TW201007516A - Touch screen and method for positioning coordinate - Google Patents

Description

201007516 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種觸控技術，且特別是有關於一種 一種觸控螢幕以及一種座標定位方法。 ( 【先前技術】 " 近年來，由於科技的發展快速，手持式裝置，例如智 慧型手機、數位個人助理（Personal Digital Assistant， 0 PDA)、衛星 導航系統（Global Position System，GPS)等 等，也跟著越來越普及。由於上述裝置都是使用觸控螢 幕’因此觸控式傳感器之技術變的十分重要。在傳統的技 術中，觸控式傳感器一般是使用電阻式傳感器。此種電阻 式傳感器必須要靠壓力來感測指標在螢幕上的座標。由於 目前此種手持式裝置通常是使用液晶螢幕，而電阻式傳感 器又必須與液晶螢幕重疊。因此當壓迫到電阻式傳感器 時，相對的也就壓迫到了液晶螢幕。長久下去，液晶螢幕 fi 可能會因此損毀。另外，電阻式傳感器之解析度較低，常 1 常會有座標定位不準確的情況發生。 « 在習知技術中，還有一種觸控式傳感器，就是電容式 觸控板。電谷式觸控板在目前被廣泛的應用在到手持式裝 置的觸控螢幕中。然而，傳統的電容式觸控板在觸控版電 路佈局上，必須要使用四層佈局。第1圖是傳統電容式觸 控板的結構剖面圖。請參考第1圖，此電容式觸控板包括 Y軸感應層101、x轴感應層102、接地層103以及電子 零組件層1 04 ’其中，電子零組件層1 04是用以配置電子 6 201007516 元件的放置與連接處（包含控制ic、電阻、電容等等元 件）°第2圖與第3圖分別繪示γ軸感應層ι〇1以及X轴 感應層102的結構。請參考第2圖以及第3圖，γ轴感應 層101及X軸感應層102分別包括多個平行的感應電極 X00 以及 Y00。 ' 另外’傳統的電容式觸控板還有另一種結構，是採用 ' 六層式的銦錫氧化物（Indium Tin Oxide, ITO )玻璃結構。 第4圊是傳統銦錫氧化物玻璃結構的電容式觸控板的結 © 構剖面圖。請參考第4圖，其第一層401為二氧化石夕（si〇2 ) 層，用來保護Y軸感應層；其第二層4〇2為γ轴感應層； 其第二層403為玻璃層；其第四層404為；X軸感應層；其 第五層405為二氧化矽層，用來保護χ軸感應層；第六層 4〇6為雜訊遮蔽（Shielding)層，用來隔離雜訊。 然而，傳統的電容式觸控板為了應用在二維平面的感 應，需將印刷電路板或銦錫氧化物玻璃結構佈線成二維的 平面，因此，使得製作程序複雜化。相對的，成本的要求 $ 也相對的較高。

