200948182 六、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具有發光範圍，和區隔該發光範圍之非 發光範圍，該非發光範圍之至少表面乃由有機材料加以形 成之有機電激發光面板及其製造方法。 【先前技術】 〇 近年，多爲使用將薄型自發光元件之有機電激發光元 件形成於基板上之有機電激發光面板。有機電激發光元件 乃將含有發光層之有機層，由形成於與基板對向側之陽極 ，和形成於其相反側之陰極的2個電極夾持，經由流動特 定的電流於其電極間之時，將所期望亮度的發光光線，從 發光層射出的元件。隨之，發光光線的亮度係依存於流動 的電流。另外，從在陽極與陰極的重合部分之發光層產生 發光者，於與基板相反側射出發光光線的前放射構造之有 ❹ 機電激發光元件乃因爲爲採取陽極面積大之構造，而多被 使用。 那麼，在前放射構造之有機電激發光元件之中，係有 必要將對於發光層而言，位置於射出方向側，作爲共通電 極而形成於發光範圍全體之陰極，作爲具有光透過性之透 明電極。作爲透明電極而從以往所使用之材料，係有銦錫 氧化物（ITO)或銦鋅氧化物（IZO )等。但，此等材料係 電阻率因比較於金或鋁的金屬爲大，而陰極的電位乃遍佈 於顯示面全體，未成爲等電位，而對於流向於有機電激發 -4- 200948182 光元件之電流產生差異。因此，成爲發光光線未成爲所期 望的亮度，而產生亮度不勻者。另外，即使作爲以電阻率 小之金屬膜而形成陰極，爲了增加光透過率而一有必要將 膜厚作爲極薄（例如，5〜5 Onm )，最後電阻變高，同樣地 產生亮度不勻。 因此，在發光範圍全體，減少陰極的電位差之技術乃 揭示於專利文獻1。專利文獻1係將電阻低之補助配線形 〇 成於陽極間’經由除去形成於補助配線上之有機材料之時 ’電性連接補助配線與陰極，欲作爲控制產生於陰極的電 位差者。 〔專利文獻1〕日本特開2007-73323號公報 【發明內容】 〔發明欲解決之課題〕 在此，針對在專利文獻1，補助配線亦如與陰極同樣 ^ 地’對於有機材料的層而言，形成於與基板側相反側，了 解到無需去除有機材料，製造工程變爲容易者。但，補助 .配線係爲了降低電阻，而多爲以電阻率小之金屬等之無機 -材料所形成者’因此’有著與有機材料的緊密性變差的課 題。例如，作爲補助配線之材料，電阻率小的鋁或銅，金 乃最佳’但因缺乏與有機材料的緊密性而形成之補助配線 則成爲經由熱等所剝離者。 另外’在有機電激發光元件之中，作爲專利文獻1以 外之構造，亦進行經由於陽極間形成有機材料所成之間隔 -5- 200948182 壁之時，區隔發光範圍者。如此之情況亦有形成間隔壁 有機材料與補助配線的緊密性劣化之課題，所形成之補 配線，成爲經由熱等從間隔壁所剝離者。 〔爲解決課題之手段〕 本發明乃爲解決上述之課題之至少一部分而成者， 實現做爲以下之形態或適用例。 Ο [適用例1]一種有機電激發光面板，屬於具有發光 圍’和區隔該發光範圍之非發光範圍，該非發光範圍之 少表面乃由有機材料加以形成之有機電激發光面板，其 徵乃具備在前述非發光範圍內，形成於前述有機材料上 中間層，和形成於前述中間層上的第1電極層，和與前 第1電極層電性連接，至少呈被覆前述發光範圍地加以 成之第2電極層，前述第1電極層係由具有較前述第2 極層爲小電阻率之無機材料所形成，前述中間層係對於 © 述有機材料而言，由具有較前述第1電極層爲高緊密性 無機材料所形成者。 如根據其構成，經由將以電阻率小之無機材料所形 的第1電極層，配置於發光範圍外之非發光範圍之時， 無需遮蔽發光光線者而控制產生於在發光範圍之第2電 層的電位差者。另外，可將第1電極層與有機材料之緊 性，由介入存在中間層而提昇者。隨之，成爲可在控制 發光範圍之發光光線的亮度差之同時，提供形成於非發 範圍之第1電極層不易剝離之信賴性高的有機電激發光 之 助 可 範 至 特 之 述 形 電 \.e.. 刖 之 成 可 極 密 在 光 面 -6- 200948182 板者。 [適用例2]—種有機電激發光面板，其特徵乃前述中 間層乃經由複數之無機材料層所形成者。 如根據其構成’因由複數之無機材料層而形成中間層 ’故對於第1電極層及有機材料之雙方而言，可形成各緊 密性佳之中間層的機率乃變高。隨之，成爲可在控制在發 光光線的亮度差之同時，提供形成於非發光範圍之第1電 © 極層更不易剝離之信賴性高的有機電激發光面板者。 [適用例3] —種有機電激發光面板，其特徵乃前述第2 電極層乃由無機材料層所形成，形成前述中間層之無機材 料層之至少之一乃與形成前述第2電極層之無機材料層相 同材料者。 如根據其構成’因在形成中間層時，可同時形成第1 電極層者，故得到製造工程縮短之效果。 [適用例4] 一種有機電激發光面板，其特徵乃形成前 ® 述中間層之無機材料乃金屬材料或合金材料者。 經由對於中間層使用金屬材料或合金材料之時，在提 昇與第1電極層之緊密性的同時，對於在有機電激發光面 板之製造工程加上熱而言，經由根據熱擴散之熱應力的緩 和’可控制中間層之剝離者。隨之，可提供信賴性佳之有 機電激發光面板者。 [適用例5] —種有機電激發光面板，其特徵乃前述有 機材料乃與構成形成於前述發光範圍之有機電激發光元件 的有機材料相同材料者。 200948182 如根據其構成，因亦可將構成有機電激發光元件 機材料，形成於非發光範圍之表面者，故亦可將有機 發光元件的形成工程，不作爲只形成於發光範圍之光 程。隨之，有機電激發光元件的形成工程乃變爲容易 [適用例6]—種有機電激發光面板，其特徵乃前述 電極層乃由複數的膜所成，前述複數的膜之一的膜乃 前述第2電極層之間，具有高緊密性之材料者。 〇 如根據其構成，因將第1電極層作爲複數的層， 中之一的膜，在與第2電極層之間，由具有高緊密性 料而形成，故可將與第2電極層之間的緊密性之提昇 阻率之降低雙方，在第1電極層而實現者。 [適用例7] —種有機電激發光面板之製造方法， 具有發光範圍，和區隔該發光範圍之非發光範圍，該 光範圍之至少表面乃由有機材料加以形成之有機電激 面板之製造方法，其特徵乃具備在前述非發光範圍內 © 前述有機材料上形成中間層之工程，和於前述中間層 成第1電極層之工程，和與前述第1電極層電性連接 .成至少被覆前述發光範圍之第2電極層之工程，前述 電極層係由具有較前述第2電極層爲小電阻率之無機 所形成，前述中間層係對於前述有機材料而言，由具 前述第1電極層爲高緊密性之無機材料所形成者。 如根據其方法，經由將以電阻率小之無機材料所 的第1電極層’配置於發光範圍外之非發光範圍之時 使無需遮蔽發光光線者而控制產生於在發光範圍之第 之有 電激 罩工 〇 第1 在與 將其 之材 與電 屬於 非發 發光 ，於 上形 ，形 第1 材料 有較 形成 ，可 2電 -8- 200948182 極層的電位差者降低。另外，可將第1電極層與有機材料 之緊密性，由介入存在中間層而提昇者。隨之，成爲可在 控制在發光範圍之發光光線的亮度差之同時，提供形成於 非發光範圍之第1電極層不易剝離之信賴性高的有機電激 發光面板者。 [適用例8]—種有機電激發光面板之製造方法，屬於 具有發光範圍，和區隔該發光範圍之非發光範圍，該非發 〇 光範圍之至少表面乃由有機材料加以形成之有機電激發光 面板之製造方法，其特徵乃具備在前述非發光範圍內，於 前述有機材料上形成中間層之工程，和於前述中間層上形 成第1電極層之工程，形成前述中間層之工程乃包含與前 述第1電極層電性連接，形成至少被覆前述發光範圍之第 2電極層之工程，前述第1電極層係由具有較前述第2電 極層爲小電阻率之無機材料所形成，前述中間層係對於前 述有機材料而言，由具有較前述第1電極層爲高緊密性之 Ο 無機材料所形成者。 另外，可將以電阻率小之無機材料所形成的第1電極 層與有機材料之緊密性，由介入存在中間層而提昇者。並 且，經由電性連接配置於非發光範圍之第1電極層與第2 電極層之時，可使產生於第2電極層之電位差下降者。其 結果，成爲可無需遮蔽發光光線而控制在發光範圍之發光 光線的亮度差之同時，提供形成於非發光範圍之第1電極 層不易剝離之信賴性高的有機電激發光面板者。另外，因 在形成中間層之同時形成第2電極層，故得到製造工程縮 -9- 200948182 短之效果。 【實施方式】 首先，在說明本發明之實施例之前，對於作爲適用本 發明之實施例的一型態之有機電激發光面板，將其顯示原 理及面板構成，採用圖1與圖2而作簡單說明。此係爲了 容易作爲對於之後所說明之實施例奏得效果之理解。 ❹ 圖1乃將有機電激發光面板100之全體配置，與電路 構成同時顯示的模式圖。有機電激發光面板100係形成將 具有略矩形狀之陽極130作爲發光範圍之像素（不圖示） 。像素係對應於陽極130的排列，於基板10上的特定範 圍，規則確實地排列於行方向（圖面橫方向）及列方向（ 圖面縱方向）。然而，陽極130的形狀係亦可爲矩形形狀 以外的形狀。