TW201131311A - Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method - Google Patents

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201131311 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方 法。 本申請係基於2009年11月19日提申之美國發明專利暫 時申請61/272,927號及2010年11月17日提申之美國申請 12/948,033號主張優先權，將其内容援用於此。 【先前技術】 以往，於製造半導體元件（積體電路等）' 液晶顯示元件 等電子元件（微型元件）之微影製程，主要係使用步進重複 (step & repeat)方式之投影曝光裝置（所謂之步進機）、或步 進掃描（step & scan)方式之投影曝光裝置（所謂之掃描步進 機（亦稱掃描機））等。 此種曝光裝置所使用之作為曝光對象之晶圓或玻璃板 件等基板，曰漸地（例如，晶圓是每1〇年）大型化。現在雖 以直徑300麵之300麵晶圓為主流，但使用直徑45〇麵 之45〇mm晶圓時代之到來已迫在眉睫（參照例如非專利文 獻1)。一旦採用45〇mm晶圓後，能從—片晶圓掘取之晶粒 (晶片）數量將為現行300mm晶圓之2倍以上，對成本之降 低有非常大的貢獻。再者，m水及其他資源之有效 利用而言，亦可減少、！晶片所需使用之所有資源，而 待。

由於晶 圓厚度並非與其尺寸成正比地變大，因 4 201131311 此45 0mm晶圓與300mm晶圓相較，強度相當弱。因此即使 單舉出晶圓搬送而言’與目前之3 〇〇mm晶圓相同之手段方 法，即可預料係難以實現。 因此，皆期待出現一種可對應450mm晶圓之新系統。 [非專利文獻] [非專利文獻 lHnternaticmal Technology R〇admap f〇r Semiconductors 2007 Edition 根據本發明之帛i態樣，為—種曝光裝置，係藉由能 里束之照射將圖案形成於物體，其具有：帛i移動體，且 =延伸於帛1方向之導引構件，移動於與前述第！方向i 構：…2方向；一對第2移動體，設置成沿前述導引 構件於前述第i方向移動自如，藉由前述第 導 動而與前述導引構件一起移動之移 係保持前述物體，且被前述保持裝置， 包含前述第1方向及前述第2方：移動體支承為至少在 如；以及搬送裝置，具有能從上方二：：平面内移動自 物體之夹頭構件且在與前述保持；方式保持前述 根據本發明之第2態樣，為—搬送前述物體。 量束之照射將圖案形成於物體，人曝光方决’係藉由能 方向之導引構件之帛i移動體，蒋η具有延伸於第1 交之第2方向之步驟；#由前述第於與則述第丨方向正 ψ a； ,';L ·+· 乐 1 移動體之敕#A . 置成一導引構件於前述帛 ：，使設 夕勒目如之—對第2 201131311 移動體與前述導引構件— 起移動於刖述第2方向之步騵. 藉由前述一對第2弒細 7雜’ & 多動體支承保持前述物體之保持裝 使刖述一對第 2 4交& ^ itm 前述導引構件同步移動，而使前 ==移動於前述…向之步驟;以及使用能從: ”之二：前述物體之夾頭構件’在與前述保持 袋置之間搬送前述物體之步驟。 人.康本發月之第3態樣’為-種元件製造方法，其包 S •使用上述記載之曝光方法使物體曝光之動作；以及使 已曝光之前述物體顯影之動作。 本發明之態樣，適於將薄板狀之物體搬入保持裝置及 /或將薄板狀之物體從保持裝置搬出。 【實施方式】 以下，根據圖i〜圖23説明本發明之一實施形態。 圖1概略顯示了一實施形態之曝光裝置1〇〇之構成。 ㈣光裝置_係步進掃描（step&sean)方式之投影曝光裝 置、即所謂之掃描機。如後所述，本實施形態，設有投影 =干系、·先PL以下，將與此投影光學系統pL之光軸Αχ平 行之方向設為Ζ軸方向、在與此正交之面内使標線片與晶 圓：對掃描之方向設為γ軸方向、與ζ軸及γ軸正交之方 向认為X軸方向’並將繞X軸、γ軸及Ζ軸之旋轉(傾斜) 方向分別設為θ χ、Θ y及θ ζ方向來進行説明。 曝光裝置1〇〇如圖i所示’具備配置於底盤12上之一 側端附近之曝光站2〇〇、配置於底盤丄2上之+ Y側端 201131311 部附近之測量站300、兩個晶圓載台WST卜WST2、具備中 繼載台DRST之載台裝置ST(圖3)、以及此等之控制系統 等。此處之底盤12,係被防振機構（省略圖示）大致水平地（與 ΧΥ平面平行地）支承於地面上。底盤12由平板狀之構件構 成，其上面之平坦度作成非常高，作為上述三個載台WSU WST2，DRST之移動時之導引面。 曝光站200具備照明系統丨〇、標線片載台rst、投影 單元PU、以及局部液浸裝置$等。 照明系統ίο、係例如美國發明專利申請公開第2〇们/ 025890號說明書等所揭示，包含光源、具有含光學積分器 等之照度均勻化光學系統及標線片遮簾等(皆未圖示)之照 明光學系統。照明系統10，將以標線片遮簾(亦稱為遮罩： 統）規定之標線片R上之狹縫狀照明區域IAR，藉照明光（曝 光用光）IL以大致均句之照度加以照明。此處，作為照明光 IL，係使用例如ArF準分子雷射光（波長193nm)。 於標線片載台RST上，於其圖案面（圖i中之下面）形 成有電路圖案等之標線U被以例如真空吸附加以固定。 心線片載u RST ’能藉由例如包含線性馬達等之標線片載 台驅動系統1 1 (圖i Φ + _ A „ m。、 中未圖不，參照圖8)於XY平面内微幅 驅動’且能於掃描方合 。（圖1中之，.·氏面内左右方向即γ轴方 向）以既定掃描速度驅動。 標線片載合、 之ΧΥ平面内之位置資訊（含Θ 之旋轉資訊），係以垆妗 方向 , m線片雷射干涉儀（以下’稱「標線片干 以儀」）13’透過固定 疋於松線片載台RST之移動鏡15以例 201131311 如0.25nm左右之分析能力隨時檢測。標線片干涉儀。之 測量値被送至主控制裝置2〇(圖！中未圖示，參照圖8)。 投影單元PU配置於標線片載台RST之圖】中下方。 投影單元，投影單元PU藉由以未圖示支承構件支承成 水平之主框架BD透過設於其外周部之突緣部FLG被支 承。投影單元PU包含鏡筒40與由被保持於鏡筒4〇内之複 數個光學元件構成之投影光學系統PL。作為投影光學系統 PL，係使用由例如兩側遠心且具有既定投影倍率（例如 倍、I/5倍或1/8倍等）之折射光學系統。因此，在來自 照明系，统H)之照明光【L照明於標線片R上之照明區域j A r 後，藉由通過圖案面與投影光學系統PL之第丨面（物體面） 大致-致配置之標線片R之照明光IL，經由投影光學系統 PL(投影單元PU)將該照明區域IAR内之標線片r之電路圖 案之縮小像（電路圖案之部分縮小像），形成在配置於投影光 學系統PL之第2面（像面）側、表面塗有光阻（感應劑）之晶 圓W上與前述照明區域IAR共軛之區域（以下，亦稱曝光區 域）IA。接著，藉由標線片載台RST與微動載台wfsi(或 WFS2)之同步驅動，相對照明區域IAR(照明光il)使標線片 R移動於掃描方向（Y軸方向），並相對曝光區域IA(照明光 IL)使晶圓W移動於掃描方向（γ軸方向），以進行晶圓w上 之一個照射區域（區劃區域）之掃描曝光，於該照射區域轉印 標線片R之圖案。亦即，本實施形態中，係以照明系統^ 、 標線片R及投影光學系統pL於晶圓w上生成圖案，以照 明光IL使晶圓w上之感應層（光阻層）曝光以於晶圓w上形 201131311 成該圖案。 局部液浸裝置8，包含液體供應裝置5、液體回收裝置 6(圖1中皆未圖示，參照圖8)及嘴單元32等。嘴單元32， 如圖1所示，以圍繞保持構成投影光學系統PL之最像面側 (晶圓W側）之光學元件、此處係透鏡（以下，亦稱「前端透 鏡」）191之鏡筒40下端部周圍之方式，透過未圖示之支承 構件懸吊支承於支承投影單元PU等之主框架BD。本實施 形態中，主控制裝置20控制液體供應裝置5(參照圖8)經由 嘴單元32將液體供應至前端透鏡191與晶圓w之間，並控 制液體回收裝置6(參照圖8)經由嘴單元32從前端透鏡1 91 與晶圓W之間回收液體。此時，主控制裝置2〇係以所供應 之液體之量與所回收之液體之量恆相等之方式控制液體供 應裝置：5與液體回收裝置6。因此，於前端透鏡丨9丨與晶圓 w之間隨時更換並保持一定量之液體Lq(參照圖1)。本實施 形態中，作為上述液體Lq係使用ArF準分子雷射光（波長 193nm之光）可透射之純水。 匕外於曝光站200设有微動載台位置測量系統， 微動載台位置測量系統鳩包含從主框架bd透過支承構 件72A独大致懸臂狀態支承（支承一端部附近）之測量臂 '、中為了說明之方便，關於微動載台位置測量系統 係留待後述之微動載台之說明後再予說明。 站3。。設有：對準裝置99,係以 = :BD;夾頭單元(搬送裝置帅以及微動載台位： 測里系統，其包含從主框架bd透過支承構件72B被以 201131311 大致懸臂狀態支承（支承一端Ar 附近）之測量臂7丨B ^微動載 台位置測量系統70B與前述微叙二 攻動載σ位置測量系統70A雖 方向相反但具有同樣之構成。 對準裝置99’包含圖2所 吓不之五個對準系統AL1，AL2, 〜AL24。詳述之，如圖2所； . 圖所不，在通過投影單元PU之中心 (投景> 光學系統PL·之光軸Αχ、木會 本貫細形態中亦與前述曝光 區域IA之中心一致）且與γ 軸十订之直線（以下稱為基準 軸）LV上，以檢測中心位於自 疋神Αλ彺+ γ側相隔既定距 離之位置之狀態配置有第—對準 对早系統AL1。隔著第一對準 系統AL1於χ軸方向一側與另—側，分別設有相對基準軸 LV大致對稱地配置有檢測中心之第二對準系統叫， AL22'以及AL23, AL24。亦即，五個對準系統au. Aw 〜AL24,其檢測中心沿χ轴方向配置。第二對準系統仙】， AL22, AL23, AL24’保持於能在灯平面内移動之保持裝置 (滑件）。對準系，統ALi、AL2】〜AL24均使用影像處理方式 之FIA(Field Image Alignment(場像對準））系統。來自對準系 統AL1、AL2,〜AL24之攝影訊號係供應至主控制裝置2〇(參 照圖8)。圖1中，包含五個對準系統AL1，al2丨〜al24及 保持此等之保持裝置（滑件）在内顯示為對準裝置99。此外， 關於對準裝置99之詳細構成，係揭示於例如國際公開第 2008/ 056735 號。 夾頭單兀1 02，如圖5所示，具備固定於主框架BD下 面之驅動部1 04 '被驅動部丨〇4驅動於上下方向（z軸方向） 之轴106、以及固定於軸1〇6下端之圓盤狀之貝努里夾頭（或 10 201131311 亦稱為浮動夹頭）108。 如圖2之俯視圖所示，於貝努里夾頭1〇8之外周三處 设有細長板狀之延設部Π 〇a，1丨〇b，丨丨〇c。於延設部丨丨〇c 前端安裝有間隙感測器112，於間隙感測器112内側安裝有 例如CCD等攝影元件1丨4C。又，於延設部i丨〇a,丨丨〇b之前 端部附近，分別安裝有CCD等攝影元件U4a，U4b。 貝努里夾頭如周知般，係利用貝努里效果局部地擴大 所吹出之流體（例如空氣）之流速，藉以非接觸方式固定（吸 附）對象物之夾頭。此處所謂之貝努里效果，係指流速之壓 力隨著流速增加而減少之貝努里定理（原理）產生於流體機 械等之效果。貝努里夾頭中，係以吸附（固定）對象物之重量 及從夾頭吹出之流體之流速決定保持狀態（吸附/懸浮狀 態）。亦即’當對象物之大小為已知時，係根據從夾頭吹出 之流體之流速’決定保持時之夾頭與保持對象物之間隙尺 寸。本實施形態中，貝努里失頭1〇8係用於晶圓w之吸附（固 定/保持）。 間隙感測器112使用例如靜電容感測器，主要用以 I晶圓w之卸載時微動載台刪2(或WFsi)之晶圓〜周 與後述板片(撥液板)之距離。間隙感測器112之輸出供應 主控制裝置20(參照圖8)。 "心 延設部HOa從貝努里夾頭1〇8中心觀看時係延伸於 Y方向。於延設部UGa，在晶圓w中心與貝努里夾頭i 之中心大致—致之狀態下，於與晶圓W之缺σ(ν字切口 未圖示）對向之位置安裝有攝影元件U4a。又，並餘 11 201131311 7L件114b，114c，係在晶圓w中心與貝努里夾頭1〇8之中 心大致一致之狀態下，分別安裝於與晶圓w外周之一部分 對向之延設部110b，ll〇c上之位置。 攝影元件114a〜114c之攝影訊號被送至訊號處理系統 1 16(參照圖8)，訊號處理系統丨16係藉由於例如美國發明 專利第6, 624, 433號說明書等揭示之手法，在此處係檢測 晶圓之切口（缺口等）及除此以外之周緣部，以求出晶圓w 之X軸方向' γ軸方向之位置偏移與旋轉（0z旋轉）誤差。 接著，該f位置言吳差與旋轉^之資訊被供應至主控制裝 置20(參照圖8)。 夾頭單元102之驅動部1〇4及貝努里夾頭1〇8係藉由 主控制裝置20控制（參照圖8)。 再者，曝光裝置1〇〇具備晶圓搬送臂118，該晶圓搬送 詹118可在包含夾頭單元！ 〇2之位置與從夾頭單元i 之 位置往例如+X方向分離之晶圓移交位置（例如在線連接於 曝光裝置100之塗布顯影機（未圖示）之晶圓移交位置（搬出 側及搬入側））之區域内移動。

