TW201108868A - Film-forming apparatus, matching unit, and impedance control method - Google Patents

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201108868 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於成膜裝置、匹配器、及匹配電路阻抗控制 方法’特別是關於使用電漿放電進行成膜之成膜襞置，搭 載於該成膜裝置之匹配器，及控制該匹配器之匹配電路之 阻抗之匹配電路阻抗控制方法。 【先前技術】 以低溫形成薄膜之技術之一係利用高頻波電力或微波電 力所產生之電漿放電之電漿CVD法《電漿CVD法係藉由電 漿放電可激發與成膜關聯之化學種，故可使成膜溫度變 低。 於電漿CVD法不可或缺之技術之一係於產生電漿放電之 電力系統之阻抗匹配。阻抗匹配在確實地進行電漿引發產 生，且使電漿安定上重要》阻抗匹配一般藉由產生高頻波 電力或微波電力之電源，及連接設於成膜室之電極間之匹 配器進行。形成成膜室之腔體本身作為電極使用時，於該 腔體與電源之間設置匹配器。藉由適當該匹配器之阻抗， 實現阻抗之匹配。 由如此之背景’提案有適當地控制匹配器之阻抗之各式 各樣的技術。例如，日本特開平9-260096號公報，揭示即 使因阻抗之變化電漿之電火點偏移’自動地進行阻抗匹 配’確實地將電漿引發產生之技術。於該公報所揭示之阻 抗匹配方法，具有··以預先設定之阻抗為基準探索電獎電 火之阻抗之匹配點之工序；確認電漿引發產生，則自動地 150856.doc 201108868 移向形成安定的電將放電之預先設定之基準之阻抗之匹配 點之工序；及以移至之匹配點作為基準自動地探索使形成 之電漿放電安定之阻抗匹配點之工序。於如此之阻抗匹配 方法’由於會自動進行電漿電火之最佳阻抗匹配，故可以 短時間進行安定的電漿引發產生。再者，可防止因處理室 内之阻抗變化使電漿未引發產生或至電漿引發產生之長時 間化。 曰本特開平8_96992號公報，揭示藉由匹配器之阻抗控 制之最佳化，使電漿處理裝置之運轉安定化之技術。揭示 於該公報之電漿處理裝置之運轉方法，係僅於成膜開始後 之特定時間之期間控制匹配器之阻抗，經過該當時間後將 匹配器之阻抗維持一定。藉由使用如此之運轉方法，匹配 器之阻抗不會頻繁地變化，電漿之輸入功率安定，因此， 電將處理裝置之運轉會安定化。 曰本特開2003-249454號公報，揭示對起因於電 中之異常放電等負載阻抗之突發變化作適當的對策之電漿 處理方法。於該公報記載之電梁處理方法係將匹配器之阻 抗調整僅於預先設定之阻抗可變範圍内進行。於如此之處 理方法’由於即使負載阻抗發生大的變化，匹配器之阻： 並不會由正常時之阻抗大大地偏離，故可抑制助長異常： 電或異常放電停止後阻抗恢復適當值之需要長時間 題0 於實現阻抗匹配上應考慮的事項之一，係在電毁引發產 生後之匹配ϋ之阻抗㈣卜在電^丨發產生後，負載阻抗 150856.doc 201108868 (即，由電漿、電極、及成膜室形成之阻抗）會驟變。會硬 該負載阻抗之驟變自動地匹配阻抗，則因匹配動作之延遲 使阻抗控制系統之動作發散’有反而招致電漿消失之情 形。於電漿引發產生後之匹配器之阻抗控制，避免起因於 負載阻抗之驟變之電漿消失地進行為重要。 