TW201022813A - Display substrate and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

201022813 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之例示性實施例係關於一種顯示基板及該顯示基 板之製造方法。更特定言之，本發明之例示性實施例係關 於一種能夠防止因步級差（step difference)而產生之缺陷的 • 顯示基板，及該顯示基板之製造方法。 • 【先前技術】 液晶顯示器（「LCD」）裝置藉由向插入兩個基板之間的 • 液晶層施加電壓以控制經由該液晶層之透光度，從而顯示 影像。此處’為了施加電壓，LCD裝置通常包括在顯示基 板上形成之電極及向該電極施加資料電壓之開關元件（例 如薄膜電晶體（「TFT」））。 隨著顯示技術發展，顯示區增大，期望LCD裝置獲得更 高分辨率及更快回應速度。關於LCd裝置之期望的實現主 要取決於LCD裝置之製造方法的改良，且亦取決於用於形 成1JCD裝置之信號線之合適金屬材料的選擇。 亦即，隨著LCD裝置發展成具有大尺寸及高分辨率，金 屬信號線之電阻因金屬信號線寬度減小及孔徑比增加而增 • 加。因此，需要針對具有低電阻率之金屬信號線的方法開 • 發’以實現高分辨率及大型LCD裝置。 為了保證低電阻，可在底部基板上沈積厚度厚於習知信 號線的信號線。然而，當在底部基板上沈積具有較厚厚度 之低電阻線材料時，底部基板可能彎曲，例如，其可能由 於L號線隨著在底部基板上沈積之後冷卻而向其施加之張 142255.doc 201022813 應力而變為弓形。 因此，顯示基板之製造方法可能受到不當限制，且可能 在顯示基板上產生缺陷。 【發明内容】 本發明之例示性實施例提供能夠防止在製造過程中彎曲 之顯示基板。 本發明之例示性實施例亦提供製造上文所述顯示基板之 方法。 本發明之例示性實施例進一步亦提供製造上文所述顯示 基板之方法，該顯示基板能夠防止由於在為了形成顯示基 板之閘極線而進行之圖案化製程之後續製程期間的步級^ 所產生之缺陷。 根據本發明之一例示性實施例，顯示基板包括：底部基 板，安置於該底部基板之下表面上之防變形層，其中該防 變形層向該底部基板施加力以防止該底部基板彎曲；安置 於該底部基板之上表面上之開極線；及安置於該底部基板 上之像素電極。 在本發明之-例示性實施例中’防變形層與閘極線各自 可施加有張應力。在-例示性實施例中，閘極線可包括選 自由鋁（A1)、銅（Cu)、銀（Ag)、鋁（A1)合金、銅（cu)合金、 銀（Ag)合金及其組合組成之群的至少一者。在一例示性實 施例中’防變形層可包括有機絕緣層或無機絕緣層中之至 少-者。在-例示性實施例中，防變形層可包括選自由氣 化梦（SiNx)及氧切（Si〇2)及其組合組成之群的至少一 142255.doc 201022813 者。 根據本發明之另一例示性實施例，顯示基板包括：底部 基板；安置於該底部基板之上表面上之防變形層，其中該 防變形層向該底部基板施加力以防止該底部基板彎曲；安 置於該防變形層上之閘極線；安置於該防變形層上之資料 線；及安置於該底部基板上之像素電極。 在本發明之一例示性實施例中，閘極線可包括向其施加 張應力之金屬材料。在一例示性實施例中，防變形層可包 括向其施加壓應力之材料。在一例示性實施例中，防變形 層可包括無機層。在一例示性實施例中，防變形層可包括 選自由氮化矽（SiNx)、氮化鈦（TiNx)、氮化鉬（Μ〇Νχ)、氧 化矽（sioj、氧化銅（Cu0x)、氮化銅（CuNx)、氧化銦錫 (「ITO」）、氧化銦辞（「IZ〇」）及其組合組成之群的至少 一者。替代性例示性實施例包括防變形層可包括有機層之 組態。 根據本發明之另一例示性實施例，製造顯示基板之方法 包括：在底部基板之下表面上安置防變形層，其中該防變 形層向該底部基板施加力以防止該底部基板彎曲；在底部 基板之上表面上安置閘極金屬層；將該閘極金屬層圖案化 以形成間極線；在底部基板上跨越間極線安置資料線丨及 在底部基板上安置像素電極。 在本發明之一例示性實施例中，防變形層與閘極線各自 可施加有張應力。在一例示性實施例中，防變形層可包括 選自由銘（Α1)、銅（Cu)、銀（Ag)、鋁（Α1)合金、銅合 142255.doc 201022813 金、銀（Ag)合金及其組合組成之群的至少一者。 在本發明之—例示性實施例中，閘極金屬層之圖案化可 進一步包括移除防變形層。在一例示性實施例中閉極金 屬層之圖案化及防變形層之移除可由同-餘刻溶液實質上 同時進行。 在本發明之一例示性實施例中閘極金屬層之厚度可為 約1 μιη至約10 μηι。在一例示性實施例中，防變形層之厚 度可能不超過閘極金屬層之厚度的一半。在一例示性實施 例中防變形層之厚度可能比閘極金屬層之厚度薄約丨34 μπι至約 1.36 μπι。 在本發明之一例示性實施例中，可在底部基板與閘極金 屬層之間進一步形成黏接層。在一例示性實施例中，黏接 層可包括選自由鉬（Μο)、鈦（Ti)、鉬鈦（M〇Ti) '氧化銅 (CU〇)、鉬鈮（MoNb) ' 鈷（C〇)、鎳（Ni)、鋁（A1)、钽（Ta)及 其組合組成之群的至少一者。 在本發明之一例示性實施例中，可加熱底部基板。 在本發明之一例示性實施例中，防變形層可包括有機絕 緣層。在一例示性實施例中’有機絕緣層可為膜。在一例 示性實施例中，防變形層可包括無機絕緣層。 根據本發明之另一例示性實施例，製造顯示基板之方法 包括：在底部基板之上表面上安置防變形層，其中該防變 形層向該底部基板施加力以防止該底部基板彎曲；在該防 變形層上安置閘極金屬層；將該閘極金屬層圖案化以形成 閘極線；在底部基板上跨越閘極線安置資料線；及在底部 142255.doc 201022813 基板上安置像素電極。 根據本發明之另一例示性實施例，製造顯示基板之方法 包括：在底部基板之上表面上安置閘極金屬層，使用對應 於閉極線之線形光阻圖案及虛設光阻圖案自閘極金屬層形 成開極線’在底部基板上跨越閘極線安置資料線，在底部 基板上安置像素電極，及使用虛設光阻圖案蝕刻閘極線以 產生錐度角。 在本發明之一例示性實施例中，在底部基板上安置平坦 化層’藉由對底部基板進行背表面曝光製程以移除對應於 閘極線之平坦化層，在閘極線及平坦化層上安置閘極絕緣 層。 在本發明之一例示性實施例中，閘極線之厚度可實質上 厚於閘極絕緣層之厚度。在一例示性實施例中，閘極線之 厚度為約0.5 μηι至約3.0 μιη。 在本發明之一例示性實施例中，當閘極線形成時可進一 步移除對應於虛設光阻圖案之閘極金屬層。 在本發明之一例示性實施例中，虛設光阻圖案之線寬可 實質上小於閘極線之線寬。在一例示性實施例中，虛設光 阻圖案之線寬可為約3 μπι至約4 μιη。 在本發明之一例示性實施例中，虛設光阻圖案之個別線 之間的間距可為約3 μιη至約3〇〇 μιη。在一例示性實施例 中’閘極線之錐度角可為約8〇度至約9〇度。 在本發明之一例示性實施例中，可重複形成至少一分支 形狀以形成虛設光阻圖案。在一例示性實施例中，分支形 142255.doc 201022813 狀可包含i形、矩形、環形及v形中之至少一者。 根據本發明之另-例示性實施例，製造顯示基板之方法 括在底部基板之上表面上安置閘極金屬層，·自嗔嘴向 一區域喷灑蝕刻溶液，其中該區域與經來自相鄰喷嘴之蝕 刻/合液喷灑之區域重疊；使用蝕刻溶液將閘極金屬層圖案 化，跨越自閘極金屬層圖案化之閘極線安置資料線·及在 底部基板上安置像素電極。 在本發明之一例示性實施例中，在閘極金屬層圖案化期 間可使用對應於閘極線之線形光阻圖案及分支形狀之虛設 光阻圖案。在一例示性實施例中，相鄰噴嘴之間的距離可 為約〇 nm至約60 nm。在一例示性實施例中，經蝕刻溶液 喷;麗之區域的半徑可為約35 mm至約60 mm。 根據顯示基板及製造顯示基板之方法的例示性實施例， 在顯示基板之製造過程中向顯示基板施加對稱力，使得底 部基板可不彎曲。此外，可防止諸如閘極圖案化之隨後製 程中的不平坦化及步級差之產生的缺陷。 【實施方式】 藉由參看附隨圖式進一步詳細描述本發明之例示性實施 例’本發明之上述及其他態樣、特徵及優勢將變得更顯而 易見。 下文將參看展示本發明之例示性實施例的隨附圖式更全 面描述本發明。然而，本發明可具體化為多種不同形式且 不應解釋為限於本文所述之例示性實施例。實際上，提供 此等例示性實施例使得本揭示案全面且完整，且將本發明 142255.doc 201022813 之祀缚完全呈予熟習此項技術者。全文中相同參考數字指 示相同元件。 應理解，當元件或層稱為在另一元件「上」時，其可直 接在另-元件上、直接連接或輕接至另一元件，或可能存 . ^插入元件。相反，當元件稱作「直接」在另一元件 上」時不存在插入元件。如本文所用之術語「及/ • u括相關列出.條目中之—或多者之任意及所有組合。 