TW201009037A - Adhesive sheet, method for processing adherend using the adhesive sheet, and adhesive sheet-peeling device - Google Patents

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201009037 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 - 本發明係關於一種黏著片、使用該黏著片之被黏著體之 加工方法、及黏著片剝離裝置，該黏著片係作為保護被黏 著體不因研磨被黏著體而產生「裂痕」或「缺口」之暫時 固定用黏著片而使用者，可抑制將被黏著體研磨得極薄後 被黏著體所產生之「翹曲」，使用後，可藉由對黏著片加 熱，而使黏著片之外緣部自被黏著體上浮升，形成剝離起 端。 【先前技術】 對於以矽、鍺、鎵-砷等作為材料之半導體晶圓，係以 大直徑之狀態而製造後，進行背面研削（背面研磨）以達到 特定之厚度，進而，視需要實施背面處理(蝕刻、拋光 等）、切斷加工等， 導體材料之薄型化 藉此製造半導體晶片。近年來，對半 量化之要求進一步提高，就半導體

晶圓而言，產生使其厚度薄至100叫或1〇〇 _以下的需 要’但此種研磨得較薄之半導體晶圓非常脆而容易破裂。 因此，進行半導體晶圓加卫時係採用如下方法：使用暫時 固定用黏著Μ以下’有時稱為「背面研磨膝帶」）來保持 半導體晶圓’實施應進行之加卫後，將背面研磨膠帶 導體晶圓上剝離、回故。 但是，該方法有時會產生以 貼於半導體晶圓上時，由於毒占 磨勝帶所受到之力，背面研磨 下問題：將背面研磨膠帶黏 貼於半導體晶圓上時背面研 膠帶產生彈性變化，彈性變 140214.doc 201009037 化之背面研磨膠帶要復原之力（應力）傳導至半導體晶圓， 但是研磨得較薄之脆弱之半導體晶圓的剛性較小，因此無 法耐受該應力，脆弱之半導體晶圓產生「翹曲」或「彎 曲」，導致難以搬送，或者若「翹曲」過大則會引起脆弱 之半導體晶圓破裂等。 而且，背面研磨膠帶通常係由活性能量線硬化型黏著劑 層構成，半導體晶圓之研磨等加工步驟結束後，藉由照射 活性能量線使黏著劑層硬化而使黏著力降低後，自半導體 晶圓上剝離，但於較多情況下，即使藉由照射活性能量線 而使背面研磨膠帶之黏著力降低，其仍然由於大氣壓而密 著於半導體晶圓之表面。因此，要將背面研磨膠帶剝離 時，首先要作成剝離起端，為此，多係以捏住背面研磨膝 帶將其提起、或搓揉背面研磨膠帶之方式而作成剝離起 端。但是，存在脆弱之半導體晶圓容易由於該操作而破損 之問題。 又’普通之背面研磨膠帶之剝離裝置的結構為：將經研 磨處理之半導體晶圓/背面研磨膠帶積層體（以下，有時稱 為研磨完畢之晶圓」）固定於吸附台上後，將組裝入剝 離裝置中之剝離用膠帶貼合於研磨完畢之晶圓的背面研磨 膠帶面上’進行撕拉剝離，藉此將背面研磨膠帶除去。該 剝離膠帶係以自研磨完畢之晶圓之背面研磨膠帶的端部朝 向内部之方式而貼合於其表面，可藉由拉伸剝離膠帶而將 不再需要之背面研磨膠帶剝離。但是，對於配合圓周形狀 之半導體晶圓而黏貼之圓周形狀的背面研磨膠帶，則無法 140214.doc 201009037 將矩形之剝離膠帶不使其自背面研磨膠帶端部露出地加以 貼合’有時剥離膠帶會自背面研磨膠帶露出，儘管實際上 僅為極小之部分。此處，隨著半導體晶圓變薄，若剝離膠 f之露出面貼附於剝離裝置等上，且於此狀態下拉伸剝離 膠帶，則有時會使半導體晶圓一起彎曲，導致半導體晶圓 破損。又，若不將剝離膠帶貼合到達端部，則雖可避免上 $半導體晶u破損，但於此情形時，有時即使拉伸剝離膠 ▼剝離應力亦$、法充分地傳導至背面研磨 以除去背面研磨膠帶。 而難 於曰本專利特開200(Μ29223號公報中，揭示有包含收 縮I·生膜、剛性膜與能量線硬化型黏著劑層之半導體晶圓保 護用黏著片。其中記载，根據該黏著片，當照射活性能量 線而使黏著劑層之接著力降低，並且制所需之機構使收 =I·生膜收縮時’黏著片變形，半導體晶圓與黏著劑層之接 面積減少，因此可自半導體晶圓上容易地剝離黏著片。 本發明者選用任意之材料對同樣之情況進行研究， 發現由於收縮性琪係自複數個方向收縮等，因此加熱 片有可能會在半導體晶圓表面摺疊等，而導致剝 離困難或被黏著體損壞。 亦即’現狀為尚未找到知& 找到如下之背面研磨膠帶、以及背面 m ^ Μ貪面研磨膠帶係在對半導體晶圓 體晶圓研磨得極薄，其 曲 、亦可抑制半導體晶圓所產生 两 I ，光Θ必—丄 體曰n m圓不破損等者，即使將半導 之「勉 並且者面研磨杜击銘 束後’可不使半導體晶圓破損及污 >4〇2l4.doc 201009037 染地將不再需要之背面研磨膠帶剝離；該背面研磨膠帶之 剝離裝置可不使半導體晶圓破損及污染地將背面研磨膠帶 剝離。 先行技術文獻 專利文獻 專利文獻1:日本專利特開2000-129223號公報 【發明内容】 發明所欲解決之問題 因此’本發明之目的在於提供一種黏著片，其係用以在 對被黏著體進行背面研磨時防止被黏著體產生「裂痕」或 「缺口」者，即使將被黏著體研磨得極薄，其亦可抑制研 磨後所獲得之脆弱之被黏著體所產生之「翹曲」，並且背 面研磨結束後，可不使脆弱之被黏著體破損及污染地將其 剝離。 本發明之其他目的在於提供一種使用本發明之黏著片的 被黏著體之加工方法、及上述被黏著體之加工中所使用之 黏著片剝離裝置。 解決問題之技術手段 本發明者等人為了解決上述課題而潛心研究，結果發 現，以材料力學之梁理論為基礎來對抑制「翹曲」量之方 法進行研九則就由基材層X/黏著劑層γ所構成之雙層結 構之黏著片而言，若提高構成黏著片之基材層之剛性，則 即使半導體晶圓薄膜化，亦可使所獲得之脆弱之半導體晶 圓的曲率轉小，從而可抑制所產生之「麵曲」。但是， 140214.doc 201009037 若為了提高基材層之剛性而使基材層變厚，則向半導體晶 圓上黏貼、或自脆弱之半導體晶圓上剝離之操作變得較為 困難’因此並非現實的解決方法。 本發明者等人進-步反覆研究，結果發現，若使黏著片 ^ 形成為如基材層（χ-1)/黏著劑層（Y· 1)/基材層（X-2)/黏著劑 層（γ-2)之4層結構，則即使基材層之總厚度不增加（即，基 材層X之厚度g基材層（χ_1}之厚度+基材層（χ_2)之厚 幻’亦可冑由使膠帶積層構成形成為特定之結構，而使 半導體晶圓之曲率R，小於上述尺，獲得更強地抑制所產生 之「翹曲」之效果（參照圖3)。 。又二本發明者等人認為，為了残脆弱之半導體晶圓破 損及〉可染地將不再需要之背面研磨膠帶剝離，需要附加有 易剝離性功能之黏著片。並且，作為賦予易剝離性功能之 方法，本發明者等人認為，只要可藉由對黏貼於半導體晶 圓上之背面研磨膠帶實施加熱處理等，而使背面研磨谬帶 • 卩黏貼於半導體晶圓上之面為凹面之方式產生翹曲，與被 黏著體之間產生浮升，從而形成剝離起 之背面研磨膠帶。其原因在於，如此之外緣部 導體晶圓產生浮升之背面研磨膠帶，無需為了作成剝離起 端而將其捏住且提起、或進行搓揉。另外，其原因在於， 即使並不將剝離膠帶貼合到達背面研磨膠帶之端部，藉由 將其貼合於背面研磨膠帶的自半導體晶圓上浮升之部分與 仍然密著於半導體晶圓上之部分的分界處並拉伸，亦可使 剝離應力充分地傳導至背面研磨膠帶，而將不再需要之背 140214.doc 201009037 面研磨膠帶剝離，並且，藉由 度保持為極大一面進行拉伸， 其原因在於，可將使脆弱之半 為極小。 一面將該剝離膠帶之剝離角 可使剝離應力極小。亦即， 導體晶圓破損之可能性控制 進而制離應力較小’則黏著劑剝落至脆弱之半導體晶 圓上之可此)生亦變小’因此亦可使由於剝離而使脆弱之半 導體B曰圓污木之可能性較小。又，即使貼附於脆弱之半I · 體晶圓研磨面側之構件上’亦由於可使剝離應力為極小， 而使跪弱之半導體晶圓破損之可能性變小。 φ 因此’本發明者等人發現如下之黏著片：製作使用熱收 縮性基材之黏著片，設法將熱收縮性基材由於受到加熱而 收縮之力轉換成力偶’藉此可使黏著片之外緣部自半導體 晶圓之表面浮升，形成剝離起端。 並且發現如下情況，從而完成本發明：若使用具有上述 構成之黏著片作為半導體晶圓等之被黏著體之背面研磨膠 帶，則將其貼合於半導體晶圓等之被黏著體上後，即使將 半導體晶圓研磨得極薄，其亦可抑制所獲得之脆弱之半導© 體B曰圓產生「翹曲」，並且，當不再需要該黏著片時，可 藉由加熱而容易地形成剝離起端，可不使被黏著體污染、 破損地容易地將其剝離。 _ 亦即，本發明提供一種黏著片，其係將具有下述特性之 - 基材層A、黏著劑層a、基材層B、及黏著劑層8依序積層 而成者： 基材層A: 25。(：下之楊氏模量與基材厚度之乘積為 1402I4.doc 201009037 1·0Χ105〜4.0X105 N/m，80°c下之楊氏模量與基材厚度之乘 積為2.8xl05N/m以下的基材層； 黏著劑層A: 80。(：下之剪切模數為0.2 Mpa以下的黏著劑 層； 基材層B ·· 25。(：下之揚氏模量與基材厚度之乘積小於 25°C下之基材層a的楊氏模量與基材厚度之乘積，於8〇乞 下加熱所致主收縮方向的收縮率及與主收縮方向正交之方 向的收縮率均為20%以上的熱收縮性基材層； 黏著劑層B : 80。(：下之揚氏模量為10 MPa以上，且對矽 製晶圓之黏著力為0.2 N/10 mm(180。撕拉剝離，拉伸速度 為300 mm/min)以下的黏著劑層。 