TW201006956A - Coating apparatus and coating method - Google Patents

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201006956 六、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於成膜裝置以及成膜方法。 【先前技術】 爲了在晶圓上讓矽等的單結晶膜成長而製造出磊晶晶 圓，大多是使用逐片式的成膜裝置。 φ —般逐片式的成膜裝置，是具備空室（chamber)、氣 體供應手段以及晶圓加熱手段等。在空室內，設置用來保 持晶圓之基座（susceptor)，藉由馬達來使基座旋轉。在這 種成膜裝置，晶圓是以載置在基座上的狀態進行旋轉，並 藉由設置在基座的下方及上方之晶圓加熱手段進行加熱。 而且，通過氣體供應手段來供應反應氣體，而在晶圓上形 成磊晶膜。 爲了遍及晶圓全面而形成電氣特性等均一的磊晶膜， Q 必須在空室內產生均一的氣體流動。因此，是在空室的上 部設置石英製的整流板，而使氣體供應手段所供應的反應 氣體均一地供應到晶圓上。 然而，在形成厚的磊晶膜的情況，由於處理時間變 長，輻射熱會造成整流板的溫度上昇，而導致在整流板的 表面形成有膜之問題。若該膜發生剝落，會成爲異物，而 使磊晶晶圓的製造良率變低。另外，在藉由設置於空室上 方之輻射溫度計來測定晶圓溫度的情況，整流板表面所形 成的膜會對該測定造成阻害。 -5 - 201006956 日本特開2008- 1 923號公報揭示出，設有用來冷卻整 流板的冷卻裝置之成膜裝置。該冷卻裝置，是由：圓板狀 的基部、和豎設在該基部的上面之多數個冷卻用葉片所構 成。藉由使冷卻氣體沿著冷卻用葉片流過基部的表面以使 其等冷卻。 【發明內容】 在該專利文獻，是在構成整流板的構件上設置冷卻裝 置，藉由使冷卻裝置被冷卻，而讓鄰接的整流板也被冷 卻。亦即，整流板是從一側被施以間接冷卻，爲了使整流 板全體冷卻非常耗費時間。因此，在整流板的溫度顯著上 昇的情況，可能無法使整流板充分地冷卻，而無法抑制膜 的形成。 例如，爲了提昇晶圓表面的反應效率，在縮短晶圓與 整流板的距離而進行成膜的情況，整流板的溫度上昇在與 晶圓相對向的側變大。然而，在上述專利文獻，由於冷卻 裝置是安裝在整流板之與晶圓相對向的側之相反側，可能 無法充分地抑制整流板之溫度上昇。另一方面，即使是在 將冷卻裝置安裝在整流板之與晶圓相對向的側的情況，在 將晶圓加熱手段設置在晶圓上部的系統仍會發生同樣的問 題。亦即，在該系統，由於是在晶圓加熱手段和晶圓之間 配置整流板，整流板之溫度上昇，在與晶圓相對向的側之 相反側會變大。因此，和上述相同的，可能無法充分地抑 制整流板之溫度上昇。 -6- 201006956 另外，在上述文獻，冷卻裝置可由鋁所構成。因此’ 在藉由設置於空室上方的輻射溫度計來測定晶圓溫度的情 況，必須設法將冷卻裝置配置成不致對測定造成阻害。 再者，依據該成膜裝置的構造，是使冷卻氣體沿著冷 卻用葉片流過基部的表面，因此冷卻裝置的構造變得複 雜。 本發明是有鑑於上述問題點而開發完成的’本發明的 Φ 目的是爲了提供一種成膜裝置，其容易測定晶圓的溫度且 能充分地抑制整流板的溫度上昇。 此外，本發明的目的是爲了提供能以簡單的構造來抑 制整流板的溫度上昇之成膜裝置。 再者，本發明的目的是爲了提供能充分地抑制整流板 的溫度上昇之成膜方法。 