TW200909562A - Chrysene derivative and organic electroluminescent device using the same - Google Patents

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200909562 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域3 發明領域 本發明係有關於作為有機電致發光元件用材料之有用 5 的苯并菲衍生物及使用該苯并菲衍生物衍生物之有機電致 發光元件。 【先前技術3 發明背景 有機電致發光元件（以下將電致發光略稱為el)係利用 1〇 藉由施加電場所造成之從陽極注入的電洞與從陰極注入的 電子之再結合能量，使發光材料之螢光性物質發光之原理 之自行發光元件。 有機EL元件的進步是顯著的，又，有機EL元件因具有 低施加電壓驅動性、高輝度、發光波長多樣性 '高速應答 15性、可製作為薄型輕量之發光裝置等特徵，預期可適用於 廣泛用途。 有機EL元件所使用的發光材料由於會大幅影響元件發 光顏色及發光壽命，因此從前以來已有積極研究。 20 作為發光材料，已知有例如，三(8_經基嗜琳)人 等之螯合錯合物、香豆靈(c〇umalin)衍生物、四笨義物 何生物、雙笑類(bisstyrylaryIene)衍生物、嗔二土丁 一埽 藉由該等發光材料，可得到藍色到紅色的可見⑽生物等。 使用

又，已對於使用燐光性化合物作為發光材料丨 重態能量來發料進行研究。例如，使用銀錯合’ ° 發 200909562 光材料之有機EL元件已知可顯現高發光效率。 專利文獻1〜4係揭示了使用苯并菲衍生物之有機EL元 件。使用該等文獻所揭示之材料，雖改善有機EL元件的發 光效率及壽命，但對於進一步之高效率、長壽命化仍有需 求。 專利文獻1 : W02004/016575號公報。 專利文獻2 :曰本專利公開第2000-273055號公報 專利文獻3 :曰本專利公開第2006-52323號公報 專利文獻4 :曰本專利公開第2006-52324號公報 本發明係以提供作為有機EL元件用材料之較佳有機材 料為目的。特別是，以提供高效率、長壽命之材料，作為 燐光型有機EL元件用材料為目的。 【發明内容3 發明揭示 藉由本發明提供以下之笨并菲衍生物。 I -種笨并菲衍生物，係以下述式⑴表示者其。 [化學式1]

式(1)中R! R,。及r2i〜r25各自代表氫原子、取代或無 取代之碳數為1〜ίο之③基、取代或無取狀減數為3〜ι〇 之環烧基、取代或妹代之碳數為3〜默魏基、取代或 7 200909562 無取代之碳數為8〜30之芳矽基或取代或無取代之核碳數為 6〜20之芳基。 但’ R21〜R25之至少一者為取代或無取代之核碳數為 10〜20之縮合芳香族環(fused aromatic ring)或取代或無取代 5 之藥基（fluorenyl)。 2.如第1項所記載之苯并菲衍生物，其中Rl〜Rl()為氫原子。 3·如第1或2項所記載之苯并菲衍生物，其中r21〜r25之任一 者為取代或無取代之核碳數為1〇〜20之縮合芳香族環， 其它為氫原子。 10 4·如第1或2項所記載之苯并菲衍生物，其中R2丨〜R25之任一 者為取代或無取代之萘基或是取代或無取代之菲基 (phenamhryl)，其它為氫原子。 5· 一種有機電致發光元件用材料，其含有如第丨〜4項中任 一項之苯并菲衍生物。 6·如第5項所記载之有機電致發光元件用材料其係發光 材料。 、^八奴7〇儿丨丫，丹丹,陽極、陰極及挾持於陽 極與陰極之間且含發光層之—個以上的有機薄膜層，、前 迷有機薄膜層之至少一層含有如第5項所記載之有機電 致發光7L件用材料。 8·=第=所記载之有機電致發光元件，其中前述發光層 3有則述有機電致發光元件用材料。 9_如第8項所記載之有機t致發光 致發光元件用材料係主體㈣)材料。其中“有機電 20 200909562 10. 如第7〜9項之任一項所記載之有機電致發光元件，其中 前述發光層更含有螢光性摻雜物及燐光性摻雜物之至 少一者。 11. 如第10項所記載之有機電致發光元件，其中前述燐光性 5 摻雜物係由選自由銥(Ir)、鉑（Pt)、餓(Os)、金(Au)、銅 (Cu)、銖(Re)、釕（Ru)所組成之群之至少一金屬及配位 子所形成之金屬錯合物。 12. 如第9或10項所記載之有機電致發光元件，其中前述燐 光性摻雜物顯示於520nm〜700nm具有最大峰值波長的 10 發光光譜。 藉由本發明，可提供作為有機EL元件用材料的較佳苯 并菲衍生物。 使用本發明之苯并菲衍生物之有機EL元件是長壽命且 高效率的，且可低電壓驅動。 15 圖式簡單說明 第1圖係為本發明之一實施形態的有機EL元件之概略 截面圖。 【實施方式3 實施發明之較佳形態 20 本發明者等致力於作為有機EL元件之苯并菲衍生物， 而熱衷地進行研究。其結果，發現具有特定構造的苯并菲 衍生物對於有機EL元件的長壽命化、高效率及低電壓化有 貢獻，而完成了本發明。 本發明之苯并菲衍生物係表示於下述式（1)。 9 200909562 [化學式2]

式（1)中，Ri〜R10及R2丨〜R25各自代表氫原子、 取代之碳數為1〜H)禮基、取代或無取代之核碳數^或^ 之％烧基、取代或無取代之碳數為3〜2〇之矽烧基、取代或 無取代之碳數為8〜30之芳石夕基或取代或無取代之核碳數為 6〜20之芳基。 但’ R2!〜R25之至少一者為取代或無取代之核碳數為 10〜20之縮合芳香族環或取代或無取代之第基。 1〇 作為碳數為1〜10之烧基，可舉例為：甲基、乙基、 丙基、異丙基、η-丁基、二級丁基、第三丁基、η-辛基、η-癸基、η-十六基等。較佳為礙數是1〜4，且更佳為甲基、乙 基、第三丁基等。 作為核碳數為3〜10之環烷基，可舉例為：環丙基、環 15 丁基、環戊基、環己基、環庚基、環癸基等。較佳是核破 數為3〜6，且更佳是環戊基、環己基。 作為取代或無取代之碳數為3〜20之石夕烷基，可舉例 為：三甲矽基、三乙矽基、三丙矽基、三丁石夕基、三戊矽 基、三環戊矽基、三己矽基、三環己矽基、二苯曱矽基等。 2〇 較佳是碳數為3〜10，且更佳疋二甲秒基、三乙砍基。 作為取代或無取代之碳數為8〜30之芳石夕基，可舉例 200909562 為：二甲基苯矽基、三苯矽基、三萘矽基等。較佳是碳數 為18〜30，更佳是三苯矽基。 作為取代或無取代之核碳數為6〜20之芳基，可舉例 為：苯基、1-萘基、2-萘基、1-苐基、2-第基、3-苐基、4-5 薙基、9-苐基、1-蒽基（1 -anthryl)、2-蒽基、9-蒽基、1 -菲基、 2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-稠四苯基 (Ι-naphthacenyl)、2-稠四苯基、9-稠四苯基、1-芘基 (Ι-pyrenyl)、2-芘基、4-芘基、2-聯苯基(2-biphenylyl)、3-聯苯基、4-聯苯基、p-聯三苯-4-基、p-聯三苯-3-基、p-聯 10 三苯-2-基、m-聯三笨-4-基、m-聯三苯-3-基、m-聯三苯-2-基、〇-甲苯基、m-甲苯基、p-曱苯基、p_t_丁苯基、卩—仏苯 基丙基）苯基、3-曱基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-甲基-1-蒽基、4’-甲基聯苯基、4”-t-丁基-P-聯三苯-4-基、苯并菲基 (benzophenanthryl)、聯三苯基(triphenylenyl)、苯并苯甲醯 15亞胺酸(benzoanthranil)基、蒯基(chrysenyl^。較佳可舉例 為苯基、萘基、菲基、聯三苯基、苯并菲基。

