TW200915008A - Kinematic chucks for reticles and other planar bodies - Google Patents

Description

200915008 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本揭示内容特別是有關於微影技術，該微影技術係為 在半導體微裝置、顯示器和具有能夠藉由包括微影壓印技 術的製程被製造出來的精細構造之其他產品的製程中所採 用之關鍵顯影技術。更具體的是’本揭示内容有關用於保 持標線片或其他平坦物體的裝置。 【先前技術】

任典型的投影微影 ，一，卞入〜 表面上的圖案是由有時稱為“光罩”的“標線片，，所界定 的。在微影系統，標線片被安裝於載台上，在微影曝光之 過程中，該載台能夠承受必要的精細和高準度的運動。當 安裝於標線片載台上時’該標線片被輻射光束（例如深； 外線或真空紫外光的光束）~照射。隨著光束從標線片往

:::播’該光束承載著被照射圖案的空中影像。被稱為 :、光束或“顯影光束，，的下游光束係通過一投$ :系統，該投影光學系統依據需求來調整和成形圖：光 晶圓;感基板(例如塗佈光阻劑的半導體 板亦被安# $乂、°亥圖案的聚焦影像。為了曝光，該基 可移動式載台上。 曰曰圓栽台的個別 為了要在微影曝光的進行期間保持 水平地），該俨娩μ i 让知線片（通常是 動夹而 片載台被配備有安裝在標線片載么的銘 動表面上的一個‘‘押 巧戰口的移 ^線片吸盤。標線h盤以用於顯影 200915008 損。舉2持住該標線片’同時避免易碎的標線片受 線片來伴輯Γ 一些標線片吸盤藉由施加真空作用力至標 或勞倫兹作用主。其他的標線片吸盤藉由靜電作用力 光束被=引作用來保持住標線片。在其中賴射 建構成以：：過標線片之微影系統中’標線片吸盤通常被 線片周圍（或是至少沿著二個相對側邊）保 未、”“夾住，）標線片，於是’留下標線片的圖案區域 :士撐。由於標線片的質量’標線片未被支揮的中間 於重力而容易下垂。倘若沒有採用某種方式來加 ^或補償，下垂現象將使標線片變形且劣化微影系统 的顯影性能。 微影系統之性能表現的二項判斷基準是覆蓋性和影像 品質。影像品質涵蓋任何各種參數，例如影像解析度、擬 真^、色彩鮮明性、對比和類似性質。“覆蓋性，，是有關 目前影像相對於用於影像的目標位置而放置的準度和精 度。舉例而言，適宜的覆蓋作用需要將影像對準在基板上 之先前已形成、位於下方的構造。 被夾住之標線片的變形後形狀對於覆蓋性和影像品質 具有直接影響。倘若標線片的下垂無法避免，那麼理想的 變形後形狀則至多是在掃描軸（y軸）附近的二階（拋物線） 形狀。對於下游光學裝置（例如投影光學系統）進行適宜 調整能夠補償此種標線片的變形，但是每個標線片的變形 通常彼此相異，且在每次吸住一個不同的標線片時調整下 游光學裝置是不切實際的。 200915008 以被吸住之標蠄y „ ^ ^ 、、’，局邛摩擦作用力係在標線片與吸 盤相接觸的區域產生，曰& 且^二摩擦作用力在標線片載台的 運動期間是將標線g '、 置維持在吸盤上的關鍵。但是在標 線片載台加速和油；$ ΒΒ 通和减連期間’這些摩擦作用力可能不足以克 服介於標線片與吸盤之 之間的局°卩剪應力。這些剪應力可能 會導致才示線片相對於明般 、及盤而4動。而且，在標線片載台加 速或減速之後，由於捭 、 於钻線片滑動之結果，標線片和吸盤可 月bt無法回Ί是到它介弓你I它| J的原始形狀和相對於彼此的位置。 在此種狀況之下，力扭祕u < Α 在輮線片和吸盤中將會產生殘留應力， 在微影曝光期間，這會導 賞導致標線片載台在掃描運動期間有 不利的標線片扭曲變形。碑嫂 燹彬払線片滑動的另一個結果是介於 標線片與用來決定輕綠y >堪> Τ 、 、疋铩線片位置之干涉儀之間的相對位置之 無法重複之變化。這種變化直接影響到覆蓋的正確性。 這些問題傳統上是藉由嘗試將在整個標線片載台上的 熱扭曲變形和機械餘曲變形加以控制及最小化而解決。 然而’因為微影系統的連續階段需要越來越高的載台加速 度且由於覆蓋性規格繼續變嚴格，這種解決方法的限制 已變為更加明顯。 〃用於克服此問題的—項解決方案是討論於授予㈤咖 等人之美國專利第6,956,222號中，其中標線片安置於在一 個工作檯上方延伸@ 粒平板（咖一”上，且 汶犬粒平板與工作檯之間具有一個間隙。該突粒平板是由 一種非常堅硬的材料（玻璃或陶竟）製成，且包含多個與 標線片接觸的凸塊。標線片藉由靜電吸引力而被保持於/突 200915008 粒平板上。突粒平板藉由靜電吸引力而被保持於膜片上。 突粒平板的底面是由安裝至工作檯#支承銷所支撑住。突 粒於全部三個（x、y、z)方向上均具有高剛性。不幸的是， 在保持標線片的標線片載台之加速和減速期間，標線片呈 現出令人無法接受的相對於突粒平板之滑動量，I突粒平 板呈現出令人無法接受的相對於膜片之滑動量。 f 另外-項用於克服此問題的解決方案是討論於授予 :一等人之美國專利第6,480,260號中，該專利係加入 本文作為參考。依據專利第M8G，號，藉由被配置成彼 此平行之個別“柔性構件，，的幫 邊(側翼）區域(相對於y:二=片的二個相對側 沖0 4 卩時財向）被保持 县你Μ A 絲佳貫例中，每個柔性構件具有類似 長條的構造，該構造沿著栲蟪 著標線片之個別側邊區域和沿著標 =台之個別側邊區域縱向地延伸。柔性構件的一個橫 :側邊區域被安裝至標線片載台之個別側邊區域，且柔性 f件的另—橫向側邊區域是以懸臂梁之方式而從標線片載 口之個別側邊區域延伸出去 ^ ^ 、 如、Α 、彳甲出去。沿著每個柔性構件之懸臂毕 ，邊區域的全部長度而延伸和往上㈣的 出、 個別之“真空空間，，的 界疋出 地界定出個別的標線片‘‘=，，該=和真空空間共同 地停置於共同作為個別《 ：:：對應底面準確 (“台面，，）上m 壁面的頂部邊緣 吸盤表面上。真^ 標線月的㈣㈣微“ 方向的順應性及對於 微屈曲’如同壁面一般，這些柔性構件 200915008 在x-y方向上具有高勁度。$,丨、 王夕有三個銷延伸於吸盤的底面 與標線片載台的頂部表面# „ , + 間（亦即，二個銷在一吸盤下 方，且一個銷在另一吸盤下士、 万）。一個或更多個“銷，，亦 可以被安置於-真空空間内，用以提供額外的支㈣用予 標線片之受吸著區域；這些結構被稱為“銷吸盤”。在支 撐住被以此方式吸著之標線片 乃义知線片載台的加速和減速 過程中，標線片依然呈現出入 7人無法接受的相對吸盤表面 之滑動量。 【發明内容】 本專利申請案主張2007车s β , < „ 1 υ/平5月16日提出之美國專利 申請案第1 1/749,706號的優先權， 陡尤權，且主張2 〇 〇 6年5月19 曰提出之美國專利臨時申請牵笼 月茱第60/801,866號的優先權與 效益’且其内容併於此以作為參考。 鑑於前文概述的傳统式押綠μ β & 1寻、元式钴線片吸盤，倘若被吸著於標 線片載台上的標線片可具有造—牛 丹’進步降低（或完全除去）的 相對於吸盤表面的標繞Η :香h 町知踝片/月動，同時依然提供運動支撐作 用予標線片，將是有利的。这丨 違至）此目標可以除去在微影曝 光期間所產生覆蓋錯誤的實質來源以及諸如此類者。 依照第一項觀點，所提供的裝置用於保持並移動平面 物體’例如標線片。該裝置之—項實例包含__個載台及一 個物體吸盤。該載台具有一個可移動支承表面。該裝置包 括第-膜片，該第一膜片包括一近端區域及一遠端區域。 近端區域被輕接至支承表面。遠端區域從該支承表面延伸 出去亚被麵接至物體吸盤，使得第一膜片至少部份地支撐 10 200915008 住物體吸盤。物體吸盤包含一個表面及多個銷。該表面位 於第一膜片的遠端區域。該等銷相對於該表面而延伸且被 排列於該表面上，以接觸並支撐該物體相對於表面的個別 部分。該等銷被排列成使得在支承表面的對應運動所給予 之物體吸盤的運動期間，該運動所導致之作用力造成之物 體相對於銷之在每個銷處的滑動大致相同。 在以上所概述裝置的某些實例中，載台具有彼此隔開 的第一支承表面及第二支承表面（但是該二支承表面是如 所而地以同步方式移動）。物體吸盤包含一第一吸盤部分 第°及盤β刀’且該第一膜片包含一個被裝設於第一 支承表面並從第-支承表面延伸出去的第一膜片部分，以 =個被裝設於第二支承表面並從第二支承表面延伸出去 ―:一膜片部分。第—吸盤部分被安裝至第一膜片部分的 端區域’且第二吸盤部分被安裝至第二膜片部分的- 立而區域。 物體吸盤可以包含曼小— 個例如是用於標線片之真空 盤在此種及其他結構中，該物俨明船 延伸出去的壁面。”二：！及盤可以包含從表面 ^面係與表面及物體接觸物體吸盤 、°卩伤&作而被如所需地界定出一真空孔穴。 該等銷選擇性地包括被安置於真空孔穴二且與壁面相 連結的側邊銷。自支式的、 延伸出去。 穴内且從表面 該等壁面具有各自的台 表面。兮笙且忑寺銷具有各自的頂部 4頂…（與選擇性地至少其中—台面）共同 11 200915008 界定出一個吸盤表面’每當物體被裝置保持住時，該吸盤 表面係接觸物體並至少部份地將該物體支撐住。銷的頂部 表面（與選擇性地至少其中一台面）係接觸物體的一底側 表面。該等壁面可以與該表面形成一整體。至少其中一個 壁面可以由與表面不同的材料製成，且被裝設於該表面。 ί 該等銷被配置成在物體吸盤由支承表面所移動時的掃 描方向中延伸成至少一個縱向直行。該等銷於至少一直行 内被配置成大致上是相同的節距。該等銷可以被配置成多 個縱向直行。在後者之結構中，每個直行可以具有一各自 的銷節距，且各自的銷節距可以大致上是相同的。