TW200903586A - Driving apparatus, holding apparatus, exposure apparatus, and semiconductor device fabrication method - Google Patents

Description

200903586 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關係於驅動設備、保持設備、曝光設備及半導 體裝置製造方法。 【先前技術】 曝光設備傳統上，使用光微影術以製造微圖案半導體 裝置’例如半導體記憶體或邏輯電路。曝光設備將各種形 成在光罩（原版）上之圖案（電路圖案）轉印至例如矽晶圓（基 材）上。 隨著近來半導體裝置積集度的增加，將愈來愈細之圖 案轉印至晶圓上變成經常性實務。因此，曝光設備需要具 有一投影光學系統’其較不會受到波前像差或失真（即有 優良解析能力）。爲了製造大型積體電路裝置，不只想要 改良投影光學系統的解析能力，同時也要改良重疊準確度 (將幾個圖案重疊至晶圓上之準確度）成爲一重要因素。 爲了符合此要求’有必要建立光學元件，例如在投影 光學系統中之透鏡’在此同時，它們被精確地定位（滿足 其光學設計）。也有必要在所用曝光設備上下變動時（例如 氣壓變化或曝光時所產生熱的上下變動），調整光學元件 在投影光學系統內之位置。在用以在投影光學系統中彼此 固持的光學堆疊框體中，框體的位置係被調整，以定位光 學元件。此光學元件定位需要非常小心框體的位置調整， 耗用很多時間。 -4- 200903586 在此情形下’日本特許公開2 0 0 5 - 1 7 5 2 7 1提議一驅動 機制（調整機制），其可以容易地執行以高準確地之投影光 學系統中之光學元件的定位與位置調整。此驅動機制係被 等距地安排在光學元件之圓周的三個位置上，並可以使用 例如堆疊之壓電元件之直線（rectilinear)致動器，來驅動 光學元件於垂直方向（Z方向）及傾斜方向（θχ方向及0y方 向）。基本上，如圖7所示，用以量測光學元件〇E之位移 之位移感應器CD延伸於Z方向。光學元件0E在三個方 向（Z方向、θχ方向及0y方向）中之位置可以藉由回授位 移感應器CD所取得之量測結果至直線致動器DA加以控 制。圖7爲一方塊圖，顯示爲傳統驅動機制進行之光學元 件之位置控制。 近年來，其也需求開發一驅動機制，其可以執行光學 元件之定位與位置調整於Z方向中有較長之行程及較高之 準確度。 不好的是，當光學元件在Z方向中之行程增加，傳統 驅動機制不可避免地以更大量驅動於θχ方向及0y方向 中。這可能過量地傾斜（偏斜）光學元件。結果，黏結光學 元件與格之黏著應力超出一限制。然後，光學元件由格剝 離（或光學元件損壞）或塑性變形爲超出作動在格上之應力 限制。 光學元件之傾斜可以使用位移感應器限制（控制）。然 而，如果位移感應器故障，則便不可能限制光學元件的傾 斜。 -5- 200903586 【發明內容】 本發明提供一種驅動設備’其驅動例如光學元件之物 體於垂直方向（Z方向）及傾斜方向（ΘΧ方向及ey方向）’同 時限制物體於其傾斜方向的驅動量，以防止物體的任何損 壞及變形。 依據本發明另一態樣，提供一驅動一物體的驅動設 備，其包含：多數壓電元件，架構以驅動該物體的多數部 份；多數電壓施加單元，架構以施加電壓至多數壓電元 件；及一控制單元，架構以控制多數電壓施加單元，使得 於施加至該多數壓電元件之電壓間之差並不超過一預定 値。 