TW201201225A - Transparent planar body and transparent touch panel - Google Patents

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201201225 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於透明面狀體和透明觸控面板。 【先前技術】 以往’在銀行終端（自動櫃員機）、售票機、個 、辦公設備、電子記事本、掌上電腦、手機等的 ③ 中使用觸控面板（touch panel)。觸控面板是不妨礙書^顯 不就可以檢測出觸控了什麼部位的傳感器，各種方&觸 控面板已經被設計出來並實用化。通常，觸控面板^顯示 裝置是不同的部件，將兩個模塊部件組合（黏貼），奘乂二 個外殼中使用。 A在一 如專利文獻1所示，具有代表性的電阻膜式觸扣 具有下述結構，即：在透明的基底膜的一個面上形成汀〇 等透明電極（透明導電膜）的兩個透明面狀體，以使透明 導電膜隔開一定間隔的方式相互相對配置。 圖13是觸控面板的剖視圖。觸控面板1〇〇具有上侧電 極膜110和下側電極基板12〇，在上側電極膜11〇和下側= 極基板120的間隙中放入有點間隔物1〇3。上側電極膜 由相位差膜111和1T0電極丨12構成。下側電極基板12〇 由玻璃基板121和IT0電極122構成。相位差膜lu和偏 光片101通過黏著層102黏在一起。玻璃基板121和相位 差膜105通過黏著層1〇4黏在一起。 在觸控面板100中組合使用偏光片101與相位差膜lu 、105是爲了得到可以抑制外部光反射從而提高可視性的表 面低反射觸控面板（例如參照專刹文獻2)。 以往，相位差獏ln由聚碳酸酯、環烯烴聚合物膜等 4/27 201201225 製成。 專利文獻1 :日本專利公開公報特開2_-89914號 專利文獻2 .日本專利公開公報特開平1〇 —伽25號 可是’由聚碳酸酯或環稀烴聚合物膜等玻璃轉移溫度 (Tg)在】赃以下的材料製成的相位差膜，在相位差膜 111上形成ITO (氧化銦錫）膜時，例如對的膜 而言’由於如果把膜溫度設定在14代以上，_位差降低 ，所以成膜溫度和成膜後的熱處理（退火處理）溫度不能 提高，只能制ITO的結晶度低的結果。其結果存在難以 實現ITO膜的低電阻化的問題。 此外 錢還料_具有規定__狀的情况（ 例t ^多個帶狀導電部的集合體的方式構成透明導電膜 的f月况）T，透明導電膜的圖案形狀很顯眼’也存在 性降低的問題。認爲產峰兮π ^ 曰 馬座生。亥問碭的主要原因之一是如果1丁〇 、ΤΤw =兄刀’則對波長爲400〜450nm的光的吸收變大 ，IT0_成强烈的黃色調。 要使=導明導電膜的圖案形狀不容易顯眼，需 厚度變薄則透明導 似禾便迓月¥妨的 【發明内容】 的電阻值增大的問題。 务明是< g a 馬了解决上述問題而做出的，本發明的目的 疋攸1、~檀可廢1日> 1 狀體和透日物控^板:禮化且可以提高可視性的透明面 狀蝴^ 見本發明的上述目的，本發明提供—種透明面 圖ΐ的二體，明基板的-個面-側具有形成有 电联’在上述透明基板的另一個面一側具有 5/27 201201225 ,, 偏光片’上述透明基板是相位差爲l〇〇_〜15〇nm的相位 差膜’該相位差膜由降冰片烯和乙烯的共聚合比爲8〇 : 2〇 〜90 : 10、MVR (熔融體積流動速率）爲0.8〜2.0 cm3/10 分鐘的環烯烴加成（共）聚合物製成。 。此外，在該透明面狀體中，較佳係上述透明基板因在 16〇°C下進行30分鐘的熱處理造成的收縮率在MD方向（ 縱向）及TD方向（垂直方向）上均為〇·5%以下。 此外，較佳係在上述透明基板和上述透明導電膜之間 叹置有底塗層，上述底塗層由光折射率不同的兩層以上的 積層體構成，光折射率低的層是低折射率層，光折射率高 的層是高折射率層，上述透明導電膜形成在上述低折射率 層一側。 此外，較佳係上述低折射率層由氧化矽形成，上述高 =率層由含有光折射率爲2.G〜28的金屬氧化物顆粒的 树月曰材料形成。 