TW201009919A - Method of processing optical device wafer - Google Patents

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201009919 六、發明說明： 【潑^明戶斤屬_^技^奸領域^ 技術領域 本發明係有關於一種光元件晶圓的加工方法，其係將 藉由於藍寶石基板等基板之表面形成為格子狀之切割道劃 分複數個領域，且於該所劃分之領域上積層有氮化鎵系化 合物半導體等光元件的光元件晶圓，沿著切割道分割成各 個光元件。 【先前技術j 背景技術 藉由於藍寶石基板之表面形成為格子狀被稱作切割道 之分割預定線劃分複數個領域，且於該所劃分之領域上積 層有氮化鎵系化合物半導體等光元件的光元件晶圓係沿著 切割道分割成各個發光二極體等光元件，並廣泛地利用在 電子儀器中。 〇 作為上述沿著切割道使光元件晶圓分割之方法，雖然 嘗試將切削刀片高速旋轉而進行切斷之方法，然而，由於 藍寶石基板之莫氏硬度咼且為難削材料，因此，藉由切削 裝置來切斷藍寶石基板是困難的。 近年來，沿著切割道分割光元件晶圓等晶圓的方法係 揭不有以下方法，即：沿著切割道照射對晶圓具有吸收性 之波長的脈衝雷射光線，藉此，形成雷射加工溝，且沿著 該雷射加工溝賦予外力，藉此，使晶圓沿著切割道斷裂(例 如參照專利文獻1)。 3 201009919 [專利文獻1]曰本專利公開公報特開平10-305420號公報 又’沿著切割道分割光元件晶圓等晶圓的方法亦揭示 有以下方法，即：使用對晶圓具有透過性之波長的脈衝雷 射光線’且使聚光點配合晶圓之内部而沿著切割道照射該 脈衝雷射光線’藉此，沿著切割道於晶圓之内部連續地形 成改質層’且沿著因形成該改質層而降低強度之切割道施 加外力，並使晶圓沿著切割道斷裂(例如參照專利文獻2)。 [專利文獻2]特開2008-6492號公報 C 明内 3 本發明所欲解決之課題 則述光元件晶圓在分割成各個光元件前，會研磨内面 並形成預定厚度。而且，近年來，為了實現電子儀器之輕 量化、小型化，必須將光元件之厚度作成5〇"m以下，然 而，右將光元件晶圓研磨成薄到5〇 “ m以下，則會有產生 破裂之問題。 本發明係有鑑於前述事實，其主要之技術課題在提供 種光70件晶圓的加工方法，該方法可在不產生破裂下減 薄形成光70件晶圓，同時可使光元件晶圓分割成各個光元 件。 解決課題所需之構件 為了解決前述主要技術課題，若藉由本發明，則可提 供一種光元件晶圓之加工方法，係將光元件晶圓沿著複數 個切割道分割成各個光元件者，前述光元件晶圓係在已藉 表面形成格子狀之複數個切割道_分之複數個領域上形 201009919 • 成有光元件，而其特徵在於，前述加工方法包含有以下步 驟： 雷射加工步驟，係沿著切割道於光元件晶圓照射雷射 光線，並沿著切割道於光元件晶圓之表面側施行構成斷裂 起點之雷射加工者； 保護板接合步驟，係藉由可剝離之接合劑，將已實施 該雷射加工步驟之光元件晶圓之表面接合於剛性高之保護 板之表面者； ® 内面研磨步驟，係研磨已黏貼在該保護板上之光元件 晶圓之内面’並將光元件晶圓形成為元件之成品厚度者， 晶圓分割步驟，係對已實施該内面研磨步驟之光元件 - 晶圓賦予外力，且使光元件晶圓沿著形成有斷裂起點之切 割道而斷裂，藉此，使光元件晶圓分割成各個光元件者； 晶圓支持步驟’係將已實施該晶圓分割步驟之分割成 各個光元件之光元件晶圓的内面黏貼在切割帶之表面上， 並將黏貼在光元件晶圓之表面的保護板剝離者；及 魯 胃拾取步驟，係將黏貼在切割帶之各個經分割之元件進 行拾取者。 