依據本發明之另一態樣，其中提供一保持設備，包 含：一保持單元，架構以保持一光學元件；及一驅動設 備，架構以驅動爲該保持單元所保持之光學元件；及該驅 動設備包含：多數壓電元件，架構以驅動該光學元件的多 數部份；多數電壓施加單元，架構以施加電壓至該多數壓 電元件；及一控制單元，架構以控制多數電壓施加單元， 使得於施加至多數壓電元件之電壓間之差並不超過一預定 値。 依據本發明另一態樣，其中提供一曝光設備，其包含 上述保持設備’及一光學系統，架構以經由爲該保持設備 所保持之光學元件曝光，而轉印光罩圖案至一基材。 依據本發明另一態樣，提供一半導體裝置製造方法， -6- 200903586 包含步驟：使用上述曝光設備，曝光一基材；及對該已曝 光基材’執行一顯影程序。 本發明之其他態樣將由以下例示實施例的說明，配合 上附圖加以了解。 【實施方式】 本發明之較佳實施例將參考附圖加以描述。相同元件 符號表示所有圖中之相同元件，及其重覆說明將被省略。 圖1爲依據本發明一態樣之保持設備1的立體圖。圖 2爲一剖面圖，顯示保持設備1的剖面圖。保持設備1保 持光學元件OE，例如透鏡、平行板玻璃、棱鏡、鏡面、 雙光學件及全像片。在此實施例中，保持設備1被實施爲 保持設備，其固持曝光設備之投影光學系統之透鏡。然 而，保持設備1也可以適用爲一保持設備，其保持照明光 學系統之光學元件或曝光設備之另一光學系統之光學元 件。保持設備1並未特別限定於執行曝光設備的光學元件 之定位及位置調整。保持設備1也可應用於例如電子顯微 鏡機台的設備，其需要高準確度的定位。如圖1及2所 示，保持設備1包含一格1 0、保持單元20、驅動單元 30、及位移感應器40。 格1 0爲一環狀構件，具有光學元件〇 E的光軸作爲 中心。例如，格1 〇作爲一移動體（物體），其經由黏劑黏 結至光學元件〇E並爲驅動單元30所驅動（如後述）。在此 實施例中，格被安裝在保持單元20上。 200903586 保持單元20爲一固定塊，將被黏結至光學元件〇E 之格格1 0固定至投影光學系統之透鏡鏡筒。例如，保持 單元20經由三個安排在光學元件0E圓周上，使用光學 元件0E之光軸作爲中心，以120度之間距（等距）之安裝 單元安裝格1 〇。換句話說，保持單元2 0經由格1 0保持 光學元件0E。 驅動單元30連接至格1 0並相對於保持單元20於垂 直方向（Z方向）及傾斜方向（θχ方向及0y方向）驅動光學元 件OE。換句話說，驅動單元3 0作爲一驅動設備，其藉由 驅動光學元件OE， 執行光學元件OE於投影光學系統中 之定位及位置調整。在此實施例中’驅動單元3 0使用光 學元件OE之光軸作爲中心’以120度的間距（等距）被安 排在光學元件〇 E之圓周上。以此配置’驅動單元3 0可 以取得三個軸向之驅動，即Z方向、θχ方向及0y方向的 驅動。將如以下所詳述’當在z方向中以相當長行程驅動 光學元件〇E時，驅動單元30可以限制於θχ方向及 方向中之傾斜（偏斜）。 位移感應器4 0量測光學元件〇 E之位移。在此實施 例中，如圖2所示，位移感應器4 0包含五感應器’即延 伸於Z方向（垂直於圖2之紙張的方向）的三個感應器 4〇z、延伸於X方向之感應器40x、及延伸於γ方向之感 應器40y。投影光學系統中之光學元件〇E的定位與位置 調整可以藉由將位移感應器4 0所取得之量測結果（即光學 元件0 E之位移）回饋至驅動單元3 0加以控制。基本上’ -8- 200903586 只有延伸於Z方向中之三個感應器40z可 OE在三個軸向，即 Z方向、θχ方向及 置。 驅動單元30的詳細配置將如下所述 圖，顯示依據第一實施例之驅動單元30 所示，依據第一實施例之驅動單元3 0包 310a至310c;多數電壓施加單元320a至 元 3 3 0 ° 各個該多數壓電元件310a至310c之 元件，作爲一電容性負載。