另外，陽極1 3 0的排列，即像素的排列，當 然亦可爲不規則者。 〇 在本實施例中，爲了簡單進行之後的說明，如圖1所 示，有機電激發光面板100係對應於陽極130的排列，作 爲於列方向（圖面縱方向）形成4像素，於行方向（圖面 橫方向）形成6像素之合計24個的像素者。本來，實際 上係當然於行列各方向，形成數百像素乃至數千像素之多 數的像素者。 另外，有機電激發光面板100乃對於各像素，加以發 光驅動之活性矩陣型之裝置。即，對於各像素，係形成有 有機電激發光元件，和爲了驅動有機電激發光元件的驅動 -10- 200948182 元件。驅動元件係如圖1所示，由TFT (薄膜電晶體）14 ，15與保持電容16所構成。然而，有機電激發光面板 1〇〇係作爲具有前放射構造者。隨之，驅動元件係在與成 爲發光範圍之陽極130平面重疊之位置，對於陽極130而 言，形成於基板1 0側。 對於基板10之端部，係形成有掃描驅動電路11與資 料驅動電路1 2，以及供電端子1 3。從掃描驅動電路1 1係 〇 掃瞄線Gate，從資料驅動電路12係資料線Sig，另外， 從供電端子1 3係接續於此之電源供給線Com乃各自對於 形成於各像素之驅動元件而言，如圖示加以配線，發光驅 動有機電激發光元件。 首先，掃瞄線Gate係連接於TFT14之閘極，對應於 藉由掃瞄線Gate所供給之電流信號，開啓/關閉控制 TFT14。並且，當TFT14開啓時，對應於從連接於TFT14 之源極的資料線Sig所供給之像素信號，經由從電源供給 Ο 線Com所供給之電源，於保持電容16，保持特定的電壓 。如此，保持於保持電容16之電壓係施加於TFT15之閘 極，將TFT15作爲開啓狀態。TFT 15之源極及汲極係個連 接於電源供給線Com與陽極130，對應於保持於保持電容 16之電壓’也就是對應於像素信號之電流乃藉由電源供給 線C 〇 m，施加於陽極1 3 0。 形成於各像素之有機電激發光元件係經由於陽極130 ，和遍佈於所有的像素（發光範圍）表面，所形成之陰極 1 7 0 (圖中二點虛線）之間，流動電流之時，產生發光。 -11 - 200948182 隨之，經由施加於陽極130之電流乃流動於陰極170之時 ，各發光範圍係由對應於像素信號之亮度而發光。然而， 陰極170係在外周端部加以接地。 接著，對於針對在有機電激發光面板100之具體的像 素構成，採用圖2而加以說明。圖2乃顯示關於形成於有 機電激發光面板1〇〇之RGB的各像素之構成的模式圖。 圖2(a)乃顯示在圖1所示之各像素之中，於行方向（圖 ❹ 面橫方向），R像素，G像素，B像素之發光範圍排列之 部分的平面圖，圖2(b)乃顯示針對在圖2(a)之A-A 剖面的模式剖面圖。然而，個尺寸係因對應於說明情況的 必要而有做誇張，當然實際的尺寸係未必爲一致者。 各像素係如圖2 ( a )所示，經由根據非發光範圍（圖 中影線部分）所區隔之發光範圍，加以形成。發光範圍係 如前述爲陽極130之範圍，呈略矩形形狀。並且，對於各 像素的像素範圍’係如圖2(b)所示，以特定的排列而排 © 列RGB之各色濾光片的彩色綠光片，則呈重疊於各發光 範圍地加以配置。 彩色濾光片乃於玻璃板上，形成經由遮光範圍BM所 區隔之R爐光片’ G濾光片，B濾光片者，將從發光範圍 所射出的白色光，經由R濾光片，G濾光片，8濾光片而 各自變換成R光’ G光，B光。如此作爲，經由射出對應 於個發光範圍的亮度顏色的光之時，各形成R像素，〇像 素’ B像素’有機電激發光面板100係顯示彩色像素。 然而’從既已周知構造者，具體的說明係省略，彩色 -12- 200948182 濾光片乃對於形成有有機電激發光元件之基板ι〇而言， 保持特定之間隔同時，在其外周部分，藉由樹脂等加以密 封黏接。另外，對應於需要而形成各色濾光片或防止從遮 光範圍BM之氣體的流出之保護膜。 那麼，如前述，有機電激發光面板100係經由於夾持 於陽極130與陰極170之有機電激發光元件140，流動電 流之時而發光者。隨之，從陽極130與陰極170平面重疊 〇 之範圍乃電流之流動的範圍者，發光範圍係成爲其範圍。 並且，除此以外的範圍乃成爲非發光範圍。 有機電激發光元件140乃從陽電極130側依序層積電 洞植入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層之各機能層 者。個機能層係例如經由胺系有機材料等之有機材料所形 成。