關於夾頭單元102及搬送臂118之功能等，留待後述。 如圖3及圖4所示，載台裝置ST具備藉由γ馬達γΜι 之驅動而移動之γ粗動載台（第！移動體）YC卜藉由γ馬達 YM2之驅動而移動之γ粗動載台（其他之第i移動體）yc2、 藉由X馬達XM1之驅動而獨立移動之一對χ粗動載台（第2 移動體）WCS1、藉由Χ馬達ΧΜ2之驅動而獨立移動之一對 X粗動載台（其他之第2移動體）WCS2、保持晶圓w並於X 12 201131311 粗動載台WCS1支承為移動自如之微動載台WFS卜保持晶 圓w並於X粗動載台WCS2支承為移動自如之微動載台 WFS2、以及藉由γ馬達YM3之驅動而移動之中繼載台 DRST。 藉由此等Y粗動載台YC1與X粗動載台WCS1構成第 1載台單元Sin、藉由γ粗動載台YC2與X粗動載台WCS2 構成第2載台單元SU2。 藉由一對X粗動載台WCS1及微動載台WFS1構成上 述晶圓載台WST1。同樣地’藉由一對X粗動載台WCS2 及微動載台WFS2構成上述晶圓載台WST2。微動載台 WFS卜WFS2可藉由微動載台驅動系統（驅動裝置）52A(參照 圖8)相對X粗動載台wcs分別被驅動於六自由度方向（χ、 Υ、Ζ、0χ、0y、0 z)) 〇 晶圓載台WST1 (粗動載台WCS1)之XY平面内之位置 貢訊（亦含0 Ζ方向之旋轉資訊）係以晶圓載台位置測量系統 16Α加以測量。又，位於曝光站2〇〇之粗動載台wcs丨所支 承之微動載台WFS1(或後述之微動載台WFS2)之六自由度 方向（X、Y、Z、0 X、0 y、0 z)之位置資訊係以微動載台 位置測量系統70 A加以測量。晶圓載台位置測量系統丨6 a 及微動載台位置測量系統7〇A之測量結果（測量資訊），為了 進行粗動載台WCS卜微動載台WFS1(或WFS2)之位置控制 而被供應至主控制裝置20(參照圖8)。晶圓載台WST2(粗動 載台WCS2)之XY平面内之位置資訊（亦含0z方向之旋轉 貝訊）係以晶圓載台位置測量系統丨6B加以測量。又，位於 13 201131311 測量站300之粗動載台WCS2所支承之微動載台WFS2(或 WFSl)之六自由度方向（X、Y、Z、0x、0y、0z)之位置資 訊係以微動載台位置測量系統70B加以測量。晶圓載台位 置測量系統1 6B及微動載台位置測量系統70B之測量結果 (測量資訊），為了進行粗動載台WCS2、微動載台WFS2(或 WFS1)之位置控制而被供應至主控制裝置20(參照圖8)。 於粗動載台 WCS1支承有微動載台 WFS1(或WFS2) 時，該微動載台WFS1 (或WFS2)與粗動載台WCS1之X、Y、 0z之三自由度方向之相對位置資訊，可藉由設於粗動載台 WCS1與微動載台 WFS1(或WFS2)間之相對位置測量器 22A(參照圖8)測量。同樣地，於粗動載台WCS2支承有微 動載台WFS2(或WFS1)時，該微動載台WFS2(或WFS1)與 粗動載台WCS2之X、Y、0z之三自由度方向之相對位置 資訊，可藉由設於粗動載台 WCS2與微動載台 WFS2(或 WFS1)間之相對位置測量器22B(參照圖8)測量。 作為相對位置測量器22A, 22B可使用編碼器等，該編 碼器包含以例如設於微動載台WFS 1，WFS2之光柵為測量 對象之分別設於粗動載台WCS 1, WCS2之至少兩個讀頭， 根據該讀頭之輸出，測量微動載台WFS 1, WFS2之X軸方 向' Y軸方向、以及0 z方向之位置。相對位置測量器22A， 22B之測量結果被供應至主控制裝置20(參照圖8)。 中繼載台DRST，與粗動載台WCS1，WCS2同樣地，具 有藉由Y馬達YM3之驅動移動於Y方向之Y粗動載台 WCS3，被設於其底面之複數個非接觸軸承（例如空氣軸承 14 201131311 (省略圖示））懸浮支承於底盤12，並可藉由中繼載台驅動系 統53(參照圖8)驅動於XY二維方向。 中繼載台DRST之XY平面内之位置資訊（亦含0 z方向 之旋轉資訊）藉由包含例如干涉儀及/或編碼器等之未圖示 位置測量系統加以測量。位置測量系統之測量結果，為進 行中繼載台DRST之位置控制而被供應至主控制裝置2〇(參 照圖8)。 除此之外，本實施形態之曝光裝置10〇中，於標線片 載台RST之上方，配置有例如美國發明專利第5,646 4 1 3 號說明書等所詳細揭示 具有CCD等攝影元件’將曝光波 長之光（本實施形態中為照明光IL)作為對準用照明光之影 像處理方式之一對標線片對準系統RAi、尺八2(圖i中，標線 片對準系統RA2隱藏在標線片對準系統之紙面深側）。

載台單元SU1 1 載台裝置ST各部之構成等。

15 201131311 周邊之構成。又，第2載台單元SU2周邊之構成，由於與 第1載台單元SU1及其周邊之構成相同，因此以下中，僅 代表性地說明晶圓載台WST1。 γ馬達YM1，係由在底盤12之X方向兩側緣於γ方 向延伸設置之固定件150與設於γ粗動载台YC1之χ方向 兩端之可動件151Α構成。Υ馬達ΥΜ2係由上述固定件15〇 與設於Y粗動載台YC2之x方向兩端之可動件I51B構成。 亦即，係於Y馬達YM1、YM2共用固定件15〇之構成。固 疋件1 50具備沿γ方向排列之永久磁石，可動件丨5 1 A、1 5 ^ B 具備沿γ方向排列之線圈。亦即，γ馬達ΥΜ1、γΜ2構成 將晶圓載台WST1、WST2及Υ粗動載台YC1' YC2驅動於 Y方向之動圈型線性馬達。此外，此處雖例舉動圈型線性馬 達說明，但亦可係動磁型線性馬達。 又固疋件15〇係藉由設於各自之下面之未圖示氣體 垄轴承例如空氣軸承在底盤1 2上方隔著既定空隙被懸 浮支承β藉此，因晶圓載台WST1、WST2或γ粗動載台 YC1、YC2之γ方向之移動而產生之反作用力使固定件 乍為Y方向之γ配衡質量塊往相反方向移動，並依動 罝守怪之法則抵銷此反作用力。 Y粗動載台YC1具有設於可動件151A、151A間並延 伸於X方向之χ導件（導引構件）XG1，藉由設於其底面之複 數個非接觸軸承、例如空氣軸承94被懸浮支承於底盤12 上。 ί X導件XG1 §曼有構成χ馬達χΜ 1之固定件ΐ52〇χ 16 201131311 馬達XM1之可動件153A如圖4所示，設於在χ方向貫通 X粗動載台WCS1、X導件XG1所插通之貫通孔154。 對X粗動載台wcs 1，分別被設於其底面之複數個非 接觸軸承 '例如空氣軸承95懸浮支承於底盤12上，藉由χ 馬達XM1之驅動而沿χ導件XG1彼此獨立地移動於χ方 向。於Υ粗動載台Υ(π，除了 χ導件XG1以外尚設有配設 有Y線性馬達（將X粗動載台WCS 1焉區動於γ方向）之固定 件之X導件XGY1。又，於X粗動載台WCS1，於在x方