或者， 母個直行具有各自的銷節距，其中至少二直行各自的銷節 距是不同的。該等直行彼此之間可以大致上是相等間隔距 離或不同間隔距離。該等銷的形狀可以是相同或不同。舉 例而S，言亥等銷所具有之形狀例如、但不限於是、圓柱形、 球形、長方形、橢圓形，、正方形、其他多邊形、截 員圓錐开/ )¾級形，及以上不同形狀的組合。該等銷可以 具有大致上相同的各自的勁度或是可變的勁度。 該袈置可以包括m該第二膜片包含該等鎖 二’、所延伸出去的表面。第二膜片可以具有大致上均勻的 厚度或是具有可變的厚度。第二膜片是由例如、但不限於、 二匕夕/氣化每、氧化鎂、氣化鋇、堇青石（石夕酸銘鎂）\ 乳化銘、銦鋼、ZERGDU_n玻璃或 所製成。該等鎖是與第二膜片形成一整體：由=枓 膜片相同的材料所製成。 且疋由與第二 12 200915008 在包括有第二膜片夕杳"‘ 0 之實例中，至少其中一個壁面可以 疋由與第二膜片相同的 壁面是由與第二膜片不门 成。或者，至少其中-個 、 同的材料所製成且被附接至第二膜 片。舉例而言，至少—個 個壁面疋由例如、但不限於是、聚 四氟乙烯（PTFE)或低廍南 ^ 刀 低硬度、純化學橡膠所製成。 3觀點’所提供的裝置用於保持並移動標線 。此種襄置的-項實例包含一個載台，該載台包含第一 可移動支承表面及第二可移動支承表面。該裝置亦包含-個被安裝於該等支承矣 ^ 面的才示線片吸盤。該標線片吸盤包 含第一吸盤部分及篦-成加^ —吸盤。卩分。母個吸盤部分包含一個 具有各自的一個第-區域及各自的-個第二區域的個別第 一膜片。1 亥等第—區域被安裝於各自的第-支承表面及第 二支承表®，以使該等第二區域能夠從第—支承表面及第 -支承表面朝向彼此延伸。第一吸盤部分及第二吸盤部分 被女裝於各自的第二區域。每個吸盤部分包含各自的一個 亡面（該表面可以是安裝於第一膜片的第二膜片，或是第 膜片的邛分）及各自的壁面與從該表面延伸處出去之 自支式的銷。每當一個標線片之個別區域被置於吸盤部分 上時，該表面及個別壁面共同界定各自的出一個真空孔 八該等壁面提供個別之台面，該等台面可以是接觸式台 面或非接觸式台面，其中，一個接觸式台面係接觸標線片 之底側表面，而一個非接觸式台面則未接觸。至少該等銷 (及選擇性地至少一台面）接觸並支撐住標線片的各自的 區域。該等銷被建構且配置成使得在標線片吸盤藉由載台 13 200915008 而逯動期間，該運動 對於鎖（和任何接 ^ &之勢切作用力造成之標線片相 面處以大致相同的^台面）的滑彭在每個鎖及接觸式台 J的方式發生。 如同以上所概述的， 行、壁面、台面、真★ 的實例是關於銷、銷之直 在每個吸盤部分内的:孔，等的不同結構。於某些實例中， 界定出個㈣_ 及任何接觸式台面）之頂部共同 構成用來保持住該等吸盤表面位於一平面中並被 1铋線片之個別部份。 依照另一項觀點， 實例包含一製程裝w」、£系統。此種系統的各種 用以相對於該劍J 〇 一例如是任何以上所概述的裝置， I置例如θ ' 4置來保持並移動—平坦物體。該製程 哀置例如是一光學系統。 表径 依照又另一項觀點，提供 種實例包含一被建播田七有微衫系統。此種系統的各 印至—微旦構用來將一於標線片上所界定之圖案轉 置成相：顯影光學系統。該實例亦包含-被安 影光學系統之標線片載台，且標線片載台： :包=動支承表面。-標線片吸盤被安裝至支承表面， "-例如是任何以上所概述之結構的吸盤部分。 =參考隨附圖式進行之以下詳細描述内容中，本發明 引述=額外之特色與優點將輕易被更加明顯得知。 【貫施方式】 以下描述内容是表示代表性實例的說明，該 意以任何方式來進行限制。 貫例無 在以下描述内容中’可以使用一些名稱，例如“向 14 200915008 上”、“向下”、“上側”、“下側，，、“水平”、“垂 直、左側”、“右側”及類似名稱。以上這些名稱是 在有必要時用來在處理相對關係時提供清楚的描述内容。 但是這些名稱並無意表示絕對的關係、位置和/或定位。舉 例而言，相對於一個物體’藉由簡單地將該物體翻轉，“上 側”表面可以變成“下側”表面。然而，其依舊是同一物 體。 在本揭示内容中，“標線片，，一詞是被用來代表在微 影技術及相關技術中所使用之圖案界定物體（圖案母件 (pattern master )。代表著圖案母件之另一個在微影技術中 所常用的名稱是“光罩”，且將了解的是本文所用的‘‘標 線片涵蓋光罩及在微影技術中所使用之其他圖案母件。 從申請人對於傳統式標線片吸盤之詳細研究和評估 中’已發現或確認下列内容： (〇每當介於標線片與吸盤表面之間的剪應力（以Ss 表不）超過接觸應力（以Sc表示）與介於標線片與吸盤之 間之摩擦係數（以u表示）的乘積時，標線片將產生滑動： > Sc · u。 (2)每當接觸應力與摩擦係數的乘積除以剪應力的比 例（以R表示）被最大化時，標線片的滑動現象將減到最 小：R= Sc · u /ss。 (3 )剪應力是與介於標線片載台與標線片間之相對位 移（以dy來表不）與介於標線片與載台之間之勁度（以κ 表示）的乘積成比例：Ss=K · dy。 15 200915008 ⑷在銷吸盤的情況中，位於銷頂部的接觸應力是與 吸盤真空壓力（以p表示）與銷附近未被支撐區域面積（以 A表示.）之乘積成等比例：spp · a。 由於以上的描述，被認為需要的是將對於吸盤與標線 片的每個接觸點的R值加以最大化。經由針對每個接觸點 將R值加以最大化，對於每個接觸點而言，r值大致上是 相：的。亦即每當在標線片吸盤與標線片之每個接觸點： 同日守開始發生滑動現象昧，& Μ收、木 犬王π勒現豕吁，系統將被最佳化或得到平衡。 第一具代表性實例： 運動標線片吸盤10的第一代表性實例描述於圖以到 圖ic中。圖1A4 x_y平面之俯視圖，其中^方向為婦描 方向。圖中表示標線片載台12的左側部分14a和右側部分 ⑽，該等部分分別表示各自的支承表面17a、m。該等部 分Ma、⑽在以向上彼此平行地延伸，且在X方向上彼 =對。個別的撓性構件16a、16b(每個構件在此被稱為 弟-膜片”）被接附至支承表面17a、…每個第一膜 片…、16b具有被接附至標線片載台12之個別支承表面 i7a、m的第一橫向區域18a、m，以及以懸臂梁方式從 個別部分14a、14b延伸出去的第二橫脅區域心、鳥。因 第Γ橫向區域18a、18b為第一膜片心⑽的各自的 近侧區域（分別相對於支承表面i7a、m)，且第二 橫向區域2〇a、2〇b為第一膜片Ha、16b的各自的“遠側Γ 區域（分別相對於支承表面17a、m)。安裝於每個第二 橫向區域20a、20b之面朝上的表面的是各自的真空吸盤 16 200915008 、22b。該等真空吸盤22a、22b具有延伸於y方向之各 自的中心線CL。真空吸盤22a、22b可支撐標線片25。 如圖1B所示，真空吸盤22a、22b是沿著其各自的中 心線CL而被接附至第一膜片16a、16b的第二橫向區域 20a、20b。介於每個真空吸盤22a、22b與個別第二橫向區 域20a、20b之間的是個別的間隔件24a、2补，該等間隔件 24a、24b用以將真空吸盤從各自的第二橫向區域之上側表 面處略微抬高（在z方向上）。間隔件24a、24b有助於將 真空吸盤22a、22b沿著其各自的中心線而被安裝至第二橫 向區域20a、20b。 另一選擇是可以使用單獨的間隔件24a、24b，間隔件 可以被整合至真空吸盤22a、221^舉例而言，每個真空吸 盤22a、22b之下側表面在由所示之實例中之各自的間隔件 所佔用的區域内可以較厚（在z方向上）。 第二橫向區域20a和其各自的真空吸盤22a的進一步細 節表示於圖⑴中’其中為了揭示在下面的細節而未顯示出 標線。在所示之實例中，第二橫向區域2〇a包含在χ方向上 彼此平行而延伸的多個叉齒部位26。（在其他實例中，如 同以下隨後所描述的，該等叉齒部位26被删除）。間隔件 24a被安裝於叉齒部位26的末端處，且真空吸盤22&被安 裝至間隔件24a的上側表面。真空吸盤22a包含一個基座（亦 被稱為“第二膜片”或“腹板” ）28，壁面3〇、32從該基 座沿著z方向突出。 壁面30、32具有各自的上側表面34、％，該等上側表 17 200915008 面被稱為 台面” (雖然圖中表示所有的a 月28之表面上方的高度均相同 面在第二膜 以下隨後將討論之其他實例令，並不疋限制性的；在 高度並不相等）。在，… 面在第二膜片之上方的 ^ 在5亥實例中，至少一i甚a w 各自的“側邊雜，，·5。 土面3 0界定出 谷目的㈣銷38,且選擇性地，至少 定出各自的側邊銷4〇。（在其如向壁面32界 述的，由於它們為如以下隨後所描 匕們為選用的，側邊鎖38、4 所示之實例中的側邊銷3 破刪除）。在 上突出至愈辟而二 第二膜片28之上側表面往 上大出至與壁面3〇、32相同的 壁面30、32夕上<^ °亥實例亦包括安置於 乂又。Μ立處的選用的角落鎖 縱向直行的從第二膜片28往上延伸 且包括夕個 顯示二個縱向直行）。 J " 44 (在圖中 該實例之台面34、36盥 ”銷38、40、料全都具有在第 、 方大致上相同的高度，且共同界定出在x_y方 ° / &吸盤表面’標線片被安置於該吸盤表面上 ®叫。標線片25、第二膜片28和壁面3〇、32共 同界疋出-個真空孔穴33,該真空孔穴33經由 過第二膜片28之出入口 46被抽真空。將真空孔㈣内申之 壓力降低係將標線片推抵著台面34、36與銷38、4〇、44。 在側邊銷38、40上之接觸壓力（Se)以大致上在自支 式銷44上之接觸壓力的一半為較佳（倘若該等銷彼此以相 同距離分隔的話）：

