TW200908200A - Wafer supporting glass - Google Patents

Description

200908200 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種將半導體晶圓黏著並支撐，同時可輕 易地從半導體晶圓上_的晶圓支撐玻板。又，關^ :種周緣部具有不致因對周緣部所施加的力而發生缺 知、龜裂等情形之财衝擊性的晶圓支樓玻璃基板。 【先前技術】

近年’伴隨订動電話、卡等電子機器的高功能化， ^内部所安裝的半導體元件⑽、IC等）已朝薄型化或小 ^化演進。此外，為可在不致將線寬變狭窄下增加記憶容 里便有將半導體晶圓數層重疊的三維安裝式半導體元 件例如SD 5己憶卡等，且有增加的趨勢。 =別就薄型化的觀點而言，三維安裝式半導體元件中將 2又以111至的半導體電路複數疊層，更將單片 於‘體€路的厚度形成心m以下的半導體元件持續開 ^進展。此種將半導體電路薄層化的技術之一，習知有將 、工圖^案开y成的半導體晶圓背面施行研削的背面研削處 /月面研削處理係、利用雙面黏貼帶，將半導體晶圓經 圖案形成㈣面’黏著固定於具剛性的晶圓支樓玻璃基 反、，工使用问速旋轉的研磨石等，將半導體晶圓背面施行 研削。 此處0研削處理時所使㈣晶圓支撐玻璃基板，係 用上下面^精度研磨的玻璃板。經背面研削處理的半 導體晶圓，從晶圓古於ϊι4> β , 支按破璃基板上分離並被搬送至晶圓切 97121371 200908200 割等步驟。將該半導體晶圓與晶圓支撐玻璃基板分離的晶 圓剝離裝置’係有如專利文獻1或專利文獻2所記載。該 晶圓剝離裝置中’對半導體晶圓與晶圓支撐玻璃基板經雙 ‘面黏著帶黏著固定的處理對象物，施行紫外線照射後，再 "從已黏著的半導體晶圓與晶圓支撐玻璃基板的周邊部，朝 相互拉離方向施加物理力以施行剝離。另外，因為厚度 aO/zm以下的半導體晶圓因自重而發生屈撓情形，因此從 p背面研削處理起至切割步驟，均必須利用晶圓支撐玻璃基 板支撐半導體晶圓。 再者’晶圓支撐玻璃基板係重複數次使用於洗淨步驟。 在該洗淨步驟中’亦必需將支撐半導體晶圓時所使用黏著 d或黏貼劑的牢固殘渣去除。因此，亦強力洗淨的淋灑所 ^成壓力’便對晶圓支撐玻璃基板的周緣部施加較大衝 擊。因該等衝擊而在周緣部發生破損、龜裂情形，導致無 法再使用晶圓支撐玻璃基板。 U (專利文獻1)日本專利特開2〇〇5_〇57〇46號公報 (專利文獻2)日本專利特開2〇〇6_156633號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） '壯然而，上述專利文獻1或專利文獻2所揭示的晶圓剝離 、砬置中’因為屬於在將晶圓支撐玻璃基板固定於平面上的 狀態下使半導體晶圓變形並分離的才籌㊆，因此對半導體晶 圓上所形成的各半導體電路施加多餘應力，結果有導致最 、、、；成αα的半導體元件性能降低之可能性。此外，專利文獻 97121371 6 200908200 1或專利文獻2所揭示步驟中，當將晶圓支撐玻璃基板收 納於儲存機台之際、或將晶圓支撐玻璃基板定位之際，儲 存機台的壁面或定位用銷會與晶圓支撑玻璃基板周緣部 '發生接觸或碰撞。因此，亦有導致晶圓支撐玻璃基板周緣 - 部發生缺損、龜裂的可能性。 此種缺損龜裂所產生的玻璃微粒或粉塵，會飛散並 附著於晶圓表面的圖案上，又在發生缺損、龜裂之同時， η周緣部附近亦對半導體晶圓造成機械性損傷，有引發圖案 ^缺陷的半導體元件不良等問題。 本發明係為解決上述問題而完成，提供一種黏著並支撐 半導體晶圓，同時可從半導體晶圓上剝離之由具可撓性玻 璃板構成的晶圓支撐破璃基板。此外，提供一種周緣部具 有不致因對周緣部所施加的衝擊力而發生缺損、龜裂之耐 衝擊性的晶圓支撐玻璃基板。 (解決問題之手段） ί;。本發明係在將半導體晶圓固定於平面上的狀態下，將晶 ^支撐玻璃基板彎曲並剝離。習知因在與半導體晶圓黏 著，並對半導體晶圓施行背面研削處理時所使用的晶圓支 撐玻璃基板為屬脆性材料，因而終究並無法聯想到將晶圓 支撐玻璃基板彎曲而剝離。 第1觀點的晶圓支撐玻璃基板係黏著於半導體晶圓，並 將t半導體晶圓支撐的晶圓支撐玻璃基板。而且，為了將 半導體晶圓上所黏著的晶圓支撐玻璃基板，從半導體晶圓 上剝離，而將晶圓支撐玻璃基板彎曲既定角度以上。 97121371 7 200908200 因為晶圓支撐玻璃基板係屬脆性材料，因而終究無法考 慮到在將半導體晶圓上所黏著的晶圓支撐玻璃基板施行 分離之際’將晶圓支撐玻璃基板彎曲並從半導體晶圓上剝 .