TW200903529A - Varistor and light emitting device - Google Patents

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200903529 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種變阻器及 【先前技術】 具備其之發光裝置 〇

作為變阻器’具有包括以下者：素體，A 電壓非線性雜之變㈣素體料 切‘觀出 分而配置於變阻器素體之内部之一對内部電：素體 電極’其形成於上述素體之外表面，且分料接於所對應 之内部電極(例如’參照曰本國之公開公報，特開· 246207號公報）。 【發明内容】 而且，使冑阻器並聯地連接於半導體發光元件或FET (Field Effect Transistor:場效電晶體）等電子元件藉此可 保護電子元件不受ESD(EleCtr〇Static Discharge，靜電放 電）突波之影響。該電子元件於動作中發熱。若電子元件 達到高溫，則會導致元件本身之特性劣化，從而對其動作 造成影響。因此，必需有效地放出所產生之熱。 本發明係為解決上述問題所完成者，其目的在於提供— 種能夠有效地放出熱之變阻器及發光裳置。 本發明人考慮：將金屬設置成與變阻器素體接觸，將傳 遞至變阻器之熱自金屬放出’藉此能夠有效地自變阻器放 出熱。然而，當使金屬與變阻器素體外側之一個面接觸 時，兩者間之接合強度較弱’存在變阻器素體與金屬剝離 之情形。於該情形時’無法有效地自金屬放出傳遞至變阻 130080.doc 200903529 器之熱。因此，為解決該問題，發明人發明了強化金屬與 變阻器素體之間之接合強度之變阻器及發光裝置。 本發明之變阻器之特徵在於包括：變阻器部，其具有顯 現出電壓非線性特性之變阻器素體與夾持該變阻器素體且 以至v σ卩勿相互對向之方式配置之内部電極；外部電 極，其連接於内部電極，且成為外部元件之連接端；及散 熱部，其對變阻器部熱連接；變阻器素體以半導體陶瓷為 主成分，散熱部包含金屬及金屬氧化物之複合材料。 又，本發明之變阻器之特徵在於包括：變阻器部，其具 有顯現出電壓非線性特性之變阻器素體、配置於該變阻器 素體内部之電極部、及配置於變阻器素體之表面且至少一 部分與電極部相互對向之電極部；及散熱部，其對變阻器 部熱連接；變阻器素體以半導體陶究為主成分，散熱部包 含金屬及金屬氧化物之複合材料。 於該變阻器中’散熱部與以半導體陶究為主成分之變阻 器素體同樣地’包含金屬氧化物。藉由使變阻器素體與散 熱部之構成成分共同，抑制於鍛燒等時在變阻器部與散熱 :之間產生裂紋，充分確保變阻器部與散熱部之接合強 :。藉此’利用散熱部之金屬來有效地放出自外 遞至變阻器部之熱。 干得 之自與上述變阻器部接 導通。於該情形時，散 又，較好的是，金屬係於散熱部 觸之面遍及不與變阻器部接觸之面 熱部之散熱效率更高。 又，較好的是 金屬氧化物包jZn〇 。於該情形時，能 130080.doc 200903529 夠更可靠地抑制於鍛燒等時在變阻器部與散熱部之間產生 裂紋’充分確保變阻器部與散熱部之接合強度。 又，較好的是，金屬氧化物包含被塗佈金屬之八丨2〇3。 於該情形時，於散熱部容易形成由金屬構成之散熱路徑， 能夠提高散熱效率。 又較好的疋，金屬以Ag為主成分。由於Ag擴散至作 為變阻器素體之主成分之Zn〇之晶界中，&而能夠進一步 提高變阻器部與散熱部之接合強度。 又，較好的是，藉由同時鍛燒而形成變阻器部與散熱 部。於該情形時’能夠使製造步驟簡化。 又，本發明之發光裝置之特徵在於：其係具有發光元件 與變阻器者’且變阻器包括：變阻器冑，其具有顯現出電 壓非線性特性之變阻器素體與夾持該變阻器素體且以至少 一部分相互對向之方式配置之内部電極；外部電極，其連 接於内部電極，且成為發光元件之連接端；及散熱部，其 配置成與變阻器部接觸；且變阻器素體以Zn〇為主成分， 月欠熱部包含金屬及金屬氧化物之複合材料。 於該發光裝置中，散熱部與以Zn〇為主成分之變阻器素 體同樣地’包含金屬氧化物。藉由使變阻器素體與散熱部 之構成成分共同’能夠抑制於鍛燒等時在變阻器部與散熱 部之：產生裂紋，充分確保變阻器部與散熱部之接合強 ^藉此利用散熱部之金屬來有效地放出自發光元件經 由外部電極而傳遞至變阻器部之熱。 根據本發明之變阻器及發光裝置，能夠有效地放出熱。 130080.doc 200903529 【實施方式】 以下’參照圖式’詳細說明本發明之變阻器及發光裝置 之較佳實施形態。 [第1實施形態] 圖1係本發明之第1實施形態之變阻器之概略立體圖。 又，圖2係圖1之概略剖面圖。如圖1及圖2所示，變阻器vi 具有變阻器部11、一對外部電極丨2、1 3、以及散熱部丨4， 且形成為大致長方體形狀。

