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TW201007906A - Lead pin for mounting semiconductor and printed wiring board - Google Patents

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Publication number
TW201007906A
TW201007906A TW098133545A TW98133545A TW201007906A TW 201007906 A TW201007906 A TW 201007906A TW 098133545 A TW098133545 A TW 098133545A TW 98133545 A TW98133545 A TW 98133545A TW 201007906 A TW201007906 A TW 201007906A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor
pin
patent application
package substrate
flat portion
Prior art date
Application number
TW098133545A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanori Kawade
Hiroyuki Tsuruga
Makoto Ebina
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Tibc Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd, Tibc Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Publication of TW201007906A publication Critical patent/TW201007906A/zh

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    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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    • H05K3/3421—Leaded components
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    • H05K2201/1084—Notched leads
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Description

201007906 四、 指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第（3)圖。 (二） +.代表圖之元件符號簡單說明： ίο〜半導體承載用引腳 20〜鍔 24〜凹槽部 4〇〜封裝基板 44〜銲墊 48b〜鐶材 B〜空孔。 五、 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 無。 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種使用於半導體封裝體與基板側插 座之連接的半導體承載用引腳。 【先前技術】 PGA(PinGrid Array)型半導體封裝基板中，引腳為 了對應近來高配線密度化之要求，—般皆自插人封裝基板 側穿孔之插人型㈣’轉換成⑽銲連㈣封裝基板銲墊 上之T型弓丨腳。 201007906 τ型引腳，係以鍬銲固定在封裝基板電極銲墊上，同 樣地，ic晶片也以鱲銲固定在封裝基板電極銲墊上。