再者，依據本發明係提供一種光元件晶圓之加工方 法，係將光元件晶圓沿著複數個切割道分割成各個光元件 者，前述光元件晶圓係在已藉表面形成格子狀之複數個切 割道所劃分之複數個領域上形成有光元件，而其特徵在 於，前述加工方法包含有以下步驟： 雷射加工步驟，係沿著切割道於光元件晶圓照射雷射 5 201009919 圓之表面侧施行構成斷裂 光線，並沿著切割道於光元件晶 起點之雷射加工者； 保護板接合步驟，係藉由可剝離之接合劑，將 護 該雷射加玉步驟之光元件晶圓之表面接合於剛性 板之表面者； 呆 内面研磨步驟，係研磨已點貼在該保護板上之光 晶圓之内面’並將光元件晶_成為元件之成品厚度者. 晶圓支持步驟，係將已實施該内面研磨步驟之光元件 晶圓的内聽貼在切割帶之表面上，並將㈣在光元件曰 圓之表面的保護板剝離者； 曰曰 曰晶圓分割步驟，係對已實施該晶圓支持步驟之光元 晶圓賦予外力’且使光元件晶圓沿著形成有斷裂起點之士 割道而斷裂’藉此，使光元件晶圓分軸各個光元件者 及 ， 拾取步驟，係將黏貼在切割帶 行拾取者。 之各個經分割之元件 進 上述雷射加工步驟係使聚光點對準該光it件晶圓之 =照射對該光元件晶圓具有透過性之波長的雷射光線 :之：切割道於該光元件晶圓之内部形成構成斷裂 再者，上述雷射加卫步驟係驗對該光元件 吸收性之波長的雷射光線， ^ 曰 藉此，石者切割道於該光元 曰圓之表面形成構成斷裂起點之雷射加工溝。 依據本發明，係沿著切割道於光元件晶圓實施構成 201009919 裂起點之雷射力0工步驟，且在實施藉由可剝離之接合劑， 將光元件晶圓之表面接合於剛性高之保護板之表面的保護 板接合步驟後，由於實施將光元件晶圓之内面研磨，並將 光元件aa圓形成為元件之成品厚度的内面研磨步驟，即使 將光疋件晶圓研磨至諸如50//m以下之厚度，由於光元件 晶圓之表面係接合於剛性高之保護板，因此，係不會產生 破裂。經如此研磨之光元件晶圓係賦予外力而沿著藉由上 述雷射加工步驟所形成之斷裂起點而斷裂，藉此，分 各個光元件。 ^ 【貧施方式】 用以實施本發明之最佳形態 方法的較佳實施形態。 以下參照附圖，詳細說明本發明之光元件晶圓之加工 加工方法所 2係藉由於 寶石基板之表面 第1圖係顯示藉由本發明之光元件晶圓的加 分割之光元件晶圓2。第1圖所示之光元件晶圓2 諸如直徑為i〇〇mm且厚度為425μηι之藍

分之領域上形成複數個發光二極體等光元件U

Μ形成為格子狀之切割道21劃分複數個領域，且於該所劃 7 201009919 裂起點之雷射加卫的雷射加工步驟。此雷射加工步驟係使 用第2圖所示之雷射加工裝置來實施。第2圖所示之雷射 力，裝置3係具備：夾頭台31，係保持被加工物者；雷射 光線照射機構32 ’係將雷射光Μ射至已料於該夾頭台 3么1上之被加工物者;及攝影機構33，係拍攝已保持於夾頭 台31上之被加工物者。夾頭台31係構成為吸引保持被加 工物’且藉由未圖示之加卫進給機構，朝第2圖中以箭頭 δ己號X所示之加工進給方向移動，同時藉由未圖示之分度 進給機構，朝第2圖中以箭頭記號γ所示之分度進給 移動。 上述雷射光線照射機構32係包括配設成實質上呈水平 之圓筒形狀之套管321。於套管321内配設有包含有未圖示 之脈衝雷射光線振或反覆頻率設定機構的 線振盡機構。於上述套管321之前端部安裝有用以將振盈 雷射光線振錢構之脈衝雷射光線加以聚光的聚光 射機= 示之實施形態中，已安裝於構成上述雷射光線照 =拍1之套管321前端部的攝影機構33除了利用可見 ，來拍攝之-般攝影元件(CCD)外，係藉由將紅外線昭射 ==物之紅外線照明機構；捕捉藉由該紅外線照明機 構所‘，、、射之紅外線的光學⑽；及輸出對應於藉由該 系統所捕捉之紅祕的電錢之卿轉(lx外線cc購 所誠，轉所輯之料㈣魏至翔示之㈣機構。 H 兒明使用上述雷射加工裝置3而沿著切割道^於 201009919 • 光元件晶圓2施行構成斷裂起點之雷射加工的雷射加工步 驟。 此雷射加工步驟之第1實施形態係實施沿著切割道 21，而於光元件晶圓2之内部形成改質層的改質層形成步 驟。