向貫通該X粗動載台WCS1之貫通孔155(參照圖4)設有Y 線性馬達之可動件156A。此外，亦可不設置Y線性馬達而 設置空氣軸承，藉此作成於γ方向支承x粗動載台 之構成。 4如圖4所示，於各χ粗動載台WcSm方向外側端 部，具備一對側壁部92與固定於側壁部各自之上面之一對 固定件部93。粗動載台WCS1，其整體為一具有上面之χ 軸方向中央部及Y軸方向兩側面開口之高度較低的箱形形 狀。亦即，於粗動載自WCS1 _形成有貫通於Y轴方向 之空間部。 -對固定件部93,如圖4所示分別由外形為斑χ” 面平行之板狀構件構成，於其内部收容有由用以驅動微動 載台WFS1(WFS2)之複數個線圈構成之線圈單元cu。此 處’雖微動載台™與微動載台WFS2完全相同地構成， 同樣地被粗動載台WCS1以非接觸狀態支承、驅動，但以 下僅代表性地舉出微動載台WFS 1作說明。 17 201131311 ”載台WFS卜如圖6Α· 6 以χ軸大 ’、两由俯視 81、m 較長方向H形板狀構件構成之本體部 邻之斟分別固定於本體部81之較長方向一端部與另-端 #之一對可動件部82a，82b。 本體部81由於需使後述編碼器系統之測量光束⑽量 八内部盯進，因此係以光能透射之透明材料形成。 又塑：體部81為了降低在其内部之空氣波動對 =為中實(於内部不具有空間"此外，透明材料最 ^ 羊在本實施形態巾，作為一例係使用合成 玻璃）等。此外，本體部81之整體雖亦可以透明材料 構成，但亦可僅編碼器系統之測量光束所透射之部分 明材料構成，或僅此測量光束所透射之部分形成為中實。 於微動載台WFSk本體部81上面中央設有以真空吸 附等保持晶圓W之晶圓保持具（未圖示）。此外，晶圓保持 具可與微動載台刪卜體形成，亦可透過例如靜電失頭機 構或夾鉗⑷amp)機構等、或以接著等固定於本體部81。 再者’於本體部81上面、曰曰曰圓保持具（晶圓w之載置 區域）外側，如圖6A及圖⑽所示安裝有中央形成有較晶圓 w(晶圓保持具）大-圈之圓形開口且具有對應本體部μ之 八角形夕卜形（輪廓）之板片（撥液板）83。板片83之表面施有對 液體Lq之撥液化處理（形成有撥液面）。板片83係以其表面 全部(或一部分)與晶® w表面成為同一面之方式固定於本 體部81之上面。又，如圖6B所示，於板片83之-端部形 成有圓形開口，於此開口内，在其表面與板片以表面、 18 201131311 板片 對第 1及 亦即晶圓w表面大致成為同—面之狀態埋入有測量 86。於測量板片86表面，至少形成有分別藉由前述1 1基準標記與以晶圓對準系統檢測之第2基準標記（第 第2基準標記皆省略圖示）。 如圖6A所示，於本體部81上面之較晶圓％大_圈之 區域，水平（與晶圓W表面平行）地配置有作為測量面之= 維光柵（以下單稱為光柵）RG。光栅RG包含以γ— ^ 3从入軸方向為 週期方向之反射型繞射柵格（Χ繞射栅格）與以丫軸方向為= 期方向之反射型繞射柵格（Υ繞射柵格）。 ° 光柵RG之上面被保護構件、例如覆罩玻璃84(圖6八 中未圖示，參照圖丨2Α)覆蓋保護。本實施形態中，於覆罩 玻璃84上面設有吸附保持晶圓保持具之前述靜電夾頭機 構。此外’本實施形態中’覆罩玻璃84雖設置成覆蓋本體 部上面之大致全面’但亦可設置成僅覆蓋包含光拇的 之本體部81上面之一部分。又，保護構件（覆罩玻璃84)雖 亦可以與本體部81相同之材料形成，但並不限於此，亦可 以例如金屬、卿成保護構件，或亦可以薄膜等構成。 本體部81’由圖6A可知，传由於私且士人 你由於較長方向兩端部形成 有往外側突出之突出部之餐體$ 體為八角形板狀構件構成，於 其底面之與光拇RG對向之部公形士士 1刀I成有凹部。本體部81中， 配置有光柵RG之中央區域将形士、广—— 巧係形成為其厚度實質均勻之板 所示，包含Y軸方向 固定件部9 3 a短（一半 可動件部82a，如圖6A及圖6B 尺寸（長度）及X軸方向尺寸（寬度）皆較 201131311 左右）之兩片俯視矩形之板狀構件82ai、82心。板狀構件 82a|、82az，在Z軸方向（上下）分開既定距離之狀態下皆與 XY平面平行地固定於本體部8ι + χ側端部。於兩片板狀構 件82ai、82心之間，以非接觸方式插入有固定件部之 一=側端部。於板狀構件82a)、82心之内部收容有後述磁 石單元 MUa!、MUa2。 可動件部82b，包含在z軸方向（上下）維持既定間隔之 兩片板狀構件82bl、82b2,與可動件部82a雖為左右對稱但 為相同構成。於兩片板狀構件82b]、咖之間以非接觸方 式插入有固定件部93b之+ χ#1端部。於板狀構件…、 821^内部，收容有與磁石單&顧〜、職2同樣構成之 磁石單元MUbi、MUb2。 此處’如前所述，由於粗動載台WCS1於γ軸方向兩 側面開口 ’因此在將微動載台WFS1裝著於粗動载台WCW ，，只要進行微動載台WFS1U轴方向^位以使固定件 部93a、93b分別位於板狀構件82a丨、82心及8几丨、82匕之 間，^後使微動載台WFS1移動（滑動）於γ軸方向即可。 微動載台驅動系統52A，具有前述可動件部8。所具有 :一對磁石單元職丨、職2、固定件部93a所具有之線圈 早兀CUa、可動件部82b所具有之—對磁石單元Μι^、 MUb2、以及固定件部93b所具有之線圈單元CUb。 進一步詳述此點。由圖9可知，於固定件部93a内部， ”個(此處為十二個)俯視長方形狀之γζ線圈(以下，適當 地簡稱為「線圈」)55、57 ☆ γ軸方向以等間隔分別配置田， 201131311 而構成兩列線圈列。線圈列於x軸方向以既定間隔配置。 YZ線圈55 ’具有在上下方向（z軸方向）重疊配置之俯視矩 形狀之上部繞組與下部繞组（未圖示）。又，於固定件部9“ :内部且係上述兩列線圈列之間，配置…軸方向為長 X方向之細長俯視長方形狀之一個Χ線圈（以下，適當簡稱 為「線圈」）56。此情形下，兩列線圈列與χ線圈56係在= 軸方向以等間隔配置。包含兩列線圈列與χ線圈％而構成 線圈單元CUa。 此外，以下說明中，雖使用圖9說明分別具有線圈單 元CUa及磁石單元MUai、MUa2之—方之固定件部仏及 可動件部82a，但另—方（_χ側）之固定件部叫及可動件 部82b，係與此等為相同構成且發揮相同功能。 内 形 於構成可動件部82a _部分之+ z側之板狀構件82^ 部’參照圖9可知，以父軸方向為長度方向之俯視長方 之複數個（此處為十個）永久磁石65a、67a於γ軸方向以 ·#間隔配置’而構成兩列之磁石列 磁石列於X軸方向相 隔既定間隔配置且與線圈55、57對向配置。又，於板狀構 件82ai内部且係上述兩列磁石列之間，與線圈％對向配置 有於X軸方向分離配置之以γ軸方向為長度方向之一對(兩 個）永久磁石66a,、66a2。 稷數個永久磁石65a，係以彼此極性為逆極性之配置排 列。由複數個永久磁石67a構成之磁石列，與由複數個永久 磁石65a構成之磁石列相同構成。又，永久磁石66ai、66a2 係以彼此為逆極性之方式配置。藉由複數個永久磁石“a、 21 201131311 67a及永久磁石丨、66k構成磁石單元MUa]。 成磁石早元MUa 於-Z側之板狀構件叫内部，以與上述板狀構件^ 之内部相同之配置配置有永久磁石。#由此等永久磁石構 此處：於γ軸方向相鄰配置之複數個永久磁石…，係 將複數個水久磁；δ 65a及複數個γζ線圈55纟γ轴方向之 位置關係(各自之間隔)設定為，在才目鄰之 了說明方便而稱為第！、第2永久磁石、… 石(為 弟2水久磁石）65a分別對向於 線圈（為了說明方便而稱為第1γζ線圈）55之繞組部時虚 第2永久磁石65相鄰之第3永久磁石…不對向於與上述 第1 YZ線目55相鄰之第2γζ線圈55之繞組部（與線圈中 央之中空部或捲繞有線圈之芯、例如鐵芯對向）。此情形下， 與第3永久磁石65a相鄰之第4永久磁石…及第$永久磁 石65a分別對向於與第2γζ線圈”相鄰之第3 γζ線圈μ 之繞阻部。永久磁石67a及—2側板狀構件叫内部之兩 列磁石列在γ軸方向之間隔亦相同。 本實施形態中，由於採用如上述之各線圈與永久磁石 之配置，目此主控制裝^ 20能對排列於γ軸方向之複數個 YZ線圈55、57每隔一個供應電流，據以將微動載台wfs夏 驅動γ軸方向。又，與此並行的，主控制裝置2〇對¥2線 圈55、57中未使用於將微動載台WFS1驅動於丫軸方向之 線圈供應電流，據以使其產生與往γ軸方向驅動力不同之 往ζ軸方向之驅動力，使微動載台WFS1從粗動載台wcsi 浮之接著，主控制裝置20視微動載台WFS 1之Y軸方向 22 201131311 位置依序切換電流供應對象之線圈，,虞以—邊維持微動載 台WFS1相對粗動載台WCS1之懸浮狀態、亦即非接觸狀 態、-邊將微動載…i驅動於丫軸方向…主控制 裝置20亦能在使微動載台WFS1從粗動載台WCS1懸浮之 狀態下，除Y軸方向外獨立地將其驅動於X轴方向。 又’主控制裝置20，例如圖10A所示，能藉由使彼此 不同大小之Y軸方向之驅動力（推力）作用於可動件部 與可動件部82b(參照圖l〇A之黑箭頭），據以使微動載台 yFSl繞z軸旋轉（θζ旋轉）（參照圖1〇A之白箭頭）。此外， 藉由與圖10A相反地，使作用於+ χ側可動件部82&之驅 動力較一X側大，據以能使微動載台WFS1相對2軸 轉。 、 又，主控制裝置20,可如圖所示，能藉由使彼此 不同之懸浮力（參照圖蘭之黑箭頭）作用於可動件部B與 可動件部82b，據以使微動載台WFS1繞γ轴旋轉心驅 動）（參照圖10Β之白箭頭）。此外，能藉由與圖相反地， 使作用於可動件部82a之驅動力較可動件部咖側大據以 使微動載台WFS1相對Y軸繞左旋轉。 八進—步地，主控制裝置20,例如能藉由如圖⑽所示， J於可動件邛82a、82b使彼此不同之懸浮力（參照圖i〇c 之黑箭頭)作用於Y軸方向之+側與〜側，據以使微動載台 FS1繞X軸旋轉（θχ驅動（0χ旋轉））（參照圖i〇c之白箭 :員)。此外，能藉由與10C相反地，使作用於可動件部 (及82b)之γ側部分之懸洋力較作用於+ γ側部分之懸 23 201131311 浮力小’據以使微動載台WFS1相對χ軸繞左旋轉。 由以上説明可知’本實施形態，能藉由微動載台驅動 糸統52Α，將微動載台WFS1相對粗動載台wcsi以非接觸 狀態懸浮支承’且相對粗動載台WCS1以非接觸方式驅動 於Y軸方向及Z軸方向。又，主控制裝置2〇,可藉由使彼 此不同大小之Y轴方向夕聪叙士/從丄 问之驅動力（推力）作用於可動件部82a 與可動件冑82b(參照10A之黑箭頭），據以使微動載台 WFS1繞Z轴旋轉（θ z旋轉）（參照圖1〇A之白箭頭卜又 主控制裝置20,可藉由使彼此不同之懸浮力(參照圖i〇B之 黑箭頭）作用於可動件冑82a與可動㈣m，據以使微動 載台WFS1繞Y軸旋轉（0y驅動）（參照圖應之白箭頭）。 進-步地，主控制裝置2〇,能藉由例如圖1()以示，使彼 此不同懸浮力（參肖圖10C之黑箭頭）作用於微動載台 之各可動件部82a、82k γ軸方向之+側與—側，據以使 微動載台WFSWX軸旋轉（ΘΧ驅動）(參照圖㈣白箭頭）。 又，本實施形態中，主控制裝置20在使懸浮力作用於 微動載台％^!時，可藉由對配置於固定件部93&内之兩列 線圈55、57供應彼此相反方向之電流，據以如例如圖“ 所示，使繞Y軸旋轉之旋轉力（參照圖n之白箭頭）與懸浮 力（參照圖11之黑箭頭）同時對可動件部82a作用。同樣地， 主控制裝置20在使懸浮力作用於微動載台WFS i時，可藉 由對配置於㈣件部93b内之兩列線圈55、57供應彼此^ 反方向之電流，據以使繞γ軸旋轉之旋轉力與懸浮力同時 對可動件部82b作用。 24 201131311 旋轉之r: 藉由使彼此相反方向之繞”由 2轉疋轉力⑷方向之力)分別作用於-對可動件部 仏、82b，使微動载台刪】之中央料向+2方向或 方向(參照圖11之具斜線箭頭)。因此，如圖η所示，藉由 使微動載台WFS1在X軸方向之中央部f (成凸狀）向+ 2方 向’可抵銷因晶圓W及本體部81之自重引起之微動載台 WFS1(本體部81)之χ軸方向中間部分之彎曲，確保晶圓w 表面對ΧΥ平面（水平面）之平行度。藉此，在晶圓％大徑化 而微動載台则大型化時等，尤能發揮效果。此外，圖u 雖顯示了將微動載台WFS1 f(成凸狀）向+2方向之例，但 亦能藉由控制電流對線圈之方向，而使微動載台wfsi彎向 與此相反方向（成凹形）。 ^本實施形態之曝光裝置100,在進行對晶圓w之步進 掃描方式之曝光動作時，微動載台WFS1之χγ平面内之位 置資訊(含0Ζ方向之位置資訊)係由主控制裝置2〇使用後 述微動載台位置測量系統7〇Α之編碼器系統73(參照圖8) 加以測量。又，微動载台WFS1之位置資訊被送至主控制裝 置20，主控制裝置2〇根據此位置資訊控制微動載台^ 之位置。 相對於此’在晶圓載台WST1(微動載台WFS1)位於微 動載台位置測量系統7〇A之測量區域外時，晶圓載台 WST1 (及彳政動載台WFS1)之位置資訊係由主控制裝置使 用晶圓載台位置測量系統16A(參照圖1及圖8)加以測量。 晶圓載台位置測量系統16A，如圖1所示，包含對藉由對粗 25 201131311 動載台WCS 1側面之反射面照射測距光束以測量晶圓載台 WST1之XY平面内之位置資訊（含0 z方向之旋轉資訊）之 雷射干涉儀。此外，晶圓載台WST1在XY平面内之位置資 訊，可取代上述晶圓載台位置測量系統1 6 A而以其他測量 裝置、例如編碼器系統加以測量。此情形下，能於例如底 盤1 2上面配置二維標尺，於粗動載台WCS 1底面設置編碼 器讀頭。 如前所述，微動載台WFS2，係與上述微動載台WFS1 完全相同地構成，且亦可取代微動載台WFS 1以非接觸方式 支承於粗動載台WCS 1。此情形下，係藉由粗動載台WCS 1 與粗動載台WCS1所支承之微動載台WFS2構成晶圓載台 WST卜藉由微動載台WFS2所具備之一對可動件部（各一對 磁石單元MUa!、MUa2及MUb丨、MUb2)與粗動載台WCS1 之一對固定件部93a、93b(線圈單元CUa、CUb)構成微動載 台驅動系統52A。又，藉由此微動載台驅動系統52A將微 動載台WFS2相對粗動載台WCS 1以非接觸方式驅動於六自 由度方向。 又，微動載台WFS2，WFS1亦可分別以非接觸方式支 承於粗動載台 WCS2，藉由粗動載台 WCS2與粗動載台 WCS1所支承之微動載台 WFS2或WFS1構成晶圓載台 WST2。此情形下，係藉由微動載台WFS2或WFS1所具備 之一對可動件部（各一對磁石單元MUa丨、MUa2及MUth、 MUb2)與粗動載台WCS2之一對固定件部93a、93b(線圈單 元CUa、CUb)構成微動載台驅動系統52B(參照圖8)。又， 26 201131311 藉由此微動載台驅動系統52B將微動載台WFS2或WFS 1 相對粗動載台WCS2以非接觸方式驅動於六自由度方向。 返回圖1，中繼載台DRST具備與粗動載台WCS1， S2同樣構成之載台本體44與設於載台本體44内部之搬 送裝置46(參照圖8)。不過，中繼載台DRST之粗動載台未 構成為此分離。 是以，載台本體44，與粗動載台WCS1，WCS2同樣地 以非接觸方式支承（保持）微動載台WFS !或WFS2，中繼 載σ DRST所支承之微動載台能被微動載台驅動系統 52C(參照圖8)相對中繼載台DRST驅動於六自由度方向 (X Y ' Z、0 X、0 y、θ Z)。不過，微動載台只要能相對 中繼載台DRST至少滑動於γ軸方向即可。 搬送裝置46，具備：搬送構件48，包含能沿中繼載台 DRST之載台本體44之X轴方向兩側壁於γ軸方向以既定 動程往返移動且在ζ軸方向亦可以既定動程上下移動之搬 送構件本體、以及能保持微動載台WFS1或WFS2相對搬送 構件本體移㈣Y軸方向之移動構件；以及搬送構件驅動 系、先54係可個別驅動構成搬送構件48之搬送構件本體及 移動構件（參照圖8)。 △其次’說明被位於曝光站2〇〇之χ粗動載台w⑶以 能移動之方式保持（構成晶圓載纟WSTD之微動載台WFS1 或WFS2之位置資訊之測量所使用之微動載台位置測量系 統7〇A(參照圖8)之構成。此處，係說明微動載台位置測量 糸統70八測量微動載台_之位置資訊之情形。 27 201131311 微動載台位置測量系統70A，如圖1所示，具備在晶圓 載台WST1配置於投影光學系統PL下方之狀態下，插入粗 動載台WCS1内部之空間部内之測量臂71A。測量臂71A， 係透過支承構件72A懸臂支承（一端部附近支承）於主框架 BD。 測量臂71A，係以γ軸 丨口jπ力冋仪刀 向（Ζ軸方向）尺寸大於寬度方向（χ軸方向）之縱長長方形剖 面之四角枉狀（亦即長方體狀）之構件，將可使光透射之相同 材料、例如玻璃構件予以貼合複數層所形成。測量臂7i A， 除了收容後述編碼器讀頭（光學系統）之部分外，形成為中 實。測量臂71A’如前所述’在晶圓載台WST1被配置於投 影光學系、统PL下方之狀態下，前端部插入粗動載台wcsi 之工間。p内’如圖i所示，其上面對向於微動載台 之下面(更正確而言係本體部81(圖i中未圖*，參照圖 等)之下面測量臂71A之上面，係在與微動載台咖之 下面之間形成有既定空隙、例如& mm左右之空隙之狀態 下，配置成與微動载台WFS1之下面大致平行。 〜 系統^3動:：位置測5糸統7〇A’如圖8所示’具傷編碼器 …”雷射干涉儀系統75。編碼H系統73，包含 微動載台WFS1之X軸方向位置 ，、里 Κ Λ綠性編碼器73乂 ' 及測量微動載台WFS1之γ軸方向位置 器73ya、73yb。編碼器系統7 線性編碼 土、糾 1更與例如美國發明直 利第W3丨號說明書、及美國發明專利申專 /288m號說明書等所揭示之編 “弟〇〇7 哨1 u下，適當地簡 28 201131311 稱為讀頭）相同構成之繞射千乎 干/y孓凟頭。不過，本實施形態 讀頭係如後述，光源及受光系統(含光檢測器)配置於測 里I 71A外僅光學系統係在測量臂”八内部、亦即配 置成與光拇RG對向。以τ to» _i_ ΤΠ以下，將配置在測量臂71Α内部之 光學系統適當稱為讀頭。 編碼器糸統7 3係以1個γ括5S 7 1 γ & 個X明頭77x(參照圖12Α及圖 12Β)測量微動載台WFSkx軸方向位置，以—對γ讀頭 77ya、77yb(參照圖12B)測量γ軸方向位置。亦即，以使用 光柵RG之X繞射柵格測量微動載台WFsi之χ軸方向位 置之X讀頭77x構成前述X線性編碼器73χ，以使用光柵 RG之γ繞射柵格測量微動載台WFS丨之γ軸方向位置之一 對Υ 5賣頭77ya、77yb構成一對γ線性編碼器73ya、73yb。 此處’說明構成編碼器系統73之三個讀頭77χ、77ya、 77yb之構成。圖12a中，顯示χ讀頭77χ之概略構成以代 表二個讀頭77x、77ya ' 77yb。又，圖1〇(Β)顯示了 χ讀頭 77x、Y讀頭77ya、77yb各自在測量臂71A内之配置。 如圖12A所示’ X讀頭77x具有偏光分束器PBS、一 對反射鏡Rla、Rib、透鏡L2a、L2b、四分之一波長板（以 下’記载為λ /4板）WPla、WPlb、反射鏡R2a、R2b、以 及反射鏡R3a、R3b等，此等光學元件以既定之位置關係配 置。Y s買頭77ya、77yb亦具有相同構成之光學系統。X讀 頭77x、γ讀頭77ya、77yb，如圖12A及圖12B所示，分 別被單元化固定於測量臂7 1A之内部。 如圖12B所示，X讀頭77x(X線性編碼器73χ)從設於 29 201131311 測量臂71A之一Y側端部上面（或其上方）之光源ldx往〜2 方向射出雷射光束LBx0’透過以對χγ平面成45»之角度斜 设於測量臂71Α之一部分之反射面Rp〖將其光路彎折為與 Y軸方向平行。此雷射光束LBxG在測量臂7 1A内部之申實 部分與Y軸方向平行地行進，而到達反射鏡R3a(參照圖 12a) °接著，雷射光束LBX()被反射鏡R3a彎折其光路後射 入偏光分束器PBS。雷射光束LBx〇被以偏光分束器ρβ8偏 光分離而成為兩條測量光束LBXl、LBx2。透射過偏光分束 器PBS之測量光束LBxi經由反射鏡Rla到達形成於微動載 台WFS 1之光柵rG，而被偏光分束器pBS反射之測量光束 LBx2則經由反射鏡Rlb到達光柵rG。此外，此處所謂之「偏 光分離」’係指將入射光束分離為p偏光成分與S偏光成 分。 藉由測量光束LBx〗、LBx2之照射而從光柵rG產生之 既疋次數之繞射光束、例如一次繞射光束，分別經由透鏡 L2a、L2b被λ / 4板WPla、WPlb轉換為圓偏光後，被反 射鏡R2a、R2b反射而再度通過久/ 4板wPla、WPlb,反 方向循著與來路相同之光路到達偏光分束器pBS。 到達偏光分束器PBS之兩條一次繞射光束，其偏光方 向各自相對原來方向旋轉9〇度。因此，測量光束lBxi、LBx2 各自之一次繞射光束即被合成於同軸上成為合成光束 LBxu。合成光束LBxlz被以反射鏡R3b將其光路彎折為平 行於Y軸’在測量臂7 1 A之内部與Y軸平行地行進，透過 前述反射面RP被送至圖丨2B所示之設於測量臂7 1 A端部 30 201131311 上面之X受光系統74χ。 於X受光系統74X’被合成為合成光束LBxi2之測量光 束LBx丨、LBx2之—次繞射光束藉由未㈣之偏光件（檢光件） 使偏光方向一致，彼此干涉而成為干涉光，此干涉光被未 圖示之光檢測器檢測出而被轉換為對應干涉光強度之電氣 訊號。此處，若微動載台WFS1移動於測量方向（此情形下 為X軸方向），兩光束間之相位差係變化而使干涉光之強度 文化此干涉光強度之變化被供應至主控制裝置20(參照圖 8)作為微動載台WFS1在X軸方向之位置資訊。 如圖12B所不，對γ讀頭77ya、77yb分別射入從光源 LDya、LDyb射出、被前述反射面Rp將光路彎折9〇。而與γ 軸平行之雷射光束LBya〇、LByb〇，與前述同樣地，從γ讀 頭77ya、77yb分別輸出被偏向分束器偏光分離之測量光束 各自藉光栅RG(之Y繞射柵格）而產生之一次繞射光束之合 成光束LBya12、LByb12，而返回至Y受光系統74ya、74yb。 此處’從光源LDya、LDyb射出之雷射光束LBya〇、LByb〇、 以及返回至Y受光系統74ya、74yb之合成光束LBya12、 LBybu，分別通過與圖12B之紙面垂直方向重疊之光路。 又’如上所述’從光源LDya、LDyb射出之雷射光束LBya〇、 LByb〇與返回至Y受光系統74ya、74yb之合成光束LByai2、 LByb12，於Y讀頭77ya、77yb係於各自之内部分別將光路 適當地加以彎折（圖示省略）’以通過於Z軸方向分離之平行 的光路。 圖13A係以立體圖顯示測量臂71A之前端部，圖13β 31 201131311 係從+ z方向觀看測量f 71A之前端部上面之俯視圖。如 圖13A及圖13B所示，χ讀頭％係從在與X轴平行之直 線LX上位於距測量臂71Α之中央仏等距離之兩點(參 照圖13B之白圓圈），對光柵RG上之同—照射點照射測量 光束LBx丨、LBX2(圖13A中以實線所示）（參照圖叫。測 量光束LBX1、LBX2之照射點、亦即χ讀頭77χ之檢測點（參 照圖13Β中之符號DP)與照射於晶圓w之照明光江之照射 區域（曝光區域）IA中心即曝光位置一致（參照圖卩。此外， 測量光束LBX1、LBX2，實際上雖會在本體部81與空氣層之 邊界面等折射，但圖12A等中，予以簡化圖示。曰 如圖12B所示，一對γ靖, 謂員77ya、77yb係分別配置於 中央線CL之+ X側、—X側。γ讀頭77ya，如圖μ及圖 13B所示，從在直線LYa上距直線…目等距離之兩轉 照圖UB之白圓圈）對光柵郎上之共通照射點照射圖Μ 中分別以虛線所示之測量光纟量光束 LBya|、LBya2之照射點、亦即γ讀頭77ya之檢測點於圖 13B中以符號DPya顯示。 Y讀頭77yb，係從相對中心線“與γ讀頭⑽之測 量光束LByai、LByh之射出點對稱之兩點（參照圖丨扣之 白圓圈）對光柵RG上之共通照射點Dpyb照射測量光束 LByb,、LByb2。如圖13B所示，γ讀頭77ya、77外各自之 檢測點DPya、DPyb配置於與χ軸平行之直線上。 此處，主控制裝置20，係根據兩個γ讀頭77ρ、77沖 之測量値之平均決定微動裁台WFS1之γ軸方向之位置。 32 201131311 因此，本實施形態中，微動載台WFS1之Y軸方向之位置 係以檢測點DPya、DPyb之中點dP為實質之測量點加以測 量。中點DP與測量光束LBx】、LBx2之光柵RG上之照射 點一致。 亦即’本實施形態中’關於微動載台WFS1之χ軸方 向及Υ軸方向之位置資訊之測量，具有共通之檢測點，此 檢測點與照射於晶圓W之照明光IL之照射區域（曝光區 域）IA中心即曝光位置一致。因此，本實施形態中，主控制 裝置20可藉由使用編碼器系統73,在將標線片尺之圖案轉 印至微動載台WFS1上所載置之晶圓w之既定照射區域 時，恒在緊鄰曝光位置之下方（微動載自刪】之背面側） 進行微動載台WFS1UY平面内之位置資訊之測量。又， 主控制裝置20根據一對γ讀頭77ya、77yb之測量値之差， 測量微動載台WFS1之θζ方向之旋轉量。 雷射干涉儀系統75,如圖13Α所示，將三條測距光束 :一一3從測量臂71Α之前端部射入微動載台 聊i之下面。雷射干涉儀系統75，具備分別照射此等三條 測距光束 LBz丨、;LBz2、LBZ3 之：個 φ ’、 照圖8)。 3之-個田射干涉儀75a〜75c(參 雷射干涉儀系統75中，= TD —蛛挪距先束LBz丨、LBz2、 LBz3 ’如圖13A及圖13]3 光區域以中心即曝& 其重心與照射區域（曝 之各頂點所相4 等腰三角形(或正三角形） 距光束LB Γ三點與z轴平行地射出。此情形下，測 射點冰於中央線CL上，其餘測距 33 201131311 光束LBZ1、LBZ2之射出點(照射點)則距中央線 本實施形態中，主控制裝置20 災用备射干涉儀系統75測

