TW201007898A - Wafer level LED package structure for increasing conductive area and heat-dissipating area - Google Patents

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201007898 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域^ ★ 於一種發光二極體封裝結構及其製作方 體封裝結構及其製作方法。 【先前技術】 之4=:示，其係為習知發光二極體封裝結構 J述圖中可知，習知發光二極體封裝結 二本體1，兩個分別設置於該發光本體1 1’層Ρ及負極導電層N、m該發光本體 封裝膠體t反射層2、及一祕包覆該魏本體1之透明 再者該發光二極體封裝結構係設置於一電路板p 士道透過兩條導電|以分別將該正極導電層p及該負 f導，層Ν電性連接於該電路板。此外，該發光本體工產 的部分光束係直接產生向上投射的效果，並且該發光 以另一部分光束[係透過該反射層2的反射 產生向上投射的效果。 ，而’上述習知發光二極體封裝結構係具有下列之缺 點存在： —A ^、上述該正極導電層卩及該負極導電層N只裸露出 分的广積’因此該正極導電層？及該負極導電_無 供車乂大的導電面積（無法提供較大的電源功率）及散 7 201007898 熱面提供較佳的散熱效率)。 所以該發光本膠體3將該發光本體i包覆住， 阻礙而無法進行散熱，因該透明封裝膠體3的 熱效果非常不好。 發光一極體封裝結構的散 ❿ 徵 電丄3::?極=封裝膠體3、及上述兩條導 徵，_知發 也產生較高的製作成本。Ι、、、σ構在製作時不僅較費時， =運用，而提出—種設計合理且有效改ΐ上述缺1己3 ❿ 【發明内容】 導電解決的技術問題，在於提供-種用於增加 、 放…面積之晶圓級發光二極體封裝結構及其製作方 法。本發明透過大面積之一第二正極導電結構及二 結構的㈣，續練大的導電_ (能提供較大 的電源功率）及散熱面積C能提供較佳的散熱效率）„ 為了解決上述技術問題，根據本發明之其中一種方 案，提供一種用於增加導電及散熱面積之晶圓級發光二極 8 201007898