應理解，儘管術語第一、第二、第三等可在本文中用以 描述各種元件、組件、區域、層及/或區段，但此等元 件、組件、區域、層及/或區段不應受此等術語限制。此 等術語僅用於區分-元件、組件、區域、層或區段與另一 區域、層或區段。因此，在不悖離本發明之教示的狀況 下，可將下文論述之第一元件、組件、區域、層或區段稱 為第二元件、組件、區域、層或區段。 諸如「在…之下」、「在…下方」、「下部」、「在…上 ^ 方」 上部」及其類似術語之空間相關術語可出於易於描 述之目的而在本文中用於描述圖中所說明之一元件或特徵 與其他元件或特徵的關係。應理解，除了圖中所描繪之定 向外，空間相關術語亦意欲涵蓋裝置在使用或操作過程中 •之不同定向。舉例而言’若將圖中之裝置翻轉，則描述為 在其他元件或特徵「下方」或「之下」的元件將被定向於 其他元件或特徵「上方」。因此，例示性術語「在…下 方」可涵蓋上方及下方之定向。裝置可另外定向（旋轉9〇 度或處於其他方位），且可相應地理解本文中所用的空間 142255.doc 201022813 相關描述詞。 本文中所用之術語僅出於描述特定例示性實施例之目的 且不欲限制本發明。除非上下文明確指定為其他，否則如 本文所用之單數形式「一」及「該」意欲亦包括複數形 式。應進一步理解，術語「包含」在用於本說明書中時指 示存在所述特徵、整想、步驟、操作、元件及/或組件， 但並不排除存在或添加一或多種其他特徵、整體、步驟、 操作、元件、組件及/或其群組。 本文中參看為本發明之理想例示性實施例（及中間結構） 之示意圖的截面圖來描述本發明之例示性實施例。因而， 應預期由於例如製造技術及/或容㈣起的圖中形狀之變 化。因此，不應將本發明之例示性實施例解釋為限於本文 所說明之特定區域形狀，而包括由例如製造引起之形狀偏 差。舉例而言，說明為矩形之植入區域通常將具有圓形或 彎曲特徵及/或在其邊緣處之植人濃度的梯度而非自植入 區域至非植人區域的二元改變。同樣，由植人形成之嵌埋 ，域可在嵌埋區域與進行植人之表面之間的區財產生一 定程度的植人n时所說明之區域本f上為示意性 的且其形狀並不意欲說明裝置區域的實際形狀且並不 限制本發明之範_。 〜 除非另外定義，否則本文所用之所有術語（包括技術及 科學術語）具有與—般熟習本發明所屬技術者通常所理解 相同之含義。應進-步理解術語（諸如常用詞典中所定義 之彼等術語）應解釋為具有與其在相關技術背景中之含義 142255.doc 201022813 一致的含義且不應以理想化或過度形式化之意義來解釋， 除非本文中明確如此定義。 在下文中，將參看隨附圖式詳細解釋本發明。 <例示性實施例1 > 圖1為說明本發明之顯示基板1〇〇之第一例示性實施例的 俯視平面圖。圖2為沿圖i之線Ι-Γ截取的截面示意圖。 參看圖1及圖2,顯示基板100包括底部基板1〇1。 在底部基板101上形成閘極線GL、閘電極GE、儲存線 STL、平坦化層122、閘極絕緣層丨2〇、通道層丨3〇、包括資 料線DL之資料金屬層14〇、源電極SE及汲電極£^、保護性 絕緣層1 5 0及像素電極pe。 在本發明之例示性實施例中，閘極線GL在第一方向DI丄

中延伸。在一例示性實施例中，閘電極GE可與閘極線GL 之一部分連接。替代例示性實施例包括閘電極GE可自閘 極線GL突出之組態。

在本發明例示性實施例中，儲存線STL可實質上平行於 閘極線GL形成》替代性例示性實施例包括儲存線STL可實 質上平行於資料線DL形成之組態。儲存線STL與像素區域 P中形成之像素電極PE重疊’使得彼此重疊之儲存線STL 及像素電極PE可形成儲存電容器。替代性例示性實施例包 括可省略儲存線STL之組態。 平坦化層122係形成於底部基板ι〇1上’但對應於例如閑 極線GL、閘電極GE及儲存線STL之導電圖案之區域除 外。在一例示性實施例中，平坦化層122可為負型有機 142255.doc 11 201022813 層。平坦化層122可減少由閘極線gl、閘電極GE及儲存線 STL之厚度增加產生的步級差。在本發明例示性實施例 中，閘極線GL、閘電極GE及儲存線STL·可具有大於在比 較性顯示基板中之厚度，從而減少其電阻。 接著，閘極絕緣層120覆蓋平坦化層122、閘極線GL、 閘電極GE及儲存線STL。 將通道層13 0安置於閘極絕緣層12 〇上。在本發明例示性 實施例中’通道層130包括安置於源電極se與及電極DE之 間的摻雜有掺雜劑之半導體層131及歐姆（〇hmic)接觸層132 以減少其接觸電阻。 在本發明例示性實施例中，資料線DL在與第一方向DI1 父叉之第二方向DI2上延伸。在一例示性實施例中，源電 極SE與資料線DL之一部分連接且與閘電極GE重疊。替代 性例示性實施例包括源電極SE自資料線!)!^向形成有閘電 極GE之區域延伸從而與閘電極GE重疊的組態。 沒電極DE與源電極SE隔開從而與閘電極GE重疊。閘電 極GE、通道層130、源電極及汲電極〇]£可形成與閘極線 GL及資料線DL連接之開關元件tr。 形成保護性絕緣層1 5 0以覆蓋上面形成有開關元件TR之 底部基板。在一例示性實施例中，保護性絕緣層15〇可具 有雙層結構，該結構包括鈍化層及有機層且具有大厚度。 替代性例示性實施例包括保護性絕緣層15〇可具有單層結 構之組態。 在保護性絕緣層150上對應於像素區域p形成像素電極 142255.doc 12 201022813 PE。像素電極PE經接觸孔c與汲電極DE接觸。在一例示性 實施例中，像素電極PE可包括視情況選用之光學透明且導 電之材料。可在像素電極PE上形成對準層（未圖示）以使液 晶層（未圖示）之液晶分子對準。 圖3 A至圖3F為說明圖2之顯示基板之例示性實施例的製 造方法之例示性實施例的截面示意圖。 參看圖2及圖3A，在底部基板ιοί之下表面上沈積防變形 層105。在一例示性實施例中，藉由化學氣相沈積 (「CVD」）法、濺鍍法或其他類似方法沈積防變形層。替 代性例示性實施例包括可藉由塗覆法、喷墨法、gravia塗 覆法或其他類似方法在底部基板1〇1之下表面上沈積防變 形層105之組態。例示性實施例包括防變形層1〇5可為有機 層或無機層之組態。 在一例示性實施例中’防變形層1〇5可包括諸如以下金 屬材料：鋁（A1)、銅（Cu)、銀（Ag)、鋁合金、銅合金、銀 合金或具有其他類似特徵之材料。在本發明例示性實施例 中’防變形層105可施加有張應力。向防變形層ι〇5施加之 張應力意謂防變形層向底部基板1〇1施加與下文所述之閘 極金屬層向底部基板101施加之彎曲力實質上相反之方向 且實質上相等之量值的力。防變形層起作用使得上面形成 有防變形層105之底部基板1〇丨之兩個末端部分向對底部基 板101施加之彎曲力的反方向彎曲。 當底部基板101之溫度降低時，防變形層1〇5之張應力的 量值減小。 142255.doc •13- 201022813 參看圖2及圖3B，在底部基板101之上表面上沈積閘極金 屬層110，例如在一例示性實施例中’其係藉由化學氣相 沈積（「C VD」）法、濺鍍法或其他類似方法形成。替代性 例示性實施例包括可藉由塗覆法、喷墨法、gravia塗覆法 或其他類似方法在底部基板101之上表面上沈積閘極金屬 層110之組態。如上文所述，閘極金屬層i i 0之例示性實施 例可包括諸如以下金屬材料：鋁（A1)、銅（Cu)、銀（Ag)、 銘（A1)合金、銅（Cu)合金、銀（Ag)合金或其他具有類似特 徵之材料。在本發明例示性實施例中，閘極金屬層丨丨〇可 施加有張應力。此處’閘極金屬層n〇之張應力意謂閘極 金屬層110向底部基板101施加與向底部基板1〇1施加之贊 曲力實質上相反之方向且實質上相等之量值的力。閘極金 屬層110起作用使得上面形成有閘極金屬層uo之底部基板 101之兩個末端部分向對底部基板1〇1施加之彎曲力的反方 向彎曲。當底部基板101之溫度降低時，閘極金屬層11〇之 張應力的量值減小。在一例示性實施例中，防變形層丄〇5 向底部基板101施加之力實質上等於閘極金屬層110向底部 基板101施加之力且與其相反。 在一例示性實施例中，可在閘極金屬層i〗0與底部基板 101之間形成黏接層（未圖示）。黏接層可包括鉬（M〇)、鈦 (Ti)、銦鈦合金（MoTi)、氧化銅（cu〇)、钥銳（M〇Nb)、姑 (Co)、錄（Ni)、銘（A1) '鈕（Ta)及其他具有類似特徵之材 料。在一例示性實施例中，黏接層（未圖示）具有相對較高 的黏接特性以便將其附著於由玻璃材料製成之底部基板 142255.doc -14- 201022813 ιοί ’從而可補償閘極金屬層110對底部基板1(Π的低黏接 特性。 因而，可將上面沈積有閘極金屬層110及防變形層105之 底部基板101在高溫下熱處理。向經熱處理之底部基板1〇1 施加之張應力的強度小於在熱處理之前向底部基板1〇1施 加之張應力的強度’從而可減少底部基板101之彎曲量。 藉由向在其間插入底部基板101而沈積於底部基板1〇1之 兩個表面上的防變形層105及閘極金屬層110施加有張應