另外，發光層乃層積藍色發光機能層與黃色發光機能 層，呈從發光範圍射出白色光地加以構成。然而，關於形 成構成有機電激發光元件140之各機能層的有機材料，從 © 在前述的專利文獻1等，揭示使用可能之材料者，在此係 省略詳細的說明。 另外，有機電激發光面板100係從爲前放射方式者， 呈有機電激發光元件140之發光光線，從陰極17〇射出地 ，對於與陽極130之基板10對向的面側，係藉由爲了將 控制經由電蝕等之陽極1 3 0的劣化等做爲目的所形成之絕 緣層120，形成反射層110。原本，陽極130兼具反射層 110之情況，無需形成反射層11〇(及絕緣層120)。 做爲反射層110乃例如最佳爲A1。作爲陽極130係不 -13- 200948182 限於如ITO (銦錫氧化物）或IZO (銦鋅氧化物）光透過 性之材料，而亦可使用氧化錫或金，銀，銅等之無光透過 性之材料。原本，陰極170係由具有ITO或IZO等之光透 過性的材料所形成。然而，即使爲金屬材料，如爲光可透 過程度之薄化形成之構成，可作爲陰極材料而使用者。 但，爲了發光驅動有機電激發光元件140之驅動元件 係如前述，形成於與陽極130平面重疊之位置。具體而言 〇 ’如圖2 ( b )所示，於位置於反射層1 10與基板1 0之間 ，平坦化表面全體之裝置層20之內部，形成驅動元件之 TFT15，TFT14或保持電容16。並且，TFT15之汲極電極 係經由在裝置層20及絕緣層120所形成之未圖示的貫穿 孔，與陽極13 0加以連線。然而，對於裝置層20係因對 於之後說明之實施例而言，並非本質，故省略具體之說明 。另外，針對在使用於之後說明之圖面，係作爲含於基板 1〇之構成而處理者。 © 如此，於基板10上，形成裝置層20，反射層110, 陽極130，有機電激發光元件140，陰極170，經由於陽極 1 3 0，和遍佈於所有像素的表面所形成之陰極1 70之間， 流動電流之時，存在於陽極130之範圍的有機電激發光元 件14則產生白色發光。此時，所形成之陰極170係因有 必要如前述具有光透過性，而必須爲ITO或極薄之金屬膜 的電阻率大之電極層。此結果，對於陰極1 70，係經由朝 向於所接地之外周端部流動之電流，產生相當之電位差者 -14- 200948182 當在陰極170，產生如此電位差時，對應於所產生的 電位差，控制從陽極130流動於有機電激發光元件140之 電流。如此，有機電激發光元件140之發光亮度則下降， RGB的各像素之亮度則下降。因此，於RGB的各像素之 亮度產生差，而成爲無法正確顯示彩色像素者。 因此，在本實施例中，爲了控制產生於陰極170之電 位差，於非發光範圍，將電阻率低的無機材料所成之電極 © 層，作爲補助陰極而形成，欲控制產生於陰極170之電位 差者。即，如圖3所示，針對在各存在於行方向及列方向 之格子狀的非發光範圍（粗影線部分），於未與陽極130 之位置平面重疊之位置，形成電阻率小之無機材料所成之 補助陰極160(細影線部分）。並且，雖未在圖3顯示， 但將補助陰極160之端部，與陰極170之外周端部同樣地 作爲接地者。 經由如此作爲，補助陰極1 60係從電性電阻變低者， © 針對在任何位置，亦成爲接近於接地電位之電位。其結果 ，無需遮蔽從發光範圍所射出的發光光線，而可呈在RGB 各像素間之陰極1 70的電位差變小地進行控制者。然而， 補助陰極160係亦可作爲只在行方向形成者，而亦可作爲 只在列方向形成者。或者，如未形成於存在於所有像素間 (也就是所有的發光範圍間）之非發光範圍，而打開特定 的間隔而形成等，對應於在陰極170之電位差的產生狀態 而加以形成者即可。 因此，對於補助陰極160之形成，舉出2個實施例而 -15- 200948182 加以說明。對於第1實施例係採用圖4與圖5，對於第2 實施例係採用圖6與圖7’以下依序進行說明。然而，圖 4及圖6乃均顯示針對在圖3之B-B剖面的模式圖。 (第1實施例） 圖4乃顯示第1實施例之補助陰極160的形成情況的 圖，有機電激發光面板1〇〇之構造模式圖。如圖示，對於 〇 存在於鄰接之陽極130間，形成於絕緣層120上之有機電 激發光元件140的上方，未於與陽極130平面重疊之非發 光範圍，形成中間層150，於其上方，形成補助陰極160 。並且，陰極170乃形成於有機電激發光元件140及補助 陰極160之上方。 中間層150係對於構成有機電激發光元件140之有機 材料而言，由具有較補助陰極160爲高緊密性之無機材料 所形成。