Ru〜R25較佳是各自為氫或取代或無取代之核碳數為 6〜20之芳基。作為芳基，可舉例為：苯基、第基或是核碳 數為10〜20之縮合芳香族環。又，作為芳基之例可為相結合 20 或縮合的2〜4苯環。 作為核碳數為10〜20之縮合芳香族環之例可為：縮合的 2〜4苯環。 作為烷基、環烷基、矽烷基、芳矽基、芳基、縮合芳 香族環及第基的置換基，可舉例為：取代或無取代的芳基 11 200909562 (較佳是核碳數為6〜30,更佳是核碳數為6〜15,例如，苯基、 萘基、菲基、9, 9-二甲基苐-2-基等）、烷基及環烷基(較佳 是碳數為1〜20，更佳是碳數為1〜12，最佳是碳數為1〜8，例 如，曱基、乙基、異丙基、第三丁基、η-辛基、η-癸基、n-5 十六基、環丙基、環戊基、環己基等）、矽烷基(較佳是碳數 為1~20、更佳是碳數為1〜10，例如，三曱矽基、三乙矽基 等）、芳矽基(較佳是碳數為6〜50，更佳是碳數為6〜30，例 如，三苯矽基、三萘矽基等）、取代或無取代之胺基(較佳是 碳數為0〜20、更佳是碳數為0〜12、最佳是碳數為0〜6，例如， 10 胺基、甲胺基、二曱胺基、二乙胺基、二苯胺基、二苄氨 基等）、烷氧基(較佳是碳數為1〜20、更佳是碳數為1〜12、 最佳是碳數為1〜8，例如，甲氧基、乙氧基、丁氧基等）、 芳氧基(較佳是碳數為6〜20、更佳是碳數為6〜16、最佳是碳 數為6〜12，例如，苯氧基、2-萘氧基等）、醯基(較佳是碳數 15 為1〜20、更佳是碳數為1〜16、最佳是碳數為1〜12，例如， 乙醯基、苯甲醯基、甲醯基、三甲基乙醯基等）、烷氧羰基 (較佳是碳數為2〜20、更佳是碳數為2〜16、最佳是碳數為 2〜12,例如，甲氧羰基、乙氧羰基等）、芳氧羰基(較佳是碳 數為7〜20、更佳是碳數為7〜16、最佳是碳數為7〜10，例如， 20 苯氧羰基等）、醯氧基(較佳是碳數為2〜20、更佳是碳數為 2〜16、最佳是碳數為2〜10，例如，乙醯氧基、苯曱醯氧基 等）、醯氨基(較佳是碳數為2〜20、更佳是碳數為2〜16、最 佳是碳數為2〜10，例如，乙醯氨基、苯甲醯氨基等）、烷氧 羰基胺基(較佳是碳數為2〜20、更佳是碳數為2〜16、最佳是 12 200909562 碳數為2〜12，例如，曱氧羰基胺基等 —— 是礙數為7〜2G、更佳是碳數為7〜16 H基胺基(較佳 例如’苯氧Μ基胺基等）、取代或ϋ取數為7〜12 ’ 碳數為卜2〇、更佳是碳數為卜16、最2續酿胺基(較佳是 如，甲績醯胺基、苯確醯胺基等）、^兔數為1〜12 ’例 醯基(alphamoylgroup ;較佳是碳數為〇 = ’、’、取代之α胺嶒 0〜16、最佳是碳數為〇〜12，例如，胺辟 疋反數為 只S&基、甲胺石蔷酼其、 二甲胺磺醯基、苯胺磺醯基等）、取代 或“、、取代之胺甲酿* (較佳是礙數為1〜20、更佳是碳數為1 土 10 15 20 1〜12，例如，胺甲醯基、甲基胺甲醯基、_ 反双两 土、二乙基胺甲醯其、 苯基胺甲醯基等）、烷硫基(較佳是唆數為丨 ^ 為1~16、最佳是碳數為1〜12，例如，田+ 更佳疋破數 甲碎1基、乙碌美耸、 芳硫基(較佳是碳數為6〜20、更佳是碳數為6 : 土寻广 數為6〜12，例如，苯硫基等）、取代或盈而 最佳疋反 、 …、取代之硫醯基(較佳 是碳數為1〜20、更佳是碳數為1~16、最估β 佳是碳數為1〜12， 例如，甲石黃酿基、曱苯績醒基等）、取件 代或無取代之亞磺醯 基(較佳是碳數為1〜20、更佳是碳數為丨 16、最佳是碳數為 1〜12，例如，甲亞磺醯基、苯亞磺醯基笪、 、 ）、取代或無取代 之脲基(較佳是碳數為1〜20、更佳是後數太， 双為1〜16、最佳是碳 數為1〜12，例如，脲基、甲脲基、笨腺其楚 备等）、取代或無取 代之磷酸胺基(Phosphoric acid amido ;較佳是0數為1 2 更佳是碳數為1〜16、最佳是碳數為1〜12，仓丨， 例如，二乙其^石粦 酸胺基、苯基《胺基等Hi基、料、_切^紗氣 原子、氯原子、㈣子、料子）、聽叛基、 13 200909562 石肖基、羥胺酸基、亞確基(sulfino)、肼基(hydrazino)、亞胺 基、取代或無取代之矽烷基(較佳是碳數為3〜40、更佳是碳 數為3〜30、最佳是碳數為3〜24，例如三甲矽烷、三苯矽烷 等）。 5 該等置換基亦可再進一步置換。又，置換基有兩個以 上的情況下，有相同或不同的置換基亦可。又，在容許的 情況下相互連結成環亦可。 該等置換基中，以芳基、烷基、矽烷基、芳矽基為較 佳，而以芳基、烧基、碎烧基、芳石夕基為更佳。 1〇 較佳形態為式（1)中之R!〜R丨〇為氫原子。 較佳形態為之任一者為取代或無取代之核碳數 為10〜20之縮合芳香族環，其他為氫原子。 較佳形態為式（1)中之R21〜R25之任一者為取代或無取 代之萘基或取代或無取代之苐基，其他為氫原子。 15 本發明之苯并菲衍生物之具體例係如下所示： [化學式3]

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5 式中，Me代表甲基，Ph代表苯基。 本發明之苯并菲衍生物係適合使用於有機E L元件用材 料，特別是適合使用於作為有機EL元件用材料之發光材料。 17 200909562 本發月之有機EL元件係具有陽極、陰極及挾合於陽極 與陰極之間且含發光層之-個以上的有機薄膜層，該有機 薄膜層之至少-層係含有本發明之苯并菲衍生物。 本發明之有機EL元狀代表㈣射舉例如下，但不 5限於此。該等結構中通常以使用⑻之結構為較佳。 (I) 陽極/發光層/陰極 ⑺陽極/電洞注入層/發光層/陰極 (3) 陽極/發光層/電子注入層/陰極 (4) 陽極/電洞注入層/發光層/電子注入層/陰極 10 (5)陽極/有機半導體層/發光層/陰極 (6) 陽極/有機半導體層/電子障蔽層/發光層/陰極 (7) 陽極/有機半導體層/發光層/附著改善層/陰極 (8) 陽極/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注入層/陰極 (9) 陽極/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 15 (1〇)陽極/無機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (II) 陽極/有機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (12) 陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/絕緣層/ 陰極 (13) 陽極/絕緣層/電洞注入層/電洞輸送層/發光層/電子注 2〇 入層/陰極 第1圖係顯示（8)之構造。該有機EL元件係由陽極1〇、 陰極20及挾合於陽極10與陰極2〇之間之電洞注入層3〇、電 洞輸送層32、發光層34、電子注入層36所形成者。電洞注 入層30、電洞輸送層32、發光層34、電子注入層36係相每 200909562 於複數個有機薄臈層。哕笙古 g 及寺有機溽膜層30、32、34、36之 至少-層含有本發明之科菲衍生物。 本發明之有機EL轉巾，本發明之笨并菲衍生物雖使 ;述4者之有機薄膜層亦可，但是以使用於發光層 5為較佳。本發明之苯并菲衍生物單獨使用於各有機薄膜層 中亦可兵其他化合物混合使用亦可。本發明之元件中， 發光層係含有作為主體材料之本發明之苯并菲衍生物，而 以又含有螢光性摻雜物及燐光性摻雜物之至少一者為較 佳。 0 本發明中’發光層係以實質上由本發明之苯并菲衍生 物及上述摻雜物所形成者為較佳。 另’本發明之苯并菲衍生物的含有量係以佔有機薄膜 層之30〜1〇〇莫耳％為較佳。 以下說明有機EL元件的各部件。 15 有機ELS件通常製作於基板上，而該基板係支持有機 EL元件。以使用平滑基板為較佳。光通過該基板時，基板 疋具透光性的，且以波長4〇〇〜7〇〇nm之可見光區之光的透 過率為50%以上者為較佳。 作為此種透光性基板，適合使用例如：玻璃板、合成 20樹脂板等。玻璃板可舉例為：鈉鈣玻璃、鋇.锶含有玻璃、 錯玻璃、|g矽酸玻璃、蝴;5夕酸玻璃、鎖棚矽酸玻璃、石英 等板。又，合成樹脂可舉例為聚碳酸酯樹脂、丙烯基樹脂、 聚對笨二甲酸乙二酯樹脂、聚硫醚樹脂、聚砜樹脂等板。 陽極係注入電洞於電洞注入層、電洞輪送層或發光 19 200909562 層’且具有4.5 eV以上的工作函數(work functi〇n)是有效果 的。作為陽極材料的具體例可舉例為：氧化銦錫(IT〇)、氧 化銦與氧化鋅的混合物（ΙΖΟ)、ΙΤΟ與氧化鈽之混合物 (ITCO)、ΙΖΟ與氧化鈽之混合物（iZC0)、氧化銦與氧化鈽之 5混合物（ICO)、氧化鋅與氧化鋁之混合物（ΑΖ0)、氧化錫 (NESA)、金、銀、白金、銅等。 陽極係由上述電極物質而可藉由蒸鍍法或濺鍍法形 成。 發光層之發光是由陽極出射光的情況下，對於陽極發 10光的透過率以大於10%為較佳。又，陽極的薄片電阻係以 數百Ω/□以下為較佳。陽極的膜厚雖與材料亦相關，通常是 l〇nm〜Ιμιη，而以1〇〜200nm為較佳。 發光層係具有以下的機能。 (1)注入機能：施加電場時，可藉由陽極或電洞注入層注 15 人電洞’且可藉由陰極或電子注人層注人電子之機 能。 ⑼輪送機能：以電場之力移動已注入之電荷（電子及電洞） 之機能。 20 ⑽發光機能Μ吏得電子與電洞再結合，而與發光相連結 的機能。 形成發光層的方法，可適用習知的方法，例如：蒸錢 ，^轉塗布法、LB(Langmuir_Bk)dgett)法等。發光層特別 :1:4子堆積層為較佳。所謂的分子堆積層是沈澱氣相狀 ⑽材料化合物所形成的膜，或是固體化溶液狀態或液相 20 200909562 «的材料化合物所形成的膜’通常此類分子堆積膜係與 ^ 法所^成的薄膜（分子累積膜）的不同，是可藉由凝 集構造、高階構造的不同，及以此等不同為由之機能上的 不同來區分的。 5 又，將樹脂等之接著劑與材料化合物溶於溶劑而形成 洛液後’藉由旋轉塗布法等將溶液薄膜化亦可形成發光層。 作為可使用於發光層的發光材料，可舉例為：蒽、萘、 菲、芘、稠四苯、蔻、苯并菲、螢光黃、茈、酞菁茈 (phthaloperylene)、萘苑（naphthaloperylene)、紫環銅 10 (Perinone)、献菁紫環 _ (phthaloperinone)、萘紫環酮 (naphthaloperinone)、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、香豆 靈（coumalin)、噁二唑、醛連氮、二苯并噁唑啉 (bisbenzoxazoline)、二苯乙烯基、吡嗪、環戊二烯、喹啉金 屬錯合物、胺基喹啉金屬錯合物、苯并喹啉金屬錯合物、 15 亞胺、二苯基乙烯、乙稀蒽（vinyl anthracene)、二氨基叶 〇坐、 呱喃、噻喃(thiopyran)、聚次甲基、部花青素、咪唑螯合化 8-經基噎琳酮（imidazole chelated oxinoid)化合物、噎〇丫〇定 酮、紅螢烯及其等之衍生物或螢光色素等，但不限於上述 之材料。 20 作為可使用於發光層之主體(host)材料之具體例，可舉 例為下述⑴〜(ίχ)所示之化合物。 下述式⑴所示者為非對稱之蒽。 [化學式4] 21 200909562

