TW200934325A - Method for forming circuit - Google Patents

Description

200934325 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種電路形成方法，尤其是，關於可作 成高密度微細化的電路的形成方法。 本案發明是在日本國以2 00 7年11月1日所申請的曰 本專利申請案號2007-28 5 3 63作爲基礎主張作爲優先權者 ，藉由參照該申請，被援用於本案發明。 ❹ 【先前技術】 隨著電子產業的長足地發展，印刷配線基板也提高高 密度化、高性能化的要求且需求很大的擴大。尤其是，在 手機或筆記型電腦、照相機等的最新數位機器的母配線基 板。隨著其小型化、薄型化，被提昇配線圖案的高密度化 . 、微細化的要求，又，被要求比傳統以上的還要高的連接 可靠性。 〇 作爲現在所使用的安裝技術，大都使用著使用半添加 法或全添加法的電路形成方法。 半添加法是在基材給予觸媒之後，作爲電解鍍的通電 用基底而形成無電解鍍被膜，以露出成爲配線圖案的部位 的鎪光阻作爲罩幕’而藉由電鍍形成作爲配線圖案的電解 鍍被膜，來進行電路形成的方法。 又’全添加方法是在基材給予觸媒之後，藉由鍍光阻 露出作爲配線圖案的部位，而僅藉由無電解鍍銅而形成作 爲配線圖案的無電解鍍的保護膜，來進行電路形成的方法 -5- 200934325 還有，除了上述的安裝技術以外，近年來著重在提高 高密度化、細線化的要求，爲使用噴墨法的安裝技術。該 噴墨法，爲從噴墨印刷頭噴射塗佈金屬奈米粒子所構成油 畫液滴，而進行描繪配線圖案的所謂非接觸的直接圖案技 ' 術，不必如上述的半添加法或全添加法的方式，不必以後 續的製程來除去無電解鍍或觸媒等的必需性，而可減少製 Φ 程，而且可避免除去無電解鍍層等所隨伴的斷線等的技術 ，而在高密度微細所期望的近年來被多用的技術（例如， 非專利文獻）。 非專利文獻1:酒井真理依「噴墨法的電路基板製造 技術」，日本電子資訊通訊學會誌vol.90 No.7 p5 44〜p548 (2007 ) 〇 . 專利文獻1 :日本特開平1 1 - 1 63499號公報 〇 【發明內容】 但是，在上述的傳統上所使用的技術中，分別具有如 下的問題點）。 例如，在半添加法中，電鍍時的電流的流動方法會變 化，結果，有在基板上的鍍厚（電路的高度）會產生差異 的問題點。又，隨著電路作成高密度微細化，而容易發生 著光阻形成上的偏位或顯影不良等的問題，甚至於容易產 生斷線或電路的短路等。又，在電鑛之後，必須以饋刻來 除去形成作爲通電用基底的無電解鍍被膜之故，因而有導 -6- 200934325 致利用該蝕刻所必須的電路部分的斷線，或是成爲電路短 路之原因的問題。 又，在全添加法中，隨著電路成爲高密度微細化，也 成爲以光阻的形成容易發生偏位或顯影不良等的問題，而 容易產生斷線式電路的短路。還有，該全添加法的施工法 上，成爲觸媒會留在鏟光阻之下的情形之故，因而當電路 成爲微細化，則藉由該觸媒之存在產生電路間的絕緣性降 φ 低，而有提高產生短路的可能性。一方面，須蝕刻除去該 觸媒，也有產生必需的電路部分的斷線等的可能性的問題 〇 又，在噴墨法中，確實地與上述的半添加法或是全添 加法不相同，而不必實施蝕刻除去無電解鍍或觸媒的必需 性，不必使用光阻就可描繪配線圖素之故，因而以較少製 - 程就可形成微細的配線圖素，而也可改善斷線等的問題， _ 但是，在噴墨法的情形，如將其順序表示於第3A圖至第 O 3C圖，將形成電路圖案的導電性糊101藉由噴墨法進行 噴射，塗佈於玻璃環氧樹脂等的絕緣樹脂1 00之後，爲了 確保導電度或是可流在配線的電容，在經印刷使之乾燥、 硬化的導電性糊1 0 1上必需以無電解鍍1 02等作成所需要 的厚度，當電路作成微細化，則該無電解鍍1 02等是對於 基板面不僅垂直方向，在水平方向（配線與配線之間的方 向）也成長之故，因而在電路間其無電解鍍102等互相地 接觸’而有容易產生電路的短路的問題點（例如專利文獻 1 ) ° 200934325 本發明是鑑於此些傳統技術的問題點而發明者，其目 的是在於提供一種不會產生電路的偏位，短路或斷路的微 細電路的形成方法。 