基材層A較好的是，於8(rc下加熱所致收縮率、膨脹率 均為1 %以下。 黏著劑層B較好的是活性能量線硬化型黏著劑層，且較 好的疋含有側鏠具有（甲基）丙烯酸酯之丙烯酸系聚合物、 交聯劑、以及活性能量線聚合起始劑。 又，本發明提供一種被黏著體之加工方法，其特徵在 於：將上述黏著片黏貼於被黏著體上，對該被黏著體實施 所需之加工後’藉由加熱而使上述黏著片曲成基材層A 之表面呈凹面，與被黏著體之間產生浮升從而將其剝離。 較好的疋，使用黏著劑層B為活性能量線硬化型黏著劑 層之黏著片作為黏著片，並將該黏著片黏貼於被黏著體 上，對該被黏著體實施所需之加工後，照射活性能量線而 使黏著劑層B硬化，繼而進行加熱使上述黏著片翹曲成基 1402I4.doc 201009037 材層A之表面呈凹面，與被黏著體之間產生浮升。 作為黏著片之剝離方法，較好的是將貼附於變形之黏著 片之基材層A側的表面外緣部之剝離膠帶朝上方拉伸，藉 此將黏著片剝離。 進而，本發明提供—種黏著片剝離裝置，其係、上述被黏 者體之加工方法中所使用者，其包括：料線曝光機構， 其係作為活性能量線源；加熱機構，其係心料貼於被 黏著體上之黏著片進行加熱；以及剝離機構，其係用以將 參 藉由加熱而麵曲成基材層A之表面呈凹面，且與被黏著體 之間產生浮升之黏著片剝離。 發明之效果 若使用本發明之黏著片料背面研磨膠帶，射不產生 2痕」A「缺π」㈣半導體晶圓等之被黏著體研磨得 二丰Ϊ到厚度2〇叫〜25 -左右’且可抑制所獲得的脆 显導體晶圓所產生之「翹曲」。進而，藉由對研磨完 畢之晶圓進行加熱，可使本發明之黏著片起曲成基材層A 之表面呈凹面而產生浮升’形成剝離起端，因此貼合矩形 之剝離膠帶時，即使並不最大限度地貼合到達黏著片之外 緣部，亦可將不再需要之黏著片容易且乾淨地剝離。進 而，本發明之黏著片可利用本發明之黏著片剝離裝置，經 =性能量線照射、加熱步驟而不使半導體晶圓等之被黏 者體破損地順利地剝離、回收。 【實施方式】 以下’視需要—面參照圖式—面詳細地說明本發明之實 140214.doc -10. 201009037 施形態。圖1係表示本發明 f a义黏著片之一例的概略剖面 之一例的概略側 圖，圖2係表示本發明之黏著片泰j離裝置 視圖 圖1之例中，本發明之產签H f <、rl·* 之黏者片（5)中，基材層A(l)與基材 層B(3)利用黏著劑層A(2) ， ) 按 進而，於基材層B(3)上 積層有黏著劑層B(4) 〇 圖2之例中，本發明之剝離裝置包括加熱機構、紫外線 曝光機構6 ’以及回收黏著片5之剝離膠帶8,黏著片5係貼 合於半導體晶圓10上，兮本遵_科曰 该半導體晶圓10係黏貼於吸附台7 上之由環狀肋骨9固定之切宝丨跋m u疋之切割膠帶丨丨上。利用加熱機構6進 行加熱從而與半導體晶圓1〇之間產生浮升的黏著片5，係 藉由自上方貼附剝離膠帶8 ’且對剝離膠帶8進行撕拉剝 離，而將其自半導體晶圓1〇上剝離。 [黏著片] 之黏著片係將基材層A、黏著劑層A、基材層B、 φ 及黏著劑層B依序積層而成者。 [基材層A] ，基材層A構成黏著片之最外層，其具有保護被黏著體不 受到研磨被黏著體時之研磨時應力、研磨屬、研磨水、及 研磨熱的影響之功能，要求即使將被黏著體研磨得極薄， 亦可抑制所獲得的脆弱之被黏著體所產生之「翹曲」。 因此八較好的疋力學特性優異，熱尺寸穩定性優異，且 化學性穩定。 ’ 作為力學特性，為了抑制將被黏著體研磨得極薄後，所 140214.doc 201009037 獲得之脆弱之被黏著體產生「魅曲」，研磨完畢之晶圓之 曲率（R )越小越好，特徵在於：於研磨時之溫度下、例如 25°C下之楊氏模量與基材厚度之乘積為ι.〇χ1〇5〜4 〇χ1〇5 N/m(較好的是1.5χ105〜2.〇xl〇5 N/m)。若25〇C下之楊氏模 量與基材厚度之乘積低於1.0xlO5 N/m，則存在脆弱之被黏 著體所產生之「翹曲」變大之傾向’且存在脆弱之被黏著 體變得容易破損之傾向。另一方面，若25下之楊氏模量 與基材厚度之乘積超過4·〇χ1〇5 N/m，則存在由於剛性過高 而難以貼合於被黏著體上之傾向。而且，若剛性較高，則 _ 貼合黏著片時之應力所引起之彈性變形力較大，將半導體 晶圓等之被黏著體研磨得較薄時所產生之「翹曲」容易變 得更大。 又，特徵在於：於剝離時之溫度下、例如8〇它下之基材 層A之揚氏模量與厚度的乘積為28x1〇5 N/m以下（較好的 是1.〇><105〜2.0><1〇5>^01)。若8〇。(：下之楊氏模量與厚度之 乘積超過2.8xlG5 N/m’則存在難以*使脆弱之被黏著體破 損地將包含該基材層之黏著片剝離的傾向。 © 作為熱尺寸穩定性，具體而言較好的是，於基材層6在 雙軸方向上收縮20%以上之特定溫度下、例如8〇。[下之熱 收縮率、熱膨脹率均為1%以下（較好的是〇 5%以下）。若 80 C下之熱收縮率、熱膨脹率均超過丨❶則存在對黏著 片進订加熱剝離時，黏著片在被黏著體表面摺疊等，從而 谷易導致剝離困難或被黏著體損壞之傾向。 作為本發明之基材層A，考慮到製造時之操作簡便性、 140214.doc •12- 201009037 或操作方便性、經濟性，於研磨被黏著體時之溫度、例如 於25°C下之揚氏模量較好的是1X109〜10X109 Pa，更好的是 l.OxlO9〜5.GxlG9 Pa。於剥離時之溫度、例如贼下之揚氏 模量較好的是3xl06〜2x1〇i〇 pa，更好的是lxi〇s〜ΐχΐ〇ι〇 - Pa。若揚氏模量過小，則存在研磨被黏著體後，脆弱之被 • #著體所產生之「翹曲」變大，脆弱之被黏著體變得容易 破損之傾向。另-方面，若楊氏模量過大，則存在難以貼 φ 合於被黏著體上之傾向。基材層A之厚度較好的是未滿1〇〇 μηι(例如5〜1〇〇 μιη左右），更好的是卜乃μπι左右。若上述 厚度過厚，則存在難以貼合於被黏著體上之傾向，而且操 作性、經濟性劣化，故而不佳：而且，若剛性較高，則貼 合黏著片時之應力所引起之彈性變形力較大，將半導體晶 圓等之被黏著體研磨得較薄時所產生之「翹曲」容易變得 更大《又，當設置於基材層Β上之黏著劑層Β為活性能量 線硬化型黏著劑層，且通過基材層Α而照射活性能量線 • 時，基材層A必須係由可使特定量以上之活性能量線透過 之材料（例如，具有透明性之樹脂）構成。 作為構成本發明之基材層A之基材，例如可較好地使用 以下具有紫外線透過性之聚合物：聚丙烯、聚乙烯、該等 之共聚物等之聚烯烴類；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二 甲酸丁二醋、聚乳酸等之聚酿類；Kapt〇n等之聚醯亞胺 類；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氣乙烯等之聚乙烯類；6,6_ 尼龍等之聚醯胺類；聚醚砜類；聚袼烯等。可根據加熱條 件等而自該等聚合物之中適當地選擇，且該等聚合物可單 140214.doc -13· 201009037 獨使用，或將2種以上混合使用。 其中，作為本發明之基材層A，較好的是包含聚酯類之 基材層，特別好的是包含聚對苯二甲酸乙二酯之基材層。 其原因在於，此種基材層於成本方面等經濟性方面優異， 與下述與基材層B相貼合時所使用之黏著劑層a之黏著性 較局，除此以外，亦具有耐熱穩定性優異、具備高機械強 度等優點。 作為本發明之基材層A ’例如可使用：商品名「Kapt〇n」 (杜邦公司製造）、商品名「Torayfan」（Toray公司製造）、 商品名「Lumirror」（Toray公司製造）、商品名「Art〇n」 (JSR公司製造）、商品名「Zeonor」（日本Ze〇n公司製造）、 商品名「Melinex」（帝人杜邦（Teijin DuPont)公司製造）等 市售〇〇 ’其中’可較好地使用商品名「Lumirr〇r」（T〇ray 公司製造）、商品名「Melinex」（帝人杜邦公司製造）。 又，對於上述市售品，視需要可適當地實施延伸處理或交 聯處理’亦可於表面實施電暈處理或印刷加工處理。 本發明之基材層A具有如下功能：當與基材層b積層 時’其可抵抗基材層B之收縮應力，防止該積層體由於加 熱而於貼附於被黏著體上之狀態下產生收縮而使被黏著體 破損。進而’具有如下功能：藉由抵抗基材層B之收縮應 力而產生的反作用之應力將收縮應力轉換成力偶，促進包 含基材層A之本發明之黏著片的外緣部產生變形。 [基材層B] 本發明之基材層B係作為驅動力源者，該驅動力源係用 140214.doc -14· 201009037 以使得藉由對包含該基材層B之黏著片自任意之方向進行 加熱’該黏著片會翹曲成基材層A之表面呈凹面，與被黏 著體之間產生浮升。本發明中’就不對實施加熱處理之方 向進行選擇之方面考慮，使用具有雙軸收縮性之熱收縮性 基材。70〜250°C之範圍内之特定溫度下、例如8(rc下之主 收縮方向（MD)的收縮率及與主收縮方向正交之方向 (TD)的收縮率（％)均為2〇%以上即可。推測本發明之基材 層B由於具有雙轴收縮性，因此並不僅自正交之2方向起作 用，而實際上係由2個收縮軸上所產生之收縮應力合成而 發揮作用，因此可成為如下之驅動力：無論自哪個方向加 熱亦產生收縮，使得包含該基材層B之黏著片&曲折回成 基材層A之表面呈凹面，與被黏著體之間產生浮升，形成 剥離起端。 右8〇 C下之主收縮方向之收縮率（％)及與主收縮方向正 交之方向的收縮率（％)低於鳩，則黏著片整體之剛性強 過收縮應力，因此有時即使對包含該基材層B之黏著片自