補助陰極160係由電阻率低之無機材料所形成， © 在本實施例中，係使用鋁。原本，亦可使用銅或金，銀。 並且，與由具有光透過性之無機材料所形成之陰極170, 作爲電性地導通。在本實施例中，陰極170係作爲由ITO 所形成者。 在此，對於可作爲中間層150而採用之無機材料之中 ，特別是金屬材料及合金材料，將調查與有機材料之緊密 性之測試結果，顯示於表1。測試方法係在於基板1 0上形 成厚度150nm有機電激發光元件140之後，將成爲評價對 向之中間層，於其上側全面，經由蒸鍍加以形成，更加地 -16- 200948182 於在其上側全面，形成厚度3 00nm成爲補助陰極的鋁之試 驗板，在貼上透明膠帶（登錄商標）之後撕下。並且，對 於所貼上之透明膠帶（登錄商標）之面積而言，殘存之補 助陰極的面積比例（％ )越多，評價爲高緊密性者。然而 ，在表1，中間層之構成爲2層以上的情況，係顯示記載 於中間層之材料欄的材料，從左側依序形成於有機電激發 光元件上者。另外，括弧內的數字係顯示所形成的膜之厚 ❹ 度。 〔表1〕 實驗No. 中間層之構成 中間層之材料(厚度） 測試結果 實驗1 姐 j \ \\ 0% 實驗2 1層(金屬） Mg(10nm) 10% 實驗3 1層(金屬） Au(lnm) 10% 實驗4 1層(金屬） Cr(10nm) 66% 實驗5 1層(金勵 Ti(lOnm) 80% 實驗6 1層(金屬化合物） LiF(lmn) 76% 實驗7 1層(金屬酸化物） Li〇2(lnm) 80% 實驗8 2層(金屬化合物/金屬） LiF (1 nm)/Ag( 1 Onm) 90% 實驗9 2層(金屬化合物/金屬間 化合物） LiF (1 nm)/Mg-10% Ag( 1 Onm) 100% 實驗10 2層(金屬間化合物/金屬 酸化物） Mg-10% Ag( 1 Onm)/ITO( 1 OOnm) 100% 實驗11 3層(金屬化合物/金屬間 化合物/金屬酸化物） LiF(lnm)Mg-10%Ag(10mn)/ITO(100nm) 100% 如表1所示，經由形成金屬材料或合金材料的中間層 之時，改善緊密性。並且，所形成之中間層係成爲比較於 1層，2層，比較於2層，3層者，緊密性佳之測試結果。 -17- 200948182 另外，即使爲1層，Mg或Au係緊密性的改善效果 但Cr或Ti係顯示得到比較大之改善效果者。並且 地顯示金屬化合物或金屬氧化之合金材料乃具有高 者。即，作爲緊密性之改善效果大的無機材料係舉 、Li02、MgAg合金、ITO。當然’組合此等材料之 緊密性之改善效果爲大。 因此，在本實施例中，作爲中間層1 5 0，從表 〇 之採用可能的材料之中，採用實驗10之材料構成 針對在圖4，於有機電激發光元件140上，首先形 10nm MgAg膜（Ag含有重量比率10%)，於其上 成厚度lOOnm ITO膜而形成中間層150。隨之，補 160乃形成於ITO層之上方。 如此，在本實施例中，對於有機電激發光元件 而言，具有緊密性高之複數的合金材料層的中間層 其結果，本來係可將對於有機材料而言，由容易剝 © 所形成之電阻低之補助陰極160，藉由中間層150 落於由有機材料所形成之非發光範圍而形成者。並 由電性連接由ITO形成之電阻高的陰極170，和電 補助陰極160之時，可控制在各像素之陰極170的 。雖之，因未控制從陽極130流動於有機電激發 140之電流，故有機電激發光元件140之發光亮度 ，而可經由RGB之各像素的發光亮度，可正確顯 畫像者。 接著，對於在本實施例之中間層15〇與補助陰 爲低， ，槪括 緊密性 出LiF 構成亦 示所示 °即， 成厚度 方，形 助陰極 140之 150 〇 離的鋁 而未剝 且，經 阻低的 電位差 光元件 未下降 示彩色 極 16 0 -18- 200948182 之形成方法，採用圖5加以說明。圖5 ( a )係顯示於形成 於基板1〇之絕緣層120及陽極130上，經由蒸鍍而形成 具有由前述有機材料所成之各機能層的有機電激發光元件 140之狀態的剖面模式圖。 接著，如圖5(b)所示，於位置於鄰接之陽極130間 的有機電激發光元件140上，將中間層150，經由光罩蒸 鍍而形成。中間層150係如前述，由無機材料所成之2個 〇 層所構成，首先，作爲第1個無機材料層，使含重量比率 10%Ag之MgAg合金進行光罩蒸鍍而堆積，形成膜厚 lOnm之MgAg層。