實施改質層形成步驟時，如第2圖所示，係將光元件 晶圓2之表面2a側載置於雷射加工裝置3之夾頭台31上。 接著，藉由未圖示之吸引機構，將光元件晶圓2吸引保持 於夾頭台31上（晶圓保持步驟）。因此，吸引保持於夾頭台 ® 31上之光元件晶圓2，其内面2b會構成上側。 若已如上述般實施晶圓保持步驟，則實施改質層形成 步驟，且該改質層形成步驟係自光元件晶圓2之内面2b 侧，沿著形成於光元件晶圓2之切割道21照射對光元件晶 圓2具有透過性之波長的脈衝雷射光線，並沿著切割道21 於光元件晶圓2之内部形成改質層。實施改質層形成步驟 時，首先，吸引保持有光元件晶圓2之夾頭台31係藉由未 圖示之移動機構定位在攝影機構33之正下方。接著，藉由 胃攝影機構33及未圖示之控制機構，實行用以檢測光元件晶 圓2應進行雷射加工之加工領域的對準作業。亦即，攝影 機構33及未圖示之控制機構係實行用以進行定位之圖案匹 配等影像處理並完成雷射光線照射位置之對準，且上述定 位係指形成於光元件晶圓2之預定方向的切割道21與沿著 該切割道21照射雷射光線之雷射光線照射機構32的聚光 器322之定位。再者，對於形成於光元件晶圓2且與上述 預定方向呈正交地延伸之切割道21，亦同樣地完成雷射光 9 201009919 線…射位置之對準（對準步驟）。此時，形成光元件晶圓2 之切割道21的表面2a係位於下側，然而’如前所述，由 於攝〜機構3 3係具有由紅外線照明機構與捕捉紅外線之光 予系統及輸出對應於紅外線之電氣訊號的攝影元件（紅外 線CCD)等所構成之攝影機構，因此可自内面⑶透過而拍 攝切割道21。 右已如上述般實施對準步驟則如第⑽圖所示，將 夾頭口 31移動至照射雷射光線之雷射光線照射機構μ之 聚光器322所在的雷射光線照射領域，且將預定之切割道 21之-端(於第3刚中為左端)定位在雷射光線照射機構 32之聚光器322的正下方。接著，自聚光器322照射對光 元件晶圓2具有透雜之波長的脈衝f射光線，並使夾頭 台31以預定進給速度卿3⑷圖巾讀頭記號χι所示之 方向移動接著，如第3(b)圖所示，若聚光器322之照射 位置到達切割道21另-端之位置，則停止脈衝雷射光線之 ‘，、、射同時停止炎頭台31之移動。於該改質層形成步驟中， 將脈衝雷射;^線之聚光點p定位在光元件晶圓2之表面& 附近。其結果，於光元件晶圓2之表面2&側之内部會沿著 切割道21形成改質層211。 “上述改質層形成步驟中的加工條件係例如設定如下 1560nm 90〜200kHz 0_8 〜1.2W 100 〜3 00mm/秒 H :Er脈衝雷射 反覆頻率 平均輸出 加工進給速度 若已依上述般沿著朝光元件晶圓2之預定方向延長的 201009919 所有切割道21實行上収f層形成步驟，職夾頭台31 旋動90度，並沿著與上述預定方向呈正交地延伸之各切割 道21實行上述改質層形成步驟。 其次，參照第4與5圖說明沿著切割道21於光元件晶 圓2施行構成斷裂起點之雷射加工之雷射加工步驟的第2 實施形態。此雷射加工步驟之第2實施形態係實施沿著切 割道21，而於光7L件晶a) 2之表面2a_成雷射加工溝的雷 射加工溝形成步驟。又’雷射加王溝形成步驟係使用與上 述第2圖所不之雷射加工裝置3相同的雷射加工裝置來實 施。實施雷射加工溝形成步驟時，如第4圖所示，係將光 元件晶圓2之内面2b側载置於雷射加工裝置3之夾頭台31 上。接著’藉由未圖示之吸引機構，將光元件晶圓2吸引 保持於夾頭台31上（晶圓保持步驟）。因此，吸引保持於夾 頭台31上之光凡件晶圓2,其表面2a會構成上侧。若已依 上述般實施晶圓保持步驟，則與上述改質層形成步驟相 同，實施對準步驟。 若已實施對準步驟，則如第5(a)圖所示，將夾頭台31 移動至照射雷射光線之雷射光線照射機構32之聚光器322 所在的雷射光線照射領域，且將預定之切割道21之一端（於 第5(a)圖中為左端）定位在雷射光線照射機構32之聚光器 322之正下方。