TW201127928A - Photosensitive adhesive, and film adhesive, adhesive sheet, adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, and semiconductor device, which are made using same - Google Patents

Description

201127928 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於感光性黏著劑及使用其之薄膜狀黏著劑 、黏著薄片、黏著劑圖型、附黏著劑層之半導體晶圓及半 導體裝置。 【先前技術】 近年，隨著電子零件之高性能化或高功能化，而提案 具有各種形態之半導體封裝。這種半導體封裝時，用於黏 著半導體元件與搭載半導體元件用支撐構件的黏著劑，較 佳爲形成薄膜狀時之黏貼性（以下僅稱爲「黏貼性」）或形 成硬化物時之高溫的黏著性、熱壓黏性、耐熱性及耐回流 性（以下分別稱爲「高溫黏著性」、「熱壓黏性」、「耐 回流性」）等方面優異者。此外，可使半導體封裝之組裝 程序簡略化’因此，上述黏著劑較佳爲以鹼顯像液之細線 化或溶解顯像性等圖型形成性（以下僅稱爲「圖型形成性 」）的方面優異者。 感光性黏著劑組成物係具有經光照射之部分產生化學 性變化’不溶化或可溶化水溶液或有機溶劑之「感光性」 的功能’這種感光性黏著劑組成物作爲上述黏著劑使用， 介由光罩進行曝光、顯像可得到高精細之黏著劑圖型。 感光性黏著劑組成物以往係提案以光阻或聚醯亞胺樹 脂則驅物（尔釀肢酸）爲基質者爲人所知（專利文獻1〜3 )、 低Tg(玻璃轉移溫度）聚醯亞胺樹脂爲基質者（專利文獻4) 201127928 [先行技術文献] [專利文獻] 專利文獻1:特開2000-290501號公報 專利文獻2 :特開2 0 0 1 - 3 2 9 2 3 3號公報 專利文獻3:特開平11-24257號公報 專利文獻4 :國際公開第07/004569號說明書 【發明內容】 [發明槪要] [發明欲解決的課題] 但是光阻在耐熱性方面不足。而以聚醯亞胺樹脂前驅 物爲基質的感光性·黏著劑組成物雖然耐熱性方面沒有問題 ，但是熱閉環醯亞胺化時，需要3 00°C以上的高溫，因此 在對周邊材料之熱傷害大、揮發成分量大、熱應力容易發 生等方面仍不足。 此等以往的感光性黏著劑組成物很難同時兼具黏貼性 與圖型形成性，及高溫黏著性、熱壓黏性不足，仍需要改 良。 此外，以上述低Tg聚醯亞胺樹脂爲基質的感光性黏 著劑組成物雖在黏貼性方面沒有問題，但是圖型形成性、 熱壓黏性及高溫黏著性方面仍不足。 爲了提高感光性黏著劑組成物之圖型形成性、熱壓黏 性、高溫黏著性，而嘗試調整輻射聚合性化合物或熱硬化 -6- 201127928 性樹脂的量。但是輻射聚合性化合物增量時，有黏性（黏 的程度或黏著性）變大，不易使用的傾向、熱壓黏性不足 的傾向、應力增大的傾向等。減少輻射聚合性化合物的量 時，圖型形成性及高溫黏著性有不足的傾向。熱硬化性樹 脂增量時，有圖型形成性不足的傾向。 爲了提高高溫黏著性，而使聚醯亞胺形成高Tg化時 ，聚醯亞胺分子間之凝集力上昇，阻礙顯像時之顯像液的 滲透，使圖型形成性明顯惡化，有無法形成細線圖型的問 題。此時，未曝光部在薄膜狀的狀態下，由被黏物部剝離 ，形成圖型的狀態（剝離顯像）。此顯像狀態下，薄膜狀之 未曝光部長時間殘存於顯像液中，再附著於圖型形成部分 ，而有半導體裝置之良率降低的問題。 如上述，以往在黏貼性、圖型形成性、熱壓黏性及高 溫黏著性全部十分優異的感光性黏著劑組成物不存在，因 而希望開發這種感光性黏著劑組成物。 因此，本發明之目的係提供黏貼性、圖型形成性、熱 壓黏性及高溫黏著性全部十分優異的感光性黏著劑組成物 、及使用其之薄膜狀黏著劑、黏著薄片、黏著劑圖型、附 黏著劑層之半導體晶圓及半導體裝置。 [解決課題的手段] 換言之，本發明係提供含有（A)具有氟烷基之含醯亞 胺基樹脂（以下也稱爲「（A)成分」）、（B)輻射聚合性化合 物（以下也稱爲「（B)成分」）、（C)光起始劑（以下也稱爲「 201127928 (c)成分」）、及（D)熱硬化性成分（以下也稱爲「（D)成分」 )的感光性黏著劑。本發明之感光性黏著劑係因具備上述 構成，因此在黏貼性、圖型形成性、熱壓黏性及高溫黏著 性全部成爲十分優異者。特別是本發明之感光性黏著劑係 因含有（A)成分（具有氟烷基之含醯亞胺基樹脂），可抑制將 含有醯亞胺基形成高Tg化時之含醯亞胺基之分子間之凝 集力上昇，因此成爲圖型形成性（溶解顯像性及細線化）、 熱壓黏性及高溫黏著性優異者。 在此氟烷基係指含有C-F鍵的化合物。 本發明之感光性黏著劑組成物中，「黏貼性」係指將 感光性黏著劑組成物成形爲薄膜狀，作爲薄膜狀黏著劑時 的黏貼性，而「高溫黏著性」係指將感光性黏著劑組成物 形成硬化物時之加熱下的黏著性，「圖型形成性」係指形 成於被黏物上之上述薄膜狀黏著劑所構成之黏著劑層，介 於光罩進行曝光’藉由鹼顯像液顯像時所得之黏著劑圖型 的精度，而「熱壓黏性」係指將上述黏著劑圖型在加熱下 ，壓黏（熱壓黏）於支撐構件等時的黏著情況。 本發明之感光性黏著劑組成物從黏貼性、熱壓黏性的 觀點，上述（A)成分之Tg較佳爲180°C以下者。 本發明之感光性黏著劑組成物從圖型形成性的觀點， (A)具有氟院基之含醯亞胺基樹脂較佳爲進一步含有驗可 溶性基者。 本發明之感光性黏著劑組成物從圖型形成性、熱壓黏 性及高溫黏著性的觀點，上述（A)成分較佳爲使含有全二 201127928 胺之5莫耳％以上之具有酣性經基之二胺的二胺與四殘酸 二酐反應所得的含醯亞胺基樹脂。 二胺爲使用含有酚性羥基的二胺時’上述特性優異係 因以下的理由。塗佈感光性黏著劑組成物，經加熱乾燥加 工成薄膜狀黏著劑時，含醯亞胺基樹脂爲使用含羧基樹脂 時，加熱乾燥時，與調配之環氧樹脂反應’熱可塑性樹脂 之酸價大幅降低。而將含醯亞胺基樹脂之側鏈設定爲酚性 羥基，比設定爲羧基時，更不易與環氧樹脂進行反應。結 果提高圖型形成性、熱壓黏性及高溫黏著性。 本發明之感光性黏著劑組成物從圖型形成性、熱壓黏 性及耐回流性（reflow)的觀點，上述具有酚性羥基之二胺 較佳爲含有以下述一般式（6)表示之具有氟烷基之二酹二胺 者0

耐回流（Reflow)性」係指將上述黏著劑圖型熱壓黏 於支撐構件等，經硬化、吸濕後之耐回流性。 本發明之感光性黏著劑組成物從保存安定性、高溫黏 者性的觀點’（D)熱硬化性成分較佳爲含有（D1)環氧樹脂 201127928 本發明之感光性黏著劑組成物從圖型形成性的觀點， (A )含醯亞胺基樹脂較佳爲鹼可溶性樹脂。 本發明之感光性黏著劑組成物從熱壓黏性、高溫黏著 性及耐回流性的觀點，（D)熱硬化性成分較佳爲進一步含 有（D2)具有乙烯性不飽和基及環氧基之化合物者。 藉由調配上述（D2)，提高高溫黏著性及耐回流性之特 性係例如有以下的理由。將具有環氧基之（甲基）丙烯酸酯 ((D2)成分）導入於光照射後之輻射聚合性化合物彼此之網 絡時，表觀的交聯密度降低，提高熱壓黏性。此外，此環 氧基與熱硬化性基或硬化劑、特別是聚合物側鏈的酚性羥 基反應時，分子鏈彼此之纏繞增多，相較於僅調配輻射聚 合性化合物及熱硬化性樹脂之各個交聯反應獨立進行的體 系’可形成更強靭的網絡。結果成爲高溫黏著性及耐濕性 十分優異者。 本發明之感光性黏著劑組成物從高溫黏著性、圖型形 成性的觀點，（D)熱硬化性成分較佳爲進一步含有（D 3)酚 化合物。 本發明之感光性黏著劑組成物從高溫黏著性、耐回流 性及氣密封閉性的觀點，較佳爲進一步含有（E)過氧化物 者。 本發明之感光性黏著劑組成物從薄膜形成性的觀點， 較佳爲進一步含有（F)塡充料者。 別外的側面中，本發明係有關將上述感光性黏著劑組 成物成形爲薄膜狀而獲得之薄膜狀黏著劑。本發明之薄膜 -10- 201127928 狀黏著劑藉由使用上述感光性黏著劑組成物，而在黏貼性 、高溫黏著性、圖型形成性、熱壓黏性、耐熱性及耐濕性 全部成爲十分優異者。特別是上述薄膜狀黏著劑即使在低 溫也具有優異的黏貼性（低溫黏貼性）。 本發明係有關具備基材與形成於該基材上之上述薄膜 狀黏著劑所構成之黏著劑層的黏著薄片。 本發明係將被層合於被黏物上之由上述薄膜狀黏著劑 所構成的黏著劑層介於光罩進行曝光，並且將曝光後之黏 著劑層用鹼顯像液進行顯像處理而獲得的黏著劑圖型。此 外，本發明之黏著劑圖型也可爲將被層合於被黏物上之由 上述薄膜狀黏著劑所構成的黏著劑層，使用直接描繪曝光 技術，直接使圖型進行描繪曝光，並且將曝光後之黏著劑 層用鹼水溶液進行顯像處理而形成者。本發明之黏著劑圖 型係藉由使用上述感光性黏著劑組成物，而成爲熱壓黏性 優異之高精細的圖型。特別是上述黏著劑圖型即使在低溫 也具有優異的熱壓黏性（低溫熱壓黏性）。 本發明係有關具備半導體晶圓與層合於該半導體晶圓 上之由上述薄膜狀黏著劑所構成之黏著劑層的附黏著劑層 之半導體晶圓。 此外，本發明係有關具有使用上述感光性黏著劑組成 物，黏著半導體元件與半導體元件及/或半導體元件與搭 載半導體元件用支撐構件而成之構造的半導體裝置。本發 明之半導體裝置係藉由使用上述感光性黏著劑組成物，可 使製造步驟簡略化’且具備優異的信賴性者。 -11 - 201127928 上述半導體元件搭載用支撐構件較佳爲透明基板。 [發明效果] 依據本發明時，可提供黏貼性（低溫黏貼性）、高溫黏 著性、圖型形成性、熱壓黏性（低溫熱壓黏性）全部十分優 異的感光性黏著劑組成物。 此外，依據本發明時，可提供具有熱壓黏性及高溫黏 著性的微細圖型，且可提供耐回流性優異的材料。 又’依據本發明時，即使使含醯亞胺基樹脂形成高 Tg化’也可維持圖型形成性，因此形成邊框狀圖型時， 可提供賦予優異之高溫黏著性與氣密封閉性的材料。 本發明可提供黏貼性（低溫黏貼性）、高溫黏著性、圖 型形成性、熱壓黏性（低溫熱壓黏性）、耐回流性及氣密封 閉性優異的薄膜狀黏著劑、黏著薄片、黏著劑圖型、附黏 著劑層之半導體晶圓及半導體裝置。 「氣密封閉性」係指將上述黏著劑之額緣狀圖型熱壓 黏於支撐構件等，經硬化、吸濕後的耐結露性（耐霧性）。 [實施發明之形態] 以下依據需要參考圖面，詳細說明實施本發明之形態 。但是本發明並不限於以下實施形態。圖面中，相同要素 賦予相同符號，同時省略重複的說明。又，上下左右等之 位置關係只要沒有特別說明時，則是以圖面所示之位置關 係爲準，圖面之尺寸比率並不限於圖示的比率者。 -12- 201127928 本實施形態之感光性黏著劑組成物係含有（A)具有氟 院基之含醯亞胺基樹脂、（B )輻射聚合性化合物、（c)光起 始劑、及（D)熱硬化性成分。 (A)成分之Tg較佳爲180°C以下，更佳爲120。(：以下。 此Tg超過1 80°C時’將薄膜狀黏著劑（黏著劑層）貼合於被 黏著物（半導體晶圓）時，需要高溫，半導體晶圓有容易產 生翹曲的傾向。薄膜狀黏著劑黏貼於晶圓內面的溫度，從 抑制半導體晶圓翹曲的觀點，較佳爲2 0〜1 5 0。(：，更佳爲 4 0 〜ί 0 0° 又’ Tg爲180°C以上時，圖型形成後之熱壓黏時，需 要更高溫。熱壓黏的溫度從抑制熱壓黏前之熱硬化反應之 進行及半導體晶圓翹曲的觀點，較佳爲60〜220 °C，更佳 爲100〜180 °C。爲了可在上述溫度之貼合及熱壓黏時，薄 膜狀黏著劑之Tg較佳爲1 8(TC以下，更佳爲1 50。(3以下， 最佳爲120°C以下。此外，Tg較佳爲20°C以上，更佳爲 4 0 °C以上’最佳爲5 0 °C以上。T g爲2 0 °C以下時，B階段狀 態之薄膜表面的黏性太強，使用性有變得不佳的傾向。此 外’有曝光後之熱硬化物的T g降低，高溫黏著性、耐回 流性及氣密封閉性降低的傾向。 其中，所謂的「Tg」係指（A)成分形成薄膜化時之主 分散峰値溫度。使用Rheometric公司製造之黏彈性分析儀 「RS A-2」（商品名）以升溫速度5。(：/min、頻率1 Hz、測定 溫度-5 0〜3 0 0 °C的條件下測定，以t an δ峰値溫度作爲主分 散峰値溫度。 -13- 201127928 (A)成分之重量平均分子量較佳爲控制 500000之範圍內，更佳爲1 0000〜300000，更 〜100000。重量平均分子量在上述範圍內時， 劑組成物形成薄片狀或薄膜狀時的強度、可撓 好，又，由於熱時流動性良好’因此可確保對 之配線段差（凹凸）之良好的埋入性。上述重量 未達5000時，會有薄膜成形性不充分的傾向 述重量平均分子量超過50 00 00時，會有熱時 述埋入性不充分的傾向，或圖型形成時，樹脂 顯像液之溶解性有不足的傾向。其中，所謂「 子量」係指使用島津製作所公司製造之高速液 C-R4A」（商品名），以聚苯乙烯換算測定時的 子量。 藉由使（A)成分之Tg及重量平均分子量在 ，可壓低貼合於晶圓內面之貼合溫度，同時亦 導體元件黏著固定於搭載半導體元件用支撐構 溫度（熱壓黏溫度），且可抑制半導體元件翹曲 外，可有效賦予黏貼性、熱壓黏性或顯像性。 (A)成分之含醯亞胺基樹脂例如有聚醯亞 醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、聚胺基甲 胺樹脂、聚胺基甲酸乙酯醯胺醯亞胺樹脂、矽 胺樹脂、聚酯醯亞胺樹脂、此等之共聚物等。 使用一種，或組合兩種以上使用。從鹼可溶性 等樹脂之主鏈及/或側鏈上具有環氧乙烷、伸 在 5000 ~ 佳爲10000 感光性黏著 性及黏性良 於基板表面 平均分子量 。此外，上 流動性及上 組成物對鹼 重量平均分 體層析儀「 重量平均分 上述範圍內 可降低將半 件時的加熱 之增大。另 胺樹脂、聚 酸乙酯醯亞 氧烷聚醯亞 此等可單獨 的觀點，此 丙基醚骨架 -14- 201127928 較佳。 (A)成分例如可使四羧酸二酐與二胺以公知的方法縮 合反應而得。換言之，在有機溶劑中，四羧酸二酐與二胺 以等莫耳或必要時相對於四殘酸二酐之合計1 . 0 m ο 1，二胺 之合計較佳爲0·5〜2.0mol，更佳爲0.8〜l.Omol之範圍內 調整組成比（各成分之添加順序爲任意），反應溫度80 t以 下’較佳爲0〜60°C進行加成反應。隨著反應進行，反應 液之黏度慢慢上昇，生成聚酿亞胺樹脂之前驅物的聚醯胺 酸。爲了抑制樹脂組成物之諸特性降低，上述之四羧酸二 酐較佳爲以乙酸酐進行再結晶.純化處理者。 對於縮合反應之上述四羧酸二酐與二胺的組成比係相 對於四羧酸二酐之合計l.Omol，二胺之合計超過2.0mol 時’所得之聚醯亞胺樹脂中，胺末端之聚醯亞胺寡聚物的 量有變多的傾向，聚醯亞胺樹脂的重量平均分子量降低， 包括樹脂組成物之耐熱性之各種特性有變得不充分的傾向 。另一方面’相對於四羧酸二酐之合計l.Omol，二胺之合 計未達〇.5mol時，有酸末端之聚醯亞胺樹脂寡聚物的量 有變多的傾向，聚醯亞胺樹脂之重量平均分子量變低，包 括樹脂組成物之耐熱性之各種特性有變得不充分的傾向。 聚醯亞胺樹脂可藉由使上述反應物（聚醯胺酸）經脫水 閉環而獲得。脫水閉環可以加熱處理之熱閉環法、使用脫 水劑之化學閉環法等進行。 (A)成分之含醯亞胺基樹脂較佳爲含有下述一般式（A) 表示之構造單位的樹脂。 -15- 201127928 [化2]

