TW201007832A - Method for critical dimension shrink using conformal PECVD films - Google Patents

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201007832 六、發明說明·· 【發明所屬之技術領域】 本發明實施例是有關半導體製造方法。更具體而言， 本發明實施例是關於縮減半導體元件之關鍵尺寸的方 法》 【先前技術】 ❹ 半導體產業已遵循摩耳定律（Moore’s Law)超過半個世 紀，摩耳定律是指積體電路上的電晶體密度約每兩年會 增加一倍。半導體產業依此規則持續發展，將需要在基 板上圖案化更小的特徵結構。目前生產的堆疊電晶體尺 寸為50至1〇〇奈米（nm)。現已能生產尺寸為45nm的元 件’並致力於設計尺寸為2Onm或更小的元件。 隨著元件縮減成如此小的尺寸，現有的微影製程面臨 ❹ 難以製造出所需關鍵尺寸（critical dimensi〇n，CD)圖案的 困境。用於製造lOOnm或更寬通孔的圖案化工具通常不 能製造更小的通孔.<» 為了避免重新設計現有微影工具，需要縮減蝕入基板 之通孔關鍵尺寸的方法。 【發明内容】 本發明實施例提出縮減凹部之關鍵尺寸的 〆、 乃法，凹部 形成在具有場區的基板中並且具有側壁和底 _叫’方法包 201007832 括塗覆共形層至場區、側壁和底部上；利用方向性蝕刻 製程移除在底部處的共形層而露出基板；蝕刻在底部露 出的基板；以及利用溼蝕刻製程移除共形層。共形層具 有良好的階梯覆蓋，並可利用任何用來沉積共形層的手 段來沉積，且共形層對於用來蝕刻在共形層底下各膜層 的蝕刻劑具高選擇性。 其他實施例提出在基板之場區中形成通孔的方法，包 ^ 含圖案化基板表面上的膜層，以形成具有側壁和底部的 凹β，藉由塗覆共形膜至該膜層上而縮減凹部的寬度； 移除在凹部底部的共形膜而露出部分基板，以形成關鍵 尺寸縮減區域；以及蝕刻關鍵尺寸縮減區域而形成通孔。 其他實施例提出圖案化一形成在基板上之介電層的方 法，包含形成圖案轉移層至介電層上；藉著塗覆光阻、 圖案化該光阻及將圖案蝕刻入圖案轉移層中來圖案化該 圖案轉移層’以形成具底部的凹部；沉積第一共形層至 # 圖案轉移層上；移除在四部底部的第—共形層而露出介 電層，蝕刻介電層的露出部分而形成狹窄凹部丨移除圖 案轉移層和共形層；沉積第二共形層至基板上；以及移 除在該狹窄凹部之底部處的第二共形層。一些實施例提 出在圖案形成期間加倍縮減關鍵尺寸（cd)的方法。 【實施方式】 綱大體上是關於處理基板的方法。本發明之實施 201007832 例提出在基板内形成凹部或通孔的方法，其中凹部或通 孔的關鍵尺寸比利用傳統微影製程所得到的關鍵尺寸要 小0 第1A圖為根據本發明一實施例之方法1 〇〇的流程圖。 第1B-1F圖為基板150於方法1〇〇之不同階段的示意 圖。將基板放到處理腔室内，例如在基板中形成有一凹 部的基板150。第1B圖繪示基板15〇具有待蝕刻的特徵 結構層152和形成在位於特徵結構層152上之圖案轉移 層154中的凹部或開口 156，特徵結構層152可為任何 待蝕刻的介電或半導體層。圖案轉移層154可為硬光罩 層（hard mask layer)、抗反射層、介電層或上述膜層的任 意組合。凹部156具有側壁和露出特徵結構層152的底 部，並可做為後續圖案化階段的蝕刻圖案。 在方法100的步驟1〇2中，塗覆一共形層至基板表面 第ic圖繪示共形層158覆蓋隹圖案轉移層154的場區禾 凹口P 156的側壁與底部。共形層158較佳是由對用來爸 刻特徵結構層1 52之任何蝕刻劑具有低蝕刻速度的材申 組成。例& ’在特徵結構層152是將要使用I化學劑身 刻之氧化物層的實施何中，共形層158可為含氮層， !如氮化物層。在一些實施例中，共形層]冗為氮化句 硼層氮化硼矽層、摻雜矽的氮化硼層或摻韻 硼的氮化矽層〇 Α 〇 此外，共形層158較佳能輕易地從基相 上移除’例如㈣灰m㈣。 在一些實施例中，共形層是將於後續處理階段中移@ 201007832 的犧牲層。如下所述’在其他實施例中，共形層可能是 將會變成部分結構並且貢獻其最終性質的介電層。在一 實施例中’共形層為密封層（hermetic layer.)。在其他 實施例中，共形層為阻障層或抗反射層。共形層的階梯 覆蓋較佳介於約80%至約120%之間。 如下所述，在步驟102中，共形層158將當作蝕刻罩 幕’且共形層158的厚度將定義蝕入特徵結構層152中 ❿ 的圖案關鍵尺寸。例如，凹部156寬度為500埃（A)時， 寬度5〇A的共形層158將會使凹部156的寬度縮減成 400A。使得後續蝕刻程序將於特徵結構層152内產生寬 度400A的圖案。此製程有助於形成關鍵尺寸比使用特殊 微影設備所能形成之關鍵尺寸還要小的圖案。 可使用任何已知用於沉積共形層至基板上的方法來沉 積共形層（如共形層158)。此類方法的例-子包括化學氣相 沈積（CVD)、電漿增強CVD(PECVD)、原子層磊晶 ❿ （ALE)、原子層沈積（ALD)和電漿增強ALD(PEALD)，但 不以此為限。氮化矽共形層可使用ALD或PEALD製程 來沉積，其中前驅物可為脈衝供應到含基板之反應器中 的任何矽烷寡聚物（例如甲矽烷或二矽烷)、低級院基矽 烷（如甲基或二甲基矽烷)或低級烷氧矽烷、石夕醇（silanol) 或石夕氮烧（silazane)，且交替流入含氮化合物，例如氮氣 (N2)、氨氣（NH3)、一氧化二氮（N20，又名氧化亞氨或笑 氣)或聯氨（N2H2)。載氣常用來協助提供前驅物及淨化反 應器。在適當條件下，前驅物與基板表面反應形成沉積 201007832 產物層’沉積產物層會均勻地成長在整個基板表面。可 依需求重覆進行製程以達期望厚度。同樣地，可利用ALD 或PEALD製程使用硼烷寡聚物（如甲硼烷或二蝴烷）且交 替流入含氮前驅物(例如N2、NH3、N20或N2H2)來製作 氮化蝴層。可使用硼前驅物與矽前驅物的混合氣體按照 近似預期摻雜量的比例來達成摻雜。