離。第1觀點中，藉由提供一種可彎曲既定角度以上的晶 '圓支撐玻璃基板，便可在未將半導體晶圓彎曲而固定之狀 態下’將晶圓支擔玻璃基板剝離。 第2觀點中，既定角度的最大彎曲角度係3〇度。 根據第2觀點的晶圓支撐玻璃基板，係為了不致對半導 體曰曰圓上所形成之半導體電路造成破損，而彎曲度以 上。另一方面，即使將晶圓支撐玻璃基板保持水平，仍不 致因自重而彎曲。另外，因為最大彎曲角度愈大，則可易 於以愈小力彎曲剝離，因而並無最大彎曲角度的上限。 根據第3觀點的晶圓支撐玻璃基板，係黏著於具有既定 ^徑之半導體晶圓，並支撐該半導體晶圓且具有較大於既 定直徑之直徑的晶圓支撐玻璃基板；而晶圓支撐玻璃基板 Ρ至少在周緣部具有耐衝擊性。 根據第3觀點的晶圓支撐玻璃基板，因為直經大於半導 體晶圓的直徑，因而可接替承受半導體晶圓所受的衝擊。 此外，即使承受該衝擊，因為晶圓支撐玻璃基板的周緣部 具有耐衝擊性，因而不會發生因缺損、龜裂等而產生玻璃 微粒或粉塵之情況，不對半導體晶圓造成影響。另外，從 f圓支撐玻璃基板實際使財式而言，儘f周緣部的耐衝 =重要性，提升周緣部耐衝擊性的晶圓支撐玻璃基板仍 又在目’但是根據第3觀點的晶圓支撐玻璃基板將提升 97121371 200908200 周緣部的耐衝擊性。 根據弟4觀點的晶圓支撐玻璃基板，係具有經化學強化 處理的壓縮應力層。 •曰第4觀點中，利用化學強化處理形成壓縮應力層。若將 -晶圓支撐玻璃基板彎曲，則外侧表面便被施加拉伸應力， 但因為壓縮應力層形成於晶圓支撐玻璃基板的表面，因而 可防止拉伸應力所造成晶圓支撐玻璃基板龜裂情形。此 ^外，利用化學強化處理可將周緣部的耐衝擊性提升達約7 倍以上。 根據第5觀點的晶圓支撐玻璃基板，就第4觀點中，晶 圓支禮玻璃基板係含有Na2〇或LhO。 3有NaW的晶圓支撐玻璃基板係利用離子交換而化學 強化的必要成分，含有Li2〇的晶圓支撐玻璃基板可輕易 地獲得較厚的壓縮應力層。 根據第6觀點的晶圓支撐玻璃基板係具有經塗佈處理 的塗饰層。 第6觀點中’藉由在晶圓支撐玻璃基板上設置塗佈層， 便形成壓縮應力層。化學強化處理係在玻璃内側形成壓縮 應力層，相對地，塗佈處理係在玻璃外側形成壓縮應力層。 根據第7觀點的晶圓支撐玻璃基板之壓縮應力層深 度，係15# m以上、且220 /zm以内。 為使晶圓支撐玻璃基板具備有耐衝擊性，晶圓支撐玻璃 基板的壓縮應力層深度便必須為丨5 # m。此外，晶圓支撐 玻璃基板之壓縮應力層深度愈深愈好。另外，若壓縮應力 97121371 9 200908200 層在15 /z m以下，便無法將晶圓支撐玻璃基板彎曲既定角 度以上，反之’若達220…上，則因晶圓支樓玻璃基 板自身而谷易發生趣曲、波紋起伏情形。 根據第8觀點的晶圓支撐玻璃基板，係具有第i面、第 2面及周緣部，且周緣部將形成截角㉝、或將第1面與第 2面相連結的曲面。 若未施行㈣處理或曲面處理，當施行化學強化處理之 際，有晶圓支樓玻璃基板遭受破損的可能性。此外，若周 緣部未施行截角，則晶圓支撐玻璃基板搬送等時，周緣邻 ==遭受損傷。該損傷便在將晶圓支撐玻璃基㈣曲時 =4痕而大幅傳播，因而周緣部便施行截角部或曲面。 外H緣部未形成㈣部或“，職晶圓支撐玻璃 :=㈣等之時’周緣部便容易遭受損傷，若發生該損 加衝擊時便大幅傳播^對周緣部形成截角部或 曲面’便可減少損傷發生。 〇 9觀點的晶圓支撐玻璃基板周緣部之算術平均 粗k度在440nm以下。 的算術平均粗链度Ra大於“。⑽，則縮小最 度的較大損傷等便存在於周緣部。若存在該損 虽將晶圓支撐玻璃基板彎曲時便容、 而’依算術平均粗糙度…0nm以下的=衣：:= 削加工或研磨加工。此外’若算術平均粗::丁 二广加衝擊之際’便減少發生缺損、龜裂的情形。 10硯點中’半導體晶圓係具有既定直捏的圓形，晶 97121371 200908200 圓支撐玻璃基板係具有較既定直徑大一圈之直徑的圓形。 若晶圓支撐破璃基板係具有較半導體晶圓既定直徑大 一圈之直徑的圓形，則在半導體晶圓搬送等時，不管半導 ，晶圓在與何物發生碰撞前，晶圓支撐玻璃基板便將先碰 才里^該物。因而’即使發生半導體晶圓支撐玻璃基板遭受 破知之情況，半導體晶圓仍不致遭受破損。 (發明效果） 、 。本發明的晶圓支撐玻璃基板係黏著並支撐半導體晶 °同夺八有了從半導體晶圓剝離的可撓性。此外，因對 周緣部施加的衝擊力而發生缺損、龜裂的情況較少。因 可減少因缺損或龜裂所產生的玻璃粉或玻璃片導致半 導體晶圓成為不良品的情況。 【實施方式】 =下’參照圖式針對本實施形態進行說明，以下圖式中