接著，自聚光H 322照射對光元件晶圓2 、有及收性之波長的脈衝雷射光線，並使夾頭台W以預定 ★ 進給速度朝第5⑷財以箭頭記號X〗所示之方向移動。接 著，如第5(b)圖所*，若聚光器322之照射位置到達切割 11 201009919 道21另一端之位置，則停止脈衝雷射光線之照射，同時停 止爽頭台31之移動。於此雷射加工溝形成步驟中，係將脈 衝雷射光線之聚光點p定位在光元件晶圓2之表面2a(上面） 附近。其結果，於光元件晶圓2之表面2a會沿著切割道21 形成雷射加工溝212。 上述雷射加工溝形成步驟中的加工條件係例如設定如 光源 波長 反覆頻率 平均輸出 加工進給速度 YAG脈衝雷射 355nm 90〜200kHz 0.8 〜1.2W 100〜3 00mm/秒 若已依上述般沿著朝光元件晶圓2之預定方向延長的 所有切割道21實行上述雷射加工溝形成步驟，則使夾頭台 31旋動90度’並沿著與上述預定方向呈正交地延伸之各切 割道21實行上述雷射加工溝形成步驟。 若已實施上述雷射加工步驟，則實施藉由可剝離之接 合劑，將光元件晶圓2之表面接合於剛性高之保護板之表 面的保護板接合步驟。亦即，如第⑽及6(b)圖所示，係 ® 藉由可剝離之接合劑，將光元件晶圓2之表面23接合於剛 性尚之保護板4之表面4a。保護板4係藉由玻璃基板等剛 性兩之材料形成為圓盤狀，且其表面4a及内面牝係平坦 地开>成。該保6蔓構件4係藉由玻璃基板構成時，以厚度為 2mm左右為佳。又，作為構成保護板4之材料除玻璃基 板外，可使用陶瓷、不鏽鋼等金属材料、樹脂等等。再者， 作為可剝離之接合劑，係可使用於例如贼之溫度下溶融 12 201009919 若已實施上述保護板接合步驟，則實施研磨已黏貼在 保8蔓板4上之光元件晶圓2之内面2b，並將光元件晶圓2 7成為元件之成品厚度的内面研磨步驟。於圖示之實施形 能 rfc» ❹ 參 ^内面研磨步驟係藉由粗研磨步驟與精研磨步驟來 實施。粗研磨步驟係使用第7圖所示之研磨裝置來實施。 第7圖所示之研磨裝置5係具備：夾頭台51，係保持被加 工物者，及粗研磨機構52a，係將已保持於該夾頭台51上 之被加工物的被加工面進行粗研磨者。夾頭台51係於上面 吸引保持被加工物，且朝第7圖中以箭頭記號八所示之方 向旋轉。粗研磨機構52a係具備：轉轴外殼521a ;旋轉輛 522a ’係支持於該轉軸外殼521a且可自由旋轉’並藉由未 圖不之旋轉驅動機構旋轉者；置件機523a，係安裴於誃旋 轉軸522a之下端者；及粗研磨輪524a，係安裝於該置 523a之下面者。該粗研磨輪52乜係包含有：圓板狀 525a’及粗研磨石526a，係安裝於該基台525a之下之〇 環狀者又，基台525a係藉由締結螺栓527a而农 呈 23a之下面。於圖示之實施形態中，粗研磨石夏 係使用已藉由金屬結合將粒徑為06Ομιη左右之鑽 進行燒結的金屬結合磨石。 磨麵 在使用上述研磨裝置5來實施粗研磨步驟時，將 施上述保護板接合步驟之光元件晶圓2的賴板巳貧 於夾頭台51之上面(保持面），且透箱護板4將光則戰薏 圓2吸W保持於夾頭台51上。因此，透過保護板 牛吨 %亏丨保 13 201009919 持於夾頭台51上之光元件晶圓2的内面2b會構成上側。 若已依此將光元件晶圓2吸引保持於夾頭台41上則藉由 例如3〇Grpm使夾頭台51朝箭頭記號A所示之方向旋轉， 並藉由例如lOOOrpm使粗研磨機構52a之粗研磨輪52如朝 箭頭s己號B所示之方向旋轉而與光元件晶圓2之内面沘 相接觸，且藉由例如〇.〇25mm/分之研磨進給速度將粗研磨 輪524a朝下方進行研磨進給，藉此，將光元件晶圓2之内 面2b進行粗研磨。於該粗研磨步驟中，研磨水係供給至研 磨加工部’且該研磨水之供給量可為4公升/分。又，於圖 示之實施形態中，粗研磨步驟中的研磨量係設定為 345μηι。