TW201029208A - Microcrystalline silicon alloys for thin film and wafer based solar applications - Google Patents

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201029208 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明之實施例大體上係關於太陽能電池及其形成方 法。特別地，本發明之實施例係關於形成於薄膜與結晶 太陽能電池的波長選擇反射層。 【先前技術】 結晶矽太陽能電池和薄膜太陽能電池為兩種太陽能電 池。結晶矽太陽能電池一般採用單晶基板（即純矽單晶基 板）或多晶石夕基板（即多晶或聚石夕）。附加膜層沉積在妙基 板上，以增進光獲量、形成電路並保護裝置。薄膜太陽 能電池使用材料薄層’其沉積在適合之基板上而構成一 或多個p-n接合區。適合之基板包括玻璃、金屬和聚合 物基板。 為擴展太陽能電池的經濟用途，必須改善效率。太陽 能電池效率與入射光轉換成有用電力的比率有關。為了 能用於更多應用，太陽能電池效率必須高於目前最好性 能約15。隨著能量成本提高’需有改良之薄膜太陽能 電池和在工廠環境中形成其之方法與設備。 【發明内容】 本發明之實施例提供形成太陽能電池的方法。一些實 施例提供一種製造太陽能電池的方法，包含形成導電層 201029208 至基板上、以及形成p型結晶半導體合金層至導電層 上。本發明-些實施例尚包括非晶形或本質型半導體 層、η型摻雜之非晶形或結晶層、緩衝層、變性摻雜層 和導電層。第二導電層可形成在η型結晶層上。 替代實施例提供一種形成太陽能電池的方法，包含形 成導電層至基板上、形成第一摻雜結晶半導體合金層至 導電層上、以及形成第二摻雜結晶半導體合金層至第一 摻雜結晶半導體合金層上。一些實施例尚包括未摻雜之 非Ba形或結晶半導趙層、緩衝層、變性捧雜層和導電層。 一些實施例還包括第三和第四摻雜結晶半導體合金層於 串疊接合面結構中。 另些實施例提供一種形成太陽能電池的方法，包含形 成反射層至半導體基板上、以及形成結晶接合面至反射 層上’其中反射層包含一或多個結晶半導體合金層。

本發明之實施例更提供光電裝置，包含反射層，其置 於第一 P_i_n接合區與第二p-i-n接合區間且内含複數個 穿孔，其中該複數個穿孔之每一穿孔是藉由在第二p-i-n 接合區形成於反射層前，移除反射層的部分材料而形成。 本發明之實施例更提供形成太陽能電池裝置的方法， 包含形成第一 p-i-n接合區於基板的表面，形成第一反射 層至第一 p-i-n接合區上，其中第一反射層選擇性將波長 約550奈米（nm)至約800nm的光反射回第一 p-i-n接合 區，以及形成第二p-i-n接合區至第一反射層上。 本發明之實施例更提供一種用以形成太陽能電池的自 4 201029208 動化與整合系統’包含適於沉積p型含發層至基板表面 的第一沉積腔室、適於沉積本質型含矽層和n型含矽層 至基板表面的第二沉積腔室、適於沉積η型反射層至基 板表面的第二沉積腔室、適於在η型反射層中形成複數 個穿孔的圓案化腔室、以及適於在第一沉積腔室、第二 沉積腔室、第三沉積腔室與圖案化腔室間傳送基板的自 動化輸送裝置。 本發明之實施例更提供一種用以形成太陽能電池的自 動化與整合系統，其包含第一叢集工具及第二叢集工 具，該第一叢集工具包含至少一適於沉積ρ型含矽層至 基板表面的處理腔室、至少一適於沉積本質型含矽層至 基板表面的處理腔室及至少一適於沉積η型含矽層至基 板表面的處理腔室，該第二叢集工具包含至少一適於沉 積η型反射層至基板表面的處理腔室及適於在第一與第 一叢集工具間傳送基板的自動化輸送裝置。 【實施方式】 薄膜太陽能電池一般是以許多不同方式將多種膜或層 放置在一起而組成。大部分用於此裝置的膜含有半導體 元素，其包含矽、鍺、碳、硼、磷、氮、氧、氫等。不 同的膜特徵包括結晶度、摻質種類、摻質濃度、膜折射 率、膜消光係數 '膜透明度、膜吸收率和導電率。一般 來說，這些膜大多是利用化學氣相沉積製程形成，其包 5 201029208 括若干離子化程度或電漿形成。 用於太陽能電池的膜 光電製程期間一般是由塊體半導體層（如含矽層）產生 電荷。塊體層有時也稱為本質層，以區別其與太陽能電 池中的各種播雜層。本質層可有任何預定結晶度此將 影響其光吸收特徵。例如，非晶形本質層(如非晶形矽) 通常會吸收來自不同結晶度之本質層（如微晶矽）的不同 波長光。基於此原因，大部分的太陽能電池使用兩種層， 以產生最寬的可吸收特徵。在一些例子中，本質層做為 二不同層型間的緩衝層，使二層間的光學性質或電性平 緩轉變。

矽和其他半導體可形成不同結晶度的固體。本質無結 晶度的固體為非晶形，具微量結晶度的矽稱為非晶形 矽。完全結晶矽稱為結晶、多晶或單晶矽。多晶矽為形 成許多由晶界隔開之晶粒的結晶矽。單晶矽為矽之單一 結晶。具部分結晶度的固體，結晶分率約5%至约％%， 被稱為奈米晶或微晶，其一般是指懸浮於非晶相的晶粒 尺寸。具大晶粒的固體稱為微晶，具小晶粒的固體則稱 為奈米晶。應注意，，結晶矽”一詞可指具任何晶相類型的 發’包括早晶和奈来晶碎。 第1圓為多重接合面太陽能電池1〇〇之一實施例的示 意圖’其定位朝向光源或太陽輻射1 〇丨。太陽能電池1 〇〇 包含基板102,例如玻璃基板、聚合物基板、金屬基板 或其他適合之基板，且具薄膜形成其上。太陽能電池ι〇〇 201029208 更包含一形成於基板102上之第一透明導電氧化物（TCO) 層104、一形成於第一 TCO層1〇4上之第一 p_i_n接合 區126。在一配置中，一波長選擇反射（WSR)層112形成 於第一 p-i-n接合區126上。一第二p-i-n接合區128形 成於第一 p-i-n接合區126上’ 一第二TCO層122形成 • 於第二p-i-n接合區128上’且一金屬背層124形成於第 二TC0層122上。在一實施例中，WSR層112置於第一 φ P-i_n接合區I26與第二p-i-n接合區US之間，且經配 置以具有改善光散射的膜性質並於所形成之太陽能電池 1〇〇中產生電流。此外，WSR層112亦提供一良好的p_n 穿随接合面’其具高導電率和影響其穿透與反射性質之 適當能帶隙範圍’藉以增進形成太陽能電池的光轉換效 率。WSR層112將進一步詳述於後。 為了經由加強光捕捉而改善光吸收，可利用渔式、電 漿、離子及/或機械處理來選擇性織構基板及/或形成於其 ® 上之一或多層薄膜。例如，在第j圖所示之實施例中， 第一 TC0層104經織構，且後續沉積其上之薄膜大致依 循底下表面的形貌。 第一 TC0層104和第三TC〇層122各自包含氧化踢、 氧化鋅、氧化銦錫、錫酸鎘、其組合物或其他適合材料。 應理解TCO材料尚可包括附加捧質和成分。例如，氧化 鋅更包括摻質，例如！g、鎵1和其他適合摻質。氧化 辞較佳包含5原子％或以下的摻質，更佳包含2.5原子％ 或以下的銘在一些例子中，基板1〇2由玻璃製造商提 201029208 供且已形成第一 TCO層104。 第一 p-i-n接合區126包含p型非晶形矽層1〇6、形成 於P型非晶形矽層106上之本質型非晶形矽層1〇8、和 . %成於本質型非晶形矽層124上之η型微晶矽層11〇。 • 在一些實施例中，ρ型非晶形矽層1〇6的形成厚度為約 60埃（Α)至約300Α。在某些實施例中，本質型非晶形矽 層108的形成厚度為約15〇〇α至約35〇〇α。在某些實施 • 例中，η型微晶矽層uo的形成厚度為約100Α至約40〇Α。 叙配置WSR層112於第一 ρ·ί_η接合區126與第二 p-i-n接合區128間，以具有一些預定膜性質。在此配置 下WSR層112主動做為具預定折射率或折射率範圍的 中間反射體，以反射來自太陽能電池1〇〇光入射邊所接 收的光。WSR層112還當作接面層，其增加第一 p小n 接合區126對短波長至中間波長光（如28〇nm至8〇〇nm) • 的吸收及改善短路電流，進而提高量子與轉換效率。wsr 層Π2更具有對於中間波長至長波長光（如5〇〇nm至 U〇〇nm)的高膜透射率，以協助光穿透到形成於接合區 128之層。另外，通常期WSR層112盡量不吸收光，而 將預疋波長之光（如短波長）反射回第一 p_i_n接合區I% 的各層，並讓預定波長之光（如長波長）穿透到第二pi_n 接合區128的各層。此外，WSR層112可具預定能帶隙 和高膜導電率’以有效傳導所產生之電流及容許電子從 第一 p-i-n接合區126流向第二p-i_n接合區128，並避 免阻斷所產生之電流。WSR層112期將短波長光反射回 8 201029208 第一 P_i_n接合區126,同時容許實質上所有的長波長之 光通過第一 pM-n接合區128。藉由形成對預定波長有高 膜透射率、低膜光吸收率、預定能帶隙性質（如寬能帶隙 範圍）和高導電率的|8尺層112，可改善整體太陽能電池 轉換效率》 在一實施例中，WSR層112為一種具有n型或p型摻 質配置於WSR層112内之微晶石夕層。在一例示實施例 中’ WSR層112為一種具有η型摻質配置於界8尺層η2 内之η型微晶矽合金。配置於WSR層U2内之不同摻質 也會影響WSR層的膜光學性質和電性，例如能帶隙、結 晶分率、導電率、透明度、膜折射率、消光係數等。在 一些例子中’一或多種摻質可摻雜到WSR層112的不同 區域，以有效控制及調整膜能帶隙、功函數、導電率、 透明度等。在一實施例中，控制WSR層112以具有約 1.4至約4之折射率、至少約2電子伏特（eV)之能帶隙和 南於約0.3S/cm之導電率。 在一實施例中，WSR層112包含η型摻雜之矽合金層， 例如氧化矽（SiOx、Si02)、碳化矽（SiC)、氮氧化矽 (SiON)、氮化矽（SiN)、氮化碳矽（SicN)、碳氧化矽 (SiOC)、氮化碳氧矽…(^…等。在一示例實施例中’ WSR層112為n型siON或SiC層。 第二P-i-n接合區128包含p型微晶矽層114,且在一 些情況下包含選擇性p_i緩衝型本質非晶形矽（piB)層 116’其形成於p型微晶矽層114上。接著，一本質型微 9 201029208 晶石夕層11 8形成於p型微晶矽層丨14上，且一 n型非晶 形矽層120形成於本質型微晶矽層118上。在某些實施 例中’ p型微晶矽層Π4的形成厚度為約i〇〇a至約 400A ^在某些實施例中，p_i緩衝型本質非晶形矽（piB) 層116的形成厚度為約5〇a至約500A。在某些實施例 中’本質型微晶矽層118的形成厚度為約1 〇〇〇〇A至約 30000A。在某些實施例中，n型非晶形矽層12〇的形成 厚度為約ιοοΑ至約5〇oA。 金屬背層124包括選自由銘（A1)、銀（Ag)、欽（Ti)、鉻 (Cr)、金（Au)、銅（Cu)、始（Pt)、其合金和其組合物所組 成群組之材料’但不以此為限。可進行其他製程來形成 太陽能電池100，例如雷射切割製程。其他膜、材料、 基板及/或封裝可設於金屬背層124上，以完成太陽能電 池裝置。形成之太陽能電池可内接成模組，其進而連接 成陣列。 太陽輻射101主要由p-i-n接合區126、128的本質層 108、118吸收並轉換成電子電洞對。p型層ι〇6、114與 π型層110、120間產生延伸越過本質層108、118的電場， 促使電子流向η型層110、120’而電洞流向p型層1〇6、 114，因而產生電流。由於非晶形矽和微晶矽吸收不同波 長的太陽輻射101，故第一 p-i-n接合區126包含本質型 非晶形矽層108 ’且第二p-i-n接合區128包含本質型微 晶梦層11 8 »如此，形成之太陽能電池1 〇〇將捕捉更多 部分的太陽輻射光譜而更有效率。因非晶形石夕的能帶隙 201029208 比微晶碎大’故依先讓太陽轄射101照射本質型非晶形 矽層108並穿過WSR層112，然後照射本質型微晶矽層 118的方式堆疊非晶形矽和本質微晶層的本質層ι〇8、 118。未被第一 p_i_n接合區126吸收的太陽輻射持續穿 過WSR層112’並繼續行進至第二p_j_n接合區128。

