TW200903599A - Base plate treating device - Google Patents

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200903599 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種朝LCD(Liquid Cystal Display，液晶 顯不器）、PDP(Plasma Display Panel，電漿顯示面板）用玻 璃基板及半導體基板等基板供給處理液而實施各種處理之 基板處理裝置。 【先前技術】 眾所周知，先前，作為如上述之基板處理裝置，將貯存 於貯槽中之處理液輸送至處理槽中，並自配置於該處理槽 内部之噴嘴構件，將處理液供給至基板上，另一方面，將 使用後之處理液自處理槽回收至上述貯槽中，藉此循環使 用處理液。作為此種裝置，例如於專利文獻丨中揭示有如 下裝置.測定自處理槽導出之處理液之污染（劣化）狀態， 具體而言，測定處理液之pH值，在處理液之污染度高之處 理開始之後，完全廢棄所導出之處理液，當污染度降低至 固定等級以下時，將處理液回收至上述貯槽中。 [專利文獻1]曰本專利特開平11_238716號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 於先前之此種基板處理裝置中，通常會對基板定量地供 給處理液。例如，於一面輸送基板一面進行處理之基板處 理裝置中，開始供給處理液及停止供給處理液係基於由專 門設置於輸送路徑等之感應器對基板進行之檢測而進行， 於處理中，以固定流量朝基板供給處理液。因此，亦存在 129948.doc 200903599 對於小尺寸之基板等過度地供給處理液而白白地消耗處理 液之情形。 近年來，為了更經濟地進行基板之處理，業者要求抑制 處理液之浪費（供給），考慮如專利文獻丨般監視自處理槽導 出之處理液之污染（劣化），以使處理液之供給量適量。亦 即，於處理液之污染（劣化）狀態與基板之處理狀況之間存 在某程度之相互關係，因而考慮根据處理液之污染狀態来 推測基板之處理狀況，基於此來控制處理液之供給量。然 而，當如上述文獻1般監視自處理槽導出之處理液之污染 狀態時，由於未經由基板之處理液、即喷射至處理槽之壁 面而包含附著於該壁面上之多餘之污染成分的處理液亦成 為監視對象’故而無法充分準確地把握基板之處理狀況。 本發明係鑒於上述問題開發而成者，其第一目的在於能 夠更準確地把握基板之處理狀況，其第二目的在於抑制處 理液之浪費（供給）以合理地對基板進行處理。 [解決問題之技術手段] 為解決上述問題，本發明的基板處理裝置具有藉由喷嘴 構件朝基板之表面供給處理液而對基板實施特定之處理之 處理槽，該基板處理裝置具有測定機構，該測定機構在自 上述基板之表面流下之處理液到達上述處理槽的底部之前 接受該處理液，；則定與該處理液之劣化1態相關聯之特定 之物理量（請求項丨）。 如此自基板之表面流下之處理液到達處理槽的底部之 别，直接接受該處理液並測定上述物理量，根據該構成， 129948.doc 200903599 由於僅注入至基板之處理液成為測定對象’故而能夠自測 定對象中排除多餘之污染成分。因此，基於上述物理量之 測定結果，能夠更準確地把握基板之處理狀況。 更具體而言，該基板處理裝置具有在處理中將上述基板 以傾斜姿勢支持之支持機構，上述測定機構配置於受到上 述支持機構支持之基板之低位側之端緣的下方（請求項2)。 例如’於-面以傾斜姿勢輸送基板—面朝該基板之表面

供給處理液而進行處理的裝置中，藉由上述構成，能夠良 好地接受順著基板之傾斜而流下之處理液，從而能夠適當 地測定上述物理量。 又，上述測錢構亦可具有：敎部，其與處理液相接 觸而測定上述物理量；以及引導部，其接受自基板流下之 處理液並將該處理液引導至上述測定部（請求項3)。 如此，根據接受自基板流下之處理液並將其引導至測定 部之構成，能夠更可#地使處理液與上述測定部接觸以測 定上述物理量。 再者，上述基板處理裝置較好的是具有供給量控制機 構該供給！控制機構基於上述物理量之測定結果而對朝 基板供給之處理液之供給量進行控制（請求項4)。例如，上 述^給量㈣機構較好的是基於上述敎結果來控制每單 ^間t處理液之供給量（請求項5)。