TW201116900A - Light emitting device - Google Patents

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201116900 AU0901016 31953twf.doc/n 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種發光裝置’且特別是有關於一種 出光均勻度較佳的發光裝置。 【先前技術】 現今社會多媒體技術相當發達，其多半受惠於半導體 元件或顯示裝置的進步。就顯示器而言，具有高晝質、空 間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性之液晶顯 示器（liquid crystal display)已逐漸成為市場之主流。由於液 晶顯不面板並不具有發光的功能，故在液晶顯示面板下方 必須配置一背光模組(backlight module)以提供一面光源， 以使液晶顯示面板能達到顯示的目的。 般來5兒，为光模紅可分為侧邊式背光模組與直下式 背光模組。另外，依照光源的種類又可以分為冷陰極螢光 燈管(cold cathode fluorescent! lamp，CCFL)光源背光模組 與發光二極體(light emitting diode，LED)光源背光模組。 直下式背光模組由於光線是直接進入使用者的眼睛，需要 較長的混光距離將光線混合均勻，使得背光模組的厚度變 厚。側邊式背光模組則是透過導光板將光線混合均勻後再 進入使用者眼睛，因此側邊式背光模組具有厚度較薄的優 勢。 近年來液晶顯示器逐漸朝向大尺寸的趨勢發展，直下 式月光模組可將整個液晶顯示面板切割成個區塊， 201116900 並且依據每一區塊的影像内容，而對每一區塊所對應的背 光源亮度進行調整（即區域點亮（local dimming )技術）， 以突顯晝面的對比度（contrast ratio )。因此，使用直下式 背光模組的液晶顯示器所呈現的對比度(Contrast Ratio， C R)大於使用側邊式背光模組的液晶顯示器所呈現的對比 度。 【發明内容】 本發明提供一種發光裝置，其具有較佳的出光均勻 度。 # 祕下表面至少其中之―，其中，位於每-凹陷結構下方 之光源所產生的光線於凹陷結構的側表面產生全反射並持 續於光學板内進行至少一次全反射直到遇到出光結構才射 出光學板。 本發明提出一種發光裝置包括多個光源、一光學板、 多個凹陷結構以及至少一出光結構，其中光學板設置於光 源的上方，其中光學板具有一上表面以及一下表面。凹陷 結構由光學板的上表面向光學板的内部延伸，每一凹陷結 構對應設置於一個光源的上方，其中每—凹陷結構的側表 面具有至少兩個傾斜角度。出光結構設置於光學板的上表 本發明提出—種發光裝置包括多個光源、-光學拓、

由光學板的上表面向光學板的内部延伸， 卜表面。凹陷結構 ’每一凹陷結構對 201116900 AU0901016 31953tw£doc/n 方:其中每，結構的側表面具 一段浐面不二〃第-段表面’且第-段表面與第 一專又表面不位於同一平面上或不位於同— 構設置於光學板的上表面與下表面至少其甲之—，° 了 位於每陷結構下方之光源所產生的光 側表面產生全反射並_於光學板⑽行至少 直到遇到出光結構才射出光學板。 王射 本發明提出-種發光裳置包括多個光源、 2凹及至少一出光結構。光學板設置於光源的 /、中光予板具有-上表面以及—下表面。凹陷社構 的上表面向光學板的内部延伸，每—凹陷結構對 ^又，於一個光源的上方’其中每一凹陷結構的側表面具 有一弟一段表面與-第二段表面，且第—段表面一陷社 構之軸心線具有m第二段表面與㈣結構之車: 心線具有-第二夹角。出光結構設置於光學板的上表面與 下表面至少其中之一’其中’位於每—凹陷結構下方之光 源所產生的光線於凹陷輯義表面赴全反射並持續於 光學板内進行至少-次全反射直到遇到出光結構才射出光 學板。 基於上述，本發明的光學板内的凹陷結構可使光源發 出的光線在光學板内進行至少一次的全反射，直到遇到出 光結構才射出光學板。由於光源的光線是經過至少一次的 全反射或是多次全反射之後才射出光學板，因此自光學板 射出的光線可呈現出均勻的面光源。 201116900 AU0901016 31953twf.doc/n 為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特 舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。 