U 田繪之各構件的縮小比例，幫 縮小比例。 ⑽助理解而不同於實際的 <玻璃板的黏著與剝離> 斤r系在經形成半導體電路的半導體晶圓別上， 各步驟刊視圄： 圖2。所示係流程圖的 ⑻)、i Ge 貫施形態半導體晶®sw係可適用將石夕 鍺（Ge)或砷化鎵（GaAs)等經結晶化的晶圓。 中，在真空處理室内將雙面黏 面黏貼於半導體晶^ s 、的早 …、俊，在雙面黏著薄 97121371 200908200 膜AD的另一面上黏著玻璃板GP的第1面。若半導體晶圓 SW的直徑為200mm，則玻璃板GP的直徑便為201_稍大 於玻璃板GP。圖2A(a)所示係將半導體晶圓sw與玻璃板 GP黏著、固定的狀態。因為在真空處理室内施行黏著處 理，因而在雙面黏著薄膜AD、與半導體晶圓3#或玻璃板 GP之間便不會有空氣進入。詳細係如w〇2002/056352所 揭示。另外，雙面黏著薄膜AD係形成在基層片其中一面 上設有經紫外線照射便會降低黏貼性的黏貼劑，而在另一 面貝i具有弱黏貼性之黏貼劑的三層構造。亦可取代雙面黏 者薄膜A D ’改為液狀樹脂塗佈。 其次，在步驟S12中，將玻璃板GP朝下，利用研削裝 置（鑽石研磨盤）31將半導體晶圓sw的背面研削至既定厚 度圖2A(b)所示係研削的步驟。最初的半導 背面位置係以虛線表示，並表示從該狀態開始研 = =若為IC卡用半導體晶K sw ’則一般研削至斷⑴ 則後，若為三維安裝用半導體晶圓sw，則一般研削至 50"前後。經背面研削而薄型化的半導體晶圓別，要求 高精度的均勾厚度分佈。針對此點，相較於塑膠製晶圓支 撐構件’因為玻璃板GP本體可由研削、研磨加工為 厚度，因此可將半導體晶圓sw的厚度施行高精度研削。 圖2B(C)所示係經研磨過的半導體晶圓,剖視圖。 步驟S13t，為將玻璃板GP輕易地從雙面黏著薄膜⑽ 上剝離，便隔著玻璃板GP對雙s 、 7文面黏者溥膜AD施行挚孙妗 照射。然後’在玻璃板GP的第？ ’、" 刃弟2面上黏者玻螭用剝離膠 97121371 12 200908200 帶DT。可撓性玻璃用剝離膠帶们系 板GP剝離時的保護用薄膜。圖2β( 中將玻璃 用剝離膠帶DT的破璃板GPs。 …、厶黏者玻璃 步驟叫中，將半導體晶圓sw安裝於平板的真空 35上，藉由抽真空，便將半導 ^ 牛¥體曰曰圓SW固定於真空吸盤 。，/、空吸盤上安裝有將玻璃板GP剝離的剝離 f置=圖示）°圖2B(e)所示係半導體晶圓SW安裝於直 的狀態剖視圖。亦可取代真空吸 用 靜電吸盤。 ~ κ /ti 步驟S15中，剝離裝詈係茲+收+ + 置係糟由將玻璃用剝離膠帶DT從 一端拉起而將玻璃板GP的一端拉起。經紫外線照射，雙 :黏著薄膜AD的黏著力便降低而成容易剝離的狀態，為 ⑽小力將玻璃板GP剝離’便從_端翻起拉起。以較 小力便可將玻璃板GP剝離’係指較小的力僅作用於半導 =晶圓SW，對半導體晶圓sw表面上所形成的半導體電路 幾乎不造成物理性 變形0 圖2(:⑴所示係從玻璃板Gp 一端施行剝離途中的狀態 圖。經多數實驗中得知’為從半導體晶圓sw上將玻璃板 GP剝離’若為玻璃板GP的彎曲最大角度（最大彎曲處的 切線與水平面的角幻達30。以上的玻璃，便可以較小力將 玻璃板GP剝離。在彎曲最大角度未滿3()。的玻璃板Gp， 會發生無法剝離、或半導體晶圓sw的半導體電路遭受破 損等障礙。 步驟S16t，將雙面黏著薄膜心從半導體晶圓別表面 97121371 13 200908200 剝離。圖2C(g)所示係將雙面黏著薄膜AD從半導體 SW上剝離的狀態。 阳01 步驟S17中，將真空吸盤35的抽真空開放，再從真空 吸盤35上將半導體晶gj sw拆卸。然後，半導體晶圓^ 便被搬送至切割步驟等。 <實施形態1 :經化學強化的玻璃板Gp > 如上述，玻璃板GP係藉由施以3〇〇以上的彎曲，可在不 致對半導體晶圓SW的半導體電路造成破損下，從具有雙 面黏著薄膜AD的半導體晶圓sw上將玻璃板（JP剝離。即， 必須準備即使達30。以上的彎曲仍不會發生龜裂的玻璃板 GP。然後，因為取代半導體晶圓接觸到儲存機台壁面或定 位用銷，而改為由玻璃板GP的周緣部接觸或碰撞，因此 周緣部便必須具有耐衝擊性。 < <玻璃基材> > 玻璃基材係準備3種。分別標記為玻璃Ν〇·丨、破璃