本發明的成膜裝置，是對成膜室內供應反應氣體’將 載置於成膜室內的基板加熱而在基板的表面形成膜之成膜 Φ 裝置，是在相對於基板之反應氣體流動方向的上游側設置 整流板，在整流板的內部讓冷卻氣體通過。 本發明之其他態樣，是對成膜室內供應反應氣體’將 載置於成膜室內的基板加熱而在基板的表面形成膜之成膜 裝置；整流板，是設置在相對於基板之反應氣體流動方向 的上游側，且具備2片平板和連接管。2片的平板，是具 有貫通孔，且配設成互相隔著既定的間隔。連接管是用來 連接貫通孔。通過連接管的內部讓反應氣體往基板流下。 在2片的平板之間讓冷卻氣體通過。 201006956 本發明之其他態樣，是對成膜室內供應反應氣體，將 載置於成膜室內的基板加熱而在基板的表面形成膜之成膜 裝置；整流板，是設置在相對於基板之反應氣體流動方向 的上游側，且具備：設有複數個貫通孔之第1部分、沿著 第1部分的周圍設置之中空的第2部分。通過貫通孔讓反 應氣體往基板流下。在第2部分讓冷卻氣體通過。 本發明之其他態樣，是對成膜室內供應反應氣體，將 載置於成膜室內的基板加熱而在基板的表面形成膜之成膜 方法，在相對於基板之反應氣體流動方向的上游側設置整 流板。整流板具有貫通孔。在整流板的內部讓冷卻氣體流 過的狀態下，通過設置於整流板的貫通孔而讓反應氣體往 基板流下。 關於本發明的其他目的及優點，根據以下的記載即可 明白。 【實施方式】 實施形態1 第1圖係本實施形態的逐片式成膜裝置的示意截面 圖。在本實施形態，基板是使用矽晶圓101。但並不限於 此’視情況也能使用其他材料所構成的晶圓等。 成膜裝置100是具有：作爲成膜室之空室102。 在空室102的上部連接著：爲了在經加熱之矽晶圓 1〇1的表面上成膜出結晶膜而供應反應氣體之反應氣體供 應路徑（第1流路）1 03。在本實施形態，作爲反應氣體可 -8- 201006956 使用三氯矽烷，是在和作爲載體氣體之氫氣混合的狀態 下，從反應氣體供應路徑103導入空室102的內部。 在相對於矽晶圓101之反應氣體流動方向（箭頭方向） 的上游側，設置整流板104。在整流板104設有多數個第 1貫通孔l〇4a，從反應氣體供應路徑103供應的反應氣 體，是通過第1貫通孔l〇4a而往矽晶圓101流下。 另外，在整流板104也設有第2貫通孔104b，而使 0 作爲冷卻氣體之氫氣通過第2貫通孔104b。如此般，本 實施形態的特徵在於：在整流板104的內部讓冷卻氣體通 過。 第2圖係整流板104的俯視圖，第3圖係沿著第2圖 的A-A’線切斷之整流板的局部截面圖。再者，第4圖係 將第2圖的整流板沿與紙面平行的方向切斷的截面之立體 圖。如該等圖所示，整流板104係具備：從反應氣體的流 動方向的上游側朝向下游側設置之第1貫通孔l〇4a、設 〇 置在與第1貫通孔l〇4a不交叉的位置之第2貫通孔 104b。從反應氣體供應路徑103供應的反應氣體，是通過 第1貫通孔l〇4a而往矽晶圓101流下。另一方面，在第 2貫通孔104b讓冷卻氣體通過。 冷卻氣體，是由第1圖的冷卻氣體供應路徑（第2流 路）1〇5所供應，通過第2貫通孔104b而往第1排氣管（第 3流路）106排出。作爲冷卻氣體，例如可使用氫、氮或氬 等，而基於冷卻效率的觀點，較佳爲使用氫。 藉由採用在整流板104的內部讓冷卻氣體通過的構 201006956 造，可將整流板1 04直接施以冷卻。因此’能在短時間內 將整流板104冷卻。另外，由於是將整流板1〇4從內部施 以冷卻，因此不管加熱源是在整流板的哪一側都能進行高 效率的冷卻。 例如，在第1圖，是在空室102的內部設置用來從背 面加熱矽晶圓1 〇 1之第1加熱手段（中心加熱器12 0及外 周加熱器121)。