本發明的電路形成方法是爲了解決上述課題，具有： 在絕緣樹脂上形成電路圖案的圖案形成製程；及在形成有 上述電路圖案的絕緣樹脂上，積層絕緣樹層的積層製程； 及在上述積層製程所積層的絕緣樹脂層形成溝槽，而露出 〇 上述電路圖案的溝槽形成製程；及在上述溝槽形成製程所 形成的溝槽，藉由無電解鍍埋入鏟金屬的無電解鍍製程。 【實施方式】 以下，針對於本實施形態的電路形成方法，參照圖式 加以說明。 - 第1圖是表示說明藉由本實施形態的電路形成方法所 形成的電路基板的槪略的斷面圖。如第1圖所示地，該電 〇 路基板10是多層地形成有：第1絕緣層1L，及形成於第 1絕緣層1L上的電路圖案所成的導電層2L，及被積層於 形成有該電路圖案的基板上的第2絕緣層3L所成’又在 第2絕緣層3L，成爲與電路圖案可導通的方式構成所埋 入的無電解鑛金屬15。 該電路基板10是在成爲第1絕緣層1L的絕緣樹脂 11上形成電路圖案，而在構成導電層2L的電路圖案所形 成的絕緣樹脂11上，積層成爲第2絕緣層3L的絕緣樹脂 13，在所積層的絕緣樹脂13形成溝槽而露出電路圖案’ -8 - 200934325 ' 而在所形成的溝槽內’藉由無電解鍍將鍍金屬15予以埋 入所製成。以下’參照第2A圖至第2D圖’針對於本實 施形態的電路形成方法’依照其順序予以詳述。又，第 2A圖至第2D圖是槪略地表示本實施形態的電路形成製程 的斷面圖。在該第2A圖至第2D圖的各斷面圖中，雖僅 被圖示一方的一面’惟並不是除掉對於兩側的面進行處理 的情形的意圖。又’藉由重複以下所詳述的製程，當然可 φ 作成更具有多層構造的多層電路基板。 電路圖案形成製程 如第2A圖所示地，本實施形態的電路形成方法，是 首先，在成爲第1絕緣層1L的絕緣樹脂11上形成電路圖 案。 - 在本實施形態中，成爲第1絕緣層1L的絕緣樹脂11 ，是並未特別加以限定者而可使用周知者，例如，可使用 © 環氧樹脂（EP樹脂），或熱硬化性樹脂薄膜的聚醯亞胺 樹脂（PI樹脂），雙馬來酸醯亞胺.三嗪樹脂（BT樹脂 )’聚苯醚樹脂（PPE樹脂）等，或是熱可塑性樹脂薄膜 • 的液晶聚合物（LCP )，聚醚醚酮樹脂（peek樹脂）， 聚醚醯亞胺樹脂（PEI樹脂），聚醚颯樹脂（PES樹脂） 等，各種的樹脂。或是使用在連續多孔質PTFE等的三維 網目狀氟系樹脂基材浸漬EP樹脂等的熱硬化性樹脂的樹 脂-樹脂複合材料所成的板材等也可以。（作爲最佳樹脂 ’在後續製程的無電解鏟處理時，在鎪液沒有有害的溶出 -9 - 200934325 物，不會產生界面剝離等，對製程具有耐性，而且進行硬 化而在形成電路之後，與電路面及上下面之層具有充分的 密接性，而在冷熱循環等的試驗不會發生剝離或裂痕等的 樹脂就可以，又如下述地，在將導電性糊塗佈在絕緣樹脂 上以形成電路圖案時，一般作爲塗佈導電性糊的絕緣樹脂 。由與導電性糊的密接性観點上，多使用玻璃環氧樹脂， 酚醛樹脂，玻璃聚醯亞胺樹脂，玻璃雙馬來酸醯亞脂樹脂 〇 ，玻璃聚苯氧化物樹脂，苯醯胺環氧樹脂，液晶聚合物薄 膜等。該絕緣樹脂1 1是例如使用將導電性層所形成的複 數基板予以接著作成多層構造者也可以。 如上述的絕緣樹脂11上，形成構成導電層2L的電路 圖案，惟在本實施形態的方法中，將導電性糊1 2a作成所 期望的最小線幅/線間隔的方式塗佈在絕緣樹脂1 1上，而 . 形成電路圖案。 被含有於導電性糊1 2a的金屬粒子是導電性金屬，例 φ 如可例舉由 Au、Ag、Cu、Pd、W、Ni、Ta、Bi、In、Sn 、Zn、Ti、A1等所選擇的微粒子，或是兩種類以上的金屬 所成的合金的微粒子’尤其是，作爲無電解鍍的品種者較 佳。該金屬粒子是使用乙醇還原法，聚醇還原法，熱分解 法，超音波分解法，氫還原法等眾所周知的技術就可加以 合成。該金屬粒子是具有2〜lOOnm範圍的平均粒子徑，由 導電性糊的分散穩定性等的觀點來看，較佳是具分散穩定 性高的具有2~50nm的平均粒子徑的金屬奈米粒子較佳。 又’爲了在糊內未把金屬粒子彼此間未作成凝集之故，因 -10- 200934325 而以胺類，羥酸類等有機劑進行塗佈較佳。 