No. 2玻璃No. 3，各自的組成係如表1所示。所使用的 原料係採用諸如：氧化物、碳酸鹽、硝酸鹽及氫氧化物 [表1] 重量％ Si〇2 A 1 2〇3 L i 2〇 Νβ2〇 ΚζΟ MgO CaO 玻璃No. 1 63 丁 10 3 2 玻璃No. 2 * 63 14 6 10 玻璃No. 3 ----- 71 1. 5 13. 5 1 4 9 玻璃熔解並漸冷後，並依上述玻璃組成的方式秤取各原 料。然後’將所獲得原料混合物約3. 6kg裝入1. 5升的白 計 100 ---- 100 100 97121371 14 200908200 金掛塌中，在1 500〜l60(rC下施行5〜8小時加熱而形成玻 璃炼液，經擾拌而施行脫泡與均質化。然後，將玻璃溶液 流出於已加熱的鐵板上。使用同樣經加熱過的另—鐵板， ' =所流出的玻璃熔液上迅速施行壓合。藉由壓合，便可獲 '得成形外徑約210mm、且厚度約3mm的玻璃基材。 在玻璃No. 1及玻璃No. 2中所含的U2〇,係在玻璃表層 部中，藉由於離子交換處理浴中主 交換’而將玻璃施以化學強化的成分。若未滿二= 離子交換性能降低，若超過1〇% ’則耐失透明性與化學耐 久性均發生惡化。因此，Lho的比例便限定於4〜1〇%。最 好為4〜7%。另外，如圖i中的步驟如所說明，因為必 須對雙面黏著薄膜AD施行紫外線照射，因此破璃板⑶必 須具有紫外線穿透性。

Naz〇係屬於在玻璃表層部中，藉由於離子交換處理浴中 主要與K離子進行離子交換，而將玻璃施行化學強化的必 要成分。若未滿6%，則耐失透明性發生惡化，同時化學 強化層變淺，熔解時的黏性上升，因而熔解性降低。若超 過15%，則化學耐久性發生劣化，同時努氏硬度亦變小。 因此，NaW的比例限定於6〜14%。最好為9〜14%。 因為含LizO的玻璃基材可輕易獲得較厚壓縮應力層， 因此化學強化處理時間亦在短時間内可完成。此外，因為 具有較厚的壓縮應力層，因此即使經化學強化處理後仍可 進入研磨步驟，且耐損傷性亦強。另一方面，未含有Li2〇 的玻璃No.3之玻璃基材係素材單價較廉價。然而，為獲 97121371 15 200908200 必須 传適量壓縮應力層，相較於破璃Ν〇.丨或破螭如2 延長化學強化處理時間。 . < <玻璃板GP之周緣部（端面）> > 板玻璃板_立體圖’⑻與(C)係該玻璃 板（τΡ的周緣部放大圖。 的玻璃基材外徑約編，且厚度約_。對該 璃基材施行加工，可獲得外徑L為2〇1_、且厚产卯 二5_ :戈umm的玻璃形狀加工物。力…系首先二 為2()4mm程度的外形加卫。然後’施行玻 物周緣部PE的研削加工、與上下面阳及GP2的 加工。更進一步，包含上下面0ρι與〇1)2的研磨加工。 周緣部PE的研磨加工係視需要而實施。 如圖】㈦與⑹所示，周緣部施行截角處理或曲面處理 化若未施行截角處理或曲面處理，當施行前述 予強化處理時’玻璃板Gp有遭受破損的可能性。 再者，若周緣部未被截角，則玻璃板Gp之搬送時等， 24易遭心傷。該損傷在每次玻璃板⑶承受衝 二’二成為裂痕且大幅傳播，因而周緣部最好形成截角 冲以或曲面cc。 < <對玻璃基材施行的處理> > 2用離子交換法施行的玻璃強化，係有如在高溫下將玻 的驗離子與溶融鹽的其他驗離子進行交換，而在玻璃 二*1形成壓縮應力層的方法。本實施形g中，玻璃板 以下所說明，藉由對3種玻璃基材施行不同處理， 97121371 16 200908200 而製得11種玻璃板GP。 [實施例1之玻璃板GP] 實施例1的玻璃板GP係首先將玻璃No. 1的玻璃基材漸 - 冷後，再施行外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、 • 端面研磨加工、及上下面研磨加工，形成外徑201mm、板 厚度0. 5mm的玻璃形狀加工物而製得。然後，將玻璃形狀 加工物在保持t：的KN〇3(硝酸鉀）：NaN〇3(硝酸 ,鈉>60% ·* 40%混鹽處理浴中，浸潰3小時。藉此，玻璃形 狀加工物的表面部便由Li離子及離子、與處理浴中的 Na離子及K離子分別進行離子交換，便完成玻璃形狀加 工物表面部經化學強化的實施例1之玻璃板Gp。 [實施例2之玻璃板GP] 如同實施例1，實施例2的玻璃板Gp係將玻璃Ν〇·丄的 玻璃基材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工、上下 面研削加工、端面研磨加工、及上下面研磨加工，形成外 ^徑201mm、板厚度〇.5mm的玻璃形狀加工物而製得。然後， 將玻璃形狀加工物在保持38(rc的刪3 :如齡=6 此I處理冷中浸潰42小時。即，相較於實施例丨，延長 浸潰時間盡可能地多施以離子交換，而完成實施例2的玻 [實施例3之玻璃板gp ] j施^列3的玻璃板叩係將玻璃^的玻璃基材施行漸 再施行外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、 而研1加玉、及上下面研磨加工，形成外徑201_、板 97121371 17 200908200 。玻璃形狀加工物的 即’實施例3的玻璃 施例1的玻璃板GP。 厚度1. Omni的玻璃形狀加工物而製得 離子交換係與實施例丨相同之處理^ 板GP係就板厚度為1〇ππη處不同於實 [實施例4之玻璃板GP ] 2施例4的玻璃板GP係首先將玻璃Ν〇 ι的玻璃基材漸 彳再施行外形加工、端面研削加工⑽"虎精磨）、上 ::研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑201_、板 =度〇.5_的玻璃形狀加工物而製得。玻璃形狀加工物的 f子交換係與實施例1相同的處理實施例4的玻璃 板GP就周緣部的端面處置不同於實施例i的玻璃板⑼。 L實施例5之玻璃板gp]