又，供給量控制機構 的疋基於上述測定結果來控制對基板供給處理液之供 ^間後求項6)，例如，於—面輸送基板—面對該基板供 液之If形時’較好的是上述供給量控制機構基於上 129948.doc 200903599 述測定結果來控制基板之輸送速度（請求項7)。 亦即，由於處理液之劣化狀態與基板之處理狀況之間具 有相關性，故而如上所述，藉由測定機構來測定上述物理 量，基於該測定結果控制對基板供給處理液之供給量藉 此，能夠供給與基板之處理狀況相符之適量之處理液從 而能夠抑制處理液之浪費。 再者，藉由比較使用前後之處理液之劣化狀態，能夠更 準確地把握基板之處理狀況。因此，當將上述測定機構設 為第一測定機構時，上述裝置進而具有與該第一測定機構 不同之第二測定機構，該第二測定機構測定與供給至基板 之前之處理液相關的上述物理量，上述供給量控制機構基 於該等第一、第二測定機構之測定結果之差來控制上述供 給量（請求項8)。 又，上述基板處理裝置可具有：處理液之循環系統其 將在上述處理槽之處理中經使用且在使用後被回收之處理 液再次用於上述處理槽中之處理；排液機構，其將在該循 環系統内循環之處理液中的在使用後被回收之處理液自該 循％系統排出’·新液導入機構，其向該循環系統内導入新 的處理液，·以及更換控制機構，其基於上述測定機構之測 定結果來控制上述排液機構及新液導入機構，藉此更換上 述循環系統内之處理液（請求項9)。 根據此種構成，於相對處理槽使處理液循環之基板處理 置中此夠基於上述物理量之測定而有效地抑制處理液 之浪費，並且，能夠良好地保持處理液之液質而促進基板 129948.doc 200903599 之處理。 人 …處理裝置具有第一處理 上述處理槽，其甲，該第二處 作為 =類；處理液對在該第-處理槽中結束處理之基板進 处、且，该基板處理裝置具有處理 該供給系統將在上述第二處理梯夕♦ 糸、，光 L…《弟一處理槽之處理中經使用且在使用 後被回收之處理液用於上述第一處理槽中之處理，在上述 Γ 第一處理槽上配置有上述敎機構，上述㈣機構基於上 述測定結果來控制在第—處理槽中對基板供給處理液之供 給量、及在第二處理槽中對基板供給處理液之供給量十之 至少一方（請求項10)。 根據此種構成，於處理槽彼此串聯連接之裝置中，能夠 完全抑制處理液之浪費。 [發明之效果]

根據請求項i〜3之發明，由於自測定對象排除了多餘之 污染成分，故而能夠準確地把握基板之處理狀況。進而， 根據請求項4〜9之發明，由於根據基板之處理狀況來控制 對基板供給處理液之供給量，故而能夠抑制處理液之浪 費’從而能夠經濟地對基板進行處理。 【實施方式】 使用圖式對本發明之較佳實施形態進行說明。 圖1以模式圖概略地表示本發明之基板處理裝置。該圖 所示之基板處理裝置係對例如姓刻處理（藥液處理）後之基 板實施清洗處理者。 129948.doc -10- 200903599 如該圖所示，該基板處理裝置具有第—〜第三之連續之 三個處理槽ιο(第一處理槽10A、第二處理槽i〇b、第三處 理槽H)C)。於各處_10A〜10C中，分別以特定間隔= 有復數個輸送輥12，於由該等輸送輥12支持基板§之狀態 下，將該基板S自圖中左側朝右側輸送。再者，如圖2所 示，各輸送輥12於與基板S之輸送方向正交之方向上傾斜 地設置，藉此，於使基板S相對水平面僅傾斜特定角度㊀之 狀態下進行輸送。 於各處理槽10A〜10C中，分別配備有用以自基板s上方 對該基板S供給淋洗液（本實施形態中為純水）之噴淋噴嘴 14(相當於本發明之噴嘴構件），關於第三處理槽i〇c，以 自基板S之上下兩側供給淋洗液之方式而配備有噴淋喷嘴 14。噴淋喷嘴14具有散布之復數個噴嘴口，自各噴嘴口分 別噴出液滴狀之淋洗液並噴至基板S上。 對各處理槽10A〜10C供給淋洗液之供給系統等係以如下 之方式構成。 於各處理槽10A、l〇B、10C中，分別設置有用以貯存淋 洗液之貯槽20A、20、20B、20C(第一貯槽20A、第二貯槽 B、第三貯槽20C)。於各貯槽20A〜2〇c分別設置有具有泵 23及閥22a之供給用配管22，藉由泵23之動作，自各貯槽 20A〜20C對各自所對應之處理槽1〇A〜1〇c輸送淋洗液，並 將使用後之淋洗液經由分別連接於各處理槽丨〇A〜丨〇c之導 出管24A〜24C而導出。又，於各貯槽2〇A〜2〇c上分別設置 有具有閥26a之淋洗液之廢液管26，於維護時，藉由對間 129948.doc 200903599 26a進行操作，能夠將各貯槽20A〜20C内之淋洗液導出至 圖外之廢液貯槽。 