又，將被合成的金屬粒子均勻地分散於除了水以外， 聚乙二醇單甲醚系溶劑，聚乙二醇單甲醚乙酸酯系溶劑， 聚丙二醇單甲醚系溶劑，聚丙二醇單甲醚乙酸酯系溶劑， 其他酯或酮等的有機溶劑等的分散溶媒而作爲導電性糊， 而將如此所生成的導電性糊，使用以下所說明的噴墨法等 在絕緣樹脂π上作爲目的的電路圖案形狀的方式進行塗 f) 佈，又，—般，分散溶媒的溶媒量是全導電性糊重量之內 作爲20〜60重量％，惟因應於導電性糊所期望的黏度作成 適當的溶媒量較佳。又，分散溶媒是由確保對於基板的正 確的電路圖案的噴射，塗佈的觀點上，其蒸氣壓爲 O.OOlmmHg以上，50mmHg以下者較佳，又，在該導電性 糊，含有硬化劑’氧化防止劑，增黏劑等的添加劑，而形 - 成有密接力良好，表面形狀光滑，又低電阻且超微細的電 路圖案較佳。 〇 作爲將如以上所生成的導電性糊12a塗佈在絕緣樹脂 1 1的基板上的方法’可使用噴墨法，網印法，撒佈法，膠 版法，刮刀塗佈法’噴霧塗佈法，浸塗法，旋轉塗佈法等 ’尤其是，以噴墨法，撒佈法，網印法較佳。在本實施形 態的電路形成方法，是使用此些的周知方法，在絕緣樹脂 11上進行描繪電路圖案。又，組合網印法與噴墨法，作成 描繪電路圖案也可以。以下，具體地，針對於使用噴墨法 將導電性糊12a的液滴塗佈在絕緣樹脂11上以形成電路 圖案的方法加以說明。 -11 - 200934325 噴墨法是有使用壓電元件作爲壓力發生源的壓電 ，及使用依熱的液體的沸騰現象的泡方式’惟本實施 的電路形成方法的電路圖案描繪，是都可使用任一方 藉由所實施的方式，將導電性糊的黏度作成適當化’ 用具有適用沸點的有機溶媒所使用的導電性糊進行描 亦即，將經調配的導電性糊放進噴墨印刷頭的液體儲 ，而作爲微小的液滴，成爲基板上作爲目的的圖案形 φ 方式進行噴射，塗佈。這時候，因應於作爲目標的最 幅/線間隔，來選擇被塗佈的點的平均徑，俾決定微 液滴量。又，該微小的液滴量是依存於所使用噴墨印 的性能之故，因而選擇適合於作爲目的的液滴量的印 加以使用較佳。 又，如此地在絕緣樹脂11上噴射，塗佈導電性糊 . 之後，乾燥該基板10而藉由將含有於導電性糊12a 媒等予以揮發，則成爲形成有電路圖案所描繪的基板 ❹ 作爲乾燥條件，例如以50°C〜20CTC的溫度，乾燥15 〜60分鐘的時間。又，在高溫條件下，將該導電性糊 作成硬化。如此地，藉由將導電性糊1 2a噴射，塗佈 緣樹脂11上，且在高溫條件下進行乾燥及硬化，成 該絕緣樹脂11上形成有電路圖案。又，在塗佈導電 12a且經乾燥之後，又重複塗佈之製程複數次也可以 ，在塗佈導電性糊12a之前，以該導電性糊12a作成 噴射，塗佈絕緣樹脂11的基板表面的方式，施加電 理，UV處理，電暈放電處理等的乾式處理，或是施 方式 形態 法， 又使 繪。 存部 狀的 小線 小的 刷頭 刷頭 12a 的溶 1 0 〇 分鐘 12a 於絕 爲在 性糊 。又 容易 獎處 以過 -12- 200934325 錳酸液，鹼液等的濕式處理等的處理也可以 導電性糊1 2a而使之硬化的情形，則在之後 面也可以。 如此地，在本實施形態的電路形成方法 噴墨法等而藉由塗佈導電性糊12a來形成電 因而成爲減少發生空隙的可能性，可避免依 線不良，並可提高連接信賴性。又，也成爲 φ 度的參差不齊，也可提高與絕緣層1L的密接 又，使用噴墨法等而藉由塗佈導電性糊 路圖案之故，因而與使用鍍光阻而藉由電鍍 形成電路圖案的傳統技術相比較，不會發生 位或顯影不良等，而可更正確地描繪作爲所 路圖案。 . 又，在以下，將經乾燥硬化而形成電路 糊12a，稱作爲導體12b。 φ 在本實施形態的電路形成方法中，藉由 的導電性糊12a的塗佈，形成電路圖案之後 述地，在形成有該電路圖案的絕緣樹脂11 行至積層構成第2絕緣層3L的絕緣樹脂13 第 2A’圖所示地，在形成依上述的乾燥硬/ 12a的電路圖案之後，視需要，在使用無電 該電路圖案的導體12b被覆形成晶種層16, 可以，具體上，藉由導電性糊1 2a經乾燥， 硫酸或鹽酸等的酸性溶液等來處理形成有電 。又，乾燥該 ，作成硏磨表 中，作成利用 路圖案之故， 空隙所致的配 可抑制配線高 性。 