體封裝結構，其包括：一發光單元、一第一導電單元、一 第二導電單元及一絕緣單元。其中，該發光單元係具有一 發光本體、一成形於該發光本體上之正極導電層、一成形 於該發光本體上之負極導電層、一成形於該正極導電層及 該負極導電層之間之第一絕緣層、及一成形於該發光本體 内之發光區域。該第一導電單元係具有一成形於該正極導 電層上之第一正極導電層及一成形於該負極導電層上之第 一負極導電層。該第二導電單元係具有一成形於該第一正 極導電層上之第二正極導電結構及一成形於該第一負極導 電層上之第二負極導電結構。該絕緣單元係具有一成形在 該第一絕緣層上並且位於該第二正極導電結構及該第二負 極導電結構之間之第二絕緣層。 再者 一 本發明用於增加導電及散熱面積之晶圓級發光 體封裝結構更進—步包括：—成形於該發光單元底部 螢光層或一成形於該發光單元底部及周圍之螢光層。 =了解決上述技術問題，根據本發明之其中一種方 體封裝:構導】及散熱面積之晶圓級發光二極 具有複數個發^元法，其包括下列步m，提供一 -發光本體、之晶圓’其中每-個發光單元係具有 形於該㈣本體上該發光本體上之正極導電層、一成 及該負極導電層之門負極導電層、一成形於該正極導電層 體内之發光區域；=第—絕緣層、及—成形於該發光本 該等發光單元上]，著，分別成形複數個第一導電單元於 、中每一個第一導電單元係具有一成形 201007898 於該相對應正極導電層上之第一正極導電層及一成形於該 相對應負極導電層上之第一負極導電層；然後，分別成形 複數個第二絕緣層於該等第一絕緣層上；接下來，分別成 形複數個第二導電單元於該等第一導電單元上，其中每一 個第二導電單元係具有一成形於該相對應第一正極導電層 上之第二正極導電結構及一成形於該相對應第一負極導電 層上之第二負極導電結構，並且每一個第二絕緣層係成形 ❿ 於該第二正極導電結構及該第二負極導電結構之間。 再者’上述分別成形該等第二導電單元於該等第一導 電單元上之步驟後，本發明更進一步包括下列兩種不同的 實施例： 第一種實施例：首先’將該晶圓翻轉，並置於一耐熱 之兩分子基板上；接著，成形一螢光層於每一個發光單元 的底端，最後，進行切割過程，以將該晶圓切割成複數個 發光二極體封裝結構。 • 第二種實施例：首先，將該晶圓翻轉，並置於一耐熱 之高分子基板上；接著，進行第一次切割過程，以將該^ 圓切割成複數個形成於該等發光單元之間之凹槽；然後， 填充螢光材料於該等凹槽内；接下來，固化該螢光材料， 以形成一螢光層於每一個發光單元的底端及周圍；最後， 進行第二次切割過程，以將該晶圓切割成複數個發光二極 體封裝結構。 因此，本發_於增加導電及散熱面積之晶圓級發光 一極體封裝結構及其製作方法的特點在於： 201007898 1因為第一導電|元係具有一成形於該相對應第一 正極導電層上之第二正極導電結構及一成形於該相對應第 負極導電層上之第二負極導電結構，並且每一個第二絕 緣層係成形於該第二正極導電結構及該第二負極導電結構 之間，所以該第二正極導電結構及該第二負極導電結構能 提供較大的面積以提供導電及散熱。藉此，本發明所製作 之晶圓級發光二極體封裝結構能提供較大的導電面積（能 ❷提供較大的電源功率）及散熱面積（能提供較佳的散熱效 率）。 2。 :以上述第一實施例而言，該螢光層係可成形於該 發光單7G之氧化鋁基板的底部，以配合該發光區域所產生 之，束來提供白色光源。以上述第二實施例而言，該發光 層係成形於該發光單元的底部及周圍，以配合該發光區域 所產生之光束來提供白色光源。 3、 本發明不需使用像上述習知一樣的導線、反射層 ❿及封裝膠體，因此本發明用於增加導電及散熱面積之晶圓 f發光二極體封裝結構在製作時可大大降低製作時間及成 為了能更進一步瞭解本發明為達成預定目的所採取之技 術、手段及功效，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附 圖’相信本發明之目的、特徵與特點，當可由此得一^入 且具體之瞭解，然而所附圖式僅提供參考與說明用 用來對本發明加以限制者。 11 201007898 【實施方式】 請參閱第二圖、及第二A圖至第二K圖所示，其中第 二圖係為本發明用於增加導電及散熱面積之晶圓級發光二 極體封裝結構的製作方法之第一實施例之流程圖；第二A 圖至第二K圖係分別為本發明用於增加導電及散熱面積之 晶圓級發光二極體封裝結構的製作方法之第一實施例之製 作流程示意圖。由上述該等圖中可知，本發明第一實施例 Φ 係提供一種用於增加導電及散熱面積之晶圓級發光二極體 封裝結構的製作方法，其包括下列步驟： 步驟S100係為：請配合第二圖及第二A圖所示，提供 一具有複數個發光單元1 a之晶圓w (圖式中只顯示出該 曰曰圓W上的其中一個發光單元1 a )，其中每一個發光單元 1 a係具有一發光本體丄〇 a、一成形於該發光本體工〇 a上之正極導電層Pa (例如p型半導體材料層）、一成形 於該發光本體1〇 a上之負極導電層!^3 (例如N型半導 體材料層）、一成形於該正極導電層P a及該負極導電層N a之間之第一絕緣層1 2 a、及一成形於該發光本體工◦ a内之發光區域A a，其中該第一絕緣層i i a係可為一 高分子材料層（polymer layer)或一陶瓷材料層（ceramic layer)° 此外該發光本體1 〇 a係具有一氧化|g基板1 〇 〇 a…成形於該氧化縣板！ 〇 〇 a上之氮化鎵負電極層 1 〇 1 a、及一成形於該氮化鎵負電極層丄〇丄a上之氮 化鎵正電極層i 〇 2 a ’此外該正極導電層p a係成形於 12 201007898