力。因此’由於彎曲力係施加至底部基板1〇1之中心部 分，所以底部基板101不會向其任一側彎曲。亦即，在底 部基板101之上表面上形成施加有張應力之閘極金屬層 110,且在底部基板101之下表面上形成施加有張應力之防 變形層105，使得底部基板101之上表面或下表面不會彎 曲0

參看圖2及圖3C，在閘極金屬層u〇上形成光阻層，且接 著使該光阻層部分曝光。此處，在底部基板1〇1上安置遮 罩，其包括與形成第一導電圖案之閘極線GL、閘電極gE 第一曝光期間未移 及儲存線STL對應之阻光部分。因此， 除之至少-部分光阻層保留，其與因阻光部分產生之未曝 光區域對應。亦即，將經曝光之光阻層顯影以形成第一光 阻圖案。使用閘極金屬層11〇上形成之第一光阻圖案作為 蝕刻終止層來蝕刻閉極金屬層110,從而在底部基板1〇1上 形成共同形成第一導電圖案之閘極線^匕 存線STL。在此例示性實施例申，描述第 、閘電極GE及儲 一光阻圖案為正 142255.doc 15- 201022813 型光阻材料。替代性例示性實施例包括第一光阻圖案可由 負型光阻材料形成之組態。 當姓刻閘極金屬層11G時’可使用相同㈣溶液钱刻問 極金屬層110及防變形層105。在本發明例示性實施例中， 移除防變形層105。在一例示性實施例中，可藉由钱刻移 除所有防變形層105。 在一例示性實施例中，防變形層1〇5可為不透明金屬 層。此外，當在底部基板101上沈積閘極金屬層11〇且將閘 極金屬層110圖案化時，防變形層105可起防止底部基板 ιοί彎曲之作用。因此，當蝕刻閘極金屬層11〇時，可移除 整個防變形層105以防止在顯示基板1〇〇之製造過程完成時 光不穿過顯示基板100。 在本發明例示性實施例中，閘極金屬層105藉由定時蝕 刻法（time etching method)蝕刻。定時蝕刻法為預先獲得金 屬層之蝕刻時間資料且接著根據所獲得之資料蝕刻防變形 層105之蝕刻方法。亦即，在對應於所獲得之資料的時間 後移除整個防變形層105。在一例示性實施例中，可在濕 式蝕刻製程期間進行定時蝕刻法。 因而，在上面形成有第一金屬圖案之底部基板1〇1上形 成平坦化層122。 參看圖2及圖3D，移除對應於第一金屬圖案之一部分平 坦化層122。在一例示性實施例中，覆蓋閘極線GL、閘電 極GE及儲存線STL之平坦化層122不接收穿過底部基板1〇1 背表面之光。移除不接收光之平坦化層1;22，藉此移除對 142255.doc -16- 201022813 應於在本發明例示性實施例中由不透明金屬層形成之閘極 線GL、閘電極GE&儲存線stl之一部分平坦化層。 因此，平坦化層122之厚度與閘電極gE及儲存線STL之 厚度實質上相同。 參看圖2及圖3E，在平坦化層！ 22上形成閘極絕緣層 120。問極絕緣層12〇之例示性實施例可包括氮化矽 • (siNx)、氧化矽（SiOx)等》 參看圖2及圖3F，在上面形成有閘極絕緣層12〇之底部基 ❹ 板101上形成包括半導體層131及歐姆接觸層132之通道層 130。在一例示性實施例中，半導體層131為摻雜有高濃度 N型摻雜劑之非晶矽摻雜層，且歐姆接觸層132為非晶矽 (a-Si)層。 在通道層130上形成資料金屬層14〇，且將資料金屬層 140圖案化以形成包括資料線〇1^、源電極§£及汲電極〇£之 第一導電圖案。資料金屬層i4〇之例示性實施例可包括諸 φ 如以下金屬材料：鉻（c〇、鉻（cr)合金、鉬（Mo)、鉬鈉 (MoNa)、鉬鈮（MoNb)、鉬（M〇)合金、銅（cu)、銅（cu)合 金、銅麵（CuMo)合金、鋁（A1)、鋁（A1)合金、銀（Ag)、銀 . (Ag)合金及其他具有類似特徵之材料。 ' 在此例示性實施例中，經由一遮罩形成通道層130及資 料金屬層140，從而在第二導電圖案下方形成通道層13〇。 替代例示性實施例包括通道層丨3〇及資料金屬層可經 由不同遮罩製程形成以僅在閘電極GE上形成通道層13〇的 組態。 142255.doc 201022813 再次參看圖2，在資料金屬層u〇及閘極絕緣層ι2〇上形 成保護性絕緣層1 50。例示性實施例包括保護性絕緣層丨5〇 可具有如圖2中所述之單層結構或包括鈍化層及有機層且 具有比單層結構厚之厚度之雙層結構的組態。儘管上述例 示性實施例論述單層結構及雙層結構，但亦可利用諸如三 層結構、四層結構之多層結構或一般熟習此項技術者已知 . 的任何其他組態以替代單層結構或與單層結構結合。 · 穿過底部基板101上形成之保護性絕緣層15〇形成暴露汲 電極DE之接觸孔C。在一例示性實施例中，使用蝕刻法形❹ 成接觸孔C。在穿過其形成接觸孔C的保護層150上形成透 月導電層將透明導電層圖案化以形成包括像素電極PE 之第三導電圖案。透明導電層之例示性實施例可包括光學 透明且導電之材料，諸如，氧化銦錫（「ITO」）、氧化銦 鋅（「IZO」）及其他具有類似特徵之材料。 ，圖4為說明為了防止顯示基板在圖3八至圖之顯示基板 製造過程中彎曲而沈積之防變形層之厚度的圖表。 、表1顯不為了防止顯示基板在圖3a至圖奸之顯示基板製❹ 造過程中彎曲而沈積之防變形層105之厚度。 142255.doc -18- 沈積厚度 (μηι) 201022813 表ι> 底部基板之 弯曲量(mm) 1.06 參看圖4及表1， 101之彎曲量的總範 層之沈積厚度的 此處，如圖4及圖 為銅（Cu)。 142255.doc

Cu之彎曲 量(mm)

Cu之可彎曲 量(mm) 將在基板下表面 上沈積之金屬層 的厚度(μηι)

對於防變形層之多個厚度，底部基板 圍為約0.Μ ·。此外，根據閘極金屬 閘極金屬層110之彎曲量將如下描述 5之圖表及表1中所不’閣極金屬層 •19- 201022813 在長度為約400 nm至約500 nm之底部基板ιοί中進行底 部基板101的彎曲量測。此外’基於與底部基板1〇1之中心 部分隔開約150 nm至約200 nm處的高度與底部基板1〇1之 中心部分處的高度之間的差異進行底部基板1〇1之贊曲量 測。 當閘極金屬層110之厚度為約i μιη時，閘極金屬層11〇可 彎曲約0.37 mm。亦即，當初始底部基板1〇1之彎曲量與閘 極金屬層11〇之彎曲量相加時，上面沈積有閘極金屬層11〇 之底部基板101可彎曲約0 69 mm。 此處，閘極金屬層11〇之彎曲量為約〇37 mm，其不超過 約0.5 mm，從而可谷易地進行顯示基板之製造過程。 因此可I不需要防變形層105，從而可省略沈積防變形 層105之步驟。 备問極金屬層110之厚度為約1.2 μιη時，閘極金屬層11〇 可彎曲約0.44 mm。亦即’當初始底部基板1〇1之彎曲量與 閘極金屬層11G之彎曲量相加時，上面沈積有閘極金屬層 U〇之底部基板101可彎曲約0.76 mm。 處問極金屬層110之彎曲量為約0.44 mm，其不超過 約0.5 mm，從而可交且，丨 易地進行顯示基板100之製造過程。 因此，可能不需要防變 雙形層105，從而可省略沈積防變形 層105之步驟。 當閘極金屬層11〇之厘 辱度為約1.4 μιη時，閘極金屬層II1 可寶曲約0.52 mm。亦gp P ’虽初始底部基板101之彎曲量婆 閘極金屬層11〇之彎曲 重相加時，上面沈積有閘極金屬>1 142255.doc 201022813 110之底部基板101可弯曲約083 mm。 此處，閘極金屬層110之彎曲量為約0.52 mm，其超過約 0.5 mm ’從而不能容易地進行顯示基板1〇〇之製造過程。 因此’在底部基板101之下表面上沈積防變形層1〇5,從 而允許較容易地進行製造過程。此處，可基於圖4中所示 之圖表及圖5中所示之表計算沈積於底部基板1〇1之下表面 • 上的防變形層105之厚度。 在一例示性實施例中，防變形層1〇5之厚度可能不超過 β 閘極金屬層110之厚度的一半。 因為閘極金屬層110之彎曲量與閘極金屬層11〇之沈積厚 度成比例增加，所以認識到當閘極金屬層110之沈積厚度 介於約1.3 μηι至約1.4 μιη之間時閘極金屬層11〇之彎曲量為 約 0.5 mm。 因此，防變形層105可以約〇〇5 μιη之厚度沈積於底部基 板ιοί之下表面上，從而當閘極金屬層厚度為約14 μιη ❿ 時，閘極金屬層110之沈積厚度與防變形層1〇5之厚度之間 的差異可為約1·34 μηι至約1.36 μηι。 當閘極金屬層110之厚度為約1.6 Mm時，閘極金屬層11〇 可彎曲約0.59 mm。亦即，當初始底部基板⑺丨之弯曲量與 ㈣金屬層110之彎曲量相加時，上面沈積有閘極金屬層 I10之底部基板1〇丨可彎曲約0.91 mm。 此處，閘極金屬層110之彎曲量為約0.59 mm，其超過約 0.5 mm ’從而不能容易地進行顯示基板_之製造過程。 口此P方變形;fi〇5可以約〇25㈣之厚纟沈積於底部基 142255.doc •21· 201022813 板101之下表面上，從而閘極金屬層u 〇之沈積厚度與防變 形層105之厚度之間的差異可為約134 μιη至約136 μίη， 從而允許較容易地進行製造過程。 