變阻器部11具有變阻器素體15、第1内部電極16、第2内 部電極17、以及第3内部電極18。變阻器素體15形成為大 致長方體开〉狀，且具有彼此相對向之面15a及面15b、與面 15a及面15b垂直且彼此相對向之面15c及15d、以及與面 15c及面I5d相鄰且彼此相對向之兩個面。 該變阻器素體15係積層複數個變阻器層而形成之積層 體各變阻器層係表現出電壓非線性特性之部分，以Zn〇 為^成分，且包含以或出作為副成分。該等副成分作為金 屬單體或氧化物而存在於變阻器層中。再者，於實際之變 阻器νι中，複數個❾且器層之間之邊#以無法辨認之程度 而一體化。 第1内部電極16及第2内部電極17配置於變 面…。自與一之方向觀察，第丨内部電二第之2 内部電極17呈長方形，且彼此隔開間隔而對稱地配置。第 1内部電極16不露出至變阻器素體15之面i5c、及與面丨九 相鄰之兩個側面’而延伸至與面15a之緣部僅相距特定距 130080.doc 200903529 離之内側之位置為止。同樣，第2内部電㈣不露出 阻器素體15之面15d、及與面15d相鄰之兩個心，而 至與面ISa之緣部延僅相距特定距離之内侧之位置為止 又，第1内部電極16及第2内部電㈣藉由以玻璃為主成 分之竟釉19所覆蓋，上述第1内部電㈣及第2内部電極 彼此電性絕緣。於£釉19上，於與第！内部電極16及第2内 部電極m目對應之位置形成有開口部l9a、i9b。藉 !内部電極16及第2内部電極17之表面之一 19露出之狀態。 曰文袖 第3内部電極18夾持複數層之變阻器㉟且以分別盥第1 内部電極16及第2内部電極17相對向之方式’配置於變阻 益素體Η内之大致中央部分。第3内部電㈣與第^内部電 極1 6及第2内部電極丨7彼此電性絕緣。 外部電極12 ' 13以與第1内部電極16及第2内部電極17相 對應之方式，彼此隔開而對稱地形成於竟轴19之外表面。