因此，於圖示之實施形態中，已實施粗研磨步驟 的光元件晶圓2之厚度係構成80μιη。 若已實施上述粗研磨步驟，則實施精研磨步驟。如第8 圖所示，該精研磨步驟係使用與上述第7圖所示之研磨裝 置5實質上為相同的研磨裝置5來實施。亦即，第8圖所 示之研磨裝置5係具備：夾頭台51 ;及精研磨機構52b， 係將已保持於該夾頭台51上之晶圓的加工面進行精研磨 者。精研磨機構52b係具備：轉轴外殼521b;旋轉轴522b， 係支持於該轉軸外殼521b且可自由旋轉，並藉由未圖示< 旋轉驅動機構旋轉者；置件機523b，係安裝於該旋轉軸522b 之下端者；及精研磨輪524b，係安裝於該置件機523b之下 面者。該精研磨輪524b係包含有：圓板狀之基台525b;及 複數個精研磨石526b，係安裝於該基台525b之下面且呈壤 狀者，又，基台525b係藉由締結螺栓527b安裝於置件機 201009919 523b之下面。於圖示之實施形態中，精研磨石526b係使用 已藉由樹脂結合將粒徑為0 ΙΟμηι左右之鑽石磨粒進行燒 結的樹脂結合磨石。依此所構成之精研磨機構52b 一般係 配設於與上述粗研磨機構52a相同之研磨裝置，且保持有 已藉由上述粗研磨機構52a進行粗研磨之被加工物的夾頭 台51會移動至上述精研磨機構52b之加工領域。 其次，參照第8圖，說明使用上述精研磨機構52b來 實施之精研磨步驟。 保持有已错由上述粗研磨機構52a實施粗研磨步驟之 光元件晶圓2的爽頭台52係移動至第8圖所示之精研磨機 構52b之加工領域。若已將夾頭台52移動至第8圖所示之 加工領域，則藉由例如3〇〇rpm使夾頭台51朝箭頭記號A 所示之方向；k轉，並藉由例如15〇〇rpm使精研磨機構52b 之精研磨輪524b朝箭頭記號B所示之方向旋轉而與光元件 晶圓2之内® 2b相接觸，且藉由例如❹遞咖/分之研磨 進給速度將精研磨輪524b朝下方進行研磨進給，藉此，將 光7G件晶圓2之内面2b進行精研磨。於該精研磨步驟中， 研磨水係供給至研磨加卫部，且該研磨水之供給量可為4 公升/分。又，於圖不之實施形態中，精研磨步驟中的研磨 量係設定為55μηι，因此，於圖示之實施形態中，已實施精 研磨步驟的光元件晶圓2之厚度係構成25μιη。 已依上述般實施由粗研磨步驟及精研磨步驟所構成之 内面研磨步驟的光元件晶圓2係形成為極薄之厚度 25μηι， 然而，由於接合於剛性高之保護板4，因此不會破裂。 15 201009919 又，雖然考量於實施上述内面研磨步驟，而將光元件 晶圓2之厚度形成元件成品厚度後，再實施上述雷射加工 步驟，然而，倘若將光元件晶圓2之厚度形成為極薄之例 如25μηι，特別是在改質層形成步驟中，將雷射光線之聚 光點Ρ定位在光元件晶圓2之内部將變得困難。因此，上 述雷射加工步驟係在實施内面研磨步驟前之光元件晶圓2 的厚度為較厚狀態下實施。 其次，若已實施上述内面研磨步驟，則實施對光元件 晶圓2賦予外力，而使光元件晶圓2沿著形成有斷裂起點 之切割道21而斷裂，藉此，使光元件晶圓2分割成各個光 元件的晶圓分割步驟。如第9圖所示，此晶圓分割步驟係 將已實施上述内面研磨步驟之光元件晶圓2之保護板4側 載置於支持基台6上。接著，藉由沿著形成有構成斷裂起 點之改質層211或雷射加工溝212之切割道21，對自光元 件晶圓2之内面2 b側而截面呈三角形狀之外力賦予構件6 0 之棱線進行定位按壓，而使光元件晶圓2沿著切割道21斷 裂（斷裂步驟）。藉由實施沿著形成有構成光元件晶圓2之斷 裂起點之改質層211或雷射加工溝212的全部切割道21的 斷裂步驟，光元件晶圓2係沿著切割道21而被分割成各個 光元件22。 其次，係實施將已實施晶圓分割步驟而分割成各個光 元件22之光元件晶圓2的内面黏貼在切割帶之表面上，並 將黏貼在光元件晶圓2之表面上的保護板4剝離的晶圓支 持步驟。亦即，如第10(a)圖所示。將光元件晶圓2之内面 201009919 2b黏貼至安襄在環狀框架？