TW200903840A - Optoelectronic device and the forming method thereof - Google Patents

Description

200903840 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明主要是揭露一種光電元件，更特別地是提供具有霧化層之基 底，以改變基底之晶格結構並且可以增加整個光電元件的光電效率。 【先前技術】 為了改善氮化鎵化合物層的結晶品質，必需解決在藍寶石(sapphire)與 做為發光層之氮化錄化合物層之間的晶格匹配的問題。因此，於習知技術 中’例如美國專利公告號5322,845(如第丨圖所示)係在基底1〇〇與氮化鎵層 102之間形成以氮化鋁(Ain)為主之緩衝層(bufferlayer)1〇1，且此緩衝層 的結晶結構係以微結晶(microcrystal)或是多結晶(pdycrystal)且在非結晶石夕 的狀態下混合’藉此緩衝層1()1之結晶結構可以改善在氮化錄化合物層1〇3 之間的晶格不匹配(crystal mismatching)的問題。又如美國專利公告號 5,290’393(如第2圖所示)所示，其光電元件係以氣化鎵為主之化合物半導體 層加’例如GaxAll_xN(G<x列。然而，在基底测上⑽晶的方式形成 σ物半導體層2G2 _，在基底細上的晶格表面圖案不佳且會影響到後 續製作藍光光電元件的品f，藉由—緩衝層2G1例如⑶札Ν來改善 土底2〇0 ,、化。物半導體2G2之間的晶格匹配問題。此外，請參閱美國專 ^公告號5,929，·或是美國專利公告號5,9〇9，_(如第3圖所權揭示， ^了，少晶格不匹配的問題係以氮化銘做為第一緩衝層形成在基底獨 虱化銦(InN)層302做為第二緩衝層形成在第一緩衝層上，以改善 與基底300之間的晶格不匹配的問題。 【發明内容】 底的 200903840 排列方式、且在基底内成一霧化層(故01]1丨2站丨0111叮过），藉此，可以將基底上 層光電元件所發出的光散射出光電元件外部，以減少全反射效應且達到增 加光電效率。 本發明之另一目的係提供具有多層半導體結構之光電元件，藉此多層 半導體結構可以減少發光層與第一半導體結構層之晶格不匹配的問題。 根據上述之目的，本發明揭露一種光電半導體結構，包含:一基底，具 有第-表面及第二表©’且在第-表面與第二表面之間具有—霧化層 (atomization layer); 一多層半導體結構在基底之第一表面上，其至少包含: 一第一半導體結構層形成在基底上、第二半導體結構層、及主動層介於第 一半導體結構層與第二半導體結構層之間。 本發明還揭露一種光電元件，包含:一第一電極；基底，形成在第一電 極之上且具有弟一表面及第二表面，在第一表面與第二表面之間具有一霧 化層，一多層半導體結構層形成在基底的第一表面上，且多層半導體結構 層至少包含:第一半導體結構層、第二半導體結構層及主動層形成在第一半 導體結構層及第二半導體結構層之間；透明導電層形成在第二半導體結構 層上及第二電極形成在透明導電層上。 有關本發明的特徵與實作，茲配合圖示作最佳實施例詳細說明如下。 (為使對本發明的目的、構造、特徵、及其功能有進一步的瞭解，茲配合 實施例詳細說明如下。） 【實施方式】 首先請參閱第4A圖’係表示根據本發明所揭露之光電半導體結構之剖 視圖。光電半導體結構包含:一基底1〇,具有第-表面10A及第二表面10B、 且具有一霧化層12位於第一表面l〇A與第二表面10B之間，及一多層半導 體結構層30，其中多層半導體結構層3〇至少包含:第一半導體結構層32、 第二半導體結構層36及一主動層34位於第一半導體結構層32及第二半導 6 200903840 體結構層36之間。在此，第一半導體結構層32可以是n_type之半導體層， 及第二半導體結構層36可以是P-type之半導體層。