飛散之異物會因熱泳動力，而靠近並被捕集至設定為低溫之冷卻部(粒子回收部)。從而便能夠防止從基板被去除之反應物再度到達並附著在基板。

依據本發明，係對基板斜向地噴出高壓氣霧。當團簇衝撞基板時，雖會從基板發生反射波，但由於團簇會斜向地衝撞基板，因此反射波便會朝向相異於團簇移動方向之方向發生。於是，由於反射波不會正向衝撞其他團簇而導致該其他團簇分解，因此便可使團簇及基板的衝撞持續進行，從而可防止來自基板之異物的去除效率降低。

依據本發明，異物為自然氧化膜，氣體為三氟化氯氣體。自然氧化膜會與三氟化氯發生化學反應而產生反應物。從而便能夠確實地從基板去除異物(自然氧化膜)。

依據本發明，異物為有機物，氣體為二氧化碳氣體。有機物會與二氧化碳發生化學反應而產生反應物。從而便能夠確實地從基板去除異物(有機物)。

依據本發明，異物為金屬，氣體為鹵素化氫氣。金屬會與鹵素化氫發生化學反應而產生反應物。從而便能夠確實地從基板去除異物(金屬)。

依據本發明，係於團簇衝撞基板時加熱基板。基板被加熱後會促進異物與氣體分子的化學反應。從而便能夠確實地從基板去除異物。

依據本發明，由於噴出氣霧時的壓力係介於0.3MPa~2.0MPa之間，因此噴出氣霧時，會在低壓氛圍中發生發生劇烈的絕熱膨脹而將複數氣體分子急速冷卻。其結果便可促進團簇的形成。

依據本發明，由於氣體噴霧部係一邊噴出高壓氣霧一邊沿著基板表面移動，因此可自基板表面整體去除異物。

依據本發明，係朝向冷卻部噴出CO₂ 噴氣或複數氣體分子所構成的其他團簇，並且被捕集至冷卻部之異物會從冷卻部剝離。藉此，可防止大量的反應物附著在冷卻部，從而便能夠防止從基板被去除之異物的冷卻部的回收效率降低。

依據本發明，由於氣體噴霧部係從直徑0.02mm~1.0mm的孔洞噴出氣霧，因此可增加噴霧時的氣體膨脹率，從而便能夠更加促進團簇的形成。

依據本發明，由於係從複數方向對基板噴出高壓氣霧，因此便能夠防止基板中發生未有團簇衝撞的部位。

依據本發明，係使從複數方向所噴出之各高壓氣霧的壓力為相互不同，且/或各高壓氣體的噴霧時間點係相互錯開，因此可對高壓氣體造成振動，從而便能夠大幅地提高高壓氣體的洗淨能力。

以下，針對本發明實施型態一邊參照圖式一邊詳細說明。

圖1係概略地顯示實施本發明實施型態之基板洗淨方法的基板洗淨裝置的結構之剖面圖。

圖1中，基板洗淨裝置10具備有：內部氛圍為接近真空(例如減壓至1Pa)，並收納有作為基板的半導體晶圓(以下單純稱為「晶圓」)W之處理室11(處理室)；配置於該處理室11內而用以載置晶圓之台狀的載置台12；與該載置台12所載置之晶圓呈對向地配置於處理室11內之氣霧噴嘴13(氣體噴霧部)；配置於載置台12附近之清潔噴嘴14(噴出部)；及排出處理室11內的氣體之排氣管15。

載置台12係內建有例如帶狀的碳加熱器(加熱部；圖中未顯示)，以加熱該載置台12所載置之晶圓W(以下稱為「載置晶圓W」)。氣霧噴嘴13係具備有：筒狀的基部16；沿著中心軸方向貫穿該基部16之例如直徑為0.02mm~1.0mm的氣體噴出孔17；於基部16中之晶圓W側端部具有穿孔且朝向該端部呈漏斗狀地直徑變大之氣體膨脹孔18；以及，於基部16中之晶圓W側端部處，與載置晶圓W略呈平行地延伸而出之板狀的粒子回收部19。