【實施方式】 在以下的多個實施例中，發光裝置係具有多個光源， 然而’為簡化說明，故僅在圖U會示多個光源，而在圖* 至圖11中歸示-個光源作為代表，但並_錄定本發 明。 圖1繪示本發明一實施例之發光裝置的剖面圖。圖2A 繪示圖1之發光裝置的凹陷結構的放大圖。圖2B繪示圖 2A之凹陷結構的一種變化結構。圖3A繪示圖1之發光^ 置的凹陷結構的示意圖。圖3B繪示圖3A之凹陷結構的一 種變化結構。 '° °月同13^·參照圖1與圖2A，本實施例之發光裝置1 〇〇 ，括多個光源110、一光學板120、多個凹陷結構13〇以及 夕個出光結構140。光源11〇例如為發光二極體，且光學 板120設置於光源11〇的上方。在本實施例中，光源 可與光學板120直接貼合或者是與光學板12〇之間隔有一 間距以作為散熱空間。光學板120内可選擇性地分佈有多 個擴散粒子（未繪示），以提升發光裝置1〇〇的出光均勻度。 光學板120具有一上表面122以及一下表面124。凹 陷結構130位於光學板120内，且每一凹陷結構13〇對應 設置於一個光源110的上方。值得注意的是，當光源11〇 〇上發出的光線L照射到凹陷結構130時會產生全反射而 201116900 AU0901016 31953twf.doc/n 轉為往光學板120的側邊傳遞。如此„來，四陷結構i3〇 可使光線L轉向凹陷結構13G的四周發散，而不會聚集在 光源1=的正上方，進而可提升發光襞置1〇〇的出光均勻 度。換言之，藉由光學板12〇及凹陷結構13㈣設計以使 光源110 #光線往四周發散，便可進—步縮小光源u 需的混光距離。 承上所述，每一凹陷結構13〇的側表面132具有至少 兩個傾斜角度，且凹陷結構13〇可為錐形凹槽（如圖3A 所不）或是V形凹槽（如圖3B所示）。詳細而言，請參照 圖2A ’母凹陷結構130的側表面132具有一第一段表面 132a與一第二段表面132b，且第一段表面132&與第二段 表面132b不位於同一平面上或不位於同一曲面上。 換言之，第一段表面132a與凹陷結構13〇之軸心線G 具有1(又可稱為第—傾斜驗），第二段表面 132b與凹陷結構13〇之轴心線G具有—第二夾角0 2(又可 第二傾斜角度）。在本實施例中，在凹陷結構13〇中， 越罪近凹陷結構130之底部B的側表面132的傾斜角度越 小。換言之，較靠近凹陷結構13〇之底部B的第一段表面 B2a的第一夾角0 1小於較遠離凹陷結構130之底部B的 第一段表面132b的第二夾角Θ2。 在本a施例中，第二失角0 2的角度範圍例如為30。 之間，且第一夾角0 !小於第二夾角。此外，當 光學板120的厚度為τ，且光源11〇 (例如發光二極體晶 片）的寬度為W時，T與W符合下式： 201116900 AU0901016 31953twf.doc/n T = B χ W χ [Tan( θ 1 )+Tan( Θ 2)] 其中，B介於0.25〜0.5之間。 表1列出在不同轉折高度D、第一夾角6»1與第二夾 角02時，光學板120内的凹陷結構130的漏光率，此漏 光率之調配可控制凹陷結構130正上方的光源強度以搭配 發光裝置100對於光源均勻度之需求，其中當光源110之 間的間距越小，則所需之漏光率越大。 表1 .D(公釐） 4.8 01 (° ) 22.5 22.5 22.5 02 (° ) 30 32.5 35 漏光率 2.85% 2.12% 6.37% D (公釐） 5 6»1 (。） 22.5 22.5 22.5 02 (° ) 30 32.5 35 漏光率 3.94% 2.12% 5.09% D (公釐） 5.2 Θ1 (。） 22.5 22.5 22.5 Θ2 (° ) 30 32.5 35 漏光率 5.28% 2.88% 4.06% 201116900 AU0901016 31953twf.doc/n 請參照表1，由表I可知可藉由調整第一夾角0丨與 第二夾角Θ2的角度大小來調整漏光率。 在其他實施例中’如圖2B所示，凹陷結構的例 表面132可具有—第一段表面132a、—第二段表面⑽ 與一第三段表面132c，且第一段表面132a與凹陷結構13〇 之軸心線G具有一第一夾角Θ1，第二段表面132b與軸心 線G具有-第二失角Θ2’第三段表面132e與軸心線〇具 有-第三夾角Θ3。第二夾角们小於第三炎角们且大於 第一夾角<9 1。 