主動層34可以是多層 $ 子井(MQW; Multiple Quantum Well)或是量子井(QW; Quantum Well)。 在本實施例中，係利用雷射(laser)内雕技術，利用雷射可以聚集能量在 基底10的疋球度，使得在基底的内部形成一霧化層(at〇mizati〇nlayer) 12，在此，基底1〇内的霧化層12可以做為光散射層，可以將基底1〇上的 發光元件所發出的光散射出光電元件外部，藉此可以減少全反射效應及增 加光取出效果。 另外，在執行雷射内雕的過程中，不會破壞基底10的表面，也不會影 響後續蟲晶成長的蠢晶品質。再者，藉由雷射所產生的能量，促使在基底 10内部(即第一表面10A與第二表面ι〇Β之間)的晶格結構重新排列，其晶 格排列的方式可以多晶石夕(P〇lyCrystal)或是非多晶石夕(am〇rp〇r〇us)結構形成 重排，可以增加光電元件的發光效率。在此，霧化層丨2的深度可以藉由雷 射焦距來控制，可以配合發光波長來設計最佳深度。例如，以波長355nm 雷射光源，頻率在70kHz至250kHz之間，調整適當的光學聚焦模組將雷射 光源聚焦在藍寳石基底10表面下約l〇um至3〇um之間的深度進行約3um 厚度霧化層處理。此基底10上以磊晶方式依序形成第一半導體結構層(n型 氮化鎵半導體層)32、主動層34及第二半導體結構層(p型氮化鎵半導體導電 層)36之光電半導體結構30,此光電半導體結構3〇在具有霧化層12之基底 之發光效率為一般基底之發光效率高約15%。 另外，根據本實施例所揭露之光電半導體結構中，更可以包含一緩衝 層20形成在基底1〇與多層半導體結構層30之間，如第4B圖所示。此緩 衝層20可以是含氮化鎵(GaN)之化合物層，或是以第一含氮化合物層22/五 族/二族化合物層24/第二含氮化合物層26所構成化合物層來做為緩衝層 20 ’其中第一含氮化合物層22可以是氮化銦鎵鋁(AlInGaN)層、氮化姻嫁 (InGaN)層、氮化鋁鎵(AlGaN)層及氮化鋁銦(AlInN)層。第二含氮化合物層 200903840 26之材料係選自於下列之族群：氮化贿㈧⑽)及氮化嫁(㈣）。五族/ 二族化合物層24中之二族之材料係選自於下列之族群：鈹_、鎂㈣）、 鈣(Ca)、锶⑼、鋇㈣、鐳(Ra)、鋅(Zn)、鎘(Cd)及汞㈣；以及五族之材 料係選自於下列之族群：氮(N)、卿）、雜s)、錄(Sb)及叙㈣。 因此藉由第3氮化合物層22、五族/二族化合物層24及第二含氮 化合物層26所構成之緩衝層2〇係為一多層應力緩衝層結構(muiti_s輸 ▲Singlayer迦cture)’藉由此多層應力緩衝層結構可以做為後續利縣晶 成長之遙晶堆疊結狀起始層。另外，此多層應力緩騎輯(即緩衝層） 與多層半報結構層30巾的第—半導體結漏32之間有良好的晶格匹 配，並且得到品質良好的含氮化鎵之半導體層。 接著明參閱第5A圖及第5B圖，係表示本發明所揭露之光電半導體 結構之另-具體實施例之剖視圖。在第5A圖及第5B圖中，基底1〇及多声 +導體結構層30之形成方法、結構及特性均與第4a圖及第4B _ ^ 此不再重複陳述。第5A圖及笫sr同也姑π *圆及弟5Β圖與苐4Α圖及第4Β圖的差異性在 在具有霧化層12之基底1G的上方， 層32、主動層34及第二半導體姓構層夕 ^ '體結構 的第-料％ 後’制侧製㈣移除部份 的第-半導體導電層32以完成光電元件之結構。 2以稞路出錢 請繼續參閱第6A圖，係表示根據本發明所揭露之 =樣地’第6A _⑽咐叙棒術 = 同古因此不再重複敘述。如第圖所述，光電元件包括:-第電=目 具有霧化層12之基底卿成在第—電極ϋ 在基底1G上方，其中，多層铸觀構層至少包it^導體til0 200903840 成透明導電層50之方式係在多層半導體結構層30形成在基底1〇上方之 後，將反應谷器溫度降低至室溫，然後由反應容器中取出遙晶晶片，並且 在多層半導體結構層30之第二半導體結構層36的表面上形成某一特定形 狀之光罩圖樣，然後再於反應性離子蝕刻(RIE)裝置中進行蝕刻。