.方向進饤加熱，該黏著片亦不會翹曲成基材層A L面：：面’或者雖產生趣曲但極輕微，難以獲得剝離 旦疋’雙軸各自之收縮率可不相同，例如可使一方 之軸之收縮率為20%， 杜 m 另方之軸之收縮率為30%，此 ’’縮率較高之財向料域縮方向。 本發月之基材層B之雙轴收縮性，例如可 機所擠出之㈣施雙料伸處^盆 程度來 作為構成本發明之基材層B之熱收縮 I402I4.doc 201009037 性基材較好的是，藉由利用剝離裝置之加熱機構進行加 熱，含有該熱收縮性基材之黏著片可產生對於形成剝離起 端充分之收縮，並且如上所述，當設置於基材層B上之黏 著劑層B使用活性能量線硬化型黏著劑層，且通過基材層 B來照射活性能量線時，基材層B必須係由可使特定量以 上之活性能量線透過之材料（例如，具有透明性之樹脂）構 成。 作為構成本發明之基材層B之熱收縮性基材，例如可較 好地使用以下具有紫外線透過性之聚合物：聚丙烯、聚乙 烯、該等之共聚物等之聚烯烴系收縮基材；聚對苯二甲酸 乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚乳酸等之聚酯系收縮基 材；對乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等化學性穩定之基材進行 延伸處理所得的收縮基材等。可根據加熱條件等之剝離環 境而自該等聚合物中適當選擇，又，該等聚合物可單獨使 用’或將2種以上混合使用。 其中，作為本發明之基材層B，較好的是聚酯系收縮基 材。其原因在於，該聚酯系收縮基材於成本方面等經濟性 方面優異，與和上述基材層A相貼合時所使用之黏著劑層 A之黏著性較高，除此以外，還具有對收縮開始溫度之反 應性較高等優點。 又’特徵在於：基材層B於研磨被黏著體時之溫度、例 如25°C下之楊氏模量與基材厚度之乘積，小於相同溫度 (25C)下之上述基材層A的揚氏模量與基材厚度之乘積， 例如為 l.OxlO4〜4.〇xl〇5 N/m(較好的是 5·〇χ1〇4〜2 〇χ1〇5 140214.doc -16· 201009037 N/m)。基材層BM25t下之揚氏模量與基材厚度之乘積， 大於相同溫度下之基材層A的楊氏模量與基材厚度之乘積 之情形時，有曲率（R，）上升之傾向。本發明中，較好的是 25°C下之基材層b之楊氏模量與基材厚度之乘積的值，為 25°C下之基材層A的楊氏模量與基材厚度之乘積的值之 80%以下’其中，較好的是10〜60%左右。 於研磨被黏著體時之溫度、例如25它下，基材層8之揚 氏模量較好的是lxl〇9〜1〇χ1〇9 pa，更好的是1><1〇9〜^1〇9 Pa 〇 基材層B之厚度例如較好的是5〜1〇〇 μιη(較好的是2〇〜8〇 μιη)。若厚度低於5 μηι，則製造時之膜捲取、抽出操作等 變得困難等，操作性較差，另-方面，若厚度超過100 μηι，則不僅不經濟，且由於剛性變得過高，而存在基材 層Β之收縮不充分，黏著片較難以基材層a之表面為凹面 之方式而翹曲。又，若剛性較高，則貼合黏著片時之應力 所引起之彈性變形力較大，將半導體晶圓等之被黏著體研 磨得較薄時所產生之「輕曲」容易變得更大。 作為本發明之基材層B，例如可使用商品名「

Clean」（東洋纺織公司製造）、商品名「^雜」（旭化成公 司製k)、商品名r Fancy Wrap」（Gunze公司製造）、商品 名SoPla」（Sekisui Film公司製造）、商品名「K〇hjin P〇lySet」（興人公司製造）' 商品名「Terramac」（Unitika公 司製k)等之市售品，其中，商品名「eh⑽」（東洋 纺織a司製造）兼具上述必要條件並且具有較大之收縮 140214.doc -17- 201009037 率，因此可較好地使用。又，對上述市售品，視需要可適 當地實施延伸處理或交聯處理，亦可於表面實施電晕處理 或印刷加工處[藉由實施延伸處理，可改良成具有更高 之收縮率之基材。

根據本發明之基材層B，於與基材層A之積層體中，其 可成為如下之驅動力’亦即’該驅動力使得藉由自任意之 -方向進行加熱，黏著片會翹曲成基材層A之表面呈凹 面’與被黏著體之間產生浮升，從而形成娜起端，若使 用包含該基材層B之黏著片作為例如半導體晶圓之背面研 磨膠帶，職半導體晶圓上貼合時無需考慮黏著片之收縮 方向而進行貼合，無論沿哪一方向貼合，藉由自任意之一 2進行加熱，黏著片均可形成剝離起端，可自該剝離起 端容易地且不使脆弱之被黏著體破損地將黏著片剝離。 [黏著劑層A]

本發明之黏著劑層A較好的是具有對於接合基材層A與 基材層B充分之接著力（或黏著力）。又，將包含上述基材 層A、黏著劑層A、及基材層B的本發明之黏著片黏貼於被 黏著體上使用時，為了抑制將被黏著體研磨得較薄時所產 生之麵曲」，黏著劑層A較好的是具有適度之剛性。 f削層A於研磨被黏著 〜 一，，一〜肌/又 m ny 卜 切模數例如為5.0Χ1〇4〜5·〇χ1〇6 Pa左右，較好的是〗〇χ UxlO Pa左右。若25°c下之剪切模數低於5 〇xl〇4 剛性變得過小’因此存在脆弱之被黏著體所產生之 曲j變大之傾向，另一方面，若超過5 〇xl〇6 pa，則 140214.doc -18- 201009037 變得過高，因此，貼合黏著片時之應力所引起之彈性變形 力較大，將半導體晶圓等之被黏著體研磨得較薄時所產生 之「翹曲」容易變得更大。 另一方面’對黏著片進行加熱剝離時，為了使基材層B 之收縮應力傳導至基材層A，黏著劑層a較好的是具有追 隨基材層B之收縮而變形之柔軟性，例如8〇〇c下之剪切模 數為0.2 MPa以下（較好的是00^02 MPa)。若8〇t：下之剪 0 切模數超過0.2 MPa，則存在會抑制加熱時之基材層B之收 縮的傾向’存在黏著片無法輕曲成基材層A之表面呈凹 面’因而難以形成剝離起端之傾向。另一方面，若8〇〇c下 之剪切模數低於0.01 MPa，則基材層B之收縮會引起黏著 劑層A如受到拖拽般產生變形，因此積層體容易損壞。 本發明之黏著劑層A之厚度較好的是ι〜10〇 μΓη，其中更 好的是5〜60 μιη。若黏著劑層Α之厚度低於1 μηι，則存在 使基材層Α與基材層Β接著之接著力不足之傾向，而且由 嫌 於黏著片之剛性不足’因此存在研磨後脆弱之被黏著體所 產生之「翹曲」變大的傾向。另一方面，若黏著劑層A之 厚度超過1 〇 〇 μιη ’則不僅不經濟’而且剛性亦變得過高， 因此存在會抑制加熱時之基材層Β之收縮的傾向，存在黏 著片無法翹曲成基材層Α之表面呈凹面，因而難以形成剝 離起端之傾向。 本發明之黏著劑層A之80°C下的剛性（剪切模數X厚度）例 如為1〜1000 N/m左右’較好的是10〜200 N/m。若加熱至 80°C時之黏著劑層A之剛性低於1 N/m，則無法將基材層β 140214.doc 201009037 黏著劑層A如受到基材層b之 之收縮應力傳導至基材層A， 收縮之拖拽般產生變形，其結果，存在黏著片無法魅曲成 基材層A之表面呈凹面，因而難以形成剝離起端之傾向。 另方面若加熱至8〇C時之黏著劑層a之剛性超過1〇〇〇 N/m，則通常黏著力不充分，基材層B與黏著劑層a之間產 生分離’容易損壞積層體。χ ’由於黏著片之剛性變得過 大，因此無法將基材層Β之收縮傳導至基材層Α，僅基材 層B變形，因此存在該應力造成被黏著體損壞等擔憂。 作為本發明之黏著劑層A對上述基材層A與基材層0於 8〇°C下的接著力（18(rc撕拉剝離，拉伸速度為3〇〇 mm/min) ’例如為i N/10 mm以上，其中較好的是4 N/mm 以上。若對基材層A與基材層β於80。(：下之接著力（180°C撕 拉剝離’拉伸速度為3〇〇 mm/min)低於1 N/10 mm，則存在 如下傾向：切斷黏著片時之剪應力會引起基材層A及β剝 離’或者使基材層B加熱收縮時積層體損壞，黏著片無法 輕曲成基材層A之表面呈凹面，難以形成剝離起端。 作為構成本發明之黏著劑層A之黏著劑，例如可使用如 下公知之黏著劑中之1種或者將2種以上組合使用：以天然 橡膠或各種合成橡膠作為基底聚合物之橡膠系黏著劑；以 使用1種或2種以上（曱基）丙烯酸烷基酯（例如，甲酯、乙 醋、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁 醋、戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-羥基乙酯、2-乙基己 醋、異辛酯、異癸酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十五烷 基酯、十六烷基酯、十七烷基酯、十八烷基酯、十九烷基 140214.doc •20- 201009037 :备:人"基@旨等之Cl_2°燒基δ旨等）作為單體成分之丙稀 酸系聚均聚物或絲物）作為基底聚合物的丙稀酸系 :者劑、乙稀烧基鳴著劑、石夕氧系黏著劑、聚醋系黏 者劑、聚醯胺系黏著劑、胺基甲酸醋系黏著劑、苯乙烯_ 二烯嵌段絲物系黏㈣、於料黏㈣中調配熔點為約 2/0C以下之熱熔融性樹脂所得的蠕變特性改良型黏著劑 等（例如’參照日本專利特開昭56_61468號公報、日本專利