基部16係相對於載置晶圓W而呈例如45°地傾斜配置，氣體噴出孔17係以介於0.3MPa~2.0MPa的壓力並透過氣體膨脹孔18來噴出氣霧。於是，氣霧噴嘴13便會對晶圓W以45°角噴出氣霧。

粒子回收部19內建有冷卻裝置(例如致冷器(Peltier Device))，該致冷器可使粒子回收部19表面的溫度降低至較載置晶圓W的溫度要更低(例如10℃)。

又，氣霧噴嘴13可相對於載置晶圓W表面平行地移動，其移動量係大於載置晶圓W的直徑。於是，氣霧噴嘴13便可朝向載置晶圓W的表面整體噴出氣霧。氣霧噴嘴13係設置於基部16之圖中的左側，以使得當該氣霧噴嘴13在可移動範圍中移動至圖中的最左側時，粒子回收部19不會與載置晶圓W呈對向。

清潔噴嘴14為筒狀噴嘴，係於處理室11內朝向圖中上方具有開口，清潔噴嘴14的開口部14a當氣霧噴嘴13在可移動範圍中移動至圖中的最左側時，會與粒子回收部19呈對向。

排氣管15係於下游側處與乾式幫浦(DP)或渦輪分子幫浦(TMP)相連接，可將處理室11內排氣來使處理室11內的氛圍減壓至接近真空，並將處理室11內的浮游粒子排出。

圖2A~圖2D係顯示圖1之基板洗淨裝置所實施之基板洗淨方法的各步驟之步驟圖。

從載置晶圓W去除異物22時，首先，氣霧噴嘴13係朝向晶圓W而從氣體噴出孔17以介於0.3MPa~2.0MPa的壓力噴出洗淨氣體(高壓氣體)的氣霧。此時，由於氣體膨脹孔18內的氛圍係與處理室11內的氛圍同樣地接近真空，因此洗淨氣體的壓力便會急速地降低，並且由於該氣體膨脹孔18的直徑亦係沿著氣體分子20的行進路線急速地變大，因此洗淨氣體的體積便會急速地變大。亦即，從氣體噴出孔17所噴出之洗淨氣體的氣霧會發生劇烈的絕熱膨脹而將各氣體分子20急速冷卻。最初1個1個獨立移動之各氣體分子20當被急速冷卻時，動能便會降低且會因作用在各氣體分子20間之分子間力(凡德瓦爾力)而相互密接，藉此，便會形成多數氣體分子20所構成的團簇21(圖2A)。

接下來，團簇21會在未經離子化情況下直接衝撞到附著在晶圓W之異物22。此時，團簇21會在對異物22賦予動能後，而被分解成為複數氣體分子20並飛散(圖2B)。

此處，由於團簇21未經離子化，因此即使是例如為了使載置晶圓W吸附在載置台12而施加偏壓，該團簇21仍不會因該偏壓而被加速。其結果，團簇21便會穩穩地衝撞至異物22。另一方面，由於團簇21即使未被加速其質量仍然很大，因此可對異物22賦予較1個氣體分子20對異物22賦予的能量要大之能量。於是，從團簇21飛散之各氣體分子20便會穩穩地衝撞至異物22或載置晶圓W，使得載置晶圓W上所形成之薄膜或載置晶圓W本身不會產生缺陷或被植入，但另一方面卻會因團簇21衝撞異物22所賦予的大的動能而促進異物22與氣體分子20的一部分之化學反應並生成反應物23。此處，由於載置台12所內建之碳加熱器會透過晶圓W而加熱反應物23，因此藉此亦會促進異物22與氣體分子20的一部分之化學反應。

接下來，反應物23會因接連衝撞而來的其他團簇而被持續賦予動能，並且會因載置台12所內建之碳加熱器而被持續加熱。又，反應物23周圍的氛圍為接近真空。於是，反應物23便會容易昇華，而自載置晶圓W剝離並在處理室11內飄浮。此處，由於粒子回收部19表面係藉由內建之致冷器(Peltier Device)而設定為較載置晶圓W要低溫，因此昇華後的反應物23便會因熱泳動力而朝向粒子回收部19移動並附著在該粒子回收部19(圖2C)。亦即，粒子回收部19會回收自載置晶圓W剝離的反應物23(圖2D)。