s〇= Scsp=，( 1/2) SCD 18 200915008 ::scsp為在一側邊銷38、4〇之剪應力，且、為在 切銷料之#應力。為了要得到平衡和最佳化，自支 :嫌、止㈣邊銷38、4〇 (倘若存在的話）和介於中間的腹 板構w的各自的勁度係如 β高地建立’使得從標線片載台 14a、14b經過側邊銷而到 』運標線片25之勁度路徑大致上是 、，莖過自支式銷之勁度路徑的一半： 1/K=2 ( l/Ksp+ 1/κ 度、 ^ws+ 1/Km) = ( 1/Kcp+ 1/Kws + f 一 、I不正體勁度、Ksp表示側邊銷的勁度、Kwl表 ::膜片（腹板)在長尺寸之勁度、Kws表示第二膜片（腹 板）在短尺寸之勤唐、7 ± , ep表不自支式銷之勁度且Km表示 膜片之勁度。這些剛性變數的圖形顯示於圖2中。該 表示内容係假設在每個銷處的摩擦係數是相同的。 經由實施例，典型標線片的質量是〇·3公斤，在Μ% :速度下可產生66牛頓的剪應力。二吸盤、每個吸盤都具 有=縱向直行的依照以上内容的自支式銷（每個直行有8〇 個銷）、係產生如®3所示之y方向的作用力分佈，其中 該等台面和該等側邊销係經歷到每個銷承受有69米牛頓之 y方向作用力’且自支式銷係經歷到每個銷係承受有米 牛頓之y方向作用力。在圖3中，虛線表示間隔件24的位 置。 > 一支式銷44扮演重要角&，特別是提供平衡的勁度予 第一膜片的接附件。在這個方面’多個直行（在以向上〕 的自支式銷44是需要的。再次參考圖3所示之說明性的作 19 200915008 用力分佈。值得注意的是沿著自支式銷44基座周圍的第二 膜片（腹板）的撓曲彈性會影響銷的“傾斜,，勁度。 該實例解決了一項傳統式標線片吸盤所遭遇到的關鍵 問題，亦即是由於在真空吸盤與標線片的每個接觸點處不 平均的剪應力所產生之滑動問題。在此實例中，倘若標線 片25所承受到之加速度或減速度值的大小足以導致標線片 在真空吸盤22a、22bJl滑動’則於標線片與真空吸盤之每 個接觸點的滑動點（剪應力的大小）大致上是相同的。 製造第一膜片16a、16b和第二膜片28a、28b的示範材 ^溶切砂（非晶石英）、氟化㉝、氟化鎂、氟化顧、 月石（石夕酸銘鎂）、氧化紹、銦鋼，以及zer〇dur⑧（來 2德國Seh°UAG公司之陶竟玻璃的品牌）。針對需求少的 應用來說，可以選擇使用數種金屬中的其中任一種，例如 :不銹鋼。特別需要的的材料具有極低的熱膨服係數，且 -迷列舉的項目係類似於製造標線片所用之候選材料的項 二。標線片吸盤可以由任何以上這些材料製成，且可以由 共第一膜片相同或不同的材料製成。 壁面30、32和台面34、％不須由與第二膜片μ相同 的材料製成。舉例而言，如同隨後下文所描述的，台面可 用黏著的方式而被附接至第二膜片28的聚四氟乙稀 龍⑧，杜邦公司）是低硬度、化學上純淨 如 〇pticarmorTM)所製成。 在此實例中的壁面30、32具有各自的台自34、36，所 的台面都是在相同x_y平面中（如同鎖的頂部），在此實 20 200915008 例中這是藉由將所有壁面3〇 月28之上側π^_ 2建構成具有相對於第二膜 •^工W表面的相同高度而 容限Μ声；h眷 的。但疋無意將發明内 合丨R市J马在该實例中之所 的替代杏#ιΐ 〇丨 σ面疋在相同χ-y平面。在其他 曰代只例（例如以下所述之實例）t， 如外部壁面）比1 #辟而r 個土面（例 /、他壁面（例如内部壁面）還 將較短壁面的台面放置於銷頂部， 與標線片底側之間留下間 方’且在台面 邊銷。 較短的壁面一般並未包括侧 在此實例中的壁面30、32是彼此連續的 用的；壁面另外可以是不連續的（例如，I: =彼此相隔開和/或在x方向或y方向中在該等壁面中且 有間隙）。具有至少一個較短壁面或-帶有至少一沿著I 長度的間隙之壁面的真空 八 、漏式，，密封件。及盤組成用於該真空孔穴33的 將在每個真空吸M22a、22b内之孔穴㈣真 ==25之Η平面保持正向的作用力，用以將標線 片推抵者口面34、36與鎖38、4〇、44的頂部。在其各種 功此中’自支式銷40亦可防止標線片25朝向第二膜片28 局部摺疊。 在^文討論的實例中，每個真空吸盤22a、2几是單一 的個別單元。在替代的實例中，每個真空吸盤22a、咖可 以包含多個單元，例如是單元組，其中於該標線片25之每 一側邊提供一個以上的真空吸盤。 在以上所描述之實例中，第一膜片16a、16b的第二橫 21 200915008 向區域20a、20b具有多個又齒部位26。在—些替代實例中， 存在較少的叉齒部位26 ;在其他替代實例中，第二橫向區 域20a、20b則未具有又齒部位。在包括又歯部位之實例中， 介於每個叉齒部位之間的空間可以不同於如圖^所示之空 間，且毋須是均勻的。 第一膜片16a、16b之第一焙内fa ,。 弟祆向&域I8a、i8b是藉由任 何的各種適當機構而被附接至標線片載台的它們的各自的 支承表面17a、17b。示範的手段包括螺絲或螺栓、炎子、 黏著劑或其他適宜手段。 /在以上所描述之實例中，每個真Μ盤2h、22b包含 多行自支式（free Standing)銷44(在圖中表示二個直行卜 在-些替代的實例中’每個真空吸盤僅具有一行的自支式 銷44，倘若台面34、36且古命ώ 30具有與自支式銷相同的高度和/或 倘若真空吸盤包括側邊銷38、4〇， υ 化疋適宜的。在其他替 代貝例（數個貫例描述於下文中）由 k %卜又中）中，每個真空吸盤都具 有二行以上的自支式銷。另外，甚 _ Γ 母直仃之自支式銷44的 數目並不限於是由圖1C所干屮沾— & 所不出的特疋數目Q例如80 )。個 別直行或數個直行可以且右I甘 ，、有，、其他直行不同的個別銷的節 距（在y方向上），且在任一 仕任 1仃上’y方向的節距毋須是 一致的。而且，從吉并5丨古> 農仃到直仃，介於相鄰直行之間的空間 毋須是相等的。此外，自支式銷44毋須被安置於間隔件 24a 24b之上方’或是僅被安置於間隔件上。另外，雖铁 在該實例中自支式銷44妯 …、 被配置於對稱的直行内，但是這並 不是限制性的。舉例而丄 I而5，在其他實例中，從壁面3 8到其 22 200915008 最接近橫列的自支式銷44的x方向的距離小於從壁面刊 到其最接近橫列的自支式銷44之x方向距離。 r 雖然該實例中顯示出自支式銷44具_柱形㈣狀， 但是這並不是限制性的。其他替代的銷形狀包括、但不限 於、長方形、橢圓形、印形、正方形、其他多角形（例如 六角形）、截頭圓錐形、階級形等。這說示範性的形狀表 示於圖4中，其中包括圓柱形44a、正方形桃、長方形仏、 橢圓形44d、六角形44e、截頭圓錐形44f和階級形〜。 放置於依照此實例之標線片吸盤上的一個標線片很可 能將會遭受重力所引起的下垂’對於以此方式被支撐的物 體來5兄，自亥下垂現象暑雞α也 豕疋雞以避免的。參考圖5,其中表示變 形後標線片的理想形壯。“摊相& ” 4狀 理想的變形後形狀至多是相 對於掃瞒轴（y轴）之-赂# & , W ;之一^形狀。如已經討論過的，微影系 統之性能表現的二項重要測量指標是覆蓋性和顯影。被吸 住之標線片的變形形狀會直接影響到覆蓋性和顯影。但是 如果變形後形狀至多是相對於掃晦轴的二階（抛物線）形 狀的話’則下游的光學裝置可以被方便地調整，以補償變 /的效果„亥實例達成此目的。