[go: up one dir, main page]

TW201116508A - Cyclic compound, method of producing the same, radiation-sensitive composition and method of forming resist pattern - Google Patents

Cyclic compound, method of producing the same, radiation-sensitive composition and method of forming resist pattern Download PDF

Info

Publication number
TW201116508A
TW201116508A TW099130128A TW99130128A TW201116508A TW 201116508 A TW201116508 A TW 201116508A TW 099130128 A TW099130128 A TW 099130128A TW 99130128 A TW99130128 A TW 99130128A TW 201116508 A TW201116508 A TW 201116508A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
compound
acid
radiation
carbon atoms
Prior art date
Application number
TW099130128A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiromi Hayashi
Masatoshi Echigo
Dai Oguro
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Gas Chemical Co filed Critical Mitsubishi Gas Chemical Co
Publication of TW201116508A publication Critical patent/TW201116508A/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C37/00Preparation of compounds having hydroxy or O-metal groups bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C37/11Preparation of compounds having hydroxy or O-metal groups bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring by reactions increasing the number of carbon atoms
    • C07C37/20Preparation of compounds having hydroxy or O-metal groups bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring by reactions increasing the number of carbon atoms using aldehydes or ketones
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C39/00Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C39/12Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic with no unsaturation outside the aromatic rings
    • C07C39/17Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic with no unsaturation outside the aromatic rings containing other rings in addition to the six-membered aromatic rings, e.g. cyclohexylphenol
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C47/00Compounds having —CHO groups
    • C07C47/52Compounds having —CHO groups bound to carbon atoms of six—membered aromatic rings
    • C07C47/546Compounds having —CHO groups bound to carbon atoms of six—membered aromatic rings polycyclic
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • H10P76/20
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2601/00Systems containing only non-condensed rings
    • C07C2601/12Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
    • C07C2601/14The ring being saturated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/92Systems containing at least three condensed rings with a condensed ring system consisting of at least two mutually uncondensed aromatic ring systems, linked by an annular structure formed by carbon chains on non-adjacent positions of the aromatic system, e.g. cyclophanes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

201116508 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於作爲酸增幅型非高分子系光阻材料爲有 用’且由特定的化學構造式所示之環狀化合物,含有其之 感放射線性組成物及使用該組成物之光阻圖案形成方法。 【先前技術】 迄今之一般的光阻材料係能形成非晶質薄膜的高分子 系材料。例如,藉由將聚甲基丙烯酸甲酯、具有酸解離性 反應基的聚羥基苯乙烯或聚甲基丙烯酸烷酯等的高分子光 阻材料的溶液塗布在基板上而製作光阻薄膜,藉由對其照 射紫外線、遠紫外線、電子束、超紫外線(EUV )、X射線 等’而形成4 5〜lOOnm左右的線狀圖案。 然而,高分子系光阻因分子量大至1萬〜10萬左右, 分子量分布亦廣,在使用高分子系光阻的微影術中,會在 細微圖案表面產生粗糙度,而變爲難於控制圖案尺寸,良 率因而降低。因此,在使用先前的高分子系光阻材料的微 影術中,細微化是有界限的。爲了製作更細微的圖案,有 各種的低分子量光阻材料被提出。 例如’使用以低分子量多核多酚化合物作爲主成分的 鹼顯影型之負型感放射線性組成物(參照專利文獻1及專 利文獻2)雖被提出,但此等沒有充分的耐熱性,而有製 得之光阻圖案的形狀變差的缺點。 -4 - 201116508 就低分子量光阻材料的候補而言,使用以低分子 狀多酚化合物作爲主成分的鹼顯影型之負型感放射線 成物(參照專利文獻3及非專利文獻1 )有被提出。 的低分子量環狀多酚化合物因係低分子量,被期待可 分子尺寸小、解析性高、粗糙度小的光阻圖案。又低 量環狀多酚化合物,藉由其骨架中具有完整的環狀構 雖爲低分子量亦可提供高耐熱性。 然而,現在所知的低分子量環狀多酚化合物,有 使用於半導體製程的安全溶劑之溶解性低、靈敏度低 製得之光阻圖案形狀差等的問題點,而期望低分子量 多酚化合物的改良。 [專利文獻1]日本特開2 00 5 - 3 26 8 3 8號公報 [專利文獻2]日本特開2008 - 145539號公報 [專利文獻3]日本特開2009 - 173623號公報 [非專利文獻 1]T· Nakayama,M· Nomura,K· Haga, Ueda : Bull · Chem · Soc . Jpn · ,7 1,2 9 79 ( 1 99 8 ) 【發明內容】 本發明的目的,係提供一種對於安全溶劑的溶 高、高靈敏度而且能提供良好的光阻圖案形狀的環狀 物、其製造方法、含有其之感放射線性組成物及使用 放射線性組成物之光阻圖案形成方法。 本發明者們,爲了解決上述課題,經專心檢討的結 發現了具有特定構造的環狀化合物對於安全溶劑的溶 量環 性組 此等 提供 分子 造, 對於 、及 環狀 Μ . 解性 化合 該感 果, 解性 -5- 201116508 高、高靈敏度而且能提供良好的光阻圖案形狀,而達成本 發明。 即,本發明係如以下。 1. 一種下列式(1)所示之環狀化合物,
(式中,各L獨立地爲選自由單鍵、碳數1〜20之直鏈 狀或分支狀的伸烷基、碳數3〜20之伸環烷基、碳數6〜 24 之伸芳基、—0—、一 0C(=0)-、一 0C(=0)0—、— N(R5)-C(=0)-(R5係氫或碳數1〜10之烷基)、_N(R5) — C(=0)0-(Rs 與前述相同)、一S—、一SO—、一 S02 — 及此等之任意的組合所構成的群組中的二價的有機基;各 R1獨立地係碳數1〜20之烷基、碳數3〜'20之環烷基、碳 數6〜20之芳基、碳數1〜20之烷氧基、氰基、硝基、羥 基、雜環基、鹵素、羧基、碳數2〜20之醯基、碳數1〜 20之烷基矽烷基或氫原子,其中,至少1個R1係氫原子; 各R’獨立地係下列式(1 - 2)所示之基
(式中,R”係碳數1〜20之烷基、碳數3〜20之環烷基、 碳數6〜20之芳基、碳數1〜20之烷氧基、氰基、硝基、 -6 - 201116508 雜環基、鹵素、羧基、羥基或碳數1〜2〇之烷基矽烷基,p 係1〜5之整數,q係1〜5之整數),m係1〜4之整數)。 2.如第1項之環狀化合物,其係如下列式(2)所示
⑵ (式中,R1、R’’、p、q、m係與前述相同;χ2係氫或鹵 素原子;ms係0〜3之整數,m+m5=4)。 3.如第1或2項之環狀化合物,其中各R’獨立地係下 列式(1 - 3)所示之基
(式中,P、q係與前述相同;R6係碳數1〜20之烷基、 碳數3〜20之環烷基、碳數6〜20之芳基、碳數1〜20之 烷氧基、氰基、硝基 '雜環基、鹵素、羧基、羥基或碳數 1〜20之烷基矽烷基,η係0〜5之整數)。 4·如第1至3項中任一項之環狀化合物,其中各R’獨 立地係下列式(1- 4)所示之基 201116508 (式中,R6、p及n係與前述相同)。 5.如第1至4項中任一項之環狀化合物,其中各R’獨 立地係下列式(1 - 5)所示之基
(式中,ρ係與前述相同)。 6. 如第1至5項中任一項之環狀化合物,其分子量係 70 0 〜5 000 = 7. —種式(1)所示之環狀化合物的製造方法,其係包含: 將選自由芳香族羰基化合物(Α1)及該芳香族羰基化合 物(Α1)的縮醛化物(Α4)所構成的群組中之1種以上的化纟 物及選自由酚性化合物(Α2)所構成的群組中之1種以上@ 化合物,進行縮合反應的步驟。 8. 如第7項的製造方法,其中該酚性化合物(Α2)係具 有1〜3個酚性羥基之碳數6〜15的化合物。 9. 一種感放射線性組成物,其係含有如第1至5項中 任一項之環狀化合物及溶劑。 10. 如第9項之感放射線性組成物,其係由1〜8〇重| %的固體成分及2〇〜99重量%的溶劑所構成。 1 1 .如第9或1 0項之感放射線性組成物,其係進_步 包含酸產生劑(C);該酸產生劑(c)係藉由選自由可見光、 201116508 紫外線、準分子雷射、電子束、超紫外線(EUV)、X射線及 離子束所構成之群組之任一放射線的照射,直接地或間接 地產生酸。 1 2 .如第9至1 1項中任一項之感放射線性組成物,其 係進一步含有酸交聯劑(G)。 1 3 .如第9至1 2項中任一項之感放射線性組成物,其 係進一步含有酸擴散控制劑(E)。 1 4 ·如第9至1 3項中任一項之感放射線性組成物,其 中該環狀化合物係選自由下列式(2 - 2)所示之化合物所構 成的群組
(式中’ R 、X2、p、q、m、ms係與前述相同)。 1 5 .如第1 4項之感放射線性組成物,其中該環狀化合 物係選自由下列式(3 )所示之化合物所構成的群組 -9- 201116508
(式中,R6、q係與前述相同)。 1 6 .如第1 0項之感放射線性組成物,其中該固體成分 係含有環狀化合物/酸產生劑(C)/酸交聯劑(G)/酸擴散控制 劑(E)/任意成分(F),該等以固體成分爲基準的重量%係50 〜99.4/0.001 〜49/0.5 〜49/0.001 〜49/0 〜49。 1 7.如第9至1 6項中任一項之感放射線性組成物,其 係可藉由旋轉塗布形成非晶相膜。 1 8 .如第1 7項之感放射線性組成物,其中該非晶相膜 之在23 °C下,對於2·38重量%氫氧化四甲銨水溶液的溶解 速度係10 A /sec以上。 1 9.如第1 7或1 8項之感放射線性組成物,其中經KrF 準分子雷射、超紫外線、電子束或X射線照射後的該非晶 相膜’或經2 0〜2 5 0 °C加熱後的該非晶相膜之對於2.3 8重 量%氫氧化四甲銨水溶液的溶解速度係5A/sec以下。 2 0.—種光阻圖案形成方法,其係包含: 將如第9至1 9項中任一項之感放射線性組成物塗布於 -10- 201116508 基板上而形成光阻膜之步驟、將該光阻膜曝光之步驟及將 該光阻膜顯影而形成光阻圖案之步驟° 21.—種下列式(6 - 1)所示之芳香族羰基化合物
(式中,R6、n、p、q係與前述相同)。 22.—種下列式(6 - 2)所示之縮醛化合物
(式中,R6、η、p、q係與前述相同)。 由本發明、可提供一種對於安全溶劑的溶解性高、高 靈敏度而且能提供良好的光阻圖案形狀的環狀化合物、其 製造方法、含有其之感放射線性組成物及使用該感放射線 性組成物的光阻圖案形成方法。 【實施方式】 以下,詳細地說明本發明。 環狀化合物及其製造方法 本發明係關於作爲光阻材料係有用的環狀化合物及其 製造方法。 本發明的環狀化合物係如下列式(1 )所示。 -11- 201116508