I 1 【發明内容】 有鑑於此，本發明之一目的就是在提供一種座標定位 方法以及使用其之觸控勞幕，其主要是利用一維的感應方 j進而得到二維平面座標，不但提高感應的解析度，也進 —步降低了印刷電路板或銦錫氧化物（IT〇)玻璃的製 成本。 本發明之另一目的就是在提供一種觸控螢幕的座標 7 201007516 校準方法，用以使電容式傳感器的座標轉換為顯示面板的 座標。 為達上述或其他目的’本發明提出一種觸控螢幕，此 觸控螢幕包括一感應陣列層以及一微處理器。感應陣列層 - 包括MxN個電容式傳感器，其中，沿著第一軸方向，配 , 置厘列電容式傳感器，沿著第二軸方向，配置N行電容 ' 式傳感器。微處理器包括多個接腳，對應的耦接上述電容 式傳感器。當觸控螢幕被觸碰，導致感應陣列層中的電容 ®式傳感器的至少一感測值產生變化時，微處理器利用上述 電容式傳感器所感測到的感測值，進行内插計算，以決定 一被觸碰的座標。 另外，本發明提出一種座標定位方法。此方法包括下 列步驟：提供一觸控螢幕；在上述觸控螢幕中，提供一感 應陣列層，#包括MxN個電容式傳感器，其中，沿著第 一轴方向，配置M列電容式傳感器，沿著第二軸方向， 配置N行電容式傳感器；提供上述電容式傳感器對應的多 •個參考座標，每—參考座標包括第一轴座標以及第二轴座 標’ W上述觸控螢幕被觸碰，導致感應陣列層中的電容式 '傳感器的至少一感測值產生變化時，利用上述電容式傳感 器所感測到的感測值，以及其對應之參考座標的第-軸座 標與第二軸座標，進行一内插計算，以決定一被觸碰的座 標。 根據本發明較佳實施例所述之觸控螢幕，上述觸控螢 幕還I括電子元件層以及一接地層，其中接地層配置於 感應陣列層以及電子元件層之間。在另一實施例中，上述 8 201007516 觸控螢幕還包括一第—备外访a 弟氧化矽層以及一第二氧化矽層， 中，感應陣列層配罟# & « .. 、 置於第一氧化石夕層以及第二氧化石夕層之 間0 本發明的精神是利用在一觸控面板中，配置一感應陣 -列層其令，此感應陣列層配置了 ΜχΝ個電容式傳感；， 其中，石著第一軸方向，配置M列電容式傳感器，沿著 '第二軸方向’配SN行電容式傳感器，並且每—個電容式 傳感器都麵接到-微處理器。因此，只要觸控面板被碰觸 ❹時’對應的位置之電容式傳感器的感測值會產生變化，經 由-十算便可以传知所觸碰的位置。由於此結構與傳統觸控 面板的明顯不同，本發明只需要一層感應層便可以做到原 先傳統需要兩層感應層才能進行的座標定位。不但提高感 應的解析度’也進-步降低了先前技術中，印刷電路板或 銦錫氧化物（ITO )破璃的製作成本。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易® ’下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳细說 g 明如下。 ” β 【實施方式】 第5圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢幕 之結構圖。請參考第5S，此電容式觸控螢幕包括一感應 陣列層5〇1以及-微處理器5〇2。在此實施例中，此感應 陣列層5(H包括12個電容式傳感器C5〇,配置成Μ的 陣列。每-個電容式傳感器C5〇皆 且每-個電容式傳感器C50分別具有一代丄=〇, 9 201007516 〇 )〜（4，3 ) 〇 當人體的手指或是任何帶有導電性質的材料未接觸 到電容式觸控螢幕時，上述的電容式傳感器C5〇的電容值 不會有任何變化，因此，微處理器5〇2所接收的每一個電 容感應值不會有變動。一般來說，微處理器5〇2對應於每 一個電容式傳感器C50會提供一初始值（BaseValue)，'I 般來說是0。當手指或是任何帶有導電性質的材料接觸到 本實施例的電容式觸控螢幕時，被接觸到的部分之電容式 傳感器C50或是其鄰近的電容式傳感器C5〇所對應的電 谷感應值（ADCValue )將產生變化。而微處理器502會 進行以下判斷： (ADCValue - BaseValue) > Th ’其中’ Th表示門檻値。 當判斷出上述數值大於上述門檻值時，微處理器502 疋此時有手指或是任何帶有導電性質的材料接觸到電 容式傳感器C50。 Λ 第6圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢幕 之列斷 Y A, %入軸方向的座標之方法示意圖。請參考第6圖，在 2實施例中’當要判斷X軸座標時，微處理器502會根據 ^】嗔序’對電容式傳感器C50所對應的電容感應值進行 婦描： 〇, 〇)〜（1，0) — ( 2, 0) )〜（2，1) — (3，1) ·.·. (3,0) -» (〇，1)— —(4, 3) 〇 胃#剛到有兩鄰近的電容式傳感器C50所對應的電 落感i Μ推 •、谓皆大於門檻值時，便會進行内插計算，以得到觸 201007516 碰物（例如導體或手指）所觸碰的座標。此内插計算如下： X_position= 其中，的x座標；i與i+i分別 4 是鄰近的電容式傳感器C50之X座標；K為第i個X座 ' 標所偵測到的電容感應值；L為第i + Ι個X座標所偵測到 的電容感應值；S是兩個X座標之間的座標間隔數。 〇 舉例來說，假設此電容式觸控螢幕的每一個電容式傳 感器C50的X作座標之座標間隔數内建是32。當手指碰 觸到座標為（1，0)以及（2，〇)的電容式傳感器C50之 間時，座標為（1，0 )的電容式傳感器C50所偵測到的電 容感應值是70,而座標為（2, 〇)的電容式傳感器C50所 偵測到的電容感應值是8〇，則X座標即： (70χ1+80χ2)χ32+(70+80)=49·067与 49 。 同樣的道理’第7圖是根據本發明實施例所繪示的電 Φ 容式觸控螢幕之判斷Υ軸方向的座標之方法示意圖。請參 ' 考第7圖，在本實施例中，當要判斷Υ軸座標時，微處理 ' 器502會根據以下順序，對電容式傳感器C50所對應的電 容感應值進行掃描： (0, 〇) — ( 0, 1 ) — ( 0, 2) — ( 1，〇) — ( i，i — (l 2) — ( 2, ο) — ( 2, D ( 4, 3)。 當偵測到有兩鄰近的電容式傳感器C50所對應的電 谷感應值皆大於門檻值時，便會進行内插計算，以得到觸 碰物（例如導體或手指）所觸碰的座標。此内插計算如下： 201007516 Y—position: ^ χ j + ^x(j + 1)