置微動載台WFS1iZ軸方向之位 J 且 σζ方向及0 方向 之旋轉量之資訊。此外，雷射干涉儀75a〜75c設於測 71A之—γ側端部上面（或其上方）。從雷射干涉儀75a〜75c 在—Z方向射出之測距光束LBz丨、LBz,、T R , 1 加2 LBZ3，經由前述 反射面RP於測量㈣A内沿γ軸方向行進，其光路分別 被彎折而從上述三點射出。 。。本實施形態十於微動載台WFS1之下面設有使來自編 碼裔系統73之各測量光束透射、阻止來自雷射干涉儀系統 75之各測距光束透射之波長選擇據波器（圖示省略）。此情 形下，波長選擇濾波器亦兼作為來自雷射干涉儀系統乃之 各測距光束之反射面。 由以上説明可知’主控制裝置2〇可藉由使用微動載台 位置測量系統70A之編碼器系統73及雷射干涉儀系統乃， 測S微動載台WFS 1之六自由度方向之位置。此情形下，於 編碼器系統73，由於測量光束在空氣中之光路長極短且大 致相等，因此能幾乎忽視空氣波動之影響。因此，可藉由 編碼器系統73高精度地測量微動載台WFS 1之χγ平面内 之位置資訊（亦含0 ζ方向）。又，由於編碼器系統7 3之X 軸方向及Υ軸方向之實質的光柵RG上之檢測點、及雷射 干涉儀系統75之Ζ軸方向之微動載台WFS下面上之檢測 點，分別與曝光區域IA之中心（曝光位置）一致，因此能將 所謂阿貝誤差之發生抑制至實質上可忽視之程度。因此， 34 201131311 主控制裝置20可藉由使用微動載台位置測量系統7〇A，在 無阿貝誤差之情形下，高精度地測量微動載台WFS1之χ 軸方向、Υ軸方向及ζ軸方向之位置。又，粗動載台wcsl 位於投影單元PU下方，當於粗動載台WCS1可移動地支承 有微動載纟WFS2日寺，主控制裝置2〇可藉由使用微動載台 位置測量系統70A測量微動載台WFS2之六自由度方向之 位置1別是能在無阿貝誤差之情形下，高精度地測量微 動載台WFS2之X軸方向、γ軸方向及2軸方向之位置。 又，雖測量站300所具備之微動載台位置測量系統7〇b 如圖1所示與微動載台位置測量系統7〇a為大致左右對 稱，但為相同之構成。是以，微動載台位置測量系統7〇b 所具備之測量臂71B係以γ軸方向為長邊方向其+ γ側 之端部附近透過支承構件72B被從主框架BD大致懸臂支 承0 粗動載台WCS2位於對準裝置99下方，當於粗動載台 WCS2可移動地支承微動載台WFS2或WFsi時，主控制裝 置20可藉由使用微動載台位置測量系統7〇b測量微動載二 WFS2(或WFS1)之六自由度方向之位置，特別是能在無^ 誤差之情形下，高精度地測量微動載台WFS2或wfs ^之X 軸方向、Y軸方向及Z軸方向之位置。 置100，於元件 WCS1所保持 以上述方式構成之本實施形態之曝光裝 之製造時，係對位於曝光站200之粗動載台 之一方之微動載台（此處例如為WFS1)所保持之晶圓w進行

步進掃描方式之曝光，以於矽a圆w L A Μ於4日日圓W上之複數個照射區域 35 201131311 分別轉印標線片 圖案。此步進掃描方式之曝光動作， 係藉由主控制與苗，Λ t t r 、置20，根據事前進行之晶 如將以全晶圓増強㈣、.隹心 圓ί半之、，.。果(例 ^ ^ Μ 4 孓對準（EGA)所得之晶圓W上各照射區

