TW201006900A - Pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive sheet and semi-conductor wafer backgrinding method using the same - Google Patents

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201006900 六、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於壓敏性黏著劑組成物、使用該壓敏性黏 著劑組成物製造之壓敏性黏著板，及使用該壓敏性黏著板 之背面硏磨法。 【先前技術】 0 隨著電子產物朝向微小化和重量降低的近來趨勢，對 於無鉛、薄膜和高積體晶片半導體封裝的需求日增。欲符 合此需求，對於半導體封裝中之大直徑薄膜晶圓的需求亦 提筒。 欲有效地處理朝向大直徑薄膜半導體晶圓的趨勢，精 確地控制背面硏磨程序（其爲晶圓硏磨程序）和切片程序 (其爲重組程序）有其重要性。因此，須要能夠控制這些 程序的高效技巧。此背面硏磨法含括以機械或化學方式拋 Φ 光具有高積體互聯電路的晶圓表面以使得晶圓變薄。此程 序中，以8吋晶圓爲例，常將晶圓硏磨至約200微米至 4〇〇微米，此約之前程序厚度的一半。然而，隨著薄膜晶 圓的需求，常需將晶圓硏磨至200微米或較低，並因此保 護膜通常不僅用以在硏磨期間內保護薄膜晶圓，亦於處理 薄膜晶圓時用於強化。此外，隨著晶圓直徑的提高，在背 面硏磨程序期間內常發生晶圓損傷情況（如晶圓污染和破 裂）。此處，認爲晶圓加工保護膜所扮演的角色有其重要 性。 -5- 201006900 曰本公開專利案第2006- 1 69496號揭示可再剝離的水 媒式（waterborne )丙烯酸系壓敏性黏著板，其具有的壓 敏性黏著劑包括丙烯酸系乳液型共聚物作爲主要組份且具 有有限的物理性質，如，彈性模量、最大強度和凝膠分率 〇 日本公開專利案第Hei 06-77 1 93號揭示一種晶圓加工 帶，其中將乳液型壓敏性黏著劑施用於基底，而該乳液型 壓敏性黏著劑係藉由將反應性界面活性劑加至包括矽單體 的單體混合物中及聚合該混合物而製得。日本公開專利案 第 Hei 06-771 94和 Hei 06-73347號分別揭示藉具有氟 界面活性劑加入其中的乳液型丙烯酸系樹脂製造的晶圓加 工帶及藉具有矽界面活性劑加至其中的乳液型丙烯酸系樹 脂製造的晶圓加工帶。 前述技巧皆使用水媒式壓敏性黏著劑，且特徵皆在於 調整壓敏性黏著劑組成物中的界面活性劑、單體或交聯劑 或調整其他物性以提供防水性。 然而，前述技藝中揭示的細節受限於水媒式或乳液型 壓敏性黏著劑，且難以施用於溶劑性壓敏性黏著劑。因此 ，有須要開發可施用至任何類型的壓敏性黏著劑（無論其 爲溶劑性或水性壓敏性黏著劑）之技巧，並賦予對於壓敏 性黏著劑之極佳的防水性、剝離性和潤濕性。 【發明內容】 技術問題 -6- 201006900 本發明已考慮先前技藝的前述問題，本發明的一個目 的係提供與晶圓之間具有優良的剝離和再剝離性及極佳潤 濕性且具有極佳的防水性之壓敏性黏著劑組成物；提供藉 由使用該壓敏性黏著劑組成物而製造的壓敏性黏著板；及 提供使用該板的背面硏磨法。 技術解決方式 本發明提供一種包括單體混合物的聚合物之壓敏性黏 9 著劑組成物作爲達成前述目的之手段，其中該單體混合物 包括：含有（甲基）丙烯酸異冰片酯的（甲基）丙烯酸酯 單體；和可交聯的單體，包含至少一種選自羥基、羧基和 含氮官能基之官能基。 本發明提供一種壓敏性黏著板作爲達到前述目的另一 方式，該壓敏性黏著板包括底膜；和壓敏性黏著層，其形 成於該底膜的一或兩面上，並含有根據本發明之壓敏性黏 Φ 著劑組成物之固化產物。 本發明提出一種背面硏磨法作爲達到前述目的另一方 法，該背面硏磨法包含：將根據本發明之壓敏性黏著板黏 著至半導體晶圓的第一步驟：和使與壓敏性黏著板黏合的 半導體晶圓之背面進行硏磨的第二步驟。 