當閘極金屬層110之厚度為約i 8 μηι時閘極金屬層11〇 可彎曲約0.67 mm。亦即，當初始底部基板1〇1之彎曲量與 閘極金屬層110之彎曲量相加時，上面沈積有閘極金屬層 110之底部基板101可彎曲約〇 98 mm。 此處，閘極金屬層110之彎曲量為約〇 67 mm，其超過約 0.5 mm，從而不能容易地進行顯示基板ι〇〇之製造過程。 因此，防變形層1 〇5可以約〇 45 μιη之厚度沈積於底部基 板101之下表面上’從而閘極金屬層11〇之沈積厚度與防變 形層105之厚度之間的差異可為約134 至約1.36 μιη， 從而允許較容易地進行製造過程。 當閘極金屬層110之厚度為約2 μΓη時，閘極金屬層11〇可 彎曲約0.74 mm。亦即，當初始底部基板ι〇1之彎曲量與閘 極金屬層110之彎曲量相加時，上面沈積有閘極金屬層u〇 之底部基板101可彎曲約1.02 mm。 此處，閘極金屬層110之彎曲量為約〇.74 min，其超過約 0,5 mm ’從而不能容易地進行顯示基板ι〇〇之製造過程。 因此，防變形層105可以約0.65 μπι之厚度沈積於底部基 板101之下表面上’從而閘極金屬層uo之沈積厚度與防變 形層105之厚度之間的差異可為約丨.34 μπ1至約1.36 pm， 從而允許較容易地進行製造過程。 當閘極金屬層110之厚度不超過約1.4 μιη時，如圖4及表 142255.doc -22· 201022813 1中所示在底部基板101之下表面上沈積防變形層105。 根據第一例示性實施例，當閘極金屬層110之厚度在介 於約1 μιη至約10 μιη之間的範圍内時，可在底部基板1〇1之 下表面上沈積防變形層1〇5。 如上文所述，將在底部基板101之下表面上沈積的防變 形層105之厚度將由詳細方程式描述。 再次參看圖4及表1’閘極金屬層uo之厚度與上面沈積 有閘極金屬層110之底部基板101的彎曲量之間的關係將如 以下方程式1描述。此處，參考符號「γ」表示上面沈積有 閘極金屬層110之底部基板101的彎曲量，且參考符號 「X」表示閘極金屬層110之厚度。 7=0.3707^+0.3144 〈方程式 1> 底部基板101之彎曲量最初為約〇_31 mm，從而沈積於底 部基板101上之問極金屬層110的彎曲量可由以下方程气2 描述。此處’參考符號「A」表示閘極金屬層1丨〇之弯曲 量。 ^[ = Γ·0.31=0·3707Ζ+0.3144-0.31=〇·3707Χ+0.〇44 <方程式 2> 為了容易地實現顯示基板100的製造過程，閘極金屬層 110之彎曲量「Α」可能不超過約〇.5 mm。亦即，為了容易 地製造顯示基板100，閘極金屬層110之彎曲量可由以下方 程式3計异。此處’參考符號「B」表示閘極金屬層11〇向 其相反方向之彎曲量。 5=10.5=0.3707JT+0.0044-0.5=0.3707X-0.4956 <方程式 3> 為了獲得約0.5 mm之「A」以便容易地進行製造過程， 142255.doc -23- 201022813 則將在底部基板101之下表面上沈積的防變形層105之厚度 可由以下方程式4描述。此處，參考符號「C」表示將在底 部基板101之下表面上沈積的防變形層105之厚度。 <方程式4> B (0.3707Z-0.4956) = 0.3707 一 0.3707 一乂 十” 如等式4中所述，可容易地辨識防變形層105之厚度以容 易地實現製造過程。舉例而言，防變形層105之厚度可比 閘極金屬層110之厚度小約1.34 μπι至約1.36 μιη。 因此’當閘極金屬層110以較厚厚度沈積時，沈積對應 於閘極金屬層110之防變形層105，從而可防止由較厚厚度 之閘極金屬層110引起的底部基板101之彎曲。 此外’製造較厚厚度之閘極金屬層110，從而降低線之 電阻。用於產生大型顯示基板之雙閘極結構可基於閘極金 属層110之低電阻實現為單閘極結構，從而可增加孔徑 比。 <例示性實施例2> 圖5為說明本發明之顯示基板之第二例示性實施例㈣ 面示意圖。 圖5中所述之顯示基板的俯視平面圖實質上類似於圖^中 所述之顯示基板之第-例示性實施例的俯視平面圖，且因 此將省略其詳細描述。 此外，圖5中所述之顯基 J乐一例不性實施例實督 上類似於圖2中所述之翮千其缸 n m ^ 顯不基板’但另外包括防變形層 210。因此’圖5中使用相pqA本也a 用相同參考數字來指稱與圖2中所示 142255.doc •24· 201022813 相同或相似之組件，且因此將省略其詳細描述。 參看圖2及圖5,顯示基板200包括底部基板1〇1。 在底部基板101之上表面上形成閘極線GL、閘電極GE、 儲存線STL、平坦化層122、閘極絕緣層120、通道層130、 資料線DL、源電極SE、汲電極DE、保護性絕緣層150及像 素電極PE。在底部基板ι〇1之下表面上形成防變形層21〇。 圖6A至圖6F為說明圖5之顯示基板的製造方法之截面 圖0 參看圖5及圖6A ’例如藉由CVD法、濺鍍法或其他類似 方法在底部基板1〇1之下表面上沈積防變形層21〇。替代性 例示性實細)例包括可藉由諸如塗覆法、噴墨法、gravia塗 覆法及其他類似方法之多種塗覆技術在底部基板1〇1之下 表面上沈積防變形層210之組態。在一例示性實施例中， 防變形層210可包括有機絕緣層或無機絕緣層。在一例示 性實施例中’防變形層210可包括氮化矽（SiNx)及氧化矽 (SiOx)中之一者。 參看圖5及圖6B ’例如藉由CVD法、濺鍍法或其他類似 方法在底部基板1〇1上沈積閘極金屬層11〇。替代性例示性 實施例包括可藉由諸如塗覆法、喷墨法、gravia塗覆法及 其他類似方法之多種塗覆技術在底部基板i 〇丨上沈積閘極 金屬層110之組態。閘極金屬層11 〇之例示性實施例可包括 諸如以下金屬材料：鋁（A1)、銅、銀（Ag)、鋁（A1)合 金、銅（Cu)合金、銀（Ag)合金及其他具有類似特徵之材 料。 142255.doc -25- 201022813 在底部基板101之下表面上沈積之防變形層210施加有張 應力，且閘極金屬層110亦施加有張應力。 此處’防變形層210之張應力意謂使上面形成有防變形 層210之底部基板101的兩個末端部分向底部基板ι〇1之與 使上面形成有閘極金屬層110之底部基板1〇1的兩個末端部 分彎曲之彎曲力相反的方向彎曲之彎曲力。 因此’因為以相反方向彎曲之力係對底部基板1〇1之中 心部分施加’所以底部基板1 〇 1不會向其任一側彎曲。 此處’形成防變形層210之氮化石夕（SiNx)及氧化石夕（Si〇x) ❿ 層可由於諸如沈積壓力等之外部條件而施加有張應力或壓 應力。在第二例示性實施例中，防變形層2丨〇可施加有張 應力。 圖6C至圖6F中所述之顯示基板的第二例示性實施例之製 造方法與圖3C至圖3F中所述之顯示基板的第一例示性實施 例之製造方法實質上相同，但另外形成防變形層21〇。因 此’圖6C至圖6F中使用相同參考數字來指稱與圖3C至圖 3F中所示相同或相似之組件，且因此將省略其詳細描述。〇 根據本發明之第二例示性實施例，當閘極金屬層丨丨〇以 較大厚度沈積時，沈積對應於閘極金屬層u〇之防變形層 210’從而可防止由較厚厚度之閘極金屬層ιΐ〇引起的底部 基板101之彎曲。 此外，製造大厚度之閘極金屬層11〇,從而降低信號線 之電阻。用於建構大型顯示基板之雙閘極結構可基於閘極 金屬層110之低電阻實現為單閘極結構，從而可增加孔徑 142255.doc -26- 201022813 比。 〈例示性實施例3> 圖7為說明本發明之第三例示性實施例的顯示基板的截 面示意圖。 圖7中所述之顯示基板的第三例示性實施例之平面圖與 圖1中所述之顯示基板的第一例示性實施例之平面圖實質 ' 上相同，且因此省略其詳細描述。 此外圖7中所述之顯示基板的第三例示性實施例與圖2 ® 中所述之顯示基板實質上相同，但另外包括防變形層 310。因此，圖7中使用相同參考數字來指稱與圖2中所示 相同或相似之組件’且因此將省略其詳細描述。 參看圖2及圖7，顯示基板3 〇〇包括底部基板1〇ι。 在底部基板101之上表面上形成防變形層31〇、閘極線 GL、閘電極GE、儲存線STL、平坦化層122、閘極絕緣層 120、通道層130、資料線DL、源電極SE、汲電極1^、保 ^ 護性絕緣層150及像素電極pe。 在底部基板101之上表面上形成防變形層31〇。 在本發明之例示性實施例中，閘極線GL在防變形層31〇 ' 上在第一方向DI1上延伸。 . 閘電極GE可與閘極線Gl之一部分連接^替代性例示性 實施例包括閘電極GE可自閘極線GL突出的組態。在一例 示性實施例中’儲存線STL可實質上平行於閘極線GL形 成。替代性例示性實施例包括儲存線StL可實質上平行於 資料線DL形成之組態。儲存線STL像素區域p中形成之像 142255.doc •27· 201022813 素電極PE重疊，使得彼此重疊之儲存線STL及像素電極PE 可形成儲存電容器。 