式中,各L獨立地係選自由單鍵、碳數1〜20的直鏈 狀或分支狀的伸烷基(以亞甲基 '伸乙基、伸丙基、伸丁 基、伸戊基、伸己基、甲基亞甲基、甲基伸乙基、二甲基 亞甲基、甲基伸乙基爲佳)、碳數3〜20的環伸烷基(以環 伸丙基、環伸丁基、環伸戊基、環伸己基爲佳)、碳數6〜 24的伸芳基(以伸苯基、伸萘基、伸恵基、伸菲基爲佳)、 —〇 —、— 〇 C ( = Ο ) —、— Ο C ( = Ο ) Ο —、— N ( R5 ) -C ( = Ο ) 一、- N ( R5 ) _C(=0) 0—、- S-、— SO _、一 S02—及此等的任意之組合由所構成的群組中的二價 有機基。R5係氫或碳數1〜10的烷基(以甲基、乙基、丙 基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基爲佳)。 各R1獨立地係選自由碳數1〜20的烷基(以甲基、乙 基、丙基、異丙基、丁基 '異丁基、第三丁基爲佳)' 碳數 3〜20的環烷基(以環丙基、環丁基、環戊基、環己基爲 佳)、碳數6〜20的芳基(以苯基、蔡基、惠基、菲基爲佳)、 碳數1〜20的烷氧基(以甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙 氧基、丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基爲佳)、氰基、硝基、 羥基、雜環基(以吡啶基、呋喃基、噻吩基' 噚唑基、噻 唑基、異晤唑基、異噻唑基、吡唑基、苯并呋喃基、味啉 -12- 201116508 基爲佳)' 鹵素(以氟、氯 、漠、碘爲佳)、殘基、碳數2 20的醯基(以乙醯基 丙醯基、丁醯基爲佳)、及碳數1 〜20的烷矽基(以三甲基矽基、三乙基矽基、三丙基矽基、 二甲基矽基、二乙基矽基、二丙基矽基、甲基矽基、乙基 矽基、丙基矽基爲佳)所構成的群組中的官能基或氫原子。 但是,至少一個R1係氫原子。 各R’獨立地係下列式(1 一 2)
所表示之基。R’,係由碳數1〜20的院基(以甲基、乙 基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基爲佳)、碳數 3〜20的環烷基(以環丙基、環丁基、環戊基、環己基爲 佳)、碳數6〜20的芳基(以苯基、萘基、蒽基、菲基爲佳)、 碳數1〜20的烷氧基(以甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙 氧基、丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基爲佳)、氰基、硝基、 雜環基(以吡啶基、呋喃基、噻吩基、噚唑基、' '噻唑基、 異噚唑基、異噻唑基、吡唑基、苯并呋喃基、味啉基爲佳)、 鹵素(以氟、氯、溴、鎭爲佳)、羧基、羥基或碳數1〜20 的烷矽烷基(以三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基矽 烷基、二甲基矽烷基、二乙基矽烷基、二丙基矽烷基、甲 基矽烷基、乙基矽烷基、丙基矽烷基爲佳)。p係1〜5的 整數,q係1〜5的整數。 各R’獨立地以下列式(1-3) -13- 201116508
所表示之基爲佳。P及q係與前述相同。R6係碳數1 〜20之烷基(以甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、 第三丁基爲佳)、.碳數3〜20之環烷基(以環丙基、環丁基、 環戊基、環己基爲佳)、碳數6〜20之芳基(以苯基、萘基、 蒽基、菲基爲佳)、碳數1〜20之烷氧基(以甲氧基、乙氧 基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、第三丁氧基 爲佳)、氰基、硝基、雜環基(以吡啶基、呋喃基、噻吩基、 曙唑基、噻唑基、異Df唑基、異噻唑基、吡唑啉基、苯并 呋喃基、味啉基爲佳)、鹵素(以氟、氯、溴、碘爲佳)、羧 基、羥基、或碳數1〜20之烷矽烷基(以三甲基矽烷基、三 乙基矽烷基、三丙基矽烷基、二甲基矽烷基、二乙基矽烷 基、二丙基矽烷基、甲基矽烷基、乙基矽烷基、丙基矽烷 基爲佳)。 . .. 各R’獨立地以下列式(1-4)
所表示之基爲較佳。r6、?及n係與前述相同。 各R,獨立地以下列式(1 _ 5 ) ⑽-Ό )P (1·5) 所表示之基爲更佳。?係與前述相同。 -14- 201116508 m係1〜4的整數。不同苯環上的—lr1可爲相同亦可 爲不同,又,m係2〜4的整數時,同一苯環上的2〜4個 一 LR1可爲相同亦可爲不同。 本發明的環狀化合物係耐熱性高,因具有非晶質性而 製膜性優良,不具昇華性,鹼顯影性、蝕刻耐性等優良, 適合於作爲光阻材料’尤其是光阻材料的主成分(基材)而 使用。 又’在製造層面’以工業上製造的芳香族醛爲首的各 種醛類與間苯二酚、焦五倍子酚等的酚類作爲原料,藉由 鹽酸等的非金屬觸媒使其進行脫水縮合反應,可以高產率 來製造,實用性亦極爲優良。 本發明之環狀化合物以下列式(2)所表示者爲佳。
(式中,R1、R”、p、q、m係與前述相同。χ2係氫或 鹵素原子(以氟、氯、溴、鎮爲佳),m5係〇〜3之整 數,m + m5 = 4。) 本發明之環狀化合物以下列式(2-2)所表示者爲更^丨圭。 -15- 201116508
本發明之環狀化合物以選自下列式(3 )所表示之化合 物者爲進一步較佳。
(式中,R6 ' q係與前述相同。) 本發明之環狀化合物以選自下列式(4)所表示之化合 物者爲進一步較佳。 (4) 201116508
(式中,q係與前述相同。) 本發明之環狀化合物以選自下列式(5)所表示之化合 物者爲特佳。
(5) 上述式(1)所示之本發明的環狀化合物的分子量係 700〜5000’以800〜2000爲佳,以1000〜2000爲更佳。 若爲上述範圍,可在保持光阻所需成膜性的同時,提升解 析性。 本發明的環狀化合物可採用順式及反式,亦可採用任 一構造或混合物。作爲感放射線性組成物的光阻成分而使 -17- 201116508 用時,僅使用順式及反式之任一方’因光阻膜 一性高所以爲佳。製得僅由順式及反式之一方 化合物的方法,能以藉由管柱層析或製令 (Preparative Liquid Chromatograph)的分離或 應溶劑及反應溫度等的最適化等周知的方法來 上述式(1)所示之環狀化合物可藉由從芳 合物(A 1 )所構成的群組所選出的1種以上的 酚性化合物(A2 )所構成的群組所選出的1種 物進行縮合反應而製得。 亦可使用芳香族羰基化合物(A1)的縮醛化 替芳香族羰基化合物(A1)。 芳香族羰基化合物(A1)係碳數14〜24之 物’以下列式(6-1)所表示。 中成分之均 構成的環狀 I液相層析 製造時之反 進行。 香族羰基化 化合物與從 以上的化合 物(A4)來代 苯甲醛化合
(式中,R6、η、p、q係與前述相同。) 就芳香族羰基化合物(A1)而言、可列舉 己基甲基苯甲醛、4 一環己基乙基苯甲醛、4 — 苯甲醛、4_環己基丁基苯甲醛、4 —環己基戊 一 (4~甲基環己基甲基)苯甲醛、4_ (3— E 甲基苯甲醛、4— (2 —甲基環己基)甲基苯甲 —乙基環己基)甲基苯甲醛、4— (3 —乙基環 苯甲醛、4一 (2—乙基環己基)甲基苯甲醛、 例如4 一環 環己基丙基 基苯甲醛、4 戸基環己基) 醛、4 一(4 己基)甲基 4 — (4 —丙 -1 8- 201116508 基環己基)甲基苯甲醛、4_ (3 —丙基環己基)甲基苯甲 醛、4_ (2—丙基環己基)甲基苯甲醛、4一 (4_甲基環 己基)乙基苯甲醛、4_ (3 —甲基環己基)乙基苯甲醛、4 —(2—甲基環己基)乙基苯甲醛、4一 (4 —乙基環己基) 乙基苯甲醛、4_ (3_乙基環己基)乙基苯甲醛、4_ (2 一乙基環己基)乙基苯甲醛、4_ (4_丙基環己基)乙基 苯甲醛、4_ (3 —丙基環己基)乙基苯甲醛、4一 (2—丙 基環己基)乙基苯甲醛、3 —環己基甲基苯甲醛、3 —環己 基乙基苯甲醛、3 -環己基丙基苯甲醛、3 -環己基丁基苯 甲醛、3_環己基戊基苯甲醛、3- (4_甲基環己基甲基) 苯甲醛、3_ (3 —甲基環己基)甲基苯甲醛、3_ (2_甲 基環己基)甲基苯甲醛、3_ (4_乙基環己基)甲基苯甲 醛、3— (3—乙基環己基)甲基苯甲醛、3- (2 —乙基環 己基)甲基苯甲醛、3—(4_丙基環己基)甲基苯甲醛、3 一 (3 —丙基環己基)甲基苯甲醛、3- (2_丙基環己基) 甲基苯甲醛、3_ (4 —甲基環己基)乙基苯甲醛、3— (3 一甲基環己基)乙基苯甲醛、3— (2_甲基環己基)乙基 苯甲醛、3_ (4_乙基環己基)乙基苯甲醛、3_ (3_乙 基環己基)乙基苯甲醛、3— (2-乙基環己基)乙基苯甲 醛、3— (4—丙基環己基)乙基苯甲醛、3— (3_丙基環 己基)乙基苯甲醛、3—(2 —丙基環己基)乙基苯甲醛、2 一環己基甲基苯甲醛、2 —環己基乙基苯甲醛、2—環己基 丙基苯甲醛、2 -環己基丁基苯甲醛、2-環己基戊基苯甲 -19- 201116508 醛、2— (4一甲基環己基甲基)苯甲醛、2_ (3_甲基環 己基)甲基苯甲醛、2— (2_甲基環己基)甲基苯甲醛、2 _ (4_乙基環己基)甲基苯甲醛、2— (3 —乙基環己基) 甲基苯甲醛、2— (2 —乙基環己基)甲基苯甲醛、2— (4 _丙基環己基)甲基苯甲醛、2— (3 -丙基環己基)甲基 苯甲醛、2— (2—丙基環己基)甲基苯甲醛、2— (4一甲 基環己基)乙基苯甲醛、2— (3_甲基環己基)乙基苯甲 醛、2— (2—甲基環己基)乙基苯甲醛、2_ (4—乙基環 己基)乙基苯甲醛、2_ (3_乙基環己基)乙基苯甲醛、2 一 (2_乙基環己基)乙基苯甲醛、2— (4 —丙基環己基) 乙基苯甲醛、2— (3—丙基環己基)乙基苯甲醛、2— (2 _丙基環己基)乙基苯甲醛’以4 一環己基甲基苯甲醛及4 一 (4 -甲基環己基)甲基苯甲醛、4— (3 —甲基環己基) 甲基苯甲醛、4_ (2 —甲基環己基)甲基苯甲醛爲佳,以 4_環己基甲基苯甲醛及4- (4 —甲基環己基)甲基苯甲 醛爲較佳。在不損及本發明的效果的範圍內,芳香族羰基 化合物(A1)可具有碳數1〜4的直鏈或分支烷基、氰基、 羥基、鹵素等。芳香族羰基化合物(A1)可以單獨或組合 兩種以上使用。 芳香族羰基化合物(A1)的縮醛化物(A4)係以縮醛 基保護羰基之化合物’以下列式(6_2)所表示之碳數16 〜26之苯甲醛化合物之乙二醇縮乙醛爲佳。 -20- 201116508
(式中,R6、n、p、q係與前述相同。) 就縮醛化物(A4 )而言,可列舉例如4 -環己基甲基 苯甲醛乙二醇縮乙醛、4 一環己基乙基苯甲醛乙二醇縮乙 醛、4一環己基丙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、4_環己基丁基 苯甲醛乙二醇縮乙醛、4一環己基戊基苯甲醛乙二醇縮乙 醛、4_ (4_甲基環己基甲基)苯甲醛乙二醇縮乙醛、4 _ (3 —甲基環己基)甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛、4一 (2 _甲基環己基)甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛、4- (4_乙基 環己基)甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛、4— (3_乙基環己基) 甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛、4_ (2—乙基環己基)甲基苯 甲醛乙二醇縮乙醛、4— (4一丙基環己基)甲基苯甲醛乙 二醇縮乙醛、4一 (3 —丙基環己基)甲基苯甲醛乙二醇縮 乙醛、4一(2—丙基環己基)甲基苯甲醛乙ς醇縮乙醛、4 _ (4 —甲基環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、4一 (3 _甲基環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、4— (2—甲基 環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、4_ (4_乙基環己基) 乙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、4一 (3 —乙基環己基)乙基苯 甲醛乙二醇縮乙醛、4_ (2—乙基環己基)乙基苯甲醛乙 二醇縮乙醛、4一 (4一丙基環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮 乙醛、4_ (3 —丙基環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、4 一 (2—丙基環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、3 —環己 -2 1- 201116508 基甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛、3_環己基乙基苯甲醛乙二醇 縮乙醛、3_環己基丙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、3—環己基 丁基苯甲醛乙二醇縮乙醛、3—環己基戊基苯甲醛乙二醇縮 乙醛、3_ (4_甲基環己基甲基)苯甲醛乙二醇縮乙醛、3 _ (3_甲基環己基)甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛、3— (2 —甲基環己基)甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛、3— (4 一乙基 環己基)甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛、3_ (3_乙基環己基) 甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛、3— (2 -乙基環己基)甲基苯 甲醛乙二醇縮乙醛、3— (4 一丙基環己基)甲基苯甲醛乙 二醇縮乙醛、3 — (3 —丙基環己基)甲基苯甲醛乙二醇縮 乙醛、3_ (2_丙基環己基)甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛、3 _ (4 —甲基環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、3_ (3 —甲基環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、3— (2—甲基 環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、3_ (4 —乙基環己基) 乙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、3— (3—乙基環己基)乙基苯 甲醛乙二醇縮乙醛、3— (2_乙基環己基)乙基苯甲醛乙 二醇縮乙醛、3 — (4 一丙基環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮 乙醛、3— (3_丙基環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、3 一 (2_丙基環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、2 —環己 基甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛、2—環己基乙基苯甲醛乙二醇 縮乙醛、2 —環己基丙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、2 —環己基 丁基苯甲醛乙二醇縮乙醛、2—環己基戊基苯甲醛乙二醇縮 乙醛、2_ (4_甲基環己基甲基)苯甲醛乙二醇縮乙醛、2 -22- 201116508 —(3—甲基環己基)甲基苯甲醛乙二醇縮乙醒、2— (2 —甲基環己基)甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛、2_ (4 一乙基 環己基)甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛、2 -(3_乙基環己基) 甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛、2— (2 —乙基環己基)甲基苯 甲醛乙二醇縮乙醛、2— (4-丙基環己基)甲基苯甲酸乙 二醇縮乙醛、2- (3-丙基環己基)甲基苯甲醒乙二醇縮 乙醛、2— (2—丙基環己基)甲基苯甲醛乙二醇縮乙醒、2 _ (4 一甲基環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮乙酵、2_ (3 _甲基環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、2— (2 一甲基 環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、2 —(4 —乙基環己基) 乙基苯甲醛乙二醇縮乙醛、2— (3—乙基環己基)乙基苯 甲醛乙二醇縮乙醛、2_ (2 —乙基環己基)乙基苯甲醒乙 二醇縮乙醛、2_ (4—丙基環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮 乙醛、2— (3 —丙基環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮乙醛' 2 —(2 —丙基環己基)乙基苯甲醛乙二醇縮乙醒等’以4_ 環己基甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛及4 一 (4 一甲基環己基) 甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛、4一 (3—甲基環己基)甲基苯 甲醛乙二醇縮乙醛、4— (2 -甲基環己基)甲基苯甲醛乙 二醇縮乙醛爲佳,以4-環己基甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛 及4_(4 一甲基環己基)甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛爲較佳。 在不損及本發明的效果的範圍內,芳香族羰基化合物之縮 醛化物(A4)可具有碳數1〜4的直鏈或分支院基、氰基、 經基、齒素等。芳香族羰基化合物之乙二醇縮乙醛化物(A4)
C -23- •«4 201116508 可以單獨或組合兩種以上使用。 芳香族羰基化合物(A1)可藉由將對應之芳香族化合 物甲醯化而製得。就甲醯化的方法而言,可列舉係周知之 方法的Gattermann反應、Gattermann — Koch反應、使用氟 化甲醯與三氟化硼的方法、使用二氯甲基烷醚的方法、 Vilmeier反應等。在Gattermann — Koch反應方面,其係在 氯化鋁與氯化銅(I)的存在下,使對應的芳香族化合物與一 氧化碳與氯化氫進行作用而製得芳香族羰基化合物(A1)。 可以用縮醛基來保護芳香族羰基化合物(A1),其因以 縮醛保護而安定化。可以用周知的方法來進行縮醛保護。 例如在酸存在下,藉由使其與二元醇反應而製得。 酚性化合物(A2)的碳數以6〜15爲佳,以具有1〜3 個鼢性經基爲佳。就酣性化合物(A2 )的例子而言,可列 舉酚、兒茶酚、間苯二酚、對苯二酚、焦五倍子酚等,以 間苯二酚、焦五倍子酚爲佳,以間苯二酚爲更佳。酚性化 合物(A2)在不損及本發明的效果的範圍內,可具有碳數 1〜4的直鏈或分支烷基、氰基、羥基、鹵素等。酚性化合 物(A2 )可以單獨或組合兩種以上使用。 上述式(1)所示之環狀化合物可藉由周知的方法來製 造。例如,甲醇、乙醇等的有機溶劑中,在酸觸媒(鹽酸、 硫酸或對甲苯磺酸等)的存在下,相對於芳香族羰基化合 物(A1)或乙二醇縮乙醛化物(A4) 1莫耳,使酚性化合 物(A2) 0.1〜10莫耳在60〜150 °C下,反應0.5〜20小時 -24- 201116508 左右。接下來,過濾後,以甲醇等的醇類洗淨、水 由過濾而分離後,使其乾燥而製得本發明的環狀化 取代酸觸媒而使用鹼性觸媒(氫氧化鈉、氫氧化鋇 一二吖雙環〔5.4.0〕十一烯一 7等),即使藉由同樣 可製得本發明的環狀化合物。 因製得之環狀化合物的對於半導體安全溶劑的 提升’以芳香族羰基化合物(A1 )、酚性化合物( 縮醛化物(A4)的至少一個使用2種以上爲較佳。 爲了減低環狀化合物中的殘存金屬量,可依必 製。又因爲酸觸媒及助觸媒若殘存,一般而言,感 性組成物的保存安定性會降低,或鹼性觸媒若殘存 而言,感放射線性組成物的靈敏度會降低,所以亦 把其減低作爲目的的精製。只要環狀化合物不變性 可藉由周知的方法來進行,並沒有特別限定,例如 舉用水洗淨的方法、用酸性水溶液洗淨的方法、用 溶液洗淨的方法、用離子交換樹脂處理的方法、用 柱層析處理的方法等。以組合2種以上此等精製方 行爲較佳。酸性水溶液、鹼性水溶液、離子交換樹 膠管柱層析,可依應除去的金屬、酸性化合物及鹼 物的量或種類、精製的環狀化合物的種類等,而適 最適合者。例如可列舉,就酸性水溶液而言,濃度 〜lOmol/ L的鹽酸、硝酸、乙酸水溶液,就鹼性水 言,濃度爲〇.〇1〜10m〇l/L的氨水溶液,就離子交 洗、藉 合物。 或1,8 反應亦 溶解性 A2 )及 要而精 放射線 ,一般 可進行 ,精製 ,可列 鹼性水 矽膠管 法來進 脂及矽 性化合 宜選擇 爲 0.01 溶液而 換樹脂 -25- 201116508 而言,陽離子交換樹脂’例如〇rgan〇公司製Amberlyst 15J -HG Dry等。精製後亦可進行乾燥。乾燥可藉由周知的 方法來進行’並沒有特別限定,在環狀化合物不變性的條 件下,可列舉真空乾燥、熱風乾燥的方法等。 上述式(1)所示之環狀化合物可藉由旋轉塗布形成非 晶質膜。又可適用於一般的半導體製程。 上述式(1)所不之環狀化合物藉由照射KrF準分子雷 射、超紫外線、電子束或X射線’變爲難溶於鹼顯影液的 化η物’作爲負型71[:阻用材料爲有用。藉由對環狀化合物 照射KrF準分子雷射、超紫外線、電子束或X射線,誘使 化合物之間發生縮合反應。咸認爲此係由於其變爲難溶於 鹼顯影液的化合物。如此而製得的光阻圖案,LEr非常地 小〇 上述式(1)所示之本發明的環狀化合物可作爲負型感 放射線組成物的主成分而使用以外,例如可將提升靈敏度 或提升耐蝕刻耐性用的添加劑添加於感放射線性組成物 中。此時’係使用感放射線性組成物的固體成分全部重量 的1〜49.999重量%的環狀化合物。 本發明的環狀化合物的玻璃轉移溫度以l〇(TC以上爲 佳’以120°C以上爲較佳,以140°C以上爲更佳,以150°C 以上爲特佳。因爲玻璃轉移溫度在上述範圍内,半導體微 影術製程中’具有可維持圖案形狀的耐熱性,並提升高解 析度等的性能。 -26- 201116508 本發明的環狀化合物的玻璃轉移溫度之藉由微差掃描 熱量分析而求得之結晶化放熱量以小於20J/ g爲佳。又, (結晶化溫度)一(玻璃轉移溫度)以7CTC以上爲佳,以 8 0 °C以上爲較佳,以1 0 0 °C以上爲更佳,以1 3 0 °C以上爲特 佳。若結晶化放熱量小於20 J/ g,或(結晶化溫度)_(玻 璃轉移溫度)在上述範圍内,感放射線性組成物可藉由旋 轉塗布,而易於形成非晶質膜,而且經長時間而可保持光 阻所需要的成膜性,並提升解析性。 本發明中,前述結晶化放熱量 '結晶化溫度及玻璃轉 移溫度,可藉由使用島津製作所製DSC/ TA— 50 WS的微 差掃描熱量分析而求得。將約10 mg試料置入鋁製非密封容 器,於氮氣氣流中(50mL/min)以昇溫速度20°C/min 昇溫至融點以上。急冷後,再次於氮氣氣流中(30mL/min) 以昇溫速度20°C / min昇溫至融點以上。再急冷後,再次 於氮氣氣流中(30mL/min)以昇溫速度20°C/min昇溫 至400 °C。將經階梯狀變化的基線的高低差的中點(比熱 變爲一半之處)的溫度當作玻璃轉移溫度(Tg),將在其後 出現的放熱波峰的溫度當作結晶化溫度。由放熱波峰與基 線所包圍領域的面積求取放熱量,將其當作結晶化放熱量。 本發明的環狀化合物’在常壓下,l〇〇t以下,以120 °C以下爲佳,以1 3 0 °C以下爲較佳,以i 4 〇。(:以下爲更佳, 以1 5 0°C以下爲特佳,較佳爲低昇華性。所謂的低昇華性, 係熱重量分析中,在指定溫度下保持10分鐘之時的重量減
C -27- 201116508 少顯示爲1 〇 %,以5 %爲佳,以3 %爲較佳’以1 %爲更佳’ 以0.1%以下爲特佳。藉由低昇華性,能防止曝光時外界氣 體(out gas)導致的曝光裝置之污染。又因爲低LER而能製 得良好的圖案形狀。 本發明的環狀化合物以滿足F<3.0爲佳(F係表示全 原子數/ (全碳原子數-全氧原子數)),以滿足F<2.5爲 較佳。藉由滿足上述條件,耐乾蝕刻性爲優良。 本發明的環狀化合物在從丙二醇單甲醚乙酸酯 (PGMEA)、丙二醇單甲醚(PGME)、環己酮(CHN)、環戊 酮(CPN)、2—庚酮、大茴香醚、乙酸丁酯、丙酸乙酯、 及乳酸乙酯所選出,而且對於環狀化合物顯示最高溶解能 的溶劑中,於23 °C下,以溶解1重量%以上爲佳,以溶解 5重量%以上爲較佳,以溶解1〇重量%以上爲更佳;以在 從PGMEA、PGME、CHN所選出,而且對於環狀化合物顯 示最高溶解能的溶劑中,於23 °C下,溶解20重量%以上 爲特佳;以對於PGMEA,於23°C下,溶解20重量%以上 爲特佳。藉由滿足上述條件,能使用於實際生產中的半導 體製造步驟。 在不損及本發明的效果的範圍內,可於本發明的環狀 化合物中導入鹵素原子。相對於前述環狀化合物的全部構 成原子數之鹵素原子數的比例以〇·1〜60%爲佳、以〇.1〜 40%爲較佳,以0.1〜20%爲更佳’以0.1〜10%爲特佳, 以1〜5%爲最佳。若在上述範圍内,提升對於放射線的靈 敏度的同時,能維持成膜性。又,能提升安全溶劑溶解性。 -28- 201116508 在不損及本發明的效果的範圍內,可於本發明的環狀 化合物中導入氮原子。相對於前述環狀化合物的全部構成 原子數之氮原子數的比例以0.1〜40%爲佳,以0.1〜20% 爲較佳,以0.1〜10%爲更佳,以〇.丨〜5%爲特佳。若在上 述範圍内’能減低製得之光阻圖案的線邊緣粗糙度。又, 被導入的氮原子以二級或三級氮原子爲佳,以三級氮原子 爲較佳。 在不損及本發明的效果的範圍內,可藉由對本發明中 的環狀化合物’照射可見光、紫外線、準分子雷射、電子 束、超紫外線(EUV )、X射線及離子束或因此而誘發的化 學反應’而導入引起交聯反應的交聯反應性基。導入係藉 由’例如在鹼觸媒下,使環狀化合物與交聯反應性基導入 試劑反應來進行。就交聯反應性基而言,可列舉碳一碳多 鍵、環氧基、疊氮基、鹵化苯基及氯甲基。就交聯反應性 基導入試劑而言,可列舉具有如此的交聯反應性基的酸、 酸氯化物、酸酐、二碳酸酯等的羧酸衍生物或鹵化烷基等。 包含具有交聯反應性基的環狀化合物之感放射線性組成物 作爲高解析度、高耐熱性而且溶劑可溶性的非高分子系感 放射線性組成物亦爲有用》 在不損及本發明的效果的範圍內,可於本發明的環狀 化合物的至少一個酚性羥基中導入非酸解離性官能基。所 謂的非酸解離性官能基,係在酸的存在下不分裂,不產生 鹼可溶性基的特性基。例如,可列舉不因酸的作用而導致 -29- 201116508 分解之:Cl〜20的烷基、C3〜20的環烷基、C6〜20的芳 基、C1〜20的烷氧基、氰基、硝基、羥基、雜環基、鹵素、 羧基、C1〜20的烷基矽烷、從此等的衍生物所構成的群組 選出的官能基等。 在不損及本發明的效果的範圍內’可於本發明的環狀 化合物的至少一個酚性羥基中導入萘醌疊氮化酯基。經於 環狀化合物的至少一個酚性羥基中導入萘醌疊氮化酯基的 環狀化合物,能作爲負型感放射線組成物的主成分而使用 以外,能作爲正型感放射線組成物的主成分而使用,並能 作爲酸產生劑或添加劑而加入感放射線性組成物中。 在不損及本發明的效果的範圍內,可於本發明的環狀 化合物的至少一個酚性羥基中導入藉由放射線的照射而產 生酸的酸產生性官能基。經於環狀化合物的至少一個酚性 羥基中導入酸產生性官能基的環狀化合物,能作爲負型感 放射線組成物的主成分而使用,另外,能作爲正型感放射 線組成物的主成分而使用,並能作爲酸產生劑或添加劑而 加入感放射線性組成物中。 感放射線性組成物 本發明係關於前述之式(1)所示之包含環狀化合物與 溶劑的感放射線性組成物。又,本發明以由1〜80重量% 的固體成分及20〜99重量%的溶劑構成的感放射線性組 成物爲佳,此外,以該環狀化合物係固體成分全部重量的 50〜99.999重量%爲佳。 -30- 201116508 本發明的感放射線性組成物能藉由旋轉塗布而形成非 晶質膜。又’可適用於一般的半導體製程。 本發明的環狀化合物的非晶質膜之23 °C下,對於2.38 質量% TMAH水溶液的溶解速度以10人/ sec以上爲佳,以 10〜10000A/sec爲較佳,以1〇〇〜i〇〇〇A/sec爲更佳。 若爲10A/ sec以上,能溶解於鹼顯影液並作爲光阻。又, 若具有lOOOOA/sec以下的溶解速度,有時會提升解析 性。推測此乃因爲藉由環狀化合物(A)之曝光前後的溶解 性的變化,溶解於鹼顯影液的未曝光部與不溶解於鹼顯影 液的曝光部的界面的對比變大。又,LER的減低有減低缺 陷的效果。 旋轉塗布本發明的感放射線性組成物的固體成分而形 成的非晶質膜之藉由KrF準分子雷射、超紫外線、電子束 或X射線等的放射線而曝光的部分之23 °C下,對於2.38 質量% TMAH水溶液的溶解速度以5 A/ sec下以爲佳,以 0.05〜5A/sec爲較佳,以0.0005〜5A/sec爲更佳。若爲 5A/sec以下,則能不溶於驗顯影液中,而作爲光阻。又, 若具有0.0005A/seC以上的溶解速度,有時會提升解析 性。推測此乃因爲前述環狀化合物的細微的表面部位溶解 而減低LER。又,有減低缺陷的效果。 在本發明的感放射線性組成物中,以1〜8 0重量%的 固體成分及20〜99重量%的溶劑爲佳,以1〜50重量%的 固體成分及50〜99重量%的溶劑爲較佳,以2〜40重量% -3 1- 201116508 的固體成分及60〜98重量%的溶劑爲更佳,以2〜10重量 %的固體成分及90〜98重量%的溶劑爲特佳。 式(1)所示之環狀化合物的量係固體成分全部重量(環 狀化合物、酸產生劑(C )、酸交聯劑(G )、酸擴散控制劑 (E )及其他成分(F )等的任意地使用的固體成分的總和, 以下相同)的50〜99_4重量%,以55〜90重量%爲佳, 以60〜80重量%爲較佳,以60〜70重量%爲特佳。若爲 上述調配比例,可獲得高解析度,線邊緣粗糙度變小。 本發明的組成物以包含藉由從可見光、紫外線、準分 子雷射、電子束、超紫外線(EUV )、X射線及離子束所選 出的任一放射線的照射而直接地或間接地產生酸的酸產生 劑(C)的一種以上爲佳。酸產生劑(C)的使用量以固體 成分全部重量的0.001〜49重量%爲佳,以1〜40重量% 爲較佳,以3〜30重量%爲更佳,以1〇〜25重量%爲特佳。 藉由於上述範圍内使用,可製得高靈敏度而且低邊緣粗糙 度的圖案外觀。本發明中,只要在系統内產生酸,酸的產 生方法並無限定。若使用代替g線、i線等的紫外線的準分 子雷射,較細微加工爲可能,又,若使用作爲高能量線的 電子束、超紫外線、X射線、離子束,更細微加工爲可能。 就前述酸產生劑(C)而言,以由下列式(7-1)〜(7 -8 )所表示之化合物所構成的群組選出的至少一種爲佳。 -32- 201116508 〇Ί〇
_Lr13 <Γ3
Vr13 -Λ