此外，雖然不同的標線片 具有個別不同的平坦度’但此標線片吸盤之實例是以運動 方式來支擇‘線片’因此當標線片被吸著時，不同的標線 片平又不致於影響到變形後之形狀。同樣地’即使當標 Λ片載口承又到在y方向上之重複加速和減速時，該實例 亦能夠牢牢地保持住標線片。因此，覆蓋的誤差得以被減 到最小。 23 200915008 在替代的實例中，間隔件24a、24b和第二膜片28係被 刪除’且第-膜片16a、16b之第二橫向區域施、的個 别上側表面提供有—表面，纟自的壁面和銷是從該表 伸出去。 & 實施例1 圖6以側視圖表示在2〇Xg的加速期間，該實例的銷和 :面所遭遇的相對位移。針對圖3所示之y方向作用力的 分佈’台面、銷和自支式銷大致上具有相同位移。 茗二代 第一代表實例包含全部都是與台面34、36相同高度的 自支式銷44和側邊銷38、4q。第—實例亦包括叉齒部位 26。第二代表實例並未包含又齒部位和側邊銷。而且外 側:面比自支式銷和内側台面還要短。因此，外侧台面並 非疋在與自支式銷和内側台面之頂部相同的XI平面上。 圖7A至1J ® 7C表示依照此實例的標線片吸盤21〇。圖 7A為”平面之俯視圖，其中丫方向為掃晦方向。圖中表 不的是標線片栽台212的左侧部分心和右側部分難， 每個部分都呈現出各自的支承表面217a、2m。該二部分 川^⑷在y方向上彼此平行地延伸，且在X方向上彼 此相反。個別之撓性構件（“第一膜片”）2心、216“皮 附：至支承表面217a、217b。每個第一膜片2i6a、鳩都 具有被附接至各自$古承矣； 自支承表面217a、217b的第一橫向區域 218a、218b’以及以懸臂梁方式從各自的部分㈣、⑽ 延伸出去的第二橫向區域22〇a、2鳩。各自的真空吸盤 24 200915008 222a、222b被安裝於每個第二橫向區域22〇a、22扑之面朝 上的表面。真空吸盤222a、222b具有在y方向上延伸之各 自的中心線CL。真空吸盤222a、222b支撐著標線片25。 如圖7B所示’真空吸盤222a、222b是沿著各自的中 心線CL而被附接至第一膜片216a、21讣的第二橫向區域 220a、22〇b。介於每個真空吸盤222a、222b與各自的第二 橫向區域220a、220b之間的是個別的間隔件22乜、22朴， 間隔件224a、22仆係用以將真空吸盤略微從各自的第二橫 向區域之上側表面上抬高（在z方向上）。該等間隔件224。 224b有助於將真空吸盤222a、222b沿著其各自的中心線而 被女裝至第二橫向區域220a、220b。 第一検向區域220a和其各自的真空吸盤222a的進一步 詳細内容說明於圖7C中，其中為了揭示位於下方的内容而 並未表示出標線片。與第一代表實例相反的，可以注意的 疋在第一實例中的第二橫向區域22〇a、22此缺少又齒部 位。間隔件224a被安裝於第二橫向區域22〇&上，且真空吸 盤222a被安裝至間隔件224a之上侧表面。真空吸盤1 包含一 “第二膜片”或“腹板” 228，壁面23〇、 係從該第二膜片沿著z方向突伸出。壁面、23仏 係具有各自的台面234, 236, 236a。壁面心的外侧台面3 _在z方向上比台面234或内側台面^還要短。也可 注意到此實例亦沒有側邊銷且沒有角落的銷。該實例的確 包括多個縱向直行（在圖中表示六個直行）之從第二膜片 228往上延伸的自支式銷44。該實例的台面叫、㈣與自 25 200915008 支式銷244全部都具有在第二膜片228上方之大致上相同 的高度，且共同界定出一吸盤表面（延伸於各自的平面 中），而標線片25係放置於該吸盤表面上（參考圖7B ) ^ 標線片25、第二膜片228和壁面23〇、232、232&共同界定 出一個真空孔穴233，該真空孔穴233經由一個延伸經過第 二膜片228之出入口 246而被抽真空。降低真空孔穴加 内的壓力係將標線片推抵著台面234、236和銷244。 如同在第-代表實例中，雖然自支式銷244在該實例 中被騎成具有圓柱形形狀，但是這並不是限制性的。如 圖4所不，依照以上所討論之内容，其他替代的銷形狀包 括：但不限於、長方形、橢圓形、卵形、正方形、六角形、 截頭圓錐形、階級形等。 ^所不的實例（圖7A到圖7B) +，該等膜片2心、 a疋以m與標線# 25相接觸的台面加及並未與標線 二才目接，的台面232a不對稱的方式配置。換言之，在此結 ”口面232疋接觸式台面，，且台面232a是“非接觸 L二：在替代實例中，台面232a(除了台㈣以外) 疋接觸式口面。在另一替枚 均為非接觸式台面。此外A ’二個台面232、232a 非接觸式。 ]邊。面234可以是接觸式或 在第二代表實例中，所有的 大致上相同的y向上具有 同觀點之㈣、a 例中，如圖8 (提供與圖7B相 丨j蜆點之視圖）所 ’、 支式銷344a到344f被配置於六個 26 200915008 個別的縱向直行内。在每個直行内的銷具有與在其他直行 内之銷不同的直徑。該等銷344ai,l 344f是從膜片（腹板） 328處往上延伸（在Z方向上）。 值付注意的是在此實例中，並未具有例如在第二代表 實例中之第-膜片216和第二膜片228的二個‘‘膜片”。 然而’在此實例中，僅具有膜片328，該膜片328係為沿著 δ亥才示線片2 5之每一相對侧邊的膜片。 而且，在此實例中’該内侧台面说（壁面M2之内侧 台面）是與銷344a到344f相同的高度；因此，由於内側台 :接觸到標線片25的底側而為接觸式台面。相反地，外侧 口面336a (壁面332a之外側台面）比銷34扑到34犲還要 短’因此，由於外側台面並未接觸到標線片Μ的底側而為 非接觸式台面。真空作用被施加至該孔穴333，用以將標線 ^ 25保持於銷34枱到344f和内側台面336上。圖中亦表 不出膜片328所被附接至其上之基座314。 本文所描述之實例和其他實例表示台面可以選擇地至 少是在某些位置處具有比自支式銷還要短的個別高度。在 其中台面具有較短高度之位置處，標線片則並未接觸到台 面。由於在以上這些位置處，標線片並未被接觸到，因此 在這些位置處沒有標線片滑動現象發生。 复jfe例2 : 再-人參考圖8 ’在此實施例中，銷34牝到34付分別具 有以下直徑.0.11毫米、吝本 Λ1Κ古丨士 A 1 毫水、0.16毫米、0.19毫米、 〇·25毫米和〇_38宅米。從膜η 士 a* 攸膜片328之上侧表面鼻起的接觸 27 200915008 式台面336和銷344a到344f之高度是ο」毫米；該算A -、伽的寬度（在x方向上）是〇.2毫米；膜片^的面 厚度（在z方向上）疋0.45毫米，每個直行的銷數目是 在X方向上的銷節距（中心到中心）是175毫米’且在丫 方向上的銷節距（中心到中心）是1.5毫米。 此實施例的分析模型顯示於圖9中，其中料出非接 觸式台面336a、接觸式台面336、銷34乜到344f、膜片（腹 板）328和地面G。往上箭頭代表在個別自支式銷和台面處 的y方向的作用力’且圓圏代表各自的節點…堅硬元件 3〇8被安置於地面〇與第一節點（與銷344a相對應）之門 (分析的結果於下文十提出’倘若藉由有限元素分析二 甚至可以得到較佳的最佳化結果）。 有關於在該等銷和台面上的y方向作用力：