上述圖2A~圖2D的步驟係在氣霧噴嘴13相對於載置晶圓W表面平行移動期間重複執行。

氣霧噴嘴13所噴出之洗淨氣體的種類係依附著在晶圓W的異物22種類而適當地決定。例如，當異物22為自然氧化膜(例如二氧化矽(SiO₂ ))時，由於三氟化氯(ClF₃ )會與自然氧化膜發生化學反應而生成反應物23，因此可使用三氟化氯氣體來作為洗淨氣體；當異物22為有機物時，由於二氧化碳(CO₂ )會與有機物發生化學反應而生成反應物23，因此可使用二氧化碳氣體來作為洗淨氣體；當異物22為金屬時，由於鹵素化氫(例如氟化氫(HF)或氯化氫(HCl))會與金屬發生化學反應而生成反應物23，因此可使用鹵素化氫氣來作為洗淨氣體。

又，由於氣霧噴嘴13的基部16係相對於載置晶圓W呈例如45°角傾斜配置，因此從氣霧噴嘴13噴出之洗淨氣體所形成的團簇21便會以45°的方向衝撞載置晶圓W。假設，若團簇21垂直地衝撞載置晶圓W，則因團簇21之衝撞的反作用所產生之反射波便會相對於晶圓W垂直地產生。於是，由於反射波會正對衝撞持續而來的其他團簇，因而會造成該其他團簇被分解。另一方面，圖2的基板洗淨方法由於團簇21係以45°的方向衝撞載置晶圓W，因此因團簇21之衝撞的反作用所產生之反射波便會產生於135°的方向，且反射波不會正對衝撞持續而來的其他團簇而造成該其他團簇被分解。

持續圖2的基板洗淨方法後，由於附著在粒子回收部19之反應物23的量會變多，且粒子回收部19表面會幾乎全被反應物23覆蓋，因此接連產生之反應物23便會無法附著在粒子回收部19，而有在處理室11內持續飄浮之虞。

本實施型態中，為了對應上述狀況，便定期洗淨粒子回收部19。具體來說，係於洗淨特定枚數的晶圓W後，在處理室11內未存在有晶圓W之狀況下，使氣霧噴嘴13在可移動範圍內移動至圖中的最左側，並使粒子回收部19對向於清潔噴嘴14的開口部14a(圖3A)。

接下來，從清潔噴嘴14的開口部14a朝向粒子回收部19噴出例如CO₂ 噴氣(blast)或氣體分子的團簇。附著在粒子回收部19之反應物23會因所噴附之CO₂ 噴氣或氣體分子的團簇而自粒子回收部19剝離(圖3B)。剝離後的反應物23會藉由排氣管15而從處理室11被排出。藉此，可防止粒子回收部19表面幾乎全被反應物23覆蓋一事，從而便能夠防止反應物23之粒子回收部19的回收效率降低。

依據本實施型態之基板洗淨方法，則未經離子化之複數氣體分子20所構成的團簇21會衝撞至附著有異物22之載置晶圓W。由於未經離子化之團簇21不會因偏壓等而被加速，因此團簇21分解而飛散之各氣體分子20並不會對載置晶圓W上所形成之薄膜或載置晶圓W本身產生缺陷或被植入。另一方面，由於團簇21即使未被加速其質量仍然很大，因此衝撞時，對異物22賦予之動能係較1個氣體分子20對異物22賦予之動能要大，藉此，便能夠促進異物22與氣體分子20的一部分之化學反應。於是，便可去除附著在載置晶圓W之異物22，並防止載置晶圓W或該載置晶圓W上所形成之薄膜的劣化。

上述本實施型態之基板洗淨方法中，從載置晶圓W被去除之反應物23會靠近並被捕集至配置於與載置晶圓W相異的場所之粒子回收部19。於是，便能夠防止從載置晶圓W被去除之反應物23再度到達並附著在載置晶圓W。

