TW201137169A - Process for production of silicon layers - Google Patents

Description

201137169 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於自可自非環狀矽烷製造的高碳矽烷製造 矽層之液相方法。 【先前技術】 矽層之合成在半導體工業上極爲重要，特別是用以製 q 造電子或光電子組件層，例如用以製造太陽能電池、光二 極體和電晶體。 基本上可經由許多方法製造矽層。但是，其中，噴濺 技術的缺點在於它們必須於高真空下進行。氣相澱積法具 有其他的缺點在於i )在熱反應情況中，它們須使用極高 溫度或Π )在引入之用以先質之分解所須的能量係電磁射 線形式時，它們須使用高能量密度。這兩種情況中，僅能 夠以極高的設備複雜性以經控制和均勻的方式，引入分解 Q 先質所須的能量。由於製造矽層的其他方法亦有缺點，因 此，砂層較佳經由自液相沉積而形成。 在此製造矽層的液相方法中，液態反應物（選擇性地 作爲其他添加劑和/或摻雜劑的溶劑）或含有反應物（其 本身爲液體或固體）（及選擇性的其他添加劑和/或摻雜 劑）的液態溶液施用至待塗覆的基板，然後以熱和/或電 磁射線轉化成矽層。 此處，較佳使用的反應物係氫矽烷。這些化合物基本 上由矽和氫原子所組成且具有的優點在於它們反應轉化而 -5- 201137169 提供經澱積的矽（可能有殘留氫含量有利於電子性質）和 氣態氫。 以前技術特別包括用以自環狀矽烷（包括螺化合物） 或自高碳矽烷（低聚物，其可自環狀矽烷（包括螺化合物 )製造）製造矽層的液相方法。 例如，EP 1 1 34 224 A2描述在基板表面上製造矽膜之 方法，其中含有環戊矽烷和矽基環戊矽烷或螺[4.4]壬矽烷 的溶液施用至基板表面以形成塗膜，且該塗膜於之後藉加 熱轉化成矽膜。此方法中，發現矽基環戊矽烷和螺[4.4 ]壬 矽烷具有作爲用於環戊矽烷之自由基聚合反應引發劑的性 質或本身聚合並開環，使得能夠使用矽基環戊矽烷和螺 [4.4]壬矽烷或其與環戊矽烷之混合物，選擇性地在先以 UV光照射之後，經由熱法（熱轉化）製造矽層。所描述 的熱轉化時間爲30秒至30分鐘，溫度超過300 °C，較佳 4 0 0 - 5 0 0 °C 。 所用的環狀化合物的開環聚合反應基本上形成直鏈低 聚物。但是，這些基本上直鏈的低聚物之缺點在於，由於 它們僅可於極窄的分子量範圍內用以製造矽層：分子量過 低導致潤濕欠佳或不潤濕。分子量過高導致組成物不安定 ’自彼形成過大的低聚物沉澱物且無法得到良好潤濕和均 勻的層。如同所述之用以自環狀矽烷或可自彼製得的高碳 矽烷（低聚物）製造矽層的液相方法，以前技術亦描述用 以自直鏈矽烷（選擇性地與環狀矽烷合倂）或可自彼製造 的高碳矽烷（低聚物）製造矽層之方法。 -6 - 201137169 例如，JP 07-26762 1 A描述用以在基板上熱製造矽層 之方法，其中使用式31„^2„1 + 2(其中11125)或式3丨„112„( 其中η 2 4 )的液態矽烷。藉其中所述方法可製造的矽層可 爲非晶狀或多晶狀。其中所述的轉化溫度係溫度爲200-5 5 0 °C以得到非晶狀矽層。高於5 5 0 °C，應得到多晶狀層。 低於200 °C，據稱轉化爲矽將不完全。此實例描述轉化時 間爲 3 0 分鐘（ 3 00。。； 3 50。。； 450 °C )和 6 0 分鐘(700 °C ) 〇 。 JP 09-045922 A亦描述一種在基板上製造多晶狀矽層 之方法’其中式SimH2m + 2 (其中m2 5 )或式SinH2n (其中η 2 4 )的矽烷用於照射法。文中所述轉化溫度爲200-5 50 °C 。低於200 °C，據稱轉化爲矽將不完全。此實例描述在氫 電漿下的轉化時間爲3 0分鐘（3 5 0 °C ; 4 8 0 °C )。 