於電漿電火後之匹配器之阻抗控制之最佳化，於進行反 覆多數次如數秒之極短時間之成膜之情形特別重要。例 ^ 如’於PET瓶之樹脂製之容器表面，形成防止氧或二氧化 碳透過之透過防止膜之情形；由於樹脂製之容器耐熱性 差’於樹脂製之容器形成透過防止膜之情形，須於短時間 完成透過防止膜之成膜防止容器之溫度上升。 成膜時間極短時之困難性之一係阻抗控制之回應速度有 所極限。一搬而言，阻抗匹配係機械地控制可變電容器之 容量而進行，故使阻抗控制之回應速度快速有所極限。但 是，阻抗控制之回應速度對成膜時間不夠充分高速，則於 Φ 負載阻抗之驟變後至控制動作收斂之時間，對成膜時間之 比例變大。此會招致膜質之不均勻性而不佳。 再者，於阻抗匹配技術，成膜反覆多數次時對負載阻抗 之變動對策為重要。當成膜反覆多數次，則由於會在成膜 室沉積膜故負載阻抗將漸漸地變動。阻抗匹配需要對應如 此之負載阻抗之緩緩的變動。 [專利文獻1]日本特開平9_260096號公報 [專利文獻2]曰本特開平8-96992號公報 [專利文獻3]曰本特開2〇〇3_249454號公報 150856.doc 201108868 【發明内容】 本發明係由如此之背景完成者。 本發明之-目的係提供避免於電漿引發產生後產生並得 到之起因於負載阻抗之驟變之電漿消失之阻抗控制。 本發明之其他目的係，提供對應因成膜反覆多數次，使 負載阻抗緩緩地變動之阻抗控制。 於本發明之-觀點，成膜裝置，包含：電源；匹配電 路，電極，其係經由匹配電路由電源接受電力，藉由該電 力於收容成膜對象之成膜室内部產生電漿；及控制部，其 係控制匹配電路之阻抗。控制部，於電源開始料極供給 電力之第1時刻t丨開始之第1期間將匹配電路之阻抗保持一 定’於第1期間結束由第2時刻t2開始之第2期間，回應由電 極之反射波電力控制匹配電路之阻抗。 於如此之成膜裝置，由電源向電極開始供給電力後，由 於僅有特定時間匹配電路之阻抗會被固定，故即使負荷阻 抗發生驟變亦不會使阻抗控制動作發散。因此，可以防止 起因於阻抗控制動作之發散之電漿消失。 最好是控制部回應電源停止供給電力之第3時刻之匹配 電路之阻抗之束時阻抗，決定下一期阻抗，且將匹配電 :之阻抗設定為下一期之阻抗，電源由匹配電路之阻抗設 疋為下#月阻抗之後之第4時刻經由匹配電路開始供給電 極電力。藉由使用於第3時刻之匹配電路之阻抗之結束時 阻抗設定下—期阻抗，可適當㈣應因成膜反覆多數次而 使負载阻抗緩緩地變動決定下一期阻抗。 150856.doc 201108868 控制部將僅由处 抗，作為下期偏離預先決定之偏移量之阻 机作為下一期阻抗決定為佳。 此外，控制部回應由外部輸入之撰埋> ^ 量中選擇-偏移量，且、，定：由令而由複數偏移 且〜僅由結束時阻抗選擇之-偏移 1偏移之阻抗作為下一期阻抗為佳。

於本發明之其他觀點，匹配器，包含：輸入端子其係 連接於電源端子，其係連接於歧室内部產生電聚 之電極’匹配'4路’其係連接於輸人端子與輸出端子之 間；及控制部’其控制匹配電路之阻抗。控制部，在於由 輸入端子向輸出端子之進行波電力超過第i臨限值之第10寺 刻開始之第丨期間將匹配電路之阻抗保持一定，於第丨期間 結束之第2時刻開始之第2期間’回應由輸出端子向輸入端 子之反射波電力控制匹配電路之阻抗。