U 外部電極12、13亦延伸至瓷釉19之開口部W、斷内 部’與自瓷釉19露屮夕筮& & 第内°卩電極1 6及第2内部電極1 7接 曰此外部電極12與第1内部電極16電性且物理性地 姐接外部電極13與第2内部電極17電性且物理性地連 電極12、13作為如半導體發光元件61(參照圖7) 之夕。Ρ元件之連接端而發揮作用。 散熱部U與變阻器素體㈣樣地形成為大致長方體形 、有彼此相對向之面14a及面14b、與面14a及面14b 相對向之面14C及面⑷、以及與面14c及面⑷相鄰 130080.doc 200903529 且相對向之兩個面。散熱部14之面14a接合於變阻器素體 15之面15b。 散熱部14由金屬與金屬氧化物之複合材料所形成。作為 此處所謂之金屬，例如可使用Ag、Ag-Pd、Pd等，但考庹 到熱傳導率之方面，較好的是使用Ag。又，作為金屬氧化 物’可使用Al2〇3、ZnO、Si02及Zr02。Al2〇3使用例如藉 由無電解電鍍而對該金屬氧化物之粒子進RAg塗佈者。再 者，金屬氧化物不一定必需包含全部上述a12〇3、、 Si〇2及Zr〇2，亦可包含至少一種以上之該等物質。 此種散熱部14係於面ua與變阻器素體15之面15b接觸之 狀態下，藉由與變阻器部丨丨同時鍛燒而形成。散熱部14之 内部藉由作為金屬之Ag，自與變阻器部】i接觸之面…遍 及導通至不與變阻器部U接觸之面14b、面14c、面Md。 藉由經Ag塗佈之Ai2〇3而更可靠地確立該導通路徑。 接著，說明上述變阻器V1之製造過程。 ’按照特定之比例來混合作為變阻器素體〗5之

添加至該變阻器材料中，獲得漿料。 斋I骽15之主成 阻器 劑等

將！機黏合劑及有機溶劑混合於 林叫形成，該導電性糊係 以Ag粒子為主成分之金屬 I30080.doc 200903529 粉末而形成者。 其次，按照特定之順序，將形成有電極部分之生片與未 化成電極部分之生片重疊，從而形成片積層體。繼而，將 所獲得之片積層體切斷為晶片單位，獲得與變阻器部11相 對應之生胚體。其後…80。。〜400。。之溫度，對生胚體 實施〇·5小時〜24小時左右之加減理，藉此進行脫黏合劑 處理。 其次，準備由Ag、Al2〇3、Ζη0、以…及心…之複合材 料形成之散熱部14。繼而，使上述生胚體與散熱部14之面 14a重合，於空氣中或ο:環境下，以8〇〇它以上之溫度同時 對上述生胚體與散熱部14之面Ua進行鍛燒。藉此，形成 變阻器部11與散熱部14之接合體。獲得接合體之後，以覆 盍第1内部電極16及第2内部電極17之方式印刷瓷釉19，進 而，以塞住瓷釉19之開口部19a' 19b之方式，印刷與外部 電極12、13相對應之電極部分。 該電極部係藉由將導電性糊印刷至瓷釉19上，並使該導 電性糊乾燥而形成’上述導電性糊係將有機黏合劑與有機 溶劑混合於以Au粒子或岣粒子為主成分之金屬粉末而形 成者。繼而，於〇2環境下，以8〇(rc以上之溫度同時對上 述導電性糊與瓷釉19進行鍛燒，藉此形成外部電極12、 13，從而元成圖1及圖2所示之變阻器。 於該變阻器VI中，散熱部14包含與作為變阻器素體15之 主成分之ZnO相同之成分作為金屬氧化物，使變阻器素體 15與散熱部14之構成成分共同。又，於鍛燒時，散熱部w J30080.doc 200903529 令所含之Ag於面i4a與面 /、曲5b之界面附近，擴散至作為變阻 '素㈣之主成分之Zn0之晶界中。藉此，牢固地接合變 阻器部】〗與散熱部〗4。 因此，於變阻器V1中，鍛燒時（或者脫黏合劑時）’在變 阻為部U與散熱部14之間幾乎不會產生裂紋，&而能夠充 分地確保變阻器部11與散熱部14之接合強度。因此，自外 部元件經由外部電極12、13而傳遞至變阻器部^之孰量， 籍由Ag粒子與Al2〇3之塗佈部分而於導通路徑中傳遞並 心效率地放出’上述導通路徑係自散熱部Μ中之面… 遍及面14b、面14c、面14d而形成者。 又’於變阻器vi中，同時對變阻器部u與散熱部“進行 鍛燒。此有助於實現製造工序之簡單化，提高變阻器…之 製造效率並有助於降低成本。 [第2實施形態] 現對本發明之第2實施形態之變阻器進行說明。圖3係表 示本發明之第2實施形態之變阻器之概略剖面圖。圖3所示 之變阻HV2之内部電極之構成’與第i實施形態之變阻器 VI不同。 ° 亦即，變阻HV2不具有第3内部電極18(參照圖2)，取而 代之，具有以一端側彼此相對向之方式而配置於變阻器素 體is内之第1内部電極2丨及第2内部電極22。繼而，第 部電極2i及第2内部電極22藉由貫通導體乃而分別連接於 外部電極12、1 3。 ' 於該變阻器V2中’變阻器素體15亦以Zn〇為主成分，散 130080.doc -13- 200903529 熱部14由作為金屬之人3與包含作為變阻器素體Η之主成分 之〇的金屬氧化物之複合材料而形成。因此，與第1實 施形態同樣，能夠充分地確保變阻器部u與散熱部14之接 合強度，自外部元件經由外部電極12、13而傳遞至變阻器 部11之熱量，於導通路徑中傳遞，並被高效率地放出，上 述導通路徑係自散熱部14之面14a遍及面14b、面Me、面 14d而形成者。 [第3實施形態] 現對本發明之第3實施形態之變阻器進行說明。圖4係表 示本發明之第3實施形態之變阻器之概略剖面圖。圖4所= 之變阻器V3中之散熱部14與第2實施形態之變阻器V2更為 不同之處在於 有瓷釉3 1。 於不與變阻器部U接觸之面14b侧亦形成