㈧ 上述一般式（A)中，Q係表示4價有機基’ 有聯苯基骨架之4價有機基、具有萘基骨架之4 、具有二苯甲酮骨架之4價有機基、具有脂環族 價有機基、具有氟烷基之4價有機基等。 作爲含有醯亞胺基樹脂之原料使用的四羧酸 要是二胺成分中含有氟烷基時，則無特別限制， 低線膨脹係數的觀點，較佳爲使用3,3’，4,4’-聯苯 酐、2,2，，3,3，-聯苯四羧酸二酐、2,3,3'，4'-聯苯四 、3，4,3 ·，4’-聯苯四羧酸二酐等具有聯苯基骨架之 1，2,5,6-萘四羧酸二酐、1,4,5,8-萘四羧酸二酐、： 四羧酸二酐、1，2,4,5 -萘四羧酸二酐等具有萘基 二酐。從提高輻射線硬化時之感度的觀點’較 3,4,3’，4'-二苯甲酮四羧酸二酐、2,3,2’，3’-二苯甲 二酐、3,3,3’，4·-二苯甲酮四羧酸二酐等具有二苯 之酸二酐。又，從提高透明性的觀點，較ί 1，2,3,4-丁烷四羧酸二酐、十氫萘-1，4,5,8-四羧 4,8-二甲.基-1，2,3,5,6,7-六氫萘-1,2,5,6-四羧酸二 例如有具 價有機基 骨架之4 二酐，只 例如從降 四羧酸二 羧酸二酐 酸二酐、 !，3,6,7-萘 骨架之酸 佳爲使用 酮四羧酸 甲酮骨架 _爲使用 酸二酐、 酐、環戊 -16- 201127928 烷-1，2,3,4-四羧酸二酐、1，2,3,4-瓖丁烷四羧酸二酐、雙 (exo-雙環[2,2，1]庚烷-2,3-二羧酸二軒、雙環-[2,2,2]-辛_7. 烯·2,3,5,6-四羧酸二酐等具有脂環族骨架之酸二酐或2,2. 雙（3,4-二羧基苯基）六氟丙烷二酐、2,2-雙[4-(3,4-二殘基 苯基）苯基]六氟丙烷二酐、I，4-雙（2-羥基六氟異丙基）苯雙 (偏苯三酸酐）、I，3 -雙（2_羥基六氟異丙基）苯雙（偏苯三酸 酐）等具有氟烷基之酸二酐。此外，從提高對於3 6 5 nm之 透明性的觀點’較佳爲使用下述一般式（1)表示之四竣酸二 酐等。下述一般式（1)中，a係表示2〜2〇的整數。 [化3]

上述一般式（1)表示之四羧酸二酐，可由例如偏苯三酸 酐單氯化物及對應之二醇來合成，具體而言例如有 伸乙基）雙（偏苯三酸酐）、1，3-(三亞甲基）雙（偏苯三酸酐） 、I，4-(四亞甲基）雙（偏苯三酸酐）、丨，5_(五亞甲基）雙（偏苯 三酸酐）、1，6-(六亞甲基）雙（偏苯三酸酐）、^-(七亞甲基） 雙（偏苯三酸酐）、1，8-(八亞甲基）雙（偏笨三酸酐）、1，9_(九 亞甲基）雙（偏苯三酸酐）、1，1〇-(十亞甲基）雙（偏苯三酸酐） 、1，12-(十二亞甲基）雙（偏苯三酸酐）' —(十六亞甲基） -17- 201127928 雙（偏苯三酸酐）、1，18-(十八亞甲基）雙（偏苯三酸酐）等。 此等化合物不會影響耐熱性，可降低Tg。 又’四羧酸二酐從對溶劑或鹼之良好溶解性及耐濕性 、對於3 6 5nm之光的透明性、熱壓黏性的觀點，較佳爲使 用以下述一般式（2)或（3 )表示的四羧酸二酐。

〇 (3) 如以上之四羧酸二酐可單獨使用一種或組合兩種以上 使用。 二胺成分不含氟烷基時，作爲含醯亞胺基樹脂之原料 使用四羧酸二酐例如有2,2-雙（3,4-二羧基苯基）六氟丙烷 二酐、2,2-雙[4-(3,4-二羧基苯基）苯基]六氟丙烷二酐、 1，4_雙（2-羥基六氟異丙基）苯雙（偏苯三酸酐）、1，3-雙（2-羥 基六氟異丙基）苯雙（偏苯三酸酐）、3,3'-二胺基二苯基二氟 甲烷、3,4’-二胺基二苯基二氟甲烷' 4,4'-二胺基二苯基二 氟甲烷、2,2-雙（3·胺基苯基）六氟丙烷、2,2-(3,4’-二胺基 -18- 201127928 二苯基）六氟丙烷、2,2-雙（4-胺基苯基）六氟丙烷、2,2_雙 (4-(3-胺基苯氧基）苯基）六氟丙烷、2,2-雙（4-(4-胺基苯氧 基）苯基）六氟丙院等具有氟院基之四殘酸二酐可作爲原半斗 使用。 作爲含有醯亞胺基樹脂之原料使用之二胺，無特別限 定，但是爲了調整聚合物之Tg及溶解性、鹼可溶性，可 使用下述二胺。例如從提高耐熱性及黏著性的觀點，_交{圭 爲使用0 -苯二胺、m -苯二胺、P -苯二胺、雙（4 -胺基-3,5-二甲基苯基苯基）甲烷'、雙（4-胺基-3 ,5-二異丙基苯基）甲院 、2,2-雙（3-胺基苯基）丙烷、2,2'-(3,4’-二胺基苯基）两院、 2,2-雙（4-胺基苯基）丙烷、1，3-雙（3-胺基苯氧基）苯、1ί4_ 雙（3-胺基苯氧基）苯、1,4-雙（4-胺基苯氧基）苯、3,3·-(1，4-伸苯基雙（1-甲基亞乙基））雙苯胺、3,4'-(1，4-伸苯基雙（1_ 甲基亞乙基））雙苯胺、4,4’-(1，4-伸苯基雙（1-甲基亞乙基）） 雙苯胺、2,2-雙（4-(3-胺基苯氧基）苯基）丙烷、2,2·雙（4-( 胺基苯氧基苯基）丙烷。從降低線膨脹係數的觀點，較佳 爲使用3,3，-二胺基苯基醚、3,4，-二胺基苯基醚、4,4’-二胺 基苯基醚、3,3，-二胺基苯基甲烷、3，4’-二胺基苯基甲烷、 4,4，-二胺基苯基醚甲烷、3,3，-二胺基苯基颯、3，4’·二胺基 苯基颯、4,4'-二胺基苯基颯、雙（4_ (3-胺基稀氧基）苯基） 楓、雙（4-(4-胺基烯氧基）苯基）颯、3,3'_二經基-4,4’-二胺 基聯苯。從可提高與金屬等之被黏著物的密'著1彳生的觀點’ 較佳爲使用3，V-二胺基二苯基硫' 3,4，-二胺基二苯基硫、 4,4，-二胺基二苯基硫、雙（4 - (3 -胺基烯氣基）苯基）硫、雙 -19- 201127928 (4-(4-胺基烯氧基）苯基）硫。爲了調整鹼可溶性，可使用 3,5-二胺基苯甲酸等之芳香族二胺' 3,3’-二羥基_4,4,_二胺 基聯苯。此外，可降低Tg之二胺，例如有1，3_雙（胺基甲 基）環己烷、下述一般式（8)表示之脂肪族醚二胺、τ $ _ 般式（9)表示之矽氧烷二胺等。下述一般式（8)中，Rl、R2 及R3係各自獨立表示碳數1〜10之伸烷基，b係表示2〜 80之整數。下述一般式（9)中，R4及R9係各自獨立表示碳 數1〜5之伸烷基或可具有取代基之伸苯基，R5、R6、R7 及R8係各自獨立表示碳數1〜5之烷基、苯基或苯氧基， d係表示1〜5之整數》 [化5] h2n- -R1—(-0—R2)—O—R3-NH2

r9-nh, (8) ⑼ 二胺成分從圖型形成性（溶解顯像性、細線化）、熱壓 黏性的觀點，較佳爲使用下述一般式（19)、（20)、（21)或 (22)表示之含有氟烷基的二胺。 -20- 201127928

上述式中，x係各自獨立爲單鍵、-ο.、_s_、_s〇2. 、-CO-、-CH2-、-C(CH3h·、-CF2-、-C(CF3)2_，γ 係含有 氟烷基之碳數1〜3〇之有機基，z係各自獨立表示—H、含 有碳數1〜1 〇之烷基、羧基、酚性羥基、磺酸基、硫醇基 、氟烷基之有機基。 上述含醯亞胺基樹脂從圖型形成性的觀點，較佳爲含 有鹼可溶性基者。前述鹼可溶性基係指羧基、酣性經基、 二醇基’又從充分賦予圖型形成性與高溫黏著性的觀點， 在側鏈上具有羧基及/或酚性羥基者更佳，酚性羥基者最 佳。 側鏈上具有羧基的含醯亞胺基樹脂，無特別限定，例 如藉由使酸二酐與下述含羧基二胺反應而得。上述含殘基 -21 - 201127928 二胺爲了調整圖型形成性、熱壓黏性、耐回流性時，較佳 爲使用下述一般式（4)或（5)表示之含羧基芳香族二胺。 [化7] (4)

作爲含醯亞胺基樹脂之原料使用之含酚性羥基二胺係 當四羧酸二酐及二胺含有氟烷基時，無特別限定，例如有 2,2’-雙（3-胺基-4-羥基苯基）六氟丙烷、3,3’-二羥基·4,4·- 二胺基聯苯、3,3’-二胺基-4,4·-二羥基二苯基颯、2,2'-二 胺基雙酚Α、雙（2-羥基-3-胺基-5-甲基苯基）甲烷、2,6-二{(2- 羥基-3-胺基-5-甲基苯基）甲基}-4-甲基酚、2,6-二{(2-羥 基-3-胺基-5-甲基苯基）甲基}-4-羥基苯甲酸丙酯等的化合 物。此等化合物可單獨1種或組合2種以上使用》 上述二胺中，從圖型形成性（溶解顯像性、細線化）、 熱壓黏性、高溫黏著性、耐回流性的觀點，較佳爲使用下 述一般式（6)表示之含有氟烷基二酚二胺。使用此二胺時， 從黏貼性、熱壓黏性及高溫黏著性的觀點，較佳爲全二胺 之80莫耳％以下者，更佳爲60莫耳％以下者。此外，從 薄膜之自行支撐性、高溫黏著性、耐回流性及氣密封閉性 -22- 201127928 的觀點，較佳爲5莫耳％以上者，更佳爲1 0莫耳％以上者 ，更佳爲2 0莫耳％以上者。此量在上述範圍時’可將含有 醯亞胺基之Tg調整爲上述範圍’可賦予黏貼性' 熱壓黏 性、高溫黏著性、耐回流性及氣密封閉性。 811H2此8

ο (6 上述溶解顯像性係指未曝光部對於顯像液產生溶解， 同時形成圖型。 二胺成分從賦予與其他成分之相溶性、有機溶劑可溶 性'驗可溶性'低溫黏貼性、低溫熱壓黏性的觀點，較佳 爲下述一般式（8)表示之脂肪族醚二胺，更佳爲乙二醇及/ 或丙二醇系二胺。如上述之脂肪族醚二胺係顯示高親水性 的柔軟性骨架’因此可不影響鹼可溶性的狀態，降低T g 。下述一般式（8)中，Ri、R2& R3係各自獨立表示碳數i 〜10之伸烷基，b係表示2〜8〇之整數。 [化9] H2N—R^_〇—R2^_〇—r3_Nh2 ⑹ 此等fl曰肪族醚〜胺’具體例有SAN TECHNO CHEMICAL( -23- 201127928 股）製造之 JEFAMINE D-230、D-400、D-2000、D-4000、 ED-600、ED-900、ED-2000、EDR-148，BASF(製）聚酸胺 D-23 0、D-400、D-2 000等之聚氧烷二胺等之脂肪族二胺 °此等—胺較佳爲全部二胺之1〜8 0莫耳％，更佳爲5〜 6〇莫耳％。此量未達1莫耳％時，會有不易賦予高溫黏著 性、熱時流動性的傾向’而超過8 0莫耳％時，含有醯亞胺 基樹脂之Tg過低’會有損及薄膜之自行支撐性的傾向。 上述脂肪族醚二胺從圖型形成性的觀點，較佳爲具有 下述一般式（7)表示之伸丙醚骨架，且分子量爲3〇〇〜6〇〇 者。使用這種二胺時’從薄膜之自行支撐性、高溫黏著性 、耐回流性及氣密封閉性的觀點，較佳爲全部二胺之8 〇 莫耳％以下者’更佳爲60莫耳％以下者。又，從黏貼性、 熱壓黏性及高溫黏著性的觀點，較佳爲1 〇莫耳。/()以上，更 佳爲20莫耳％以上。此量爲上述範圍內，可將含有醯亞胺 基之Tg調整成上述範圍，可賦予黏貼性、熱壓黏性、高 溫黏著性、耐回流性及氣密封閉性。

[化 10] ch3 了 / 严 \ ch3 HgN C CH^ I 2 τ~〇 C CH2—j 〇—?—CH2——NH； 1 Η ' Η ' Ύ] 1 71 H ⑺ 上述式中，m係表示3〜7之整數。 二胺成分從賦予室溫之密著性、黏著性的觀點，較佳 爲以下述一般式（9)表示的矽氧烷二胺。下述一般式（9)中 -24- 201127928 ’R及R係各自獨立表示碳數1〜5之伸烷基或可具有取 代基之伸苯基，R5、R6、R7及R8係各自獨立表示碳數！ 〜5之院基、苯基或苯氧基，d係表示〗〜5之整數。