在方法100的步驟1〇4中，蝕刻掉覆蓋在凹部底部處 _ 的共形層部分而露出底下的部分特徵結構層152。第1D 圖緣示已移除位在凹部156底部160處之共形層158的 基板。可利用選擇性蝕刻製程移除在凹部1 56之底部16〇 上的共形層158。在一些實施例中，選擇性蝕刻製程為 方向性或非等向性（anisotr〇pic)蝕刻製程，用以只蝕刻基 板水平表面的材料》此製程較佳使用電漿蝕刻劑及施加 電偏壓至基板來促使電漿中的離子加速朝向基板表面。 在此製程中，加速的離子在轉向側壁之前，通常會更深 ® 入凹部15 6’導致大多數的反應物種撞擊凹部ΐ5ό的底 部160。同時，此製程還可實質移除在圖案轉移層 之場區處的共形層158。用於本發明實施例的選擇性姓 刻製程一範例為使用氟與氧離子的反應離子钮刻。也可 採行其他蝕刻方法，例如非反應性離子蝕刻。 露出共形層158底下的部分特徵結構層152後，在步 驟1〇6中，蝕刻該特徵結構層152。第1E圖繪示處於方 法100之此階段中的基板。仍保留在凹部156侧壁上的 部分共形層158縮減了凹部156寬度’並且該部分特徵 201007832 釔構層152接觸蚀刻劑。若共 β 刻特徵結構層152之钱刻劑具 ：埋’於用絲 、有回钱刻選擇性的材料所 組成，則在…"，將緩慢或不㈣共形層158, :留下钮入特徵結構層152内且關鍵尺寸（cd)被縮減的 孔I62。可利用任何已知用於蝕刻特徵結構層M2之 材料的方法來蚀刻特徵結構層152，但較佳是使用不會 蝕刻共形層158的製程。同時亦部分蝕去圖案轉移層154 而留下厚度縮減層154。方向性蝕刻(例如在偏壓下使用 反應性或非反應性離子的蝕刻方法）有利於在蝕刻介電 層152時保留共形層ι58的留存部分。

在步驟108令，如第1F圖所示，移除共形層158而留 下具有CD縮減通孔的基板供後續處理。一般亦利用姓 刻或氧化手段來移除圖案轉移層154。CD縮減通孔162 比傳統微影技術所製得的通孔更窄。 本發明之其他實施例提出於基板之場區中形成通孔的 方法。第2A圖為根據本發明一實施例之方法2〇〇的流程 圖。將待蝕刻之基板放到處理腔室内。第2B圖為將依據 方法200進行處理的基板250不意圖。示範的基板（例如 基板250)具有底層252、堆疊結構254、保護層256和絕 緣或介電層258。 在步驟202中，將圖案轉移層塗覆至基板。圖案轉移 層將當作後續蝕刻程序的蝕刻罩幕。圖案轉移層可為介 電層、抗反射層或阻障層，並可具備一種以上的這類性 質。包含sp3(鑽石狀）、sp2(石墨狀）與sp1 (熱解碳狀）混成 201007832 之竣原子混合物的無定形碳層可做為圖案轉移層，其是 利用碳氫化合物前驅物進行CVD製程而得。無定形碳層 的其中一範例為PR〇DUCER® SE和GT PEcVD平台製

k 的 APF® Advanced Patterning FilmTM，PRODUCER® SE 和GT PECVD平台可購自美國加州聖克拉拉之應用材料 公司（Applied Materials, Inc.)。待蝕刻之基板一般放在處 理腔室内來形成圖案轉移層。基板可置於基板支撐件 φ 上，基板支撐件當作用於產生電容耦合電漿的電極，並 控制基板溫度。在另一實施例中，基板支撐件用來施加 電偏壓至基板，以進行電漿的方向性沉積。藉由配置除 了基板支撐件以外的電極.，例如側邊極板、嘴頭電極、 擴散板等，也可在處理腔室内產生電容耦合電漿。腔室 側壁可做為電漿產生電極。在又一實施例中，可透過且 設在腔室頂部且安裝有感應線圈的回流管（reentrant tube)來誘導耦合產生電漿。最後，在一些實施例中，可 參遠端產生電漿並且供給至腔室。用於形成圖案轉移層的 示例電漿腔室細節可參見美國專利5 855 681和 6,495,233 〇 無定形碳為一示例之圖案轉移層。為區別一般用於建 立圖案的广軟」光阻，無定形碳又稱為「硬光罩」，此將 進一步說明於後，藉由提供碳源至内部放置有基板的處 理腔室，可形成無定形碳圖案轉移層。在一些實施例中， 碳源為丙烯或乙炔（acetylene)’但較佳為具有適合蒸氣壓 和游離能(ionization potential)而可輕易活化的前驅物。 201007832 通常施加RF功率以將碳前驅物離子化成反應性電聚。在 一些實施例中，電壓施加至基板，使反應性離子加速朝 向基板表面，進而促進沉積於基板表面上。 在步驟204中，形成光阻層至圖案轉移層上。光阻一 般為對某一種電磁輻射波長敏感的聚合物材料，並可以 旋塗製程或CVD製程塗覆而得。在一些實施例中，光阻 為對於紫外光敏感的碳基聚合物，例如紛搭樹脂、環氧 樹脂或偶氮環院.樹脂（azo napthenic resin)。光阻層可為 β 正型或負型光阻。較佳的正型光阻選自於由248奈米（nm) 光阻、193nm光阻、157nm光阻和摻雜重氮萘盼醒 (diazonapthoquinone)感光劑之酚醛樹脂基質組成的群組 中。較隹的負型光阻選自於由聚順異戊二稀 (poly-cis-isoprene) 和聚乙烯醇肉桂酸酯 (poly-vinylcinnamate)組成之群組中。在一些實施例中， 光阻層更包含底部抗反射塗層（BARC層），BARC層和光 鲁阻層可利用旋塗製程沉積而得。 在步驟206中’圖案化光阻層及顯影圖案、第2C圖繪 示處於此製程階段中的基板250。圖案轉移層260已形 成在介電層258上。光阻層262位於圖案轉移層260上， 並具有圖案開口 264而露出底下的圖案轉移層260。 在第2B〜2H圖的實施例中，蝕刻光阻而得的圖案呈現 多個開口 264。開口 264最終用來形成元件254之閘極 堆疊結構和源極與汲極接合面的接觸通孔。使用CD縮 減圖案來形成接觸通孔有利於減少接觸點之間的電容互 11 201007832 相作用或交叉干擾。縮減通孔的CD可加大彼此之間的 距離’進而減少通孔内的接觸點發生電容耦合。 在步驟208中’將圖案轉移到圖案轉移層中。可利用 任何適合之製程將圖案飯入圖案轉移層中。在圖案轉移 層為無定形碳層的示範性實施例中，利用包含氧氣（〇2) 與氮氣（N2)組合物、或含甲烷（CH4)、氮氣（N2)與氧氣（〇2) 組合物的電漿蝕刻製程來蝕刻該圖案。第2D圖繪示處於 方法200之此階段中的基板250。圖案轉移層26〇已蝕 刻而形成有開口或凹部266。寫入光阻層262中的圖案 開口 264的寬度決定了開口 266寬度。在此階段中亦已 移除光阻層。在一些實施例中，光阻和圖案轉移層主要 為碳原子，故可使用實質相同的蝕刻化學劑來移除光阻 和轉移該蝕刻圖案。 在步驟210中，共形層形成在基板上。第2£圖繪示肩 於此製程階段中的基板250。共形層268位於基板上布 形成寬度縮減的凹部270。共形膜可使用任何適用於开 成共形膜的製程來形成。共形膜均勻地縮減了開口 ％ 的寬度。共形膜的階梯覆蓋較佳為介於約8〇%至祭 120%，並且是由對於用來蝕刻下方介電層258之蝕刻齊 具有低蝕刻速度的材料所組成。在介電層258為氧化勒 層的示範實施例中’例如耗碳氧切低上或超低㈣ 電層’共形膜可為含氮膜。氮化矽、氮化硼和氮化硼石》 為適合此方法的示例膜層，沉積共形臈的製程例如為原 子層蟲晶(ALE)、原子層沈積（ALd)和化學氣相沈積 12 201007832 (CVD)。這些製程可用電漿增強。 一般來說’氮切沉積層或膜的實驗化學式為SiNx。 完全氮化的氮切化學式為％Ν4，此時n : %原子比為 約1: 1.33。氮化程度較低之氮化石夕材料的n: ^比率可 低至例如·約G.7。因此，氮切材料的Ν· &比值為約 .7至約1.33 ’較佳約0 8至約13。除了矽和氮外氮 化梦材料還可含有其他元素，例如氳、碳 '氧及/或领。 在些實施例中，氮化石夕材料的氮濃度為約8重量％㈣％) 或更高。氮切㈣的錢度為約3原子％(at%)至约5