該多數壓電元 具有第一終端3 1 2a至3 1 2c與第二終端3 膨脹/收縮取決於施加於第一終端3 1 2a至 端314a至314c之電壓。該多數壓電元件 由格1 0驅動光學元件OE之多數部份。 3 10a至3 10c之膨脹/收縮量（即光學元件 以爲施加至其上之電壓所控制。 多數電壓施加單元320a至320c施加 電元件3 1 0 a至3 1 0 c之第一終端3 1 2 a至： 3Ma至314c。該多數電壓施加單元320a 如電流放大器。 控制單元3 3 0控制多數電壓施加單元 使得施加至該等多數壓電元件3 1 0 a至3 1 ^ 並不超出一預定値。換句話說，控制單元 壓電元件310a之電壓、及施加至壓電元f 以控制光學元件 Θ y方向中的位 。圖3爲一電路 之配置。如圖3 含多數壓電元件 3 20c ;及控制單 例子係爲一壓電 件 3 1 0 a 至 3 1 0 c 14a 至 314c ，及 3 12c與第二終 310a 至 310c 經 該多數壓電元件 Ο E之驅動量）可 電壓於該多數壓 3 1 2 c與第二終端 至3 2 0 c包含例 320a 至 320c ， 〕c之電壓間之差 3 3 0防止施加至 3 1 0 b的電壓、 -9- 200903586 及施加至壓電元件310c之電壓間之差（電位差）超出一預 定値。這變得可以防止一特定壓電元件在膨脹/收縮量之 顯著增加（例如Z方向中之光學元件OE之驅動量），因 而，防止光學元件OE過度傾斜（於θχ方向及0y方向 中）。在第一實施例中，控制單元330包含二極體331a至 331c及332a至332c及齊納二極體333。 —極體331a至331c與332a至332c決定電流流動方 向。在第一節點FN及多數壓電元件31 0a至310c之第一 ί[而312a至312c間’—極體331a至331c構成第一二極 體，其中’陽極係朝向第一端312a至312c。在多數壓電 元件310a至310c之第一端312a至312c間，二極體332a 至332c構成第二二極體’其中陰極係朝向第一端3i2a至 3 1 2c = 齊納二極體3 3 3決定一電壓値（預定値）Vlim，施加至 多數壓電元件310a至310c之電壓間之差（電位差）係被限 制至該電壓値。電壓値Vlim爲多數壓電元件310a至3 10c 間之電位差的上限。根據齊納二極體3 3 3的齊納電壓Vzd 及二極體331a至331c與332a至332c之導通電壓（約0.6 伏）’電壓値Vlim變成約1 .2伏（Vlim = Vzd+l .2V)。齊納二 極體3 3 3係連接於第一節點FN及第二節點SN之間，使 得齊納二極體3 3 3之陽極係朝向多數壓電元件3 1 0 a至 3 1 〇 c之第二端。 以下將解釋控制單元3 3 0之操作。爲了簡化說明起 見’將注意在壓電元件3I〇a及310b。假設Vi爲施加至 -10- 200903586 (產生於）壓電元件310a之第一端312a及第二端314a之 間的電壓，及V2爲施加至（產生於）壓電元件310b之第一 端312b及第二端314b間之電壓，V2>V1。 參考圖3，當例如於壓電元件3 1 0a之第一端3 1 2a及 壓電元件3 10b之第一端3 12b間之電位差（V2_ VI)大槪要 超出電壓値VlilT1時，齊納二極體3 3 3被驅動。一流動經 連接至壓電元件310b之第一端312b的節點之電流iB， 以相當低電壓，經由二極體331b及332a進入連接至壓電 元件310a之第一端312a的一節點。結果，於壓電元件 3 1 0a之第一端3 1 2a與壓電元件3 1 Ob之第一端3 1 2a間之 電位差被抑制低於電壓値Vlim。一連串之這些操作可以迅 速應用至使用三個或更多壓電元件的情形中。