12a以形成電 或無電解鍍以 電路圖案的偏 期望的微細電 圖案的導電性 使用噴墨法等 ，如以下所詳 的基板上，進 的製程，惟如 [匕的導電性糊 解鍍等以形成 俾作成增強也 硬化，而使用 路圖案的基板 -13- 200934325 1 〇 ’活性化經乾燥，硬化的導體1 2b部位，在適當地進行 蝕刻，而提昇密接性的導體12b，例如含有硫酸銅（l〇g/L )，EDTA(30g/L)，且藉由氫氧化鈉被調整成pH2.5的 無電解鍍銅液來被覆晶種層16，俾加厚導體12b所成的電 路圖案。如此地，將導體12b所成的電路圖案形成於基板 上之後，藉由無電解鍍等以形成晶種層16施以增強， 藉此，在後續製程的雷射加工製程中，可防止藉由雷射1 7 φ 被除去形成電路圖案的導體12b，而成爲可形成所期望的 電路圖案。又，針對於使用無電解銅液的處理加以說明， 惟並不被限定於此者。 絕緣樹脂積層製程 在構成第1絕緣層1L的絕緣樹脂11的基板上，形成 - 構成導電層2L的導體12b所成的電路圖案之後，又在導 體12b形成被覆依無電解鏟等的晶種層16的電路圖案之 © 後’如第2B圖所示地，在該基板10上積層成爲第2絕緣 層3L·的絕緣樹脂13。所積層的絕緣樹脂13是使用藉由 在後續製程中被處理的雷射加工等可形成溝槽的樹脂較佳 ’又’使用與在事先製程塗佈於基板10上的導電性糊12a 所成的導體1 2b的密接性高的樹脂較佳。例如，並不被限 定於此些者，可使用玻璃環氧樹脂，酚醛樹脂，玻璃聚醯 亞胺樹脂，玻璃雙馬來酸醯亞脂樹脂，玻璃聚苯氧化物樹 月旨’苯醯胺環氧樹脂，液晶聚合物薄膜等。 以傳統的技術藉由加熱，加壓進行黏貼成爲此些第2 -14- 200934325 絕緣層3L的絕緣樹脂13，並積層於構成形成有電路圖案 的第1絕緣層1L的絕緣樹脂11上。作爲熱壓接的—例子 ，可列舉溫度200〜3 00 °C，壓力10~60kg/cm2等的條件， 惟考慮絕緣樹脂的玻璃溫度或結晶融解溫度等來設定較佳 溝槽形成製程 0 在形成構成導電層2L的導體12b所成的電路圖案的 基板10上，積層成爲第2絕緣層3L的絕緣樹脂13之後 ，如第2C圖所示地，在構成該第2絕緣孔3L之絕緣樹脂 13形成溝槽14，經由該溝槽14露出形成電路圖案的導體 12b。在此，溝槽的用語是表示延伸溝，及局部性的導孔 ，亦即從溝底延伸至朝位於下面的導電性領域的局部性接 . 點爲止的領域的兩者者。 作爲該溝槽14的形成方法，可使用依蝕刻的溝槽形 〇 成，依使用雷射加工機的雷射的溝槽形成等各種方法，惟 較佳爲使用雷射來形成溝槽較理想。依照雷射，成爲可快 速地加工微細形狀，又可防止在傳統法中成爲問題的曝光 、顯影的偏位顯影等的不方便。以下使用雷射的具體例繼 續加以說明。 作爲雷射17，欲形成微小孔可使用一般被使用的各種 者，例如可使用C02雷射、YAG雷射、準分子雷射等。 又，可使用氣體雷射的氬雷射或氫、氬雷射，固定雷射的 藍寶石雷射，其他也可使用色素雷射、半導體雷射、自由 -15- 200934325 電子雷射等。較佳’爲使用可形成更微細孔的Nd-YAG雷 射或準分子雷射等來進行溝槽形成，而藉由所形成的溝槽 的大小予以變更較佳。 無電解鍍製程 又’如第2D圖所示地，將無電解鑛金屬積層在藉 由雷射17形成於基板10上的溝槽14內，塡充溝槽14, φ 成爲與將構成導電層2L的電路圖案予以描繪的導體12b 可導通。以下具體地，針對於該無電解鍍製程，由其事先 處理製程依次地加以說明。 首先，在溝槽形成製程中，對於將構成藉由雷射17 形成有溝槽14的第2絕緣層3L的絕緣樹脂13作爲表面 的基板10’進行去塗污處理。該去塗污處理，是以除去發 - 生在形成溝槽1 4時的塗污或殘留樹脂爲目的所進行。作 _ 爲去塗污處理溶液，例如使用過錳酸鉀、氫氧化鈉、離子 〇 交換水所成的鹼性過錳酸鹽的混合液等周知的處理液，在 50〜8 0 °C的溫度條件下將基板浸漬於去塗污處理溶液中進 行10〜20分鐘。如此地，藉由除去依雷射的溝槽形成時所 發生的塗污或殘留樹脂，就可防止塡充於溝槽14內的無 電解鍍金屬15與導體12b之導通不良或連接性的惡化， 及斷線等。