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TW200918628A - Adhesive agent, adhesion sheet, multilayer adhesion sheet and manufacture process for the electric component - Google Patents

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Publication number
TW200918628A
TW200918628A TW096139195A TW96139195A TW200918628A TW 200918628 A TW200918628 A TW 200918628A TW 096139195 A TW096139195 A TW 096139195A TW 96139195 A TW96139195 A TW 96139195A TW 200918628 A TW200918628 A TW 200918628A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
adhesive
wafer
film
adhesive sheet
mass
Prior art date
Application number
TW096139195A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Saito
Tomomichi Takatsu
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denki Kagaku Kogyo Kk filed Critical Denki Kagaku Kogyo Kk
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Description

200918628 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種黏著劑、黏著片、多層黏著片及 電子構件之製法。 【先前技術】 電子構件的製法已知有在晶圓或絕緣物基板上形成複 數個電路圖案而作爲電子構件集合體後,將該電子構件集 合體加工成爲晶片,將晶片拾起而在晶片的底面塗布黏著 劑,並用黏著劑將晶片固定於導線框架等,且使用樹脂等 密封晶片而成爲電子構件之方法(參照非專利文獻1等)。 將電子構件集合體加工來製造晶片之方法,已知有將 電子構件集合體貼在黏著片上,進而將黏著片固定於環框 後,將各個晶片切割分離(d1C1ng)之方法。 有提案(參照專利文獻1〜4等),揭示一種使用多層黏 著片(晶粒黏貼膠膜整體型片)之方法,該多層黏著片藉由 積層黏著片與晶粒黏貼膠膜,而兼具切割用的黏著片功能 、及將晶片固定在導線框架等之黏著劑的功能。 藉由使用晶粒黏貼膠膜整體型片,能夠省略切割後β 黏著劑的塗布步驟。晶粒黏貼膠膜整體型片與使用黏著齊!1 黏著晶片與導線框架之方法比較時,在黏著劑部分的厚@ 控制或抑制黏著劑擠出較爲優良。晶粒黏貼膠膜整體型# 能夠利用於製造晶片尺寸大小封裝(Chip Size Package)、推 疊封裝、及系統級封裝(System-In-Package)等的電子構件。 [專利文獻1]特開2004- 1 86429號公報 200918628 [專利文獻2]特開2006-049509號公報 [專利文獻3]特開平02-24 8 064號公報 [專利文獻4 ]特開平〇 5 - 2 1 1 2 3 4號公報 [非專利文獻1 ]小澤等、“古河電工時報”、第1 〇 6 期、第31頁、古河電工股份公司、(2〇〇〇年7月) 【發明内容】 [發明所欲解決之課題] 但是’晶粒黏貼膠膜整體型片之中,因爲通常感壓型 係使用丙烯酸黏著劑’使用通常的丙烯酸黏著劑時,若黏 著片與環框的黏著性低時,在切割時會有黏著片與環框產 生剝離的情況,或是在拾起時會有因黏著片與晶粒黏貼膠 膜的界面無法剝離而引起拾起不良的情況。 又’隨著電子構件的高積體化,晶片尺寸大幅度地變 薄’切割後的晶片之拾起作業變爲困難的情況增加。因此, 要求晶粒黏貼膠膜整體型片在切割時晶片保持良好、及在 拾起時晶粒黏貼膠膜與黏著片的剝離容易之特性。 本發明係鑒於上述情形而進行,本發明的目的係提供 一種技術,在使用晶粒黏貼膠膜整體型片進行晶圓的切割 時,能夠良好地保持切割時的晶片,且在拾起時粒黏貼膠 膜與黏著片能夠容易地剝離。 [解決課題之手段] 依照本發明時能夠提供一種黏著劑,係含有1 00質量 份丙烯酸聚合物、及0.5質量份以上20質量份以下多官能 異氰酸酯硬化劑之黏著劑,其中該丙烯酸聚合物係由調配 200918628 90質量份以上99.9質量份以下具有碳數6以上12以下的 烷基之(甲基)丙烯酸烷酯單體、及0.1質量份以上10質量 份以下含官能基單體而構成的原料組成物進行聚合而成。 