又，上述本實施型態之基板洗淨方法係對載置晶圓W以例如45°的方向噴出洗淨氣體的氣霧，因此因團簇21之衝撞的反作用而產生之反射波便會產生於135°的方向。於是，反射波便不會正對衝撞其他團簇而造成該其他團簇被分解，因此可持續團簇21及載置晶圓W的衝撞，從而便能夠防止來自載置晶圓W之異物22的去除效率降低。

再者，上述本實施型態之基板洗淨方法中，由於洗淨氣體噴霧時的壓力係介於0.3MPa~2.0MPa之間，因此噴出氣霧時，可使洗淨氣體的壓力急速降低，又，由於洗淨氣體的氣霧係從直徑0.02mm~1.0mm的氣體噴出孔17被噴出，因此可增加噴霧時的氣體膨脹率，從而可引發劇烈的絕熱膨脹來將複數氣體分子20急速冷卻。其結果，可更加促進團簇21的形成。

又，上述本實施型態之基板洗淨裝置由於不需將團簇21離子化，因此基板洗淨裝置10不需具備離子產生器等離子化裝置，從而便可簡化基板洗淨裝置10的構造。

再者，上述本實施型態之基板洗淨裝置中，由於氣霧噴嘴13係一邊噴出洗淨氣體的氣霧一邊沿著載置晶圓W表面移動，因此可自載置晶圓W的表面整體去除異物22。

此外，依洗淨氣體的種類，雖然亦有難以形成團簇21者，但此時，由於團簇21的質量不會變得非常大，因此為了促進異物22與氣體分子20的一部分之化學反應，較佳宜藉由碳加熱器來更加強烈地加熱異物22。另一方面，當洗淨氣體容易形成團簇21時，由於團簇21的質量會變得非常大，因此即使不藉由碳加熱器來加熱異物22，仍可促進異物22與氣體分子20的一部分之化學反應。

上述本實施型態之基板洗淨裝置雖係配置為以1個氣霧噴嘴13來對載置晶圓W而以45°角噴出洗淨氣體的氣霧，但此時，會有因載置晶圓W上所形成之圖案等使得洗淨氣體局部地被遮住，而產生未有團簇21衝撞的部位之虞。於是，為了對應於此，亦可配置有複數氣霧噴嘴(例如配置有2個氣霧噴嘴來分別從45°及85°角對載置晶圓W噴出氣霧)，以便能夠從複數方向分別對載置晶圓W噴出洗淨氣體的氣霧。藉此，便可從複數方向對載置晶圓W噴出洗淨氣體的氣霧，從而可防止洗淨氣體局部地被遮住，並防止未有團簇21衝撞的部位產生。又，藉由從複數方向噴出洗淨氣體的氣霧，亦可提高團簇21與異物22的衝撞頻率。

配置有複數個氣霧噴嘴時，各氣霧噴嘴之氣體噴出孔的直徑或所噴霧之洗淨氣體的壓力可設定為相互不同。又，各氣霧噴嘴之洗淨氣體的噴霧時間點可相互錯開。藉此，便可對洗淨氣體造成振動，從而便能夠大幅地提高洗淨氣體的洗淨能力。

再者，上述本實施型態之基板洗淨裝置中，雖係使氣霧噴嘴13沿著載置晶圓W表面移動，但亦可固定氣霧噴嘴的位置，而使將載置晶圓W往特定方向滑動或旋轉。藉此亦可自載置晶圓W的表面整體去除異物22。

又，上述實施型態中，基板洗淨方法所使用之基板不限於半導體晶圓，而亦可為包含LCD(Liquid Crystal Display)等有之FPD(Flat Panel Display)等所使用之各種基板或光罩、CD基板、印刷基板等。