本質型非晶形矽層108可藉由提供氫氣與矽烧氣體比 約20: 1或以下之混合氣體沉積而得。矽烷氣體的供應 流速為約〇.5每分鐘標準毫升/公升（sccm/L)至約 7sccm/L。氳氣的供應流速為約5sccm/L至約6〇sccm/L。 約15毫瓦/平方公分（mW/cm2)至約25〇mW/cm2之射頻 (RF)功率供給喷淋頭。腔室壓力維持在約0.1托耳至約 20托耳之間，例如約〇 5托耳至約5托耳。本質型非晶 形矽層108的沉積速度為約1〇〇埃/分鐘（A/min)或以上。 在一示例實施例中，本質型非晶形矽層1〇8以約12 5 : ! 之氫氣與發燒比沉積。 P-1緩衝型本質非晶形矽（PIB)層116可藉由提供氫氣 與矽烷氣體比約50 ·· 1或以下之混合氣體沉積而得，例 如小於約30:卜例如約2〇:1至約3〇:1，如約乃 石夕烧氣體的供應流速為約G 5seem/L至約5seem/L，例如 約2.3sCCm/L。氫氣的供應流速為約5sccm/L至約 8〇SCCm/L，例如約 2〇SCCm/L 至約 65sccm/L，如 57sCCm/L。約l5mW/cm2至約⑽讀/一之功率 約Μ—2)供給噴淋頭。腔室虔力維持在約（M托耳 至約2。托耳之間，較佳約。·5托耳至約5托耳，例如： 201029208 3托耳《 PIB層的沉積速度為約i〇〇A/min或以上。 本質型微晶石夕層118可藉由提供氫氣與矽烷氣體比約 2〇 . 1至約200 : i之混合氣體沉積而得。矽烷氣體的供 應流速為約〇.5sccm/L至約5sccm/L。氫氣的供應流速為 約4〇sccm/L至約4〇〇sccm/L。在某些實施例中，矽烷流 速於沉積期間從第一流速上升到第二流速。在某些實施 例中，氫氣流速於沉積期間從第一流速下降成第二流 速。在約1托耳至約1〇〇托耳之腔室壓力下較佳約3 托耳至約20托耳，更佳約4托耳至約12托耳，施加約 300mW/cm2或以上之RF功率（較佳6〇〇mW/cm2或以上） 通常會以約20〇A/min或以上之速度（較佳約5〇〇A/min) 沉積具有結晶分率約20%至約80%(較佳約55%至約75%) 的本質型微晶石夕層。在一些實施例中，沉積期間將施加 RF功率之功率密度從第一功率密度提高到第二功率密 度是有利的》 / 在另-實施例中，本質型微晶石夕層118可以多個步驟 沉積，其各具不同結晶分率。在一實施例中例如，氫 氣與矽烷比按四個步驟從1〇〇 : i減少成95 : t、9〇 : i 和85: i。在-實施例中’錢氣雜的供應流速為約 O.lsccm/L至約5sccm/L，例如約〇 97似眺。氫氣的供 應流速為約i〇sccm/L至約200sccm/L，例如約8(^咖几 至約U)5SCCm/L。在具有多個步驟之沉積(如四個步驟） 的例示實施例中，第一步驟的氫氣流速可先為約 97SCCm/L ’然後在後續處理步驟中逐漸減少成約 12 201029208 92sccm/L、88sccm/L 和 83sccm/L。在約 1 托耳至約 1〇〇 托耳之腔室壓力下（如約3托耳至約2〇托耳，例如約4 托耳至約12托耳’例如約9托耳），施加約3〇〇niW/cm2 或以上之RF功率（如約49〇mW/cm2)將以約2〇〇A/min或 以上之速度（如約40〇A/min)沉積本質型微晶矽層。 電荷收集一般是由摻雜半導體層提供，例如摻雜p型 或η型摻質之矽層型摻質通常為第ΠΙ族元素，例如 蝴或鋁。η型摻質通常為第ν族元素，例如磷、砷或錄。 在多數實施例中’硼做為ρ型摻質，磷做為η型摻質。 藉著把含爛或含填化合物納入反應混合物中，可將摻質 添加到上述ρ型和η型層1〇6、110、114、120。適合的 硼和磷化合物一般包含飽和與不飽和低級硼烷和膦寡聚 物。一些適合的硼化合物包括三甲基硼（B(CH3)3或 TMB)、二硼烷（B2H6)、三氟化硼（BF3)和三乙基硼 (B(C2H5)3或TEB)。膦是最常見的麟化合物。摻質通常 伴隨載氣供應，例如氫氣、氦氣、氬氣和其他適合氣體。 若以氫氣做為載氣，則其增加反應混合物的總氫氣量， 故氫氣比率包括用於摻質之載氣的氫氣。 摻質通常當作鈍氣的稀釋氣體混合，例如，載氣中提 供約0.5°/。莫耳或體積濃度的摻質。若欲於1.0sccm/L之 載氣中供應0.5%體積濃度的摻質，則產生之摻質流速為 0.005sccm/L。摻質供給於反應腔室的流速為約 0.0002sccm/L至約〇.lsccm/L，此視預定掺雜程度而定。 一般來說，摻質濃度維持在約1〇18個原子/立方公分至約 13 201029208 ι〇2ΰ個原子/立方公分之間。 在一實施例中，D刑鄉曰 P i微日日矽層114可藉由提 石夕烧氣體比約咖：1或以上之漏合氣體沉積 = 1隊1或以下，例如約250:1至約800:1，另= 為約601:1或約am.， 、401 . 1。矽烷氣體的供應流速為