又，該去塗污處理，是使用電漿或準分子雷射 的物理性去塗污處理也可以。 又，藉由溝槽形成，在溝槽14內部產生空氣積存時 ，也可適當地進行脫氣處理也可以。該脫氣處理，是在之 -16- 200934325 後的製程中，爲了防止對藉由空氣積存的存在所產 槽1 4內的浸透阻礙作爲目的所進行。 從基板表面水洗去塗污溶液等之後，在該基板 和處理及脫脂處理，來洗淨成爲活性化領域的溝槽 部的導體12b表面。具體地加以說明，中和處理是 45t將基板浸漬於中和溶液中5分鐘，進行中和導 表面。作爲該中和溶液，可使用例如硫酸、硫酸烴 φ 性劑、有機酸及含有離子交換水的中和溶液等。脫 是將被浸漬於中和溶液的基板經水洗之後，將基板 65 °C浸漬於脫脂溶液中5分鐘，進行脫脂導體12b 油脂等。作爲脫脂溶液，使用配性溶液，或是鹼性 可以。藉由此些中和處理、脫脂處理的製程，就可 槽14底部所露出的導體12b表面。 . 之後，將形成溝槽14底部所露出的電路圖案 12b表面予以活性化。該活性化處理是使用硫酸或 〇 1 〇%溶液所成的酸性溶液等，在酸性溶液中浸漬基丰』 秒鐘所進行。作爲酸性溶液，可使用硫酸或鹽酸的 液等來進行，惟例如在藉由使用銅的導電性糊1 2a 圖案形成於導電性金屬粒子的情形，則使用過硫酸 酸及過氧化氫水的混合溶液等來處理較佳。如此地 浸漬（酸處理）於酸性溶液，來中和留在活性化領 體12b表面的鹼，溶解薄的氧化膜，又，可蝕刻（ )除掉氧化膜的導體12b表面，提昇在後續製程所 無電解鍍金屬15的密接性，而將導體12b表面作 生的溝 施以中 14底 例如在 體12b 胺、活 脂處理 例如在 表面的 溶液都 清淨溝 的導體 鹽酸的 I 5~10 1 0 %溶 把電路 鹽或硫 ，藉由 域的導 軟蝕刻 形成的 成活性 -17- 200934325 化之狀態。如此，該活性化的溝槽1 4底部的導體 面，成爲其後的無電解鍍金屬15的埋入開始點。 槽1 4的底部是指例如從基板1 〇的下面藉由雷射 有溝槽14，即使導體12b位於上方，溝槽14的導 表面所露出的部位者。 以上的製程，爲無電解鏟的事先處理製程，惟 限定在以上所說明的事先處理，可採用適當不相同 Φ 處理方法，又藉由所採用的金屬種類，當然也可變 時間或藥液的濃度等。又，爲了提昇無電解鎪液的 ，在無電解鍍處理之前進行將導體12b的表面予以 的粗化處理也可以。作爲該粗化處理，利用一般所 粗化方法可加以進行。 然後，進行此些事先處理製程之後，如第2D - 地，將施以事先處理的溝槽14底部的導體12b表 . 開始點，進行著將無電解鍍金屬1 5埋在溝槽1 4的 〇 鍍處理。 無電解鍍金屬15埋在溝槽14，是藉由將基板 在無電解鍍液，而將鍍金屬15塡充在溝槽14。這 在溝槽14未給予觸媒，亦即，僅藉由無電解鍍液 鍍予以塡充’並將溝槽予以埋入。具體上，以被活 導體1 2b表面作爲開始點，從溝槽1 4的底部朝開 行積層金屬15的方式實施塡充，而完全地埋入。 金屬15對於該溝槽14的埋入，爲藉由將無電解鍍 噴霧於被活性化的導體12b表面等，而把溝槽14 1 2 b表 又，溝 17形成 【體12b 並不被 的事先 更處理 密接性 粗糙化 眾知的 圖所示 面作爲 無電解 1 〇浸漬 候時， ，俾將 性化的 口部進 又，鍍 液予以 底部的 -18- 200934325 導體12b表面與鍍液接觸，從溝槽14的底部朝開口部進 行積層鍍金屬15的方式進行埋入也可以。 傳統上，在鍍金屬對於溝槽內部的埋入，爲在無電解 鍍處理之前，作成在基板給予觸媒來進行埋入之故，因而 從未給予觸媒的溝槽內的側壁成長鍍保護膜，在溝槽開口 部附近，鍍彼此間會黏住，而在其溝槽開口部靠近下部會 發生空隙，成爲斷線的原因。 φ 在本實施形態中，如上述地，不必將觸媒給予包含底 部及內壁的溝槽14整體，而僅接觸無電解鍍液的方式進 行埋入之故，因而成爲僅從被活性化的導體1 2b的表面， 依次積層般地成長無電解鍍金屬15。藉此，可避免在習知 法所具有的來自觸媒所給予的溝槽1 4內的側壁的鍍保護 膜的成長，且可抑制發生起因於溝槽1 4之開口部附近的 . 