at%。氮化石夕材料包括氮化邦ίΝχ)、i氧化發⑻〇為）、 氮化碳矽（SiCxNy)和氮氧化碳矽（SiCx〇yNz)。藉由控制製 程條件可改變氮化矽材料的化學計量和組成。 也可形成化學計量比約1:1的氮化硼膜。可使用本文 甲所述的製程來形成含有BxNy組成的膜層，其_ χ : y 比值為介於約〇·9至約1.丨。藉由控制製程條件可調整氮 化硼膜的組成》 某些膜含有矽、硼和氮。在一些實施例中形成換雜 硼的氮化矽膜。在其他實施例中，形成摻雜矽的氮化硼 膜。在又一實施例中，形成矽、硼與氮化學計量比相近（即 1 1 · 1)的氮化硼矽膜。在其他實施例中，任一上述膜 亦可摻雜或含有氫、碳、鹵素（如氣或氟）、氧或其他推 質。 在ALE或ALD製程中，依續提供數種化學前驅物至 處理腔至，並於各步驟之間淨化腔室。在用於沉積氮化 13 201007832 硼共形層的示例製程中，提供硼前騍物至處理腔室，例 如硼烷（BH3)、其他硼烷寡聚物（如二硼烷（B2H6))、氮硼 苯（borazine，B3N3H6)、烷基氮硼苯、三曱基硼（b(CH3)3) 或三氣化硼（BCI3)。載氣有助於脈衡輸入前驅物至處理腔 至。載氣可為非反應性氣體’例如氦氣（He)、氮氣（Ar)、 氮氣（Ns)或氙氣（Xe)。載氣可持續流動，前驅物則脈衝供 應至載氣氣流中；或者載氣可間歇流動並脈衝輸入前驅 物。蝴前驅物沉積後，利用淨化氣體脈衝或連續流動非 反應性載氣來淨化腔室。第二含氮前驅物，例如氮氣 (n2)、氨氣（NH3)、一氧化二氮（N2〇)或聯氨（n2H2)接著脈 衝供應至腔室以進行反應》氮步驟之後跟著淨化步驟。 反覆進行此循環，直到沉積膜達預定厚度為止。沉積氮 化矽膜時’使用矽前驅物來代替硼前驅物，例如低級矽 烷、矽氧烷、矽醇或矽氮烷、或上述矽前驅物的烷基、 苯基與氨基衍生物。甲矽烷（SiH4)和曱基矽烷（MeSiH3；) φ 為例子。此外，也可採用環狀衍生物（例如經取代的環矽 氧烷與環矽氮烷）和齒素衍生物^在一些實施例中，共形 層可額外摻雜選自於由碳（C)、氟（F)、氮（N)、氧（〇)、石夕 (Si)、氣（C1)和氫（H)所組成之群組_中的原子、 在一些實施例中，使用超過兩種的前驅物。以沉積氮 化硼矽共形層為例，可提供例如上列含矽前驅物至處理 腔室以沉積含矽物種。進行淨化步驟後，提供上述硼前 驅物以將硼加入該層中，接著提供上述氮前驅物以將氣 加入該層中。可依需求反覆進行此三階段式的循環，而 201007832 建構出具有預定化學組成和厚度的共形層。 在用於沉積所述共形膜的ALD製程中，開始進行ALd 製程之前，基板先經過預洗製程和表面預理處理。這些 初步處理移除了基板上表面上的任何原生氧化物，並使 表面具有設計用來促進ALD製程的官能基末端。附接或 形成於基板表面上的官能基包括羥基（〇H)、燒氧基 (OR ’ 其中 R=Me、Et、Pr 或 Bu)、鹵氧基（〇χ，其中 X=F、 φ C卜Βι•或I)、鹵素(F、Cl、Br或I)、氧自由基，和醯胺