此外，爲了實現本發明的上述目的，本 種透明觸控面板，至少具有一個如卜+逻抆仏 啕個如上上述的透明面狀體， 上述透明破體的透明導電齡輯透料賴不同的第 二透明導電麗配置成相對麵朝向相同的方向。 按照本發明，可續供—絲够實祕電阻化且可以 棱鬲可視性的透明面狀體和透明觸控面板。 【實施方式】 具體實施方式 下面參照附圖對本發明的實施方式進行說明。此外， 爲了容易理解其結構’在各@巾不是實際 採用了局部放大或縮小。 夕』肉疋 6/27 201201225 圖1是本發明—個實施K的〜 的剖視圖。該透日月觸控面板1Q() :面板卩日’要結構 第一透明面狀體丨和第-透明面心觸控面板’具有 包括：透縣板面狀體1 電膜W偏如3,配置在上的透明導 個面上。通常’上述偏光片η通過圖 1 反」2:f: 或丙_ H—般的透明黏接齡貼在“ ^= :=Γ=有透明基板22’在該透明練22的-: 面上开y成有形成圖案的透明導雷 11、21相互隔開相對，通過黏著層將m明導電膜 弟=面狀體2黏貼在一起。此外，各個透明導電膜 21也可以配置成朝向相同的方向。 這樣構成_控面板例如可以安裝在銀行終端（ 自=櫃貝機）、售票機、個人電腦、辦公設備、電子記事本 、旱上電腦、手機等的顯示裝置上使用。此外，在安裝觸 才工面板100呀’以使偏光片13 一側爲露出面（觸控面）的 方式通過透明的黏著層將觸控面板1〇〇安裝在顯示裝置 上。 透明基板12、22由相位差爲10〇nm〜15〇nm的相位差 膜形成，上述相位差膜由降冰片烯和乙烯的共聚合比爲80 :20〜90: 10'MVR(熔融體積流動速率）爲〇.8〜2.〇cm3/i〇 分鐘、玻璃轉移溫度爲170〜20CTC的環烯烴加成（共）聚 合物（環烯烴共聚物：coc)製成。此外，作爲相位差膜 的各透明基板12、22配置成各自的相位延遲軸成垂直的角 度。 作爲降冰片稀和乙烯的加成共聚物的環稀煙共聚物（ 7/27 201201225 coc) ’例如可以使用市場上出售的產品。作爲市場上出售 勺產 了以例舉.TOPAS Advanced Polymers (TAP)公 司製的 '商品名爲“T〇PAS”的產品等。較佳係降冰片烯 和5烯的絲合*按質量比計爲8。： 2。〜9。： 10。通過採 用這樣的共m聚合比，可以得到玻璃轉移溫度（丁g)爲Π0 的％烯烴加成共聚物。此外，如果把降冰片烯的比 率·>又疋爲]、方、80質量％，則如表j所示，不能得到 以上的高的玻璃轉移溫度。此外，如果把乙_比率設定 爲小於10質量％，則得_膜的强度降低，難以承受必要 的後加I步驟（塗布步驟、膜形成步料）。其巾，玻璃轉 移溫度（Tg)是按照瓜讀丨標準，细差示掃描量熱儀 (股式會社A津製作所制D s C _ 6 Q)測量出的值。

TAP公司製“降冰片烯：乙稀 耐熱性能

TAP公司製“ TOPAS 6013” 降冰片烯：乙稀^ 一

77 ： 23 130°C X

8/27 此外， 0.7cm3/10 分 分鐘的四種;f 價。其結果:{ 稀烴共聚物 201201225 2.2 cm /10分鐘的環烯烴共聚物，得到的膜的强度低，難以 膜化。與此相對，對於MVR=i.8cm3/l〇分鐘和MVR=1.9 cm/10分鐘的環稀煙共聚物，顆粒化和膜化雙方的加工性 月t*都好。因此，作爲降冰片烯和乙烯的加成共聚物的環烯 烴共聚物（C〇C)的MVR較佳係〇.8〜2.0 Cm3/：[〇分鐘， 更較佳係1.5〜2.0 cm3/l〇分鐘。此外，通過例如在共聚合 時進行熱量調整等，可以調整MVR。 表2

