[go: up one dir, main page]

TW201008966A - Composition for forming insulation layer - Google Patents

Composition for forming insulation layer Download PDF

Info

Publication number
TW201008966A
TW201008966A TW098121546A TW98121546A TW201008966A TW 201008966 A TW201008966 A TW 201008966A TW 098121546 A TW098121546 A TW 098121546A TW 98121546 A TW98121546 A TW 98121546A TW 201008966 A TW201008966 A TW 201008966A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
compound
insulating layer
composition
active hydrogen
Prior art date
Application number
TW098121546A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Yahagi
Original Assignee
Sumitomo Chemical Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Chemical Co filed Critical Sumitomo Chemical Co
Publication of TW201008966A publication Critical patent/TW201008966A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/70—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the isocyanates or isothiocyanates used
    • C08G18/72—Polyisocyanates or polyisothiocyanates
    • C08G18/80—Masked polyisocyanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/28—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the compounds used containing active hydrogen
    • C08G18/40—High-molecular-weight compounds
    • C08G18/61—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/70—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the isocyanates or isothiocyanates used
    • C08G18/72—Polyisocyanates or polyisothiocyanates
    • C08G18/74—Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic
    • C08G18/76—Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic aromatic
    • C08G18/7614—Polyisocyanates or polyisothiocyanates cyclic aromatic containing only one aromatic ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G18/00—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates
    • C08G18/06—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen
    • C08G18/70—Polymeric products of isocyanates or isothiocyanates with compounds having active hydrogen characterised by the isocyanates or isothiocyanates used
    • C08G18/72—Polyisocyanates or polyisothiocyanates
    • C08G18/80—Masked polyisocyanates
    • C08G18/8061—Masked polyisocyanates masked with compounds having only one group containing active hydrogen
    • C08G18/807—Masked polyisocyanates masked with compounds having only one group containing active hydrogen with nitrogen containing compounds
    • C08G18/8077—Oximes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
    • H10P14/6686—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/045—Polysiloxanes containing less than 25 silicon atoms
    • H10P14/6342—
    • H10P14/6922—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Description

201008966 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關絕緣層組成物，尤其是用於形成電晶體 等中之絕緣層的組成物。 【先前技術】 對於電子紙（electronic paper)等可撓性顯示裝置之 基板正進行聚碳酸酯、聚對苯二曱酸乙二酯等塑膠基板之 研究。該等塑膠基板有在加熱時稍微發生伸張或收縮的問 ❹題’因此’要求提昇耐熱性。另一方面，搭载於上述裝置 之基板的電晶體由於為薄型且柔軟性優越，因此作為有機 薄膜電晶體廣受注目。由於塑膠基板如上所述，至今仍未 ' 具有充分的耐熱性，故在基板上製造有機薄膜電晶體之過 v 程，以儘可能在低溫進行較理想。 於製造有機薄膜電晶體之過程中，通常對將設置於閘 極與有機半導體層間之絕緣層之閘極絕緣祺、或為了保護 ❹有機薄膜電晶體而設置於最上部之絕緣性保護層^膜/硬 化之過程特別要求高溫。因此，對於有機薄棋電晶體製造 過程的低溫化，將該等層之形成過程低溫化為重要。 例如，在低溫形成閘極絕緣膜之方法已知有將閘極之 表面進行陽極氧化的方法（參照專利文獻1}或用化學氣相 沉積法成膜之方法（參照專利文獻2)等。惟，該等方法形 成閘極絕緣膜的過程繁雜。 對於在低溫且簡便形成閘極絕緣膜之方法進行經由塗 钸等手段進行成膜之研究。例如，下述非專利文獻1揭示 3 321343 201008966 有將聚（4-乙烯基紛（4-vinylphenol)或聚（三聚氛胺-曱酸·） 旋轉塗佈，在200°C使其硬化，形成閘極絕緣膜。 先前技術文獻 專利文獻： 專利文獻1 :日本特開2003-258260號公報 專利文獻2 :曰本特開2004-72049號公報 非專利文獻： 非專利文獻 1 : Hagen Klauk etal.，J. Appl. Phys.， Vol. 92, No. 9, p.5259-5263(2002) 【發明内容】 (發明欲解決的課題） 在上述非專利文獻1表示之方法時，形成閘極絕緣膜 必需在高溫進行材料的硬化。