US 5,8 66,47 1 A尤其描述使用直鏈或環狀氫矽烷和經 矽基取代的直鏈或環狀氫矽烷，其可熱分解提供半導體膜 Q 。所述基板於室溫爲固體，可溶於有機溶劑且具有聚合度 較佳爲3-10, 〇〇〇，更佳爲5-30。它們另較佳於200至700 °C 熱分解，硬化時間由〗0分鐘至1 0小時。 US 5,700,400 A描述用以製造半導體材料之方法，其 中將氫矽烷單體予以去氫縮合，之後，其中間產物藉熱分 解。此氫矽烷單體可爲單矽烷、二矽烷或三矽烷衍生物。 熱分解係於溫度2 0 0 - 1 0 0 0 °c，較佳2 0 0 - 7 0 0。(3進行。實例中 指明的轉化時間由1小時（7 0 0 °c )至24小時（2 0 0 t：)。 EP 1 08 5 56 0 A1的經驗指出使用式sinXm ( ng 5且m = n 201137169 、2η·2或2η)的環狀矽烷化合物和/或式SiaXbYc (其中a 2 3，b = a至2a + c + 2 ’ c=l至a)之經改質的矽烷以使用熱和 /或光製造矽膜。此可提供非晶狀或多晶狀層。在乾燥之 後，藉至多5 5 0。(：的轉化溫度’可以得到多晶狀層，且在 乾燥之後，藉高於550°C的轉化溫度可得到多晶狀層。此 實例描述轉化時間爲30分鐘（3 00°C )。 EP 1 085 579 A1描述製造太陽能電池的方法，其中使 用含有矽烷的液態組成物並藉熱、光和/或雷射處理轉化 。此液態塗覆組成物可含有溶劑和式sinXm ( X = H、Hal，η 2 5，m = n、2η-2、2η )的環狀矽化合物或式SiaXbYe (其 中 X = H、Hal，Y = B ' Ρ > a ^ 3 * c=l 至 a且 b = a 至 2a + c + 2)之 經改質的矽烷。此塗覆組成物轉化成矽烷可藉乾燥步驟之 後的轉化步驟達成。指明典型的乾燥溫度在1 00-200 °C範 圍內。此處亦陳述僅自3 0 0 °C明顯轉化得到矽層，3 0 0 °C至 5 5 0 °C得到非晶狀層，且5 5 0 °C得到多晶狀層。未報導轉化 時間。 EP 1 087 428 A1描述含有矽先質的墨組成物，其矽膜 可藉印刷法製造。其中所述矽先質係式（I ) SinXm (其中 n2 3，m = n、2n-2、2n或 2n + 2 且 X = H和 / 或 Hal)或（II) 式 SiaXbYc (其中 χ = Η和 / 或 Hal，Y = B、Ρ ’ ag 3，b = a 至 2a + c+2，c=i至a)化合物，其可單獨使用或以混合物使用 。式（I)的環狀化合物爲較佳者。使用熱和/或光可製 造矽膜。使用熱時，此轉化基本上於溫度爲1 0 0 - 8 0 0 °C進 行。此可提供非晶狀或多晶狀層。藉至高5 5 0 °C的轉化溫 -8 * 201137169 度可得到非晶狀層，且藉高於5 50 °C的轉化溫度可得到多 晶狀層。低於3 00 °C未轉化。此實例描述的轉化時間是3 〇 分鐘。 EP 1 3 5 7 1 54 A 1描述“高碳矽烷”組成物，其含有藉由 以UV射線照射光可聚合的矽烷而可製造的聚矽烷。此光 可聚合的矽烷可爲通式SinXm (其中n23，m24，X = H、 Hal )的矽烷，例子指明的化合物係式SinX2n的環狀矽烷或 SinH2n_2的二或多環狀結構’及分子中具有環狀結構的其 他矽烷，其對於光具有極高的反應性且有效率地光聚合。 此“高碳矽烷”組成物可以在基板上藉熱分解反應或光分解 反應轉化成矽膜。就此目的，此潤濕的膜藉熱（基本上 1 00-2 0 0 °C )乾燥且然後藉熱和/或光轉化。藉由溫度低 於5 5 0 °C的熱處理可得到非晶狀膜；於較高溫度，結果係 多晶狀膜。此實例報導轉化時間爲10分鐘（3 50 °C，400°C > 5 00°C )。 JP 2004-1 34440 A1係關於在矽層製造中，矽烷組成物 之照射。