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TW201144252A - Spattering target of aluminum oxide-zinc oxide group - Google Patents

Spattering target of aluminum oxide-zinc oxide group Download PDF

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Publication number
TW201144252A
TW201144252A TW100106839A TW100106839A TW201144252A TW 201144252 A TW201144252 A TW 201144252A TW 100106839 A TW100106839 A TW 100106839A TW 100106839 A TW100106839 A TW 100106839A TW 201144252 A TW201144252 A TW 201144252A
Authority
TW
Taiwan
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powder
zinc oxide
density
sintering
content
Prior art date
Application number
TW100106839A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Mizobuchi
Tomoyasu Yano
Original Assignee
Mitsui Mining & Amp Smelting Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Mining & Amp Smelting Co Ltd filed Critical Mitsui Mining & Amp Smelting Co Ltd
Publication of TW201144252A publication Critical patent/TW201144252A/zh

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Description

201144252 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關-種氧化紹—氧化辞系賤錄乾 之’係有關-種即使以低溫燒結亦可製造，為高密^口 並可適一形成_ 【先前技術】 氧仙摻雜騎形叙㈣（⑽所構成之膜 (_在平面顯示11、難面板及太陽電池等之領域 廣泛使用來作為透料⑽等其他的用途。但是，IT〇 — 主成分的銦係昂貴，故祕透明導_等之製造成本古= 問題。因此，期盼開發較ΙΤ0廉價的替代材料。 ΙΤ0之替代材料係以廉價的氧化鋅作為主成分之氧化 鋅系材料’其中以氧化!呂_氧化鋅系材料（AZG)或氧化錄 氧化鋅系材料（_備受注目。錦係於氧化鋅摻雜氧化紹 (Al2〇3)所形成之材料，為無色透明，且具有高導電性。 ΑΖ0獏一般係藉由使用AZ〇系的濺鍍靶的濺鍍法而形 成。在如此之濺鍍中，伴隨濺鍍之進行，於靶材表面產生 被稱為結瘤（nodule)之突起物，此成為 / ·、 达土电m (arcing)或潑濺（splash)，有時很難安定的成膜。又，電 弧等成為原因而使粒子（particle)於濺鍍室（3卯伙叶 chamber)内浮游，其附著於膜而降低AZ〇膜之品質。因此， 在滅鍵無之開發中，要求抑制結瘤等的發生之技術。如此 之技術係謀求之高密度化^又，為了提高賤鐵速 322881 4 201144252 度並實現有效率的成膜’尋求降低濺鍍靶之比電阻的技 術。即使是GZ0，亦存在與上述ΑΖ0同樣的情況。 就滿足上述要求之GZ0系的濺鍍靶而言，已提出例如 含有氧化鋁20至500質量ppm，燒結密度為5· 55g/cm3以 上之氧化鎵-氧化辞系燒結體濺鍍靶（專利文獻丨），或是含 有氧化錯20至2000質量ppm，燒結密度為5· 55g/cm3以上 之氧化鎵-氧化鋅系燒結體濺鍍靶（專利文獻2)等。 但是，專利文獻1及專利文獻2所記栽之濺鍍靶係在 藉由CIP(cold iS0Static press，冷均壓）形成原料粉末 後，若不燒結，則不會成為高密度。CIP為特殊之方法， 並非被廣泛使用者，又，其裝置昂貴，若進行此方法有 濺鍍靶之製造成本增大之問題。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1:日本專利第4054054號公報 專利文獻2:日本專利第4098345號公報 【發明内容】 (發明欲解決之課題） 本發明之目的為得到一種氧化鋅系濺錢乾，其可抑制 結瘤、電弧或粒子之產i，具有高的燒結密度及低的比電 阻率，不需使用特殊的裝置，可以低成本製造。 (用以解決課題之手段） 本發明人發現若於氧化鋅系濺鍍靶中含有Pb或Cd、 或其兩者，齡使;eip，亦可制高的燒結密度， 322881 5 201144252 因而完成本發明。 亦即，達成前述目的之本發明係一種氧化鋁_氧化鋅系 濺鐘靶，其特徵為：含有Pb及的至少一者。 前述氧化鋁-氧化鋅系濺鍍靶之適宜態樣係：在Pb及 Cd中只含有Pb ,其含量為4至2000質量ppin ; 在Pb及Cd中只含有cd，其含量為3至2000質量ppm; 含有Pb及Cd’各別之含量的合計為4至2000質量ppm。 前述氧化鋁-氧化鋅系濺鍍靶中，氧化鋁之濃度宜為 0.1至10質量％。 此外，其他之發明為一種氧化鋁_氧化辞系濺鍍靶的製 造方法，其特徵為：使含有氧化鋁粉末、與氧化鋅粉末、 與包含Pb及Cd的至少一者之粉末的混合粉末進行燒結。 (發明之效果） 本發明之氧化鋁-氧化鋅系濺鍍靶係不需使用如cip 之特殊裝置，可以低成本製造，並具有高的燒結密度。尤 其是本發明之錢鍵乾係即使燒結溫度為低溫，即使為例如 1300°C左右’亦成為高的燒結密度。例如，氧化銘漢度為 0. 5質量％時，即使燒結溫度為1300°C，燒結密度亦成為 5· 54g/cm3以上。因此’不需為了得到高的燒結密度而以高 溫燒結原料粉末，故對燒結爐之負擔小，可避免燒結爐之 早期劣化。又’因可低溫燒、结’故於燒結中可抑制源自原 料粉末之鋅等成分的揮發，靶材之組成的調整很容易，可 容易地藉由濺鍍而形成具有預定之組成的膜。又，氧化餘、 氧化鋅系濺鍍靶之比電阻小。更進一步，本發明之氧化在呂、 6 322881 201144252 氧化鋅系濺鍍靶係因靶材密度變高，而可抑制結瘤的生 成，再者，亦可抑制電弧或粒子的產生。因此，可進行安 定的濺鍍，進而亦可減少濺鍍速率減少率。 【實施方式】 <氧化蘇-氧化辞系錢鑛輕> 本發明之氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶之特徵為含有Pb及 Cd之至少一者。 當本發明之濺鍍靶係在Pb及Cd中只含有Pb時，Pb 之含量宜為4至2000質量ppm，較宜為5至1000質量ppm， 更宜為5至500質量ppm，尤宜為5至100質量ppm。 當本發明之濺鍍靶係在Pb及Cd中只含有Cd時，Cd 之含量宜為3至2000質量ppm，較宜為3至1000質量ppm， 更宜為3至500質量ppm，尤宜為3至100質量ppm。 當本發明之濺鍍靶係含有Pb及Cd之兩者時，Pb之含 量與Cd之含量的合計宜為4至2000質量ppm，較宜為5 至1000質量ppm，更宜為5至500質量ppm，尤宜為5至 100 質量 ppm。 若氧化鎵-氧化辞系濺鍍靶含有Pb或Cd、或是Pb及 Cd，則特別是在分別以上述所示之含量含有時，會得到高 的燒結密度。尤其是以上述含量含有Pb及Cd之至少一者 的氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶，即使以低溫燒結混合粉末，亦 可得到高的燒結密度。