於各處理槽10A〜10C上所設置之上述導出管24a〜24C 中’第三處理槽10C之導出管24C連接於第二處理槽1〇B之 .第二貯槽20B，第二處理槽10B之導出管24B連接於第一處 理槽10A之第一貯槽20A。又’第一處理槽1〇A之導出管 ‘ 24A連接於圖外之廢液貯槽。於第三貯槽2〇c上進而連接 有新液供給管28 ’根據安裝於該新液供給管28上之閥28a 〔之操作’而將新淋洗液自淋洗液供給源3 〇導入至第三貯槽 20C。亦即，於該基板處理裝置中，將新淋洗液自淋洗液 供給源30導入至第三貯槽20C，同時將該淋洗液輸送至第 三處理槽10C，並將自第三處理槽10C導出之使用後之淋 洗液導入至上游側之第二貯槽20B。然後，將該第二貯槽 20B之淋洗液輸送至第二處理槽1〇b中，並將該第二處理 槽10B中所使用之淋洗液進而導入至上游側之第一貯槽 € 20A中’將第一貯槽20A之淋洗液輸送至第一處理槽1〇A之 後’將自第一處理槽10 A導出之淋洗液導入至圖外之廢液 貯槽中。總之，以將於下游側之處理槽中經使用之淋洗液 • 依序汲取至上游侧，並於上游側之處理槽中使用之方式， 構成淋洗液之供給系統’換言之，處理槽i 〇 A〜1 〇c經由該 供給系統而串聯連接。 再者’於以下之說明中，當對貯槽2〇A〜20C提及「上游 側」、「下游側」時，對應於基板S之輸送方向。 於上述處理槽10A〜10C與貯槽20A〜20C中，分別設置有 129948.doc •12· 200903599 用以測定與淋洗液之劣化狀態相關聯之特定之物理量的測 定機構。 具體而言，於各處理槽10A-10C上設置有pH值測定裝置 16(稱為第一 PH值測定裝置16)，該pH值測定裝置16直接接 受於處理基板S中沿該基板S流下之淋洗液，即，於自基板 S流下之淋洗液到達槽内之底部之前接受淋洗液而測定其 pH值；另一方面，於各貯槽2〇A〜2〇c中設置有分別測定該 貯槽20A〜20C内之淋洗液之pH值之第二pH值測定裝置％。 如圖1所示，第一 pH值測定裝置16位於處理槽1 〇A〜1 〇c 内之大致中央（基板輸送方向上之大致中央），且如圖2所 不’配置於由輸送輥12以傾斜姿勢支持之基板8之低位側 之端部下方。如該圖所示，該第一 pH值測定裝置丨6具有： 漏斗狀之接液部17(相當於本發明之引導部）；以及pH值計 主體1 8(相當於本發明之測定部），其設置於該接液部之i 7 之下方且具有計測頭，由接液部17接受沿基板S流下之淋 洗液並將其引導至pH值計主體18，藉此測定淋洗液之pH 值，然後將與該測定結果相對應之信號輸出至下述之控制 器40。 工 另一方面，第二pH值測定裝置36雖未詳細地圖示，但於 各貯槽20A〜20C内部之特定位置具有計測頭，藉由該計測 頭來測定貯存於各貯槽20A〜20C内之淋洗液之pH值並將 與s亥測定結果相對應之信號輸出至下述之控制器。 再者，該基板處理裝置具有控制基板8之一系列清洗動 作之控制器40(相當於本發明之供給量控制機構）。該控制 129948.doc •13- 200903599 器40以執行邏輯運算之CPU(Central pr〇cessing unit，中央 處理單元)等為主要之要素而構成，驅動輪送輥i2之馬 達、上述泵23、閥22a、26a、28a以及PH值測定裝置16、 ^6等全部電性連接於該控制㈣。繼而，基於上述#值測 疋裝置16、36之測定結果，由該控制器4〇來對上述閥 等進行開閉控制。以下，針對基於該控制器4〇之控制之基 板S之清洗動作的一例進行說明。 作為開始基板s之處理之準備階段，於各貯槽2〇a〜2〇c 中貯存固定量之新液體（新淋洗液）。以如下方切存新液 體：經由新液體供給管28而冑新液體㈣木洗液供給源3〇導 入至第三貯槽20C，該新液體經由圖外之送液管而輸送至 上游側之貯槽20A、20B中。 虽各打槽20A〜20C之準備結束後，驅動輸送輥12而開始 輸送基板S，自上游側以傾斜姿勢輸送經藥液處理後之基 板s。然後，當由配置於第一處理槽1〇A之靠近上游側之^ 外之基板（前端）感應器檢測出基板s的前端時，自第一處 理槽10A内之喷淋喷嘴14噴出淋洗液，開始對基板s供給淋 洗液。藉此，當基板s搬入至第一處理槽10A内時，自噴淋 喷嘴14朝基板S之上表面供給淋洗液，以對基板8實施特定 之清洗處理。再者，於清洗處理中，自基板s之上表面流 下之淋洗液之一部分流入至pH值測定裝置丨6之接液部 17(參照圖2)，藉此測定供基板8之處理使用後之淋洗液之 pH值。

