TW201007997A - Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic component - Google Patents

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201007997 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種光電半導體晶片。 【先前技術】 薄膜構造形式的光電半導體晶片例如已描述在文件 贾002/13281八1和£? 0905797八2中，其已揭示的有關光 電半導體晶片之薄膜構造形式的整個內容藉由參考而收納 於此處。 g 【發明内容】 本發明的目的是提供一種光電半導體晶片，其可成本 特別有利地製成。本發明的另一目的是提供一種機械穩定 性較佳的光電半導體晶片。此外，本發明的目的是提供一 種具有光電半導體晶片之光電組件。 依據光電半導體晶片之至少一實施形式，該光電半導 體晶片包括半導體本體。半導體本體可以是一種磊晶生長 之層結構，其可生長在一種生長基板上，該生長基板在該 Q 磊晶生長結束之後由已製成的半導體本體中去除或至少被 薄化。此光電半導體晶片可以是一種薄膜構造形式的半導 體晶片。半導體本體因此可具有一種20微米或更小的厚 度，此厚度特別是1 0微米或更小。 半導體本體例如包括一種活性區，其用來偵測或產生 電磁輻射。例如，此光電半導體晶片是一種像光二極體之 類的偵測器晶片、或是一種電致發光二極體晶片，例如， 發光二極體晶片或雷射二極體晶片。 201007997 半導體本體較佳是形成在III/V-半導體系統中。即， 其較佳是具有—種III/V-化合物-半導體材料。一種ΠΙ/ν-化合物-半導體材料具有：由第三族而來的至少一種元素， 例如’ B，Al，Ga，In、以及由第五族而來的一種元素，例如， N，P，As。此槪念“ΙΠ/ν_化合物-半導體材料”特別是包括 來自一兀、二兀或四元化合物之族群（gr0Up)，其包含來自 第三族群之至少一個元素和來自第五族群之至少一個元 素’例如’包括氮化物-和磷化物-化合物-半導體。此種二 元、三元或四元化合物可另外具有一種或多種摻雜物質以 及其它的成份。 半導體本體亦能以其它的材料系統，例如，II/VI-化合 物-半導體材料，來製成。 II/VI-化合物·半導體材料具有：由第二族而來的至少 一種元素，例如，Be, Mg，Ca, Sr、以及由第六族而來的一 種元素’例如，0, S, Se。II/VI-化合物-半導體材料特別是 包含二元、三元或四元化合物，其包含由第二族而來之至 少一種元素和由第六族而來之至少一種元素。此種二元、 三元或四元化合物例如可具有一種或多種摻雜物質以及其 它的成份。例如，ZnO，ZnMgO，CdS，ZnCdS，MgBeO 屬於 II/VI-化合物-半導體材料。 依據光電半導體晶片之至少一實施形式，光電半導體 晶片具有一種可導電之金靥層堆疊，其配置在半導體本體 上。 該金屬層堆叠由至少二個含有不同金屬的層所形成。 該層堆疊具有導電性，使電流可經由該層堆叠而施加至該 201007997 半導體本體中。 該金屬層堆疊可施加在半導體本體之上側上 層堆疊可以是一種所謂連接墊（bond pad)，其用來 觸線，可經由此一接觸線來接觸該半導體晶片。 堆疊因此位於該半導體本體之輻射通過面上。即 層堆疊施加在半導體本體之外表面之一部份上， 本體操作時電磁輻射經由外表面之此一部份而發 此外，該金屬層堆疊亦可另外位於該半導體 離該輻射通過面之下側上》該金屬層堆疊然後可 〇 該半導體晶片且給予該半導體晶片一額外的機械 即，該金屬層堆疊亦可用作背面接觸區。 