在該等硬化所需的溫度常常 無法充分抑制塑膠基板因熱引起伸縮，例如在製作具有微 細像素之顯示裝置時無法忽視其影響。所以，近年來要求 可在更低溫形成閘極絕緣膜。 對於如上所述之有機薄膜電晶體之閘極絕緣膜或保護 層，要求不易發生因施加之電壓之破壞，亦即，要求絕緣 耐壓高。惟，要獲得具有可在低溫形成，且具有高絕緣耐 壓之兩種特性之該等層有困難的傾向。 本發明有鑒於該等原因，以提供可在低溫形成絕緣層 (例如電晶體之閘極絕緣膜或保護層）且可形成具有優越絕 緣耐壓之絕緣層之絕緣層用組成物為目的。 (解決課題的手段） 201008966 為了達成上述目的 有：由在分子内lb /树明之絕緣層肋成物係含 成的第1化合物、：由上活性氫基之高分子化合物形 或熱生成與活性氫基刀子内具有2個以上經由電磁線 基」)之基(以下稱為基(以下稱為「反應性官能 第2化合物。 11基」）之低分子化合物形成的 2化::施之絕緣層用組成物係經由對第 ❹基，接著，該反應性基生成反應^能 生反應，而硬化。第二t 化合物中之活性氣基產 '反應性官能基，藉此生物可容易經由電磁線或熱產生 化合物之性驗崎應性官能基料容易與第1 、^ ^ ^ 應。因此，本發明之絕緣層用組成 化、成“絡照射或在比較低之溫度加熱即可使其硬 緣層（閘極絕緣膜或保護層）時，不需要如以 往所以，上述本發明之絕緣層用組成物，即使在 ❹低孤，亦可形成良好的絕緣層。 於本發明之絕緣層用組成物中，由於經由電磁線或 熱，在第2化合物形成反應性官能基後，該反應性官能基 容易與第1化合物具有之活性氫基發生反應，其結果’獲 得之硬化物成為具有第1化合物與第2化合物良好結合之 精密構造之硬化物。根據本發明之絕緣層用組成物，即使 在比較低之溫度使其硬化時，亦可形成絕緣性優越且具有 高絕緣耐壓之絕緣層。 於上述本發明之絕緣層用組成物中，第1化合物以由 5 321343 201008966 具有至少1種選自賴（phenQlie)雜、醇师基、胺基、 Μ基及羧基所成組群之基作為活性氫基之高分子化合物形 成者較佳。該等活性氫基為可與第2化合物產生之反應性 官能基產生良好反應之基。 尤其是，第1化合物較好為具有活性氫基之聚有機倍 半矽氡烷樹脂，更好為具有下述通式（1)表示之基及下述通 式(2)表示之基中至少1種基之聚有機倍半矽氧烷樹脂。使 用該等聚有機倍半破氧焼1樹脂，可溶於醇系溶劑、且可獲 得操作性優越之效果。 ©
[式（1)中，R11及R12分別獨立地表示氫原子或碳原子數1 至20之1價有機基，R13表示氫原子或碳原子數1至20之 1價有機基，r為1至5之整數’ k為0以上之整數。惟， R13為複數個時’該等分別艿相同亦可不同。又’式（2)中， R21、R22、R23、R24、R25及R26分別獨立地表示氫原子或碳原 子數1至20之1價有機基，1及m分別獨立地為0以上之 整數，η為1以上之整數]。 於本發明之絕緣層用組成物中’在第2化合物中之經 由電磁線或熱生成與活性氫基反應之官能基之基（解離性 6 321343 201008966 基）較好為經封閉之異氰酸酯基或經封閉之異硫氰酸酯 基。該等基由於可經由施加電磁線或加熱容易生成作為反 應性官能基之異氰酸酯基或異硫氰酸酯基，所以可在更低 溫形成絕緣層。 該等經封閉之異氰酸酯基或經封閉之異硫氰酸酯基較 好為下述通式（3a)表示之基或下述通式（3b)表示之基。
[式中，X1及X2分別獨立地表示氧原子或硫原子，R31、R32、 R33、R34及R35分別獨立地表示氫原子或碳原子數1至20之 1價有機基]〇 更具體而言，第2化合物最好為下述通式（4a)表示之 〇化合物及下述通式（4b)表示之化合物中之至少1種化合 物。使用該等第2化合物，對於絕緣層用組成物在低溫之 硬化更有利，且獲得更優越的絕緣耐壓。
ΝΗ— 7 321343 201008966 [式中，X41及X42分別獨立地表示氧原子或硫原子，R41、R42、 R43、R44、R45、R46及R47分別獨立地表示氫原子或碳原子數1 至20之1價有機基，RF及Rg分別獨立地表示碳原子數1 至20之2價有機基，a及b分別獨立地為2至6之整數， c及d分別獨立地為0至20之整數]。 [發明的效果] 根據本發明，可提供可在低溫形成絕緣層（例如電晶體 的閘極絕緣層或保護層）且可形成具有優越絕緣耐壓性之 絕緣層之絕緣層用組成物。 © 【實施方式】 以下，依需要而一邊參照圖表一邊說明本發明之理想 實施形態。在圖式之說明中，對同一要素標示同一符號， 並省略重複之說明。 [絕緣層用組成物] 首先，說明理想實施形態之絕緣層用組成物。 本實施形態之絕緣層用組成物係含有：由在分子内具 ^ 有2個以上活性氫基之高分子化合物形成的第1化合物、 及在分子内具有2個以上經由電磁線或熱生成與活性氫基 反應之官能基（反應性官能基）之基（解離性基）的低分子化 合物形成的第2化合物。 於本說明書中，「高分子化合物」為在分子中含有相同 構造單元重複複數個而成之構造之化合物，其中亦包含二 聚物。另一方面，「低分子化合物」為在分子中未重複具有 相同構造單元之化合物。 S 321343 201008966 (第1化合物） 首先’說明第1化合物。 第1化合物為在分子内具有2個以上活性氫基之高分 子化合物。在該第1化合物中，活性氫基可列舉胺基、羥 基或疏基。其中’活性氫基較好為可與後述之反應性官能 基（尤其是異氰酸醋基或異硫氰酸酯基）良好地發生反應之 羥基。
在第1化合物中，活性氩基可直接結合在構成高分子 化合，=主鏈，亦可經由預定之基結合。活性氫基可含於 構成高分子化合物之構造單元，此時，可含於各構造單元 中’亦可只含於—部分之構造單元中。並，活性氫基可 只結合於兩分子化合物之末端。 該ί第1化合物可由例如使具有活性氫基且可縮合或 聚合之單體化合物（單體）單獨縮合或聚合、或與其他共聚 性化合物進仃共聚而獲得。在製造該料可㈣在經以預 定形態保護之_具有活性氫基之單體化合物，在縮合或 聚合後藉由脫保護，生成活性氫基。 丰石夕物較好為具有2個以上活性氫基之聚有機倍 氣。_有機料錢歸料 1 氫基或經保護之活性备其 守/、有/古庄 Λ .. 虱基之有機烷氧基矽烷在酸箱棋痠鹼 觸媒及水存在下水解縮合， ，觸媒或驗 而藤得。又m ^ 性氫基之脫保護 而獲付X ’亦可在水解縮合後騎予活性氣基。 具有活性氫基之聚有機倍半石夕氧境樹骑右 個以上經基之聚有機倍半錢燒 好為具有2 如此之聚有機倍半 321343 9 201008966 矽氧烷樹脂可由例如將有機烷氧基矽烷在酸或鹼觸媒及水 存在下水解縮合後，將該水解縮合物具有之兩末端之矽烷 醇基令之羥基用氯矽烷化合物封閉後，依需要將羥基脫保 護而獲得。又，亦可由預先將具有羥基或經保護之羥基之 有機院氧基矽烷加水分解縮合後，依需要進行脫保護而獲 得。有機烷氧基矽烷之水解縮合中使用之酸觸媒可列舉例 如鹽酸、乙酸等。鹼觸媒可列舉例如氨、三乙胺等。 作為聚有機倍半矽氧烷樹脂原料之有機烷氧基矽烷可 列舉有機乙氧基矽烷、有機曱氧基矽烷等。更具體而言， ❹ 可列舉四乙氧基矽烷、四甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、 甲基三曱氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二甲基二甲氧 基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、三曱基甲氧基矽烷、乙基三 乙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、 ： 二乙基二甲氧基矽烷、三乙基乙氧基矽烷、三乙基甲氧基 發烧、苯基三乙氧基矽烷、苯基三曱氧基矽烷、二苯基二 乙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、三苯基乙氧基矽烷、 三苯基甲氧基矽烷、甲基苯基二乙氧基矽烷、甲基苯基二❹ 甲氧基矽烷、二甲基苯基乙氧基矽烷、二曱基苯基甲氧基 梦烧等。 與有機炫氧基矽炫之水解縮合物進行反應之具有經保 濩之經基之氯矽烧可列舉：使分子内具有經保護之經基及 乙烯基或烯丙基等不飽和鍵之化合物與二烷基氯氫矽烷化 合物在過渡金屬觸媒存在下進行反應，經氫矽烷基 (hydr〇silyl)化而獲得者n可列舉使分子内具有經 321343 10 201008966 保護之羥基之有機金屬化合物與二烷基二氯矽烷化合物進 行水解縮合反應而獲得者。 