該氮化鎵正電極層1 Q 2 a上，該負極導電層n a係成形 於該氮化鎵負電極層丄Q丄a上，另外該第一絕緣層工工 a係成形於該氣化鎵負電極層1〇13上並且位於該正極 導電層P a、該負極導電層…及該I化鎵正電極層工〇 2 a之間。另外’該正極導電層？ a的上表面係具有一正 極導電區域PI a，該負極導電層Na的上表面係具有一 負極導電區_la，並且該第—絕緣層1 1 a係覆蓋於 該正極導電層P a的一部分正極導電區域P 1 a上及覆蓋 於該負極導電層Na的-部分負極導電區域Nia上。 步驟S102係為：請配合第二圖及第二B圖所示，成形 -第-導電層Ma於每—個發光單元i 3之該正極導電層 Pa、该負極導電層N a及該第-絕緣層1 3上，其中 該第-導電層M a係為-層透過無電㈣方式（例如 理蒸鍵、化錢料法）以成形於每—個發 兀1 a之該正極導電層？ a、該負極導電層^及該 絕緣層1 1 a上之導電金屬層。 L圖所示’成形 步驟S104係為：請配合第二圖及第 一光阻R a於該第一導電層熥3上。 步驟襲係為：請配合第二圖及第二D圖所示 -部分的光阻R a以形成複數個盲孔R i a，其 = 盲孔R1 a係用以曝露出位於每—個發光單元“ 絕緣層1 1 a上之部分第一導電層Ma，其中上 ： 之光阻R a係透過曝光與顯影相互配搭的方式來移除， 形成一被移除後之光阻Ra <。 ” 13 201007898 步驟S108係為··請配合第二圖及第二E圖所示，移除 位於該等盲孔R1 a内之部分第一導電層M a，其中上述 部分第一導電層Ma係透過蝕刻的方式來移除，以形成一 被移除後之第一導電層Ma/。 步驟S110係為：請配合第二圖及第二f圖所示，移除 第二E圖中其餘的光阻r a 以形成位於每一個發光單 元1 a上之一第一正極導電層2P a及一第一負極導電層 ❿ 2Na。此外，該第一正極導電層2P a及該第一負極導 電層2 N a係可由任何導電金屬所製成，例如：鈦鎢（Tiw) 合金或鎳釩（NiV)合金等。 換言之’由上述步驟S1〇2至步驟Sli〇可知，於步驟 S100之後，則分別成形複數個第一導電單元2 a (第一導 電層Ma ’）於該等發光單元1 3上，其中每一個第一導 電單元2 a (第一導電層Ma 係具有一成形於該相對 應正極導電層P a上之第一正極導電層2 p a及一成形於 φ 該相對應負極導電層N a上之第一負極導電層2 N a。此 外，該第一正極導電層2 P a與該第一負極導電層a 係彼此絕緣，並且該第一正極導電層2 p a係成形於其 的正極導電區域P 1 a上及一部分第一絕緣層i丄a上，、 該第一負極導電層2 N a係成形於其餘的負極導電區域n 1 a及一部分第一絕緣層1 1 a上。 步驟S112係為：請配合第二圖及第二〇圖所示，成形 一絕緣材料層S a於每一個發光單元丄一部分第一絕 緣層1 1 a上及位於每-個發光單元工3上端之第一正極 201007898 導電層2P a及第一負極導電層2Na上。 步驟S114係為：請配合第二圖及第二η圖所示，移除 上述位於該等第一正極導電層2 p a及該等第一負極導電 層2 N a上端之部分絕緣材料層s a，以分別成形複數個 第二絕緣層3 a於該等第一絕緣層iia上，其中該第二 絕緣層3 a係可為一高分子材料層（J)〇lymerlayer)或一陶 瓷材料層（ceramic layer)。

步驟S116係為·請配合第二圖及第二I圖所示，分別 成形複數個第二導電單元4 a於該等第一導電單元2 a 上，其中母一個第二導電單元4 a係具有一成形於該相對 應第一正極導電層2 p a上之第二正極導電結構4 p a及 一成形於該相對應第一負極導電層2Na上第 電結構4Na，並且每一個第二絕緣層3“』形= 二正極導電結構4 pa及該第二負極導電結構4Na之 間，此外每一個第二絕緣層3 a係與該第二正極導電結構 4 P a及該第二負極導電結構4 N a分別分離一預^距 離。另外，以第一實施例而言，該第二正極導電結構4卩 a係由至少三層導電金屬層透過電鍍的方式相互堆疊所組 成，並且該第二負極導電結構4N a係由至少三層導電金 屬層透過電鍍的方式相互堆疊所組成，其中上述至少三層 導電金屬層係為一銅層Cu、一鎳層州及一金層或錫層Au /Sn ’ _層NH系成形於該銅層Cu ±，並且該金層或踢 層Au/Sn係成形於該鎳層Ni上。 另外，依據不同的設計設求，該第二正極導電結構4 15 201007898