\>°°1)a" (χ气 一 αγ〇〇2 (式中，Ar001係為取代或無取代之 核碳數為1〇〜5〇之縮 合芳香族基。ArQQ2係為取代或無取代之核碳數為6 ' 香族基。Χ_〜XGG3各為獨立之取代或無取代之核a 5 6〜50之芳香族基、取代或無取代之核原子數為5 5，芳 族雜環基、取代或無取代之碳數為卜50之炫基、取代或無 取代之碳數為1〜50之炫氧基、取代或無取代之碳數為6〜5〇 之芳烧基、取代或無取代之核原子數為5〜50之芳氧基、取 代或無取代之核原子數為5〜50之芳硫基、取代或無取代之 10碳數為1〜50之烧氧基羰基、羧基、鹵素原子、氰基、硝基、 經基。a、b及c係各為0〜4之整數。η為1〜3之整數。又，在η 為2以上的情況下，□内之化學式為相同或不同皆可。） 下述式(ii)所示者為非對稱之單蒽衍生物。 [化學式5]

(式中，Ar’及Ar’各為獨立之取代或無取代之核碳數 為6〜50之芳香族環基，m及η各為1〜4之整數。但，在m=n=i 且ArQQ3及ArQQ4之苯環結合位置是呈左右對稱型的情況下， 22 200909562

Ar與Ar疋不同的，111或11為2~4之整數的情況下，m與11 是不同的整數。 R_〜rGU)各為獨立之氫原子、取代或無取代之核碳數 為6〜50之芳香族環基、取代或無取代之核原子數為5〜50之 5芳香族雜環基、取代或無取代之碳數為1〜50之烷基、取代 或無取代之環烷基 '取代或無取代之碳數為卜5〇之烷氧 基、取代或無取代之碳數為6〜50之芳烷基、取代或無取代 之核原子數為5〜50之芳氧基、取代或無取代之核原子數為 5〜50之芳硫基、取代或無取代之碳數為卜5〇之烷氧基羰 10基、取代或無取代之矽烷基、羧基、齒素原手、氰基、硝 基、羥基。） 下述式(111)所示者為非對稱之芘之衍生物。 [化學式6] ((l001)'^ Ar00^ ((L°t|-Ar°°e)t 15 [式中’入’^及八1^6各為取代或無取代之核碳數為6〜50 之芳香族基。LGQ1及LDQ2各為取代或無取代之伸苯基、取代 或無取代之伸萘基(naphthalenylene)、取代或無取代之伸苐 基（fluorenylene)或取代或無取代之二苯并亞碎炫基 (dibenzosilolylene) 〇 2〇 m為〇〜2之整數’ η為1〜4之整數，s為〇〜2之整數，（為〇〜4 23 200909562 之整數。 又，L_或ArGQ5係結合於芘之編號1〜5之位置的任一 者，L’或Ar_係結合於芘之編號6〜10之位置的任一者。 但，n+t為偶數時，ArQ()5、ArGG6、L’、L·係滿足下述（1) 5 或(2)之條件。 (1) ArQQVAr_及/或LGG VLG°2(此處之#係表示不同構造 之基團。） (2) ArOO5 = ArOO6J.Lool = L°O2^0f » (2-l)m#s及/或η#，或 10 (2-2) 111二 s且n = t之時， (2-2-1) LQQ1及LG()2、或芘係各結合於At·%5及Ar%6上不同 的結合位置，或（2-2-2) L’及IT2、或芘係於ArG()5及 A,6上相同的結合位置結合的情況，而非LG()1及LQ()2、 或Ar_及Ar_於芘之置換位置是在編號1及6之位置或 15 是在編號2及7位置的情況。] 下述式（iv)所示者為非對稱之蒽衍生物。 [化學式7] X R°Y ； p{018

(式中，A·及A·係各為獨立之取代或無取代之核碳 24 200909562 數為10〜20之縮合芳香族環基。

Ar及Ar係各為獨立之氯原子或取代或無取代之核 碳數為6〜50之芳香族環基。

Rou及R〇2〇係各為獨 立之氫原子、取代或無取代之核碳 數為6〜50之芳香族環基、& 取代或無取代之核原子數為5〜50 之芳香族雜環基、取代或盔％， A』 4無取代之碳數為1〜5〇之烷基、取 代或無取代之城基、取代或無取代之碳數為卜％之炫氧 基、取代絲取代之錢-〜50之找基、取代或無取代 之核原子數為5〜5G之芳氧基、取代或無取代之核原子數為 5〜5〇之芳硫基、取代或無取代之碳數為m魏基羰 基、取代或無取代之㈣基、·、«原子、氰基、石肖 基或經基。

Ar007 ' Ar008 ' R019^ r02〇^ . Α 各成為複數個亦<，相鄰的兩 者形成飽和或不飽和之環狀結構亦可。 但’式(iv)中，中心之蒽之編號9位置及雜置處，並 ^相對於該蒽上所示之Χ.Υ軸而相對稱之對稱裂之基團相 、、吉合的情況。） 下述式(ν)所示者為蒽衍生物。 [化學式8]

(式中’ R021〜R030係表示各為獨立之氫原子、炫基、環 25 200909562 烧基、置換亦可之芳基、烧氧基、芳氧基、烧基胺基 (alkylamino)、炔基、芳基胺基(arylamino)或置換亦可之雜 環式基。a及b各表示1〜5之整數，其等為2以上的情況下， RG21重覆單元或RG22重覆單元為相同或不同亦可，又，R021 5 重覆單元或Rg22重覆單元結合形成環亦可，rG23與rG24、r025 與RG26、尺’與尺⑽、r〇29與RQ30相互結合形成環亦可。l〇03 表示單結合、一〇 —、一 S —、一 N(R)~(r為烷基或置換 亦可之芳基）、伸烧基或伸芳基(arylene)。 下述式(vi)所示者為蒽衍生物。 10 [化學式9]

(式中，R°31〜R_係表示各為獨立之氫原子、烷基、環 烧基、芳基、烧氧基、芳氧基、烧基胺基(alkylamino)、芳 基胺基(arylamino)或置換亦可之雜環基。c、d、e及f各表示 15 1〜5之整數，其等為2以上的情況下，R031重覆單元、R032重 覆單元、R°36重覆單元或RG37重覆單元為相同或不同亦可， 又，RG31重覆單元、RG32重覆單元、R°36重覆單元或RQ37重覆 單元結合形成環亦可，RG33與RG34、R’與R_相互結合形成 26 200909562 環亦可。L_表示單結合、一Ο —、一 S —、一 N(R)—(R 為烷基或置換亦可之芳基）、伸烷基或伸芳基(arylene)。 下述式(vii)所示者為螺苐（spirofluorene)衍生物。 [化學式10]

(式中，A1^5〜AGG8係各為獨立之取代或無取代之聯苯基 或取代或無取代之萘基。） 下述式(viii)所示者為含有縮合環之化合物。 [化學式11]

(式中，AG11〜A013係表示各為獨立之取代或無取代之核 碳數6〜50之伸芳基。AG14〜AG16係表示各為獨立之氫原子、 取代或無取代之核碳數6〜50之芳基。RG41〜ί^43各表示獨立 之氫原子、碳數為1〜6之烷基、碳數為3〜6之環烷基、碳數 15 為1〜6之烷氧基、碳數為5〜18之芳氧基、碳數為7〜18之芳烷 基氧基、碳數為5〜16之芳基胺基、頌基、氛基、碳數為1〜6 之酯基或鹵素原子。AG11〜AG16中之至少一者為具有3環以上 27 200909562 的縮合芳香族環之基。） 下述式(ix)所示者為第化合物。 [化學式12]

5 (式中’ RG51及R052係表示氫原子、取代或無取代之嫁 基、取代或無取代之芳烷基、取代或無取代之芳基、取代 或無取代之雜環基、取代之胺基、氰基或齒素原子。始合 於不同的苐基之R051重覆單元及R052重覆單元為相同或不 同亦可，結合於相同的苐基之R051及R052為相同或不同亦 ίο可。rg53及rG54係表示氫原子、取代或無取代之烷基、取代 或無取代之芳烷基、取代或無取代之芳基、取代或無取代 之雜環基。結合於不同的第基之R053重覆單元及R054重覆單 元為相同或不同亦可，結合於相同的苐基之R〇53及R054為相 同或不同亦可。Ar011及Ar012係表示合計有3個以上苯環之取 15 代或無取代之縮合多環芳香族基，或是以合計有3個以上苯 %及雜環之取代或無取代之碳原子而結合至苐基的縮合多 袁雜％基。Aron及Αι^2為相同或不同亦可。η表示1〜10之整 數。） 2〇 作為使用燐光性摻雜物之際的主體化合物之具體例， 】為· °卡嗤竹生物、三。坐衍生物、。惡π坐衍生物、°惡二 'f生物、咪嗤衍生物、聚芳烧⑽幻衍生物、吼 啉讨生物、吡唑啉_、笨二胺衍生物、芳胺衍生物、胺 28 200909562 基置換之查耳酮(chalcone)衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、第 酮衍生物、腙衍生物、1，2-二苯乙烯衍生物（芪衍生物）、矽 氮類竹生物、芳香族二級胺化合物、苯乙稀胺(styryiamino) 化合物、芳香族二甲亞基（aromatic dimethylidene)系化合 5 物、口卜琳糸化合物、蒽酿二甲烧(anthraquinodimethane)衍生 物、蒽酮衍生物、聯苯醌衍生物、二氧化噻喃 (thiopyrandioxide)衍生物、碳二醯亞胺衍生物、亞苐基甲烷 衍生物、一（本乙烯基)Π比唤(distyrylpyrazjne)衍生物、萘花 (naphthaleneperylene)等雜環四元羧酸酐、苯二甲藍染料衍 10生物、8-羥基喹啉衍生物之金屬錯合物或以金屬苯二曱藍 染料、苯并嚼唾或苯并噻唑作為配位子之金屬錯合物為代 表之各種金屬錯合物聚矽烷系化合物、聚(N_乙烯基咔唑） 衍生物、苯胺系共聚物、噻吩募聚物、聚噻吩等導電性高 分子寡聚物、聚噻吩衍生物、聚伸苯基衍生物、聚伸苯基 15伸乙烯基衍生物、聚第衍生物等高分子化合物等。主體化 合物單獨使用亦可，併用2種以上亦可。 作為具體例，可舉例為以下之化合物。 [化學式13]