之切割帶τ之表面上(切割帶黏 貼γ驟）接著’如第1〇(b)圖所示，將黏貼於光元件晶圓2 之表面2a上之保護板4剝離(保護板剝離步驟此時，由 於藉由將保護板4加熱至腕左右，使接合光元件晶圓2 與保漢板4之魏融，因此，可輕易地自光元件晶圓2剝 離保護板4。 若已實施上述晶圓支持步驟，則實施自切割帶T剝離 已黏貼於切割帶T之各個經分割之光元件2 2並進行拾取的 拾取步驟。該拾取步驟係使用第u圖所示之拾取裝置7來 實施。第11圖所示之拾取裝置7係具備：框架保持機構71， 係保持上述環狀框架F者；帶擴張機構72，係擴張已安裝 於環狀框架F之切割帶τ，且該環狀框架F係保持於該框 架保持機構71上者；及拾取筒夾73。框架保持機構71係 由環狀框架保持構件711及配設於該框架保持構件Ml之 外周作為固定機構的複數夾具712所構成。框架保持構件 711之上面係形成用以載置環狀框架F之载置面71以，且 於此載置面711a上載置環狀框架F。接著，載置於載置面 711a上之環狀框架F係藉由夾具m固定於框架保持構件 711。依此所構成之框架保持機構71係藉由帶擴張機構乃 支持為可朝上下方向進退。 帶擴張機構72係具備配設於上述環狀框架保持構件 711之内側之擴張滾筒721。此擴張滾筒721係具比環狀框 架F之内徑小，且比黏貼在已安裝於該環狀框架f之切= 帶T上的光元件晶圓2之外徑大的内徑及外徑。 ° 二人’擴張 17 201009919 滾筒721係於下端具有支持凸緣722。圖示之實施形態中之 帶擴張機構72係具備可使上述環狀框架保持構件711朝上 下方向進退之支持機構723。此支持機構723係由配設於上 述支持凸緣722上的複數氣缸723a所構成，且其活塞桿 723b係與上述環狀框架保持構件711之下面連結。依此， 由複數氣缸723a所構成之支持機構723係使環狀框架保持 構件711於基準位置與擴張位置間朝上下方向移動，且上 述基準位置係如第12⑷圖所示，載置面7Ua係構成與擴 張滾筒721之上端略呈相同之高度，而上述擴張位置則如 鲁 第12(b)圖所示’相較於擴張滾筒721之上端位於預定量之 下方。 參‘系第12(a)至12(c)圖，說明使用依上述所構成之拾 取裝置7來實施之拾取步驟。亦即，如第12⑷圖所示，將 已安裝黏貼有光元件晶圓2(沿著切割道21分割成各個光元 ' 件22)之切割帶τ環狀框架F，載置於構成框架保持機構η =框架保持構件711的載置面711a上，且藉由夾具7ΐ2固 定於框架保持構件7U。此時’框架保持構件7ιι係定位在 ❹ 第吻圖所示之基準位置。其次，使作為構成帶擴張機構 72之支持機構723的複數氣缸7仏作動，並使環狀框架保 持構件7U下降至第12⑻圖所示之擴張位置。由於固定在 框架保持構件711之載置面7Ua上的環狀框架F亦會下 降，因此’如第12(b)圖所示，已安裝於環狀框架F之切割 帶τ會與擴張滚筒721之上端緣接連而擴張。其結果，黏 貼在切割帶T上之光元件22間會擴展且間隔S擴大。其 18 201009919 " 次，如第l2(c)圖所示，使拾取筒夾73作動而吸附光元件 22，且自切割帶τ剝離而進行拾取，並搬送至未圖示之托 盤。於上述拾取步驟中，如前所述，由於光元件22間的間 隙S會擴大，因此不會與鄰接之光元件22接觸而可輕易地 進行拾取。 其次，說明在上述第1圖中沿著切割道21而將光元件 晶圓2分割成各個光元件晶圓22之光元件晶圓之加工方法 % 的第2實施形態。 第2實施形態除了在晶圓分割步驟與晶圓支持步驟與 上逑第1實施形態不同外，其他各步驟係與第1實施形態 相同。因此，第2實施形態亦首先如上述第2圖至第5圖 所示’首先實施沿著切割道21而對光元件晶圓2照射雷射 光線’並沿著切割道21於光元件晶圓2施行構成斷裂起點 之雷射加工的雷射加工步驟。