式(7 — 1 )中,R 可爲相同’亦可爲不同,係各自 獨AL地爲:氫原子、直鏈狀、分支狀或環狀烷基、直鏈狀、 分支狀或環狀院氧基、經基或_素原子;χ-係具有垸基、 芳基、鹵素取代院基或鹵素取代芳基的磺酸離子或鹵化物 離子。) 前述式(7 - 1)所示之化合物以從三苯基鏑三氟甲烷 磺酸鹽、三苯基锍九氟-正丁烷磺酸鹽、二苯基甲苯基鏑 九氟-正丁烷磺酸鹽、三苯基锍全氟—正辛烷磺酸鹽、二 苯基—4 —甲基苯基蔬三氟甲院磺酸鹽、二_2,4,6_三甲基 苯基銃三氟甲烷磺酸鹽、二苯基_4 一第三丁氧基苯基銃三 氟甲烷磺酸鹽、二苯基一 4 一第三丁氧基苯基毓九氟—正丁 烷磺酸鹽、二苯基一 4-羥基苯基蔬二氟甲院擴酸鹽、雙(4 _氟苯基)一 4一羥基苯基鏑三氟甲烷磺酸鹽、二苯基〜4 -羥基苯基鏑九氟一 正丁烷磺酸鹽、雙(4 一羥基苯基)〜 苯基鏑三氟甲烷磺酸鹽、三(4 一甲氧基苯基)锍三氟甲烷 磺酸鹽、三(4 一氟苯基)毓三氟甲烷磺酸鹽、三苯基毓對 甲苯磺酸鹽、三苯基鏑苯磺酸鹽 '二苯基_2,4,6 —三甲基 苯基一對甲苯磺酸鹽 '二苯基一 2,4,6一二甲基苯基锍〜2 —三氟甲基苯磺酸鹽、二苯基一 2,4,6 —二甲基苯基毓〜 -3 3- 4 201116508 —三氟甲基苯磺酸鹽、二苯基一 2,4,6 —三甲基苯基锍一 2,4 一二氟苯磺酸鹽、二苯基-2,4,6—三甲基苯基鏑六氟苯磺 酸鹽、二苯基萘基鏑三氟甲烷磺酸鹽、二苯基一 4 一羥基苯 基毓-對甲苯磺酸鹽、三苯基蔬10-樟腦磺酸鹽、二苯基 一 4一羥基苯基鏑10 —樟腦磺酸鹽及環(1,3 —全氟丙烷二 砸)亞胺陰離子所構成的群組選出的至少一種爲佳。
(式(7— 2)中,R14可爲相同,亦可爲不同’係各自 獨立表示氫原子、直鏈狀、分支狀或環狀院基 '直鏈狀、 分支狀或環狀烷氧基、羥基或鹵素原子。x'係與前述相同。) 前述式(7_2)所示之化合物以從雙(4 一第三丁基苯 基)鍥三氟甲烷磺酸鹽、雙(4 一第三丁基苯基)鍈九氟一 正丁烷磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)鑛全氟-正辛烷磺 酸鹽、雙(4_第三丁基苯基)錤對甲苯磺酸鹽、雙(4一 第三丁基苯基)鎮苯磺酸鹽、雙(4 一第三丁基苯基)鍈一 2—三氟甲基苯磺酸鹽、雙(4一第三丁基苯基)鐫—4 一三 氟甲基苯磺酸鹽、雙(4 一第三丁基苯基)鎮一 2,4 —二氟 苯磺酸鹽、雙(4-第三丁基苯基)銚六氟苯磺酸鹽、雙(4 -第三丁基苯基)鎮1〇_樟腦磺酸鹽 '二苯基鎳三氟甲烷 磺酸鹽、二苯基捵九氟-正丁烷磺酸鹽、二苯基錤全氟一 正辛烷磺酸鹽、二苯基鑛對甲苯磺酸鹽、二苯基錤苯磺酸 鹽、二苯基碘10-樟腦磺酸鹽、二苯基鎭—2 —三氟甲基 -34- 201116508 苯磺酸鹽、二苯基鎭- 4-三氟甲基苯磺酸鹽、二苯基碘一 2,4—二氟苯磺酸鹽、二苯基鍈六氟苯磺酸鹽、二(4一三 氟甲基苯基)鍈三氟甲烷磺酸鹽、二(4一三氟甲基苯基) 鎭九氟-正丁烷磺酸鹽、二(4一三氟甲基苯基)鎭全氟一 正辛烷磺酸鹽、二(4-三氟甲基苯基)鎮對甲苯磺酸鹽、 二(4 一三氟甲基苯基)鎮苯磺酸鹽及二(4 一三氟甲基苯 基)銚1 0 -樟腦磺酸鹽所構成的群組選出的至少一種爲佳。 〇 II 〇 Q(C〉N—0—S—R15 if 丨丨 II 〇 〇 ( 7 - 3 ) (式(7_3)中,Q係伸烷基、伸芳基或伸烷氧基,R15 係烷基、芳基、鹵素取代烷基或鹵素取代芳基。) 前述式(7— 3)所示之化合物以從N-(三氟甲基磺醯 氧基)丁二醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯氧基)酞醯亞胺、 N-(三氟甲基磺醯氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、N-(三 氟甲基磺醯氧基)雙環〔2.2.1〕庚一 5 —烯一 2,3—二羧基 醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯氧基)萘基醯亞胺、N-(10_ 樟腦磺醯氧基)丁二醯亞胺、N- ( 1 0 -樟腦磺醯氧基)酞 醯亞胺、N- ( 1 0 -樟腦磺醯氧基)二苯基順丁烯二醯亞胺、 N-(10 —樟腦磺醯氧基)雙環〔2.2.1〕庚—5_烯_2,3_ 二羧基醯亞胺、N- ( 10 -樟腦磺醯氧基)萘基醯亞胺、N-(正辛烷磺醯氧基)雙環〔2.2.1〕庚-5-烯-2,3 -二羧基 醯亞胺、N-(正辛烷磺醯氧基)萘基醯亞胺、N-(對甲苯 -35- 201116508 磺醯氧基)雙環〔2.2_1〕庚一 5—烯一 2,3-二羧基醯亞胺、 N-(對甲苯磺醯氧基)萘基醯亞胺、N_(2_三氟甲基苯磺 醯氧基)雙環〔2.2·1〕庚—5 一嫌―2,3 一二殘基醯亞胺、 N-(2—三氟甲基苯磺醯氧基)萘基醯亞胺、N-(4_三氟 甲基苯磺醯氧基)雙環〔2.2.1〕庚一5 -烯一2,3 -二羧基 醯亞胺、N- (4 —二氣甲基苯擴酿氧基)蔡基酿亞胺、N-(全氟苯磺醯氧基)雙環〔2.2.1〕庚~5 —烯—2,3 —二羧基 醯亞胺、N-(全氟苯磺醯氧基)萘基醯亞胺、N-( 1_萘磺 醯氧基)雙環〔2.2.1〕庚一稀一 2,3—二竣基醯亞胺、 N-( 1-萘磺醯氧基)萘基醯亞胺、N·(九氟—正丁烷磺醯 氧基)雙環〔2.2.1〕庚一 5-烯—2,3—二羧基醯亞胺、N-(九氟—正丁烷磺醯氧基)萘基醯亞胺、N-(全氟-正辛焼 磺醯氧基)雙環〔2.2.1〕庚_5—烯一 2,3 —二羧基醯亞胺 及N-(全氟-正辛烷磺醯氧基)萘基醯亞胺所構成的群組 選出的至少一種爲佳。 Ο Ο R16—S—S—R16
II II 〇〇 ( 7 — 4 ) (式(7— 4)中’ R16可爲相同’亦可爲不同’係各自 獨立地爲:任意地被取代的直鏈、分支或環狀烷基、任意 地被取代的芳基、任意地被取代的雜芳基或任意地被取代 的芳烷基。) 前述式(7 - 4)所示之化合物以從二苯基二硼、二(4 一甲基苯基)二颯、二萘基二颯、二(4 一第三丁基苯基) -36- 201116508 二颯、二(4 —羥基苯基)二颯、二(3_羥基萘基)二颯、 二(4_氟苯基)二楓、二(2_氟苯基)二颯及二(4〜三 氟甲基苯基)二颯所構成的群組選出的至少一種爲佳。 Ο 17 II 17 R17—C=N—Ο—S——R17
I II CN 〇 ( 7 - 5 ) (式(7— 5 )中,R17可爲相同,亦可爲不同,係各自 獨立地爲:任意地被取代的直鏈、分支或環狀烷基、任意 地被取代的芳基、任意地被取代的雜芳基或任意地被取代 的芳烷基。) 前述式(7- 5)所示之化合物以從α—(甲基磺醯氧 基亞胺基)一苯基乙腈、α—(甲基磺醯氧基亞胺基)一4 一甲氧基苯基乙腈、α-(三氟甲基磺醯氧基亞胺基)〜苯 基乙腈、α— (三氟甲基磺醯氧基亞胺基)_4 一甲氧基苯 基乙腈、α_ (乙基磺醯氧基亞胺基)_4 —甲氧基苯基乙 腈、α—(丙基磺醯氧基亞胺基)—4 -甲基苯基乙腈及α -(甲基擴醋氧基亞胺基)-4-溴苯基乙腈所構成的群組 選出的至少一種爲佳。 R18 \入,
I I R18/N\ 广/Ν、ρΐ8
II 0 (7-6) 式(7— 6)中’ R18可爲相同,亦可爲不同,係各自獨 立地爲具有1個以上的氯原子及1個以上的溴原子的鹵化 烷基。鹵化烷基的碳原子數以1〜5爲佳。 -37- 7 -201116508
(7 - 8 ) 式(7— 7)及(7— 8)中,R19及R2G係各自獨立地爲: 甲基、乙基、正丙基、異丙基等的碳原子數1〜3的烷基、 環戊基、環己基等的環烷基、甲氧基、乙氧基、丙氧基等 的碳原子數1〜3的烷氧基、或苯基、甲苯醯基、萘基等芳 基,以碳原子數6〜10的芳基爲佳。L19及L2G係各自獨立 地爲具有1,2—萘醌二疊氮基的有機基。就具有1,2—萘醌 二疊氮基的有機基而言,具體上可列舉1,2 —萘醌二疊氮一 4一磺醯基、1,2-萘醌二疊氮—5 —磺醯基、1,2_萘醌二疊 氮- 6_磺醯基等的1,2 —醌二疊氮礦醯基作爲較佳者。尤 其以1,2-萘醌二疊氮_4一磺醯基及1,2 —萘醌二疊氮—! 一磺醯基爲佳。P係1〜5的整數,q係0〜4的整數,而且 l$p+q$5。·!19係單鍵、碳原子數1〜4的聚亞甲基、環 伸烷基、伸苯基、下列式(7— 7 - 1)所表示之基、羰基、 酯基、醯胺基或醚基,Y 19係氫原子、烷基或芳基,χ2〇係 各自獨立地爲下列式(7— 8—1)所示之基。
-38- 201116508
(式(7— 8-1)中,Z2 2係各自獨立地爲:烷基、環烷 基或芳基,R22係烷基、環烷基或烷氧基,r係0〜3的整 數。) 就其他的酸產生劑而言,可列舉雙(對甲苯磺醯基) 重氮甲烷、雙(2,4-二甲基苯基磺醯基)重氮甲烷、雙(第 三丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(正丁基磺醯基)重氮甲烷、 雙(異丁基磺醯基)重氮甲烷、雙(異丙基磺醯基)重氮 甲烷、雙(正丙基磺醯基)重氮甲烷、雙(環己基磺醯基) 重氮甲烷、雙(異丙基磺醯基)重氮甲烷、1,3 -雙(環己 基磺醯基偶氮甲基磺醯基)丙烷、1,4-雙(苯基磺醯基偶 氮甲基磺醯基)丁烷、1,6-雙(苯基磺醯基偶氮甲基磺醯 基)己烷、h 10-雙(環己基磺醯基偶氮甲基磺醯基)癸 烷等的雙磺醯基重氮甲烷類、2-(4-甲氧基苯基)-4,6-(雙 三氯甲基)-1,3,5-三阱、2-(4-甲氧基萘基)-4,6-(雙三 氯甲基)-1,3, 5 -三阱、參(2,3 -二溴丙基)-1,3,5 -三哄、參 (2,3-二溴丙基)異三聚氰酸酯等的含有鹵素的三畊衍生物 等。 上述酸產生劑之中,以具有芳香環的酸產生劑爲佳, 以式(7— 1)或(7 - 2)所示之酸產生劑爲較佳。式(7 一 1)或(7— 2)的X—以具有磺酸離子(該磺酸離子係具有 -39- 201116508 芳基或鹵素取代芳基)的酸產生劑爲更佳,以具有磺酸離子 (該磺酸離子係具有芳基)的酸產生劑爲特佳,以二苯基三 甲基苯基鏑對甲苯磺酸鹽、三苯基鏡對甲苯磺酸鹽、三苯 基锍三氟甲烷磺酸鹽、三苯基锍九氟甲烷磺酸鹽爲特佳。 因使用該酸產生劑,可減低LER。 上述酸產生劑(C)可單獨使用或使用2種以上。 本發明的感放射線性組成物以包含一種以上的酸交聯 劑(G )爲佳。所謂的酸交聯劑(G )係在由酸產生劑(C ) 產生的酸的存在下,可分子内或分子間交聯式(1)的環狀 化合物之化合物。就如此的酸交聯劑(G )而言,可列舉例 如具有可交聯式(1)的環狀化合物之1種以上的基(以下’ 稱爲「交聯性基」。)的化合物。 就如此的交聯性基的具體例子而言,可列舉例如(i ) 羥基(C1-C6烷基)、C1—C6烷氧基(Cl— C6烷基)、乙 醯氧基(Cl— C6烷基)等的羥烷基或由該等所衍生的基; (ii)甲醯基、羧基(Cl- C6烷基)等的羰基或由該等所衍 生的基;(iii)二甲胺基甲基、二乙胺基甲基、二羥甲胺基 甲基、二羥乙胺基甲基、味啉基甲基等的含有含氮基的基; (iv)環氧丙醚基、環氧丙酯基、環氧丙胺基等的含有環氧 丙基的基;(v)由苄氧甲基、苄醯氧甲基等、Cl— C6烯丙 氧基(Cl— C6烷基)、C1—C6芳烷氧基(C1—C6烷基) 等的芳香族基所衍生的基;(vi)乙烯基、異丙烯基等的含 有聚合性多鍵的基等。就本發明的酸交聯劑(G)的交聯性 -40- 201116508 基而言,以羥烷基及烷氧基烷基等爲佳,尤其以烷氧基甲 基爲佳。 就前述具有交聯性基的酸交聯劑(G )而言,可列舉例 如(i)含有羥甲基的三聚氰胺化合物、含有羥甲基的苯胍 畊化合物、含有羥甲基的脲化合物、含有羥甲基的甘脲 (glycoluril)化合物、含有羥甲基的酧化合物等的含有羥甲 基的化合物;(Π)含有烷氧基烷基的三聚氰胺化合物、含 有烷氧基烷基的苯胍阱化合物、含有烷氧基烷基的脲化合 物、含有烷氧基烷基的甘脲化合物、含有烷氧基烷基的酚 化合物等的含有烷氧基烷基的化合物;(iii )含有羧基甲基 的三聚氰胺化合物、含有羧基甲基的苯胍畊化合物、含有 羧基甲基的脲化合物、含有羧基甲基的甘脲化合物、含有 羧基甲基的酚化合物等的含有羧基甲基的化合物;(iv)雙 酚A系環氧化合物、雙酚F系環氧化合物、雙酚S系環氧 化合物、酚醛清漆樹脂系環氧化合物、可溶酚醛(re sole)樹 脂系環氧化合物、聚(羥基苯乙烯)系環氧化合物等的環 氧化合物等。 就酸交聯劑(G)而言’可使用於具有酚性羥基的化合 物中,並且於鹼可溶性樹脂中的酸性官能基中導入前述交 聯性基而賦予交聯性的化合物及樹脂。該情形的交聯性基 的導入率,相對於具有酚性羥基的化合物及鹼可溶性樹脂 中的全酸性官能基,通常調節至5〜100莫耳%,以10〜 60莫耳%爲佳,以15〜40莫耳%爲更佳。若爲上述範圍, 因爲充分產生交聯反應、殘膜率的降低、可避免圖案的膨 潤現象或蛇行等,所以爲佳。 -4 1- 201116508 本發明的感放射線性組成物之中的酸交聯劑(G )以烷 氧基烷基化脲化合物或其樹脂、或烷氧基烷基化甘脲化合 物或其樹脂爲佳。就特佳的酸交聯劑(G)而言,可列舉下 列式(8 — 1)〜(8 - 3)所示之化合物及烷氧基甲基化三 聚氰胺化合物(酸交聯劑(G1))。 r7o-ch2 h2c-or7
r7o-ch2 h2c-or7 (8-2) r7〇-&人,-〇r7 rr:人人 (8-1) 7 H2. || H2 7
R7〇-C、人 /C-OR7 N N I I CH2 ch2 r7o/ 、OR7 (8-3) (上述式中,R7係表示各自獨立地爲:氫原子、烷基、 或醯基;R8〜R11係表示各自獨立地爲:氫原子、羥基、烷 基、或烷氧基;X2係表示單鍵、亞甲基、或氧原子。) R7所表示的烷基以碳數1〜6爲佳,以碳數1〜3爲較 佳,例如可列舉甲基、乙基、丙基。R7所表示的醯基以碳 數2〜6爲佳,以碳數2〜4爲較佳,可列舉例如乙醯基、 丙醯基。R8〜R11所表示的烷基以碳數1〜6爲佳,以碳數 1〜3爲較佳,可列舉例如甲基、乙基、丙基。R8〜R1 1所 表示的烷氧基以碳數1〜6爲佳,以碳數1〜3爲較佳,可 列舉例如甲氧基、乙氧基、丙氧基。X2以單鍵或亞甲基爲 佳。R7〜R11、X2可被甲基、乙基等的烷基、甲氧基、乙氧 基等的烷氧基、羥基、鹵素原子等取代。複數個的r7、r8 〜R11可各自相同,亦可各自不同。 就式(8 — 1 )所表示之化合物具體而言,可列舉例如 以下所示之化合物等。 -42- 201116508 H3C〇-& nAn^2-0CH3 H3C0-£nXn.^0CH3 h3co-£nAn^2-och3
h2 /C、 H3co H3CO- 、0〆
h2 /C、 OCH3 -OCH3 H3CO OCH3 h3c ch3 o
HO OH 式(8 - 2 )所表示之化合物具體而言之,可列舉例如 N,N,N,N-四(甲氧基甲基)甘脲、N,N,N,N-四(乙氧基甲 基)甘脲、N,N,N,N-四(正丙氧基甲基)甘脲、N,N,N,N-四(異丙氧基甲基)甘脲、N,N,N,N-四(正丁氧基甲基) 甘脲、N,N,N,N-四(第三丁氧基甲基)甘脲等。其中,尤 其以N,N,N,N-四(甲氧基甲基)甘脲爲佳。 式(8 - 3 )所表示之化合物具體而言,可列舉例如以 下所示之化合物等。 0 0 0 h2 人 oc2 h5 /CH2 H2C\ .CH2 H2C. /CH2 H2C\ HO OH H3CO 0CH3 C2H5O OC2H5
h2 H3C0 N 人 h2 人 N OCH3
H2 /c、、 C2H50 N c4h〆
h2 /C、 OC4H9 c4h9〇-CH2 H2%c4h9 o 人 ch2 h2c h2 人 H3COCO n