此等一胺較佳爲全部二胺之5〜5 〇莫耳％，更佳爲i 〇 〜30旲耳％。低於5莫耳％時，添加矽氧烷二胺的效果變 小’超過5 0旲耳％時，與其他成份之相溶性、高溫黏著性 及顯像性會有降低的傾向。 上述二胺可單獨1種使用或組合2種以上使用。 如上述所示’本發明使用之含醯亞胺基樹脂，最佳爲 使用原料之一胺爲上述構造式所示之含有親院基之二酣二 月女爲全部一 fl女之20〜60莫耳％，分子量300〜600之醚一 胺爲全部二胺之20〜60莫耳％，矽氧烷二胺爲10〜3〇莫 耳％，Tg爲50〜120°C之含醯亞胺基樹脂。 又，上述含醯亞胺基樹脂可單獨1種或必要時可混合· (摻合）2種以上使用。 上述含醯亞胺基樹脂之合成時，藉由將以下述一· ^式； (10)、（11)或（12)表示之化合物之單官能酸酐及/或下述— 般式（23)表示之化合物之單官能胺投入縮合反應液中，可 -25- 201127928 於聚合物末端導入酸酐或二胺以外的官能基 [化 12] Ο

(10) 〇

(11) 〇

(12) [化 13] h2n

(23) 又，藉此，可降低聚合物之分子量，可提高圖型形成 時之顯像性及熱壓黏性。酸酐或二胺以外之官能基並沒有 特別限制，但就提昇圖型形成時之鹼可溶性的觀點，較f圭 爲羧基或酚性羥基、乙二醇基等鹼可溶性基。又，就賦予 黏著性的觀點，較佳爲使用上述一般式（12)表示之化合物 或具有胺基之（甲基）丙烯酸酯等具有輻射聚合性基及/或熱 硬化性基之化合物。又，從賦予低吸濕性的觀點，較佳爲 使用具有矽氧烷骨架等的化合物。 上述含聚醯亞胺基樹脂從光硬化性的觀點，成形成 30μιη之薄膜狀時對365nm之透過率較佳爲1〇%以上，更 佳爲20%以上。 -26- 201127928 本實施形態之感光性黏著劑組成物中，（A)成分之含 量係以感光性黏著劑組成物之固成份總量作爲基準，較佳 爲5〜90質量％，更佳爲1〇〜80質量％，更佳爲20〜70 質量％，此含量未達5質量％時，圖型形成時之顯像性會 有不足的傾向，而超過90質量％時，圖型形成時之顯像性 及黏著性會有不足的傾向。 (A)成分缺乏鹼溶解性或（A)成分不溶解於鹼時，可添 加具有羧基及/或羥基之樹脂，及/或具有親水性基之樹脂 作爲溶解助劑。具有親水性基之樹脂係指只要是鹼可溶性 之樹脂則無特別限制，例如具有如乙二醇、丙二醇基之二 醇基的樹脂。 本實施形態之感光性黏著劑組成物係（D)硬化性成分 爲可含有（D1)環氧樹脂、（D2)具有乙烯性不飽和基及環氧 基之化合物、（D 3)酚化合物、硬化促進劑等。 (D 1)環氧樹脂從高溫黏著性、耐回流性的觀點，較佳 爲分子內含有至少2個以上之環氧基者，從圖型形成性、 熱壓黏性的觀點，更佳爲室溫（2 5 °C )下爲液狀或半固形， 具體而言’軟化溫度爲5 0 °C以下的縮水甘油醚型環氧樹脂 。這種樹脂無特別限定，例如有雙酚A型（或A D型、S型 、F型）之縮水甘油醚、氫化雙酚a型縮水甘油醚 '環氧 乙烷加成物雙酚A型之縮水甘油醚、環氧丙烷加成物雙酚 A型之縮水甘油醚、三官能型（或四官能型）之縮水甘油醚 、二聚物酸之縮水甘油酯、三官能型（或四官能型）之縮水 甘油基胺等。此等可單獨使用或組合兩種以上使用。 -27- 201127928 上述環氧樹脂從低釋氣（outgas)性、高溫黏著性、耐 回流性的觀點’ 5 %質量減少溫度較佳爲1 5 0。(：以上，更佳 爲18(TC以上，更佳爲200°C以上，最佳爲260°C以上。 上述5%質量減少溫度（以下爲「5%質量減少溫度」） 係指使用差式熱熱重量同時測定裝置（SII NanoTechnology 製：TG/DTA6300)，以昇溫速度1 〇。(：/min、氮流量（400 ml/min)下測定試料時的5%質量減少溫度。 上述環氧樹脂從可充分賦予5 %質量減少溫度、圖型 形成性、高溫黏著性、耐回流性、氣密封閉性的觀點，較 佳爲使用下述一般式（24)或（2 5)表示之環氧樹脂。

環氧樹脂從防止離子移行或防止金屬導體電路腐蝕的 觀點，較佳爲使用將雜質離子之鹼金屬離子、鹼土金屬離 子、鹵素離子、特別是氯離子或水解性氯等減低至 300ppm以下之高純度品。 環氧樹脂之含量係相對於（A)成分100質量份，較佳 爲1〜100質量份，更佳爲5〜50質量份。此含量超過100 質量份時，對鹼水溶液之溶解性降低，有使用性、圖型形 -28- 201127928 成性降低的傾向。而上述含量未達5質量份時，有無法得 到充分的熱壓黏性' 高溫黏著性的傾向。 本發明從熱壓黏性、高溫黏著性及耐回流性的觀點， 可含有（D 2)具有乙烯性不飽和基及環氧基之化合物。 (D2)成分（具有乙烯性不飽和基及環氧基之化合物）中 ，乙烯性不飽和基例如有乙烯基、烯丙基、丙炔基、丁烯 基、乙炔基、苯基乙炔基、馬來醯亞胺基、納迪醯亞胺 (NADIIMIDE)基、（甲基）丙烯醯基等，從反應性的觀點， 較佳爲（甲基）丙烯醯基。 (D2)成分並無特別限制，例如有縮水甘油基甲基丙烯 酸酯、縮水甘油基丙烯酸酯、4-羥基丁基丙烯酸酯縮水甘 油醚、4-羥基丁基甲基丙烯酸酯縮水甘油醚外，具有與環 氧基反應之官能基及乙烯性不飽和基之化合物與多官能基 環氧樹脂反應獲得的化合物等。上述與環氧基反應之官能 基並無特別限制，例如有異氰酸酯基、羧基、酚性羥基、 羥基、酸酐、胺基、硫醇基、醯胺基等。此等化合物可單 獨使用一種或組合兩種以上使用。 (D2)成分係例如在三苯基膦或四丁基溴化銨之存在下 ，使一分子中具有至少兩個以上之環氧基的多官能環氧樹 脂與相對於1當量之環氧基爲0.1〜0.9當量之（甲基）丙烯 酸反應而得。 (D2)成分從保存安定性、黏著性、組裝加熱時及組裝 後之封裝之低釋氣性、高溫黏著性 '耐回流性、氣密封閉 性的觀點，5%質量減少溫度較佳爲1 50°C以上，更佳爲 -29- 201127928 180°C以上，更佳爲200°C以上，最佳爲260°C以上。 (D 2)成分從防止離子移行或防止金屬導體電路腐鈾的 觀點，使用將雜質離子之鹼金屬離子、鹼土金屬離子、鹵 素離子、尤其是氯離子或水解性氯等降低至lOOOppm以下 ，更佳爲300ppm以下之高純度品。例如降低鹼金屬離子 、鹼土金屬離子、鹵素離子等之多官能基環氧樹脂作爲原 料使用，可滿足上述雜質離子濃度。 滿足上述耐熱性與純度之（D2)成分無特別限制，例如 有以雙酚A型（或AD型、S型、F型）之縮水甘油醚、氫 化雙酚A型縮水甘油醚、環氧乙烷加成物雙酚A及/或F 型縮水甘油醚、環氧丙烷加.成物雙酚A及/或F型之縮水 甘油醚、酚醛清漆樹脂之縮水甘油醚、甲酚酚醛清漆樹脂 之縮水甘油醚、雙酚A酚醛清漆樹脂之縮水甘油醚、萘樹 脂之縮水甘油醚、三官能型（或四官能型）之縮水甘油醚、 二環戊二烯酚樹脂之縮水甘油醚、二聚物酸之縮水甘油酯 、三官能型（或四官能型）之縮水甘油基胺、萘樹脂之縮水 甘油基胺等作爲原料者。 特別是爲了改善熱壓黏性、低應力性及黏著性，且圖 型形成時維持顯像性時，（D2)成分之環氧基及乙烯性不飽 和基之數較佳爲分別爲3個以下，乙烯性不飽和基之數較 佳爲2個以下。這種（D2)成分無特別限定，較佳爲使用下 述一般式（13)、（14)、（15)、（16)或（17)表示之化合物等。 下述一般式（13)〜（17)中，R12及R16係表示氫原子或甲基 ，R1Q、R11、R13及R14係表示2價有機基，R15〜R18係表 -30- 201127928 示具有環氧基或乙烯性不飽和基的有機基 [化 15] 〇 -R10—Ο

〇—R11—CH-CH2—Ο—C—C=CH2 OH Ο R12 (13) /\ -R13—〇

CH2.

R12 Ο—R14_CH一CH2—Ο—C—C=CH2 (14) OH O

0—R18

(16) (17) 本實施形態之感光性黏著劑組成物中，（D 2 )成分之含 量係相對於（A)成分1 0 0質量份，較佳爲5〜1 0 〇質量份， 更佳爲10〜70質量份。此含量超過100質量份時，在薄 S吳开5成時會有觸變性下降而難以形成薄膜的傾向，或黏性 上升使操作性變得不佳的傾向。又，因樹脂組成物之溶解 性缺乏，因此’圖型形成時之顯像性有降低的傾向，且由 -31 - 201127928 於光硬化後之熔融黏度過低，在熱壓黏時，有圖型 傾向。另一方面，上述（D2)成分之含量未達5質量 有熱壓黏性、高溫黏著性、耐回流性降低的傾向。 (D3)酚化合物從圖型形成性、高溫黏著性、耐 的觀點，較佳爲分子中具有至少2個以上之酚性經 系化合物。這種化合物例如有酚醛清漆、甲酚酚酸 第三丁基酚酚醛清漆、二環戊二烯甲酚酚醛清漆、 二烯酚醛清漆、苯二甲基改質酚醛清漆、萘酚系化 參酚系化合物、四酚醛清漆、雙酚A酚醛、聚-對 酚、酚芳烷基樹脂等。此等中，以數平均分子量爲 4 0 00之範圍內者較佳。藉此，半導體裝置組裝加熱 抑制成爲半導體元件或裝置等之污染原因之加熱時 (outgas)。（D3)酚化合物之含量相較於（A)成分100 ，較佳爲1〜100質量份，更佳爲2〜50質量份，f 〜30質量份。此含量超過100質量份時，曝光時具 性不飽和基及環氧基之反應性化合物及輻射聚合性 之反應性變得不足，或樹脂之親水性上升，使顯像 厚減少，或有膨潤的傾向。另外，由於顯像液對樹 之浸透變大，使其後之加熱硬化時或組裝熱履歷下 變多，會有耐熱信賴性或耐濕信賴性大幅降低的ί頃 一方面，上述含量未達1質量份時，會有無法獲得 高溫黏著性的傾向。 含有（D3)酚化合物提高圖型形成性係因下述理 成的。感光性黏著劑組成物係因含有（D3) ’在顯像 變形的 份時， 回流性 基的酚 清漆、 二環戊 合物、 乙烯基 4 0 0〜 時，可 的釋氣 質量份 佳爲2 有乙烯 化合物 後之膜 脂圖型 之釋氣 向。另 充分的 由所造 時係以 -32- 201127928 低分子量鹼可溶性單體形態存在。如此，組成物中含有溶 解促進劑，因此局部溶解性變高，顯像液便得容易滲透。 如上述，溶解促進劑爲使用含有羧基樹脂時，藉由薄膜形 成時之加熱乾燥，進行與環氧樹脂之反應，圖型形成性有 降低的傾向。 含有（D3)可提高高溫黏著性係因下述理由所造成的。 感光性黏著劑組成物係藉由含有（D 3 )，在熱硬化時，以低 分子量熱硬化性單體形態存在。如此，組成物中含有低分 子量硬化劑，在熱時，分子運動變得容易，硬化容易進行 〇 上述酚化合物從5 %質量減少溫度高，可充分賦予圖 型形成性的觀點，較佳爲使用下述一般式（26)表示之酚化 合物。藉由使用下述一般式（26)表示之低分子量酚化合物 ，可兼具良好的圖型形成性與高溫黏著性。

從充分賦予圖型形成性與熱壓黏性的觀點，相對於 (A)成分100質量份時，（D)成分之總量較佳爲1〇〜150質 量份，更佳爲2〇〜120質量份’最佳爲30〜100質量份。 -33- 201127928 在以上的範圍可充分賦予圖型形成性。圖型形成時之光照 射後所殘存之低分子量成分變多，因此可充分賦予熱壓黏 性。 如上述’藉由降低光照射後之熔融黏度，可賦予熱壓 黏性。具體而言’光照射後之2 0。(：〜2 0 0 t之最低熔融黏 度較佳爲30000Pa.s以下，更佳爲20000Pa.s以下，最 佳爲lOOOOPa · s以下。關於下限値，爲了抑制熱壓黏時之 圖型變形，較佳爲l〇〇Pa · s以上，更佳爲1 000Pa · s以上 〇 上述最低熔融黏度係表示使用黏彈性測定裝置ARES (Rheometric Scientific FE(股）製造）測定照射光量 1000 mJ/cm2後’進行顯像、水洗，以i2〇°c加熱乾燥1〇分鐘的 試料時之於50°C〜200°C之熔融黏度的最低値。又，測定 板爲直徑8mm之平行板’測定條件爲升溫5»c/min，測定 溫度爲2〇°C〜2〇0°C，頻率設定爲1Hz。 最低熔融黏度在上述範圍，可在無圖型變形或氣泡的 狀態下，充分的賦予熱壓黏性。 硬化促進劑只要是含有藉由加熱促進環氧基之硬化/ 聚合之硬化促進劑者即無特別限制，例如有咪唑類 '二胺 基二醯胺衍生物、二羧酸二醯肼、三苯基膦、四苯基鐵四 苯基硼酸鹽、2-乙基-4-甲基咪唑-四苯基硼酸鹽、丨，8-二氮 雜雙環[5.4.0]十一烯-7 -四苯基硼酸鹽等。感光性黏著劑組 成物中之硬化促進劑的含量係相對於環氧樹脂丨〇〇質量份 ’較佳爲0.01〜50質量份。 -34- 201127928 本感光性黏著劑組成物係在圖型形成後，將其他的構 件進行熱壓黏後，以所定的溫度進行熱硬化，可賦予優異 的高溫黏著性、耐回流性、氣密封閉性。熱硬化之溫度以 1 0 〇 °c〜2 2 0 °c進行較佳，以i 2 〇 t〜2 0 0。(：進行更佳，以 1 5 0 °C〜1 8 0 °C進行最佳。硬化溫度爲2 2 0 °C以上時，對週邊 材料之熱傷害變大’產生熱應力之黏著劑樹脂組成物變脆 ，有高溫黏著性降低的傾向，若爲1 〇 〇 °C以下時，熱硬化 成分不會進行硬化反應，高溫黏著性降低，硬化時間變長 的傾向。 (B)福射聚合性化合物例如有具有乙烯性不飽和基的 化合物，而乙烯性不飽和基例如有乙烯基、烯丙基、丙炔 基、丁烯基、乙炔基、苯基乙炔基、馬來醯亞胺基、納迪 醯亞胺基、（甲基）丙烯醯基等，從反應性的觀點，較佳爲（ 甲基）丙烯醯基，輻射聚合性化合物較佳爲2官能以上之（ 甲基）丙烯酸酯。這種丙烯酸酯無特別限定，例如有二乙 二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙稀 酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸 醋、四乙—醇一甲基丙嫌酸醋、三經甲基丙院二丙稀酸醋 、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二甲基丙烯酸 酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、丨，4 —丁二醇二丙嫌酸 酯、1，6_己二醇二丙烯酸酯、1，4_ 丁二醇二甲基丙烯酸醋 、1，6 -己二醇二甲基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季 戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、季戊四醇 四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、二季戊四醇六 -35- 201127928 甲基丙烯酸酯、苯乙烯、二乙烯基苯、4-乙烯基甲苯、4-乙烯基吡啶、N -乙烯基吡咯烷酮、丙烯酸2 -羥基乙酯、甲 基丙烯酸2-羥基乙酯、l，3-丙烯醯氧基-2-羥基丙烷、1,2-甲基丙烯醯氧基-2-羥基丙烷、亞甲基雙丙烯醯胺、ν,Ν-二甲基丙烯醯胺、Ν -羥甲基丙烯醯胺、參（β -羥基乙基）異 脲氰酸酯之三丙烯酸酯、以下述一般式（18)表示之化合物 、胺基甲酸乙酯丙烯酸酯或胺基甲酸乙酯甲基丙烯酸酯及 尿素丙烯酸酯等。