域之排列座標，鐘播& U ' 第2基準標記為基準之座標的資 訊）、及標線片對進 6士 貝 '、°果4，反覆將微動載台WFS1往 以使晶广w上之各照射區域曝光之掃描開始位置(加速開始 二置）移，之照射區域間移動動作、以及以掃描曝光方式將 形成於&線片R之圖案轉印於各照射區域之掃描曝光動 作’藉此來進行。此外’上述曝光動作係在前端透鏡191 與晶圓W之間保持有液體㈠之狀態下、亦即藉由液浸曝光 進仃。又，係依自位於+ Y側之照射區域往位於—Y側之昭 射區域之順序進行。此外’關於驗例如詳細揭示於例如 美國發明專利第4,78G，617號說明書等。 本實施形態之曝光裝i 100巾，係在上述一連串曝光 動作中，藉由主控制裝f 2〇使用微動載台位置測量系統 70A測量微動載台WFS1(晶圓w)之位置，並根據此測量結 果控制晶圓W之位置。 此外，上述掃描曝光動作時，雖需於γ軸方向以高加 速度掃描晶圓W，但本實施形態之曝光裝置1〇〇，主控制裝 置20於掃描曝光動作時，係如圖14A所示，原則上不驅動 粗動載台WCS1而僅將微動載台WFS1驅動於γ軸方向（視 需要亦包含其他五自由度方向）（參照圖1 4A之黑箭頭），據 以於Y軸方向掃描晶圓w。此係由於與驅動粗動載台wcS1 之情形相較，僅使微動載台WFS 1移動之方式驅動對象之重 36 201131311 以高加速度驅動晶圓w而較有利之 刖所述由於微動载台位置測旦έ „ 又，如 高於晶圓戴台位置測量;、：：、70Α之位置測量精度 動載台卿之方式是因此在掃描曝光時顧動微 因微動载台WFS1之驅動^反此外’在此掃描曝光時， 箭頭)之作用，粗動載 LS1被驅動往與微動載a 即，粗動載“⑶發揮配衡質量塊:功能 WST1整體構成之系統之動量守怪， 重心移動，因此不制微動^ WFSl 12作用偏加重等不理想狀態。 動而對底盤 $ -方面，於X軸方向進行照射區域間移動(步進)動作 時，由於微動載台WFS1往X轴方向之可移動量較少，因 此主控制裝置20 ’如圖14B所示，藉由將粗動載台.si 驅動於X軸方向，以使晶圓w移動於乂軸方向。 與對上述-方之微動載台WFS1上之晶圓％之曝光並 行地’在另-方之微動載台w F s 2上進行晶圓交換、晶圓對 準等。晶圓交換’係在支承微動載台侧2之粗動載台爾2 位於測量站300附近之中曰圓六4A & 町迎之既疋晶圓交換位置（前述之夾頭單元 102下方之位置)時，藉由夾頭單元1〇2及晶圓搬送臂"8 將已曝光之晶® W從微動載台WFS2上卸載，且將新的晶 圓W裝載於微動載台WFS2上。 此處詳述晶圓交換。此外，關於晶圓保持具對晶圓之 吸附及其吸附之解除留⑨料，此4主要說明晶圓交換時 之夾頭單元102之動作。 37 201131311 作為開始晶圓夺梯夕JXU. I — 、刖棱’係保持已曝光之晶圓W之 Μ動載台WFS2位於夾頭單亓 ^ 角早兀102下方之晶圓交換位置，而 被粗動載台WCS2支承（參照圖5)。 首先’主控制裝置20係控制夾頭單元1〇2之驅動部 104’將貝努里夾頭1()8往下方驅動（參照圖“(A))。在此驅 動中:主控制裝置20係監測間隙感測器"2之測量值。又， 當間隙感測器112之測詈伯士、A 〜 值成為既疋之值、例如數// m左右 時，主控制裝置2〇係停止貝努 只努里夾頭108之下降驅動，且 調整從貝努里夾頭108吹出 ,、 二乳之流速以維持該數// m 之間隙。藉此，晶圓w隔著齡"m + — 网考数以"1左右之空隙，被貝努里 夾頭10 8從上方以非拔網士 j π 非接觸方式吸附保持(參照圖16(A))。 其次，主控制裝置20控制驄叙刘, ?制驅動部104，將以非接觸方 式吸附保持有晶圓W之貝相：田+ 貝努里夾頭上升驅動（參照圖 15(B))。接著，主控制裝 ® 直20係將在晶圓交換位置附近之 待機位置待機之晶圓搬送臂 成插入至保持於貝努 108之晶圓W下方（參照圖1 欠 圖16(Β))，解除貝努里 夹頭108之吸附後，將貝努 穴頌108上升驅動些許。藉 此，晶圓w係從下方保持於晶圓搬送臂u8。 曰 接者，主控制裝置2〇係透過b圓伽.至辟 诉遇過日日圓搬送臂118將晶 搬送至自夾頭單元1〇2下方之曰圓 石之日日圓父換位置往+ X方向分 綠之晶圓搬出位置（例如塗布顯影播 r *只如钺之晶囫移交位置（搬出 側）），並載置於該晶圓搬出位置。 ^ 罝圖16(C)係顯示晶圓搬送 ’ m從晶圓交換位置逐漸離開之樣子，圖⑽ '曰 圓搬送臂11 8已從晶圓交換位置離開之狀態。 曰曰 38 201131311 其次，對微動載台WFS2之新的（曝光前）晶圓w之裝 載大致上係以與上述卸載之情形相反之程序，藉由主控制 裝置2 0進行。 亦即，主控制裝置2〇係控制晶圓搬送臂丨丨8，藉由該 晶圓搬送f 118將位於晶圓搬人位置（例如與塗布顯影機之 圓移父位置（搬入側））之晶圓w搬入至夹頭單元1 下方 之晶圓交換位置。 ^其次，主控制裝置20將貝努里夾頭108下降驅動些 、碣始貝努里夾頭1 〇8對晶圓w之吸附。又主控制 裝置2〇係將吸附有晶圓W之貝努里夹頭1G8上升驅動些 午使曰曰圓搬送臂11 8往前述待機位置退離。 ^ ^次’主控制裝置20根據從前述訊號處理系統116送 來,s曰圓W之X軸方向、γ軸方向之位置偏移與旋轉誤差 之育訊，_對位置測量器22B與晶圓載台位置測量系 "之測量值而修正晶圓W之位置偏移與旋轉誤差同 微動載台驅動系統52B(以及粗動載台驅動系 调整：：載台WFSkXY平面内之位置(包含0z旋轉 圓w其之V:,制裝置2〇將貝努里夾頭⑽下降驅動至晶 之者面抵接於微動載台WFS2之晶圓保持具之位置為 m η除貝努里夹頭108對晶圓w之吸附後，將貝努里 夹頭〇 8上升驅動既定量。藉 載台疋里㈣新的晶圓W裝載於微動 上。其次，對該新的晶圓w進行對準。 2行晶圓對準時，主控制裝置2QM係驅動微 2以將微動載台刪2上之測量板片定位於緊鄰 39 201131311 第-對準系統AL1之下方，並使用第_對平系統ali檢測 第2基準標記。X，主控制裝置2〇如例如美國發明專利申 請公開第2008/0088843號說明書等所揭示，使晶圓載台 WST2往例如—γ方向移動，將晶圓载台wst定位於盆： 動路徑上之複數處，於每次定位時使用對準系統ali，ai^ 〜AL24之至少一個檢測出對準照射區域（取樣照射區域）中 之對準標記之位置資訊。例如，當考量進行四次之定位之 情形’主控制裝置2G係在進行第-次之定位時，使用第一 對準系統AU、第二對準系統AL22, Μ，檢測三處之戚 樣照射區域中之對準標記（以下亦稱為取樣標記），在進行第 二次之定位時，使用對準系統AL1、AL2i〜al24,檢測晶 圓W上之五個取樣標記，在進行第三次之定位時，使用對 準系統AL1、AL21〜AL24檢測五個取樣標記，在進行第四 次之定位時’使用第-對準系統AL卜第二對準系統仙2, AL23檢測三個取樣標記。藉此，與以單—對準系統依序檢 測十八處之對準;f示3己之情形相較，可在更短時間内取得合 計十六處之對準照射區域中之對準標記之位置資訊。㈣ 形下，係與上述晶圓載台WST2之移動動作連動，對準系 扁AL1，AL22，AL23分別檢測依序配置於檢測區域（相當於 例如檢測光之照射區域）内之沿γ軸方向排列之複數個對準 標記（取樣標記）。是以，在上述對準標記之測量時，無須使 晶圓載台WST2移動於X軸方向。 本實施形態中’主控制裝置2〇包含第2基準標記之檢 測在内，於晶圓對準日寺’係使用包含測量冑71β之微動載 40 201131311 台位置測量系統70B進行晶圓對準時粗動載台赠2所支 戰口 FS2之Χγ平面内之位置測量。不過，並不 限於此’當晶圓對準時之微動載台WFS2之移動與粗動載台 WCS2體進仃時’亦可—邊透過前述晶圓載台位置測量系 $⑽測量晶圓W之位置一邊進行晶圓對準。又，由於測 〇 /、曝光站2〇〇為分離，因此在晶圓對準時與曝光 時，微動載台WFS2之位置係在不同之座標系統上作管理。 因此，主控制裝置2〇將以晶圓對準結果所得之晶圓W上各 照射區域之排列座標，轉換為以帛2基準標記為基準之排 列座標。 雖如上述地結束對微動載台WFS2所保持之晶圓〜進 行之晶圓對準’但此時在曝光站2〇〇仍對微動載台卿 所保持之晶圓W持續逸；?千疏决。国，，， 伢項進仃曝先。圖17(A)係顯示在對此晶 圓W進行之晶圓對準結束之階段下粗動載台w⑶， 及中繼載台DRST之位置關係。 主控制裝置20,係透過粗動載台驅動系統別將晶圓 載台WST2如圖17(B)中之白箭頭所示往—γ方向驅動既定 距離，以接觸或隔著·# m左右靠近於在既定待機位置（和 投影光學系統PL之光軸AX與第—對準系統…之檢測中 〜之中央位置大致-致）靜止之中繼載台drst。 其次，主控制裝置20控制流動於微動載台驅動系統 2 52C之YZ、線圈之電流，藉由勞倫兹力將㈣載台 S2如圖17(C)中之黑箭頭所示往—γ方向驅動以從粗 動載台WCS2將微動載台WFS2移載往中繼載台则丁。圖 41 201131311 17(D) ’係顯示微動載台WFS2往中繼載台DRST之移載已 結束之狀態。 主控制裝置20,在使中繼載台DRST及粗動載台WCS2 待機於圖1 7(D)所示之位置之狀態下，等待對微動載台 WFS 1上之晶圓W之曝光結束。 圖1 9係顯示曝光結束後一刻之晶圓載台WST1之狀 態。 主控制裝置20在曝光結束前，如圖18之白箭頭所示， 透過板片驅動系統5 8從圖7所不之狀態將可動板片b l往 下方驅動既定量。藉此’如圖18所示，可動板片bl上面 與位於投影光學系統PL下方之微動載台WFS1(及晶圓w) 上面位於同一面上。接著，主控制裝置2〇在此狀態下等待 曝光結束。 接著’在曝光結束後’主控制裝置2 〇透過板片驅動系 統58將可動板片BL往+ Y方向驅動既定量（參照圖1 9中 之白箭頭）’並使可動板片BL接觸或隔著300/(/爪左右之空 隙靠近於微動載台WFS 1。亦即，主控制裝置20，係將可動 板片BL與微動載台WFS 1設定於並列狀態。 其後’主控制裝置20如圖20所示，一邊維持玎動板 片BL與微動載台WFSi之並列狀態，一邊與晶圓載台WST1 一體地將可動板片BL往+Y方向驅動（參照圖20之白箭 頭）。藉此’在與前端透鏡i 91之間保持之液體Lq所形成之 液浸空間’係從微動載台WFS 1移交至可動板片BL。圖20， 係顯不液體Lq所形成之液浸空間從微動載台WFS 1移交至 42 201131311 可動板片BL前一刻之狀態 透鏡191與微動載台WFS1 Lq。 。在此圖20之狀態下，在前端 及可動板片BL之間保持有液體

又，當液浸空間從微動載A 六& 取13 WFS1往可動板片BL·之蒋 交結束後，如圖21所示，伴技w <移 保持微動載台WFS 1之粗動哉a WCS1係在前述待機位置 祖動栽台 持试動载台WFS2，以與粗動都 。WCS2靠近之狀態下接觸 载 乂如者300 " m左右之空隙貪 於待機中之中繼載台DRST。 ’、、 保持此微動載台WFS 1之粗叙 載口 WCS 1再往+ γ方向移動 门移動途中之階段下，主控 2〇透過搬送構件驅動系統 、置 ^ 竹搬送裝置46之搬送構件 插入於粗動載台WCS1之空間部内。 接著，在保持微動载台WFS1^_載台㈣丨 罪近於中繼載台DRST之時戢，士 ^ 之時點，主控制裝置20將搬送構件 :驅動，以自下方支承微動載台WFS1。 接著’在此狀態下，主押制 工扁置2〇使一對粗動載台 <彼此分離之方向移動。藉此，微動載台WFS1即可 從粗動載台WCS1脫離。因此，主控制裝置20,如 之白箭頭所示地將支承微動載台㈣i之搬送構件48往下 方驅動。 接著’主控制裝置20使一掛 仗對粗動載台W C S1接近移動 至保持微動載台之位置。 其次，主控制裝置2〇 #從ητ 士 ± 7他乂 便從下方支承微動載台WFS 1之 搬送構件48移動至中繼載台DRST之載台本體44内部。圖 22⑻係顯示進行搬送構件48之移動中之狀態。又，主控制 43 201131311 裝置2(M系與搬送構# 48之移動並行地控制流動於 台驅動系統52C，52A之Y驅動線圏之電流，藉由勞倫 將微動載台WFS2如圖22(B)之黑箭頭所示地 Y万向酿 動，以將微動載台WFS2& t繼載台DRST移载（滑 丨― 動載台WCS1。 '月）至粗 又，主控制裝置20，以將微動載台WFS1完全收六 中繼载台DRST之㈣之方式，㈣送構件48之搬^件 本體收容於中繼載台DRST之空間後，使保持 侧！之移動構件在㈣構件本體上往+ 丫方向移^ 圖2 2(C)中之白箭頭）。 > a 其-人，主控制裝置20將保持有微動載台WFS2 :=往—γ方向移動，將在與前端透…間= 之液浸空間從可動；g RT αs β n j攸j動板月BL移父至微動載台WFS2 冷

空間（液It Lq)之移交，係以與前述之 I wfS1往可動板片BL之移交相反之程序進行枚“動載台 :著’主控制裝置20在曝光開始前，使用前述 «.二準系統RAl、RA2、及微動載台啊2之測量板片^ 對第1基準標記等，以與一般掃描步進機相同之程 序二二美國發明專利第5,646,413號說明書等所揭示之程 作線片對準。圖22⑼係將標線片對準中之 LT2:保持其之粗動載台WCS1—起顯示。之後，主控 =置：根據標線片對準之結果與晶圓對準之 照射區域之第2基準標記為基準之排列座標)進： 4方式之曝光動作，將標線“之圖案分別轉印至 201131311 晶圓w上之複數個照射區域。此曝光動作，自_ 22⑻及圖 22(F)可清楚得知，在標線片對準後，係使微動載纟刪2 暫時返回至-Y側，依晶圓w上之竹側照射區域往_Y 側照射區域之順序進行。 與上述液浸空間之移交、標線片對準及曝光並行地進 行如以下之動作。 亦Ρ主控制裝置20，如目22(D)所示將保持微動載台 :FS1之搬送構件48移動至粗動載台w⑶之空間内。此 時：主控制裝置20係與搬送構件48之移動一起使保持微 動載σ WFS 1之移動構件在搬送構件本體上往+ γ方向移 動。 八-人，主控制裝置20使一對粗動載台WCS2彼此分 離，且如圖22⑻之白箭頭所示地將保持微動載台wsi之 搬送構件48往上方驅動’並將微動載台侧}定位於微動 載口 WFS1所具備之各一對可動件部能卡合於粗動載台 WCS2之一對固定件部之高度。 接著，主控制裝置20使一對粗動載台WCS2彼此接 藉此保持已曝光晶圓w之微動载台WFS丨被支承於 一對粗動载台WCS2。 、 八人主控制裝置2〇，將支承微動載台WFS }之粗動 載台WCS2如圖22(F)之白箭頭所示地往+ γ方向驅動，以 使之移動至測量站3〇〇。 ’、後藉由主控制裝置20，在微動載台WFS 1上血前 述同樣之程序進行晶圓交換、第2基準標記之檢測、晶圓 45 201131311 對準等。 接著，主控制裝置20將以晶圓對準結果所得之晶圓W 上各照射區域之排列座標，轉換為以第2基準標記為基準 之排列座標。此情形下，亦使用微動載台位置測量系統70B 進行對準時之微動載台WFS丨之位置測量。 雖如上述地結束對微動載台WFS1所保持之晶圓界進 打之晶圓對準，但此時在曝光站觸仍對微動載台WFS2 所保持之晶圓W持續進行曝光。 接者’主控制裝置2〇,與前述同樣地將微動載台刪工 移載往中繼載台DRST。主控制裝置2〇，在使中繼載台腦丁 及粗動載台WCS2待機在前述待機位置之狀態下，等待對 微動載自WFS2上之晶目w之曝光結束。 其後’交互使用微動載台WFS1，则2反覆進行相同 之處理，連續對複數片晶圓w進行曝光處理。