另外，在空室102的外部，設置用來從 表面加熱矽晶圓101之第2加熱手段107。該等的加熱手 段，雖是用來促進矽晶圓101表面所進行的反應，但藉由 設置該等也會使整流板104的溫度上昇。然而，依據本實 施形態，是在整流板104的內部讓冷卻氣體通過，而將整 流板104從內部直接施以冷卻，因此能充分地抑制整流板 1 04之溫度上昇。 朝整流板104實施之冷卻氣體的導入，可和反應氣體 的導入同時，也能在整流板104成爲既定溫度以上時才導 入冷卻氣體。在後者的情況，由於整流板104的溫度上昇 是追隨著矽晶圓101的溫度上昇，因此也能在矽晶圓101 成爲既定溫度以上時才導入冷卻氣體。 另外，冷卻氣體的供應，雖可在反應氣體的供應結束 時一起結束，但也能在整流板1〇4(或矽晶圓101)成爲比 既定溫度更低時才結束。 冷卻氣體是讓常溫的氣體以適當的流量通過。若流量 過少，冷卻效率變差，另一方面，若流量過多，會妨害反 應氣體的排氣’造成冷卻氣體的浪費而導致成本上昇。 -10- 201006956 冷卻氣體的流量可始終維持一定，也能按照整流板 1〇4(或砂晶圓101)的溫度來改變。亦即，在整流板 1〇4(或矽晶圓101)的溫度成爲既定溫度以上的情況，能增 多冷卻氣體的流量，在比既定溫度更低的情況，能減少冷 卻氣體的流量。基於節約冷卻氣體的使用量的觀點，較佳 爲按照溫度來改變流量。 在第1圖，是在空室102的下部設置第2排氣管（第 0 4流路）丨〇8。第2排氣管108，是連接於真空栗浦（未圖 示）’而用來將空室102內的反應後的反應氣體予以排 氣。另外’從整流板1 04往第1排氣管1 06排出的冷卻氣 體’也是通過第2排氣管108而排出。亦即，第1排氣管 106內的冷卻氣體，通過開口部1〇9而進入空室1〇2內部 後’迅速地從第2排氣管1〇8往成膜裝置100的外部排 出。在此’若冷卻氣體的流量過多，可能會改變反應氣體 的流量而阻害排氣。因此，冷卻氣體的流量是控制成：有 Q 冷卻效果，但不會妨害反應氣體的排氣。 在空室102的內部，用來載置矽晶圓101之基座110 是設置在旋轉部111上。旋轉部111是具備圓筒部llla 和旋轉軸111b。若藉由馬達（未圖示）使旋轉軸nib旋 轉’圓筒部llla會旋轉而使設置在圓筒部llla上的基座 11〇進行旋轉。 在圓筒部llla設置：用來將矽晶圓101從背面施以 加熱的中心加熱器1 20和外周加熱器1 2 1。隨著加熱而改 變之矽晶圓101的表面溫度，是藉由設置在空室丨〇2的上 -11 - 201006956 部之輻射溫度計122來測定。因此，空室1 〇2及整流板 104宜由石英所構成。如此，輻射溫度計122所進行的溫 度測定不會受到空室1 02及整流板1 04的阻害。所測定的 溫度資料送往控制裝置1 1 2。控制裝置1 1 2會控制設置在 氫氣流路之閥113a、113b的動作。亦即，在矽晶圓ι〇1 成爲既定溫度以上的情況，控制裝置112會控制閥 113a，而使氫氣不僅流往反應氣體供應路徑1〇3，也流往 冷卻氣體供應路徑105。雖然在第1圖中省略，但控制裝 置1 12也控制中心加熱器120及外周加熱器121的輸出。 接著說明本發明的成膜方法。 按照以下的方式來在矽晶圓101上形成磊晶膜。 首先，將矽晶圓101搬入空室102的內部。接著，在 基座110上載置矽晶圓101，伴隨著旋轉部111而使矽晶 圓101以50rpm左右進行旋轉。 接著，使第1加熱手段（中心加熱器120及外周加熱 器121)和第2加熱手段107動作而將矽晶圓1〇1加熱。 也能僅藉由第1加熱手段及第2加熱手段107的任一方來 進行加熱。