鑛彼此間的重疊的空隙，而可避免依據發生空隙的導通不 良或斷線等，成爲可提高連接可靠性。 〇 又，也可解決觸媒留在基板的絕緣樹脂上，而降低絕 緣性的不方便，又無可奈何地除去觸媒，在其除去製程中 可防止發生斷線等。 作爲被使用於該無電解鍍製程的鑛液，例如無電解鍍 銅時，作爲配位劑可使用EDTA的鍍液。作爲該鍍銅液的 組成的一例子，可使用含有硫酸銅（l〇g/L ) ，EDTA ( 30 g/L)，藉由氫氧化鈉被調整成pH 12.5的無電解鍍銅液。 又，使用作爲配位劑使用羅謝爾鹽（Rochelle salt)的無 電解鑛銅液。之後，將基板以例如60〜80 °C的溫度條件 -19- 200934325 浸漬在無電解鍍銅液中30-60分鐘’而由溝槽14底部朝 開口部進行積層的方式依次地析出銅而埋入鍍銅，俾埋入 溝槽14。又，在進行該無電解鍍銅之際，充分地進行液攪 拌，把離子供應充分地進行在溝槽較佳。作爲攪拌方法， 有依空氣攪拌或泵循環等的方法。又，在實施長時間鍍的 ^ 情形，有硫酸鈉蓄積，會成爲鍍的異常析出原因的情形， 因此適當地強制性地抽出鍍的一部分較佳。 φ 又，針對於使用無電解鍍銅液來進行無電解鍍處理的 例子加以說明，惟並不被限定於此者，例如作爲無電解鍍 液，使用無電解鍍鎳液來進行也可以。作爲鍍鎳液的組成 的一例子，例如可使用含有硫酸鎳（20 g/L )，次磷酸鈉 (15 g/L)，檸檬酸鹽（30 g/L)，而被調整成pH8~9的 鍍液。 又，在埋入依該無電解鏟的溝槽14,會使得無電解鍍 金屬15也析出在溝槽14以外的部位之故，因而將鍍埋入 G 在溝槽14內之後，視需要，進行著各種的鑛金屬析出物 除去處理也可以。具體上，上述去塗污處理，或是從基板 的一方或兩面噴上50~70kg/cm2的高壓水，俾除去鍍殘澄 的鍍金屬的高壓水洗處理，或是進行刷子或振動等的機械 硏磨，或是使用過氧化氫水與硫酸溶液，過硫酸鹽銨等來 進行所謂化學硏磨的硏磨處理等的處理，藉此可除去鍍殘 渣。 又’在本實施形態中，僅針對於在構成第1絕緣層 1L的絕緣樹脂11上，形成藉由導電性糊12a所形成的電 -20- 200934325 路圖案所成的導電層2L，積層構成第2絕緣層3L的絕緣 樹脂13的亦即製作3層所成的配線基板的例子’惟當然 藉由重複以上製程複數次，可形成具有任意層數的多層配 線基板。 本實施形態的電路形成方法，是如以上地，在構成第 ' 1絕緣層1L的絕緣樹脂11藉由導電性糊12a來形成電路 圖案，積層構成第2絕緣層3L的絕緣樹脂13之後，形成 〇 溝槽14而藉由無電解鍍金屬15，與導體12b所成的電路 圖案成爲可導通之故，因而藉由該無電解鑛金屬，可確保 爲了導通於電路圖案所必需的導電度與電容量，如在傳統 技術上所有的可防止電路間的接觸，避免發生所謂斷線或 短路的電性缺陷，而可形成微細的電路基板。 又，爲了確保需要的導電度及電容量，在將鍍金屬15 - 埋入在溝槽14內的無電解鍍製程中，不需給予觸媒，就 _ 可將構成溝槽14底部的電路圖案的導體12b表面作成活 〇 性化，僅從該導體12b表面積層有鍍金屬15的方式使之 成長，而埋入溝槽14內之故，因而可防止給予觸媒進行 無電解鍍的習知技術所具有的溝槽開口部附近的空隙發生 ，不會有斷線，而可作成確實地導通充分量的電氣。又， 以電鍍形成電路的習知技術的方式可避免依先阻成鍍金屬 所致的電路表面的參差不齊等，而可防止起因於表面的參 差不齊的斷線或短路等。 又’本發明是並不限定於上述實施形態者，在不超越 該發明的要旨的範圍的設計變更等也包括在本發明。 200934325 又，本發明是並不僅適用於上述的實施形態的配線基 板的製造方法，組成施工法所致的高密度多層配線基板的 製造者，例如也可適用在晶圓程度CSP ( Chip Siz環氧封 裝，或是Chip Seal環氧封裝），或是TCP (Tape Carrier Package)等的多層配線層的製程者。 實施例 〇 以下，針對於本發明的具體性實施例加以說明。 實施例1 生成導電性金屬粒子爲銅的導電性糊，而在組成基板 的玻璃環氧樹脂所成的絕緣樹脂上，用使用壓電元件的壓 電方式的噴墨法，來印刷最小線幅/線間隔爲10 μιη/10 μιη - 的電路’在150 °C乾燥60分鐘，而製作出形成電路圖案的 . 