控制部，於第2時 刻後，進行波電力由第2臨限值降低時，回應進行波電力 由第2臨限值降低之第3時刻之匹配電路之阻抗之結束時阻 抗決定下一期阻抗，且將匹配電路之阻抗設定為下一期阻 抗為佳。第1臨限值與第2臨限值，有可能一致，也有可能 相異。 於本發明之進一步其他觀點，阻抗控制方法，包含：匹 配電路；電極，其係經由匹配電路接受電力，藉由該電力 於收容成膜對象之成膜室内部產生電漿之成膜裝置之阻抗 控制方法。該阻抗控制方法，包含： (A) 將匹配電路之阻抗設定為第1阻抗之步驟； (B) 於（A)步驟之後，經由匹配電路開始向電極供給電力 150856.doc 201108868 之步驟； (c)由開始電力供給開始之第_間將阻 驟；及 (D)於接著第！期間之第2期 力控制阻抗之步驟。 口應由電極之反射波電 本發明之進-步其他觀點’阻抗控制方法，包含： :第2時刻開始之第2期間，經由匹配電路對電極供 給電力之步驟； (F)於第2期間，回應由電極 之阻抗之步驟； &射波電力控制匹配電路 ⑼於第2時刻之後之第3時刻停止供給電力之步驟； (H) 回應於第3時刻之匹配電路之阻抗 丁 , 电崎又丨且抗之結束時阻抗決定 下一期阻抗，且將匹配電路之 睞.s 柷°又疋為下一期阻抗之步 (I) 由匹配電路之阻抗設定為 /丄 朋阻抗之後之第4時刻 •，坐由匹配電路開始對電極供給電力之步驟。 八如以上之成膜裝置、匹配器、及阻抗控制方法，特別適 &使用於鍍敷樹脂瓶之樹脂瓶鍍敷裝置。 根據本發明，可實現避免於電衆引發產生後產生並得到 之起因於負載阻抗之驟變之電榮消失之阻抗控制。 根據本發明，可實現對應因成膜反覆多數次，使負載阻 抗緩緩地變動之阻抗控制。 【實施方式】 以下參照所添附圖，詳*田布日日士议。。 乎、·田說明本發明之成膜裝置之實施 150856.doc 201108868 之一形態。本實施形態之成膜裝置，如圖1所示，於樹脂 瓶 2(例如PET(p〇lyethylene terephthalate:聚乙烯對苯二甲 酸酯）瓶）之内面形成DLC(diamond nke carb〇n:類鑽碳）膜 之樹脂瓶鍍敷裝置1。DLC膜係防止氧及二氧化碳不期望 地透過樹脂瓶2之透過防止膜。樹脂瓶2，其多具有微少地 透過氧、二氧化碳之性質，形成透過防止膜，在維持收容 於樹脂瓶2之飲料、藥品 '其他液體之品質上重要。 樹脂瓶鍍敷裝置1，包含：基台3 ;絕緣板4 ;外部電極 5 ;排氣管6 ;内部電極7 ;原料氣體供給管8 ;高頻波電源 9 ;及匹配器1 〇。 絕緣板4安裝於基台3之上，具有絕緣基台3與外部電極$ 之功能。絕緣板4，係以陶瓷形成。 外部電極5係形成於其内部收容成膜對象之樹脂瓶2之成 膜室11，此外，於其成膜室u具有產生電漿之任務。外部 電極5，包含均以金屬形成之本體部5a及蓋體5b，成膜室 11，可藉由將蓋體5b由本體部53分離開閉。成膜對象之樹 脂瓶2，藉由將蓋體讣由本體部5a分離形成之開口插入成 膜室11。外部電極5之本體部5a，經由匹配器1〇連接高頻 電源9。成膜DLC膜時，由高頻電源9向外部電極5供給產 生電漿之高頻波電力。 排氣管6使用於成膜室u之排氣。排氣管6連接於真空幫 浦（無圖不）。於成膜室Π插入樹脂瓶2，則藉由真空幫浦經 由排氣管6將成膜室11排氣。 、 内部電極7插入於藉由外部電極5形成之成膜室U。㈣ 150856.doc 201108868 電極7接地，當由高頻波電源9對外部電極5供給高頻波電 力，則外部電極5與内部電極7之間產生高電壓。