有利效果 本發明中，藉由使用屬堅硬型單體且親水性低的（甲 基）丙烯酸異冰片酯，提供與晶圓之間具有優良的剝離和 -7- 201006900 再剝離性及潤濕性且具有極佳的防水性之壓敏性黏著劑組 成物；提供藉由使用該組成物而製造的壓敏性黏著板；及 提供使用該板的背面硏磨法。根據本發明之壓敏性黏著劑 組成物施用作爲，例如，用於半導體加工程序的保護膜時 ，可防止晶圓因爲在背面硏磨程序期間內施用的水或其他 外來物質的污染或損傷，在硏磨之後易再剝離，且可顯著 改良產量。 【實施方式】 最佳模式 本發明係關於一種包含單體混合物的聚合物之壓敏性 黏著劑組成物，其中該單體混合物含有： 含有（甲基）丙烯酸異冰片酯的（甲基）丙烯酸酯單 體；和 可交聯的單體，包括至少一種選自羥基、羧基和含氮 官能基之官能基。 下文中，將詳細描述根據本發明之壓敏性黏著劑組成 物。 根據本發明之壓敏性黏著劑組成物中所含的聚合物包 括（甲基）丙烯酸異冰片酯作爲單體組份，且玻璃轉變溫 度係-50°C至15°C。若該聚合物的玻璃轉變溫度低於-50°C ，則擔心剝離強度會根據剝離速率而大幅提高，並因此， 例如，用於晶圓加工程序之典型剝離速率（約1.0米/分 鐘）的剝離強度過度提高，造成晶圓損傷。此外，如果玻 -8 - 201006900 璃轉變溫度超過1 5°C，則擔心與黏著物（如，半導體晶圓 )的潤濕性降低或發生上提情況。 本發明中，該聚合物之.重量平均分子量以50,000至 700,000爲佳。若該聚合物的重量平均分子量低於50,000 ，則擔心因爲壓敏性黏著劑的黏著強度降低而造成的轉移 會引發污染。如果該聚合物的重量平均分子量超過 700,000，則擔心壓敏黏著劑的性質可能受損。 如所述者，根據本發明之聚合物包括含有（甲基）丙 烯酸異冰片酯的（甲基）丙烯酸酯單體作爲單體組份。“ 含有（甲基）丙烯酸異冰片酯的（甲基）丙烯酸酯單體

是指僅包括（甲基）丙烯酸異冰片酯，或同時包括（甲基 )丙烯酸異冰片酯以及其他（甲基）丙烯酸酯單體（下文 中稱爲第二單體）之單體或單體混合物。（甲基）丙烯酸 異冰片酯是一種具有高玻璃轉變溫度和低親水性的堅硬型 單體。因此，（甲基）丙烯酸異冰片酯可將壓敏性黏著劑 的剝離強度降低至適當程度及維持極佳的防水性。即，（ 甲基）丙烯酸異冰片酯可提供壓敏性黏著劑高交聯密度並 維持最適的壓敏性黏著強度，並提供極佳的防水性。 本發明之體系中，對於可含括於（甲基）丙烯酸酯單 體中的第二單體的類型沒有特殊限制。本發明中，例如， (甲基）丙烯酸烷酯可作爲第二單體。如果第二單體中含 括的烷基之鏈過長，則壓敏性黏著劑的黏著強度會降低且 難以調整玻璃轉變溫度（Tg)或壓敏黏著性。因此，希望 使用具1至12個碳原子的烷基之（甲基）丙烯酸酯單體 -9- 201006900 。該單體的例子包括（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙嫌 酸乙酯、（甲基）丙烯酸正丙酯、（甲基）丙烯酸異丙酯 、（甲基）丙烯酸正丁酯、（甲基）丙烯酸第三丁酯、（ 甲基）丙烯酸第二丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基） 丙烯酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸2-乙基丁酯、（甲基 )丙烯酸正辛酯、（甲基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯 酸異壬酯、（甲基）丙烯酸月桂酯和（甲基）丙烯酸十四 酯，且在本發明中，它們可單獨使用或以其中的一種或二 或更多種之混合物使用。 本發明的體系中，例如，第二單體可爲玻璃轉變溫度 低於（甲基）丙烯酸異冰片酯之可共聚的單體。藉由令此 單體與（甲基）丙烯酸異冰片酯混合，可進一步改良壓敏 性黏著劑對於晶圓表面的潤濕性，壓敏性黏著劑的防水性 和再剝離性。