— K+L xS 其中，Y_P〇Siti〇n為判斷出的γ座標；』與j + 1分別 _ 是鄰近的電容式傳感器C50之γ座標；K為第」個¥座 標所彳貞測到的電容感應值；L為第】+ 1個Υ座標所偵測到 、 的電容感應值；s是兩個座標之間的座標間隔數。 舉例來說，假設此電容式觸控螢幕的每一個電容式傳 e感器C5〇的γ座標之座標間隔數内建是40。當手指碰觸 到座標為（1，1 )以及（1，2 )的電容式傳感器c 5 0之間 時，座標為（1，1 )的電容式傳感器C5〇所偵測到的電容 感應值是90，而座標為（丨，2)的電容式傳感器C5〇所偵 測到的電容感應值是15 0，則γ座標即： Y_position=(9〇x 1 + 1 5〇χ2)Μ0+(90+1 50)=65。 接下來，第8圖是根據本發明實施例所繪示的電容式 觸控螢幕之座標配置。第9圖是根據本發明實施例所繪示 (〇的電容式觸控螢幕之另一座標配置。請同時參考第8圖以 '及第9圖，第8圖是上述實施例中的標準座標配置；第9 '圖是另一種形式的標準座標配置。一般來說，根據客戶的 需求或者韌體的編碼之不同，座標配置可以如上述的變 化。若是以第9圖的座標配置，若要改變為第8圖的座標 配置，必須進行一座標轉換計算，其中，此座標轉換計算 可由微處理器502進行。 在說明此座標轉換計算之前，先做以下假設。假設第 9圖的X座標與γ座標的代號分別為X—p〇siti〇n以及 12 201007516 Y一position;第8圖的X座標與γ座標的代號分別為χ〇 以及Yo ; m與η分別表示電容式傳感器C5〇的行數與列 數。則 、 X _ position ~ Xo-l· n^Yo Υ__position -m^Xo + Yo 將上述聯立方程式以矩陣方式表示： —X _ position '1 η 'Xo Y _ position _m 1 Yo

因此，可經由反矩陣運算，進而得到映射至二維座標 (Xo, Yo)： 'Xo 1 n -1 X _ position _ 1 ' 1 -«Ί X _positiori Yo m 1 Y position (1 一 w*w) -m 1 Y _ position 一position + nposition (m * π) -1 > *