氧化鎵-氧化辞系濺鍍靶一般係藉由 將混合氧化鎵（Ga2〇3)粉末與氧化鋅（ZnO)粉末所得到之混 合粉末進行燒結來製造。此時，關於燒結體之燒結密度， 7 322881 201144252 一般係燒結溫度愈高則燒結密度愈大，若燒結溫度變低， 則燒結密度會降低。例如，混合粉末中之氧化鎵濃度為〇. 5 質量％時，若將其以所謂1500°C之高溫進行燒結，則即使 混合粉末未含有Pb及Cd，亦可得到燒結密度為5. 60g/cm3 以上之燒結體，但若以所謂1300°C之低溫燒結，則混合粉 末未含有Pb及Cd時，只可得到燒結密度約為5.53g/cm3 之燒結體。相對於此，在為以上述含量含有Pb及Cd之至 少一者的混合粉末時，無論是以1500°C之高溫燒結，或是 以1300°C之低溫燒結，均可得到燒結密度為5.60g/cm2以 上之燒結體。 若以1500°C以上之高溫進行燒結，則施於燒結爐之負 擔大，燒結爐之劣化變激烈。又，若以如此之高溫進行燒 結，則鋅等成分會從原料粉末揮發，各成分之組成會變化， 故有時無法形成具有預定之組成的靶材。本發明之濺鍍靶 係如上述般，即使以1300°C之低溫燒結亦可得到高的燒結 密度，故可減少施加於燒結爐之負擔，可降低燒結爐之劣 化。又，本發明之濺鍍靶係藉由如上述之低溫燒結而可抑 制燒結中源自混合粉末的鋅等成分之揮發，故容易得到預 定之組成。 如此之效果，在添加Pb及添加Cd之任一者均可得到。 又，即使令Pb與Cd共存，亦可得到該效果。此時之適宜 的Pb與Cd之合計量係與Pb或Cd單獨添加時無大幅差異。 從此等論述，認為對於上述效果，Pb與Cd係在氧化鎵-氧 化鋅系濺鍍靶_以同樣的機制進行作用者。又，由於即使 8 322881 201144252 在後述之氧化l氧化鋅^贿 濺鑛㈣同樣地顯現Pb * ed化鎵-氧化辞系 中以咖錄及氧化心氧化鋅系濺鍍輕 中以同樣的機制進行作用者。 又和 I特之氧化鎵_氧化鋅系濺鍍乾中的氧化鎵濃度係 :寺别限制，一般為0.1至10質《，宜為0.5至5.7質 =。。右氧化鎵濃度在此範圍内，可成為有效替代ιτ〇之材 \又\可適宜顯現由⑺及⑺所致的效果。此處，氧化 鎵濃度係指以Ga2〇3換算而標記之數值。 本發明之氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶係由汕及⑺之至少 任者的το素、Ga、Zn及〇、以及源自不可避免之雜質的 元素所構成。 本發明之濺鍍靶的密度係如前述般，燒結溫度愈高則 拴度變愈大，又，氧化鎵濃度愈高，則有密度變低之傾向。 關於本發明之濺鍍靶的密度，當氧化鎵濃度為0.5質量％ 時’以1200Ϊ之燒結則為5.49至5 54g/cm3,以13〇(rc之 燒結則為5. 60至5. 61g/cm3，以1400。(：之燒結則為5. 60 至 5. 61g/cm3 ’ 以 15〇〇。(：之燒結則為 5. 60 至 5. 61g/cm3。 當氧化鎵濃度為3. 0質量％時，以1200。(：之燒結則為5. 23 至 5.27g/cm3，以 13〇〇。〇之燒結則為 5.47 至 5.50g/cro3， 以1400 C之燒結則為5.48至5. 51g/cm3,以1500°C之燒結 則為5.50至5. 54g/cm3。當氧化鎵濃度為5. 7質量％時’以 1200 C之燒結則為5· 12至5. 16g/cm3，以130(TC之燒結則 為5.27至5.29g/cm3，以1400°C之燒結則為5.28至 9 322881 201144252 5.35g/cm3，以 1500°C 之燒結則為 5.40 至 5. 50g/cm3。 本發明之濺鍍靶係因含有Pb或Cd、或是Pb及Cd，尤 其是因分別以上述所示之含量含有，而使比電阻率低。本 濺鍍靶之密度亦與燒結密度同樣地，燒結溫度愈高則密度 變愈大，又，氧化鎵濃度愈高，則有密度變低之傾向。關 於本發明之濺鍍靶的比電阻率，當氧化鎵濃度為0.5質量％ 時，以1300之燒結則為1. 〇χι〇-3至2. 〇xi〇-3q · cm左右。 又，本發明之濺鍍靶係因含有Pb或cd、或是Pb及Cd， 尤其是因分別以上述所示之含量含有，而使濺鍵速率減少 率低。關於本發明之濺鍍靶的濺鍍速率減少率，當氧化鎵 濃度為0.5質量％，在13〇〇之燒結溫度時則為19至23%左 右。又，關於濺鍍速率減少率的測定方法，係在實施例中 詳述。 本發明之氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶係例如从即 法製造。製造在Pb及Cd中只含有Pb的濺鍍靶時，以信 pb之含量成為5至1〇00質量卯m的方式，將含有pb之求 末與氧化鎵（Ga^)粉末與氧化鋅（Zn〇)粉末混合而製作免 合粉末，並燒結此混合粉末。s造在Pb& cd +只含有c 的賤錄時，以使Cd之含量成為3至_質量_的戈 式，將対Gd讀末與氧傾粉末純倾粉末混合而f 作成合粉末，錢結此混合粉末。製造含有％及cd之碎 ^的濺錄時，以使Pb之含量與Cd之含量的合計成為 質量卿的方式，將含有pb之粉末與含有cd之啦 ”氧化鎵粉末與氧化鋅粉末混合而製作混合粉末，並灌 10 322881 201144252 結此混合粉末。當濺鍍靶中之氧化鎵的濃度設為0.5至5 Ί 質量％時，在上述各情形t，只要以使氧化鎵之濃度成為 0· 5至5. 7質量％之方式混合氧化錄粉末而製作混合粉末即 cFj" 〇 前述含有Pb之粉末可為Pb之金屬粉末、Pb之氧化物 粉末及其他之Pb化合物粉末的任一者。Pb之氧化物可舉 例如PbO、Pb〇2、及Pb3〇4專。前述含有cd之粉末可為cd 之金屬粉末、Cd之氧化物粉末及其他之cd化合物粉末的 任一者。Cd之氧化物可舉例如CdO。 前述含有Pb之粉末、含有Cd之粉末、氧化鎵粉末及 氧化鋅粉末的以BET(Brunauer-Emmett-Teller)法所測定 之平均粒徑一般為0. 05至〇. 5/zm。 混合粉末係藉由將前述各粉末以例如球磨機等進行混 合而得到。 混合粉末之燒結方法係無特別限定，但一般採用使此 成形而成為成形體，再以燒結爐進行燒結的方法。混合粉 末係可直接成形而成為成形體，亦可依需要而於混合粉末 中加入黏結劑（binder)而成形。此黏結劑係可使用在公知 之粉末冶金法中得到成形體時所使用的黏結劑，例如聚乙 烯醇等。λ，所得到之成形體可依需要而藉由在公知的粉 末冶金法巾所採用的方法進行脫脂。成形方法亦可適用在 公知之粉末冶金法巾所採用的方法。树，本發明之氣化 鎵-氧化鋅系濺餘係不需使用如⑽之特殊的成形方 法，即可製造成高密度。 322881 11 201144252 藉由燒結所得到之成形體以得到燒結體。燒結係可使 用在公知之粉末冶金法中所採用的燒結爐。燒結環境宜為 含有氧氣的氣體。具體上係以大氣為首，而可舉例如氧氣、 氮氣與氧氣之混合氣體、氬氣與氧氣之混合氣體、及氮氣 與氬氣與氧氣之混合氣體等。在含有氧氣之氣體中的氧濃 度宜為5至1 OOvol%。又，亦可一邊在大氣中吹入氧氣一 邊燒結。 如前述般，本發明之氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶係即使不 以1500°C之高溫進行燒結，亦可形成高密度。例如氧化鎵 濃度為0.5質量％時，即使以1300°C之低溫進行燒結，亦 可得到5. 60g/cm3以上之燒結密度。 <氧化鋁-氧化鋅系濺鍍靶> 本發明之氧化鋁-氧化鋅系濺鍍靶的特徵為含有Pb及 Cd之至少一者。 本發明之濺鍍靶係在Pb及Cd中只含有Pb時，Pb之 含量宜為4至2000質量ppm，較宜為5至1000質量ppm， 更宜為5至500質量ppm，尤宜為5至100質量ppm。 本發明之濺鍍靶係在Pb及Cd中只含有Cd時，Cd之 含量宜為3至2000質量ppm，較宜為3至1000質量ppm， 更宜為3至500質量ppm，尤宜為3至100質量ppm。 本發明之濺鍍靶含有Pb及Cd之兩者時，Pb之含量與 Cd之含量的合計宜為4至2000質量ppm，較宜為5至1000 質量ppm，更宜為5至500質量ppm，尤宜為5至100質量 ppm ° 12 322881 201144252 若氧化鋁氧化鋅系濺鑛乾含有％或cd、或是Pb及 Cd ’特別疋在分別以上述所示之含量含有時，會得到高的 ^〇、、’。後_度。