然而，前述調合物僅爲製造根據本發明之單 體組成物的一個例子，只要該聚合物包括（甲基）丙烯酸 異冰片酯作爲單體組份且玻璃轉變溫度在前述範圍內’則 未特別限制該單體組成。 本發明中，當（甲基）丙烯酸酯單體包括（甲基）丙 烯酸異冰片酯和第二單體時，其可包括1至30重量份的 (甲基）丙烯酸異冰片酯和60至98.9重量份的該第二單 體，且較佳地，可包括5至25重量份的（甲基）丙烯酸 異冰片酯和65至93.9重量份的該第二單體。若該（甲基 )丙烯酸異冰片酯含量低於1重量份，則改良防水性的效 果降低。或含量超過3 0重量份，則在剝離程序期間內無 -10- 201006900 法順利脫膜或會發生黏滑現象。 若該第二單體含量低於60重量份，則該壓敏性黏著 劑的初黏著強度可能會降低。若該含量超過98.9重量份 ，則會因爲黏著強度的降低而發生耐久性的問題。

根據本發明之單體混合物中所含之可交聯的單體可在 聚合物中添加能夠與，例如，下面所述之多官能性交聯劑 反應的官能基，以經由熱固化形成交聯結構，藉此調整壓 敏性黏著劑的耐久可靠性、壓敏黏著強度和黏合強度。即 ，藉由包括下文所述之可交聯的單體和交聯劑，根據本發 明之壓敏性黏著劑組成物可調配成熱可固化的組成物。 未特別限制可包含於可交聯的單體中之可交聯的官能 基類型，只要其可藉熱固化法形成交聯結構即可，且交聯 性官能基的例子包括羥基、羧基和含氮的官能基》換言之 ，在本發明之體系中，可交聯的單體可爲含羥基的單體、 含羧基的單體、或含氮的單體。該含羥基的單體的例子包 括（甲基）丙烯酸2-羥乙酯、（甲基）丙烯酸2-羥丙酯、 (甲基）丙烯酸4-羥丁酯、（甲基）丙烯酸6-羥己酯、（ 甲基）丙烯酸8-羥辛酯、（甲基）丙烯酸2·羥乙二醇酯和 (甲基）丙烯酸2-羥丙二醇酯。該含羧基的例子包括（甲 基）丙烯酸、2-(甲基）丙烯醯氧基乙酸、3-(甲基）丙 烯醯氧基丙酸、4-(甲基）丙烯醯氧基丁酸、丙烯酸二聚 體、衣康酸、順-丁烯二酸和順-丁烯二酸酐。該含氮的單 體的例子包括（甲基）丙烯醯胺、N -乙烯基吡咯烷酮和 N-乙烯基己內醯胺，但並不限於此。本發明中，它們可單 -11 - 201006900 獨使用或以其中的一種或兩種或更多種之混合物使用。 根據本發明之單體混合物以包含90至99·9重量份的 (甲基）丙烯酸酯單體和〇.1至10重量份的該可交聯的 單體爲佳。若可交聯的單體含量低於ο.1重量份’則該壓 敏性黏著板的耐久可靠性會降低。若含量超過10重量份 ，則該壓敏黏著性和/或剝離強度會降低。 根據本發明之單體混合物可進一步包括具有相當高坡 璃轉變溫度之可共聚的單體以進一步改良壓敏性黏著強度 和黏合強度。未特別限制可含括於該單體混合物中之可共 ® 聚的單體類型，只要其可改良壓敏性黏著劑的壓敏性黏著 強度和黏合強度即可，且例如，其可爲下式表示的化合物 [式1]

其中R!至R3分別代表氫或烷基；R4代表氰基、未經 取代或經烷基取代的苯基、乙醯氧基或COR5 ;而r5代表 未經取代或經烷基或烷氧基烷基取代的胺基或縮水甘油氧 基。

Ri至R5的定義中，烷基或烷氧基代表1至8個碳原 子的烷基或烷氧基，以甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、丙 氧基或丁氧基爲佳。 式1代表的單體的詳細例子可包括但不限於一或多種 下列：（甲基）丙烯酸酯，如（甲基）丙烯酸甲酯或（甲 -12- 201006900 基）丙烯酸乙酯；含氮的單體，如（甲基）丙烯腈、（甲 基）丙烯醯胺、N -甲基（甲基）丙烯醯胺或N -丁氧基甲 基（甲基）丙烯醯胺；苯乙烯單體，如苯乙烯或甲基苯乙 烯；（甲基）丙烯酸縮水甘油酯；或碳酸乙烯酯，如乙酸 乙烯酯。當可共聚的單體含括於單體混合物中時，相對於 (甲基）丙烯酸酯單體或可交聯的單體之含量，其含量以 低於20重量份爲佳。若該含量超過20重量份，則壓敏性 i 黏著劑組成物的撓曲性和/或剝除強度會降低。 本發明中，未特定限制製造單體混合物之壓敏黏著性 聚合物之方法，且例如，可爲一般聚合法，如，溶液聚合 法、光聚合法、整體聚合法、懸浮聚合法或乳化聚合法。 