Yn_m*X_ position -Y_ position 第10圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢 幕之結構圖。請參考第10圖，上述舉例雖使用12個電容 式傳感器C 5 0的觸控螢幕做舉例，但是本領域具有通常知 識者應當知道’電容式傳感器C50的數目越多，解析度越 高’擷取與計算座標的位置越準確。另外，第u圖是根 13 201007516 據本發明實施例所繪示的多個手指或導電性質的材料接 觸之感測方式示意圖。請參考第1 1圖，在此實施例中， 我們定義使用者的單根手指接觸到的電容感應器數目為4 個鄰近的電容式傳感器C50做為一個群組。經由上述流 _ 程，可以藉由手指或是任何帶有導電性質的材料從任意/兩 個電容感測器之間移動，得到内插位移點。 ’ 由上述幾個實施例可以看出，本發明僅需要一個感應 陣列層便可以做到先前技術中，需要兩個感應層才可以做 ®得到的二維座標定位。第12圖是根據本發明實施例所繪 示的電容式觸控螢幕之結構剖面圖。請參考第12圖，若 以本發明之方式實施於印刷電路板之觸控螢幕製程時，僅 需要3層結構。第i層1201是本發明實施例的感應陣列 層；第2層1202是接地層；第3層12〇3是電子零組件層。 同樣的道理，若以本發明之方式實施於銦錫氧化物（ιτ〇) 之觸控螢幕製程，亦僅需要3層結構。第1層ΐ2〇1是二 氧化石夕層；第2層12〇2是本發明實施例的感應陣列層； _第3層1203是玻離層；以及第四層12〇4為雜訊遮蔽 (Shielding )層。 上述實施例，可以簡單歸納成一個座標定位方法。第 13圖是根據本發明實施例所繪示的座標定位方法之流程 圖。請參考第13圖，此方法包括下列步驟： 步驟S1300 :開始。 步驟S1301 :提供—觸控螢幕。 步驟S1302:在上述觸控螢幕中，提供一感應陣列層， 其包括MXN個電容式傳感器，其中，沿著第一軸方向， 201007516 配置Μ列電容式傳感器，沿著第二轴方向，配置N行電 容式傳感器。 步驟S1 303:提供上述電容式傳感器對應的多個參考 座標，每一參考座標包括第一軸座標以及第二軸座標。例 如上述第8圖或第9圖的座標系統。 步驟S 1 304 ··判斷當觸控螢幕是否被觸碰。此步驟可 利用微處理器502偵測電容式傳感器C50的電容感應值是 否大於門檻值來判定。當判定為否時，回到步驟S丨3〇4， Q 持續做判定。 步驟S1305:當觸控螢幕被觸碰，導致該感應陣列層 中的該些電容式傳感器的至少一感測值產生變化時，利用 上述電容式傳感器所感測到的感測值，以及其對應之參考 =標的第一轴座標與第二軸座標，進行一内插計算，以決 定被觸碰的座標。内插計算的部分已經於上述實施例中詳 加敘述，故在此不予贅述。 步驟S1306 :結束。 ,# 第14圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢 ' 2之佈線阻抗示意圖。請參考第14圖，在第14圖上的每 個點Φ左到右依序分別表示第一列的4個電容式傳感 50所叙接的感應線的的佈線電阻、第二列的4個電容 感器C 5 0所耦接的感應線的的佈線電阻以及第三列 2個電谷式傳感器C5〇所輕接的感應線的的佈線電阻。 利姐發月的實施例中’所提出的利用一維電容式傳感器陣 展為一維平面的帛構’因此每個電容式傳《器⑽ 有對應的條感應線以耦接到微處理器502，當電 15 201007516 容式傳感器C50離微處理器5〇2愈遠的話，對應的感應線 的佈線電阻也愈大，使得微處理器5〇2所感測到的感應值 也愈小，而電容式傳感器C50若離微處理器5〇2的愈近， 對應的感應線的所產生的佈線電組也愈小，使得微處理器 5 0 2所得到的感應值也愈大。 接下來，請參考第15圖，第15圖是根據本發明實施 ' 例所繪示的電容式觸控螢幕上的電容式傳感器C50在相 同狀態下所感應到的感應值示意圖。如第15圖所示，在 碜此種佈線電阻長度分布不平均的情況下，將會得到分布不 平均的感應值。為了得到良好的判定效果，以判定是否有 手指或導體置放或接近感應平面，本發明另外提出了二個 實現方式： (1) 以列為單位，對每一列的電容式傳感器C50所感 應到的感應值去進行增益上的調整；舉例來說，若是第I 列的電合式傳感器c 5 0所麵接的感應線的佈線電組小於 第列1+1的電容式傳感器C5〇所耦接的感應線的佈線電 阻，則第I列的感應值會大於第1+1列的感應值。因此， 1 在設計上，微處理器5〇2可以將第1+1列的增益大於第工 : 列的增益，使得每一個電容式傳感器C50所對應的增益值 依照佈線電阻的不同，給予適當的增益，以達到在相同碰 觸情況下，讓每一個電容式傳感器C5〇所感應到的感應值 皆相近。 (2) 以列為單位，對每一列的電容式傳感器C5〇所感 應到的感應值到達的門檻值進行調整；在先前的文章己提 到，當手指放在感應區上，微處理器5〇2會得到一感應值 16 201007516 (ADCVaule) ’ 故當（ADCValue - BaseValue) > 門檻 值（Threshold )時，會判定此時有手指在感應區上。因此， 為了克服佈線電阻，在設計上，微處理器5〇2可以以列為 單位’對每一列的電容式傳感器C50所對應的門檻值 (Threshold )去做調整。舉例來說，若是第j列的電容式 傳感器C50所對應的佈線電阻小於第I+1列的電容式傳感 ' 器C50所對應的佈線電阻，則第I列的電容式傳感器C50 所對應的感應值會大於第列1+1的電容式傳感器C50所對 〇 應的感應值。因此，適當的設計微控制器502内建的第1+1 列的門檻值（Threshold 1+1 )使其小於第I列的門檻值 (Threshold I)，使得每一個電容式傳感器cso所對應的增 益值依照佈線電阻的不同，給予適當的門播值，以達到讓 每一列皆能正確地判定手指或導體接觸或接近電容式傳 感器C50與否。 綜上所述’本發明的精神在於利用在一觸控面板中， 配置一感應陣列層’其中’此感應陣列層配置了 mxn個 參電谷式傳感器，其中，沿著第一轴方向，配置μ列電容 ' 式傳感器，沿著第二軸方向，配置Ν行電容式傳感器，並 ’ 且每一個電容式傳感器都耦接到一微處理器。因此，只要 觸控面板被碰觸時，對應的位置之電容式傳感器的感測值 會產生變化’經由§十算便可以得知所觸碰的位置。由於此 結構與傳統觸控面板的明顯不同，本發明只需要一層感應 層便可以做到原先傳統需要兩層感應層才能進行的座標 疋位。不但提高感應的解析度，也進一步降低了先前技術 中’印刷電路板或銦錫氧化物（ΙΤΟ)玻璃的製作成本。 17 201007516 在較佳實施例之詳細缔0a + ，說月中所提出之具體實施例僅 ::方便說明本發明之技術内容，而非將本發明狹義地限 範園上ί實施例’在不超出本發明之精神及以下_請專利 圍之情況’所做之種種變化實施，皆屬於本發明之範 ^因此本發明之保護範圍當視後附之中請專利範圍所界 疋者為准。