於蝕刻之 後，再在整個第二半導體結構層36上形成一透明導電層5〇，其厚度約為 2500埃，且材料可以選自於下列之族群:Ni/Au、Ni〇/Au、Ta/Au、丁丨漏、 ΤιΝ、氧化銦錫、氧化鉻錫、氧化銻錫、氧化鋅鋁及氧化辞錫。 f著’在透明導電層40上形成一層厚度約為細〇咖之第二電極6〇。 在本實施例巾’第二半導體結構層36為一 p型氮化物半導體層，因此第二 電極60之材料可以由Au/Ge/Ni、刪、T_Ti/Au或Cr/Au合金所構成。 最後於基底10上形成第1極50,此第一電極5〇之材料可以是Au/Ge/Ni' Ti/Al、Tl/Al/Ti/Au或Cr/Au合金或是聊合金。因此，根據以上所述， 即可以得到-個具體的光電元件’在此要說明的是由於第一電極5〇及第二 電極60在光電元件的製程中為一習知技藝，故在本發明中不再進一步的敛 述。 ^ 在此要說明的是’在第6AB所表示的光電元件中，更可以包含一緩衝 層20形成在具有霧化層12之基底1〇的上方，如第犯圖所示，其緩衝層 :2G可以是含氮化鎵層、献由第-含氮化合物層22/五族/二族化合物層24/ 第二含氮化合物層26所構成之多層應力緩衝層結構2〇，藉由此緩衝層2〇 可以做為後續利舰晶成長之蟲晶堆疊結構之起始層4外，此多層應力 緩衝層結構(即緩衝層）20與多層半導體結構層％之第—半導體结構層^ 之間有良好的晶格匹配，並且得到品質良好的含氮化嫁之半導體層。曰 睛參閱第7A圖，絲示根據本發騎揭露之光電元件之另—具體實施 ^剖視圖。在此，第7A圖中所揭示之部份元件之結構、形成方法及特性 均與第6A圖相同，目此不再重複敘述。如第7a圖所示，光電元件包含 具有霧化層丨2之基底1G ;多層半導體結構層3Q在基底1()上方，直中，多 9 200903840 層半導體結構層3〇至小—a & 半導體結構層32上^包Γ第—半導齡構層32、絲層34形成在第-使用一_製如構層％形成在主騎％上；接下來， -半導體結構層32，=^二半賴結構層36、部触_ 34及部份第 結構層32所裸露㈣H部份第—半導體結構層32，在此第—半導體 厚％ ^㈣、 為第二部份，巾由主動層34及第二半導體社槿 層36覆盍之部份為第—部份 ^構 電層40形成在多層半如錄/丨―挪，接者，—透明導 半導體结鮮32 ^ 構層3G之上；接著’第—電極5G形成在第― 上。 θ 第—部份之上，及第二電極60形成在透明導電層4〇之 同=地’在第Μ圖所表示的光電元件中，更可以包含一 霧化層12之基底1。的上方，如第則所示，其緩衝層2。可!: ^鎵層、或是由第-含氮化合物層22/五族/二族化合物層24/第二人 勿層26所構成之多層應力緩衝層結構20，藉由此緩衝層20可二 縣㈤成長之蟲晶堆疊結構之起始層。另外，此多層應力緩衝層 :構(即緩衝層）20與多層半導體結構層3Q之第—半導體結構層32之間有 义好的阳格匹配’並得到品質良好的含氣化鎵之半導體層。 雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發 明’任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範_，當可作些ς ^更動與潤飾’因此本發明之專利保護範_視本說明書所附之中請 範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖係根據習知技術中所揭露之技術，表示光電元件之剖面示意圖； 第2圖係根據習知技術中所揭露之技術，表示以蟲晶成長之蟲晶晶圓 之剖面示意圖； 第3圖係根據習知技術中所揭露之技術，表示光電元件之剖面示意圖； 10 200903840 第4A圖及第4B圖係根據本發明所揭露之技術，表示光電爭導體結構 之兩個具體實施例之兩個剖面示意圖； 第5A圖及第5B關根據本發明所揭露之技術，表示光電半導體結構 之另外兩個具體實施例之兩個剖面示意圖； 第6A圖及第6B圖係根據本發明所揭露之技術，表示光電元件之兩個 具體實施例之兩個剖面示意圖；及 第7A圖及帛？