並且，接著作爲第2無機材料層，將 ITO，使用相同光罩而進行蒸鍍，堆積於MgAg層上，形 成膜厚lOOnm之ITO層。 接著，如圖5 ( c )所示，於所形成之中間層150上， 使用採用在中間層150之形成同樣的光罩，蒸鍍鋁，形成 膜厚lOOnm之補助陰極160。此結果，補助陰極160係因 〇 正確地形成於中間層150上，故未有在於直接形成於有機 電激發光元件1 40之情況而產生的剝落，藉由中間層1 50 而確實地固定於有機電激發光元件140上。 接著，如圖5(d)所示，於補助陰極160及有機電激 發光元件140上，，經由蒸鍍陰極170而形成。此時，陰 極170係因重疊於補助陰極160上而加以蒸鍍，故成爲取 得電性地導通者。原本，從補助陰極160及陰極17〇均爲 無機材料層，呈良好的緊密性。 然而，從經由對於中間層150採用金屬材料，將產生 -19- 200948182 在蒸鍍工程時的熱，擴散至陰極170全面而放熱的機率變 高者，經由熱應力的緩和，可控制中間層1 5 0之剝離者。 之後，如圖4所示，正確配置於像素位置之彩色綠光 片乃在基板10之外周部分，加以黏接固定而完成有機電 激發光面板1〇〇。 (第2實施例） Ο 接著，對於第2實施例加以說明。在上述第1實施例 中，於中間層150與補助陰極160之形成後，形成陰極 170，但第2實施例係在中間層150之形成時，同時形成 陰極170，之後形成補助陰極160者。 圖6乃顯示第2實施例之補助陰極160的形成情況的 圖，有機電激發光面板1〇〇之構造模式圖。如圖示，對於 存在於鄰接之陽極130間之有機電激發光元件140上，形 成中間層150，於其上方，形成陰極170。並且，在陰極 © 170上於與中間層150平面重疊之位置，形成補助陰極 160° 在本實施例中，陰極170係作爲由ITO所形成者。另 外，中間層150，係與上述第1實施例同樣，從在前述表 1之採用可能的材料之中’採用實驗10之材料構成而加以 形成者。即，形成厚度10nm MgAg膜（Ag含有重量比率 10%)，於其上方，形成厚度l〇〇nm ITO膜者。另外，補 助陰極160係由電阻率低之無機材料所形成，在此係形成 厚度3 00nm鋁者。並且，與由具有光透過性之無機材料之 -20- 200948182 ITO所形成之陰極1 70，作爲電性地導通。 在本實施例之中，構成中間層150的層之一，和陰極 1 70乃由如此相同的無機材料ΙΤ0加以形成之情況，係經 由將各膜厚作爲相同之時，可作爲同時形成此等。也就是 ，將陰極170的ΙΤ0膜之厚度，作爲與構成中間層150之 ΙΤΟ膜之厚度相同之100nm。其結果，因可在構成中間層 150之ITO膜之形成同時，可形成陰極170者，故比較於 ❹ 第1實施例，製造工程乃縮短。 如此，在本實施例中，對於有機電激發光元件140之 而言，形成緊密性高之中間層150時，同時形成陰極170 。其結果，本來係可將對於有機材料而言，由容易剝離的 鋁所形成之電阻低之補助陰極160，經由藉由中間層150 ，可未剝落於由有機材料所形成之非發光範圍而形成者。 並且，經由電性連接由ITO形成之電阻高的陰極170，和 電阻低的補助陰極160之時，可控制在各像素之陰極170 © 的電位差。雖之，因未控制從陽極1 3 0流動於有機電激發 光元件140之電流，故可提供有機電激發光元件140之發 光亮度未下降，而經由RGB之各像素的發光亮度，正確 顯示彩色畫像之信賴性高的有機電激發光面板100者。 然而，第2實施例之情況係構成中間層1 5 0之ITO膜 ，和形成陰極170之ITO膜乃成爲同樣一個的膜層，但與 構成中間層150之MgAg膜平面重疊之部分乃成爲構成中 間層150之IT Ο膜。隨之，在第2實施例中，補助陰極 160與陰極170乃藉由構成中間層150之ITO膜，成爲電 200948182 性地加以連接者。 接著，對於在本實施例之中間層150與補助陰極160 之形成方法，採用圖7加以說明。圖7 ( a )係顯示於形成 於基板10之絕緣層120及陽極130上，經由蒸鍍而形成 具有由前述有機材料所成之各機能層的有機電激發光元件 140之狀態的剖面模式圖。 接著，如圖7(b)所示，於位置於鄰接之陽極130間 ❹ 的有機電激發光元件140上，將中間層150，經由光罩蒸 鍍而形成。中間層150係如前述，由無機材料所成之2個 層所構成，首先，作爲第1個無機材料層，使含AglO%重 量成分之Mg進行光罩蒸鍍而堆積，形成膜厚lOnm之 M g A g 層。 