上述一般式（18)中，R19及R2()係各自獨立表示氫原子 或甲基，g及h係各自獨立表示1〜20之整數。 此等放射線聚合性化合物可單獨使用一種或可組合兩 種以上使用。其中，具有以上述一般式（18)表示之乙二醇 骨架之輻射聚合性化合物，從可充分賦予鹼可溶性、硬化 後之耐溶劑性的方面較佳，而胺基甲酸乙酯丙烯酸酯及甲 基丙烯酸酯、具有異脲氰酸之丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯係 在可充分賦予硬化後之高黏著性方面較佳。 本發明之感光性黏著劑組成物係（B)輻射聚合性化合 物爲含有3官能以上之丙烯酸酯化合物者較佳。此時，可 更提高硬化後之黏著性，同時可抑制加熱時之釋氣。 -36- 201127928 本發明之感光性黏著劑組成物係（B)輻射聚合性化合 物爲從充分賦予圖型形成性、耐熱性、氣密封閉性的觀點 ，最佳爲含有下述一般式（2?)表示之異脲氰酸環氧乙烷改 性二丙烯酸酯及/或下述一般式（28)表示之異脲氰酸環氧乙 烷改性三丙烯酸酯者。 [化 18] 0 0 0

'CH=CH〇 CHoCHoO—C—CH=CH, (27) (28) 如此，藉由使用官能基當量較高之輻射聚合性化合物 ，可提高熱壓黏性、低應力化及低翹曲化。官能基當量較 高之輻射聚合性化合物係聚合官能基當量較佳爲200eq/g 以上，更佳爲3 00eq/g以上，最佳爲400eq/g以上。藉由 使用聚合官能基當量爲20 〇eq/g以上之具有乙二醇骨架、 胺基甲酸乙酯基及/或異脲氰酸基之輻射聚合性化合物， 可提高感光性黏著劑組成物之顯像性及黏著性，且可低應 力化、低翹曲化。可倂用聚合官能基當量爲200eq/g以上 -37- 201127928 之輻射聚合性化合物與聚合官能基當量爲200eq/g以下之 輻射聚合性化合物。此時，輻射聚合性化合物較佳爲使用 胺基甲酸乙酯基及/或異脲氰酸基之輻射聚合性化合物。 (B) 輻射聚合性化合物之含量係相對於（A)成分〗〇〇質 量份，較佳爲10〜3 00質量份，更佳爲20〜250質量份， 最佳爲40〜100質量份。此含量超過3 00質量份時，因聚 合有熱熔融時之流動性降低，熱壓黏時之黏著性降低的傾 向。此外，未達10質量份時，因曝光之光硬化後的耐溶 劑性降低，形成圖型有困難，換言之，有顯像前後之膜厚 變化增大及/或殘渣變多的傾向。熱壓黏時，有產生熔融 ，圖型變形的傾向。 (C) 成分（光起始劑）無特別限定，從提高感度的觀點， 對於波長365nm之光之分子吸光係數較佳爲lOOOml/g.cm以 上者，更佳爲2000ml/g.cm以上者。又，分子吸光係數 係調製試料之0.001質量％乙腈溶液，對此溶液使用分光 光度計（日立高科技公司製造之「U-3310」（商品名））測定 吸光度而得者。 使感光性黏著劑組成物成爲膜厚30μιη以上之黏著劑 層時，從提高感度、提高內部硬化性的觀點，（C)成分更 佳爲藉由光照射而漂白者。此種（C)成分例如有2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基）-丁酮-1、2,2-二甲氧基-1，2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基-環己基-苯基-酮、2-甲基-1-(4-( 甲硫基）苯基）-2-嗎琳基丙酮_1、2，4-二乙基噻噸酮、2-乙 基蒽酮、菲醌等芳香族酮、苄基二甲基縮酮等苄基衍生物 -38- 201127928 、2-(鄰-氯苯基）-4，5 -二苯基咪唑二聚物、2-(鄰-氯苯基）-4,5-二（間-甲氧基苯基）咪唑二聚物、2_(鄰-氟苯基）_4,5_二 苯基咪唑二聚物、2-(鄰-甲氧基苯基）-4,5 -二苯基咪唑二聚 物、2-(對-甲氧基苯基）-4,5 -二苯基咪唑二聚物、2,4 -二（ 對-甲氧基苯基）-5 -苯基咪唑二聚物、2-(2,4 -二甲氧基苯基 )-4,5 -二苯基咪唑二聚物等之2,4,5 -三芳基咪唑二聚物、9-苯基吖啶、1,7-雙（9，9’-吖啶基）庚烷等吖啶衍生物、雙 (2，6 -二甲氧基苯甲醯基）_2,4,4_三甲基-戊基膦氧化物、雙 (2,4,6-三甲基苯甲醯基）-苯基膦氧化物等雙醯基膦氧化物 等中，藉由照射UV造成光退色的化合物。此等可單獨使 用或組合兩種以上使用。 (C)成分也可含有展現藉由照射輻線促進環氧樹脂之 聚合及/或加成反應之功能的光起始劑。此種光起始劑例 如有藉由照射輻射線產生鹼之光鹼產生劑、藉由照射輻射 線產生酸之光酸產生劑等，特佳爲光鹼產生劑。 藉由使用光鹼產生劑，可進一步提升感光性黏著劑組 成物對被黏著物之高溫黏著性及耐濕性。其理由係藉由自 光鹼產生劑所產生之鹼可有效率地作爲環氧樹脂等之上述 硬化樹脂的硬化觸媒，而更提高交聯密度，因此生成之硬 化觸媒對基板等之腐飩較少的緣故。又，感光性黏著劑組 成物中含有光鹼產生劑，可提高交聯密度，可更減低高溫 放置時之釋氣（out gas)。而且，可使硬化製程溫度低溫化 、短時間化。 又，（A)成分之羧基及/或羥基之含有比例變高時，會 -39- 201127928 有硬化後之吸濕率上升及吸濕後之黏著力下降的顧慮。對 此，依據含有光鹼產生劑之感光性黏著劑組成物時，藉由 因輻射線之照射產生鹼，可降低上述羧基及/或羥基與環 氧樹脂反應後所殘留之羧基及/或羥基，可以高水準兼具 耐回流性及黏著性與圖型形成性。 光鹼產生劑只要是照射輻射線時產生鹼的化合物則可 無特別限制使用。產生之鹼，從反應性、硬化速度的觀點 ’較佳爲強鹼性化合物》通常，使用酸解離常數之對數的 pKa値作爲鹼性的指標，較佳爲水溶液中之pKa値爲7以 上的鹼，更佳爲9以上的鹼。 光鹼產生劑可使用藉由活性光線之照射產生1級之胺 基的肟衍生物或市售之光自由基產生劑例如有2-甲基-1-(4-(甲硫基）本基）-2-嗎琳基丙-1-嗣（Ciba . Speciality · Chemicals 公司製IRGACURE 907)、2-苄基-2-二甲胺基-1-(4-嗎啉基 苯基）-丁酮-1 (Ciba · Speciality · Chemicals 公司製 IRGACURE 3 69)、2-二甲基胺基-2-([4-甲硫基]甲基）4-4-(1嗎啉基）苯 基-1 _ 丁酮（Ciba · Speciality · Chemicals 公司製 IRGACURE 379EG)、3,6 -雙- (2 -甲基-2-嗎啉基-丙醯基）_9-N -辛基昨哩 (ADEKA公司製、optomer N-1414)、六芳基雙咪哩衍生物 (鹵素、烷氧基、硝基、氰基等之取代基可被苯基取代）、 苯幷噁唑酮衍生物等作爲光自由基產生劑。 (C)光起始劑從耐熱性的觀點，較佳爲使用下述一般 式（29)表不之具有目弓醋基的化合物及/或下述一般式（3〇)或 (3 1)表示之具有嗎啉環的化合物。 -40- 201127928 [化 19]

C=N—0—C—R II ο 23

o ch3 II I / R24—C一C——N

CH,

(29) (30)

CH3 O O CH3 I II II I > C—C——R24—C——C——N

上述式中，R21及R22係各自獨立表示I 〜7之烷基、或含有芳香族系烴基的有機3 碳數1〜7之烷基、或含有芳香族系烴基的i 表示含有芳香族系烴基的有機基。 上述芳香族系烴基無特別限定，例如有 苯偶因衍生物、咔唑衍生物、噻噸酮衍生物 生物等。芳香族系烴基可具有取代基。 (C)光起始劑特佳爲具有肟酯基及/或嗎 ，對於波長3 65 nm之光的分子吸光係數爲 以上，且5%質量減少溫度爲15(TC以上的化 這種光起始劑例如有下述一般式（3 2)， 示之化合物。使用這種光起始劑，在圖型形 好的感度，可抑制顯像時之膜減少或黏著劑 (31) [原子、碳數1 ;，R23係表示 寻機基，R24係 苯基、萘基、 、二苯甲酮衍 啉環的化合物 1 0 0 0m 1 / g · cm 合物。 (33)或（34)表 成時，顯示良 表層之凹凸， -41 - 201127928 因此可提高熱壓黏後的高度精度。此外，顯像之凹凸較少 ，因此具有良好的熱壓黏性，且也可作爲熱硬化触媒使用 ，因此硬化後，具有良好的黏著性。此等可單獨使用或組 合2種以上使用，特別是組合下述一般式（33)表示之化合 物與下述一般式（3 4)表示之化合物來使用較佳。下述一般 式（33)表示之化合物可在商業上取得「I-OXE02」（商品名 、Ciba· Japan 公司製）。 [化 20]