例如，如果 一壓電元件被額外提供時，額外提供兩二極體，使得有可 能控制於施加至多數壓電元件之電壓間之差。 示於圖3中之驅動單元驅動單元30中之控制單元 3 3 0可以容易地控制施加至多數壓電元件之電壓間之差。 這可以更防止例如在Z方向中驅動光學元件OE之單一特 定壓電元件接收相當高之電壓（即，防止光學元件OE之驅 動量增加於Z方向），因而’光學元件OE過度傾斜（於θχ 方向及ey方向中）。換句話說，有可能防止驅動光學元件 Ο E時，光學元件〇 E的損壞及變形，同時，限制光學元 件Ο E於其傾斜方向中之驅動量。 因爲示於圖3之驅動單元3 0根據齊納電壓Vzd決定 電壓値Vlim，所以有可能容易藉由替換齊納二極體3 3 3， -11 - 200903586 來改變電壓値vlim。驅動單元30之配置使用允許取得一 機制’其容易地以最低成本限制光學元件Ο E之傾斜。 圖4爲依據第二實施例之驅動單元3 0之配置的電路 圖。如圖4所示，依據第二實施例之驅動單元3 0包含多 數壓電元件310a至310c、多數電壓施加單元320a至 320c、及控制單元330A。 控制單元3 3 0A控制多數電壓施加單元3 20a至 320c’使得施加至壓電元件310a至310c之電壓間之差並 不超出一預定値。即使控制單元3 3 0 A具有類似於3 3 0之 功能，其構成元件與控制單元3 3 0者不同。在第二實施例 中，控制單元330A包含二極體331a至331c及332a至 3 3 2c，電阻3 3 4a及 3 34b、電晶體 3 3 5、齊納二極體 3 3 6、電晶體3 3 7及電阻33 8。 電阻334a及334b將分出一電壓値（預定値）VHin，施 加至多數壓電元件310a至310c之電壓間之差（電位差）係 被限制。換句話說，電阻3 34a及3 34b作爲一電壓除法電 路，其除以第一節點FN及第二節點SN間之電壓。 電晶體（第一電晶體）3 3 5具有：一基極，被施加以有 作爲電阻除法電路的電阻3 3 4 a及3 3 4 b所除之電壓；一集 極，連接至第一節點側；及一射極，連接至第二節點側。 齊納二極體3 3 6係連接至第二節點S N與電晶體3 3 5 之射極間，使得其陰極朝向電晶體3 3 5之射極。 電晶體（第一電晶體）337具有：一基極，被施加有齊 納二極體3 3 6之陽極之電壓；一集極，連接至該第一節點 -12 - 200903586 側；及一射極，連接至第二節點側。 電阻3 3 8作爲一作動電路，其作動（即導通）電晶體 3 3 7。電阻3 3 8係連接於第二節點SN及齊納二極體3 3 6 之陽極間。然而，也可能以MOSFET替代電阻338。 參考圖4，電阻334a及334b與齊納二極體336決定 電壓値 Vlim。電壓値 Vlim係被決定爲（Vzd + 2.4V)x (R〗+R2)/R2，其中Vzd爲齊納二極體3 3 3 6之齊納電壓， R 1爲電晶體3 3 4 a之電阻，R2爲電晶體3 3 4b之電阻。注 意的是，電晶體335及337之導通電壓爲0.6伏。 以下將解釋控制單元3 3 0 A之操作。爲了簡明說明起 見，將針對壓電元件310a及310b。假設VI爲施加至（產 生於）壓電元件310a之第一端312a及第二端314a間之電 壓，及 V2爲施加至（產生於）壓電元件310b之第一端 312b及第二端314b間之電壓，V2>V1。 例如，假設當壓電元件310a之第一端312a與壓電元 件310b之第一端312b間之電位差（V2-V1)將要超出電壓 値Vlim。在此時’當爲電阻334a及334b除以電壓値Vlim 所得之電壓値VP爲+1 .2V或更大時’則齊納二極體336 被驅動。一電流流經電晶體3 3 5之集-射極路徑。