表2列出在不同轉折高度D卜D2以及第一夾角、 第二夾角Θ2與第三夾角Θ3時，光學板12〇内的凹陷結 130的漏光率。 表2 Θ1Γ ) 20 ---*Ί 20 Θ2 (° ) 22.5 ------- 〜丨丨〜 25 (93 (° ) 32.5 ---— 32.5 D1 (公釐） 4 ~—, 3.5 D2 (公釐） 5 ------、-- 5 漏光率 2.88% 1.68% 由表2可知，可藉由調整第一夾角01、第二爽角μ 與弟二夾角03的角度大小來調整漏光率。 在本貫施例中，出光結構14〇設置於光學板的下 表面124上，且出光結構Η0例如為一圖案化反射層，圖 201116900 AU0901016 31953twf.doc/n 案化反射層可以網點的方式配置或是以其他具有光學均勻 化的效果的方式配置，且圖案化反射層的材質可為油墨等 南反射性材料。位於凹陷結構13〇下方之光源11〇所產生 的光線L可於凹陷結構130的側表面132產生全反射並持 續於光學板120内進行至少—次全反射直到遇到出光結構 140才射出光學板120。換言之，當光線L在光學板12〇 内進行全反射的過程中，當遇到出光結構14〇時，全反射 φ 作用便會被破壞，如此便可使得光線L·射出光學板12〇而 出光。在本實施例中，光線L可在光學板12〇内進行一或 多次全反射直到遇到出光結構140才射出光學板12〇，此 曰^，出光結構140可分散光線l的出光位置，而有助於提 升發光裝置100的出光均勻度。詳細而言，在遇到出光結 構140之前，光源11〇所產生的光線[於光學板12〇内的 入射角（或反射角）會保持在一全反射角<9 F，而在遇到出 光結構140之後’光線L於光學板120内的反射角（或入 射角）會改變進而破壞全反射作用並使光線從光學板12〇 鲁 的上表面丨22出光。此外，在之後的圖4〜圖9的實施例 中，光線於光學板120中的反射路徑相似於圖丨中鈞光線 L於光學板120中的反射路徑。 、- 在本實施例中，光源110可配置於一基板15〇上。詳 細而言，基板150可為電路板，而在基板15〇上具有多個 凹槽152，每一凹槽152可對應位於一凹陷結構13〇的下 方，且光源110可配置於凹槽152中並與基板15〇電性連 接。另外’為提南光源no的光線利用率，可在凹择m 201116900 AU0901016 31953twf.doc/n 的内壁152a上形成一反射層（未繪示），以反射照射到内 壁152a的光線。此外’可在凹槽152申填入一透光膠體 160，以覆蓋並保護光源11〇。

此外’透光膠體160中可摻雜有螢光粉體或是擴散粒 子，以調整發光裝置1〇〇所發出的光的顏色或者是提升發 光裝置100的出光均勻度。透光膠體160與光學板12〇可 以是一體成型也可以是各自成型，且透光膠體16〇的材質 與光學板120的材質可以相同也可以不同。在本實施例 中，可在光學板120的上方配置一光學膜片17〇，光學膜 片170例如為增亮片、抗反射片、擴散片等可提升發光裝 置100的亮度或是出光均勻度的透光膜片。 圖4繪示本發明—實施例之發光裝置的剖面圖。請參 照圖4，本實施例之發光裝置400的結構相似於圖丨之發 光裝置100的結構，兩者的差異之處在於發光裝置4〇〇的 出光結構140是設置於光學板12〇的上表面122。出光結 構140例如為一圖案化反射層。類似地，當光源ιι〇之光

線在，學板12G㈣行全反射的過程中，#糊出光結構 140 B了，全反射作用便會被破壞，如此便可使得光線乙射 出光4板120而出光。在本實施例巾，為力口強光學板⑶ 的下表面124的反射率’可在光學板12〇的下表面124上 配置一反射層410。 5繪示本發明另—實施例之發光裝置的剖面圖。智 二，I ’本實施例之發光裝置500的結構相似於圖1 ^ X 、置100的結構，兩者的差異之處在於發光裝置50 12 201116900 Auuyui016 31953twf.doc/n 的出光結構140包括一第一圖案化反射層142以及一第二 圖案化反射層144,且第一圖案化反射層142與第二圖案 化反射層144分別設置於光學板120的上表面122與下表 面124 ^第一圖案化反射層142為多個微結構（例如為半 圓形凸起）’且第一圖案化反射層142可破壞全反射以使得 光線L射出光學板120而出光，並可使射出光學板12〇之 光源集中增亮。第二圖案化反射層144可為網點結構，以 利於光線L射出光學板120的上表面122。 圖6A繪示本發明又一實施例之發光裝置的剖面圖， 圖6B纷示圖6A之發光裝置的一種變化。