B圖係根據本發明所揭露之技術，表示光電元件之另外 兩個具體實補之兩彳_面示意圖。 【主要元件符號說明】 10基底 10B第二表面 20諼衝層 24五族/二族化合物層 30多層半導體結構層 34主動層 40透明導電層 60第二電極 10A第一表面 12霧化層 22第一含氮化合物層 26第二含氮化合物層 32第一半導體結構層 36第二半導體結構層 _50第一電極 100基底 101緩衝層 102氮化鎵層 103氮化鎵化合物層 200基底 201緩衝層 202化合物半導體層 300基底 301 第一緩衝層 302第二緩衝層 11

Claims (1)

1. 200903840 十、申請專利範圍： 1. 一種光電半導體磊晶結構，包含： 在該第一表面及該第二表面之 一基底，具有一第一表面及一第二表面 間具有一霧化層；及 一多層半導聽獅，職《基底之舞—表社，其巾勢 體結構層至少包含： 一第一半導體結構層，形成在該基底上； 一第二半導體結構層；及 一主動層，形成在該第一半導體結構層及該第二半導體結構層之間。 2.如申請專利範圍第丨項所述之光電半導體結構’其中該霧化層之厚度不小 於10埃。 3·如申請專利範圍第1項所述之光電半導體結構，更包含一緩衝層至少包含 一弟一含氮化合物層/一五族/二族化合物層/一第二含氮^化合物層在該芙 底及該多層半導體結構層之間。 4. 如申請專利範圍第3項所述之光電半導體結構，其中該緩衝層至少包含一 氮化鎂(MgN)層。 5. 如申請專利範圍第1項所述之光電半導體結構，其中該第一半導體結構層 為一 N-type之半導體層。 6. 如申請專利範圍第1項所述之光電半導體結構，其中該第一半導體結構層 至少具有一第一部份及裸露之該第二部份，且該第一部份遠離該第二部 份0 7. 如申請專利範圍第1項所述之光電半導體結構，其中該第二半導體結構層 為一 P-type之半導體層。 8. 如申請專利範圍第1項所述之光電半導體結構，其中該主動層為一多層量 子井(MQW)或一量子井(qw)。 9. 如申請專利範圍第8項所述之光電半導體結構，其中該多層量子井(MQW) 具有複數個不規則且高低起伏之表面。 12 200903840 10. —種光電元件，包含： 提供一第一電極； 一基底，形成在該第一電極之上且具有一第一表面及一第二表面，在該 第一表面及該第二表面之間具有一霧化層；及 一多層半導體結構層，形成在該基底之該第一表面上，其中該多層半導 體結構層至少包含： 一第一半導體結構層，形成在該基底上； 一第二半導體結構層；及 一主動層，形成在該第一半導體結構層及該第二半導體結構層之間； 一透明導電層，形成在該第二半導體結構層上；及 一第二電極，形成在該透明導電層之上。 11. 如申請專利範圍第10項所述之光電半導體結構，其中該霧化層之厚度不 小於10埃。 12. 如申請專利範圍第10項所述之光電半導體結構，更包含一緩衝層在該基 底及該多層半導體結構層之間。 13. 如申請專利範圍第10項所述之光電半導體結構，其中該緩衝層至少包含 一五族/二族化合物層。 14. 如申請專利範圍第12項所述之光電半導體結構，其中該緩衝層至少包含 一氮化鎂(MgN)層。 15. 如申請專利範圍第10項所述之光電半導體結構，其中該第一半導體結構 層為一 N-type之半導體層。 16. 如申請專利範圍第10項所述之光電半導體結構，其中該第二半導體結構 層為一 P-type之半導體層。 17. 如申請專利範圍第10項所述之光電半導體結構，其中該主動層為一多層 量子井(MQW) 〇 18. 如申請專利範圍第17項所述之光電半導體結構，其中該多層量子井 13 200903840 (MQW)具冑複触ϋ細彳且冑低起伏之表面。 19. 