於該變阻器V3中’變阻器素體15亦以Zn〇為主成分，散 熱部14由作為金屬之Ag與包含作為變阻器素體Η之主成分 之ZnO的金屬氧化物之複合材料而形成。 此旎夠充分 地確保變阻器部丨丨與散熱部14之接合強度自外邛元件經 由外部電極12、13而傳至變阻器部u之熱量，於導:二 中傳遞’並被高效率地放出，上述導通路#係自散熱部二 之面14a遍及面14b、面14c、面14d而形成者。 [第4實施形態] 現對本發明之第4實施形態之變阻器 _ 1丁祝明。圖5係表 不本發明之第4實施形態之變阻器之概略 γ q甸圖。圖5所示 之變阻器V4與第3實施形態之變阻器V3爭也 尺两不同之處在 I30080.doc -14- 200903529 於：在形成於不與變阻 々k主工L a , 益口接觸之面14b側之瓷釉31之

外表面上’更形成有外部電極AH 於變阻器V4中，藉由 11V, 、電極43來連接形成於變阻器部 11側之一方之外部電極12、 ^ 第1内邛電極21、以及形成於

政熱部14側之一方之外A σ卩電極41，進而，藉由貫通電極44 f連接形成於變阻器部11側之他方之外部電極13、第2内 電極22、、以及形成於散熱部"側之他方之外部電極42。