依據光電半導體晶片之至少一實施形式，該 疊包括至少一含有鎳之第一層。此含有鎳之第一 佳是配置成與該半導體本體之磊晶生長之層相平 一層例如可由鎳構成或由磷化鎳（NiP)構成。又， 堆叠亦可包括一由鎳構成的層和另一由磷化鎳構 Λ 依據光電半導體晶片之至少一實施形式，該 ❹ 叠包括至少一含有金的第二層。即，該金屬層堆 層可由金構成或包含一種含金的化合物或含金的 第二層因此較佳是配置成同樣與該半導體本體之 之層相平行。 依據光電半導體晶片之至少一實施形式，該 置在該半導體本體和該第二層之間。即，可導電 堆叠包括該第一層和該第二層。該第一層含有鎳 含有金。此二層配置成互相平行且較佳是平行於 。該金屬 固定一接 該金屬層 ，該金屬 該半導體 出。 本體之遠 用來焊接 穩定性。 金屬層堆 層因此較 行。該第 該金屬層 成的層。 金屬層堆 疊之第二 合金。此 磊晶生長 第一層配 之金屬層 ，第二層 半導體本 -6- 201007997 體之磊晶生長的層而延伸。含有鎳的第一層配置成較含有 金的第二層更靠近該半導體本體。 依據光電半導體晶片之至少一實施形式，該光電半導 體晶片包括一個半導體本體和一個在該半導體本體的上側 上的導電的金屬層堆疊，其中該金屬層堆疊包括至少一含 有鎳之第一層和一含有金的第二層，該第一層配置在該半 導體本體和第二層之間。 此處所述的光電半導體晶片另外以下述認知爲基準， ^ 即：含有鎳的層是一種特別硬、可簡易地製成且可容易再 ❹ 生的層。此層例如可由鎳構成或另外含有磷。此層例如能 以磷化鎳來形成。由於含有鎳的層具有一特別硬的表面， 則可使該層例如被刮傷的危險性下降。 當晶圓複合物之各別的光電半導體晶片藉由所謂“晶 圓測試”來檢測其功能時，可導電的金屬層堆疊之刮傷例 如會在該光電半導體晶片的製程中發生於晶圓複合物中。 現在，若可導電的金屬層堆疊主要由較軟的金屬（例如，鋁 Φ 或金）所構成，則該層堆疊會在“晶圓測試”時刮傷。這例 如可藉由稍後的製程中之電子式圖像處理來使該金屬層堆 疊之可辨認性降低。 此外，已顯示的事實是：含有金的第二層由半導體本 體來觀看時是在含有鎳的第一層之後方，金屬層堆疊之可 接觸性藉由一接觸線來簡化。例如，藉由含有金的第二層 可使導電性的金屬層堆疊上之含有金之接觸線的黏合性獲 得改良。 最後，已顯示的事實是：含鎳之層在導電性的金屬層 201007997 堆疊中是半導體本體之一種機械穩定性優良且成本有利的 金屬層。此金屬層堆叠因此在光電半導體晶片被接觸時可 保護該半導體本體使不受機械上的負載。 整體而言，此處所描述的光電半導體晶片可達成一種 簡化-且成本有利之製程。此外，光電半導體晶片可受到保 護以特別良好地對抗機械上的負載。 依據光電半導體晶片之至少一實施形式，一第三層配 置在第一層和第二層之間，其中此第三層含有鈀。第三層 I 因此可由鈀構成。第三層直接鄰接於第一層和第二層。含 ❹ 有鈀之層之特徵是特別高的硬度。 依據光電半導體晶片之至少一實施形式，第二層是該 金屬層堆叠之遠離該半導體本體之覆蓋層。即，含有金的 第二層是該金屬層堆疊之封閉層，其在遠離該半導體本體 之此側上鄰接於該層堆疊。此種含有金之覆蓋層就該金屬 層堆叠之導線可接觸性而言特別有利。例如，含有金的金 屬線可特別簡易且機械穩定地固定在該金屬層堆疊之一含 Φ 有金的覆蓋層上。該金屬層堆疊在此種情況下可用作連接 墊，以用來與導線相接觸。 依據光電半導體晶片之至少一實施形式，含金的第二 層較含鎳的第一層還薄。層堆疊之層的厚度此處是指該層 在堆疊方向中之延伸度。層堆疊之堆叠方向較佳是垂直於 該半導體本體之晶晶生長之層而延伸。 