一種光電元件，包含： 提供一基底，具有一第一表面及一第—矣 品⑽日士 衣 第—表面’在該第-表面及該第二表 面之間具有一霧化層；及 一第一半導體結構層，形成在該基底上， 、 第二部份； 且具有-第-部份及裸露之- 二!:Γ，形成在該第一半導體導結構層之裸露之該第二部份； 一主動層，形成在該第一半導體結構層之該第—部份丨及 一第二半導體結構層，形成在該主動層上； -透明導電層’形成在該第二半導體結構層上；及 一第二電極’形成在該透明導電層之上。 20. 如埃申請專利範圍第19項所述之光電元件，其中該霧化層之厚声们於 21. 如申請專利範圍第19項所述之光電元件，更包含 多層結構層之間。 衡^在5亥基底及該 22. 如申請專利範圍第21項所述之光電元件，其中該緩衝 /二族化合物層。 V包含—五族 23. 如申請專利範圍第21項所述之光電元件，其中該緩 鎂(MgN)層。 王夕包含一氮化 24. 如申請專利範圍第丨9項所述之光電元件，其争該第 N-type之半導體層。 于體結構層為一

   25_如申請專利細第19項所述之光電元件，其中該第二半 P-type之半導體層。 26_如申請專利範圍第19項所述之光電元件， (MQW)。 麵為—多層量子井 27·如申請專利範圍第26項所述之光電半導體結構，其中該夕 Μ夕層量子井 14 200903840 (MQW)具有她個不酬且魏起伏之表面。 汉如申請專利範圍第丨9項所述之光電元件，其中該透明導電層之 I 於I::— ’ N—、Ni〇/AU、Τ—、Τ_、、氧化銦、氧化 29種^·^氧化絡錫、氧化錄錫、氧化鋅、氧化辞銘及氧化鋅錫。 29.種先電+導體結構的製作方法，包含： 提供一基底，具有一第一表面及一第二表面； 執行一雷射内雕步驟’使得該基底之晶格結構重新排列，且在該第一表 面及該第二表面之卿成-雜層在該基底内H " 形成一多層半導體結構層在絲底之該第-表面上，更包含： 形成一第一半導體結構層在該基底之該第-表面上；. 形成一第二半導體結構層；及 域絲層在該第一半導體結構層及該第二半導體結構層之間。 •口申請專利範圍第29項所述之製作方法，其中該霧化層之厚度不小於1〇 埃。 、 31.如申請專利範圍第29項所述之製作方法，其中該基底之晶格結構重新排 列係以多晶石夕(polycrystal)結構排列。 32·如申請專利範圍第Μ項所述之製作方法，其中該基底之晶格結構重新排 列係以非晶性(amorphrous)結構排列。 如申明專利fell第29項所述之製作方法，更包含形成至少具有一五族/ 二族族化合物之-緩衝層在縣底及該多層結構層之間。 从如申請專利範圍第33項所述之光電元件，其中該五族/二族化合物之該緩 衝層中之二族之材料係選自於下列之族群：鈹㈣、樹、釣㈣、銘 (Sr)、鋇(Ba)、鐳(Ra)、鋅(zn)、鎘(Cd)及汞(Hg)。 35·如申料纖圍第33概狀製作枝，其找五族/二祕合物之該緩 衝層中之五族之材料係選自於下列之族群：氮⑼、碌⑺、碎(蜂錄㈣ 及鉍(Bi)。 15 200903840 36_如申請專利範Μ 29項所述之製作方法，其中該第 N-type之半導體層。 等I構層為一 37.如申請專利範圍第29項所述之製作方法，其 P-type之半導體層。 —導體結構層為一 36_如申請專利範圍第29項所述之製作方法，其中該第 井(MQW)。 曰马一夕層量子 37. 如申請專職圍第36顧述之光料導贿構， (MQW)具有複數個不規則且高低起伏之表面。、〜層量子井 38. 如申請專利範圍第29項所述之製作方法，其 份該第二半導體結構層、該主動層及該第一半導體^驟^移除部 第一半導體結構層。 、° s以裸露部份該 4〇_ —種光電元件的製作方法，包含： 提供一第一電極； =成-基底在該第-電極上，其中該基底具有—第—表面及—第二表 =T步驟’使得該基底之晶格結構重新排列，且在該第1 面及遠第二表面之間形成一霧化層在該基底内部；及 表 形成-多層半導體結構層在該基底之該第一表面上，更包含 形成一第一半導體結構層在該基底之該第-表面上；3. 