基（NR或NR2 ’其中R=H、Me、Et、Pr或Bu)。預洗製 程可使基板接觸一試劑’例如氨氣（NH3)、二烧 (B2H6)、曱矽烷（SiH4)、二矽烷（Si2H6)、水（H2〇)、氫氟 酸（HF)、鹽酸（HC1)、氧氣（〇2)、臭氧（〇3)、過氧化氫 (H202)、氫氣（h2)、Η原子、N原子、0原子、醇、胺或 上述試劑的電漿、衍生物或組合物。官能基提供基礎而 讓導入的化學前驅物連接至基板上表面。在一些實施例 鲁中，預洗製程使基板上表面接觸試劑的時間為約1秒至 約2分鐘。在一些實施例中，接觸時間為約5秒至約6〇 秒。預洗製程還可包括使基板表面接觸溶液 (SC1/SC2)、HF最終液、過氧化物溶液、酸性溶液、驗 性溶液或上述物質的電漿、衍生物或組合物。在一些實 施例中，基板浸泡在氫氟酸浴中約2〜15分鐘。在一實施 例中，基板浸泡在2〇/〇之氫氟酸浴中約2分鐘。在一些實 施例中，預洗製程可在批式清潔系統或單—基板清潔系 統中完成。單一基板清潔系統的其中一範例為OASIS 15 201007832 CLEAN®系統，其可購自美國加州聖克拉拉之應用材料 公司。 在一些實施例中，利用溼式清潔製程清潔基板表面， 屋式清潔製程可由付自應用材料公司的MARINERtm渔 式清潔系統或TEMPEST®溼式清潔系統執行。或者，基 板可接觸出自WVG系統的水蒸氣約1 5秒。

施加RF功率來產生電漿可促進ALE或ALD製程^ RF φ 功率可在整個脈衝輸入及淨化步驟過程中連續施加或選 擇性施加。一般最好為誘導耦合（inductively c〇upled)或 弱電今麵合電襞’以免造成高方向性沉積。 在用於沉積氮化硼膜的熱CVD製程中，提供硼前驅物 和氮前驅物至處理腔室’其流速分別為約每分鐘5標準 立方厘米（seem)至約每分鐘50標準升（slm)，例如約 lOsccm至約islme在一實施例中，還可提供非反應性氣 體（如載氣），其流速為介於約5sccm至約5〇slm之間， • 例如約1〇 SCCm至約1 slm。腔室壓力維持呈約1〇毫托 耳至約760托耳，例如約2托耳至約2〇托耳基板溫度 為介於約1〇〇 c至約1〇〇〇。〇，例如介於約3⑼。c至約 500。。。 在甩於沉積氮化硼膜的PECVD製程中，施加RF功率 來活化前驅物。RF功率可以介於約2瓦（w)至約 〇W(例如約3〇w至約1〇〇〇w)的功率大小與約1〇〇 iHz 至約imhz(如約300kHz至約4〇〇kHz)的單一低頻來提 供，或可以約2W至約5000W(如約30w至約1〇〇〇w)的 16 201007832 功率大小與大於約1MHz(如大於約1MHz至約60MHz， 例如13.6MHz)的單一高頻提供。或者，可使用混合頻率 來提供RF功率，包括以介於約1〇〇kHz至約ιΜΗζ(如約 300kHz至約400kHz)的第一頻率與約2W至約5000W(如 約30W至約1000W)的功率大小，以及大於約1MHz(如 大於約1MHz至約60MHz，例如13.6MHz)的第二頻率與 約2W至約5000W(如約30W至約i〇〇〇w)的功率大小來 提供。 0 在另一實施例中，含硼前驅物和含氮前驅物為同時引 入，含矽前驅物亦可伴隨含硼前驅物和含氮前驅物引入 腔至而形成SiBN層。沉積siBN層的示例處理條件包括 引進流速6〇Sccm的甲矽烷（SiH4)、流速6〇〇sccm的氨氣 (NH3)、流速 l〇〇〇sccm 的氮氣、流速 1〇〇〜l〇〇〇sccm 的一硼燒（B2H6)，並以i〇〇w RF功率、13.6MHz產生電 漿，同時將腔室條件維持成腔室壓力為6托耳、間距為 參 480密爾。視情況而定，SiBN層可在4〇(rc下使用紫外 線（UV)固化10分鐘。 在用於沉積氮化硼層的ALD製程中，使用約4 :、至 •約6: i(如.約5: 〇的二硼燒和氮氣做為前驅物，並以每 循環20Λ的沉積速度來沉積氮化硼層。例如，在腔室壓 力6托耳、間距480密爾下，提供4〇〇sccm的二硼烷和 2000SCCm的氮氣，歷時5秒/循環，以及利用電聚製程處 理所產生的膜層而將氮併入膜層内而形成氣化硼層，其 中電漿製程包含使的氨氣和厕seem的氣 17 201007832 氣，以300W的RF功率、13.6MHz之頻率施行10秒/循 環。 根據不同製程可共形沉積含矽與氮層。在一些製程 中’基板表面接觸石夕前驅物和無氨反應物。梦前驅物包 括烧氨基梦烷，例如雙叔丁基氨基矽烷 (bis(tertiaryamino)silane ’ BTBAS)，無氨反應物則例如 氫、秒烧、蝴烧、鍺烷、烷烴、胺或聯氨等化合物。其 籲 可在熱CVD製程、脈衝式CVD製程或ALD製程中接觸 反應物，並活化成電聚。 在一製程中’矽前驅物和反應物相繼脈衝輸入至内含 基板的處理腔室中’以完成ALD製程。矽前驅物供給至 處理腔至的流速為約lsccm至約3〇〇sccm，較佳約l〇sccjn 至約lOOsccm。例如’ BTBAS的流速為約13sccm至約 13〇sccm，根據bTBas分壓和露出表面積，此相當於約 ο·1克/分鐘至約丨.0克/分鐘的流率。反應物供給至處理 參 腔室的流速為約10〇sccm至約3000sccm或更高，較佳大 於約5〇〇sccm ’例如約500sccm至約3000sccm，更佳約 lOOOsccm至約20〇〇sccn^矽前驅物、反應物或淨化氣體 的脈衝持續時間各自獨立為約〇 〇5秒至約〖〇秒，較佳 約0.1秒至約1秒，例如約〇 5秒。脈衝之後通常會有一 •k延遲時間’讓脈衝的前驅物黏附於基板，並且在延遲 時間之後’淨化氣體（如氮氣或氩氣）可持續流過或脈衝 地流過該.反應區_。 用於形成共形氮化矽層的矽前驅物一般含有氮，例如 18 201007832 氨基矽烷。可做為矽前驅物的具體氨基矽烷為具有化學 式（RR’N)4_nSiHn的烧歲基石夕炫，其中r、r，個別為氮基、 甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或芳基，且n=〇、i、2 或3。在一實施例中’R為氫基，R’為烧基（如甲基、乙 基、丙基、丁基或戊基），例如R’為丁基（例如，叔丁基）， 且n=2。在另一實施例中，R、R，個別為烷基，例如甲基、 乙基、丙基、丁基、戊基或芳基。可用於本文中所述沉 積製程的矽前驅物包括（iBu(H)N)3SiH 、 (iBu(H)N)2SiH2、（iBu(H)N)SiH3、（zPr(H)N)3SiH、 (iPr(H)N)2SiH2、（iPr(H)N)SiH3、和其衍生物。較佳地， 矽前驅物為雙叔丁基氨基矽烷（（iBu(H)N)2SiH2或 BTBAS)。在其他實施例中，石夕前驅物為具有化學式 (RR’NVnSiR”的烷氨基矽烷，其中r、R，個別為氫基、 甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或芳基，R，，個別為氫基、 烷基（如甲基、乙基、丙基、丁基或戊基）、芳基或_素（如 F、Cl、Br 或 I)，且 n=0、1、2 或 3 〇 在單一晶圓處理腔室中使用3丁]5八：5做為矽前驅物以 形成共形含石夕與氮層的製程中，BTBAS與反應物的比值 一般至少為約10，較佳介於約1〇至約1〇〇之間，例如 介於約30至約50之間。用於批式處理腔室的比率可能 較低。基板溫度維持在約5〇(rc至約8〇〇<t之間，腔室壓 力維持在約ίο毫托耳至約760托耳之間，例如約25〇托 耳在另實施^例中，石夕前驅物和反應物相繼脈衝輸人 至腔室中，以完成ALD製程。 201007832 在一些實施例中，於預處理期間以出自uv源的能量 束來曝照基板，並於沉積製程期間使基板接觸含氨基矽 烷之沉積氣體與能量束，有助於沉積含矽與氮之共形 層。能量束可由準分子雷射產生，例如氣（叫準分子雷 射。Xe準分子雷射其中一範例為XERADEX(g)2〇，其可 購自位於美國麻薩諸塞州Danvers的〇sram Sylvania。