圖8A至圖8F為說明圖6之顯示基板的製造方法之例示性 實施例的截面示意圖。 參看圖7及圖8A，例如藉由CVD法、濺鍍法或其他類似 方法在底部基板101之上表面上沈積防變形層31〇。替代性 - 例示性實施例包括可藉由諸如塗覆法、噴墨法、gravia塗 覆法或其他類似方法之多種塗覆技術在底部基板1〇1之上 表面上沈積防變形層3 10之組態。在一例示性實施例中， _ 防變形層310可包括有機絕緣層或無機絕緣層。在一例示 性實施例中’防變形層310可包括氮化矽（SiNx)、氮化鈦 (TiNx)、氮化錮（MoNx)、氧化矽（si〇2)、氧化銅（Cu〇x)、 氮化銅（CuNx)、ITO、IZO及其他具有類似特徵之材料中 之一者。 參看圖7及圖8B，例如藉由CVD法、濺鍍法或其他類似 方法在防變形層3 10上沈積閘極金屬層丨1〇。替代性例示性 實施例包括可藉由諸如塗覆法、喷墨法、gravia塗覆法或 〇 其他類似方法之多種塗覆技術在底部基板1〇1上沈積閘極 金屬層uo之組態。閘極金屬層110之例示性實施例可包括 諸如以下金屬材料：鋁（A1)、銅（Cu)、銀（Ag)、鋁（A1)合 金銅（Cu) a金、銀（Ag)合金或其他具有類似特徵之材 料。 參看圖7及圖8c’在閘極金屬層ι1〇上形成光阻層，且接 著使該光阻層部分曝光。此處，在底部基板101上安置遮 142255.doc 201022813 罩，其包括與形成第一導電圖案之閘極線GL、閘電極gER 及儲存線STL對應之阻光部分。因此，保留光阻層，其對 應於因阻光部分產生之未曝光區域。亦即，使經曝光之光 阻層顯影以形成第一光阻圖案。使用閘極金屬層i ι〇上形 成之第一光阻圖案作為蝕刻終止層同時蝕刻閘極金屬層 110及防變形層310，從而在底部基板1〇1上形成可形成第 一導電圖案之閘極線GL、閘電極GE及儲存線STL。在上 述例示性實施例中，第一光阻圖案為正型光阻材料。替代 性例示性實施例包括第一光阻圖案可由負型光阻材料形成 之組態。 圖8D至圖8F中所述之顯示基板之製造方法的例示性實 施例與圖3D至圖3F中所述之顯示基板的製造方法實質上相 同’但另外形成防變形層3 1 〇。因此，圖8D至圖8F令使用 相同參考數字來指稱與圖3D至圖3F中所示相同或相似之組 件’且因此將省略其詳細描述。 在本發明例示性實施例中’在底部基板1 〇 i上沈積之防 變形層310具有壓應力，且閘極金屬層11〇施加有張應力。 防變形層310之壓應力意謂使上面形成有防變形層31〇之底 部基板101的兩個末端部分以朝向底部基板101中部之方向 彎曲的彎曲力。此外，向閘極金屬層11 〇施加之張應力意 謂使上面形成有閘極金屬層110之底部基板1〇1的兩個末端 部分以與向防變形層310施加之壓應力之方向相反的方向 彎曲的彎曲力》 因此，壓應力及張應力彼此抵消，從而可防止底部基板 142255.doc •29- 201022813 101向一個方向彎曲。 根據本發明之第三例示性實施例，當閘極金屬層110以 大厚度沈積時’沈積對應於閘極金屬層110之防變形層 310 ’從而可防止由.大厚度之閘極金屬層11〇引起的底部基 板101之脊曲。 此外’製造大厚度之閘極金屬層i 10，從而降低信號線 之電阻。用於大型顯示基板之雙閘極結構可基於閘極金屬 層11 〇之低電阻實現為單閘極結構，從而可增加孔徑比。 <例示性實施例4> 圖9為說明本發明之顯示基板之第四例示性實施例的截 面示意圖。 圖9中所述之顯示基板的俯視平面圖實質上類似於圖1中 所述之顯示基板之第一例示性實施例的俯視圖，且因此將 省略其詳細描述。 此外’圖9中所述之顯示基板的本發明例示性實施例與 圖2中所述之顯示基板的例示性實施例實質上相同，但另 外包括防變形層410。因此，圖9中使用相同參考數字來指 稱與圖2中所示相同或相似之組件，且因此將省略其詳細 描述。 參看圖2及圖9，顯示基板400包括底部基板101。 在底部基板101之上表面上形成防變形層41〇、閘極線 GL、閘電極GE、儲存線STL、平坦化層122、閘極絕緣層 120、通道層130、資料線DL、源電極se、没電極DE、保 護性絕緣層150及像素電極PE。 142255.doc -30· 201022813 在底部基板101之上表面上形成防變形層410。在本發明 之例示性實施例中，閘極線GL在防變形層410上在第一方 向DI1上延伸。在一例示性實施例中，閘電極ge可與閘極 線GL之一部分連接。替代性例示性實施例包括閘電極gE 可自閘極線GL突出之組態。在一例示性實施例中，儲存 線STL可實質上平行於閘極線GL形成。替代性例示性實施 例包括儲存線STL可實質上平行於資料線DL形成之組態。 儲存線STL與像素區域P中形成之像素電極pe重疊，使得 彼此重疊之儲存線STL及像素電極PE可形成儲存電容器。 圖10A至圖10F為說明圖9之顯示基板的例示性實施例的 製造方法之例示性實施例的截面示意圖。 參看圖9及圖10A，例如藉由CVD法、濺鍍法或其他類似 方法在底部基板101之上表面上沈積防變形層41〇。替代性 例示性實施例包括可藉由諸如塗覆法、喷墨法、gravia塗 覆法及其他類似方法之多種塗覆技術在底部基板1〇1之上 表面上沈積防變形層41 〇之組態。在一例示性實施例中， 防變形層410可包括有機絕緣層或無機絕緣層。在一例示 性實施例中，防變形層410可包括氮化矽（SiNx)及氧化矽 (SiOx)中之一者。 參看圖9及圖10B，在防變形層410上沈積閘極金屬層 110。在一例示性實施例中，藉由CVD法、濺鍍法或其他 類似方法沈積閘極金屬層11 〇。替代性例示性實施例包括 可藉由諸如塗覆法、噴墨法、gravia塗覆法及其他多種方 法之多種塗覆技術在底部基板101之上表面上沈積閘極金 142255.doc 31 201022813 屬層110之組態。在一例示性實施例中，閘極金屬層1丨〇可 包括諸如以下金屬材料：鋁（Α1)、銅（CU)、銀（Ag)、鋁（Α1) 合金、銅（Cu)合金、銀（Ag)合金及其他具有類似特徵之材 料。 在本發明例示性實施例中，在底部基板1〇1上沈積之防 變形層410施加有壓應力，且閘極金屬層n0施加有張應 力。此處，防變形層410之壓應力意謂使上面形成有防變 形層410之底部基板1〇1的兩個末端部分以朝向底部基板 101中部之方向彎曲的彎曲力。此外，閘極金屬層u〇之張 應力意謂使上面形成有閘極金屬層110之底部基板1〇1的兩 個末端部分以與向防變形層41〇施加之壓應力之方向相反 的方向彎曲的彎曲力。 因此，施加至底部基板1〇1之上表面的壓應力與張應力 彼此抵消，從而可防止底部基板1 〇 1向一個方向彎曲。 在本發明例示性實施例中，形成防變形層410之氮化矽 (SiNx)及氧化矽（Si〇x)層可判定為其是否因諸如沈積壓力 等之外部條件而具有張應力或壓應力之狀態。在第四例示 性實施例中’防變形層410可施加有壓應力。 圖10C至圖10F中所述之顯示基板之例示性實施例的製造 方法的例示性實施例與圖3C至圖3F中所述之顯示基板的製 造方法之例示性實施例實質上相同，但另外包括防變形層 410。因此，圖i〇c至圖l〇F中使用相同參考數字來指稱與 圖3C至圖3F中所示相同或相似之組件，且因此將省略其詳 細描述。 142255.doc -32· 201022813 根據本發明之第四例示性實施例，當閘極金屬層⑽以 大厚度沈積時，沈積對應於閘極金屬層110之防變形層 410，從而可防止由大厚度之閘極金屬層110引起的底部基 板101之彎曲。 . &外’製造大厚度之閘極金屬層110,從而降低信號線 之電阻。用於製造大型顯示基板之雙閘極結構可基於問極 金屬層110之低電阻實現為單閘極結構，從而可增加孔徑 比。 β 〈例示性實施例5> 圖11為說明本發明之顯示基板之第五例示性實施例的截 面示思圖。圖12為說明圖11之顯示基板之製造方法的例示 性實施例中所用之虛設光阻圖案及線形光阻圖案之局部俯 視平面圖。圖13Α至圖13D為說明圖12之虛設光阻圖案的 例示性實施例之各種形狀之俯視平面示意圖。圖14人至圖 14Η為說明圖11之顯示基板的例示性實施例的製造方法之 例示性實施例的截面示意圖。 圖11所述之顯示基板與圖1所述之顯示基板的第一例示 性實施例實質上相似。此外，圖11所述之顯示基板與圖2 ' 所述之顯示基板實質上相似，但在製造過程中進一步使用 . 虛設光阻圖案DPP。因此’圖11中使用相同參考數字來指 稱與圖2中所示相同或相似之組件，且因此將省略其詳細 描述。 參看圖11，顯示基板500包括底部基板1〇1。 在底部基板101之上表面上形成閘極線GL、閘電極GE、 142255.doc -33- 201022813 儲存線STL、平坦化層122、閘極絕緣層12〇、通道層i3〇、 資料線DL、源電極SE、汲電極DE、保護性絕緣層i5〇及像 素電極PE。 參看圖11至圖14A，藉由CVD法、濺鍍法或其他類似方 法在底部基板101之上表面上沈積閘極金屬層51〇。