基板，之後，在該基板上積層玻璃環氧樹脂來形成鎪光阻 之後，使用準分子雷射加工機（日本日立皮亞機械公 司製），以事先製程所印刷的導電性糊露出於溝槽底的方 式形成最小線寬/線間隔爲10 μιη/10 μιη的溝槽。 之後，在35〜44°C的條件下，添加酸性清潔劑（日本 上村工業股份公司所製「斯路卡普」MSC )與硫酸系鈾刻 的添加劑（日本上村工業股份公司所製「斯路卡普」MSE )，浸漬在1 〇%硫酸約1 〇秒鐘的短時間，俾活性化露出 於溝槽底部的導電性糊的導電性粒子的銅，之後，使用全 -22- 200934325 添加無電解鍍銅液（日本上村工業股份公司所製「斯路卡 普」SP-2)，進行5 μπι厚的鑛，而以無電解鍍銅埋入溝 槽。 比較例1 在比較例1，藉由半添加法來形成電路。 亦即，在組成基板的玻璃環氧樹脂所成的絕緣樹脂層 〇 ’使用清潔劑（日本上村工業股份公司所製「斯路卡普」 ACL-009)來處理表面，浸漬於預浸液（日本上村工業股 份公司所製「斯路卡普」PED-104) 3~4分鐘，給予Pd-Sn 觸媒（日本上村工業股份公司所製「斯路卡普」AT-105) ’之後，浸漬在加速劑（日本上村工業股份公司所製「斯 路卡普」AL-106) 5~10分鐘，進行觸媒給予製程。 - 然後’將給予觸媒的基板，浸漬在將羅謝爾鹽作爲配 位劑的半添加無電解鏟銅液（日本上村工業股份公司所製 © 「斯路卡普」PEA)中30分鐘，形成成爲電解鏟的通電用 基底的無電解鍍銅保護膜。 之後，在該無電解鍍保護膜上，形成最小線寬/線間 隔爲10 μιη/10 μιη的鍍光阻圖案，將該基板浸漬在導孔塡 充用電性鍍銅液（日本上村工業股份公司所製「斯路卡普 」EVF )來進行電鍍，以形成銅電路。 比較例2 在比較例2，藉由全添加法來形成電路。 -23- 200934325 亦即，在組成基板的玻璃環氧樹脂所成的絕緣樹脂層 ’使用清潔劑（日本上村工業股份公司所製「斯路卡普」 ACL-0 0 9 )來處理表面，浸漬於預浸液（日本上村工業股 份公司所製「斯路卡普」PED-104) 3〜4分鐘，給予Pd-Sn 觸媒（日本上村工業股份公司所製「斯路卡普」AT-105) ，之後，浸漬在加速劑（日本上村工業股份公司所製「斯 路卡普」AL-106 ) 5〜10分鐘，進行觸媒給予製程。 φ 然後，對於給予觸媒的基板，形成作爲配線圖案的鍍 光阻之後，使用酸性清潔劑（日本上村工業股份公司所製 「斯路卡普」MSC及日本上村工業股份公司所製「斯路卡 普」MSE) ，：10%硫酸及還原劑（日本上村工業股份公司 所製「斯路卡普」還原劑MAB )，予以活性化Pd觸媒。 然後，在觸媒被活性化的基板上使用全添加無電解鍍 - 銅液（日本上村工業股份公司所製「斯路卡普」SP-2 )， 僅以無電解鏟銅形成具有厚1〇 μιη的銅電路。 ❹ 比較例3 生成導電性金屬粒子爲銅的導電性糊，而在組成基板 的玻璃環氧樹脂所成的絕緣樹脂層，用使用壓電元件的壓 電方式的噴墨法，來印刷最小線幅/線間隔爲1 〇 μηι/ 1 0 μιη 的電路，在100 °C乾燥60分鐘，而製作出形成電路圖案的 基板。 然後，在35〜4 4 °c的條件下，添加酸性清潔劑（日本 上村工業股份公司所製「斯路卡普」MSC )與硫酸系蝕刻 -24- 200934325 的添加劑（日本上村工業股份公司所製「斯路卡普」MSE )，浸漬在1 〇°/。硫酸大約1 〇秒鐘的短時間，將形成電路 圖案的導電性糊的導電性粒子的銅予以活性化，在該導電 性糊上，使用全添加無電解鍍銅液（日本上村工業股份公 司所製「斯路卡普」SP-2，進行厚5 μηι的鍍。 對於在上述實施例1與比較例1至3所得到的各電路 基板，分別調查短路檢査，斷線檢查，電路圖案的偏位/ 〇 顯影不良，絕緣性測定。具體上，使用日本日置電機公司 所製的高歐姆測定計，進行測定電路兩端的電阻，例如斷 線檢査時，若電阻變高則判斷爲發生斷線者，又短路檢查 時，若電阻變低則判斷爲發生短路者。又，有關於電路的 偏位/顯影不良，藉由依使用線感測器的光學外觀方式的 非接觸式檢査進行判斷。有關於絕緣性的降低，若電阻變 - 低則判斷爲絕緣性降低者。將檢査結果匯集在以下之表1