在此， 使τ型引腳連接用鱲材與1(：晶片連接用鱲材，改變鉛含量 或金屬組成而改變熔點，當使1C晶片藉由再流動而連接 時’固定半導體承載用引腳之鱲材就不會熔化。 提高Τ型引腳拉伸強度之技術係開示於專利文獻1中。 【專利文獻1】日本特開2001-267451號公報 ®【發明内容】 【發明所欲解決的課題】 近來’考慮對環境之影響，逐漸使用不含錯之鱲材（例 如，錫-銀-銅鐡材，錫-銻鱲材），鎩材熔點變得比較高。 因此，以再流動來熔化鱲材凸塊而使IC晶片承載在封裝基 板時，半導體承載用引腳連接用鱲材會熔化而半導體承載 用引腳會傾斜，而有無法安裝到子板侧插座之問題。現在， •在CPU用封裝基板中，安裝有數百支半導體承載用引腳， 但是，當其中1支傾斜時，CPU就無法安裝到插座而成為 不良品。 關於半導體承載用引腳之傾斜，參照第10(A)圖、 第10(B)圖、第3(c)圖及第3(D)圖來做說明。 。在封裝基板40上表
第10(A)圖係表示封裝基板4〇 面之電極輝墊42形成有鎳材凸塊4 201007906 46以再流動而溶化且連接到1C晶片5G電極銲塾而承栽 晶片5〇時，半導體承載用引腳10有時會傾斜。 第3(C)圖係表示第1〇(A)圖中橢圓c内之半導體 承載用引腳⑴第3(D)圖係表示第1〇⑻圖中擴圓C 内之半導體承載用引腳10。如第10(B)圖所示，當半導 體承載用引腳U)傾斜時，如第3(c)圖所示，可知在電 極銲塾44與半導體承載用引腳1〇鳄2〇間之鐵材切内會 殘留有空孔B。而且，如上所述，當為了承載1(：晶片 而實施再流動時’如第3(D)圖所示，連接用躐材^也 會熔化’同時’鱲材内之空孔6會膨脹，鍔2。會被空孔B 推高，而半導體承載用引腳10會傾斜。 b本發明係為了解決上述課題而研發之技術，其目的在 於提供一種於再流動時不會傾斜之半導體承載用引腳。 【用於解決課題的手段】 為達成上述目的’專利申請範圍第1項之發明，係一 種半導體承載用引腳，由轴體及鍔所構成， 其特徵在於： 鳄係由可抵接到被連接銲墊之面狀平坦部及自平坦部 凹陷之3個以上凹槽部所構成； 平坦部’係自中央位置往側端延伸，同時，相對於通 過軸體中心之既定垂線成對稱，凹槽部係自側端朝向中央 侧形成。 【發明效果】 在專利申請範圍第1項之半導體承載用引腳中，鍔係 .201007906 由可抵接職連接銲塾之面狀平坦部及自平坦部凹陷之^ 個以上凹槽部所構成’平坦部，係自中央位置往侧端延伸， 同時，相對於通過軸體令心之既定垂線成對稱，凹槽部係 自側端朝向中央侧形成。亦，在訂，凹槽部係自侧端 朝向_央側形成’所以’被連接銲塾與转間之鐵材内會殘 留空孔，在再流動時即使空孔膨脹’其會沿著凹槽部往側 方脫出’所以，半導體承載用引腳不會因為鳄被空孔頂高 傾斜且，平坦部係自中央位置往側端延伸，同時， 相對於通過轴體中心之既定垂線成對稱，所以，能保持相 對於封裝基板之垂直性。 在專利申請範圍第2項之半導體承載用引腳中，凹槽 部係形成略微半圓狀。凹槽部係朝向鍔側端傾斜，所以， 在再流動時膨脹之空孔很容易沿著凹槽部往侧方脫出。
在專利申請範圍第3項之半導體承載用引聊中，平挺 部係包括：圓形部，與鋒成同心；以及延伸部，剖面呈^ 圓形狀，自圓形部往侧端侧延伸’上端係與圓形部等，。 因此，在模具上能很容易形成平坦部。 在專利申請範圍第4項之半導體承載用引聊中， 部剖面係”字形。凹槽部係朝向转側端傾斜，所以，： 再流動時膨脹^隸容m凹槽部軸方心。在 在專利申請範圍第5項之半導體承載用引 坦部面積佔鍔軸向剖面籍夕使平 社，、 J面積之5%以上，藉此，能強固蚰、* 接到被連接銲巷。其地連 ,n〇 另外，使平坦部面積佔鍔軸向剖面籍 50/以下，藉此，在 之 机動時膨脹之空孔很容易沿著四槽 201007906 部往側方脫出。 在專利申請範圍第6項之半導體承載用引腳中，使平 坦部面積佔鍔轴向剖面積之10%以上，藉此，能強固地連 接到被連接銲墊。另外，使平坦部面積佔鍔轴向剖面積之 30/6以下，藉此，在再流動時膨脹之空孔很容易沿著凹槽 部往侧方脫出。 