藉… 電壓於成膜室U產生電設放電。内部電極 樹脂瓶2之形狀，樹脂瓶2，使内部電極7收容於其内部地 導入成膜室U。内部電極7連接於原料氣體供給管8,亦擔 任將由原料氣體供給管8供給之原料氣體導入成膜室k 任務。更具體而言’於内部電極7形成有喷出孔，原料 氣體由喷出孔7a向樹脂瓶2之内面喷出。於成膜室^產生 電漿放電之狀態噴出原料氣體，則於樹脂心之内 成DLC膜。 夕 高頻波電源9,於外部電極5供給產生電毁放電之高頻波 電力。於DLC膜之成膜間，高頻波電源9，對外部電極持 續供給高頻波電力。 匹配器，係連接於外部電極5及高頻波電源9之間，於 期間具有實現阻抗匹配之任務。圖2係表示匹配器1〇之構 造。匹配器10，包含：輸入端子21;輸出端子I匹配電 路23;電流檢測元件24;„檢測元件25;㈣ 輸入端子21連接於高頻波電源9,輪出料22連接於外 部電極^高頻波電源9所輸出之電力，輸入於輸入端子 ^ ’進-步’由輸出端子22供給外部電極5。惟起因於阻 抗之不匹配’由高頻波電源9供給外部電極5之電力之—部 分會被反射。由輸人端子2〗向輸出端子 * 頻波電源9向外部電極5之電力，以下稱為進行波電力另 一方面’由輸出端子22向輸入端子21之電力，係由外部電 I50856.doc 201108868 極5反射之電力，以下稱為反射波電力。 匹配電路23，包含：可變電容器23a，其係連接於輪入 端子21及接地端子29之間；可變電容器23b，其係連接於 輸入端子21及輸出端子22之間；及線圈23c。可變電容器 23a、23b，可藉由動其可動電極，調整其電容量。匹配電 路23之阻抗，可藉由調節可變電容器23a、23b之電容量調 節。 °

電流檢測兀件24與電壓檢測元件25係使用於量測進行波 電力及反射波電力《電流檢測元件24，量測流於輸入端子 2 1之電流，電壓檢測元件25，量測輸入端子2丨之電壓。量 測之電流及電壓輸出至控制部26，使用於控制部％算出進 行波電力及反射波電力。 控制部26，由藉由電流檢測元件24及電壓檢測元件乃所 量測之電流及電壓算出進行波電力及反射波電力，回應該 進行波電力及反射波電力控制可變電容器23a、2讣之電容 篁’即匹配電路23之阻抗。進行波電力，係使用於控制部 %檢測高頻波電源9之動作狀態；控制部％，當進行波電 力超過特定臨限值而增力σ ’則判斷為高頻波電源9開始對 外部電極5供給電力。之後’當進行波電力減少超過特定 的臨限值’則控制部26’判斷高頻波電源9停止向外部電 極5之電力。$ 一方面’反射波電力，係使用於實現外部 電極5與咼頻波電源9之間之阻抗匹配。可雷_哭71。 ⑽之電容量，係使反射波電力成最小的方式控制，藉由 控制可變電容器23a、23b’實,見外部電極5與高頻波電源9 150856.doc 201108868 之間之阻抗匹配。 為提高成膜處理效率，於一成膜線上，於同一圓周上排 列配置複數台如此之樹脂瓶鍵敷裝置i，藉由複數樹脂瓶 鍍敷裝置1逐次對各個樹脂瓶進行成膜為佳。此時，複數 樹脂瓶鍍敷裝置丨沿著圓周邊移動旋轉，各樹脂瓶鍍敷裝 置1，與伴隨旋轉之處理程序同步，反覆特定之瓶供給、 成膜處理、瓶排出處理。 藉由如此地構成之樹脂瓶鍍敷裝置1於樹脂瓶2形成DLC 膜之成膜順序’以下參照圖3詳細記述。 於本實施形態之成膜順序有2個重要點。