請參照圖， 本實施例之發光裝置600的結構相似於圖1之發光裝置 100的結構’兩者的差異之處在於發光裝置6〇〇更包括位 於光學板120與基板150之間的一黏著層610，且光學板 120與透光膠體160之間存在一空氣間隙S。在本實施例 中，當光由光源110表面出光時，由於空氣間隙s中的空 氣折射率小於透光耀·體160的折射率，因此，在透光膠體 160與空氣間隙S的交界面上，只有小於全反射角的光線 L才能射出透光膠體160，故空氣間隙s可限縮光線L入 射至光學板120的角度，進而產生聚光的效果。因此，射 入光學板120的光線l較容易照射到凹陷結構丨3〇而產生 全反射。 反之，請參照圖6B，若是透光膠體160直接連接光學 板120 (亦即不存在空氣間隙s)，由於透光膠體16〇的折 射率接近光學板120的折射率，因此，光源11〇表面發出 13 201116900 AU0901016 31953twf.doc/n 的光線L可以前述的全反射角的角度入射光學板Go，並 直接射出光學板120 ’而不會照射到凹陷結構13〇 、, 圖7繪示本發明再一實施例之發光裝置的剖面圖。靖 參照圖7，本實施例之發光裝置7〇〇的結構相似於‘;二 發光裝置100的結構，兩者的差異之處在於發光裝 的光學板120的上表面122為一非平面，以作為^光結構 140。詳細而言，在本實施例中，靠近凹陷結構13〇處:光 學板120的厚度大於遠離凹陷結構130處之光學板^2〇的 厚度。由於光學板120的上表面122為一非平面(例如是斜 面），因此光源110之光線L在光學板120内進行全反射的 過程中’當遇到光學板120之上表面122因斜面角度的關 係而導致全反射作用被破壞時，可使得光線L射出光學板 120而出光。 圖8繪示本發明一實施例之發光裝置的剖面圖。圖9 繪示圖8之發光裝置的一種變化結構。請參照圖8，本實 施例之發光裝置800的結構相似於圖6之發光裝置60〇的 結構，兩者的差異冬處在於發光裝置800的光學板12〇内 設置有一聚光結構810 (例如為一透鏡）’且聚光結構81〇 位於凹陷結構130的下方。聚光結構810可對光源11〇所 發出的光線產生聚光作用，而使光源110的發散角度縮 小’如此可使得更多光線能夠順利的在凹陷結構130產生 全反射，進而使光源110之光線在光學板120内持續進行 至少一次的全反射。在本實施例中，聚光結構810呈半球 狀。在其他實施例中’聚光結構810還可呈圓柱狀（如圖 14 201116900 AU0901016 31953twf.doc/n 9所示）。 圖10A繪示本發明一實施例之發光裝置的剖面圖。圖 10B繪示圖丨〇A之光學板的局部放大圖。 請同時參照圖10A與圖10B，本實施例之發光裝置 1000的結構相似於圖1之發光裝置1〇〇的結構，^者^差 異之處在於發光裝置1000的出光結構14〇為多個微结構 146 ’且發光裝置1000的光學板12〇之側表面126與:水 I 平面A之間具有一銳角夾角$。 在本實施例中，出光結構140為多個鋸齒狀的 146。微結構146的頂角可介於3〇。〜6〇。之間 結構146的高度Η可介於50微米〜200微米之間。 ' 微結構146可選擇性地設置於光學板12〇的下表面 124、上表面122或是同時設置在光學板12〇的下表面 與上表面122。當微結構146同時設置在光學板12〇的下 表面124與上表面122時，位於上表面122之微結構146 與位於下表面124之微結構146交錯設置。換言之，位於 齡 上纟面122之微結構146於基板150上的投影與位於下表 面124之微結構146於基板150上的投影可以是 疊或是彼此部分重疊。 請參照圖10Β，類似地，在本實施例中，當光源11〇 之光線L在光學板no内進行全反射而往光學板⑶的側 1傳遞時^當光線120遇到出光結構14〇或者是側表面126 時，將破壞全反射作用而使光社射出絲板12q而出光。 詳細而言，在遇到出光結構14〇之前，光源11〇所產 15 201116900 AU0901016 31953twf.doc/n 生的光線L於光學板120内的入射角（或反射角）會保持 在一全反射角0 f，而在遇到出光結構14〇之後，光線乙 於光學板120内的反射角（或入射角）會減少從而破壞全 反射作用並從光學板120的上表面122出光。 另外，在本實施例中，光學板120之下表面124更可 具有二開缝124a、124b，且開缝124a、124b分別位於凹 陷結構130的相對二侧。