/實施例5的玻璃板Gp係將玻璃N〇.丨的玻璃基材漸冷 後，再靶仃外形加工、端面研削加工（6⑽號精磨）、上下 面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑2〇1_、板厚 度Omm的玻璃形狀加工物而製得。玻璃形狀加工物的離 子交換係與實施例丨相同的處理。即，實施例5的玻璃板 GP就周緣部的端面處置不同於實施例3的玻璃板Gp。 [實施例6之破璃板gp] /實知例6的玻璃板GP係將玻璃ν〇· 2的玻璃基材漸冷 後’再施行外形加工、端面研削加工（6〇〇號精磨）、上下 面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑20 lmm、板厚 度〇. 5mm的破璃形狀加工物而製得。然後，將玻璃形狀加 工物在保持38〇°C的KN〇3 : NaN〇3=60% : 40%混鹽處理浴中 心肩3小時。藉此’玻璃形狀加工物表面部中便由l丨離 97121371 18 200908200 子及Na離子、與處理浴中的Na離子及κ離子分別進行離 子交換’完成玻璃形狀加工物表面部經化學強化的實施例 6之玻ϊ肖板G Ρ。 [實施例7之玻璃板gp ] /貝細例/的玻璃板Gp係將玻璃Ν〇. 2的玻璃基材漸冷 後，再施行外形加工、端面研削加工（6〇〇號精磨）、上下 面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑撕咖、板厚 度的玻璃形狀加工物而製得。然後，將玻璃形狀加 、=在保持360 c的〇〇3 : NaN〇3 = 6G% : 4G%混鹽處理浴中 叹/貝3小日^。相較於實施例6的玻璃形狀加工物，實施例 7的玻璃形狀加工物係處理浴中的溫度較低，離子交換的 反應較k °因此，完成離子交換較少的實_ 7之玻璃板 [實施例8之玻璃板] /貫轭例8的玻璃板GP係將玻璃No. 2的玻璃基材漸冷 後再知仃外形加工、端面研削加卫號精磨）n ::削加工、及上下面研磨加工’形成外徑201mm、板厚 度^m的玻璃形狀加工物而製得。然後，將玻璃形狀加 ::在保持4，C的職彻咖權混鹽處理浴中 /又/貝15小日夺。相較於實施例6的破璃形狀加工物，實施 =玻璃形狀加工物係處理浴中的溫度較高，且 Γΐ長’離子交換的反應較多。所以，完成離子交換較多 的貫她例8之玻璃板gp。 [實施例9之玻璃板gp] 97121371 200908200 ^施例9的破璃板⑶係首先將玻璃N〇. 3的玻璃基材漸 、“ 再轭行外形加工、端面研削加工（600號精磨）、上 I面研削加卫、及上下面研磨加工，形成外徑如賴'板 -厚度〇.5_的玻璃形狀加工物而製得。然後，將玻璃形狀 ‘ ^工物在保持43(rc的跳=100%處理浴中浸潰20小時。 错此，玻璃形狀加工物表面部的Na離子，便與處理浴中 的K離子分別進行離子交換，完成玻璃形狀加工物表面部 〇經化學強化的實施例9之玻璃板Gp。 [實施例10之玻璃板GP] 實施例10的玻璃板GP，係首先將玻璃N〇. 3的玻璃基 材漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工（6〇〇號精磨）、 上下面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑顏、 板厚度0. 5mm的玻璃形狀加工物而製得。然後，將玻璃形 狀加工物在保持430 c的KN〇3= 1 〇〇%處理浴中浸潰15小 時。亦即，相較於實施例9，完成縮短浸潰時間且減少離 U子父換的實施例1〇之玻璃板GP。 [實施例11之玻璃板GP] 實施例11的玻璃板GP係首先將玻璃N〇 3的玻璃基材 漸冷後，再施行外形加工、端面研削加工、上下面研削加 .工、端面研磨加工、及上下面研磨加工，形成外徑2〇丨匪、 板厚度0. 5mm的玻璃形狀加工物而製得。之後與實施例9 離子父換相同。即，實施例11的玻璃板Gp係就端面施以 研磨加工、或在端面研削加工（6〇〇號精磨）結束之處，不 同於貫施例9的玻璃板GP。 97121371 20 200908200 再者，以下係與實施例丨至實施例u進行比較的比較 例，比較例係例示8種例子。 [比較例1之玻璃板GP] - 比較例1的玻璃板GP係首先將玻璃No」的玻璃基材漸 -冷後，再施行外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、 端面研磨加工、及上下面研磨加工，形成外徑2〇1咖、板 厚度0.5mm的玻璃形狀加工物而製得。但是，化學強化處 广理對玻璃形狀加工物則完全未實施。就此點不同於實施例 1的玻璃板GP。 [比較例2之玻璃板GP] 比較例2的玻璃板GP係將玻璃Ν。」的玻璃基材漸冷 後，再施行外形加卫、端面研削加工、上下面研削加工、 端面研磨加工、及上下面研磨加工，形成外徑2〇ι·、板 厚度1.0咖的玻璃形狀加工物而製得。化學強化處理對玻 璃形狀加工物則完全未實施。此點不同於實施例^的玻璃 板GP。 [比較例3之玻璃板GP] 、比較例3的玻璃才反GP係首先將玻璃N〇. i的玻璃基材漸 冷後再施行外形加工、端面研削加工（6〇〇號精磨）、上 下面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑2:二板 厚度〇.5mm的玻璃形狀加工物而製得。但是化學強化處理 對玻璃形狀加工物則完全未實施。此點不同於實施例4的 玻璃板GP。 [比較例4之破璃板gp] 97121371 21 200908200 比較例4的玻璃板GP係將玻璃n〇_ 1的玻璃基材漸冷 後，再施行外形加工、端面研削加工（4〇〇號精磨）、上下 面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑2〇lmm、板厚 度〇· 5mm的玻璃形狀加工物而製得。然後，將玻璃形狀加 工物在保持380°C的〇03: NaN〇3=60%: 40%混鹽處理浴中， 浸潰3小時。實施例丨的玻璃板gP中施行端面研磨加工， 但比較例4的玻璃板GP則施行端面研削加工（4〇〇號精 磨），周緣部較粗糙。此點，比較例4的玻璃板Gp不同於 實施例1的玻璃板GP。 [比較例5之玻璃板GP] 比較例5的玻璃板GP係將玻璃No_ 3的玻璃基材漸冷 後，再施行外形加工、端面研削加工（6〇〇號精磨）、上下 面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑2〇1丽、板厚 度0. 5mm的玻璃形狀加工物而製得。然後，將玻璃形狀加 工物在保持390°C的KN〇3=1〇〇%處理浴中，浸潰3小時。 比較例5的玻璃板GP相較於實施例9或實施例丨〇的玻璃 板GP，不同處在於其處理浴中的溫度較低、浸潰時間較 短。 [比較例6之玻璃板GP] 比較例6的玻璃板GP係將玻璃N〇 3的玻璃基材漸冷 後，再施行外形加工、端面研削加工（6〇〇號精磨）、上下 面研削加工、及上下面研磨加工，形成外徑2〇lmm、板厚 度〇. 5mm的玻璃形狀加工物而製得。化學強化處理對玻璃 形狀加工物則完全未實施。此點不同於實施例g或實施例 97121371 22 200908200 10的玻璃板GP。 [比較例7之玻璃板GPj 比較例7的玻璃板Gp係#上n 外形加工、端面研削加工(5主冊商標）破璃施行 工、及上下面研磨加工：:二削加工、端面研磨加 的玻璃形狀加工物而製得。化學 :反巧〇·5· 物則完全未實施。 、破掏形狀加工 [比較例8之玻璃板GP] =例8的玻璃板GP係對pyrex@(註冊商標）玻璃施行 外形加工、端面研削加工、上下面研削加工、端面研磨加 工、及上下面研磨加工’形成外徑2〇1_、板厚度1〇丽 的玻璃形狀加工物而製得。化學強化處理對玻璃形狀加工 物則完全未實施。比較例7及比較例8所使用的pyrex⑧（註 冊商標）玻璃，習知為化學耐久性非常佳的玻璃，特別係 比較例8的板厚1. 〇mm玻璃板’現行一般使用作為支撐半 導體晶圓SW的玻璃板。根據文獻，pyrex®(註冊商標）玻 璃的玻璃組成，係 Si〇2: 81wt%、B2〇3: 13wt%、Na2〇: 4wt0/〇、 AI2O3 : 2wt%。 將以上整理如表2所示。 97121371 23 200908200 [表2] x.„. 實施例1 實施例2 實施例 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 比較例1 比較例 比較例3 比較例4 比較例 比較例 比較例 比較例8 例 玻璃