Ok池至約〇.8sccm/L，例如約〇2sccm/L至約

〇.38SCCm/L。氫氣的供應流速為約6〇SCCm/L至約 500sccm/L，例如幼，/τ 如約143SCCm/L。ΤΜΒ的供應流速為約 〇._2SCCm/L 至約 0.0016sccm/L ，例如約 0.0(m5sccm/L。若於載氣中供應〇 5%莫耳或體積濃度的 TMB ’則摻質/載氣混合物的供應流速為約q』4seem/L至 約〇.32SCCm/L，例如約〇.23sCCm/L。在約1托耳至約1〇〇 托耳之腔至壓力下，較佳約3托耳至約2〇托耳，更佳約 4托耳至、約12托耳，例如約7托耳或約9托耳施加約 50mW/cm2 至約 700mW/cm2 之 RF 功率，如約 29〇mW/cm2 至約44〇〇mW/cm2將以約lOA/min或以上之速度（如約 /min戈以上）>儿積具有微晶層結晶分率約20%至約 80%(較佳約5〇%至約7〇%)的p型微晶矽層。 在一實施例中’ P型非晶形矽層106可藉由提供氫氣 與矽烷氣體比約20 : 1或以下之混合氣體沉積而得。矽 烧氣體的供應流速為約lsccm/L至約l〇sccm/L。氫氣的 供應流速為約5sccm/L至約60sccm/L。三曱基蝴的供應 流速為約〇.〇〇5sccm/L至約〇.〇5sccm/L。若欲於載氣中 供應0.5%莫耳或體積濃度的三甲基硼，則摻質/載氣混合 201029208 物的供應流速為約lsccm/L至約1〇sccm/L。在約〇【托 耳至約20托耳之腔室麼力下’較佳約】柁耳至約4托 耳，施加約15mW/cm2至約2〇〇mW/cm2之rf功率將以 約1 OOA/min或以上之速度沉積p型非晶形石夕層。 在-實施例中，η型微晶矽層11〇可藉由提供氫氣與 秒烧氣體比約100:丨或以上之混合氣體沉積而得例如 約500: i或以下，例如約15〇: i至約4〇〇:丨，如約3〇4: 1或約2〇3 : 1。矽烷氣體的供應流速為約〇 is_/L至 約〇.8Sccm/L，例如約0 32sccm/L至約〇 45咖城，如 約〇.35Sccm/L。氫氣的供應流速為約3〇sccm/L至約 25〇SCCm/L，例如約 68sccm/L 至約 143sccm/L，如約 71-43sCCm/L。膦的供應流速為約〇 〇〇〇5sccm/L至約

〇.〇〇6SCCm/L，例如約 〇.〇〇25sccm/L 至約 〇 〇i5sccm/L， 如約0.005SCCm/L。換言之，若欲於載氣中供應〇5%莫 耳或體積濃度的膦，則摻質/載氣的供應流速為約 〇.lsccm/L 至約 5sccm/L，例如約 〇.5sccm/L 至約 〇.3sccm/L，如約 〇.9sccm/L 至約 l_〇〇8sccm/L。在約 1 托 耳至約100托耳之腔室壓力下’較佳約3托耳至約2〇托 耳，更佳約4托耳至約12托耳，例如約6托耳或約9托 耳’施加約10〇mW/cm2至約900mW/cm2之rf功率（如 約370mW/cm2)將以約5〇A/min或以上之速度（如約 15〇A/min或以上）沉積具有結晶分率約2〇。/〇至約8〇%(較 佳約50%至約70%)的n型微晶矽層。 在一實施例中，η型非晶形矽層120可藉由提供氫氣 15 201029208 與矽烷氣體比約20 : 1或以下之混合氣體沉積而得，例 如約5.5.1或7.8:1«>矽烷氣體的供應流速為約〇13(；(；111/]^ 至約 10sccm/L ’ 例如約 iscem/L 至約 i〇sccm/L、約 〇.lsccm/L 至約 5sccm/L、或約 〇.5sccm/L 至約 3sccm/L， 如約1.42sccm/L或5.5sccm/L。氫氣的供應流速為約 lsccm/L 至約 40sccm/L，例如約 4sccm/L 至約 40sccm/L、 或約 lsccm/L 至約 10sccm/L，如約 6.42sccm/L 或 27sccm/L。膦的供應流速為約〇 〇〇〇5sccm/L至約

0.075sccm/L，例如約 〇.〇〇〇5sccm/L 至約 〇.〇〇i5sccm/L、 或約 0.015sccm/L 至約 〇.〇3sccm/L，如約 〇.〇〇95sccm/L 或0.023sccm/L)。若於載氣中供應〇.5%莫耳或體積濃度 的膦’則摻質/載氣混合物的供應流速為約〇 lsccm/L至 約 15sccm/L，例如約 〇.lsccm/L 至約 3sccm/L、約 2sccm/L 至約15sccm/L、或約3sccm/L至約6sccm/L，如約 1.9sccm/L至或約4.71sccm/L。在約0.1托耳至約2〇托 耳之腔室壓力下，較佳約0.5托耳至約4托耳，例如約 1.5托耳’施加約25mW/cm2至約250mW/cm2之RF功率 (如約60mW/cm2或約80mW/cm2)將以約ιοοΑ/min或以 上之速度’如約200A/min或以上，例如約30〇A/min或 約600A/min之速度沉積η型非晶形石夕層》 在一些實施例中’可經由高速供應摻質化合物，以重 捧雜或變性換雜各層，例如以上述配方的上限速度。變 性摻雜被認為可提供低電阻接觸接合面而改善電荷收 集，變性摻雜亦被認為可提高某些層（如非晶形層）的導 16 201029208 電率

些實施例中，可採用石夕與其他元素（如氧、碳、氮、 風和錯）的。金。經由反應混合氣體補增各來源這些其 他X素可加入矽膜中。矽合金可用於任何類型的矽層， 匕括P里η型、pIB、WSR層或本質型秒層。例如，藉 著把碳源(如甲烧陶)加到混合氣體，可將碳加入梦 膜。般來說’ CVC4碳氫化合物大多可做為碳源。或者， 此技藝熟知的有機矽化合物可做為矽源與碳源例如有 機石夕烷、有機發氧炫、有機石夕醇等。錄化合物（如錯烧和 有機鍺烷）和含矽與鍺之化合物（如矽基鍺烷或鍺基矽烷） 可做為鍺源。氧氣(02)可做為氧源。其他氧源包括氮氧 化物（一氧化二氮（N2〇)、一氧化氮（N0)、三氧化二氮 (N2〇3)、二氧化氮（N〇2)、四氧化二氮（ν2〇4)、五氧化二 氮（Νζ〇5)和三氧化氮（Ν〇3))、過氧化氫（Η2〇2)、一氧化碳 (CO)或二氧化碳（C〇2)、臭氧（〇3)、氧原子、氧自由基、 和醇類（ROH ’其中R為任何有機或異有機自由基），但 不以此為限。氮源包括氮氣（N2)、氨（NH3)、聯氨（N2H2)、 胺類（RXNR’3_X，其中X為0-3，R和R’個別為任何有機 或異有機自由基）、醯胺（(RCO)xNR’3-x，其中X為0-3， R和R’個別為任何有機或異有機自由基）、亞醯胺 (RCONCOR，，其中R和R’個別為任何有機或異有機自由 基）、烯胺，其中RrRs個別為任何有機 或異有機自由基）、和氦·原子與自由基。 應注意在許多實施例中，預洗製程可用來製備基板及/ 17 201029208 或反應腔室供上層沉積。可施行氫氣或氬氣電漿預處理 製程’經由供應約l〇sccm/L至約45sccm/L的氫氣或氯 氣至處理腔室，例如約15sccm/L至約40sccm/L，如約 20scem/L至約36sccm/L，以移除基板及/或室壁上的污 • 染物。在一實例中’氫氣的供應量為約21SCcm/L，或者 氬氣的供應量為約36sccm/L。藉由施加約1〇Inw/cm2至 約250mW/Cm2之RF功率（如約25mW/cm2至約 • 25〇mW/cm2)可完成處理，例如用於氫氣處理為約 60mW/Cm2或約80mW/cm2 ’而用於氬氣處理為約 25mW/cm2。在許多實施例中’沉積p型非晶形矽層之前 進行氬氣電漿預處理製程、及沉積其他類型層之前進行 氫氣電漿預處理製程是有利的。

在一實施例中，WSR層112為一 n型結晶矽合金層， 其形成在η型微晶矽層110上。霤8尺層112的n型結晶 矽合金層可為微晶、奈米晶或多晶。η型結晶矽合金WSR • I U2含有合金元素，例如碳、氧、氮或其任何組合物。 其可沉積成單-同質層、具一或多種漸變特徵的單層， 或層堆叠結構。漸變特徵包括結晶度、摻質濃度(如磷)、 合金材料（如碳、氧、氮）漠度、或諸如介電常數、折射 率、導電率或能帶隙等其他特徵。,型結晶石夕合金職 層U2包含n型碳化梦層、n型氧化石夕層、n型氮化梦層、 η型氮氧化矽層、η型碳氧化矽層及，或η型氮氧碳化矽 層。 η型結晶梦合金讀層112的次要成分量可偏離化學 18 201029208 計量比若干程度。例如，n型碳化矽層可含約1原子％至 約5〇原子％的碳。同樣地，n型氮化矽層可含約^原子 %至約50原子％的氮。n型氧化矽層可含約！原子％至約 5〇原子％的氧。纟包含一種以上次要成分的合金中次 要成分含量可為約i原子％至約5〇原子％，矽含量可為 約50原子％至約99原子％β藉由調整處理腔室内的前驅 物比例’可調整次要成分量。比例可—步步調整而形成 分層結構、或連續調整而形成漸變單層。