本發明中，該聚合物可藉使用熱引發劑的溶液聚合法製造 。當該聚合物以此方式製造時，此方法是有利的，且該聚 合物可具有優良的均勻度。較佳地，溶液聚合法於50 °C至 1 40 °C的聚合溫度，藉添加與單體均勻混合的引發劑進行 φ 。可使用之引發劑的例子可包括一般引發劑，如以偶氮爲 主的聚合引發劑，如偶氮基雙異丁腈或偶氮基雙環己腈； 和/或過氧化物，如苄醯化過氧和乙醯化過氧，且它們可 以單獨或以它們的一種或二或更多種之混合物使用。 根據本發明之壓敏性黏著劑組成物，除了上述的成份 以外，可進一步包含相對於100重量份的聚合物爲0.1至 10重量份的交聯劑（固化劑）。該交聯劑可根據用量而調 整該壓敏性黏著劑的壓敏黏著性。藉與壓敏黏著性聚合物 中所含的交聯性官能基反應，該交聯劑亦可改良該壓敏性 -13- 201006900 黏著劑的黏合強度。 未特定限制可用於本發明之交聯劑的詳細類型，只要 其可藉熱固化法形成交聯結構即可，且例如，可爲異氰酸 酯化合物、環氧化物、氮丙啶化合物或金屬鉗合化合物。 異氰酸酯化合物可選自二異氰酸甲苯酯、二異氰酸二 甲苯酯、二異氰酸二苯基甲烷酯、二異氰酸己二酯、二異 氰酸異佛爾酮酯、二異氰酸四甲基二甲苯酯、二異氰酸萘 酯和至少一前述二異氰酸酯與多元醇（如，三羥甲基丙烷 )之反應產物中之一或多者。環氧化物可爲選自乙二醇二 縮水甘油醚、三縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚 、N，N，N’，N’-四縮水甘油基乙二胺和甘油二縮水甘油醚中 之一或多者。氮丙啶化合物可爲選自N，N’-甲苯-2,4-雙（ 1-氮丙啶甲醯胺）、N，N’-二苯基甲烷- 4,4’-雙（1-氮丙啶 甲醯胺）、三伸乙基三聚氰胺、雙異酞醯基-1-( 2-甲基氮 丙啶）和三-1-氮丙啶膦化氧中之一或多者。該金屬鉗合化 合物可爲多價金屬（如Al、Fe、Zn、Sn、Ti、Sb、Mg和 /或V)配位至化合物（如乙醯基丙酮或乙醯基乙酸乙酯 )之化合物，但並不限於此。 相對於1〇〇重量份的壓敏黏著劑聚合物，該交聯劑含 量以0.1至10重量份爲佳。若含量低於0.1重量份，則在 高溫或高濕度下會因爲壓敏性黏著劑的黏合強度降低而造 成黏合失效。若含量超過10重量份，則耐久可靠性受損 ，導致層間脫離或上提；或流動相容性降低。 在不會影響本發明之效果的範圍內，根據本發明之壓 -14- 201006900 敏性黏著劑組成物可進一步包括一或多種添加劑，該添加 劑選自發黏樹脂、引發劑、低分子量材料、環氧樹脂、固 化劑、紫外光（UV )安定劑、抗氧化劑、著色劑、強化 劑、消沬劑、界面活性劑、起泡劑、有機鹽、稀釋劑和阻 燃劑。 本發明亦係關於壓敏性黏著板，其包括 底膜；和 壓敏性黏著層’而其係形成於該底膜的一或兩面上，

P 並含有根據本發明之壓敏性黏著劑組成物的固化產物。 圖式1係爲根據本發明之壓敏性黏著板的截面圖，其 中壓敏性黏著層10形成於底膜20的一面上。 根據本發明之壓敏性黏著板可作爲，例如，半導體加 工板，如半導體晶圓背面硏磨期間的保護膜。特別地，根 據本發明之壓敏性黏著板係製自壓敏性黏著劑組成物，並 藉此可以因爲其優良的晶圓可潤濕性、剝離性和特別是極 φ 佳的防水性，而有效地防止晶圓因爲背面硏磨期間內的水 或外來物質造成的污染或損傷。 未特定限制根據本發明之壓敏性黏著板中使用的底膜 類型，且可使用於約23°C (以20°C至25°C爲佳，且15°C 至30°C較佳）之糙度低於240公斤·毫米（或較佳210公 斤.毫米或更低）的底膜。文中所謂“糙度”係指以拉伸試 驗測定的値，詳言之，該値指出材料的硬度和柔軟度。 例如，可藉下列方法測定底膜的韌度：首先’製得預 定尺寸的膜形狀的樣品作爲進行韌度測定的底膜。此試樣 -15- 201006900 可爲膜狀且具有，例如，長約15毫米且寬約15毫米。試 樣的尺寸（如長和寬）是指除去以膠帶黏貼以固定試樣的 部分以外的部分之尺寸。 