尤其以上述含量含有％及⑺之至少一者的氧 =紹:氧化鋅彡、崎㉟’係卩卩使以m料合粉末，亦可 付到尚的燒結密度1化氧化鋅线神，般係藉由將 混合氧化鋁（Ahoo粉末與氧化鋅（Zn〇)粉末所得到之混合 粕末進行燒結來製造。此時，關於燒結體之燒結密度，一 般係燒結溫度愈高則燒結密度愈大，若燒結溫度變低，則 燒結密度降低。例# ’混合粉末中之氧化銘濃度$ 2 〇質 量％時，若再以1500X：之高溫燒結，則即使混合粉末未含 有Pb及Cd，亦可得到燒結密度為5. 54g/cm3以上之燒結 體，但若以1300¾之低溫燒結，則混合粉末未含有pb及 cd時，只可得到燒結密度約為5 47g/cm3之燒結體。相對 於此，在為以上述含量含有Pb及Cd之至少一者的混合粉 末時，無論是以1500°C之高溫燒結，或是以i30(rc之低溫 燒結，均可得到燒結密度為5. 54g/cm2以上之燒結體。 若以1500°C以上之高溫進行燒結，施於燒結爐之負擔 大’燒結爐之劣化變激烈。又，若以如此之高溫進行燒結， 則鋅等成分會從原料粉末揮發，各成分之組成會變化，故 有時無法形成具有預疋之組成的輕材。本發明之賤鍍乾係 如上述般，即使以130(TC之低溫燒結亦可得到高的燒結密 度’故可減少施加於燒結爐之負擔，可降低燒結爐之劣化。 又，本發明之濺鍍靶係藉由如上述之低溫燒結，而可抑制 燒結中源自混合粉末的鋅等成分之揮發，故容易得到預定 322881 13 201144252 之組成 如此之效果，在添加Pb及添加c 又，即使令Pb與Cd i£左者均可得到。 的此與Cd之二m到該效果。此時之適宜 從此等論述，認為對於;、+=cd早獨添加時無大鴨差異。 化鋅系辭物X同樣的機::行氧化^氧 鎵—氧化鋅系•…亦與氧化紹:氧= ，鑛_同樣地顯現Pb及Cd之添加效=化：系 d係在氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶及氧化鋁、.及 中以同樣的機制進行作用者。、&化鋅錢鍍乾 無特別:j之===:系:_的氧化叙濃度係 ==濃度在__，可成為有效替 銘遭产针見由此及W所致的效果。此處，氧化 晨度係指以㈣3換算而標記之數值。 任一^發明之氧化^氧化鋅系濺_係由Pb及Cd之至少 元素所::素、A1、如及〇、以及源自不可避免之雜質的 電阻 濺鍍 率；^於本發明之氧化IS'氧化鋅系雜㈣密度、比 速率減少率’係具有與前述氧化鎵-氧化鋅系 乾同樣之效果。 本發明之氧化銘-氧化辞系濺鑛祕例如以如下之方 法當製造在Pb及ed中只含有pb⑽餘時，以使 之3量成為5至1000質量ΡΡίπ的方式，將含有Pb之粉 322881 201144252 氧化鋅⑽)粉末混合而製作混 二r粉末。當製造在％及财只含有 之含量成為3至圆質量的 製:乍、二、太二、:末與氧化鋁粉末與氧化鋅粉末混合而 製:末燒結此現合粉末。當製造含有Pb及Cd =者的舰把時，以使Pb之含量與Cd之含量的合計成 為5、至刪質量卿的方式，將含有pb之粉末與含有Cd 之私末與氧化絲末錢化鋅粉末混合*製作混合粉末， 並UM私末。在機錄中之氧化銘的濃度設為5 至6.0質罝％時’在上述各情形中，只要以使氧化銘之漠度 成為0· 5至6· 0質里/。之方式混合氧化铭粉末而製作混 末即可。 前述含有Pb之粉末可為Pb之金屬粉末、Pb之氧化物 粉末及其他之Pb化合物粉末的任—者。pb之氧化物可舉 例如Pb〇、Pb〇2、及Pb^等。前述含有Cd之粉末可為cd 之金屬粉末、Cd之氧化物粉末及其他之Cd化合物粉末的 任一者。Cd之氧化物可舉例如CdO。 前述含有Pb之粉末、含有Cd之粉末、氧化鋁粉末及 氧化鋅粉末的以BET(Brunauer-Emmett-Teller)法所測定 之平均粒徑一般為0. 05至0. 5 // m。 混合粉末係藉由將前述各粉末以例如球磨機等進行混^ 合而得到。 在混合粉末之燒結方法中係無特別限定，但一般採用 使此成形而成為成形體’再以燒結爐進行燒結的方法。混^ 322881 15 201144252 合粉末可直接成糾成為成形體’亦可依需料於混合粉 末中加入黏結劑而成形。此黏結劑係可使用在公知之粉末 冶金法中得到成形體時所使用的黏結劑，例如聚乙稀醇 等。又’所得到之成形艘亦可依需要而藉由在公知的粉末 冶金法中所制的方料行旨。成形方法亦可適用在公 知之粉末冶金法中所採用的方法。亦即，本發明之氧化銘一 氧化鋅线練係不使用如CIP之特殊的成料法，而可 製造成高密度。 藉由燒結所得到之成形體以得到燒結體。燒結係可使 用在公知之粉末冶金法巾所制㈣結爐。燒結環境宜為 含有氧氣的氣體。具體上係以大氣為首，而可_如氧氣、 =與氧氣之混合氣體、氬氣與氧氣之混合氣體、及氮氣 與氧氣之混合氣料。在含有氧氣之氣體中的氧濃 5至驗。又，亦可在大氣卜邊吹入氧氣一 以15tn!^般，本發明之氧化^氧化鋅系職㈣即使不 0CM溫騎燒結，亦可形成高密度。例如氧化敍 0.5質量％時’即使以130(rc之低溫進行燒結，市 叮得到5.54g/cm3以上之燒結密度。 上述氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶係於 所構成的系中含右士、+ & 氧化錄及氧化辩 替h #成之機料，氧德-氧化鋅系 由f化缺氧化鋅所構成的系中含有Pb等而 成之濺鍍靶，但如上所述，pb等 氧化鋅系雜減氧化H氧化^、絲係於氧化鎵- 孔5乳化鋅系濺餘中同樣地 322881 16 201144252 現，故認為即使是在由氧化鎵、氧化鋁及氧化鋅系所構成 的系中含有Pb等而成之濺鍍靶中，亦可得到與上述氧化鎵 -氧化鋅系濺鍍靶等為同樣的效果者。 又，關於混合粉末中或濺鍍靶中之Pb、Cd、Ga及A1 等之化學組成，係可藉由ICP法等進行測定。在以下之實 施例中已確認混合粉末中之Pb、Cd、Ga及A1等之濃度與 濺鍍靶中之Pb、Cd、Ga及A1等之濃度相同。 [實施例] 首先，說明在實施例中採用的測定方法。 <密度及相對密度> 依據阿基米德（Aruchimedis)法測定前述藏鍍乾的相 對密度。具體上，係將濺鍍靶之空中重量除以體積（濺鍍靶 之水中重量/計測溫度中之水比重）而算出密度，以此密度 相對於依據下述式（X)而得之理論密度p (g/cm3)的百分率 之值作為相對密度（單位：％)。結果表示於表1中。
Ci/100 C2/IOO , , Ci/100 ρ = -+--1-----1-- , P 1 P 2 P ' 、 J …⑴ (式（X)中，匕至Ci分別表示靶材燒結體的構成物質的含量 (重量％)，PI至Pi表示對應於匕至Ci之各構成物質的密度 (g/cm3)。） <比電阻率> 比電阻率係藉由依據JIS K7194之四探針法，使用 Loresta GP MCP-T610(三菱化學（股）製）而測定。 17 322881 201144252 <濺鍍速率減少率> 使直徑4吋（inch)、厚5mm之濺鑛無接合於支樓板 (backing plate)上，依據下述之濺鍍條件而實施濺鍍處 理。以投入電力量3W/cm2進行此處理。 <濺鍍條件> 裝置：DC磁控錢鐘裝置，排氣系低溫栗（cryopump)、 旋轉泵（rotary pump) 到達真空度：3xlO_6Pa 濺鍍壓力：0. 4Pa 氧分壓：lxl(T3Pa 以上述條件之濺鍍處理進行30、60、120及180分鐘 成膜，測定各時間點之膜厚。以橫軸作為處理時間，以縱 軸作為膜厚，而製成曲線。將濺鍍開始時及濺鍍終止時之 前述曲線的切線之斜率，分別作為濺鍍開始時之濺鍍速率 Ri及減鑛終止時之錢鍍速率Re ’並依下式求出賤锻速率減 少率。減;鍍終止時係指把材的侵姓部（經錢鑛而被挖掘最深 之部分）的厚度成為1mm之時間點。 [濺鍍速率減少率]=[(Ri-Re)/Ri]xl〇〇 <氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶> [Pb及Cd之含量所產生的效果以及以燒結溫度所產生之效 果的比較] (參考例GP1至GP9) 以使Pb之含量成為表1所示數值的方式，又’以使氧 化鎵（Ga2〇3)之含量成為0·5質量％的方式，混合Pb〇粉末與 322881 201144252 氧化嫁（Ga2〇3)粉末與氧化鋅（ZnO)粉末，置人20公升的聚 丙烯製槪中’藉由球磨機混合而製作混合粉末。