接著，如上述第6圖所示， 實施藉由可剝離之接合劑，將光元件晶圓2之表面接合於 ® 剛性高之保護板之表面的保護板接合步驟，接著，如上述 第7圖與第8圖所示，實施研磨接合有保護板4之光元件 晶圓2之内面2b，並將光元件晶圓2形成為元件之成品厚 度的内面研磨步驟。 若已依上述實施雷射加工步驟與保護板接合步驟以及 内面研磨步驟，在第2實施形態中係實施將已實施内面 磨步驟之光元件晶圓2的内面黏貼至切割帶之表面 =合於光元件晶圓2 <表面的保護板4 _的晶圓+ 。亦即’如第13_所示，將已實施内面研磨步驟心 19 201009919 几件晶圓2之内面2b|t貼至安裝在環狀框架f之切割帶τ 之表面上(切割帶黏貼步驟）。接著，如第ΐ3_所示，將 =貼於光科晶圓2之表面2a上之保護板4剝離(保護板 :離步驟）。此時，由於藉由將保護板4加熱至抓左右， ^接合光糾晶圓2與保護板4之觀融，因此，可輕易 自光元件晶圓2剝離保護板4。 其次，係實施對已實施上述晶圓支持步驟之光元件晶 圓2賦予外力，而使光元件晶圓沿著形財斷裂起點之切

^21而斷裂’藉此，使光元件晶圓分割成各個光元件的 :圓分割步驟。舉例而言，如第14(a)圖所示，此晶圓分割 步驟係將内面2b6黏貼於切割帶T之表面上的光元件晶圓 之表面2a栽置於柔軟之橡膠片8上。因此，黏貼有光元

牛晶圓2之切割帶，會構成上側。接著，藉由將切割帶F ^上面利用按壓滾筒8〇按壓並轉動’如第剛、Η⑷圖 元件晶圓2係改質層211或雷射加工溝212會構成 起點而沿著切割道21斷裂。又，由於已各個分割之光

^牛22係内面勒貼在切割帶Τ上，因此不會分散而可維持 光几件晶圓2之形態。 若已依上述實施晶圓分割步驟，則如上述第i實施形 態中之第11圖與第12圖所示，實施將黏貼在切割帶丁並 已各個分割之元件22自切卿τ_並進行拾取的拾取步 驟。 【圖式簡單說^明】 第1圖係藉由本發明光元件晶圓之加工方法所分割之 20 201009919 - 光元件晶圓的立體圖。 第2圖係顯示用以實施本發明光元件晶圓之加工方法 中之雷射加工步驟之改質層形成步驟的雷射加工裝置主要 部分之透視圖。 第3 (a )、3 (b)圖係顯示本發明光元件晶圓之分割方法中 之雷射加工步驟之改質層形成步驟的說明圖。 第4圖係顯示用以實施本發明光元件晶圓之加工方法 中之雷射加工步驟之雷射加工溝形成步驟的雷射加工裝置 ® 主要部分之透視圖。 第5(a)、5(b)圖係顯示本發明光元件晶圓之加工方法中 之雷射加工步驟之雷射加工溝形成步驟的說明圖。 - 第6(a)、6(b)圖係本發明光元件晶圓之加工方法中之保 護板接合步驟的說明圖。 第7圖係顯示本發明光元件晶圓之加工方法中之内面 研磨步驟之粗研磨步驟的說明圖。

第8圖係顯示本發明光元件晶圓之加工方法中之内面 A 研磨步驟之精研磨步驟的說明圖。 第9圖係顯示本發明光元件晶圓之加工方法中之晶圓 分割步驟之第1實施形態的說明圖。 第10(a)、10(b)圖係顯示本發明光元件晶圓之加工方法 中之晶圓支持步驟之第1實施形態的說明圖。 第11圖係用以實施本發明光元件晶圓之加工方法中之 拾取步驟之拾取裝置的立體圖。 第12(a)至12(c)圖係本發明光元件晶圓之加工方法中 21 201009919 之拾取步驟的說明圖。 第13(a)、13(b)圖係顯示本發明光元件晶圓之加工方法 中之晶圓支持步驟之第2實施形態的說明圖。 第14(a)至14(c)圖係顯示本發明光元件晶圓之加工方 法中之晶圓分割步驟之第2實施形態的說明圖。 【主要元件符號說明】 2 光元件晶圓 52a 粗研磨機構 2a 表面 52b 精研磨機構 2b 内面 60 外力賦予構件 3 雷射加工裝置 71 框架保持機構 4 保護板 72 帶擴張機構 4a 表面 73 拾取筒夾 4b 内面 211 改質層 5 研磨裝置 212 雷射加工溝 6 支持基台 321 套管 7 拾取裝置 322 聚光器 8 橡膠片 521a 轉軸外殼 21 切割道 521b 轉軸外殼 22 光元件 522a 旋轉軸 31 夾頭台 522b 旋轉軸 32 雷射光線照射機構 523a 置件機 33 攝影機構 523b 置件機 41 夾頭台 524a 粗研磨輪 51 夾頭台 524b 精研磨輪