於前述條件下製造試樣之後，安置試樣以使得試樣的 長度方向與機械（拉伸試驗機）方向垂直，且以約180毫 米/分鐘至約220毫米/分鐘（以約200毫米/分鐘爲隹 )的拉伸速率施加力量於長度方向。之後，藉由應用膜（ 試樣）的寬度和厚度，直到試樣破裂之施加的力量與距離 的關係圖以拉伸率（X軸）和拉伸強度（Y軸）的關係圖 表示。當以前述方式得到拉伸曲線時，可自曲線的初斜率 定出拉伸模量，且可由曲線面積測得韌度。 本發明中，若韌度超過240公斤·毫米，則膜過度堅 硬且其切割性質會因爲底膜之彈性模量的提高而降低。此 外，若底膜的韌度過度提高，避震性質會變弱，並因此， 例如，當膜施於晶圓背面硏磨法時，膜的應力紆緩效果受 損，造成硏磨準確度降低或晶圓受損。 本發明中，未特定限制底膜的韌度下限，只要其在前 述範圍內即可。但是，如果底膜韌度過小，則膜會過度柔 軟，當膜纏於輥或纏繞的膜欲自黏著的輥剝離至晶圓時， 造成晶圓破裂或受損。因此，本發明中，可在60公斤· 毫米或更高的範圍內適當地調整底膜的韌度。 未特定限制本發明中使用之底膜的詳細類型，且例如 ，可以無限制地使用一般材料，如合成橡膠、合成樹脂、 或天然樹脂。本發明，底膜的更詳細例子可包括聚乙烯膜 •16- 201006900 、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、乙烯_(甲基）丙烯酸烷酯 共聚物膜（其烷基以具1至4個碳原子爲佳）、乙烯-α_ 烯烴共聚物膜、丙烯烯烴共聚物膜、聚烯烴膜（如， 聚丙烯）、聚酯膜（如，聚對酞酸乙二酯膜或聚對酞酸丁 二酯膜）、聚氯乙烯膜、聚酯彈性體和胺甲酸酯膜中之一 種或二或更多種。二或多種該底膜可意謂由前述例子的二 或多種層壓製得或係由前述例子的二或更多種樹脂之摻合 物製得者。該底膜可藉此領域已知的一般方法製造，且代 表性的製造法可包括’但不限於，T-模具擠壓、膨脹和砑 光。 本發明中，無特定限制地根據底膜用途而適當地選擇 底膜的厚度，且例如，可爲10微米至500微米，且以50 微米至3 00微米爲佳。較佳地，根據本發明之底膜具有就 半導體加工程序效能而言的適當模量，且例如，其於-10 °(：至100°C (以約20°C爲佳）的溫度下之儲存模量爲lx

本發明中，可在底膜上進行表面處理（如底塗處理或 電暈處理）以改良與壓敏性黏著層的緊密黏著性，及可添 加用於有效率的半導體加工之適當顏色。 未特定限制在底膜上形成壓敏性黏著層之方法。例如 ，本發明中，該方法可包括將前述壓敏性黏著劑組成物施 用至底膜及之後固化所得者，或藉由將壓敏性黏著劑組成 物施用至剝離基底及之後將壓敏性黏著層轉移至底膜而形 成壓敏性黏著層。本發明中，未特定限制將壓敏性黏著劑 -17- 201006900 組成物施用至底膜或剝離基底表面之方法，且例如，如， 棒塗佈機、刮刀塗佈機、滾筒塗佈機、噴塗機、凹板塗佈 機、簾塗佈機、缺角輪塗佈機（comma coater)和/或唇 形塗佈機（lip coater)裝置可用以進行施用。本發明中， 未特定限制固化壓敏性黏著劑組成物之方法，且可以使用 —般的熱固化或光固化形成，以使用熱固化爲佳。藉熱固 化形成壓敏性黏著劑，相較於藉由光固化，程序效能獲改 良且製得的壓敏性黏著劑具有優良均勻度。 更特定言之，本發明中，該方法包括將壓敏性黏著劑 組成物施用於底膜，使其乾燥及之後老化，或將壓敏性黏 著劑組成物施用至剝離基底表面，使其乾燥，將形成於剝 離底膜上的壓敏性黏著層轉移至基底表面及之後使其老化 〇 本發明中，希望經由在壓敏性黏著劑形成階段的適當 乾燥和老化程序而調整壓敏性黏著層的交聯結構。藉由調 整交聯結構，可得到具有彈性和強黏合性的壓敏性黏著層 ，藉此改良壓敏性黏著膜的壓敏黏著性，如，耐久可靠性 和切割性。更特定言之，壓敏性黏著板的壓敏性黏著層之 交聯密度以80至99%爲佳》如果壓敏性黏著層的交聯密 度低於80%，則壓敏性黏著層的黏合強度降低且壓敏性黏 著劑組份轉移至黏著物（如，水），造成殘留物。若交聯 密度超過99%，則剝除強度降低，導致在晶圓加工期間內 因噴水而浸沒。 