^ncl^O

Fcl= ( 0.5) Fpin V . _ (〇.5)wa Γ pm2-5~---

Fpinl= ( 0.5 ) Fpi 其"…表示在非接觸式台面加上 示在接觸式台面336上的作 力^表 作田士 F 主▲ Fpin表不在自支式銷上的 乍用力、F-表不在銷344a上的作用力… 銷344b到344e上的作用力。 ριη2·5表不在 力有關於在鎖和台面上的勁度： 28 200915008 K · =Ν · 、 ^ριη iNpins/c〇1Xf ( ^ ΤΤ χ： . .Λ GLyLx ^ ^pin_shear? ^-pin_bend> -^-pin_pivot / Κ1 an < κ、 reb’

Lz GLyLz

Lx Krigid > > K

Wet 其中N. 'ns/coi 表示每一直行的自支式銷數 η kpin shear 表不銷-六心 动度、Kpin_bend表不銷-屈曲勁度、Kpin pivot表 示銷-柩韓臥& 刀度、Kland表示台面勁度、Kweb表示膜片（腹板） 328之勁度，，、， u及Krigid表示出堅硬元件308之勁度、G為 wj 力 、τ 、 X表示在X方向上之長度、Ly表示在y方向（掃 瞄方向）上夕e ^ <長度，及Lz表示出在z方向上之長度。 如上^ 所注意到的，Kpin=Npins/c〇iXf( Kpin— η ί v π t ) 〇 么、·，… “ ”一

Kpin pin_pivot 銷的剪力圖示於圖l〇A中，其中】==：〇，甘 Ψ a 、 ^ 為由於剪力所產生的位移、F為作用力、H為 鎖南度、A A姑典τ' 為銷截面積，以及G為銷之剪力模數。來自作 { 、載之銷的屈曲圖示於圖10B中，1 φ λ -所3 j η V 一 FLl ^ΨΑ2~ΊΕΓ^όΘ 2=i，其中δ2為藉由一作用力負載之屈曲所產生的位 =、L為鎖長度、Ε為鎖之彈性（楊氏）模式，且工為銷的 自3負載之銷的屈曲圖示於圖⑽中， 、 2EI 3汾，其中八3為藉由—力矩負載之屈曲 == 的Λ位丄’矩:輪轉圖示於圖·中， :θι+θ2 + θ3，

FH 其中Α^^ + ΔβΔβ：!，其中t為膜片厚度和㊀： 其中 “61r6— 192r5+246r4— 168r3 + 68r2~ l8r+3 aM ~E? 和r為銷直 29 200915008 徑/銷節距。因此，