使用由上述組成構成的黏著劑之晶粒黏貼膠膜整體型 片,在切割時晶片保持優良、在切割時不容易從環框脫離, 且在拾起作業時晶片的剝離容易。因此,該黏著劑能夠適 合使用於晶粒黏貼膠膜整體型片的黏著劑層。 又,在本發明,上述黏著劑亦可更含有1個以上具有(甲 基)丙烯醯基之化合物。 藉由更含有1個以上具有(甲基)丙烯醯基之化合物, 因爲能夠更改良晶粒黏貼膠膜與黏著片之黏附性,所以切 割時晶片保持變爲更良好,且在切割時能夠更抑制黏著片 與環框的剝離。 又,依照本發明能夠提供一種黏著片,具備基材薄膜、 及在該基材薄膜上塗布上述黏著劑而構成之黏著劑層。 使用由上述構成所構成的黏著片之晶粒黏貼膠膜整體 型片,在切割時的晶片保持優良、在切割時不容易從環框 脫離,且在拾起作業時晶片的剝離容易。因此,該黏著片 能夠適合使用於晶粒黏貼膠膜整體型片的黏著片。 又,依照本發明,能夠提供一種多層黏著片,具備上 述的黏著片、及在該黏著片的黏著劑層側積層而構成之晶 粒黏貼膠膜。 由上述構成所構成的多層黏著片,使用作爲晶粒黏貼 膠膜整體型片時,在切割時的晶片保持優良、在切割時不 容易從環框脫離,且在拾起作業時晶片的剝離容易。因此, 200918628 該多層黏著片能夠適合使用作爲晶粒黏貼膠膜整體型片。 又,依照本發明,能夠提供一種電子構件的製法,係 切割晶圓而得到電子構件之製法,包含以下步驟:貼合步 驟,其係在上述多層黏著片的晶粒黏貼膠膜表面貼合晶 圓:切割步驟,其係在貼合於多層黏著片的狀態,對晶圓 進行切割;及拾起步驟,其係在切割後,藉由將晶粒黏貼 膠膜與上述黏著劑層剝離,並將晶圓與黏附在晶圓背面之 晶粒黏貼膠膜一同拾起。 上述的電子構件的製法所使用的多層黏著片,切割時 晶片保持優良、在切割時不容易從環框脫離,且在拾起作 業時在晶粒黏貼膠膜與黏著劑層之間的剝離容易。因此, 上述的電子構件的製法,在切割後,能夠在晶片背面黏附 有晶粒黏貼膠膜狀態將晶片拾起,且直接將晶片黏貼而使 其黏著於導線框架等。 [發明之效果] 依照本發明,因爲使用由特定組成所構成的黏著劑, 所以使用晶粒黏貼膠膜整體型片來進行晶圓切割時,切割 時的晶片保持良好,切割時不容易從環框脫離,在拾起作 業時晶片容易剝離。 【實施方式】 以下’使用圖示說明本發明的實施形態,又,在全部 圖示,同樣的構成要素係附加同樣的符號而省略適當的說 明。 <用語說明> 在本說明書,單體係指單體本身或是來自單體的結 200918628 構。本說明書的份及%若未特別記載時係質量基準。在本說 明書,(甲基)丙烯醯基係指丙烯醯基及甲基丙烯醯基之總 稱。(甲基)丙烯酸等含有(甲基)之化合物等亦同樣地,係名 稱中具有「甲基」之化合物與未具有「甲基」之化合物的 總稱。 <實施形態的槪要> 第1圖係說明本實施形態的多層黏著片的構成之剖面 圖。 本實施形態的多層黏著片(晶粒黏貼膠膜整體型片)1 00 係如第1圖(1)所示,具備:基材薄膜1 0 6 ;黏著劑層1 0 3, 其係在該基材薄膜1 〇 6塗布後述的黏著劑而構成;及晶粒 黏貼膠膜105其係層積在該黏著劑層103上而構成。 在此,將上述基材薄膜106、及在該基材薄膜106塗布 後述的黏著劑而構成之黏著劑層1 03合倂稱爲黏著片 110。亦即,多層黏著片100係具備黏著片110、及積層該 黏著片1 1 0的黏著劑層1 03側而構成之晶粒黏貼膠膜1 05。 而且,上述黏著劑層103係含有100質量份丙烯酸聚 合物、及0.5質量份以上20質量份以下多官能異氰酸酯硬 化劑之黏著劑,該丙烯酸聚合物係由調配90質量份以上 99.9質量份以下具有碳數6以上12以下的烷基之(甲基)丙 烯酸烷酯單體、及0.1質量份以上10質量份以下含官能基 單體所構成的原料組成物聚合而成,並且能夠藉由在基材 薄膜106塗布該黏著劑而形成。 使用該組成所構成的黏著劑之多層黏著片(晶粒黏貼 膠膜整體型片)1 〇 〇在切割矽晶圓1 〇 1時晶片1 〇 8的保持性 200918628 優良’且切割矽晶圓I 0 1時多層黏著片1 〇 〇不容從環框i 〇 2 脫離,在進行晶片1 Ο 8的拾起作業時晶粒黏貼膠膜1 〇 5與 黏著劑層103容易剝離。 又,上述的黏著劑亦可更含有具有1個以上(甲基)丙 烯醯基之化合物。上述黏著劑藉由更含有具有1個以上(甲 基)丙烯醯基之化合物,因爲更改良晶粒黏貼膠膜1 05與黏 著片1 1 0的黏附性,切割時晶片保持變爲更佳,能夠更抑 制在切割時黏著片1 1 0與環框1 0 2的剝離。 而且,使用該多層黏著片1 0 0之電子構件的製法,係 在切割矽晶圓1 0 1後於在晶片1 08的背面黏附有晶粒黏貼 膠膜1 15的狀態將晶片108拾起,且直接將晶片108黏貼 並使其黏著於導線框架1 1 1等。 <黏著劑層> 黏著劑層103係使用含有100質量份丙烯酸聚合物、 及0.5質量份以上2 0質量份以下多官能異氰酸酯硬化劑之 黏著劑。此時,上述的丙烯酸聚合物係由調配90質量份以 上99.9質量份以下具有碳數6以上12以下的烷基之(甲基) 丙烯酸烷酯單體、及〇. 1質量份以上1 〇質量份以下含官能 基單體而構成的原料組成物進行聚合而成。 使用由上述組成構成的黏著劑之多層黏著片(晶粒黏 貼膠膜整體型片)1 0 0,在切割矽晶圓1 0 1時晶片1 0 8的保 持優良、在切割晶圓1〇丨時多層黏著片不容易從環框102 脫離,且在晶片1 08的拾起作業時晶粒黏貼膠膜1〇5與黏 著劑層1 0 3的剝離容易。 具有碳數6以上12以下的院基之(甲基)丙烯酸院醋單 -10- 200918628 體可舉出例如丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸異辛酯、 丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸十二烷酯、丙烯酸癸酯等。在 (甲基)丙烯酸烷酯單體之中,因爲黏著劑層103與環框102 的黏著強度提高’以使用丙烯酸2 -乙基己酯爲佳。 藉由使用具有碳數6以上12以下的烷基之(甲基)丙烯 酸烷酯單體,能夠提高在切割時之晶片保持,且能夠抑制 在切割作中黏著片1 1 0與環框1 02的剝離。 含官能基單體可舉出具有官能基爲羥基、羧基、環氧 基、醯胺基、胺基、羥甲基、磺酸基、胺基磺酸基、或是(亞) 磷酸酯基之單體,以具有羥基之單體爲佳。以下,可舉出 含官能基單體的例子。 具有羥基的單體可舉出例如(甲基)丙烯酸-2-羥基乙 酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、及(甲基)丙烯酸-2-羥基丁 酯等。 具有羧基之單體可舉出例如(甲基)丙烯酸、巴豆酸、 順丁烯二酸、順丁烯二酸酐、伊康酸、反丁烯二酸、丙烯 醯胺-N-乙醇酸、及桂皮酸等。 具有環氧基之單體可舉出例如烯丙基環氧丙基醚、(甲 基)丙烯酸環氧丙基醚等。 具有醯胺基之單體可舉出例如(甲基)丙烯醯胺等。 具有胺基之單體可舉出例如(甲基)丙烯酸-N,N-二甲胺 基乙酯。 具有羥甲基之單體可舉出例如N-羥甲基丙烯醯胺等。 两烯酸聚合物除了具有碳數6以上1 2以下的烷基之 (甲基)丙烯酸烷酯單體以外,亦可更具有烷基的碳數小於 200918628 6、或烷基的碳數大於12之(甲基)丙烯酸烷酯單體。此種(甲 基)丙烯酸烷酯單體可舉出例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基) 丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、2-甲氧基(甲基)丙烯酸乙酯、及(甲基)丙烯酸異莰酯等。 丙烯酸聚合物亦可使用上述以外的乙烯基單體,可舉 出例如乙烯、苯乙烯、乙烯基甲苯、乙酸烯丙酯、丙酸乙 稀酯、丁酸乙燒酯、特十碳酸(versaticacid)、乙嫌基乙基 醚、乙烯基丙基醚、(甲基)丙烯腈、及乙烯基異丁基醚等 的乙烯基化合物等。 多官能異氰酸酯硬化劑除了具有2個以上異氰酸酯基 以外,沒有特別限定,可舉出例如芳香族聚異氰酸酯、脂 肪族聚異氰酸酯、脂環族聚異氰酸酯等。 芳香族聚異氰酸酯沒有特別限定,可舉出例如1,3-二 異氰酸苯酯、4,4’-二異氰酸二苯酯、1,4-二異氰酸二苯酯、 二苯基甲烷4,4’-二異氰酸酯' 2,4-二異氰酸甲苯酯、2,6· 二異氰酸甲苯酯、4,4’-二異氰酸甲苯胺酯、2,4,6-三異氰酸 甲苯酯、1,3 ,5-三異異氰酸甲苯酯、二異氰酸聯茴香胺酯、 4,4,-二苯基醚二異氰酸酯、4,4’,4”-三苯基甲烷三異氰酸 酯、ω,ω’-二異氰酸酯-1,3-二甲苯、ω,ω’-二異氰酸酯 _1,4 -二甲苯、ω,ω’-二異氰酸酯-Μ-二乙苯、1,4 -二異氰 酸四甲基苯二甲酯、1,3 -二異氰酸四甲基苯二甲酯等。 脂肪族聚異氰酸酯沒有特別限定’可舉出例如三亞甲 基二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸 醋、五亞甲基二異氰酸酯、伸丙基_ 1,2 _二異氰酸酯、伸丁 基-2,3 -二異氰酸酯、伸丁基-1,3 -二異氰酸酯、十二亞甲基 -12- 200918628 二異氰酸酯、及2,4,4 -三甲基六亞甲基二異氰酸醋等。 脂肪族聚異氰酸酯沒有特別限定,可舉出例如3 -異氰 酸酯甲基-異氰酸-3,5,5 -三甲基基環己酯、1,3 -二異氰酸環 戊烷、1,3 -二異氰酸環己烷' 1,4 -二異氰酸環己烷、甲基- 2,4-二異氰酸環己烷、甲基-2,6-二異氰酸環己烷、亞甲基1,4,-雙(異氰酸環己酯)、及1,4-雙(異氰酸甲酯)環己烷等。 