29 20 200909562

本發明之有機EL元件中，發光層係以本發明之發光材 料作為主體(h〇st)，而以含有榮光性摻雜物及鱗光性換雜物 之至少一者為較佳。又，含有本發明之化合物之發光層， 5以含有此等摻雜物之發光層來積層亦可。 燐光性摻雜物係為可由三重態激子（triplet excit〇n)發 光之化合物。由三重態激子發光時，並無特別的限定，但 以含有選自由銥(Ir)、鉑（Pt)、锇(〇s)、金(Au)、銅(Cu)、銖 (Re)、釕（Ru)所組成之群之至少一金屬之金屬錯合物為較 10佳。又，以卟啉金屬錯合物或正金屬化(orthometaiati〇n)金 屬錯合物為較佳。燐光性摻雜物單獨使用亦可，併用2種以 上亦可。 本發明之苯并菲衍生物因其三重態能量等級在2.5eV 以下，因此，以使用可於2.5eV以下之能量發光的燐光性摻 15雜物為較佳。即，以於520nm〜700nm具有最大波峰波長之 發光光譜的燐光性摻雜物為較佳。 作為卟啉金屬錯合物，以卟啉白金錯合物為較佳。 作為形成正金屬化（〇rth〇 metalatj〇n)金屬錯合物之配 位子有許多種類，較佳的配位子可舉例為：具有苯比啶 20骨架、聯吡啶骨架或菲羅啉（phenanthroline)骨架之化合 物、或2-苯基吡啶衍生物、7,8_苯并喹啉衍生物、2_(2_噻吩 30 200909562 基)D比°定衍生物、2-(1-萘基)°比。定衍生物、2-苯基啥琳衍生物 等。其等之配位子因應需要具有置換基亦可。特別是，導 入氟化物、三氟甲基者係以藍色系摻雜物為較佳。此外， 具有作為補助配位子之乙醯丙酮、苦酸等之上述配位子以 5 外之配位子亦可。 作為此類金屬錯合物之具體例可舉例為以下所示之化 合物。又，本發明特別是與紅色領域發光之燐光性摻雜物 組合為較佳。但不限於此，依所需之發光顏色、元件性能、 使用的主體化合物可選擇更適當的錯合物。 10 [化學式14]

31 200909562

^(ppy)$

〇: >Pi O^ >lr ifV 2 [O J 3 _U j l>< )=G、 、。-<c

32 5 200909562

33 200909562

燐光性摻雜物在發光層中的含量並無特別的限制，因 5 應目的可做適當選擇，例如，0.1〜70重量％，以1〜30重量％ 為較佳。燐光性化合物的含有量若少於0.1重量％則發光微 弱，其含有效果有無法充份發揮之虞，超過70重量％的情 況則有顯著的濃度淬滅之現象，而恐有元件性能低下之虞。 作為螢光性摻雜物是以依所需發光顏色選自由下列之 10 組合的化合物為較佳：胺系化合物、芳香族化合物、參(8-經基啥琳）銘[tris(8-quinolinolate)aluminium]錯合物等之螯 合錯合物、香豆靈衍生物、四苯基丁二烯衍生物、雙芪類 衍生物、α惡二α坐衍生物等。更佳是苯乙烯胺化合物、苯乙 烯二胺化合物、芳胺化合物、芳二胺化合物。又非胺系化 15 合物之縮合多環芳香族化合物亦佳。該等螢光性摻雜物單 34 200909562 獨或複數之組合使用亦可。 限制，因 以1〜3〇重量0/〇 以下述式 勞光性摻雜物在發光層中的含量並無特別的 應目的可做適當選擇，例如，〇1〜7〇重量％， 為較佳。 作為苯乙烯胺化合物及苯乙烯二胺化合物， (A)所示者為較佳。 [化學式15] / Ar102> Αγ104ν \ Ar^V p (A) 10 15 20 (式中，Ar101係為p價基，與苯基、萘基、聯笨基、二 聯苯基（terphenyl)、芪基（stilbenyl)、二笨乙埽芳茂 (distyrylaryl)對應的p價基，Ar102及Ar1G3各為碳數為6〜2〇之 芳香族烴基(aromatic hydrocarbon group)，且Ar1。1、a 1〇2 ar 及

Ar1Q3取代亦可。Ar1G1〜Ar1G3之任一者是經苯乙烯基置換的。 更佳是，ArIG2或Ar1G3之至少一者是經苯乙烯基置換的。p 為1〜4之整數，較佳是1〜2之整數。） 於此，作為碳數為6〜20之芳香族煙基，可舉例為.〜 基、萘基、苯曱醯亞胺酸(anthranil)基、菲基、三聯笨久等 作為芳胺化合物及芳二胺化合物，以下述式（3)為_ 佳。 [化學式16] 35 200909562

(B) (式中，Ar111係為q價之取代或無取代之核碳數為5〜40 之芳香族基，Ar112及Ar113各為取代或無取代之核碳數為 5〜40之芳基。q為1〜4之整數，較佳是1〜2之整數。） 5 於此，作為核碳數為5〜40之芳基，可舉例為：苯基、 萘基、苯甲醯亞胺酸（anthranil)基、菲基、芘基、蔻基 (coronenyl)、聯笨基、三聯苯基、°比0各基、吱°南基(furanyl)、 噻吩基、苯并噻吩基、噁二唑基、二苯基苯甲醯亞胺酸基、 吲哚基、咔唑基、吡啶基、苯并喹啉基、螢蒽基 10 (fluoranthenyl)、危并榮蒽基（acenaphthofluoranthenyl)、这 基、茈基、蒯基(chrysenyl)、起基(picenyl)、聯三苯基、茹 基(rubicenyl)、苯并蒽基、苯胺苯甲酸(phenylanthranil)基、 二蒽基(bisanthracenyl)。以萘基、苯甲醯亞胺酸基、蒯基、 祐基為較佳。 15 &係以上述q價之基為較佳，又，Ar111為2價時，以 下述式(C)、（D)所示者為較佳，以式(D)所示者為更佳。 [化學式17]

36 200909562 為i迷置換於前述芳基之較佳置換基，可舉例 為.$厌數為1〜6 < p # <烷基（乙基、甲基、異丙基、n_丙基、二級 丁基、第三丁基、 戍基、己基、環戊基、環己基等）、碳數 為1〜6找氧基叫基、甲氧基、異丙氧基、η·丙氧基、二 5級y氧基、第三丁氧基、戊氧基、已氧基、環戍氧基、環 已氧基等）核石及數為5〜40之芳基、核礙數為5-40之經芳基 置換之胺I具有核礙數為5〜40之芳基的S旨基、具有碳數 為1〜6之院基之®旨基、胺基、硝基、i素原子等。 發光層係依需要亦可含有電洞輸送材料、電子輸送材 10料、高分子接合劑。 發光層之膜厚係以5〜50nm為較佳，以7〜50nm為更佳， 以10〜50nm為最佳。形成厚度少於5nm之發光層是困難的， 且彩度之調整有困難之虞。另，發光層厚度一旦超過50nm， 則有驅動電壓上昇之虞。 15 電洞注入層及電洞輸送層係為幫助朝發光層之電洞注 入而輸送至發光領域之層，電洞移動性大，則離子化能量 通常為5.5eV以下之小值。作為此種電洞注入層及電洞輸送 層的材料，是以在更低電場強度下，輸送電洞至發光層的 材料為較佳，又，電洞的移動性係以（例如在施加 20 1〇4〜1〇5V/cm之電場時）ur4cm2/v _秒以上為較佳。 作為電洞注入層及電洞輸送層之材料，並無特別限 制’可任意由習知在光傳導材料中作為電洞的電荷輸送材 料所慣用者，或有機EL元件之電洞注入層及電洞輪送層所 使用之公知之物中選擇使用。 37 200909562 電洞注入層及電洞輸入層可使用，例如下述式所示之 芳香族胺衍生物。 [化學式18]

5 Ar211〜Ar213、Ar221〜Ar223及Ar203〜Ar208各為取代或無取 代之核碳數為6〜50之芳香族烴基或取代或無取代之核碳數 為5〜50之芳香族雜環基。a〜c及p〜r各為0〜3之整數。Ar2Q3 與Ar204、Ar205與Ar206及Ar207與Ar208亦可各互相連結形成飽 和或不飽和環。 10 作為取代或無取代之核碳數為6〜50之芳香族環基，可 舉例為：苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、 1- 菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-稠四苯基、 2- 稠四苯基、9-桐四苯基、1-祐基、2-比基、4-比基、2-聯 苯基、3-聯苯基、4-聯苯基、p-聯二苯-4-基、p-聯二苯-3_ 15 基、p-聯二苯-2-基、m-聯二本-4-基、m-聯二本-3-基、m_ 聯三苯-2-基、〇-曱苯基、m-甲苯基、p-甲苯基、p-t-丁苯基、 p-(2-苯基丙基)苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4-曱 基-1 -恩基、4’ -甲基聯苯基、4”-t-丁基-p-聯二苯-4-基。 作為取代或無取代之核碳數為5〜50之芳香族雜環基， 20 可舉例為：1-吡咯基、2-吡咯基、3-吡咯基、吡嗪基、2-吡 38 200909562 啶基、3-吡啶基、4-吡啶基、1-吲哚基、2-吲哚基、3-4卜朵 基、4-吲哚基、5-吲哚基、6-吲哚基、7-吲哚基、1_異叫卜朵 基、2-異α引β朵基、3-異β引D朵基、4-異朵基、、異^弓卜朵基、 6- 異°引°朵基、7-異,·1朵基、2-咬喃基、3-·»夫喃基、2-苯并吱 5喃基、3_苯并呋喃基、4-苯并呋喃基、5-苯并呋喃基、6_苯 并呋喃基、7-苯并呋喃基、1-異苯并呋喃基、3_異苯并呋喃 基、4-異苯并呋喃基、5-異苯并呋喃基、6-異苯并呋喃基、 7- 異苯并呋喃基、喹啉基、3-喹琳基、4-喹啉基、5-喹啉基、 6-喹啉基、7-喹啉基、8-喹啉基、1-異喹啉基、3_異喹啉基、 10 4-異喹啉基、5_異喹啉基、6-異喹啉基、7-異喹啉基、8-異 喹啉基、2-喹喔啉基、5-喹喔啉基、6-喹喔啉基、i_咔唑基、 2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基、1-啡啶基、2-啡啶基、3-啡啶基、4-啡啶基、6-啡啶基、7-啡啶基、8-啡 啶基、9-啡啶基、10-啡啶基、1_吖啶基、2_吖啶基、3_吖啶 15基、4_吖啶基、9—吖啶基、U-菲羅啉-2-基、1,7-菲羅啉-3-基、1,7-菲羅啉-4-基、1，7-菲羅啉_5_基、ι,7-菲羅啉_6_基、 1,7-菲羅啉-8-基、1,7-菲羅啉-9-基、i，7_菲羅啉_ι〇_基、丨，8_ 菲羅琳-2-基' 1，8-菲羅淋-3-基、ι,8_菲羅琳_4_基、ι，8·菲羅 啉-5-基、1，8-菲羅啉-6-基、1，8-菲羅啉_7_基、丨，8_菲羅啉 μ 基、 1,8-菲羅琳-10-基、 〖，9_ 菲羅啉 _2_基、 19_菲 羅啉 _3_基、 1,9-菲羅琳-4-基、1，9-菲羅啉基、丨，9_菲羅啉_6基、ι9_ 菲羅啉_7_基、1,9-菲羅啉-8_基' ls9_菲羅啉_1〇_基、丨,1〇_ 菲羅啉-2-基、1,10-菲羅啉·3_基、ι，1〇菲羅啉_4_基、uo-菲羅琳-5-基、2,9-菲羅琳小基、2,9_菲羅琳_3_基、2,9菲羅 39 200909562 、2,9-菲羅啉_6_基、2,9-菲羅啉_7_