其久’說明晶圓保持且對S 八對日日圓W之吸附及其吸附之解

除。圖23(A)係概略顯示微動載A π,Α、 初戳σ WFS1之構成。此外，圖 ()〜罔23(C)雖係顯示微動截 謂2亦係相同之構成。動載口㈣1，但微動載台 如圖23(A)所示，於微動戴台wsi之本體部Μ形成 有吸引用開口部8 1 a。吸引用門^ a ^ °部81a之位置並未特別限 疋’可形成於例如本體部81之 側面、下面等。又，於本體 部81之内部設有配管構择 構件87a’配管構件87a係經由形成 於晶圓保持具WH底部之 田小成 1 、以及吸引用開口部81a 使外部空間與形成在晶圓保持 符具WH與晶圓W背面間之減 46 201131311 壓室88連通。於配管構件87a之管路途中配置有單向間 CVa。單向閥CVa藉由將配管構件8乃内之氣流方向限制 於從減壓室88朝向外部空間之一方向（參照圖23(A)之黑箭 頭）、亦即使力車交減麗t 88 β之氣體高之氣體不從外部空 間流入減壓室88内，以維持減壓室88之減壓狀態。工 曰曰 又，。曝光裝置丨〇〇,在晶圓載台WST1(或WST2)為了使 用夾頭單兀102交換晶圓w而位於圖5所示之晶圓交換位 置時，係如圖23(B)及圖23(c)所示，具有一定位成其一端 經由吸引用開口部⑴插入於配管構件仏内之吸引用配管 斷。吸引用配管8〇a之另一端連接於未圖示之真空閥。主 控制褒置20(參照圖8)在晶圓w被載置於晶圓保持具簡 上後，即控制真空閥吸引減麼室88内之氣體…及引用配管 80a與配官構件87a之間被未圖示之〇形環等密閉。藉此， 減壓室88内之塵力變得較外部空間之壓力低，晶圓W被吸 附保持於晶圓保持具WH。又，當減屋室88内之壓力成為 既定之壓力後，主控制裝置2〇即停止真空閱對減壓室Μ 之=體之吸引。其後，即使晶圓载台術叹術2)從曰 圓父換位置移動而使吸引用配管8〇a從配管構件"a拔除 由於亦藉由單向閥CVa阻塞配管構件87&之管路途中，因 此可維持減壓室88之減壓狀態， 圓保持具㈣之狀態。 、准圓W吸附保持於晶 因二由於藉由單向閥Cva維持減壓室以之減壓狀態， ^對㈣载台WFS1，WFS2連接例如用以吸引減壓 内之氣體之配管構件(例如管體)。是以，微動載台 47 201131311 WFS1，WFS2可從粗動载台WCS1，WCS2脫 台wcS1，WCS2及中繼載台DRST彼此間兩個粗動載 刪1(或WFS2)之移交等可毫無障礙地進行。θ之微動載台 又’由於若減壓室88之減壓狀態恆被錐 *付，晶H] W夕 卸載時即難以使用貝努里夾頭108(參照圖 因此於本體部81如圖23⑷所示設有用以使減壓室二： 壓狀態解除之配營構件87卜配f構件87b與配管 h 同樣地’經由形成於晶圓保持具WH底部之開 a 於本體部81之解除用開口部81b使減壓室88與外部空間 連通。解除用開口冑81b之位置並未特別限定可形：二 例如本體部81之側面、下面等。於配管構件W之管路途 中配置有單向閥CVb。單向閥CVb藉由將配管構件請内 之氣流方向限制於從外部空間朝向減壓室88之一方向（參 照圖23⑷之黑箭頭）。此外，將單向閥cvb之閥構件（在圖 23(A)〜圖23(C)中例如為球體）往關閉位置彈壓之彈簧其 彈簧常數係設定成減壓t 88在成為減壓空間之狀態㈤ 23(A)所示之狀態）下閥構件不會移動至開啟位置（在圖23(B) 之狀態下單向閥不間啟）。 又，曝光裝置100 ’在晶圓載台WST1 (或WST2)位於圖 5所示之晶圓交換位置時，係如圖23(B)及圖23(c)所示， 具有一定位成其一端從解除用開口部8丨b插入於配管構件 87b内之氣體供應用配管8〇b。氣體供應用配管8〇b之另— 端連接於未圖示之氣體供應裝置。在卸載晶圓w時，主控 制裝置20係控制氣體供應裝置使高壓氣體喷出至配管構件 48 201131311 87b内。葬+ 至減壓室：8 ’單向閥⑽成為開啟狀態，高壓氣體導入 持又 内，而解除晶圓保持具WH對晶圓W之吸附保 晶圓w’:方？供應裝置導入至減壓室88之氣體由於係從 重被消除。亦月向:曰θ0 W之背面噴出，因此，晶圓W之自 、、即，氣體供應裝置輔助貝努里夾頭108保持（上 頂）日日圓W之說从 _ , 。因此，貝努里夾頭對晶圓之吸附保持力 二二:亦可，而能使夾頭單元1〇2小龍。此外，當使 :#電吸附保持晶圓之晶圓保持具作為晶圓保持具 曰、亦可於微動載台搭載可充電之電池，並在圖5所示 之明圓交換位置與晶圓之交換一併地進行電池之充電。此 清形下’只要先於微動載台設置受電用端+，且於晶圓交 、…置附近配置在晶圓載台位於晶圓交換位置時定位成與 上述又電用端子電氣連接之供電用端子即可。 如以上所詳細說明，根據本實施形態之曝光裝置100， 在保持有w之微動載台WFS2(或WFsi)位於夾頭單元 下方之曰曰圓交換位置時，係藉由晶圓載台之貝努 里夾頭108從上方以非接觸方式保持晶圓w，而能從微動 載口 WFS2(或WFS1)搬出。因此，*需為了從微動載二 WFS2(或WFS υ卸載晶圓w，而將用以收容該卸載用之臂: 之缺口形成於微動载台WFS2(或WFSl)上之晶圓保持具 WH又，藉由貝努里夾頭1〇8從上方以非接觸方式保持晶 圓W，而能裝載於微動載台鮮叫或醫川。是以，不需 為了將晶圓W裝載於微動載台WFS2(或WFS1)，而將用: 收谷該裝載用之臂等之缺口形成於微動載台WPS”或 49 201131311 WFS 1)之晶圓保持具WH。又，根據本實施形態之曝光裝置 100,不需將用以移交晶圓之上下動構件（亦稱為中央頂起構 件或中央台）設於微動載台WFS2(4 WFS1)e因此，藉由微 動載台WFS2(或WFS1)上之晶圓保持具WH能將晶圓w包 含其周邊之照射區域在内於全面均一地吸附保持，並能於 全面良好地維持晶圓W之平坦度。 又，根據本實施形態之曝光裝置1〇〇，於微動載台WFS1 及WFS2之與χγ平面實質平行之一面分別設有形成有光柵 RG之測量面。微動載台WFS2(或WFS1)被粗動載台 WCS1 (或WCS2)保持成可沿χγ平面相對移動。又，微動載 台位置測量系統70A(70B)具有X讀頭77χ、γ讀頭77ya， 77yb，X讀頭77x、Y讀頭77ya，77yb係於粗動載台WCS1 之空間部内配置成與形成有光柵RC}之測量面對向，對測量 面分別照射一對測量光束LBXl、LBx2, LByai, LBya2, i^ybl， LByby並接收該測量光束之來自測量面之光（例如各測量光 束因繞射光柵RG產生之一次繞射光束之合成光束LBxi2, LByau，LBybu)。接著，藉由微動載台位置測量系統 70A(70B)，根據X讀頭77x、Y讀頭77ya，77yb之輸出測量 微動載台WFS1(WFS2)之至少XY平面内之位置資訊（包含 0 z方向之旋轉資訊是以，係從X讀頭77χ、γ讀頭77ya, 77yb對微動載台WFS1(WFS2)之形成有光柵RG之測量面分 別照射一對測直'光束 LBx〗、LBx2，LByai，LBya^，LByb 1 LByh ’而能藉由所謂背面測量精度良好地測量微動載台 WFS1(WFS2)之XY平面内之位置資訊。接著，藉由主控制 50 201131311 裝置20 ’透過微動載台驅動系統52a、或（微動載台驅動系 克52A及粗動載台驅動系統51八）、（或透過微動載台驅動系 統52B、或（微動載台驅動系統52b及粗動載台驅動系統 51B))，根據以微動載台位置測量系統7〇a(或7〇b)測量之位 置資汛，將微動載台WFS1(WFS2)單獨或與WCS1 (或wcs2) -體被驅動。又，如上所述，由於不須於微動載台上設置 上下動構件，因此即使採用上述背面測量亦不會特別產生 問題。 又’根據本實施形態之曝光裝置1 〇〇，係在曝光站200 中，以可相對移動之方式保持於粗動載台WcS1之微動載 台WFS1(或WFS2)上所載置之晶圓w係經由標線片R及投 影光學系統PL被以曝光用光IL曝光。此時，以可移動之 方式保持於粗動載台WCS1之微動載台WFS1(或WFS2)i XY平面内之位置資訊，係藉由主控制裝置2〇，使用具有測 量臂71A(與配置於微動載台WFS1 (或WFS2)之光柵RG對 向）之微動載台位置測量系統7〇A之編碼器系統73測量。 此情形下，由於於粗動載台WCS 1其内部形成有空間部， 微動載台位置測量系統70A之各讀頭配置於此空間部内， 因此於微動載台WFS 1 (或WFS2)與微動載台位置測量系統 70A之各讀頭之間僅存在空間。因此’能將各讀頭配置成接 近微動載台WFS1 (或WFS2)(光栅RG)，藉此，即能以微動 載台位置測量系統70A高精度地測量微動載台WFS 1 (或 WFS2)之位置資訊。又，此結果，即可高精度地以主控制裝 置20透過粗動載台驅動系統5 1A及/或微動載台驅動系統 51 201131311 52A進行微動載台WFS1 (或WFS2)之驅動。 又’此情形下，從測量臂71A射出、構成微動載a 晉須丨j |彡彡夹 、里示統70A之編碼器系統73、雷射干涉儀系統75之各 5貝頭之測量光束於光柵RG上之照射點，與照射於晶圓w ,、、'乃元IL·之照射區域（曝光區域）ΙΑ之中心（曝光位置）一 致。因此’主控制裝置20能在不受所謂阿貝誤差之影響之 凊形下’高精度地測量微動載台WFS1 (或WFS2)之位置資 訊。又，藉由將測量臂71Α配置於緊鄰光柵rg之下方， 、”扁馬器系統7 3之各讀頭之測量光束於大氣中之光路長 成為極紐，因此空氣波動之影響降低，就此點來看，亦能 尚精度地測量微動載台WFS1(或WFS2)之位置資訊。 又，本實施形態中，於測量站3〇〇設有與微動載台位 置測量系統70A左右對稱地構成之微動載台位置測量系統 则。又，測量站3〇〇巾，藉由對準系统Au，AL2i〜AL24 等對保持於粗動載台WCS2之微動載台WFS2(或wfsi)1 之a曰圓W進行晶圓對準時，以可移動之方式保持於粗動載 台WCS2之微動載台WFS2U WFS1)i χγ平面内之位置 資訊，係藉由微動載台位置測量系統7〇Β高精度地測量。 此結果’即可高精度地以主控制裳置2〇透過粗動載台驅動 系統51Β及/或微動載台驅動系統52β進行微動載台 WFS2(或WFS1)之驅動。 因此例如藉由以照明光IL使該晶圓w曝光，即能於該 晶圓W之全面精度良好地形成圖案。 又’根據本實施形態’保持曝光前晶圓之微動載台 52 201131311 WFS2(或WFS1)從粗動載台WCS2往中繼載台DRST之移交 及從中繼載台DRST往粗動載台WCS 1之移交，係藉由沿粗 動載台WCS2、中繼載台DRST、以及粗動載台WCS1之上 端面（包含一對固定件部93a, 93b之與XY平面平行之面（第 1面））使微動載台WFS2(或WFS1)滑移來進行。又，保持已 曝光晶圓之微動載台WFS1(或WFS2)從粗動載台WCS1往 中繼載台DRST之移交及從中繼載台DRST往粗動載台 WCS2之移交，係藉由在位於第1面之一Z側之粗動載台 WCS1、中繼載台DRST、以及粗動載台WCS2内部之空間 内使微動載台WFS1 (或WFS2)移動來進行。因此，在粗動 載台WCS1與中繼載台DRST之間、以及粗動載台WCS2 與中繼載台DRST之間之晶圓之移交，可在極力抑制裝置之 佔地之增加之狀態下實現。 又，上述實施形態中，中繼載台DRST雖係可在XY 平面内移動之構成，但從前述一連串並行處理動作之說明 可清楚得知，實際之行程中係保持待機於前述待機位置。 此點亦可抑制裝置之佔地之增加。 又，根據本實施形態之曝光裝置100，由於能精度良好 地驅動微動載台 WFS1 (或WFS2)，因此能將此微動載台 WFS1 (或WFS2)所載置之晶圓W與標線片載台RST(標線片 R)同步精度良好地驅動，藉由掃描曝光，精度良好地將標 線片R之圖案轉印至晶圓W上。此外，本實施形態之曝光 裝置100,由於能與在曝光站200對微動載台WFS1 (或WFS2) 上所載置之晶圓W進行之曝光動作並行地，在測量站300 53 201131311 進行微動載纟WFS1(或WFS2)上之晶圓交換及對該晶圓w 之對準測量等，因此與將晶圓交換、對準測量、曝光之各 處理於各程序進行之情形相較，能提升產能。 此外，上述實施形態中，雖說明了具備藉由驅動部1〇4 而上下動之貝努里夾頭108之夾頭單元102與晶圓搬送臂 118之協同動作，進行微動載台WFS1或WFS2上之晶圓交 換之隋形，但本發明並不限定於此，亦可例如圖2 4 ( a )所示 之變形例，於可上下動之水平多關節機器人之臂（以下簡稱 為機器臂）120之前端固定貝努里夾頭1〇8，藉此構成搬送裝 置。 ’ 在圖24(A)之構成之搬送裝置之情形，晶圓交換係以如 下程序進行。 以開始晶圓交換為前提，保持已曝光之晶圓w之微動 載台WFS2位於夾頭單元102下方之晶圓交換位置，而被粗 動載台WCS2支承（參照圖24(A))。又，貝努里夾頭1〇8待 機於既定之待機位置（參照圖24(A))。 首先，藉由主控制裝置20控制機器臂12〇，將貝努里 夾頭108往下方驅動。在此驅動中，藉由主控制裝置2〇以 與前述相同之程序’根據間隙感測器之測量值控制機器臂 12 0及貝努里失頭1 〇 8。藉此，隔著數v m左右之間隙，藉 由貝努里夾頭108從上方以非接觸方式吸附保持晶圓w(參 照圖 24(B))。 · 接著，藉由主控制裝置20控制機器臂12〇，使以非接 觸方式吸附保持有晶圓W之貝努里夾頭1 〇8上升後，在水 54 201131311 千面内驅動。藉此，將晶圓w γ太而八她—s 從日日圓交換位置搬送至往+ 在姑-以 而裁置於該晶圓搬出位置。圖 24(C)係顯不機器臂12〇 曰曰圓交換位置逐漸離開之情形。 其次’對微動載台WFS2 > & 被 之新的（曝光前）晶圓W之裝 載，係大致以與上述卸載時相^ % . 、 ’反之程序，由主控制裝置20 進订（έ羊細說明省略）。此伴 月/亦根據從前述訊號處理系統 11β送來之晶圓w之纟方& ^ . 釉方向、γ軸方向之位置偏移與旋 轉誤差之資訊，藉由主控制麥 、 利衮置20基於相對位置測量 2 2 A與晶圓載台位置測詈系絲】^ 罝系4* 16B之測量值並透過微動 台驅動系統52B(以及叙勒都a Sr_ ^ /