P a亦可由至少兩層導電金制透過電賴方式相互堆疊 所組成，並且該第二負極導電結構4 N a亦可由至少兩層 導電金屬層透過電鍵的方式相互堆φ所組成，其中上述^ 少兩層導電金屬層係為_制Ni及—金層賴層心/ Sn ’並且該金層或踢層Au/Sn係成形於該錄層抓上。換 言之，只要是由兩層以上的導電金屬層相互堆疊之第二正 極導電結構4 P a及由兩層以上的導電金屬層相互堆最之 第二負極導電結構4Na，皆為本發明所保護之 - 步驟S118係為：請配合第二圖及第二：圖所示，將該 晶圓W翻轉，並置於一耐熱之高分子基板3上。 步驟S120係為：請配合第二圖及第二】圖所示，成形 一螢光層5 a於每一個發光單元χ a的底端。換言之，透 過將該晶B1W翻轉的方式，以將該螢光層5 a成形於該氧 化鋁基板1 0 0 a的底面。此外，上述的螢光層5 a係可 依據不同的使用需求，而選擇為：由一矽膠（silic〇n)與 一螢光粉（fluorescent powder)所混合形成之螢光膠體 (fluorescent resin)、或由一環氧樹脂（ep〇xy)與一榮光 粉（fluorescent powder )所混合形成之螢光膠體 (fluorescent resin )。 步驟S122係為：請配合第二圖及第二κ圖所示，延著 第二J圖之X — X線以進行切割過程，以將該晶圓W切割 成複數個覆蓋有螢光層5a/之發光二極體封裝結構z a ’並且透過至少兩個錫球B a以將每一個發光二極體封 裝結構Z a電性連接於一電路板P上，其中每一個發光二 201007898 極體，裝結構Z a係從該發光區似a產生通過該螢光層 5 a之光束L 3，以進行照明的需求。此外，有一部分 從该發光區域A a所產生的光束（圖未示）係投向下方， 並且β亥等投向下方的光束係受到該正極導電層p a及該負 極導電層N a的反射而產生向上投光效果^

藉此，由上述第二K圖可知，本發明第一實施例係提 =-種用於增加導電及散熱面積之晶圓級發光二極體封裝 二，：其包括：-發光單q a、—第—導電單元2 a、 -導電單tg4 a、-絕緣單元（―第二絕緣層3 a ) 及—螢光層5a 一。 錄I尤早凡1 a係具有一發光本體i 〇 a、一 該發光本體1 ◦ a上之正極導電層P a、一成形於 ^雷届t體1 〇 3上之負極導電層1"1 a、一成形於該正極 電層P a及該負極導電層^之間之第一絕緣層工工 發光Γ該發光本體1 ◦ a内之發光區域A a。該 ===有—氧化織100a、-成形於 〜出π 土板1 〇 〇 a上之氮化鎵負電極層工〇工a、及 11於該2鎵負電極層101a上之氮化鎵正電極層 極層1 ^ 2 a上該電層P 3係成形於該氮化鎵正電 電極層1 η ] / _電靠3係絲_氮化鎵負 氡化鎵負電極二i Γ該第一絕緣層1 1 3係成形於該