在聚異氰酸酯之中’以使用容易取得的芳香族聚異氰 酸酯之1,3-二異氰酸苯酯、4,4’-二異氰酸二苯酯、1,4-二異 氰酸二苯酯、二苯基甲烷4,4’-二異氰酸酯、2,4-二異氰酸 甲苯酯、2,6-二異氰酸甲苯酯、4,4’-二異氰酸甲苯胺酯爲 佳。 在黏著劑更含有1個以上(甲基)丙烯醯基之化合物 時,因爲能夠更改良晶粒黏貼膠膜1 05與黏著片1 1 0的黏 附性,在切割時晶片保持變爲更爲良好’且能夠更抑制黏 著片110與環框102的剝離’乃是較佳。 具有1個以上(甲基)丙烯醯基之化合物以在單體化合 物的分子內具有1個(甲基)丙烯醯基之化合物爲佳’可舉 出例如(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯 酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯 '(甲基)丙烯酸壬酯、(甲 基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸甲酯、 (甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸十 三烷酯、(甲基)丙烯酸肉豆寇酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、 (甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸 苄酯、(甲基)丙烯酸_2 -徑基乙酯、(甲基)丙烯酸-2 -羥基丙 酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸、及巴豆酸 -13- 200918628 等。 相對於1 0 0質量份丙烯酸黏著劑,多官能異氰酸酯硬 化劑的調配比以0 · 5質量份以上爲佳,以1質量份爲更佳。 另一方面,相對於1 00質量份丙烯酸黏著劑,多官能異氰 酸酯硬化劑的調配以20質量份以下爲佳,以1 0質量份以 下爲更佳。多官能異氰酸酯硬化劑爲0.5質量份以上或1 質量份以上時因爲黏附力不會太強,能夠抑制產生拾起不 良。多官能異氰酸酯硬化劑爲20質量份以下或1 〇質量份 以下時因爲黏附力提高,具有能夠提升在切割時黏著劑層 1 03與晶粒黏貼膠膜1 05之間的晶片保持,或是在切割作業 中黏著劑層1 03與環框1 02不容易產生剝離之優點。 使用具有1個以上(甲基)丙烯醯基之化合物時,相對 於100質量份丙烯酸聚合物,具有1個以上(甲基)丙烯醯基 之化合物以0.1質量份以下爲佳,以0.05質量份以下爲更 佳。又,下限沒有特別限定,例如以0.005質量份以上爲 佳,以0.0 1質量份以上爲更佳。 以0.1質量份以下或0.05質量份以下添加具有1個以 上(甲基)丙烯醯基之化合物時,對晶粒黏貼膠膜1 05的黏附 力提高,在使用樹脂(未圖示)將晶片1 08模塑時能夠抑制固 定不良。另一方面以〇.005質量份以上或〇.〇1質量份以上 添加具有1個以上(甲基)丙烯醯基之化合物時,因爲晶粒 黏貼膠膜1 05與黏著劑層1 03的黏附性變爲良好,在切割 時晶片保持良好,能夠抑制黏著劑層1 03與環框1 02的剝 離,乃是較佳。 黏著劑層1 03的厚度以1微米以上爲佳’以3微米以 -14- 200918628 上爲特佳。又,黏著劑層103的厚度以100微米以下爲佳’ 以40微米以下爲特佳。黏著劑層103的厚度爲1〇〇微米以 下或40微米以下時,能夠適合拾起晶片1 08,能夠抑制被 稱爲「碎屑(chipping)」之在晶片108端部產生缺損。又’ 黏著劑層103的厚度爲1微米以上或3微米以上時’在切 割時能夠充分地保持晶片,而且能夠抑制環框1 02與多層 黏著片100的剝離。 又,亦可在黏著劑層103適當地添加軟化劑、防老劑、 塡料、及熱聚合抑制劑等各種添加劑。 <黏著片> 由基材薄膜106、及在該基材薄膜106上層積而構成的 黏著劑層1 03所構成的黏著片1 1 〇,係藉由在基材薄膜1 06 上塗布黏著劑而製造。基材薄膜106的厚度以30微米以上 300微米以下爲佳,以60微米以上200微米以下爲更佳。 基材薄膜1 06能夠使用各種合成樹脂製的薄片。雖然 基材薄膜1 06的原料沒有特別限定,但可舉出例如聚氯乙 烯、聚對酞酸乙二酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙 烯酸乙酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯酸共聚物、 及離子聚合物樹脂等。基材薄膜1 06亦可使用此等樹脂的 混合物、共聚物、及多層薄膜等。 基材薄膜1 06的原料以使用離子聚合物樹脂爲佳。