H3COCO h2 <c、 N OCOCH3 'OCOCH3 烷氧基甲基化三聚氰胺化合物具體而言之,可列舉例 如Ν,Ν,Ν,Ν,Ν,Ν-六(甲氧基甲基)三聚氰胺、N,N,N,N,N,N-六(乙氧基甲基)三聚氰胺、N,N,N,N,N,N-六(正丙氧基 甲基)三聚氰胺、N,N,N,N,N,N-六(異丙氧基甲基)三聚 氰胺、N,N,N,N,N,N-六(正丁氧基甲基)三聚氰胺、 -43- 201116508 N,N,N,N,N,N-六(第三丁氧基甲基)三聚氰胺等。其中, 尤其以N,N,N,N,N,N-六(甲氧基甲基)三聚氰胺爲佳。 前述酸交聯劑(G1)可透過例如使脲化合物或甘脲化 合物、及甲醛進行縮合反應而導入羥甲基後,再以甲醇、 乙醇、丙醇、丁醇等的低級醇類進行醚化,接下來冷卻反 應液回收析出的化合物或其樹脂而製得。又,前述酸交聯 劑(G1),亦可取得如CYMEL(商品名、三井CYANAMID 製)、NIKALAC (三和CHEMICAL股份有限公司製)的市 售品。 又,就其他特佳的酸交聯劑(G)而言,可列舉分子内 具有1〜6個苯環、分子内全體中具有2個以上羥烷基及/ 或烷氧基烷基、該羥烷基及/或烷氧基烷基鍵結於前述任 一的苯環之酚衍生物(酸交聯劑(G2 ))。爲佳者,可列舉 分子量1500以下、分子内具有1〜6個苯環、羥烷基及/ 或烷氧基烷基合計具有2個以上、該羥烷基及/或烷氧基 烷基鍵結於前述苯環之任一、或複數的苯環而構成的酚衍 生物。 就鍵結於苯環的羥烷基而言,以羥基甲基、2 -羥基乙 基、及2 —羥基一 1 一丙基等的碳數1〜6者爲佳。就鍵結 於苯環的烷氧基烷基而言,以碳數2〜6者佳。具體而言, 以甲氧基甲基、乙氧基甲基、正丙氧基甲基、異丙氧基甲 基、正丁氧基甲基、異丁氧基甲基、第二丁氧基甲基、第 三丁氧基甲基、2_甲氧基乙基、及2—甲氧基一1_丙基 爲佳。 -44- 201116508 以下列舉此等的酚衍生物之中的特佳者。
OH OH OH OH OH
COOH
OH 〇 〇
-45 201116508
-46- 201116508 上述式中,L1〜L8可爲相同,亦可爲不同,係表示各 自獨立地爲:羥基甲基、甲氧基甲基或乙氧基甲基。具有 羥基甲基的酚衍生物能藉由使不具有對應的羥基甲基之酌 化合物(上述式中L1〜L8爲氫原子之化合物)與甲醛在驗 觸媒下進行反應而製得。此時,爲了防止樹脂化或凝膠化, 以在反應溫度60°C以下進行爲佳。具體而言,可用日本特 開平6 — 2 82〇67號公報、日本特開平7- “2 8 5號公報等所 記載的方法來合成。 具有烷氧基甲基的酚衍生物,可藉由使具有對應的淫 基甲基的酚衍生物與醇在酸觸媒下進行反應而製得。此 時,爲了防止樹脂化或凝膠化,以在反應溫度1 0 0 °C以下 進行爲佳。具體而言,可用EP 63 2003 A1等所記載的方法 來合成。 如此爲之而合成的具有羥基甲基及/或烷氧基甲基的 酚衍生物,因其保存時的安定性之點,所以爲佳,而具有 烷氧基甲基的酚衍生物從保存時的安定性的觀點來看,爲 特佳。酸交聯劑(G2 )可單獨使用,又,亦可組合2種以 上使用。 又,就其他的特佳酸交聯劑(G)而言,可列舉具有至 少一個α —羥基異丙基的化合物(酸交聯劑(G3))。只要 具有α-羥基異丙基,其構造並無特別限定。又,上述α -羥基異丙基中的羥基的氫原子可用1種以上的酸解離性 基(R - COO —基、R— S〇2 —基等,R係表示從碳數1〜12 -47- 201116508 的直鏈狀烴基、碳數3〜12的環狀烴基、碳數1〜12的烷 氧基、碳數3〜12的1_分支烷基、及碳數6〜12的芳香 族烴基構成的群組所選出的取代基)來取代。就上述具有 α-羥基異丙基的化合物而言,可列舉例如’含有至少一個 α—羥基異丙基的取代或非取代的芳香族系化合物、二苯基 化合物、萘化合物、呋喃化合物等的1種或2種以上。具 體而言,可列舉例如,下列通式(9 一 1 )所表示的化合物 (以下,稱爲「苯系化合物(1 )」。)、下列通式(9 — 2 )所 表示的化合物(以下,稱爲「二苯基系化合物(2)」。)、 下列通式(9 一 3 )所表示的化合物(以下,稱爲「萘系化 合物(3」。)、及下列通式(9— 4)所表示的化合物(以下, 稱爲「呋喃系化合物(4)」。)等。
201116508 上述通式(9 一1)〜(9-4)中,各A2係表示獨立地 爲α-羥基異丙基或氫原子,而且至少1個A2爲α—經基 異丙基。又,通式(9_1)中,R51係表示氫原子、羥基、 碳數2〜6的直鏈狀或分支狀的烷基羰基、或碳數2〜6的 直鏈狀或分支狀的烷氧基羰基。此外’通式(9 一 2)中, R52係表示單鍵、碳數1〜5的直鏈狀或分支狀的伸烷基、 _〇—、— CO—、或—COO—。又,通式(9— 4)中 ’ R53 及R54係表示相互獨立地爲氫原子或碳數1〜6的直鏈狀或 分支狀的烷基。 上述苯系化合物(〇具體而言之,可列舉例如’ α _ 羥基異丙苯、1,3 一雙(α —羥基異丙基)苯、I,4 —雙(α _羥基異丙基)苯、1,2,4一參(α—羥基異丙基)苯、丨,3,5 一參(α—羥基異丙基)苯等的α —羥基異丙苯類;3一 α_ 羥基異丙基酣、4_α —羥基異丙基酚、3,5_雙一經基 異丙基)酚、2,4,6 -參(α—羥基異丙基)酣等的α_經基 異丙基酚類;3— α —羥基異丙基苯基.甲基酮、4一 α —經 基異丙基苯基•甲基酮、4— α_羥基異丙基苯基•乙基酮、 4 一 α —羥基異丙基苯基.正丙基酮、4_α—羥基異丙基本 基•異丙基酮、4一 α—羥基異丙基苯基•正丁基嗣、4一 α -羥基異丙基苯基.第三丁基酮、4—α一羥基異丙基苯基. 正戊基酮、3,5—雙(α —羥基異丙基)苯基·甲基嗣、3,5 —雙(α-羥基異丙基)苯基·乙基酮、2,4,6 一參(〇1_經 基異丙基)苯基.甲基酮等的α 一羥基異丙基苯基•院基 -49- 201116508 酮類;3_α_羥基異丙基苯甲酸甲酯、4一 α—羥基異丙基 苯甲酸甲酯、4_α-經基異丙基苯甲酸乙酯、4— α-羥基 異丙基苯甲酸正丙酯、4- α -羥基異丙基苯甲酸異丙酯、4 - α -羥基異丙基苯甲酸正丁酯、4-α —羥基異丙基苯甲酸 第三丁酯、4一 α—羥基異丙基苯甲酸正戊酯、3,5-雙(α 一羥基異丙基)苯甲酸甲酯、3,5 —雙(α-羥基異丙基) 苯甲酸乙酯、2,4,6—參(α—羥基異丙基)苯甲酸甲酯等的 4一 α-羥基異丙基苯甲酸烷酯類等。 又,上述二苯基系化合物(2)具體而言之,可列舉例 如,3— α-羥基異丙基聯苯、4—α_羥基異丙基聯苯、3,5 一雙(α-羥基異丙基)聯苯、3,3’一雙(α-羥基異丙基) 聯苯、3,4’一雙(α-羥基異丙基)聯苯、4,4’一雙(α—羥 基異丙基)聯苯、2,4,6-參(α-羥基異丙基)聯苯、3,3’ ,5 _參(α_羥基異丙基)聯苯、3,4’ ,5-參(α—羥基異丙 基)聯苯、2,3’ ,4,6,_四((1一羥基異丙基)聯苯、2,4,4’ ,6, —四(α_羥基異丙基)聯苯、3,3’ ,5,5’_四(α_羥基異 丙基)聯苯、2,3’ ,4,5’ ,6—五(α—羥基異丙基)聯苯、 2,2’ ,4,4 ’ ,6,6’一六(α-羥基異丙基)聯苯等的α —羥基 異丙基聯苯類;3 - α-羥基異丙基二苯基甲烷、4一 α—羥 基異丙基二苯基甲烷、1_ (4 一 α—羥基異丙基苯基)_2 _苯基乙烷、1_ (4 一 α —羥基異丙基苯基)_2-苯基丙 烷、2_ (4_α_羥基異丙基苯基)_2_苯基丙烷、1_ (4 一 α_羥基異丙基苯基)_3_苯基丙烷、1_ (4—α_羥基 -50- 201116508 異丙基苯基)一 4一苯基丁烷、1 一(4_α_羥基異丙基苯 基)一 5—苯基戊烷、3,5-雙(α-羥基異丙基)二苯基甲 烷、3,3’一雙(α_羥基異丙基)二苯基甲烷、3,4’一雙(α 一羥基異丙基)二苯基甲烷、4,4’ 一雙(α-羥基異丙基) 二苯基甲烷、1,2_雙(4—α_羥基異丙基苯基)乙烷、1,2 _雙(4_α_羥基丙基苯基)丙烷、2,2—雙(4— α-羥基 丙基苯基)丙烷、1,3 —雙(4— α-羥基丙基苯基)丙烷、 2,4,6 -參(α -羥基異丙基)二苯基甲烷、3,3’ ,5 —參(α 一羥基異丙基)二苯基甲烷、3,4’ ,5-參(α-羥基異丙基) 二苯基甲烷、2,3’ ,4,6—四(α—羥基異丙基)二苯基甲烷、 2,4,4’ ,6_四(α_羥基異丙基)二苯基甲烷、3,3’ ,5,5’ 一四(α_羥基異丙基)二苯基甲烷、2,3’ ,4,5’ ,6_五(α —羥基異丙基)二苯基甲烷、2,2’ ,4,4’ ,6,6’_六(α-羥 基異丙基)二苯基甲烷等的α-羥基異丙基二苯烷類;3 — α—羥基異丙基二苯醚、4— α-羥基異丙基二苯醚、3,5 — 雙(α—羥基異丙基)二苯醚、3,3’ 一雙(α-羥基異丙基) 二苯醚、3,4’ —雙(α —羥基異丙基)二苯醚、4,4’一雙(α 一羥基異丙基)二苯醚、2,4,6—參(α —羥基異丙基)二苯 醚、3,3’ ,5_參(α_羥基異丙基)二苯醚、3,4’ ,5_參 (α —羥基異丙基)二苯醚、2,3’ ,4,6—四(α—羥基異丙 基)二苯醚、2,4,4’ ,6—四(α-羥基異丙基)二苯醚、 3,3’ ,5,5’ 一四(α -羥基異丙基)二苯醚、2,3’ ,4,5’ ,6 _五(α_羥基異丙基)二苯醚、2,2’ ,4,4’ ,6,6’一六(α -5 1- 201116508 一羥基異丙基)二苯醚等的α—羥基異丙基二苯醚類;3 — α —羥基異丙基二苯酮、4—α_羥基異丙基二苯酮、3,5_ 雙(α—羥基異丙基)二苯酮、3,3’一雙(α-羥基異丙基) 二苯酮、3,4’ 一雙(α-羥基異丙基)二苯酮、4,4’ 一雙(α 一羥基異丙基)二苯酮、2,4,6—參(α—羥基異丙基)二苯 酮、3,3’ ,5_參(α_羥基異丙基)二苯酮、3,4’ ,5_參 (α-羥基異丙基)二苯酮、2,3’ ,4,6-四(α-羥基異丙基) 二苯酮、2,4,4’ ,6_四(α_羥基異丙基)二苯酮、3,3’ ,5,5’ —四(α —羥基異丙基)二苯酮、2,3’ ,4,5’ ,6—五(α — 羥基異丙基)二苯酮、2,2’ ,4,4’ ,6,6’ 一六(α-羥基異丙 基)二苯酮等的α-羥基異丙基二苯酮類;3- α -羥基異 丙基苯甲酸苯酯、4 - α—羥基異丙基苯甲酸苯酯、苯甲酸 3— α—羥基異丙基苯酯、苯甲酸4一 α-羥基異丙基苯酯、 3,5-雙(α —羥基異丙基)苯甲酸苯酯、3_α_羥基異丙 基苯甲酸3- α—羥基異丙基苯酯、3- α-羥基異丙基苯甲 酸4一 α-羥基異丙基苯酯、4一 α_羥基異丙基苯甲酸3 - α 一羥基異丙基苯酯、4一 α-羥基異丙基苯甲酸4 一 α-羥基 異丙基苯酯、苯甲酸3,5-雙(α—羥基異丙基)苯酯、2,4,6 一參(α-羥基異丙基)苯甲酸苯酯、3,5-雙(α -羥基異 丙基)苯甲酸3 - α—羥基異丙基苯酯、3,5-雙(α-羥基 異丙基)苯甲酸4一 α—羥基異丙基苯酯、3—α—羥基異丙 基苯甲酸3,5-雙(α—羥基異丙基)苯酯、4_α—羥基異 丙基苯甲酸3,5 -雙(α-羥基異丙基)苯酯、苯甲酸2,4,6 -52- 201116508 一參(α —羥基異丙基)苯酯、2,4,6 —參(α-羥基異丙基) 苯甲酸3—α_羥基異丙基苯酯、2,4,6 —參(α-羥基異丙 基)苯甲酸4 一 α_羥基異丙基苯酯、3,5-雙(α-羥基異 丙基)苯甲酸3,5—雙(α_羥基異丙基)苯酯、3— α—羥 基異丙基苯甲酸2,4,6—參(α—羥基異丙基)苯酯、4一 α —羥基異丙基苯甲酸2,4,6-參(α -羥基異丙基)苯酯、 2,4,6—參(α-羥基異丙基)苯甲酸3,5-雙(α -羥基異 丙基)苯酯、3,5_雙(ct_羥基異丙基)苯甲酸2,4,6 —參 (α-羥基異丙基)苯酯、2,4,6-參(α—羥基異丙基)苯 甲酸2,4,6-參(α-羥基異丙基)苯酯等的α-羥基異丙 基苯甲酸苯酯類等。 此外,上述萘系化合物(3 )具體而言之,可列舉例如, 1_ (α —羥基異丙基)萘、2— (α —羥基異丙基)萘、1,3 一雙(α-羥基異丙基)萘、1,4一雙(α—羥基異丙基)萘、 1,5 -雙(α -羥基異丙基)萘、1,6 —雙(α-羥基異丙基) 萘、1,7—雙(α—羥基異丙基)萘、2,6-雙(α—羥基異 丙基)萘、2,7_雙(α_羥基異丙基)萘、1,3,5_參(α _羥基異丙基)萘、1,3,6_參(〇1_羥基異丙基)萘、1,3,7 _參(α—羥基異丙基)萘、1,4,6—參(α—羥基異丙基) 萘、1,4,7_參(α-羥基異丙基)萘、1,3,5,7_四(α_羥 基異丙基)萘等。 又,上述呋喃系化合物(4 )具體而言之,可列舉例如, 3_ (α —羥基異丙基)呋喃、2_甲基—3-(〇1_羥基異丙 -53- 201116508 基)呋喃、2—甲基一4— (α -羥基異丙基)呋喃、2 -乙 基一 4_ (α —徑基異丙基)咲喃、2—正丙基—4— (α —經 基異丙基)呋喃'2 —異丙基—4— (α-羥基異丙基)呋喃、 2_正丁基—4— (α—羥基異丙基)呋喃、2-第三丁基—4 —(α—羥基異丙基)呋喃、2 —正戊基—4 一(α—羥基異 丙基)呋喃、2,5 —二甲基—3_ (α-羥基異丙基)呋喃、 2,5—二乙基—3— (α~羥基異丙基)呋喃、3,4 —雙(α — 羥基異丙基)呋喃、2,5 —二甲基—3,4 一雙(α—羥基異丙 基)咲喃、2,5_ 一乙基—3,4_雙(α—經基異丙基)咲喃 等。 就上述酸交聯劑(G3)而言,以具有2個以上游離的 α-羥基異丙基的化合物爲佳,以具有2個以上α -羥基異 丙基的前述苯系化合物(1)、具有2個以上α —羥基異丙 基的前述二苯基系化合物(2)、具有2個以上α—羥基異 丙基的前述萘系化合物(3 )爲更佳,以具有2個以上α _ 羥基異丙基的α_羥基異丙基聯苯類、具有2個以上α—羥 基異丙基的萘系化合物(3)爲特佳。 上述酸交聯劑(G3)通常可藉由使含有1,3-二乙醯 苯等的含有乙醯基的化合物與CH3MgBr等的格林納試劑進 行反應而甲基化後加水分解的方法,或將1,3-二異丙基苯 等的含有異丙基的化合物以氧等氧化而生成過氧化物後還 原的方法來製得。 -54- 201116508 本發明中的酸交聯劑(G)的使用量以固體成分全部重 量的0.5〜49重量%爲佳,以0.5〜40重量%爲較佳’以1 〜30重量%爲更佳,以2〜20重量%爲特佳。若使上述酸 交聯劑(G)的調配比例爲0.5重量%以上,因爲可提升光 阻膜之對於鹼顯影液的溶解性的抑制效果、降低殘膜率、 抑制圖案的膨潤或蛇行產生所以爲佳,另一方面,若使其 爲5 0重量%以下,因可抑制其作爲光阻之耐熱性的降低所 以爲佳。 又,從上述酸交聯劑(G)中的上述酸交聯劑(G1)、 酸交聯劑(G2 )、酸交聯劑(G3 )所選出的至少1種的化 合物的調配比例亦無特別限定,可依照形成光阻圖案時所 使用的基板的種類等而使其在各種範圔》 全部酸交聯劑成分中,上述烷氧基甲基化三聚氰胺化 合物及/或(9— 1)〜(9_3)所示之化合物爲50〜99重 量%,以60〜99重量%爲佳,以70〜98重量%爲較佳, 以80〜97重量%爲更佳。因爲藉由使烷氧基甲基化三聚氰 胺化合物及/或(9 一1)〜(9-3)所示之化合物爲全部 酸交聯劑成分的5 0重量%以上,可提升解析度所以爲佳, 因爲藉由使其爲99重量%以下,圖案剖面形狀易於製成矩 形的剖面形狀所以爲佳。 本發明中,可在感放射線性組成物中調配酸擴散控制 劑(E ),該酸擴散控制劑(E )具有控制藉由放射線照射而 從酸產生劑產生的酸在光阻膜中之擴散、阻止未曝光區域 -55- 201116508 中不佳的化學反應的作用等。藉由使用如此的酸擴散控制 劑(E ),提升感放射線性組成物的儲藏安定性。又,提升 解析度的同時,可抑制放射線照射前的放置時間、放射線 照射後的放置時間的變動所導致光阻圖案的線幅變化,而 成爲具極優良之製程安定性者。就如此的酸擴散控制劑(E ) 而言,可列舉含有氮原子的鹼性化合物、鹼性锍化合物、 鹼性鎭化合物等的放射線分解性鹼性化合物。酸擴散控制 劑(E)可單獨使用或使用2種以上。 就上述酸擴散控制劑而言,可列舉例如,含氮有機化 合物或、藉由曝光而分解的鹼性化合物等。就上述含氮有 ^一目 而 物 合 化 機 例 舉 列 可