No.

No.

No.

No.

No.

Pyrex®(註冊商標） 無 KNOa ·· NaNOa 60% ： 40% KNOs ·· NaNOa 60% ： 40% 003=100% KN〇3 ： NaNOs 60¾ ： 40% KN〇3=l 00¾ 一 __ i*»、 熔液溫度 熔液浸 潰時間 板厚 端面 處理 38 or 3小時 0. 5mm 研磨 42小時 0. 5mm 研磨 3小時 1. Omm 研磨 3小3秦 0. 5mm 600號 3小時 1. Omm 600號 380〇C 3小時 0. 5mm 600號 360〇C 3小時 0. 5mm 600號 400°C 15小時 0. 5mm 600號 430°C 2 0小時 0. 5mm 600E 15小4 0. 5mm 600 #〇 20小時 0. 5mm 研磨 —— 無 無 0. 6mm 研磨 1. Omm 研磨 0. 5mm 600號 380〇C 3小時 0. 5mm 400號 .390〇C 3小時 ).5mni 5 0 0號 益 -.. 川 X 無 0. 5mm 600號 jfe. «»»、 -- 無 ).5mm 研磨 1. Omm 研磨 &彎曲角度> > 施例6至實施例11的 2、及比較例4至比較 層厚度、與最大彎曲角 板GP施行測定，平均值係如下 月的㈣ 及最大彎曲角度的測定方法，於後述。’壓縮應力層厚度 [實施例1之玻璃板GP] 實施例1的玻璃板GP中壓縮應 大彎曲角度為平均53。。另外，：行約最