含碳氣體（如甲烷（CH4))可加入η型微晶矽層的反應混 合物中，以形成η型微晶碳化矽WSR層U2。在一實施 例中，含碳氣體流速與矽烷流速的比率為約〇至約〇5， 例如約0.20至約〇.35，如約〇25。改變進料中的含碳氣 體與矽烷比率，可調整沉積膜的碳含量。WSR層ιΐ2可 沉積成多層，其各具不同碳含量，或可連續調整沉積WSR 層112各處的碳含量。再者，可同時調整及逐漸改變wsr 層U2的碳和摻質含量。將WSR層112沉積成多個堆疊 層的好處在於，所形成之多層中，各層可有不同的折射 率而容許多層堆疊結構當作布拉格（Bragg)反射器操 作，有效提高WSR層112於預定波長範圍的反射率，例 如短波長到中間波長。 如上所述，η型結晶矽合金WSR層112具備數個優點。 例如’ η塑結晶矽合金wsr層112可設在太陽能電池的 至少三處，例如做為半反射中間反射層、第二WSR反射 趙（如第6B圈元件符號512)或當作接面層。η型結晶矽 19 201029208 合金wSR層112做為接面層可促進第—…接合區… 對短波長光的吸收並改善短路電流，進而提高量子 換效率。另外，η型結晶砍合金慨層u2具有預 學和電性膜性質’例如高導電率、能帶隙和折射率，以 得預定反射率與透射率。例如，微晶碳化Μ長成牡曰 分率大於㈣、能帶隙寬度大於2電子伏特（ev)且導= 率高於0.CH西門子/公分（s/cm)。再者，其沉積速度可為 約15〇_2〇〇A/min或以上、厚度差異小於⑽。藉由改變 反應混合物的含碳氣體與錢比率，可調整能帶隙和折 射率。調整折射率能形成具高導電率和寬能帶隙的反射 層’因而改善所產生之電流。 第2圖為根據本發明另一實施例之單一接合面薄膜太 陽能電池200的側視圖。第2圖實施例與第ι圓實施例 不同之處在於包括P型結晶發合金層206設於第i圖p 型非晶形矽層106與第一 TC〇層1〇4間。或者p型結 晶石夕合金層206為變性換雜層，其具有重換雜合金層2〇6 的P型摻質。故第2圖實施例包含基板2〇1，其上形成 導電廣2〇4,例如類似第1圖第一TCO層104的TC0層。 如上所述’卩型結晶矽合金層206形成在導電層204上。 P里…SB $ σ金層2G6因較少摻雜而有改善的能帶隙、 大致比變性摻雜層小的可調折射率、高導電率，又因包 括合金成分而能抵抗氧攻擊。藉著形成Ρ型非晶形矽層 208、ΡΙΒ層210、本質型非晶形矽層212和^型非晶形 梦層214 ’於ρ型結晶石夕合金層2〇6上形成口小打接合區 20 201029208 220。此即完 战弟2圖太陽能電池200 ’類似前述實施例， 、 類似第1圖WSR層Π2的η型結晶矽合金層216, 和類似第1固i办

固导電層122、124之可為金屬或金屬/TCO 堆疊結構的笛-播 傅的第一導電層218。 第圓為根據本發明又一實施例之串叠接合面薄膜太 陽能電池、 的側視圖。第3圖實施例與第1圖實施例 不同之處在於句把哲

匕枯第一 p型結晶矽合金層3 06設於第一 導電層3〇4愈· nflilju

丹p型非晶形矽合金層308間。或者，第一 P型結晶梦合I

σ f增306也可為變性摻雜之ρ型非晶形矽 、中形成之非晶形碎層内含p型摻質。在一實施例 t如第3圖所示’類似前述實施例之基板，基板301 。含導電層304、帛-P型結晶矽合金層306、p型非晶 形夕口金層3 08和第一 piB層31〇形成於上第一 piB 層3 10為選擇性形成。在_實例中，藉著形成本質非晶 形石夕層312、n型非晶形碎層314於導電| 304上、第-P型結明矽合金層306和P型非晶形矽合金層308，以完 成串疊接合面薄臈太陽能電、池則的第-p_in接合區 328 WSR層316形成在第—p i n接合區328與第二ρ+η 接口區330之間。第：p小n接合區33〇接著形成在wsr 層316上且包括第二p型結晶矽合金層Mg、第二pm 層320本質結晶矽層322和第^ n型結晶矽合金層 324。第二p-i'n接合區類似第1圖太陽能電池100的第 p-1-ri接合區128。類似第 叫 ^ X X ^ * VV oiv yy 316為η型結晶梦合金，立j 八也成在第一 ρ-ι-η接合區328 21 201029208 上。藉由第二n型結晶矽合金層324上增設第二接觸層 326,以完成太陽能電池30(^如上所述，第二接觸層326 可為金屬層或金屬/TCO堆疊層。 第4圖為根據本發明再一實施例之結晶太陽能電池 400的側視圖。第4圖實施例包含半導體基板402，其上 形成結晶矽合金層404。結晶矽合金層404可依所述任 何實施例和配方形成，且可為單一合金層或多層合金層 堆疊結構。如上所述，結晶矽合金層404具可調整的低 折射率’並可建構來提南反射率’而容許結晶梦合金層 404當作形成於其上之結晶太陽能電池4〇6的背部反射 層。在第4圖實施例中，結晶矽合金層4〇4可形成任何 厚度’此視層結構而定。單層實施例的厚度為約5〇〇入 至約5〇ooA，例如約ιοοοΑ至約200〇a，如約15〇〇A。 多層結構的特色在於厚度約1 〇〇A至約1 的多層β 第5Α圖為根據本發明另一實施例之串疊接合面薄膜 太陽能電池500的側視圖。第5Α圖實施例類似第t圖結 構’包括置於基板102上的第—TCO層1〇4和二所形成 之p-i-n接合區508、510。WSR層112置於第一 p_i n 接合區508與第二p-i-n接合區之間。在一實施例 中，WSR層112為η型摻雜之矽合金層，例如二氧化矽 (si〇2)、碳化矽（sic)、氮氧化矽（si0N)、氮化矽（SiN)、 氮化碳矽（SiCN)、碳氧化矽（Si〇c)、氮化碳氧矽 等。在-示例實施例中，WSR層112為1 s咖層或 SiC 層。 22 201029208 此外，第二WSR層5 12(例如，或者稱為背部反射層） 亦置於第二p-i-n接合區510與第二TCO層122或金屬 背層124之間。第二WSR層512的膜性質類似上述第— WSR層112。正如第一 WSR層112期將短波長光反射回 第一 p-i-n接合區508’並讓長波長光通過第二p_i_n接 合區510，配置第二WSR層512以將長波長光反射回第 二p-i-n接合區5 10，且具低電阻以促進電流流通到第二 WSR層512。在一實施例中’第二WSR層512具高膜導 電率和低折射率以得高膜反射率，且與第二TCO層122 間有低接觸電阻。因此，期形成與相鄰層間有低接觸電 阻並具低折射率和高反射率之第二WSR層512。在此實 施例中，第二WSR層512包含碳摻雜之η型矽合金層 (SiC) ’因SiC層的導電率通常比η型氮氧化矽（Si〇N)層 高。在一些情況下，第一 WSR層112或第二WSR層512 由η型SiON層組成’因n型Si〇N層的折射率通常比n 型SiC層低。 在一實施例中，第一賈811層U2的折射率期為約14 至約4,例如約2’·第二WSR層512的折射率期為約！ 4 至約4,例如約^第一 WSR層112的導電率期為約高 於10-9S/cm，第二WSR層5丨2的導電率期為約高於 HT4S/cm。 類似第1圓第一 p-i-n接合區126，第一 p小n接合區 508包括p型非晶形矽層106、本質型非晶形矽層1〇8和 η型微晶矽層110 ^類似第2及3圖結構，變性摻雜之p 23 201029208 型非晶形矽層502(重摻雜之P型非晶形矽層）形成在導電 層104上。另外’ η型非晶形矽緩衝層5〇4形成於本質 型非晶形矽層1〇8與η型微晶矽層丨丨〇之間。η型非晶 形矽緩衝層504的形成厚度為約1〇入至約2〇〇人。咸信η 型非晶形石夕緩衝層504有助於彌合存在於本質型非晶形 矽層108與11型微晶矽層11〇間的能帶隙偏差。因此咸 信因增設η型非晶形發緩衝層504而加強電流收集，故 能提高電池效率。 類似第1圖第二p-i-n接合區128，第二p-i-n接合區 510包含p型微晶矽層114及形成於p型微晶矽層ι14 上之選擇性p-i緩衝型本質非晶形矽0岱）層116。一般 來說，本質型微晶矽層11 8形成於選擇性p_i緩衝型本質 非晶形矽（PIB)層11 6上，η型非晶形矽層120形成於本 質型微晶石夕層118上。另外，變性摻雜之η型非晶形發 層406可形成主要當作重摻雜之η型非晶形矽層，以改 善與第二TCO層122間的歐姆接觸。在一實施例中，重 摻雜之η型非晶形矽層406的摻質濃度為約1〇2〇個原子/ 立方公分至約1〇21個原子/立方公分。 第5Β圖係根據本發明另一實施例，繪製形成於串疊接 合面薄膜太陽能電池500之第一 WSR層112和第二WSR 層512的截面視圖。在一實施例中，第一 wsr層112和 第二WSR層512各自由複數個沉積層組成，例如層 112a、112b和層512a、512b，以調整不同波長之光反射 及/或穿透至所形成之太陽能電池500的不同部分。例 24 201029208