本貫施形態之感光性黏著劑組成物含有具有肟酯基及 /或嗎啉環的化合物作爲光起始劑時，感光性黏著劑組成 -42- 201127928 物中可再含有其他的光起始劑。將感光性黏著劑組成物作 爲膜厚30μηι以下之黏著劑層使用時，可單獨含有具有肟 酯基及/或嗎啉環的化合物，但是作爲膜厚5 Ομηι以上之黏 著劑層時，與其他的光起始劑倂用較佳。 上述其他光起始劑，例如有2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基）-丁酮-1、2,2-二甲氧基-l，2-二苯基乙烷-l-酮、l-羥基-環己基-苯基-酮、2-甲基-l-(4-(甲硫基）苯基）-2-嗎啉基丙酮-l、2,4-二乙基噻噸酮、2-乙基蒽酮、菲醌 等芳香族酮、苄基二甲基縮酮等苄基衍生物、2-(鄰-氯苯 基）-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(鄰-氯苯基）-4,5-二（間·甲 氧基苯基）咪唑二聚物、2-(鄰-氟苯基）-4,5-二苯基咪唑二 聚物、2-(鄰-甲氧基苯基）-4,5-二苯基咪唑二聚物、2-(對-甲氧基苯基）-4,5_二苯基咪唑二聚物、2,4-二（對-甲氧基苯 基）-5-苯基咪唑二聚物、2-(2,4-二甲氧基苯基）-4,5-二苯基 咪唑二聚物等之2,4,5-三芳基咪唑二聚物、9-苯基吖啶、 1，7-雙（9,9'_吖啶基）庚烷等吖啶衍生物、雙（2,6-二甲氧基 苯甲醯基）-2,4,4-三甲基-戊基膦氧化物、雙（2,4,6-三甲基 苯甲醯基）-苯基膦氧化物（Ciba.Japan公司製、商品名「 1-8 19」）等之雙醯基膦氧化物等中，藉由照射UV造成光 退色的化合物。此等可單獨使用或組合兩種以上使用。藉 由使用此等光退色之光起始劑，可得到相對於被黏物爲垂 直之圖型側壁的黏著劑圖型。 較佳爲倂用上述一般式（3 2)表示之化合物、或上述一 般式（33)表示之化合物及/或上述一般式（34)表示之化合物 -43- 201127928 與上述光退色之光起始劑。倂用此等，可得到兼具良好的 圖型形成性與熱壓黏性及高溫黏著性的感光性黏著劑。 本實施形態之感光性黏著劑組成物，必要時可含有 (E)過氧化物作爲熱自由基產生劑。（E)過氧化物較佳爲有 機過氧化物。有機過氧化物係以一分鐘半衰期溫度爲 1 20 °C以上者較佳，150 °C以上者更佳。有機過氧化物係考 量感光性黏著劑組成物之調製條件、製膜溫度、硬化（貼 合）條件、其他製程條件、儲存安定性等來選擇。可使用 之過氧化物並沒有特別限制，例如有2，5 -二甲基-2，5 -二（ 第三丁基過氧基己烷）、二枯烯基過氧化物、第三丁基過 氧基-2-乙基己酸酯、第三己基過氧基-2-乙基己酸酯、1,1-雙（第三丁基過氧基）-3,3,5-三甲基環己烷、1，1-雙（第三己 基過氧基）-3,3,5-三甲基環己烷、雙（4-第三丁基環己基）過 氧基二碳酸酯等，此等可單獨使用一種，或混合兩種以上 使用。 (E)過氧化物之添加量係相對於具有乙烯性不飽和基 之化合物總量，較佳爲0.0 1〜2 0質量％，更佳爲0.1〜1 0 質量％，最佳爲0.5〜5質量％。若爲0.01質量％以下，則 硬化性降低，添加效果變小，超過5質量％時，釋氣量增 加，儲存安定性下降。 (E)過氧化物只要是半衰期溫度爲12 0°C以上的化合物 時，無特別限定，例如有PERHEXA 25B(日油公司製）、 2,5-二甲基-2,5-二（第三丁基過氧基己烷）（1分鐘半衰期溫 度：180°C)、PERCUMYL D(日油公司製）、二枯烯基過氧 -44- 201127928 化物（1分鐘半衰期溫度：1 7 5 t )等。 對於本實施形態之感光性黏著劑組成物，爲了賦予保 存安定性、製程適應性或抗氧化性，在不損及硬化性的範 圍內可再添加醌類、多元酚類、酚類、磷酸鹽類、硫類等 聚合抑制劑或抗氧化劑。 再者，本發明之感光性黏著劑組成物中可適度含有 (F)塡料。塡料例如有銀粉、金粉、銅粉、鎳粉等金屬塡 料、氧化鋁、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣' 碳酸鎂、矽 酸鈣、矽酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、結晶 性氧化矽、非晶性氧化矽、氮化硼、氧化鈦、玻璃、氧化 鐵、陶磁等無機塡料、碳 '橡膠系塡料等有機塡料等，不 論種類、形狀等無特別限制均可使用。 上述塡料可配合所期望之功能分開使用。例如，金屬 績料係爲了賦予樹脂組成物導電性、導熱性、觸變性等目 的而添加’非金屬無機塡料係爲了賦予黏著劑層導熱性、 低熱膨脹性、低吸濕性等目的而添加，有機塡料係爲了賦 予黏著劑層韌性等目的而添加的。 此等金屬塡料、無機塡料或有機塡料可單獨使用1種 或組合兩種以上使用。其中，從可賦予半導體裝置用黏著 材料所要求之導電性、導熱性、低吸濕性、絕緣性等的觀 二占以金屬塡料、無機塡料或絕緣性塡料較佳，無機塡料 或絕緣性塡料中，從對於樹脂漆料之分散性良好，且可賦 予加熱時之商黏者力的觀點，更佳爲氧化矽塡料。 上述塡料係平均粒徑芦；i 〇 R ^ _ I土荷；1 υ μιη以下，且最大粒徑爲 -45 - 201127928 3 0μπι以下者較佳’平均粒徑爲5μιη以下，且最大粒徑爲 20μηι以下更佳。平均粒徑超過} 〇μιη，且最大粒徑超過 3 Ομηι時，會有無法充分獲得破壞韌性提高的效果。另外 ’平均粒徑及最大粒徑的下限無特別限制，通常均爲 0 · 0 0 1 μιη。 上述塡料之含量係配合賦予之特性或功能來決定，但 相對於樹脂成分與塡料之合計，較佳爲0〜50質量％，更 佳爲1〜4 0質量％，又更佳爲3〜3 0質量％。藉由增加塡 料的量可實現低α化、低吸濕化、高彈性率化，且可有 效提高切割性（以切割刀之切割性）、金屬線接結性（超音波 效率）、加熱時之黏著強度。 將塡料的量增加至必要以上時，有損及熱壓黏性、圖 型形成性的傾向，因此塡料之含量在上述範圍內較佳。爲 了取得所得特性之均衡而決定最佳塡料含量。使用塡料時 之混合、混練，可適當的組合通常的攪拌機、擂潰機、三 軸輥、球磨機等的分散機。 對於本實施形態之感光性黏著劑組成物，爲了使異種 材料間之界面結合良好，可添加各種偶合劑。偶合劑例如 有矽烷系、鈦系、鋁系等，其中從提高效果的觀點，以矽 烷系偶合劑較佳，更佳爲具有環氧基等之熱硬化性基或甲 基丙烯酸酯及/或丙烯酸酯等之輻射聚合性基的化合物。 上述矽烷系偶合劑之沸點及/或分解溫度較佳爲1 50°C以上 ，更佳爲180 °C以上，又更佳爲200 °C以上。換言之，最佳 爲使用20(TC以上之沸點及/或分解溫度，且具有環氧基等 -46- 201127928 之熱硬化性基或甲基丙烯酸酯及/或丙烯酸酯等之輻射聚 合性基的矽烷偶合劑。上述偶合劑之使用量就其效果或耐 熱性及成本方面而言’相對於使用之（A)成分1 〇 〇質量份 ，較佳爲〇.〇1〜20質量份。 對於本實施形態之感光性黏著劑組成物，爲了吸附離 子性雜質，使吸濕時之絕緣信賴性良好，可添加離子捕捉 劑。此等離子捕捉劑並沒有特別限制，例如有三嗪硫醇化 合物、酚系還原劑等之銅離子化溶出防止用之銅害防止劑 之已知化合物、粉末狀之鉍系、銻系、鎂系、鋁系、锆系 、鈣系、鈦系、錫系及此等之混合系等的無機化合物。具 體例未特別限制’例如有東亞合成（股）製之無機離子捕捉 劑，商品名 IXE-3 00(銻系）、IXE-5 00(鉍系）、ΙΧΕ-600(銻 、鉍混合系）、ΙΧΕ-700(鎂、鋁混合系）、lXE-800(銷系）、 ΙΧΕ-1 100(鈣系）等。此等可單獨使用或混合兩種以上使用 。上述離子捕捉劑之使用量就添加效果或耐熱性、成本等 的觀點而言，相對於（Α)成分1〇〇質量份，較佳爲0.01〜 1 〇質量份。 本實施形態之感光性黏著劑，高溫黏著性較佳爲 IMPa以上，更佳爲2MPa以上，更佳爲3MPa以上，最佳 爲5MPa以上。藉由賦予上述高溫黏著性，可充分賦予伴 隨回焊等之加熱之步驟的耐熱信賴性、耐回流性及氣密封 閉性。 上述高溫黏著性係對於3mm><3mmx400gm厚之矽晶片 與l〇mmxlOmmx〇.55mm厚之玻璃基板，介由經過曝光步 -47- 201127928 驟、顯像步驟及加熱步驟之厚度約40μηι之感光性黏著劑 組成物所構成之黏著劑層而黏著的層合體，在測定溫度： 260°C、測定速度：5〇μιη/秒、測定高度：5〇μηι的條件下 ’對於砍晶片之側壁，施加剪切方向之外力時測定的黏著 力（最大應力）。測定裝置係使用D age公司製的黏著力試 驗機「Dage-4000」。 上述感光性黏著劑係1 1 〇°C之儲存彈性模數較佳爲 lOMPa以上’更佳爲i5MPa以上，最佳爲20MPa以上。 藉由賦予上述彈性模數，可抑制在1 1 0 °C進行吸濕處理時 的結露’可提供充分賦予氣密封閉性的半導體裝置。 藉由使上述感光性黏著劑組成物成形爲薄膜狀，可得 到薄膜狀黏著劑。圖1係表示本發明之薄膜狀黏著劑之一 實施形態的端面圖。圖1所示之薄膜狀黏著劑1係將上述 感光性黏著劑組成物成形爲薄膜狀者。 薄膜狀黏著劑1係例如圖2所示之基材3上塗佈上述 感光性黏著劑組成物，並經乾燥成形爲薄膜狀。如此，可 得到具備基材3與形成於基材3上之上述薄膜狀黏著劑所 構成之黏著劑層1的黏著薄片100。圖2係表示本發明之 黏著薄片100之一實施形態的端面圖。圖2所示之黏著薄 片100係由基材3與由設置於此等之一面上之薄膜狀黏著 劑所構成之黏著劑層1所構成。 圖3係表示本發明之黏著薄片之另一實施形態的端面 圖。圖3所示之黏著薄片100係由基材3與由設置於此等 之一面上之薄膜狀黏著劑所構成之黏著劑層1與覆蓋薄膜 -48- 201127928 2所構成。 薄膜狀黏著劑1係可藉由將（A)成分、（B)成分、（c)成 分、（D)成分及必要時所添加之其他成分，於有機'溶劑中 混合’混練混合液調製漆料’並將此漆料塗佈於基材3上 ’形成漆料層，經加熱使漆料層乾燥後，除去基材3之方 法而得到。此時，可不除去基材3 ’而以黏著薄片丨〇 〇之 狀態保存或使用。 漆料之調製所用的有機溶劑，即漆料溶劑，只要是可 使材料·均勻的溶解或分散者，即無特別限制。例如有二甲 基甲醢胺、甲苯、苯、二甲苯、甲基乙基酮、四氫呋喃、 乙基溶纖素、乙基溶纖素乙酸酯 '二噁烷、環己酮、乙酸 乙酯及N-甲基-吡咯烷酮。 上述混合及混練可適度組合通常之攬拌機、擂潰機、 三軸輥、球磨機等分散機。上述加熱乾燥係在（D)成分不 會充分反應的溫度下，且使溶劑充分揮發的條件下進行。 上述「（D)成分不會充分反應的溫度」係具體而言使用 DSC(例如，Perkin-Elmer公司製「DSC-7型」（商品名））， 試料量：l〇mg、升溫速度·· 5°C/min、測定氣氛：空氣的 條件下測定時之反應熱之峰値溫度以下的溫度。具體而言 ’通常60〜180°C下，加熱〇.1〜9〇分鐘使漆料層乾躁。 乾燥前之漆料層的較佳厚度爲1〜200 μιη。此厚度未達 Ιμηι時’會有黏著固定功能不足的傾向，超過200μηι時’ 會有後述之殘留揮發份變多的傾向。 所得之漆料層的較佳殘留揮發份爲1 0質量。/。以下，更 -49- 201127928 佳爲3質量％以下。此殘留揮發份超過1 0質量％時’因組 裝加熱時之溶劑揮發的發泡’在黏著劑層之內部容易殘留 空隙，耐濕性有不足的傾向。又’由於加熱時產生之揮發 成分，污染週邊材料或構件之可能性有升高的傾向。又， 上述殘留揮發成分之測定條件如下。即’針對切割成 50mmx50mm尺寸之薄膜狀黏著劑1，初期質量設爲Ml， 將此薄膜狀黏著劑1在160 °C之烘箱中加熱3小時後的質 量設爲Μ 2，以下式求得殘留揮發份（％)。 式 殘留揮發份（％) = [(Μ2-Μ1)/Μ1]χ100 基材3只要是可忍受上述乾燥條件者，即無特別限制 。例如聚酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜 ，聚醯亞胺薄膜、聚醚醯亞胺薄膜、聚醚萘二甲酸酯薄膜 、甲基戊烯薄膜可作爲基材3使用。基材3之薄膜可爲組 合兩種以上之多層薄膜，也可爲表面經矽氧系、氧化矽系 等之脫模劑等處理者。 又，層合薄膜狀黏著劑1與切割片可成爲黏著片。上 述切割片係於基材上設置黏著劑層的薄片，上述黏著劑層 可爲感壓型或輻射線硬化型之任一種。又，上述基材較佳 爲可膨脹的基材。藉由形成此種黏著片，得到兼具作爲晶 片接合薄膜之功能與切割片功能之切割•晶片接合一體型 黏著薄片。 上述之切割•晶片接合一體型黏著片，具體而言如圖 -50- 201127928 4所示，將基材3、黏著劑層6及薄膜狀黏著劑（黏著劑層 )1依此順序層合而成的黏著薄片1 00。 圖5係表示本發明之附黏著劑層之半導體晶圓之一實 施形態的上視圖，圖6係沿著圖5之IV-IV線的端面圖。 圖5及6所示之附黏著劑層之半導體晶圓20係具備半導 體晶圓8，及設置於其一面上之薄膜狀黏著劑（黏著劑層）1 〇 附黏著劑層之半導體晶圓2 0係藉由於半導體晶圓8 上將薄膜狀黏著劑1邊加熱邊層合而得。薄膜狀黏著劑1 可在例如室溫（2 5 °c )〜1 5 0 °c左右之低溫下黏貼於半導體晶 圓8上。 圖7及圖9係分別表示本發明之黏著劑圖型之一實施 形態之上視圖，圖8係沿著圖7之V-V線之端面圖，圖 10爲沿著圖9之VI-VI線之端面圖。圖7、8、9及10所 示之黏著劑圖型1 a係在作爲被黏物之半導體晶圓8上， 形成具有沿著略正方形之邊的圖型或正方形圖型》 黏著劑圖型1 a係在將黏著劑層1層合於作爲被黏物 之半導體晶圓8上，得到附黏著劑層之半導體晶圓20，透 過光罩使黏著劑層1曝光，曝光後之黏著劑層1藉由以鹼 顯像液進行顯像處理而形成。藉此，獲得形成有黏著劑圖 型1 a之附黏著劑層之半導體晶圓20。 以下，針對使用本發明之薄膜狀黏著劑製造之半導體 裝置，利用圖面具體說明。近年來，已提出各種構造之半 導體裝置，本發明之薄膜狀黏著劑之用途並不限於以下說 -51 - 201127928 明之構造的半導體裝置。 圖1 1係表示本發明之半導體裝置之一實施形態之端 面圖。圖11所示之半導體裝置200中，半導體元件12係 透過薄膜狀黏著劑1黏著於搭載半導體元件用支擦構件13 上’而半導體元件12之連接端子（無圖示）係透過金屬線 14與外部連接端子（無圖示）以電連接，藉由封裝材15封 裝。 圖12係表示本發明之半導體裝置之另一實施形態之 端面圖。圖12所示之半導體裝置200中，第一段之半導 體元件1 2 a係透過薄膜狀黏著劑1，黏著於形成有端子i 6 之搭載半導體元件用支撐構件13上，第一段之半導體元 件12a之上再透過薄膜狀黏著劑1黏著第二段之半導體元 件12b。第一段之半導體元件12a及第二段之半導體元件 12b之連接端子（無圖示）係透過金屬線14與外部連接端子 以電連接，且藉由封裝材封裝。如此，本發明之薄膜狀黏 著劑亦可適用於複數重疊半導體元件之構造的半導體裝置 上。 圖11及圖〗2所示之半導體裝置（半導體封裝）係可藉 由例如沿著虛線D切割圖9所示之附黏著劑層之半導體晶 圓2 0，將切割後之附黏著劑層之半導體元件加熱壓黏於搭 載半導體元件用支撐構件13上，將兩者黏著後，經過金 屬線接合（wire bondinS)步驟、必要時以封裝材封裝步驟 等之步驟而得。上述加熱壓黏之加熱溫度’通常爲20〜 250°C，荷重通常爲0.01〜20 kgf，加熱時間通常爲0.1〜 -52- 201127928 3 00 秒 〇 另外’本發明之半導體裝置之實施形態有如圖1 8所 示者。以下針對圖18所示之半導體裝置之製造方法，使 用圖面詳細說明。圖13、14及16〜19係表示本發明之半 導體裝置之製造方法之一實施形態的端面圖，圖1 5係表 示本發明之半導體裝置之製造方法之一實施形態之上視圖 〇 本實施形態之半導體裝置之製造方法具備以下之（步 驟U〜（步驟7)。. (歩驟1)於半導體晶圓8內形成之半導體晶片（半導體 元件）12之電路面18上層合薄膜狀黏著劑（黏著劑層μ的 步驟（圖1 3 (a)及（b))。 (步驟2)設置於半導體晶片12之電路面18上的黏著 _層1藉由曝光及顯像進行圖型化的步驟（圖13(c)及圖 14(a))。 (步驟3)從與電路面18相反側的面硏磨半導體晶圓8 ’使半導體晶圓8變薄的步驟（圖l4(b))。 (步驟4)半導體晶圓8藉由切割，切割成複數之半導 體晶片12的切割步驟（圖14(c)及圖16(a))。 (步驟5)拾取半導體晶片12安裝在半導體裝置用板狀 之支撐構件（搭載半導體元件用支撐構件）1 3的步驟（圖 16(b)及圖 17(a))。 (步驟6)在安裝於支撐構件13上之半導體晶片之 電路面18上，將第二層半導體晶片12b層合於圖型化後 -53- 201127928 的黏著劑層1上的步驟（圖17(b))。 (步驟7)使半導體晶片12a及12b分別與外部連接端 子連接的步驟（圖18)。 以下詳述（步驟1)〜（步驟7)。 (步驟1) 圖1 3 (a)所示之半導體晶圓8內，形成經切割線D區 分之複數之半導體晶片12。於此半導體晶片12之電路面 18側之面上層合薄膜狀黏著劑·（黏著劑層）1(圖13(b))。層 合黏著劑層1之方法例如有準備預先成形爲薄膜狀之薄膜 狀黏著劑，將此黏貼於半導體晶圓8上的方法較簡便，但 亦可藉由使用旋轉塗佈法等，將液狀感光性黏著劑組成物 之漆料塗佈於半導體晶圓8上，並經加熱乾燥的方法。 (步驟2) 黏著劑層1係於曝光及顯像圖型化後，對被黏物具有 熱壓黏性，且可鹼顯像之負型感光性黏著劑。更詳細而言 ，將黏著劑層1藉由曝光及顯像進行圖型化形成的光阻圖 型（黏著劑圖型）對於半導體晶片或支撐構件等之被黏物具 有熱壓黏性。例如必要時將被黏物邊加熱邊壓黏於黏著劑 圖型上，可將黏著劑圖型與被黏物進行黏著。 對於層合於半導體晶圓8上之黏著劑層1，透過於特 定位置形成開口之光罩4，照射活性光線（典型爲紫外線）( 圖13(c))。藉此使黏著劑層1以特定的圖型曝光。 -54- 201127928 曝光後，藉由使用鹼性顯像液顯像去除黏Ξ 未經曝光的部分，以形成有開口 π的方式對 進行圖型化（圖14(a))。又，亦可使用正型感光 成物替代負型，此時，黏著劑層1中之曝光部 去除。 圖1 5係表示黏著劑層1經圖型化之狀態 開口 11中，半導體晶片12之接合墊露出。換 型化之黏著劑層1係半導體晶片1 2之緩衝塗 之開口 1 1係以複數並列形成於各半導體晶片1 1 1之形狀、配置及數量並不限於如本實施形態 接合墊等之特定部分露出的方式可適度的變形 圖1 5之11 -11線之端面圖爲圖1 4。 (步驟3) 圖型化後，將半導體晶圓8之與黏著劑層1相 行硏磨，使半導體晶圓8變薄至特定厚度（圖 磨係例如將黏著薄膜黏貼在黏著劑層1上，然 薄膜將半導體晶圓8固定在硏磨用冶具上，進ί (步驟4) 硏磨後，在半導體晶圓8之與黏著劑層1 上，將具有晶片接合材3 0及切割膠帶40，此 合薄膜5，在晶片接合材3 0接觸半導體晶圓8 黏貼。必要時可邊加熱進行黏貼。 箸劑層1中 黏著劑層1 性黏著劑組 分藉由顯像 的上視圖。 言之，經圖 膜。矩形狀 2上。開口 的形態，使 。又，沿著 反側之面進 14(b ))。硏 後藉由黏著 ΐ硏磨。 相反側之面 等層合之複 的方向進行 -55- 201127928 接著，同時沿著切割線D將半導體晶圓8與黏著劑層 1及複合薄膜5 —同切斷。藉此’可獲得分別具備有黏著 劑層1及複合薄膜之複數的半導體晶片12(圖16(a))。此 切割係例如藉由切割膠帶40將整體固定於框架的狀態， 使用切割刀進行切割。 (步驟5) 切割後，經切割分開之半導體晶片1 2與黏著劑層1 及晶片接合材30 —起被拾取（圖16(b))，且透過晶片接合 材30安裝於支撐構件13上（圖17(a))。 (步驟6) 於安裝於支撐構件13上之半導體晶片12a上之黏著 劑層1上層合第二層的半導體晶片12b(圖17(b))。換言之 ，使半導體晶片12a與位於其上層之半導體晶片12b，藉 由介於比等間之經圖型化的黏著劑層1 (緩衝塗膜）黏著。 半導體晶片1 2b係被黏著於經圖型化之黏著劑層1中，開 口 11未被阻塞的位置上。又，於半導體晶片12b之電路 面1 8上也形成經圖型化之黏著劑層1 (緩衝塗膜）。 半導體晶片1 2b之黏著係藉由例如將黏著劑層1加熱 至展現流動性之溫度，同時進行熱壓黏的方法進行黏著。 熱壓黏後，必要時，加熱黏著劑層1進行進一步硬化。 (步驟7) -56- 201127928 然後’半導體晶片1 2 a係透過連接於其接合墊上之金 屬線1 4 a，與支撐構件1 3上之外部連接端子連接，半導體 晶片12b係透過連接於其接合墊上之金屬線14b，與支撐 構件1 3上之外部連接端子連接。接著，藉由以封裝材j 5 封裝含有半導體晶片l2a及12b的層合體，獲得半導體裝 置 200(圖 1 8)。 本發明之半導體裝置之製造方法並不限於以上之實施 形態’只要不脫離本發明之實質的情形下可做適度的改變 。例如’可適度更換（步驟1·)〜（步驟7 )的順序。如圖19 所示’亦可在形成有黏著劑層1之半導體晶圓8藉由硏磨 變薄後進行切割。此時’切割後，藉由曝光及顯像使黏著 劑層1圖型化’可得到與圖16(a)相同的層合體。又，也 可爲半導體晶圓藉由硏磨變薄，經切割，進行薄膜狀黏著 劑層1之黏貼及其曝光及顯像。又，也可層合三層以上之 半導體晶片1 2。此時’至少一組相鄰之半導體晶片彼此藉 由經圖型化之黏著劑層1 (下層側之緩衝塗膜）直接黏著。 圖20係表示本發明之半導體裝置之另一實施形態之 端面圖。圖20所示之半導體裝置200係具備具有連接端 子（第一連接部：無圖示）之支撐構件（第一被黏物）13，與 具有連接用電極部（第二連接部：無圖示）之半導體晶片（第 二被黏物）1 2、由絕緣材所構成之黏著劑層1及由導電材 構成之導電層9。支撐構件13係具有與半導體晶片12相 對向的電路面1 8 ’且與半導體晶片1 2以特定間隔被配置 。黏著劑層1係在支撐構件1 3及半導體晶片1 2之間，各 -57- 201127928 自連接形成，具有特定圖型。導電層9係形成於支撐構件 1 3及半導體晶片1 2之間之未配置黏著劑層1的部分上。 半導體晶片12之連接用電極部係透過導電層9與支撐構 件1 3之連接端子以電性連接。 以下使用圖2 1〜25詳細說明圖20所示之半導體裝置 的製造方法。圖21〜25係表示本發明之半導體裝置之製 造方法之一實施形態的端面圖。本實施形態之半導體裝置 之製造方法係具備以下的（第1步驟）〜（第4步驟）。 (第1步驟）於具有連接端子之支撐構件13上設置黏著 劑層1的步驟（圖21及圖22)。 (第2步驟）黏著劑層1藉由曝光及顯像，形成連接端 子露出之開口 1 1之圖型化的步驟（圖23及圖24)。 (第3步驟）於開口 1 1中塡充導電材形成導電層9的步 驟（圖2 5 )。 (第4步驟）將具有連接用電極部之半導體晶片12黏著 於支撐構件1 3與黏著劑層1之層合體的黏著劑層1側上 ，同時透過導電層9使支撐構件13之連接端子與半導體 晶片12之連接用電極部以電性連接的步驟（圖20)。 以下詳細說明（第1步驟）〜（第4步驟）。 (第1步驟） 於圖21所示之支撐構件13的電路面18上層合黏著 劑層1(圖22)。層合方法係準備預先成形爲薄膜狀之薄膜 狀黏著劑，且將其黏貼於支撐構件13上之方法較簡便， -58- 201127928 但也可使用旋轉塗佈法，將含有感光性黏著劑組成物之液 狀漆料塗佈於支撐構件丨3上，並經加熱乾燥層合的方法 〇 感光性黏著劑組成物係係藉由曝光及顯像而圖型化後 ’具有對於被黏物之熱壓黏性，且可鹼顯像的感光性黏著 劑。更詳細而言’將感光性黏著劑藉由曝光及顯像進行圖 型化形成的光阻圖型具有對於半導體晶片及基板等之被黏 物具有熱壓黏性。例如必要時將被黏物邊加熱邊壓黏於光 阻圖型上，可將光阻圖型與被黏物進行黏著。 (第2步驟） 對於設置於支撐構件1 3上之黏著劑層1，透過於特定 位置形成有開口之光罩4照射活性光線（典型爲紫外線）（圖 2 3 )。藉此使黏著劑層1以特定圖型曝光。 曝光後，藉由使用鹼性顯像液顯像去除黏著劑層1中 未經曝光的部分，形成使支撐構件1 3之連接端子露出之 開口 1 1的方式，將黏著劑層1進行圖型化（圖24)。又， 也可使用正型感光性黏著劑替代負型，此時，藉由顯像除 去黏著劑層1中經曝光的部分。 於所得之光阻圖型之開口 1 1塡充導電材形成導電層 9(圖25)。導電材之塡充方法可採用凹版印刷、以輥壓入 、減壓塡充等各種方法。此處使用的導電材例如有焊料、 金、銀、鎳、銅、鉑、鈀或氧化釕等金屬，或由金屬氧化 物等構成之電極材料，上述金屬之凸塊外，例如至少含有 -59- 201127928 導電性粒子與樹脂成分所成者。導電性粒子可使用例如金 、銀、鎳、銅、鉑、鈀或氧化釕等金屬或金屬氧化物，或 有機金屬化合物等導電性粒子。又，樹脂成分可使用例如 環氧樹脂及其硬化劑等之上述硬化性樹脂組成物。 將半導體晶片1 2直接黏著於支撐構件1 3上之黏著劑 層1。半導體晶片12之連接用電極部係透過導電層9與支 撐構件13之連接端子以電性連接。又，可在半導體晶片 1 2之與黏著劑層1相反側之電路面上，形成經圖型化之黏 著劑層（緩衝塗膜）。 半導體晶片1 2之黏著係藉由例如邊將黏著劑層1 (感 光性黏著劑組成物）加熱至展現流動性之溫度，同時進行 熱壓黏的方法來進行黏著。熱壓黏後，必要時，將黏著劑 層1加熱進一步硬化。 半導體晶片1 2中之與黏著劑層1相反側之電路面（內 面）較佳爲黏貼內面保護薄膜。 藉由以上方法，可得到圖20所示的半導體裝置200。 本發明之半導體裝置的製造方法並不限於以上說明之實施 形態者，只要不脫離本發明之實質下均可適度的變更。 例如，黏著劑層1並不限於最初設置於支撐構件1 3 上者，也可最初設置於半導體晶片12上。此時，半導體 裝置之製造方法係具備例如於具有連接用電極部之半導體 晶片12上設置黏著劑層1之第1步驟，黏著劑層1藉由 曝光及顯像，進行圖型化以形成連接用電極部露出之開口 11的第2步驟，將導電材塡充於開口 11形成導電層9之 -60- 201127928 第3步驟，使具有連接端子之支撐構件1 3直接黏著於半 導體晶片丨2與黏著劑層1之層合體的黏著劑1上’同時 透過導電層9以電性連接支撐構件1 3之連接端子與半導 體晶片1 2之連接用電極部之第4步驟。 以上述製造方法係使各自單片化之支撐構件1 3及半 導體晶片1 2間之連接’因此從支撐構件1 3上之連接端子 與半導體晶片12上之連接用電極部之連接較容易，故較 佳。 又，黏著劑層1係最初可設置於由'複數之半導體晶片 12構成之半導體晶圓上。此時，半導體裝置之製造方法係 具備例如於由具有連接用電極部之複數之半導體晶片12 構成之半導體晶圓上設置黏著劑層1之第1步驟’將黏著 劑層1藉由曝光及顯像，形成連接用電極部露出之開口 1 1 的方式，進行圖型化之第2步驟，將導電材塡充於開口 1 1 ，形成導電層9之第3步驟，使具有連接端子之晶圓尺寸 之支撐構件1 3 (具有與半導體晶圓相同程度大小之支撐構 件）直接黏著於半導體晶圓與黏著劑層1之層合體的黏著 劑1側，同時透過導電層9使支撐構件13之連接端子與 構成半導體晶圓之半導體晶片1 2之連接用電極部以電性 連接之第4步驟，及將半導體晶圓與黏著劑層1及支撐構 件1 3之層合體切離（切割）成半導體晶片丨2之第5步驟。 又，上述製造方法係在第1步驟中，將黏著劑層1設 置於晶圓尺寸之支撐構件1 3上，在第4步驟中，使半導 體晶圓直接黏著於支撐構件13與黏著劑層1之層合體的 -61 - 201127928 黏著劑層1側，同時透過導電層9使支撐構件13之連接 端子與構成半導體晶圓之半導體晶片12之連接用電極部 以電性連接，且於第5步驟中，將半導體晶圓與黏著劑層 1及支撐構件13之層合體切割成半導體晶片12。 以上述製造方法，由於半導體晶圓與支撐構件13連 接之前的步驟（第4步驟）以晶圓尺寸形成，故就作業效率 的觀點而言較佳。又，半導體晶圓之與黏著劑層1相反側 之電路面（內面）較佳爲黏貼內面保護膜。 又，其他半導體裝置之製造方法係具備於由具有連接 用電極部之複數之半導體晶片12構成之半導體晶圓上設 置黏著劑層1之第1步驟，使黏著劑層1藉由曝光及顯像 ，形成使連接用電極部露出之開口 11之方式，而進行圖 型化之第2步驟，將導電材塡充於開口 11，形成導電層9 之第3步驟，將半導體晶圓與黏著劑層1之層合體切割成 半導體晶片12之第4步驟及使具有連接端子之支撐構件 13直接黏著於單片化之半導體晶片12與黏著劑層1之層 合體的黏著劑1側，同時透過導電層9使支撐構件1 3之 連接端子與半導體晶片12之連接用電極部以電性連接之 第5步驟。 上述製造方法係在第1步驟中，將黏著劑層1設置於 晶圓尺寸之支撐構件13上，在第4步驟中’將晶圓尺寸 之支撐構件13與黏著劑層1之層合體切割成半導體晶片 12，在第5步驟中，將半導體晶粒12直接黏著於單片化 之支撐構件1 3與黏著劑層1之層合體之黏著劑層1側’ -62- 201127928 同時透過導電層9使支撐構件1 3之連接端子與半導體晶 片1 2之連接用電極部以電性連接。 以上述製造方法中’自黏著劑層1之形成至導電材之 塡充步驟（第3步驟）之前係以晶圓尺寸進行’且可使切割 步驟（第4步驟）順利的觀點而言較佳。 又，使用薄膜狀黏著劑，藉由使半導體晶圓彼此或半 導體晶片彼此黏著，可構成半導體裝置（半導體層合體）° 此層合體也可形成貫穿電極。 此時，半導體裝置之製造方法係具備例如於具有貫穿 電極之連接用電極部之第1半導體晶片12上設置由感光 性黏著劑所構成之黏著劑層1之第1步驟，使黏著劑層1 藉由曝光及顯像，形成使上述連接用電極部露出之開口 11 之方式而進行圖型化之第2步驟，將導電材塡充於開口 1 1 中形成貫穿電極連接之第3步驟及使具有連接用電極部之 第2半導體晶片1 2直接黏著於第〗半導體晶片1 2與黏著 劑層1之層合體之黏著劑層1上，同時透過導電層9使第 1及第2半導體晶片】2之連接用電極部彼此以電性連接之 第4步驟。上述製造方法中’亦可使用半導體晶圓代替半 導體晶片。 本發明之半導體裝置亦可爲如圖26所示之固態攝影 元件。圖26係表示本發明之半導體裝置之一實施形態的 端面圖。圖26所示之半導體裝置（固態攝影元件）2〇〇具備 玻璃基板7、半導體晶片〗2、黏著劑層丨及有效像素區域 1 7。玻璃基板7與半導體晶片丨2係透過圖型化之黏著劑 -63- 201127928 層1黏著，在半導體晶片1 2之支撐構件1 3側之面上形成 有效像素區域1 7。 上述半導體裝置（固態攝影元件）200係可用於製造例 如圖27所示之CMOS感知器。圖27係表示將圖26所示 之半導體裝置作爲固態攝影元件使用之CMOS感知器之例 的端面圖。圖27所示之CMOS感知器300中，半導體裝 置200係透過複數之導電性凸塊32與搭載半導體元件用 支撐構件1 3上之連接端子（無圖示）以電性連接。又，替代 使用導電性凸塊32黏著半導體裝置200的構成，亦可具' 有透過導電性金屬線，使半導體裝置200連接於搭載半導 體元件用支撐構件1 3上之連接端子的構成。 CMOS感知器3 00係具有將以位於有效像素區域17 之正上方（半導體晶片1 2之相反側）之方式所設置的透鏡 38、將與透鏡38 —起內包半導體裝置200之方式所設置 的側壁5 0、以嵌入透鏡3 8之狀態，介於透鏡3 8及側壁 50之間之嵌入用構件42搭載於搭載半導體元件用支撐構 件1 3上的構成。 CMOS感知器3 00係將藉由上述方法所製造之半導體 裝置200 ’透過導電性凸塊32與搭載半導體元件用支撐構 件13上之連接端子與半導體晶片12連接，以內包半導體 裝置2 00之方式，在搭載半導體元件用支撐構件13上形 成透鏡3 8、側壁50及嵌入用構件42而製造。 【實施方式】 -64- 201127928 實施例 以下列舉實施例更具體說明本發明。但是本發明並不 受以下實施例限制。 <(A)成分：含醯亞胺基樹脂> (PI-1) 於具備攪拌機、溫度計、氮置換裝置（氮流入管）及附 接受水份之容器之冷凝器之300mL燒瓶內投入2,2 -雙（3-胺基-4-羥基苯基）六氟丙烷（商品名「BIS-AP-AF」（分子量 :3 66、中央玻璃公司製）7.32g(0.02mol)、D-400(商品名「 D-400」（分子量：43 3 )、BASF 製）13.0g(0.03mol)、1，4-丁 二醇雙（3-胺基丙基）醚（商品名「B-12」、東京化成製、分 子量204.3)6.13笆（0.03111〇1)及8丫16-871丑0(商品名「8丫16-871EG」、Toray . Dowcoring(股）製）2.485g(0.01mol)及溶 劑之脫水NMP(関東化學公司製、N -甲基-2 -吡咯烷酮）8 0 g， 然後攪拌使二胺溶解於溶劑中。 將上述燒瓶置於冰浴中冷卻，同時將4,4’-氧基二苯二 甲酸二酐（以下簡稱爲「ODPA」）31g(〇.lm〇l)以每次少量 添加於燒瓶內之溶液中。添加結束後，吹入氮氣體，同時 使溶液升溫至180°C並保溫5小時，得到含醯亞胺基樹脂 (PI-1)。（PI-1)進行GPC測定，換算成聚苯乙烯之重量平 均分子量（Mw) = 32000。又，（PI-1)之 Tg 爲 55°C。 (PI-2) -65- 201127928

