TW201006937A - Al-Ni-based alloy wiring electrode material - Google Patents

Description

201006937 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ' 本發明係關於一種使用在顯示裝置之元件的鋁-鎳 (Al-Ni)系合金配線電極材料，特別是關於一種適用於有機 EL·顯示器的鋁-鎳-硼（A1-Ni-B)合金配線電極材料。 【先前技術】 就資訊機器、AV機器、家電製品等之顯示裝置而言， 現在廣泛地利用採用例如薄膜電晶體（th i n- f i 1 m β transistor，以下簡稱為TFT)之顯示器。對於該種顯示器 係提案有以TFT為代表之主動矩陣方式之液晶顯示（LCD)、 自己發光型之有機EL(OLED)、或被動矩陣方式之有機EL 等各式各樣的控制構造，該控制構造係由以薄膜形成之電 路所構成。 一般而言，此類之各種顯示裝置係具備以ΙΤ0電極為 代表之透明電極、薄膜電晶體、配線用之導電性電極等。 @ 此種顯示裝置所使用的材料係直接對顯示品質、電力消 耗、製品成本等造成影響，其技術之改善正曰益進行中。 關於該顯示裝置之構造，以液晶顯示（LCD)為例，具體 而言係進行以下之改良技術。 在有成為顯不裝置之主流之傾向的液晶顯不裝置’南 精細化、低成本化係非常顯著，就其元件而言係廣泛地採 用利用TFT之構造。再者，就其電路之配線材料而言，係 採用！§(A1)合金。這是作為以往一直使用之I旦、絡、鈦或 該等金屬之合金等高炫點材料之電阻率（spec i f i c 3 321360 201006937 resistance ;又稱比電阻）過高之改善對策，而著眼於電阻 率低、配線加工容易之鋁作為替代材料的結果。 當形成以該鋁合金所構成之薄膜電路時，已知在與LCD 中之ΙΤ0電極等透明電極接觸之接觸部分中會產生以下之 現象。亦即當直接接合铭合金與IT0(Indium Tin Oxide， 氧化銦錫）電極時，因該兩者之電化學特性的不同，會在該 接合界面產生反應，並造成接合界面之破壞或電阻值之增 加。因此，於液晶顯示元件使用鋁合金時，係形成由鉬、 鉻等所形成之所謂的接觸阻障層（或稱蓋層，以下之「接觸 阻障層」之用語係包含蓋層之概念，參照例如非專利文獻 1)。 亦即，在具備該鋁合金之配線電極的TFT中，一般係 設有以鉬、鉻等為主材料之接觸阻障層。該接觸阻障層之 存在係使顯示裝置構造變得複雜，而造成生產成本的增 加。最近，亦有排除屬於構成該接觸阻障層之材料之一的 鉻的使用之市場動向，且亦有對形成接觸阻障層之技術開 始產生較大之限制的情事。 因此，最近提案一種省略上述之接觸阻障層，且可進 行與ΙΤ0電極等透明電極之直接接合之特定組成的鋁-鎳 系合金配線材料（參照專利文獻1至專利文獻3)。此外， 亦提案有一種反射膜用途之鋁-鎳系合金配線材料（專利文 獻4)。 然而，前述先前技術所提案之鋁-鎳系合金配線材料， 基本上大多是以液晶顯示裝置（LCD)為對象而開發者，是否 4 321360 201006937 =合自已發光狀有機EL(GEU))用途，並未具體地進行檢 尸；屬於自己發光裂，因此可使料形成之積層 =變㈣常薄’而藉由使_撓性_板等來取代玻璃 ::顴：所明之可撓性顯糸器(可彎曲之顯示板)。由 3來看」就使用在有機el之材料物性而言，雖要求 /、柔軟性，但前述先前技術文盧 未進行任何檢討。 鋁-鎳系合金配線材料並 再者，在近年來之有機Εΐ 溫多晶外ΤΠ作為驅動方式，顯示器中/，储用腿（低 ΕΤ夕如山 ώ 而銘—錦糸合金係作為有機 線材料Α反射膜材料錢用。