才動載σ驅動系統5 1B)調整微動載A WFS2之χγ平面内之位晉 位置（包含θ ζ旋轉），以修正晶圓w 之位置偏移與旋轉誤差。 此外，如圖25(A)所示’亦可構成為能將與夾頭單元 相同構成之夾頭單元1G2,（最好係較爽頭單元ig2更輕量 沦導件122驅動。此圖25(A)之變形例之搬送裝置，係在主 控制裝置20之控制下，藉由與前述實施形態相同之程序’ 被貝努里夾頭108從上方以非接觸方式吸附保持晶圓你（參 '、、、圖25(A))。其次，藉由主控制裝置2〇，將以非接觸方式 吸附保持有晶圓W之貝努里夾頭108上升驅動後，沿導^ 1 22朝向晶圓搬出位置搬送（參照圖25(b))。 其次’對微動載台WFS2之新的（曝光前）晶圓w之聿 載，係大致以與上述卸載時相反之程序，由主控制裝置2 〇 進行（詳細說明省略）。此情形亦與前述同樣地修正晶圓^ 之位置偏移與旋轉誤差。 55 201131311 此外’上述實施形態中，說明了&了調整晶圓裝載時 之位置偏移與旋轉誤差而設置三個攝影元件U4a〜η切之 情形，但並不限於此，亦可設置檢測晶圓上之標記（或圖e=) 之檢測系統、例如具備CCD等之複數個顯微鏡等。此情； 下，主控制裝置亦可使用該複數個顯微鏡檢測三個以2 = 標記位置，並使用其檢測結果進行既定之統計運算，藉此 算出晶圓w之位置偏移與旋轉誤差。 此外，上述實施形態中，亦可使用例如與真空預壓型 狹體靜壓軸承同樣利用差動排氣之夾頭構件等能從上方以 非接觸方式保持晶圓W之夾頭構件來取代貝努里失頭 又’上述實施形態中，雖說明了除了粗動載台w⑶ WCS2以外亦具備巾繼載台_τ之情形，但巾 咖 亦可並不一定要言史置。㈣形下口 與粗動載台WCS1之間直接移交㈣台则2 按栘叉U動載台、或例如透過機 械“對粗動載台WCS1，WCS2移交微動載台即可。前者 =情形1如亦可於粗動載台WCS2設置搬送機構，該搬 送機構係將微動載台移交至粗動 ^ wcsi承接微動載台而移交載:W S1，並從粗動載台 开,T 未圖不之外部搬送系統。此情 :二只要藉由外部搬送系統將保持晶 ； WCS2即可。在不設置 ：= 小裝置之佔地。 月b相對縮 此外’上述實施形態中’針對微動載 70A，7°"具備全體以例如玻璃形成、光可在内二::之 56 201131311 測量臂71A，70B之情形作了説明，但本發明不限定於此。 例如，測量臂只要至少前述各雷射光束行進之部分係以光 可透射之中實構件形成即可，其他部分可以是例如不會使 光透射之構件，亦可以是中空構造。又，作為例如測量臂， 只要是能從對向於光柵RG之部分照射測量光束的話，亦可 在例如測量臂之前端部内藏光源或光檢測器等。此情形 下’無需使編碼器之測量光束在測量臂内部行進。進一步 地，測量臂之形狀並無特定。又，微動載台位置測量系統 70A，70B並不一定必須具有測量臂，只要具有在粗動載台 WCS1，WCS2之空間部内與光栅RG對向配置、對該光栅 RG照射至少一條測量光束並接收該測量光束來自光柵 之繞射光之讀頭，即能根據該讀頭之輸出測量微動載台 WFS 1 (或WFS2)之至少χγ平面内之位置資訊的話即足夠。 又，上述實施形態中，雖係例示編碼器系統73具備X 讀頭77Χ與一對γ讀頭77ya、77沙之情形但不限於此， 例如：可設置一個或兩個以χ軸方向及γ軸方向之兩方向 為測量方向之二維讀頭(2D讀頭)。設置兩個2D讀頭之情形 時’可設置成該等之檢測點在光栅上以曝光位置為中心， 於X軸方向相距同一距離之兩點。 工延貫施形態中 WF ....... ^ n S ^ 上面、亦即與晶圓W對向之面配置有光柵RG，佴不 艮於此，光栅亦可形成於保持晶圓之晶困保持且。此情形 之穿=曝以產生晶圓保持具膨脹、或對微動載纟WFS 、者立置產生偏差之情形’亦能加以追隨而測量晶圓保 57 201131311 持具（晶圓）之位置。又，光柵亦可配置於微動載台下面，此 情形下，由於從編碼器讀頭照射之測量光束不在微動載台 内。p行進’因此不需將微動載台作成可供光透射之中實構 件’能將微動載台作成中空構造並於内部配置配管、配線 等’而能使微動載台輕量化。 將微動載台WFS1 ' WFS2相對粗動載 人 口 VV 〇 1 WCS2驅動之驅動機構，並不限於上述實施形態中說明者 例如實施形態中，雖將微動載台驅動於γ軸方向之線圈式 發揮將微動載自驅動於2轴方向之線圈之功能，但並不押 於此，亦可分別獨立設置將微動載台驅動於γ軸方向之劳 動器（線性馬達）與將微動載台驅動於Z㈣向、亦即使微食 載台懸浮之致動器。此情形下，由於能隨時使一定之㈣ 力作用於微動載台，因此微動載台之Z轴方向之位置穩定 此外，上述實施形態中，雖微動載台WFSl，WFS2係 藉由勞倫兹力（電磁力）之作用而以非接觸方式支承於粗動 載。WCS1 4 WCS2，但不限於此，例如亦可於微動載台 侧1’·2設置真空預Μ氣㈣軸承等’以相對粗動载 台WCSI或WCS2懸淫古7及 ^ ·支祆。又，上述實施形態中，微動 載口刪！，则2雖能驅動於全六自由度方向，但並不限 f此，只要至少能在與灯丨面平行之二維平面内移動即 了。又’微動載台驅動系絲 料 動糸統52Α，52Β並不限於上述動磁型 亦可疋動圈型者。再者，微動载台WFS1，WFS2亦可 以接觸方式支承於粗動戴台戰】或體2。因此 微動載台WFS1，WFS2相對# 為將 邳對粗動裁台WCS1或WCS2驅動 58 201131311 之微動載台驅動系統， 亦可以是例如將旋轉馬達與 桿（或進給螺桿）加以組合者。 等滚珠螺