根據本發明之壓敏性黏著板的壓敏性黏著層厚度以 -18- 201006900 0.5微米至50微米爲佳，丨微米至30微米更佳。若厚度 超出此範圍’則難以得到均勻的壓敏性黏著層，使得膜的 物性不一致。 根據本發明之壓敏性黏著板中，欲防止外來物質進入 壓敏性黏著層’可以在壓敏性黏著層上形成剝離膜。圖式 2係截面圖’所示者爲根據本發明之體系的壓敏性黏著板 ，其中壓敏性黏著層10形成於底膜20的一面上，而剝離 膜30形成於壓敏性黏著層1〇上。未特定限制剝離膜的詳 細類型’且例如，可以使用藉剝離處理聚對酞酸乙二酯（ PET )膜的一面或兩面而得的膜或具有矽或醇酸樹脂脫膜 劑的烯烴膜。沒有特定限制地，根據用途而適當地設定剝 離膜的厚度，且可在10微米至70微米的範圍內選擇。 本發明亦係關於一種背面硏磨法，其包含： 將根據本發明之壓敏性黏著板黏著至半導體晶圓的第 一步驟；和 使與壓敏性黏著板黏合的半導體晶圓之背面進行硏磨 的第二步驟。 該背面硏磨法之特徵在於使用根據本發明之壓敏性黏 著膜作爲晶圓加工保護膜，且未特別限制其他加工條件細 節。例如，本發明中，可以在藉加壓或熱輥層壓法將壓敏 性黏著膜黏著至晶圓及將其固定至硏磨工具（如硏磨機） 之後實施背面硏磨法。如前述者，根據本發明之壓敏性黏 著膜可以其優良的晶圓潤濕性和極佳剝除性和耐水性而有 效地施用至背面硏磨法。根據本發明之硏磨法中，一般的 -19- 201006900 半導體封裝法（如晶圓切片、模具結合、金屬線結合和模 塑）可自背面硏磨法連續進行’且未特定限制條件細節。 本發明之模式 下文中，將參考根據本發明之實例和非根據本發明之 比較例地詳細描述本發明，但本發明之範圍不限於下文描 述的實例。 製得包含丙烯酸異冰片酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯 、丙烯酸正丁酯和丙烯酸2-羥乙酯的單體混合物（1〇〇重 量份），使得該混合物中含有5重量份的丙烯酸異冰片酯 (IBOA)，且自該混合物製得的聚合物之玻璃轉變溫度 爲-2 5 °C。之後，該單體混合物經聚合以製造固體含量爲 45重量％的丙烯酸系壓敏性黏著聚合物。之後，異氰酸酯 交聯劑以相對於100重量份壓敏性黏著聚合物爲2重量份 的量加至製得的壓敏性黏著聚合物中。將所得者施用於厚 度爲80微米的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜，並於之後乾燥 ，藉此製得壓敏性黏著層（厚度：20微米）。製得的壓敏 性黏著板於50°C老化2小時，之後進行下述試驗。 實例2 除了使用丙烯酸異冰片酯（IBOA)的含量爲10重量 份之包含丙烯酸異冰片酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙 -20- 201006900 烯酸正丁酯和丙烯酸2 -羥乙酯的單體混合物（100重量份 )且自該混合物製得的聚合物之玻璃轉變溫度爲-9°C以外 ’以與實例1相同的方式製造壓敏性黏著板。 實例3 除了使用丙烯酸異冰片酯（IBOA)的含量爲20重量 份之包含丙烯酸異冰片酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙 烯酸正丁酯和丙烯酸2-羥乙酯的單體混合物（1〇〇重量份 )且自該混合物製得的聚合物之玻璃轉變溫度爲- l°c以外 ，以與實例1相同的方式製造壓敏性黏著板。 實例4 除了使用丙烯酸異冰片酯（IBOA)的含量爲25重量 份之包含丙烯酸異冰片酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙 烯酸正丁酯和丙烯酸2-羥乙酯的單體混合物（100重量份 φ )且自該混合物製得的聚合物之玻璃轉變溫度爲13°C以外 ，以與實例1相同的方式製造壓敏性黏著板。 