特開昭61_174857號公報、日本專利特開昭63.17981號公 報、日本專利特開昭56-13040號公報等）。 再者，對於上述丙烯酸系聚合物，為了對凝聚力、耐熱 性、交聯性等加以改善，其亦可視需要包含可與上述（甲 基）丙烯酸烷基酯共聚合之其他單體成分所對應的單元。 作為此種單體成分，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、 丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、順丁烯二 酸、反丁烯二酸、丁烯酸等含羧基之單體；順丁烯二酸 野、衣康酸酐等酸酐單體；（甲基）丙烯酸羥基乙酯、（曱 基）丙烯酸羥基丙酯、（甲基）丙烯酸羥基丁酯、（甲基）丙烯 酸每基己醋、（甲基）丙烯酸羥基辛酯、（甲基）丙烯酸羥基 癸酯、（甲基）丙烯酸羥基十二烷基酯、曱基丙烯酸（4_羥基 甲基環己基）甲酯等含羥基之單體；苯乙烯磺酸、烯丙基 磺酸、2-(曱基）丙烯醯胺_2_甲基丙磺酸、（甲基）丙烯醯胺 丙磺酸、磺丙基（曱基）丙烯酸酯、（曱基）丙烯醯氧基萘磺 酸等含磺酸基之單體；（甲基）丙烯醯胺、Ν，Ν-二甲基（甲 基）丙烯醯胺、Ν-丁基（甲基）丙烯醯胺、Ν-羥甲基（甲基）丙 140214.doc -21- 201009037 稀醯胺、N-羥曱基丙烷（曱基）丙烯醯胺等（N-取代）醯胺系 單體；（甲基）丙烯酸胺基乙酯、（甲基）丙烯酸-N，N-二甲基 胺基乙酯、（曱基）丙烯酸第三丁基胺基乙酯等之（甲基）丙 烯酸胺基烷基酯系單體；（曱基）丙烯酸甲氧基乙酯、（曱 基）丙烯酸乙氧基乙酯等之（甲基）丙烯酸烷氧基烷基酯系單 體·’ N-環己基順丁烯二醯亞胺、N_異丙基順丁烯二醯亞 胺、N-十二烷基順丁烯二醯亞胺、N_苯基順丁烯二醯亞胺 等之順丁烯二醯亞胺系單體；N-甲基衣康醯亞胺、N-乙基 衣康醯亞胺、N-丁基衣康醯亞胺、N-辛基衣康醯亞胺、N-2-乙基己基衣康醯亞胺、N-環己基衣康醯亞胺、N-十二烷 基衣康醯亞胺等之衣康醯亞胺系單體；N-(甲基）丙烯醯氧 基亞曱基琥珀醯亞胺、N-(曱基）丙烯醯基-6-氧基六亞甲基 號ίό醯亞胺、N-(曱基）丙烯醯基-8-氧基八亞曱基琥珀醯亞 胺等之琥珀醯亞胺系單體；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、Ν-乙烯基吡咯啶酮、曱基乙烯基吡咯啶酮、乙烯基吡啶、乙 烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌畊、乙烯基吡哜、乙 烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基》号唑、乙烯基味啉、Ν-乙 烯基羧酸醯胺類、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、Ν-乙烯基己内 醯胺等之乙烯系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等之丙烯酸氰 基酯單體；（甲基）丙烯酸縮水甘油酯等含環氧基之丙烯酸 系單體；（甲基）丙烯酸聚乙二醇酯、（甲基）丙烯酸聚丙二 醇酯、（甲基）丙烯酸曱氧基乙二醇酯、（曱基）丙浠酸曱氧 基聚丙二醇酯等之二醇系丙烯酸酯單體；（甲基）丙烯酸四 氫糠酯、（甲基）丙烯酸氟酯、聚矽氧（曱基）丙烯酸酯等含 140214.doc •22- 201009037 有雜環、齒素原子'矽原子等之丙烯酸酯系單體；己二醇 二（甲基）丙烯酸酯、（聚）乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）丙 一醇二（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、季 戊四醇二（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸 醋、季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙 烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、丙烯酸胺基甲酸 酉曰、丁二醇二（甲基）丙烯酸酯等之多官能單體；異戊二

烯、丁二烯、異丁烯等之烯烴系單體；乙烯醚等之乙烯醚 系單體等。該等單體成分可單獨使用，或將2種以上混合 使用。 上述丙烯酸系共聚物可藉由將上述單體成分聚合而獲 得。作為單體成分之聚合方法，可採用慣用之方法，例如 可列舉.溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等。 黏著劑中除了黏著性成分（基底聚合物）以外，亦可含 有：交聯劑（例如，聚異氰酸醋、燒基醚化三聚氰胺化合 物等）、黏著賦予劑（例如，松香衍生物樹脂、聚萜烯樹 脂、石油樹脂、油溶性酚樹脂等）、增塑劑、填充劑、抗 老化d等適s之添加劑。又’亦可添加由玻璃或樹脂所形 ^之珠粒。藉由添加由玻璃錢輯形成之絲，存在黏 著特性或剪切模數之控制變得容易之傾向。 作為本發明之黏著劑層A之形成方法，可採用公知慣用 之方法’例如可列舉··視需要使用溶劑來製備包含黏著劑 等之塗佈液，將其直接塗佈於基材層上之方法；以及於適 當之分離膜(剝離紙等)上塗佈上述塗佈液形成黏著劑層 140214.doc -23- 201009037 A，將其轉印（轉移）至基材 增上之方法等。於利用轉印之 情形時’有時黏著劑層A與基材層之界面處會殘留孔隙（空 隙)。於此情形時’可利用高壓爸處理等而實施加溫加壓 處理’使孔隙擴散消失。黏著劑層A可為單層、複層中之 任一者。 [黏著劑層B] 本發明之黏著劑層B較好的是，於半導體晶圓等之被黏 著體之研磨步射，其牢@地貼附於被黏著體上，防止研 磨過程中被黏著體破才員，且研磨步驟結束&，可使其黏著 力顯著降低’從而自被黏著體表面容易地剝離。 因此，要求該黏著劑層B於剝離黏著片時，其對被黏著 體之黏著力較低，從而可容易地剝離，且具有可排斥因實 施加熱處理所致基材層B之收縮之程度的剛性。為了滿足 上述條件，本發明之黏著劑層B之特徵在於，8<rc下之揚 氏模量為10 MPa以上’對矽製晶圓之黏著力為〇 2 N/1〇 mm(180°撕拉剝離，拉伸速度為3〇〇 mm/min)以下，藉此， 加熱至80 C時’黏著劑層A由於剪切模數較小而迅速變 形’以緩和基材層B之收縮應力’黏著劑層B由於楊氏模 量較大因而不易變形，相對於基材層B之收縮之反作用力 發揮作用，因而使基材層B相對於被黏著體表面垂直地提 昇之力發揮作用，因此可使黏著片之外緣部翹曲成基材層 A之表面呈凹面，與被黏著體之間產生浮升，形成剝離起 端。 80°C下之黏著劑層b之楊氏模量為10 MPa以上，較好的 140214.doc •24· 201009037 是15 MPa以上（例如15〜100 MPa)。若8〇t下之黏著劑層b 之揚氏模量低於1 0 MPa，則存在如下傾向：相對於基材層 B之收縮之反作用力變得過弱，因此使基材層8相對於被 黏著體表面垂直地提昇之力減弱，無法使黏著片之外緣部 * 勉曲成基材層A之表面呈凹面而產生浮升，難以形成剝離 起端。 又，本發明之黏著劑層B之特徵在於：於8(rc下對矽製 籲 晶圓之黏著力為0.2 N/10 mm(l80。撕拉剝離，拉伸速度為 300 mm/min)以下。藉此，藉由加熱至8(Γ(：，可將黏著片 容易地自被黏著體上剝離，不會由於剝離黏著片而使脆弱 之被黏著體破損。 另一方面，較好的是於被黏著體之研磨步驟中，黏著片 牢固地貼附於被黏著體上保護被黏著體，較好的是，於 25。。下對矽製晶圓之黏著力為〇5 N/1〇随(18〇。撕拉剝 離’拉伸速度為300 mm/min)以上。 • 作為本發明之黏著劑層B之厚度，較好的是1〜10〇 μηι， 其中更好的是5〜6G μηι。若黏著劑層Β之厚度低於ι㈣， 則存在使黏著片與被黏著體貼合之力不足之傾向，而且， 存在研磨後脆弱之被點著體所產生之「魅曲」變大之傾 向H面，若黏著劑層Β之厚度超過1〇〇师，則不僅 不、i濟％且由於剛性變得過高而存在會抑制加熱時之基 材層B之收縮的傾向，存在黏著片無法輕曲成基材層八之 表面呈凹面而產生浮升，難以形成剝離起端之傾向。 要求本發明之黏著劑層B兼具上述必要條件，較好的是 140214.doc -25- 201009037 可使被黏著趙之研磨步驟時（25t)與黏著片剥離時（贼） 其對矽製晶圓之黏著力變化。作為使黏著力變化之方法， 例如可列舉：使用活性能量線硬化型黏著劑之方法以及 使用感壓型黏著劑之方法等。 1 -黏著劑層使用活性能量線硬化型黏著劑層之情形時，可 藉由照射活性能量線而使黏著力降低。另一方面，黏著劑 :使用感壓型黏著劑之情形時，藉由使用對組成 整而獲得之感M型黏著劑’可進行加熱而使黏著 參 力降低。其中’作為本發明之黏著劑層B，較好的是使用 可藉由照射活性能量線而使黏著力變化之活性能 型黏著劑。 π %儿 作為構成用作黏著劑層之活性能量線硬化型黏著劑層的 :性能量線硬化型黏著劑，例如可列舉：於作為基底聚人 :之丙烯酸系黏著劑中添加活性能量線硬化性化合物之； ^劑、或對基底聚合物本身賦予活性能量線硬化性之 酸系黏著劑。 締 Φ 於作為基底聚合物之丙烯酸系黏著劑中添加活性能量線 硬化性化合物之黏著劑中的活性能量線硬化性化合物，例 =可較好地使用分子内含有複數個乙稀基、甲基丙缚酿 土乙炔基等具有碳_碳多重鍵之官能基的化合物 化合物所含有之且古妙^ # 百之”有碳-碳多重鍵之官能基，藉由照射活 性能量線其鍵會裂醢而* & 舌 成自由基’該自由基發揮交聯劑 ΓΓ而使該等化合物形成立體網狀結構。又，作為活性 月匕量線硬化性化合物，十 羽 亦可較好地使用錤鹽、鱗鹽、錄 140214.doc -26- 201009037 鹽、❹、職鹽等之有機鹽類與環氧乙烧、氧雜環丁 燒、氧雜環⑽、環硫乙垸、氮丙㈣含有複數個作為官 能基之雜環的化合物。對於含有複數個作為官能基之雜環 的化合物，藉由照射活性能量線有機鹽裂解而生成離子， 該離子發揮起始劑之功能而引起雜環產生開環反應，從而 形成立體網狀結構。 其中’作為本發明之活性能量線硬化性化合物，較好的 是1分子中含有2個以上丙烯酸酯基等具有碳碳雙鍵之官 能基的活性能量線硬化性化合物（參照日本專利特開2〇〇3_ 2929 16號公報）。其原因在於，丙烯酸醋基對活性能量線 顯不出相對較高之反應性，而且可選擇多種丙烯酸系黏著 劑等，就反應性或作業性之觀點而言較好。作為丨分子中 含有2個以上碳·碳雙鍵之活性能量線硬化性化合物，例如 "T歹j舉· 一經甲基丙烧二（曱基）丙烯酸g旨、季戊四醇三（曱 基）丙烯酸酯、季戊四醇四（曱基）丙烯酸酯、二季戊四醇單 羥基（曱基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、丨，4_ 丁二醇二（甲基）丙晞酸酯、四乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、 1，6-己二醇（甲基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、 (甲基）丙烯酸與多元醇之酯化物、酯丙烯酸酯低聚物、2_ 丙婦基-3-丁烯基氰尿酸酯、異氰尿酸酯、異氰尿酸酯化合 物等。該等活性能量線硬化性化合物可單獨使用，或將2 種以上混合使用。 對於上述活性能量線硬化性化合物之添加量並無特別限 制’例如，相對於黏著劑中之丙烯酸系共聚物1〇〇重量份 140214.doc -27- 201009037 為0.5〜200重量份左右’其中，更好的是丨〜別重量份左 右。若相對於丙烯酸系共聚物1 〇〇重量份，活性能量線硬 化性化合物之調配量超過200重量份，則由於低分子量物 質之含量過多’有時會造成使黏著片與被黏著體貼合之力 降低。另一方面’若相對於丙烯酸系共聚物1〇〇重量份， 活性能量線硬化性化合物之調配量低於〇 5重量份，則有 時難以藉由照射活性能量線而使黏著劑層B對被黏著體之 黏著力變化。再者，對活性能量線硬化性化合物之黏度並 無特別限定。 作為對基底聚合物本身賦予活性能量線硬化性之丙烯酸 系黏著劑，例如可列舉側鏈鍵結有具有碳_碳雙鍵之官能 基等的丙烯酸系黏著劑。側鏈鍵結有（甲基）丙烯酸酯基等 作為具有碳-碳雙鍵之官能基的丙烯酸系黏著劑，例如可 藉由於側鏈具有羥基之丙烯酸系聚合物上，經由胺基甲酸 酯鍵，鍵結丙烯醯氧基異氰酸乙酯或曱基丙烯醯氧基異氰 酸乙酯等之異氰酸酯化合物而獲得。作為構成丙烯酸系聚 合物之主要單體，可列舉：（曱基）丙烯酸烷基酯[例如（甲 基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（曱基）丙烯酸丁酯、 (甲基）丙烯酸異戊酯、（曱基）丙烯酸正己酯、（曱基）丙埽 酸-2-乙基己酯、（曱基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸異壬 酯、（甲基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸十二烷基酯等]。該 等單體成分可使用1種或2種以上。 丙烯酸系聚合物中’可為了改善凝聚力、耐熱性、交聯 哇等而視需要包含可與上述（甲基)丙烯酸烷基酯共聚合之 1402l4.doc -28- 201009037 其他單體成分所對應的單元。作為此種單體成分，例如較 好地使用.乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N_乙烯基吡咯啶 嗣、甲基乙稀基°比略啶酮、乙烯基η比咬、乙烯基略嘴酮、 乙烯基嘧啶、乙浠基哌畊、乙烯基吡畊、乙烯基吡咯、乙 烯基咪唑、乙烯基嘮唑、乙烯基咪啉、Ν_乙烯基羧酸醯胺 類、苯乙烯、（X-甲基苯乙烯、Ν_乙烯己内醯胺等之乙烯系 單體。 除此以外，為了改善接著性，例如可列舉：丙烯酸、甲 基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、 順丁稀二酸、反丁稀二酸、丁稀酸等含羧基之單體；（甲 基）丙烯酸-2-羥基乙酯、（甲基）丙烯酸_2_羥基丙酯、（甲 基）丙烯酸-4-羥基丁酯、（曱基）丙烯酸羥基己酯、（甲基）丙 烯酸羥基辛酯、（甲基）丙烯酸羥基癸酯、（甲基）丙烯酸羥 基十二烷基酯、甲基丙烯酸（4_羥基甲基環己基）曱酯等含 羥基之單體；（甲基）丙烯醯胺、Ν，Ν_二甲基（甲基）丙烯醯 胺、Ν-丁基（甲基）丙烯醯胺、Ν_羥甲基（甲基）丙烯醯胺、 Ν-經甲基丙烧（甲基）丙烯醯胺、丙稀酸咪琳醋等之（ν·取 代）醯胺系單體；丙烯腈、曱基丙烯腈等之丙烯酸氰基酯 單體；（甲基）丙烯酸縮水甘油酯等之含環氧基之丙烯酸系 單體；（甲基）丙烯酸二甲基胺基乙酯、（甲基）丙烯酸二乙 基私·基乙S曰、（甲基）丙烯酸二甲基胺基丙醋等之含三級胺 基之單體等。該等單體成分可使用丨種或2種以上。 於使用賦予有活性能量線硬化性之丙稀酸系黏著劑，來 作為構成黏著劑層B之基底聚合物之情形時，可不另添加 140214.doc •29- 201009037 活性能量線硬化性化合物，或者亦可另添加。x，由對基 底聚合物賦予有活性能量線硬化性之丙稀酸系黏著劑所形 成的黏著劑層B，彳完全不含作為低分子成分之活性妒: 線硬化性化合物等，或者含少量即可，因此不存在活= 量線硬化性化合物等經時於黏著劑層中移動的問題可: 成層結構穩定之黏著劑層B。 ' 其中，作為本發明之黏著劑層B，就易於控制活性 線照射前後之彈性變化方面而言’較好的是對基底聚：物 賦予活性能量線硬化性之丙烯酸系黏著劑，特別好的是侧 鏈鍵結有（曱基）丙烯酸醋等作為具有碳-碳雙鍵之官能 丙烯酸系黏著劑。 ' 黏著劑層B中較好的是調配有活性能量線聚合起始劑， 以提高形成3維網狀結構之反應速度。活性能量線聚人 始劑可根據所使用之活性能量線之種類（例如紅外線、^ 見光線、紫外線、放射線、電子束等）而適當選擇公头° 用之聚合起始劑。就作業效率之觀點考慮，較好的b可利 用紫外線而開始光聚合之化合物。作為具右你+ ^开句代表性之活性 能量線聚合起始劑，可列舉：二苯甲酮、絮 驷本乙_、笨醌、 秦酿、葱酿、第嗣等之明系起始劑；偶氮雙異丁 丁腈等之偶 氮系起始劑；過氧化苯甲醯、過氧苯曱酸等之過氧化物 起始劑等，但並不限定於該等。作為市售σ 、 Φ售，例如有Ciba