1S 201007516 【圖式簡單說明】 第1圖是傳統電容式觸控板的結構剖面圖。 第2圖續'示傳統電容式觸控板的Y軸感應層101的結 構。 第3圖繪示傳統電容式觸控板的X軸感應層102的結 構。 第4圖是傳統銦錫氧化物玻璃結構的電容式觸控板的 結構剖面圖。 〇 第5圖是根據本發明實施例所繪示的觸控螢幕之電路 結構圖。 第6圖疋根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢幕 之判斷X軸方向的座標之方法示意圖。 第7圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢幕 之判斷Y軸方向的座標之方法示意圖。 第8圖疋根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢幕 之座標配置》 ，參 第9圖是根據本發明實施例所緣示的電容式觸控螢幕 之另一座標配置。 : 第1〇圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸_蒂

幕之結構圖。 I 第11圖是根據本發明實施例所繪示的多個手 電性質的材料接觸之感測方式示意圖。 3 第12圖是根據本發明實施例所繪示的電容 幕之結構剖面圖。 式觸控螢 第13圖是根據本發明實施例所繪示的座標定位方法 19 201007516 之流程圖。 第14圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢 幕之佈線阻抗示意圖。 第15圖是根據本發明實施例所繪示的電容式觸控螢 - 幕上的電容式傳感器C50在相同狀態下所感應到的感應 值示意圖。 【主要元件符號說明】 β 101、402 : γ軸感應層 102、405 : X軸感應層 103 :接地層 104 :電子零組件層 Χ00、Υ00 :感應電極 401、404 :二氧化矽 403 :玻璃層 501 :感應陣列層 φ 502 :微處理器 C50 :電容式傳感器 1201 :本發明實施例的觸控螢幕之第J層 1202:本發明實施例的觸控螢幕之第2層 1203:本發明實施例的觸控螢幕之第3層 S1300〜S1306:本發明實施例的步驟 20

Claims (1)