然而，在習知之 Ο 、〇配線材料中’並非可使用在有機el之拉出配 、雇广、及反射膜材料之二者，因此目前係分別個別地對 即，作為有機EL用者，係期待—種可應用在拉出配 線材料與反射膜材料之二者的‘鎳系合金配線電極材料。 在藉由習知之銘，系合金配線材料形成元件之 H的情形巾，當接_用於電路形成之顯雜時，會有 之:糸σ金被钕蝕之傾向，而亦被指摘為有難以適應習知 =程步㈣情形。接觸㈣影液之部分係祕刻步驟中 之心原、本即使被_影液侵麵亦不會對電路之形成 阻挪」題！，當在顯影步驟中產生麻煩而要暫時剝離 =而再度從顯影㈣重新進行時，要進行所謂之光重製 ’騎產生_。在進行該光重 、、右在先則進彳了㉜之_影步驟中發生有由顯影液所致 321360 5 201006937 之侵蝕時，則鋁-鎳系合金已溶解，而變成無法進行光重 製。一般而言，顯示裝置之製造商、即所謂面板製造商係 藉由採用光重製之步驟而提升製造良率，故要求一種具備 某種程度之對顯影液之耐蝕性的鋁-鎳系合金配線材料。 亦即，依據上述之理由，而有要求可解決下述缺失的 鋁-鎳系合金配線材料之傾向：由於顯影液之侵蝕造成鋁-鎳系合金本身溶解而難以進行電路形成，或是鋁-鎳系合金 表面氧化，而使得與透明電極直接接合時之接合電阻增 大。因此，針對此種顯影液之侵蝕，就提升鋁-鎳系合金配 線材料之耐蝕性的方法而言，係提案一種使鋁系合金膜表 面氮化、氧化之技術（參照專利文獻5)。 然而，使鋁系合金膜表面氮化、氧化時，係有薄膜形 成時之濺鍍處理時間變長之不利點。此外，為了進行氮化、 氧化，必須進行將氮氣、氧氣導入至濺鍍裝置之處理室内 等之對策，因此會有在進行濺鍍時容易產生微粒子而難以 形成良好之鋁系合金膜的情形。再者，對形成有氮化膜或 氧化膜之鋁系合金膜進行蝕刻而形成電路時，由於形成在 該鋁系合金膜表面之氮化膜或氧化膜、與上述表面以外之 鋁系合金膜的蝕刻率不同，故鋁系合金膜表面側、即氮化 膜或氧化膜之蝕刻的進行速度變慢，因此會有鋁系合金膜 表面側成為蝕刻殘留且電路剖面形狀成為倒錐狀態之傾 向。為了使該電路剖面形狀正常化，雖亦可使用特殊蝕刻 液來對應，但會造成製造成本之增加，並不理想。由此， 要求對使用於電路形成時之顯影液之耐蝕性佳的鋁-鎳系 6 321360 201006937 合金配線材料。 (先前技術文獻） (非專利文獻）内田龍男編著，「次代液晶顯示w接/ •、不器技術 初版，工業調査會（股），1994年11月1日，。 P. 36-38 (專利文獻1)日本特開2004-214606號公報 (專利文獻2)日本特開2007-142356號公報 (專利文獻3)日本特開2006-261636號公報 (專利文獻4)國際公開W02008/047511公報 (專利文獻5)日本特開平11-284195號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之課題） 本發明係鑑於上述情事而研創者，其目的、 種對有機EL之使用材料被要求有柔軟性，且可鱼=提供_ 明電極層直接接合，對於顯影液之耐錄佳的㉝二^ 2 配線電極材料。 殊糸 ❹（解決課題之手段） /為了解決上述課題，本發日祕在財含㈣與哪之紹— 鎮系合金配線電極材料，其特徵為：錄與侧之合計含量為 〇.35at%至1.2at%，且殘部由銘所構成。本發明之銘_錄 系合金配線電極材料較宜為，錄為Q. 3_至7抓，棚 為 0. 05at%至 〇. 5at%。 ^再者’本發明之鋁''鎳系合金配線電極材料係在將鎳含 置设為鎳之原子百分率Xat%，將棚含量設為鄉之原子百 分率Yat%時，較佳為在滿足式〇. 3$χ、〇〇5$γ$〇. 5、γ 7 321360 201006937 > 2Χ 0·9之各式的區域之範圍内。 本發明之鋁-鎳系合金 機EL。 ♦、、、極材料較佳為使用在有 再者本發明係一種用以开夕杰士 Λ 材料所構成之配線電極膜的她，;電極 合計含量為〇.35辦至12 殘=為1與蝴之 (發明之效果） 且殘邻由鋁所構成。 依據本發明，可提供一種可與 接合，且對於_旦，yΛ 4透明電極層直接 用材料祜毋性佳，且適用於如有機EL之蚀 =者金=二 '之拉二 線材料係適合用為有機 【實施方式】 以下，說明本發明之最佳 合金配線柯料係適合用為資訊機二。本發明之銘-鎳系 之顯不裝置中的配線材料者，、家電製品等 EL構成之顯示|置時。然而 疋“用於形成以有機 之液晶顯示器或有機EL型之顯亍L明並不限定主動矩陣型 裝置之配線材料。 4不盗，亦可應用在各種顯示 含麵與料之待徵為：在财 構成。在心 .1省時，與習知之鋁__鎳 篁為0.35at%

—性佳’具有接近砘C 321360 8 201006937 線材料本身具柔軟性之錄系合金配線電極材料。該配線 電極材料本身之柔軟性係依據鋁_鎳系合金本身之硬度來 評價。當合計含量未達〇. 35at%時，配線材料之維氏硬度 (Acker’s hardness)係小於Hv25，配線材料本身變得過 度柔軟而容易受到損傷。另一方面，當超過時，

配線材料之維氏硬度會超過Hv40 ’配綠材料本身會變硬， 而難以使用在可撓性基板等之傾向會變強。此外，本發明 之鋁-鎳-硼合金配線材料在不脫離以下所述之本發明所產 生之效果的範圍内，不會被有可能在例如材料製造步驟或 配線電路形成步驟或元件製造步驟等中混入之八 或其他無法避免之雜質的混入而妨礙。 '成刀、 與前述先前技術（專利文獻1至專利文獻4)之不同點 於本發明之铭-鎳系合金配線電極材料之特徵為，對於 在顯影步驟巾所使狀包含#四？錢氧化物之驗性顯影 液具有耐蝕性。這使得可採用光重製步驟。再者，本發二 之鋁-鎳系合金配線電極材料係具有使材料本身具備柔= 性之特徵。這使得可適合於如有機EL之使用對材料要求^ 軟性者。 、 鎳係藉由熱處理形成與鋁之金屬間化合物，且星右 與，明電極層之直接接合的接合特性良好之作用。但是使 錄含量過多時’會有配線電路本身之電阻率變高之傾= 且對於顯影液之耐钱性會降低。再者，錄含量少時° 以下傾向：與紹之金屬間化合物之產生量會減二:而== 進行與透明電極層之直接接合，且耐熱性（對於因熱所2成 321360 9 201006937 之鋁-錄系合金配線電極材料之塑性變形產生的抑制作用） 亦會降低。由此，鎳含量較佳為0.3at%至〇. 7at%。 當鎳含量超過0. 7at%時，會有3〇〇。(：之熱處理後的電 阻率值變大的傾向。再者，若未達〇 3at%，會有容易形 成被稱為所謂小凹坑（dimpie)之凹狀缺陷而無法確保耐熱 性之傾向，且會有與ΙΤ0等透明電極直接接合時之接合電 阻值變大的傾向。此小凹坑係指因為在對n系合金配線 電極材料進行熱處理時所產生的應力變料形成在材料表 當產生該小凹坑時，會對接合特性造

面的微小凹狀缺陷 成不良影響，接合可靠性會降低。另一方面，所謂小丘 (hiUock)係與小凹坑相反地，係因為在雜—錄系合金配 線電極材料進行熱處理時所產生的應力變形而形成在材料 表面的突起物’產生該小丘時’也會對接合特性造成不良 影響’接合可靠性會降低。該小凹坑與小丘在係為因熱所 造成之紹-鎳系合金之塑性變形的方面為共通者，被通稱為 應力遷移（stress migration)之現象，依據該