繼而，進一步輸送基板S，當由配置於第一處理槽丨0A I29948.doc •14- 200903599 内之下游端附近之圖外之基板（後端）感應器檢測出基板s 的後端時’停止自喷淋噴嘴14供給清洗液。 經過第一處理槽10A後之基板S進而藉由輸送輥12之驅 動而依序輸送至第二處理槽10B、第三處理槽i〇c,於該 等處理槽10B、10C中，藉由對基板S之上表面供給淋洗液 而同樣地實施清洗處理。此時，於各處理槽10B、i〇c 中，亦與第一處理槽10A同樣，於處理中，藉由pH值測定 裝置16來測定自基板8流下之淋洗液之pH值。 如此，當基板S經過各處理槽i〇A〜10C後，對該基板8進 行之一系列之清洗處理結束。雖已省略說明，但於第二、 第三各處理槽10B、loc中，亦係基於由配置於處理槽 10B、10C之靠近上游側之基板（前端）感應器、以及配置於 各處理槽10B、10C内之下游端附近之基板（後端）感應器進 行的對基板S之檢測，而控制開始供給以及停止供給淋洗 液。

再者，於此種基板s之清洗處理中，基於上述pH值測定 裝置16之測定結果，以如下之方式控制對各處理槽 10A〜l〇c中之基板8供給淋洗液之供給量。亦即，於對蝕 刻處理（藥液處理）後之基板s實施清洗處理（使用純水作為 =洗液之清洗處理）之上述裝置中，在清洗處理中，用以 清洗基板S之使用後之淋洗液之pH值隨處理之進行而變 化。具體而言’於剛開始處理後，淋洗液之pH值高，隨著 處理之進行’ pH值降低。因此，於上述控制器4〇中預先儲 存有針對各處理槽10A〜10C之與基準清洗等級相對應之pH 129948.doc 200903599 值（稱為基準值），運算出各處理槽10A〜1〇c中之測定pH值 (例如特定時間之平均值）與上述基準值之差，基於該結果 ，控制對各處理槽10A〜10C中之基板8供給淋洗液之供給 量。具體而言，於測定pH值高出基準值固定等級以上之情 形時，即，於未充分地對基板S進行清洗之情形時，控^ 閥22a之開度等，使得每單位時間之淋洗液之供給量僅增 加特定流量。相反，於pH值低於基準值固定等級以上之^ 形時，即，於過分地對基板S進行了清洗之情形時，控^ 閥22a之開度等，使得淋洗液之每單位時間之供給量僅減 少特定流量。以固定之週期或者根據操作人員之輸入操 作，來進行此種對於基板S供給淋洗液之供給量之控制。' 再者，於上述泵23例如為以變頻馬達為驅動源之泵之情形 日寸，取代控制上述閥22a之開度，或於控制該開度之同時 使上述馬達之轉速變化，藉此控制朝喷淋噴嘴14供給淋洗 液之供給流量。 ' 另一方面，於基板s之清洗處理中，藉由第二pH值測定 裝置36來測定各貯槽20A〜20C内之淋洗液之1311值。於控制 器40中，與上述流量控制用之基準值不同地，針對各貯槽 20A〜20C而預先儲存有液體管理用之？11值之基準值於任 一個貯槽20A〜20C中，若測定pH值超過基準值，亦即，若 各貯槽20A〜20C内之淋洗液劣化至固定等級以上則該貯 槽20A〜20C内之淋洗液之一部分經由廢液管％而被廢棄， 或者經由圖外之送液管輸送至上游侧之貯槽中，另一方 面，自下游側之貯槽將污染少之淋洗液經由送液管而輸送 129948.doc • 16 - 200903599 至該貯槽，藉此恢復淋洗液之功能。 如上所述’於上述實施形態之基板處理裝置中，由第_ PH值測定裝置16測定與基板s之處理狀況有相關性之使用 後之淋洗液之pH值，當根據該測定值判斷未充分地對基板 S進行清洗時（當測定pH值高於基準值固定等級以上時）， 對朝基板S供給淋洗液之供給量進行增量修正；相反，當 判斷過分地對基板S進行了清洗時（當測定pH值低於基準值 固定等級以上時），對朝基板S供給淋洗液之供給量進行減 量修正，因而能夠根據基板S之處理狀況，於對基板s供給 必要充分之淋洗液之同時進行清洗處理。因此，能夠抑制 淋洗液之浪費，從而能夠經濟地對基板S進行處理。 尤其於該裝置中，如上所述，因由pH值測定裝置1 6直接 接受自基板S流下之淋洗液而測定其pH值，故而存在如下 優點，即，能夠對應於實際之基板s之處理狀況而準確地 控制對基板S供給淋洗液之供給量。