預處理製程中利用能量束曝照基板，以移除基板表面 的原生氧化物。在沉積氮化矽材料之前，使用直接光激 發系統產纟的能量束預處理基&，以移除基板表面的原 生氧化物。預處理時’使處理氣體接觸基板。處理氣體 包含氬氣、氮氣、氦氣、氫氣、組成氣體伽ming gas)、 或其組合物。預處理製程可持續進行約2分鐘至約1〇分 鐘，以助於在光激發過程移除原生氧化物。又，光激發 時，基板可加熱至約100t：至約8〇〇。〇之間的溫度，較佳 約200°C至約600。(：，更佳約3〇〇〇c至約5〇〇。〇，以利於在 方法10G中移除原生氧化物。能量束可為具約2電子伏 特（eV)至、約iGeV之光子能的光子射束，且可產生波長約 126nm至約351nm的UV輻射。 在一些實施例中，光激發過程提供能量輸送氣體。能 量輸送氣體可為氖氣、氬氣、減、山气氣、帛化蔽、氣 化㈣化I、氣化敗、氟化㈣化氤(如XeF2)i氣 化氣、mi、氯、演或上述氣體的準分子、自由 基、衍生物或組合物。在一些實施例中，除了至少一種 能量輸送氣體之外 處理氣體還包含氮氣（N2)、氫氣 20 201007832 (h2)、組成氣體（如N2/H2或Αγ/Η2)。在其他實施例中， 處理氣體包含環狀芳香性碳氫化合物。可用於預處理製 程的單環芳香性錢化合物和多環芳香性碳氫化合物包 括醌（qUin〇ne)、羥基醌（氫醌）、惠（anthracene)、萘

(naphthalene)、菲（phenanthracene)、其衍生物或其組合 物。在另一實施例中，基板接觸含其他碳氫化合物的處 理氣體，例如不飽和碳氫化合物，包括乙烯、乙炔、丙 烯及其烷基衍生物、齒化衍生物或組合物❶在又一實施 例中，預處理期間，有機蒸氣含有烷烴化合物。 可利用UV輔助化學氣相沉積並在低溫下以夠快的沉 積速度製造氮化矽材料的矽前驅物包括具有一或多個 Si-N鍵或Si-Cl鍵的化合物’例如雙叔丁基氨基矽烷 (BTBAS 或（iBu(H)N)2SiH2)或六氣二梦烧（hcd 或

ShCU)。具有較佳鍵結構的矽前驅物化學式為 R2NSi(R’2)Si(R’2)NR2(氨基二石夕烧）、⑴ R3SiN3(疊氮矽 烷 ’ silylazides)或（II) R’3SiNRNR2(聯氨基矽烷， silylhydrazines)，（III) R和R’為一或多個官能基，其個 別選自於由鹵素、具一或多個雙鍵的有機基團、具一或 多個三鍵的有機基團、脂肪族烷基、環烷基、芳基、有 機碎烧基、烧氨基、或含N或Si的環狀基、或其組合物 所組成之群組中。矽前驅物上適合的官能基例子包括氣 基（-C1)、甲基（-CH3)、乙基（-CH2CH3)、異丙基 (-ch(ch3)2)、叔丁基（-c(ch3)3)、三曱基石夕烧基 (-Si(CH3)3)、吡咯烧基（pyrrolidine)、或其組合物。咸信 21 201007832 所述許多梦前躁物或氮前藤物可在低溫下分解或解離， 例如約550°C或更低。 其他適合UV激發沉積製程的矽前驅物例子包括疊氮 矽烷（RsSiN3)和聯氨基矽烷（RsSiNRNR2)類型、具任何R 基組合的直鏈與環狀前驅物。R基可為Η或任何有機官 能基’例如甲基、乙基、丙基、丁基等（CxHy)。連接在 Si上的R基或可為其他氨基（NH2或NR2)»使用；ε夕氮前 驅物的好處在於可同時送入矽和氮且避免氯存在，故相