啉-4-基、2,9-菲羅啉-5-基 基、2,9-菲羅啉-8-基、2,9 2,8-非羅琳-3-基、2,8-M! -4-基、2,7-菲羅琳-5-基、2,7·菲羅啉_6_基' 2,7_菲羅啉_8_ 基、2,7-菲羅啉-9-基、2,7-菲羅啉-10-基、1_吩嗪基、2_吩 嗪基、1-吩噻嗪基、2-吩噻嗪基、3-吩噻嗪基、4-吩噻嗪基、 10-吩噻嗪基、1-吩噁嗪基、2-吩噁嗪基、3-吩噁嗪基、4_ 10 吩噁嗪基、10-吩噁嗪基、2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基、 2_0惡·唾基、5-°惡一°坐基、3-β夫咕基（3-furazanyl)、2-嗟吩 基、塞吩基、2-曱基。比〇各-1-基（2-methylpyrrol-l-yl)、2_ 曱基°比σ各-3-基、2-甲基吼b各-4-基、2-甲基吼n各-5-基、3-甲 基。比σ各-1-基、3-甲基吼略-2-基、3-甲基吼〇各-4-基、3-甲基 15 吡咯_5_基、2-t-丁基吡咯-4-基' 3-(2-苯基丙基)吡咯_ι_基、 2-甲基小。引哚基、4-甲基小。引哚基、2-甲基_3_吲哚基、4_ 曱基-3-n引哚基、2-t-丁基小〇引哚基、4小丁基-μ引哚基、2_t_ 丁基-3-叫丨哚基、4-t-丁基-3-㈣哚基。 又，電洞注入層及電洞輸送層可使用下述式所示之化 20 合物。 [化學式19] 40 200909562

Ar231〜Ar234各為取代或無取代之核碳數為6〜50之芳香 族烴基或取代或無取代之核碳數為5〜50之芳香族雜環基。L 為連結基、單結合、或是取代或無取代之核碳數為6〜50之 5 芳香族烴基或取代或無取代之核碳數為5〜50之芳香族雜環 基。X為0〜5之整數。Ar232與Ar233亦可各互相連結形成飽和 或不飽和環。 於此之取代或無取代之核碳數為6〜50之芳香族烴基及 取代或無取代之核原子數為5〜50之芳香族雜環基之具體例 10 係與前述芳香族胺(aromatic amine)衍生物相同。 又，作為電洞注入層及電洞輸送層之材料的具體例， 可舉例為：三。坐衍生物、11 惡二°坐衍生物、咪嗤衍生物、聚 芳貌(polyarylalkane)衍生物、吡唑啦衍生物、D比峻琳酮衍生 物、苯二胺(phenylenediamine)衍生物、芳胺（aryiamine)衍 15生物、胺基置換之查耳酮(chalcone)衍生物、嚼。坐衍生物、 笨乙烯基蒽（styrylanthracene)衍生物、第衍生物、腙衍生 物、1,2-一苯乙烯竹生物（塞讨生物）、石夕氮類衍生物、苯胺 糸共♦物、導電性南分子养聚物(特別是u塞吩募聚物）等。 作為電洞注入層及電洞輸送層之材料，可使用上述 2〇者，但以使用卟啉化合物、芳香族第三級胺化合物及笨乙 200909562 稀胺(styrylamine)化合物為較佳，特別是以芳香族第三级胺 化合物為更佳。 又，分子内具有2個縮合芳香族環之化合物，以使用下 列為較佳，例如4-4，-雙(N-(卜萘基)-N-苯胺）聯苯（以下略稱 5 為NPD)或三苯胺單元連結至3個星射狀（starburst)蜇之 4,4，，4，，-參（N-(3-曱基苯）-N-苯胺）三苯胺（以下略稱為 MTDATA)等。 其他亦可使用下述式所示之含氡雜環衍生物。 [化學式20]

式中，R2G1〜R2G6各表示為取代或無取代之烷基、取代 或無取代之芳基、取代或無取代之芳烷基、取代或無取代 之雜環基之任一者。R2Q1 與R2。2、R2G、R2G4、112。5與11206、 &2(>1與尺2()6、R2G2與R2G3或R2G4與R205亦可形成縮合環。 又，亦可使用下述式之化合物。 [化學式21]

42 200909562 R211〜R216係為置換基，較佳是各別為氰基、硝基、硫 醯基、羰基、三氟甲基、鹵素等電子吸引基。 又，p型矽、p型碳化矽等無機化合物亦可作為電洞注 入層及電洞輸送層之材料來使用。 5 電洞注入層及電洞輸送層係可藉由真空蒸鍍法、旋轉 塗布法、鑄製法、LB法等公知方法將上述化合物薄膜化而 形成。電洞注入層及電洞輸送層之膜厚無特別限制，但通 常是5nm〜5μηι。電洞注入層及電洞輸送層係為上述之材料 的一種或兩種以上所形成的一層構造亦可，由不同化合物 10 所形成的複數個電洞注入層及電洞輸送層予以積層亦可。 有機半導體層係幫助往發光層之電洞注入或電子注入 之層，以具有l〇_1GS/cm以上的導電率者為較佳。作為此種 半導體層的材料，可使用含噻吩寡聚物或含芳胺寡聚物等 之導電性寡聚物、含芳胺樹枝狀聚合物等導電性樹枝狀聚 15 合物等。 電子注入層及電子輸送層係幫助朝發光層之電子注入 而輸送至發光領域之層，電子移動性大。又，附著改善層 係由特別是與陰極附著良好的材料所形成的電子注入層的 '種。 20 電子輸送層係適宜地選擇為5nm〜5μιη之膜厚，特別是 膜厚很厚時，為了避免電壓上昇，以選擇1〇4〜l〇6V/cm之電 場施加時，電子移動度為10_5cm2/Vs以上者為佳。 作為電子注入層及電子輸送層所使用之材料，以8-羥 基喧來或其衍生物之金屬錯合物或13惡二唾衍生物為較佳。 43 200909562 作為8-羥基喹啉或其衍生物之金屬錯合物可舉例為：含有 奥辛（oxine ; —般是 8-經基啥琳（8-hydroxyquinoline 或 8-quinolinol))之螯合物的金屬螯合物8-羥基喹琳酮 (chelated oxinoid)化合物，例如’三（8-經基喹琳）鋁。 作為噁二唑衍生物，舉例為以下之式所示之電子傳達 化合物。 [化學式22]

Ar30

Ar302 Ν—Ν Ν—Ν Αγ303_^ ^__^^04^_^r3QS Ν~Ν Ν—Ν Αγ3〇6_4^^_Ai^-O-Ar308-^ ^—Ar308 (式中，Ar301、Ar302、Ar303、Ar305、Ar306及 Ar309各表 10 示取代或無取代之芳基。又，Ar3G4、Ar3G7、Ar3G8各表示取 代或無取代之伸芳基。） 此處作為芳基，可舉例為：苯基、聯苯基、苯甲醯亞 胺酸(anthranil)基、花基、芘基等。又，作為伸芳基，可舉 例為.伸本基、伸奈基、聯伸二苯基(biphenyiene)、伸笨曱 15醯亞胺酸（anthranilene)基、伸茈基(perylenylene)、伸芘基 (pyrenylene)等。又，作為置換基可舉例為：碳數為丨〜1〇之 烧基、碳數為1〜10之燒氧基或氰基等。該電子傳達化合物 係以薄膜形成性者為較佳。 作為上述電子傳達化合物之具體例可舉例為下述者。 [化學式23] 44 20 200909562

(Me表示甲基，tBu表示第三丁基。） 又，作為電子注入層及電子輸送層所使用的材料，可 使用下述式(E)〜(J)所示者。 [化學式24] ^r311

(式(E)及(F)中，A311〜A313各為氮原子或碳原子。 A311係取代或無取代之核碳數為6〜60之芳基或取代或 無取代之核原子數為3〜60之雜芳基，A313係取代或無取代之 10 核碳數為6〜60之伸芳基或取代或無取代之核原子數為3~60 之雜伸芳基(heteroarylene)，A312係氫原子、取代或無取代 之核碳數為6〜60之芳基、取代或無取代之核原子數為3〜60 45 200909562 之雜芳基、取代或無取代之碳數為1〜20之烷基或取代或無 取代之碳數為1〜20之烷氧基。但，A311及A312之任一者為取 代或無取代之核碳數為10〜60之縮合環基或取代或無取代 之核原子數為3〜60之單雜(monohetero)縮合環基。 L311、L312及L313各為單結合、取代或無取代之核碳數 為6〜60之伸芳基、取代或無取代之核原子數為3〜6〇之雜伸 芳基(heteroarylene)或取代或無取代之伸苐基。 R及R各為氫原子、取代或無取代之核碳數為6〜⑹之 芳基、取代或無取代之核原子數為3〜60之雜芳基、取代戋 10 無取代之碳數為1〜2〇找基或取代或無取代之碳數為卜2〇 之烧氧基’ η為0〜5之整數，在鸠2以上的情死下，複數個r 為同-者或不同者亦可’又，相鄰R基重覆單元相互么士八形 成碳環式㈣《或_環亦可）所表示之:氣 雜環衍生物。 15 -LM4-Ar32l-Ar3 (G) (式中，HAr係含有置換其★ ^ ^ ^ 、基亦可的奴數3〜4〇之含氮雜 環，L314係單結合、含有置換其 山 、基亦可之石厌數為6〜6〇之伸芳 基、含有置換基亦可之屌工 '、子數為3〜60之雜伸芳基 20 __咖e)或含有置換基亦可之伸第基，八321係含有置 換基料之魏⑽之2價㈣㈣基，^係含有置換基 亦可之碳數6〜60之^基或含有 夏換基亦可之原子數3〜60之 雜芳基。）所表示之含氮雜環衍生物 [化學式25] 46 200909562