一係如圖3所 示，在由高頻波電源9開始向外部電極5供給高頻波電力 後，匹配電路23之阻抗（即可變電容器23&、2补之電容量） 被固定，並不積極地進行匹配電路23之阻抗控制。此係為 避免起因於電漿引發產生後之驟變之電漿消失。如既述， 於電漿引發產生後積極地控制匹配電路23之阻抗，則因匹 配動作之延遲使阻抗控制系之動作發散’反而會招致電漿 之/肖失為防止因阻抗控制系之動作發散而招致電衆之消 失，由南電頻波電源9開始向外部電極5供給高頻波電力 後匹配電路23之阻抗僅固定特定時間。固定匹配電路23 之阻抗之期間，以下，稱為匹配休止期間。 於開始供給咼頻波電力後不進行控制匹配電路23之阻 抗’由於會招致阻抗之不匹配故可能認為不妥。但是，如 此之不適，可藉由適當地選擇於匹配休止期間之匹配電路 23之阻抗一值迴避。只要選擇最佳的匹配電路23之阻抗， I50856.doc •12· 201108868 雖無法實現阻抗之穿+的 仉（兀全的匹配，可以不造成成膜不適之程 度抑制反射波。於匹g&休止朗*進行控制匹配電路Μ之 阻抗’反而，對起因於負荷阻抗之驟變為防止電漿之消失 有效。 但是’高頻波電力供給之觀點所視時，由於匹配休止期 間中不會被完全匹配對電漿之輸入電力減少。為於高頻波 電力供給期間中對電聚供給充分的電力，對自動匹配期間 放電休止期間充分少為佳。例如，使全電力供給期間為 3.0秒時，將匹配休止期間設定為〇 3秒左右。 另一個重要之點，係於由高頻波電源9向外部電極5之高 頻波電力供給結束後，於下一次由高頻波電源9開始向外 部電極5供給高頻波電力時之匹配電路23之阻抗，於高頻 波電力結束之時點，由匹配電路23之阻抗僅相異預定之偏 移量地決定。換言之，於下一次由高頻波電力9向外部電 極5供給高頻電力之時刻&一旦結束後，於下一次開始高頻 波電力之供給之時刻U之匹配電路23之阻抗，係由時刻h 之匹配電路23之阻抗僅相異特定偏移地決定。 如此之匹配電路23之阻抗之控整制，對於對應起因於成 膜室11之狀態之變化之負載阻抗之緩緩的變動有效。如既 述’於本實施形態，於開始高頻波電力之供給後之匹配休 止期間不進行匹配電路23之阻抗之控制。此係產生需要決 定開始供給高頻波電力時之匹配電路23之阻抗，其係可使 電漿引發產生，且可將反射波電力謀種程度控制。為此， 亦可考慮將開始供給高頻波電力時之匹配電路23之阻抗， 150856.doc 201108868 經驗地定於一定值。但是，當開始供給高頻波電力實之四 配電力23之阻抗為完全一定，則無法對應負荷阻抗之緩緩 的變動。於此’於本實施形態’開始供給高頻波電力時之 匹配電路23之阻抗’係基於其正前高頻波電力之供給結束 時之匹配電路23之阻抗決定。因為，由於在高頻波電力之 供給結束之時刻h之匹配電路23之阻抗，反映在於該時點 之成膜至11之狀態之最佳指標之一。藉由將高頻波電力之 供給結束時刻之匹配電路23之阻抗作為基準，決定下一 次開始供給咼頻波電力之時刻t；4之匹配電路2 3之阻抗，可 有效地對應負荷阻抗之緩緩的變動。 關於上述偏移量，考慮於時刻h之匹配電路23之阻抗， 藉由自動匹配動作使反射電力呈最小地控制之結果，則為 減少下一次放電循環之匹配休止期間之反射電力以小的偏 移量為佳。例如，使匹配電路23之阻抗可變之範圍為 0〜100%，則將數％之數值作為偏移量設定。 以下，將形成DLC膜之成膜順序，以時序列說明。 