接著，如圖7 ( c )所示，於所形成之中間層1 50之第 1層之Mg Ag層上方，和有機電激發光元件140之上方， 蒸鍍ITO，形成膜厚lOOnm之ITO層。經由其形成工程， Ο 成爲同時形成中間層150之第2個無機材料層與陰極170 者。 接著，如圖7(d)所示，使用採用在成爲中間層150 之第1層的Mg Ag層之形成同樣的光罩，蒸鍍鋁，形成膜 厚3 OOnm之補助陰極160。此結果，補助陰極160係因正 確地形成於中間層150上，故未有在於直接形成於有機電 激發光元件140之情況而產生的剝落，藉由中間層150而 確實地固定於有機電激發光元件140上。 然而，與上述第1實施例同樣，從經由對於中間層 -22- 200948182 150採用金屬材料，將產生在蒸鍍工程時的熱，擴散至陰 極170全面而放熱的機率變高者，經由熱應力的緩和，可 控制中間層1 5 0之剝離者。另外，更加地經由將補助陰極 160作爲2層膜者，可提昇與陰極17〇之緊密性之情況。 具體而言，係可經由以於補助陰極160之下方，形成將 MgAg膜作爲3〇nm程度之補助陰極的蒸镀光罩而成膜者 實現之。 〇 之後’如圖6所示，正確配置於像素位置之彩色綠光 片乃在基板10之外周部分，加以黏接固定而完成有機電 激發光面板100。 以上，雖對於本發明，採用2個實施例做了說明，但 本發明非限定於如此作爲之實施例，在不超脫本發明要點 之範圍內，當然可進行種種之變更。以下舉出變形例加以 說明。 © (第1變形例） 上述實施例係有機電激發光元件乃發光光線爲白色光 ，作爲關於由彩色綠光片而變換爲RGB各色而射出之有 機電激發光面板而實施者，已做過說明，當然並不局限於 此等構成者。例如，有機電激發光元件乃即使爲發光成個 RGB之不同顏色之有機電激發光面板，而亦可實施者。對 於其變形例，採用圖8加以說明。 圖8乃顯示本變形例之有機電激發光面板之構造的模 式圖。如圖示，對於形成於基板10之陽極130的周圍， -23- 200948182 係形成有至少表面不具有導電性之有機材料所成之間隔壁 ’於經由其間隔壁所圍住之範圍，形成發光色成爲不同之 R發光層，G發光層，B發光層的有機電激發光元件。並 且，包含間隔壁，呈被覆各發光層全體地形成陰極17〇。 隨之，經由於陽極1 30與陰極1 70之間流動特定電流之時 ’各有機電激發光元件係射出對應於發光層之RGB的發 光色，各自成爲R像素，G像素，B像素。 〇 在本變形例中，發光層係令將顯示RGB各色之螢光 材料作爲溶質之機能液體等，爲了形成構成有機電激發'光 « 元件之機能層的機能液體，噴射於由間隔壁所圍住之範圍 ，並進行真空乾燥等之熱處理，形成特定厚度的膜者。隨 之，間隔壁係所噴射的機能液體，呈滯留於由間隔壁所圍 住之範圍地因應必要，於表面施以撥液處理地，通常由有 機材料（例如，聚醯亞胺樹脂或丙烯酸）所形成者。然而 ，間隔壁係經由根據光微影之蝕刻而加以形成。 ® 針對在具有如此構成之有機電激發光面板，爲了控制 產生於陰極170之電位差，而形成電阻低之補助陰極160 的情況，係因間隔壁成爲非發光範圍，而形成於間隔壁上 。隨之，爲了對於有機材料而言，形成緊密性低之補助陰 極1 60，於間隔壁上，首先對於有機材料而言，將緊密性 高之中間層150，經由光罩蒸鍍而形成。之後，使用相同 之光罩而形成補助陰極160，採取與補助陰極160電性之 連接，呈被覆補助陰極160與各發光層地形成陰極170者 。原本，如上述第2實施例，亦可作爲在形成構成中間層 -24- 200948182 150之一的層時，同時形成陰極170者。 如根據本實施例，對於由有機材料所成 ，形成緊密性高之中間層1 50。其結果，對 言，可將緊密性低之補助陰極160,藉由中 剝落地形成者。並且，經由電性連接電阻高 和電阻低的補助陰極1 60之時，可控制在 170的電位差。雖之，因爲控制從陽極130 〇 激發光元件140之電流，故有機電激發光元 亮度未下降，而可經由RGB之各像素的發 確顯示彩色畫像者。 (第2變形例） 在上述實施例中，作爲如上述第1變形 壁，在鄰接之陽極130間未存在之有機電激 做過說明，但並不限於此而亦可作爲形成間 © ，形成有機電激發光元件的情況，使用光罩 料。此時，未存在有間隙於光罩與蒸鍍面之 著於所使用之光罩的微小異物乃變爲容易轉 ，產生像素缺陷。因此，由設置具有特定高 ，因可控制像素缺陷者。對於其變形例，採. 明。 