W 較於傳統Si-N前驅物’所生成的膜層具良好階梯覆蓋與 最少圖案相依性（所謂圖案負載效應），又不會有形成不 想要之氣..化錄微粒的問題。疊氮石夕娱^化.合物的具體範例 包括二甲基叠氮砍烧（（CH^hSiN3 ;可購自位於美國賓州 Bristol 之 United Chemical Technologies 公司）和三（二甲 胺）曼氮矽烷（（(CHANhSiN^聯氨基矽烷化合物的具體 範例為1,1-二甲基-2-二甲基聯氨基矽烷 0 ((CH3)2HSiNHN(CH3)2)。在另一實施例中，珍_氮前驅物 為（R3Si)3N、(R3Si)2NN(SiR3)2 和（R3Si)NN(SiR3)的至少其 中一種，其中R個別為氫基或烷基（如甲基、乙基、丙基、 丁基、苯基）、或其組合物。適合的梦-氮前驅物例子包 括二石夕胺（(H3Si)3N) 、 （H3Si)2NN(SiH3)2 、 (H3Si)NN(SiH_3)、或其衍生物.。 共形層268(亦可稱為共形膜）因其膜厚而縮減了開口 266的寬度。因此可由期望縮減的寬度來決定共形層268 的厚度。例如，開口 266寬度為500A時，形成厚度5〇人 22 201007832 之共形層I58可使凹部寬度縮減成400人。此種在寬度上 的縮減可製造出比目前微影卫具所能製得結構更小的特 徵結構。 繼續進行第2A圖的方法2〇〇,在步驟212中移除一 部分的共形層。共形層可利用蝕刻製程移除，較佳是進 行非等向性蝕刻，以免蝕刻掉位在寬度縮減凹部側壁上 的膜。非等向性蝕刻製程的其中一範例為反應性離子蝕 0 刻。餘刻劑供給至處理腔室，處理腔室可為與形成共形 層相同的腔至或為不同腔室。施加抑功率來活化蝕刻 劑’進而形成包含反應性離子的氣體混合物。電偏壓施 加至基板，使反應性離子加速朝向基板表面。穿過該寬 度縮減凹部的離子在轉向侧壁之前將更深人凹部。大多 數的離子將撞擊凹部27()的底部而㈣在凹部27〇底部 處的共形層。未穿入凹部27〇的離子會撞擊基板的場區 而钱刻掉在場區上的共形層268。第2F目緣示處於方法 • 20〇之此階段中的基板。 就共形層為氮化石夕層、氮化鄉層或氮化删石夕層的實施 例而言’提供含i素之前驅物至内含基板之處理腔室中 可形成反應性離子。各《、硫和氮之4化物可用來敍 刻适些材料。例子包括四氟化碳（CF4)、六氣化硫（sF6)、 -氟化氮（NF3)和二氟1院(CHf3)。含氯類似物也可以較 慢的速度银刻這些層。 在一實施例中，例如提供SF6蝕刻劑至内含基板之處 理腔至中#刻劑供給流速為約2〇sccm至約】， 23 201007832 j如約lOOsccm至約500sccm(如約300sccm)。還可提供 非反應性載氣，例如氦氣、氬氣、氖氣或氣氣。基板溫 度維持為約50 C至約500°C，例如約2〇〇°C至約400。(〕（如 約300 C )。腔室壓力雄持約丨毫托耳（mT〇⑺至約托 耳（Torr)，例如約1托耳至約5把耳（如約2托耳）。可以 13.56MHz之單一高頻或約1〇〇kHz至約6〇〇kHz(如約 400kHz)之單一低頻提供約2〇〇w至約5〇〇〇w的rf功 率，或可以包括約400kHz之第一頻率與約13 56MHz之 第二頻率的混合頻率來提供約2〇〇w至約5〇〇〇w的RF 功率。RF功率可經電容或誘導耦合。藉由施加功率介於 約100W至約1000W之間（例如約500W)的電壓至基板支 撐件或氣體分配板，可施加電偏壓至基板eRF功率將 SFe分子解離成氟離子（F-)，電偏壓促使離子加速朝向基 板表面。離子加速往場區移動以及進入凹部。穿過凹部 的離子通常行進到底部並且蝕刻位在凹部底部處的共形 層。 在另一實施例中，利用非反應性離子來蝕刻凹部27〇 的底部。藉由施加電壓偏壓至基板，可將諸如氬氣、氛 氣、乱氣或政氣等惰性氣體（n〇ble gas)離子化成電漿， 並使之加速朝向基板表面。產生的高能離子接著撞擊基 板％ Q和寬度縮減.凹部的底部’並因.高能撞擊而钱刻掉 基板上的共形層·》 在步驟214中’利用已知製程及使用寬度縮減凹部做 為蝕刻罩幕來蝕刻底下的介電層258 »第2G圖繪示處於 24 201007832 方法200之此階段中的基板。用來蝕刻介電層258的蝕 刻化學劑會緩慢蝕刻或不蝕刻保留的共形層268。共形 層268定義出蝕刻開口的寬度。此方法可形成比目前微 影工具所能製得結構更小的開口，例如寬度小於5〇nm。 在電偏壓下結合反應性或非反應性離子的方向性蝕刻方 法可用來蝕刻介電層258,同時不會影響所保留的共形 層 268。 鲁 在步驟216中’移除圖案轉移層260。可使用任何用 來移除具有層260之組成的製程來達成此步驟。在圖案 轉移層260為含碳層（如無定形碳層）的實施例中，利用 氧化作用來移除圖案轉移層260。較佳的氧化法是使用 氧電漿來攻擊該層。此法的優點在於能快速移除碳層。 然而，也可採行其他氧化法，例如熱氧化法。 移除圖案轉移層260後’在步驟218中，.移除任何殘 餘的共形層268。第2Η圖繞示處於方法200之本階段中 鲁 的基板。可使用任何用來移除具有共形層268之組成的 製程來移除共形層268。在共形層268為含硼與氮層的 示範實施例中，可方便地使用水溶液來移除共形層268， 水溶液可為氧化溶液，例如此技藝領域中已知的硫酸_雙 氧水混合物（sulfuric peroxide mixture，SPM)。此沖洗本 質上並不會餘刻氧化物介電質。含；5夕與氮層可由酸性溶 液移除，例如氫氟酸或磷酸溶液。 本發明之實施例還提出於基板場區中形成CD縮減通 孔的方法。第3 A圖為根據本發明又一實施例之製程流程 25 201007832 圖。第3B〜3D圖為f 3A圖方法之不同製程階段的基板 不意圖。在步驟302中，將通孔钮入基板的一膜層内。 層可為介電層，例如氧化物層或氮化物層。可使甩任 何已知用來蝕刻基板之通孔的製程來蝕刻該通孔，實際 製程視待蝕刻膜層的組成而定。第3B圓顯示已經蝕刻的 基板350〇下層352上配置有介電層354，通孔356則蝕 入介電層354内。 φ 在步驟304中，形成共形層於基板上。利用類似上述 第1A〜2H圖之製程，使共形層覆蓋住場區、侧壁和通孔 底部並且具有為約80%至約120¼的階梯覆蓋。上述任一 製程皆可用來沉積共形層。在此實施例中，共形層的組 成類似該被蝕刻之介電層的組成。第3 A〜3D圖實施例預 期讓部分共形層殘留在完成元件中而做為元件的一部 分。故在一些實施例中’矣形層的介電常數通常近似介 電層的介電常數。 • 第3C圖繪示具有共形層358形成其上的基板。共形層 358縮減了通孔356的寬度而形成CD縮減通孔36〇。如 第1A〜2H圖所述，通孔356寬度縮減了兩倍的共形層358 厚度。 在一實施例中，共形層為氧化物層。氧化矽共形層可 在使用或不使用電漿的情況下利用CVD或ALD製程形 成於氧化物介電層上’例如低k之含碳介電層。介電層 還可具多孔性。共形氧化物層具有相當小的介電常數和 厚度’以維持部分元件結構’又不會不當影響元件的電 26 201007832 性。在-些實施例中’共形層可具有更多或更少的氧與 矽化學計量比率。共形層的氧與矽比值範圍為約以至 約 2.2 〇 在其他實施例中，共形層為含氮層。某些實施例中含 有氮是有利的，因矽膜含氮可增強膜層的硬度及提供阻 障性質ϋ實施例中，共形層為氮切層或氮氧化 矽層。另外，在-些實施例中，共形層為完全氮化的氮 龜 化矽層、或其氮含量少於化學計量比率。例如，用於方 法300中之氮化矽共形層的氮與矽比值為約〇7至約 1.5。 在步雜306中’移除部份的共形廣3〇6，而留下介電 層354的露出場區、CD縮減通孔3 60之露出底部，並留 下覆蓋在CD縮減通孔3 60之側壁上共形層35 8。利用非 等向性蝕刻製程並依據共形層組成調整，可·移除共形層 的預定部分。在共形層為氧化物層或氮化物層的實施例 φ 中，可如上所述般，在電偏壓下施行上述氟離子方向性 #刻來選擇性餘刻掉覆蓋在基板3 5 0水平表面上的部分 共形層。 本發明之實施例提出於基板場區中形成通孔的另一方 法。第4 A圖為根據本發明再一實施例之方法4 Q 〇的.流程 圖。第4B~4G圖為第4A圖方法之不同製程階段的基板 示意圖。將具有待蝕刻層的基板放到處理腔室内。在步 驟402中，將圖案轉移層塗覆至基板上表面。第4B圖繪 示基板450具有底層452、蝕刻層454和圖案轉移層 27 201007832 456。圖案轉移層可由任何對於用來蝕刻該層454之蝕刻 化學劑具有抗蝕性的成分組成。如參照第2A〜2H圖所述 般’常用的圖案轉移層為利用PECVD和碳氫化合物前驅 物形成的無定形碳。 在步驟404中，將上述光阻實質相同的光阻塗覆在基 板上，以及在步驟406中，圖案化該光阻。第4C圖繪示 處於方法400之本階段的基板45〇。已圖案化的光阻458 0 覆蓋圖案轉移層456，光阻458中的通孔460則露出底 下的圖案轉移層456。 在步驟408中’將圖案轉移到圖案轉移層中，如第 圖所示’通孔460延伸入圖案轉移層456中。以無定形 碳圖案轉移層為例，可利用上述任一製程來轉移圖案， 例如灰化或氧化蝕刻、 在步驟410中，如第4E圖所示，接著將圖案轉移到基 板中。使用圖案轉移層456當作蝕刻罩幕，使通孔46〇 • 延伸入蝕刻層454内。碳層已由上述製程移除。 在步驟412中，以實質雷同上述方式來形成共形層於 基板450上.。第4F..圖繪示已形成共形層462的.基板450。 共形層462縮減通孔460寬度而構成CD縮減通孔464。 在此貫施例.令共形層最好與餘刻層454相容，如此在 進行間隙填充之前’不需先從通孔460中移除共形層。 故共形層可為相容介電質，例如氧化物或氮化物材料， 且可以本文中所述方法沉積而得。 在步驟414中’利用方向性或非等向性蝕刻來移除部 28 201007832 分共形層462。第4G圖繪示所產生的結構，其中在cD 縮減通孔464底部處的共形層462已被移除，但仍.留下 側壁上的共形層以維持縮減寬度。 在一些實施例中，圖案轉移層為金屬層或金屬氮化物 層。金屬層或金屬氮化物層常做為需要極精確對準蝕刻 特徵結構的鑲嵌整合製程中的蝕刻罩幕◎在此實施例 中，可利用本文中所述包含氧化物或氮化物的共形層來 縮減CD。金屬硬光罩經蝕刻而形成圖案，如上所述，形 成共形氧化物或氮化物層於其上，以及移除覆蓋在圖案 凹部之底部處的部分，並且完成縮減CD的蝕刻製程。 接著在與移除硬光罩層相同或不同的階段中移除共形 層’隨後進行間隙填充。 本發明之一些實施例提出圖案化基板上之介電質的方 法。第5A圖為根據本發b月另一實施例之方法5〇〇的流程 圖。第5B〜5H圖為在第5A圖方法之不同階段時的基板 示意圖。在步驟5 02中，將待钱刻之基板放到處理腔室 内並且沉積内含圖案的圖案轉移層至基板上。達成此步 驟的方式如上所述般可沉積光阻層、圖案化及將圖案轉 移到圖案轉移層。第5B圖繪示處於此製程階段中的基板 550，其具有底層552、將被飯刻的介電層554，以及形 成有圖案凹部558的圖案轉移層556。 在步驟504中，形成共形層於基板上。可以任何本文 中所述方法來形成共形層，且其組成類似上述共形層。 共形層形成的厚度可加以選擇，用以縮減圖案凹部558 29 201007832 的寬度。第5C圖繪示基板5 50具有共形層5 60形成其上 而產生第一 CD縮減圖案凹部562。 在步驟506中，移除位在CD縮減圖案凹部之底部處 的共形層。第5D圖繪示已移除在CD縮減圖案凹部562 底部處之共形層560後的基板550。如上所述，可使用 任何非等向性手段移除共形層，例如在偏壓下進行反應 或非反應性離子蝕刻而露出底下的介電層554以供進行 蝕刻之用。