使用的矽烷組成物可爲（i )式SinRm (其中ng 1 1 且m = n至（2n + 2 )，其中R可爲Η )的矽烷，或（i i )式 SiiH2i + 2 (其中 i = 2-10) 、SijH2j (其中 j = 3-10)或 SikHk ( 其中k = 6 ' 8或1 0 )的矽烷，各情況中，與選自環戊矽烷、 環己矽烷和矽基環戊矽烷的至少一種矽烷合併。所述矽烷 每一者可爲鏈接、環狀或籠形式。照光時間約0. 1至3 0分 鐘，且照射期間內的溫度可爲室溫至3 0 (TC。此方法提供 矽膜生成物，其可藉1 0 〇 - 1 0 0 0 °C ，較佳2 0 0 - 8 5 0 °c ，更佳 201137169

3 Ο 0 - 5 0 0 °C轉化成矽膜。當選用的轉化溫度高於5 5 0。(：，亦 得到多晶狀矽層。低於3 00 °C，膜之形成不完全。實例報 導轉化時間爲30分鐘（ 400°C ) 、60分鐘（ 300 °C，250 °C )° 但是’所述的所有這些方法的共同特徵在於它們導致 欠佳的光學和電性質。矽層之光學和電性質的指標，更特 別是其光導電性的指標，可爲吸收係數α，其可經由PDS分 析，在中間能隙（就S i而言爲1 · 2電子伏特）測定。通常， 低α値代表良好的電和光學性質，而高α値代表欠佳的電 和光學性質。此α値可以視爲所得層中之帶隙中的狀態（ 中間能隙狀態）的頻率。在帶隙中的狀態（中間能隙狀態 )係在帶隙中的電子狀態，此狀態使得半導體材料的電性 質變差’例如，電荷載體的光導電性和壽命，此因它們作 爲電子阱並因此，例如，降低用於光電流的電荷載體的產 率之故。這些狀態通常爲不飽和的矽鍵（‘懸空鍵’）。 【發明內容】 因此’本發明之目的係提供一種用於製造矽層之液相 方法，其避免以前技術的所示缺點。更特別地，應提供一 種用以製造矽層之液相方法，其中，所用調合物是安定的 且充分潤濕基板，且其得到具有較佳電和光學性質的均句 矽層。其亦特別有利地，能夠製造具有較低吸收係數α ( 針對a S i : Η ’其可經由p D S測量，於1 . 2電子伏特測定）的 a S i : Η 。 -10- 201137169 於本情況中，藉由本發明之用於在基板上熱製造矽層 之液相方法，達到此目的，其中將由至少一種通式 SiaH2a + 2 (其中a = 3-10 )的氫矽烷所製造的至少一種高碳 矽烷施用至基板，並然後藉熱轉化成基本上包含矽的層， 其中該高碳矽烷於溫度爲500-900 °C及轉化時間S 5分鐘， 予以熱轉化。令人驚訝地，此亦能夠得到純度特別良好的 砂層。 q 瞭解本文中之熱製造矽層之液相方法是指液相反應物 (選擇性地作爲用於其他添加劑和/或摻雜劑之溶劑）或 含有反應物（其本身爲液體或固體）（和選擇性的其他添 加劑和/或摻雜劑；後者特別爲主族第III和V族的元素化 合物形式）的液相溶液施用至待塗覆的基板及然後藉熱（ 選擇性地藉電磁射線支撐）轉化成基本上包含矽的層之方 法。本情況中所用的反應物係至少一種高碳矽烷，該高碳 矽烷可製自至少一種通式SiaH2a + 2 (其中a = 3-10)的氫矽 Q 烷。通式SiaH2a + 2 (其中a = 3-l〇 )的氫矽烷係非環狀，即 ，直鏈或支鏈’氫矽烷。用以製造高碳矽烷的對應方法爲 嫻於此技術之人士已知者。例子包括光化學、陰離子、陽 離子或催化性聚合法。其中，較佳者係藉UV射線照射啓 動和進行自由基聚合法，此照射時間與所得的平均分子量 有關。所述所有聚合法的共同點在於它們以解離的方式進 行，此與關於環狀矽烷所述的開環反應不同，即，它們由 於解離反應機構和解離的中間產物或中間形成的狀態，平 均導致高碳矽烷具有相對高含量的分枝和/或交聯。經驗 -11 - 201137169 顯示可經由聚合法而自至少一種通式SiaH2a + 2 (其中a = 3_ 10)的氫矽烷製造的高碳矽烷的分子量不均勻。因此，本 發明中的“高碳矽烷”是指由至少一種通式SiaH2a + 2 (其中 a = 3-10)界定的氫矽烷經由解離聚合法製造且平均分子量 較所用反應物爲高（此歸因於選用的聚合法）的矽烷。 