如’第一 WSR層112的各層112a-b可具不同折射率， 以有效反射一或多個預定波長之光（如短波長到中間波 長）及讓其他波長穿透（如中間波長到長波長）。穿透各層 112a-b的波長隨後可由第二WSR層512反射回第二p_i_n 接合區510。藉由選擇性調整來分別調整wsr層112、 512的各層折射率，可選擇性反射或穿透不同波長的光， 使太陽能電池預定區域的入射光吸收達最大值，以改善 電流產生和太陽能電池效率。雖然第5B圖緣示WSR層 112、512各自包含二層的構造，但此構造並不限定本文 所述之發明範圍，其僅用於泛指WSR層包含二或多個堆 疊層的構造。第6A圖繪示二或多個堆疊層的構造，其將 進一步說明於後。 在一實施例中，層112a-b、 5 12a_b的相鄰層經配置具 高折射率對比和不同厚度。包含於層U2a b、“仏吨各 層之高折射率對比和不同厚度有助於調整所形成之層 U2a-b、512a_b的光學性質。在一實施例中配置層 U2a-b、512a_b以便與相鄰層（各如n型層ιι〇、p型層 114和第二丁〇〇層122)亦具有高折射率對比。一般來 說’折射率㈣圖描述相鄰層的折㈣相差程 度’其通常表示成折射率比率。故低折射率對比意指相 鄰層間的折射率差異小，高折射率對比代表相鄰材料的 折射率差異大。在-實例中’配置層112“、5⑽的 光學性質以反射及穿透不同波長光。在—實施例中配 置層ma-b、512a_b以反射波長約55Gnm至約謂㈣ 25 201029208 的光。在一實施例中，配置第一 WSR層112以反射波長 約550nm至約800nm的光，同時配置第二WSR層512

以反射波長約700nm至約ΐι〇〇ηιη的光。在一實施例中， 第一層112a經配置具低折射率，而第二層U2b經配置 具高折射率。例如’選擇第一層112a的材料（如SiC、 Si〇x、Six〇yNz)使折射率比第二層U2b所選用的材料（如 si)低。第一層ma的厚度乃配置比第二層1121)厚。在 一實施例中，第二層112b與第一層112a的折射率比率 (第二層折射率/第一層折射率）控制在大於約12，例如大 於約1.5。在一實施例中’第一層112a的折射率為約1 4 至約2.5，第二層i12b的折射率為約3至約4。第一層 112a與第二層112b的厚度比率（第一層厚度/第二層厚度） 控制在大於約1 · 2 ’例如大於約1.5。 在一實施例中，第一層112a為厚度約75A至約75〇a 之η型微晶矽合金層，第二層U2b為厚度約5〇a至約 500A之η型微晶石夕層。然也可利用其他技術改變 層的光學性質（即除了將交替的第一層112&和第二層 112b厚度分別改變成λ/4η(Μ)和X/4n(Si合金）外），因藉 由形成第-層112a和第二層112b，或一連串重複界面處 折射率不連續的第一層和第二層，可改變整體層結 構的光學性質，進而形成具高反射率與可接受吸收損失 的週期性結構。在-實施例中H ma為厚度約 450A之n型微晶矽合金層（如Sic或層），第二層 112b為厚度約300A之〇型微晶梦層。同樣地，第二wsr 26 201029208 層512可類似地配置成第一層512&和第二層51沘間具 南折射率對比和不同厚度。當可理解，第二wsr層512 同樣可配置成類似第一 WSR層112，故在此不再贅述第 二WSR層5 1 2 ’以簡化說明。 第5B圖僅繪示一對雙層，例如第一層112&和第二層 112b。注意此對第一層U2a和第二層可重複形成 多次而形成第一多層堆疊結構，其構成WSR層112，如 第6A圖所示。在一實施例中，第一 WSR層ιΐ2包含多 對第一層 112al、l12a2、112a3 和第二層 112bl、U2b2、 112b3。在一實施例中，第6A圖顯示三對第一層和第二 層各對第層112al-3和第二層112b 1-3可具不同折射 率和不同厚度。例如，第一對層112al、112bl中第二層 112bl與第一層112al的折射率比率大於約i 2，例如大 於約1.5。相較之下，第一對層U2al、112Μ可具有第 一層112al與第二層ii2bl的厚度比率大於約丨2，例如 大於約1.5。第二對層112a2、U2b2的折射率比率可比 第一對層112al、112bl高或低，以協助第一 WSR層112 反射光。另外’第三對層112a3、112b3的折射率對比可 比第一對層112al、112bl和第二對層U2a2、U2b2更 局或更低。 在一實施例中，第一 WSR層112可具有三對層U2a、 112b形成其内。在另一實施例中，第一 WSR層丨η具 有多達五對層112a、112b。在又一實施例中，第一 WSR 層112依需求具有多於五對層U2a、112b。或者，第一 27 201029208 對層112al、112bl、第二對層U2a2、U2b2和第三對層 112a3、112b3可包含各對具有相似折射率對比和厚度變 化的重複對層。藉由調整週期和折射率比率，可最佳化 特定波長的反射，進而產生預定波長選擇反射器。 在一實施例中，第一對層的第一層112al的折射率為 ^ 約2.5且厚度約15〇A，第二層的折射率為約3.8 且厚度約100A。第二對層的第一層112a2的折射率為約 ❹ 2.5且厚度約i5〇A，第二對層的第二層U2b2的折射率 為約3.8且厚度約ΐοοΑ。第三對層的第一層U2a3的折 射率為約2.5且厚度約150A ’第三對層的第二層mb3 的折射率為约3.8且厚度約100A〇在一實例中，第一 WSR層112的總厚度控制為約75〇A。 第6B圖繪示WSR層112的另一構造，其可用來改善 光反射、電流收集和光透射。在此特殊實施例中，wsr 層112包含一或多個絕緣層，例如第6B圖所示具低折射 ^ 率之多層，例如Si、Si〇2、SiON、SiN等。咸信用於形 成WSR層112的摻質或合金元素可改善膜導電率，但會 不备增加吸收損失，因而降低形成太陽能電池之不同接 合面間的光反射率和透射率。故在一實施例中，期於WSR 層112中形成穿孔6〇2或特徵結構、溝槽或圖案化區域 的陣列’以容許後續導電率較高的沉積層（如元件符號 114)形成一連串的分流路徑6〇2八通過|811層112，其 承載大部分的產生電流。WSR層112和一連串形成之分 流路徑602A —併用來權衡WSR層112的預定光學性 28 201029208 質’同時亦利用形成之分流路徑6〇2A降低越過WSR層 (如橫越層厚度）的串聯電阻。此構造有益於當U2 包含一或多個高電阻層或介電材料的情況，其主要為光 學性質所需（如反射及/或透射性）。 ❿ 在一實例中，WSR層包含具低折射率的絕緣層，例如 小於2。接著，絕緣買8尺層112經圖案化而於絕緣wsr 層112中形成孔洞、溝槽、狹縫或其他形狀開口的陣列。 一般來說，穿孔602的陣列有足夠的密度和尺寸（如直 徑）’使越過WSR層112的平均電阻降低成預定值，同 時讀保WSR層保持其預定光學性質。圖案化製程和適合 用於進行圖案化製程的圖案化腔室將配合第9圖詳述於 後。在一實例中’穿孔602填入P型微晶矽層114,其 沉積在絕緣職層112上而構成分流路徑6〇2八。在此 構造中，藉由選擇具低折射率的職層ιΐ2，可獲得 職層112内一或多層的光學性質。同時藉由以p型微 晶石夕層114填充所形成之穿孔，可降低越過職層112 的平均電阻’進而改善平均圖案化職層112的光學性 :與平均電性和太陽能電池裝置的效率。在一 中’絕緣WSR層112為内含 層。 P里微日日矽層114的氧化矽 ^ _實施例中，串叠及/或三接合面實施 =類型的合金材料。例如，在-實施例中，一二 接合區的各層可採用碳做為合金材料，；1Π 合區的各層則包括含鍺材 ’ -p，接 斯在第1、5A-B圖實 29 201029208 施例中’結晶合金WSR層112包含石夕與碳之合金，第一 和第二p-i-n接合區126、128、5〇8、51〇的各層包含矽 與錄之合金，反之亦然。