MVR值 顆粒化 膜化 0.7 X X 1.8 〇 〇 1.9 〇 〇 2.2 〇 X 〇：能顆粒化或膜化 x·不能顆粒化或膜化 在此，把入射到各向異性物質中的光分離成具有相互 垂直的振動方向的兩種光（正常光線和異常光線）的現象 稱爲雙折射，所謂相位差（Retardation )是指正常光線與異 常光線的相位差，也稱爲相位延遲。在本發明中，設膜面 内的MD方向（縱向（f]〇w direction ))的折射率爲ηχ，td 方向（垂直方向）的折射率爲ny，膜的厚度爲d，則根據 MD方向的折射率（nx)和叩方向的折射率（ny )的差（ △η)與膜的厚度（d)，可以通過公式（1 )來表示相位差 (Re )，例如可以用王子計測機器股式會社製造的自動雙折 射儀KOBRA21-ADH進行測量。通過降冰片烯和乙烯共聚 物膜的延伸可以控制相位差，延伸方法沒有特別限定。外 9/27 201201225 部應力越大雙折射越大，相位差也越大 公式（1) nx —ny 丨 xd 此外，較佳係因在下進行30分鐘的熱處理所造 成的收縮率在MD方向（縱向）及TD方向（垂直方向） 上都在0.5%以下。如果收縮率超過α5%，則由於例如形 f高結晶的透明導_ (ΙΤΟ膜），所以在這樣的高 溫下進行減射加工時，不能維持膜的平坦性，會造成膜變 形’或出現在膜表面上形成的1T〇膜上產生裂紋的不利情 ’兄:甬用：Γ欠縮率抑制在0.5%以下的手段沒有特別的限制 ，^使用降冰㈣和乙稀的共聚合比爲8G : 2G〜90 : 1〇 、歷（熔融體積流動速率）4 0.8〜2.0 cmV 10分鐘 璃轉移溫度爲170〜·。c的環雜加成物，= 例如=:上進行延伸加工就可以得到較佳的:縮率 物πίο Γ 21的材料，可以例舉：銦錫氧化 )、氧化銦、添加録的氧化錫、添加氟的氧化錫 添加簡减鋅、添加㈣氧化鋅 '添加料魏 '鋅-氧化錫類、氧化钢—氧化錫類、 乳 f化鎮類、氧化鋅、錫氧化膜等透明導電材料二二 :二呂’、鉻等金屬材料、金屬氧化物材、 其中的兩種以上複合來形成透明導電骐u、 也了 乂把 抗酸、喊的金屬單體也可以作爲導電材料使用。。此外’不 此外，也可以把碳奈米管或碳夺米 奈米纖維、石_維等極細的導電峻纖維或椹： 中形成複合材料，把這樣的複料 10/27 201201225 μ 、材料使用。其中，作爲聚合物材料可以採用聚苯胺、 永乙块、聚°塞吩、聚本亞乙稀、聚笨硫_、聚對

、、聚雜環亞乙烯（P〇ly(het:erocycle viny〗ene))、PEDOT 聚（3,4·乙烯二氧噻 刀等導電性聚合物。此外，可以採用聚對苯二甲酸乙_ :叫附)、聚蔡二甲酸乙二醇醋(pEN)、J二 ㈣（贿）、聚碳酸自旨⑽、聚丙晞⑽、聚 A)、聚丙賴（PAC)、聚酿亞胺、環氧樹脂、笨 樹旨肪族環狀聚雜降冰片稀類的熱可塑性透明 t月曰寺非導電性聚合物。 求管= =電膜U、21的材料’特別是在採用把碳奈 情况7*非蜍電性聚合物材料中的碳奈米管複合材料的 二的直徑-般爲一域_ 吊、、，田，所以通過將一根一根一一八 ¥電性聚合物材料中、W 確保對切射的阻礙很小，在 透=、透明度方面是較佳的。 真空21的形成方法可以例舉的細法、 :、工舔鍍法、離子鍍法等PVD法、c 巧亡 法等。具體而 / k布法及印刷 t 在4Qt 以上， 相位差二:，=在具有上述特徵的透明基板（ ’通過濺射法等形成透明導電膜後1〇C， 下進行熱處理來形成透明導f膜tI4G〜】8G°C的溫度 在通過濺射法形成加_情况此外’關於厚度，例如

、21的厚度在60麵以下，更’較佳係透明導電膜U Μ土仏在3〇nm以下。此外， Π/27 201201225 膜厚在5nm以下難以形成連續的膜，難以形成穩定的導電 層。 如圖2和圖3所示，由平行延伸的多個帶狀導電部 、2!a的集合體分別形成透明導電膜丨丨、2]，使各透明導 電膜11、21的帶狀導電部11a、21a配置成相互垂直。透明 導電膜11、21通過由導電性墨水等構成的環形電路（圖中 沒有表示），與外部的驅動電路（圖中沒有表示）連接。透 明導電膜11、21的圖案形狀不限於本實施方式的圖案形狀 ，只要是可以檢測出手指等的接觸點，可以是任意的形狀 。例如，如圖4和圖5所示，可以把透明導電膜u、21形 成爲將多個菱形導電部Ub、21b直線狀地連接的結構，並 配置成使各透明導電膜U、21的菱形導電部Ub、°2lb的 連接方向相互垂直，並且從俯視看上下的菱形導電部Ub 、2〗b不重叠。此外，關於透明觸控面板1〇〇的分辨率 作性能，在使第-透明面狀體丨和第二透明面狀體2重或 的情况下’採用減少不存在導電部的區域的結構是較= 。