Kpin_Npin

Pins/colX ^ 3,7 ,E1 ,

F ϊ ( α公式通常是 得自Roark氏應力與應變公式，第7版， 20 ’第493百。以μ张坦似 格11.2，案例 . . "之特定α公式係為符人在此蚩 中表私形式所描述之α函數的多項式）。 σ θ 代表性資料的繪圖表示於圖u 作用力（牛頓）對X位置，且右 圖+邊的圖為 π 丁運的圖是位蒋r 對X位置。首4夫老；t车、息认向 （毫未） 百先參考左手邊的圖，值得注意的 式台面336a上之y方向作用在非接觸 J ” 叩』_，由於《销„ 1，， (亦即銷344a)係接近非接觸式A 、 ^ ^ 口面336a，在銷上的y方 向作用力則低於在其他銷344b到 /备 t上之y方向作用力 (跨越圖的頂部）。在接觸式台 上的y方向作用力 亦低於在鎖3楊到靖上之y方向作用力。關於銷⑽ 到344f與接觸式台面336,7方向作用力係與在每個銷及接 觸式台面周圍之真空區域成比例。參考右手邊的圖，由於 非接觸式台面336a並未接觸到標線片25，該台面不會遭遇 到任何位移。值得注意的是銷344",】撕和接觸式台面 336(最右邊的圓圈）遭遇到大致上相同之位移。圖中之曲 線為膜片（腹板）328的位移。 JLg_代表膏例： 各種實例被建構成使得剪應力與正向接觸應力的比率 與在標線片和真空吸盤的所有接觸點處是大致相等的。或 30 200915008 者可此的是，將剪應力分佈於標線片與真空吸盤之間 得f力能夠以所需方式，從-位置點變化至另一位置點。 。亥貫例係針對藉由以可控制方式來改變該等銷的煎力/挽曲 勁度而得到此可變化性。舉例而言，改變鎖的尺寸（直徑 和/或長度）可能在它們的剪力/屈曲勁度中產生相對應的變 化而且，改變在各自之自支式銷的下方與周m二媒 片（版板）的厚度亦可能於其等之勁度中產生對應的變化。 , 實施例表示於圖12A和圖12B +。在圖12A中…部分的 標線片25、標線片載台部分14和第一膜片I6a連同一真空 吸盤120被表示出。真空吸盤12〇包含較短的遠端壁面 122、較高的近端壁面124及從階級式第二膜片（腹板 之表面處往上延伸的自支式銷126a、126b、126c。要注意 的係第二膜片128可以僅為第一膜片16a的一延伸部份。經 由該實施例，銷126a、126b、126c的高度從〇·25毫米變化 到2.5毫米。該標線片25不僅停靠於銷126a、126b、126c 的頂部上，亦靠在分別由壁面丨22、124所界定之台面13〇a、 " 130b上。該等台面13〇a、130b能夠有效地將標線片25被 吸住部份的下方區域圍繞住，以界定出一真空孔穴1 3 2。 圖12B表示另一種結構，其中一真空吸盤14〇之壁面 142、144比自支式銷146a、146b、146c還要更短。該等壁 面142、144具有有效地提供真空“密封，’予該標線片25 之下側表面的台面148a、148b，以界定出一真空孔穴丨5〇。 該基座152是階級形狀，以順應不同長度的銷i46a到 146c。也要注意的係腹板的厚度之變化。 31 200915008 藉由以預設方式來將剪應力分佈於標線片與標線片吸 盤之間’該代表實例可交 、、 丁“ 較高的標線片加速度， 而線片不會滑動。 _第五代表實例： 在上文所描述之第—¢,1 ^ m /h ± ^ 代表實例中，真空吸盤的

壁面被整合至第二腔；y / , N μ ^ 、片（腹板），該等壁面是從該第二膜 片在z方向上向上延伸。卜社婆 η ^ 上、，Ό果並不疋限制性的。如上文 先前所注意到@，第二膜片是由第一材料製成，且至少其 中-壁面是由例如聚四氟乙烯（鐵弗龍⑧）的第二材料製 成，附接至有該等銷從其中延伸出去之表面。（該等自支 式鎖可以方便地由相同材料製成，且被整合至該表面）。 藉由製作出不同材料之壁面，可以針對將採用真空吸盤的 特殊狀況進-步調整該壁面相對於該表面和/或相對於該等 銷的勁度。一實例被表示於圖13中，其中表示出包含第一 膜片416a和第二膜片428的真空吸盤422&。（事實上，在 該實例中，第一膜片416a和第二膜片428是相連的，其中 第二膜片428可以被視為第一膜片416a的一部分）。真空 吸盤422a亦包括自支式銷444a到444c、一内側壁面432 (提供内側台面436 )，及一由聚四氟乙烯所製成之外側壁 面435 ^該外側壁面435提供一外侧台面437。值得注意的 疋在s亥實例中’銷444a到444c和内側壁面432是從該表面 430處往上延伸。標線片25靠在台面436、437和銷444a 到444c的頂部上，因此界定出一真空孔穴433 ^該真空孔 穴433被抽真空來將標線片25推抵住台面和銷之頂部，用 32 200915008 以將標線片保持於真空吸盤42。上。外側壁面々Μ曰 適宜的黏著劑來附接至該表面43 〇。 疋使用

藉由適宜地改變壁面的厚度（在正交於長度尺 尺寸或y尺寸上），亦可以調整壁面勁度。 、的X 徽影系統： I以與任何先前實例_起使用的示範性微影系統別 (通常被稱為‘‘曝光系統”）表示於圖14中，其 投影-曝光系統之實施例。—圖案被界^於_被安I至 線片載台514上的標線片（有時被稱為“光罩”）Η〗上。 該標線片載台514可以被建構成上文所描述的任何實例。 該標線片5U是被由光源516所產生且通過—照明光學系 統5 1 8的此置光束（例如是深紫外線光）來所“照明，，。 隨著能量光束通過標線4 512,該光束得到形成影像的能 力，該影像為在標線片512下游處之受到照明部份的影像。 該光束通過—投影光學系統，，該投影光學系統520將光 束聚焦於被保持在—基板載台（“晶圓載台”或“晶圓Χγ 載台” ）524上之基板522的敏感表面上。如圖所示，光源 516、照明光學系、统518、標線片載台514、投影光學系統 520和晶圓載台524通常是相對於彼此而被安置成沿著—光 學軸心ΑΧ。該標線片載台514是使用一載台致動器526(例 如線性馬達）而可以在至少X方向和θζ方向上移動，且該 心線片載〇 514在χ方向和y方向上的位置是由個別的干 涉儀528來偵測。該系、统510是由控制器（電腦）530來控 制0 33 200915008 该基板522 (亦被稱為“晶 4曰门 ）疋藉由一晶圓吸盤 532和晶作檯534(亦被稱為“調整水平工作接，，） 而被安裝於晶圓載台524上，嗜曰m讲么： ^ ,99 該日日圓载台524不僅是將晶 f 圓⑵保持住用於曝光（具有面朝向上游方向之阻力）， 而且亦提供用於曝光和對準所需要之晶圓M2在X方向和乂 方向上的受到控制的運動。晶圓載台524是藉由一適宜的 晶圓載台致動器523 (例如是線性馬達）而可以移動，且該 晶圓載台524 |X方向和以向上的位置是由個別的干涉 儀525來決定。晶圓固定工作檯534是被用來在每個X方 向、，方向和2方向上來施行晶圓吸盤532 (保持著該晶圓 522相對於晶圓載台似的精細位置調整 擾方向和y方向上的位置是由個㈣晶^二乍 涉儀536來決定。 曰曰圓吸盤532被建構成用來牢牢地保持住晶圓522，用 以曝光’且有助於表現出用於曝光之晶圓⑵之平面敏感 ♦ 雖」在某些狀況下可以採用例如靜電吸引力的其他 ^曰曰圓522通常是藉由真空作用而被保持於晶圓吸盤 表面上該aa圓吸盤5 3 2亦有助於將熱傳導離開晶圓 522，否則在曝光期間’熱量將積存於晶圓内。 I禚可以進行晶圓固定工作檯534在z方向（光學軸心 方向）上之運動及晶圓固定工作檯534相對於z軸（光學軸 )之傾斜，用以建立或重新恢復由投影光學系統 在晶圓522之敏感表面上所成形影像的適宜聚焦。“聚焦” 是有關晶圓522已曝光部位相對於投影光學系統52〇的位 34 200915008 置。聚焦通常是使用自動對焦（AF)裝置538❿自動決定 的—自動對焦I置538產生被傳送至控制器53。的資料。 倘右由自動對焦裝置538所產生的聚焦資料表示存在有偏 =、點：話，那麼控制器530會產生傳送至被連接到個別 口疋工作檯致動器540a之晶圓固定工作檯控制器54〇 的調整水平指令”。該晶圓固定工作檯致動器5術的激 :導致日日圓固^工作檯534產生運動和/或傾斜，用 適宜的聚焦。 ^曝光系統別可以是各種形式。舉例而言，作為以 乂進重複’，的方式操作步進機特徵的替代方案，該曝光 ^可種㈣式設備’其可以操作來將圖案從標線 51 7 曝光至晶圓522，同時以同步方式連續掃晦標線片 ”、晶圓522。在此掃晦期間，標線片512與晶圓522是 2與切軸心ΑΧ垂直之相反方向而被同步移動。掃晦的 動作是由各自的載台514、524來進行的。 曰。相反地’步進重複式曝光設備僅於該標線片⑴與該 二”讯2疋固疋時才會進行曝光。倘若曝光設備是“光學 :二^備的話’在已知圖案場的曝光期間，晶圓522通 :疋在相對於標線片512和投影光學系統52〇的固定位置 。在特定的圖案場被曝光之後，晶目⑵係垂直於光學 ΑΧ且相對於標線片512而移動，用以將晶圓522的下 ^圖案場安置於用於曝光的位置處。以此方式，標線片 =的影像是依序地被曝光至在晶圓切上的個別的 場上。 35 200915008 本文所提供之曝光系統並不㈣用力製造冑電子裝置 的微影系統。作為第一替代方案，舉例而言，該曝光系統 可以是-種用於將液晶顯示器（LCD)的圖案傳送至一玻璃 板上的微影系，统。作為第二替代方案，曝光系統可以是一 種用於製造薄臈磁頭的微影系統。作為第三替代方案，該 曝光系統可以是-種用於將例如光罩圖案加以曝光的近場 微影系統。在此替代方案中’光罩和基板係放置成彼此非 常接近’且曝光是在沒有採用投影光學系統似下進行的。 在以上揭示内容中提出之原理另外可以進一步地使用 於任何其他的各種設備，包括、但不限於、其他微電子加 工製程設備、工具機、金屬切割設備及檢查設備。 以上所描述之任何各種曝光系統昭 光謂在照明光學系統518中）可以例如紫外線=43的6 奈米）、深紫外線光源（536奈米）、氟化氪準分子雷射（248 奈米）化氬準分子雷射（193奈米），或是氟準分子雷 射（157奈米）。或者，該光源516可以是任何其他適宜: 有關投影光學系統520,倘若照明光線包含遠紫外線輕 射，那麼組成鏡片是由紫外線穿透材料所組成，例如可以 立即傳送紫外線輻射的石英和螢石。倘若照明光線是由氣 準分子雷射或是超紫外線光源所產生的，那麼投影光學系 統520的鏡片可以是折射式或反射折射式，且標線片川 以是如所需的是反射式㈣式。倘若照明光線是在真 外線（VUV)的範圍（小於 |米）内的話，那麼:影 36 200915008 光學系統520可以是具右鹛 丹有帶有分光鏡和凹面鏡的反射折射 式結構，如例如揭$ # & 揭不於美國專利第5,668,672號和第 5,835,275號中者，該-箱奎 邊一項專利係加入本文作為參考。 光學系統520也可以是且古4上 疋"有包括凹面鏡、但不包或分光 的反射折射式結構，如揭干认* 九筑 苟不於美國專利第5,689,377號和第 5,892，11 7號中者，該二項直 項專利係加入本文以作為參考。