介質為直 徑lOmra之Zr〇2球。所使用之粉末、氧化錄粉末及氧化 鋅粉末的以BET法測定的平均粒徑分別為㈣㈣、〇12 β m、及 0. 35 y m。 於混合粉末中，相對於混合粉末添加稀釋成4質量％ 之聚乙騎6質量％ ’使用乳砵而使聚乙稀醇充分浸入粉 末，並使其通過5.5、網目之篩。將混合有聚乙稀醇之混合 粉末填充於沖壓用的模具，以沖壓5〇〇Kg/cm2進行單轴成形 60秒。 將所得到之成形體置入容量約lm3之燒結爐中，在大氣 中以1200 c燒結8小時。使昇溫速度為1〇〇〇C/小時，降溫 速度為10 0 C /小時。 藉由切削加工所得到之燒結體，製造474x305xl2mmt 之氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶。又，在濺鍍速率減少率測定中 為直徑4吋、厚度5mm。 對於此氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶，以上述之方法測定密 度。結果表不於表1中。 (比較例G1) 除了未使用PbO粉末以外，其餘係與實施例gpi相同 做法而製造氧化鎵-氧化鋅系濺鑛乾。 對於此氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶，以上述之方法測定密 度。結果表不於表1中。 (參考例GP10至GP18) 19 322881 201144252 除了以使Pb之含量成為表2所示數值的方式，又，以 使氧化鎵（Ga2〇3)之含量成為0 5質量％的方式，混合pb〇粉 末與氧化鎵（Ga2〇3)粉末與氧化鋅（Zn〇)粉末而製作混合粉 末，並使燒結溫度為1300¾以外，其餘係與實施例Gpi相 同做法而製造氧化鎵-氧化鋅系賤鍵把。 對於此氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶，以上述之方法測定密 度、比電阻率及濺鍍速率減少率。結果表示於表2中。 (比較例G2) 除了未使用PbO粉末及使燒結溫度為13〇〇。匚以外，其 餘係與實施例GP1相同做法而製造氧化鎵_氧化鋅系濺鍍 乾。 對於此氧化鎵-氧化鋅系濺鐘乾，以上述之方法測定密 度、比電阻率及濺鍍速率減少率。結果表示於表2中^ (參考例GP19至GP27) 除了以使Pb之含量成為表3所示數值的方式，又，以 使氧化鎵（Ga2〇3)之含量成為〇. 5質量％的方式，混合pb〇粉 末與氧化鎵（GaA3)粉末與氧化鋅（Zn〇)粉末而製作混合粉 末’並使燒結溫度為14〇〇t以外，其餘係與實施例GP1相 同做法而製造氧化鎵—氧化鋅系濺鍍靶。 對於此氧化鎵-氧化鋅系濺錢乾，以上述之方法測定密 度。結果表示於表3中。 (比較例G3) 除了未使用PbO粉末及使燒結溫度為i40(TC以外，其 餘係與實施例GP1相同做法而製造氧化鎵-氧化鋅系濺鍍 20 322881 201144252 起。 對於此氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶，以上述之方法測定密 度。結果表示於表3中。 (參考例GP28至GP36) 除了以使Pb之含量成為表4所示數值的方式，又，以 使氧化鎵（Gaz〇3)之含量成為〇. 5質量％的方式，混合pb〇粉 末與氧化鎵（Gaz〇3)粉末與氧化鋅（Zn〇 )粉末而製作混合粉 末，並使燒結溫度為15〇(Tc以外，其餘係與實施例GP1相 同做法而製造氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶。 對於此氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶，以上述之方法測定密 度。結果表示於表4中。 (比較例G4) 除了未使用Pb〇粉末及使燒結溫度為15〇(rc以外，其 餘係與實施例GP14目同做法而製造氧化鎵_氧化鋅系賤錢 乾。 對於此氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶，以上述之方法測定密 度。結果表示於表4中。 (參考例GC1至GC9) 除了使用CdO粉末取代Pb〇粉末，以使cd之含量成為 表5所示數值的方式’又以使氧化鎵（Ga2〇3)的含量成為5 質量％的方式’混合cd〇粉末與氧化鎵（Ga2〇3)粉末與氧化鋅 (ZnO)粉末而製作混合粉末以外，其餘係與實施例Gpi相同 做法而製造氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶。所使用之Cd〇粉末之 以BET法測定的平均粒徑為〇 34^m。 21 322881 201144252 度 對於此氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶 。結果表不於表5中。 ’以上述之方法測定密 (參考例GC10至GC18) 除了使用CdO粉末取代m粉末’以使Cd之含量成為 值的Γ’又以使氧化鎵㈣3)的含量成為u :/昆σ Cd0粉末與氧化鎵（Ga2〇3)粉末與氧化鋅 ^々末而製作混合粉末’並使燒結溫度為⑽代以外， ^係與實施例GP1相同做法而製造氧化錄_氧化辞系賤 對於此氧化鎵-氧化鋅系錢錄，以上述之方法測定密 度 '比電阻率及濺鑛速率減少率。結果表示於表6中。 (參考例GC19至GC27) 除了使訂d〇粉末取代Pb0粉末，以使Cd =示數值的方式’又以使氧化鎵（_的含量成= 。的方式，混合⑽粉末與氧化鎵（Ga2〇〇粉末與氧化辞 η )粉末而製作混合粉末，並使燒結溫度為以外， ^係與實施例GP1相同做法而製造氧化鎵_氧化辞系職 度 對於此氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶 結果表示於表7中。 以上述之方法測定密 (參考例GC29至GC36) 除了使用cd〇粉末取代Pb0粉末，以使Cd之含量成為 斤示數值的方式，又以使氧化鎵(Ga2〇3)的含量成里為。:5 量的方式’混合CdO粉末與氧化鎵（GhO3)粉末與氧化鋅 322881 22 201144252 (ZnO)粉末而製作混合粉末，使燒結溫度為15〇(rc以外， 其餘係與實施例GP1相同做法而製造氧化鎵-氧化鋅系濺 鍍乾。 對於此氧化鎵-氧化鋅系滅鐘乾，以上述之方法測定密 度。結果表不於表8中。 (參考例GPC1至GPC9) 除了使用CdO粉末取代Pb〇粉末，以使Pb及cd之含 量成為表9所示數值的方式’又以使氧化鎵的含量 成為0.5質量％的方式，混合Pb〇粉末與Cd〇粉末與氧化鎵 (Ga2〇3)粉末與氧化鋅（Zn〇)粉末而製作混合粉末，並使燒結 溫度為1300°C以外，其餘係與實施例GP1相同做法而製造 氧化鎵-氧化鋅系濺鍍乾。 對於此氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶，以上述之方法測定密 度、比電阻率及濺鍍速率減少率。結果表示於表9中。 從表1可知，燒結溫度為120(TC時，藉由添加Pb而 顯現提高轉之密度的效果，但因燒結溫度低，故與燒結 溫度為130(TC以上時相比較，其密度未變大。 從表2可知，燒結溫度為130(TC時，藉由添加pb而 tit”變高’比電阻率亦隨之降低。關於濺鍍 文〜〉率’當％添加量為1〇PPm以下時若Pb添加量愈 定則=3: 7加量超過Μ，’則該率約成為-〇果可知’含有pb且以1300°C的燒結所得到的 乾材係雜速率減少率低，可進行安定的錢錢。 從表3可知，燒結溫度為14〇〇ΐ時，藉由添加此而 322881 23 201144252 使乾材之密度變高至約為理論密度附近。 從表4可知’燒結溫度為uoot時，即使不添加pb， 亦可得到大的密度，但藉由添加Pb而更進一步提高密度。 從表5至表8可知，添加Cd時，亦得到與表1至4所 示之添加Pb時的效果同樣的效果。 從表9可知，添加Pb及Cd之兩者並以130(TC燒結時， 亦得到與單獨添加表2所示之Pb並以1300。(：燒結時的效 果同樣之效果。 [氧化鎵之含量所致之效果的比較] (參考例GP37至GP42) 除了以使Pb之含量及氧化鎵（GazO3)之含量成為表1〇 所示之數值的方式’混合Pb〇粉末與氧化鎵（Ga2〇3)粉末與 氧化辞（ZnO)粉末而製作混合粉末，並使燒結溫度為13〇〇 C以外，其餘係與實施例GP1同樣做法而製作氧化鎵_氧化 鋅系濺鍍靶。 對於此氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶，以上述之方法進行密 度及相對密度之測定。結果表示於表10中。又，對於實施 例GP12及GP14亦進行相對密度的測定，其結果表示於表 10 〇 (比較例P1至P2) 除了以使Pb之含量成為表10所示之數值的方式，又 不使用氧化鎵（Ga2〇3)粉末’混合PbO粉末與氡化鋅（Zn〇) 粉末而製作混合粉末’並使燒結溫度為1300°c以外，其餘 係與實施例GP1同樣做法而製作氧化辞系濺鍍乾。 322881 24 201144252 對於此氧化辞系_乾，以上述之方法進行密度及相 對密度之測定。結果表示於表1〇中。 (比較例1) 除了不使用PbO粉末及氧化鎵（Ga2〇3)粉末而只使用氧 化鋅粉末’並使燒.度為13Gm卜，其餘係與 實施例GP1同樣做法而製作氧化辞系濺鍍靶。 對於此氧化鋅系濺鍍靶，以上述之方法進行密度及相 對进度之測定。結果表示於表1 〇中。 (比較例G5至G7) 除了不使用PbO粉末，又以使氧化鎵之含量成 為表10所不之數值的方式，混合氧化鎵卬出⑴）粉末盥氧化 鋅⑽）粉末而製作混合粉末，並使燒結溫度為㈣。〇以 外，其餘係與實施例GP1同樣做法而製作氧化鎵_氧化辞系 濺鍍靶。 ’ 對於此氧化鋅系濺鍍乾，以上述之方法進行密产及 對密度之測定。結果表示於表丨〇中。 又 (參考 GC37 至 GC42) 除了使用Cd〇粉末取代Pb0粉末，以使Cd之含量及氧 化鎵（Ga.)之含量成為表u所示之數值的方式，混合⑽ 粉末與氧化鎵（GaA)粉末與氧化鋅（Zn〇)粉末而製作混合 粉末’並使燒結溫度為13()(rc以外，其餘係與實施例肥 同樣做法而製作氧化鎵-氧化辞系濺鍍靶。 對於此氧化鎵-氧麟线_，以上述之方法進行密 度及相對密度之測定。結果表示於表u中。又，對於實施 322881 25 201144252 例GC12及GC14亦進行相對密度的測定，其結果表示於表 11。 (比較例C1至C2) 除了使用CdO粉末取代Pb〇粉末，以使cd之含量成為 表11所示之數值的方式，又不使用氧化鎵（Ga2〇3)粉末，混 合CdO粉末與氧化鋅（ZnO)粉末而製作混合粉末，並使燒結 溫度為1300°C以外’其餘係與實施例Gpi同樣做法而製作 氧化辞系濺鍍靶。 對於此氧化鋅系激鍵乾，以上述之方法進行密度及相 對密度之測定。結果表示於表11中。 從表10可知，若GazO3之含量變多，則很難燒結，有 乾材之达' 度降低的傾向，但藉由添加Pb，即抑制其傾向， 即使為高Ga2〇3含量’亦得到充分高的密度。 從表11可知，在添加Cd時，亦得到與表1〇所示之添 加Pb時的效果同樣之效果。 [含有之金屬的種類所致之效果的比較] (比較例GA1 1至GA1 2) 除了使用AhO3粉末取代Pb〇粉末，以使A1之含量成 為表12所示之數值的方式，又以使氧化鎵（Ga2〇3)之含量成 為0.5質量％的方式，混合Ah〇3粉末與氧化鎵（Ga2〇3)與氧 化鋅（ZnO)粉末而製作混合粉末，並使燒結溫度為13〇〇t： 以外，其餘係與實施例GP1同樣做法而製作氧化鎵_氧化鋅 系濺鍍靶。所使用之A12〇3粉末的以BET法測定之平均粒徑 為 0. 33 // m。 322881 26 201144252 對於此氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶，以上述之方法進行密 度之測定。結果表示於表12中。 (比較例GZrl至GZr2) 除了使用Zr〇2粉末取代pb〇粉末，以使Zr之含量成為 表12所示之數值的方式，又以使氧化鎵（Ga2〇3)之含量成為 0· 5質量％的方式，混合Zr〇2粉末與氧化鎵（Ga2〇3)與氧化鋅 (ZnO)粉末而製作混合粉末，並使燒結溫度為13〇〇°c以外， 其餘係與實施例GP1同樣做法而製作氧化鎵-氧化鋅系濺 鍍靶。所使用之Zr〇2粉末的以BET法測定之平均粒徑為 0. 22 y m 〇 對於此氧化鎵-氧化辞系減鑛乾，以上述之方法進行密 度之測定。結果表示於表12中。 (比較例GInl至GIn2) 除了使用Im〇3粉末取代Pb〇粉末，以使In之含量成 為表12所示之數值的方式，又以使氧化鎵（Ga2〇3)之含量成 為0.5質量°/。的方式，混合丨化⑴粉末與氧化鎵（Ga2〇3)與氧 化鋅（ZnO)粉末而製作混合粉末，並使燒結溫度為 以外，其餘係與實施例GP1同樣做法而製作氧化鎵_氧化鋅 系濺鍍靶。所使用之Ιη^粉末的以BET法測定之平均粒句 為0. 13 // m。 叫工 對於此氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶，以上述之方法進行户 度之測定。結果表示於表丨2中。 订进 (比較例GSnl至GSn2) 除了使用Sn〇2粉末取代pb〇粉末，以使Sn之含量成為 322881 27 201144252 表12所示之數值的方式’又以使氧化鎵（Ga2〇3)之含量成為 0· 5質量％的方式’混合Sn〇2粉末與氧化鎵（Ga2〇3)與氧化鋅 (ZnO)粉末而製作混合粉末，並使燒結溫度為13〇〇。〇以外， 其餘係與實施例GP1同樣做法而製作氧化鎵-氧化鋅系濺 鍍靶。所使用之Sn〇2粉末的以BET法測定之平均粒徑為 0. 14/zm。 對於此氧化鎵-氧化鋅系濺鍍靶，以上述之方法進行密 度之測定。結果表示於表12中。 (比較例GSbl至GSb2) 除了使用Sb2〇3粉末取代Pb〇粉末，以使sb之含量成 為表12所示之數值的方式，又以使氧化鎵（Ga2〇3)之含量成 為0. 5質量％的方式’混合Sb2〇3粉末與氧化鎵（Ga2〇3)與氧 化鋅（ZnO)粉末而製作混合粉末，並使燒結溫度為13〇〇ΐ 以外，其餘係與實施例GP1同樣做法而製作氧化鎵-氧化鋅 系濺鍍靶。所使用之Sb2〇3粉末的以BET法測定之平均粒徑 為 0· 24 v m 〇 對於此氧化蘇-氧化辞系濺鑛乾，以上述之方法進行密 度之測定。結果表示於表12中。 (比較例GBil至GBi2) 除了使用Bh〇3粉末取代pb〇粉末，以使μ之含量成 為表12所示之數值的方式，又以使氧化鎵（Ga2〇3)之含量成 為0. 5質罝％的方式’混合BhCb粉末與氧化鎵（Ga2〇3)與氧 化鋅（ZnO)粉末而製作混合粉末，並使燒結溫度為13〇〇ΐ 以外’其餘係與實施例GP1同樣做法而製作氧化鎵_氧化辞 322881 28 201144252 系濺鍍靶。所使用之Bh〇3粉末的以BET法測定之平均粒和 為 0. 37 // m。 對於此氧化錄-氧化辞糸錢鍛乾，以上述之方法進行密 度之測定。結果表示於表12中。 (比較例GCul至GCu2) 除了使用CuzO粉末取代Pb〇粉末’以使Cu之含量成 為表12所示之數值的方式，又以使氧化鎵（(^2〇3)之含量成 為0.5質量％的方式，混合CmO粉末與氧化鎵（(^2〇3)與氧 化鋅（ZnO)粉末而製作混合粉末，並使燒結溫度為丨3〇〇它 以外，其餘係與實施例GP1同樣做法而製作氧化鎵_氧化鋅 系濺鍍靶。所使用之CuzO粉末的以BET法測定之平均粒徑 為 0. 24 // m。 對於此氧化鎵-氧化鋅系濺鑛乾，以上述之方法進行密 度之測定。結果表示於表12中。 (比較例GNil至GNi2) 除了使用NiO粉末取代pb〇粉末，以使Ni之含量成為 表12所示之數值的方式，又以使氧化鎵卬出…）之含量成為 〇.5質量％的方式，混合Ni〇粉末與氧化鎵與氧化鋅 (ZnO)粉末而製作混合粉末，並使燒結溫度為η⑽。匚以外， 其餘係與實施例GP1同樣做法而製作氧化鎵_氧化辞系錢 鑛乾。所使用之_粉末的以βΕΤ法測定之平均粒徑為〇· μ // m。 * 對於此氧化鎵-氧化鋅系錢鑛I，以上述之方法進行密 度之測定。結果表示於表12中。 322881 29 201144252 從表12可知，所添加之各種的金屬中，對於燒結密度 顯現靶材很大的效果者係只有Pb及Cd，其他之金屬係二 果小’甚至為反效果。 <氧化鋁-氧化鋅系濺鍍靶〉 (實施例API至AP10) 以使Pb及氧化鋁（A12〇3)之含量成為表13所示數值的 方式，混合Pb〇粉末與氧化鋁（Al2〇3)粉末與氧化鋅（Zn〇) 粉末，置入2G公升的聚丙烯製瓶中，II由球磨機混合而製 作混合粉末。介質為直徑l〇min之Zr〇2球。所使用之pb〇 粉末、氧化鋁粉末及氧化鋅粉末的以BET法測定的平均粒 控分別為 0· 24/zm、〇· 33ym、及 〇. 。 於混合粉末中，相對於混合粉末添加稀釋成4質量％ 之聚乙烯醇6質量％’使用乳蛛而使聚乙歸醇充分浸入粉 末，通過5.5網目之篩。使混合有聚乙烯醇之混合粉末填 充於沖壓用的模具，以沖壓5〇〇Kg/cm2進行單軸成形⑽秒。 使所得到之成形體置入容量約lm3之燒結爐中，在大氣 中以1200 C燒結8小時。使昇溫速度為i〇〇°c/小時，降溫 速度為100°C/小時。 藉由切削加工所得到之燒結體，製造474x305x12mm之 氧化紹-氧化鋅系濺鍍靶。又，在濺鍍速率減少率測定中為 直徑4吋、厚度5mm。 對於此氧化紹_氧化鋅系濺鍍靶，以上述之方法測定密 度。結果表示於表13中。又，關於實施例Ap3、實施例AP4 及比較例A2係以上述之方法進行濺鍍速率減少率的測 30 322881 201144252 定。結果表示於表13中。 (比較例A1至A5) 除了不使用PbO粉末，又以使氧化鋁（Ah〇3)的含量成 為表13所示之數值的方式，混合氧化鋁（ai2〇3)粉末與氧化 鋅（ZnO)粉末以外，其餘係與實施例API同樣做法而製作氧 化鋁-氧化鋅系濺鑛乾。 對於此氧化鋁-氧化鋅系濺鍍靶，以上述之方法進行密 度之測定。結果表示於表13中。 (實施例AC1至AC10) 除了以使Cd及氧化鋁（Ah〇3)之含量成為表14所示數 值的方式’混合CdO粉末與氧化鋁（Ah〇3)粉末與氧化鋅 (ZnO)私纟’置a 20公升的聚丙稀製瓶中，藉由球磨機混 合而製作混合粉末以外，其餘係與實施例Αρι同樣做法而 製k氧化！g氧化鋅系濺鑛乾。所使用之⑽粉末的以βΕΤ 法所測定之平均粒徑為〇. 34“ ^。 對於此氧化氧化鋅系賤鍍&，以上述之方法測定密 度。結果表祕表14巾。又，關於實關[及實施例 AC4係以上述之方法進行濺鍍速率減少率。結果表示於表 從表13可知 ,.,^ ^ ^ ^ Al2〇3之含量變多，則很難燒結， 靶材之捃度降低的傾向 , 蚀&古η人曰 仏藉由添加Pb，即抑制其傾向， 即使為同A12〇3含置，亦可 你、*玄…士 , f / T了件到充分高的密度。又，可知濺 鍍速率減少率係Pb添‘曰& > ^ 繼係可藉由添力，:安氧化㈣化辞系 322881 31 201144252 從表14可知’添加Cd時，亦可得到與表13所示之添 加Pb時的效果同樣的效果。 (實施例AP11至APio 除了以使Pb之含量成為表15所示之數值的方式，又， 則吏氧化紹（ai2〇3)之含量成為2. 〇質量％的方式，混合pb〇 粉末與氧化紹（Al2〇3)粉末與氧化辞（Zn〇)粉末，更進一步使 成形體以表15所示之燒結溫度燒結以外，其餘係與實施例 API同樣做法而製造氧化紹—氧化辞系麟乾。 對於此氧化紹-氧化鋅系濺鍍靶，以上述之方法測定密 度。結果表示於表15中。 (實施例AC11至AC16) 除了以使Cd之含量成為表16所示之數值的方式，又， 以使氧化鋁（Ai2〇3)之含量成為2 〇質量％的方式，混合Cd〇 粉末與氧化鋁（Ah〇3)粉末與氧化鋅（Zn〇)粉末，更進一步使 成形體以表16所示之燒結溫度燒結以外，其餘係與實施例 AC1同樣做法而製造氧化鋁_氧化鋅系濺鍍靶。 對於此氧化鋁-氧化鋅系濺鍍靶，以上述之方法測定密 度。結果表示於表16中。 從表15可知，1200X：、140(Tc、及150(^c之燒結時， 亦得到與13 0 0 C之燒結時同樣之添加pb之效果。 從表16可知，1200 C、1400°c、及1500〇c之燒結時， 亦得到與13〇〇°C之燒結時同樣之添加μ之效果。 322881 32 201144252 -士 [表 1 ]
Pb含量 (ppm) Ga2〇3含量 (質量％) 燒結溫度 (°C) 密度 (g/cm3) 比較例G1 0 0. 5 1200 5. 481 參考例GP1 2 0. 5 1200 5. 482 參考例GP2 3 0. 5 1200 5. 482 參考例GP3 5 0. 5 1200 5. 493 參考例GP4 8 0. 5 1200 5. 504 參考例GP5 10 0. 5 1200 5. 516 參考例GP6 100 0. 5 1200 5. 530 參考例GP7 500 0. 5 1200 5. 533 參考例GP8 1000 0. 5 1200 5. 542 參考例GP9 5000 0. 5 1200 5. 510 [表2]
Pb含量 (ppm) Ga2〇3含量 (質量90 燒結溫度 (°e) 密度 (g/cm3) 比電阻率 (Ω · cm) 濺鍍速率 減少率（％) 比較例G2 0 0_ 5 1300 5. 534 3. 13E-03 25. 1 參考例GP10 2 0. 5 1300 5. 548 3. 13E-03 25. 1 參考例GP11 3 0_ 5 1300 5: 579 3.13E-03 24. 7 參考例GP12 5 0· 5 1300 5. 601 1·77E-03 22. 1 參考例GP13 8 0. 5 1300 5. 602 1.04E-03 19.4 參考例GP14 10 0. 5 1300 5. 606 1.04E-03 19. 1 參考例GP15 100 0. 5 1300 5. 604 1.04E-03 19. 0 參考例GP16 500 0. 5 1300 5. 604 1.05E-03 19. 1 參考例GP17 1000 0. 5 1300 5. 602 1.08E-03 19. 0 參考例GP18 5000 0. 5 1300 5. 581 1.64E-03 19. 1 33 322881 201144252 [表3]
Pb含量 (ppm) Ga2〇3含量 (質量％) 燒結溫度 (°C) 密度 (g/cm3) 比較例G3 0 0. 5 1400 5. 584 參考例GP19 2 0. 5 1400 5. 584 參考例GP20 3 0. 5 1400 5. 590 參考例GP21 5 0. 5 1400 5. 604 參考例GP22 8 0. 5 1400 5. 608 參考例GP23 10 0. 5 1400 5. 608 參考例GP24 100 0. 5 1400 5. 608 參考例GP25 500 0. 5 1400 5. 608 參考例GP26 1000 0. 5 1400 5. 608 參考例GP27 5000 0. 5 1400 5. 600 [表4]
Pb含量 (ppm) Ga2〇3含量 (質量％) 燒結溫度 (°C) 密度 (g/cm3) 比較例G4 0 0. 5 1500 5. 608 參考例GP28 2 0. 5 1500 5. 608 參考例GP29 3 0. 5 1500 5. 608 參考例GP30 5 0.5 1500 5. 608 參考例GP31 8 0. 5 1500 5. 608 參考例GP32 10 0. 5 1500 5. 608 參考例GP33 100 0. 5 1500 5. 608 參考例GP34 500 0. 5 1500 5. 608 參考例GP35 1000 0. 5 1500 5. 608 參考例GP36 5000 0. 5 1500 5. 608 34 322881 201144252 -- [表 5]
Cd含量 (ppm) Ga2〇3含量 (質量％) 燒結溫度 (°C) 密度 (g/cm3) 比較例G1 0 0. 5 1200 5.481 參考例GC1 2 0. 5 1200 5. 481 參考例GC2 3 0. 5 1200 5. 506 參考例GC3 5 0. 5 1200 5. 516 參考例GC4 8 0. 5 1200 5. 521 參考例GC5 10 0. 5 1200 5. 526 參考例GC6 100 0. 5 1200 5. 538 參考例GC7 500 0. 5 1200 5. 541 參考例GC8 1000 0. 5 1200 5. 540 參考例GC9 5000 0. 5 1200 5. 530 [表6]