層堆叠中所含有的含金的第二層較含鎳的第一層還薄 時，則此種層堆疊由於至少二種原因而特別有利：（一） 含鎳的較厚的第一層可特別良好地使該層堆疊受到機械上 201007997 的保護而免於刮傷，且使半導體本體不會受到機械上的損 傷（例如，裂開或折斷），否則此種損傷在與光電半導體晶 片接觸時會發生；（二）一種薄的、含有金的第二層在成本 上特別有利。 含有鎳的第一層所具有的厚度較佳是介於至少〇.4微 米和最多10.0微米之間。含有金之第二層之厚度較佳是介 於至少20奈米和最多200奈米之間，例如，介於至少30 奈米和最多50奈米之間。第三層之厚度例如介於1〇〇奈米 和2 0 0奈米之間。 依據光電半導體晶片之至少一實施形式”一種接觸層 配置在該半導體本體和該金屬層堆疊之間，其中該金靥層 堆叠直接與該接觸層相鄰。該接觸層上可特別容易地施加 該金屬層堆疊之多個層。此外，該接觸層可使金屬層堆疊 和半導體本體之間的電性接觸性獲得改良。最後，該接觸 層可使該金屬層堆疊在該半導體本體上的黏合性獲得改 良。 該接觸餍例如可以磊晶方式生長在該半導體本體上。 此外，該接觸層可藉由塗層方法（例如’濺鍍或物理氣相沈 積（PVD))而施加在半導體本體上。該接觸層例如可含有 金。例如，該接觸.層是一種由AuGe_，_ A^uZn或AuBe所形成 的層。此外，該接觸層亦可含有以下材料的至少一種或由 其構成：銅、鋁、銀。 依據光電半導體晶片之至少一實施形式，該金屬層堆 疊之至少一層以電鑛方式沈積而成。即，該至少一層是藉 由金靥沈積物之電化學沈積而施加在該金屬層堆疊之一層 201007997 或該接觸層上。此外，亦可將該金屬層堆叠之全部的層都 以電鑛方式沈積而成。在此種情況下，該金屬層堆畳完全 以電鍍方式產生。在以電鍍方式沈積該金屬層堆疊時，半 導體本體之不應被塗層的區域可以一種由光阻或SiN構成 的遮罩來覆蓋。在沈積過程之後，將該遮罩去除。該金屬 層堆疊可以電鍍方式沈積在一接觸層上，此一接觸層在沈 積之前例如藉由濺鍍而施加在半導體本體上。 依據光電半導體晶片之至少一實施形式，該金屬層堆 _ 叠之至少一層以無電流方式沈積而成。 p 例如，文件 “Last metal copper metallization for power device” ， Advanced Semiconductor Manufacturing Conference, 2007,第259頁至362頁中描述一種金屬層堆疊 之金屬層之無電流的沈積過程。該文件所揭示的內容藉由 參考而收納於此處。此外，文件“Low-cost electroless wafer bumping for 3 0 0 mm wafers” ，Business Briefing: Global Semiconductor Manufacturing Technology, 2003,第 1 至 5 頁 n 描述一種金屬層堆疊之金屬層之無電流的沈積過程。該文 件所揭示的內容藉由參考而收納於此處。 在金屬層堆疊之金靥層之無電流的沈積過程中，較佳 是使用一種具有銅、鋁或銀之胚層，其至少一部份例如在 隨後的各層之沈積中可被取代。 例如，該金屬層堆叠之至少一層以無電流的方式沈積 而成。此層可沈積在該層堆疊之位於此層下方的層上或沈 積於一接觸層上或直接沈積於半導體本體上。此外’該金 屬層堆叠之全部的層亦可以無電流的方式沈積而成° -10· 201007997 特別是亦可將該金屬層堆疊之至少一層以電鍍方式沈 積而成且至少另一層以無電流方式沈積而成。 