從這樣的觀點th發’作爲透明導電膜η、21的圖案户 ’與矩形的結構相比’較佳係將多個菱形導電部 直線狀地連接的結構。 21b 3矽層上或透明基板上分別形成 11、21的表面上，犯山„ a x 入J心月导電月 形成具有所不望的圖案形狀的掩膜邱 用酸液等把露出部公^ . J慢膜邛 解，從而形成透明導電膜U、21的圖宰。掩_ 例如將把聚乙歸醇（PVA)拉伸、 偏振片，在該層的π八木巴的層作』 6ΤΑΓ 也 重叠作爲保護層的三醋酸纖維素』 曰*構成偏光片13。如果要想使透射軸方向^ 12/27 201201225 透射率高=㈣方向的透射率低，則也可以 使用親水性而分子膜、在峨以外使用二色性色素a以外 以外使用料來構成偏光片13。這樣的偏 位延遲軸成”角:; = =，的相 了保護編此外，爲 卞^ ^ ^ ^ a 如圖1所不’也可以在哕雹φ 面上言又置後皿層4。覆蓋層4 v。出 ，具體地說，作騎以4，，”㈣度㈣材料製成 t ^ κ·1511層4可以例舉：聚對笨二曱酸r 一 他（PET、痛亞胺⑻、聚萘二甲酸乙二醇= )、聚醚礙（PES)、聚_酮（:p 曰 聚丙稀㈣、聚酸胺（PA)、聚丙稀酸（pAC)、曰二:、 非晶悲=空類樹脂、環狀聚_頁樹脂、脂肪义取 細烴、降冰片烯類的熱可塑性透明樹脂等的可、^ 祕_膜和它們兩種以上的 ^ ，爲了提高耐擦傷性、耐磨損性、耐指紋性、= 防目玄目性’也可以對偏光片13或覆蓋層 面處理加工。此外’通常，通過圖中沒有表示的 丙烯酸系等-般的透明黏接劑，將覆蓋層黏在偏光片Η、上 層3可以使用環氧系或丙烯酸系等通常的透明黏 材 ' 可以包含由降冰片烯類樹脂的透明性膜構成的芯 “ L也二以?過把多個薄片形麵 =二:個種類的薄片形黏接材料咖^ 的厚度沒有特別指定，但在實際應用中 下。此外，黏著層3的光折射率較佳係 ,.，更較佳係、i.46〜157。如果使黏著層的折射率 13/27 201201225 .,， 明導電_折射率（使黏著層的折射率變大），則在 界上的折射率差變小，可提令 、 果，作爲了摇古问不使圖案形狀顯眼的效 -爲了k问黏者層3的折射率，必 料的微粒等，存在作爲透明面狀體的透射:二^ 會造成損害的材^所導不電^妾的觸。，含有酸等對透明導電膜 ，此’作爲本發明的透明基板12、22材料的降冰 l°01t共聚物’其吸水率（23°c/24小時）通常較佳係〇施 二，^左右。如果吸水率（按照ISO 62標準，23t/24小 τ)大於0.1% ’貞彳存在得制基板尺寸穩紐降低的傾向 透明基板12、22使用的降冰片稀和乙稀共聚物的光折射 率（按照JISK7142標準）通常爲左右，光線透 射率（按照JIS K7361-1標準（利用日本電色工業股式會 社的霧度儀（HaZemeter)NDH5000 測量））爲 90.8%〜93.0 %左右。也可以在降冰片烯和乙烯共聚物中按照目的添加 紫外線吸收劑、無機或有機的防結塊劑（antibl〇ckingagem )潤β劑、抗靜電劑及穩定劑等各種公知的添加劑。mvr (熔融體積流動速率）較佳係，在溫度爲26〇〇c、負荷爲 2.16kg的條件下，每1〇分鐘的吐出體積（cm3)爲〇 8〜2 〇 cm3/10分鐘，如果小於〇 8 cm3/1〇分鐘，則在原料製造時 或膜製造時’在成形機内的壓力過高，不能製造。此外， 如果大於2.0 cm3/1〇分鐘’則得到的相位差膜的强度過低 ’不此承受對觸控面板等進行的必要的加工（賤射等）步 驟。 從降冰片烯和乙烯共聚物得到透明基板12、22用膜的 方法沒有特別的限定，例如可以是溶液澆注法、擠出法、 14/27 201201225 壓制法等。降冰片稀和乙豨共聚物膜的厚度 ::較佳係40〜200"m。如果過薄則存在二： 的傾向，只要膜强度足够，就沒有必要使膜更厚。 爲了提高降冰片稀和乙稀共聚物膜表面的^潤性和黏 接性，可㈣行火域理、紫外'㈣贼理、電暈放電處 理、專離子體處理、ITR〇處理（應用崎化學氣相沉積（ CCVD)曰的處理）、底塗處理及化學藥品處理等表面改性處 理。