開縫124a、124b亦可作為出光結 構之用。詳細而言，當光源110之光線L在光學板12〇内 遇到凹陷結構130而產生全反射之後，可遇到開缝124a、 124b而破壞全反射作用從而射出光學板120的上表面122 而出光。 圖11繪示本發明一實施例之發光裝置的示意圖。請 參照圖11，本實施例之發光裝置11〇〇的結構相似於圖j 之發光裝置100的結構，兩者的差異之處在於發光裝置 Π00的出光結構140為多個位於下表面124的開缝148a、 148b、148c、148d、148e’且在這些開縫 148a、148b、148c、 148d、148e中，離光源1丨〇愈遠的開缝愈深（例如開缝 148e) ’反之，離光源110愈近的開缝愈淺（例如開缝 148a)。類似地，當光源110之光線在光學板12〇内進行全 反射而往光學板120的侧邊傳遞時，當光線12〇遇到開縫 148a、148b、148c、148d、148e時，將破壞全反射作用而 使光線L射出光學板120的上表面122而出光。 綜上所述，由於本發明的光學板内設置有凹陷結構， 而凹陷結構可使光源所發出的光線在凹陷結構處產生全反 16 201116900 AU0901016 31953twf.doc/n 射並持續於光學板内進行至少一次全反射直到遇到出光红 構才射出光學板’故凹陷結構可提升發光裝置的出光约^ 度。另外，由於光學板之凹陷結構的設計可使光源的光^ 往凹陷結構的四周發散，因此可進一步縮小光源所需的混 光距離。因而，本發明之光學板與光源之間的距離可以二 小的最低，甚至是直接貼合在一起。如此，將有助於發光 裝置之薄型化的發展趨勢。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定 本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離 本發明之精神和範_，當可作些許之更動與潤飾，故本 發明之保護範圍當概附之ΐ請專職騎界定者為準。 圖式簡單說明】 圖1綠示本發明—實施例之發光裝置的剖面圖。 圖2Α繪示圖1之發光裝置的凹陷結構的玫大圖 圖2Β繪示圖2Α之凹陷結構的一種變化結構。 圖3Α繪示圖1之發光裝置的凹陷結構的示音 圖犯績示圖3Α之凹陷結構的一種變化結^ ^ ί示本發明—實施例之發光裝置的剖面圖。 "、，日不本發明另一實施例之發光裝置的剖面同 二认繪示本發明又一實施例之發光農置的J :6Bj會示圖6Α之發光裝置的一種變化。 示本發明再—實施例之發光裝 、曰不本發明—實施例之發光裝置的剖面圖。 17 201116900 AU0901016 31953twf.doc/n 圖9繪示圖8之發光裝置的一種變化結構。 圖10A繪示本發明一實施例之發光裝置的剖面圖。 圖10B繪示圖10A之光學板的局部放大圖。 圖11繪示本發明一實施例之發光裝置的示意圖。 【主要元件符號說明】 100、400、500、600、700、800、1000、1100 :發光 裝置 110 :光源 120 :光學板 122 :上表面 124 :下表面 124a、124b :開縫 126 .側表面 130 :凹陷結構 132:側表面 132a :第一段表面 132b :第二段表面 13九：第三段表面 140 :出光結構 142 :第一圖案化反射層 144 :第二圖案化反射層 146 :微結構 148a、148b ' 148c、148d、148e :開缝 18 201116900 AU0901016 31953twf.doc/n 150 :基板 152 :凹槽 152a :内壁 160 :透光膠體 170 :光學膜片 410 :反射層 610 :黏著層 810 :聚光結構 ® A:水平面 D、Dl、D2 :轉折高度 G :轴心線 Η :高度 L :光線 S :空氣間隙 Τ:光學板的厚度 W:發光二極體晶片的寬度 • 0 :夾角 Θ1:第一夾角 Θ2 :第二夾角 Θ3 :第三夾角 Θ 4 :頂角 6»F :全反射角 19

Claims (1)