1. 201007516 十、申請專利範圍： 1. 一種觸控螢幕，包括： 一感應陣列層，包括ΜχΝ個電容式傳感器，其中，沿著第一 軸方向，配置Μ列電容式傳感器，沿著第二軸方向，配 _ 置>^行電容式傳感器；以及 一微處理器，包括多個接腳，對應的耦接該些電容式傳感器， '當該觸控螢幕被觸碰，導致該感應陣列層中的該些電容式 傳感器的至少一感測值產生變化時，該微處理器利用上述 〇 電容式傳感器所感測到的感測值，進行内插計算，以決定 被觸碰的座標。 2.如申請專利範圍第1項所記載之觸控螢幕，更包括： 一電子元件層；以及 一接地層，配置於該感應陣列層以及該電子元件層之間。 3.如申請專利範圍第1項所記載之觸控螢幕，更包括：

   一第一氧化矽層；以及 一第二氧化矽層，其中， 該感應陣列層配置於該第一氧化矽層以及該第二氧化矽層之 間。 4-如申請專利範圍第1項所記載之觸控螢幕，其中，第i列、第 j行的電容式傳感器的座標表示為（i，j)。 5.如申請專利範圍第4項所記載之觸控螢幕，其中，當該觸控螢 21 201007516 幕被觸碰，導致該感應陣列層中的第i行、第j列的電容式傳 感器的感測值以及第i+l行、第j列的電容式傳感器的感測值 產生變化時： 該微處理器擷取該第i行、第j列的電容式傳感器的感測值， 以及該第i+l行、第j列的電容式傳感器的感測值，並進 行以下内插計算，以得到該被觸碰的座標之第一軸座標： I 第一軸座標=X s K + L 其中，Κ表示為該第i行、第j列的電容式傳感器的感測值，L 表示為該第i+l行、第j列的電容式傳感器的感測值，S 表示每一該些電容式傳感器之間的間隔座標數。 6.如申請專利範圍第4項所記載之觸控螢幕，其中，當該觸控螢 幕被觸碰，導致該感應陣列層中的第i行、第j列的電容式傳 感器的感測值以及第i行、第j+Ι列的電容式傳感器的感測值 產生變化時：

   該微處理器擷取該第i行、第j列的電容式傳感器的感測值， 以及該第i行、第j+Ι列的電容式傳感器的感測值，並進 行以下内插計算，以得到該被觸碰的座標之第二軸座標： 第二軸座標=x s K + L 其中，K表示為該第i行、第j列的電容式傳感器的感測值，L 表示為該第i+l行、第j列的電容式傳感器的感測值，S 22 201007516 表示每一該些電容式傳感器之間的間隔座標數。 7.如申請專利範圍第1項所記載之觸控螢幕，其中，第i行、第 j列的電容式傳感器的座標（X, y)表示為（i+Nxj，Mxi+j )。 8.如申請專利範圍第7項所記載之觸控螢幕，其中，該微處理器 還進行一座標轉換計算，該座標轉換計算如下：

   x0= -x + Nxy MxN-l y0= M xx-y MxN-l 其中，（X〇，yO)為轉換後的電容式傳感器的座標。 9.如申請專利範圍第1項所記載之觸控螢幕，更包括： ΜχΝ個感應線，每一個感應線分別用以電性連接上述ΜχΝ個 電容式傳感器以及該微處理器，

   其中，該微處理器根據每一該些感應線的佈線電阻，給予上述 ΜχΝ個電容式傳感器對應的ΜχΝ個增益。 10.如申請專利範圍第1項所記載之觸控螢幕，更包括： ΜχΝ個感應線，每一個感應線分別用以電性連接上述ΜχΝ個 電容式傳感器以及該微處理器， 其中，該微處理器根據每一該些感應線的佈線電阻，給予上述 ΜχΝ個電容式傳感器對應的ΜχΝ個門檻值，其中，該微 23 201007516 處理器根據第（I，j)電容式傳感器的感測值是否大於第（i, J)電容式傳感器的門檻值以判定第（I，J)電容式傳感器 是否被觸碰。 11.如申請專利範圍第1項所記載之觸控螢幕，更包括： Μ X N個感應線，每一個感應線分別用以電性連接上述Μ X N個 電容式傳感器以及該微處理器， 其中，該微處理器根據每一該些感應線的佈線電阻，給予上述 ΜχΝ個電容式傳感器對應的ΜχΝ個門檻值，其中，該微 處理器根據第（I, J)電容式傳感器的感測值減第（I, J) 電容式傳感器的基礎值是否大於第（I,J)電容式傳感器的 門檻值以判定第（I，J)電容式傳感器是否被觸碰。 12. —種座標定位方法，包括： 提供一觸控螢幕；