生等級’可判齡合金配線電極材料之耐熱性。 再者，本發明之銘 矛' ai配線電極材料除了鎳 外，亦含有預定量之硼。藉由硼之添加，在進行盥η、 等半導體層之直接接合時，可防止接合界面中之紹鱼石夕 ^擴散。制亦錢同樣地騎於耐熱性發揮作用者 t含有彌’而會有使得在進行熱處理時產生之金㈣ 口物之析出物變小的傾向。勢量較佳為G 05咖 〇.5峨。當棚含量超過0.5at%時，會有3〇(rc之熱處 321360 10 201006937 =電=值變大的傾向。相反地，若為未達〇 〇5獻 含量，則無法確保30(rc之熱處理的耐熱性。 再者’本發明之紹—鎳系合金配線電極材料在將錄含量 子百分率x謂，將硼含量設為蝴之原子百分 率YaU時，更佳為在滿足式〇.如、〇 〇⑽以5、γ 各式的區域之範圍内。若為該組絲圍，則成 α好之综合特性㈣-㈣、合金配線電 ❹ ❹ ^料：電阻率值為3.6心⑽以下，硬度為術以下， ^性佳’與™等透明電極之接合特性良好，綱。c之熱 處理的耐熱性亦良好。 本發明之銘-鎳系合金配線電極材料係可在形成元件 %之銘-鎳系合金配線電極材料的薄膜之上層、下層之任一 f或其兩側’積層由翻或銷合金、鈦或鈦合金、㈣鉻合 ^所構成之金屬膜，或是積層包含有使用在ΙΤ()、ιζ〇、Μ 透明電極材料之祕、減、Zn◦的透明電極材料膜。 在顯示裝置之級構造中，係有配線材料本身與ιτ〇等透 明電極材料直接接合的部分、與作為銷等金屬層之部分等 各式各樣的接合形態，本發明之紹—錄系合金配線電極材料 係可積層由鉬或翻合金、鈦或鈦合金、鉻或鉻合金所構成 之金屬膜，或是積層包含有使用在ΪΤΟ、ΐΖ0、Ζη0等透明 電極材料之Irl2〇3、Sn〇2、Ζη〇的透明電極材料膜。 止藉由上述之本發明之鋁—鎳系合金配線電極材料來製 造顯示器之元件時，較佳為使用濺鍍靶，該濺鍍靶之特徵 為：鎳與硼合計係含有0.35at%l 12^%，且殘部由鋁 321360 11 201006937 斤構成使用上述組成之濺鍍乾時，雖或多或少會被賤鍵 時之成膜條件所影響，但可容易地形成與濺鍍靶組成大致 相同之組成之鋁-鎳_硼合金薄膜。 再者，本發明之鋁-鎳系合金配線電極材料在實用上， 較佳為藉由上述之濺鍍法來成膜，但亦可採用其他不同之 。例如亦可藉由蒸鍍法、喷霧導向（spray h〇ming)法 等乾式法，並可列舉：使用由本發明之鋁—鎳系合金組成所 構成之合金粒子作為配線材料，以氣溶膠沈積法（aerosol deposition meth〇d)形成配線電路等。 (實施例） 接著，參照實施例，具體地說明本發明之紹—錄系合金 配線電極材料。 在本實施例中，關於表1所示之各組成之鋁—鎳-硼合 ^ ’評價其材料特性。首先，形成使表！所示之各試料N〇 么之鎳1之含量變化後㈣㈣。該濺餘係以成為各 、且，s里之方式混合各金屬’在真空中溶解授掉後，在惰 性氣體環财進行絲，之後，對所得之鑄塊進行滾乾、 成型加卫，並對供雜狀表面進行平面力^而製造者。 然後’使用成為各試料No之組成的賤練來形成紹〜 领合㈣膜，並評價其膜特性、元件特性。該特性評價 膜之電阻率、硬度、顯影液频性、耐熱性、ιτ〇 接合電阻來進行。 以下說明各特性評價之條件。 電阻率：關於各組成之膜的電阻率值，係藉由_在麵 321360 12 201006937 - 基板上形成單膜（厚度2800A)，且在真空中（ixi〇_3pa)、32 C進行3G分鐘之熱處理後，藉由4端子電阻測量裝置 - 150A : Agiient科技公司製）來進行測量者。濺鍍條件 係使用磁控管濺鍍裝置、投入電力為3. OW/cm2、氬氣流量 為lOOsccm、氬壓力為〇. 5Pa。 硬度：關於各組成之膜的硬度，在欲藉由薄膜進行測量時， 因基板之影響或測量裝置之不同會造成硬度值產生偏差， 因此藉由測量各組成膜之成膜用靶材來替代。具體而言， 〇 由各組成膜之成膜用起材切出lOnmixlOmmxlOmni之塊體，並 對測量表面進行研磨後，藉由維氏硬度測量裝置（松澤精機 (股）製），測量1〇個部位，以算出其平均硬度值。 