於DLC膜之成膜開始前，於成膜室丨丨導入樹脂瓶2，進 一步，如圖3所示，於初期將可變電容器23a、23b設定於 某電容量值。 頻 DLC臈之成膜，係於成膜室η導 波電源9向外部電極5供給高頻波 入’並且藉由開始由高 電力開始，由高頻波電 源9向外部電極5供給高頻法 两及1：力之時刻，於圖3參照時刻 t丨。匹配電路23之控制部26，伤茲士 Λ、日,、私 係稭由感測進行波電力超過 臨限值，開始供給檢測高頻波電力。 150856.doc 201108868 於時刻開始之匹配休止期間，可變電容器23a、2孙之 電容量，即並不積極地控制匹配電路23之阻抗。匹配電路 23之控制部26，檢測開始供給高頻波電力之後，將可變電 容器23a、23b之電容量僅特定時間固定。於匹配休止期間 之間雖負載阻抗會產生驟變，但並不進行回應負載阻抗之 驟變。藉此，可迴避起因於負載阻抗之驟變之電漿消失。 於匹配休止期間結束時刻tz，控制部26，回應反射波電 力開始控制可變電容器23a、23b之電容量。控制部26使反 射波電力成最小地積極地控制匹配電路23之阻抗。積極地 控制匹配電路2 3之阻抗之期間’於圖3，參照自動匹配期 間。 其後’高頻波電源9，為使DLC膜之成膜結束，於時刻t2 後之時刻t；3停止供給南頻波電力。匹配電路23之控制部 26 ’藉由感測進行波電力減少至低於特定臨限值，檢測高 頻波電力之供給之停止。當檢測高頻波電力供給之停止， 則匹配電路23之控制部26，將可變電容器23 a' 23b僅偏移 特定之偏移量。即使停止高頻波電力供給之時刻t3之可變 電谷益23a、23b之電谷置，分別為Ca3、Cb3時，控制部 26，將可變電容器23a、23b之電容量，分別設定為

Ca3+ACa、Cb3 + ACb。 接著，將成膜了 DLC膜之樹脂瓶2由成膜室11排出，於 成膜室11供瓶下一個應成膜DLC膜之樹脂瓶2。接著以與 上述同樣的過程，進行DLC膜之成膜。於開始供給下一次 高頻波電力之時刻t4之可變電容器23a、23b之電容量，分 150856.doc 15 201108868 別為Ca3+ACa、Cb3 + ACb。於開始供給高頻波電力之時刻q 之可變電容器23a、23b之電容量，係基於停止供給高頻波 電力之時刻之可變電容器23a、23b之電容量Ca3、Cb3決 定，對回應起因於成膜1】之狀態之變化之負載阻抗之緩緩 的變化，實現最佳的阻抗匹配有效。 可變電谷器23 a、23b之阻抗之電容量之偏移量△&、AG 可為預先準備之一定值β 適當的偏移量ACa、ACb之選擇’例如如下進行。於成膜 裝置供給高頻波電力，以手動動作匹配器，以沒有點起電 樂·之狀態哥找使反射電力變小之匹配條件。電毁引發產生 時之匹配位置作為匹配初期值Caini、Cbini。或者，於成膜 裝置供給咼頻波電力，以手動動作匹配器，以沒有點起電 漿之狀態尋找施加於電極之電壓變高的狀態之匹配條件。 將電漿引發產生時之匹配位置作為匹配初期值Caini、 Cbini。 於成膜裝置供給南頻波電力，使電漿引發產生，使匹配 器自動動作追隨電漿之阻抗，成膜特定時間。此時放電結 束時之匹配位置為caend、cbend。 基於該等資訊如下選擇偏移量。 △ ca = caini-caend， △ Cb = cbini-cbend , 將偏移量藉由進-步反覆進行成膜，使反射電力更少， 且使之成電毁引發產生性良好Aca、Acb地調整，進行最佳 化0 150856.doc -16 - 201108868 將於以電漿CVD之PET瓶之DLC鍍敷裝置，反覆進行成 膜（設置未鍍敷瓶·真空抽氣-電漿CVD_大氣開放_取出瓶）時 之匹配器偏移量ACa、ACb之例表示如下。 [成膜條件] PET瓶容量：350ml 高頻波電源頻率：13.56MHz 高頻波電力：700W 原料氣體：乙炔 成膜時壓力：lOOmTorr 偏移量 △ Ca : -0.1 〜-3.5% ACb ： 0.1-3.5% 於本實施形態’為對應成膜對象之樹脂瓶之材料、形狀 之變更，或DLC膜之成膜條件之變更，適當決定偏移量△ Ca、△ Cb，偏移量之組（A Ca、△ Cb)可由預先準備之複數 偏移量之組（△ Caa、A Cba)、（ △ Cap、△ Cbp)、（ △ CJ、△ CJ)、…、之中選擇為佳。此時，如圖4所示，於控制部 26，設有記憶複數偏移量組（△ Caa、△ cba)、（ △ Cap ' △ Cbp)、（ △ CaY、△ CV)、...之記憶部26a，此外，有由外部 給予選擇偏移量組之選擇指令12。控制部26，回應該選擇 指令12由複數偏移量之組（△ caa ' △ Cba)、（ △ Cap、△

Cbp)、（ △ CaY、△ CbY)、…、之中選擇一偏移量組，將選擇 之偏移量組’使用於決定開始供給高頻波電力時之可變電 容器23a、23b之電容量。 150856.doc -17- 201108868 f圖式簡單說明】 圖J係表示根據本發明之成膜裝置之實施之一形態之概 念圖。 圖2係表示於本實施形態之匹配氣之構造之區塊圖。 圖3係表示於本實施形態之成膜順序之時程圖。 圖4係表示於本實施形態之匹配氣之其他構造之區塊 圖。 【主要元件符號說明】 1 樹脂瓶鍍敷襞置 2 樹脂瓶 3 基台 4 絕緣板 5 外部電極 5a 本體部 5b 蓋體 6 排氣管 7 内部電極 7a 噴出孔 8 原料氣體供給管 9 高頻波電源 10 匹配器 11 成膜室 21 輸入端子 22 輪出端子

150856.doc -18- 201108868 23 匹配電路 23a, 23b 可變電容器 23c 線圈 24 電流檢測元件 25 電壓檢測元件 26 控制部 29 接地端子 150856.doc -19-

Claims (1)

1. 201108868 十、申請專利範圍： 1· 一種成膜裝置，包含： 電源； 匹配電路； 電極，其係經由上述匹配電路並由電源接受電力，藉 由上述電力於收容成膜對象之成膜室内部產生電漿；及 控制部，其係控制上述匹配電路之阻抗， 上述控制部，於上述電源開始對上述電極供給上述電 力之第1時刻開始之第1期間將上述匹配電路之阻抗保持 一定，於上述第丨期間結束由第2時刻開始之第2期間， 回應由上述電極之反射波電力並控制上述匹配電路之阻 抗。 2.如請求項1之成膜裝置，其中 上述電源，於上述第2時刻後之第3時刻停止上述電力 之供給， 上述控制部，回應上述第3時刻之上述匹配電路之阻 抗之結束時阻抗並決定下—期阻抗，且將上述四配電路 之阻抗設定為上述下一期阻抗， 上述電源，由上述匹配電路之阻抗設定為上述下一期 阻抗之後之第4時刻經由上述匹配電路開始對上述電極 供給電力。 3.如請求項2之成膜裝置，其中 上述控制部，將僅由上述結束時阻抗偏離預先決定之 偏移量之阻抗，決定作為上述下一期阻抗。 