電暈放電處理和紫外線照射處理可以在空氣中、氮氣 中、稀有氣體中等進行。較佳係通過這樣的表面改性處理 ’使環稀fe類樹脂膜表面的濕潤張力在COaN/cm (23。〇 )以上，更較佳係在500/zN/cm (23°C )以上。 收縮率的測量使周測長儀以0.001mm單位測量切成尺 寸爲〗〇〇xlO〇mm的膜的四邊長度，然後把測量後的膜放入 設定爲160。(：的烘箱中，30分鐘後取出，再次使用測長儀 以0.001mm單位測量膜的四邊的長度，分別求出四邊長度 的各自的變化量。每次測量兩個膜，分別對MD方向、 方向求出平均值，將求出的平均值作爲收縮率。值爲負的 情况意味著收縮，值爲正的情况意味著膨脹。 通過將降冰片烯和乙烯共聚物膜延伸來控制相位差的 方法沒有特別的限定，例如可以例舉輥延伸法、拉幅機失 具延伸法、壓延法等。 本發明人等爲了對具有上述結構的透明基板12、22進 行評價，在透明基板12、22上形成透明導電膜（〖TO犋） ’對透明導電膜的結晶度進行了測量，對其结果進行說明 首先’通過溶融撥出法把降冰片烯和乙烯的共聚合比 15/27 201201225 、 爲82 : 18、玻璃轉移溫度爲180°C、MVR=i.5的共擎物 在樹脂溫度爲300°C、引出輥溫度爲13〇°C條件下以'使^广’ 爲100#m的方式製作成膜。然後通過在使膜溫度保持: 190°C的狀態下，使膜在輥圓周速度爲7.0m/min和^圓周速 度爲14.0m/min的兩個不同圓周速度的金屬輥之間行進，^ 到延伸倍率爲2.0倍、相位差爲138麵、Nz係數==1 q膜 厚爲86//m的相位差膜。Nz係數是表示折射率成分取、' ny、ηζ大小關係的指標之一，用公式（2)定義。其中，打, 和ny是膜面内的折射率，ηζ是與膜面垂直方向上的折射=

Nz= (nx-nz) / | nx-ny | …公式 得到的相位差膜在16〇t下30分鐘的尺寸變化率是 MD〜、TD=:().22%。得到的相位差膜的强度可以 足够使用。 接著，在得到的相位差膜的兩個面上，使用紫外線固 化^騎系塗料設置正反面厚度分別爲的硬塗層 。得到的膜表面的錯筆硬度爲。 在如上上述得到的膜的單面上，在把膜溫度保持在15〇 Μ大態下’通賴射法形成了電阻值爲256Ω/□的⑽ f =電膜。得到的™膜（實施例1)的結晶度的測量 結果表示在圖6中。

It匕夕卜 / cm。 上逃得到的膜的單面’在把膜溫度4 C的狀態下’通過_法形成了電阻值爲45〇Ω/[ •明導電膜。進而，通過在溫度165°C下進行Η、 & 理’形成了電阻值爲24〇Ω/□的ιτ〇透明導電膜^ Τ〇膜（實施例2)的結晶度的測量結果表示在i 16/27 201201225 中。 一，此外，通過熔融擠出法把降冰片婦和乙烯的共聚合比 爲幻·· 18、玻璃轉移溫度爲18〇。〇、MVR==】.5的共;3 在樹脂溫度爲3GG°C、引出親溫度爲nGt：的條件下 j 200_的方式製作成膜。接著，通過利用拉幅機夹呈 方式的延_在輕爲l.Gm/min、延伸倍率爲⑼倍_ 1在㈣溫度在〗85穴下橫向延伸，得到相位差爲丨38_ 係數=：[.)、膜厚爲95_的相位差膜。得到 差膜在16CTC下30分鐘的尺寸變化率是Md〜q,_、 TD=-〇.l2%。得到的相位差膜的强度可以足够使用。0 在传到的相位差膜的兩個面上，使用紫外線刑 丙稀酸系塗料設置正反面厚度分別爲6/m的硬塗= 的膜表面的錯筆硬度爲HB。在如上上述得到的二^ ’ ^把膜溫度純在赋的狀態下，通過濺射法 值爲236Ω/□的ITO透明導電膜。得到的IT〇 电且 3)的結晶度測量結果表示在圖8中。 、（實施例 如圖6〜圖8所示，根據利用χ射線的如 的測量結果可以確認到：實施例丨〜3在二、、，、°s曰度 的因ITO特有的（222)取向的χ射線强度峰=付近 膜的結晶度都高。 强’传到的 在具有以上結構的透明觸控面板1 〇〇中，、 置的方法與以往的電容式的觸控面板相同，如^測觸控位 觸控第-透明面狀體Ϊ表面的任意位置，則 膜11、21在接觸位置通過人體的雷 、彳边月 本發明的第一透明面狀體丨、第二 置的丄私。 