步進機等靜止型曝光裝置。 雖係針對本發明適用於掃描步 限於此，亦可將本發明適用於 即使是步進機等，藉由以編碼 器測量搭載有曝光對象物體之載台之位置’與使用干涉儀 測量此載台之位置之情形不同地，能使空氣波動引起之位 置測量誤差之產生幾乎為零，可根據編碼器之測量値高精 度地定位載台，其結果，即能以高糈度將標線片圖案轉印 至物體上。又，本發明亦可適用於將照射區域與照射區域 加以合成之步進接合（step & stitch)方式之縮小投影曝光裝 又，上述實施形態之曝光裝置丨00中之投影光學系統 不限於縮小系統，可以是等倍及放大系統之任一者，而投 影光學系統PL不限於折射系統，可以是反射系統及折反射 系統之任一者，此投影像可以是倒立像及正立像之任一者。 又，照明光IL不限於ArF準分子雷射光（波長193nm)， 亦可以是KrF準分子雷射光（波長248nm)等紫外光、或ρ2 雷射光（波長157nm)等真空紫外光。亦可使用例如美國發明 專利第7,023,610號說明書所揭示之，以摻有铒（或斜及镱兩 者）之光纖放大器，將從DFB半導體雷射或光纖雷射振盞出 59 201131311 之紅外線區或可見區的單一波長雷射光予以放大作為真空 紫外光，並以非線形光學結晶將其轉換波長成紫外光之諸 波。 又，上述實施形態，作為曝光裝置i 00之照明光IL不 限於波長100nm以上之光，當然亦可使用未滿波長1〇〇nm 之光。本發明亦能適用於使用例如軟X線區域（例如5〜 15nm 之波長帶）之 EUV(Extreme Ultraviolet)光之 EUV 曝光 裝置。除此之外，本發明亦能適用於使用電子射線或離子 束等帶電粒子束之曝光裝置。 又，上述實施形態中，雖使用於光透射性之基板上形 成既定遮光圖案（或相位圖案，減光圖案）的光透射型光罩 (標線片），但亦可使用例如美國發明專利第6,778,257號說 明書所揭示之電子光罩來代替此光罩，該電子光罩（亦稱為 可變成形光罩、主動光罩、或影像產生器，例如包含非發 光型影像顯示元件（空間光調變器）之一種之DMD(Digital Micfo — mirror Device)等）係根據欲曝光圖案之電子資料來 形成透射圖案、反射圖案、或發光圖案。使用該可變成形 光罩之情形時’由於裝載晶圓或玻璃板等之載台係相對可 變成形光罩被掃描，因此使用編碼器系統及雷射干涉儀系 統測量此載台之位置，即能獲得與上述實施形態同等之效 果。 又’亦能將本發明適用於，例如國際公開第2〇〇丨/ 035 1 68號說明書所揭示，藉由將干涉紋形成於晶圓上、而 在晶圓W上形成線與間隔（iine & space)圖案之曝光裝置（微 60 201131311 影系統）。 例如美國發明專利第 經由投影光學系統在 晶圓上之一個照射區 進—步地，亦能將本發明適用於 6,611’3 16號所揭示將兩個標線片圖案 晶圓上合成，藉由一次掃描曝光來使 域大致同時進行雙重曝光之曝光裝置 此外’上述實施形態中待形成圓案之物體（能量束所昭 射之曝光對象之物體）並不限於㈣，亦可係破璃板、陶究' 基板、膜構件、或者光罩基板等其他物體。 曝光裝置1GG之用途並不限定於半導體製造用之曝光 裝置，亦可廣泛適用於例如用來製造將液晶顯示元件圖案 轉印至角型玻璃板之液晶用曝光裝置，或製造有機EL、薄 膜磁頭、攝影元件(CCD等）、微型機器及職晶片等的曝 光裝置。X ’除了製造半導體元件等微型元件以外，為了 用於光曝光裝置、Euv(極遠紫外線）曝光裝置、X射線 曝光裝置及電子射線曝光裝置等的標線片或光罩，亦能將 本發明適用於用以將電路圖案轉印至玻璃基板切晶圓等 之曝光裝置。 此外，本發明之移動體裝置並不限於曝光裝置，亦可 廣泛適用於其他之基板處理裝置（例如雷射修理裝置、基板 檢查裝置等其他）或其他精密機械之試料定位裝置、打線裝 置等具備移動載台之裝置。 其次’說明在微影製程中使用了本發明實施形態之曝 光裝置及曝光方法之微型元件之製造方法。圖26，係顯示 Μ型元件（ic(積體電路）或LSI等半導體晶片、液晶面板、 61 201131311 CCD、薄膜磁頭、微型機器等）的製造例流程圖。 首先，步驟S 1 0(設計步驟）中，係進行微型元件之功倉b /性能設計（例如半導體元件之電路設計等），並進行用以實 現該功能之圖案設計。接著，步驟si丨（光罩製作步驟）中， 係製作形成有所設計電路圖案之光罩（標線片）。另一方面， 步驟S12(晶圓製造步驟）中，係使用矽等材料來製造晶圓。 其次，步驟S13(晶圓處理步驟）中，係使用在步驟si 〜步驟Si2所準備的Μ與晶圓，如後述般，藉由微影技 術等將實際電路等形成於晶圓上。其次，步驟SM(元件组 裝步驟)中，使用在步驟S13所處理之晶圓進行元件組裝： 於此步驟S14巾，係視需要而包含切割製程、接合製程及 封裝製程（晶片封入）等製程。於此㈣S14巾，係視必要情 形而包含切割製程、接合製程及封裝製程(晶片封入)。最 後，步驟S15(檢查步驟)中，係進行在步驟su製作之微型 元件的動作確認㈣、耐久測試等檢查。在經過此等步驟 後微型元件即告完成，並將之出貨。 圖27’係顯示半導體元件令步驟⑴之詳細步驟例。 步驟S21(氧化步驟），係使晶圓表面氧化。步驟 S22(CVD(化學氣相沉積）步驟 彡係於日日圓表面形成絕緣 ^步驟叫電極形成步驟），係藉由蒸鐘將電極形成於晶 :上。步驟S24(離子植入步驟)，係將離子植入晶圓。以上 步驟S21〜步驟S24之各步驟 & 係構成晶圓處理之各階段的 月|J處理製程，並視各階段所需 白仅尸汀芾處理加以選擇並執行。 晶圓處理的各階段中，在結束上述前處理製程後，即 62 201131311 如以下進行後處理製程。此後處理製程令，首先，步驟 S25(光阻形成步驟），將感光劑塗布於晶圓。接著，步驟 S26(曝光步驟），使用以上說明之微影系統（曝光裝置）及曝 光方法將光罩之電路圖案轉印至晶圓。其次，步驟S27(顯 影步驟）’使曝光之晶圓顯影，步驟似（㈣步驟），藉由敍 刻除去光阻殘存部& ιν & 、 _ 仔4刀以外部分之露出構件。接著，步驟 S29(光阻除去步驟)中，除去結束罐不需要之光阻。藉 由反覆進行此等前處理製程及後處理製程，來於晶圓上形 成多重電路圖案。 _二上之說明，本發明之曝光裝置、曝光方法、以及 兀件製造方法，適於將薄板狀物體搬入保持裝置、及 將薄板狀物體從保持裝置搬出。χ，本發明之曝光方法： :光裝置’適於對物體上照射能量束以於物體上形成圖 案。又，本發明之元件製造方法適於製造電子元件。又， 本發明之搬送系統適於搬送薄板狀物體。 於-實施形態中，係藉由使一對第2移動體沿導引構 中在彼此分離之方向移動，而能將以一對帛2 之保持裝置在保持有物體之狀態下從一興7 地解除支承並使之脫離。 第2移動體容易 &又’藉由搬送構件從上方以非接觸方式保持物 忐搬入將之搬入保持裝因此， 伴拄驻罢 个4為了將物體裝載於 呆持哀置，而將用以收容該裝載用之臂 持F f ,又，X + 母寺之缺口形成於保 = 不需將用以移交物體之上下動構件設於保持 63 201131311 【圖式簡單說明】 圖1係概略顯示一實施形態之曝光裝置之構成之圖。 圖2係省略圖1之曝光裝置一部分後所示之俯視圖。 圖3係圖1之曝光裝置所具備之晶圓載台之外觀立體 〇 圖4係晶圓載台之局部分解圖。 圖5係放大顯示圖1之測量站附近之圖。 圖6A係顯示圖1之曝光裝置所具備之晶圓載台之從 Y方向所視之側視圖。 圖6Β係顯示晶圓載台之俯視圖。 圖7係用以說明圖i之曝光裝置所具備之可動板片之 圖8係顯示圖！之曝光裝置之控制系統構成之方塊圖。 〇〇 早元 轉時 圖9係顯示構成微動載台驅動系統之磁石單元及線圈 之配置之俯視圖。 圖i〇A係用以說明使微動載台相對粗動載台繞z轴旋 之動作之圖。 轉時 旋轉時 圖10B係用以說明使微動載台相祖，▲礼 軟* σ相對粗動載台繞Y軸旋 之動作之圖。 圖度係係用以說明使微動载台相對粗動載台繞X轴 之動作之圖 向時 圖Η係用以說明使微動載台 之動作之圖。 之中央部背向+Ζ方 64 201131311 概略構成之圖。 γ讀頭各自在測量臂内 之 圖12A係顯示X讀頭77χ之 圖12Β係用以說明X讀頭、 配置之圖。 圖1 3 Α係顯示測量臂之前端部之立體圖。 視圖 圖13B係從+ 2方向所視、測量臂之前端部之上面之俯 圖14A係用以說明掃描曝光時之晶圓驅動方法之圖。 圖14B係用以說明步進時之晶圓驅動方法之圖。 圖15係用以說明晶圓卸載程序之圖，且係顯示從側面 所視之測量站之夾頭單元附近之狀態之圖。 且係顯示從上方 圖16係用以說明晶圓卸載程序之圖， 所視之測量站之夾頭單元附近之狀態之圖 圖17係用以說明使用微動載台進行之並行處理之圖 (其 1) 〇 圖18係用以說明在微動載台與可動板片之間進行之液 浸空間（液體）之移交之圖（其丨）。 圖19係用以說明在微動載台與可動板片之間進行之液 浸空間（’夜體）之移交之圖（其2)。 圖20係用以說明在微動載台與可動板片之間進行之液 浸空間（液體）之移交之圖（其3)。 圖21係用以說明在微動載台與可動板片之間進行之液 浸空間（液體）之移交之圖（其4)。 圖 係用以5兒明使用微動載台進行之並行處理之圖 (其 2)。 65 201131311 圖23係用以說明晶圓保持具對晶圓W之吸附及其吸附 之解除之圖。 圖24係用以說明晶圓交換裝置之第1變形例之圖。 圖25係用以說明晶圓交換裝置之第2變形例之圖。 圖26係顯示本發明之微型元件之製程一例之流程圖。 圖2 7係顯示圖2 6之步驟S 1 3之詳細步驟一例之圖。 【主要元件代表符號】 5 液體供應裝置 6 液體回收裝置 8 局部液浸裝置 10 照明系統 11 標線片載台驅動系統 12 底盤 13 標線片干涉儀 14 線圈 15 移動鏡 16A, 16B 晶圓載台位置測量系統 20 主控制裝置 22A, 22B 相對位置測量器 32 嘴單元 40 鏡闾 44 載台本體 46 搬送裝置 66 201131311 48 搬送構件 51A, 51B 粗動載台驅動系統 52A, 52B, 52C 微動載台驅動系統 53 中繼載台驅動系統 54 搬送構件驅動系統 55, 57 YZ線圈 56 X線圈 58 板片驅動糸統 65a, 67a 永久磁石 66a.], 66a2 永久磁石 70A, 70B 微動載台位置測量系統 71A, 71B 測量臂 72A, 72B 支承構件 73x X線性編碼 73ya, 73yb Y線性編碼 74x X受光系統 74ya, 74yb Y受光系統 75 雷射干涉儀系統 75a〜75c 雷射干涉儀 77x X讀頭 77ya, 77yb Y讀頭 80a 吸引用配管 81 本體部 81a 吸引用開口部 67 201131311 81b 82a，82b 82ai, 82a2 82b,, 82b2 83 84 86 87a, 87b 88 92 93a 、 93b 94 95 99 100 102, 102， 104 106 108 110a, 110b, 110c 112 114a, 114b, 114c 116 118 解除用開口部 可動件部 板狀構件 板狀構件 板片 覆罩玻璃 測量板片 配管構件 減壓室 側壁部 固定件部 空氣軸承 缺口 對準裝置 曝光裝置 夾頭單元 驅動部 軸 貝努里夾頭 延設部 間隙感測器 攝影元件 訊號處理系統 晶圓搬送臂 68 201131311 120 機器臂 122 導件 150， 152 固定件 151A, 151B， 153A, 1 5 6 A 可動件 154, 155 貫通孔 191 前端透鏡 200 曝光站 300 測量站 AL1，AL2]〜 AL24 對準系統 AX 光轴 BD 主框架 BL 可動板片 CL 中心線 CUa，CUb 線圈單元 CVa 單向閥 DP 昭 射 點 (檢測 點） DPya 昭 射 點 (檢測 點） DPyb 昭 射 點 (檢測 點） DRST 中 繼 載 台 FLG 突 緣 部 ΙΑ 曝 光 區 域 IAR 昭 明 區 域 IL 眧 4 明 光 LBx0> LBya〇, LByb〇 雷 射 光 束 69 201131311 LBx 1, LBx2 測量光束 LBx12，LBya12，LByb12 合成光束 LByai, LBya2 LByb i, LByb2 LBzi ~ LBz3 LDx, LDya，LDyb

Lq

LV

LX L2a, L2b MUal5 MUa2 MUb,, MUb2

PBS

PL

PU

R

R. A j, R A 2 RG RP RST

Rla, Rib R2a, R2b R3a, R3b SU1 測量光束 測量光束 測距光束 光源 液體 基準軸 直線 透鏡 磁石早兀 磁石單元 偏光分束器 投影光學系統 投影單元 標線片 標線片對準系統 光栅 反射面 標線片載台 反射鏡 反射鏡 反射鏡 第1載台單元 70 201131311 SU2 第2載台單元 W 晶圓 WCS1, WCS2, WCS3 粗動載台 WFS1, WFS2 微動載台 WPla, WPlb 四分之一波長板 WH 晶圓保持具 WST1, WST2 晶圓載台 XG1 X導件 XGY1 X導件 XM1, XM2 X馬達 YC1, YC2 Y粗動載台 YM1, YM2, YM3 Y馬達 71

Claims (1)

1. 201131311 七 、申請專利範圍： 1· 一種曝光裝置，係藉由能量束之 體’其具有： “、、射將圖案形成於物 第1移動體’具有延伸於第！ 於與前述第i方向大致正交之第：方向之導引構件，移動 對第2移動體’設置成沿前述導 方向移動自如，萨由么 引構件於前述第i g由月丨J述第1移動體 構件一起移動於前述第2方向， 移動而與前述導引 保持裝置’係保持前述物體， 體支承為至少在包含皮則述一對第2移動 匕3刖述第！方向及前述 平面内移動自如；以及 方向之二維 搬送裝置，具有能從上方以非接觸 之夾頭構件且在盥前诚徂姓# $ 弋保持則述物體 ”…持裝置之間搬送前述物體。 如申5月專利範圍第1項之曝光裳置，1中m 構件包含利用貝努里效果 述夹頭 努里夹頭。 效果以非接觸方式保持前述物體之貝 3·如申請專利範圍第項之曝光襄置， 搬送裝置包含：第1構件，設有前述炎頭構件，在第 置於與前述既定面正交之方向上下動；以及第2構件二 與該第1構件之間進行前述物體之移交，能在包含前 位置與從該第1位置沿與前述二維平面平行之方向分離之 第2位置之既定範圍之區域内移動。 4.如申請專利範圍第丨或2項之曝光裝 ，、丁 刖遂 搬送裝置包含設有前述夾頭構件、能移動於與前述既定面 72 201131311 正交之方向及與前述既定面平行之方向之搬送構件。 5.如申禎專利範圍第1至4項中任一項之曝光裝置，其 中’前述搬送裝置具備設於前述夾頭構件、檢測與保持於 前述保持構件之前述物體上面之間隔之間隙感測器； 具有根據前述間隙感測器之檢測結果調節前述夹頭構 件與前述物體之間之距離之調節裝置。 6 ·如申睛專利範圍第1至5項中任一項之曝光裝置，其 中’前述搬送裝置具有設於前述夾頭構件、測量保持於該 失頭構件之前述物體之位置資訊之測量系統； 具有根據前述位置資訊之測量結果調整前述保持裝置 之位置之調整裝置。 7·如申請專利範圍第丨至6項中任—項之曝光裝置，其 中於則述保持裝置之與前述二維平面實質平行之一面外 於前述第2移動體之内部設有空間部； 立具備：第1測量系統，具有於前述第2移動體之空間 部内與前述測量面對向配置、對該測量面照射至少一條第丄 ，量光束並接收該帛丨測量光束之來自前述測量面：光之 s買頭部，根據該讀頭部之輸出測量前述保持裝置在至少前 :維平一面内之位置資訊；以及驅動系統’係根據以前述 ::】量系統測量之前述位置資訊’將前述保持裝置單獨 或與則述移動體一體地驅動。

   8. —種曝光方法，係藉由能量束之照 其包含： 射將圖案形成於物 73 201131311 使具有延伸於第 於與前述第1方向：=之導引構件之帛1移動體移動 乂之第2方向之步驟； 藉由前述第1移動體之移動，使設置成…道 件於前述第！方向移動“ 吏-置成則述導弓丨構 構件_钯# & 自如之一對第2移動體與前述導引 構件起移動於前述第2方向之步驟； 攻導引 藉由前述_ #4. ^ * 置，使前述-對第2銘！動體土承保持前述物體之保持裝 使前述保持裝置移動於前迷體第^前述導引構件同步移動，而 切孓別述第1方向之步驟；以及 件，ΐ ϋ從上方以非接觸方式保持前述物體之夾頭構 '、前述保持裝置之間搬送前述物ϋ之步驟。 構件=效第杲8項之曝光方法，其中，前述夾頭 '努里效果以非接觸方式保持前述物體之貝 努里夾頭。 片 」〇•如申明專利範圍第8或9項之曝光方法，其包含在 j引述夾頭構件保持前’藉由搬送構件將前述物體搬送至 引述保持裝置上方之前述夾頭構件之下方之步驟。 ":如申請專利範圍第8至10項令任一項之曝光方法， 其包含藉由設於前述夾頭構件之間隙感測器檢測保持於前 述保持I置之前述物體上面與前㉛炎頭才籌件之間隔之步 驟；以及 ^根據前述間隙感測器之檢測結果調節前述夾頭構件與 前述物體之間之距離之步驟。 12.如申請專利範圍第8至丨丨項中任一項之曝光方法， 其具有藉由設於前述夾頭構件之測量系統測量保持於該失 201131311 頭構件之前述物體之位置資訊之步驟；以及 根據前述位置資訊之測量結果調整前述保持裝置之位 置之步驟。 1 3 . —種元件製造方法，其包含： 使用申請專利範圍第8至12項中任一項之曝光方法使 物體曝光之動作；以及 使已曝光之前述物體顯影之動作。 八、圖式· (如次頁） 75