在專利申請範圍第7項之配線板中，半導體承載用引 腳不會傾斜。 【實施方式】 【第1實施形態】 以下，參照第1〜4圖來說明本發明第丨實施形態之半 導體承載用引腳。 第1(A)圖係本發明第1實施形態之半導體承載用引 腳俯視圖；第1 (B)圖係其側視圖；第uc)圖係其立體 圖。 半導體承載用引腳10,係由圓筒狀轴體12及鍔2〇所 構成。鍔20係由可抵接到被連接銲墊之面狀平坦部22及 自平坦部22凹陷成略微半圓形之4個凹槽部24所構成。 平坦部22，係自鍔20中央位置往側端2〇E延伸，同時， 相對於通過軸體12中心CN及凹槽部24最深部位之垂線 VL成對稱。凹槽部24係自側端20E朝向中央侧形成。 在此，半導體承載用引腳，係以銅合金等製成，全長 L1係3.16 mm。抽體12直位Φ2係0.45 mm。鍔20係直徑φ 201007906 1為1. 1 mm，厚度T1為〇. 26mm。在凹槽部24最深之側端 20E處，深度H1係〇. 13mm。如第1(A)圖所示，相向凹 槽部24之間隔W1係設定為Q.45mm。 接著，參照第2、3圖來說明第丨實施形態半導體承載 用引腳對封裝基板之安裝。 第2圖係表示半導體承載用引腳安裝到封裝基板及π 晶片承載到封裝基板上之工序示意圖。如第2(Α)圖所示， 在封裝基板40上表面之電極銲墊42形成有鱲材凸塊46, 下表面侧電極銲墊44配置有連接用銲膏48a。在此，如第 2 ( B )圖所示，以再流動來熔化銲膏48&，藉此半導體 承載用引腳會安裝在封裝基板下表面。而且，如第2(c) 圖所不，使封裝基板40上表面躐材凸塊46以再流動來熔 化而連接到1C晶片50之電極銲墊52。 第3(A)圖係表示第2(B)圖中橢圓c内之半導體承 載用引腳1(M第3⑷圖係表示第2(c)圖中橢圓。内 φ之半導體承載用引腳10。如第3⑴圖所示在電極鲜塾 =與半導體承載用引腳_ 2()間之鐶材働内會殘留有 二孔B如上所述’當為了承載1(：晶片而實施再流動時， 連接用鱲材48b也會熔化，同時，鱲材内之空孔”膨脹， 但是如第3(B)圖所示，空孔B會沿著凹槽部^往侧方 脫出’所以’鳄2G不會被空孔B推高’而半導體承載用引 腳1 0不會傾斜。 部 24 又，在第1實施形態之半導體承載用引腳1〇中，凹槽 係形成略微半圓形，朝向鍔2()側端綱傾斜’所以， 201007906 在再流動時膨脹之空孔很谷易沿著凹槽部24往側方脫 出。而且，空孔即使不自鐵材48b脫出，也會沿著凹槽部 24擴大，藉此’半導體承載用引腳1〇就不會傾斜。 而且，平坦部22，係自鍔20中央位置往側端2〇e延 伸，同時’相對於通過轴體12中心之垂線vl成對稱，所 以，當承載ic晶片而再流動時，連接用鐵材48熔化時， 半導體承載用引腳10也能保持相對於封裝基板4〇之垂直 性0 藉由使用第1實施形態半導體承載用引腳，即使加大 構成1C晶片連接用鐶材凸塊46之鐵材與半導體承載用引 腳連接用鱲材48b之熔點差異，也能防止IC晶片再流動時 之半導體承載用引腳傾斜。 第4 ( A1)圖係第1實施形態第i改變例之半導體承 載用引腳俯視圖；第4 ( A2 )圖係其側視圖；第4 ( A3)圖 係其立體圖。第4 ( B1 )圖係第丨實施形態第2改變例之 半導體承載用引腳俯視圖；第4(B2)圖係其側視圖；第4 (B3)圖係其立體圖。 參照第1圖，在上述第丨實施形態之半導體承載用引 腳10中，係使凹槽部24設在鍔2〇上4處。相對於此，如 第4(A1)圖、第4(A2)圖及第4(A3)圖所示，也可以 設置3處’或者，如第4(Βΐ)圖、第4(B2)圖及第4(δ3) 圖所示，也可以設置5處以上。 【第2實施形態】 以下，參照第5〜7圖來說明本發明第2實施形態之半 201007906 導體承載用引腳。 第5 ( A )圖係第2實施形態之半導體承載用引腳俯視 圖；第5(B)圖係其侧視圖；第5(C)圖係其立體圖。 半導體承載用引腳10,係由圓筒狀軸體12及鍔2〇所 構成°鍔20係由可抵接到被連接銲墊之面狀平坦部22及 自平坦部22凹陷成略微半圓形之4個凹槽部24所構成。 