當電流 流經電阻3 3 8時’電晶體3 3 7被導通。流經連接至壓電元 件310b之第一端312b的節點之電流iB流經二極體331b 至電晶體3 3 7 ’然後，以相當低電壓流入連接至壓電元件 3 1 0 a之第一端3 1 2 a的節點。結果，於壓電兀件3 1 0 a之 第一端312a及壓電元件3l〇b之第一端312b間之電位差 -13- 200903586 被抑制低於電壓値vlim。如同第一實施例，一連串之這些 操作係可迅速地應用至使用三或更多壓電元件的情形中。 例如’假如一壓電元件被額外提供，則額外提供兩二極 體，而有可能控制施加至多數壓電元件之電壓間之差。 示於圖4之驅動單元30中之控制單元330A可以容 易地控制施加至多數壓電元件之電壓間之差。這使得它有 可能防止’例如，只有一特定壓電元件，在Z方向中驅動 之光學元件光學元件OE接收相當高電壓（即防止該光學元 件OE只有在Z方向中之驅動量增加），因而，防止光學 元件〇 E過度傾斜（於θ X方向及Θ y方向）。換句話說，有 可能防止驅動光學元件OE造成之光學元件OE的損壞及 變形，同時，限制光學元件OE於其傾斜方向之驅動量。 依據第二實施例之驅動單元3 0具有構成元件，其數 量係大於依據第一實施例之驅動單元30的數量。然而， 使用一與電晶體3 3 7 —般，產生相當大容量損電晶體，依 據第二實施例之驅動單元3 0可以產生較依據第一實施例 之驅動單元30所產生爲大之電流。換句話說，依據第二 實施例之驅動單元3 0的配置係適用於一情況，其中可以 供給相當大電流至連接至壓電元件的節點的放大器係被使 用作爲各個電壓施加單元320a至320c。 電壓値Vlim可以藉由改變示於圖4中之驅動單元30 中之電阻3 34a及3 34b之電阻値加以容易調整。驅動單元 3 0配置的使用允許一機制的實施，該機制可以以低成本 限制光學元件OE之傾斜。 -14- 200903586 圖5爲一方塊圖’顯示依據第三實施例之驅動單元 3 0的配置。如圖5所示，依據第三實施例之驅動單元3 〇 包含多數壓電元件310a至3l〇c、多數電壓施加單元320a 至32 0c、及控制單元3 3 0B。 控制單元330B控制多數電壓施加單元320a至 320c，使得施加至壓電元件3〗〇a至310c之電壓間之差並 不超出一預定値。依據第三實施例之控制單元3 3 0 B包含 一位置控制單元341、電壓檢測單元342、A/D轉換器 343、計算單元344、電壓控制單元345、及D/A轉換器 346 ° 位置控制單元341具有例如一DSP及CPU(即，算術 處理功能），用以以高準確度，控制光學元件OE於Z方 向、θχ方向及0y方向中之位置。位置控制單元34 1使用 例如PID補償器，根據爲感應器40z所取得之量測結果’ 計算壓電元件3 1 0 a至3 1 0 c之驅動量（膨脹/收縮量），感應 器40z量測光學元件OE於Z方向中之位移。位置控制單 元341產生對應於壓電元件310a至31〇c之計算驅動量 (膨脹/收縮量）電壓的輸入信號給它們，並輸出所產生之輻ϊ 入信號給電壓控制單元3 4 5。 電壓檢測單元3 42檢測施加至多數壓電元件3 1 0a至 310c之電壓（即自多數電壓施加單元320a至320c輸出的 電壓）。 A/D轉換器3 4 3將爲電壓檢測單元所檢測的電壓 轉換爲數位信號，並將之輸至計算單元344 ° -15- 200903586 根據自A/D轉換器3G接收之數位信號（即爲電壓檢 測單元342所取得之檢測結果），計算單元3 44計算施加 至多數壓電元件3 10a至310c之電壓間之差（電位差），並 將之輸出至電壓控制單元345。 