Japan股份有限公司製造之商品名「irgaeui^ i84 「Irgacure 65 1」等。 活性能量線聚合起始劑可單獨使用，或脾 及將2種以上混合 U0214.doc -30· 201009037 使用。相對於構成黏著劑之丙烯酸系共聚物1 〇〇重量份， 活性能量線聚合起始劑之使用量例如為0 0 1〜1 〇重量份左 右。再者’視需要亦可與上述活性能量線聚合起始劑一 起’併用活性能量線聚合促進劑β 進而，黏著劑層Β較好的是含有交聯劑（例如，聚異氰酸 .酯、烷基醚化三聚氰胺化合物等）。藉由含有交聯劑，控 制黏著劑層之凝聚性、或黏著劑層對基材層之固著性變得 φ 谷易。本發明之黏著劑層中，可進一步添加由玻璃或樹脂 所形成之珠粒。藉由添加由玻璃或樹脂所形成之珠粒，易 於提高楊氏模量、降低黏著力。除此之外，亦可含有黏著 賦予劑（例如，松香衍生物樹脂、聚萜烯樹脂、石油樹 脂、油溶性酚樹脂等）、增塑劑、增稠劑、填充劑、抗老 化劑等適當之添加劑。 黏著劑層Β例如可利用如下適當之方法而形成：將上述 包含天然橡膠、合成橡膠或具有橡膠彈性之合成樹脂等黏 • 者劑層形成材料的塗佈劑塗佈於基材層Β上之方法（乾式塗 佈法）；於適當之分離膜（剝離紙等）上塗佈上述塗佈劑形成 黏著劑層，將其轉印（轉移）至基材層Β上之方法（乾式層壓 、）、及將包含基材層Β之構成材料的樹脂組成物與塗佈 劑共擠出之方法（共擠出法）等。於利用轉印之情形時，有 時：著劑層與基材層Β之界面會殘留孔隙(空隙)。於此情 ^ 可利用间壓簽處理等實施加溫加壓處理，使空隙擴 散消失。黏著劑層可為單層、複層中之任一者。 利用本發明之黏著劑層Β，即使將被黏著體研磨得較 140214.doc •31 · 201009037 薄’亦可抑制所獲得的脆弱之被黏著體所產生之「翹 曲」。進而’被黏著體之研磨步驟結束後，藉由實施加熱 處理等彳使包含黏著劑層B之本發明之黏著片的外緣部 麵曲成基材層A之表面呈凹面，與被黏著體之間產生浮 升，形成剝離起端，因此可自被黏著體上容易地剝離。 本發明之黏著片係使上述基材層A與基材層8經由黏著 劑層A接口’於基材層8上進一步積層黏著劑層b而形成。 又，本發明之黏著片至使用為止期間，可於黏著劑層面上 黏貼分離膜⑼離襯塾）而加以保護。另外，亦可視需要設 置下塗層或黏著劑層A等之中間層。 根據本發明之黏著片，對半導體晶圓等之被黏著體進行 ^工時將其貼附於被黏著體上固定被黏著體，可不使被黏 者體破損地實施所期望之加卫。並且，根據本中請案之黏 著片#使黏著片之剛性並不比先前之黏著片之剛性更 高，亦可降低黏著片之曲率(R，)，不會有損相對於被黏著 體之貼附作業或剝離作業等之作業性，可抑制加工後脆弱 之被黏著體所產生之r翹曲」’對被黏著體實施所期 望之加工後，自任意之一方向進行加熱（於黏著劑層使用 活性能量線硬化型黏著劑層之情形時，照射活性能量線， 繼而加熱）’藉此黏著劑層之黏著力顯著降低，並且基材 層B收縮，因此黏著片之外緣部可自被黏著體上剝離而翹 曲折回，與被黏著體之間產生浮升，形成剝離起端。於所 獲得之剝離起端上貼合剝離膠帶，拉伸該剝離膠帶，藉此 可不使脆弱之被黏著體損傷、或由於剝離不完全而污染被 140214.doc •32· 201009037 黏著體地自被黏著體表面極其簡便地除去黏著片。 [分離膜] 本發明之黏著片上’就保護黏著劑層表面、防止結塊之 觀點等考慮’可於黏著劑層B之表面設置分離膜（剝離襯 墊）°分離膜係在將黏著片黏貼於被黏著體上時剝離。對 於所使用之分離膜並無特別限定，可使用公知慣用之剝離 紙等。例如可使用：具有用矽氧系、長鏈烷基系、氟系、