例如，逐漸加熱至成膜溫度1150 °C。根據輻 射溫度計1 22的測定，而確認矽晶圓101的溫度到達 1150 °C後，逐漸將矽晶圓1〇1的旋轉數昇高。接著，從反 應氣體供應路徑103透過整流板104而使反應氣體朝矽晶 圓1 〇 1上流下。 持續輻射溫度計1 22所進行的測定，在確認矽晶圓 101的溫度到達既定溫度後，藉由控制裝置112來控制閥 -12- 201006956 113a，而使氫氣不僅流往反應氣體供應路徑103，也流往 冷卻氣體供應路徑1〇5。如此，在整流板104的內部讓冷 卻氣體流過，以抑制整流板1〇4的溫度上昇，而防止在整 流板104上形成膜。另外，對整流板104實施之冷卻氣體 的導入，亦可和反應氣體的導入同時。再者，冷卻氣體的 流量，可始終保持一定，也能按照矽晶圓1 0 1的溫度來改 變。 Φ 在矽晶圓101上形成既定膜厚的磊晶膜後，結束反應 氣體的供應。關於冷卻氣體的供應，可在反應氣體的供應 結束時一起結束，也能根據輻射溫度計122的測定，而在 確認出矽晶圓101比既定的溫度低時才結束。之後，當確 認矽晶圓101被冷卻至既定溫度後，將矽晶圓101往空室 102的外部搬出。 如以上所說明，依據本實施形態，由於採用在整流板 的內部讓冷卻氣體通過的構造，可高效率地冷卻整流板全 Q 體，不拘加熱手段的位置都能抑制整流板的溫度上昇。另 外，由於整流板是由石英所構成，不致妨害輻射溫度計所 進行的測定。 實施形態2 第5圖係本實施形態的整流板之立體圖。除了整流板 以外之成膜裝置的構造，能和在實施形態1說明的第1圖 相同。 本實施形態的整流板，是在第1圖中，相對於矽晶圓 -13- 201006956 101配設在反應氣體流動方向（箭頭方向）的上游側。 如第5圖所示，整流板204係具備：隔著既定間隔而 配設之2片的平板214、215、以及將分別設置於該等平 板的貫通孔216、217予以連接之連接管218°在第1 圖，反應氣體供應路徑所供應的反應氣體’進入空室 102的內部後，從貫通孔216經由連接管218而從貫通孔 2 1 7排出，再往矽晶圓1 〇 1流下。 另一方面，從第1圖的冷卻氣體供應管105所供應的 冷卻氣體，是通過2片的平板214、215間而往第1排氣 管106排出。依據此構造，由於2片的平板214、215之 間被冷卻氣體所充滿，可將整流板204整體高效率地冷 卻。特別是，由於可將連接管218(反應氣體的流路）之周 圍冷卻，其抑制反應氣體的溫度上昇之效果高。另外’和 第1實施形態同樣的，不管加熱源是設置在整流板204的 哪一側都能高效率地進行冷卻。 通過整流板204而流下的反應氣體，是在矽晶圓1〇1 上進行反應。藉此，在矽晶圓101上形成矽磊晶膜。然 後，反應後的氣體和未反應的反應氣體，是從設置於空室 1〇2的下部之第2排氣管108往成膜裝置1〇〇的外部排 出。另一方面，將整流板204冷卻後的冷卻氣體，是往第 1排氣管106排出後，再通過開口部109進入空室102的 內部，而迅速地從第2排氣管108排出。 朝整流板204實施之冷卻氣體的導入，可和反應氣體 的導入同時，也能在整流板204成爲既定溫度以上時才導 201006956 入冷卻氣體。在後者的情況，由於整流板204的溫度上昇 是追隨著矽晶圓101的溫度上昇，因此也能在矽晶圓101 成爲既定溫度以上時才導入冷卻氣體。 另外’冷卻氣體的供應，雖可在反應氣體的供應結束 時一起結束，但也能在整流板204(或矽晶圓101)成爲比 既定溫度更低時才結束。 冷卻氣體是讓常溫的氣體以適當的流量通過。