W 在步驟508中，利用已知的蝕刻製程將CD縮減圖案 轉移到介電層中。第5E圖繪示CD縮減圊案凹部562伸 入介電層554内的基板。接著在步驟51〇中，如第5F圖 所示’移除圖案轉移層556和共形層560，而留下已圖 案化的介電層554。形成在介電層554中的CD縮減圖案 凹部562可為細窄凹部。 在步驟512中，形成第二共形層於基板上，以進一步 春縮減CD。如上所述且如第5(3圖所示，第二共形層564 覆蓋住介電層554的場區和CD縮減圖案凹部562的側 壁與底部。CD因共形層的厚度而進一步縮減，而產生 CD縮減通孔56^如上所述，在蝕刻後用來縮減cD 的共形層較佳是由與介電層554相容的材料所組成並 可為具有低介電常數的氧化物或氮化物層。 在步驟514中’如第5H圖所示，移除在CD縮減通孔 566底部處的第二共形層564。如第3a〜3d圖所述，在 儿成的兀件中，沉積在CD縮減通孔566側壁上的第二 30 201007832 共形層將保留住部分的介電層5 54 ^由於第二共形層564 與介電層5 54相容’因此其具有大體上適合讓元件適當 運作的電性。因此’在钱刻之前和之後均可形成共形層 來縮減CD 〇 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，任何熟習此技 藝者，在不脫離本發明之基本範圍内，當可作出其他或 進一步的實施例’因此本發明之保護範圍當視後附申請 專利範圍所界定者為準。 ❹ 【圖式簡單說明】 為更詳細了解本發明之上述特徵，可參閱數個實施例 對本發明做更具體說明，部分實施例繪示於附圖中。須 注意的是，所附圖式揭露的僅是本發明的代表性實施 例，但其並非用以限定本發明之精神與範圍，本發明可 能具有其他等效實施例。 ♦ 第1A圖為根據本發明一實施例的製程流程圖々 第1B〜1F圖為第1A圖製程之不同階段的基板示意圖。 第2A圖為根據本發明另一實施例的製程流程圖。 第2B-2H圖為第2A圖製程之不同階段的基板示意圖。 第.3 A圖為根據本發明又一實施例的製程流程圖。 第3B〜3D圖為第3A圖製程之不同階段的基板示意圖。 第4A圖為根據本發明再一實施例的製程流程圖。 第4B〜4G圖為第4A圖製程之不同階段的基板示意圖。 31 201007832 第5A圖為根據本發明另一實施例的製程流程圖。 第5B〜5H圖為第5 A圖製程之不同階段的基板示意圖。 為助於了解，盡可能地使用相同的元件符號代表各圖 中相同的元件。應理解某一實施例揭露的元件當可有利 地應用於其他實施例中，在此不另外詳述。 【主要元件符號說明】