此處所描述的光電半導體晶片另外亦與下述認知有 關：該金屬層堆叠之各層之電鍍及/或無電流之沈積容許該 光電半導體晶片以成本特別有利的方式來製成，此乃因該 種沈積技術能以較物理氣相沈積方法來進行的塗層方式更 有利地被實現。此外，藉由層堆疊之電鍍及/或無電流之沈 積可製成一種層堆疊，其層厚度較例如一種藉由物理氣相 _ 沈積方法來製成的金屬層堆疊的厚度大很多。例如，該層 堆疊可具有至少一含鎳之層，其厚度大於0.5微米。 依據光電半導體晶片之至少一實施形式，金屬層堆叠 包括：至少一含有鈀之層、至少一含有鎳之層、至少一含 有磷化鎳之層、至少一含有銅及/或鋁及/或銀之層、以及至 少一含金之層。該含金之層是該金屬層堆疊之遠離該半導 體本體之覆蓋層。該含有銅及/或鋁及/或銀之層是可選的 (optional)。含有磷化鎳之層因此較佳是含有至少7%且最多 φ 2 0 %之磷。 金屬層堆疊之上述構造就導電性、半導體本體上的黏 合性、特別是對該半導體本體之簡易的可製造性而言特別 有利，其中該半導體本體以磷化物-化合物半導體材料爲 主。 “以磷化物-化合物半導體材料爲主”在此處之意義 是指’該半導體本體或其至少一部份，特別是至少該活性 區，具有磷化物-化合物半導體材料，較佳是Ai„GamInmP 或 AsnGa-Ιηι·…P，其中 1 且 n + mS 1。因此， -11 - 201007997 此材料未必含有上述形式之以數學所表示之準確的組成。 反之’此材料可具有一種或多種摻雜物質以及其它成份。 然而’爲了簡單之故’上述形式只含有晶格（A1或As, Ga，In, P)之主要成份，這些主要成份之一部份亦可由少量的其它 物質來取代》 因此，由半導體本體來看時，該金屬層堆疊可由一種 層序列構成，此層序列具有以下各層：一由銅及/或鋁及/ 或銀構成的層或一包含這些材料中的至少一種的層、一由 磷化鎳構成的層、一由鈀構成的層以及一由金構成的層。 具有鎳和磷化鎳之層中此二層之位置亦可互換。 依據上述光電半導體晶片之至少一實施形式，該金屬 層堆疊包括多個層，其含有鈀、鎳、銅及/或鋁及/或銀和金。 含有金之層是該金屬層堆疊之遠離該半導體本體之層。 即，含金之第二層形成該金靥層堆疊之覆蓋層，其封閉其 遠離該半導體本體之外表面上的金屬層堆疊。此金屬層堆 叠未含磷。具有銅及/或鋁及/或銀之層是可選擇的 (optional) 0 上述具有多個層之金屬層堆叠就導電性、半導體本體 上的黏合性、特別是對該半導體本體之簡易的可製造性而 言特別有利，其中該半導體本體以氮化物-化合物半導體材 料爲主。 “以氮化物-化合物半導體材料爲主”在此處之意 義是指，該半導體本體或其至少一部份，特別是至少該 活性區，具有氮化物-化合物半導體材料，較佳是 AlnGamlnmN或由其所構成，其中0^11$1,0$111‘1且 -12- 201007997 n + mSl。因此，此材料未必含有上述形式之以數學所表示 之準確的組成。反之，此材料可具有一種或多種摻雜物質 以及其它成份。然而，爲了簡單之故，上述形式只含有晶 格（Al, Ga，In，N)之主要成份，這些主要成份之一部份亦可 由少量的其它物質來取代及/或補充。 此外，本發明提供一種光電組件。依據此光電組件之 至少一實施形式，此組件包括一終端載體，其具有至少二 個電性終端位置。該終端載體例如可以是一種載體架（亦稱 爲導線架），具有二個電性互相絕緣的終端位置，其用來與 該光電組件形成電性接觸。該載體架例如可以一種電性絕 緣之塑料或陶瓷材料來噴鍍。此外，該終端載體亦可以是 一種具有基體之電路板，該基體由電性絕緣的材料構成。 導電軌及/或電性終端位置在該基體上被結構化。 依據該光電組件之至少一實施形式，該光電組件包括 至少一如上所述之光電半導體晶片。即，該些光電半導體 晶片之特徵亦揭示在該光電組件中。 