比較例1 除了使用包含丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁 酯和丙烯酸2-羥乙酯的單體混合物（100重量份）及自該 混合物製得的聚合物之玻璃轉變溫度爲-27 °C以外，以與 實例1相同的方式製造壓敏性黏著板。 -21 - 201006900 比較例2 除了使用包含丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁 酯和丙烯酸2-羥乙酯的單體混合物（1〇〇重量份）及自該 混合物製得的聚合物之玻璃轉變溫度爲-2 °C以外，以與實 例1相同的方式製造壓敏性黏著板。 藉由使用根據實例和比較例製得的壓敏性黏著板，以 下列方式評估物性。 1.保護膜的黏著性 使用晶圓封裝機（DS Precision Inc. DYWMDS-8’）， 使壓敏性黏著板黏著至8吋矽晶圓，並觀察晶圓表面以計 算產生薄片狀泡沬的部分，之後以3或更少個泡沫爲〇， 4至7個泡沫爲△，和8或更多個泡沬爲X進行評估。 2 · 1 8 (Γ剝離力 基於JIS Z 023 7，評估壓敏性黏著板的180°剝離力。 首先，使用2公斤滾筒及之後維持於23 °C溫度和55%相對 濕度1小時，使得壓敏性黏著板黏著至矽晶圓。之後，使 用拉伸試驗機，在剝離速率1.0米/分鐘下評估剝離力。 試樣係於切成尺寸爲2.5公分x24公分（水平X垂直）後使 用。 3.硏磨性 使用晶圓封裝機，將壓敏性黏著板黏著至8吋矽晶圓 之後，該板根據晶圓形狀於擴張機（expender)上切割， 且在使用背面硏磨機（SVG-502MKII8 )之後評估晶圓損 傷和破裂量。更特定言之，硏磨5次並以〇個晶圓破裂或 -22- 201006900 受損爲〇，1個晶圓破裂或受損爲△’和2或多個晶圓破 裂或受損爲X進行評估。 4.防水性 基於上提測量而評估壓敏性黏著板的防水性。更特定 言之，壓敏性黏著板黏著至8吋晶圓並在擴張機中切成晶 圓形狀，之後使用晶圓背面硏磨機（SVG-502MKII8 )進 行背面硏磨程序。根據下列標準評估晶圓表面和壓敏性黏 著板之間的水滲透性和上提。 〇：無上提或脫離 △:些微上提或脫離 X :更多上提或脫離 5 .再剝離性 8吋矽晶圓硏磨至150微米之後，它們維持於室溫24 小時，將黏著有壓敏性黏著板的面朝上置於扁平平面上， 且在安全支撐經硏磨過的晶圓時，使壓敏性黏著板剝離。 φ 藉評估晶圓於剝離期間內之破裂和損傷，根據下列標準評 估再剝離性。 傷 損 傷和 損裂 和破 裂數 破少 無有 中中 圓圓 晶晶〇 △ 裂Ϊ 破I 量πΜ '進0 ^ 曰 saa： 貧 •X以 傷 損 和 表 於 示 艮 身 結 -23- 201006900 [表l] 實例 比較例 1 2 3 4 1 2 ro〇A含量(重量0/〇) 5 10 20 25 . 聚合物玻璃轉變溫度fc) -25 -9 -1 13 -27 -2 黏著性 〇 〇 〇 〇 〇 Δ 180°剝離力(克/毫米） 46 42 35 27 87 71 硏磨性 〇 〇 〇 〇 〇 Δ 防水性 〇 〇 〇 〇 Δ X 再剝離性 〇 〇 〇 〇 X Δ 如由表1中所不結果可見者，本發明之使用包括丙嫌 酸異冰片酯作爲單體組份的壓敏性黏著聚合物的實例具有 優良黏著性'硏磨、防水性和再剝離性，並維持適當程度 的180°剝離力。另一方面，未包括丙烯酸異冰片酯的比較 例具有過高的剝離力並驅使其他物性以及各物性之間的平 衡明顯降低。 【圖式簡單說明】 參 圖式1係根據本發明之體系的壓敏性黏著板之截面圖 圖式2係根據本發明之另一體系的壓敏性黏著板之截 面圖。 【主要元件符號說明】 1 0 :壓敏性黏著層 20 :底膜 30 :剝離膜 -24-

Claims (1)