圖9乃顯示本變形例之有機電激發光面 式圖。然而，省略彩色瀘光片。如圖示，對 120之陽極130的周圍，係形成有至少表面 之間隔壁而言 於有機材料而 間層1 5 0而未 的陰極170， 各像素之陰極 流動於有機電 件140之發光 光亮度，可正 例所示之間隔 發光面板，已 隔壁者。實際 而蒸鍍有機材 間的情況，附 印於像素部分 度之間隔壁者 毛圖9加以說 板之構造的模 於形成於基板 不具有導電性 -25- 200948182 之有機材料所成之間隔壁，遍佈於含有其間隔壁及陽極 130之所有的範圍，形成發光色成白色光的有機電激發光 元件140。並且，呈被覆有機電激發光元件140全體地形 成陰極1 7 0。 在本變形例之中，針對在具有如此構成之有機電激發 光面板，爲了控制產生於陰極170之電位差，而形成電阻 低之補助陰極160的情況，成爲形成於成爲非發光範圍之 © 間隔壁上者。隨之，爲了形成補助陰極160，於間隔壁上 ’首先對於形成有機電激發光元件140之有機材料而言， 將緊密性高之中間層1 5 0，經由光罩蒸鍍而形成。之後， 使用相同之光罩而形成補助陰極160，採取與補助陰極 160電性之連接，呈被覆補助陰極160與個發光層地形成 陰極1 70者。 如根據本變形例，對於由有機電激發光元件140而言 ，形成緊密性高之中間層1 5 0。其結果，對於有機材料而 © 言，可將緊密性差之補助陰極1 60，藉由中間層1 50而未 剝落地形成者。並且，經由電性連接電阻高的陰極170, 和電阻低的補助陰極160之時，可控制在各像素之陰極 170的電位差。雖之，因爲控制從陽極130流動於有機電 激發光元件140之電流，故有機電激發光元件140之發光 亮度未下降，而可經由RGB之各像素的發光亮度，可正 確顯示彩色畫像者。 (其他之變形例） -26- 200948182 在上述實施例中，對於可使用於中間層之無機材料， 作爲使用金屬或合金者，但當然並未特別限定於此之構成 。例如，除了金屬材料以外，亦可使用鈣（Ca)。另外， 除了合金材料以外，亦可使用氧化矽或氮化矽。另外，對 於合金，亦除了金屬材料以外’亦可使用金屬氮化物。此 等無機材料係對於上述之表1，並無顯示，但與上述實施 例同樣地從調查對於有機材料之緊密性的測試結果，可得 〇 到緊密性之改善效果之材料。 另外，在上述實施例中，將中間層作爲2層之無機材 料層，但當然並無特別限定於此者。例如，亦可作爲3層 ，而亦可作爲1層。作爲1層之情況，基本上在中間層之 形成，同時形成陰極者乃爲困難，但例如，在相同之無機 材料，唯膜厚不同之情況，係因有未變更材料而只由交換 光罩，可連續蒸鍍之可能性，成膜工程乃變爲容易。 另外，在上述實施例中，作爲將顯示之元件的發光光 G 線之射出方向作爲陰極側之前放射方式者，已做過說明， 但並不局限於此，而亦可作爲將顯示之元件的發光光線之 射出方向，亦對於基板側射出之方式者。此情況，如作爲 未形成反射層，而基板及陽極的材料係具有光透過性之材 料（例如，玻璃或ITO )即可。然而，TFT等之驅動元件 係因無法與發光元件平面地重疊者，而成爲於基板與顯示 元件之間，未介入存在裝置層者。 【圖式簡單說明】 -27- 200948182 圖1乃將有機電激發光面板之全體的配置，與電路構 成同時顯示的模式圖。 圖2(a)乃模式性顯示關於針對在有機電激發光面板 之RGB的各像素之構成平面圖，（b)乃其模式剖面圖。 圖3乃顯示形成於未與陽極平面重疊之位置的補助陰 極之模式平面圖。 圖4乃顯示第1實施例之補助陰極的形成情況的的有 〇 機電激發光面板之構造模式圖。 圖5(a) ~(d)乃說明在第1實施例之中間層與補助 陰極之形成方法的說明圖。 圖6乃顯示第2實施例之補助陰極的形成情況的的有 機電激發光面板之構造模式圖。 圖7(a)〜（d)乃說明在第2實施例之中間層與補助 陰極之形成方法的說明圖。 圖8乃顯示第1變形例之有機電激發光面板之構造的 © 模式圖。 圖9乃顯示第2變形例之有機電激發光面板之構造的 模式圖。 【主要元件符號說明】 10 :基板 11 :掃描驅動電路 1 2 :資料驅動電路 1 3 :供電端子 -28- 200948182
14 ， 15 ： TFT 1 6 :保持電容 20 :裝置層 1〇〇 :有機電激發光面板 1 1 〇 :反射層 1 2 0 :絕緣層 1 3 0 :陽極 © 140:有機電激發光元件 1 5 0 :中間層 1 6 0 :補助陰極 170 :陰極 -29-