在該等經保護之羥基中，保護羥基之基可列舉例如通 常使用作為羥基保護基之烷基、矽烷基、酯基等。具體而 言，可列舉甲氧基甲基、苯甲氧基曱基、第三丁氧基甲基、 2-甲氧基乙氧基甲基、2, 2, 2-三氯乙氧基甲基、2_(三甲基 策烧基）乙氧.基曱基、四氮旅喊基、3-溴四氮旅喃基、四氮 0塞喃基、4-甲氧基四氫旅喃基、四氫咬喃基、I -乙氧基乙 ® 基、卜甲基-1-曱氧基乙基、1-(異丙氧基）乙基、2, 2, 2-三氯乙基、2-(苯基砸基）（phenylselenyl)乙基、第三丁 基、苯曱基、3-曱基-2-吡啶甲基-N-氧化物、二苯基甲基、 " 5-二苯并環庚基、三苯基甲基、9-蒽基、三甲基矽烷基、 三乙基梦烧基、異丙基二甲基梦烧基、第三丁基二甲基梦 烷基、（三苯基甲基）二甲基矽烷基、第三丁基二苯基矽烷 基、甲基二異丙基碎烧基、甲基-二-第三丁基發炫基、三 @ 苯甲基矽烷基、三異丙基矽烷基、三苯基矽烷基、甲醯基、 乙醯基、3-苯基丙酸酯基、3-苯曱醯基丙酸酯基、異丁酸 酯基、4-酮基戊酸酯基、三曱基乙酸酯基、金剛烷甲酸酯 基、苯甲酸酯基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、2, 2, 2-三氯 乙氧基羰基、異丁基氧基羰基、苯甲基碳酸酯基等。 由上述操作獲得之聚有機倍半矽氧烷樹脂具有之活性 基較好為酚性羥基及醇性羥基，更好為酚性羥基。酚性羥 基更好為下述通式（1)表示之紛性經基。又，通式（1)中之 符號均與上述同意義。 11 321343 201008966
上述通式（1)表示之酚性羥基中，1^〗至R!3表示之其之 碳原子數1至20之一價有機基可為直鏈、支鏈、環狀之任 何一種基，可為飽和基或不飽和基。 該碳原子數1至2G之-財機基可列舉例如碳原子數 1至20之直鏈狀烴基、碳原子數3至2〇之支鏈狀烴基、 碳原子數3至20之環狀烴基、碳原子數6至2〇之芳族烴❹ 基。較好為碳原子數1至6之直鏈狀烴基、碳原子數3至 6之支鏈狀烴基、碳原子數3至6之環狀烴基或碳原子數6 至20之芳族烴基π，該等烴基可為—部錢原子經其他 之基取代者。例如環狀烴基可經氟取代，芳族烴基可經烷 - 基、鹵素原子等取代。 碳原子數1至20之一價有機基可列舉甲基、乙基、丙 基、丁基、戊基、已基、異丙基、異丁基、第三丁基、環❹ ，基、環丁基、環戊基、環己基、環戊婦基、環己稀基、 +氟甲基一氟乙基、苯基、萘基、蒽基、曱苯基、二曱 苯基、二甲基苯基、三甲基苯基、乙基苯基、二乙棊苯基、 三乙基苯基、丙基苯基、丁基苯基、甲基蔡基二甲基萘 基、三？基萘基、乙烯基萘基、乙烯基萘基、甲基蒽基、 乙基綠、五氟苯基、三氟甲基苯基、氯苯基、溴苯基等。 另一方面’醇性經基較好為下述通式（2)表示之基。式 321343 12 201008966 中之符號均與上述同意義，R21至R26之碳原子數1至20之 一價有機基可例示與上述通式（1)時相同之基。
第1化合物除了上述之具有2個以上活性氩基之聚有 機倍半矽氧烷樹脂以外，亦可列舉例如使分子内具有活性 氫基及不飽和鍵（例如雙鍵）之單體化合物（單體）單獨聚 ❹合、或與其他共聚性化合物（共聚單體）一起共聚，形成聚 合物而獲得者。亦可為使用具有經保護之活性氫基之單 體，在聚合後進行脫保護而獲得者。在該等聚合時可使用 光聚合起始劑或熱聚合起始劑。 具有活性氫基及不飽和雙鍵之單體可列舉例如胺基苯 乙烯、鄰-羥基笨乙烯、間-羥基苯乙烯、對-羥基苯乙烯、 乙烯基苯曱醇、曱基丙烯酸胺基乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥 基乙酯、（曱基）丙烯酸2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸3-羥基 丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丁酯、（甲基）丙烯酸2-羥基苯 基乙酯、乙二醇單乙烯基醚、烯丙醇等。又，於本說明書 中，「（曱基）丙烯酸」為丙烯酸及曱基丙烯馥之總稱，表示 該等中之任一者或兩者。 與該等單體共聚之共聚單體可列舉例如（甲基）丙烯酸 酯及其衍生物、苯乙烯及其衍生物、乙酸乙烯酯及其衍生 物、（曱基）丙烯腈及其衍生物、有機羧酸之乙烯酯及其衍 生物、有機羧酸之烯丙酯及其衍生物、富馬酸之二烷基酯 13 321343 201008966 及其衍生物、馬來酸之二烷基酯及其衍生物、衣康酸之二 烷基酯及其衍生物、有機羧酸之N_乙烯基酿胺衍生物、馬 來醢亞胺及其衍生物、末端不飽和烴及其衍生物等、有機 鍺衍生物等。 共聚單體中，（甲基）丙稀酸酯類及其衍生物可使用單 官能之（甲基）丙烯酸酯或多官能之（甲基）丙烯酸酯。多官 能之（曱基）丙稀酸酯有時依目的聚合物的性狀而限制使用 (曱基）丙烯酸酯類及其衍生物可列舉例如（甲基）丙烯 ❹ 酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸正丙酯、（甲基） 丙烯酸異丙酯、（甲基）丙烯酸正丁酯、（曱基）丙烯酸異丁 酯、（甲基）丙烯酸第二丁酯、（甲基）丙烯酸己酯、（曱基） 丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙稀酸癸 - 酯、（甲基）丙烯酸異冰片酯、（甲基）丙烯酸環己酯、（曱基） 丙烯酸苯酯、（甲基）丙烯酸苯甲酯、（甲基）丙烯酸2_羥基 乙醋、（甲基）丙烯酸2-羥基丙醋、（甲基）丙烯酸3一羥基丙 酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丁酯、（甲基）丙烯酸2-羥基苯基❿ 乙醋、乙二醇二（甲基）丙稀酸酯、丙二醇二（甲基）丙稀酸 酯、1，4-丁二醇二（甲基）丙烯酸酯、二乙二醇二（甲基）丙 烯酸酯、三乙二醇二（甲基）丙稀酸酯、三經曱基丙烧二（甲 基）丙烯酸酯、三羥曱基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇 五（甲基）丙烯酸酯、N，N-二甲基（甲基）丙烯醯胺、N，N_: 乙基（甲基）丙烯醯胺、N-丙稀醢基嗎淋等。 苯乙烯及其衍生物可列舉苯乙烯、2, 4-二曱基-α-曱 321343 14 201008966 基苯乙稀、鄰·'甲基苯乙稀、間—甲基苯乙烯、對-甲基束乙 烯、2, 4_二甲基苯乙烯.、2, 5-二甲基苯乙烯、2, 6-二f基 苯乙烯、3, 4-二甲基苯乙烯、3, 5-二甲基苯乙烯、2, 4, 三曱基苯乙烯、2, 4, 5-三曱基苯乙烯、五曱基苯乙烯、鄰一 乙基苯乙烯'間-乙基苯乙烯、對-乙基苯乙烯、鄰-氯苯乙 烯、間-氯苯乙烯、對-氯苯乙烯、鄰-溴苯乙烯、間-溴苯 乙烯、對-溴苯乙烯、鄰-甲氧基苯乙烯、間-甲氧基苯乙烯、 對-曱氧基苯乙烯、鄰-羥基苯乙烯、間-羥基苯乙烯、對一 ❹羥基苯乙烯、2-乙烯基聯苯、3-乙烯基聯苯、4-乙烯基聯 苯、1-乙烯基萘、2-乙烯基萘、4-乙烯基-對-聯三苯、1-乙烯基蒽、α-甲基苯乙烯、鄰-異丙烯基曱苯、間-異丙烯 基甲苯、對-異丙烯基曱笨、2, 4-二甲基-α-曱基苯乙烯、 ’ 2, 3-二甲基-α-曱基苯乙烯、3, 5-二甲基-α-甲基苯乙 稀、對-異丙基-α-甲基苯乙烯、α-乙基苯乙烯、α-氯苯 乙稀、二乙烯基苯、二乙稀基聯苯、二異丙基苯、4-胺基 ❹苯乙烯等。 (甲基）丙稀腈及其衍生物可列舉丙浠腈、甲基丙稀腈 等。有機羧酸之乙烯酯及其衍生物可列舉乙酸乙烯酯、丙 酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、苯甲酸乙烯酯、己二酸二乙烯酯 等。有機叛酸之烯丙酯及其衍生物可列舉乙酸婦丙酯、笨 甲酸烯丙酯、己二酸二烯丙酯、對苯二曱酸二烯丙酯、間 本二甲酸二烯丙醋、鄰苯二甲酸二烯丙g旨等。 富馬酸之二烷基酯及其衍生物可列舉富馬酸二甲酯、 富馬酸二乙酯、富馬酸二異丙酯、富馬酸二—第二丁酯、富 321343 15 201008966 馬酸二異丁醋、富馬酸二-正丁酿、富馬酸 富馬酸二（苯甲）料。馬來H 基己= r來第酸二甲醋、馬來酸二乙醋、馬來二== ，二-第二丁醋、馬來酸二異丁醋、馬來酸二—正丁醋、馬 來酸一-2-乙基己酯、馬來酸二（苯甲）酯等。 ❹ 衣康酸之二貌基醋及其衍生物可列舉衣康酸二甲醋、 衣康酸二乙醋、衣康酸二異丙醋、衣康酸二-第二丁醋、衣 康酸二異丁酯、衣康酸二_正丁酯、衣康酸二_2一乙基己酯、 衣康酸二（苯甲）S旨等。有機㈣之卜乙職_衍生物可 列舉N-甲基I乙縣乙醯胺等。