Q © __ 〔表 1〕 _ 短路的發生 斷線的發生 電路的偏位/顯 影不良 絕緣性的降低 實施例1 〇 〇 〇 1 〇 比較例1 X X X Δ 比較例2 △ X X X 比較例3 X 〇 〇 〇 在表1中，有關於各檢查，表中的「〇」是表示未發 生標記的異常，爲良好的電路基板。又，表中的「X」是 表示在複數基板的檢查測定，其大部分發生標記的異常， -25- 200934325 而所製造的電路基板爲不良。又，表中的「△」是表示在 複數基板的檢査測定，在其一部分發生標記的異常。 由滙集在該表1的檢查結果也可知，在藉由適用本實 施形態的電路形成方法的實施例1所形成的電路基板，在 電路間不會發生接觸滲出，又不會發生短路或斷線的導通 不良而可確保充分的電容量，又，也不會發生電路圖案的 偏位，或是絕緣層的絕緣性的降低。 〇 相對於此，在比較例1，發生可能起因於除去無電解 鍍銅的斷線，而在一部分也發生短路。又，多發生鍍光阻 的顯影不良，又在基板表面，也觀察到參差不齊。在比較 例2，發生鍍光阻的位，也測定到隨著觸媒殘留的絕緣性 降低。又，也發生可能起因於該絕緣性降低的短路或斷線 。在比較例3，雖未發生斷線或電路的偏位，絕緣性的降 ^ 低，惟爲了確保電容量，被覆在藉由經乾燥，硬化的導電 _ 性糊所形成的電路的無電解鍍銅，在該電路間接觸，而發 φ 生可能起因於該接觸的短路。 由這些結果，本實施形態的電路形成方法，是與習知 方法不相同，可明瞭斷線或電路間的短路等的電性缺陷不 會發生，又可形成微細的電路圖案，而可形成因應於高密 度化，細線化的要求的高連接信賴性的電路基板。 【圖式簡單說明】 第1圖是槪略地表示藉由本實施形態的電路形成方法 所形成的電路基板的斷面圖。 -26- 200934325 第2A圖至第2D圖是槪略地表示本實施形態的電路形 成製程的斷面圖。 第3A圖至第3C圖是槪略地表示依習知的噴墨法的電 路形成方法的斷面圖。 【主要元件符號說明】 1 〇 :電路基板 〇 1 1 :絕緣樹脂 12a :導電性糊 1 3 :絕緣樹脂層 1 4 :溝槽 1 5 :無電解鍍金屬 1 7 :雷射 - 1 L :第1絕緣層 _ 2L :導電層 φ 3 L :第2絕緣層 -27-

Claims (1)

1. 200934325 • 十、申請專利範園 1· 一種電路形成方法，其特徵爲· 具有： 在絕緣樹脂上形成電路圖案的圖案形成製程；及 在形成有上述電路圖案的絕緣樹脂上，積層絕緣樹脂 層的積層製程；及 在上述積層製程所積層的絕緣樹脂層形成溝槽，而露 φ 出上述電路圖案的溝槽形成製程；及 在上述溝槽形成製程所形成的溝槽，藉由無電解鍍埋 入鏟金屬的無電解鍍製程。 2.如申請專利範圍第1項所述的電路形成方法，其 中，在上述溝槽形成製程中，藉由雷射來形成溝槽。 3-如申請專利範圍第1項所述的電路形成方法，其 - 中，在上圖案形成製程中，藉由噴墨方式將導電性糊塗佈 . 在上述絕緣樹脂上而使之硬化，來形成電路圖案。 Ο 4.如申請專利範圍第3項所述的電路形成方法，其 中，上述圖案形成製程之後，又具有在構成上述電路圖案 的硬化的導電性糊形成晶種層的晶種層形成製程。 5 .如申請專利範圍第4項所述的電路形成方法，其 中，上述晶種層是藉由無電解鍍所形成。 6. 如申請專利範圍第1項所述的電路形成方法，其 中，上述無電解鍍製程中，在非觸媒下，將無電解鍍金屬 從上述溝槽的底部朝開口部予以積層而埋入。 7. —種電路形成方法，其特徵爲： -28- 200934325 具有= 藉由噴墨方式將導電性糊塗佈在絕緣樹脂上而使之硬 化，來形成電路圖案的圖案形成製程，及 在形成有上述電路圖案的絕緣樹脂上，積層絕緣樹脂 層的積層製程；及 在上述積層製程所積層的絕緣樹脂層藉由雷射形成溝 槽，而露出上述電路圖案的溝槽形成製程；及 〇 在上述溝槽形成製程所形成的溝槽，藉由無電解鍍埋 入鍍金屬的無電解鍍製程。

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