離 子聚合物樹脂之中’因爲抑制產生鬍鬚狀切削屑的效果顯 著’以使用藉由Na+、K+、Zn2 +等金屬離子使具有乙烯單位、 (甲基)丙烯酸單位、及(甲基)丙烯酸烷酯單位之共聚物進行 交聯而成之離子聚合物樹脂爲佳。 -15- 200918628 基材薄膜1 0 6的成型方法沒有特別限 壓延、Τ模頭擠壓、吹塑、及鑄型等。 爲了防止在剝離晶粒黏貼膠膜1 〇 5時 靜電,亦可在基材薄膜106的一面或兩面 施加防靜電處理。 防靜電劑以使用例如四級胺鹽單體爲 體可舉出例如(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙? (甲基)丙烯酸二乙基胺基乙酯四級氯化物' 基乙基胺基乙酯四級氯化物、對二甲基胺 化物、及對二乙基胺基苯乙烯四級氯化物; 丙烯酸二甲基胺基乙酯四級氯化物爲佳。 滑劑及防靜電劑的使用方法沒有特別 基材薄膜106的一面塗布黏著劑,並在該 或防靜電劑,亦可在基材薄膜1 06的樹脂 防靜電劑並加以薄片化。 可以在基材薄膜1 0 6的一面側的黏著 晶粒黏貼膠膜1 0 5,並使另外的面爲平均$ 爲0.3微米以上1.5微米以下的壓花面。藉 圖示)的機械平台側設置壓花面,在切割後 容易地將基材薄膜106擴張。 爲了更提高切割後的擴張性,能夠在 擴張裝置(未圖示)的接觸面(基材薄膜106 劑,或是在基材薄膜1 06摻合滑劑。 滑劑若是能夠降低基材薄膜1 06與擴 的摩擦係數之物質時沒有特別限定,可舉 定,可舉出例如 基材薄膜106帶 塗布防靜電劑來 佳。四級胺鹽單 贈四級氯化物、 、(甲基)丙烯酸甲 基苯乙烯四級氯 等,以使用(甲基) 限定,例如可在 背面塗布滑劑及/ 中摻合滑劑及/或 劑層1 0 3上層積 羑面粗糙度(Ra) 由在擴張裝置(未 的擴張步驟能夠 基材薄膜106與 的背面)塗布滑 張裝置(未圖示) 出例如矽樹脂、 -16- 200918628 或(改性)矽油等矽化合物、氟樹脂、六方晶氮化硼、碳黑、 及二硫化鉬等。此等滑劑亦可混合複數成分。因爲電子構 件的製造係在潔淨室進行,滑劑以使用矽化合物或氟樹脂 爲佳。因爲與防靜電層的相溶性良好,且爲了謀求防靜電 性與擴張性的平衡,矽化合物之中以使用共聚合矽接枝單 體而成的共聚物爲特佳。 爲了提升黏著劑層1 03與晶粒黏貼膠膜1 05的剝離 性,黏著片1 1 0的晶粒黏貼膠膜1 05接觸面(黏著劑層1 03 的表面)的算術平均Ra以0.5微米以上1.5微米以下爲佳。 爲了使黏著劑層1 03與晶粒黏貼膠膜1 05的剝離性變 爲容易,亦可在黏著片1 1 0的晶粒黏貼膠膜1 05接觸面(黏 著劑層1 03的表面)施加脫膜處理。該脫膜處理能夠使用醇 酸樹脂、矽樹脂、氟樹脂、不飽和聚酯樹脂、蠟等脫模劑。 在基材薄膜1 06上形成黏著劑層1 03而作爲黏著片1 1 0 的方法沒有特別限定,可舉出例如凹版塗布器、刮刀式塗 布器、棒塗布器、刮刀塗布器、或是輥塗布器等塗布器在 基材薄膜上直接塗布黏著劑之方法。亦可使用凸版印刷、 凹版印刷、平版印刷、柔版印刷、膠版印刷、或網版印刷 等在基材薄膜上印刷黏著劑。黏著劑層1 03的厚度沒有特 別限定,以乾燥後的厚度爲1微米以上1 〇〇微米以下爲佳’ 以3微米以上40微米以下爲更佳。 <晶粒黏貼膠膜> 晶粒黏貼膠膜1 05係將黏著劑或接著劑成形爲薄膜狀 而成之物。晶粒黏貼膠膜1 〇5係以在由PET等樹脂等所構 成的剝離用薄膜等層積接著劑或黏著劑而成的狀態銷售’ -17- 200918628 能夠將接著劑或黏著劑轉印至黏著片上。 晶粒黏貼膠膜1 05的材質能夠使用通常所使用的黏著 劑或接著劑。黏著劑可舉出例如環氧樹脂、聚醯胺、丙烯 酸、及聚醯亞胺等。接著劑可舉出例如丙烯酸、乙酸乙烯 酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚 醯胺、聚乙烯、聚颯、環氧樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺酸、 聚矽氧、苯酚、橡膠共聚物、氟橡膠共聚物、及氟樹脂等。 又,晶粒黏貼膠膜1 05亦能夠使用該等黏著劑或接著 劑的混合物、共聚物、及積層體等。晶粒黏貼膠膜1 05亦 可按照必要添加光聚合引發劑、防靜電劑、交聯促進劑等。 從控制晶片與導線框架黏著時之晶粒黏貼膠膜的厚度或抑 制擠出而言,晶粒黏貼膠膜1 05的厚度爲5微米以上60微 米以下爲佳。 <多層黏著片> 在黏著片11 0的黏著劑塗布面貼合晶粒黏貼膠膜 105,而成爲多層黏著片1〇〇。在製造電子構件使用多層黏 著片1 00作爲晶粒黏貼膠膜1 05整體型片時,以調整丙烯 酸黏著劑與多官能異氰酸酯硬化劑的比率,來使晶粒黏貼 膠膜1〇5與黏著片110之間的黏著強度爲0.05N/20毫米以 上0.9N/20毫米以下爲佳。晶粒黏貼膠膜1〇5與黏著片110 之間的黏著強度爲0.9N/20毫米以下時’能夠抑制產生拾 起不良,黏著強度爲〇.