馬來酿亞胺及其衍生物 可列舉N-苯基馬來醯亞胺、N_環己基馬來醯亞胺等。 末端不飽和烴及其衍生物可列舉1-丁烯、丨-戊烯、卜 己烯、1-辛烯、乙烯基環己烷、氣乙烯、婦丙醇等。有機 鍺衍生物可列舉稀丙基三甲基錯、烯丙基三乙基錯、稀丙 基二丁基鍺、三甲基乙烯鍺、三乙基乙烯鍺等。 ❹ 該等共聚單體中較好為（甲基）丙烯酸烷基酯、苯乙 烯、（甲基）丙婦腈或稀丙基三甲基錄，亦可將該等適當組 合使用。 形成聚合物時之聚合反應所使用之光聚合起始劑可列 舉例如苯乙酮、2, 2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2, 2-二乙氧 基苯乙酮、4-異丙基-2-羥基-2-甲基苯丙酮、2〜羥基 甲基苯丙酮、4,4，-雙（二乙胺基）二苯子酮、二苯甲酮、（鄰 -苯甲醯基）苯甲酸甲酯、丨一苯基y，、丙二酮_2_(鄰—乙氧 基羰基）肟、1-苯基-1,2-丙二酮_2-(鄰-苯甲醯基）肟、苯 321343 16 201008966 偶因、苯偶因甲醚、苯偶因乙醚、苯偶因異丙醚、苯偶因 異丁趟、苯偶因辛越、苯偶醯（benzil)、苯偶醯二甲基縮 嗣、苯偶酿二乙基縮酮、聯乙醯（diacetyl)等羰基化合物； 曱基恩酿i、氯蒽酿、氯嗟吨晒（chiorothioxan让〇狀）、 甲基塞屯網、2-異兩基嗟吨酮等蒽酿或嗟吨網衍生物；二 苯基二硫喊、2-硫代胺基甲酸酯等硫化合物。 熱聚合起始劑為可發揮作為自由基聚合起始劑之機能 ❹者。可列舉例如2, 2，-偶氮二異丁腈、2, 2, _偶氮二異戊腈、 2’2’-偶氮（2, 4-二甲基戊腈）、4, 4, _偶氮二（4一氰基戊 酸）、M’-偶氮二（環己烷甲腈）、2,2，_偶氮（2_曱基丙 烷）、2, 2’ -偶氮(2—曱基丙脒）二鹽酸鹽等偶氮系化合物； ,過氧化甲乙酮、過氧化甲基異丁酮、過氧化環己酮、過氧 化乙醯基丙酮等酮過氧化物類；異丁基過氧化物、苯甲醯 基過氧化物、2, 4-二氯苯甲醯基過氧化物、鄰-曱基笨甲醯 基過氧化物、月桂醯基過氧化物、對-氯苯曱醯基過氧化物 ©等一醯基過氧化物類；2,4 4_三甲基戊基_2_氩過氧化物、 一異丙基苯過氧化物、異丙苯氫過氧化物、第三丁基過氧 化物等氫過氧化物類；過氧化二（異丙苯）、過氧化第三丁 基異丙笨、二-第三丁基過氧化物、三（過氧化第三丁基） 三11 并等二烷基過氧化物類；1,1-二-過氧化第三丁基環己 烷、2, 2-二（過氧化第三丁基）丁烷等過氧縮酮類；過氧化 三甲基乙酸第三丁酯、過氧化-2-乙基己酸第三丁酯、過氧 異丁酸第三丁酯、過氧化六氫對苯二甲酸二-第三丁酯、過 氧化壬二酸二-第三丁酯、過氧化-3, 5, 5-三甲基己酸第三 321343 17 201008966 丁酯二過氧化乙酸第三丁酯、過氧化苯曱酸第三丁酯、過 ，化一甲基己—酸一第二丁醋等過酸燒基醋類；過氧化二 過氧化m二丁醋、過氧異丙基碳 第二丁醋等過碳酸醋類等。 八it述之第1化合物較好為換算成聚苯乙烯之重量平均 :為3000至1000000者，更好為5〇〇〇至5〇〇_者。 具有該等重量平均分子量，而有所得之膜之平坦性及 均一性良好之優點。 (第2化合物） 接著，説明第2化合物。 第2化合物為在分子内具有2個以上解離性基之低分 子化合物，具體而言為具有2個以上解離性基結合於低分 子（單體）構造之構造之化合物。該低分子構造之形態較好 · 為例如燒基耩造或可具有取代基之苯環。 在第2牝合物中’解離性基可列舉經封閉之異氰酸醋 基（以下稱為「封閉異氰酸醋基」）、經封閉之異硫氰酸酯 基（以下稱爲「封閉異硫氰•酸醋基」）等。 ❹ 解離性基較好為封閉異氰酸輯基或封閉異硫氰酸酯 基。封閉異象酸醋基或封閉異琉氰酸醋基係受熱而分別生 成反應性官膝基之異氰酸酯基或異硫氰酸酯基。 封閉異象酸酯基或封閉異硫氰酸酯基為經封閉劑封閉 之異氰酸酯恭或異硫氰酸醋基。該封閉劑係可與異氰酸酯 基或異硫氣酸醋基反應形成保護該等基之化合物，可列舉 例如為具有 個可與異氰酸酯基或異硫氰酸酯基反應之活 321343 18 201008966 性氫基之化合物。封閉劑係以在封閉後在170°C以下之溫 度加熱即解離，而可再生成異氰酸酯基或異硫氰酸酯基者 較佳。 該封閉劑可列舉例如醇系、酚系、活性曱撐系、硫醇 系、醯胺系、醯亞胺系、咪唑系、尿素系、肟系、胺系、 醯亞胺系、吡啶系化合物、吡唑系化合物等化合物。該等 封閉劑可單獨使用，亦可2種以上組合使用。其中以肟系 化合物或吼〇坐系化合物較佳。 ® 更具體而言，封閉劑之醇系化合物可列舉甲醇、乙醇、 丙醇、丁醇、2-乙基己醇、甲基溶纖劑 (methylcel losolve)、丁基溶纖劑、曱基卡必醇、苯甲醇、 環己醇等，酚系化合物可列舉酚、甲酚、乙基酚、丁基酚、 v 壬基酚、二壬基酚、苯乙烯化酚、羥基苯曱酸酯等。活性 甲撐系化合物可列舉丙二酸二曱酯、丙二酸二乙酯、乙醯 乙酸曱酯、乙醯乙酸乙酯、乙醯丙酮等，硫醇系化合物可 Q 列舉丁基硫醇、十二烷基硫醇等。 為封閉劑之醯胺系化合物可列舉乙醯苯胺、乙醯胺、 ε -己内醯胺、戊内醯胺、丁内醯胺等，醯亞胺系化 合物可列舉琥珀醯亞胺、馬來醯亞胺等。咪唑系化合物可 列舉咪唑、2-曱基咪唑等，尿素系化合物可列舉尿素、硫 脲、乙撐脲等。胺系化合物可列舉二苯基胺、苯胺、咔唑 等。亞胺系化合物可列舉乙撐亞胺、聚乙烯亞胺等。亞硫 酸氫鹽可列舉亞硫酸氫鈉等，吡啶系化合物可列舉2-羥基 吡啶、2-羥基喹啉等。又，肟系化合物可列舉曱醛肟、乙 19 321343 201008966 醛肟、丙酮肟、甲基乙 n ，彻„ 暴_肟、環己酮肟等，吡唑系化合 物可列舉3, 5-二甲基叫， … 嗓、3, 5-二乙基0比唾等。 、11:閉異氰^1旨基或封閉異硫氰酸酯基較好為下 述通式（3a)表示之基句> 之锛辨都盥Hη备 述通式（3b)表示之基。該等式中 之付說都興上述同意義 $ °又’式中之R31至R35表示之基為 碳原子數1至20之1彳番+ 1胃有機基時，其具體例較好為與上述 通式（1)中碳原子數1 $ 乂产2〇之1價有機基相同之基。 .R31 II X1
R32 e (3a)
(3b) 上述之封閉異氰酸酯基可列舉〇_(亞甲基胺基）羧基胺 基、0-(1-亞乙基胺基）羧基胺基、0-(1_曱基亞乙基胺基） 羧基胺基、0-[1-曱基亞丙基胺基]羧基胺基、1_(3, 5_二甲 基°比〇坐基）％基胺基、1-(3-乙基-5-甲基咬^坐基）幾基胺 ❹ 基、1-(3, 5-二乙基吼唑基）羰基胺基、i-(3-丙基甲基 °比10坐基）叛基胺基、1-(3-乙基-5-丙基1»比°坐基）幾基胺基等。 封閉異硫氰酸酯基可列舉0-(亞曱基胺基）硫致基胺 基、0_(1_亞乙基胺基）硫叛基胺基、〇- (1-曱基亞乙基胺夷） 硫叛基胺基、0-[1-甲基亞丙基胺基]硫缓基胺基、5__ 二甲基吡唑基）硫羰基胺基、1-（3-乙基-5-甲基吡唾基）硫 羰基胺基、1-(3, 5-二乙基吡唑基）硫羰基胺基、;μ(3_丙義 321343 20 201008966 1~(3-乙基-5-丙基°比》坐基） -5-曱基吡唑基）硫羰基胺基、 硫羰基胺基等。 此等具有封閉異氰酸酯基或封閉異硫氱酸酯基作為解 離性基之第2化合物，具體而言較好為下述通式（4a)表示 之化合物或下述通式（4b)表示之化合物。 如士 N==a^R42 a