Cd含量 Ga2〇3含量 燒結溫度 密度 比電阻率 濺鍍速率 (ppm) (質量90 rc) (g/cms) (Ω · cm) 減少率（％) 比較例G2 0 0. 5 1300 5. 534 3.13E-03 25. 1 參考例GC10 2 0. 5 1300 5. 582 2.91E-03 23. 5 參考例GC11 3 0. 5 1300 5. 601 1.80E-03 21. 9 參考例GC12 5 0. 5 1300 5. 604 1.62E-03 20. 9 參考例GC13 8 0. 5 1300 5. 606 1.53E-03 20. 5 參考例GC14 10 0. 5 1300 5. 608 1.50E-03 20. 2 參考例GC15 100 0. 5 1300 5. 608 1.44E-03 20. 1 參考例GC16 500 0. 5 1300 5. 608 1.35E-03 19. 9 參考例GC17 1000 0. 5 1300 5. 608 1.37E-03 19. 7 參考例GC18 5000 0. 5 1300 5. 586 1.74E-03 21. 0 35 322881 201144252 [表7]
Cd含量 (ppm) Ga2〇3含量 (質量％) 燒結溫度 (°C) 密度 (g/cm3) 比較例G3 0 0. 5 1400 5. 584 參考例GC19 2 0. 5 1400 5. 589 參考例GC20 3 0. 5 1400 5. 603 參考例GC21 5 0. 5 1400 5. 608 參考例GC22 8 0. 5 1400 5. 608 參考例GC23 10 0. 5 1400 5. 608 參考例GC24 100 0. 5 1400 5. 608 參考例GC25 500 0. 5 1400 5. 608 參考例GC26 1000 0. 5 1400 5. 608 參考例GC27 5000 0. 5 1400 5. 593 [表8]
Cd含量 (ppm) Ga2〇3含量 (質量％) 燒結溫度 (°C) 密度 (g/cm3) 比較例G4 0 0. 5 1500 5. 608 參考例GC28 2 0. 5 1500 5. 608 參考例GC29 3 0. 5 1500 5. 608 參考例GC30 5 0. 5 1500 5. 608 參考例GC31 8 0. 5 1500 5. 608 參考例GC32 10 0. 5 1500 5. 608 參考例GC33 100 0.5 1500 5. 608 參考例GC34 500 0. 5 1500 5. 608 參考例GC35 1000 0.5 1500 5. 608 參考例GC36 5000 0.5 1500 5.604 36 322881 201144252 •〜 [表9 ]
Pb含量 (ppm) Cd含量 (ppm) Cd含量與Pb 含量之合計 (ppm) GaaOa含量 (質量« 燒結溫度 (°C) 密度 (g/cm3) 比電阻率 (Ω · cm) 濺鍍速率 減少率（％) 比較例G2 0 0 0 0. 5 1300 5. 534 3. 13E-03 25. 1 參考例GPC1 I 1 2 0. 5 1300 5. 542 2.93E-03 25. 1 參考例GPC2 2 2 3 0. 5 1300 5. 575 2. 13E-03 25. 1 參考例GPC3 3 3 5 0. 5 1300 5. 600 1.73E-03 20. 5 參考例GPC4 4 4 δ 0. 5 1300 5. 603 1.29E-03 20. 1 參考例GPC5 5 5 10 0_ 5 1300 5. 605 1.32E-03 19. 1 參考例GPC6 50 50 100 0.5 1300 5. 607 1.12E-03 19. 3 參考例GPC7 250 250 500 0_ 5 1300 5. 606 1. 16E-03 19. 1 參考例GPC8 500 500 1000 0.5 1300 5, 604 1_ 30E-03 18.9 參考例GPC9 2500 2500 5000 0.5 1300 5. 582 1.72E-03 19. 0 37 322881 201144252 [表 ίο]
Ga2〇3含量 Pb含量 燒結溫度 真密度 密度 相對密度 (質量％) (ppm) (°C) Cg/cm3) (g/cm3) (g/cm3) 比較例1 0 0 1300 5. 607 5.484 97. 8 比較例P1 0 5 1300 5. 607 5. 529 98. 6 比較例P2 0 10 1300 5. 607 5. 540 98. 8 比較例G2 0· 5 0 1300 5. 608 5. 534 98. 7 參考例GP12 0· 5 5 1300 5. 608 5. 601 99. 9 參考例GP14 0. 5 10 1300 5. 608 5. 606 100. 0 比較例G5 3. 0 0 1300 5. 616 5. 346 95. 2 參考例GP37 3. 0 5 1300 5. 616 5.476 97. 5 參考例GP38 3. 0 10 1300 5. 616 5.498 97. 9 比較例G6 5. 0 0 1300 5. 622 5. 167 91. 9 參考例GP39 5. 0 5 1300 5. 622 5. 324 94. 7 參考例GP40 5. 0 10 1300 5. 622 5. 341 95. 0 比較例G7 5. 7 0 1300 5. 625 5. 136 91. 3 參考例GP41 5. 7 5 1300 5. 625 5. 293 94. 1 參考例GP42 5. 7 10 1300 5. 625 5. 304 94. 3 38 322881 201144252 ，〜 [表11]
Ga2〇3含量 Cd含量 燒結溫度 真密度 密度 相對密度 (質量％) (ppm) (°C) (g/cm3) (g/cm3) (g/cm3) 比較例1 0 0 1300 5. 607 5.484 97. 8 比較例C1 0 5 1300 5. 607 5. 529 98. 6 比較例C2 0 10 1300 5. 607 5. 540 98. 8 比較例G2 0. 5 0 1300 5. 608 5. 534 98. 7 參考例GC12 0. 5 5 1300 5. 608 5. 604 99. 9 參考例GC14 0. 5 10 1300 5. 608 5. 608 100. 0 比較例G5 3. 0 0 1300 5. 616 5. 346 95. 2 參考例GC37 3. 0 5 1300 5. 616 5.492 97. 8 參考例GC38 3. 0 10 1300 5. 616 5. 509 98. 1 比較例G6 5. 0 0 1300 5. 622 5. 167 91. 9 參考例GC39 5. 0 5 1300 5. 622 5. 347 95. 1 參考例GC40 5. 0 10 . 1300 5. 622 5. 363 95. 4 比較例G7 5. 7 0 1300 5. 625 5. 136 91. 3 參考例GC41 5. 7 5 1300 5. 625 5. 299 94. 2 參考例GC42 5. 7 10 1300 5. 625 5. 310 94. 4 39 322881 201144252 [表 12] 金屬之種類 金屬含量 (ppm) 燒結溫度 (°C) 密度 (g/cm3) 比較例G2 — — 1300 5. 534 參考例GP14 Pb 10 1300 5. 606 參考例GP15 Pb 100 1300 5. 604 參考例GC14 Cd 10 1300 5. 608 參考例GC15 Cd 100 1300 5. 608 比較例GA11 A1 10 1300 5. 537 比較例GAI2 A1 100 1300 5. 547 比較例GZrl Zr 10 1300 5. 536 比較例GZr2 Zr 100 1300 5. 542 比較例Glnl In 10 1300 5. 530 比較例Gln2 In 100 1300 5. 521 比較例GSnl Sn 10 1300 5. 527 比較例GSn2 Sn 100 1300 5. 517 比較例GSbl Sb 10 1300 5. 535 比較例GSb2 Sb 100 1300 5. 547 比較例GBil Bi 10 1300 5. 536 比較例GBi2 Bi 100 1300 5. 540 比較例GCul Cu 10 1300 5. 531 比較例GCu2 Cu 100 1300 5. 514 比較例GNil Ni 10 1300 5. 532 比較例GNi2 Ni 100 1300 5. 512 40 322881 201144252 ，— [表 13]