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525a 基台 722 支持凸緣 525b 基台 723 支持機構 526a 粗研磨石 723a 氣缸 526b 精研磨石 723b 活塞桿 527a 締結螺栓 A、B 'Χ'ΧΙ Ύ 527b 締結螺栓 F 環狀框架 711 框架保持構件 P 聚光點 711a 載置面 S 間隙 712 失具 T 切割帶 721 擴張滚筒 箭頭記號

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Claims (1)

1. 201009919 七、申請專利範圍： 1. 一種光元件晶圓之加工方法，係將光元件晶圓沿著複數 個切割道分割成各個光元件者，前述光元件晶圓係在已 藉表面形成格子狀之複數個切割道所劃分之複數個領域 上形成有光元件，而其特徵在於，前述加工方法包含有 以下步驟： 雷射加工步驟，係沿著切割道於光元件晶圓照射雷 射光線，並沿著切割道於光元件晶圓之表面側施行構成 斷裂起點之雷射加工者； 參 保護板接合步驟，係藉由可剝離之接合劑，將已實 施該雷射加工步驟之光元件晶圓之表面接合於剛性高之 保護板之表面者； 内面研磨步驟，係研磨已黏貼在該保護板上之光元 件晶圓之内面，並將光元件晶圓形成為元件之成品厚度 者； 《口又 晶圓分割步驟，係對已實施該内面研磨步驟之光元 件晶圓賦予外力，且使光元件晶圓沿著形成有斷裂起點 參 之切割道而斷裂，藉此，使光元件晶圓分害彳成各個光元 件者； 晶圓支持步驟’係將已實施該晶κ分f彳步驟之分割 成各個光元件之光元件晶圓的内面黏貼在切判帶之表 面上，並將如在衫件《之表__板剝離者； 及 拾取步驟’係將黏貼在切割帶之各個經分割之元件 24 201009919 進行拾取者。 2· 一種光元件晶圓之加工方法，係將光轉晶圓沿著複數 個切割道分割成各個光元件者，前述光元件晶圓係在已 藉表面形成格子狀之複數個_道關分之複數個領域 上形成有光元件，而其特徵在於，前述加工方法包含有 以下步驟： 雷射加工步驟，係沿著切割道於光元件晶圓照射雷 ❹ 射域’並沿著_道於光元件晶®之表面側施行構成 斷裂起點之雷射加工者； 保護板接合步驟，係藉由可剝離之接合劑，將已實 ㈣雷射加工步驟之光元件晶圓之表面接合於剛性高之 保護板之表面者； 内面研磨步驟，係研磨已黏貼在該保護板上之光元 件晶圓之内面，並將光元件晶圓形成為元件之成品厚度 者； 又 ® 晶圓支持步驟，係將已實施該内面研磨步驟之光元 件晶圓的内面黏貼在切割帶之表面上，並將黏貼在光元 件晶圓之表面的保護板剝離者； 晶圓分割步驟，係對已實施該晶圓支持步驟之光元 件晶圓賦予外力，且使光元件晶圓沿著形成有斷裂起點 之切割道而斷裂，藉此，使光元件晶圓分割成各個光元 件者；及 拾取步驟，係將黏貼在切割帶之各個經分割之元件 進行拾取者。 25 201009919 3. 如申請專利範圍第1或2項之光元件晶圓的加工方法， 其中該雷射加工步驟係使聚光點對準光元件晶圓之内部 而照射對光元件晶圓具有透過性之波長的雷射光線，藉 此，沿著切割道於光元件晶圓之内部形成構成斷裂起點 之改質層。 4. 如申請專利範圍第1或2項之光元件晶圓的加工方法， 其中該雷射加工步驟係照射對光元件晶圓具有吸收性之 波長的雷射光線，藉此，沿著切割道於光元件晶圓之表 面形成構成斷裂起點之雷射加工溝。

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