平坦部22係包括：圓形部22C，與鍔20成同心狀；以及 延伸部22H ’剖面呈半圓形狀，自圓形部22C往側端2〇E 側延伸’上端（表面位置）係與圓形部22C等高。平坦部 22係相對於通過軸體12中心CN及延伸部22H最高部位之 垂線VL成對稱。凹槽部24係自侧端20E朝向中央侧形成。 在此’半導體承載用引腳，係以銅合金等製成，全長 L1係3.16mm。轴體12直徑Φ2係0.45mm。鳄20係直徑φ 1為1.1mm，厚度T1為0.26mm。凹槽部24深度H1係 〇· 05mm。如第5 ( A)圖所示，圓形部22C上端直徑係 _ 0.45mm，下端直徑W2係0. 55mm。延伸部22H寬度W4係設 定為0. 2mm。 第2實施形態之半導體承載用引腳1〇,係與第丨實施 形態相同地，當為了承載1C晶片而實施再流動時，在鐵材 内擴張之空孔B沿著凹槽部24往侧方脫出，所以，鳄2〇 不會被空孔B推高’而半導體承載用引腳1〇不會傾斜。 又，在第2實施形態之半導體承載用引腳1〇中，平坦 部22係包括：圓形部22C ’與鍔20成同心狀；以及延伸 部22H，剖面呈半圓形狀，自圓形部22C往側端側延伸， 201007906 上端係與圓形部22c等高。因此，在模具上能後容易形成 平坦部。 而且，平坦部22之延伸部22H，係自鍔2〇中央位置 往側端20E延伸，同時，相對於通過軸體丨2中心之垂線 VL成對稱’所以’當承載Ic晶片而再流動時連接用鱲 材48a溶化時，半導體承载用引腳1〇也能保持相對於封裝 基板40之垂直性。 第6 ( A1 )圖係第2實施形態第丄改變例之半導體承 載用引腳俯視圖；第6 ( A2 )圖係其侧視圖；第6 ( A3 )圖❹ 係其立體圖。第6 (B1)圖係第2實施形態第2改變例之 半導體承載用引腳俯視圖；第6 ( B2 )圖係其侧視圖；第6 (B3)圖係其立體圖。 參照第5圖，在上述第2實施形態之半導體承載用引 腳10中，係使凹槽部24設在鍔20上4處。相對於此，如 第6(A1)圖、第6(A2)圖及第6(A3)圖所示，也可以 設置3處，或者，如第6(B1)圖、第“Μ)圖及第6(们） 圖所示，也可以設置5處以上。 Θ 第7 ( A )圖係第2實施形態第3改變例之半導體承載 用引腳立體圖；第7 ( B)圖係第4改變例之半導體承載用 引腳立體圖；第7(C)圖係第5改變例之半導體承載用引 腳立體圖。 在第5圖所示第2實施形態及第6圖所示第2實施形 態之第1、2改變例中，係使延伸部22H形成剖面為半圓形。 相對於此，如第7(A)圖、第7(B)圖及第7(c)圖所 10 201007906 不’在延伸部22H最上部設置線狀平坦部22F也很適合。 【第3實施形態】 以下’參照第8圖及第9圖來說明本發明第3實施形 態之半導體承載用引腳。 第8 (A)圖係第3實施形態之半導體承載用引腳俯視 圖；第8 ( B)圖係其側視圖；第8 ( C)圖係其立體圖。 半導體承載用引腳1〇,係由圓筒狀軸體12及鍔2〇所 構成。鍔20係由可抵接到被連接銲墊之面狀平坦部“及 自平坦部22凹陷成V字形之4個凹槽部24所構成。平坦 部22係由自鍔中心CN往侧端而成十字形延伸之線狀延 伸部22L所構成。平坦部22，係相對於通過轴體12中心 CN及凹槽部24最深部位之垂線VL成對稱。凹槽部以係 自侧端20E朝向中央侧形成》 在此，半導體承載用引腳，係以鋼合金等製成，全長 L1係3. 16mm。軸體12直徑φ 2係 〇. 46mm。鍔20係直徑φ
22L寬度W5係設定為〇. 〇5ηπη。