顯影液耐钱性：有關各組成之膜的顯影液耐蝕性，係在與 前述膜之電阻率相同之條件下，在玻璃基板上形成單膜（厚 度2000A)’使阻劑被覆在該單膜之一部分，並予以曝光後， 使其浸潰在包含四曱銨氫氧化物之鹼性顯影液（以下簡稱 © 為TMAH顯影液）60秒鐘，並剝離阻劑，測量其段差，藉此 測量（接觸式段差測量裝置P _ ；[ 5 : KLA_Tenc〇r (股）製）因顯 影液所溶解之溶解量（膜之減少厚度）。TMAH顯影液係設為 濃度2. 38%、液溫23。(：之條件。此外，在純鋁之單膜中， 於TMAH顯影液浸潰60秒鐘時之溶解量（膜之減少厚度）為 105A。 ϊτο接合電阻：關於與IT〇進行直接接合時之接合電阻值， 如第1圖之概略斜視圖所示，在玻璃基板上形成ΙΤΟ(Ιη2〇3— l〇wt%Sn〇2)電極層（2〇〇Α厚、電路寬度50/zm)，並利用以 13 321360 201006937 交叉之方式將各組成鋁合金膜層（2000A厚、電路寬度50 "m)形成在該1τ〇電極層上的試驗試樣（凱氏（Kelvin)元 件）進行評價。 試驗試樣之製作係首先利用各組成之鋁-鎳系合金靶 材’在前述賤鍍條件（磁控管濺鍍裝置、投入電力3.〇w/ cm2、氬氣流量l〇〇Sccm、氬壓力為〇. 5pa)下，將厚度2〇〇〇a 之紹合金膜形成在玻璃基板上。該濺鍍時之基板溫度係設 疋為10 0 C。再者’在所形成之銘合金膜表面被覆阻劑（枯 度15cp、TFR-970 :東京應化工業（股））’並配置50#m寬 ® 度電路形成用圖案薄膜並進行曝光處理，且以濃度2. 38 %、液溫23°C之TMAH顯影液進行顯影處理。在顯影處理 後’藉由磷酸系混酸蝕刻液（關東化學（股）社製）進行電路 形成’並藉由胺水系剝離液（40°C : TST-AQ8 :東京應化工 業（股）製）進行阻劑之去除，以形成50// m寬度之鋁合金層 電路。 然後，對形成有50/zm寬度之鋁合金層電路的基板進 行純水洗淨、乾燥處理，且在該基板之表面形成S i Nx之絕 緣層（厚度4200A)。該絕緣層之成膜係使用CVD裝置（PD-2202L : SAMC0(股）製），在投入電力RF250W、NH3氣體流量 為lOOsccm、以H2稀釋之SiH4氣體lOOccm、氮氣流量 200ccm、壓力80Pa、基板溫度350°C之CVD條件下進行。 接著，將正型阻劑（東京應化工業（股）製：TFR-970) 被覆於絕緣層表面，並配置ΙΟ/zmxlOvm見方之接觸孔開 口用圖案薄膜而進行曝光處理，且藉由TMAH顯影液來進行 14 321360 201006937 • 顯影處理。然後，利用SFe之乾蝕刻氣體來形成接觸孔。接 . 觸孔形成條件係設為SFe氣體流量50sccm、氧氣流量5 seem、壓力 4. OPa、輸出 100W。 藉由胺水系剝離液（40°C :TST-AQ8:東京應化工業（股） 製）進行阻劑之剝離處理。接著，在阻劑剝離後，利用氛系 之驗性洗淨液（和光純藥工業（股）製：藉由純水之稀釋將特 級氨水25%調整成PH10以下之溶液）’在液溫25°C、處理 時間60 sec下，施行以浸潰進行之洗淨處理，然後進行水 ❹洗、乾燥處理。對於已結束該阻劑之剝離處理之各試樣， 利用ΙΤ0乾材（組成In2〇3_10wt%Sn〇2)，在接觸孔内及其周 圍形成ΙΤ0之透明電極層。透明電極層之形成係進行濺鍍 (基板溫度70°C、投入電力1· 8W/cm2、氬氣流量g〇sccm、 氧氣流量0. 7sccm、壓力0. 37Pa) ’以形成厚度ιοοοΑ之 IT0 膜。 在該IT0膜表面被覆阻劑（TFR-970 :東京應化工業（股） ❹製））’配置圖案薄膜並進行曝光處理，且藉由TMAH顯影液 來進行顯影處理，利用草酸系混酸姓刻液（ITO07N :關東化 學（股）社製）進行50 寬度之電路的形成。在IT0膜形成 電路後，藉由胺水系剝離液（40°C : TST-AQ8 :東京應化工 業（股）製）去除阻劑。 