一、β曲狀體2具備透 17/27 201201225 明基板12、22，贫，乐α 150_的相^日基板12、22是相位差爲lOOnm〜 合比爲相位差膜由降冰片烯和乙稀的共聚 〜2.0 Cm3/1〇八立.1〇、MVR (炫融體積流動速率）爲0.8 成（共）聚4勿=璃轉移溫度爲170〜2〇〇t的環稀烴加 導電膜u Λ成，因此在透明基板12、22上形成透明 以把透明Α板^ j在細後進行熱處理（退火）時，可 提、22的溫度設定在·C以上，從而可以 卜开的透明導電膜u、2 貫現透明導電膜u'21的低電阻化。…。果叮以 可以ηι以提高透明導電膜u、21的結晶度的結果， 圖安㈣—m成爲强烈的黃色調，可以使透明導電膜的 可：=易顯眼’可以提高透明面狀體和觸控面板的 由於可以提高透明導咖 明=透㈣電❹、21的低電阻化，所以可以使透 導電_厚度進—步減薄，可以更進—步提高可視性。 料’本實施方式的第—透明面狀體t由於在作爲相 腠的透明基板12的另—面上（與形成有透明導電膜u 2相反-側）設有偏光片13，所以可以有效地防止從偏 先片13 -側人射的外部光在形成有圖案的透明導電膜u 、21的表面上反射後，再次通過偏光片13。具體地說，入 射到觸控面板100上的外部光（在圖i中從覆蓋層4 一側 =射的外部光）在通過偏光片13時，成爲水平的直線偏振 光’入射到由相位差臈構成的透明基板12中。入射到透明 基板12中的水平的直線偏振光成爲右旋的圓偏振光，在形 成有圖案的透明導電膜1卜2!的表面和未形成透明導電膜 U、2】的透明基板】2、22的表面上反射。反射的右旋圓偏 18/27 201201225 ，光在反射時變成左旋的圓偏振光，再次人射到 明基板12中。人射到透明基板η中的左 ==_時成爲垂直的直線偏振先2 Α … > 人射到偏光片13中的垂直的直線偏 巴安二通偏光片13 ’所以不能視覺辨認到在步成右 圖=透明，卜21的表面 :1 d的透明基板12、22的表 =1〗 叫可以防止外部光反射，；：；果有f =成有圖㈣透料細11、21的圖案雜不,師1^ 字由設置有觸控面板的顯示裝置顯“ 以上，對本發明的第—透明 筮一意昍 祕社物方式。如® 9射，也^以 二：片稀和乙_共聚合比爲8〇 : 2〇〜9〇 : 1〇 =流動速率)爲〇.8〜2.()cm3 】 =、T: pic)咖成第二透樣 稀ί= 由和聚乙 構成㈣^^賦予了雙折概的相位差板5，來 透明L外’在上述#施方式巾，㈣ig飾，可以採用在 、24, 12、22和透明導電膜11、21之間設置底塗層14 構。底塗層]4、24分別由低折射率層心冰 挪射率層14&、24&高的高折射率層咐、 的積層體構成’配置錢㈣—η、21形成在低折 19/27 201201225 . * ·. 射率層14a、24a —側。 化物率層14心的材料，可以例舉:矽錫氧 Uhc軸n oxide)、氧化石夕、氧化銘等益機氧化物和 的組合物l氟財機崎料、氧切類溶 ‘性二：至Γ化矽類和乱類的微多孔材料等，從提高可 發’較佳係光折射率爲u〜U的 :夂⑽射法、f阻蒸鍍法、電子束蒸鍍法 σ 式塗布法等形成低折射率層14a、24a。 較，係高折射率層14b、24b的光折射率爲㈣叫別 :又/、係南折射率層i4b、施的光折射率爲大於】.&且 為.以下。如果折射率小於16〇，則難以使有透明導 膜==和沒有透明導電膜的部分的光學特性相近，造成 通明導錢的圖案形狀顯眼，難以得到良好的可視性。如 果光折射率大於L65，則可以得到非常好的可視性。此外 ，在光折射率大於㈣的情况下，透明基板i2、U和 層3的折射率差變大，因該在材料界面的反射光斑在 射率層Hb、24b和低折射率層…%的界面的反射光 的光干涉造成產生很强的干涉斑，其結果，容易看到透明 導電膜1卜21的圖案形狀，可視性惡化，所以光折射率大 於].80的情况是不較佳的。此外，事實上也難以得到在^ 業上有效形成折射率大於18、且具有可以改 的硬度和厚相層㈣料和方法。作麟射率切丨.65 ^ 爲1.80以下的高折射率層14b、施用的硬塗層材料，可以 例舉.