亦即，作為其他方 法，亦考慮測定經由導出管24A〜24C而自各處理槽 10A〜10C導出之淋洗液ipH值，但於該情形時，包含未注 入至基板S而落下至處理槽10A〜10c之内底部等，並附著 於該内底部等之多餘的污染成分之淋洗液亦成為p Η值之測 疋對象因此，測定結果並未成為與實際之基板s之處理 狀況相對應之值，難以根據基板8之處理狀況來準確地控 制淋洗液之供給量，然而，相對於此，根據上述實施形態 之構成由於僅實際注入至基板S而供處理之淋洗液成為 pH值之測定對象而測定值之可靠性高，因而能夠對應 129948.doc 17 200903599 於實際之基板s之處理狀況而準確地控制對基板8供給淋洗 液之供給量。 其次，使用圖3來說明本發明之第二實施形態。 圖3以模式圖概略地表示第二實施形態之基板處理裝 置。該圖所示之基板處理裝置之構成，於以下方面與第一 實施形態之基板處理裝置不同，除此以外之構成基本上與 第一實施形態共同。因此，對與第一實施形態共同之部分 標上相同之符號並省略說明’僅對不同點進行詳細說明 (這點對下述之第三實施形態亦相同）。 首先’於該裝置中設置有導出管24A〜24C，以便將於各 處理槽10A〜10C中經使用之淋洗液返回至分別與各處理槽 10A〜10C相對應之貯槽2〇A〜2〇c中。藉此，若為第一處理 槽10A，則將第一貯槽2〇a之淋洗液輸送至第一處理槽1〇A 而供給至基板s，並將使用後之淋洗液自第一處理槽1〇A回 收至第一貯槽20A，於該情形時，以於第一處理槽1〇A與 第一貯槽20A之間使淋洗液循環之同時進行基板s之清洗處 理之方式，構成淋洗液之供給系統。第二處理槽10B、第 二處理槽10C亦同樣。 又’於第三貯槽20C與第二貯槽20B之間，設置有用以 將第三貯槽20C内之淋洗液輸送至第二貯槽20B且具有录 32a之第—送液管32，進而，於第二貯槽2〇b與第一貯槽 20A之間’設置有用以將第二貯槽2〇B内之淋洗液輸送至 第一貯槽20A且具有泵34a之第二送液管34 »藉此，能夠自 下游侧依序對上游側之貯槽輸送淋洗液。 129948.doc -18- 200903599 亦即’於第二實施％態之基板處理裝置中，冑新淋洗液 自淋洗液供給源30導入至第三貯槽2〇c之同時，將該淋洗 液經由上述送液管32、34而依序輸送至上游側之貯槽 20A、20B，藉此於將淋洗液貯存於各貯槽2〇A〜2〇c之後， 如上所述，於各處理槽10A〜1〇c與各自所對應之貯槽 20A〜20C之間使淋洗液循環之同時，進行基板8之清洗處 理，根據需要，將第一貯槽20A之淋洗液經由廢液管％而 廢棄，同時將下游側之貯槽2〇8、2〇c之淋洗液經由送液 管32、34而依序輸送至上游侧。 於該第二實施形態之基板處理裝置中，基於？11值測定裝 置16 ' 36之測定結果，由上述控制器4〇以如下之方式對上 述閥22a等進行控制。 於上述控制器40中，作為與各處理槽1〇A〜1〇c之基準清 洗等級相對應之pH值，儲存有分別與使用前之淋洗液之 pH值及使用後之淋洗液之pH值之差相對之基準值，亦 即，與第二pH值測定裝置36(相當於本發明之第二測定機 構）之測定值及第一 pH值測定裝置〗6(相當於本發明之第一 測定機構）之測定值之差相對之基準值。並且，於清洗處 理中，以固定之週期或基於操作人員之輸人操作，對每: 處理槽10A〜10C運算出使用前、使用後淋洗液之pH值基 於攻結果，控制對各處理槽〗〇A〜〗〇c中之基板§供給淋洗 液之供給量。再者，所謂「使用前」、「使用後」，係指各 處理槽10A〜10C _之淋洗液之「使用前」、「使用後」。

例如，若以第一處理槽丨0A為例進行說明，則運算由pH 129948.doc -19- 200903599 值測定裝置16測定之淋洗液（使用後之淋洗液）之？1^值、與 由第一 pH值測疋裝置36測定之第一貯槽2〇A内之淋洗液（使 用前之淋洗液）之pH值之差，當該值相對上述基準值大固 定等級以上時，’亦#，當判斷未充分地對基板S進行清洗 時，控制閥22a之開度，使得淋洗液之每單位時間之供給 量僅增加特定流量。相反，當上述運算值相對上述基準值 低固定等級以上時，亦即，當判斷過分地對基板8進行了 清洗時，控制閥22a之開度等，使得淋洗液之每單位時間 Γ 之供給量僅減少特定流量。藉此，對基板S供給與該基板s 之處理狀況相稱之必要充分之淋洗液。再者’雖於此處以 第一處理槽10A之處理為例進行了說明，但第二處理槽 10B及第三處理槽i〇c中之處理亦同樣。 