外1氮化嫁正電極層1 0 2 a之間。另 μ極導電層1^的上表面係具有一正極導電區域P 17 201007898 =’該負極導電層Na的上表面係具有一負極導電區域 3並且该第一絕緣層1 1 a係覆蓋於該正極導電層 a的部分正極導電區域p丄a上及該負極導電層n a 的一部分負極導電區域]Nil a上。 =外’ 6亥第-導電單元2 a係具有一成形於該相對應 」淹：層？ a上之第一正極導電層2 P a及-成形於該 相對應負極導電層Na上之第一負極導電層2Na。此 參=:該第-正極導電層2Pa與該第一負極導電層2Na 糸彼此絕緣’並且該第一正極導電層2 p a係成形於其餘 的正極導電區域P13上及一部分第-絕緣層11a上， 〆第負極導電層2Na係成形於其餘的負極導電區域n 1 a及一部分第一絕緣層1 1 a上。 另外，第二導電單元4a係具有一成形於該相對應第 二正極導電層2Pa上之第二正極導電結構4pa及一成 形於該相對應第—負極導電層2 N a上之第二負極導電結 • 構4Na，並且每一個第二絕緣層33係成形於該第二正 極，電結構4P a及該第二負極導電結構4Na之間，此 外，-個第二絕緣層3 a係與該第二正極導電結構4 p a 及該第二負極導電結構4 N a分別分離-預定距離。另 外，，第-實施例而言，該第二正極導電結構4p a係由 至^、三層導電金屬層透過電鑛的方式相互堆叠所組成，並 且該第二負極導電結構4 N a係由至少三層導電金 過電鑛的方式相互堆#所組成，其中上述至少三層導^ 屬層係為一銅層Cu、一鎳層Ni及一金層Au或錫層％，該 18 201007898 並且該金層Au或錫層Sn 錄層Ni係成形於該銅層cu上 係成形於該鎳層Ni上。 該第二絕緣層3 3係成形在該第~絕緣層1 1 a上並且位於该第二正極導電結構4 p a及該第二負極導 ，構間。此外’該螢光層5a、成形於該發 匕紹基板10 0 a的底部，以配合該發光 &域A a所產生之光束L a來提供白色光源。

圖所示’其係為本發明第—實施例之用 於曰加導電及散熱面積之晶圓級發光二極體龍結構透過 錫貧的方式電性連接於一電路板上。由上述圖中可知，透 過至少兩層錫膏B a飞塗佈以將每—個發光二極體封裝 結構Z a電性連接於一電路板p上。 請參閱第三圖、及第三A圖至第三c圖所示，其中第 三圖係為本發明祕增加導電及散熱面積之晶圓級發光二 極體封裝結構的製作方法之第二實施例之部分流程圖，·第 一 A圖至第二c圖係分別為本發明用於增加導電及散熱面 積之BB圓級發光二極體封裝結構的製作方法之第二實施例 之部分製作流程示意圖。由上述圖中可知，本發明第二實 施例與第一實施例最大的差別在於：在第二實施例中，於 將該晶圓W翻轉’並置於一耐熱之高分子基板s上」之 步驟後，更進一步包括： 步驟S200係為：請配合第三圖及第三a圖所示，進行 第一次切割過程，以將該晶圓W切割成複數個形成於複數 個發光單元1b之間之凹槽C。 19 201007898 步驟S202係為：請配合第三圖及第三B圖所示，填充 螢光材料（圖未示）於該等凹槽C内。此外，上述的螢光 材料係可依據不同的使用需求，而選擇為：由一矽膠 (silicon)與一螢光粉（fluorescent powder)所混合形成 之螢光膠體（fluorescent resin)、或由一環氧樹脂（ep0Xy ) 與一榮光粉（fluorescent powder )所混合形成之螢光膠體 (fluorescent resin ) ° ❿ 步驟S204係為：請配合第三圖及第三B圖所示，固化 s亥螢光材料，以形成一螢光層5 b於每一個發光單元1 b 的底端及周圍。 步驟S206係為：請配合第三圖及第三c圖所示，延著 第二Β圖之γ — γ線以進行第二次切割過程，以將該晶圓 W切割成複數個覆蓋有螢光層5 b >之發光二極體封裝結 構Zb，並且透過至少兩個錫球Bb以將每一個發光二極 體封I結構Z b電性連接於一電路板p上，其中每一個發 籲 光二極體封裝結構Z b係從該發光區域ab產生通過該螢 光層5 b -之光束L b，以進行照明的需求。 藉此，由上述第三C圖可知，本發明第二實施例係提 供一種用於增加導電及散熱面積之晶圓級發光二極體封裝 結構，並且本發明第二實施例與第一實施例最大的差別在 於：該螢光層5 b /係成形於該發光單元i b的底部及周 圍，以配合該發光區域Λ b所產生之光束匕b來提供白色 光源。 請參閱第三D圖所示，其係為本發明第二實施例之用 201007898 ί上力:導電及散熱面積之晶圓級發光二極體封裝結構透過 錫用的方式電性連接於—電路板上。由上述圖中可知透 接Β::=每-個發先二極體封襄 參 右1^第一實施例而言，因為第二導電單元4 a传呈 =成形於該相對應第—正極導電層2pa上之第二= =4p a及一成形於該相對應第一負極 上之第二負極導電結構4Na，並且每一個第：：：： 電於該第,正極導電結構4 p a及該第二負極導 第：参減間’所以該第二正極導電結構4 p a及該 ^負^導構4Na能提供較大的面積以提供導電^ 散.，、、。藉此，本發明所製作之晶圓級發光二極體 的導電面積(能提供較大的電源功率) 面積（能提供較佳的散熱效率）。 夂散熱 ，上:以？ 一實施例而言，該螢光層5 a、系可成形於 該發先早凡“之氧化鋁基板1 〇 〇 a的底部，以^於