標線片載台5 14和晶圓| A 不阳圓載台524的任一者或是二者可 以包括個別的線性馬達，用 L Α 用以分別在χ軸方向和y軸方向 上達成標線片512和晶圓&， 友 ， 2的運動。線性馬達可以是命 氣飄浮式（使用空教站承、+

Mi 或磁性飄浮式（使用依據勞倫 玆作用力或阻抗作用力之軸承 J 標線片載台514和晶圓 載台524的任一者或是_去飞 s曰圓 以被建構成沿著個別的導件 移動或疋替代地沒有被導引。夂 .^ >考美國專利第5,623,853號 和弟5,528，1 18號，該二項專利 寻矛〗係加入本文作為參考。 又或者，標線片載台514和 θ 1 曰圓载σ524的任一者咬 疋二者可以被一平面式馬達來 由一磁鐵單元和一電樞線圈 疋休用 制々a 几所產生的電磁作用力來軀 動各自的載台，其中磁鐵單 镪皁兀具有以二維方式配置之磁 鐵，電樞線圈單元具有在相面斜 域 之绫HI r i I. ^ •的位置中以二維方式配置 之線圈。經由此種驅動系統，該 罝 / β 鐵早兀或該電樞線圈嚴 兀的任一個單元是被連接至各自的裁台 /單 安裝於該各自載台的一移動平面側上。 3 -早几-被 本文所描述之載台514、524 ^ as ^ ^ ^ ± J運動可以產生能夠影孿 木先a又備性月匕表現之反作用力。 響 由日日圓載台524之動作所 37 200915008 產生的反作用力可以使用如例如美國專利第5,528，118號所 描述的框架構件而被轉向至地板（地面），該專利係加入 本文作為參考。由標線片載台514之動作所產生的反作用 力可以使用如例如美國專利第5,874,82〇號所描述的框架構 件而被轉向至地板（地面），該專利係加入本文作為參考。 一種例如任何上文所述之各種形式的曝光系統可以藉 由以確保可以達成及維持所述機械精確度、電氣精確度和 r 光:精確度的方式將各種子系統組裝在一起而建構出來， 忒等子系統包括任何於隨附申請專利範圍中所列出之元 舉例而Q，為了要維持各種精確度的規格，在完成組 裝之前和之後，必須在需要時調整光學系統元件和組件以 得到最大的光學精確度。同樣地，機械系統和電氣系統亦 必須在需要時被調整以得到最大的個別精確度。將各種子 系統組裝成曝光設備需要在各種子系統之間製作機械介 面、電路接線連結及氣壓配管連結。—般而言，在將子系 ◦ 統組裂成曝光設備之前，組成的子系統要完成組裝。在曝 光設備完成組裝之後，必需在有需要時調整系統來達成在 寺月確度等等的整體系統規格。子系統和系統層級的組裝係 如所需的是在溫度和溼度受到控制之潔淨室内進行。 裝置贺i告： 半導體裝置可以是由包括採用上文所描述之微影系統 來施行之微影步驟的製程而被製造的。參考圖15，在步驟 7〇1中，該半導體裝置的功能和性能特徵係被設計。在步驟 702中，界疋所需圖案的標線片是依照先前設計步驟而被 38 200915008 設計。同時，在㈣703中，一基板（晶圓）被製作和被 塗佈一層適宜的光阻。在步驟7〇4 _係使用微影系統，將 在步驟702中所設計的標線片圖案曝光至基板表面上。在 步驟705中，半導體裝置被组裝（包括“切塊，，，其中各 自的半V體裝置或是“晶片”係藉著切塊而從晶圓中被切 出來；“接合”，其中接線係藉著接合而被接合至晶片上 的特定位置處；以及“封裝”，其中半導體裝置係藉著封 裝而被密封於使用的適宜封裝中）。在步驟706中，該組 裝完成的半導體裝置被測試和檢查。 包括微影步驟之晶圓加工製程的代表性詳細内容係顯 示於圖16中。在步驟711 (氧化）巾，晶圓表面被氧化。 在步驟712(化學氣相沈積）中，一隔離層形成於晶圓表面 上。在步驟713 (電極形成）中，電極是藉由例如蒸氣沈積 而形成於晶圓表面上。在步驟714 (離子植入）中，離子被 植入至晶圓表面中。以上這些步驟711到714組成用於晶 圓之代表纟“前處理”步驟，且依照處理之需求而於每個 步驟做選擇。 在晶圓加工的每個階段中，當已經完成前處理步驟 時，將進行後續的“後處理，，步驟。第一後處理步驟是步 驟715(光阻成形）’其中一適宜的光阻被施加至晶圓的表 面。接下來’在步驟716 (曝光）中，上述的微影系統被用 來以微影加工方式，冑圖案從標線片冑送至在晶圓上的光 随層。在步驟717 (顯影）中，在晶圓上被曝光的光阻係被 ·’’、員衫，用以對應於光阻圖案在晶圓的光阻中形成可使用的 39 200915008 光罩圖案。在步驟718(⑽"中，未被顯影的光阻所覆蓋 的區域（亦即曝光材料表面）係被姓刻到 度。在步驟719(光阻移除）中，殘留的已 圓中被移除（“剝除”）。 尤阻從該曰曰 在晶圓上形成多層相互連接的 — Μ. Λ ^ ^ ^ ^ ^ μ 冤路圖案疋精由依據需 要來重複⑯^處理步驟和後處理步驟而達成。 言’可以進行一組前處理步驟 路。 步驟和後處理步驟來形成每層電 雖然邊揭示内容是在各種代 種代表實例的發明内容中提出 的，但疋將了解的是本發明的範圍並未受限於以上實例。 相反地，本發明是要涵蓋符合由隨附巾請專利範圍所界定 之本發明精神和範圍的所有變更、替代和等效物。 舉例而言，如圖8所示之結構，吾人可以說獲得了以 下作用在每個銷上’每單位面積的剪力與每單位面積的 正向力之比率大致上是一致的。此作用可以採用下列公式 來表示。 (剪力/面積）/ (正向力/面積）=一致 為了要滿足此原理，吾人可以得到複數的與圖8所示 之實例不同的結構。舉例而言，如圖17所示，取代改變在 圖8中之銷344a到3術的直徑尺寸，可以改變膜片似的 在這種情況中，該Μ 328所必須具有的厚度範圍 疋"於一固定部位（圖中的左側）與—末端部位（圖中的 /彳）之間的較寬跨距。因此，較佳的是膜片US並未被 /成為太厚或失去其撓性。此外，如圖18Α和圖18Β所示， 200915008 取代改變銷344a到344f的直徑尺寸（參考圖18A)，小型 ，被开y成為具有相同直徑，且小型銷的密度是依照銷344a J 344f的安裝位置來改變（參考圖18B)。在這種情況中， 車又佳的是以良好的均勻性來形成小型的銷。 【圖式簡單說明】 圖1 A為一運動標線片吸盤之第一說明實例的俯視圖， § ^線片吸盤是作為用於保持並移動平坦物體的說明 性裝置。 f \ 圖1 B為沿著在圖1A中直線B_b的截面視圖。 圖1C為在如圖18所示截面部位附近之區域的立體圖。 _ 圖2為表不一些勁度變數的概略圖，其中Ksp為側邊銷 勁度、K v. E ^ _ W1為長腹板勁度、Kws為短腹板勁度、Kcp為中央銷 勁度及為膜片勁度。 圖3表示在依照第一代表性實例之實施例（實施例1 ) 運動軚線片吸盤之中央銷和側邊銷之間，於20xg加速度 I y方向作用力的分佈情形；作用力數值為每個銷之數值。 圖4表示各種說明性形狀的銷。 圖5表不被吸住之標線片的二階變形現象，其中呈現 相對於掃描轴（y轴）的拋物線輪廓。 、圖6傾斜地表示出在20xg的加速度下，實施例1所遭 遇到的销和台面的位移。 圖7A為運動標線片吸盤之第二說明實例的俯視圖，該 動標線片吸盤是作為另一用於保持並移動平坦物體的說 明性裝置。 41 200915008 圖7B為沿著在圖7a 圖％為在如圖的截面視圖。 圖8為依昭第：戈明 H立附近之區域的立體圖。 圖9為實施例2之分 ' I的截面視圖。 心刀析模型的概略圖。 圖1〇A概略表示出 圖刚概略表示出在作 f \ 圖⑽概略表示出在力矩負載下之:屈曲情形。 圖urn概略表示出銷的枢轉情形。、屈曲情形。 圖11包括在實施例2中之 移的圖形。 α用力和銷與腹板位 圖12八為依照第四說明實例之運動 概略正視圖，其中銷並非全部是相同長度：片吸盤部分的 圖12Β為如圖12Α所示運動標線片吸 構之一部分的概略正視圖。 替代結 圖13為依照第五說明實例之 略正視圖。 動‘線片吸盤部份的概 圖14為表示出-包括本文所揭示 光系統的某些觀點之概略正視圖。 動&線片吸盤之曝 圖15為包括晶圓處理步驟之說明 序的方塊圖，其中晶圓處理步驟係包含微❹製造程 圖為參照圖丨5中之晶圓處理 。 国阳 坪的方塊圖。 圖7為圖8所示支運動標線片吸盤 形的概略正視圖。 < 另一替代構 圖18Α為圖8所示運動標㈣ 物之另一替代構 42 200915008 l 形的俯視圖。 圖1 8B為圖8所示運動標線片吸盤部份之另一替代構 形的俯視圖。 【主要元件符號說明】 10 :運動標線片吸盤 1 2 :標線片載台 14 :標線片載台部分 14a :左側部分 f 14b :右側部分 16a :撓性膜片/第一膜片 16b :撓性膜片/第一膜片 1 7 a :支承表面 17b :支承表面 18a :第一橫向區域 18b :第一橫向區域 20a :第二橫向區域 1 20b :第二横向區域 22a :真空吸盤 22b :真空吸盤 24a :間隔件 24b :間隔件 25 :標線片 26 :叉齒部位 28 :基座/第二膜片/腹板 43 200915008 t 30 :壁面 32 :壁面 3 3 :真空孔穴 34 :上侧表面/台面 3 6 :上側表面/台面 3 8 :側邊銷 42 :角落銷 44 :自支式銷 f'. '' 44a :圓柱形 44b ··正方形 44c :長方形 44d :橢圓形 44e :六角形 44f :截頭圓錐形 44g :階級形 46 :出入口 < 120 :真空吸盤 122 :壁面 124壁面 1 2 6 a :自支式銷 126b :自支式銷 126c :自支式銷 128 :階級式第二膜片/腹板 130a :台面 44 200915008 130b :台面 132 :真空孔穴 140 :真空吸盤 142 :壁面 144 :壁面 146a :自支式銷 146b :自支式銷 146c :自支式銷 14 8 a :台面 148b :台面 150 :真空孔穴 152 :基座 2 1 0 :標線片吸盤 212 :標線片載台 214a :左側部分 214b ：右側部分 216a :第一膜片 216b :第一膜片 217a :支承表面 217b ：支承表面 218a :第一橫向區域 218b ：第一橫向區域 220a :第二橫向區域 220b :第二橫向區域 45 200915008 222a :真空吸盤 222b :真空吸盤 224a :間隔件 224b :間隔件 2 2 5 :標線片 228 :第二膜片/腹板 230 :壁面 232 :壁面 ' 232a :壁面 233 :真空孔穴 234 :台面 236 :台面 236a :台面 244 :自支式銷 246 :出入口 308 :堅硬元件 3 1 4 :基座 328 :膜片/腹板 332 :壁面 332a :壁面 333 :孔穴 336 :台面 336a :台面 344a :自支式銷 200915008 344b :自支式銷 344c :自支式銷 344d :自支式銷 3 44e :自支式銷 344f :自支式銷 416a :第一膜片 422a :真空吸盤 428 :第二膜片 430 :表面 432 :壁面 433 :真空孔穴 435 :壁面 436 :台面 437 :台面 444a :自支式銷 444b :自支式銷 444c :自支式銷 510 :微影系統/曝光系統 512 :標線片/光罩 5 1 4 :標線片載台 5 1 6 :光源 5 1 8 :照明光學系統 520 :投影光學系統 522 :基板 47 200915008 523 :晶圓載台致動器 524 :晶圓載台 525 :干涉儀 526 :載台致動器 528 :干涉儀 530 :控制器/電腦 532 :晶圓吸盤 534 :晶圓固定工作台 f 536 :晶圓載台干涉儀 540 :晶圓固定工作台控制器 540a :晶圓固定工作台致動器 7 0 1 :步驟 702 :步驟 703 :步驟 704 :步驟 7 0 5 :步驟 ‘ 706 :步驟 711 :步驟 7 1 2 :步驟 713 :步驟 7 1 4 :步驟 7 1 5 :步驟 7 1 6 :步驟 7 1 7 :步驟 48 200915008 7 1 8 :步驟 7 1 9 :步驟 AX :光學軸心 CL :中心線 G :地面