1. 201116900 AU0901016 31953twf.doc/n 七、申請專利範圍： 1.一種發光裝置，包括： 多個光源； -光學板，設置於轉絲的上方，射絲且 有一上表面以及一下表面； /、 多個凹陷結構，由該光學板的該上表面向該光學板的 内部延伸’每一凹陷結構對應設置於一個光源的上方，t 中每一凹陷結構的側表面具有至少兩個傾斜角度；以及 至少一出光結構，設置於該光學板的該上表面盥 面至少其中之一， 。 衣 其中，位於每一凹陷結構下方之該光源所產生的 ，該凹陷結構_表面纽全反射並持續於該光學板内進 行至少-次全反射直到遇到該出光結構才射出該光學板 2·如申請專利範圍第！項所述之發光裝置，其二 結構中，越靠近該凹陷結構底部的該側表面的傾ί 3. 如申請專利範圍第〗項所述之發光裝置，其中該至 少一出光結構包括一圖案化反射層，設置於該光學板 表面。 4. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該至 少一出光結構包括一圖案化反射層，設置於該光學板的下 表面。 5. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該至 少一出光結構包括一第一圖案化反射層以及一第二圖案化 20 201116900 AU0901016 31953twf.doc/n 反射層，分別設置於該光學板的上表面與下表面。 6. 如申請專利範圍第丨項所述之發光裝置，其中該光 學板的δ亥上表面為一非平面，以作為該出光結構。 7. 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置，其中靠近 該些凹陷結構處之該光學板的厚度大於遠離該些凹陷結構 處之該光學板厚度。 — 8. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括一 基板’該些光源設置於該基板上，其中該光學板與該基板 之間更包括設置一黏著層。 9. 如申請專利範圍第8項所述之發光裝置其中該光 學板與該光源之間具有一空氣間隙。 1〇.如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，更包括多 個聚光結構’設置於該光學板μ，且每―聚絲構對應設 置於一個凹陷結構的下方。 ,U.如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該光 學板的該下表面更包括多個微結構，以作為該出光結構。 ® , I2.如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該光 學板的該上表面更包括多個微結構，以作為該出光結構。 13. 如申請專利範圍第丨項所述之發光裝置其中該光 學板的該上表面與該下表面更包括多個微結構，以作為該 出光結構，且位於該上表面之該些微結構與位於該下表面 之該些微結構交錯設置。 14. 如申睛專利範圍第丨項所述之發光裝置，其中該光 學板之側面表面與—水平面之間具有一銳角夹角。 21 201116900 AU0901016 31953twf.doc/n 15. 如申請專利範圍第丨項所述之發光裝置，更包括多 個擴散粒子’分佈於該光學板内。 16. 如申請專利範圍第丨項所述之發光裝置，其中該些 凹陷結構為V形凹槽或是錐形凹槽。 17. 如申請專利範圍第16項所述之發光裝置，更包括 至少一光學膜片，位於該光學板的上方。 18·—種發光裝置，包括： 多個光源；

   -光學板，設置於錢光源的上方，其巾_絲板具 有一上表面以及一下表面； 八 多個凹陷結構，由該光學板的該上表面向該光學板的 内部延伸，每一凹陷結構對應設置於一個光源的上方，其 中每-凹陷結構_表岭有具有—第―段表面與一第^ 段表面，且該第-段表續該第二段表面不位於同一平面 上或不位於同一曲面上；以及 至少-出光結構’設置於該光學板的該上表面與下表 面至少其中之一，

   其中’位於每一四陷結構下方之該光源所產生的光線 於該四陷結構賴表衫生全反射並_於該光學板内進 仃至少…人王反射直到铜該出光結構才射出該 19.一種發光裝置，包括： 多個光源； 有一:=及=:些光源的上方’其中該光學板具 22 201116900 AUUyui016 31953twf.doc/n 多個凹陷結構，由該光學板的該上表面向該光學板的 内部延伸，每一凹陷結構對應設置於一個光源的上方，其 中每一凹陷結構的側表面具有一第一段表面與一第二段表 面，且該第一段表面與該凹陷結構之軸心線具有一第一夾 角，該第二段表面與該凹陷結構之軸心線具有一第二夾 角；以及 至少一出光結構，設置於該光學板的該上表面與下表 面至少其中之一， 其中，位於每一凹陷結構下方之該光源所產生的光線 於該凹陷結構的側表面產生全反射並持續於該光學板内進 行至少一次全反射直到遇到該出光結構才射出該光學板。 23