11 201007906 在再流動時膨脹之空孔很容易沿著凹槽部24往侧方脫 出而且，空孔即使不自鐵材48脫出，也會沿著凹槽部 24擴大’藉此，半導體承載用引腳10就不會傾斜。 而且’平坦部22，係自鍔20中央位置延伸至侧端2〇E， 同時’相對於通過轴體12中心之垂線VL成對稱，所以， 當承載IC晶片而再流動時’連接用鍬材48熔化時，半導 體承載用引腳1 〇也能保持相對於封裝基板4〇之垂直性。 第9 ( A1 )圖係第3實施形態第1改變例之半導體承 載用引腳俯視圖；第9 ( A2 )圖係其侧視圖；第9 ( A3 )圖❹ 係其立體圖。第9 ( B1)圖係第3實施形態第2改變例之 半導體承載用引腳俯視圖；第9 ( B2)圖係其侧視圖；第9 (B3)圖係其立體圖。 參照第8圖，在上述第3實施形態之半導體承載用引 腳1〇中，係使凹槽部24設在鍔2〇上4處。相對於此如 第9U1)圖、第9(A2)圖及第9(A3)圖所示，也可以 設置3處，或者，如第9(B1)圖、第9(B2)圖及第9(B3) 圖所示，也可以設置5處以上。 Θ 【評價實驗】 在此，針對實施改變第丨實施形態半導體承載用引腳 凹槽部24深度H1所得之實驗結果來做說明。在此，製造 6個（pcs)包括360支半導體承載用引腳之封裝基板，調 查半導體承載用引腳是否有傾斜。作為比較例，使包括第 10圖所不平坦鳄2〇之半導體承載用引腳安裝到封裝基 板在此’連接1C晶片之鱲材凸塊使用熔點230。(：之 12 201007906
Pb-Sn-Sb鐶材’固定半導體承載用引腳之鱲材則使用236 °C 之 Pb82-Snl0-Sb8 鐵材。 在此’當使深度H1設定為〇. 〇4mm時，與使用先前技 術之半導體承載用引腳之比較例相同地，在6個封裝基板 中，在2個封裝基板上觀察到半導體承載用引腳有傾斜。 s使深度H1设定為〇. 〇 5mm時，不會發生半導體承載用引 腳傾斜之情況。結果可知，最好使深度H1設定為〇. 以上。 相反地，當使深度H1設定為2. 1mm時，在1個封裝基 板上觀察到半導體承載用引腳有傾斜。當使深度設定為 2mm時，不會發生半導體承載用引腳傾斜之情況。結果可 知’最好使深度Η1設定為2 mm以下。 而且，針對平坦部面積與鍔之軸體垂直方向剖面積的 比率實施實驗。 其結果表示於第11圖中。
在此，平坦部面積為5〇%，亦即，凹槽為㈣時，在 2 4 0 C經過4 0秒時，在1個射胜| 在1個封裝基板上觀察到半導體承載 用引腳有傾斜。亦即，可知σ i β Ρ 了知/、要疋5〇%以下就有效果。在 此’從實裝製程之安全係數觀點氺 η/ 你数觀點來看，可知最好設定為30 %以下。 反之’當使平坦部面積為_ . # A / rr, 4時，無法獲得既定拉伸 強度（4.5Kgf)，當使平坦部 定^由&疮如、 檟為5%時，就能獲得既 疋拉伸強度。在此，即使讓平坦 , 面積為1 0 %以上，可知 拉伸強度也不會增加。由結果可 ’藉由使平坦部面積為 13 201007906 5%以上，能強固地連接到被連接銲墊。 而且，在此所謂拉伸強度之測定方法，係與日本特開 2001-267451號之接合強度測定方法相同。 而且，此評價實驗雖然係針對第丨實施形態半導體承 載用引腳來實施，但是’發明者認為：上述結果在第2實 施形態半導體承載用引腳及帛3實施形態半導體承載用引 腳也可獲得同樣的效果。 【產業上可利用性】 在上述第1〜3實施形態_ ’雖然針對特定形狀之平坦 部及凹槽部做過說明，但是，σ 疋，、要疋藉由设置凹槽而使空 孔能往側方脫出，當缺承n nrr Λτ *然干坦部及凹槽部可以使用各種形狀。 【圖式簡單說明】 施形態之半導體承載用引 圖；第1 ( c)圖係其立體 第1(A)圖係本發明第1實 腳俯視圖；第1 ( Β )圖係其側視 圖。 第2(A)〜（C)圖係表示半導體承載 I -Γ胧个軌用腳 板及1C晶片承载到封裝基板上之工序示意圖 第3(A)圖係表示第2(B)圊中橢圓⑴内之 體承載用引腳（10);第m在矣··餘 弟圖係表不第2(c)圖 圓（〇内之半導體承載用引腳（1〇); 示第10(A)圖中椭)圖係 第3(D)… 之半導體承載㈣腳⑴) 第3(D)圖係表示第1G⑻圖中橢圓（c)内之半導體 201007906 • 載用引腳（10)。 第4 ( A1 )圖係第1實施形態第1改變例之半導體承 載用引腳俯視圖；第4 ( A2 )圖係其侧視圖；第4 ( A3 )圖 係其立體圖。第4 ( B1 )圖係第1實施形態第2改變例之 半導體承載用引腳俯視圖；第4 ( B2 )圖係其側視圖；第4 (B3)圖係其立體圖。 第5 ( A )圖係第2實施形態之半導體承載用引腳俯視 圖；第5(B)圖係其側視圖；第5(c)圖係其立體圖。 