根據本發明之方法中，較佳地使用重量平均分子量（ 藉GPC方法測定）爲330-10,000克/莫耳的高碳矽烷。高 碳矽烷的重量平均分子量更佳爲330-5000克/莫耳，更佳 爲600-4000克/莫耳，此藉GPC方法測定。 該至少一種高碳矽烷可以，若其本身爲液體，施用至 基板無需進一步溶於溶劑中。但是，此高碳矽烷較佳以溶 於溶劑中的形式施用至基板。 優先使用的溶劑出自包含具1至12個碳原子的直鏈、 支鏈或環狀、飽和、不飽和或芳族烴（選擇性地經部分或 完全鹵化）、醇、醚、羧酸、酯、腈、胺、醯胺、亞颯和 水之群組。特別佳者係正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷 、正癸烷、十二烷、環己烷、環辛烷、環癸烷、二環戊烷 、苯、甲苯、間-二甲苯、對-二甲苯、1,3,5-三甲苯、二 氫化茚、茚、四氫萘、十氫萘、二乙醚、二丙醚、乙二醇 二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲乙醚、二乙二醇二甲醚 、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲乙醚、四氫呋喃、對-二 噚卩山、乙腈、二甲基甲醯胺、二甲亞楓、二氯甲烷和氯仿 。使用上特別佳的溶劑係烴、正戊烷、正己烷、正己烷、 正辛烷、正癸烷、十二烷、環己烷、環辛烷、環癸烷、苯 -12 - 201137169 、甲苯、間-二甲苯、對-二甲苯、1,3,5-三甲苯、二氫化 茚和茚。 當此至少一種高碳矽烷於溶劑中使用時，以此組成物 總重計，其百分比較佳至少5重量％。當此至少一種高碳矽 烷以未進一步溶於溶劑中的形式施用至基板時，其重量百 分比，根據其本身是否作爲其他添加劑和/或摻雜劑的溶 劑與否，較佳由70至1 00重量％，此以該組成物的總重計。 0 因此，較佳地，至少一種高碳矽烷的使用比例以含彼之組 成物的總重計爲5 -1 0 0重量％。組成物所含至少一種高碳矽 烷的比例爲1〇-5 〇重量％時，可得到特別薄的層。 爲了與由通式SiaH2a + 2的氫矽烷所製造的至少一種高 碳矽烷達到正面的層性質，亦可以將至少一種選自主族ΙΠ 或V族元素的化合物之摻雜劑施用至基板。對應化合物爲 嫻於此技術之人士已知者。優先使用的摻雜劑係BHxR3_x 型（其中χ=；1-3而= 〇-烷基、不飽和環狀（選擇性地 Q 醚錯合或胺錯合的C2-C1Q-烷基）的硼化合物、式Si5H9BR2 (R = Η ' Ph、Ci-Ci。-院基）和 Si4H9BR2 (R = H、Ph、Ci-c ! 〇 -烷基）的化合物、紅磷、白磷（p 4)、式P H x R 3 - x (其中 x = 0- 3而R = Ph、SiMe3、CrCw烷基）的化合物、及式 P7(SiR3)3 ( R = H、Ph、Ci-Ci。-焼基）、SisH9PR2 ( R = H、 Ph、Ci-C,。-烷基）和 Si4H9PR2(R = H、Ph、CrC,。-烷基） 的化合物。 關於本發明之方法’可以使用許多基板。較佳地’基 板包含玻璃、石英玻璃、石墨或金屬。其他較佳金屬係鋁 -13- 201137169 、不銹鋼、Cr鋼、鈦、鉻和鉬。也可以使用聚合物膜，例 如PEN、PET或聚醯亞胺。其他較佳者係熱相容金屬箔（ 選擇性地具有作爲用於金屬的擴散阻擋物之層（如碳、 Si3N4 )和在擴散阻擋層上的導電層（如TCO、ZnO、Sn02 、ITO或金屬））。所用的此擴散阻擋物可爲A1、SiOx、 AlxOy和Pt、P d、Rh和Ni。特別適合的是Ti、A1和Zr的氧 化物、及Ti和Si的氮化物。