(式中’Λγ-丨各為細 ~6之飽和或不飽和之經 基、烧氧基、稀氧基、炔氧基、經基、取代或無取代之芳 基取代或無取代之雜環或又與丫相結合形成飽和或不飽和 5環之構造，各為氣、函素原子、烧基、炫氧基、 芳氧基、全氟烷基、全氟烷氧基、胺基、烷羰基、芳羰基、 烧氧幾基、芳氧羰基、偶氮基、烷基羧基 (alkylcarbonyloxy)、^•基羧基(aryicarb〇nyi〇Xy)、烧氧基叛 基(alkoxycarbonyloxy)、芳氧基叛基(aryi〇XyCarbonyloxy)、 10 亞磺醯基、硫醯基、磺醯基、矽烷基、胺甲醯基、芳基、 雑環基、烯基、炔基、硝基、甲醯基、亞硝基、甲醯氧基、 異氰基、氰酸鹽(cyanate)基、異氰酸鹽、硫氰酸鹽基、異 硫氰酸鹽基或氰基。該等基亦可被置換。又，相鄰基形成 取代或無取代之縮合環亦可）所表示之矽雜環戊二烯 15 (silacyclopentadiene)衍生物。 [化學式26]

47 200909562 (式中’ R321〜R3及Z322各表*氫原子、飽和或不飽和 烴基、芳香族烴基、雜環基、取代之胺基、取代之氧硼基、 烧氧基或芳氧基，X3G2、Y搬及各表示飽和或不飽和煙 基、芳香族烴基、雜環基、取代之胺基、烷氧基或芳氧基， 5 Ζ321及Ζ322亦可相互結合形成縮合環，η表示丨〜3之整數，或 η 在（3-η)為 2 以上的情況下，R321 〜R328、χ3〇2、γ302、Ζ322 及 Ζ321為相同或不同者亦可。但’ 11為1時，χ、γ及R322為甲基， R328為氫原子或取代之氧硼基之化合物，且η為3時不包含 Ζ321為曱基之化合物。）所表示之硼烧衍生物。 10 [化學式27]

(J) [式中，Q3G1及Q302各表示下述式(Κ)所示之配位子，l3is 係表示齒素原子、取代或無取代之烷基、取代或無取代之 環烧基、取代或無取代之芳基、取代或無取代之雜環基、 15 -0R(R為氫原子、取代或無取代之烷基、取代或無取代之環 烷基、取代或無取代之芳基、取代或無取代之雜環基。）或 -O-Ga- Q303(Q304)( Q303及Q304係與q则及Q302相同。）所示之 配位子]所表示之鎵錯合物。 [化學式28] 48 200909562

Aj52 (K) [式中，環A3G1及a3G2各為具有置換基亦可之相互縮合 之6員芳環構造。] 此金屬錯合物作為η型半導體的性質強，電子注入的能 5 力大。又’由於錯合物形成時之生成能量亦低，因此所形 成之金屬錯合物的金屬與配位子間的結合性強固，作為發 光材料的螢光量子效率亦大。 形成式（Κ)之配位子之環a3Q1及A3Q2之置換基之具體例 可舉例為：氯、溴、碘、氟之鹵素原子、甲基、乙基、内 10 基、丁基、二級丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、辛 基、十八烧醯基、三氯甲基等之取代或無取代之烷基、笨 基、萘基、聯苯基、苯甲醯亞胺酸基、菲基、第基、芘基、 3甲本基、3-甲氧苯基、3-氟苯基(fluorophenyl)、3-三氣甲 笨基、3-三氟甲苯基、3_硝基苯基等取代或無取代之芳基、 15甲氧基、&丁氧基、第三丁氧基、三氣曱氧基、三氟乙氧 基、五氟丙氧基、2,2,3,3-四就丙氧基、1，1，1，3,3,3-六氟-2-丙氧基6 (全氟乙基）己氧基等之取代或無取代之烧氧基、 2虱基、ρ-硝基苯氧基、p_t_丁基苯氧基、3_氟苯氧基、五 Μ氟苯基、3-二氟甲基苯氧基等之取代或無取代之芳氧基、 甲爪基乙硫基、第二丁硫基、己硫基、辛琉基、三氣甲 49 200909562 硫基等之取代或無取代之烷硫基、苯硫基、P-硝基苯硫基、 p-t-丁基苯硫基、3-氟苯硫基、五氟苯硫基、3-三氟甲基苯 硫基等之取代或無取代之芳硫基、氰基、硝基、胺基、甲 胺基、乙胺基、二乙胺基、二丙胺基、二丁胺基、二苯胺 5基等之單或雙置換胺基、雙（乙醯氧基甲基)胺基、雙（乙醯 氧基乙基)胺基、雙（乙醯氧基丙基)胺基、雙（乙醯氧基丁基) 胺基等之酿氨基、經基、石夕烧氧基、醢基、胺甲醯基、曱 基胺曱醯基、二甲基胺甲醯基、乙基胺曱醯基、二乙基胺 10 15 20 甲醯基、丙基胺甲醯基、丁基胺甲醯基、苯基胺甲醯基等 之取代或無取代之胺甲醯基、羧酸基、磺酸基、醯亞胺基、 環戊基、環己基專環烧基、°比Π定基、β比嗓基、0密α定基、璉 嗪基(pyridazinyl)、三嗪基、二氫吲哚基、喹啉基、吖啶基、 口比略烧基(pyirolidinyl)、二噁烷基（di〇xanyl)、哌啶基、醯 嗎琳基(moipholidinyl)、六氫啶基(帅⑽也州、咔唑基、 吱喃基、售吩基、嚼嗤基、嚼二。坐基、苯并嗯唾基、嘆唾 基、嗟二。坐基、苯并料基、三越、料基、苯并味唾 以上之置換基等結合形成6員芳環或 基等之雜環基等。又， 形成雜環亦可。 有機ELS件之較佳形態中，輪送電子之領域或陰極與 有機層之界面領域係含㈣魏摻料。歧，還原性換 雜物係定義為可將電子輪送性化 κ η物還原之物質。因此， 只要是具有一疋還原性去，久接, 者各種物質皆可使用m 適當地選用自由下列所組成之 子卞至少一物質：鹼金屬、 鹼土類金屬、稀土類金屬、鹼金 、屬之氣化物、驗金屬之鹵 50 200909562 化物、鹼土類金屬之氧化物、鹼土類金屬之歯化物、稀土 類金屬之氧化物或稀土類金屬之_化物、驗金屬之碳酸 鹽、鹼土類金屬之碳酸鹽、稀土類金屬之碳酸鹽、驗金屬 之有機錯合物、鹼土類金屬之有機錯合物、稀土類金屬之 5 有機錯合物。 又，作為具體之較佳還原性摻雜物，可舉例為··由納 (Na ;工作函數：2.36eV)、鉀(K ;工作函數：2.28eV)、#〇 (Rb ;工作函數：2.16eV)及铯(Cs ;工作函數：丨95eV)所組 成之群中至少一鹼金屬，或由鈣(Ca ;工作函數：2.9eV)、 10锶(Sr;工作函數：2.0〜2_5eV)及鋇(Ba;工作函數：2.52eV) 所組成之群中至少一鹼土類金屬。工作函數2.9ev以下者特 別佳。其中，更佳之還原性摻雜物係由鉀、铷及絶所組成 之群中至少一鹼金屬，且較佳是铷或鉋，最佳是铯。此等 鹼金屬還原能力特別高，藉由往電子注入域之較少量的添 15加，可圖謀於有機EL元件中發光輝度的向上及長壽命化。 又，作為工作函數為2.9eV以下之還原性摻雜物，亦以2種 以上之鹼金屬的組合為較佳，特別是含有鉋的組合。例如， 以绝與鈉、铯與鉀、铯與铷，或鉋與鈉與鉀之組合為較佳。 藉由含有與铯之組合，可有效率地發揮還原能力，藉由往 電子注入域的添加，可圖謀於有機£[元件中發光輝度的向 上及長哥命化。 陰極與有機層之間，進一步設置以絕緣體或半導體所 構成之书子注入層亦可。藉由此層，可有效防止電流的渗 漏提升電子注入性。只要電子注入層是絕緣性薄膜，可 51 200909562 減少暗點等晝素缺陷，以形成更加均質之薄膜。 作為絕緣體，以選擇使用下列所組成之群之至少一金 屬化&物為較仏·驗金屬硫族元素化物（chaic〇genide)、驗 土類金屬硫族元素化物、鹼金屬之齒化物及鹼土類金屬之 5函化物。電子注入層若以此等鹼金屬硫族元素化物等所構 成’則可進一步提升電子注入性，是為良好。具體而言， 作為較佳鹼金屬硫族元素化物，可舉例為氧化二鋰(Li2〇)、 氧化鉀（ΙΟ)、硫化鈉（NasS)、硒化鈉（Na2Se)及氧化鈉 (NasO)，作為較佳鹼土類金屬硫族元素化物，可舉例為氧 10化鈣(CaO)、氧化鋇(Ba〇)、氧化锶（Sr〇)、氧化鈹(Be〇)、 硫化鋇(BaS)及硒化鈣(CaSe)。又，作為較佳鹼金屬画化物， 可舉例為：氟化鋰(LiF)、氟化鈉(NaF)、氟化鉀(KF)、氟化 鉋(CsF)、氣化鐘(LiCl)、氯化鉀(KC1)及氣化鈉(NaCl)等。 又，作為較佳鹼土類金屬之_化物，可舉例為：敗化妈 15 (CaF2)、氟化鋇（BaF2)、氟化锶（SrF2)、氟化鎂（MgF2)、氟 化鈹(BeFO之氟化物或氟化物以外之鹵化物。 又’作為構成電子注入層的半導體，可舉例為：含有 鋇(Ba)、鈣(Ca)、锶(Sr)、镱(Yb)、鋁(A1)、鎵(Ga)、銦(In)、 锂(Li)、鈉(Na)、錫(Cd)、錢(Mg)、石夕（Si)、组(Ta)、錄(Sb) 20 及鋅（Zn)之至少一元素之氧化物、氮化物或氧化氮化物等 之單獨一種或兩種以上之組合。又，構成電子注入層之無 機化合物係以微結晶或非晶質之絕緣性薄膜為較佳。 作為陰極’可使用工作函數小（例如4eV以下）之金屬、 合金、電性傳導性化合物及其等之混合物作為電極物質。 52 200909562 作為此類電極物質之具體例，可舉例為：鈉、納★合金 '、鎚鎂.銀合金、銘/氧化紹、|g/氧化二鐘⑻/认⑺、 紹/氧化鐘(A1/U〇)、魏碰(A脑）U合金、銦、 稀土類金屬等。 陰極係可藉由该等電極物質之蒸錢或減鑛等製作。 在毛光層之發光是由陰極射出的情況下，對於陰極發 光的透過率係、以大於1()%為較佳。又，作為陰極之薄片電 阻係以數百Ω/□以下為較佳，又，膜厚通常為應 較佳是50〜200nm。 10 n ’有機EL元件由於在超薄薄膜上施加電場， 因此容易產生因渗漏或短路而造成畫素缺陷。為了防止此 現象’亦可於-對電極之間插入絕緣性薄膜層。 作為使用於絕緣層的材料，可舉例為：氧化銘、氣化 裡、氧化Μ、氟化鎚、氧化铯、氧化鎂、氟化錤、氧化約、 15氟化約、氮化銘、氧化鈦、氧化石夕、氧化錯、氮化石夕、氮 化爛、氧化銦、氧化釕、氧化鈒等。使用其等之混合物或 積層物亦可。 關於製作有機ELit件之方法，藉由上述材料及方法， 由陽極依序形成必要之層，最後再形成陰極即可。又，亦 20可由陰極至陽極之相反方式製作有機el元件。 以下，說明關於在透光性基板上，依序設置陽極/電洞 注入層/發光層/電子注入層/陰極所構成之有機ELs件的製 作例。 首先，在透光性基板上，以蒸鍍法或濺鍍法形成由陽 53 200909562 彡成的_ ’以作為陽極。其次，在此陽極上設 置電洞注人層。電洞注人層的形成係可藉由真空蒸鑛法、 _塗布法、禱製法、LB(Langmuir_BlQdgett)法等方法進 行’由易得均質膜且不易產生針孔等之觀點言之，以直空 :鍍法形成者為較佳。藉由真空蒸鍍法形成 電洞注入層的 月况下’其之蒸錢條件係因所使用之化合物（電洞注入層的 作為目的之電洞注人層的構造等而有所差異但一 ^而 '，以適當選擇蒸㈣溫度為％〜娜C、真空度為 10 15 20 50 3〇〇广、蒸鍍速度為。·01〜5〇nm/秒、基板溫度為 -50〜30(TC為較佳。 。 可藉由電m層上⑨置發光層。發光層的形成亦 將發光材料薄膜化而形成，由易p W法寺方法 等之觀點一夕 于句邊骐且不易產生針孔 哥H霍“之，以真空蒸鍍 鍵法形成發光層的情況下，其較佳。藉由真空蒸 合物而有所差異，但一般而言，；:條件係因所使用之化 的相同條件範圍内來進行選擇。與電洞注入層之形成 接著，於發光層上設置電子、、主 注入層、發光層相同，因為必需得入層。此情況亦與電洞 空蒸鍍法形成者為較佳。蒸㈣/，而以藉由真 發光層之相同條件範圍内來進行選^可由與電洞注入層、 最後’將陰極予以積層，可 藉由蒸鍍法、濺鍍法形成。為了 ：有機EL元件。陰極係可 膜時不受損傷，以真空蒸鍍法為^基層的有機物層在製 54 200909562 以上有機EL元件的製作，以藉由一次的抽真空，由陽 極至陰極—貫作業製作者為較佳。 有機EL元件之各層的形成方法並無特別限定。含有本 發明之化合物之有機薄膜層係可藉由下列公知的方法形 5成.真空蒸鑛法、分子線蒸錢法(MBE法）或將本發明之化 合物溶解於溶劑之溶液浸潰法、旋轉塗事法、鑄製法、棒 材塗布(bar-coating)法、滾輪塗布法等塗;fjf法。 [實施例] [苯并菲衍生物之合成] 實施例1 化合物1的合成 [化學式29]