、J心的4片玻璃板GP 97121371 24 200908200 中，最大彎曲角度中最大者為62。，並無在3〇。以下者。 [實施例2之玻璃板GP] 實施例2的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約12〇#m，最 '大彎曲角度為平均55。。另外，施行測定的玻璃板GP中， - 並無最大彎曲角度在30。以下者。 [實施例3之玻璃板GP] 實施例3的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約1 〇〇 # ，最 p大彎曲角度為平均32。。另外，另外，施行測定的玻璃板 GP中’並無最大彎曲角度在3〇。以下者。 [實施例6之玻璃板GP ] 貫施例6的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約i 3〇 # m，最 大f曲角度為平均4 8。。另外，施行測定的玻璃板G p中， 並無最大彎曲角度在30°以下者。 [實施例7之玻璃板GP ] 實施例7的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約1〇〇//m，最 〇大彎曲角度為平均54°。另外，施行測定的玻璃板Gp中， 並無最大彎曲角度在30°以下者。 [實施例8之玻璃板GP] 實施例8的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約22〇#m，最 .大彎曲角度為平均32°。另外，施行測定的玻璃板Gp中， 並無最大彎曲角度在30°以下者。 [實施例9之玻璃板GP] 實施例9的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約25#m，最 大彎曲角度為平均50°。另外，施行測定的玻璃板Gp中， 97121371 25 200908200 並無最大彎曲角度在30。以下者。 [實施例10之玻璃板GP] 實施例1 0的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約20 // m，最 大彎曲角度為平均47。。另外，施行測定的玻璃板GP中， 並無最大彎曲角度在30。以下者。 [實施例11之玻璃板GP] 實施例11的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約24 μ m，最 大彎曲角度為平均52。。另外，施行測定的玻璃板GP中， 並無最大彎曲角度在30°以下者。 [比較例1之玻璃板GP] 比較例1的玻璃板GP並無壓縮應力層厚度，最大彎曲 角度為平均18°。另外’施行測定的玻璃板gp中，並無最 大彎曲角度大於30°值者。 [比較例2之玻璃板GP] 比較例2的玻璃板GP並無壓縮應力層厚度，最大彎曲 角度平均為13°。另外，施行測定的玻璃板gp中，並無最 大彎曲角度大於3 0 °值者。 [比較例4之玻璃板GP ] 比較例4的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約1 〇 〇 # m，最 大彎曲角度平均為15°。另外’施行測定的玻璃板gp中， 並無最大彎曲角度大於30°值者。 [比較例5之玻璃板GP ] 比較例5的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約丨〇 # m，最 大彎曲角度平均為25°。另外’ 4片破璃板gp的最大彎曲 97121371 26 200908200 角度變動較大，在29°至18。範圍。 [比較例6之玻璃板GP] 比較例6的玻璃板GP並無壓縮應力層厚度，最大彎曲 角度為平均20。。施行測定的玻璃板GP中’並無最大彎曲 角度大於30°值者。 以上的結果如表3所示。 [表3 ]

壓縮應力層厚唐 實施例1 1 00 ^ m -度（平均） 實施例2 1 20 // m --~~__53° 實施例3 100 ^ m ------ 實施例6 130 ^ m --~__32° 實施例7 1 00 ^ m ---_481 實施例8 220 μ. m -—~__ 實施例9 25 y m ----321_ 實施例1 0 20 /x m ---—~~~^— 實施例11 24 // m -—ill_ 比較例1 無 ----52：___ 比較例2 無 ---- 比較例4 1 00 ^ m ''--—~~^__ 比較例5 1 0 // m -~~~—Lll_ 比較例6 無 --變動夫 & Λ,! 1 7?. A.I 0 . n ---___ <實施例1至實施例3、及實施例6至實施例u的玻璃 板GP、以及比較例1、比較例2、及比較例4至比較例^ 的玻璃板GP之考察〉 <〈玻璃板G P的最大彎曲角度〉> 如圖1之步驟S15所說明，若最大彎曲角度達3〇。以上， 當從半導體晶圓SW上將玻璃板GP剝離並分離時，不會施 加較大的力，半導體電路不會遭受破損。 使用實施例3的玻璃板GP、及比較例丨與比較例6的 97121371 27 200908200 玻璃板GP ’施行從半導體晶圓SW上將玻璃板GP剝離的 實驗。實施例3的玻璃板GP之最大彎曲角度係32。，比較 例1及比較例6的玻璃板GP之最大彎曲角度分別係18。 * 及20°。在從半導體晶圓SW上將玻璃板GP剝離的實驗中， 實施例3的玻璃板GP以較小的力便可剝離，半導體電路 亦無遭受破損。另一方面，比較例1及比較例6的玻璃板 GP在剝離前，玻璃板GP已發生龜裂，或對半導體晶圓gw 施加較大的力導致半導體晶圓SW上所形成的半導體電路 〆' 遭文破4貝。由此可理解玻璃板G P的最大幫’曲角度需達3 〇。 以上。玻璃板GP的农大彎曲角度若小於30。，則因可撓性 偏低，因而玻璃板GP與半導體晶圓SW間便整面受吸附力 作用，可理解到若非施加較大的力便無法分離。 再者，實施例2的玻璃板GP之最大彎曲角度係55。，該 實施例2的玻璃板GP中亦可在半導體晶圓sw的半導體電 路不致遭受破損之情況下，將玻璃板GP剝離。最大彎曲 (丨角度愈大，則以愈小的力便可輕易地彎曲並剝離。因此， 即使是將離子交換時間延長達實施例所示以上，且具有更 大彎曲角度的玻璃板GP，仍可適用作為支撐半導體晶圓 SW的玻璃板GP。 < <玻璃板GP之離子交換> > 貫施例1的玻璃板GP、與比較例1的玻璃板GP係相同 的玻璃基材且相同的形狀，並施行相同的端面處理，不同 之處在於實施例1的玻璃板GP利用離子交換施行化學強 化處理’相對地，比較例1的玻璃板GP則未施行利用離 97121371 28 200908200 子交換進行的化學強化處理。關於最大彎曲角度，實施例 1的玻璃板GP為53。，相對地’比較例1的玻璃板GP僅 為18°而已。同樣的，實施例3的玻璃板GP、與比較例2 ， 的玻璃板GP中，最大彎曲角度分別係32。與13。。此外， 同樣’實施例9的玻璃板GP、與比較例6的玻璃板GP中， 最大彎曲角度分別為50。與20。。即，若施行離子交換之化 學強化處理’可輕易地確保最大彎曲角度達3〇。以上。 < <玻璃板GP周緣部的面粗糙度> > (\ 實施例1至實施例11、及比較例1至比較例8的玻璃 板GP ’係厚度〇. 5mm或1 · Omm的較薄曲面，因而周緣部 的面粗糙:度無法輕易地測定。在此分別對玻璃N〇. 1、玻 ¥ No. 2及玻璃No· 3 ’製作外徑20mm、厚度1 · 〇顏且上下 面經處理過的研削處理物或研磨處理物，並測定其平面部 上下面之算術平均粗糙度Ra，獲得周緣部的面粗糙度代 用結果。並未發現因玻璃N〇.丨、玻璃N〇. 2及玻璃N〇. 3 n的種類不同差異。 V·../ 400號精磨研削處理物 ：Ra=470~630mn 600號精磨研削處理物 ：Ra=350〜440nm 研磨處理物（光學研磨程度）：Ra=1〇〜16nm ，另外，上述測定中，測定裝置係使用Veec〇公司製的接 觸式粗度計（型式：Dektak 6M)。使用算術平均粗糙度 Ra(nm)來評估。 實施例1的玻璃板GP、與比較例4的玻璃板Gp，係相 同的玻璃基材且相同的形狀，並施行相同的化學強化處 97121371 29 200908200 理，不同之處在於實施例1的玻璃板GP周絡血^ J緣°卩施行研磨 處理’相對地比較例4的玻璃板GP周緣部係施行4〇〇 口 精磨的研削處理。最大彎曲角度在實施例丨 〜