亦較佳地，所用基板可爲存在於熱可相容載體上的矽 基板或砂層、氧化銦錫（ITO)層、ZnO: F層或Sn〇2: F (FTO)層。 施用高碳矽烷的較佳方法係選自印刷法（特別是快乾 印刷/凹版印刷、噴墨印刷、平版印刷、數位平版印刷和 網版印刷）、噴霧法、旋轉塗覆法（“旋塗”）、浸漬法（ “浸漬塗覆”）之方法及選自液面彎曲式塗佈（meniscus coating )、狹縫式塗佈（slit coating )、狹縫模具式塗佈 (slot die coating)和簾塗佈之方法。 塗覆之後及轉化之前，經塗覆的基板可經進一步乾燥 以移除存在的任何溶劑。其對應的測量法和條件爲嫻於此 技術之人士已知者。爲了僅移除溶劑，在熱乾燥的情況中 ，加熱溫度不應超過2 5 0 °C。 根據本發明之方法之轉化係於溫度爲5 0 0 - 9 0 0。(：且轉 化時間$ 5分鐘進行。藉由，例如，使用以燈、熱板、爐 、閃光燈、RTP系統或微波系統（需要時，各者爲經預熱 或熱機狀態）能夠達到相仿的迅速熱方法。轉化溫度爲 -14- 201137169 5 0 0 - 6 5 0 °C時，可達到特別佳的光學和電層性質。 轉化時間較佳爲0.1毫秒至1 20秒。爲達到特 學和電性質，轉化時間應選擇爲〇 · 1 - 6 0秒。 當在單一熱處理步驟中進行熱轉化時，所得 也會受到正面影響，即，基板較佳在初步轉化之 熱源移開並於之後再加熱。 當在熱處理之前、期間或之後照射UV射線 0 的品質也會受到正面的影響。當施用高碳矽烷之 化之前，以UV射線照射，這些正面效應最大。 射時間係1至20分鐘。 在施用高碳矽烷之後及其轉化之前，施用減 真空）時，亦可得到較佳的層。較佳減壓係1 · 1 0.5巴。經塗覆的基板更佳於減壓處理1至20分鐘 製造多層（例如串接的太陽能電池）的情況 面遵守相同時間/溫度限制（熱預算）。換言之 Q 度步驟>500 °C的和應較佳維持<5分鐘。 本發明之方法特別適合用以製造非晶狀矽層 方式中得到此的方法和手段爲嫻於此技術之人士 瞭解非晶狀矽層是指該層的拉曼光譜僅有一個峰 450公分^-500公分―1範圍內且FWHM (半峰全| 1 0 0公分1的峰。因此，本發明亦提供用於在基板 非晶狀矽層之液相方法，其中將由至少一種通5 (其中a = 3 - 1 0 )的氫矽烷所製造的至少一種高碳 至基板，並然後藉熱轉化成基本上包含矽的層， 別佳的光 層的品質 後，未自 ，所得層 後及其轉 典型的照 壓（低至 ：r3毫巴至 中，應全 ，所有溫 。在對應 已知者。 最1¾點在 [)爲 50-上熱製造 ζ SiaH2a + 2 矽烷施用 其中該高 -15- 201137169 碳矽院於溫度爲5 0 0 - 9 0 0 °C及轉化時間$ 5分鐘予以熱轉化 〇 本發明進一步提供藉該方法可製造的矽層。 本發明亦提供藉根據本發明之方法可製得的矽層之用 途’其係用於製備電子或光電組件層，特別是用於光伏應 用或用於電晶體。 下列實例用以提供本發明之標的物的其他額外說明。 【實施方式】 實例： 所有的操作排除02地在仏手套箱中進行。 A. 高碳矽烷之合成 實例1-用於本發明用途之材料 3毫升新戊矽烷在稱量瓶中以UV燈照射直到重量平均 分子量達到約Mw = 900克/莫耳。 實例2 -用於比較例之材料： 3毫升環戊矽烷在稱量瓶中以UV燈照射直到重量平均 分子量達到約Mw = 2200克/莫耳。 Β· 層製造 實例1 : 5 〇微升在前面的實例1中得到的低聚合矽烷在環辛烷 -16 - / 201137169 中之37.5重量％調合物逐滴施用至尺寸爲2.5x2.5公分2的玻 璃基板，並藉旋轉塗覆機於2000rpm旋轉。所得膜在加熱 板上於6 0 0 °C硬化2 0秒。得到厚度約1 3 0奈米的棕色S i層（ 參照圖1 ) 。PDS數據顯示於1.2電子伏特的α値爲1 〇3公分-1 ，拉曼數據指出爲100%非晶狀aSi : Η。 比較例1 : 5〇微升在前面的實例1中得到的低聚合矽烷在環辛烷 中之3 7重量％調合物逐滴施用至尺寸爲2.5 X 2.5公分2的玻璃 基扳，並藉旋轉塗覆機於2000rpm旋轉。所得膜在加熱板 上於4 0 0 °C硬化1 0分鐘。得到厚度約1 4 0奈米的棕色S i層。 