於具備攪拌機、溫度計、氮置換裝置（氮流入管）及附 接受水份之容器之冷凝器之300mL燒瓶內投入BIS-AP-AF 14.64g(0.04mol)、D-400 1 7.3 2g(0 · 04mol)、及 B Y 1 6-8 7 1 EG 2.48 5 g(0.01mol)及溶劑之NMP 80g，然後攪拌使二胺溶解 於溶劑中。 將上述燒瓶置於冰浴中冷卻，同時將 ODPA 31g( 0.1 m ο 1)以每次少量添加於燒瓶內之溶液中。添加結束後， 吹入氮氣體，同時使溶液升溫至1 8〇°C並保溫5小時，得 到含醯亞胺基樹脂（ΡΙ·2)。（PI-2)進行GPC測定，換算成 聚苯乙烯之重量平均分子量（Mw) = 32000。又，（PI-2)之Tg 爲 75〇C。 (PI-3)

於具備攪拌機、溫度計、氮置換裝置（氮流入管）及附 接受水份之容器之冷凝器之300mL燒瓶內投入BIS-AP-AF 2 1 ,96g(0.06mol) ' D-400 8.6 6 g (0.0 2 m ο 1)、及 BY 1 6-8 7 1 EG 2.48 5 g(0.01m〇l)及溶劑之NMP 80g，然後攪拌使二胺溶解 於溶劑中。 將上述燒瓶置於冰浴中冷卻，同時將 ODPA 3 1 g( 0.1 mol)以每次少量添加於燒瓶內之溶液中。添加結束後， 吹入氮氣體，同時使溶液升溫至180°C並保溫5小時，得 到含醯亞胺基樹脂（PI-3)。（PI-3)進行GPC測定，換算成 聚苯乙烯之重量平均分子量（Mw) = 3 1 000。又，（PI-3)之Tg 爲 95°C。 -66 - 201127928 (PI-4) 於具備攪拌機、溫度計、氮置換裝置（氮流入管）及附 接受水份之容器之冷凝器之3 00mL燒瓶內投入BIS-AP-AF 2 1 .96g(0.06mol) > D-400 8 · 6 6 g (0.0 2 m ο 1)、及 BY 1 6-87 1 EG 3.72 8 g(0.(H5mOl)及溶劑之NMP80g，然後攪拌使二胺溶 解於溶劑中。 將上述燒瓶置於冰浴中冷卻，同時將ODPA 27.9g( 0.09mol)及TAA (偏苯三酸酐）5.76g(0.03mol)以每次少量添 加於燒瓶內之溶液中。添加結束後，吹入氮氣體，同時使 溶液升溫至1 80°C並保溫5小時，得到含醯亞胺基樹脂 (PI_4)。（PI-4)進行GPC測定，換算成聚苯乙烯之重量平 均分子量（Mw) = 20000。又，（PI-4)之 Tg 爲 90°C。 (PI-5) 於具備攪拌機、溫度計、氮置換裝置（氮流入管）及附 接受水份之容器之冷凝器之3 00mL燒瓶內投入二胺之 3，3'-二羧基-4,4’-二胺基二苯基甲烷（和歌山精化製、商品 名「MBAA」、分子量 28 6)5.72g(0.02mol)、 「D-400」 25.98 g(0.06mol)、 「BY16-871EG」2 · 4 8 g ( 0.0 1 m ο 1)及溶劑 之ΝΜΡ 1 1 0g，然後攪拌使二胺溶解於溶劑中。 將上述燒瓶置於冰浴中冷卻，同時將 ODP A 3 1 g( 0.1 mol)以每次少量添加於燒瓶內之溶液中。添加結束後， 吹入氮氣體，同時使溶液升溫至1 8 0 °C並保溫5小時，得 -67- 201127928 到含醯亞胺基樹脂（PI-5)。（PI-5)進行GPC測定，換算成 聚苯乙烯之重量平均分子量Mw = 3 0000。又，（PI-5)之Tg 爲 45〇C。 (PI-6) 於具備攪拌機、溫度計、氮置換裝置（氮流入管）及附 接受水份之容器之冷凝器之燒瓶內投入二胺之「mb AA」 14.3g(0.05mol)、 「D-400 j 1 2 · 9 9 g (0 · 0 3 m ο 1)、及「BY16- 871EG」3.73g(0.01 5mol)及溶劑之NMP 90g，然後攪拌使 二胺溶解於溶劑中。 將上述燒瓶置於冰浴中冷卻，同時將 ODPA 31g( 0.1 mol)以每次少量添加於燒瓶內之溶液中。添加結束後， 吹入氮氣體，同時使溶液升溫至1 80°C並保溫5小時，得 到含醯亞胺基樹脂（PI-6)。（PI-6)進行GPC測定，換算成 聚苯乙烯之重量平均分子量Mw = 3 0000。又，（PI-6)之Tg 爲 90°C。 (PI-7) 於具備攪拌機、溫度計、氮置換裝置（氮流入管）及附 接受水份之容器之冷凝器之燒瓶內投入二胺之3,3-二羥 基-4,4-二胺基聯苯（以下稱爲HAB)(和歌山精化製、商品 名「HAB」、分子量 2 1 6) 8 · 6 4 g (0.0 4 m ο 1)、 「D-400」 17.32g(0.04mol)、及「BY16-871EG」2.48g(〇.〇lmol)及溶 劑之NMP 8 Og，然後攪拌使二胺溶解於溶劑中。 -68- 201127928 將上述燒瓶置於冰浴中冷卻，同時將 ODPA 3 1 g( 0.1 mol)以每次少量添加於燒瓶內之溶液中。添加結束後， 吹入氮氣體，同時使溶液升溫至1 80°C並保溫5小時，得 到含醯亞胺基樹脂（PI-7)。（PI-7)進行GPC測定，換算成 聚苯乙烯之重量平均分子量Mw = 30000。又，（PI-7)之Tg 爲 85t。 <(D2)成分：具有乙烯性不飽和基及環氧基之化合物> 於具備攪拌機、溫度計及氮置換裝置之50 OmL燒瓶內 投入液狀之高純度雙酚A雙縮水甘油醚環氧樹脂（東都化 成製、商品名「YD-825 GS」、環氧當量178g/eq)178g(l.〇 當量）、丙烯酸36g(0.5當量）、三苯基膦〇.5g及氫醌 0.1 5 g，以1 〇 〇 °C反應7小時，得到分子內具有碳_碳雙鍵 及環氧基之化合物（D2)。將（D2)以氫氧化鉀之乙醇溶液滴 定，確認酸價爲0.3 K〇Hmg/g以下（5%質量減少溫度爲 3 00°〇 ° <感光性黏著劑組成物> 使用上述所得之含醒亞胺基樹脂（P〗_丨）〜（P〗_ 7 )及（B ) 輻射聚合性化合物、（C)光起始劑、（D)熱硬化性成分、（E) 過氧化物及（F)塡充料，以下述表丨所示的組成比（單位： 質量份）調配各成分，得到實施例丨〜8及比較例丨〜6之 感光性黏著劑組成物（黏著劑層形成用漆料）。 表1之各成分之詳細如以下所示。 -69- 201127928 (B) 輻射聚合性化合物 .M-3 13 :東亞合成製，異氰脲酸EO變性丙烯酸酯 (C) 光起始劑 •1-819:(：化&.“1^11製，雙（2,4,6-三甲基苯甲醯基 )-苯基氧化膦（5%質量減少溫度：210°C，3 65nm之分子吸 光係數：2300ml/g · cm)，藉由UV照射產生光退色的光起 始劑 • I-OXE 02: Ciba.Japan 製，乙酮，1-[9-乙基- 6-(2-甲基苯甲醯基）-9H-咔唑-3-基]-，1-(0-乙醯基肟），（5%質 量減少溫度：370°C，365nm之分子吸光係數：7700ml/g. cm) ，上述一般式（3 3)表示之含肟酯基光起始劑 (D) 熱硬化性成分 (D1)環氧樹脂 •YDF-817 0C:東都化成社製、雙酚F雙縮水甘油醚 (5%質量減少溫度：270°C) (D 2)具有乙烯性不飽和基及環氧基之化合物 (D3)酚化合物 • TrisP-PA :本州化學公司製、三酚化合物（α，α，α，_三 (4-羥基酚）-1-乙基-4-異丙基苯）（5%質量減少溫度：3 5 0它） (Ε)過氧化物 -70- 201127928 •Percumyl D:日油公司製、過氧化二異丙苯 (F)塡充料 • R-972 :日本Aerosil公司製、疏水性煙霧二氧化矽 (平均粒徑：約1 6nm) 201127928 【1Μ m 1 1 1 1 1 1 8 o GO CO 1 Ο ο - ιη ΙΟ GO < 〇 〇 Ο ( 1 1 o 8 CO A 1 t in o 1 1 1 1 1 1 1 CO 1 o CO 1 ΙΛ - ΙΛ ΙΛ m < 〇 〇 ο 1 1 1 o o CO (£> uS 1 •^r § 1 1 1 1 1 1 o 00 CO 1 1 1 1 - ΙΛ in < < < ω o 1 1 〇 o o CO δ 1 cn 1 1 1 1 1 o 1 o GO CO 1 s ο ο ιη 〇 a < 〇 〇 ο < 1 1 8 o o X 1 CM 1 1 1 I o 1 1 g CO 1 ΙΩ 1 ο ι— ιο 1Λ < 〇 CD m < o o 8 〇 to ΙΛ o Oi - 1 1 1 1 o 1 1 o oo n 1 in s ο ιο in •«r < 〇 ω CD < < o 8 〇 CD q — ① m 揭 Λ GO 1 1 1 o 1 1 1 g Csl - 8 ο ΙΛ - ΙΛ o σ> < < < < < < < 8 CO o X 8 卜 1 o 1 I 1 1 1 o oo CM - 8 ο ο - ΙΛ in r- < < < < < < < 8 o X CD CM 1 1 1 o 1 1 1 g CO 1 ο - ΙΛ 〇 σ> < < < 〇□ < < < o | o X LO 1 1 8 1 1 1 1 g CO 1 ο ΙΛ - ΙΛ ΙΩ σ) < < < m < < < o 8 in T~ o X o 1 o 1 1 1 1 1 g cn 1 ο Ο - ΙΛ to < < < CD < < < o «r o X CM Cvl CO 1 8 1 1 1 1 1 o GO CO 1 ΙΛ 1 ΙΟ - ΙΛ ΙΛ < < < m < o < 〇 | csi <N CO Cvl 1 o 1 1 1 1 1 o GO CO 1 in 8 ΙΛ - ΙΛ ιη 卜 < < < m < < < 8 S CsJ CD CD csi - o 1 1 1 1 1 1 g CO 1 8 Ο - ΙΛ ΙΛ ΙΟ < < < GD < < o o o S o LO 卜 OsJ CQ 丁 LO <p CO cp <J> 5 丄 CSj a X 〇 丄 8 卜 iL D > CVJ Ο < α Q- ι— Q ε 3 Η ίϊ Csl cp Ρ ΰΐπ ms 聽 挺 m 嵌 m 駐 锭 W 到 B 2 ό 链 到 Η m 跑 m ίδ m 鏺 m m 回 fi s 35 19 嫉 ^io k 豳 m 迴 E© a 2 槲 5¾ si w. a 蠢 m 壯 & P o t— r- < GO o τ- Ο C0 Q ιυ u_ <黏著薄片> 將所得之感光性黏著劑組成物分別塗佈於基材（經剝 離劑處理之PET薄膜）上，使乾燥後之膜厚成爲40μπι在 -72- 201127928 烘箱中以80t加熱20分鐘，接著以120。(：加熱2〇分鐘’ 在基材上形成由感光性黏著劑組成物所構成之黏著劑層° 如此，得到具有基材及形成於基材上之黏著劑層的黏胃胃 片。 <評價試驗> (黏貼性） 將矽晶圓（直徑6英吋，厚度400μΙη)載於支撐台上’ 使黏著劑層與矽晶圓（與支撐台相反側之面）接觸的方式’ 藉由輥加壓（溫度100°C，線壓4kgf/cm，輸送速度〇.5m/分 鐘）將上述黏著薄片層合於其上。剝離去除基材（PET薄膜） 後，藉由與上述相同之條件，將厚度80μηι、寬1 〇mm，長 度 40mm之聚醯亞胺薄膜（宇部興產業公司製造，「 UPILEX」（商品名））進行輥加壓層合於露出之黏著劑層上 。如此，獲得由矽晶圓、黏著劑層及聚醯亞胺薄膜所構成 ，此等依此順序層合之層合體的試料（sample)。 對所得試料，使用流變計（東洋製機製作所公司製造 ’ 「STROGRAPH E-S」（商品名））’在室溫下進行90°剝離 試驗，測定黏著劑層與聚醯亞胺薄膜的剝離強度。依據其 測定結果’當剝離強度爲2N/cm以上之試料，評價爲a， 未達2N/cm之試料評價爲B，藉此評價黏貼性。評價結果 如表1所示。 (高溫黏著性） -73- 201127928 除了輥加壓之溫度設定爲60°C外，與上述黏貼性之評 價試驗同樣，將黏著薄片層合於矽晶圓上。將所得之層合 體由附基材之黏著薄片側，藉由高精度平行曝光機（ORC 製作所製，「EXM-1 1 72-B-oo」（商品名）），以 1 000mJ/cm2 進行曝光。剝離去除基材（PET薄膜）後，使用輸送帶顯像 機（YAKO公司製），以四甲基氫氧化銨（TMAH)之2.38質 量％溶液作爲顯像液，在溫度26 °C，噴佈壓力0.1 8 MPa之 條件下進行〗分鐘噴佈顯像後，以溫度25 °C之純水在噴佈 壓力0.02 MPa的條件下水洗6分鐘，在120 °C下乾燥1分 鐘。如此，在矽晶圓上形成由感光性黏著劑組成物之硬化 物所構成之硬化物層。 使所得之由矽晶圓及硬化物層所構成之層合體單片化 成3mmx3mm的大小。使單片化之層合體在加熱板上以 12(TC乾燥10分鐘後，使硬化物層與玻璃基板接觸之方式 層合於玻璃基板（l〇mmxlOmmx〇.55mm)上，然後以2kgf加 壓同時以1 50°C壓黏1 0秒。如此，獲得由矽晶圓、硬化物 層及玻璃基板所構成，且依此順序層合之層合體試料。 使所得之試料在烘箱中以1 80°C、3小時的條件下加 熱，接著在260°C之熱盤上加熱1〇秒後，使用剪切黏著力 試驗機「Dage-4〇00」（商品名）測定黏著力。測定結果如表 1所示。 (1 1 (TC貯存彈性模數） 將聚四氟乙烯（商品名「鐵氟隆」）之薄片（鐵氟隆薄片 -74- 201127928 )載於支撐台上’使黏著劑層藉由輥加壓（溫度60。(：，線壓 4kgf/cm，輸送速度〇.5m/分鐘）層合於其上。將所得之層 合體由附基材之黏著薄片側，藉由高精度平行曝光機（ORC 製作所製’ 「EXM-1172-B-oo」（商品名））以i〇〇〇mJ/cm2進 行曝光。剝離去除基材（PET薄膜）後，使用輸送帶顯像機 (YAKO公司製），以四甲基氫氧化銨（TMAH)之2.38質量％ 溶液作爲顯像液，在溫度2 6 °C、噴佈壓力0.1 8 Μ P a之條件 下處理1分鐘後，以溫度2 5 °C之純水在噴佈壓力0.0 2 Μ P a 的條件下水洗6分鐘。藉由輥加壓（溫度1 〇 〇 °C，線壓 4kgf/cm，輸送速度〇.5m/分鐘）層合，使所得之薄膜的厚 度成爲80μιη，得到由鐵氟隆薄片、黏著劑層及鐵氟隆薄 片所構成之層合體的試料。剝離去除單側的鐵氟隆薄片後 ’在烘箱中以1 80°C、3小時的條件下加熱。將加熱後的 試料切成5mm寬之短冊狀，使用Rheometric公司製造之 黏彈性分析儀「RSA-2」（商品名），在升溫速度5°C/min、 頻率1Hz、測定溫度-50〜3 00°C條件下測定，得到ll〇°C貯 存彈性模數。 (圖型形成性（溶解性）） 與上述高溫黏著性之評價試驗同樣，將黏著片層合於 矽晶圓上。透過負型圖型用光罩（日立化成公司製，「 No.G-2」）（商品名））將所得之層合體自附基材之黏著薄片 側，與上述試驗同樣地進行曝光。接著，與上述試驗同樣 ’放置於熱板上後，去除基材，浸漬於2.3 8質量％之四甲 -75- 201127928 基氫氧化銨（ΤΜAH)水溶液中5分鐘，未曝光部溶解同時 形成圖型者評價爲（A) ’未曝光部以薄膜狀剝離，同時形 成圖型者及未形成圖型者評價爲（C)。 (圖型形成性（L&S)) 與上述高溫黏著性之評價試驗同樣，將黏著片層合於 矽晶圓上。接著在基材（PET薄膜）上載置作爲負型圖型用 光罩，光透過量以階段性減少之通稱爲階段式曝光表（Step Tablet)的光罩（日立化成工業公司製、「Ph〇teC41SteP desityTablet」（商品名）），藉由高精度平行曝光機（〇rc製 作所製’ 「EXM-1172-B-qo」（商品名））以l〇〇〇mJ/cm2進行 曝光，在8(TC的加熱板上放置約30秒。 然後，去除基材（PET薄膜）後，使用輸送帶顯像機 (YAKO公司製），以四甲基氫氧化錢（TMAH)之2.38質量％ 溶液作爲顯像液，在溫度2 6 °C、噴佈壓力0.1 8 Μ P a之條件 下進行噴佈顯像後，以溫度23 °C之純水在噴佈壓力 0.0 2MPa的條件下水洗。顯像後，測定形成於矽晶圓上之 硬化膜之階段式曝光表的段數，評價黏著薄片的光感度。 依據其測定結果，當殘存段數爲2 5段數以上時，評價爲 A，當2 5段數以下時，評價爲B，當無法形成圖型時，評 價爲C。其結果如表1所示。 <最低溶融黏度之測定> 使黏著劑層在鐵氟隆薄片側，並藉由輥（溫度60°C、 -76- 201127928 線壓4kgf/cm、輸送速度0.5m/分鐘）加壓使實施例1〜8及 比較例1〜5所得之黏著薄片層合於鐵氟隆薄片上。然後 ’使用高精度平行曝光機以1 000m〗/Cm2進行曝光。去除 基材（PET薄膜）後，將所得之薄片使用輸送帶顯像機 (YAKO公司製），以四甲基氫氧化銨（TMAH)之2.38質量。/〇 溶液作爲顯像液，在溫度26°C、噴佈壓力0_ 1 8MPa之條件 下噴佈顯像1分鐘後，以溫度25 °C之純水在噴佈壓力 0.02MPa的條件下水洗3分鐘。以80°C層合使厚度成爲約 2 Ο Ο μ m ’然後切割成1 0 m m X 1 0 m m大小，。將所得之試料 之單側的鐵氟隆片剝離，以1 20°C加熱1 0分鐘，使用黏彈 性測定裝置ARES(Rheometric Scientific FE股份有限公司 製）測定。測定板爲直徑8 mm之平行板，測定條件設定爲 升溫5°C/min，頻率1Hz。以50°C〜200°C之熔融黏度之最 低値作爲最低熔融黏度。結果如表1所示。 (熱壓黏性） 除了輥加壓之溫度爲60t，使用邊框狀6英吋大小之 光罩圖型（中空部2mm、線寬0.5mm)取代上述負型圖型用 光罩外，與上述圖型形成性之評價試驗同樣在矽晶圓上形 成感光性黏著劑組成物的黏著劑圖型。 在加熱板上，以1 20°C乾燥1 0分鐘後，於與形成之黏著劑 圖型之砂晶圓相反側之面上層合玻璃基板（15mm><40mm><0.55mm) ，以0.5MPa加壓同時以120t壓黏10分鐘，得到由矽晶圓 、黏著劑圖型及玻璃基板所構成，且此等依此順序層合之 -77- 201127928 層合體的試料。 觀察所得之試料，未黏著部份（空隙）相對於玻璃基板 與黏著劑圖型之黏著面積爲20%以下者評價 A，20%以上 者評價C，評價熱壓黏性。評價結果如表1所示。 (耐回流性） # ±述熱壓黏性之評價試験同樣，獲得由矽晶圓、黏 胃齊11 II型及玻璃基板所構成，且此等依此順序層合之層合 體的試料。將所得之試料在烘箱中以1 80。(：、3小時之條 件加熱。加熱後之試料在溫度85°C、濕度60%之條件下處 理168小時後，置於溫度25 °C、濕度50%之環境下後，進 行25 0°C、1 〇秒之IR回流，且以顯微鏡（倍率：1 5倍）觀 察有無剝離。未發現剝離評價爲A，發現剝離者評價爲C ’評價耐回流性。評價結果如表1所示。 (氣密封閉性） 與上述耐回流之評價試験同樣，將層合體之試料在烘 箱中，以1 8 0。(：加熱3小時。加熱後之試料使用加速壽命 試験裝置（HIRAYAMA 公司製、HASTEST PC-422R8)，在 溫度1 1 0 °C、濕度8 5 %之條件下處理4 8小時後，在裝置內 静置直到溫度成爲30°C。其後，置於溫度25。(：、濕度50% 的環境中，以顯微鏡觀察試料之玻璃內部結露或黏著劑之 剝離。未觀察到結露及/或剝離者評價爲A，觀察到結露及 /或剝離者評價爲C，評價1 1 〇°C之氣密封閉性。評價結果 -78- 201127928 如表1所示。 [産業上之可利用性] 本發明之感光性黏著劑組成物係在黏貼性、高溫黏著 性、圖型形成性、熱壓黏性、耐熱性及耐濕性全部十分優 異，因此適合作爲高精細之半導體封裝製造用之黏著劑使 用。又，本發明之薄膜狀黏著劑或黏著薄片用於基板、玻 璃、矽晶圓等之被黏物或支撐構件上時，對位精度優於使 用液狀之樹脂組成物，且可提高藉由曝光之圖型化的解像 度’而且具有與圖型形成後之基板、玻璃、半導體元件等 之被黏物的低溫熱壓黏性，同時具有熱硬化後之優異的耐 熱性’因此，可適用於半導體元件、光學元件、固態攝影 元件等之保護用途、或微細之黏著領域所要求之黏著劑或 緩衝層（buffer coat)用途。 【圖式簡單說明】 [圖1 ]表示本發明之薄膜狀黏著劑之一實施形態的端面圖 〇 [圖2]表示本發明之黏著薄片之一實施形態的端面圖。 [圖3 ]表示本發明之黏著薄片之一實施形態的端面圖。 [圖4]表示本發明之黏著薄片之一實施形態的端面圖。 [圖5 ]表示本發明之附黏著劑層之半導體晶圓之一實施形 態的上視圖。 [圖6]沿著圖5之a-IV線的端面圖。 -79- 201127928 [圖7]表示本發明之黏著劑圖型之一實施形態的上視圖。 [圖8]沿著圖7之V-V線的端面圖。 [圖9]表示本發明之黏著劑圖型之一實施形態的上視圖。 [圖10]沿著圖9之VI-VI線的端面圖。 [圖Π]表示本發明之半導體裝置之一實施形態的端面圖。 [圖12]表示本發明之半導體裝置之一實施形態的端面圖。 [圖13]表示本發明之半導體裝置之製造方法之一實施形態 的端面圖。 '[圖I4]表示本發明之半導體裝置之製造方法之一實施形態 的端面圖。 [圖15]表示本發明之半導體裝置之製造方法之一實施形態 的平面圖。 [圖16]表示本發明之半導體裝置之製造方法之一實施形態 的端面圖。 [圖17]表示本發明之半導體裝置之製造方法之一實施形態 的_面圖。 [圖18]表示本發明之半導體裝置之製造方法之一實施形態 的端面圖。 [圖19]表示本發明之半導體裝置之製造方法之一實施形態 的端面圖。 [圖20]表示本發明之半導體裝置之一實施形態的端面圖。 [圖21]表示本發明之半導體裝置之製造方法之一實施形態 的1W面圖。 [圖22]表示本發明之半導體裝置之製造方法之—實施形態 -80- 201127928 的端面圖。 [圖23]表示本發明之半導體裝置之製造方法之一實施形態 的端面圖。 [圖24]表示本發明之半導體裝置之製造方法之一實施形態 的端面圖。 [圖2 5 ]表示本發明之半導體裝置之製造方法之一實施形態 的端面圖。 [圖26]表示本發明之半導體裝置之一實施形態的端面圖。 [圖27]表示將圖26所示之半導體元件作爲固體攝像元件 使用之CMOS感知器之例的端面圖。 【主要元件符號說明】 1 :薄膜狀黏著劑（黏著劑層） 1 a :黏著劑圖型 2 :覆蓋薄膜 3 :基材 4 :光罩 5 :複合薄膜 6 :黏著劑層 7 _·玻璃基板 8 :半導體晶圓 9 :導電層 Π :開口 12 ’ 12a ’ 12b :半導體元件（半導體晶片） -81 - 201127928 1 3 :搭載半導體元件用支撐構件（支撐構件） 14 ， 14a ， 14b :金屬線 1 5 :封閉材 1 6 :端子 1 7 :有效像素區域 1 8 :電路面 20 :附黏著劑層之半導體晶圓 3 0 :晶片接合材 3 2 :導電性凸塊 3 8 :透鏡 40 :切割膠帶 42 :嵌入用構件 5 0 :側壁 100 :黏著薄片 200 :半導體裝置 300: CMOS感知器 D :切割線 -82 -