Ah〇3含量 Pb含量 燒結溫度 真密度 密度 相對密度 濺鍍速率 (質量90 (ppm) rc) (g/cma) (g/cm3) (g/cm3) 減少率（¾) 比較例1 0 0 1300 5. 607 5. 484 97. 8 — 比較例P1 0 5 1300 5. 607 5. 529 98. 6 - 比較例P2 0 10 1300 5. 607 5. 540 98. 8 - 比較例A1 0· 5 0 1300 5. 589 5. 505 98. 5 — 實施例API 0. 5 5 1300 5. 589 5. 544 99. 2 — 實施例AP2 0_ 5 10 1300 5. 589 5. 555 99. 4 一 比較例A2 2. 0 0 1300 5. 555 5. 466 98.4 26. 2 實施例AP3 2_ 0 5 1300 5. 555 5. 527 99. 5 21.9 實施例AP4 2. 0 10 1300 5. 555 5. 544 99. 8 19. 5 比較例A3 3. 0 0 1300 5. 532 5. 443 98. 4 - 實施例AP5 3. 0 5 1300 5. 532 5. 499 99.4 - 實施例AP6 3. 0 10 1300 5. 532 5. 515 99. 7 - 比較例A4 5. 0 0 1300 5.488 5. 384 98. 1 — 實施例AP7 5. 0 5 1300 5.488 5. 439 99. 1 - 實施例AP8 5. 0 10 1300 5.488 5. 455 99. 4 - 比較例A5 6. 0 0 1300 5. 473 5. 358 97. 9 - 實施例AP9 6. 0 5 1300 5. 473 5. 424 99. 1 - 實施例API0 6. 0 10 1300 5. 473 5.435 99. 3 — 41 322881 201144252 [表 14] Α1ϊ〇3含量 Cd含量 燒结溫度 真密度 密度 相對密度 濺鍍速率 (質董《 (ppm) (•C) (g/cm3) (g/cm3) (g/cm3) 減少率（90 比較例1 0 0 1300 5. 607 5. 484 97. 8 - 比較例Cl 0 5 1300 5. 607 5. 529 98. 6 — 比較例C2 0 10 1300 5. 607 5. 540 98. 8 — 比較例A1 0. 5 0 1300 5. 589 5. 505 98. 5 - 實施例AC1 0. 5 5 1300 5. 589 5. 567 99. 6 - 實施例AC2 0. 5 10 1300 5. 589 5. 589 100. 0 - 比較例A2 2. 0 0 1300 5. 555 5. 466 98. 4 26. 2 實施例AC3 2. 0 5 1300 5. 555 5. 544 99. 8 21.8 實施例AC4 2. 0 10 1300 5. 555 5. 566 100. 2 20. 4 比較例A3 3. 0 0 1300 5. 532 5. 443 98. 4 — 實施例AC5 3. 0 5 1300 5. 532 5. 515 99. 7 — 實施例AC6 3. 0 10 1300 5. 532 5. 543 100. 2 - 比較例A4 5. 0 0 1300 5.488 5. 384 98. 1 - 實施例AC7 5. 0 5 1300 5. 488 5. 461 99. 5 - 實施例AC8 5. 0 10 1300 5.488 5. 493 100. 1 — 比較例A 5 6. 0 0 1300 5. 473 5. 358 97. 9 - 實施例AC9 6. 0 5 1300 5. 473 5. 440 99. 4 - 實施例AC10 6. 0 10 1300 5.473 5. 462 99. 8 - 42 322881 201144252 [表 15]
Al2〇3含量 (質量％) Pb含量 (ppm) 燒結溫度 rc) 密度 (g/cm3) 比較例A6 2. 0 0 1200 5. 372 實施例API 1 2. 0 5 1200 5. 452 實施例AP12 2. 0 10 1200 5. 493 比較例A2 2. 0 0 1300 5. 466 實施例AP3 2. 0 5 1300 5. 527 實施例AP4 2. 0 10 1300 5. 544 比較例A7 2. 0 0 1400 5. 511 實施例API3 2. 0 5 1400 5. 550 實施例API4 2. 0 10 1400 5. 552 比較例A8 2. 0 0 1500 5. 542 實施例API5 2. 0 5 1500 5. 556 實施例AP16 2.0 10 1500 5. 556 43 322881 201144252 [表 16]
Al2〇3含量 (質量％) Cd含量 (ppm) 燒結溫度 (°C) 密度 (g/cm3) 比較例A6 2. 0 0 1200 5. 372 實施例AC11 2. 0 5 1200 5. 466 實施例AC12 2. 0 10 1200 5. 501 比較例A2 2. 0 0 1300 5.466 實施例AC3 2. 0 5 1300 5. 544 實施例AC4 2. 0 10 1300 5. 566 比較例A7 2. 0 0 1400 5. 525 實施例AC13 2. 0 5 1400 5. 568 實施例AC14 2. 0 10 1400 5. 568 比較例A8 2. 0 0 1500 5. 548 實施例AC15 2. 0 5 1500 5. 568 實施例AC16 2. 0 10 1500 5. 569 【圖式簡單說明】 無。 【主要元件符號說明】 無0 44 322881

Claims (1)

  1. 201144252 -. 七、申請專利範圍： 1. 一種氧化鋁-氧化鋅系濺鍍靶，其特徵為：含有Pb及 Cd的至少一者。 2. 如申請專利範圍第1項所述之氧化鋁-氧化鋅系濺鍍 靶，其中，在Pb及Cd中只含有Pb，其含量為4至2000 質量ppm。 3. 如申請專利範圍第1項所述之氧化鋁-氧化辞系濺鍍 靶，其中，在Pb及Cd中只含有Cd，其含量為3至2000 質量ppm。 4. 如申請專利範圍第1項所述之氧化鋁-氧化鋅系濺鍍 靶，其含有Pb及Cd，各別之含量的合計為4至2000 質量ppm。 5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之氧化鋁-氧 化辞系濺鍍靶，其中，氧化鋁之濃度為0. 1至10質量％。 6. —種氧化鋁-氧化鋅系濺鍍靶的製造方法，其特徵為： 使含有氧化鋁粉末、與氧化鋅粉末、與包含Pb及Cd 的至少一者之粉末的混合粉末進行燒結。 1 322881 201144252 四、指定代表圖：本案無圖式。 (一)本案指定代表圖為：第（ ）圖。 一 （二)本代表圖之元件符號簡單說明： 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 本案無化學式。 322881
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