丙稀酸系紫外線固化型樹脂或熱固化型樹脂等樹脂 材料·。此外’可以例舉在這些樹脂材料中添加氧化欽㈠二 射率2.5〜2.8)、氧化錯（折射率：2 4)、氧化錦（折射率 20/27 201201225 :2.2)、氧化銻（折射率：2 〇 化物微粒的材料。在這種 ·^寺折射率南的金屬氧 的粒徑必殿料_氧化物微粒 】4b、24b的厚度較佳係 1 =度。純射率層 率ϊ Γ2、/ ’的界面的反射光_^^ 和低折射率層一的 斤 先干涉產生很强的干涉斑，A 对九的 】卜2】的圖荦形狀，…— 一易有到透明導電膜 、…Γ: 見性惡化’所以是不較佳的。 、22和透明導電_、7^ / 24°又置在透明基板12 〜700_内在可見光波長範圍的45〇_ 分（圖安开減小透過形成有透明導電膜n、2i的部 導電η 光的透射光譜與透過沒有形成透明 έ二、 的部分（未形成圖案區域）的光的透射光级 的差，可以得到透明我膜U、2〗的圖宰科不曰 、可满,Η偽白回木小忒不谷易顯眼 饭良的弟一透明面狀體丨、第二透 明觸控面板⑽。此外 ^面U和透 可見光、、皮、 .' 、、、，，°冓以外，只要是在 光減小透過圖案形成區域的光的透射 都ϋΐ未形成圖案區域的光的透射光譜的差的結構’ 都可以传到同樣的效果。 再 透明i:明人等製作了把底塗層丨4設置在透明基板12和 τ屯膜11之間的、具有圖n所示結構的樣品，進行 =透射光的情况下剌導的圖飾 眼的感官試m測量了膜電阻值。 [實施例1] 本‘σσ具有圖u所示的結構，由通過賤射成膜的⑽， 、斤射率·· 1.46)和塗布含有氧化錯微粒的硬塗層劑（東 21/27 201201225 • · ，. · 式會社製的U〇DURAS)成膜的高折射率硬 層W . U5)分別形成構成底塗層I4的低折射率 膜進料 ==層⑽。此外ί過對利用繼成膜的IT0 (Si〇 l 有圖案的透明導賴。使低折射率層Ha 硬塗層2 度爲Μη" ’使高折射率層撕（高折射率 e勺厚度爲5#m，使透明導電膜（ITO膜）的厚度 射率s_m此外，黏著層3的厚度爲25㈣，黏著層3的折 u平爲1，47。此外，通過熔融擠出法將降冰片烯和乙 合比爲82: ΐδ、玻璃轉移溫度爲18(rc、MVR=15的 共聚物在樹脂溫度爲3贼、引出輥溫度爲13Qt的條件下 ，以使膜厚爲100“ m的方式製成膜，接著通過在把膜溫度 ^持在WC的狀態下，賴在翻周速度6 7.Qm/mi= 秦c圓周速度爲14,〇m/mjn的兩個不同圓周速度的金屬輥之 間2進，得到延伸倍率爲2.〇倍、相位差爲丨38細、吣係 數=1.0、膜厚爲86//m的相位差膜，由該相位差膜形成透 明基板12。得到的相位差膜在丨60。(： ' 30分鐘的尺寸變化 率爲MD=—〇.46%、TD = 0.22%。此外，該相位差膜（透 明基板12)的折射率爲1<53。此外，透明基板12的另一個 面（沒有形成透明導電膜11 一側的面）上配置有由丙烯酸 系U V固化樹脂形成的硬塗層6。該硬塗層的厚度爲$ “ m 此外’本樣品在溫度爲140°C下通過濺射形成透明導電 膜11 ( IT0膜）後，在溫度i4〇°C下進行30分鐘的熱處理 (退火處理）。 在對本樣品照射透射光的情况下’都不能確認到透明 導電膜11的圖案形狀，獲得了可視性良好的結果。此外， 22/27 201201225 (27W)照射透射 此外’使三波長螢 在確認圖案形狀時’利用三波長螢光燈 光’本樣品和眼睛的距離設定爲20cm。 光燈的背景爲白背景進行了判定。 實現了透明面狀體 菱化學製的電阻率 電阻值。 此外’膜電阻值爲200Ω/□以下， 的低電阻化（參照表3)。此外，使用三 计的LORJESTA EP四探針探頭測量了犋 [比較例1] =為上述樣品的比較例’在圖]丨所示的透明面狀體的 :構中;/巴透明基板變更為ZEONOR膜[日本Z£〇N (股） 乂 ZM不列]’製成了比較樣品。此外，在溫度爲12〇。〇下 通過濺射法形成透明導電膜1ΗΠΌ膜）後，在溫度爲120 C下進行30分鐘的熱處理（退火處理）。進行了在照射透 射光的情况下透明導電膜11的圖案形狀是否顯眼的感官試 驗’在比較例丨中得到了確認到透明導電膜〗1的圖案形狀 且"T視性不好的結果（參照表3 )。