❹ 上式(ja)、（4b)中之符號都與上述同意義。又，式 中之^至R47表示之基為碳原子數1 S 20之1價有機基 時’其具體例較好為與上述通式⑴中碳原子數i至2〇之 1價有機基相同之基❶又七及匕表示之碳原子數^至如 之2價有機基可列舉具有上述1價有機基所具有之氫原子 中之1個與其他構造形成鍵結鍵而成之構造之2價基。 例如，2價之脂肪族烴基可列舉亞甲基、乙撐基、丙 揮基、丁禮基、戊縣、已撑基、異丙樓基、異丁撐基、 二甲基丙縣、環丙#基、環丁縣、環戊縣、環己擇 基等。又，2價之芳族烴基之具體例可列舉苯撐基、萘撐 基、恩樓基、三甲基苯撐基、三甲基苯樓基、乙樓苯撐基、 二乙播苯縣、三乙撐特基、_苯#基、了撐苯撐基、 甲基萘樓基、二？基輯基、三甲基萘縣、乙稀基蔡擇 321343 21 201008966 基、乙烯基萘撐基、曱基蒽撐基、乙基蒽撐基等。 該等第2化合物可由例如：使上述之封閉劑與具有2 個以上異氰酸酯基或異硫氰酸酯基之低分子化合物進行反 應，將反應性官能基之異氰酸酯基或異硫氰酸酯基轉換為 解離性基之封閉異氰酸酯基或封閉異硫氰酸酯基而獲得。 進行該反應時可適當加入有機溶劑或觸媒等。 具有2個以上異氰酸酯基或異硫氰酸酯基之低分子化 合物可列舉例如鄰-苯撐二異氰酸酯、間-苯撐二異氰酸 酯、對-笨撐二異氰酸酯、曱苯撐二異氰酸酯、四曱撐二異 ❹ 氰酸酯、六甲撐二異氰酸酯等。 可經由上述反應獲得之具有2個以上封閉異氰酸酯基 或封閉異硫氰酸酯基之低分子化合物可例示下列之化合 物。 亦即，可列舉1，2-二[0-(亞甲基胺基）羧基胺基]苯、 1，3-二[0-(亞甲基胺基）羧基胺基]苯、1，4-二[0-(亞甲基 胺基）叛基胺基]苯、1，2-二[0-(1’ -亞乙基胺基）叛基胺基] 0 苯、1,3-二[0-(1’-亞乙基胺基）缓基胺基]苯、1,4-二 [0-(Γ-亞乙基胺基）羧基胺基]苯、1，2-二[0-(Γ-甲基亞 乙基胺基）羧基胺基]苯、1，3-二[0-(Γ-甲基亞乙基胺基） 羧基胺基]苯、1,4-二[0-(Γ-曱基亞乙基胺基）羧基胺基] 苯、1,2-二[0-(Γ-甲基亞丙基胺基）羧基胺基]苯、1,3-二[0-[Γ-甲基亞丙基胺基]羧基胺基]苯、1,4-二[0-[Γ-曱基亞丙基胺基]羧基胺基]苯、1，2-二[Γ -(3’，5’ -二甲基 吡唑基）羰基胺基]苯、1，3-二[Γ -（3’，5’ -二甲基吡唑基） 22 321343 201008966 羰基胺基]苯、1，4-二[Γ -(3’，5’ -二甲基比吐基）羰基胺基] 苯、1，2-二[1’ -(3’ -乙基-5’ -甲基吡唑基）羰基胺基]苯、 1,3-二[1 -（3’-乙基-5’-甲基吡唑基）羰基胺基]苯、；^^ 二[1’-(3’-乙基-5’-曱基《比唑基）羰基胺基]苯、12_二 [1’-(3’，5’-二乙基吼唑基）羰基胺基]苯、 (3，5 - —乙基0比0坐基）緩基胺基]苯、1，4-二[1，-(3’，5，-二乙基0比嗤基）幾基胺基]苯、1，2-二[1’-(3，-丙基-5，-甲 基吡唑基）羰基胺基]苯、1,3-二[1，-(3，-丙基-5’-甲基吡 ❹唑基）羰基胺基]苯、1,4-二[1，-(3,-丙基-5,-曱基吡唑基） 幾·基胺基]本、1，2_— [1 _(3 '乙基-5，-丙基°比《»坐基）幾基 胺基]苯、1，3-二[Γ -(3’ -乙基-5’ -丙基比唑基）羰基胺基] 苯、二[1’-（3’-乙基-5’-丙基吡唑基）幾基胺基]苯、 1，4-二[0-(亞甲基胺基）羧基胺基]丁烷、l 4-二[〇_(1，_ 曱基亞乙基胺基）叛基胺基]丁烧、1，6-二[〇-(亞曱基胺基） 羧基·胺基]己烷、1, 6-二[0-(Γ -曱基亞乙基胺基）羧基胺基] ❹己烷、1, 2-二[0-(亞甲基胺基）硫羧基胺基]苯、ι 3_二[〇-(亞甲基胺基）硫羧基胺基]苯、1，4-二[0-(亞甲基胺基）硫 羧基胺基]苯、1,2-二[0-(Γ-亞乙基胺基）硫羧基胺基] 苯、1，3-二[0-(Γ-亞乙基胺基）硫羧基胺基]苯、υ一二 [〇-(Γ-亞乙基胺基）硫羧基胺基]苯、1,2-二[0-(Γ-曱基 亞乙基胺基）硫缓基胺基]苯、1，3-二[0-(1，-曱基亞乙基胺 基）硫羧基胺基]苯、1，4-二[0-(Γ-曱基亞乙基胺基）硫羧 基胺基]苯、1，2-二[0-[1，-甲基亞丙基胺基]硫缓基胺基] 苯、1，3-二[〇-[Γ -甲基亞丙基胺基]硫羧基胺基]苯、1，4- 23 321343 201008966 二甲基亞丙基胺基]硫羧基胺基]苯、 (3，5 —二甲基吡唑基）硫羰基胺基]苯、ι 3_二[γ _ (3 ’5’-二甲基吡唑基）硫羰基胺基]苯、if:。，一 (3 ,5 _二甲基吡唑基）硫羰基胺基]苯、1，2-二[1，-(3，-乙基-5’-甲基吡唑基）硫羰基胺基]苯、^一二口^，一乙 基-5’-曱基吡唑基）硫羰基胺基]苯、匕扣二^^’一乙基 一5 _甲基吡唑基）硫羰基胺基]苯、1，2-二[1，-(3,，5, _二乙 基吡唑基）硫羰基胺基]苯、1，3-二[1，-(3，，5, _二乙基吡唑 基）硫羰基胺基]苯、丄弘二⑴_(3,，5, _二乙基吡唑基）硫❹ 幾基胺基]苯、1,2-二[1，-(3，_丙基―卜甲基。比唾基）硫幾 基胺基]苯、1，3-二[Γ-(3，-丙基-5，-甲基対基）硫幾基 胺基j苯、1，4-二[1，-(3，_丙基—5，_甲基吡唑基）硫羰基胺 ，]苯、1’2-一[1 -(3’_乙基_5’_丙基吡唑基）硫羰基胺基] ，、1’3-一 [1 -(3，-乙基_5’_丙基吡唑基）硫羰基胺基] ^、1，4-一 [1 -(3 -乙基_5，_丙基吡唑基）硫羰基胺基] 苯、1,4-二[〇-(亞甲基胺基）硫羧基胺基]丁烷、丨，4_二 [〇-(1’-甲基亞乙基胺基）硫羧基胺基]丁烧、以一二⑺一（亞 〇 甲基胺基）硫叛基胺基]己燒、1>6—二[〇_〇，一甲基亞乙基胺 基）硫羧基胺基]己烷等。 (絕緣層用組成物之含有比例） 本實施形態之絕緣層用組成物為含有上述第丨及第2 化合物者，在該組成物中，在第丨及第2化合物之合計中， 第1化合物較好含有20至9〇質量％，更好含有二°至8〇 質量％。若滿足該等含有比例，則經由絕緣層用組成物獲 321343 24 201008966 得之絕緣層 (其他成分） 巧史佳之傾向。 本實施形態之絕緣層用組成物 以外，在不損害本發明效果之· 了第1及第2化合物 含有硬化觸媒、交Μ、界期望之特性而 增稠劑等。 主十Ueveling)劑、 [有機薄膜電晶體] 接著，說明具傷由上述絕緣層用細 之有機薄膜電晶體（以符 、、成物形成之絕緣層 態。 間稱為電日日9發」）之較佳實施形 較佳實施形態之電晶體可列舉具诉 該等間之電流通路之有機垆攝源極、汲極、作為 電流之問極、及將有機半導艘層與：„路之 晶體，且絕緣層係由上述實施形態層 化物形成者。 雜成物之硬 電晶具細、沒極、作為該等間之電流通 路之有機半導μ、㈣通過電流通路之電、將 有機半導體層與閘極絕緣之絕緣層、及以將該等構成覆蓋 之方式設置之保護層之電晶體，且保護層為由上述實施形 態之絕緣層用組成物之硬化物形成者。以下，更具體說明 該等電晶體之例。 第1圖為表示第1實施形备、之電晶體之剖面構成之模 式圖，第2圖為表示第2實施形態之電晶體之剖面構成之 模式圖。第1圖表示之第1實施形態之電晶體為上閘極（top 321343 25 201008966 gate)型之電晶體，第2圖表示之第2實施形態之電晶體為 下閘極（bottom gate)犁之電晶體，本發明之電晶體並不只 限於該等形態。 如第1圖所示，第1實施形態之電晶體係在基板 10上依序設置有源極12及汲極14、有機半導體層16、閘 極絕緣層（絕緣層）18及閘極19 ° 在該電晶體1〇〇中，源極12及汲極14在基板上以 預定之間隔隔開設置^有機半導體層16以將源極12及汲 極14之至少一部分分別覆蓋之方式形成在基板10上。有❹ 機半導體層16以此方式與源極12及淚極14之兩者連接， 成為該等電極間之電流通路。 閘極絕緣層18係以將在下部形成之源極12、汲極14 及有機半導體層16全部覆蓋之方式設置。又，閘極19設 置於該閘極絕緣層丨8上。如此，閘極絕緣層18形成在有 機半導體層16與閘極19之間，而將有機半導體層16與閘 極19絕緣。 0 另一方面，如第2圖所禾，第2實施形態之電晶體2 0 〇 係在基板20上依序設置有閘極29、閘極絕緣層28、源極 22及汲極24、有機半導體層26及頂塗層30。 在該電晶體2〇〇中，閘極29直接設置在基板20上， 且以將該閘極29覆蓋之方式形成閘極絕緣層28。在閘極 絕緣層28上’以預定之間隔隔開設置源極22及汲極24。 有機半導體層26以將源極22及汲極24之至少一部分分別 覆蓋之方式設置在閘極絕緣層28上。 26 321343 201008966 有機半導體層26係以此方式輿_以一 24M 者連接，成為該等電極間之電流通略。有機半導體層26與 閘極29經由在該等間形成閘極絕緣層28而絕緣。 在電晶體200中，以將如上所述之元件構造全部覆蓋 之方式在基板20上設置頂塗層30。該頂塗層30係發揮作 為保護層之機能，可保護元件構造’尤其是可保護因與外 部接觸而容易劣化之有機半導體層26。 在上述之電晶體100及200 t，首先，基板10及20 ❹由玻璃基板或塑膠基板等構成。惟，如後所述，由於本發 明之電晶體可在低溫形成，所以基板10、20可良好使用一 •般容易因熱產生伸縮等之塑膠基板。使用塑膠基板可容易 地將電晶體100、200輕量化或可換化。 閘極19、29由導電性材料濟成。導電性材料可例示 銘、金、始、銀、銅、鉻、鎳、妹等金屬；I TO等導電性 氧化物；聚（3, 4-乙推二氧噻吩）與聚苯乙烯碍酸之混合高 ❹分子等導電性高分子等。又，亦可橡用金屬微粒子、碳黑、 石墨微粉分散於黏合劑ψ而成之導電性材料。