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Claims (1)

1. 200915008 十、申請專利範面： 1·一種用於保持並移動平坦物體的裝置，該裝置包含： 一個具有一可移動支承表面的载台； 一個物體吸盤； 一個包括一近端區域及一遠端區域的第一膜片，該近 端區域被耦接至該支承表面，且該遠端區域從該支承表面 延伸出去並被耦接至該物體吸盤，以使該第一膜片至少部 分地支撐住該物體吸盤； 該物體吸盤包含一個表面及相對於該表面延伸之多個 銷，且該等銷被排列在該表面上，以接觸並支撐住該物體 相對於該表面及遠端區域之一個別部分；以及 該等銷被排列成使得在由該支承表面之對應運動所賦 予之物體吸盤運動期間，該運動所導致之作用力造成之該 物體相對於該等銷之在每個銷處的滑動大致上是相同的。 2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該物體吸盤包 含至少一個真空吸盤。 3. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該物體吸盤包 含從该表面延伸出去之壁面’該等壁面與該表面及接觸到 该物體吸盤之一部分的物體合作而界定出一個真空孔穴。 4. 如申請專利範圍第3項之裝置，其中，該等銷包括被 安置於真空孔穴内和與壁面相連結之側邊銷，以及被安置 於真空孔穴内和從表面延伸出去之自支式銷。 5. 如申請專利範圍第3項之裝置，其中： 該等壁面具有各自的台面； 50 200915008 該等銷具有各自的 J τ貝部表面；以及 每當物體被該裝署仅 保持住時，該等銷之至少頂部表面 ，、同界疋出一接觸且？ w 至夕#份支撐該物體的吸盤表面。 6.如申請專利範衝 裝置保持住時，該等/面中項之裝置，其中，每當物體被該 共同界定出—接觸且:少：:支至:住一二連同該等頂部表面 邛刀支撐住該物體的吸盤表面。 7.如申s月專利範圍第5 M is 4Α. ^ 項之裘置’其中’該等頂部表面 接觸该物體的一底表面。 衣® 8·如申請專利範圍第5項之裝置，其中 與至少一台面係接觸該物體的一底表面。 9-如申請專利範圍第3項之裝置，並 是由不同於第一膜 ，、中，至少一個壁面 第臈片之材料所製成，且被安裝至該 10.如申請專利範圍第丨項之裝 " 置而延伸成至少—縱向 ：，該等銷被配 表面移動之該緃向直行係在藉由該支承 衣面移動之該物體吸盤的一掃描方向中。 n•如申請專利範圍第10項之裝署甘^ 置成在至W、 * , 置，其中，該等銷被配 成在至直行内是大致上相同的節距。 12.如申請專利範圍第1〇 成多個縱向直行。 裝置，其中，該鎖被配置 如申請專利範圍第12項之裝置，其中. 母直行具有各自的一個銷節距丨以及 該等各自的銷節距大致上是相同的。 14·如申請專利範圍第I3項之裝置，其中 每一直行具有各自的一個銷節距；以及 51 200915008 的銷節 至少一直行的各自 κ如申請專利範圍帛12距是不同的 項之裝置，其中，該等直行大 致上是彼此相等地分隔開 裝置，其中，該等直行係 I6‘如申請專利範圍第12項 彼此不同地分隔開。 之 17.如申請專利範圍第丨 狀相同。 之裳置，其中’該等銷的形 18·如申請專利範圍第i 至少二種不同形狀。 19.如申請專利範圍第】 大致上相同的個別勁度。 20_如申請專利範圍第i項 項之裝置，其中，該等銷具有 項之裝置，其中，該等銷具有 可變的勁度 之裝置，其中，該等銷具有 21. 如申请專利範圍第 曰七… $項之骏置，其中，該第-膜片 具有一大致上均勻的厚度。 22. 如申請專利範圍第1 q又茗置，其中，該第一膜片 具有一可變的厚度。 之裝置’其中： 膜片，該第二膜片包 23.如申請專利範圍第1項 該物體吸盤進一步包含一個第 含該專銷所相對於其延伸的表面； 該第二膜片被耦接至該遠端區域；以及 該等銷接觸並支撐住物體相對於該第二膜片的個別部 分。 24.如申請專利範圍第23項之裝置’其中： 52 200915008 支 該載台具有彼此分隔開的一第一支承表面及一第 承表面； 該物體吸盤包含一第一吸盤部分 — 77夂第二吸盤部分； 該第一膜片包含一個被安裝至該 ^ + V ± 弟支承表面並從該 弟一支承表面延伸出去的第一膜片部 ^ ^ $ ^ ^ ^ , 刀以及一個被安裝 口茨弟—支承表面並從該第-± ^ ^ — H加、 卫從该第一支承表面延伸出去的第二膜 乃邵分； 該第一吸盤部分被裝設於該第— 域；以及 木犋片部分的一遠端區 域 該第二吸盤部分被褒設於該第二膜片部分的一遠端區 25.如申請專利範圍第23項之|罟甘士 白人$丨 項炙裒置，其中，該物體吸盤 匕3至；—個真空吸盤。 26·如申請專利範圍第23項之裝署甘士 包含從吁笙,u 唄之凌置，其中，該物體吸盤 匕各仉該第二膜片延伸出去 μ K ^ 主田該荨壁面與該第二膜 片及接觸該物體吸盤之— 、 穴。 4伤物體合作而界定出一真空孔 27·如申請專利範圍第“項之裝置 ： 該等壁面具有各自的台面； 該等銷具有個別的頂部表面；以及 每當該物體被該裝詈 部表面共同界定出—接觸且至“時’胃等銷之至少該等頂 面。 至^°卩份支撐該物體的吸盤表 Μ.如申請專利範圍第 項之裝置，其中，該等頂部表 53 200915008 面與該專台面中之至少一二品林η ϊβ ^台面共同界定出該吸盤表面。 29·如申請專利範圍第27謂之继® , 2 /項之裝置，其中，至少該等頂 部表面接觸該物體的一個底表面。 3 0.如申請專利範圍第2 8須之驻里甘士 。㈤禾項之裝置，其中，該等頂部表 面與該等台面中之至少—台面接觸該物體的底表面。 ▲ 31.如申請專利範圍第26項之裝置，其中，該等壁面與 §亥第一膜片形成一整體。 32. 如申請專利範圍第“項之裝置，其中，至少一個壁 面是由不同於第二膜片之好姐 膜片 材枓所製成，且被安裝至該第二 33. 如申請專利範圍第2 ^ ^ 』項之裝置，其中，該等銷被配 置以延伸成至少一縱而古/- ’’ 仃，該縱向直行係在藉由該支承 表面移動之該物體吸盤的—掃描方向之中。 5亥專銷被配 34. 如申請專利範圍第33項之裝置其中 置成在至少-直行内大致上是相同的節距。 該等鎖被配 35. 如申請專利範圍第33項之裝置，其中 置成多個縱向直行。 、 36·如申請專利範圍第35項之裝置，其中： 每一直行具有一各自的鎖節距；以及 該等各自的銷節距大致上是相同的。 37·如申請專利範圍第、項之裝置，其中： 每一直行具有-各自的销節距；以及 至少二直行的該各自的錦節距是不同的。 38.如申請專利範圍第μ 項之裝置，其中，該等直行大 54 200915008 致上相等地從彼此分隔開。 該等直行係 39.如申請專利範圍第35項之裴置，其中 不同地從彼此分隔開。 〃 40.如申請專利範圍第 狀相同。 23項之裝置，其中 該等銷的形 41.如申請專利範圍第23項之 ,L , &置，其中，該等銷所且 有的各自的形狀是選自由圓柱形、 ^ 卵疳、正方拟甘 屯、長方形、橢圓形、 ’ 方死"、其他多邊形、截SfFie 7这小戳碩圓錐形、階級形，及以 上形狀組合所組成之群組。 42·如申請專利範圍第23 丄，，λ 我置，其中’該等銷呈右 大致上相同的各自的勁度。 月’、有 43.如申請專利範圍第”項 可變的勁度。 U @等銷具有 44.如申請專利範圍第23項之裝置，其中 具有一大致上均勻的厚度。 ^ 45·如申請專利範圍第23項之裝置，其中 具有一可變的厚度。 該第 片 該第二膜片 3 46.如申請專利範圍第”項之裝置，其中，該第二膜片 是由選自熔化矽砂、氟化鈣、氟化鎂、氟化鋇、堇青石('矽 酸銘鎮）、氧化紹、姻鋼、通ODUR®陶莞玻璃及不錄鋼組 成之群組的材料所製成。 47.如申請專利範圍第23項之裝置，其中，該等銷與該 第二膜片形成__ Μ ' 正體且由與該第二膜片相同之材料所製 成。 55 200915008 之至少一個壁二和:：第23項之裝置，其中，該等壁面中 -如申請專:=第二膜片相同之材料所製 面是由不同於第 23項之裝置’其中’至少-個壁 膜片。 、之材料所製成，且被接附至該第二 5〇·如申請專利範圍第49 面是由選自聚四氟乙…$之褒置，其中，至少-個壁 之群組的材料二一度、化學純淨的橡膠所組成 一個4用於保持並移動標線片的裝置，該裝置包含： 的載台；匕3第~可移動支承表面及第二可移動支承表面 個破女裝於該等支承表面的標線片吸盤，該標線 吸盤部分及第二吸盤部分，每個吸盤部分包 -個膜[該第-膜…-個別第-區域及 該等第-區域被安裝於各自的第一支承表面及第二支 =面’以使該等第二區域能夠從第—支承表面及第二支 枣表面朝向彼此延伸； 二區:等第-吸盤部分及第二吸盤部分被安裝於各自的第 母個吸盤部分包含各自的壁面及從一各自的表面延伸 、去的自支式銷’每當一標線片之各自的_個區域放置於 忒吸盤部分上時，該等表面及壁面係共同界定出各 個真空孔穴； 56 200915008 在每個吸盤部分中，至少該等銷接觸並支撐住該標線 片的各自的區域，以及 該等銷被建構且配置成使得在該標線片吸盤被載台所 移，期間該運動所導致之剪應力造成之標線片相對於銷 之在母個銷處的滑動大致上是相同的。 5 2 ·如申請專利範圍帛5 i項之裝置，其中， f 銷在每個吸盤部分中之表面上被配置成多個直行。， 53.如申請專利範圍第52項之裝置，其中： 每個直行都具有各自的節距；及 邊等各自的節距大致上是相同的。 其中： 54·如申請專利範圍第52項之裝置 每個直行都具有各自的節距；及 至少二個直行的各自的節距是不同的。 55·如申請專利範圍第52項之裝置，其 銷在至少-直行内具有-固定節^ 中該等自支式 其中，在至少一直 其中，每個吸盤部 56·如申請專利範圍第52項之裝置 打内之各自的節距是可變的。 57·如申請專利範圍第51項之裝置 分的至少一個壁面具有—接觸式台面。 58’如申請專利範圍第57項之裝置， 分内之至少一個接觸式台面及該 = 個別的吸盤表面’蜂及盤表面位於—平=共同界疋出 用來保持住標線片的各自的部分。 中且被建構成 A如申請專利範圍第51項之裝置，其中，至少一個壁 57 200915008 且被安裝至各自的 面是由與各自表面不同的材料所製成 表面。 6〇·如申請專利範圍第w項之裝置，其中 盤部分中的直行係從彼此大致上相同地分隔開。一 61·如申請專利範圍帛511 員之裝置，其中，在至少一吸 盤部分鐘的直行係從彼此以不同的方式分隔開。 62. 如申請專利範圍第51項之裝置，其中，在至少一吸 盤部分内之該等銷的形狀大致相同。 63. 如申請專利範圍第51項之裝置，其中，該等銷具有 大致上相同的各自的勁度。 64. 如申請專利範圍第51項之裝置，其中，至少其中一 些銷具有可變的勁度。 八 65. 如申請專利範圍第51項之裝置，其中，該等第一膜 片具有大致上均勻的厚度。 66_如申請專利範圍第51項之裝置，其中，該等第一膜 片具有可變的厚度。 67. 如申請專利範圍第51項之裝置，其中，每個吸盤部 分包含各自的一個第二膜片，該第二膜片包含各自的表面。 68. 如申請專利範圍第67項之裝置，其中，該等第二膜 片具有大致上均勻的厚度。 69. 如申請專利範圍第67項之裝置，其中，該等第二膜 片具有可變的厚度。 70. —種處理系統，其包含： 一個處理裝置；以及 58 200915008 一個用於相對於該處理裝置保 申請專利範圍第i項所述之裝置。、、、動平垣物體之如 7!如申請專利範圍第7〇項之系統 包含一光學系統。 八中，該處理裝置 72.—種微影系統，其包含： 一個光學成m其被建構成用來將 線片上之圖案轉印至一微影基板上； n標 ’其係相料該 且包含-可移動支承表面；以及 幻象系統而座落 一個標線片«，其係被安裝於該支承 片吸盤包含至少一個吸盤部分； ，忒軚線 該吸盤部分包含第一膜片，該第一膜片包括一近端區 域及一通端區域’該近端區域被麵接至該支承表面，且該 遠女而區域k &支承表面延伸出去並被輕接至該吸盤部分， 以使得該第—膜片至少部份支撐住該標線片吸盤； 忒吸盤部分包含一個表面及從該表面延伸出去之多個 銷，該表面位於該第一膜片的遠端區域，該等銷被排列在 該表面上’以接觸並支撐住該標線片相對於該表面的一個 別部分；以及 該等銷被排列成使得在該支承表面之相對應運動所給 予之該標線片吸盤運動期間，該運動所導致之作用力造成 之該標線片相對於該等銷之在每個銷處的滑動大致上是相 同的。 73 ·如申請專利範圍第72項之微影系统，其中，該光學 59 200915008 成像系統被建構用來將紫外光當做一曝光光源使用。 74.—種微電子裝置，其係藉由一包括如申請專利範圍 第72項所述之一微影系統所施行的至少一個微影步驟之製 程製造出來。 75· —種微影製程，其使用如申請專利範圍第72項所述 之一微影系統而被施行。 76·—種微影系統，其包含： 一個光學成像系統，其係被建構成用來將一界定於一 標線片上之圖案轉印至一微影基板上； 一個標線片載台，其係相對於該光學成像系統而座落 且包含第一可移動支承表面及第二可移動支承表面；以及 一個標線片吸盤，其係被安裝於該等支承表面且包含 第一吸盤部分及帛二吸盤部分，每個吸盤部分包含各自的 一個第一膜片，該第—膜片具有各自的一個第—區域及各 自的一個第二區域； 該等第一區域被安裝於各自的第一支承表面及第二支 承表面，以使該等第=區域從第-支承表面及第二支承表 面朝向彼此延伸； 第—吸盤部分及第）及盤部分被安裝於各自的第 域； 每個吸盤部分都包含各自 3合目的一個表面及各自的壁面， 以及從該表面延伸出去之自去 •^目叉式銷，每當一標線片之一 別區域被置於該吸盤部分 刀上呀，3亥萼表面及各自的壁面 共同界定出各自的一個真空孔穴； 200915008 至少該等銷被建構來接觸並支撐住該標線片之各自的 區域；以及 該等銷被裝設並排列成使得在該標線片吸盤藉由讀栽 台產生運動期間’該運動所導致之剪應力造成之該標線片 相對於該等銷在每個鎖處的滑動大致上是相同的。 77. 如申請專利範圍第76項之微影系統，其中，該光學 成像系統被建構用來將紫外光當做一曝光光源使用。 78. —種微電子裝置’其係藉由一包括如申請專利範圍 第76項所述之一微影系統所施行的至少一微影步驟的製程 所製造的。 79. —種微影製程，其係使用如申請專利範圍第76項所 述之一微影系統而被施行。 十一、圖式： 如次頁 61