氬氣的狀悲下’ 6,12-一>臭笨并菲（6，12-dibromochrysene) 15 3.83克（10.0毫莫耳）、4-(1-萘基）笨硼酸5.95克（24.0毫莫 耳）、四（三苯膦)飽(0)0.462克(0.400毫莫耳）中，加入三稀8〇 宅升、2M%_酸鈉水浴液40¾升’加熱回流（re£jux £j〇w)i6 小時。反應完成後，過渡取出析出晶體，將所得結晶以水、 甲醇、己烷洗淨。將所得個體以甲苯再結晶，得到5 06克 20的白色結晶。此結晶之質譜測定分析結果係為目標物，對 於分子量 632.25 ’ m/e = 632。 55 200909562 實施例2 化合物2的合成 [化學式30]

5 使用4-(2-萘基）苯硼酸來取代實施例1中之4-(1-萘基) 苯硼酸，藉由與實施例1同樣的方法合成所得化合物之質譜 測定分析結果係為目標物，對於分子量632.25，m/e = 632。 實施例3 化合物3的合成 10 [化學式31]

使用4-(9-菲基）苯硼酸來取代實施例1中之4-(1-萘基) 苯硼酸，藉由與實施例1同樣的方法合成所得化合物之質譜 測定分析結果係為目標物，對於分子量732.28，m/e = 732。 15 實施例4 化合物4的合成 [化學式32] 56 200909562

使用3-(1-萘基）苯硼酸來取代實施例1中之4-(1-萘基) 苯硼酸，藉由與實施例1同樣的方法合成所得化合物之質譜 測定分析結果係為目標物，對於分子量632.25，m/e = 632。 5 實施例5 化合物5的合成 [化學式33]

使用3-(2-萘基）苯硼酸來取代實施例1中之4-(1-萘基) 10 苯硼酸，藉由與實施例1同樣的方法合成所得化合物之質譜 測定分析結果係為目標物，對於分子量632.25，m/e = 632。 實施例6 化合物6的合成 [化學式34]

57 200909562 使用3-(9-菲基）苯硼酸來取代實施例1甲之4-(1-萘基) 苯硼酸，藉由與實施例1同樣的方法合成所得化合物之質譜 測定分析結果係為目標物，對於分子量732.28，m/e = 732。 實施例7 5 化合物7的合成 [化學式35]

使用3-(1-萘基)-5-苯基苯硼酸來取代實施例1中之4-(1-萘基）苯硼酸，藉由與實施例1同樣的方法合成所得化合物 10 之質譜測定分析結果係為目標物，對於分子量784·31，m/e =784。 實施例8 化合物8的合成 [化學式36]

使用3-(2-萘基)-5-苯基苯硼酸來取代實施例1中之4-(1-萘基）苯硼酸，藉由與實施例1同樣的方法合成所得化合物 58 200909562 之質譜測定分析結果係為目標物，對於分子量784.31，m/e =784。 實施例9 化合物9的合成 5 [化學式37]

使用3,5-雙（1-萘基）苯硼酸來取代實施例1中之4-(1-萘 基）苯硼酸，藉由與實施例1同樣的方法合成所得化合物之 質譜測定分析結果係為目標物，對於分子量884.34，m/e = 10 884。 實施例10 化合物10的合成 [化學式38]

15 使用3,5-雙(2-萘基）苯硼酸來取代實施例1中之4-(1-萘 基）苯硼酸，藉由與實施例1同樣的方法合成所得化合物之 59 200909562 質譜測定分析結果係為目標物，對於分子量884.34 ’ m/e = 884。 5 實施例11 化合物11的合成 [化學式39]

〇MaBr

rvByti

I^COjaq 二異丙胺 NfijCQsaq

(11-1) 2-溴-6-苯基萘之合成 氬氣的狀態下，將6-溴-2-萘基三氟曱磺酸鹽1195克 (3.37莫耳）、1，3-雙（二苯基膦基）丙烧鈀（〇)二氣化物 10 [l,3-bis(diphenylphosphino)propanepalladium(0)dichloride] 99.3克（168毫莫耳）、脫水二乙基醚4升置入於燒瓶，冷卻至 〇°C 。滴入1M笨基溴化鎂之THF(四氫呋喃； tetrahydroxyfuran)溶液4.1升’於室溫下攪拌22小時。加入 三烯2升、水2升後，進行過濾。將濾液之有機層以硫酸鎂 15乾燥後，減壓蒸發去除溶劑。以三烯將殘渣予以泥漿洗淨， 過濾取出結晶。將結晶減壓乾燥而得到2-溴-6-苯基萘360 克(產率38%)。 60 200909562 (11-2) 6-苯基萘-2-硼酸之合成 氬氣的狀態下，置入2-溴-6-苯基萘360克（1.27莫耳）、 脫水一乙基鍵2升、脫水三烯2升，冷卻至-1〇。〇。滴入1 58M 之η-丁基鋰的己烷溶液丨升⑴％莫耳），s_1〇°c下攪拌5小 5時。將反應溶液冷卻至-60X：，滴入三異丙基硼酸酯718克 (3.81莫耳）後，於室溫攪拌17小時。於反應溶液中加入水1 升、二稀1升’攪拌1小時後，除去水層。以水清洗有機層， 以硫酸鎂將其予以乾燥，將有機層濃縮後，以三烯熱洗淨， 得到6-苯基萘_2-硼酸276克(產率87%)。 10 (U-3) 3-甲醯基-4-羥基聯苯之合成 氩氣的狀態下’置入5-溴柳醛496克(2.46莫耳）、苯硼 酉夂361克(2·96莫耳）、四（三苯膦）|巴(〇) 57克(49.0毫莫耳）、 DME 8_6升、碳酸鈉784克/水3.7升，加熱回流攪拌口小時。 冷部至室溫後，加入三烯3升、除去水層。以水清洗有機層， 15以硫酸鎂將其予以乾燥，減壓蒸發去除溶劑。以矽膠管柱 層析術將結晶予以精製，得到3_甲醯基_4經基聯苯382克 (產率 78°/。）。 (11-4) 3-甲醯基-4-聯苯基三氟甲磺酸鹽之合成 氬氣的狀態下，置入3-甲醯基羥基聯苯382克（1 93 2〇莫耳）、二異丙胺390克(3·85莫耳）、脫水二氣甲烷4升，滴 氟甲續酸奸1088克(3.85莫耳），於室溫授拌21小時。加 ^碳酸氫鈉1〇〇克/水3升後，除去水層。以水洗淨有機層 後以硫酸鎂將其予以乾燥，減壓蒸發去除溶劑。以矽膠 官柱層析術將殘逢予以精製，得到3·曱醯基_4_聯苯基三氣 61 200909562 曱石κ酸鹽之粗生成物656克。 (U—5) 2-(3-甲醯基聯苯-4-基)-6-苯基萘之合成 氬氣的狀態下，置人3·甲醯基聯苯基三氟甲福酸趟 444克O.U莫耳）、苯鑛276克(1_33莫耳）、四(三苯膦帅) 5 26克(22.2毫莫耳）、三烯5升、碳酸鈉说克…7升加熱 回流攪拌17小時。冷卻至室溫後，除去水層，以水洗淨有 機層。以硫酸鎂將其予以乾燥，減壓蒸發去除溶劑。以甲 苯-丙酮將其予以洗淨，得到2_(3_曱酿基聯苯_4_基)_6_苯基 萘37〇克(產率86%)。 10 (11_6) 2-[H(2-曱氧基）乙烯基-1-基]聯笨基_4·基]_6_苯 基萘之合成 氬氣的狀態下，將（曱氧基曱基）三笨基氣化膦823克 (2·40莫耳）、脫水二乙基醚4升置入燒瓶，加入钟+ 丁氧 化物之THF溶液2.4升(2.40莫耳），於室溫攪拌2小時。滴入 15 2-(3-甲醯基聯苯-4-基)-6-笨基萘370克(961毫莫耳)之THF ό 升的分散液，於室溫攪拌17小時。反應後，將不溶物濾出， 將濾液予以濃縮。以石夕膠管柱層析術將殘渣予以精製，得 到2-[3-[(2-甲氧基）乙晞基-1-基]聯苯基基]_6_苯基萘330 克(產率83%)。 2〇 (11-7) 2,8_二苯基苯并菲之合成 置入2-[3-[(2-甲氧基）乙烯基基]聯苯基_4_基]_6_苯基 萘330克(800毫莫耳）、曱磺酸6〇克(624毫莫耳）、脫水二氯 曱烧4.5升’於室溫授拌18小時。加入曱醇1升、將析出的 結晶濾出’以甲醇洗淨所得結晶，得到2,8 -二苯基苯并菲2 4 0 62 200909562 克(產率78%)。 (11-8) 6-12-二溴-2,8-二苯基苯并菲之合成 氬氣的狀態下，將2,8-二苯基苯并菲240克（630毫莫 耳）、氯仿2.5升置入燒瓶，滴入漠260克，將反應溶液於室 溫下攪拌45小時。將析出的結晶濾出，以水、甲醇洗淨。 將所得個體於二曱苯中反覆加熱洗淨，得到6-12-二溴-2,8-二苯基苯并菲200克(產率59%)。 (11-9)化合物11之合成 使用6-12-二溴-2,8-二苯基苯并菲來取代實施例1中之 6-12-二溴苯并菲，使用4-(2-萘基）苯硼酸來取代實施例1中 之4-(1-萘基）苯硼酸，藉由與實施例1同樣的方法合成所得 化合物之質譜測定分析結果係為目標物，對於分子量 784.3 卜 m/e = 784。 實施例12 15 化合物12的合成 [化學式40]