最後，第1及5 A-B圖實施例尚 包含本質層非合金層的變化例。例如，在第1、5 A_B圖 的替代實施例中’層1〇8、118為本質微晶矽層、而非合 金層。此變化例擴大了電池的吸收特徵並增進其電荷分 離能力。 實施例 建構280A之η型微晶碳化矽層的單一接合面太陽能電 池展現13.6毫安培/平方公分（mA/cm2)的短路電流 (Jsc)(如量子效率（QE)測量為13.4mA/cm2)、填充因子（ff) 為73.9%、轉換效率（CE)為9.4%。相較下，使用微晶石夕 的相仿電池展現13.2mA/cm2的Jsc(如QE測量為 13.0mA/cm2)、FF 為 73.6%、CE 為 9.0%。進一步比較下， 使用280A之η型非晶形矽層（其中80A經變性摻雜）的相 仿電池展現13.1 mA/cm2的Jsc(如 QE測量為 12.7mA/cm2)、FF 為 74.7%、CE 為 9.0%。 串疊接合面太陽能電池建構具有包含270A之微晶碳 化矽的η型底部電池層，和包含ιοοΑ之η型非晶形破與 250Α之η型微晶碳化矽的η型頂部電池層。底部電池在 700nm波長下展現9.69mA/cm2的Jsc和58%的qe。頂部 電池在500nm波長下展現10.82mA/cm2的Jsc和78%的 QE。另一串疊太陽能電池建構具有包含270A之n型微 晶碳化梦的η型底部電池層，和包含5〇Α之η型非晶形 30 201029208 梦與250A之η型微晶碳化矽的n型頂部電池層。底部電 池在700nm波長下展現9.62mA/cm2的Jsc和58%的QE。 頂部電池在50〇nm波長下展現i〇.86niA/Cm2的Jsc和78% 的QE。相較下，串疊接合面太陽能電池建構有包含27〇a » 之η型微晶碳化矽的η型底部電池層，和包含2〇〇A之η 型非晶形矽與90Α之變性摻雜（η型）非晶形矽的η型頂部 電池層。底部電池在700nm波長下展現9.00mA/cm2的 φ Jse和53%的QE。頂部電池在5〇Onm波長下展現 10.69mA/cm2的Jsc和5 6%的QE。使用碳化矽可改善二 電池的吸收’尤其是底部電池。 系統和設備構造 第7圖為電漿增強化學氣相沈積（PECVD)腔室700之 一實施例的截面圖’用以沉積薄膜太陽能電池（如第1_4 圖太陽能電池）的一或多層膜。適合的電漿增強化學氣相 沈積腔室可取自位於美國加州聖克拉拉之應用材料公 ❹ 司。應理解其他包括其他製造商提供的沈積腔室也可用 來實施本發明。 腔室700 —般包括壁面702、底部7〇4、噴淋頭710和 基板支揮件73 0’其界定製程容積706。製程容積可經由 閥708進入’以傳送基板進出腔室7〇〇。基板支撐件73〇 包括用以支撐基板的基板接收面732和耦接升降系統 736以抬咼及降低基板支撲件73〇的把柄遮蔽環 733選擇性放在基板1〇2的周圍上方。舉升銷8可移 動穿過基板支撐件730,進而移動基板進出基板接收面 31 201029208 732。基板支撐件73〇尚包括加熱及/或冷卻元件以 維持基板支撐件730呈預定溫度。基板支撐件73〇還包 括接地片731’以於基板支撐件73〇的周圍提供rf接地。 喷淋頭710利用懸吊裝置714耦接背板712的周圍。 喷淋頭710亦利用一或多個中央支撐件716耦接背板， . 以防止下彎及/或控制喷淋頭710的真直度/曲率。氣源 720耦接背板712’以提供氣體通過背板712及穿過喷淋 ❿ 頭710而達基板接收面732。真空幫浦709耦接腔室 700，以控制製程容積7〇6呈預定壓力。RF功率源722 耦接背板712及/或喷淋頭71〇，以提供喷淋頭71〇rf功 率，而於喷淋頭與基板支撐件73〇間產生電場，如此氣 體將在喷淋頭71〇與基板支撐件730間產生電漿❶可採 用各種RF頻率，例如約〇 3兆赫（MHz)至約2〇〇MHz。 在一實施例中’ RF功率源使用頻率為13 56MHz。 諸如誘導耦合遠端電漿源之遠端電漿源724亦可耦接 瘳氣源和背板·》在處理各基板之間，提供清潔氣體至遠端 電衆源724 ’藉以產生遠端電漿並用來清潔腔室組件。 供給喷淋頭之RF功率源722進一步激發清潔氣體。適合 的清潔氣體包括三氟化氮（Νί?3)、氟氣（1?2)和六氟化硫 (SF0) ’但不以此為限。 沉積一或多層（如第丨_4圖之一或多層）的方法包括以 下第6圖處理腔室或其他適合腔室的沉積參數。表面積 為10000cm2或以上（較佳為4〇〇〇〇cm2或以上，更佳為 55〇〇〇Cm2或以上）之基板提供至腔室。當理解處理後，基 32 201029208 板可切割成較小的太陽能電池。 在一實施例中，沉積時，加熱及/或冷卻元件739設定 提供的基板支撐件溫度為約400〇c或以下，較佳約1〇〇 °C至約400°C，更佳約150。(：至約3〇〇〇c，例如约2〇〇t：。 沉積期間，置於基板接收面732上之基板頂表面與喷 淋頭710間的間距為約4〇〇密爾至約12〇〇密爾較佳約 400密爾至約800密爾。 Φ 第8圖為處理系統8〇〇之一實施例的俯視圖，具有複 數個處理腔室83 1-837，例如第7圖PECVD腔室7〇〇或 其他適合沉積矽膜的腔室β處理系統8〇〇包括移送室 820’其輕接負載鎖定室和處理腔室負載 鎖疋至810容許基板於系統外之周遭環境與移送室82〇 和處理腔室831-83 7内之真空環境間傳送。負載鎖定室 810包括一或多個抽真空區域來支托一或多個基板。將 基板輸入系統80〇時，排空抽真空區域；從系統800輸 出基板時’進行通氣。移送室82〇内設至少一真空機器 人822’其適於在負載鎖定室810與處理腔室831-837 間傳送基板。儘管第8圖顯示7個處理腔室，然此構造 並不限定本發明之範圍’系統當可設置任何適當數量的 處理腔室。 在本發明之一些實施例中，系統8〇〇配置以沉積多重 接合面太陽能電池的第一 p-i-n接合區（如元件符號 126、328、508)。在一實施例中，配置處理腔室831-837 之一者以沉積第一 p_i-n接合區的p型層，同時各自配置 33 201029208 其餘處理腔室831·837 μ積本f型層和n型層。第— p-i-η接合區的本質型層和n型層可在同—腔室沉積如 此沉積步驟之間不需進行任何鈍化製程。故在-配置 下，基板經由負載鎖定宝81Λ * ^ 軌領疋至810進入系統，然後真空機器 人將基板傳㈣㈣置心㈣Ρ㈣的W處理腔 室。形成ρ型層後，真空機器人接著將基板傳送到其餘 經配置用以沉積本質型層和η型層的處理腔室之一。、形 成本質型層和η型層後，貧办德扭， 玉僧便真空機器人822將基板傳送回 負載鎖定至81G。在某些實施例中，處理腔室處理基板 以形成Ρ型層的時間大約比單一腔室形成本質型層和η 型層的時間快4倍或以上，較佳快6倍或以上。因此， 在一些沉積第一 Ρ-“η接合區的系統實施例中，Ρ腔室與 i/n腔室的比為1:4或以上，較佳為1:6或以上。包括 提供電漿清潔處理腔室時間的系統產量為約ι〇個基板/ 小時或以上，較佳為20個基板/小時。 在本發明之一些實施例中’配置系統800以沉積多重 接合面太陽能電池的第.—接合區（如元件符號 128 330、51〇)。在-實施例中，配置處理腔室831-837 之一者以沉積第二^接合區的P型層，同時各自配置 其餘處理腔室831_837以沉積本f型層和n型層。第二 …接合區的本質型層和n型層可在同一腔室沉積如 儿積步驟之間不需進行任何鈍化製程。在某些實施例 處理腔至處理基板以形成？型層的時間大概比單一 腔室形成本質型層和n型層的時間快4倍或以上。因此， 34 201029208 在某些沉積篦- . 禾一 p-i-n接合區的系統實施例中，p腔室與 i/n腔室的比盔 句1:4或以上，較佳為1:6或以上。包括 提供電激清：繫者 累處理腔室時間的系統產量為約3個基板/小