源極12、22 或汲極14、24亦可使用由與閘極19、29相同之導電性材 料構成者。 有機半導體層16、26可使用由低分子有機半導體材料 或南分子有機半導體材料形成者。低分子有機半導體材料 可列舉例如稠五苯等。高分子有機半導體材料可列舉例如 聚-3-己基噻吩（P3HT)或芴二噻吩（F8T2)等。有機半導體層 16、26由可發揮作為半導體之機能之有機材料構成。 321343 27 201008966 在電晶體100、200中之閘極絕緣層18、28(絕緣層） 為由上述理想實施形態之絕緣層用組成物之硬化物組成 者。電晶艎200中之頂塗層30亦為由絕緣層用組成物之硬 化物組成者。 絕緣層用組成物之硬化物係指經由第1化合物與第2 化合物間產生之反應而形成第1化合物與第2化合物重複 結合而成之構造之狀態者。該等第1化合物與第2化合物 之反應首先係經由施加電磁線或加熱，從第2化合物之解 離性基形成反應性官能基’接著，由第2化合物產生之反 ® 應性官能基與第1化合物之活性氫基反應而產生者。絕緣 層用組成物可經由施加電磁線或加熱使基硬化β電磁線為 具有預定波長之電磁波’例如相當於X射線或紫外線等。 [有機薄膜電晶體之製造方法] 接著，說明具有上述構成之有機薄膜電晶體（電晶體） 製造方法之理想實施形態。 理想實施形態之電晶體之製造方法為製造具備源極、 沒極、作為該等間之電流通路之有機半導體層、控制通過❹ 電流通路之電流之閘極、及使有機半導體層與閘極絕緣之 絕緣層的有機薄膜電晶體之方法，並經由在形成該絕緣層 之面上，將上述之絕緣層用組成物塗佈並使其硬化而形成 者0 首先’在製造第1實施形態之電晶體l〇Q時，準備基 板10 ’在該基板10上經由例如蒸鍍法、濺鍍法、印刷法、 喷墨法等公知之方法，將如上所述之導電性材料堆積，藉 321343 28 201008966 此形成源極12及汲極14。 然後，在形成有源極12及汲極14之基板10上，以將 該等之各一部分覆蓋之方式形成有機半導體層16。有機半 導體層16較好為經由例如將上述之低分子或高分子有機 半導體材料溶解於可溶解該等之溶劑後塗佈在基板上並乾 燥而形成。 使用的溶劑只要為可將有機半導體材料溶解之溶劑即 可，從儘可能在低溫進行經由乾燥除去之觀點而言，較好 ® 為在常壓之沸點為50°C至200°C者。溶劑可列舉氯仿、甲 苯、茴香醚、2-庚酮、丙二醇單甲醚乙酸酯等有機溶劑。 有機半導體材料溶液之塗佈可經由例如旋轉塗佈法、模具 _ 塗佈法、網版印刷法、喷墨法等進行。 接著，在形成有源極12、汲極14及有機半導體層16 之基板10上，以將該等覆蓋之方式形成絕緣層18。絕緣 層18可由將上述之絕緣層用組成物塗佈後使其硬化而形 ❹成。製造該第1實施形態之電晶體100時，基板10上形成 有源極12、汲極14及有機半導體層16之積層構造之上面 相當於「形成絕緣層之面」。絕緣層18之詳細形成方法於 後述。 之後，在絕緣層18上經由與源極12或汲極14相同之 方法形成閘極19。藉此，獲得第1圖表示之第1實施形態 之電晶體100。 另一方面，第2實施形態之電晶體200，首先在基板 20上進行與第1實施形態相同之操作，形成閘極29。接著， 29 321343 201008966 以將該間極29覆蓋之方式在基板2〇上形成閘極絕緣層 28。閉極絕緣層28之形成方法賴M’在第2實施形態令， 基板20上形成有閘極卯之積層構造之上面相當於「形成 絕緣層之面j。 在閘極絕緣層28上形成源極22及汲極24，再以將該 等之各一部分覆蓋之方式形成有機半導體層26。可與第j 實跑形態進行相同的操作。經由以將進行此操作在基板2〇 上形成之閉極29、閘極絕緣層28、源極22、汲極24及有 機半導體層26覆蓋之方式形成頂塗層3〇，而獲得第2圖❹ 表示之第2實施形態之電晶體2〇〇。 以下，具體說明在該等電晶體100、200中之閘極絕緣 廣18、28之形成方法。 〇 在形成閘極絕緣層18、28時，首先在形成該等閘極絕 緣唐之面上塗佈上述之絕緣層用组成物。絕緣層用組成物 之塗佈可以例如將絕緣層用組成物溶解於有機溶劑之溶液 之狀態進行。該溶液使用之有機溶劑為可將絕緣層用組成 物成分溶解者’為例如在常壓之沸點為1〇〇。(：至2〇〇充之容 劑，較好為容易經由祕㈣去者。料有機_可列舉 2-庚酮、丙二醇單甲醚乙酸酯、1-丁醇等。 含有絕緣層用組成物溶液之塗佈可經由例如旋轉塗佈 法、模具塗佈法、網版印刷法、噴戛、土隹… $/¾寻進行。又，在絕 緣層用組成物之溶液中’可依需要而夭 I而添加塗平劑、界面活 性劑、硬化觸媒等。 接著，將經由如上所述之操作塗佈之絕緣層用組成物 321343 30 201008966 溶液乾燥，除去有機溶劑，藉此形成由絕緣 成之層。乾燥可經由加熱至有機溶劑揮發之程戶、且、物形 此時，從在低溫形成電晶體之觀點而 2進行。 祛。 以不要太高溫較 經由將由絕緣層用組成物形成之層硬化 :緣層/,8、28。硬化係如上述，可經由電磁線照= 進仃。例如在絕緣層用組成物中之第 … ❹ 氰酸酯基或封閉異硫氰酸醋基作為解時 由加熱產生。 硬化了經 至250¾，更好在80至 則在例如使用塑膠基板等 另一方面，若低於60。(：， ’而有時無法獲得充分的 Λ 安定滯後（hysteresis) 此時，加熱溫度較好在60 2〇0°C。加熱溫度若超過250¾， 時’有無法充分抑制其伸縮之慮 則絕緣層用組成物不會充分硬化 抑制漏電電流、提昇絕緣耐壓性 效果之慮。 ® 在電晶體200中之頂塗層 構造後以將該等覆蓋之方式， 相同操作，將絕緣層用組成物 30亦可在形成電晶體之元件 與上述之閘極絕緣層18、28 塗:佈、硬化而形成。 在該等電晶體100、200之奥株. 思， 表造方法中，可在閘極絕緣 增、28上形成自體組織化單分；脫a ^ ， ^ , 子膜層（未圖不）’形成該 寻自體組織化單分子膜層，可獲搵植 带n 幾件提昇絕緣耐壓性、改善 電晶體特性之效果。 321343 31 201008966 形成。經由此操作形成之自體組織化單分子膜層具有由燒 基氣碎燒化合物或烧基焼氧基發统化合物發生水解、縮合 等而成之構造，具有藉由離子鍵、氫鍵等與閘極絕緣層、8σ、 28表面相互作用而成之構成。 烷基氣矽烷化合物或烷基烷氧基矽烷化合物之處理可 經由例如將該等化合物溶解在有機溶劑中使成為丨至1〇重 量％之溶液塗佈在閘極絕緣層18、28上，並使其乾燥等而 形成。 烷基氣矽烷化合物可列舉例如甲基三氣石夕垸、乙基三 ❹ 氯梦院、丁基二氣梦炫、癸基三氣梦烧、十八燒基三氣梦 院等。又，燒基垸氧基梦烧化合物可列舉例如甲基三甲氧 基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、丁基三甲氧基矽烷、癸基三 - 甲氧基矽烷、十八烷基三甲氧基矽烷等。 [顯示器用構件及顯示器] 接著’說明使用上述實施形態之電晶體的顯示器用構 材及顯示器。在以下之說明，可列舉使用有機EL元件之顯 示器之構造為例子加以說明，惟’可使用於本發明之顯示 © 器不只限於此。 第3圖為表示理想實施形態之顯示器之剖面構成之模 式圖。如第3圖所示，本實施形態之顯示器300具有具備 電晶體200、有機EL元件40之構成/該顯示器300為構 成顯示器中1個像素者，在有機EL元件40連接電晶體 200，控制該有機EL元件40之發光。實際之顯示器為經由 汉置多個該荨顯示器300而可顯示影像者。 32 321343 201008966 在顯示器300中’電晶體2〇〇為具有與上述第2實施 形態之電晶體200相同之構造者。在該電晶體_中之基 板20係向其面方向延伸’兼作為搭载有機el元件4〇之基 板。基板20與有機EL元件4〇之間配置在電晶體200中之 頂塗層30。有機EL元件40可使用具有公知構造者。 如此種顯示器300，本發明電晶體之一實施形態之電 晶體200可作為顯示器使用之顯示用構件使用。因此，此 種電晶體200如上所述，由於可在低溫形成以往需要高溫 之閘極絕緣層28或頂塗層3〇，因此，即使在例如使用塑 膠基板作為基板20時，亦可充分抑制該基板的伸縮等。所 以’通常在為了高像素化而將顯示器3〇〇表示之元件變小 時’有基板變形會大幅影響顯示特性之傾向，在本實施形 態，由於使用可在低溫形成之電晶體2〇〇作為顯示器構 件，因此可抑制該等基板之變形，且顯示器3〇〇易於狹小 化。 ❹[實施例] 以下’以實施例對本發明作更詳細的說明，惟，本發 明不只限於該等實施例。 [第1及第2化合物之合成] (合成例1) 將安裝有50mL平衡型滴液漏斗、三向旋塞、機械攪拌 益之500mL二口燒瓶内部進行氮氣取代後，加入13_苯撐 一異氰酸酯25. 0g(和光純藥公司製造）、脫水四氫呋喃 250mL，將該等攪拌使其溶解，.而獲得丨，3_苯撐二異氰酸 33 321343 201008966 酯之四氫呋喃溶液。接著，將反應燒瓶放入冰浴中’一邊 於200rpm攪拌1，3-苯撐二異氰酸酯之四氫吱喃溶液一邊 慢慢滴入丁酮酮肟（和光純藥公司製造）。滴入結束後在冰 浴中繼續攪拌1小時再在室溫攪拌一晚使其反應，而獲得 淡黃色透明之反應混合物。