若流量 0 過少，冷卻效率變差，另一方面，若流量過多，會妨害反 應氣體的排氣，造成冷卻氣體的浪費而導致成本上昇。 冷卻氣體的流量可始終維持一定，也能按照整流板 2 04 (或矽晶圓 101)的溫度來改變。亦即，在整流板 2〇4(或矽晶圓101)的溫度成爲既定溫度以上的情況，能增 多冷卻氣體的流量，在比既定溫度更低的情況，能減少冷 卻氣體的流量。基於節約冷卻氣體的使用量的觀點，較佳 爲按照溫度來改變流量。 〇 由於整流板204是由石英所構成，藉由設置在空室 102上部的輻射溫度計122，可測定矽晶圓101的表面溫 度。 如以上所說明，依據本實施形態，是在相對於矽晶圓 之反應氣體流動方向的上游側設置整流板，且該整流板是 具備：隔著既定間隔配設的2片平板以及將分別設置於該 • 等平板的貫通孔予以連接之連接管，通過連接管的內部而 讓反應氣體往矽晶圓流下，並在2片平板之間讓冷卻氣體 通過，藉由採用這種構造，可高效率地冷卻整流板整體’ -15- 201006956 不拘加熱手段的位置而能抑制整流板的溫度上昇。另外， 由於整流板是由石英所構成，並不會妨害輻射溫度計所進 行的測定。 實施形態3 第6圖係顯示本實施形態的整流板之截面立體圖。除 了整流板以外之成膜裝置的構造，可和在實施形態1說明 之第1圖相同。 本實施形態之整流板，是在第1圖中，相對於矽晶圓 101配設在反應氣體流動方向（箭頭方向）的上游側。 如第6圖所示，整流板3 04係具備：設有複數個貫通 孔314之第1部分315、沿著第1部分315的周圍設置之 中空的第2部分316。在第1圖，從反應氣體供應路徑 103供應的反應氣體，是進入空室102的內部，通過貫通 孔314而往矽晶圓101流下。 另一方面，從第1圖的冷卻氣體供應路徑105供應的 冷卻氣體，是從連接部317進入第2部分316，沿著第1 部分的周圍流過後，從連接部318往第1排氣管106排 出。依據此構造，是在反應氣體的流路周圍設置冷卻氣體 的流路而使構造變簡單，且不管加熱源是在整流板304的 哪一側都能進行高效率的冷卻。 通過整流板304而流下的反應氣體，是在矽晶圓1〇1 上進行反應。藉此，在矽晶圓101上形成矽磊晶膜。然 後，反應後的氣體和未反應的反應氣體，是從設置於空室 -16- 201006956 102的下部之第2排氣管108往成膜裝置100的外部排 出。另一方面，將整流板3 04冷卻後的冷卻氣體，是從連 接部318往第1排氣管106排出後，再通過開口部109進 入空室102的內部，而迅速地從第2排氣管108排出。 朝整流板3 04實施之冷卻氣體的導入，可和反應氣體 的導入同時，也能在整流板304成爲既定溫度以上時才導 入冷卻氣體。在後者的情況，由於整流板3 04的溫度上昇 0 是追隨著矽晶圓101的溫度上昇，因此也能在矽晶圓101 成爲既定溫度以上時才導入冷卻氣體。 另外，冷卻氣體的供應，雖可在反應氣體的供應結束 時一起結束，但也能在整流板304(或矽晶圓101)成爲比 既定溫度更低時才結束。 冷卻氣體的流量可始終維持一定，也能按照整流板 304(或矽晶圓 101)的溫度來改變。亦即，在整流板 3 〇4(或矽晶圓10 1)的溫度成爲既定溫度以上的情況，能增 φ 多冷卻氣體的流量，在比既定溫度更低的情況，能減少冷 卻氣體的流量。基於節約冷卻氣體的使用量的觀點，較佳 爲按照溫度來改變流量。 由於整流板3 04是由石英所構成，藉由設置在空室 1 02上部的輻射溫度計1 22，可測定矽晶圓1 0 1的表面溫 度。 