〇5N/20毫米以上時’在提升晶片保 持之同時,具有黏著片1 1 0與環框1 〇 2難以剝離之優點。 調整晶粒黏貼膠膜1 05與黏著片1 1 0之間的黏著強度 之方法,可舉出在黏著劑添加黏著·賦予樹脂之方法。黏著 -18- 200918628 賦予樹脂沒有特別限定,可舉出例如松香樹脂、松香酯樹 脂、萜烯樹脂、萜烯苯酚樹脂、苯酚樹脂、二甲苯樹脂、 香豆酮樹脂、香豆酮茚樹脂、苯乙烯樹脂、脂肪族石油樹 脂、芳香族石油樹脂、脂肪族芳香族共聚合石油樹脂、脂 環族烴樹脂、及此等的改性品、衍生物、及加氫品等。 黏著賦予樹脂的調配量沒有特別限定,相對於1 00質 量份(甲基)丙烯酸酯聚合物爲200質量份以下,以30質量 份以下爲佳。 <電子構件的製法> 使用本實施形態的多層黏著片1 00之電子構件的製法 沒有特別限定,可舉出例如第1圖所示之下述順序。 (1) 將矽晶圓101貼在多層黏著片100而固定,並將該多層 黏著片100固定於環框102。 (2) 使用切割刀片104切割矽晶圓101。 (3) 將多層黏著片1〇〇放射狀地擴大,來擴展晶片1 15的間 隔後,使用針等(未圖示)將晶片115往上推。然後藉由真空 筒夾或空氣小鑷子等(未圖示)吸附晶片1 1 5,並在黏著劑層 1 03與晶粒黏貼膠膜1 1 5之間進行剝離,且拾起黏附有晶粒 黏貼膠膜1 1 5之晶片1 0 8。 (4) 將黏附有晶粒黏貼膠膜1 15之晶片108搭載(安裝)在導 線框架1 1 1或電路基板上。然後,加熱晶粒黏貼膠膜1 1 5, 來將晶片1 08與導線框架1 1 1或電路基板加熱黏著。最後, 使用樹脂(未圖示)將搭載在導線框架1 1 1或電路基板之晶 片1 0 8模塑。 在該製法,亦可用形成有電路圖案之電路基板等來代 -19- 200918628 替導線框架111。 <作用效果> 以下,邊參照第1圖邊說明本實施形態的多層黏著片 (晶粒黏貼膠膜整體型片)100的作用效果。 本實施形態的多層黏著片(晶粒黏貼膠膜整體型片)丨00 係如第1圖(1)所示’具備基材薄膜1〇6、在該基材薄膜1〇6 塗布後的黏著劑而構成的黏著劑層1 0 3、在該黏著劑層1 0 3 積層而構成的晶粒黏貼膠膜1 05。 而且’上述的黏著劑層103係含有1〇〇質量份丙烯酸 聚合物、及0.5質量份以上20質量份以下多官能異氰酸酯 硬化劑之黏者劑’其中該丙嫌酸聚合物係由調配90質量份 以上99_9質量份以下具有碳數6以上12以下的烷基之(甲 基)丙嫌酸院酯單體、及0.1質量份以上1〇質量份以下含官 能基單體而構成的原料組成物進行聚合而成,並藉由將黏 著劑塗布在基材薄膜106而形成。 由上述組成所構成的黏著劑之多層黏著片(晶粒黏貼 膠膜整體型片)1 00,在切割矽晶圓1 〇 1時晶片丨〇 8的保持 性優良’在切割矽晶圓1 0 1時多層黏著片1 〇 〇不容易從環 框102脫離’在晶片108的拾起作業時,晶粒黏貼膠膜1〇5 與黏著劑層103的剝離容易。 又’上述黏著劑亦可更含有1個以上具有(甲基)丙烯 醯基之化合物。藉由更含有1個以上具有(甲基)丙烯醯基 之化合物,因爲能夠更改良晶粒黏貼膠膜1 0 5與黏著片1 1 〇 之黏附性,所以切割時晶片保持變爲更良好,且在切割時 能夠更抑制黏著片1 1 0環框1 02的剝離。 -20- 200918628 而且,使用該多層黏著片100之電子構件的製法,係 在切割矽晶圓101後於在晶片108的背面黏附有晶粒黏貼 膠膜115的狀態將晶片108拾起,且直接將晶片ι〇8黏貼 並使其黏著於導線框架1 1 1等。 亦即’上述電子構件的製法係如第1圖(1)所示,首先, 在多層黏著片1〇〇(具備基材薄膜106、積層在該基材薄膜 106上而成的黏著劑層103、及層積在該黏著劑層103上的 晶粒黏貼膠膜105)之其晶粒黏貼膠膜1〇5表面,貼合砂晶 圓 101。 接著’如弟1圖(2)所不’在砂晶圓1〇1係貼合於多層 黏著片1 00的狀態,對矽晶圓1 0 1進行切割。 然後,如第1圖(3)所示,在切割後,藉由剝離晶粒黏 貼膠膜1 1 5與黏著劑層1 0 3,將矽晶圓1 01及黏附在矽晶圓 1 〇 1的背面之晶粒黏貼膠膜1 1 5 —同拾起。 藉由該方法,切割時黏著劑層1 0 3與晶粒黏貼膠膜1 1 5 間的黏附力充分強,而且因爲黏著劑層103與環框102之 間的黏著力充分強,所以切割時晶片1 08的保持性優良, 在切割時,多層黏著片1 00不容易從環框102脫離。另一 方面,在拾起時,因爲能夠將黏著劑層1 03與晶粒黏貼膠 膜1 1 5間的黏附力抑制在適當的強度,所以在晶片1 08的 拾起作業時晶粒黏貼膠膜1 05與黏著劑層1 03容易剝離。 因此,依照該方法時,如第1圖(4)所示,在矽晶圓1〇1 的切割後,能夠在晶片1 08的背面黏附有晶粒黏貼膠膜Π 5 狀態將晶片1 08拾起,且直接將晶片1 08黏貼並使其黏著 於導線框架1 1 1等。 -21 - 200918628 以上,參照圖示,敘述了本發明的實施形態,但是此 等係本發明例示,本發明亦可採用上述以外之各式各樣的 構成。 例如,在上述實施形態,晶圓的種類係矽晶圓1 0 1,但 是並沒有特定限定的意思,任何種類的晶圓(例如GAN晶 圓等)都可以採用。 因爲不管任何種類的晶圓都存在有適合將該晶圓切斷 之切割刀片1 04,使用該切割刀片1 04能夠實行與上述實施 形態同樣的電子構件製法。 [實施例] 以下,藉由實施例來進一步說明本發明,但是本發明 未限定於此等。 1.多層黏著片的材料係備齊以下之物。 丙烯酸聚合物A:得到合成品,其含有使調配95 %丙烯酸-2-乙基己酯、及5 %丙烯酸2 -羥基乙酯所構成的原料組成物共 聚合而成的共聚物(丙烯酸聚合物A)。丙烯酸聚合物A的 玻璃轉移點爲-67.8°C。 丙烯酸聚合物B:得到合成品’其含有使調配90 %丙嫌酸-2-乙基己酯、及10%丙烯酸-2-羥基乙酯所構成的原料組成物 共聚合而成的共聚物(丙烯酸聚合物B)。丙儲酸聚合物B 的玻璃轉移點爲-6 5 _ 6 °C ° 丙稀酸聚合物C:得到合成品’其含有使調配99·9%丙嫌酸 -2-乙基己酯、及〇.1 %丙烯酸-2-羥基乙酯所構成的原料組成 物共聚合而成的共聚物(丙烯酸聚合物C)。丙嫌酸聚合物C 的玻璃轉移點爲-69.9°C ° -22- 200918628 丙烯酸聚合物D :得到合成品,其含有使調配9 5 %丙烯酸 丁酯、及5%丙烯酸-2-羥基乙酯所構成的原料組成物共聚合 而成的共聚物(丙烯酸聚合物D)。丙烯酸聚合物D的玻璃 轉移點爲-5 3 . 3 °C。 多官能異氰酸酯硬化劑:使用由2,4-二異氰酸甲苯酯的三 羥甲基丙烷加成物所構成的市售品(NIPPON POLYURETHANE 公司製、製品名 C 〇 R 0 N A T E L - 4 5 E)。 具有1個(甲基)丙烯醯基之化合物:使用由丙烯酸-2-乙基己酯所構成的市售品(東亞合成公司製、製品名丙烯酸 酯 HA)。 將黏著劑塗布於PET分離膜上,以乾燥的黏著劑層的 厚度爲10微米之方式塗布,並積層於1〇〇微米的基材薄膜 而得到黏著片。將30微米厚度的晶粒黏貼膠膜切斷成爲6.2 英吋Φ的圓形,並層壓於黏著片的黏著劑層而成爲多層黏 著片。 離子聚合物樹脂:使用含有以乙烯-甲基丙烯酸-甲基 丙烯酸烷酯共聚物的Zn鹽爲主體 '且MFR(熔融流速)値爲 1.5 克 /10 分鐘(JIS K7210、210°C )、熔點 96°C、Zn2 +離子之 三井杜邦化學公司製的市售品。 2. 晶粒黏貼膠膜係備齊以下之物。 晶粒黏貼膠膜‘使用由以聚醯亞胺黏著劑爲主體 '且 厚度爲3 0微米所構成的市售品。 3. 電子構件集合體係備齊以下之物。 電子構件的製造係使用形成有模擬電路圖案之直徑6 英吋X厚度0.4毫米的砂晶圓。將矽晶圓設置在晶粒黏貼膠 -23- 200918628 膜上。 <切割步驟> 黏著片切入量爲30微米。切割係以10毫米xlO毫米的 晶片尺寸來進行。切割裝置係使用DISCO公司製DAD341。 切割刀片係使用DISCO公司製NBC-ZH205 O-27HEEE。 切割刀片形狀:外徑5 5.56毫米、刀刃寬度35微米' 內徑1 9.0 5毫米 切割刀片轉數:40,〇〇〇rpm 切割刀片前進速度:80毫米/秒 切削水溫度:2 5 °C 切削水量:1.0升/分鐘 <擴張步驟> 使用多層黏著片而將矽晶圓切割後,使用擴張裝置進 行擴張。 擴張裝置:HUGLE公司製ELECTRONICS HS-1800型 垂伸量:2 0毫米 垂伸速度:2 0毫米/秒 加溫條件:4 0 °C X 1分鐘 <實驗結果的評價> 1.多層黏著片的黏附力:將多層黏著片貼合於已預先 加熱至8〇°C之矽晶圓上,並以2公斤輥壓黏1來回,在壓 黏1天後,將黏著片與晶粒黏貼膠膜的界面剝離。 剝離方法:以1 8 〇。剝離 拉伸速度:300毫米/分鐘 2 ·環框固定:在切割半導體晶圓時,如第2圖所示, -24- 200918628 評價對環框的固定性。黏著片未從環框剝離時爲◎(優)’ 確認一部分浮起時爲〇(良)’確認已剝離時爲x (差)。結果 如表1〜表3所示。 3 .晶片保持:以前述條件切割半導體晶圓時,如第3 圖所示,評價晶片被保持在多層黏著片之數目。結果如表 1 ~表3所示。 ◎(優):晶片飛散小於5% 〇(良):晶片飛散5 %以上、小於1 0 % x(差):晶片飛散10%以上。 4.拾起:以前述條件切割半導體晶圓後’如第4圖所 示,評價在黏附有晶粒黏貼膠膜之狀態能夠拾起的晶片數 目。結果如表1 ~表3所示。 ◎(優):95 %以上的晶片能夠拾起。 〇(良):80%以上、小於95%的晶片能夠拾起。 x(差):小於80%的晶片能夠拾起。 [表1] ----- 實驗No. 1 2 3 4 5 黏著劑 職®及質量份) ------- 丙烯酸聚合物 A100 A100 A100 A100 A100 多官能異氰酸酯硬化劑 5 0.1 0.5 20 50 具有(甲基)丙烯醯基之化合物 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 片的黏附力 對晶粒黏貼膠膜_毫米) 0.22 1.00 0.40 0.10 0.05 環框固定 ◎ ◎ ◎ 〇 ◎ 評價 晶片保持 ◎ ◎ ◎ 〇 ◎ 拾起 ◎ 〇 〇 ◎ 〇 備考 -—— 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 -25- 200918628 [表2] 實驗No. 1 6 7 8 9 黏著劑 (種類及質量份) 丙烯酸聚合物 A100 A100 A100 A100 A100 多官能異氰酸酯硬化劑 5 5 5 5 5 具有(甲基)丙烯醯基之化合物 0.01 0 0.005 0.1 0.5 黏著片的黏附力 對晶粒黏貼膠膜(N/20毫米) 0.22 0.20 0.21 0.35 0.50 評價 環框固定 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 晶片保持 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 拾起 ◎ ◎ ◎ 〇 〇 備考 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 [表3] 實驗No. 1 10 11 12 黏著劑 腫類及質量份) 丙烯酸聚合物 A100 B100 C100 D100 多官能異氰酸酯硬化劑 5 5 5 5 具有(甲基)丙烯醯基之化合物 0.01 0.01 0.01 0.01 黏著片的黏附力 對晶粒黏貼膠膜(N/20毫米) 0.22 0.38 0.50 0.70 評價 環框固定 ◎ ◎ ◎ ◎ 晶片保持 ◎ ◎ ◎ ◎ 拾起 ◎ 〇 〇 X 備考 實施例 實施例 實施例 比較例 又,表1 ~表3係表示相對於1 00質量份丙烯酸聚合物 之質量份。又,將丙烯酸聚合物的種類以A〜D的記號表示 〇 <實驗的考察> 從表1 ~表3所示的實驗結果能夠知道,依照該多層黏 著片(晶粒黏貼膠膜整體型片)時,因爲使用特定組成的黏 著劑,所以切割時的晶片保持性優良、切割時多層黏著片 -26- 200918628 不容易從環框脫離,且在拾起作業時晶粒黏貼膠膜與黏著 劑層容易剝離。 以上,基於實施例說明了本發明。該實施例到底是例 示性,該業者應當理解能夠有各種變形例且如此的變形例 亦在本發明的範圍內。 [產業上之利用可能性] 如以上,上述的多層黏著片能夠達成在切割時的晶片 保持優良、在切割時不容易從環框脫離,且在拾起作業時 晶片的剝離容易之效果。因此,上述的多層黏著片係適合 使用於在切割後,能夠在晶片背面黏附有晶粒黏貼膠膜層 的狀態進行拾起,且黏貼並使其黏著於導線框架等之電子 構件的製法。 【圖式簡單說明】 第1圖係用以說明一實施形態的多層黏著片的構成的 剖面之槪略圖。 第2圖係用以說明環框固定性之照片。 第3圖係用以說明晶片保持性之照片。 第4圖係用以說明拾起性之槪念圖。 【主要元件符號說明】 100 多層黏著片 102 環框 103 黏著劑層 104 切割刀片 105 晶粒黏貼膠膜 -27- 200918628 106 基材薄膜 107 切入 108 晶片 1 10 黏著片 111 導線框架 115 晶粒黏貼膠膜 r -28

Claims (1)

  1. 200918628 十、申請專利範圍: 1. 一種黏著劑,係含有100質量份丙烯酸聚合物、及0.5 質量份以上20質量份以下多官能異氰酸酯硬化劑之黏著 劑’其中該丙烯酸聚合物係由調配90質量份以上99.9 質量份以下具有碳數6以上12以下的烷基之(甲基)丙烯 酸烷酯單體、及〇. 1質量份以上1 〇質量份以下含官能基 單體而構成的原料組成物進行聚合而成。 2. 如申請專利範圍第1項之黏著劑,其中更含有1個以上 具有(甲基)丙烯醯基之化合物。 3. —種黏著片,具備基材薄膜、及在該基材薄膜上塗布如 申請專利範圍第1項之黏著劑而構成之黏著劑層。 4 · 一種多層黏著片,具備如申請專利範圍第3項之黏著片 、及在該黏著片的該黏著劑層側層積而構成之晶粒黏貼 膠膜。 5. —種電子構件的製法,係切割晶圓而得到電子構件之製 法,包含以下步驟:貼合步驟,其係在如申請專利範圍 第4項之多層黏著片的該晶粒黏貼膠膜表面貼合該晶圓 :切割步驟,其係在貼合於該多層黏著片的狀態’對該 晶圓進行切割;及拾起步驟,其係在該切割後’藉由將 該晶粒黏貼膠膜與該黏著劑層剝離’並將晶圓與黏附在 晶圓背面之晶粒黏貼膠膜一同拾起° -29-
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