於、』散熱。ΙΜ4之貫通電極43、44之周圍分別形成 有具有電絕緣性之層45。 於該變阻謂中，變阻器素體15亦以Ζη〇為主成分，散 —Μ 4由作為金屬之“與包含作為變阻器素體^之主成分 之ΖηΟ的金屬氧化物之複合材料而形成。因此，能夠充分 地確保變阻器部11與散熱部Μ之接合強度，自外部元件經 由外部電極12、13而傳遞至變阻器部η之熱量，於導通路 徑中傳遞，並被高效率地放出，上述導通路徑係自散熱部 14之面14a遍及面14c、面14d而形成者。 再者，於變阻器V4中，可將形成於變阻器部11側之外部 電極12、13作為外部元件之連接端，亦可將形成於散熱部 14側之外部電極41、42作為外部元件之連接端。 [第5實施形態] 現對本發明之第5實施形態之變阻器進行說明。圖6係表 示本發明之第5實施形態之變阻器之概略立體圖。圖6所示 之變阻器V5中之變阻器部50之構成與上述各實施形態不 同。亦即，變阻器V5於變阻器素體51内具有第1内部電極 130080.doc 15 200903529 52與第2内部電極53、以及第i散熱部54與第2散熱部η。 又，於變阻器素體51之一方之面51&上具有外部電極％、 51。 第1内部電極52及第2内部電極53分別具有平板部52a、 以及自平板部52a、53a之一方之端部朝變阻器素體 51之一方之面51a及他方之面51b突出的連接片5儿、5儿。 第1内電極52及第2内部電極53以使連接片52b、53b彼此 4於相反側之方式，而配置成炎持複數層之變阻器層，平 板邛52a、53a之大部分為彼此相對向之狀態。連接片 52b 53b之一方之前端部分，以露出至變阻器素體η之面 5 la之方式伸出；另一方之前端部分以露出至面5ib之方式 伸出。 第1散熱部54及第2散熱部55形成為厚於第i内部電極52 及弟2内。卩電極53之板狀，且以夾持第1内部電極52及第2 内部電極53之方式而大致平行地配置。第1散熱部54之寬 度方向之面54a、54b分別露出至變阻器素體51之面5U及 面lb長度方向之端面54c、54d分別露出至與.變阻器素 體5丨中之面51a及面51b垂直且彼此相對向的面弓^及面 51d。 同樣’第2散熱部55之寬度方向之面55a、5515分別露出 至變阻态素體51之面51a及面51b，長度方向之端面55c、 55d分別露出至與變阻器素體51中之面51a及面51b垂直且 相對向的面51c及面51d。 外部電極56、57以與第1内部電極52、第2内部電極53 ' 130080.doc -16· 200903529 第1散熱部54及第2散熱部55交又之方式，於變阻器素體51 之面51a上，沿面51c側之緣部及面5U側之緣部而分別形 成。外部電極56與第2内部電極53之連接片53b、第丨散熱 部54、及第2散熱部55電性且物理性地連接，外部電極57 與第1内部電極52之連接片似、第1散熱部54、及第2散熱 部5 5電性且物理性地連接。 再者於I阻器素體51之面51a上，在外部電極56、57 之間，襯墊電極58排列為例如3列x4行之矩陣狀。襯墊電 極58中，與外側之行（第〗行及第4行）相當之襯墊電極“連 接於第1散熱部54及第2散熱部55。 於該變阻器V5中，變阻器素體51亦以Zn〇為主成分，第 1散熱部54及第2散熱部55由作為金屬之八§與包含作為變阻 器素體51之主成分之Zn〇之金屬氧化物的複合材料而形 成。因此，能夠充分地確保變阻器部5〇與第【散熱部54及 第2散熱部55之接合強度，自外部元件經由外部電極兄、 57及襯墊電極58而傳遞至變阻器部5〇之熱量，於自第！散 熱部54之面54a遍及面54b、面54c、面54d而形成之導通路 徑中，以及自第2散熱部55之面55a遍及面55b、面55e、面 55d而形成之導通路徑中傳遞，並被高效率地放出。 [發光裝置] 繼而，對本發明之一實施形態之發光裝置進行說明。圖 7係表示本發明之一實施形態之發光裝置之概略剖面圖。 圖7所示之發光裝置1^具有例如上述之變阻器乂丨、及與該 變阻器vi電性連接之半導體發光元件61。 130080.doc 17 200903529 半導體發光元件61係GaN(氮化鎵）系半導體發光二極體 (LED : Light-Emitting Diode) ’ 其具有基板 62、與形成於 該基板62之層構造體LS。GaN系之半導體led已眾所周 知，因而簡化其說明。基板Μ係由藍寳石形成之光學性透 明且具有電絕緣性之基板。層構造體Ls包含積層之η型（第 1導電型）之半導體區域63、發光層64、以及ρ型（第2導電 型）之半導體區域65。半導體發光元件61藉由施加於η型之 半導體區域63與ρ型之半導體區域65之間之電壓而發光。 η型之半導體區域63包含η型之氮化物半導體而構成。於 本實施形態中，η型之半導體區域63係GaN於基板62上磊 晶成長而成，且添加有例如si等n型摻雜劑而具有η型之導 電性。又，η型之半導體區域63亦可具有使折射率小於發 光層64之折射率、且使能帶隙變大之組成。於該情形時， η型之半導體區域63對發光層64發揮作為下部包層之作 用。 發光層64藉由形成於η型之半導體區域63上、且自η型之 半導體區域63及ρ型之半導體區域65供給之載子（電子及電 洞）進行再結合，而於發光區域中產生光。可將發光層 設為例如於複數個週期中交替地積層有障壁層與阱層之多 重I子阱（MQW : Multiple Quantum WeU)結構。於該情形 日守障壁層及阱層由1nGaN形成，藉由適當選擇In(銦）之 、’且成，使障壁層之能帶隙大於阱層之能帶隙。發光區域於 發光層64中’產生於注入有載子之區域。 P型之半導體區域65包含p型之氮化物半導體而構成。於 130080.doc -18- 200903529 本實施形態中，P型之半導體區域6H^、AlGaN於發光層64 上Ba成長而成，且添加有例如Mg等p型摻雜劑而具有p 型之導電性。又，P型之半導體區域65亦可具有使折射率 小於發光層64之折射率、且使能帶隙變大之組成❶於該情 幵y時P型之半導體區域65對發光層64發揮作為上部包層 之作用。 於η型之半導體區域63上形成有陰極電極66。陰極電極 66由導電性材料形成，於與η型之半導體區域^之間實現 歐姆接觸。於ρ型之半導體區域65上形成有陽極電極67。 陽極電極67由導電性材料形成，於與ρ型之半導體區域“ 之間實現歐姆接觸。於陰極電極66及陽極電極67上形成有 凸塊電極68。 於上述構成之半導體發光元件61中，當在陽極電極 67(凸塊電極68)與陰極電極66(凸塊電極68)之間施加特定 之電壓，以使電流流動時，發光層64之發光區域會發光。 半導體發光元件61藉由凸塊而連接於外部電極丨^、13。 亦即，陰極電極66經由凸塊電極68而電性且物理性地連接 於外。卩電極1 2。陽極電極67經由凸塊電極68而電性且物理 眭地連接於外部電極13。藉此，變阻器ν丨並聯地連接於半 導體發光元件61。因此，藉由變阻器V1來保護半導體發光 元件61不受ESE)突波之影響。 如上所述，於變阻器V1中，散熱部14包含與作為變阻器 素體15之主成分之Zn〇相同之成分作為金屬氧化物，變阻 器素體15與散熱部14之構成成分共同。又，於鍛燒時，散 130080.doc -19- 200903529 …。卩14中所含之八§於面14a與面15b之界面附近，擴散至作 為變阻器素體15之主成分之ZnO之晶界中。藉此，牢固地 接合變阻器部U與散熱部14。 因此，於發光裝置LE*，自半導體發光元件61經 由外部 電極12、13而傳遞至變阻器部u之熱量，藉由粒子及