f產生之光束^ 3來提供白色光源。以;I 底邱及mil ’錢光層5 b、成形於該發光單元1 及封Li發需使用像上述習知-樣的導線、反射層 及職膠體，因此本發_於増加導電及散熱面積 21 201007898 級發光二極體封裝結構在製作時可大大降低製作時間及成 ▲惟，以上所述，僅為本發明最佳之一的具體實施例之 詳細說明與圖式，惟本發明之特徵並不侷限於此，並非用 以限制本發明，本發明之所有範圍紅下述之申請專利範 圍為準，凡合於本發明申請專利範圍之精神與其類似變化 =施例，皆應包含於本發明之料中，任何熟悉該項技 ⑩：，在本發明之領_，可輕易思及之變化或修飾皆可涵 皇在以下本案之專利範圍。 【圖式簡單說明】 :-圖係為習知發光二極體封裝結構之結構示意圖； 第二圖係林發_於增加導電及散熱面積之晶圓級發夫 一極體封裝結構的製作方法之第一實施例之流卷 圖； 第

An至第m分料本發㈣於增 第 二極體封裳、结構的製作方法之第 實施例之製作％IL輕不意圖· L圖係為本發明第-實施; 積t晶圓級發光二極體封裝結構透過錫膏的is 性連接於一電路板上； 第 圖係為本發明用於增加導曾 二極體封裝結構的製作方:、面2之晶圓級發光 程圖； 方去之第二實施例之部分流 22 201007898 第 第 二A圖至第三c圖係分別為本發明用於增加導 面積之晶圓級發光二極體封裝結構^製^及散熱 二實施例之部分製作流程示意圖；以及 去之第 二D圖係為本發明第二實施例之用於增加導 積之晶圓級發光二極_結構透過 面 性連接於一電路板上。 '方式電 Φ 【主要元件符號說明】 [習知] 發光本體 1 正極導電層 P 負極導電層 N 反射層 2 透明封裝膠體 3 導電 W 光束 L [第一實施例] 晶圓 W 發光單元 1 發光二極體封裝結構z a 發光本體 發光區域

a a a 氧化鋁基板 氮化鎵負電極層 氮化鎵正電極層 第一絕緣層 23 201007898

正極導電層 Pa 正極導電區域 P 1 a 負極導電層 N a 負極導電區域 N 1 a 第一導電層 Ma 第一導電層 Ma ^ 光阻 R a 盲孑 R 1 a 光阻 R a / 第一導電單元 2 a 第一正極導電層 2 P a 第一負極導電層 2 N a 絕緣材料層 S a 第二絕緣層 3 a 第二導電單元 4 a 第二正極導電結構 4 P a 第二負極導電結構 4 N a 銅層 Cu 鎳層 Ni 金層或錫層 Au/Sn 螢光層 5 a 螢光層 5 a ^ 南分子基板 S 電路板 P 錫球 B a 錫膏 B a " 光束 La [第二實施例] 24 201007898 晶圓 W 螢光層 5 b 螢光層 5 b 高分子基板 S 電路板 P 錫球 B b 錫膏 B b 光束 Lb

發光二極體封裝結構Z b 發光單元 lb 發光區域 Ab 凹槽 C 25

Claims (1)