150856.doc 201108868 4. 如請求項2之成獏裝置，其中 上述控制部，回應由外部輸入之選擇指令並由複數偏 移量之中選擇—偏移量，且將僅由上述結束時阻抗偏離 上述選擇之一偏移量之阻抗，決定作為上述下一期阻 抗。 5. 如請求項1之成膜裝置，其中 在上述第1期間及上述第2期間，於上述成膜室收容成 膜對象，2導入幵》成於上述成膜對象之膜之原料氣體。 6. 如請求項2之成膜裝置，其中 上述控制部，於上述第4時刻開始之第3期間將上述匹 配電路之阻抗保持一定， 在上述糾期間及上述第2期間，於上述成膜室收容第 成、對象導人形成於上述第丨成膜對象之膜之原料 氣體， 在上述第3期間，於上述成膜室收容別於上述第丨成膜 對象之第2成膜對象，且導入形成於上述第2成膜對象之 膜之原料氣體。 7. 一種成膜裝置，包含： 電源； 匹配電路； 電極，其係經由上述匹配電路並由電源接受電力，藉 由上述電力於收容成膜對象之成膜室内部產生電t ;及曰 控制°卩，其係控制上述匹配電路之阻抗， 上述控制部’於第2時刻開始之第2期間回應由上述電 I50856.doc 201108868 極之反射波電力並控制上述匹配電路之阻抗， 上述電源，於上述第2時刻後之第3時刻停止上述電力 之供給， 上述控制。卩，回應上述第3時刻之上述匹配電路之阻 杬之結束時阻抗並決定下一期阻抗，且將上述匹配電路 之阻抗設定為上述下一期阻抗， 上述電源，由上述匹配電路之阻抗設定為上述下一期 阻抗之後之第4時刻經由上述匹配電路開始對上述電極 供給電力。 8. 如請求項7之成膜裝置，其中 於上述第2期間，於上述成膜室收容第丨成膜對象，且 導入形成於上述第1成膜對象之膜之原料氣體 在由上述第4時刻開始之第3期間，於上述成膜室收容 別於上述第1成膜對象之第2成膜對象，且導入形成於上 述第2成膜對象之膜之原料氣體。 9. 一種匹配器，包含： 輸入端子’其係連接於電源； 輸出端子，其係連接於在成膜室内部產生電漿之電 極； 匹配電路’其係連接於上述輸入端子與上述輸出端子 之間；及 控制。卩，其用來控制上述匹配電路之阻抗， 上述控制部，在由上述輸入端子向輸出端子之進行波 電力超過第1臨限值之第i時刻開始之第1期間將上述匹 150856.doc 201108868 配電路之阻抗保持一定，於上述第1期間結束之第2時刻 開始之第2期間，回應由上述輸出端子向上述輸入端子 之反射波電力並控制上述匹配電路之阻抗。 10·如請求項9之匹配器，其中 上述控制部，於上述第2時刻後，上述進行波電力由 第％限值降低時，回應上述進行波電力由第2臨限值降 :之第3時刻之上述匹配電路之阻抗之結束時阻抗並決 定下-期阻抗’且將上述匹配電路之阻抗設定為上 一期阻抗。 11 種阻4几控制方法，宜γ系^ Dtf d* to . 利乃法具係成膜裝置之用的阻抗控制方 法’該成膜裝置包含： 匹配電路； 電極，其係經由上述匹配電路接受 吩设又罨力，稭由上述電 力於收容成膜對象之成膜室内部產生電漿， 5亥阻彳几控制方法，包含： (A) 將匹配電路之阻抗設定為第t阻抗之步驟； (B) 於上述（A)步驟之後，經由 叫 配電路開始向電 極供給電力之步驟； (C) 於開始由上述電力供給開始 罘M間將上述阻抗 保持一疋之步驟；及 (D) 於接著上述第1期間之第2期間， 口應由上述電極 之反射波電力並控制上述阻抗之步驟。 150856.doc