一邊攪拌一邊將獲得之反應混合物滴入lOOOmL之離 子交換水中，捨去上澄液，而獲得黏稠之固體。將獲得之 個體再溶解於乙醇200mL，用濾紙將不溶物過濾後減壓蒸 餾除去乙醇。藉此，獲得黏稠固體之第2化合物 (1’-甲基亞乙基胺基）羧基胺基]苯（獲得量為45g)。 (合成例2) 將2-(4-羥基苯基）乙基—二曱基矽烷基_聚倍半矽氧 烷樹脂（Β0ΡΗ樹脂；東亞合成公司製造，換算成聚笨乙烯 之重量平均分子量·〇〇)之42.4重量％之2_庚_溶液 60g放入3_L之兹形燒瓶中，用旋轉蒸發器在減壓下某
顧除去2-庚酮，而獲得2-(4，—經基苯基）乙基一二甲基石夕烧 基_聚倍半矽氧烷樹脂。 在獲得之_旨巾加人卜丁醇3Qg再溶職，用旋轉; 發器再絲織去_。將該再溶解/顏除去溶劑之4 作重複進行3次’最後調製卜丁醇之添加量，而調 化錄2-(4’-㈣笨基）乙基—二甲基㈣基_聚倍待』 燒樹知之30重量％之丁醇溶液。 [實施例1] (絕緣層用組成物溶液之調製） 321343 34 201008966 將合成例2獲得之2-(4,-羥基苯基）乙基__二甲基矽烷 基-聚倍半矽氧烷樹脂之3〇重量％之卜丁醇溶液& 〇〇g、 合成例1獲得之1，3-二[〇-(1’_甲基亞乙基胺基）羧基胺基] 苯0. 27g、1-丁醇5. 70g放入1〇此之試樣瓶中，將該等攪 拌溶解，而調製均一之塗佈溶液（絕緣層用組成物溶液）。 (絕緣層的形成） 接著，將獲得之塗佈溶液用0 之膜過濾器過濾， ❾旋轉塗佈在矽晶圓上後，在加熱板上在15〇°c加熱90分 鐘，而獲得絕緣層。 (絕緣層耐溶劑性之評估） • 在獲得之絕緣層中滴入甲苯或氯仿後，絕緣層未溶解。 (絕緣層絕緣耐壓性的評估） 將絕緣層的一部分剝離，用輪廓計（凱魯愛姆天可魯公 司製造）測定膜厚，為185nm。 在該絕緣層上蒸鍍鋁電極，經由真空探測器（BCT22MDC Ο 5 HT-SCU · Nagase Electronic Equipments Service Co., Ltcl公司製造）測定該絕緣破壞電壓，即使施加1〇〇v，絕緣 亦不會破壤。又’施加l〇〇V時之漏電電流為3 38x1〇-6a(電 極面積=0. 0314cm2)。 (電晶體的製作） 在玻璃基板上經由使用金屬罩之真空蒸鍍法形成通道 長20# m、通道寬2mm之源極及汲極（具有從後述之有機半 導邀層侧以畐勒烯（Fullerene)、金的順序積層之構造）。 接著’將F8T2(9, 9-二辛基芴：聯噻吩=50 : 50(莫耳 35 3213# 201008966 比）之共聚物；換算成聚笨乙烯之重量平均分子量=69, 〇〇〇) 溶解於作為溶劑之氣仿’製作濃度為〇. 5重量％之溶液（有 機半導體組成物）後將該溶液用膜過濾器過濾，調製塗佈 液。將獲得之塗佈液以將上述之源極及汲極覆蓋之方式經 由旋轉塗佈法塗佈在玻璃基板上，形成具有厚度約6〇11111之 有機半導體層。 將上述之絕緣層用組成物溶液用〇. 2^^之膜過濾器 過濾後，經由旋轉塗佈法塗佈在有機半導體層上後，在 150°C加熱90分鐘使其硬化，形成具有厚度約3〇〇nm之閘❿ 極絕緣層。 經由使用金屬罩之真空蒸鍍法，在閘極絕緣層上形成 閘極（具有從有機半導體側以富勒烯、金的順序積層之構 . 造），製作上閘極型之場效型有機薄膜電晶體（電晶體）。 (電晶體特性之評估） 對於獲得之電晶體在閘極電壓％在〇至_6叭、源極/ 没極間電壓Vsd在〇至-60V變化之條件下，使用真空探測 态（BCT22MDC-5-HT-SCU : Nagase Electronic Equipments
Service Co·，Ltd公司製造）測定該電晶體之特性。滯後 表示在源極/汲極間電壓¥3(1為_5叭之條件下，使閘極電 壓Vg從ον變化為時之閾值電壓Vthi與閘極電壓^ 從-60V變化為0V時之閾值電壓V1±2之差異之絕對值。獲 得之結果表示於表1。 321343 36 201008966 [表1]
電晶體 -—^ 實施例1 閾值電壓（V) -36V 開/關比 5xl〇2 滯後 0. 8V
[比較例l] (絕緣層用組成物溶液之調製） 將聚乙烯盼(Aldrich公司製造，換算成聚苯乙稀之重 分子量侧”鳥、聚（三以胺會㈣）甲基化 物^4 *量％卜丁醇溶液⑽公司製造）〇•胸及 2-庚酮7.〇〇g放入i〇mL之試樣瓶中 ^ 一之塗佈溶液（絕緣層用組成物溶夜）。拌洛， = ((電晶體之製作） 參 絕緣相組絲_及_絕緣層係在 操作製作上閘極型之場效型有機 晶體。 對於獲得之電晶體在閉極電麼 聽間電請在〇至_60”:，在0至-賺、源極/ ⑽ΓΤ99鮮〔 之條件下，使用真空揉測 ^ CBCT22MDC-5-HT-SCU ： Nagase Electronic Equipments Service Co.，Ltd公司製造)測定該電晶體之特性。惟， 該電晶體無法作為電晶體動作。 由上述之結果確認具備經由組合含有第^及第2化合 物之絕緣層用組成物所形成之開極絕緣層的實施例1之電 37 321343 201008966 晶體，可在不會發生塑膠基板伸縮之程度之低溫形成絕緣 層，又，該絕緣層的絕緣耐壓性優越。 【圖式簡單說明】 第1圖表示第1實施形態之有機薄膜電晶體之剖面構 成之模式圖。 第2圖表示第2實施形態之有機薄膜電晶體之剖面構 成之模式圖。 第3圖表示理想實施形態之顯示器之剖面構成之模式 圖。 【主要元件符號說明】 12、22源極 16、26有機半導體層 19、29閘極 40 有機EL元件 300 顯示器 10、20 基板 14 > 24 汲極 18、28 閘極絕緣層 30 頂塗層 100、200電晶體 38 321343

Claims (1)

  1. 201008966 七、申請專利範圍： 1. 一種絕緣層用組成物，係含有：由分子内具有2個以上 活性氫基之高分子化合物形成的第1化合物、及由分子 内具有2個以上經由電磁線或熱而生成與活性氫基反 應之官能基之基的低分子化合物形成的第2化合物。 2. 如申請專利範圍第1項之絕緣層用組成物，其中，上述 第1化合物為具有至少1種選自酚性羥基、醇性羥基、 胺基、髄基及羧基所成組群之基作為上述活性氫基之高. 分子化合物者。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項之絕緣層用組成物，其 中，上述第1化合物為具有活性氫基之聚有機倍半矽氧 烧樹脂者。 4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之絕緣層用組 成物，其中，上述第1化合物為具有至少1種選自由下 述通式（1)表示之基及下述通式（2)表示之基所成組群 之基作為上述活性氫基之聚有機倍半矽氧烷樹脂者
    [式（1)中，R11及R12分別獨立地表示氫原子或碳原子數 1至20之1價有機基，R13表示氫原子或碳原子數1至 39 321343 201008966 20之1價有機基，r為1至5之整數，k為0以上之整 數；惟，R13為複數個時，該等分別可相同亦可不同； 又，式（2)中，R21、R22、R23、R24、R25及R26分別獨立地 表示氫原子或碳原子數1至20之1價有機基，1及m 分別獨立地為0以上之整數，η為1以上之整數]。 5.如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之絕緣層用組 成物，其中，上述第2化合物中，上述經由電磁線或熱 而生成與活性氫基反應之官能基之基為至少一種選自 由經封閉之異氰酸酯基及經封閉之異硫氰酸酯基所成 組群之基者。 如申請專利範圍第5項之絕緣層用組成物，其中，上述 經封閉之異氰酸酯基或上述經封閉之異硫氰酸酯基為 下述通式（3a)表示之基或下述通式（3b)表示之基者：
    [式中，X1及X2分別獨立地表示氧原子或硫原子，R31、 R32、R33、R34及R35分別獨立地表示氫原子或碳原子數1 至20之1價有機基]。 7.如申請專利範圍第1項至第6項中任一項之絕緣層用組 成物，其中，上述第2化合物為至少一種選自由下述通 40 321343 201008966 式（4a)表示之化合物及下述通式（4b)表示之化合物所 成組群之化合物者： R42 (4a) a