Π61、 $ RIN 式 通 列 下
3 6 R / IN 2 6 R 所表示之化合物(以下,稱爲「含氮化合物(I)」。)、 在同一分子内具有2個氮原子的二胺化合物(以下,稱爲 '含氮化合物(II)」。)、具有3個以上氮原子的聚胺化合 物或聚合物(以下,稱爲「含氮化合物(III)」。)、含有酿 胺基的化合物、脲化合物、及含氮雜環式化合物等》另外, 酸擴散控制劑(E)可單獨使用1種,亦可倂用2種以上。 上述通式(10)中,R61、R62及R63係表示相互獨立 地爲:氫原子、直鏈狀、分支狀或環狀的烷基、芳基、或 芳烷基。又,上述烷基、芳基、或芳烷基可爲非取代,亦 可被羥基等取代。於此,就上述直鏈狀、分支狀或環狀的 -56- 201116508 烷基而言,可列舉例如,碳數1〜1 5、以碳數1〜1 0者爲 佳,具體而言,可列舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正 丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、新戊基、 正己基、2,3-二甲基丁烷 -2- 基 (thexyl ; 2,3-dimethylbutan-2-yl)、正庚基、正辛基、正乙基己基、 正壬基、正癸基等。又,就上述芳基而言,可列舉碳數6 〜12者,具體而言,可列舉苯基、甲苯基、二甲苯基、異 丙苯基、1 -萘基等。此外,就上述芳烷基而言,可列舉碳 數7〜19、以碳數7〜13者爲佳,具體而言,可列舉苄基、 α —甲基苄基、苯乙基、萘基甲基等。 上述含氮化合物(I)具體而言之,可列舉例如,正己 胺、正庚胺、正辛胺、正壬胺、正癸胺、正十二胺、環己 胺等的單(環)烷胺類;二一正丁胺、二一正戊胺、二一 正己胺、二—正庚胺、二—正辛胺、二—正壬胺、二—正 癸胺、甲基_正十二胺、二一正十二烷基甲基、環己基甲 胺、二環己胺等的二(環)烷胺類;三乙胺、三一正丙胺、 三一正丁胺、三—正戊胺、三—正己胺、三-正庚胺、三 一正辛胺、三—正壬胺、三—正癸胺、二甲基-正十二胺、 二一正十二烷基甲胺、二環己基甲胺、三環己胺等的三(環) 烷胺類;單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺等的烷醇胺類; 苯胺、Ν—甲基苯胺、Ν,Ν —二甲基苯胺、2_甲基苯胺、3 一甲基苯胺、4一甲基苯胺、4一硝基苯胺、二苯胺、三苯 胺、1 -萘胺等的芳香族胺類等。 -57- 201116508 上述含氮化合物(11 )具體而言之’可列舉例如’乙 二胺、N,N,N,,N,一四甲基乙二胺、N,N,N,,N’一四(2 —經 基丙基)乙二胺、丁二胺、己二胺、4,4,一二胺基二苯基 甲烷、4,4’一二胺基二苯基醚、4,4’一二胺基二苯基酮、4,4’ —二胺基二苯基胺、2,2-雙(4 —胺基苯基)丙烷、2— (3 —胺基苯基)—2— (4 —胺基苯基)丙院、2-(4一胺基 苯基)一 2— (3-羥基苯基)丙烷、2-(4一胺基苯基) _2_ (4 —經基苯基)丙院、ι,4 一雙〔1— (4 —胺基本基) —1—甲基乙基〕苯、1,3 —雙〔1— (4 —胺基苯基)一1 — 甲基乙基〕苯等。 上述含氮化合物(111)具體而言之,可列舉例如,聚伸 乙亞胺、聚烯丙胺、N— (2—二甲胺基乙基)丙烯醯胺的 聚合物等。 上述含有醯胺基的化合物具體而言之,可列舉例如’ 甲醯胺、N —甲基甲醯胺、N,N —二甲基甲醯胺、乙醯胺、 N —甲基乙醯胺、N,N —二甲基乙醯胺、丙醯胺、苯甲醯胺、 吡咯啶酮、N—甲基吡咯啶酮等。 上述脲化合物具體而言之,可列舉例如脲、甲基脲、 1,1 一二甲基脲、1,3 —二甲基脲、1,1,3,3 —四甲基脲、1,3 -二苯基脲、三一正丁基硫脲等。 上述含氮雜環式化合物具體而言之,可列舉例如’咪 唑、苯并咪唑、4_甲基咪唑、4_甲基一 2 —苯基咪唑、2 —苯基苯并咪唑等的咪唑類;吡啶、2 —甲基吡啶、4一甲 -58- 201116508 基吡啶、2_乙基吡啶、4 一乙基卩比陡、2 —苯基啦陡、4 — 苯基卩比H定、2_甲基一 4 一苯基吡D定、薛驗、蘇鹼酸、薛鹼 醯胺、喹啉、8 -氧基喹啉、吖啶等的吡啶類;及吡阱、吡 哩、塔阱、喹噚啉、嘌岭、吡略啶、哌D定、味啉、4 _甲基 味啉、哌畊、1,4 —二甲基哌阱、丨,4_二吖雙環〔2.2.2〕 辛烷等。 又,就上述放射線分解性鹼性化合物而言,可列舉例 如,下列通式(1 1 一 1 ):
所表示之毓化合物、及下列通式(1 1 -
所表示之碘化合物等。 上述通式(11— 1)及(11— 2)中,R71、R72、r73' R74及R75係表示相互獨立地爲:氫原子、碳數1〜6的院 基、碳數1〜6的烷氧基、羥基或鹵素原子。Z-係表示H〇 一、R— COO-(但,R係表示碳數丨〜6的烷基、碳數6〜 Η的芳基或碳數7〜12的烷芳基。)或下列通式(11__3):
C -59- 201116508
OH Λ"000 ( 11-3) 所表示的陰離子。 上述放射線分解性鹼性化合物具體而言之,可列舉例 如,氫氧化三苯基鏑、三苯基锍乙酸酯、三苯基鏑柳酸酯、 二苯基_4_氣氧化經基苯基鏑、一苯基—4—經基苯基锍 乙酸酯、二苯基一 4 —羥基苯基锍柳酸酯、雙(4 一第三丁 基苯基)氫氧化錤、雙(4一第三丁基苯基)鎮乙酸酯、雙 (4 -第三丁基苯基)氫氧化鎮、雙(4-第三丁基苯基)錤 乙酸酯、雙(4-第三丁基苯基)鎭柳酸酯' 4_第三丁基 苯基_4一羥基苯基氫氧化錤、4-第三丁基苯基_4一羥基 苯基鎮乙酸酯、4 -第三丁基苯基_4_羥基苯基鎮柳酸酯 等。 酸擴散控制劑(Ε)的調配量以固體成分全部重量的 0.001〜49重量%爲佳,以〇·〇1〜1〇重量%爲較佳,以〇.〇1 〜5重量%爲更佳,以0.01〜3重量%爲特佳。若在上述範 圍内,可防止解析度的降低、圖案形狀、尺寸保真度等的 劣化。此外,即使自電子束照射至放射線照射後加熱的放 置時間變長,圖案上層部的形狀亦無劣化。又’調配量若 爲10重量%以下,可防止靈敏度、未曝光部的顯影性等的 降低。又,藉由使用如此的酸擴散控制劑’可提升感放射 線性組成物的儲藏安定性’又’提升解析度的同時’可抑 制放射線照射前的放置時間、放射線照射後的放置時間的 -60- 201116508 變動所導致光阻圖案的線幅變化,而成爲具極優良之製程 安定性者。 在不阻礙本發明的目的之範圍內,可依需求於本發明 的感放射線性組成物中添加1種或2種以上的其他的成分 (F ):溶解促進劑、溶解控制劑、增感劑、界面活性劑、及 有機羧酸或磷的含氧酸或其衍生物等的各種添加劑。 (1 )溶解促進劑 低分子量溶解促進劑係具有於式(η所示之環狀化合 物之對於鹼等的顯影液的溶解性過低時,提高其溶解性、 使顯影時的環狀化合物的溶解速度適度地增大的作用之成 分,可在不損及本發明的效果的範圍內使用。就前述溶解 促進劑而言,可列舉例如,低分子量的酚性化合物,可列 舉例如,雙酚類、參(羥基苯基)甲烷等。此等的溶解促 進劑可單獨使用或混合2種以上使用。溶解促進劑的調配 量係依照所使用的環狀化合物的種類而適當調節,以固體 成分全部重量的〇〜49重量%爲佳’以〇〜5重量%爲較 佳,以0〜1重量%爲更佳,以〇重量%爲特佳。 (2 )溶解控制劑 溶解控制劑係具有於式(1 )所示之環狀化合物在對於 鹼等的顯影液的溶解性過高之時,控制其溶解性’使顯影 時的溶解速度適度地減少之作用的成分。就如此的溶解控 制劑而言,以在光阻被膜的燒結、放射線照射、顯影等的 步驟中不進行化學變化者爲佳。 -61- 201116508 就溶解控制劑而言,可列舉例如’萘、菲、蒽、乙烷 合萘等的芳香族烴類;苯乙酮、二苯酮、苯基萘基酮等的 酮類;甲基苯基颯、二苯基颯、二萘基颯等的楓類等。此 等的溶解控制劑可單獨使用或使用2種以上。 溶解控制劑的調配量係依照所使用的環狀化合物的種 類而適當調節,以固體成分全部重量的〇〜49重量%爲 佳,以0〜5重量%爲較佳,以〇〜1重量%爲更佳,以〇 重量%爲特佳。 (3 )增感劑 增感劑具有吸收所照射放射線的能量,將其能量傳達 至酸產生劑(C),藉此增加酸的生成量的作用,係使光阻 之外觀的靈敏度提升的成分。就如此的增感劑而言,可列 舉例如,二苯酮類、雙乙醯類、芘類、啡噻阱類、莽類等, 並無特別限定。 此等的增感劑可單獨使用或使用2種以上。增感劑的 調配量係依照所使用的環狀化合物的種類而適當調節,以 固體成分全部重量的〇〜49重量%爲佳,以0〜5重量%爲 較佳,以0〜1重量%爲更佳,以0重量%爲特佳。 (4 )界面活性劑 界面活性劑係具有改良本發明的感放射線性組成物的 塗布性或條紋、光阻的顯影性等之作用的成分。如此的界 面活性劑可爲陰離子系、陽離子系、非離子系或兩性的任 一者。界面活性劑以非離子系界面活性劑爲佳。非離子系 -62- 201116508 界面活性劑係與感放射線性組成物的製造上所使用的溶劑 的親和性佳,較有效果。就非離子系界面活性劑的例子而 言,可列舉聚氧乙烯高級烷醚類、聚氧乙烯高級烷基苯基 醚類、聚乙二醇的高級脂肪酸二酯類等,但無特別限定。 就市售品而言,可列舉以下商品名,EFTOP ( JEMCO公司 製)、MEGAFAC (大日本油墨化學工業公司製)、Fluorad (住友3M公司製)、AsahiGuard、Surflon (以上,旭硝子 公司製)、Pepol (東邦化學工業公司製)、KP (信越化學工 業公司製)、POLYFLOW(共榮社油脂化學工業公司製)等。 界面活性劑的調配量係依照所使用的環狀化合物的種 類而適當調節,以固體成分全部重量的〇〜49重量%爲 佳,以0〜5重量%爲較佳,以〇〜1重量%爲更佳,以〇 重量%爲特佳。 (5)有機羧酸或磷的含氧酸或其衍生物 因防止靈敏度劣化或提升光阻圖案形狀、放置安定性 等的目的,可再含有任意的成分之有機羧酸或磷的含氧酸 或其衍生物。另外,可與酸擴散控制劑倂用’亦可單獨使 用。就有機羧酸而言,例如’丙二酸、檸檬酸、蘋果酸、 琥珀酸、苯甲酸、柳酸等係合適。就磷的含氧酸或其衍生 物而言,可列舉磷酸、磷酸二-正丁酯、磷酸二苯酯等的 磷酸或此等之酯等的衍生物、膦酸、膦酸二甲酯、膦酸二 一正丁酯、苯基膦酸、膦酸二苯酯、膦酸二苄酯等的膦酸 或此等之酯等的衍生物、次膦酸、苯基次膦酸等的次膦酸 及此等之酯等的衍生物,此等之中尤其以膦酸爲佳。
C -63- 201116508 有機羧酸或磷的含氧酸或其衍生物可單獨使用或使用 2種以上。有機羧酸或磷的含氧酸或其衍生物的調配量係 依照所使用的環狀化合物的種類而適當調節,以固體成分 全部重量的〇〜49重量%爲佳,以0〜5重量%爲較佳,以 0〜1重量%爲更佳,以0重量%爲特佳。 (6 )上述溶解控制劑、增感劑、界面活性劑、及有機羧酸 或磷的含氧酸或其衍生物以外之其他的添加劑 在不阻礙本發明的目的的範圍內,可依需要在本發明 的感放射線性組成物中進一步調配1種或2種以上的上述 溶解控制劑、增感劑、及界面活性劑以外的添加劑。就如 此的添加劑而言,可列舉例如,染料、顏料、及接著助劑 等。例如,若調配染料或顏料,因爲可使曝光部的潛影可 見化且緩和曝光時的光暈的影響,所以爲佳。又,若調配 接著助劑,因爲可改善與基板的接著性,所以爲佳。此外, 就其他的添加劑而言,可列舉光暈防止劑、保存安定劑、 消泡劑、形狀改良劑等,具體而言的4_羥基一 4’一甲基査 耳酮等。 任意成分(F)的合計量以固體成分全部重量的〇〜49 重量%爲佳,以〇〜5重量%爲較佳,以〇〜1重量%爲更 佳,以0重量%爲特佳。 本發明的感放射線性組成物調配(環狀化合物/酸產 生劑(C ) /酸交聯劑(G ) /酸擴散控制劑(E ) /任意 成分(F))以固體爲基準的重量%,以50〜99.4/0.001 -64- 201116508 〜49/0.5〜49/0.001〜49/0〜49爲佳’以55〜90/1〜 40/0.5〜40/0.01〜1〇/〇〜5爲較佳,以60〜80/3〜30 /1〜30/0.01〜5/0〜1爲更佳,以60〜70/10〜25/2 〜20/ 0.01〜3/ 〇爲特佳。 各成分的調配比例係由其總和成爲1 0 0重量%之各範 圍所選出。若選擇上述調配,可具有優良的靈敏度、解析 度、鹼顯影性等的性能。 不含任意成分(F)時,本發明之感放射線性組成物中 的固體成分(環狀化合物(A)、酸產生劑(C)、酸交聯劑 (G )、酸擴散控制劑(E ))的組成以 (A)3〜96.9 重量0/〇、(C)0.1〜30 重量 %、(G)〇.3~96.89 重 量%、(Ε)0·01〜30重量%爲佳, 以(八)65〜96.9重量%、(〇0.1〜29重量%、(0)0.3〜34.89 重量%、(Ε)0·01〜30重量%爲較佳, 以(八)70~96.9重量%、(C)0.1 〜27 重量 %、(G)3_0~29.9 重量%、(Ε)0·0 1〜30重量%爲更佳, 以(八)80~96.9重量°/。、(〇0.1〜17重量%、(0)3.0〜19.89 重量%(Ε)0.0 1〜30重量%爲特佳, 以(Α)90~96·9 重量%、(C)0.1 〜7 重量 %、(G)3.0〜9.89 重量%、(E)0.0 1〜30重量%爲最佳。 各成分的含有比例係選自(a) + (c) + (g) + (e)成爲1〇〇重 量%的各範圍。藉由將固體成分的組成設定在上述範圍 內,靈敏度、解析度、鹼顯影性等之性能優異。 -6 5- 201116508 本發明的感放射線性組成物通常係藉由於使 成分溶解於溶劑而成爲均一溶液,其後,依照需 孔徑0.2 μιη左右的過濾器等過濾而調製。 就本發明的感放射線性組成物的調製中所使 溶劑而言,可列舉例如,乙二醇單甲醚乙酸酯、 乙基醚乙酸酯、乙二醇單一正丙基醚乙酸酯、乙 正丁基醚乙酸酯等的乙二醇單烷醚乙酸酯類;乙 醚、乙二醇單乙基醚等的乙二醇單烷醚類;丙二 乙酸酯、丙二醇單乙基醚乙酸酯、丙二醇單一正 酸酯、丙二醇單_正丁基醚乙酸酯等的丙二醇單 酯類;丙二醇單甲醚、丙二醇單乙基醚等的丙二 類;乳酸甲基、乳酸乙酯、乳酸正丙基、乳酸正 酸正戊酯等的乳酸酯類;乙酸甲基、乙酸乙酯、 基、乙酸正丁基、乙酸正戊酯、乙酸正己基、丙 丙酸乙酯等的脂肪族羧酸酯類;3—甲氧基丙酸Ε 甲氧基丙酸乙酯、3 —乙氧基丙酸甲基、3 —乙氧 酯、3 —甲氧基一 2_甲基丙酸甲基、3 —甲氧基 醋、3 —甲基一 3 —甲氧基丁基乙酸酯、3 —甲氧3 基丙酸丁酯、3 -甲氧基—3 —甲基丁酸丁酯、乙 酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯等的其他酯類;甲 苯等的芳香族烴類;2—庚酮、3 —庚酮、4~庚酮 環己酮等的酮類;Ν,Ν —二甲基甲醯胺、Ν —甲基 Ν,Ν—二甲基乙醯胺、Ν —甲基吡咯啶酮等的醯g 用時將各 要以例如 用的前述 乙二醇單 二醇單一 二醇單甲 醇單甲醚 丙基醚乙 烷醚乙酸 醇單烷醚 丁基、乳 乙酸正丙 酸甲基、 P 基、3 — 基丙酸乙 丁基乙酸 塞-3 -甲 醯乙酸甲 苯、二甲 、環戊酮、 丨乙醯胺、 丨安類;γ- -66- 201116508 內酯等的內酯類等,並無特別限定。此等的溶劑可單獨使 用或使用2種以上。 在不阻礙本發明的目的的範圍內,本發明的感放射線 組成物可含有可溶於鹼水溶液的樹脂。就可溶於鹼水溶液 的樹脂而言,可列舉酚醛清漆樹脂、聚乙烯酚類、聚丙嫌 酸、聚乙烯醇、苯乙烯一順丁烯二酐樹脂、及將丙烯酸、 乙烯醇、或乙烯酹作爲單體單元而含有的聚合物、或此等 的衍生物等。可溶於鹼水溶液的樹脂的調配量係依照所使 用的式(1)環狀化合物的種類而適當調節,該環狀化合物 每100重量份,調配量以30重量份以下爲佳,以10重量 份以下爲較佳,以5重量份以下爲更佳、以〇重量份爲特 佳。 光阻圖案的形成方法 本發明係關於包含使用上述本發明的感放射線性組成 物在基板上形成光阻膜的步驟、曝光前述光阻膜的步驟、 及顯影前述光阻膜而形成光阻圖案的步驟的光阻圖案形成 方法。本發明的光阻圖案可作爲多層製程中的上層光阻而 形成。 在形成光阻圖案方面,首先,在先前周知的基板上藉 由旋轉塗布、流延塗布、輥塗布等的塗布手段而塗布前述 本發明的感放射線性組成物,藉由前述步驟形成光阻膜。 所謂的先前周知的基板,並無特別限定,可舉例說明例如, 電子零件用的基板或、在其上形成指定的配線圖案者等。