F．．．氣液界面張力

W．．．晶圓

10．．．基板洗淨裝置

11．．．處理室

12．．．載置台

13．．．氣霧噴嘴

14．．．清潔噴嘴

14a．．．開口部

15．．．排氣管

16．．．基部

17．．．氣體噴出孔

18．．．氣體膨脹孔

19．．．粒子回收部

20．．．氣體分子

21．．．團簇

22．．．異物

23‧‧‧反應物

41、42‧‧‧溝槽

43‧‧‧藥液

44a~44c‧‧‧圖案的凸部

圖1係概略地顯示實施本發明實施型態之基板洗淨方法的基板洗淨裝置的結構之剖面圖。

圖2A~圖2D係顯示圖1之基板洗淨裝置所實施之基板洗淨方法的各步驟之步驟圖。

圖3A、圖3B係顯示圖1中粒子回收部之洗淨方法的各步驟之步驟圖。

圖4A、圖4B係顯示習知晶圓洗淨方法的各步驟之步驟圖。

W．．．晶圓

10．．．基板洗淨裝置

11．．．處理室

12．．．載置台

13．．．氣霧噴嘴

14．．．清潔噴嘴

14a．．．開口部

15．．．排氣管

16．．．基部

17．．．氣體噴出孔

18．．．氣體膨脹孔

19．．．粒子回收部

Claims (17)

1. 一種基板洗淨方法，其特徵在於：係朝向附著有異物且配置於低壓氛圍中之基板噴出較該低壓氛圍要高壓之氣霧，而形成複數氣體分子所構成的團簇(cluster)；使該團簇在未經離子化情況下衝撞該基板；藉由於該團簇衝撞該異物時加熱該基板來促進該團簇與該異物之化學反應。
2. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨方法，其中係將從該團簇到達後的該基板被去除之該異物捕集至配置於與該基板的場所相異之冷卻部。
3. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨方法，係對該基板斜向地噴出該高壓氣霧。
4. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨方法，其中該異物為自然氧化膜，該氣體為三氟化氯氣體。
5. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨方法，其中該異物為有機物，該氣體為二氧化碳氣體。
6. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨方法，其中該異物為金屬，該氣體為鹵素化氫氣。
7. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨方法，其中噴出該氣霧時的壓力係介於0.3MPa~2.0MPa之間。
8. 一種基板洗淨裝置，其特徵在於具有：處理室，其內部係收納有附著有異物之基板，並為低壓氛圍； 氣體噴霧部，係朝向該基板噴出較該低壓氛圍要高壓之氣霧，而形成複數氣體分子所構成的團簇，並使該團簇在未經離子化情況下衝撞該基板；以及加熱部，係用以促進該團簇與該異物之化學反應。
9. 如申請專利範圍第8項之基板洗淨裝置，其更具備有冷卻部，該冷卻部係較該基板要低溫且能夠捕集從該團簇到達後的該基板被去除之該異物，且該冷卻部係配置於與該基板相異之場所。
10. 如申請專利範圍第8項之基板洗淨裝置，其中該氣體噴霧部係一邊噴出該高壓氣霧一邊沿著該基板表面移動。
11. 如申請專利範圍第8項之基板洗淨裝置，其中該氣體噴霧部係對該基板斜向地噴出該高壓氣霧。
12. 如申請專利範圍第9項之基板洗淨裝置，其更具備有朝向該冷卻部噴出CO₂ 噴氣(blast)或複數氣體分子所構成的其他團簇之噴出部。
13. 如申請專利範圍第8項之基板洗淨裝置，其中該氣體噴霧部係從直徑0.02mm~1.0mm的孔洞噴出該高壓氣霧。
14. 如申請專利範圍第1項之基板洗淨方法，其係從複數方向對該基板噴出該高壓氣霧。
15. 如申請專利範圍第14項之基板洗淨方法，其中係將從該複數方向所噴出之該各高壓氣霧的壓力設 定為相互不同，且/或該各高壓氣體的噴霧時間點係相互錯開。
16. 如申請專利範圍第8項之基板洗淨裝置，其係具備有複數個該氣體噴霧部，該各氣體噴霧部係從複數方向對該基板噴出該高壓氣霧。
17. 如申請專利範圍第16項之基板洗淨裝置，其中該各氣體噴霧部從該複數方向所噴出之該各高壓氣霧的壓力係相互不同，且/或該各氣體噴霧部噴出該各高壓氣霧的時間點係相互錯開。