亦即，於如上述般，在各處理槽1〇A〜1〇c與各自所對應 之貯槽20A〜20C之間使淋洗液循環之同時進行基板s之生 洗處理之第二實施形態的基板處理裝置中，自噴淋喷嘴Μ 喷出之淋洗液會隨時間而劣化。因此，如淋洗液並不隨時 ^ 間劣化之第一實施形態般，僅根據ΡΗ值測定裝置16之測定 結果，則難以準確地把握基板S之處理狀況。因此，於第 二實施形態中，基於使用前、使用後之淋洗液之pH值之變 化’控制對基板S供給淋洗液之供給量。因此，根據該第 二實施形態之基板處理裝置，於如上述般，在各處理样 10A〜10C與各自所對應之貯槽20A〜2〇c之間使淋洗液循^ 之同時進行基板S之清洗處理的裝置構成中，能夠享受與 第一實施形態之裝置同樣之效果’即’能夠抑制淋洗 129948.doc -20- 200903599 浪費，從而能夠經濟地對基板s進行處理。 其次，使用圖4來說明本發明之第三實施形態。 圖4以模式圖概略地表示第三實施形態之基板處理裝 置。該圖所不之基板處理裝置設置有導出管ΜΑ、24B， 以便將於第-、第二處理槽1〇A、1GB中經使用之淋洗液 返回至與各處理槽10A、1〇B分別對應之貯槽2〇a、2〇b 中。藉此，若為第一處理槽1〇A，則將第一貯槽2〇A之淋 洗液輸送至第一處理貯槽2〇A而供給至基板s，並且將使用 後之淋洗液自第一處理槽1〇A回收至第一貯槽2〇A中，於 該情形時，能夠於第一處理槽1〇A與第一貯槽2〇A之間使 淋洗液循環，同時進行基板s之清洗處理。對第二處理槽 10 B亦同樣。 於各導出管24A、24B上分別設置有閥25，並且設置有 自該閥25之上游側分支之分支管24A1、24B，。自第一處理 槽10A之導出管24A分支之分支管24AI連接於圖外之廢液 貯槽’另一方面，自第二處理槽1〇B之導出管24B分支之 分支管24B’連接於第一貯槽2〇A。亦即，根據需要而對閥 25進行操作，藉此能夠將自第一處理槽10A導出之使用後 之淋洗液經由分支管24A,而導出至廢液貯槽中，又，能夠 將自第—處理槽丨〇B導出之淋洗液經由分支管My而輸送 至第一貯槽20A中。於該實施形態中，上述分支管24A，' 24B1以及閥25等相當於本發明之排液機構。 再者，於該裝置中，並未設置與第三處理槽1〇c相對應 之弟一貯槽2〇c，而直接經由供給用配管22，將新液體自 129948.doc -21 - 200903599 淋洗液供給源3〇供給至第三處理槽10C。又，於與第一、 第二處理槽10A、10B相對應之各貯槽20A、20B上分別連 接有具有閥39a之新液供給管39(相當於本發明之新液導入 機構），能夠將新液體直接自淋洗液供給源3〇導入至各貯 槽 20A、20B。 亦即，於第二實施方式之基板處理裝置中，將淋洗液自

淋洗液供給源30分別貯存於第一貯槽2〇A與第二貯槽2〇B 之後、，星由各供給用配管22而朝第一〜第三處槽丨〇A〜丨〇c

分別輸送淋洗液’以進行基板8之清洗處理，此時，於第 一、第二各處理槽10A、丨⑽中，於與對應之貯槽2〇A、 廳之間使淋洗液循環之同時進行基板s之清洗處理，根據 扁要將自第一處理槽10B導出之淋洗液經由導出管 謂（分支管24B，）而輸送至第一貯槽2〇A，並且，將自第一 處里槽10A導出之淋洗液經由上述導出管2从（分支管“A,) 而廢棄。

於該裝置中， 上述控制器40以 3 9a等進行控制。 基於PH值測定裝置16、36之測定結果， 如下之方式對輸送輥12之驅動以及閥25 由 亦即’運算出各處理槽1〇A〜1〇c中之帛一阳值測定裝置 ⑽敎PH值與其基準值之差，當測定PH值高於基準值 ^ "、上^ (未充分地對基板s進行時），使輸送輥12 輸送基板s之輸送速度降低至固定速度為止，藉此，基板s 之清洗時間相對於標準時間被延長，對基板供給淋洗液之 供給W增加。相反，當測定pH值低於基準值固定等級以 129948.doc -22- 200903599 上時（過分地對基板S進行了清洗時），使輸送輥12輸送基 板S之輸送速度僅上升固定速度’藉此縮短基板§之清洗時 間，減少對基板8供給淋洗液之供給量。 又’於基板S之清洗處理中，當於第一處理槽10A中， 第一 PH值測定裝置16之測定pH值超過其基準值（液體管理 用之特定之pH值）時’自該第一處理槽1〇A導出之淋洗液經 由上述導出管24A(分支管24A，）而被廢棄。同樣，當於第 二處理槽10B中，測定pH值超過其基準值時，自第二處理 槽1〇B導出之淋洗液經由導出管24B(分支管24B')而輸送至 第貯槽20A中。