硫化钥系等之剝離劑實施表面處理之塑膠膜或紙等剝離層 的基材；包含聚四氟乙烯、聚氣三氟乙烯、聚氟乙烯、聚 偏二氟乙烯、四氟乙烯·六氟丙烯共聚物、氣氟乙烯·偏二 氟乙烯共聚物等氟系聚合物之低接著性基材；包含烯烴系 樹月s (例如聚乙稀、聚丙烯等）等無極性聚合物之低接著性 基材等。 [被黏著體之加工方法] 本發明之被黏著體之加工方法之特徵在於：將上述黏著 片黏貼於被黏著體上，對該被黏著體實施所需之加工後， 藉由加熱而使上述黏著片翹曲成基材層A之表面呈凹面， 與被黏著體之間產生浮升，從而將其剝離。 作為被黏著體，例如可列舉：以矽或鎵-砷等作為材料 之半導體晶圓、半導體封裝、玻璃、或陶£等。對被黏著 體實施之加工之種類例如包含研削、切斷、研磨、鏡面研 磨蝕刻、車床加工、加熱（但是，限於未滿基材層B之埶 收縮開始溫度之谓；$：、梦 rr Λ； Θ -T- /=fc r« # 厌之值度）等，只要是可使用該黏著片而實施 之加工則無特別限定。本發明之黏著片具有如下功能：黏 140214.doc -33- 201009037 貼於半導體晶圓等之被黏著體表面，在對由該黏著片暫時 固定之被黏著體實施研料之加卫時，保護半導體晶圓表 面不受此時所承受之應力、研削水、研削屑(矽塵)的損 害。又，若使用本發明之黏著片作為背面研磨膠帶，則即 :吏將被黏著體研磨得極薄，亦可抑制所獲得的脆弱之被黏 者體所產生之「翹曲」。對該被黏著體實施所需之加工 後，將本發明之黏著片自被黏著體上剝離、回收。 作為黏著片之加熱方法，根據進行剝離作業時之需要

可對黏著片自任意之-方向加熱，於黏著片外緣部之一部 分形成剝離起端’亦可對黏著片整體加熱，於被黏著體全 周形成剝離起端。黏著片之加熱溫度、及加熱時間可根據 所使用之基材層B之熱收縮性而適當調節 為70〜180°C左右，較好的是70〜140°C。 5〜1 8 0秒左右。 ’加熱溫度例如 加熱時間例如為 若使用本發明之黏著片作為半導體晶㈣之《著體之 背面研磨膠帶’則對被黏著體實施研磨等之加I後，可藉 由不選擇加熱方向地自任意之方向進行加熱，而使黏著片 趣曲成基材層A之表面呈凹面，與被黏著體之間產生浮 升’形成剝離起端。並且，不會出現加熱後之黏著片於半 導體曰曰圓等之被黏著體表面摺疊而導致剝離困難的問題。 =，於使用黏著劑層B為活性能量線硬化型黏著劑層之 黏著片作為黏著片的情形時’較好的是將該黏著片黏貼於 被黏著體上，對該被黏著體實施所需之加工後，照射活性 能量線而使黏著剤層B硬化，繼而加熱使上述黏著片翹曲 140214.doc -34 - 201009037 成基材層A之表面呈凹面，與被黏著體之間產生浮升。藉 由對活性能量線硬化型黏著劑層照射活性能量線，可使與 被黏著體牢固接著之黏著劑層8之黏著力顯著降低，從而 可更簡單地自被黏著體上剝離點著片。並且，藉由對被黏 I體實施加工後’照射活性能量線’繼而實施加熱處理， 可更有效地利用加熱而引起黏著片變形(翹曲成基材層A之 表面呈凹面，與被黏著體之間產生浮升）。 _ 照射活性能量線之照射強度、照射時間等之照射條件並 無特別限定，可適當地根據需要來設定，例如使用紫外線 作為活性能量線之情形時，照射5〇〜2〇〇〇 mJ/em2、 秒左右。 進而，作為翹曲成基材層A之表面呈凹面的黏著片之剝 離方法，較好的是於變形之黏著片之基材層入側的表面外 緣部貼附剝離膠帶，藉由將該剝離膠帶朝上方拉伸而將黏 著片剝離。此時，本發明之黏著片發生變形，自被黏著體 • 之外緣部剝離5〜15 mm左右，因此即使並非自黏著片之外 緣部朝黏著片之中心部貼附剝離膠帶（例如，即使係自距 離黏著片之外緣部4 mm左右之内側朝黏著片之中心部貼 附），亦可容易地剝離黏著片。藉此，可防止將剝離膠帶 貼合於黏著片上時剝離膠帶附著於裝置等上，且可防止撕 拉剝離時半導體晶圓等之被黏著體破損。又，由於黏著片 之外緣部自被黏著體產生浮升，因此可將撕拉剝離時之剝 離角度保持為極大，藉此可使剝離應力為極小，從而抑制 被黏著體破損。進而，藉由減小剝離應力，黏著劑剝落至 140214.doc •35- 201009037 因此由於剝離而造成被黏著 即使貼附於被黏著體上，亦由 可使被黏著體破損之可能性減 被黏著體上之可能性亦減小 邀污染之可能性減小。又， 於可使剝離應力為極小，而 小 〇 [剝離裝置] 本發明之黏著片剝離裝置係上述被黏著趙之加工方法中 所使用者其H紫外線曝光機構，其係作為活性能量 線源’加熱機構’其係用以對黏貼於被黏著體上之黏著片 加熱；以及刺離機構，其係用以將藉由加熱而麵曲成基材參 層A之表面呈凹面’與被黏著體之間產生浮升之黏著片剝 本發明之黏著片剝離|置可進—步包括貼合切割膠帶之 機構、以及將研磨完畢之晶圓固定之機構等。再者，本發 明之剝離裝置可使所有該等機構形成為一體，亦可使各機 構分別獨立。 對於作為活性能量線源之紫外線曝光機構而言，只要可 照射活性能量線（紫外線），以使構成本發明之黏著片之活 性能量線（紫外線）硬化型黏著劑硬化即可，例如可採用使 用中/鬲壓水銀燈、UV雷射（ultraviolet laser，紫外雷射）、 UVLED(uhraviolet light-emitting diode，紫外光發光二極 體）等可高效率地生成紫外線之光源的紫外線曝光裝置。 作為加熱機構，只要可對研磨完畢之晶圓等加熱，使黏 著片自半導體晶圓等之被黏著體表面產生浮升即可，例 如’加熱機構可使用以下可迅速加溫至基材層B開始收縮 1402I4.doc -36- 201009037 之溫度的裝置：乾燥機、熱風槍、紅外線燈等非接觸方式

之加熱機構，或於被黏著體固定用夾頭基座中置入熱源I 加熱機構，以及加熱輥等接觸式之加熱機構等。 /乍為加熱方法，只要可自任意之一方向對黏著片端部進 仃加熱即可，例如可自研磨完畢之半導體晶圓之黏著片面 或半導體晶圓面中之任一方進行加熱，亦可對兩面進行加 熱。作為加熱溫度，只要是基材層B收縮之溫度即可，例 如為70〜1〇〇。〇左右。 .藉由加熱，使黏著片翹曲成基材層A之表面呈凹面，與 被點著體之間產生浮升後，可利用用以剝離黏著片之剝離 機構將黏著片自半導體晶圓等之被黏著體上除去。作為用 以剝離黏著片之剝離方法’具體而言有：使用剝離膠帶， 將該剝離膠帶黏著於勉曲成基材層A之表面呈凹面的㈣ 片中與被黏著體之間產生浮升之部>的基材層八側之表面 後，撕拉剝離並回收之方法；或使吸附夾頭吸附於勉曲成 基材層A之表面呈凹面的黏著片中與被黏著體之間產生浮 升之部分’並加以剝離之方法；或者利用機械臂，將魅曲 成基材層A之表面呈凹面的黏著片中與被黏著體之間產生 浮升的部分捏住且提起而剝離等方法。其中，對於本發明 之黏著片剝離裝置而言’較好的是使用剝離膠帶將黏著片 撕拉剥離之方法。 作為固定研磨完畢之晶圓 定得在直至自黏貼有本發明 著體等上回收黏著片為止的 之方法，只要可將被黏著體固 之黏著片之半導體晶圓等被黏 系列步驟中，被黏著體不會 140214.doc •37- 201009037 由於因各種操作而施加之應力等而產生位置偏離即可例 如了使用利用靜電或氣壓之附有夾頭之基座等而暫時固 定，亦可於具有對於固定被黏著體充分之剛性的基材上塗 佈黏著劑，將所得者貼合於被黏著體上而永久固定，亦可 貼合附有晶粒黏著膜之切割膠帶等自研磨完畢之晶圓等上 剝離本發明之黏著片後所需要的材料。又，固定被黏著體 之裝置亦可具有於剝離操作所需之裝置間順次移動被黏著 體之結構。 利用本發明之黏著片剝離裝置，可將在半導體晶圓等被 黏著體之加工步驟中貼合於被黏著體表面以保護被黏著 體，在被黏著體之加工步驟結束後變得不再需要的本發明 之黏著片，不使半導體晶圓等之被黏著體污染、破損地順 利地剝離、回收。 [實施例] 以下，利用實施例對本發明加以更具體之說明，但本發 明並不受該等實施例限定。 實施例及比較例中所使用之基材如下所述。 [基材] 聚對苯二曱酸乙二酯膜（Toray公司製造，商品名 「LumirrorSlO」；有時稱為「Lumirr〇rS1〇」） t對笨一曱酸乙二酯膜（厚度：1 〇〇 μιη，帝人杜邦薄膜 (股）製造，商品名「Melinex」；有時稱為rMelinex」） 雙轴延伸聚醋膜（厚度：30 μιη，東洋紡織公司製造，商 品名「Space Clean S7200」；有時稱為「Space ciean 140214.doc -38· 201009037 S7200」） 雙軸延伸聚酯膜（厚度：60 μηι，東洋紡織公司製造，商 品名「Space Clean S5630」；有時稱為「Space Clean S5630j ) 製造例1-1 向使100重量份聚碳酸醋二醇（Daicel Chemical Industries (股）製造，商品名「PLACCEL CD220PL」）與10重量份癸 二酸反應獲得之100重量份酯系聚合物中，混合2重量份交 聯劑（曰本聚胺酯工業公司製造，商品名「Coronate L」）， 獲得黏著劑A-1。 製造例1-2 向使100重量份聚碳酸醋二醇（Daicel Chemical Industries (股）製造，商品名「PLACCEL CD220PL」）與10重量份癸 二酸反應而獲得之100重量份酯系聚合物中，混合3重量份 交聯劑（曰本聚胺酯工業公司製造，商品名「Coronate L」），獲得黏著劑A-2。 製造例1-3 向100重量份丙烯酸系聚合物：丙烯酸2-乙基己酯/丙烯 酸（90重量份：10重量份）共聚物中，混合10重量份UV硬化 型丙烯酸胺基甲酸酯低聚物（日本合成化學工業公司製 造，商品名「紫光UV1 700」）、3重量份活性能量線聚合起 始劑（Ciba Japan股份有限公司製造，商品名「Irgacure 65 1」）、3重量份交聯劑（曰本聚胺酯工業公司製造，商品 名「Coronate L」），獲得黏著劑A-3。 140214.doc -39- 201009037 製造例1 -4 向使100重量份聚碳酸酯二醇（Daicel Chemical Industries (股）製造’商品名「PLACCEL CD22〇PL」）與10重量份癸 二酸反應獲得之100重量份酯系聚合物中，混合4重量份交 聯劑（日本聚胺酯工業公司製造，商品名「Coronate L」）， 獲得黏著劑A-4。 製造例1-5 將100重量份丙烯酸系聚合物（Daiichi Race公司製造，商 品名「Rheocoat R1020Sj )、10重量份季戊四醇改性丙稀 酸酯交聯劑（曰本化藥公司製造，商品名「DPHA40H」）、 0.25重量份交聯劑（三菱瓦斯化學公司製造，商品名 「Tetrad C」）、2重量份交聯劑（曰本聚胺酯工業公司製 造，商品名「Coronate L」）、3重量份活性能量線聚合起 始劑（Ciba Japan股份有限公司製造，商品名r Irgacure 651」）溶解於甲基乙基酮中，獲得黏著劑A-5。 製造例2-1 使丙烯酸系聚合物：丙烯酸-2-乙基己酯/丙烯酸咪啉/丙 烯酸-2-羥基乙酯（75莫耳：25莫耳：25莫耳）共聚物之來自 丙烯酸-2-羥基乙酯之羥基的50% ’與曱基丙烯醯氧基異氣 酸乙酯（甲基丙稀酸-2-異氰酸基乙基醋）鍵結，獲得側鍵具 有甲基丙稀酸酯基之丙稀酸系聚合物。向1〇〇重量份所獲 得之丙烯酸系聚合物中，混合5 0重量份UV硬化型丙烯酸 胺基曱酸酯低聚物（日本合成化學工業公司製造，商品名 「紫光UV1700」）、3重量份活性能量線聚合起始劑（(：比3 140214.doc •40- 201009037