如以上所說明，依據本實施形態，是在相對於矽晶圓 之反應氣體流動方向的上游側設置整流板，且該整流板是 具備：設有複數個貫通孔的第1部分、以及沿著第1部分 -17- 201006956 的周圍設置之中空的第2部分，通過貫通孔使反應氣體往 矽晶圓流下，而在第2部分讓冷卻氣體通過，藉由採用這 種構造，利用簡單的構造就能抑制整流板的溫度上昇。 本發明並不限定於上述各實施形態，在不脫離本發明 的主旨的範圍內可實施各種的變形。例如，在實施形態 1~3，作爲成膜裝置的一例雖是列舉磊晶成長裝置，但並 不限定於此。只要是對成膜室內供應反應氣體，將載置於 成膜室內的基板加熱而在基板表面形成膜的成膜裝置即 可，也可以是其他的成膜裝置。 本發明的特徵及優點可整理如下。 依據本發明的第1態樣所提供之成膜裝置，其容易進 行晶圓的溫度測定，且能充分抑制整流板的溫度上昇。 依據本發明的第2態樣所提供之成膜裝置，其容易進 行晶圓的溫度測定，且能充分抑制整流板的溫度上昇。 依據本發明的第3態樣所提供之成膜裝置，能利用簡 單的構造來抑制整流板的溫度上昇。 依據本發明的第4態樣所提供之成膜方法，可充分抑 制整流板的溫度上昇。 本發明之明白的修正及變更，是包含於上述技術範 圍。因此，根據明確記載以外的方法所實施的發明，是屬 於本發明的申請專利範圍。 本申請案的優先權主張的基礎之2008年7月24曰申 請的曰本特願2008-191286號中所有的揭示，亦即包含說 明書、申請專利範圍、圖式及解決手段，都倂入本發明 -18" 201006956 中。 【圖式簡單說明】 第1圖係實施形態1的成膜裝置的示意截面圖。 第2圖係實施形態1的整流板的俯視圖。 第3圖係沿著第2圖的Α-Α’線切斷之整流板的局部 截面圖。 φ 第4圖係將第2圖的整流板沿與紙面平行的方向切斷 的截面之立體圖。 第5圖係實施形態2的整流板之立體圖。 第6圖係實施形態3的整流板之截面立體圖。 【主要元件符號說明】 100 :成膜裝置 101 :矽晶圓 φ 102 :空室 103 :反應氣體供應路徑 104、204、304 :整流板 l〇4a :第1貫通孔 104b :第2貫通孔 105 ’·冷卻氣體供應路徑 106 :第1排氣管 1〇7 :第2加熱手段 108 :第2排氣管 -19- 201006956 109 :開口部 1 1 0 :基座 1 1 1 :旋轉部 1 1 1 a :圓筒部 1 1 1 b :旋轉軸 1 1 2 :控制裝置 113a、 113b:閥 1 2 0 :中心加熱器 _ 1 2 1 :外周加熱器 1 2 2 :輻射溫度計 214、215 :平板 216、217、314:貫通孔 218 :連接管 3 15 :第1部分 3 16 :第2部分 317、318:連接部 _ -20-

Claims (1)

1. 201006956 七、申請專利範圍 1· 一種成膜裝匱，是對成膜室內供應反應氣體’將 載置於前述成膜室內的基板加熱而在前述基板的表面形成 膜之成膜裝置，其特徵在於： 在相對於前述基板之前述反應氣體流動方向的上游側 設置整流板， 在前述整流板的內部讓冷卻氣體通過。 ❹ 2_如申請專利範圍第1項記載的成膜裝置，其中， 前述整流板係具備：從前述反應氣體的流動方向的上 游側朝向下游側設置之第1貫通孔、設置在與前述第1貫 通孔不交叉的位置之第2貫通孔； 通過前述第1貫通孔讓前述反應氣體往前述基板流 下’在前述第2貫通孔讓前述冷卻氣體通過。 3. 如申請專利範圍第2項記載的成膜裝置，其中具 有： ❹ 用來對前述成膜室內供應前述反應氣體及前述冷卻氣 體之第1流路、 用來對前述整流板供應前述冷卻氣體之第2流路、 用來測定前述基板的溫度之溫度測定裝置、以及 按照前述溫度測定裝置所測定的溫度來使前述冷卻氣 體的流路成爲僅前述第1流路或前述第1流路和前述第2 流路雙方之控制裝置。 