C -67- 201116508 較具體而言,可列舉矽晶圓、銅、鉻、鐵' 鋁等的金屬製 的基板或、玻璃基板等。就配線圖案的材料而言,可列舉 例如銅、銘、鎳、金等。又,亦可爲依照需要在前述基板 上設置無機系及/或有機系的膜者。就無機系的膜而言, 可列舉無機防反射膜(無機BARC )。就有機系的膜而言, 可列舉有機防反射膜(有機BARC )。亦可進行使用六亞甲 基二政氮等的表面處理。 接下來,依照需要,加熱經塗布的基板。加熱條件係 視感放射線性組成物的調配組成等而改變,以2 0〜2 5 0 °C 爲佳,以20〜150 °C爲較佳。因爲藉由加熱,有時可提升 光阻之對於基板的密著性,所以爲佳。接下來,藉由從可 見光、紫外線、準分子雷射、電子束、超紫外線(EUV )、 X射線、及離子束所構成的群組所選出的任一放射線,將 光阻膜曝光成所要的圖案。曝光條件等係依照感放射線性 組成物的調配組成等而適當選定。本發明中,爲了安定且 形成曝光之中的高精度的細微圖案,以於放射線照射後加 熱爲佳。加熱條件係視感放射線性組成物的調配組成等而 改變,但以20〜250°C爲佳,以20〜150°C爲較佳。 接下來,藉由使用鹼顯影液將經曝光的光阻膜顯影, 而形成指定的光阻圖案。就前述鹼顯影液而言,使用例如, 將單、二或三烷胺類、單、二或三烷醇胺類、雜環式胺類、 氫氧化四甲銨(TMAH)、膽鹼等的鹼性化合物的1種以上, 以較佳成爲1〜10質量%,更佳1〜5質量%的濃度的方式 -68- 201116508 溶解之鹼性水溶液。若使上述鹼性水溶液的濃度爲10質量 %以下,因爲可抑制曝光部溶解於顯影液’所以爲佳。 又,前述鹼顯影液中亦可適量添加甲醇、乙醇、異丙 醇等的醇類或前述界面活性劑。此等之中’以添加1 〇〜3 0 質量%的異丙醇爲特佳。藉此’,因爲可提高對於光阻的顯 影液之潤濕性,所以爲佳。另外’使用由如此的鹼性水溶 液所構成的顯影液時,一般而言,顯影後用水洗淨。 形成光阻圖案後,藉由蝕刻而製得圖案配線基板。蝕 刻的方法能以使用電漿氣體的乾鈾刻及使用鹼溶液、氯化 銅(Π)溶液、氯化鐵(II)溶液等的濕式蝕刻等周知的方法來 進行。 形成光阻圖案後,亦可進行電鍍。就上述電鍍法而言, 例如有鍍銅、鍍焊料、鍍鎳、鍍金等。 蝕刻後的殘存光阻圖案可使用比有機溶劑或使用於顯 影的鹼水溶液更強鹼性的水溶液來剝離。就上述有機溶劑 而言,可列舉PGMEA (丙二醇單甲醚乙酸酯),PGME (丙 二醇單甲醚),EL (乳酸乙酯)等,就強鹼水溶液而言,可 列舉例如1〜2 0質量%的氫氧化鈉水溶液或1〜2 〇質量% 的氫氧化鉀水溶液。就上述剝離方法而言,可列舉例如, 浸漬方法、噴霧方式等。又’形成光阻圖案的配線基板亦 可爲多層配線基板,亦可具有小口徑穿通孔(thr〇ugh h〇le)。 本發明中所製得的配線基板可藉由於光阻圖案形成 後’在真空中氣相沉積金屬’其後以溶液溶解光阻圖案的 方法’即舉離法(lift-0ff method)來形成。 -69- 201116508 [實施例] 以下,列舉實施例,更具體地說明本發明的實施形態。 但,本發明並不限於此等的實施例。以下的合成例 '實施 例中,化合物的構造係以1 Η — N M R測定來確認。 合成例1 4 -環己基甲基苯甲醛的合成 使 13.6g 的 Aldrich 公司製 α -環己基甲苯 (0.078mol)、2.4g 的氯化銅(I )( 0.024mol)溶解於 5〇mL 的乾燥苯,在35 °C下將一氧化碳與氯化氫通入8小時。放 置1 2小時後,將生成之黏稠固體注至冰上,以水蒸氣蒸餾 將苯與α —環己基甲苯餾除。以醚萃取殘留物,以稀鹽酸 洗滌萃取液,接下來用水洗滌萃取液後,將其與過剩的亞 硫酸氫鈉的飽和溶液振盪1 2小時,將析出之附加物的結晶 濾出。用醇洗滌,接下來用醚洗滌,將其與碳酸氫鈉水溶 液加溫,自石油醚中將固化的生成物再結晶而製得白色結 晶(4.50g、產率 29% )。 此化合物的構造以LC一 MS分析之結果,顯示目的物 的分子量爲202。又,在氘二甲基亞颯溶劑中的!h— NMR 的化學位移値(Sppm,TMS基準)係〇_8〜1.8( m,llH)、2.5 (d,2H)、7.1 (d,2H)、7.4( d,2H)、10.1 (s,lH)。 合成例2 4—環己基甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛的合成 使8.50g的合成例1中所合成之4_環己基甲基苯甲醛 ( 0.042mol)、2.61g 的乙二醇(〇.〇42mol)與 0.80g 的對甲 苯擴酸一水合物(〇.〇〇42mol)溶解於50mL的苯,使其回 -70- 201116508 流15小時。以蒸餾水萃取、藉由進行蒸發、真空乾燥而製 得白色結晶(l〇.24g、產率99% )。 此化合物的構造以LC 一 MS分析之結果,顯示目的物 的分子量爲247。又,在氘二甲基亞砸溶劑中的'H-NMR 的化學位移値(Sppm,TMS基準)係0.8〜1.8( m,llH)、2.5 (d,2H)、3.9〜4.1 (t,4H)、7.1 (d,2H)、7.4(d,2H)。 實施例1 CR_ 1A (環狀化合物)的合成 在充分乾燥、經氮取代之設置了滴液漏斗、戴氏冷凝 管、溫度計、攪拌葉片的四口燒瓶(300mL)中,在氮氣 流下,投入關東化學公司製間苯二酹(3.70g、〇.〇336mol) 與脫水乙醇(10mL)、濃鹽酸(35%) 5.18mL,而調製乙 醇溶液。接下來,藉由滴液漏斗歷時10分鐘將4一環己基 甲基苯甲醛乙二醇縮乙醛(7.88g,0.0320mol)滴下後, 一面攪拌此溶液,一面以加熱包(mantle heater)加熱至80 °C。接著繼續在80°C下攪拌5小時。反應結束後,放冷使 其到達室溫。反應後將粗結晶濾出,加入蒸餾水200mL。 將此濾出,以蒸餾水200mL洗淨粗結晶4次,藉由使其濾 出、真空乾燥,而製得8.52g的化合物。此化合物以LC 一 MS分析之結果,顯示目的物的分子量爲1178。又,在氘 二甲基亞碾溶劑中的4 - NMR的化學位移値(Sppm,TMS 基準)係 0.8〜1.9(m,44H)、2.3〜2.4(d,8H)、5.5〜5.6 (s,4H)、6.0〜6.8(m,24H)、8.4〜8·5(s,8H)。將由此等 的結果所得之化合物鑑定爲目的化合物(CR - 1A)(產率 90% ) 〇 -7 1- 201116508
比較例1 CR— 2A的合成 在充分乾燥、經氮取代之設置了滴液漏斗、戴氏冷凝 管、溫度計、攪拌葉片的四口燒瓶(2〇OOmL)中,在氮氣 流下,投入關東化學公司製間苯二酚(120g、l.〇9m〇l)與 脫水乙醇(1.36L)、濃鹽酸(35%) 168mL,而調製乙醇溶 液。接下來,藉由滴液漏斗歷時10分鐘將4 -環己基苯甲 醛(196g,1.04mol)滴下後,一面攪拌此溶液,一面以加 熱包加熱至80 °C »接著繼續在80 °C下攪拌5小時。反應結 束後,放冷使其到達室溫。反應後將粗結晶濾出,加入蒸 餾水lOOOmL。將此濾出,以蒸餾水lOOOmL洗淨粗結晶6 次,藉由使其濾出、真空乾燥,而製得2 78g的化合物。此 化合物以LC 一 MS分析之結果,顯示目的物的分子量爲 1122。又,在氘二甲基亞楓溶劑中的4 — .N MR的化學位移 値(Sppm,TMS 基準)係 0.8 〜1.9(m,44H)、5.5〜5.6(d,4H)、 6.0〜6.8(m,24H)、8.4〜8.5(m,8H)。將由此等的結果所 得之化合物鑑定爲目的化合物(CR—2A)(產率91%)。
201116508 實施例2及比較例2 (1 )化合物的安全溶劑溶解度試驗 評價上述實施例1及比較例1中所製得之化合物對於 丙二醇單甲基醚乙酸酯(PGMEA )、丙二醇單甲基醚 (PGME)、及環己酮(CHN )的溶解量。於第丨表表示結果。 A : 5.0wt% ^ 溶解量 B : 3.0wt% ^ 溶解量 < 5.0wt% C :溶解量 < 3 .Owt% 第1表
化合物 PGMEA PGME CHN 賓施例1 CR-1A C B A 比較例1 CR-2A C B B 實施例3〜4及比較例3〜4 (2)圖案化試驗 調合第2表記載之成分,使其成爲均一溶液後,以孔 徑Ο.ΐμπι的鐵氟龍(Teflon)(註冊商標)製薄膜過濾器過濾, 而調製感放射線性組成物,對於每一個進行以下的評價。 於第3表表示結果。 (2 - 1)解析度的評價 將光阻旋轉塗布於清淨的矽晶圓上後,在uo°c的烘 箱中進行曝光前烘烤(PB ),形成厚度60nm的光阻膜。使 用電子束描繪裝置(ELS - 7 5 00,Elionix股份有限公司 製),以50nm間隔的1 : 1的線與間隔(Line and Space)設 定之電子束照射該光阻膜。照射後,各自在指定的溫度下, 加熱90秒,以2.38重量% TMAH水溶液進行顯影。其後, -73- 201116508 以水洗淨30秒,並乾燥而形成負型的光阻圖案。藉由掃瞄 型電子顯微鏡(日立High-Technologies股份有限公司製s —4800 )來觀察製得之線與間隔。又’將此時的劑量( /cm2)當作靈敏度。於第3表表示結果。 第2表 化合物 (g) 酸產生劑(C) (g) 酸交聯劑(G) (g) 酸擴散控制劑 (E) (g) 溶劑 (g) 實施例3 CR-1A P-1 C-1 Q-l S— 1 0.04 0.015 0.3 0.15 2.0 實施例4 CR-1A P-2 C-1 Q-l S-l 0.04 0.015 0.3 0.15 2.0 比較例3 CR-2A P-2 C-1 Q-l S-l 0.04 0.015 0.3 0.15 2.0 比較例4 CR-2A P-1 C-2 Q-l S-l 0.04 0.015 0.3 0.15 2.0 酸產生劑(C ) P-1:三苯基苯鏑 三氟中烷磺酸鹽(Midori化學股 份有限公司) 酸交聯劑(G ) C — 1 : NIKALAC MX — 270 (三和 CHEMICAL 股份有 限公司) 酸擴散控制劑(E ) Q— 1:三辛胺(東京化成工業股份有限公司) 溶劑 s-l:環戊酮(日本ΖΕΟΝ.股份有限公司) -74- 201116508 第3表 ΡΕΒ (°〇 靈敏度QC/cm2) 實施例3 110 12 實施例4 110 12 比較例3 110 42 比較例4 110 30 PEB :於電子束照射後加熱時的溫度 如上述一般,包含本發明的化合物的組成物,與包含 對應之比較化合物的組成物比較,係有顯著的高靈敏度。 只要滿足上述之本發明的要件,實施例中所記載之物以外 的化合物,亦顯現同樣的效果。 [產業上的利用可能性] 本發明可適當地使用作爲酸增幅型非高分子系光阻材 料係有用的特定化學構造式所示之環狀化合物、包含其之 ^ &射線性組成物、及使用該感放射線性組成物之光阻圖 案形成方法。 【圖式簡單說明】 ώττ. ·· 撕。 [主要元件符號說明】 無。 -75-

Claims (1)

  1. 201116508 七、申請專利範圍:
    i.一種下列式(ο所示之環狀化合物 (式中,各L獨立地爲選自由單鍵、碳數1〜20之直 鏈狀或分支狀的伸烷基、碳數3〜2G之伸環烷基、碳數6 〜24 之伸芳基、一 〇—、_0C(=0)_、一 0C(=0)0—、 —N(R5) — C(=0) — (R5係氫或碳數1〜10之院基)、— N(R5) - C( = 0)0 -(R5 與前述相同)、一S—、一 SO—、一 S〇2—及此等之任意的組合所構成的群組中的二價的有 機基;各R1獨立地係碳數1〜20之烷基、碳數3〜20之 環烷基、碳數6〜20之芳基、碳數1〜20之烷氧基、氰 基、硝基、羥基、雜環基」鹵素、羧基、碳數2〜20之 醯基、碳數1〜20之烷基矽烷基或氫原子,其中,至少1 個R1係氫原子;各R’獨立地係下列式(1-2)所示之基
    (式中,R”係碳數1〜20之烷基、碳數3〜20之環烷 基、碳數6〜20之芳基、碳數1〜20之烷氧基、氰基、 硝基' 雜環基、鹵素、羧基、羥基或碳數1〜20之烷基 矽烷基,P係1〜5之整數,q係1〜5之整數),m係1〜 4之整數)。 -76- 201116508 2 _如申請專利範園第τ > λ?力[1下列 个」®圍弟1項之環狀化合物,其係如「 所示 ⑵ (式中R、>R、P、q、m係與前述相同’ X: 齒素原子;1115係0-3之整數,m+m5=4:)。 3·如申S靑專利範圍第1或2項之環狀化合物,其中 立地係下列式(1_3)所示之基
    (1*3) P (式中’ P、q係與前述相同;R6係碳數1〜20 基、碳數3〜20之環烷基、碳數6〜20之芳基、碳 〜20之烷氧基、氰基、硝基、雜環基、鹵素、羧基 基或碳數1〜20之烷基矽烷基,η係0〜5之整數) 4.如申請專利範圍第1至3項中任一項之環狀化合物 中各R’獨立地係下列式(1-4)所示之基 式(2)
    Ρ
    氫或 R,獨 之烷 數1 、羥 ,其
    ^CH;
    P (1*4) (式中,R6、ρ及η係與前述相同 -77- 201116508 5 .如申請專利範圍第1至4項中任一項之環狀化合物,其 中各R,獨立地係下列式(卜5 )所示之基
    (式中,P係與前述相同)。 6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之環狀化合物,其 分子量係700〜5000。 7. —種如申請專利範圍第1至6項中任一項之環狀化合物 的製造方法,其係包含: 將選自由芳香族羰基化合物(A1)及該芳香族羰基化 合物(A1)的縮醛化物(A4)所構成的群組中1種以上的化 合物及選自由酚性化合物(A2)所構成的群組中1種以上 的化合物,進行縮合反應的步驟。 8. 如申請專利範圍第7項的製造方法,其中該酚性化合物 (A2)係具有1〜3個酚性羥基之碳數6〜15的化合物。 9 . 一腫感放射線性組成物,其係含有如申請專利範圍第1 至6項中任一項之環狀化合物及溶劑。 1 〇·如申請專利範圍第9項之感放射線性組成物,其係由1 〜80重量%的固體成分及20〜99重量%的溶劑所構成。 1 1 .如申請專利範圍第9或1 0項之感放射線性組成物,其 係進一步包含酸產生劑(C);該酸產生劑(C)係藉由選自由 可見光、紫外線、準分子雷射、電子束、超紫外線(EUV)、 X射線及離子束所構成之群組之任一放射線的照射,直接 地或間接地產生酸。 -78- 201116508 1 2 .如申請專利範圍第9至1 !項中任—項之感放射線性組 成物’其係進一步含有酸交聯劑(G)。 1 3 ·如申請專利範圍第9至1 2項中任一項之感放射線性組 成物’其係進一步含有酸擴散控制劑(E)。 1 4 .如申請專利範圍第9至1 3項中任一項之感放射線性組 成物,其中該環狀化合物係選自由下列式(2-2)所示之化 合物所構成的群組
    (2-2) (式中’ R,,、X2、p、q、m、m5係與前述相同)。 15 _ 胃利範圍第14項之感放射線性組成物,其係選 自由下列式η % (3)所示之化合物所構成的群組