   在該觸控螢幕中，提供一感應陣列層，其包括MxN個電容式 傳感器，其中，沿著第一軸方向，配置Μ列電容式傳感 器，沿著第二軸方向，配置Ν行電容式傳感器； 提供該些電容式傳感器對應的多個參考座標，每一參考座標包 括第一軸座標以及第二軸座標； 當該觸控螢幕被觸碰，導致該感應陣列層中的該些電容式傳感 器的至少一感測值產生變化時，利用上述電容式傳感器所 感測到的感測值，以及其對應之參考座標的第一軸座標與 第二軸座標，進行一内插計算，以決定被觸碰的座標。 24 201007516 13.如申請專利範圍第12項所記載之座標定位方法，其中，第i 列、第j行的電容式傳感器的座標表示為（i，j)。 14.如申請專利範圍第13項所記載之座標定位方法，其中，當該 觸控螢幕被觸碰，導致該感應陣列層中的第i行、第j列的電 容式傳感器的感測值以及第i+Ι行、第j列的電容式傳感器的 感測值產生變化時： 擷取該第i行、第j列的電容式傳感器的感測值，以及該第i+1 行、第j列的電容式傳感器的感測值，並進行以下内插計 算，以得到該被觸碰的座標之第一軸座標： 第一軸座標= ΛΓχ/ + Ζχ(/ + 1) 0 -X 〇 K + L 其中，Κ表示為該第i行、第j列的電容式傳感器的感測值，L 表示為該第i+Ι行、第j列的電容式傳感器的感測值，S 表示每一該些電容式傳感器之間的間隔座標數。

   15.如申請專利範圍第13項所記載之座標定位方法，其中，當該 觸控螢幕被觸碰，導致該感應陣列層中的第i行、第j列的電 容式傳感器的感測值以及第i行、第j+Ι列的電容式傳感器的 感測值產生變化時： 擷取該第i行、第j列的電容式傳感器的感測值以及該第i行、 第j+Ι列的電容式傳感器的感測值，並進行以下内插計 算，以得到該被觸碰的座標之第二軸座標： 25 201007516 第二軸座標=夂W + kG + UxS K + L 其中，K表示為該第i行、第j列的電容式傳感器的感測值，L 表示為該第i+Ι行、第j列的電容式傳感器的感測值，S 表示每一該些電容式傳感器之間的間隔座標數。 _ 16.如申請專利範圍第12項所記載之座標定位方法，其中，第i 行、第j列的電容式傳感器的座標（X, y)表示為（i+Nxj, ❹ Mxi+j)。 17.如申請專利範圍第16項所記載之座標定位方法，更包括下列 步驟： 進行一座標轉換計算，該座標轉換計算如下： x0= -x + Nxy MxN-\ y0=

   Μχχ — y MxN-l 其中，（X〇,yO)為轉換後的電容式傳感器的座標。 18.如申請專利範圍第12項所記載之座標定位方法，更包括： 提供MxN個感應線，每一個感應線分別用以電性連接上述 ΜχΝ個電容式傳感器以及一微處理器；以及 根據每一該些感應線的佈線電阻，給予上述ΜχΝ個電容式傳 感器對應的ΜχΝ個增益。 26 201007516 19.如申請專利範圍第12項所記載之座標定位方法，更包括： 提供ΜχΝ個感應線，每一個感應線分別用以電性連接上述 ΜχΝ個電容式傳感器以及一微處理器； 根據每一該些感應線的佈線電阻，給予上述ΜχΝ個電容式傳 感器對應的ΜχΝ個門檻值；以及 根據第（I，J)電容式傳感器的感測值是否大於第（I,J)電容 式傳感器的門檻值以判定第（I,J)電容式傳感器是否被觸 20_如申請專利範圍第12項所記載之座標定位方法，更包括： 提供ΜχΝ個感應線，每一個感應線分別用以電性連接上述 ΜχΝ個電容式傳感器以及一微處理器； 根據每一該些感應線的佈線電阻，給予上述ΜχΝ個電容式傳 感器對應的ΜχΝ個門檻值；以及

   根據第（I，J)電容式傳感器的感測值減第（I,J)電容式傳感 器的基礎值是否大於第（I，J)電容式傳感器的門檻值以判 定第（I,J)電容式傳感器是否被觸碰。 27