X，經由新液供給管39而將新液體導入 至各貯槽20A、20B。藉此，可恢復使淋洗液於各處理槽 1 〇A 10B中循環之功能。亦即，於該實施形態中，上述 控制器4G相當於本發明之供給量控制機構及更換控制機 構。 根據如上所述之第三實施形態之裝置，當過分地對基板 S進行了清洗時，將基板3之輸送速度僅提高固定速度藉 此抑制對基板S供給淋洗液之供給量，相反，當未充分地 對基板δ進行清洗時，將基板S之輸送速度僅下降固定速 度，藉此增加對基板s供給淋洗液之供給量，因此，與第 一實施形態同樣，能夠於將與基板s之處理狀況相應之必 要充分之淋洗液供給至基板s之同時進行清洗處理，因而 能夠抑制淋洗液之浪費，從而能夠經濟地對基板s進行處 理。又，由於以上述方式，根據基板s之清洗處理之進展 情況而提高基板S之輸送速度，故而與總是以固定速度來 129948.doc -23- 200903599 輸送基板s之同時實施清洗處理之情形相比，有能夠提高 產量之優點。 再者，以上所說明之第一〜第三實施形態之基板處理裝 置係本發明之基板處理裝置之較佳之實施形態的一例，其 具體構成於不脫離本發明宗旨之範圍内可進行適當變更。 例如，於實施形態中，以一面由接液部】7接受自基板s 流下之淋洗液，一面將淋洗液引導至pH值計主體丨8内之方 式’構成第一 pH值測定裝置16，但當然亦可省略接液部 17，而直接由該PH值計主體18接受自基板s流下之淋洗 液，並測定pH值。總之，只要可於自基板s流下之淋洗液 到達處理槽10A〜10C之底部之前測定該淋洗液之pH值即 可。然而，於使用有如上述實施形態之第一 pH值測定裝置 16之情开> 日守，即使當淋洗液沿基板s稀疏地流下時，亦能 夠使淋洗液可靠地與pH值計主體18接觸，因而能夠更可靠 地測定pH值。 再者，於實施形態中，基於淋洗液之劣化程度來把握基 板s之處理狀況，如上所述，藉由測定淋洗液之pH值來檢 測淋洗液之劣化程度，但當然，只要是與淋洗液之劣化程 度相關聯之物理量，則亦可檢測除？11值以外之物理量。例 如，亦可測定淋洗液之比電阻值或導電率。 又，於第一實施形態中，基於第一處理槽1〇A2pH值之 測疋結果，來控制於該第一處理槽丨〇A中對基板§供給淋洗 液之供給量，但例如亦可不於第一處理槽1〇A中進行淋洗 液之供給量之控制，或者對第—處理槽丨〇 A中之淋洗液之 129948.doc -24· 200903599 供給量進行控制，同時基於第一處理槽10A之pH值之測定 結果，控制於下游側之處理槽10B、10C中對基板S供給淋 洗液之供給量。具體而言，當判斷於第一處理槽1〇Α中， 過刀地對基板s進行了清洗時（pH之測定值低於基準值固定 等級以上時），可對在處理槽10B、1〇c中供給至基板s之淋 洗液之供給量進行減量修正，或者省略處理槽1 0B、1 0C 中之任一個處理（亦即，不供給淋洗液而僅使基板s經 過）。總之，亦可基於在上游側處理槽中之淋洗液之1)11值 之測定結果，來控制下游側處理槽之淋洗液之供給量等。 該方面對第二、第三實施形態亦同樣。 又，實施形態係，將本發明應用於在輸送基板s之同時 朝其上表面供給淋洗液之類型之基板處理裝置中的例子， 但當然，於靜止之狀態下朝基板8供給淋洗液以進行清洗 處理’於清洗結束之後，將基板s輸送至下游側，對此種 類型之基板處理裝置亦能夠應用本發明。於該情形時，可 由PH值測定裝置來測定自基板S流下之淋洗液之1)11值，當 該測定值降低至認為基板S之清洗已結束之固定等級為止 時’停止淋洗液之供給並搬出基板S。藉此，由於能夠將 淋洗液之消耗量以及基板S之停止時間抑制於所需之最小 限度’故而能夠經濟且有效地進行基板s之清洗處理。尤 其關於第三處理槽l〇C，若以上述方式進行處理，則能夠 預先避免出現將清洗處理不充分之基板s搬出至下游側這 樣之問題，其結果為，具有能夠進一步提高清洗處理之可 靠性之優點。 129948.doc -25- 200903599 又，為了根據清洗處理之進展程度來增減對基板s供給 淋二液之供給量’於第一、第二實施形態中，控制淋洗液 之母早位時間之供給量’又，於第三實施形態中，控制基 板s之輸送速度（基板s之處理時間），但當然，亦可藉由控 制來自切噴嘴14之淋洗液之噴出量、與基板8之輸送速 度此兩者，來使對基板s供給淋洗液之供給量增減。 