    79- 201116508 ) 任 同 中 相 項 述15 前 與 係 q 第 、 圍 R 範 ’ 利 中專 式請 ( 申 如 9 至 組 性 線 射 放 感 之 項 成物,其中該固體成分係含有環狀化合物/酸產生劑(C)/ 酸交聯劑(G)/酸擴散控制劑(E)/任意成分(F) ’該等以固體 成分爲基準的重量%係 50〜99.4/0.001〜49/0.5〜 49/0.00 1 〜49/0 〜49 ° 1 7 ·如申請專利範圍第9至1 6項中任一項之感放射線性組 成物,其係可藉由旋轉塗布形成非晶相膜。 18.如申請專利範圍第9至17項中任一項之感放射線性組 成物,其中該非晶相膜之在23 °C下,對於2.38重量%氫 氧化四甲銨水溶液的溶解速度係ΙΟΑ/sec以上。 1 9 .如申請專利範圍第1 7或1 8項之感放射線性組成物,其 中經KrF準分子雷射、超紫外線、電子束或X射線照射 後的該非晶相膜’或經2 0〜2 5 0 °C加熱後的該非晶相膜之 對於2.38重量%氫氧化四甲銨水溶液的溶解速度係5A /sec以下。 20. —種光阻圖案形成方法,其係包含: 將如申請專利範圍第9至1 9項中任一項之感放射線 性組成物塗布於基板上而形成光阻膜之步驟、將該光阻 膜曝光之步驟及將經曝光之光阻膜顯影而形成光阻圖案 之步驟。 -80- 201116508 2 1 . — 種 下列式(6-1)所示之芳香族羰基化合物
    2 2. —1 種 (式中,R6、n、p、q係與前述相同)。 下列式(6-2)所示之縮醛化合物
    (式中,R6、n、p、q係與前述相同)。 -8 1- 201116508 四、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:無。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 無0 五、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式:
TW099130128A 2009-09-09 2010-09-07 Cyclic compound, method of producing the same, radiation-sensitive composition and method of forming resist pattern TW201116508A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009208554 2009-09-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201116508A true TW201116508A (en) 2011-05-16

Family

ID=43732357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099130128A TW201116508A (en) 2009-09-09 2010-09-07 Cyclic compound, method of producing the same, radiation-sensitive composition and method of forming resist pattern

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8748078B2 (zh)
EP (1) EP2476662B1 (zh)
JP (1) JP5786713B2 (zh)
KR (1) KR101669705B1 (zh)
CN (1) CN102596874A (zh)
TW (1) TW201116508A (zh)
WO (1) WO2011030683A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104281006B (zh) * 2006-11-02 2019-01-22 三菱瓦斯化学株式会社 放射线敏感性组合物
CN102754033A (zh) * 2010-02-12 2012-10-24 三菱瓦斯化学株式会社 底层膜材料及多层抗蚀图案的形成方法
JP5725021B2 (ja) * 2010-05-26 2015-05-27 三菱瓦斯化学株式会社 環状化合物の精製方法
JP6066333B2 (ja) * 2011-08-12 2017-01-25 三菱瓦斯化学株式会社 環状化合物、その製造方法、組成物及びレジストパターン形成方法
TW201335698A (zh) * 2011-11-16 2013-09-01 Sumitomo Chemical Co 光阻組成物
JP5798964B2 (ja) * 2012-03-27 2015-10-21 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び、これらを用いる電子デバイスの製造方法
ES2613861T3 (es) * 2012-05-29 2017-05-26 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Aldehído aromático, agente de curado de resina epoxi que comprende aldehído aromático, y composición de resina epoxi que comprende el mismo
US10345700B2 (en) * 2014-09-08 2019-07-09 International Business Machines Corporation Negative-tone resist compositions and multifunctional polymers therein

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH648338A5 (en) * 1981-12-18 1985-03-15 Hoffmann La Roche Polycyclic acetylene derivatives and the use thereof as components of liquid-crystalline mixtures
US4528114A (en) 1981-12-18 1985-07-09 Hoffmann-La Roche Inc. Acetylenes
US5346647A (en) * 1989-07-25 1994-09-13 Hoffmann-La Roche Inc. Cyclohexane compounds used in liquid crystalline mixtures
DE59009872D1 (de) * 1989-07-25 1995-12-21 Hoffmann La Roche (4-Arylbutyl)cyclohexan-Derivate.
US5143784A (en) * 1990-05-10 1992-09-01 Nec Corporation Soluble calixarene derivative and films thereof
JP2944327B2 (ja) 1992-09-14 1999-09-06 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性平版印刷版
EP0632003B1 (en) 1993-06-30 1998-01-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. Novel phenol compounds containing methoxymethyl group or hydroxymethyl group
JP3130188B2 (ja) 1993-08-31 2001-01-31 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性平版印刷版
US5656702A (en) * 1994-11-04 1997-08-12 Ibc Advanced Technologies, Inc. Processes for separating cesium from industrial streams containing other alkali metals using poly(hydroxyarylene) polymeric resins
AU2004209456A1 (en) * 2003-02-03 2004-08-19 Janssen Pharmaceutica N.V. Quinoline-derived amide modulators of vanilloid VR1 receptor
US7871751B2 (en) 2004-04-15 2011-01-18 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition
EP2065369A4 (en) * 2006-08-23 2011-12-28 Astellas Pharma Inc UREA CONNECTION OR SALT THEREOF
CN104281006B (zh) * 2006-11-02 2019-01-22 三菱瓦斯化学株式会社 放射线敏感性组合物
JP4858136B2 (ja) 2006-12-06 2012-01-18 三菱瓦斯化学株式会社 感放射線性レジスト組成物
JP5446118B2 (ja) 2007-04-23 2014-03-19 三菱瓦斯化学株式会社 感放射線性組成物
JP5375610B2 (ja) * 2007-07-27 2013-12-25 Jsr株式会社 化合物及びその製造方法
KR101270122B1 (ko) 2007-11-01 2013-05-31 어큐셀라 인코포레이티드 안과 질환 및 장애를 치료하기 위한 아민 유도체 화합물
US7993812B2 (en) * 2009-07-23 2011-08-09 International Business Machines Corporation Calixarene blended molecular glass photoresists and processes of use
US8889919B2 (en) 2009-08-31 2014-11-18 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Cyclic compound, process for production of the cyclic compound, radiation-sensitive composition, and method for formation of resist pattern
EP2474518A4 (en) * 2009-08-31 2014-03-26 Mitsubishi Gas Chemical Co Cyclic compound, process for production of the cyclic compound, radiation-sensitive composition, and method for formation of resist pattern
WO2011024967A1 (ja) * 2009-08-31 2011-03-03 三菱瓦斯化学株式会社 環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物およびレジストパターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011030683A1 (ja) 2011-03-17
JP5786713B2 (ja) 2015-09-30
CN102596874A (zh) 2012-07-18
US8748078B2 (en) 2014-06-10
KR101669705B1 (ko) 2016-10-27
KR20120080170A (ko) 2012-07-16
EP2476662A4 (en) 2013-08-28
EP2476662A1 (en) 2012-07-18
EP2476662B1 (en) 2018-05-30
JPWO2011030683A1 (ja) 2013-02-07
US20120164576A1 (en) 2012-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6217817B2 (ja) レジスト組成物、レジストパターン形成方法、それに用いるポリフェノール化合物及びそれから誘導され得るアルコール化合物
CN106133604B (zh) 保护剂组合物和保护剂图案形成方法
TWI506006B (zh) 環狀化合物、其製造方法、感放射線性組成物及光阻圖案形成方法
TWI534544B (zh) Compound, radiation sensitive composition and photoresist pattern formation method
JP5857745B2 (ja) 環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法
TW201116508A (en) Cyclic compound, method of producing the same, radiation-sensitive composition and method of forming resist pattern
JP5796490B2 (ja) 環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物およびレジストパターン形成方法
TW201339133A (zh) 環狀化合物、其製造方法、感輻射線性組成物及抗蝕圖型形成方法
JP5733211B2 (ja) 環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物およびレジストパターン形成方法
TWI615682B (zh) 阻劑組成物
JP5564883B2 (ja) 溶解抑止剤、ネガ型感放射線性組成物およびレジストパターン形成方法
TWI595312B (zh) 光阻組成物
TW201127800A (en) Cyclic compound, radiation-sensitive composition and method of forming resist pattern
JP5413070B2 (ja) 感放射線性組成物、その製造方法およびレジストパターン形成方法
JP2013140203A (ja) 感放射線性組成物及びレジストパターン形成方法
TW201127799A (en) Cyclic compound, radiation-sensitive composition and method of forming resist pattern
JP5493668B2 (ja) 感放射線性組成物、その製造方法、およびレジストパターン形成方法
TW201335130A (zh) 環狀化合物、其製造方法、感輻射線性組成物及抗蝕圖型形成方法
JP2011079764A (ja) 環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物およびレジストパターン形成方法