    (4b) b (r44^〇 [式中，X41及X42分別獨立地表示氧原子或硫原子，R41、 R42、R43、R44、R45、R46及R47分別獨立地表示氫原子或碳 原子數1至20之1價有機基，RF及RG分別獨立地表示 碳原子數1至20之2價有機基，a及b分別獨立地為2 至6之整數，c及d分別獨立地為0至20之整數]。 41 321343
TW098121546A 2008-06-30 2009-06-26 Composition for forming insulation layer TW201008966A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008171155A JP2010007030A (ja) 2008-06-30 2008-06-30 絶縁層用組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201008966A true TW201008966A (en) 2010-03-01

Family

ID=41465857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098121546A TW201008966A (en) 2008-06-30 2009-06-26 Composition for forming insulation layer

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20110136992A1 (zh)
EP (1) EP2311915A4 (zh)
JP (1) JP2010007030A (zh)
KR (1) KR20110040790A (zh)
CN (1) CN102076776A (zh)
TW (1) TW201008966A (zh)
WO (1) WO2010001757A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5479817B2 (ja) 2008-08-28 2014-04-23 住友化学株式会社 有機薄膜トランジスタゲート絶縁層用樹脂組成物、ゲート絶縁層及び有機薄膜トランジスタ
JP6034056B2 (ja) * 2011-05-24 2016-11-30 住友化学株式会社 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料
JP6025326B2 (ja) * 2011-12-21 2016-11-16 住友化学株式会社 電子デバイス絶縁層材料、及び電子デバイス
WO2013129406A1 (ja) * 2012-03-01 2013-09-06 住友化学株式会社 電子デバイス絶縁層及び電子デバイス絶縁層の製造方法
CN103325943A (zh) * 2013-05-16 2013-09-25 京东方科技集团股份有限公司 一种有机薄膜晶体管及其制备方法
JP6717934B2 (ja) * 2016-05-13 2020-07-08 株式会社カネカ 透明導電性フィルム及びその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09221630A (ja) * 1996-02-13 1997-08-26 Showa Denko Kk 塗料組成物及びそれを用いて得られる塗膜
US6743885B2 (en) * 2001-07-31 2004-06-01 Sumitomo Chemical Company, Limited Resin composition for intermediate layer of three-layer resist
JP2003258260A (ja) 2002-02-28 2003-09-12 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機ｔｆｔおよびその作製方法
JP2004072049A (ja) 2002-08-09 2004-03-04 Ricoh Co Ltd 有機ｔｆｔ素子及びその製造方法
JP4107215B2 (ja) * 2003-10-08 2008-06-25 宇部興産株式会社 ポリシロキサン絶縁膜用組成物、絶縁膜、及び、絶縁膜の形成方法
JP4343572B2 (ja) * 2003-04-01 2009-10-14 キヤノン株式会社 有機半導体素子の製造方法
WO2004091001A1 (en) * 2003-04-01 2004-10-21 Canon Kabushiki Kaisha Organic semiconductor device
US7098525B2 (en) * 2003-05-08 2006-08-29 3M Innovative Properties Company Organic polymers, electronic devices, and methods
JP2007042852A (ja) * 2005-08-03 2007-02-15 Kansai Paint Co Ltd トランジスタ及びその製造方法
JP5204394B2 (ja) * 2006-02-20 2013-06-05 パナソニック株式会社 半導体光装置及び透明光学部材

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010007030A (ja) 2010-01-14
US20110136992A1 (en) 2011-06-09
EP2311915A4 (en) 2011-11-02
EP2311915A1 (en) 2011-04-20
KR20110040790A (ko) 2011-04-20
WO2010001757A1 (ja) 2010-01-07
CN102076776A (zh) 2011-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102138218B (zh) 树脂组合物、栅极绝缘层和有机薄膜晶体管
TWI476974B (zh) 有機薄膜電晶體及其製造方法，以及使用該有機電晶體之顯示用組件以及顯示器
US20120292626A1 (en) Optical and thermal energy cross-linkable insulating layer material for organic thin film transistor
TWI547504B (zh) 有機薄膜電晶體絕緣層材料
WO2012161106A1 (ja) 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料
TW201008966A (en) Composition for forming insulation layer
CN104040700B (zh) 电子器件绝缘层材料及电子器件
CN102484141A (zh) 光交联性有机薄膜晶体管绝缘层材料
WO2012108327A1 (ja) 光及び熱エネルギー架橋性有機薄膜トランジスタ絶縁層材料
TW201223979A (en) Insulation layer material for organic thin film transistor and organic thin film transistor
JP6056443B2 (ja) 絶縁層材料及び該絶縁層材料を用いて形成した有機薄膜トランジスタ
JP6056426B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料及び有機薄膜トランジスタ
JP2013149861A (ja) 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料
TW201840695A (zh) 組成物
JP2010037462A (ja) ゲート絶縁層用樹脂組成物
JP2013258301A (ja) 有機薄膜トランジスタ絶縁層材料