將以上述製作方法所製得之各試驗試樣在大氣環境 中、250°C下進行30分之熱處理後，測量從第1圖所示之 試驗试樣之箭號部分之端子部通電有100# A·之電流時的 電壓，而測量接合電阻。 321360 201006937 而于熱性：各組成膜之对熱性係藉由藏鑛（條件係與上述電阻 率評價相同）將單膜（厚度約〇.3//m)形成在玻璃基板上， 且在真空中（lxl(T3Pa)、300°C下進行30分鐘之熱處理後， 以掃描型電子顯微鏡（SEM : 1萬倍）觀察膜表面來進行者。 該SEM觀察係針對各觀察試樣，以5視野來確認觀察範圍 10 // mx8 // m。再者，表2所示之对熱性的評價結果係當在 觀察表面確認到直徑0. 1 //in以上之突起物（小丘）、或在觀 察表面確認到成為凹狀部分（直徑0.3/zm至0.5#m)之4 個以上的小凹坑時評價為X，將小凹坑未達4個者評價為 △，將完全未確認到缺陷之類者評價為〇。 將由上述各評價方法所得之結果顯示在表1。 16 321360 201006937 吴盲 X <3 X < o 〇 o 〇 〇 〇 < 〇 〇 o o 〇 0 〇 〇 <1 〇 〇 〇 〇 〇 〇 0 ΦΠ 珠会 CO 呀 CO CM 呀 CO o 05 Lf> CO CO CD σ> •rf CO oo oo in CO ΙΛ oa CO CO o CO 卜 ο CO in 兮 LO Lf5 CO CO CO ΙΛ oo Lf5 00 t£> ΙΛ e〇 CVJ ΙΛ oo CO 命 05 Oi c〇 «〇 CO ΙΛ oo LO Γ— CO Cva m 卜 eo CO Γ— LO CO CO c*o CO oo CO 蘧·< 卜 oo CO ΙΛ 卜 oo 寸 CO 卜 CO in o 05 o Ln CO o CO LO C? O) 05 oo 05 CS3 LO 03 t-~ cc CM CO CM CO m 〇d 呀 o .05 OO LO OO CT> CO o LO CO o »< c— Lft 才 CO c〇 卜 03 CO CO cc m CD CO c〇 CO 90 (M CV3 to CO CD LO CO oo σ» ΙΛ CO Oi CM 兮 e*5 CO CSJ LO 0¾ ^ > oo 寸 C^l CM OO CvJ eg ΙΛ CM 呀 CO oa o o CD oo CO CO c— o 卜 CO tn CO CO 卜 C'J C*D LO CO CO tn CO Oi CO CO CO t— CO CO σ? CO oo CO t— c— cr) o oo CO Lf3 呀 CO C£? t— CO 却 c〇 C3 CD oo 03 eo oo CO oo 寸 0¾ CM 销 § Μα o CsJ CO lo CO CO 呀 CO CO CO 寸 CO eo 呀 o 00 C<5 eo ΙΛ t— m oo o CQ CO 05 CNJ eo OO CO CNJ CT) CO CSI CO eo CO CO CO 寸 0¾ CO in CD CO c— oo CO LO CO C^3 CO CO oo CO 03 CO 却 CO CO c〇 c〇 CO oo 00 CO o CO CM 寸 CO CO Tt CO oo 呀 eo /—S <4〇 Λ w<· CO 〇 ΙΛ o CO o in CO o oo o o CO LO 呀 o 卜 o ΙΛ ΙΛ o CO o in CO o 卜 o o o 一 CO C5 o c=> ir> t— o c〇 O' 03 ΙΛ T«^ 1X3 d? CQ +-» CC o CO o o m o o o LO o oo o o LO o o CO o ID <=> 〇 