Japan股份有限公司製造，商品名「Irgacure 184」）、1.5重 量份父聯劑（曰本聚胺醋工業公司製造’商品名「Coronate L」）’獲得黏著劑B-1。使用敷料器，將所獲得之黏著劑 B-1以乾燥後之厚度為30 μιη之方式塗佈於分離膜（三菱聚 酯薄膜（股）公司製造，商品名「MRF38」）上並加以乾燥， 獲得黏著劑層Β-1。 製造例2-2 向100重量份丙烯酸系聚合物：丙烯酸丁酯/丙烯酸（1〇〇 鲁 重量份：3重量份）共聚物中，混合〇.7重量份環氧系交聯劑 (三菱瓦斯化學公司製造，商品名「Tetrad C」）、2重量份 交聯劑（日本聚胺酯工業公司製造，商品名r c〇r〇nate L」），獲得黏著劑β·2。使用敷料器，將所獲得之黏著劑 Β-2以乾燥後之厚度為3〇 μιη之方式塗佈於分離膜（三菱聚 酯薄膜（股）公司製造，商品名「MRF38」）上並加以乾燥， 獲得黏著劑層Β-2。 φ [基材層A、Β之25°C、8(TC下之揚氏模量之測定方法] 實施例及比較例中所使用之基材層之楊氏模量係依據 JIS K7127 ’利用以下方法進行測定。拉伸試驗器係使用 島津公司製造之Autograph AG-lkNG(附有加溫罩）。 將切取為長度200 mmx寬度1〇 mm之基材以夾頭間距為 100 mm而安裝，作為樣品。利用加溫罩而調整成25艺、或 8GC之環境後’以5 mm/min之拉伸速度拉伸樣品，獲得與 應力-應變相關之測定值。求出應變為〇2%及〇45%之2點 的負載’獲得楊氏模量。對同一樣品重複5次該測定，採 140214.doc 201009037 用其平均值。 [黏著劑層A之80°C下之剪切模數的測定方法] 使用敷料器，將製造例1-1〜1-5中獲得之黏著劑A-1~A-5，以乾燥後之厚度為1.5〜2 mm之方式塗佈於分離膜（三菱 聚酯薄膜（股）公司製造，商品名「MRF3 8」）上且加以乾 燥’獲得黏著劑層A-1 ~A-5。以直徑為7.9 mm之打孔機對 所獲得之黏著劑層A-1〜A-5打孔，作為測定用之樣品。 對所獲得之樣品’使用黏彈性光譜儀（Rheometric Scientific公司製造，商品名「ARES」），於夾頭壓力為 1〇〇 g重、剪切頻率為1 Hz下，測定80。(：下之剪切模數。 「黏著劑層A於8CTC下對基材層A之黏著力之測定」 本測定方法中，考慮到黏著劑A-1〜A-5對基材層A之黏 著力依賴於基材層A之材質、厚度等而變化，因而係使用 相同之PET膜[Lumirror S10(厚度：50 μηι)]作為基材層A， 測定黏著劑A-1〜A-5之黏著力。 使用敷料器，將製造例144-5中所獲得之黏著劑A_ 1〜A-5以乾燥後之厚度為3〇 μιη之方式塗佈於Lumirr〇r S10(厚度：50 μπι)上且加以乾燥，形成黏著劑層a，於該 黏著劑層A側進一步積層Lumirror S10(厚度：50 μηι)，以 手壓輥使其等密著，獲得積層片。 將所獲得之積層片切斷成寬度1 0 mm大小，使用黏著膠 帶，使一方之Lumirror S10(厚度：50 μηι)面與剛直支持基 材（石夕日日圓）貼合。將另一方之Lumirror § 1 〇(厚度：5〇 μιη)，使用黏著膠帶而貼合於撕拉剝離試驗機之拉伸夾具 140214.doc 201009037 上，將其以剛直支持基材與加溫台接觸之方式而設置於 8〇°C之加溫台上。將拉伸夾具以3〇〇 mm/min之拉伸速度沿 刚。方向拉伸’測定Lumi⑽S1Q(厚度：5G _與黏著劑 層A之間產生剝離時之力（N/10 mm)。 [黏著劑層B之8(TC下之楊氏模量的測定方法]

對黏著劑層B_1(或黏著劑層B-2)照射紫外線（5〇〇 mJ/cm2，25秒）後，將切取為長度5〇 mmx寬度1〇 之黏 著劑層B-1(或黏著劑層B_2)以夾頭間距為l〇 而安裝， 作為樣品。#用加溫罩調整成啊之環境後，以5 之拉伸速度拉伸樣品，測定與應力-應變相關之測定值。 求出應變為0.2%及0,45%之2點之負載，獲得楊氏模量。對 同一樣品重複3次該測定，採用其平均值。 [黏著劑層B於801下對矽製晶圓之黏著力的測定 於製造例2-1、2-2中所獲得之黏著劑層B_i、8_2上，利 用手壓輥而使LUmirror S10(厚度：38 μπ〇密著，獲得積層 片將所獲得之積層片切斷成寬度10 mm後，除去黏著劑 層B 1 B 2上之分離膜（二菱聚酯薄膜（股）公司製造，商品 名「MRF38」），利用手壓輥使剛直支持基材（矽製晶圓）密 著於黏著劑層B-1、B-2側。進行紫外線照射（5〇〇 mJ/cm2， 25秒）後，使用黏著膠帶將Lumirr〇r s 1〇(厚度：38叫）貼合 於撕拉剝離試驗機之拉伸夾具上’將其以矽晶圓與加溫台 接觸之方式而設置於8〇〇c之加溫台上。將拉伸夾具以3〇〇 mm/min之拉伸速度沿18〇。方向拉伸，測定“瓜^扣sl〇(厚 度· 38 μιη)與黏著劑層b之間產生剝離時之力（N/1〇 mm)。 140214.doc •43- 201009037 實施例1 將黏著劑A-l以乾燥後之厚度為3〇 μιη之方式塗佈於 Lumirror S10(厚度：25 μιη)之一方之面上，於其上重疊 Space Clean S7200，利用手壓輥而積層，獲得積層片。 於所獲得之積層片之Space Clean S7200側，積層製造例 2-1中所獲得之黏著劑層B-1之黏著劑層側，利用手壓輥使 之Φ者，獲得黏著片1。 實施例2 除了使用黏著劑A-2來代替黏著劑A-1之外，以與實施例 1同樣之方式獲得黏著片2。 實施例3 除 了使用 Lumirror S10(厚度：38 μιη)來代替 Lumirror S10(厚度：25 μηι)之外，以與實施例1同樣之方式獲得黏 著片3。 實施例4 除 了使用 Lumirror S10(厚度：50 μηι)來代替 Lumirror S10(厚度：25 μπι)之外，以與實施例1同樣之方式獲得黏 著片4。 實施例5 除 了使用 Lumirror S10(厚度：75 μηι)來代替 Lumirror Sl〇(厚度·· 25 μπι)之外，以與實施例1同樣之方式獲得黏 著片^ 實施例6 除了使用黏著劑Α-3來代替黏著劑Α-1，使用Lumirror 1402l4.doc • 44- 201009037 S10(厚度：50 μιη)來代替 Lumirror S10(厚度：25 μπι)之 外，以與實施例1同樣之方式獲得黏著片6。 實施例7 除了使用黏著劑Α-3來代替黏著劑Α-1，使用Lumirror S10(厚度：38 μπι)來代替 Lumirror S10(厚度：25 μπι)之 外’以與實施例1同樣之方式獲得黏著片7。 比較例1 除 了使用 Melinex(厚度：100 μηι)來代替 Lumirror S10(厚 度：25 μιη)之外，以與實施例1同樣之方式獲得黏著片8。 比較例2 將黏著劑Α-1以乾燥後之厚度為30 μιη之方式塗佈於 Lumirror S10(厚度：50 μιη)的一方之面上，於其上重養 Space Clean S5630，利用手壓輥而積層，獲得積層片。 於所獲得之積層片之Space Clean S5630側，積層製造例 2-1令所獲得之黏著劑層B_i之黏著劑層側，利用手壓輥使 之密著，獲得黏著片9。 比較例3 除了使用黏著劑A-4來代替黏著劑A·〗之外，以與實施例 1同樣之方式獲得黏著片10。 比較例4 除了使用製造例2-2中所獲得之黏著劑層B_2來代替製造 例2 1中所獲得之黏著劑層B-丨之外，以與實施例1同 方式獲得黏著片i i。 ^ 比較例5 140214.doc -45- 201009037 將黏著劑A-l以乾燥後之厚度為3〇 _之方式塗佈於 Lumirror S10(厚度：38 _之一方之面上，於其上重叠 SpaCe Clean S7200,利用手壓輥而積層’獲得積層片。 於所獲得之積層片之Lumirror sl〇侧，積層製造例2]中 獲得之黏著劑層B-1之黏著劑層側，利用手壓輥而使之密 著，獲得黏著片12。 利用以下方法，對上述實施例及比較例中獲得之黏著片 1〜12作為背面研磨膠帶之特性、以及剝離性進行評價。 [黏著片之易剝離性評價] 將實施例及比較例中獲得之黏著片卜12分別貼合於4吋 之鏡面石夕晶圓上後，為了使密著性良好而於4〇t>c、5 kgf/cm2、5分鐘之條件下進行高壓釜處理，獲得黏著片/晶 圓積層體。 對所獲得之黏著片/晶圓積層體進行紫外線照射（5〇〇 mJ/Cm2)後’設置於8〇t、及9〇乞之附有氣動夾頭之熱台 上。 設置後，目視觀察是否存在作為剝離起端之「浮升」， 根據下述基準進行評價。 評價基準 遍及晶圓全周產生3 mm以上之「浮升」：◎ 遍及晶圓全周產皁1 mm以上、未滿3 mm之「浮升」：〇 產生1 mm以上之「翹曲」’但並未延伸至晶圓全周：△ 完全未產生「想曲」：χ [研磨後被黏著體所產.生之「輕曲」的評價] 140214.doc -46- 201009037 對實施例3、4、及比較例5中獲得之黏著片進行評價。 將實施例3、4、及比較例5中獲得之黏著片分別貼合於8 吋矽晶圓上後，使用背面研磨裝置（DISCO公司製造，商 品名「DFG8560」）進行研磨，使晶圓厚度達到27 μιη，進 而使用拋光機（DISCO公司製造，商品名「DFP8140」）進 行鏡面研磨精密修飾，獲得晶圓厚度為25 μιη之研磨完畢 之晶圓。 將所獲得之研磨完畢之晶圓設置於平板上，測定自平板 — 至由於研磨完畢之晶圓翹曲而最遠離平板之位置為止之距 離，作為「翹曲」量。 將上述結果歸納表示於下述表中。 140214.doc -47- 201009037 1 <