依據該光電組件之至少一實施形式，該光電半導體晶 片之金屬層堆叠藉由至少一接觸線而與至少二個電性終端 位置之至少一個形成導電性的連接。即，該金屬層堆疊例 如位於該光電半導體晶片之輻射通過面上。藉由導線接 觸，則該金屬層堆叠可導電地與該至少二個電性終端位置 之一形成導電性的連接。該光電半導體晶片可以其遠離該 金屬層堆叠之此側施加在該至少二個電性終端位置之另一 個電性終端位置上且與該另一個電性終端位置形成導電性 連接。例如，在該光電半導體晶片之半導體本體之遠離該 -13- 201007997 輻射通過面之下側上亦可存在一種金屬層堆疊，如先前的 多個實施形式所述。 依據光電組件之至少一實施形式，該組件包括：一終 端載體，其具有至少二個電性終端位置；以及至少一如上 所述之光電半導體晶片。該金屬層堆疊經由至少一接觸線 而與該至少二個電性終端位置之至少一個形成導電性連 接。 此處所述之光電組件另外與下述認知有關：此處之金 美 屬層堆疊特別適合用來達成導線接觸（導線連接）。在上述 Ο 之金屬層堆叠上可特別簡易且抗機械性地施加一接觸線。 經由此一接觸線可對該光電半導體晶片之η-側施加電流。 依據此處所述之光電組件之至少一實施形式，該金屬 層堆疊包括一遠離該半導體本體之覆蓋層，其中此覆蓋層 和該接觸線含有金或由金構成。即，該金屬層堆叠之覆蓋 層和該接觸線在本實施形式中是由相同的材料（較佳是金） 構成，其中該接觸線藉由該光電半導體晶片而導電性地與 _ 該終端載體之一終端位置相連接。就導電性和該接觸線可 簡易地固定至該金屬層堆疊之覆蓋面上而言，金是特別有 利的》 上述之光電半導體晶片以及光電組件以下將依據實施 例和所屬的圖式來詳述。 【實施方式】 各圖式和實施例中相同或作用相同的各組件分別設有 相同的參考符號。所示的各元件和各元件之間的比例未必 依比例繪出。反之，爲了清楚及/或較易理解之故各圖式的 -14- 201007997 —些元件已予放大地顯示出。 第1圖所示之光電半導體晶片之第一實施例中，該光 電半導體晶片1包括半導體本體2以及金屬層堆疊3,其施 加在該半導體本體2之輻射發出面2a上。該光電半導體晶 片目前是一種發光二極體晶片，其以薄膜形式的構造來形 成。 半導體本體以磷化物-化合物半導體爲主。 該金屬層堆疊3藉由一接觸層30而施加在該半導體本 ^ 體2之輻射發出面2a上。該接觸層30例如藉由物理氣相 沈積法而沈積在該半導體本體2之輻射發出面2a上。 該層堆疊3之各層以無電流方式或以電鍍方式依序施 加而成。該層堆疊3因此包括一由鈀構成的層31、一由鎳 構成的層32、一由磷化鎳構成的層33、一由銅及/或鋁及/ 或銀構成的層34以及一由金構成的層35。 含鈀之層31所具有的厚度較佳是介於至少100奈米且 最多500奈米之間，例如，介於100奈米和200奈米之間。 φ 含鎳之層32，33所具有的厚度dl較佳是介於至少0.25微 米且最多1〇.〇微米之間，其中此二層例如可具有相同的厚 度。含金之層35之厚度d2較佳是在30奈米至50奈米之 間。 該二層32和33是上述層堆叠之含鎳的第一層。即’ 此第一層目前是由二個部份層來形成，其中面向該半導體 本體2之層33例如由磷化鎳（NiP)構成，且遠離該半導體本 體之層32由鎳構成。 該層堆疊具有一種含金之層35，其形成上述之二個 -15- .201007997 層。第二層同時形成該層堆叠3之遠離該半導體本體2之 覆蓋層。 該層堆疊3之其它特徵是可簡易地製成、良好的可連 接性和含鎳之層32, 33之硬度。上述各層由半導體本體來 觀看時較佳是以圖中所示的順序施加而成且互相直接相 鄰。