Al2〇3之塗佈部而於導通路徑中傳遞，並被高效率地放 出上述導通路徑係自散熱部14之面14a遍及面14b、面 14c、面I4d而形成者。 [第6實施形態] 現對本發明之第6實施形態之變阻器進行說明。圖8係表 不本發明之第6實施形態之變阻器之概略剖面圖。圖8所示 之變阻器V6與第1實施形態之變阻器V1不同之處在於：分 別配置有複數個第丨内部電極、第2内部電極及第3内部電 極〇 亦即，變阻器V6與變阻器V1同樣，具有於變阻器素體 15之面15a上彼此隔出間隔而對稱配置之第i内部電極8iA 及第2内部電極82A，並且具有第3内部電極83八，該第3内 部電極83A夾持複數層之變阻器層，且以分別與第丨内部電 極81A及第2内部電極82A彼此相對向之方式，配置於變阻 器素體15内之大致中央部分。 又，於變阻器素體15内，在較第3内部電極83A更靠近散 熱部14側，以與第！内部電極81A、第2内部電極82八、及 第3内部電極83A同樣之位置關係，配置有第1内部電極 81B〜81D、第2内部電極82B〜82D、及第3内部電極 130080.doc -20- 200903529 83Β〜83C。第1内部電極81Α〜81D藉由貫通電極而彼此電 性連接，第2内部電極82A〜82D藉由貫通電極㈣彼此電 性連接。 於該變阻器V6中，變阻器素體15亦以Zn〇為主成分，散 熱部14由作為金屬之包含作為變阻器素體15之主成分 Zn〇之金屬氧化物的複合材料而形成。因&，能夠充分地 確保變阻器部U與散熱部14之接合強度，自外部元件經由 外部電極12、13而傳遞至變阻器部n之熱量，於導通路徑 中傳遞’並被高效率地放出，上述導通路徑係自散熱部" ί ( 之面14a遍及面14c、面I4d而形成者。 [第7實施形態] 現對本發明之第7實施形態之變阻器進行說明。圖9係表 不本發明之第7實施形態之變阻器之概略剖面圖。圖9所示 之變阻器V7與第2實施形態之變阻器V2不同之處在於：分 別配置有複數個第1内部電極及第2内部電極。 亦即，變阻器V7與變阻器…同樣不具備第3内部電極 18(參照圖2)，取而代之，具有以—端側彼此相對向地配置 於變阻器素體丨5内之第丨内部電極91八及第2内部電極 92A又，於變阻器素體15内，在較第ί内部電極ΜΑ更靠 近散熱部14側，以與第1内部電極91八及第2内部電極92a 同樣之位置關係，配置有第！内部電極91B、91C及第2内 部電極92B、MC。繼而，第！内部電極9ia〜9ic藉由貫通 電極93而連接於外部電極12，第2内部電極92A〜92c藉由 貫通電極94而連接於外部電極13。 130080.doc 21 200903529 於該變阻器V7中，變阻器素體15亦以Zn〇作為主成分， 散熱部14由作為金屬之Ag與包含作為變阻器素體μ之主成 分之ZnO的金屬氧化物之複合材料而形成。因此，能夠充 分地確保變阻器部11與散熱部14之接合強度，自外部元件 經由外部電極12、13而傳遞至變阻器部n之熱量，於導通 路徑中傳遞，並被高效率地放出，±料通路徑係自散熱 部14之面14a遍及面14b、面14c、面14d而形成者。 本發明並不限於上述實施形態。於上述各實施形態中， 作為變阻态素體15之主成分之半導體陶瓷，例示了 Zn〇， 但此種半導體陶瓷除了可使用Zn〇以外，還可使用