4. 如申請專利範圍第2項記載的成膜裝置，其中具 201006956 將從前述整流板排出的前述冷卻氣體導入前述成膜室 的內部之第3流路、 將從前述第3流路進入前述成膜室的前述冷卻氣體和 前述反應氣體一起往前述成膜室的外部排出之第4流路。 5. 一種成膜裝置，是對成膜室內供應反應氣體，將 載置於前述成膜室內的基板加熱而在前述基板的表面形成 膜之成膜裝置，其特徵在於： 在相對於前述基板之前述反應氣體流動方向的上游側 設置整流板，該整流板係具備：隔著既定間隔而配設之2 片的平板、以及將分別設置於前述2片的平板之貫通孔予 以連接之連接管； 通過前述連接管的內部讓前述反應氣體往前述基板流 下，在前述2片的平板之間讓冷卻氣體通過。 6. 如申請專利範圍第5項記載的成膜裝置，其中具 有： 用來對前述成膜室內供應前述反應氣體及前述冷卻氣 體之第1流路、 用來對前述整流板供應前述冷卻氣體之第2流路、 用來測定前述基板的溫度之溫度測定裝置、以及 按照前述溫度測定裝置所測定的溫度來使前述冷卻氣 體的流路成爲僅前述第1流路或前述第1流路和前述第2 流路雙方之控制裝置。 7. 如申請專利範圍第5項記載的成膜裝置，其中具 有： -22- 201006956 將從前述整流板排出的前述冷卻氣體導入前述成膜室 的內部之第3流路、 將從前述第3流路進入前述成膜室的前述冷卻氣體和 前述反應氣體一起往前述成膜室的外部排出之第4流路。 8. —種成膜裝置，是對成膜室內供應反應氣體，將 載置於前述成膜室內的基板加熱而在前述基板的表面形成 膜之成膜裝置，其特徵在於： 0 在相對於前述基板之前述反應氣體流動方向的上游側 設置整流板，該整流板係具備：設有複數個貫通孔之第1 部分、沿著前述第1部分的周圍設置之中空的第2部分； 通過目U述貫通孔讓前述反應氣體往前述基板流下，在 前述第2部分讓冷卻氣體通過。 9. 如申請專利範圍第8項記載的成膜裝置，其中具 有：. 用來對前述成膜室內供應前述反應氣體及前述冷卻氣 φ 體之第1流路、 用來對前述整流板供應前述冷卻氣體之第2流路、 用來測定前述基板的溫度之溫度測定裝置、以及 按照前述溫度測定裝置所測定的溫度來使前述冷卻氣 體的流路成爲僅前述第1流路或前述第1流路和前述第2 流路雙方之控制裝置。 10. 如申請專利範圍第8項記載的成膜裝置，其中具 有： 將從前述整流板排出的前述冷卻氣體導入前述成膜室 -23- 201006956 的內部之第3流路、 將從前述第3流路進入前述成膜室的前述冷卻氣體和 前述反應氣體一起往前述成膜室的外部排出之第4流路。 11. 一種成膜方法，是對成膜室內供應反應氣體，將 載置於前述成膜室內的基板加熱而在前述基板的表面形成 膜之成膜方法，其特徵在於： 在相對於前述基板之前述反應氣體流動方向的上游側 設置整流板，在前述整流板的內部讓冷卻氣體流過的狀態 @ 下，通過設置於前述整流板的貫通孔而讓前述反應氣體往 前述基板流下。 12. 如申請專利範圍第11項記載的成膜方法，其 中，在前述基板成爲既定溫度以上時讓前述冷卻氣體流 過。 13. 如申請專利範圍第11項記載的成膜方法，其 中，前述冷卻氣體的流量是按照前述整流板或前述基板的 溫度而改變。 鬱 14. 如申請專利範圍第11項記載的成膜方法，其 中，對前述成膜室內供應前述反應氣體和載體氣體，在前 述基板的溫度成爲既定溫度以上時讓前述載體氣體也流過 前述整流板的內部。 ' 24 -