形成一第二半導體結構層；及 少成主動層在π亥第—半導體結構層及該第二半導體 形成一透明導電層在該第二半導體結構層上；及 間， 死*成一第一電極在該透明導電層上 41.t請專利範圍第4〇項所述之製作方法，其中該霧化層之厚度不小於10 42·如申糊卿"佩彻村，㈣嫩結構重新拆 16 200903840 列係以多晶碎結構為卜列。 43. 如申請專利範圍第4〇項所述之製作方法，其中該基底之晶格結構重新排 列係以非晶性結構排列。 44. 如申明專利範圍第4〇項所述之製作方法，更包含形成具有一五族/二族化 合物之一緩衝層在該基底及該多層半導體結構層之間。 45·如申靖專利範圍第44項所述之光電元件，其中該II/V族化合物之該緩衝 層中之二族之材料係選自於下列之族群：鈹(Be)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、锶(Sr)、 鋇(Ba)、鐳(Ra)、辞(Zn)、鎘(Cd)及汞(Hg)。 46.如申請專利範圍第44項所述之製作方法，其中該濟族化合物之該緩衝 層中之五矢之材料係選自於下列之族群：氣(N)、填(p)、石申(As)、錄⑼) 及鉍(Bi)。 47·如申請專鄕圍第4〇項所述之製作方法，其中該第—轉體結構層為一 N-type之半導體層。 48_如申請專利範圍第4〇項所述之製作方法，其中該第二半導體結構層為一 P-type之半導體層。 49_如申請專利範圍第4〇項所述之製作方法，其中該主動層為一多層量 (MQW)或一量子井(qW)。

   5〇·如申^專利範圍第4〇項所述之光電半導體結構，其中該多層量子 具有複數個不規則且高低起伏之表面。 51· ，4G樣之製恤，綱透___ =於:列之族群曝U、職U、Ta/Au、TiWN、TiN、氧化姻 錫種、杨賴、祕_、氧赠、紐雜 52.-種光電7G件㈣作方法，包含： 情 提供基底，具有一第一表面及一第二表面； 射^技術，使得該基底之晶格結構重新排列，且在該第—表 及°亥第一表面之間形成一霧化層在該基底内部； 17 200903840 形成一第一半導體結構層在該基底之該第-表面上； 形成一第二半導體結構層；及 形成主動層在該第一半導體結構層及該第二半導體結構層 蝕刻部份該第二半導體結構層、部份該主動層以及 日， 構層以裸露出部份該第一半導體結構層； 〃第―半導體結 形成一透明導電層在該第二半導體結構層上； 形成一第一電極在裸露出部份該第-半導體結構層上；及 形成一第二電極在該透明導電層上。 ㈣矣申請專利範圍第52項所述之製作方法，其中該霧化層之厚度不小錢 54_如申請專利範圍第η項所述之製作方法，其中該基 列係以多晶石夕結構排列。 裕、、。構重新排 55.如申請專利範圍第π +^ 列係以非晶雜咖。^偷’州舰墙結構麵 ^申請專利範圍第52項所述之製作方法，更包含形成具有五族/二族化合 物之緩衝層在該基底及該多層結構層之間。 “申月專利範圍第56項所述之光電元件，其中該五族/二族化合物之該緩 衝層中之二族之材料係選自於下列之族群：鈹(Be) 、鎂(Mg)、鈣(Ca)、锶 (Sr、鋇(Ba)、鐳㈣、辞㈣、鶴㈣及汞㈣。 58· 士申明專利圍第％項所述之製作方法，其中該五族/二族化合物之該緩 衝層中之五無之材料係選自於下列之族群·娜)、卿)、石中㈣ 、銻(Sb) 及鉍(Bi)。 如申》月專利範圍第&項所述之製作方法，其中該第一半導體結構層為一 N-type之半導體層。 60_如申明專利範圍第&項所述之製作方法，其中該第二半導體結構層為一 P-type之半導體層。 200903840 幻如声請專利範園第52項所述之裳作方法，其中該 (MQW)或一量子井。 玲為一多層量子井 62如令清專利顧第6】項所述之光電半導體結構， 旦 (MQW)財觀财酬且純触之表面。〃 子井 63.如申請專利範圍第52項所述之製作方法，其中該透明導電層之材料 自於下列之鱗.Nl/Au、Ni〇/Au、Tg/Au、丁舰、BN —、 錫、氧化鋼錫、氧化鉻錫、氧化録踢、氧化鋅、氧化雌及氧=錫氣化 19