時或以上，勒;I A 較佳為5個基板/小時。 在本發明> . < —些實施例中，配置系統8〇〇以沉積第1、 B圖之WSR層U2、5i2,其可置於第一與第二p小n 接合區或篦- . ,

人币一P-卜η接合區與第二TCO層之間。在一實 包例中配置處理腔室83 1-837之一者以沉積一或多個 WSR層，配置另一處理腔室83 1-837以沉積第二p-i-n 接0區的P型層，同時各自配置其餘處理腔室831-837 以’儿積本質型層和n型層。配置以沉積WSR層的腔室數 量類似配置以沉積Ρ型層的腔室數量。此外，WSR層可 在配置以沉積本質型層和η型層的同一腔室沉積。 在某些實施例中，配置以沉積包含本質型非晶形矽層 之第一 p-i-n接合區的系統8〇〇的產量為用以沉積包含本 質型微晶矽層之第二P-i-n接合區的系統800的產量的兩 倍，此乃因本質型微晶矽層與本質型非晶形矽層的厚度 差所致。故適於沉積包含本質型非晶形矽層之第一 p i n 接合區的單一系統800可匹配二或多個適於沉積包含本 質型微晶矽層之第二p-i_n接合區的系統8〇〇。如此，WSR 層沉積製程可在適於沉積第一 ρ·1·η接合區的系統中進 行，以有效控制產量。一旦在一系統令形成第一 ρ·ί_η接 合區，則基板可暴露於周遭環境（即破真空），並傳送到 第一系統來形成第二p-i-n接合區。第一系統沉積第— 35 201029208 p-i-n接合區與第二p-i-n接合區之間需溼式或乾式清潔 基板。在一實施例中，WSR層沉積製程是在個別系統中 沉積。 第9圖繪示具有複數個沉積系統904、905、906或叢 集工具之部分生產線900的配置，其由自動化裝置902 轉接。在一配置下，如第9圖所示，生產線900包含複 數個沉積系統904、905、906，用以形成一或多層、形 成p-i-n接合區或形成完整太陽能電池裝置至基板102 上。系統904、905、906類似第8圖系統800，但通常 配置以沉積不同層或接合區至基板102上。一般來說， 系統904、905、906各自設有負載鎖定904F、905F、906F， 其類似負載鎖定室810且各自轉接自動化裝置902。 處理程序期間，基板通常從系統自動化裝置902傳送 到系統904、905、906之一。在一實施例中，系統906 設有複數個腔室906A-906H，其各自經配置以沉積或處 理構成第一 p-i-n接合區的一或多層，設有複數個腔室 905A-905H的系統905經配置以沉積一或多個WSR層， 設有複數個腔室904A-904H的系統904經配置以沉積或 處理構成第二p-i-n接合區的一或多層。注意系統數量和 各系統中經配置以沉積各層的腔室數量可改變成符合不 同製程需求和構造。在一實施例中，期分開或隔離WSR 層沉積處理腔室和p型、本質型或η型層沉積腔室，以 免太陽能電池裝置或後續形成之太陽能電池裝置的一或 多層交叉污染。在WSR層包括含碳或氧層的構造中，避 36 201029208 免構成接合區的纟質層交又污染及/或防止形成在屏蔽 或處理腔室之其他腔室部件上的含氧或4沉積材料層的 應力造成微粒產生問題大致上是很重要的。 自動化裝置902 一般包含機器裝置或輸送器，其適於 • 移動及定位基板。在一實例中，自動化裝置902為一系 ♦ 列的傳統基板輸送器（如輥型輸送器）及/或機器裝置（如6 抽機器人、水平多關節機器人（SCARA))，其經配置以依 Φ 需求移動及定位生產線90〇上的基板。在一實施例中， 一或多個自動化裝置9〇2還包含一或多個基板升降部件 或吊橋輸送器，其用於讓預定系統上游的基板經過阻擋 其移動的基板而抵生產線900的另一預定位置。如此， 不同系統的基板移動將不會遭遇其他待傳送到另一系統 的基板阻礙。 在生產線900之一實施例中，圖案化腔室95〇連接一 或多個自動化裝置902，並經配置以進行圖案化製程處 ® 理組成WSR層的一或多層。在一實例中，圖案化腔室 950有益地設置利用傳統手段進行圖案化製程處理wsr 層的一或多層。圖案化製程用來形成WSR層的圖案化區 域，例如第6B圖形成於絕緣WSR層112的穿孔6〇2。 亦當理解圖案化製程也可用來在太陽能電池裝置形成製 程期間，蝕刻一或多個先前形成層的一或多個區域。用 以形成穿孔602的典型製程包括微影圖案化與乾蝕刻技 術、雷射剝離技術、圖案化與溼蝕刻技術、或其他用來 於WSR層112中形成預定圖案的類似製程，但不以此為 37 201029208 限。形成於WSR層112的穿孔6〇2陣列通常提供區域來 電氣連接WSR層112上所形成之層與|§尺層ιΐ2底下 所形成之層。 儘管圖案化腔室950的配置一般是描述用於姓刻型製 . 程，但此配置並不限定本發明所述範圍❶在一實施例中， • @案化腔冑950用來移除—或多個所形成之層的一或多 個區域，及/或沉積一或多個材料層（如含摻質材料金 _ 屬膠）至基板表面的一或多個所形成之層上。 在一實施例中，利用沉積圖案蝕刻製程，將穿孔6〇2 蝕入WSR層112。沉積圖案蝕刻製程一般是先沉積預定 圖案之银刻材料至基板102的表面，以匹配形成於WSR 層112之穿孔602的預定構造。在一實施例中在圖案 化腔室950中，利用傳統喷墨印刷裝置、膠印裝置網 印裝置或其他類似製程，選擇性沉積蝕刻材料至wsr層 π 2上。在一實施例中，蝕刻材料包含氟化銨（NH4F)、 ® 與氟化銨形成均質混合物的溶劑、pH調節劑（如氧化物 蝕刻緩衝液（BOE)、氫氟酸（HF))和界面活性劑/濕潤劑。 在一實例中，蝕刻材料包含20克的氟化銨（其與5毫升 (m〗）的二甲胺混合）和25克的丙三醇，其接著加熱達1〇〇 °C，直到混合物的PH達約7並形成均質混合物。咸信使 用鹼性化學劑的好處為在後續加熱而開始驅出氨 前，不會產生揮發性HF蒸氣，故在進行加熱製程前， 不需昂貴又複雜的通風與處理系統。 沉積預定圓案之蝕刻材料後，接著在圖案化腔室95〇 38 201029208 中’利用傳統紅外線（IR)加熱元件或Ir燈加熱基板達約 200 C -3 00°C ’促使餘刻材料中的化學品姓刻WSR層112 而形成穿孔602。如第6B圖所示，穿孔602做為WSR 層112的開口，藉此形成於WSR層112底下之層與沉積 於WSR層112上之層之間可接觸。在一實施例中，基板 表面的穿孔6〇2的直徑為約5微米（μηι)至約2〇〇〇μιη。以 預定溫度處理一段時間後（如約2分鐘），將移除揮發性 φ 蝕刻產物而於穿孔602内留下乾淨的表面，如此可在這 些區域形成可靠的電觸點。在一態樣中，期所述處理程 序和蝕刻劑配方能於WSR層112中形成穿孔602，且不 需進行任何後清潔製程，此乃因揮發移除蝕刻產物和殘 餘蝕刻材料，可留下乾淨的表面供第二pin接合區 510、128形成於上。在一些情況下，期避免進行溼式處 理步驟’以免增加潤洗及乾燥基板所需的時間、增加進 行座式處理步驟相關的擁有成本、及提高氧化或污染穿 瘳 孔602的機會。然在一實施例中，圖案化腔室950或其 他附接處理腔室適於進行選擇性清潔製程處理基板，以 移除任何不當殘餘物，及/或在第二p_i_n接合區51〇、128 形成於上前，形成鈍化表面》在一實施例中，清潔製程 是以清潔液濕潤基板進行。可利用喷灑、淹沒、浸潰或 其他適合技術達成濕潤目的。用於形成一或多個穿孔602 的沉積圖案蝕刻材料製程一例更詳述於共同讓渡且同在 申請中之美國專利申請案序號12/274,023(代理人文件編 號APPM 12974.02)之申請案，西元2〇〇8年u月19曰 39 201029208 申請，其一併附上供作參考β 雖然本發明已以實施例揭露如上，然其他和進一步之 實施例亦不脫離其基礎範圍’本發明之保護範圍當視後 附之申請專利範圍所界定者為準。例如，第7圖處理腔 至顯示呈水平位置。應理解在本發明之其他實施例中， * 處理織可呈任何非水平位置，例如垂直。本發明之實 施例已參照第8及9圖之多重處理腔室叢集工具說明， ❹ 但也可採用線内（in-line)系統和混成之線内/叢集系統。 本發明之實施例已參照經配置以形成第一 pin接合區 的第一系統、經配置以形成W S R層的第二系統和經配置 以形成第二p-i_n接合區的第三系統說明但第一 p小n 接合區、WSR層和第二p-i-n接合區亦可於單一系統中 形成。本發明之實施例已參照適於沉積WSR層本質型 層和η型層的處理腔室說明，然個別腔室也適於沉積本 質型層、η型層和WSR層，且單一處理腔室亦適於沉積 ® P型層、WSR層和本質型層。最後，所述實施例為普遍 應用到透明基板（如玻璃）的p_i_n構造，但此當涵蓋其他 實施例，其中n-i-p接合區、單一或多重堆疊結構按相反 沉積順序建構在不透明基板（如不鏽鋼或聚合物）上β 因此’提出形成太陽能電池裝置之WSR層的設備和方 法。方法有利於製造置於接合面間的WSR層，其具備高 透明度和低折射率而加強電池的光捕捉。此外，WSR層 尚提供可調能帶隙，相較於傳統方法，其有效反射或吸 收不同波長的光’因而提高PV太陽能電池的光電轉換 201029208 效率和裴置性能。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍内，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之 ’ 保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 ψ. 【圖式簡單說明】 Φ 為讓本發明之上述特徵更明顯易懂，可配合參考實施 例說明’其部分乃繪示如附圖式。 第1圖為根據本發明一實施例之串養接合面薄膜太陽 能電池的側視圖，具有波長選擇反射層置於接合面間； 第2圖為根據本發明一實施例之單一接合面薄膜太陽 能電池的側視圖； 第3圖為根據本發明一實施例之串疊接合面薄膜太陽 能電池的側視圖’具有波長選擇反射層置於接合面間； φ 第4圖為根據本發明另一實施例之串疊接合面薄膜太 陽能電池的側視圖； 第5 Α-5Β圖為根據本發明一實施例之串疊接合面薄膜 太陽能電池的侧視圖，具有波長選擇反射層置於接合面 間， 第6 Α-6Β圖為根據本發明一實施例’置於接合面間之 波長選擇反射層的放大圖； 第7圖為根據本發明一實施例之設備的截面圓； 201029208 第8圖為根據本發明另一實施例之設備的平面圖；以 及 第9圖為根據本發明一實施例之部分生產線的平面 圖’内設第7及8圖設備。 .為助於理解，各圖中相同的元件符號盡可能代表相似 的元件。應理解某一實施例的元件和特徵結構當可併入 其他實施例’在此不另外詳述。 Φ 須注意的是，雖然所附圖式揭露本發明特定實施例， 但其並非用以限定本發明之精神與範圍，任何熟習此技 藝者，當可作各種之更動與潤飾而得等效實施例。 【主要元件符號說明】 100 太陽能電池 101 太陽輕射 102 基板 104、 122 TCO 層 106、 108 、 110 、 114 、 118 、120 ' 124 梦層 112 WSR層 112a-b 、 112al-3 、 112bl-3 層 116 PIB層 124 背層 126、 128 接合區 201 基板 204、 218 導電層 206 合金層 208 ' 212 ' 214 矽層 210 PIB層 220 接合區 300 太陽能電池 301 基板 304 導電層 42 201029208