1. 201007898 申請專利範園： 1 -種用於增加導電 裝結構，其包括： ’、 之曰曰圓級發光二極體封 一發光單元，其具有一 、* 體上之正極導電 2光本體、-成形於該發光本 導電層、—成形於於發光本體上之負極 間之第一絕緣層、、二極導電層及該負極導電層之 區域； 一成形於該發光本體内之發光 第，其具有一成形於該正極導電層上之 電層及-成形於該負極導電= 一 其具有一成形於該第-正極導電層 « 導電結構及一成形於該第一負極導電 層上,第二負極導電結構；以及 、 一=元，其具有一成形在該第-絕緣層上並且位 ;I第一正極導電結構及該第二負極導電結構之間 之第^絕緣層。 2、如申請專利範圍第1項所述之用於增加導電及散熱面 積之晶圓級發光二極體封裝結構，其中該發光本體係 具有一氧化銘基板、一成形於該氧化紹基板上之氮化 鎵負電極層、及一成形於該氮化鎵負電極層上之氮化 鎵正電極層，此外該正極導電層係成形於該氮化鎵正 電極層上’該負極導電層係成形於該氮化鎵負電極層 上，另外該第一絕緣層係成形於該氮化鎵負電極層上 26 201007898 並且位於該正極導電層、該負極導電層及該氮化鎵正 電極層之間。 3、 如巾請專利範圍第1項所述之用於增加導電及散熱面 積之晶圓級發光二極體封裝結構，其中該正極導電層 的上表面係具有一正極導電區域，該負極導電層的上 ，面係具有一負極導電區域，並且該第一絕緣層係覆 蓋於該正極導電層的一部分正極導電區域上及該負極 Φ 導電層的一部分負極導電區域上。 4、 如f請專利範圍第3項所述之用於增加導電及散熱面 積之晶圓級發光二極體封裝結構，其中該第一正極導 電層與该第一負極導電層係彼此絕緣，並且該第一正 極導電層係成形於其餘的正極導電區域上及一部分第 一絕緣層上，該第一負極導電層係成形於其餘的負極 導電區域及一部分第一絕緣層上。 5、 如申請專利範圍第1項所述之用於增加導電及散熱面 _ 積之晶圓級發光二極體封襞結構，其中該第一絕緣層 及該第二絕緣層係為一高分子材料層（p〇lymer丨吖沉） 或一陶瓷材料層（ceramic layer·)。 6、 如申請專利範圍第1項所述之用於增加導電及散熱面 積之晶圓級發光二極體封裴結構，其中該第二正極導 電結構係由至少兩層導電金屬層透過電鑛的方式相互 堆疊所組成，並且該第二負極導電結構係由至少兩層 導電金屬層透過電鍍的方式相互堆疊所組成；其中上 述至少兩層導電金屬層係為一錄層（Nj)及一金層（au) 27 201007898 7 ❹ 8 9 或錫層（Sn)，並且該金層或錫層係成形於該鎳層上。 、如申請專利範圍第1項所述之用於增加導電及散熱面 積之晶圓級發光二極體封裝結構，其中該第二正極導 電結構係由至少三層導電金屬層透過電鍍的方式相互 堆疊所組成，並且該第二負極導電結構係由至少三層 導電金屬層透過電鍍的方式相互堆疊所組成；其中上 述至少三層導電金屬層係為一銅層（Cu)、一鎳層（Ni) 及一金層（Au)或錫層（Sn)，該鎳層係成形於該鋼層 上，並且該金層或錫層係成形於該鎳層上。 如申請專利範圍第1項所述之用於增加導電及散熱面 積之晶圓級發光二極體封裝結構，更進一步包括·一 成形於該發光單元底部之螢光層或-成形於該發光單 疋底部及周圍之螢光層。 發光二極截封 數=單元之晶圓，其中每-個發光 正mm成形於該發光本想上之 桠導電層上之第-正極於該相對應正 負極導電層上之第-負極導形於該相對應 28 201007898 分別成形複數個第二絕緣層於該等第一絕緣層上；以 及 、 分別成形複數個第二導電單元於該等第一導電單元 上，其中每一個第二導電單元係具有一成形於該相 對應第一正極導電層上之第二正極導電結構及一成 形於該相對應第一負極導電層上之第二負極導電結 構，並且每一個第二絕緣層係成形於該第二正極導 ❿ 電結構及該第二負極導電結構之間。 1 〇、如申請專利範圍第9項所述之用於增加導電及散熱 面積之晶圓級發光二極體封裝結構的製作方法，其中 邊發光本體係具有一氧化銘基板、一成形於該氧化鋁 基板上之氮化鎵負電極層、及一成形於該氮化鎵負電 極層上之氮化鎵正電極層，此外該正極導電層係成形 於該氮化鎵正電極層上，該負極導電層係成形於該氮 化鎵負電極層上，另外該第一絕緣層係成形於該氮化 _ 錄負電極層上並且位於該正極導電層、該負極導電層 及該氮化鎵正電極層之間。 a 11、 如申請專利範圍第9項所述之用於增加導電及散熱 面積之晶圓級發光二極體封裝結構的製作方法，其中 該正極導電層的上表面係具有一正極導電區域，該負 極導電層的上表面係具有一負極導電區域，並且該第 一絕緣層係覆蓋於該正極導電層的一部分正極導電區 域上及該負極導電層的一部分負極導電區域上。 12、 如申請專利範圍第11項所述之用於增加導電及散 29 201007898 熱面積之晶圓級發光二極體封裝結構的製作方法，其 中該第一正極導電層與該第一負極導電層係彼此絕 緣，並且該第一正極導電層係成形於其餘的正極導電 區域上及一部分第一絕緣層上，該第一負極導電層係 成形於其餘的負極導電區域及一部分第一絕緣層上。 ❿ 1 3、 如申請專利範圍第9項所述之用於增加導電及散熱 面積之晶圓級發光二極體封裝結構的製作方法，其中 S亥第一絕緣層及該第一絕緣層係為一高分子材料層 (polymer layer)或一陶兗材料層（ceramiclayer)/ 4、 如申請專利範圍第9項所述之用於增加導電及散熱 面積之晶圓級發光二極體封裝結構的製作方法，其中 該第二正極導電結構係由至少兩層導電金屬層透過電 鑛的方式相互堆疊所組成，並且該第 係由至少兩層導電金屬層透過電鍍的方式相 組成，其中上述至少兩層導電金屬層係為—錄層（ 或錫層㈤’並且該金層或錫層係成 5=2利範圍第9項所述之用於增加導電及散熱 面積之曰曰圓級發光二極體封裝結構的製作方法 極導電Ϊ構係由至少三層導電金屬層透過電 ===’並且該第二負極導電結構 組成；其·; Λ至式相互堆整所 —層導電金屬，係為-銅層 (㈤、-鎳層（Ni)及一金層（Au)或锡層（％)， 30 201007898 該鎳層係成形於該銅層上，並且該金層或錫層係成形 於該錄層上。 1 6、如申請專利範圍第9項所述之用於增加導電及散熱 面積之晶圓級發光二極體封裝結構的製作方法，其^ 上述分別成形該等第一導電單元於該等發光單元上之 步驟中，更進一步包括：