即，該層堆疊之各別的層直接相鄰且處於直接的接觸 中 〇 具有含磷之層33之層堆疊3就其與半導體本體相關的 & 黏合性和電性而言特別有利，該半導體本體以磷化物-化合 物半導體材料爲主。 此外，在輻射發出面2a上可配置多個接觸結構，例如， 接觸軌或接觸架，其導電性地與金屬層堆疊3相連接。該 些接觸結構可具有與金屬層堆疊相同的構造。此外，該些 接觸結構亦可包括不同的構造和其它材料。例如，各接觸 結構可包括一種銅層’其配置在該接觸層30上且以鎳來包 封。各接觸結構使經由該層堆疊3而注入的電流分佈在整 ❹ 個輻射發出面2a上。 請參閱第2圖，其顯示此處所述之光電半導體晶片之 第二實施例。與第1圖所示之光電半導體晶片不同，第2 圖之光電半導體晶片1包括半導體本體2，其以氮化物-化 合物半導體材料爲主。與第1圖不同，第2圖之層堆疊3 未包括含磷之層。此種層堆叠3就其與氮化物-化合物半導 體材料爲主之半導體本體2之黏合性和電性而言特別有 利。 在第1圖和第2圖所述的實施例中，該接觸層3〇都是 -16- .201007997 可選擇的（optional)。即，在此處所述之光電半導體晶片之 至少一些實施例中該層堆疊可直接施加在半導體本體2之 輻射發出面2a上。該層堆叠較佳是以電鍍方式及/或無電 流方式沈積在該半導體本體2上》 在上述二個實施例中，含金之第二層35所具有的厚度 d2較含鎳之第一層32，33者小很多。含鎳之層之厚度dl 因此至少是0.5微米。含金之層35之厚度d2可以是1〇〇 奈米或更小。 _ 請參閱第3圖，其顯示此處所述之光電組件之一實施 例之切面圖。本實施例中光電半導體晶片就和第1圖和第 2圖中一樣是施加在一終端載體5上，該終端載體5具有二 個電性終端位置51，52。此處之金屬層堆疊3不只可位於 該半導體本體2之輻射發出面2a上，且亦可位於半導體本 體2之遠離該輻射發出面2a之下側上。 配置在該輻射發出面2a上的金屬層堆疊3藉由一接觸 線4而與第二電性終端位置52導電性地相連接。反之，半 ^ 導體晶片以其下側施加在該終端載體5之第一終端位置51 上。 半導體本體2包括活性區21，其適合在對該半導體本 體2施加電流下用來產生電磁輻射。 本發明當然不限於依據各實施例中所作的描述。反 之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合’特 別是包含各申請專利範圍或不同實施例之各別特徵之每-種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示# 各申請專利範圍中或各實施例中時亦屬本發明。 -17- 201007997 本專利申請案主張德國專利申請案ίο 2008 035 254.3 之優先權，其已揭示的整個內容在此一倂作爲參考。 【圖式簡單說明】 第1圖和第2圖顯示此處所述之光電半導體晶片之第 一和第二實施例的切面圖。 第3圖顯示此處所述之光電組件之一實施例之切面圖。 【主要元件符號說明】

1 光 電 半 導 體晶片 2 半 導 體 本 體 2a 輻 射 發 出 面 2 1 活 性 區 3 金 屬 層 堆 疊 30 接 觸 層 31 接 觸 層 32 含 鎳 之 層 (第一層） 33 含 磷 化 鎳 之層（第一 層） 34 含 銅 之 層 35 含 金 之 層 (第二層， 覆蓋層） 4 接 una 觸 線 5 終 端 載 體 51 終 端 位 置 52 終 端 位 置 dl 第 — 層 的 厚度 d2 第 二 層 的 厚度 -18-

Claims (1)