PDS數據顯示於1.2電子伏特的α値爲120公分-1，拉曼數據 指出爲100%非晶狀aSi : Η。 比較例2 : Q 5〇微升在前面的實例2中得到的低聚合矽烷在環辛烷 中之28.5重量％調合物逐滴施用至尺寸爲2.5x2.5公分2的玻 璃基板，並藉旋轉塗覆機於6000rpm旋轉。所得膜在加熱 板上於400 °C硬化10分鐘。得到厚度約142奈米的棕色Si層 。PDS數據顯示於1.2電子伏特的α値爲172公分-1，拉曼數 據指出爲100%非晶狀aSi : Η。 比較例3 : 3毫升環戊矽烷在稱量瓶中以UV燈照射直到重量平均 -17- 201137169 分子量約MW = 3100克/旲耳。50微升所得到的低聚合矽烷 在環辛烷中之37.5重量％調合物逐滴施用至尺寸爲2.5><2.5 公分2的玻璃基板，並藉旋轉塗覆機於2500rpm旋轉。所得 膜在加熱板上於5 0 0 °C硬化6 0秒（參照圖2 )。 【圖式簡單說明】 圖1顯示自新戊矽烷製得的高碳矽烷層。 圖2顯示自環戊矽烷製得的高碳矽烷層。 -18-

Claims (1)

1. ✓ 201137169 七、申請專利範圍： !· 一種用於在基板上熱製造矽層之液相方法， 將由至少一種通式SiaH2a + 2 (其中a = 3-10 )的氫矽烷 造的至少一種高碳矽烷施用至基板，並然後藉熱轉化 本上包含矽的層，其特徵在於該高碳矽烷 - 於溫度爲500-900 °C - 及轉化時間S 5分鐘，予以熱轉化。 ry 2·如申請專利範圍第1項之方法，其中該至少一 碳矽烷的重量平均分子量爲33 0- 10,000克/莫耳。 3 .如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該至 種高碳矽烷溶於溶劑中地施用至基板。 4 ·如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該至 種高碳矽烷的使用比例以含彼之組成物的總重計爲5 重量％。 5. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該至 Q 種高碳矽烷與至少一種選自主族ΠΙ或V的元素之化合 摻雜劑一起施用至基板。 6. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該基 含玻璃、石英玻璃、石墨、金屬、塑膠或矽，或存在 可相容載體上的矽、氧化銦錫、ZnO : F或Sn〇2 : F層 7. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該至 種高碳矽烷係藉選自印刷法、噴霧法、旋轉塗覆法、 法、液面彎曲式塗佈（meniscus coating)、狹縫式塗 slit coating)、狹縫模具式塗佈（slot die coating) 其中 所製 成基 種高 少一 少一 -100 少一 物的 板包 於熱 少一 浸漬 佈（ 和簾 -19- 201137169 塗佈之方法而予以施用。 8 ·如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該熱轉化 於溫度爲500-650°C進行。 9. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該轉化時 間爲0.1毫秒至1 2 0秒，更佳爲〇 · 1 _ 6 〇秒。 10. 如申請專利範圍第1或2項之方法，其中該熱轉化 係在單一熱程序步驟中進行。 1 1 ·如申sra專利fe圍第1或2項之方法，其中在熱處理 之前、期間或之後施以UV照射。 1 2·如申請專利範圍第1或2項之方法，其中在施用高 碳矽烷之後及其轉化之前，施以減壓。 1 3 · —種藉申請專利範圍第1項之方法可製得的砍層 〇 1 4 · 一種藉申請專利範圍第1項之方法可製得的砍層 於製備電子或光電組件層之用途。 -20-