   成形一第一導電層於每一個發光單元之該正極導電 層、該負極導電層及該第一絕緣層上； 成形一光阻於該第一導電層上； 移除一部分的光阻以形成複數個盲孔，其中每一個盲 孔係用以曝露出位於每一個發光單元之第一絕緣層 上之部分第一導電層； 、、 移除位於該等盲孔内之部分第一導電層；以及 移除其餘的光阻，以形成上述每一個發光單元之該第 一正極導電層及該第一負極導電層。 1 7執2 =利範圍第1 6項所述之用於增加導電及散 積之曰曰圓級發光二極體封裝結構的製作方法，其 :透=聽或舰之無電_方式以成形該第一導電 分的曝光與縣相互轉的方式以移除上述一部 内二ί且透過_的方式以移除上述位於該等 目孔内之部分第一導電層。 π 1 8面專利範圍第9項所述之用於增加導電及散熱 上述八^級發光二極體封裝結構的製作方法，其中 刀、形該等第二絕緣層於該等第一絕緣層^之 31 201007898 步驟中，更進一步包括： 成形一絕緣材料層於每一個發光單元之一部分第一絕 緣層上及位於每一個發光單元上端之第一正極導電 層及第一負極導電層上；以及 移除上述位於該等第一正極導電層及該等第一負極導 電層上端之部分絕緣材料層，以形成上述該等分別 成形於該等第一絕緣層上之第二絕緣層。

   1 9、如申請專利範圍第9項所述之用於增加導電及散熱 面積之晶圓級發光二極體封裝結構的製作方法，其中' 上述;7別成形S亥專第一導電單元於該等第一導電單元 上之步驟後，更進一步包括： 將該晶圓翻轉’並置於-耐熱之高分子基板上； ^形-螢光層於每-個發料元的底端；以及 進^刀割過程，以將該晶圓切割成複數個發光二極體 封t結構。 32 201007898 的底端及周圍；以及 進行第二次切割過程，以將該晶圓切割成複數個發光 二極體封裝結構。

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