1. 201007997 七、申請專利範圍： 1. 一種光電半導體晶片（1)，包括： -半導體本體（2)，其以III/V·化合物半導體材料或π/νι_ 化合物-半導體材料爲主，以及 -可導電之金屬層堆疊（3)，其配置在該半導體本體（2) 上，其中 -該金屬層堆疊（3)包括至少一含鎳之第一層（3 2，33),且 -該金屬層堆疊（3)包括至少一含金之第二層（35)，其中該 第一層（32，33)配置在該半導體本體（2)和該第二層（35) _ 之間。 2. 如申請專利範圍第1項之光電半導體晶片，其中一第三 層（31)配置在該第一層（32，33)和該第二層（35)之間，該 第三層（31)含有鈀。 3. 如申請專利範圍第1或2項之光電半導體晶片，其中該 第一層（32，33)是由以下材料之至少一種所構成：鎳、磷 化鎳。 ® 4.如申請專利範圍第1至3項中任一項之光電半導體晶 片’其中該第二層（35)是該金屬層堆疊（3)之遠離該半導 體本體（2)之一覆蓋層。 5.如申請專利範圍第1至4項中任一項之光電半導體晶 片’其中該金屬層堆疊（3)可以導線來接觸及/或可焊接。 6.如申請專利範圍第1至5項中任一項之光電半導體晶 片’其中該第二層（3 5)較該第一層（3 2，33)還薄。 7.如申請專利範圍第1至6項中任一項之光電半導體晶 片’其中該半導體本體（2)和該金屬層堆叠（3〇)之間配置 -19- 201007997 一接觸層（30)，該金屬層堆叠（3)直接與該接觸層（30)相鄰。 8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之光電半導體晶 片，其中該金屬層堆疊（3)之至少一層是以電鍍方式沈積 而成。 9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之光電半導體晶 片，其中該金屬層堆疊（3)之至少一層是以無電流方式沈 積而成。 10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之光電半導體晶 片，其中該金屬層堆疊（3)包含多個分別具有鈀（31)、鎳 (32)、磷化鎳（33)、銅及/或鋁及/或銀（34)、以及金（35) 之層，其中具有金之層（3 5)是該金屬層堆疊（3)之遠離該 半導體本體（2)之覆蓋層。 11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之光電半導體晶 片，其中該半導體本體（2)以磷化物-化合物半導體材料爲 主。 12. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之光電半導體晶 片，其中該金屬層堆叠（3)包含多個分別具有鈀（31)、鎳 (32)、銅及/或鋁及/或銀（34)、以及金（35)之層，其中具 有金之層（35)是該金屬層堆疊（3)之遠離該半導體本體（2) 之覆蓋層。 13. 如申請專利範圍第1至12項中任一項之光電半導體晶 片，其中該半導體本體（2)以氮化物-化合物半導體材料爲 主。 14. 一種光電組件，包括： -終端載體（5)，其具有至少二個電性終端位置（51，52)， -20- 201007997 以及 -至少一如申請專利範圍第1至13項中任一項所述之光 電半導體晶片（1 )，其中 -該金屬層堆疊（3)藉由至少一接觸線（4)而與該至少二個 電性終端位置（51，52)之至少一個形成導電性的連接。 15.如申請專利範圍第14項之光電組件，其中該金屬層堆疊 (3)包括一遠離該半導體本體（2)之覆蓋層（35)，此覆蓋層 (35)和該接觸線（4)含有金。

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