306 ' 308 、 318 、 324 合金層 310、 320 PIB 層 312 、314 、 322 316 WSR層 326 接觸層 328 ' 330 接合區 400 太陽能電 402 基板 404 合金層 406 矽層 500 太陽能電池 502 矽層 504 缓衝層 508 ' 510 接合區 512 WSR層 512a-b 層 602 穿孔 602A 路徑 700 腔室 702 壁面 704 底部 706 製程容積 708 閥 709 幫浦 710 噴淋頭 712 背板 714 懸吊裝置 716 ' 730 支撐件 720 氣源 722 功率源 724 電漿源 731 接地片 732 基板接收面 733 遮蔽環 734 把柄 736 升降系統 738 舉升銷 739 加熱/冷卻元件 800 系統 810 負載鎖定室 820 移送室 822 機器人 831 -837 處理腔 900 生產線 902 自動化裝置 904-906 沉積系統 43 201029208 腔室 904A-H、905A-H、906A-H、950 904F、905F、906F 負載鎖定

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Claims (1)

1. 201029208 七、申請專利範圍： κ 一種光電裝置，包含： 反射層’置於一第一 p-i-n接合區與一第二p-i-n接合 區之間，其中該反射層包含： 一第一層；以及 一第二層’置於該第一層上’其中該第二層與該第 一層的一折射率比率大於約12。 2. 如申請專利範圍第1項所述之光電裝置，其中： 該第一 P-i-n接合區包含： 一 P型非晶形石夕層； 一本質型非晶形矽層；以及 一 η型微晶矽層；且 該第二P-i-n接合區包含： P型摻雜之微晶石夕層’置於該第二層上； 一本質型微晶矽層；以及 η型摻雜之非晶形矽層，鄰接該本質型微晶矽層。 3. 如申請專利範圍第i項所述之光電裝置，其中該第一 層與該第二層的一厚度比率大於約1.2。 ' 4. 如申請專利範圍第丨項所述之光電襄置，更包含： 一第二對層，包含： . 45 201029208

   四層與該第 層’置於該第二層上，其中該第 二層的-折射率比率大於約12;以及 一 層置於該第三層上，其中該第 層的折射率比率大於，約I.2;以及 一第二對層，包含： 第五層’置於該第四層上，其中該第 五層的·折射率比率大於約⑴以及 層與該第

   L、層’置於該第五層上，其中該第六層與該第 層的一折射率比率大於約1.2。 5’如申請專利範圍第1項所述之光電裝置，其中該第二 層的一折射率大於該第—層的一折射率。 6，如申請專利範圍第1項所述之光電裝置，其中該反射 φ 層選擇性反射一波長約500奈米（nm)至約800nm的光。 7·如申請專利範圍第1項所述之光電裝置，其中該第一 層為一n型微晶矽合金層。 8.如申請專利範圍第1項所述之光電裝置，其中該第二 層為一η型微晶矽層。 9·如申請專利範圍第1項所述之光電裝置，其中該第— 層包含矽、氧、以及選自由氮和碳組成群組之一元素。 46 201029208 1〇’如申睛專利範圍第1項所述之光電裝置其中該第 層的折射率為約1.4至約2.5,該第二層的一折射率 為約3至約4。 U· 一種光電裝置，包含： „射層置於—第一 P-i-n接合區與一第二p-i-n接合 區之間且内含複數個穿孔，其中該複數個穿孔之每一穿 A疋藉由在該第二p_i_n接合區形成於該反射層上之 移除該反射層的一部分材料而形成。 .如申請專利範圍第U項所述之光電裝置，其中至少 分的該第二p-i_n接合區填充各該些穿孔的至少一 部分》 e •如申請專利範圍第11項所述之光電裝置，其中 該第一 p-i_n接合區包含： P型非晶形矽層； —本質型非晶形矽層；以及 一 η型微晶矽層；且 該第二P-i-n接合區包含： P型摻雜之微晶梦層，置於該反射層上； 一本質型微晶矽層；以及 — η型摻雜之非晶形矽層，鄰接該本質型微晶矽層。 47 201029208 14. 如申請專利範圍f 所述之光電裝置，其中該反 射層包含矽、氧、以及選自由氮和碳組成群組之一元素。 15. 如申請專利範圍第u項所述之光電裴置其中該反 . 射層包含一第一層、以及置於該第一層上的一第二層， 其中該第二層與該第一層的一折射率比率大於約12。 16. —種形成太陽能電池裝置的方法，該方法包含以下 步驟： 形成一第一 p-i-n接合區至一基板的一表面上； 形成一第一反射層至該第一 p-Un接合區上，其中該第一 反射層選擇性將一波長約550奈米（nm)至約8〇〇nm的光 反射回該第一 p-i-n接合區；以及 形成一第二p-i-n接合區至該第一反射層上。 參 17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，更包含以下步 驟： 形成一第一反射層至該第二p-i-n接合區上；以及 形成一透明導電層至該第二反射層上。 .18·如申請專利範圍第17項所述之方法，其中該第二反 射層將一波長約700奈米（nm)至約丨丨〇〇nm的光反射回該 第二p-i-n接合區。 48 201029208 19.如申請專利範圍第16項 射層包含—n型微晶發合金 所述之方法，其中該第一反 參

   如申凊專利範圍第16項所述之方 射層的折射率為約14至約4。 法，其中該第一反 21.如申請專利範圍第 c ^ Η 乐1&項所迷之方法，其中形成該 一反射層之步驟更包哪文匕3以下步驟.形成一第一層和— 二層至該篦_Λ· _ Α 第ρ，接合區上，其中該第二層與該第— 的一折射率比率大於約12 22.如申請專利範圍第21項所述之方法 為一 η型微晶矽合金層，該第二層包含— 第第層 其中該第一層 η型微晶梦層。 23.如申請專利範圍第21項所述之方法更包含以驟： 形成一第二對之該第一層與該第二層至該第一對上 及 形成一第三對之該第一層與該第二層至該第二對上 24·如申請專利範圍第16項所述之方法，其中 形成該第一 P-i-n接合區之步驟包含以下步驟： 形成一 p型非晶形矽層； 49 201029208 形成"一本質型非晶形石々® ZS 4 办夕層至該P型非晶形矽層上， 其中該本質型非晶形石夕層句β . 增匕括一 ρ-1緩衝本質型非晶形 矽層和一塊體本質型非晶形矽層；以及 $ & η型微晶矽層至該本質型非晶形矽層上，且 形成該第二P-i-n接合區包含： r 形成一 P型微晶矽層至該反射層上； 形成一本質型微晶矽層至該P型微晶矽層上；以及 . 形成一η型非晶形矽層至該本質型微晶矽層上。 25.如申請專利範圍第16項所述之方法，更包含以下步 驟：在該反射層中形成複數個穿孔，其中該些穿孔是在 該第二p-i-η接合區形成於該反射層上之前形成，且每一 穿孔是藉由移除一部分的該反射層而形成。 鲁 26. 一種用以形成太陽能電池的自動化與整合系統，包 含： 一第一沉積腔室，適於沉積一 p型含矽層至一基板的一 表面上； 一第二沉積腔室，適於沉積一本質型含矽層和一 η型含 矽層至該基板的該表面上； 一第三沉積腔室，適於沉積一 η型反射層至該基板的該 表面上； 一圖案化腔室，適於在該基板之該表面上的該η型反射 層中形成複數個穿孔；以及 50 201029208 一自動化輪送裝置，適於在該第一沉積腔室該第二沉 積腔至、該第三沉積腔室與該圖案化腔室間傳送該基板。 能電池的自動化與整合系統，包 27. —種用以形成太陽 含： 一第一叢集工具，包含： 至少一處理腔室，適於沉積一p型含矽層至一基板 的一表面上； 至少一處理腔室，適於沉積一本質型含矽層至該基 板的該表面上；以及 至少一處理腔室，適於沉積一本質型含矽層至該基 板的該表面上；以及 一第一叢集工具，包含： 至少一處理腔室，適於沉積一n型反射層至該基板 的一表面上；以及 一自動化輸送裝置，適於在該第一叢集工具與該第 一叢集工具間傳送一基板。 28.如申請專利範圍帛27項所述之自動化與整合系統， 更包含： 一第三叢集工具，包含： 至少一處理腔室，適於沉積一 p型含矽層至該基板 的該表面上； 至少一處理腔室，適於沉積一本質型含矽層至該基 51 201029208 板的該表面上；以及 至少一處理腔室，適於沉積一本質型含矽層至該基 板的該表面上。 29.如申請專利範圍第28項所述之自動化與整合系統， '更包含： 一圖案化腔室，可轉接該第一叢集工具、該第二叢集工 φ 具或該第三叢集工具和該自動化輸送裝置，其中該圖案 化腔室適於移除一部分的該n型反射層，以於該η型反 射層中形成複數個穿孔。 像 52