1. 201006900 七、申請專利範圍 1. 一種包含單體混合物的聚合物之壓敏性黏著劑組 成物’其中該單體混合物含有： 含有C甲基）丙烯酸異冰片酯的（甲基）丙烯酸酯單 體；和 可交聯的單體’包括至少一種選自羥基、羧基和含氮 官能基之官能基。 g 2.如申請專利範圍第1項之壓敏性黏著劑組成物， 其中該聚合物之玻璃轉變溫度係-5(TC至15。(：。 3.如申請專利範圍第1項之壓敏性黏著劑組成物， 其中該聚合物之重量平均分子量係50,000至700,000。 4 .如申請專利範圍第1項之壓敏性黏著劑組成物， 其中該（甲基）丙烯酸酯單體進一步包含至少一種選自下 列的第二單體：（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙 酯、（甲基）丙烯酸正丙酯、（甲基）丙烯酸異丙酯、（ φ 甲基）丙烯酸正丁酯、（甲基）丙烯酸第三丁酯、（甲基 )丙烯酸第二丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯 酸2-乙基己酯、（甲基）丙烯酸2-乙基丁酯、（甲基）丙 烯酸正辛酯、（甲基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸異 壬酯、（甲基）丙烯酸月桂酯和（甲基）丙烯酸十四酯。 5. 如申請專利範圍第4項之壓敏性黏著劑組成物， 其中該（甲基）丙烯酸酯單體包含1至30重量份的（甲 基）丙烯酸異冰片酯和60至98 ·9重量份的該第二單體。 6. 如申請專利範圍第1項之壓敏性黏著劑組成物， -25- 201006900 其中可交聯的單體係選自（甲基）丙烯酸2-羥乙酯、（甲 基）丙烯酸2-羥丙酯、（甲基）丙烯酸4-羥丁酯、（甲基 )丙烯酸6-羥己酯、（甲基）丙烯酸8-羥辛酯、（甲基） 丙烯酸2-羥乙二醇酯、（甲基）丙烯酸2-羥丙二醇酯、（ 甲基）丙烯酸、2-(甲基）丙烯醯氧基乙酸、3-(甲基） 丙烯醯氧基丙酸、4-(甲基）丙烯醯氧基丁酸、丙烯酸二 聚體、衣康酸、順-丁烯二酸、順·丁烯二酸酐、（甲基） 丙烯醯胺、N-乙烯基吡咯烷酮和N-乙烯基己內醯胺中之 —或多者。 7.如申請專利範圍第1項之壓敏性黏著劑組成物， 其中該單體混合物包含90至9 9.9重量份的（甲基）丙烯 酸酯單體和0.1至10重量份的該可交聯的單體。 8-如申請專利範圍第1項之壓敏性黏著劑組成物， 其中該單體混合物進一步包含式1所示化合物

   其中R!至R3分別代表氫或烷基：R4代表氰基、未經 取代或經烷基取代的苯基、乙醯氧基或COR5 ;而R5代表 未經取代或經烷基或烷氧基烷基取代的胺基或縮水甘油氧 基。 9.如申請專利範圍第1項之壓敏性黏著劑組成物， 其進一步包含相對於100重量份的聚合物爲0.1至10重 量份的交聯劑。 -26- 201006900 1 0 .如申請專利範圍第9項之壓敏性黏著劑組成物， 其中該交聯劑係選自異氰酸酯化合物、環氧化物、氮丙啶 化合物和金屬鉗合化合物中之一或多者。 —種壓敏性黏著板，其包含： 底膜；和 壓敏性黏著層，而其係形成於該底膜的一或兩面上， 並含有如申請專利範圍第1至1 〇項中任一項之壓敏性黏 著劑組成物的固化產物。 12. 如申請專利範圍第11項之壓敏性黏著板，其中 該底膜係聚乙烯膜、乙烯-乙酸乙烯基共聚物膜、乙烯_( 甲基）丙烯酸烷酯共聚物膜 '乙烯-α-烯烴共聚物膜、丙 烯-α-烯烴共聚物膜、聚烯烴膜、聚酯膜、聚氯乙烯膜、 聚酯彈性體或胺甲酸酯膜。 13. 如申請專利範圍第11項之壓敏性黏著板，其中 該底膜厚度係10微米至500微米。 1 4.如申請專利範圍第1 1項之壓敏性黏著板，其中 該底膜於-1(TC至100 °C的溫度下之儲存模量爲lxl 07 Pa 至 lxlO9 Pa。 15. 如申請專利範圍第11項之壓敏性黏著板，其中 該壓敏性黏著層的厚度係0.5微米至50微米。 16. 如申請專利範圍第11項之壓敏性黏著板，其進 一步包含形成於該壓敏性黏著層上的剝離膜。 17·—種背面硏磨法，其包含： 將如申請專利範圍第11項之壓敏性黏著板黏著至半 -27- 201006900 導體晶圓的第一步驟；和 使與壓敏性黏著板黏合的半導體晶圓之背面進行硏磨 的第二步驟。

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