認爲這是由於I 丁 〇膜 的結晶化不充分，IT〇膜變成强烈的黃色調，並且視覺辨 s忍到圖案。 表3 -—-- 通過照射透射光獲得的玎 視性結果 膜電阻值 (Ω/门） 1 〇 189 1 X 284 此外，本發明人等對於實施例1和比較例1中的透明 基板，進行了對在各規定的溫度下進行30分鐘的熱處理（ 退火處理）情况下相位差值的變化進行確認的試驗，對其 23/27 201201225 結果說明如下。試驗結果表示在圖12中。從該圖12可以 判明，實施例1的透明基板即使退火溫度爲15(rc，相位差 值也顯示出約爲134nm的較高的值，而與此相對，比較例 1的透明基板如果退火溫度超過14〇°C ,則相位差值急劇降 低，在退火溫度爲150°C時，相位差值變成約爲128nm。 這樣，可以判明，構成本發明的透明面狀體的透明基 板12即使在超過14(rc的高溫環境下，也可以保持其相位 ^直4結果’可關明，在透縣板12、22上形成透明 1電膜11、21 a夺’或在成膜後進行熱處理（退火）時，可 =透明基板、22的溫度設定在14叱以上，可以提高 形成膜的透明導電膜11、21的4 a危 腹11〇1 电腰1 1的〜晶度，可以實現透明導電 版11、21的低電阻化。 【圖式簡單說明】 視圖圖1是本發明一個實施方式的透明觸控面板的簡要剖 圖。表丁圖1尸斤不的透明觸控面板的一部分的俯視 視圖圖3是表示圖1所示的透明觸控面板的另-部分的俯 分的:視圖表丁圖1所不的透明觸控面板的變形例的一部 圖5是表示圖】所示的透 部分的俯視圖。 物控面板的變形例的另一 圖6是表示在實施例1中# 量結果的圖。 關結晶度的測 圖7是表示在實施例2中得 于至】的ITO膜的結晶度的測 24/27 201201225 量結果的圖。 膜的結晶度的測 圖8是表示在實施例3中得到的ιτ〇 量:结果的圖。 變形例的簡要 圖9是表不圖1所示的透明觸控面板的; 剖視圖。 簡要^是表示B1所示的透明觸控面板的其他變形例的 、圖是在感官試驗中使用的透明面狀體樣品的簡要剖 視圖0 圖12是表示在對透明基板進行了熱處理（退火處理） 的情况下_位差值變化確認試驗結果的圖。 圖13是以往的觸控面板的簡要剖視圖。 【主要元件符號說明】 100 1 2 3 4 11 ' 21 12 > 22 13 14、24 透明觸控面板 第—透明面狀體 第一透明面狀體 黏著層 覆蓋層 透明導電膜 透明基板 偏光片 底塗層 14a、24a 低折射率層 14b、24b 向折射率層 25/27

Claims (1)

1. 201201225 七、申請專利範圍： 1. -種透明面狀體，其特徵在於：該透明面狀體在透 明基板的-個面-側具有形成有圖案的透明導電 膜， 在上述透明基板的另-個面一側具有偏光片， 上述透明基板是相位差爲100_〜15〇_的相位差 膜，該相位差膜由降冰片烯和乙烯的共聚合比爲8〇 :20〜90: l〇、MVR (炫融體積流動速率）爲〇 8 〜2.0 cm3/l〇分鐘的環烯烴加成（共）聚合物製成 〇 2.如申請專利範圍第Μ之透明面狀體，其中上述透 明基板目在16G°C下進行3〇分鐘的熱處理造成的收 縮率在助方向（縱向）及TO方向（垂直方向） 上均為0.5%以下。 上如申w專利範圍第1或2項之透明面狀體，其中 在上述透明基板和上述透明導電膜之間設置有底 塗層， 上述底塗層由光折射率不同的兩層以上的積層體 構成，光折射率低的層是低折射率層，光折射率高 的層是高折射率層，上述透明導電膜形成在上述低 折射率層一側。 4.如申請專利範圍第3項之透明面狀體，其中 上述低折射率層由氧化矽形成， ^述)^折射率層由含有光折射率爲2 〇〜2 8的金屬 氣化物顆粒的樹脂材料形成。 種透明觸控面板’其特徵在於：至少具有-個如 26/27 201201225 申請專利範圍第i至4 上述透明面狀體的、# 任—項之透明面狀體， 不同的第二透^透明導電膜和與該透明導電膜 向相同的方向"。V電膜被配置成相互相對或者朝 27/27