研磨後 「翘曲」 量(mm) 1 1 00 rn oi » I 1 1 1 1 1 Ο 1 "1 ! 90°C ◎ 〇 ◎ ◎ ◎ 〇 〇 X <3 X X 1 磁 80°C , 系 ◎ 〇 ◎ ◎ ◎ 〇 〇 X 〈 X X t 钟？ PQ S 〇 1 Η 〇 〇 ο·ν ο 0.009 CT\ o 0.009 0.009 Os Ο § 〇 0.009 § ο S ON o P 画 〇 c> o Ο c> ο o o < 〇θ «Η 雄 1? Oh 芬 芬 § Γ\ Q Η 〇 ο Ο o ο ο 〇 〇 〇 〇 0Q 卜 Ρ § ¥ 壊 资 壊 〇 芝 ο 3： 芝 o 5: ο 芝 ο 5： ο 〇 80/C ο 5： o 1 X φΐ m X X »-Η X X τ—^ X ，·Η X 1 二】 τ < X ，_Ή X X X "o X X Ρ rn cn ρ p rn to ρ Ρ vq rn ro οό vd 1/^ CM — οό οό οό 00 οό οό 00 00 rn 00 W 1? 0-< ，― ii©s »—Η s τ··Η S »—H s S 00 00 S s s 0.288 'r-( s (N < § ο ο ο o ο ο ο ο o o o' r-*N 卜 r、 S 稱 W ε ο 4.24 10.41 4.24 4.24 4.24 7.83 7.83 4.24 4.24 7.47 4.24 1 g Η W (X 蟀 V 時 /^ν •^】 >r^_^ < H- P § φή X jn 〇6 X jn 00 X m rn Υ—^ X X (Ν X JO 1-H X m rn X CN CN cn X jn 8.75χ: X JO od 1 X /—s τ—^ 卜 Ρ CN φ| 10·63χ X C^i VO o 16.15χ 21.25x X 00 00 m 21.25x X ΙΛ) <> X 寸 X *T) CN (N X (Ν 1-Η CN X yn cs cs 8.73x1 rs C^i 寸 <η \〇 卜 (N m 寸 ^Ti 愈， ΐΚ IK ΊΚ -Ο jJ 140214.doc •48- 201009037 [背面研磨利用性評價] 使用實施例4中所獲得之黏著片，以如下所述之方式， 進行晶圓製造步驟之剝離步驟之模擬實驗。 剝離分離膜（三菱聚酯薄膜（股）公司製造，商品名 「MRF38」），將黏著片貼合於8吋晶圓上。其次，使用背 面研磨裝置（DISCO公司製造，商品名「DFG856〇」），對 貼合有黏著片之8吋晶圓進行研磨，使晶圓厚度達到27 μπι ’製作5片研磨完畢之晶圓。 將所獲得之研磨完畢之晶圓設置於附有氣動夾頭之熱台 上利用工業用乾燥機對黏著片加熱而使之產生剥離起端 後，使用手壓輥而貼合背面研磨剝離用膠帶（曰東電工股 份有限公司製造，商品名「ΒΤ315」）。 使用背面研磨剝離用膠帶沿135。撕拉，結果可將5片晶 圓之黏著片全部剝離回收。由以上可明確，本發明之黏著 片於半導體晶圓加工中實用性非常高。 產業上之可利用性 本發明之黏著片、使用該黏著片之被黏著體之加工方 法、及黏著片剝離裝置可用於對以矽或鎵_砷等作為材料 之半導體晶圓、半導體封裝、玻璃、或陶瓷等之被黏著 體，實施研削、切斷、研磨、鏡面研磨、蝕刻、車床加 工、加熱（但是限於未滿基材層Β之熱收縮開始溫度的溫 度）等之加工的情形。可用作背面研磨膠帶、使用該背面 研磨膠帶之被黏著體之加工方法、及不使半導體晶圓破損 及污染地將背面研磨膠帶剝離之剝離裝置，於將該背面研 140214.doc •49· 201009037 磨膠帶用作在對半導體晶圓 圓進仃背面研磨時，保護半導體 =圓=破損等的背面研磨膠帶之情形時，即使將半導體晶 圓研磨成極薄，其亦可抑制半導體晶圓所產生之「魏 曲」，背面研磨結束後’可不使半㈣晶圓破損及污染地 將不再需要之背面研磨膠帶軔離。 【圖式簡單說明】 圖係表示本發明之黏著片之一例的概略剖面圖； 9 圖2係表示本發明之剝離裝置之__例的概略側視圖；及 圖3中，圖（3-1)係表示黏貼有本發明之黏著片之半導體 晶圓之曲率⑽的側視圖，圖（3_2)係表示黏貼有雙層結構 之黏著片之半導體晶圓之曲率（R)的側視圖。 【主要元件符號說明】 1 基材層A 2 黏著劑層A 3 基材層B 4 黏著劑層B 5 黏著片 6 加熱機構、紫外線曝光機構 7 吸附台 8 黏著片回收用剝離膠帶 9 環狀肋骨 10 半導鱧晶圓 11 切割膠帶

140214.doc -50-

Claims (1)

1. 201009037 七、申請專利範圍： i•-種黏著片，其係將具有下述特性之基材層A、 層A、基材層B及黏著劑層B依序積層而成者·· 月 基材層A:饥下之揚氏模量與基材厚度之 ^10〜4._5胸，阶下之揚氏模量與基材厚度: 乘積為2.8xl05N/m以下的基材層； 黏著劑層A: 8(TC下之剪切模數為〇2紙以下 劑層；

   基材層B ·· 25°C下之揚氏模量與基材厚度之乘積小於 25°C下之基材層A的揚氏模量與基材厚度之乘積，於 80 C下加熱所致主收縮#向的收縮率及與主收縮方向正 交之方向的收縮率均為20%以上的熱收縮性基材層； 黏著劑層B : 80。(：下之楊氏模量為1〇 Mpa以上，且對 矽製晶圓之黏著力為〇·2 N/1〇 mm(18〇。撕拉剝離，拉伸 速度為300 mm/min)以下的黏著劑層。 2.如吻求項1之黏著片，其中基材層A於8〇。匸下加熱所致收 縮率、膨脹率均為1 %以下。 3·如請求項1或2之黏著片，其中黏著劑層B為活性能量線 硬化型黏著劑層。 4.如吻求項1之黏著片，其中黏著劑層b含有側鍵具有（曱 基）丙烯酸酯之丙烯酸系聚合物、交聯劑及活性能量線聚 合起始劑。 一種被黏著體之加工方法，其特徵在於：將如請求項j 至4中任—項之黏著片黏貼於被黏著體上，對該被黏著 140214.doc 201009037 體實施所需之加工後， 基材層A之表面呈凹面 其剝離。 藉由加熱而使上述黏著片翹曲成 ’與被黏著體之間產生浮升而將 6. 8. 如请求項5之被黏著體之加工方法，其 共τ使用點著劑層B 為活性能量線硬化型黏著劑層之點著片作為_著片，並 將該黏著片黏貼於被黏著體上，對該被黏著體實施所需 之加工後，照射活性能量線使黏著劑層3硬化，繼而進 行加熱，使上述黏著片翹曲成基材層八之表面呈凹面， 與被黏著體之間產生浮升。 如請求項5或6之被黏著體之加工方法，其中將貼附於變 形之黏著片之基材層A側的表面外緣部之剝離膠帶朝上 方拉伸，藉此將黏著片剝離。 一種黏著片剝離裝置，其係使用於如請求項5至7中壬 項之被黏著體之加工方法者，其包括：紫外線曝：機 構，其係作為活性能量線源；加熱機構，其係用以加执 黏貼於被黏著體上之黏著片；以及剝離機構，其係用以 將藉由加熱而勉曲成基材層A之表面呈凹面，且與被黏 著體之間產生浮升之黏著片剝離。 140214.doc