驟 100 方法 102 > 104 ' 106 ' 108 步騨 150 基板 152 層 154 圖案轉移層 156 開口 /凹部 158 共形層 160 底部 162 通孔 200 方法 202 ' 204 ' 206 ' 208 ' 210、212、 214、216、218 250 基板 252 底層 254 元件 256 保護層 25 8 介電層 260 圖案轉移層 262 光阻層 264 開口 266 開口 /凹部 268 共形層 270 凹部 300 方法 3 02 ' 304 ' 306 步稱 t 350 基板 3 52 下層 354 介電層 步 32 201007832 356 ' 360 通孔 358 共形層 400 方法 402 ' 404 ' 406 、 408、 410 、412 、414 步驟 450 基板 452 底層 454 餘刻層 456 圖案轉移層 458 光阻 460、 464 通孔 462 共形層 500 方法 502 步驟 504 ' 506 ' 508 、 510、 512 、514 步驟 550 基板 552 底層 554 介電層 556 圖案轉移層 558 ' 562 凹部 560 ' 564 共形層 566 通孔 φ 33

Claims (1)

1. 201007832 七、申請專利範圍： 1. 一種縮減一凹部之關鍵尺寸的方法，該凹部形成在一 具有一場區的基板中並且具有多個側壁和一底部，該方 法包含： 塗覆一共形層至該場區、該些側壁和該底部上； 利用一方向性蝕刻製程移除在該底部處的該共形層 而露出該基板； 蝕刻在該底部處露出的該基板；以及 攀 利用一溼蝕刻製程移除該共形層。 2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該共形層為 一阻障層。 3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該凹部是藉 由圖案化該基板的一圖案轉移層而形成^ 4. 如申請專利範圍第丨項所述之方法，其中該共形層為 .一.含氣阻障層。 5. 如申請專利範圍第i項所述之方法，其中該方向㈣ 刻製程還移除在該場區處的該共形層。 6. 如申請專利範圍第丨項所述之方法， 忒再中該共形層為 34 201007832 氮化物層。 7·如申請專利範圍第i項所述之方法，其中該共形層是 以一電漿增強化學氣相沉積（PEC VD)製程沉積而得。 8. 如中4專利範圍第1;)^所述之方法其中該共形層包 含的元素是選自於由硼、矽、氮、氧和其組合物所組成 的群組中。 9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該共形層 包含一材料’該材料在接觸到選擇用來蝕刻該基板的蝕 刻劑時具有低餘刻速度。 1 〇.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中利用一溼 钱刻製程移除該共形層的步驟包含使該共形層接觸一水 _ 溶液。 U.如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該基板包 含一介電層和一圖案轉移層。 12. 如申請專利範圍第1丨項所述之方法，其中該凹部是 藉由將一圖案從該圖案轉移層轉移到該介電層而形成。 13. 如申請專利範圍第I〗所述之方法，更包含移除該圖 35 201007832 案轉移層。 14. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該方向性 餘刻製程包含由一蝕刻氣體形成一電漿，以及施加一電 偏壓於該基板。 15. —種於一基板之一場區中形成一通孔的方法諛方 法包含： 將形成於該基板一表面上的一膜層圖案化，以形成 具多個側壁和一底部的一凹部； 藉由塗覆一共形膜至該膜層上而縮減該凹部的寬 度； 移除該凹部之該底部處的該共形膜而露出一部分的 該基板’以形成一關鍵尺寸縮減區域；以及 餘刻該關鍵尺寸縮減區域而形成該通孔。 A如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該膜層為 —無定形碳層。 A如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該共形膜 為一含氮膜。 卞如申請專利範圍第15項所述之方法，其中移除該共 形膜的步驟包含使該共形膜接觸一蝕刻氣體的電漿以及 36 201007832 施加一電偏壓於該基板 19. 如申請專利範圍第15項所述之方法，i 形膜更包含使該共形膜暴露於，、巾移除該共 座蝕刻製程。 20. 如申請專利範圍第19項所述之 _ 膜暴露於該溼蝕刻製程的步驟包含使’:中使該共形 溶液。 。共形膜接觸一水 21. 如申請專利範圍第20項所述 包含氧化溶液。 U，其中該水溶液 22. 含： 一種圖案化一基板上之一 介電層的方法 該方法包 上； 及將圖案姓刻入該圖 ’以形成具有一底部 形成一圖案轉移層至該介電層 m 塗覆一光阻、圖案化該光阻以 案轉移層中而圖案化該圖案轉移層 的一凹部； 十貝一乐一共形層 層； 移除該凹部之該底部的該第 JU 形層而露出該 飯刻該介電層的露出部分而形成一狹窄凹部 移除該圖案轉移層和該第一共形層； 沉積一第二共形層至該基板上；以及 37 201007832 移除該狹窄凹部之底部的該第二共形層。 23.如申請專利範圍第22項所述之方法，其中該第一共 形層為一含氮層。 24·如申請專利範圍第23項所述之方法，其中該第二共 形層為一含氧層。

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