o ΙΛ o 04 o o CO o 00 o cn o o LO o o o LC5 o oo o CO o o CO o ΙΛ o /-~S CO CO o Csa o CO o CO o CO o CO o CO o CO o 呀 o o un o ΙΛ o ΙΛ o in o ΙΛ o in o LO o CO o CO o 卜 o t— o t— o 卜 o oo o o o o o CO CO lO CO t— oo o 二 C4 CO LfS CO 卜 00 O) o CNJ c<i Csl CO c*o CO 却 ΙΛ c*o CD CO t— CV3

由表1之結果得知，當鎳與硼之合計含量未達〇. 35at %時，硬度值比Hv25更小，當超過1.2at%時，硬度值會 比Hv40大。因此，若鎳與硼之合計含量為〇. 35at%至1. 2at 17 321360 201006937 %之組成範圍時，即使成膜於可撓性基板等而使用時，亦 不會在膜產生破裂或龜裂，而成為低電阻率且具财熱性之 在呂-錄-观系合金配線材料。 再者，得知若鎳含量為〇.3at%以上時，接合電阻值 會比200〇/口1〇_小，若為〇. 了3伙以下時，細。c之熱 處理後的電阻率值會比3. 4/ζ Ωαπ小。此外，得知棚含量 為0.5%以下時，3〇〇°C之熱處理後的電阻率值會比3.4/Ζ Ω Cm/^。關於一般使用在液晶面板或有機EL之TMAH顯影 液可為該TMAH顯影步驟後之膜的溶解量（膜之減少量） 較佳為相對於初期膜厚成為㈣朗’且推測為較宜設為 顯示此種耐蝕性之組成。 再者，在表1中，檢討鎳g〇.8at%、硼‘〇 7^%之 各j樣的資料。第2圖係顯示鎳S0.8at%、硼g〇.7at% 之範圍之資料的標繪圖。在第2圖之標繪圖中，各描點 (Plot)之右上所記载之號碼係對應於表丨之試樣恥。在第 18 321360 201006937 . 特性的公式而言，為包含試樣Nol3之組成的Y22X-0. 85。 ^ (產業上之可利用性） 本發明之鋁-鎳系合金配線電極材料由於對於顯影液 之耐蝕性佳、且材料本身具柔軟性、可與ΙΤ0等透明電極 層直接接合，因此可適合用作為構成有機EL之使用材料。 再者，本發明之鋁-鎳系合金配線電極材料亦可適合用作為 有機EL之拉出配線材料及反射膜材料。 【圖式簡單說明】 ® 第1圖係將ΙΤ0電極層與鋁合金電極層交叉積層之試 驗試樣概略斜視圖。 第2圖係表1之各試樣資料之標繪圖。 【主要元件符號說明】 無。 Ο 19 321360

Claims (1)

1. 201006937 七、申請專利範圍： 1. 一種鋁-鎳系合金配線電極材料，係在鋁中含有鎳與硼 者，該鋁-鎳系合金配線電極材料之特徵為： 鎳與硼之合計含量為〇. 35at%至1. 2at%，且殘部 由铭所構成。 2. 如申請專利範圍第1項之鋁-鎳系合金配線電極材料， 其中，鎳為 0. 3at% 至 0. 7at%，硼為 0. 05at% 至 0. 5at %。 3. 如申請專利範圍第2項之鋁-鎳系合金配線電極材料， 其中，在將鎳含量設為鎳之原子百分率Xat%，將硼含 量設為硼之原子百分率Yat%時，係在滿足式 0. 3SX 0. 05SYS0. 5 Y>2X-0.9 之各式的區域之範圍内。 4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之鋁-鎳系合 金配線電極材料，其中，該鋁-鎳系合金配線電極材料 係為有機EL用者。 5. —種濺鍍靶，係用以形成由申請專利範圍第1項記載之 鋁-鎳系合金配線電極材料所構成之配線電極膜者，該 濺鑛靶之特徵為： 鎳與硼之合計含量為〇. 35at%至1. 2at%，且殘部 由铭所構成。 20 321360