SrTi03、BaTi03、及 SiC 等。 又，亦可藉由接著來接合變阻器部n與散熱部14。於變 阻器V1〜V7中，可連系之半導體led等GW系 以外之氮化物系半導體LED，亦可連接氮化物系以外之半 導體LED或LD(Laser Diode，雷射二極體）等。不限於 LED，亦可連接場效電晶體（FET)、雙極電晶體等於動作 中發熱之各種電子元件。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之第1實施形態之變阻器之概略立體 圖。 圖2係圖1所示之變阻器之概略剖面圖。 圖3係表示本發明之第2實施形態之變阻器之概略 圖。 。 圖4係表示本發明之第3實施形態之變阻器之概略剖面 130080.doc •22·

200903529 圖。 圖5係表示本發明之第4實施形態之變阻 圖。 圖6係表示本發明之第5實施形態之變阻 圖。 圖7係表示本發明之一實施形態之發光裝 圖。 圖8係表示本發明之第6實施形態之變阻 圖0 圖9係表示本發明之第7實施形態之變阻 圖。 【主要元件符號說明】 11 ' 50 變阻器部 12、13、41、42、 外部電極 56、57 14 散熱部 14a〜14d、15a~15d、 面 51 a〜51d、54a、54b、 55a、55b 15 變阻器素體 16、 21、52、 第1内部電極

81A-81D ' 91A-91C 17、 22、53、 第2内部電極

82A~82D、92A〜92C 之概略剖面 之概略立體 之概略剖面 之概略剖面 之概略剖面 130080.doc -23- 200903529 18、83A〜83C 第3内部電極 19、31 瓷釉 19a、19b 開口部 23 貫通導體 43、44 ' 93、94 貫通電極 45 具有電絕緣性之層 52a ' 53a 平板部 52b ' 53b 連接片 54 第1散熱部 54c ' 54d ' 55c ' 55d 端面 55 第2散熱部 58 襯墊電極 61 半導體發光元件 62 基板 63 η型（第1導電型）之半導體區域 64 發光層 65 Ρ型（第2導電型）之半導體區域 66 陰極電極 67 陽極電極 68 凸塊電極 LE 發光裝置 LS 層構造體 VI 〜V7 變阻器 130080.doc -24-

Claims (1)

1. 200903529 •、申請專利範圍： 一種變阻器，其特徵在於包括·· 變阻器部，其具有顯現出電壓非 體與夹持該變阻器素體且以至少八]之變阻器素 配置之内部電極； 刀相互對向之方式 外部電極，其遠接於μ、七^ 丹連接於上述内部電極，且 之連接端；及 成為外部元件 散熱部，其對上述變阻器部熱連接；

   2. 上述變阻器素體以半導體陶究為主成分 包含金屬及金屬氧化物之複合材料。 L政熱部 一種變阻器’其特徵在於包括： 變阻器部，其具有顯現出電壓非線性特性之變阻 體、配置於該變阻器素體内部之電極部、及配置於上述 變阻器素體之表面且至少-部分與上述電極部相互對向 之電極部；及 散熱部，其對上述變阻器部熱連接；

   上述變阻器素體以半導體陶瓷為主成分’上述散熱部 包含金屬及金屬氧化物之複合材料。 3. 如s青求項1或2之變阻器，其中 上述金屬係自上述散熱部之與上述變阻器部接觸之面 遍及不與上述變阻器部接觸之面而導通。 4. 如請求項1或2之變阻器，其中 上述金屬氧化物包含ZnO。 5. 如請求項3之變阻器，其中 I30080.doc 200903529 上述金屬氧化物包含ZnO。 6.如請求項1或2之變阻器，其中 上述金屬氧化物包含被塗佈金屬之Al2〇3。 7·如請求項3之變阻器，其中 上述金屬氧化物包含被塗佈金屬之Al2〇3。 8 ·如請求項1或2之變阻器，其中 上述金屬以Ag為主成分。 9.如請求項3之變阻器，其中

   U 上述金屬以Ag為主成分。 1 0.如請求項4之變阻器，其中 上述金屬以Ag為主成分。 11.如請求項5之變阻器，其中 上述金屬以Ag為主成分。 1 2.如請求項1或2之變阻器，其中 上述變阻器部與上述散熱部係由同時鍛燒所形成 一種發域置，其特徵在於：其具有發光㈣變 B ： B t，、餐：阻 上述變阻器包括： 變阻器部’其具有顯現出電壓非線性特性 素體與夾持該變阻器素體且以至少_部分相互對: 式配置之内部電極； 方 :部電極，其連接於上述内部電極，且成為上述發 先70件之連接端；及 散熱部’其以與上述變阻器部接觸之方式配置； 130080.doc 200903529 分，上述散熱部包含 上述變阻器素體以ZnO為主成 金屬及金屬氧化物之複合材料。 ί 130080.doc