根據爲計算單元3 44所計算之電位差，電壓控制單元 345控制自多數電壓施加單元320a至320c輸出之電壓。 在此實施例中，電壓控制單元345限制自位置控制單元 341所接收並用以施加電壓至多數壓電元件310a至310c 之輸入信號。例如，電壓控制單元345比較一預存電位差 與爲計算單元3 44所計算之電位差，並控制爲電壓檢測單 元3 42所檢測之多數壓電元件310a至3 10c間之電位差爲 預存電位差（以不超出一預定値）。更明確地說，根據自計 算單元344接收之電位差，電壓控制單元345限制輸入信 號，該等輸入信號係自位置控制單元3 4 1接收並被用以施 加電壓至多數壓電元件310a至310c，使得電位差並不超 出預定値。結果，爲電壓施加單元3 20a至3 20c所施加至 多數壓電元件310a至310c之電壓（即自多數電壓施加單 元3 20a至3 20c輸出之電壓）係被限制。 D/A轉換器3 46將爲電壓控制單元345所控制（限制） 並被用以施加電壓至多數壓電元件310a至3I0c之輸入信 號轉換爲類比信號，並將之輸出至多數壓電元件3 1 0a至 3 1 0c ° 示於圖5中之驅動單元30中之控制單元330B可以容 易控制施加至多數壓電元件之電壓間之差。這使得可以防 -16- 200903586 止例如驅動光學元件Ο E於Z方向的單一特定壓電元件接 收一相當電壓（例如，防止光學元件0E之Z方向中之驅 動量的增加），因而，防止光學元件0E過度傾斜（於θχ方 向及0y方向）。換句話說，有可能藉由驅動光學元件〇Ε 同時限制光學元件OE於其傾斜方向的驅動量，而防止光 學元件OE的損壞及變形。 示於圖5之驅動單元3 0可以控制光學元件〇E的位 置（特別是在傾斜方向），而無關於使用多數位移感應器40 控制光學元件OE位置的控制系統。然而，保持設備]可 以控制光學元件OE之位置，即使在任何位移感應器40 故障時。 如同以上所述，保持設備1可以保持光學元件〇 E並 藉由（驅動光學元件OE)執行光學元件〇E之定位及位置調 整’同時’限制光學元件Ο E於其傾斜方向的驅動量，而 防止光學元件OE損壞及變形。 具有應用有保持設備1之投影光學系統630的曝光設 備6 0 0係參考圖6加以解釋。圖6爲依據本發明—態樣之 曝光設備600的剖面圖。在此實施例中，曝光設備6〇〇爲 一投影曝光設備，其使用步進掃描（Step & scan)設計，將 藉由曝光將光罩620之圖案轉印至晶圓64〇上。然而，曝 光設備600可以採用步進重覆設計。 可以由圖6看出’曝光設備6 0 〇包含一照明設備 610、光罩機台625’其上安裝有光罩620、投影光學系統 63 0、及晶圓機台645 ’其上安裝有晶圓640。 -17- 200903586 照明設備6 1 0照射其上形成有予以轉印之電路的光罩 620，並包含一光源單元6 1 2與照明光學系統6 1 4。 光源單元6 1 2使用例如一準分子雷射，例如具有波長 約24 8nm之KrF準分子雷射或具有波長約193nm之ArF 準分子雷射作爲光源。然而，光源單元612之光源並不特 別限制爲準分子雷射，並且，可以例如爲約1 5 7nm波長 之F2雷射。 照明光學系統614照射光罩620。照明光學系統614 包含例如透鏡、鏡子、光學積分器、相位板、繞射光學元 件、及止板。保持設備1可以用以保持光學元件，例如照 明光學系統6 1 4之透鏡。 光罩620可以具有電路圖案並被光罩機台625所支援 及驅動。爲光罩620所產生之繞射光經由投影光學系統 63 0投影至晶圓640。因爲曝光設備600爲步進掃描設 計，所以其藉由掃描將光罩620的圖案轉印至晶圓640。 光罩機台625支撐光罩620並以X軸方向、Y軸方 向、及Z軸方向移動光罩62〇，並使用例如線性馬達，繞 著個別軸旋轉。