替代性 例示性實施例包括可藉由諸如塗覆法、喷墨法、塗 覆法及其他類似方法之多種塗覆技術在底部基板1〇1之上 表面上沈積閘極金屬層510之組態。閘極金屬層51〇之例示 性實施例可包括諸如以下金屬材料：鋁（A1)、銅（Cu)、銀 (Ag)、鋁（A1)合金、銅（Cu)合金、銀（Ag)合金及其他具有 類似特徵之材料。可在閘極金屬層510與底部基板1〇1之間 形成黏接層（未圖示）。黏接層可包括鉬（M〇)、鈦（Ti)、顧 欽（MoTi)、氧化銅（Cu〇)、翻鈮（M〇Nb)、鈷、錄 (Νι)、鋁（A1)及鈕（Ta)，及其他具有類似特徵之材料。黏接 層（未圖示）對包括玻璃材料之底部基板1〇1具有相對較高的 黏接特性’從而可補償閘極金屬層51〇對底部基板1〇1的低 黏接特性。 接著，在閘極金屬層510上形成光阻層，且使光阻層部 分曝光。此處，在底部基板101上安置遮罩，其包括對應 於开> 成第一導電圖案之閘極線GL、閘電極GE及儲存線 STL之線形阻光部分及對應於除第一導電圖案之外的其餘 部分的虛設阻光部分。 參看圖11至圖14B所述之例示性實施例’虛設光阻圖案 DPP及線形光阻圖案LPP可包括正型光阻材料。在該例示 142255.doc -34- 201022813 性實施例中，光阻層由於線形阻光部分而未曝光且虛設阻 光部分可保留。 亦即，使經曝光之光阻層顯影以形成虛設光阻圖案Dpp 及線形光阻圖案LPP。此處，線形光阻圖案Lpp可用於形 成閘極線GL、閘電極GE及儲存線STL。此外，虛設光阻 圖案DPP可起增強蝕刻特徵之作用，使得閘極線GL、閘電 極GE及儲存線STL之錐度角為約80度至約9〇度。在一例示 性實施例中，虛設光阻圖案DPP之線寬可為約3 μπι至約4 μιη。 圖12所述之虛設光阻圖案Dpp的例示性實施例具有複數 個分支由水平肢狀物（limb)彼此連接的形狀。再次參看圖 13A至圖13D，虛設光阻圖案Dpp之例示性實施例可具有多 種形狀，其中包括不同尺寸之矩形肢狀物及分支，包括不 同尺寸之環帶，包括不同尺寸之V形分支及肢狀物等。 參看圖11至圖14C，使用閘極金屬層51〇上形成之線形光 阻圖案LPP作為蝕刻終止層來蝕刻閘極金屬層51〇，從而在 底部基板101上形成可形成第一導電圖案之閘極線(}[、閘 電極GE及儲存線STL。 亦即’移除除了安置於線形光阻圖案LPp下方的閘極金 屬層510之外的閘極金屬層51〇。可在安置於線形光阻圖案 LPP下方之閘極金屬層51〇中形成小於線形光阻圖案Lpp之 小區域’且該小區域稱為底切。 此處，因為虛設光阻圖案DPP之線寬小，所以在蝕刻製 程期間由底切移除安置於虛設光阻圖案Dpp下方之幾乎全 I42255.doc •35- 201022813 部虛設金屬層5 15。 參看圖11至圖14D，移除虛設光阻圖案DPP及線形光阻 圖案LPP。此處，亦可移除在虛設光阻圖案DPP下方之虛 設金屬層515剩餘部分。因此，在底部基板1〇1上形成之閘 極線GL、閘電極GE及儲存線STL保留。此處，閘極線 GL、閘電極GE及儲存線STL之厚度可為約〇·5 μιη至約3.0 μηι。 參看圖11至圖14Ε，在上面形成有第一金屬圖案之底部 基板上形成平坦化層122。在一例示性實施例中，平坦化 層可包括有機材料。在顯示基板採用較厚閘極線之例示性 實施例中，可在閘極線與閘極絕緣層之間形成平坦化層從 而減少步級誘發之缺陷。 參看圖11及圖14Ε，移除對應於第一金屬圖案之平坦化 層122之區域。 在一例示性實施例中，未覆蓋閘極線GL、閘電極GE及 儲存線STL之平坦化層122接收穿過底部基板101背表面之 光。經曝光之平坦化層122保留，同時移除對應於為不透 明金屬層之閘極線GL、閘電極GE及儲存線STL之平坦化 層之部分。 因此’平坦化層122之厚度與閘電極ge及儲存線STL之 厚度實質上相同。 根據第五例示性實施例，閘極線GL、閘電極GE及儲存 線STL之錐度角可為約8〇度至約9〇度。因此，當移除對應 於閘極線GL、閘電極GE及儲存線STL之平坦化層122時， 142255.doc •36· 201022813 在平坦化層122、閘極線GL、閘電極GE及儲存線STL之間 可能不產生間隙。因此，在為了形成閘極線而進行之圖案 化製程的後續製程期間，可防止由步級差產生之缺陷。 參看圖11至圖14G，形成閘極絕緣層120。閘極絕緣層 120之例示性實施例可包括氮化矽（SiNx)、氧化矽（Si〇2)及 其他具有類似特徵之材料。 • 參看圖11至圖14H，在上面形成有閘極絕緣層12〇之底部 基板101上形成包括半導體層丨31及歐姆接觸層U2之通道 ® 層13〇。在一例示性實施例中，半導體層131為摻雜有高濃 度N型摻雜劑之非晶石夕掺雜層，且歐姆接觸層132為非晶梦 (a-Si)層。 在通道層130上形成資料金屬層丨40，且使用資料金屬層 140形成包括資料線DL、源電極SE及汲電極DE之第二導電 圖案。資料金屬層140之例示性實施例可包括鉻（Cr)、鉻 (Cr)合金、鉬（Mo)、鉬鈉（MoNa)、鉬鈮（MoNb)、鉬（Mo)合 金、銅（Cu)、銅（Cu)合金、銅鉬（CuM〇)合金、鋁（A1)、鋁 (A1)合金、銀（Ag)、銀（Ag)合金及其他具有類似特徵之材 料。 • 在本發明例示性實施例中，經由一遮罩形成通道層13 〇 ' 及資料金屬層140 ’從而在第二導電圖案下方形成通道層 13 0。替代性例示性實施例包括通道層13 〇及資料金屬層 140可經由不同遮罩製程形成以僅在閘電極ge上形成通道 層13 0的組態。 再次參看圖Π ’在資料金屬層14〇上形成保護性絕緣層 142255.doc -37- 201022813 1心保護性絕緣層15G之例示性實施例可具有如圖u所述 之單層結構或包括鈍化層及有機層且具有較厚厚度的雙層 結構。儘管上述例示性實施例論述單層結構及雙層結構， ，亦可利用諸如三層結構、四層結構之多層結構或—般熟 習此項技術者已知的任何其他組態以替代單層結構或與單 層結構結合。 穿過保護性絕緣層150形成暴露汲電極De之接觸孔c。 在一例示性實施例中，使用蝕刻法形成接觸孔c。在穿過 其形成接觸孔C的底部基板ιοί上形成透明導電層，且將透 明導電層圖案化以形成包括像素電極PE之第三導電圖案。 透明導電層之例示性實施例可包括光學透明且導電之材料 (諸如，ITO、IZO及其他具有類似特徵之材料）。 圖15A至圖15C為說明在顯示基板之第五例示性實施例 的製造方法之例示性實施例期間虛設光阻圖案Dpp及置於 虛設光阻圖案DPP下方之閘極金屬層的切割尺寸（「CD」） 斜紋隨時間變化的截面示意圖。 參看圖15A至圖15C，虛設光阻圖案DPP之線寬為約9 μιη。CD斜紋為虛設光阻之末端部分與剩餘閘極金屬層之 末端部分之間的距離。在本發明之第五例示性實施例中， 當在經蝕刻金屬層之側面檢視時錐度角為一斜面。在一例 示性實施例_ ’錐度角可為約80度至約90度。 當虛設金屬層5 1 5之蝕刻進行了約50%時，虛設光阻圖 案DPP及虛設金屬層515之形狀與圖15A中所示相似。此 處，虛設光阻圖案DPP與虛設金屬層515之間的CD斜紋可 142255.doc -38- 201022813 為約 4.3 μιη。 當虛設金屬層5 1 5之蝕刻進行了約70%時，虛設光阻圖 案DPP及虛δ又金屬層515之形狀與圖15Β中所示相似。此 處，虛設光阻圖案DPP與虛設金屬層5 15之間的CD斜紋可 為約 5.7 μιη。 * 當虛設金屬層515之蚀刻進行了約90%時，虛設光阻圖 • 案DPP及虛設金屬層515之形狀與圖15C中所示相似。此 處’虛設光阻圖案DPP與虛設金屬層5 1 5之間的CD斜紋可 參 為約7.5 μιη。 亦即’隨著钱刻製程進行，隨著虛設光阻圖案DPP之末 端部分與剩餘閘極金屬層之末端部分之間的距離CD斜紋 增加’認識到虛設金屬層5 1 5之尺寸減小。 當虛設光阻圖案DPP之線寬為約9 mm時，進行該量測。 然而，即使蚀刻製程進行了約5〇%，當虛設光阻圖案Dpp 之線寬為約4 μιη時’ CD斜紋可大於約4·3 μιη，亦即大於 φ 參考值0.4 μηι的值。因此，當形成閘極線GL、閘電極GE 及儲存線STL時，可同時移除安置於虛設光阻圖案dpp下 方之虛設金屬層515。此處，CD斜紋之參考值可為當蝕刻 ’ 製程進行了約50%時將移除整個虛設金屬層51 5之值。 因此’虛設金屬層515之錐度角保持為約80度至約9〇 度’從而可防止諸如閘極圖案化之後續製程期間之不平坦 化及產生步級差之缺陷。 在本發明之第五例示性實施例的製造方法之例示性實施 例中’為了防止顯示基板彎曲，可根據本發明之先前例示 142255.doc -39- 201022813 性實施例中之任一者進一步沈積防變形層。 <例示性實施例6> 本發明顯示基板之第六例示性實施例的載面示意圖與圖 11所述之第五例示性實施例之顯示基板的截面示意圖實質 上相同’且因此將省略其詳細描述。 