φ 第6 ( A1 )圖係第2實施形態第1改變例之半導體承 載用引腳俯視圖；第6 ( A2 )圖係其側視圖；第6 ( A3)圖 係其立體圖。第6 ( B1 )圖係第2實施形態第2改變例之 半導體承載用弓1腳俯視圖；第6 ( B2 )圖係其側視圖；第6 (B3 )圖係其立體圖。 第7(A)圖係第2實施形態第3改變例之半導體承載 用引腳立體圖；第7(B)圖係第4改變例之半導體承載用 •引腳立體圖；第7(C)圖係第5改變例之半導體承載用引 腳立體圖。 第8 (A)圖係第3實施形態之半導體承載用引腳俯視 圖；第8 ( B)圖係其側視圖；第8 ( c)圖係其立體圖。 第9(A1)圖係第3實施形態第1改變例之半導體承 載用引腳俯視圖；第9(A2)圖係其側視圖；第9(A3)圖 係其立體圖。第9 (B1)圖係第3實施形態第2改變例之 半導體承載用$丨腳俯視圖；第“Μ)圖係其側視圖；第9 (B3)圖係其立體圖。 15 201007906 第10( A)〜（B)圖係表示使1C晶片承載在使用先前技術 半導體承載用引腳之封裝基板上之工序示意圖。 第11圖係表示針對平坦部面積與鍔之轴體垂直方向 剖面積的比率實施實驗之結果圖表。 【主要元件符號說明】 10 半導體承載用引腳 12 轴體 20 鍔 _ 20C 中央部 20E 側端 22 平坦部 22C 圓形部 22L 延伸部 24 凹槽部 22F 平坦面 _ 40 封裝基板 42 銲墊 44 鱲銲凸塊 46 銲墊 48a 鱲銲膏 48b 鱲材 50 1C晶片 52 銲墊 16

Claims (1)

  1. 201007906 七、申請專利範圍： 1.-種半導體承載用引腳，由軸體及㈣構成， 其特徵在於： 上述鍔係由可抵接到被連接銲墊之平坦部、及自該平 坦部凹陷之3個以上的凹槽部所構成； 上述平坦部係自鍔的中心往側端延伸； 上述凹槽部係自側端朝向中央侧被形成，且以在侧端 籲成為最深的方式、朝向鍔的侧端傾斜。 2. 如申請專利範圍第μ所述之半導體承載用引腳， 其中，上述凹槽部係具有最深部位。 3. 如申明專利範圍第2項所述之半導體承載用引腳， 其中’上述凹槽部的剖面係大體上為半圓形狀。 4. 如申請專利職第2項所述之半導體承載用引腳， 其中’上述凹槽部的剖面係大體上為ν字形。 5. 如申請專利範圍第4項所述之半導邀承載用引聊， >其中’上述平坦部係由自釋的中心朝側端成十字形延伸的 線狀的延伸部所構成。 6. 如申凊專利範圍第£項所述之半導體承載用引腳， 、 述平L邛係相對於通過軸體的中心及凹槽部的最 深部位之垂線成對稱而被形成。 7·如申明專利範圍第1項所述之半導體承載用引腳， 其中’上述平坦部係為自㈣t ^ _端延伸的線狀的 伸部。 哎 8.如申請專利範圍第7項所述之半導體承載用引卿， 17 201007906 其中’上述平坦部係由十字形的延伸部所構成。 9·如申請專利範圍第丨項所述之半導體承載用引腳， 其中，上述平坦部面積係佔鍔上表面積之5〜5〇%。 10. 如申請專利範圍第1項所述之半導體承載用引 腳，其中，上述平坦部面積係佔鍔上表面積之5〜3〇%。 11. 一種封裝基板，具備如申請專利範圍第i項所述之 半導體承載用引腳。 12. —種封裝基板，具備如申請專利範圍第2項所述之 半導體承載用引腳。 13·—種封裝基板，具備如申請專利範圍第3項所述之 半導體承載用引腳。 14. 一種封裝基板，具備如申請專利範圍第4項所述之 半導體承載用引腳。 15. —種封裝基板，具備如申請專利範圍第5項所述之 半導體承載用引腳。 之 之 16. —種封裝基板，具備如申請專利範圍第6項所述 半導體承載用引腳。 17. —種封裝基板，具備如申請專利範圍第？項所述 半導體承載用引腳。 ~ 8項所述之 10項所述 18. —種封裝基板’具備如申請專利範圍第 半導體承載用引腳。 19. 一種封裝基板’具備如申請專利範圍第 之半導體承載用引腳。 18
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