使用6-12-二溴-2,8-二苯基苯并菲來取代實施例1中之 6-12-二溴苯并菲，使用3-(1-萘基）苯硼酸來取代實施例1中 之4-(1-萘基）苯硼酸，藉由與實施例1同樣的方法合成所得 化合物之質譜測定分析結果係為目標物，對於分子量 63 200909562 784.31，m/e = 784 〇 [有機EL元件的製作] 實施例13 將25mmx75mmxl.lmm厚的設置有IT〇透明電極之破 5璃基板(Geomatics公司製)於異丙醇中5分鐘，進行超音波洗 淨後，進行UV臭氧洗淨3〇分鐘。 將洗淨後之设有透明電極線的破璃基板裝設於真空蒸 鍍裝置之基板固持部，首先，在透明電極線所形成側的面 上，以覆盍透明電極的形式，藉由電阻加熱蒸鍍形成膜厚 10 65nm之下述化學式A-1。 其次於A_1膜上’藉由電阻加熱蒸鍍將化合物1以40nm 的厚度成膜。同時，將作為燐光發光性摻雜物之下述構造 的Ir(tpiq)2(acac)D] ’以對化合物i之質量比為抓的比例進 行蒸鐘。此媒係作為燐光發光層的機能。 15 接著’於此燐光發光層之上，藉由電阻加熱蒸鐘將化 σ物八2以IGnm的厚度成膜。此化合物Α·2層係作為電洞遮 蔽層的機能。 此膜上，形成膜厚30nm之三(8_經基唾淋)雖⑻錯合 物。此層係作為電子輪送層之機能。 之後將還原性摻雜物之經（鐘的來源：S⑽㈤时 公司製)與蝴二元蒸錢’形成作為電子注人層的蝴：經膜 此Alq :鋰膜上蒗舭a p …、鍍金屬鋁而形成金屬陰極（膜厚15〇 nm)，而形成了有機元件。 64 200909562 [化學式41]

實施例14〜24 5 使用表1所示之化合物取代實施例1中的化合物1，以同 樣的方法製作有機EL元件。 比較例1 使用下述化合物A取代實施例1中的化合物1，以同樣的 方法製作有機EL元件。 10 [化學式42]

比較例2 使用下述化合物B取代實施例1中的化合物1，以同樣的 65 200909562 方法製作有機EL元件。 [化學式43]

比較例3 5 使用下述化合物C取代實施例1中的化合物1，以同樣的 方法製作有機EL元件。 [化學式44]

比較例4 10 使用下述化合物D取代實施例1中的化合物1，以同樣的 方法製作有機EL元件。 [化學式45]

15 使用下述化合物E取代實施例1中的化合物1，以同樣的 66 200909562 方法製作有機EL元件。 [化學式46]

測定上述各例所製作之有機EL元件，於10mA/cm2驅動 5 時之元件性能及對於初期1000cd/m2之半衰期壽命。結果顯 示於表1。 [表1] 67 200909562 主體材料 摻雜物 材料 發光色 電壓 外部量子效率 EQE (%) 壽命 (小時） 實施例13 化合物1 D-1 紅色 6.9 13.0 26000 實施例14 化合物2 D-1 紅色 6.8 13.0 26000 實施例15 化合物3 D-1 紅色 6.9 13.0 26000 實施例16 化合物4 D-1 紅色 7.1 12.9 25000 實施例17 化合物5 D-1 紅色 7.1 12.9 25000 實施例18 化合物6 D-1 紅色 7.1 12.9 25000 實施例19 化合物7 D-1 紅色 7.1 12.8 24000 實施例20 化合物8 D-1 紅色 7.0 12.8 24000 實施例21 化合物9 D-1 紅色 6.9 12.8 24000 實施例22 化合物10 D-1 紅色 6.9 12.8 24000 實施例23 化合物11 D-1 紅色 6.9 12.9 25000 實施例24 化合物12 D-1 紅色 6.9 12.9 25000 比較例1 化合物A D-1 紅色 7.9 10.4 15000 比較例2 化合物B D-1 紅色 8.0 10.2 10000 比較例3 化合物C D-1 紅色 8.1 10.3 10000 比較例4 化合物D D-1 紅色 8.1 10.5 10000 比較例5 化合物E D-1 紅色 6.5 10.2 3000 產業上可利用性 本發明之苯并菲衍生物係有機EL元件用材料，特別是 以作為發光材料為較佳。 5 本發明之有機EL元件可適用於平面發光體或顯示器之 背光等的光源、行動電話、PDA、汽車導航系統、車之儀 表板等之顯示部、照明等。 本發明說明所記載之文獻内容全部適用於此。 本發明說明詳細說明了數個上述本發明之實施形態及 10 /或實施例，熟習此技者由未實質上悖離本發明之新穎的教 示及效果，可容易地由上述例示之實施形態及/或實施例施 予多種變化。因此，上述多種變化係包含於本發明之範圍 内。 I：圖式簡單說明3 15 第1圖係為本發明之一實施形態的有機EL元件之概略 68 200909562 截面圖。 【主要元件符號說明】 • •發光層 ..電子注入層 10.. .陽極 34. 20···陰極 36. 30.. .電洞注入層 32…電洞輸送層 69

Claims (1)

1. 200909562 十、申請專利範圍·· -種苯并菲衍生物，仙下以⑴表示者， [化學式47J

   .式(:）中，ϋ及R21〜R25各自代表氫原子、取代或無 取=之碳數為1〜10之烧基、取代或無取代之核碳數為3〜10 之％炫基取代或無取代之<數為3〜2G之雜基、取代或 無取代之•為8〜觀料基心代絲取狀核碳數為 6〜20之芳基， 1〇 ^ 21尺25之至少一者為取代或無取代之核碳數為 10〜20之縮合芳香族環或取代或無取代之第基。 2. 如申°月專利範圍第1項之笨并菲衍生物，其中R广R10為氫 原子。 3. 如申月專利範圍第2項之笨并菲街生物，其中R21〜R25之 15 任者為取代或無取代之核碳數為10〜20之縮合芳香族 環’其匕為氫原子。 4·如申°月專利範圍第2項之笨并菲衍生物，其中R21〜R25之 任者為取代或無取代之奈基或是取代或無取代之菲 基其匕為氣原子。 2〇 5.種有機電致發光元件用材料，其含有如申請專利範圍 第1〜4項中住—項之苯并菲衍生物。 70 200909562 6.如申請專利 係發光材料 範圍第5項之有機電致發光元件用材料， 其 7.種有機電致發光元件，立且右陪朽 仟兵具有險極、陰極及换梏 極與陰極之間且 久衩待於％ 右 &層之一個以上的有機薄膜層，前 述有機薄骐層之至少 盛人古 層含有如申凊專利範圍第5項之 有機電致發光元件用材料。 8.如申請專利範圍第、之有機電致發光元件， 發光層含有前述有機電致發光元件用材料。 " 9·如申s月專利範圍第8項之有機電致發光元件，其中前述 1〇 有機電致發光科用材料係主體_t)材料。、^ 10.如申請專利範圍第7項之有機電致發光元件，其中前述 發光層更含有螢光性摻雜物及燐光性摻雜物之至少一 者0 11. 如申請專利範圍第10項之有機電致發光元件其中前述 15 燐光性摻雜物係由選自由銥(Ir)、鉑（Pt)、餓(〇s)、金 (Au)、銅(CU)、銖(Re)、釕（Ru)所組成之群之至少一金屬 及配位子所形成之金屬錯合物。 12. 如申請專利範圍第1〇項之有機電致發光元件，其中前述 燐光性摻雜物顯示於520nm〜700nm具有最大峰值波長 2〇 的發光光譜。 71