圖16A為說明用於製造顯示基板之第五例示性實施例的 姓刻設備之截面示意圖。圖16B為說明蝕刻設備之例示性 實施例的喷嘴位置及自喷嘴喷灑之蝕刻溶液區域的俯視 圖。圖17A至圖17E為說明顯示基板之第六例示性實施例 的製造方法之例示性實施例的截面示意圖。 顯不基板之第六例示性實施例與顯示基板之第一例示性 實施例實質上相同，且將省略關於上述元件之任何進一步 說明。此外，顯示基板之第六例示性實施例與囷u所述之 顯示基板實質上相同，但在製造過程中由圖16A之蝕刻裝 置喷灑㈣溶液。因此，第六例示性實施例中使用相同參 考數字來指稱與圖U中所示相同或相似之組件，且因此將 省略其詳細描述。 參看圖16A及16B，蝕刻裝置_包括腔室㈠。、轉移單 兀620、化學品提供單元63〇及排放部分64〇。腔室_、轉 移單το 62G、化學品提供單元63Q及排放部分刚可包括汽 缸finder)、管、馬達、閥門、栗及各種其他相關組件。 腔室610經由轉移單开_ 早凡620接收顯示基板p，且界定使用 化學溶液選擇性濕或钻…1 \钱到形成於顯示基板p上之閘極金屬 層510的空間。 H2255.doc 201022813 在本發明例示性實施例中，轉移單元62〇為包括由複數 個馬達驅動之複數個滾筒的輸送機。轉移單元62〇安置於 腔室61〇之内部的下部以支撐顯示基板1>。轉移單元62〇在 腔室61〇之内部轉移顯示基板p，且接著在使用蝕刻化學溶 液蝕刻顯示基板P之閘極金屬層5丨〇的蝕刻製程期間轉移單 元620在腔室610内來回驅動顯示基板p。由於來回驅動， 蝕刻溶液可均勻喷灑在腔室610内具有大型尺寸之顯示基 板P的表面上。 化學品提供單元630安置於腔室610内由轉移單元620支 撐之顯示基板P的上方。化學品提供單元630包括自複數個 化學品容器（未圖示）接收化學溶液之總管63 6，該等化學品 容器可安置於腔室610之外側，複數個子管634自總管636 分支且在總管636與子管634之間安置複數個閥門（未圖 示）°沿每一子管636形成向基板表面喷灑蝕刻溶液之複數 個喷霧嘴632。在一例示性實施例中，分別在子管636之末 端形成喷霧嘴632。 此外’例示性實施例包括化學品提供單元63〇可進一步 包括複數個子泵（未圖示）的組態，其中該等子泵向總管及 子管634提供化學溶液。在本發明例示性實施例中，排放 部分640安置於腔室610之下部以將顯示基板之蝕刻剩餘物 質及剩餘化學溶液排放至腔室6 10之外部。 參看圖16B，每一喷嘴632向顯示基板p上喷灑蝕刻溶 液°在一例示性實施例中，喷嘴632經安置成彼此重疊。 在一例示性實施例中，將自第一喷嘴N1噴灑之蝕刻溶液 142255.doc -41 - 201022813 一顯示基板P。將自第二 二區域「區域2」中之顯 噴灑至第一區域「區域ld中之第一 喷嘴N2喷丨麗之姓刻溶液噴;麗至第二 示基板P上。將自第三喷嘴^^3噴灑之蝕刻溶液N3喷灑至第 三區域「區域3」中之顯示基板p上。 、N2及N3，餘刻溶液可 亦即’由於第一至第三噴嘴N1 喷灑至顯示基板P的整個區域上而無空缺區。 在一例示性實施例中，彼此相鄰之第一喷嘴Nl與第二喷 嘴N2之間的距離、彼此相鄰之第二噴#N2與第三噴嘴

在一例示性實施例中，第一噴嘴N1與第二噴嘴N2之間 的距離、第二噴嘴N2與第三噴嘴N3之間的距離及第三喷 嘴N3與第一喷嘴N1之間的距離可彼此相等。亦即，在一 例示性實施例中，第一噴嘴N1、第二喷嘴N2及第三喷嘴 N3可以正三角形形狀安置。 此外，在一例示性實施例中，第一至第三區域區域ι、 區域2及區域3之半徑可為約35 mm至約6〇 mm。 根據本發明之第六例示性實施例，蝕刻溶液可均勻噴灑 至顯示基板P的整個區域，從而可防止諸如在閘極圖案化 之後續製程時的非平坦化及產生步級差之缺陷，即使形成 具有較厚厚度之閘極金屬層510亦如此。 參看圖17A，例如藉由CVD法、濺鍍法或其他類似方法 在底部基板101之上表面上沈積閘極金屬層51〇。替代性例 示性實施例包括可藉由諸如塗覆法、喷墨法、gravia塗覆 142255.doc • 42- 201022813 法或其他類似方法之多種塗覆技術在底部基板101之上表 面上沈積閘極金屬層5 1 0之組態。 在一例示性實施例中，可在閘極金屬層51〇與底部基板 101之間形成黏接層（未圖示）。黏接層之例示性實施例可包 括鉬（M〇)、鈦（Ti)、鉬鈦（MoTi)、氧化銅（Cu0)、鉬鈮 (MoNb)、鈷（c〇)、鎳（Ni)、鋁'钽及其他具有類 似特徵之材料。 在閘極金屬層110上形成光阻層，且接著使光阻層部分 曝光。此處，在底部基板101上安置遮罩，其包括對應於 形成弟導電圖案之閘極線GL、閘電極GE及健存線STL· 之阻光部分。 因此，保留光阻層，其對應於因阻光部分產生之未曝光 區域。亦即，使經曝光之光阻層顯影以形成第一光阻圖 案。使用閘極金屬層110上形成之第一光阻圖案作為蝕刻 終止層來蝕刻閘極金屬層11〇,從而在底部基板1〇1上形成 可形成第一導電圖案之閘極線GL、閘電極6£及儲存線 STL ° 在本發明例示性實施例中，描述第一光阻圖案為正型光 阻材料。替代性例示性實施例包括第一光阻圖案可由負型 光阻材料形成之組態。 參看圖17B，在上面形成有第一導電圖案之底部基板1〇1 上形成平坦化層122。 參看圖17C，移除對應於第一導電圖案之平坦化層122。 參看圖17D ’在平坦化層122上形成閘極絕緣層 120且經 142255.doc -43- 201022813 其曝光第一導電圖案。 參看圖17E，在上面形成有閘極絕緣層120之底部基板 101上形成包括半導體層131及歐姆接觸層之通道層130。 在上面形成有通道層130之底部基板101上形成資料金屬 層14〇，且將資料金屬層140圖案化以形成包括資料線 DL'源電極SE及汲電極DE之第二導電圖案。 在本發明例示性實施例中，經由一遮罩形成通道層13 〇 及資料金屬層140’從而在第二導電圖案下方形成通道層 130。替代性例示性實施例包括通道層ι3〇及資料金屬層 _ 140可經由不同遮罩製程形成以僅在閘電極ge上形成通道 層13 0的組態。 在上面形成有資料金屬層140之底部基板上形成保護性 絕緣層150。保護性絕緣層150之例示性實施例可具有如圖 17E所述之單層結構或包括鈍化層及有機層且具有大厚度 的雙層結構。 穿過保護性絕緣層15 0形成暴露没電極DE之接觸孔C。 在一例不性實施例中，使用蝕刻法形成孔C。在穿過其形 · 成接觸孔C的底部基板101上形成透明導電層，且將透明導 電層圖案化以形成包括像素電極PE之第三導電圖案。 在本發明之第六例示性實施例的製造方法之例示性實施 J中為了防止顯示基板彎曲，可根據本發明之先前例示 實施例中之任一者進一步沈積防變形層。 此外，右笛丄/ I - 甘弟八例不性實施例之製造方法的例示性實施例 可根據第五例示性實施例進一步形成虛設光阻圖案 142255.doc • 44- 201022813

Dpp ’其保持閘極金屬層510之錐度角為約80度至約90度 以實現閘極圖案化之後續製程的平坦化。 根據本發明之例示性實施例，在底部基板上沈積具有壓 應力及張應力之材料，使得底部基板可接收對稱力。 因此，底部基板可不向其任一侧彎曲。此外，可製造大 厚度之閘極金屬層，從而可降低信號線之電阻。用於製造 大型顯示基板之雙閘極結構可基於閘極金屬層之低電阻實 現為單閘極結構’從而可增加孔徑比。 此外，虛設金屬層之錐度角保持為約8〇度至約9〇度，從 而可防止諸如閘極圖案化之後續製程時的不平坦化及產生 步級差之缺陷。 前述内容說明本發明且不應解釋為限制本發明。儘管已 描述本發明之一些例示性實施例，但熟習此項技術者將容 易地瞭解可在不顯著悖離本發明之新穎教示及優勢下對例 不性實施例作出許多修正。因此，所有該等修正意欲包括 在由申請專利範圍定義之本發明範疇内。在申請專利範圍 中，裝置加功能語句（means_plus_functi〇n clause)意欲涵蓋 本文描述為執行所述功能之結構，且不僅涵蓋結構等效物 而且亦涵蓋等效結構。因此，應理解前述内容說明本發明 且不應解釋為限於所揭示之特定例示性實施例，且對所揭 不之例不性實施例之修正以及其他例示性實施例意欲包括 錢附中請專利範圍之範相。本發明由以下中請專利範 圍定義，申請專利範圍之等效物欲包括於其中。 