Claims (1)

1. 201127928 七、申請專利範圍： 1. 一種感光性黏著劑’其特徵係含有（A)具有氟烷基之 含醯亞胺基樹脂、（B )輻射聚合性化合物、（c)光起始劑、 及（D)熱硬化性成分。 2. 如申請專利範圍第1項之感光性黏著劑，其中前述 (A)具有氟院基之含酿亞胺基樹脂之Tg爲180 °C以下。 3 .如申請專利範圍第1或2項之感光性黏著劑，其中 前述（A)具有氟烷基之含醯亞胺基樹脂進—步具有鹼可溶 性基。 4 ·如申請專利範圍第1〜3項中任一項之感光性黏著 劑’其中前述（A)具有氟烷基之含醯亞胺基樹脂爲藉由使 具有酚性羥基之二胺佔全部二胺之5莫耳％以上的二胺與 四羧酸二酐反應而獲得的含醯亞胺基樹脂。 5 ·如申請專利範圍第4項之感光性黏著劑，其中前述 具有酣性經基之二胺含有下述一般式（6)表示的二胺。

   6 ·如申釉專利範圍第1〜5項中任一項之感光性黏著 劑’其中前述（A)具有氟烷基之含醯亞胺基樹脂爲鹼可溶 性樹脂。 7.如申請專利範圍第1〜6項中任一項之感光性黏著 -83 - 201127928 劑’其中前述（D)熱硬化性成分含有（D 1)環氧樹脂。 8 ·如申請專利範圍第1〜7項中任一項之感光性黏著 劑，其中前述（D)熱硬化性成分進一步含有（D2)具有乙烯 性不飽和基及環氧基之化合物。 9.如申請專利範圍第1〜8項中任一項之感光性黏著 劑，其中前述（D)熱硬化性成分進一步含有（D3)酚化合物 〇 1 〇·如申請專利範圍第1〜9項中任一項之感光性黏著 劑，其中進一步含有（E)過氧化物。 1 1 ·如申請專利範圍第1〜1 〇項中任一項之感光性黏 著劑，其中進一步含有（F)塡充料。 1 2 . —種薄膜狀黏著劑，其特徵係藉由將申請專利範 圍第1〜1 1項中任一項之感光性黏著劑成形成薄膜狀而獲 得。 13. —種黏著薄片，其特徵係具備基材與形成於該基 材上之由申請專利範圍第1 2項之薄膜狀黏著劑所構成的 黏著劑層。 14. 一種黏著劑圖型，其特徵係將被層合於被黏物上 之由申請專利範圍第1 2項之薄膜狀黏著劑所構成的黏著 劑層進行曝光’並且將曝光後之前述黏著劑層用鹼顯像液 進行顯像處理而獲得。 i 5 .—種附黏著劑層之半導體晶圓，其特徵係具備半 導體晶圓與層合於該半1導體晶圓上之由申請專利範圍第12 項之薄膜狀黏著劑所構成的黏著劑層。 -84- 201127928 1 6 . —種半導體裝置，其特徵係具有使用申請專利範 圍第1〜1 1項中任一項之感光性黏著劑黏著半導體元件與 半導體元件及/或半導體元件與搭載半導體元件用支撐構 件而成的構造。 1 7 .如申請專利範圍第1 6項之半導體裝置，其中前述 搭載半導體元件用之支撐構件爲透明基板。 In. -85-