注意的是，光罩620或晶圓640表面上之 掃描方向係被界定爲γ軸，垂直於其表面方向被界定爲X 軸，及垂直於光罩620或晶圓640之表面方向爲Z方向。 投影光學系統630將光罩620的圖案投影至晶圓 640。投影光學系統63 0可以爲折射系統、折反射系統或 反射系統。 在此實施例中，投影光學系統6 3 0包含多數透鏡 -18- 200903586 632。保持設備1保持多數透鏡632。在投影光學系統630 中之多數透鏡632受到定位及位置調整，而沒有損壞或變 形。然而，投影光學系統63 0展現優良成像效能。保持設 備1具有上述配置，及其詳細說明係被省略。 晶圓640爲一基材，其上被投影（轉印）有光罩620的 圖案。然而，有可能使用一玻璃板或其他基材，以替換晶 圓640。晶圓640被塗覆以光阻。 晶圓機台645支撐晶圓640並移動晶圓640於X軸 方向、Y軸方向、Z軸方向，及使用線性馬達繞著個別軸 旋轉，如同光罩機台62 5。 在曝光時，由光源單元6 1 2所發射之光經由照明光學 系統614照射光罩620。通過光罩620時反射光罩620之 電路圖案的光束經由投影光學系統630在晶圓640上形成 影像。在用於曝光設備600之投影光學系統63 0中（及/或 照明光學系統6 1 4)，保持設備1保持受到定位及位置調 整之光學元件。因此，曝光設備600展現優良曝光效能， 以提供具有高產量及高品質之裝置（例如半導體裝置、 LCD裝置、影像感應裝置（例如CCD)、及薄膜磁頭）。 以下將說明使用上述曝光設備600之裝置製造方法的 實施例。該裝置係藉由使用曝光設備600，曝光被塗覆以 光阻之基材（晶圓或玻璃板）的步驟；對已曝光基材執行顯 影程序的步驟；及執行其他已知製程的步驟加以形成。 雖然本發明已經參考例示實施例加以描述，但應了解 的是，本發明並不限於所揭示例示實施例。以下申請專利 -19- 200903586 範圍係依據最廣的解釋，以包含所有此等修改及等效結果 及功能。 【圖式簡單說明】 圖1爲依據本發明一實施例之保持設備的立體圖； 圖2爲示於圖！之保持設備的剖面圖； 圖3爲一電路圖，顯示依據第一實施例之驅動單元於 示於圖1中之保持設備中之配置； 圖4爲一電路圖，顯示依據第二實施例之驅動單元於 示於圖1中之保持設備中之配置； 圖5爲一電路圖，顯示依據第三實施例之驅動單元於 示於圖1中之保持設備中之配置； 圖6爲依據本發明一態樣之曝光設備的剖面圖；及 圖7爲一方塊圖，顯示傳統驅動機制之光學元件的定 位控制。 【主要元件符號說明】 1 :保持設備 10 :格 20 :保持單元 30 :驅動單元 40 :位移感應器 40x :感應器 4 0y :感應器 -20- 200903586 40z :感應器 3 1 0 a - c :壓電元件 3 2 0a-c :電壓施加單元 312a-c:第一.端 3 14a-c :第二端 3 3 2 a-c :二極體 3 3 3 :齊納二極體 3 3 1 a - c :二極體 3 3 0 :控制單元 3 3 0 A :控制單元 3 3 4 a - b :電阻 3 3 5 :電晶體 3 3 6 :齊納二極體 3 3 7 :電晶體 3 3 8 :電阻 3 3 0 B :控制單元 3 4 1 :位置控制單元 3 42 :電壓檢測單元 3 4 3 : A/D轉換器 3 44 :計算單元 3 4 5 :電壓控制單元 3 46 : D/A轉換器 6 0 0 :曝光設備 6 1 0 :照明設備 -21 200903586 620 :光罩 63 0 :投影光學系統 640 :晶圓 6 4 5 :晶圓機台 625 :光罩機台 6 1 2 :光源單元 6 1 4 :照明光學系統 632 :透鏡 OE :光學元件 -22