又，於實施形態中，作為本發明之應用例，針對對蝕刻 處理後之基板S實施清洗處理之基板處理裝置進行了說 月但本發明亦能夠應用於對例如抗蝕皮膜剝離處理後之 基板S進行清洗之裝置。又，除於以上述方式使淋洗液沿 基板S流下之同時，實施清洗處理之裝置以外，本發明亦 能夠應用於在使藥液沿基板s流下之同時進行藥液處理之 裝置又，除了如實施形態般，於朝傾斜姿勢之基板8供 給處理液（清洗液）之同時進行處理之裝置以外，本發明亦 能夠應用於在朝水平姿勢或垂直姿勢之基板8供給處理液 之同時實施處理之裝置。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之基板處理裝置（第一實施方式）之模 式圖。 圖2係表示各處理槽中之基板與第—pH值㈣定裝置之位 置關係以及第一 PH值測定裝置之構成的處理槽之内部側面 圖。 圖3係表示本發明之基板處理裝置（第二實施方式）之模 式圖。 129948.doc -26- 200903599 圖4係表示本發明之基板處理裝置（第三實施方式）之模 式圖。 【主要元件符號說明】 10A 第一處理槽 10B 第二處理槽 10C 第三處理槽 12 輸送輥 14 喷淋喷嘴 16 ' 36 pH值測定裝置 17 接液部 18 pH值計主體 20A 第一貯槽 20B 第二貯槽 20C 第三貯槽 22 供給用配管 40 控制器 129948.doc -27-

Claims (1)

1. 200903599 十、申請專利範圍： 1· 一種基板處理裝置，其传句合拉 共糸匕3耩由贺嘴構件朝基板之表 面供給處理液而對基板實施特定之處理之處理槽者盆 特徵在於： 〃 包含測定機構，該測定機構在自上述基板之表面流下 :處理液到達上述處理槽的底部之前接受該處理液，測 定與該處理液之劣化狀態相關聯之特定之物理量。 2_如請求項1之基板處理裝置，其中 L 3在處理中將上述基板以傾斜姿勢支持之支持機 構，上述敎機構配置於受到上述支持機構支持之基板 之低位側之端緣的下方。 3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中 上述測定機構包含：測定部，其與處理液相接觸而測 定上述物理量；以及引導部，其接受自基板流下之處理 液並將該處理液引導至上述測定部。 4. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中 . 該基板處理裝置包含供給量控制機構，該供給量控制 機構基於上述物理量之測定結果而對朝基板供給之處理 液之供給量進行控制。 5. 如請求項4之基板處理裝置，其中 上述供給量控制機構基於上述測定結果來控制每單位 時間之處理液之供給量。 6. 如請求項4之基板處理裝置，其中 上述供給量控制機構基於上述測定結果來控制對基板 129948.doc 200903599 供給處理液的供給時間。 7·如請求項6之基板處理裝置，其中 一面輸送基板一面對該基板供給處理液，上述供給量 控制機構基於上述測定結果來控制基板之輸送速度。 8. 如請求項4之基板處理裝置，其中 當將上述測定機構設為第一測定機構時，進而包含與 該第-敎機構不同之第二敎機構，該第二測定機構 測定與供給至基板之前之處理液相關之上述物理量，上 述供給量控制機構基於該等第―、第二敎機構之測定 結果之差來控制上述供給量。 9. 如請求項丨或2之基板處理裝置其中 包含： 處理液之循環系統，其將在上述處理槽之處理中經使 用且在使用|被回收之處理液再次用於上述處理槽中之 處理；

   排液機構其將在該循環系統内循環之處理液中在使 用後被回收之處理液自該循環系統排出； 新液導入機構，其向該循環系統内導入新的處理液； 以及 更換控制機構，其基於上述測定機構之測定結果來控 制上述排液機構及新液導入機構，由此更換上述循環系 統内之處理液。 10. 如請求項4之基板處理裝置， 包含第一處理槽與第二處 其中 理槽作為上述處理槽 該第 129948.doc 200903599 二處理槽使用與上述第一處理槽 該第-處理槽中結束處理之基：二一：類之處理液對在 基板進行處理，並且，包含 處理液之供給系統，其係將在上述第二處理槽之處理令 經使用且在使用後被回收之處理液用於上述第—處理槽 中之處理，在上述第一處理槽上配置有上述測定機構， 上述供給量控制機構基於上述測定結果來控制在第一處 理槽中對基板供給處理液之供給量、及在第二處理槽中 對基板供給處理液之供給量中之至少一方。 129948.doc