【圖式簡單說明】 142255.doc -45- 201022813 圖1為說明本發明之顯示基板之第〆例示性實施例的俯 視平面圖； 圖2為沿圖1之線M，截取的截面示意圖； 圖3A至圖3F為說明圖2之顯示基板的例示性實施例的製 造方法之例示性實施例的截面示意圖； 圖4為說明為了防止顯示基板之例示性實施例在其如圖 3 A至圖3F所示之製造過程中的彎曲缺陷而沈積之防變形層 之厚度的圖表； 圖5為說明本發明之顯示基板之第二例示性實施例的截 面示意圖； 圖6A至圖6F為說明圖5之顯示基板的例示性實施例的製 造方法之例示性實施例的截面示意圖； 圖7為說明本發明之顯示基板之第三例示性實施例的戴 面示意圖； 圖8 A至圖8F為說明圖6之顯示基板的例示性實施例的製 造方法之例示性實施例的截面示意圖； 圖9為說明本發明之顯不基板之第四例不性實施例的戴 面示意圖； 圖10 A至圖1 OF為說明圖9之顯示基板的例示性實施例的 製造方法之例示性實施例的截面示意圖； 圖11為說明本發明之顯示基板之第五例示性實施例的戴 面示意圖； 圖12為說明圖11之顯示基板的例示性實施例之製造方法 的例示性實施例中所用之虛設光阻圖案及線形光阻圖案之 142255.doc -46- 201022813 局部俯視平面圖； 圖13A至圖13D為說明圖12之虛設光阻圖案的例示性實 施例之各種形狀之俯視平面示意圖； 圖14A至圖14H為說明圖11之顯示基板的例示性實施例 的製造方法之例示性實施例的截面示意圖； 圖15 A至圖15C為說明在顯示基板之第五例示性實施例 的製造方法之例示性實施例期間虛設光阻圖案及置於虛設 光阻圖案下方之閘極金屬層的切割尺寸（r cd」）斜紋隨時 間變化的截面示意圖； 圖16A為說明用於製造顯示基板之第六例示性實施例的 钱刻設備之例示性實施例之截面示意圖； 圖16B為說明姓刻設備之例示性實施例的噴嘴位置及自 噴嘴噴灑之蝕刻溶液區域的俯視平面圖；及 圖17 A至圖17E為說明顯示基板之第六例示性實施例的 製造方法之例示性實施例的截面示意圖。 【主要元件符號說明】 100 顯示基板 101 底部基板 105 防變形層 110 閘極金屬層 120 閘極絕緣層 122 平坦化層 130 通道層 131 半導體層 142255.doc -47- 201022813 132 歐姆接觸層 140 資料金屬層 150 保護性絕緣層 200 顯示基板 210 防變形層 300 顯示基板 310 防變形層 400 顯示基板 410 防變形層 500 顯示基板 510 閘極金屬層 515 虛設金屬層 600 蝕刻裝置 610 腔室 620 轉移單元 630 化學品提供單元 632 喷霧嘴 634 子管 636 總管 640 排放部分 AREA1 區域1 AREA2 區域2 AREA3 區域3 C 接觸孔 142255.doc ·48· 201022813 參 DE >及電極 DI1 第一方向 DI2 第二方向 DL 資料線 DPP 虛設光阻圖案 GE 閘電極 GL 閘極線 LPP 線形光阻圖案 N1 第一喷嘴 N2 第二喷嘴 N3 第三喷嘴 Ι-Γ 線 P 像素區域/顯不基板 PE 像素電極 SE 源電極 STL 儲存線 TR 開關元件 142255.doc -49-

Claims (1)

1. 201022813 七、申請專利範圍： 一種顯示基板，其包含： 一底部基板； 安置於該底部基板之一下表面上的防變形層，其中 該防變形層向該底部基板施加一力以防止該底部基板彎 曲， 女置於該底部基板之一上表面上的閘極線； 女置於該底部基板上之資料線；及 女置於該底部基板上之像素電極。 2. 如凊求項1之顯不基板，其中該防變形層及該閘極線各 自施加有一張應力。 3. 如請求項2之顯示基板，其中該閘極線包含選自由鋁、 銅、銀、鋁合金、銅合金、銀合金及其組合組成之群的 至少一者。 如请求項2之顯示基板，其中該防變形層包含一有 緣層。 V 5. 如请求項2之顯示基板，其中該防變形層包含一無機絕 緣層。 6·如請求項5之顯示基板，其中該防變形層包含選自由氣 化矽、氧化矽及其組合組成之群的至少一者。 7. —種顯示基板，其包含： 一底部基板； 一安置於該底部基板之一上表面上的防變形層，其中 該防變形層向該底部基板施加一力以防止該底部基板彎 142255.doc 201022813 曲； 一安置於該防變形層上之閘極線； 一安置於該底部基板上之資料線；及 女置於該底部基板上之像素電極。 8. 9. 10. 11. 12. 13. 14. 如請求項7之顯示基板，其中該閘極線包含一向其施加 一張應力之金屬材料。 如请求項8之顯示基板，其中該防變形層包含一向其施 加一壓應力之材料。 如請求項9之顯示基板，其中該防變形層包含一無機 層。 如請求項10之顯示基板，其中該防變形層包含選自由氮 化石夕、氮減、、氧切、氧化銅、i化銅、氧 化銦錫、氧化銦鋅及其組合組成之群的至少一者。 如請求項9之顯示基板，其中該防變形層包含一有機 層。 一種製造一顯示基板之方法，該方法包含： 將-防變形層安置於一底部基板之一下表面上，其中 該防變形層向該底部基板施加—力以防止該底部基板弯 曲； 將一閘極金屬層安置於該底部基板之一上表面上； 將該閘極金屬層圖案化以形成一閘極線； 在該底部基板上跨越該閘極線安置一資料線丨及 在該底部基板上安置一像素電極。 如請求項13之方法’其中該防變形層及該閘極線各自施 142255.doc -2- 201022813 加有—張應力。 15·如請求項14之方法，其中該防變形層包含選自由紹、 銅、銀、铭合金、銅合金、銀合金及其組合組成之群的 至少一者。 16·如請求項13之方法，其中該閘極金屬層之圖案化進—步 包含： / 移除該防變形層。 17‘如請求項16之方法，其中該閘極金屬層之圖案化及該防 變形層之移除係由同一蝕刻溶液實質上同時進行。 18. 如請求項13之方法，其中該閘極金屬層之厚度為約1只爪 至約10 μηι。 19. 如請求項18之方法，其中該防變形層之厚度不超過該問 極金屬層之厚度的一半。 2〇·如請求項19之方法，其中該防變形層之厚度比該閘極金 屬層之厚度薄約1.34 μηι至約1.36 μπι。 21·如請求項13之方法，其進一步包含在該底部基板與該閘 極金屬層之間形成一黏接層。 22·如請求項21之方法，其中該黏接層包含選自由鉬、鈦、 鉬鈦'氧化銅、鉬鈮、鈷、鎳、鋁、钽及其組合組成之 群的至少一者。 23.如請求項13之方法，其進一步包含加熱上面形成有該防 變形層及該閘極金屬層之底部基板。 24·如請求項13之方法，其中該防變形層包含一有機絕緣 層0 142255.doc 201022813 25.如請求項24之方法’其中該有機絕緣層為一膜。 26·如請求項13之方法，其中該防變形層包含一無機絕緣 層。 27. —種製造一顯示基板之方法，該方法包含： 將一防變形層安置於一底部基板之一上表面上，其中 該防變形層向該底部基板施加一力以防止該底部基板彎 曲； 在該防變形層上安置一閘極金屬層； 將該閘極金屬層圖案化以形成一閘極線； 在該底部基板上跨越該閘極線安置一資料線；及 在上面形成有該資料線之底部基板上安置一像素電 ° 28. —種製造一顯示基板之方法，該方法包含： 將一閘極金屬層安置於一底部基板之一上表面上； 使用一對應於一閘極線之線形光阻圖案及一虛設光阻 圖案自該閘極金屬層形成一閘極線； 在該底部基板上跨越該閘極線安置一資料線. 在該底部基板上安置一像素電極；及 使用該虛設光阻圖案蝕刻該閘極線以具有一錐度角 29.如請求項28之方法，其進一步包含： 在該閘極線上安置一平坦化層； 藉由對該底部基板進行-背表面曝光製程以移除__ 應於該閘極線之平坦化層；及 —閘極絕緣層。 在該間極線及該平坦化層上安置 142255.doc -4- 201022813 其中該閘極線之厚度實質上厚於該 其中該閘極線之厚度為約〇5 4瓜至 32. 如請求項28之方法，其進—步包含當該閘極線形成時移 除對應於該虛設光阻圖案之閘極金屬層。 33. 如清求項28之方法，其中該虛設光阻圖案之線寬實質上 小於該閘極線之線寬。

   3〇.如請求項29之方法， 閘極絕緣層之厚度。 31.如請求項30之方法， 約 3 · 0 μ m 〇 34. 如請求項33之方法，其 具中該虛δ又先阻圖案之線寬為約3 μπι至約 4 μιη。 35. 如凊求項28之方法，其中兮虎讯| 丹f这虛s又光阻圖案之個別線之 的間距為約3 μπι至约3〇〇 μΓη。 曰 3 6.如請求項28之方法，其巾访„权姑λ从— 兵肀該閘極線之錐度角為約8〇 約90度。 爻主 37. 如請求項28之方法，其中番谜泌 Τ重複形成至少一種分支形狀以 形成該虛設光阻圖案。 38. 如請求項37之方法，其中該分支形狀包含邮、矩形 形及V形中之至少一者。 展 39. -種製造-顯示基板之方&，該方法包含： 將一開極金屬層安置於一底部基板之一上表面上； 自一噴嘴向一區域上嘖潘岛办, 匕巧上贺屬蝕刻溶液，其中該區域 來自相鄰噴嘴之蝕刻溶液噴灑之區域重疊； 、' 使用该蝕刻溶液將該閘極金屬層圖案化； 跨越-自該閘極金屬層圖案化之間極線安置—資 料 142255.doc 201022813 線；及 在該底部基板上安置一像素電極。 40. 如請求項39之方法，其中在該閘極金屬層圖案化期間使 用一對應於該閘極線之線形光阻圖案及一包括一分支形 狀之虛設光阻圖案。 41. 如請求項3 9之方法，其中相鄰喷嘴之間的距離為約0 nm 至約60 nm。 42. 如請求項39之方法，其中一經該蝕刻溶液噴灑之區域的 半徑為約35 mm至約60 mm。 142255.doc