Claims (1)

1. 200903586 十、申請專利範圍 1 · 一種驅動設備，用以驅動一物體，該設備包含： 多數壓電元件，架構以驅動該物體的多數部份； 多數電壓施加單元，架構以施加電壓至該多數壓電元 件：及 一控制單元，架構以控制該多數電壓施加單元，使得 該施加至該多數壓電元件之電壓間之差並不超出一預定 値。 2 .如申請專利範圍第1項所述之設備，其中： 各個該多數壓電元件具有一第一端與一第二端； 各個該多數電壓施加單元施加一電壓於該多數壓電元 件之一對應壓電元件之該第一端與該第二端間；及 該控制單元包含： 多數第一二極體，各個係連接於第一節點與該多數壓 電元件之一對應壓電元件的該第一端間，使得各二極體之 陽極係朝向該第一端， 多數第二二極體’各個係連接於第二節點與該多數壓 電元件之一對應壓電元件的該第一端間，使得各二極體之 陰極朝向該第一端，及 一齊納二極體，連接於該第一節點與該第二節點間， 使得其陽極係朝向該第二節點。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中： 各個該多數壓電元件具有一第一端與一第二端； 各個該多數電壓施加單元，施加一電壓於該多數壓電 -23- 200903586 元件之對應壓電元件的該第一端與該第二端之間；及 該控制單元包含： 多數第一二極體，各個第一二極體係連接於第一節點 與該多數壓電元件之對應電壓元件的該第一端間，使得各 二極體陽極係朝向該第一端； 多數第二二極體，各個第二二極體係連接於第二節點 與該多數壓電元件之對應壓電元件的該第一端間，使得各 一極體陰極係朝向該第一端； 一分壓電路’架構以分壓該第一節點與該第二節點間 之電壓； 一第一電晶體，其被架構以令基極被施加以爲該分壓 電路所分壓之電壓、集極被連接至該第一節點的一側、及 射極連接至該第二節點的一側； 一齊納二極體，連接於該第二節點與該第一電晶體的 該射極之間’使得其陰極係朝向該第一電晶體的該射極； 一第二電晶體，其被架構以令基極被施加以該齊納二 極體的陽極的電壓、集極被連接至該第一節點的一側、及 射極連接至該第二節點的一側；及 一作動電路，被連接於該第二節點與該齊納二極體的 該陽極間’並被架構以作動該第二電晶體。 4·如申請專利範圍第1項所述之設備，其中： 各個該多數壓電元件具有第一端與第二端， 各個該多數電壓施加單元，施加一電壓於該多數壓電 元件之對應壓電元件的該第一端與該第二端間，及 -24- 200903586 該控制單元包含： 一電壓檢測單元，架構以檢測該施加至該多數壓電元 件的電壓， 一計算單元，架構以計算爲該電壓檢測單元所檢測之 電壓間之差並施加至該多數壓電元件，及 一電壓控制單元，架構以根據爲該計算單元所計算之 施加至該多數壓電元件之電壓間之差，控制自該多數電壓 施加單元輸出的電壓。 5 . —種保持設備，包含： 一保持單元，架構以保持一光學元件；及 一驅動設備，架構以驅動爲該保持單元所保持之該光 學元件，及 該驅動設備包含： 多數壓電元件，架構以驅動該光學元件之多數部份， 多數電壓施加單元，架構以施加電壓至該多數壓電元 件，及 一控制單元，架構以控制該多數電壓施加單元，使得 於施加至該多數壓電元件之電壓間之差不超出一預定値。 6. —種曝光設備，包含： 如申請專利範圍第5項所述之保持設備；及 光學系統’架構以經由爲該保持設備所保持之光學元 件，藉由曝光將光罩之圖案轉印至一基材。 7. —種半導體裝置製造方法，包含步驟： 使用如申請專利範圍第6項所述之曝光設備，曝光一 -25- 200903586 基材；及 對該已曝光基材，執行一顯影製程。 -26 -