的玻·璃板GP . 亦有53°，相對地，比較例4的玻璃板GP則僅為j 5。而已 •若從比較例4的龜裂方式判斷，可謂從周緣部所殘存的較 小損傷等開始’因施行彎曲而裂痕大幅傳播弓丨起玻璃板 GP出現龜裂。即，藉由使周緣部不致發生損傷情形，便 可製作能彎曲達30度以上的玻璃板GP。 1 如上述，不致因玻璃No. 1、玻璃Νο·2及破璃N〇.3的 種類不同而出現算術平均粗糙度Ra差異。因而，實施例 4至貫施例1〇中，將周緣部依6〇〇號精磨施行研削處理 的玻璃板GPf曲達30度以上，因而可理解只要施行6〇〇 號精磨的研削處理便可。即，若算術平均粗糙度Ra在 44Onm以下，玻璃板GP彎曲便達30度以上。 <<玻璃板GP之壓縮應力層厚度>> 1/只她例9及貫施例10、與比較例5係形狀及玻璃板GP 厚度均相同，且在周緣部施行6〇〇號精磨的研削處理之處 相同。但是，比較例5係在利用離子交換施行化學強化處 理的條件中，熔液溫度較低且熔液浸潰時間亦較短處，不 .同於實施例9及實施例1 〇。比較例5的玻璃板Gp之壓縮 應力層厚度係10 y m，此時最大彎曲角度係平均25c^比 較例5的玻璃板GP複數片實驗結果之變動亦非常大，最 低亦有18 °無法確保將半導體晶圓別上所黏貼的玻璃板 GP剝離時半導體電路不致遭受破損等問題的最大彎曲角 97121371 30 200908200 度30。此現象可認為係因壓縮應力層厚度僅為心出所 引起。此外’比較例5的最大彎曲角度變動較大之理由， 可認為是當壓縮應力層厚度小至1〇"時，少許壓縮應力 層厚度的數# m變動比率’便出現最大彎曲角度的較大變 . 動。 再者，未施行化學強化處理的比較例丨、比較例2及比 車乂例6中，最大彎曲角度在2〇。以下。所以，支撐半導體 r晶圓SW的玻璃板GP’可謂需要最低15#m以上的壓縮應 力層厚度。最好可謂如實施们〇白勺玻璃板Gp，壓縮應力 層厚度達20/^m以上。 其次，實施例8相較於實施例6及實施例7之下，除離 子交換處理之外，其餘均為相同條件，離子交換之化學強 化處理條件係炫液溫度高$ 4〇(rc，且炼液浸潰時間長達 15小時。因而’實施例8的壓縮應力層厚度實測值將為 220# m的非常厚值。但是，若最大彎曲角度為32。，當辛 C苦地將半導體晶圓sw上所黏貼的玻璃板卯剝離之際二可 確保不致發生半導體電路等遭受破損等問題的最大彎曲 角度30°。當壓縮應力層厚度的實測值具有大於22〇#m的 壓縮應力層厚度時，形狀本身便容易發生翹曲、波紋起伏 情形。若出現翹曲、波紋起伏’便無法發揮晶圓支撐玻璃 基板的功能，而無法使用。所以，可謂壓縮應力層厚度必 須設定在220 以下。可謂最好將壓縮應力層厚度設定 在16 0 // m以下。 <<玻璃板GP之厚度>> 97121371 31 200908200 實施例1與實施例3中玻璃基材、形狀、端面處理及離 =交換處理均相同，不同處在於實施例1的玻璃板⑶板 =為0. 5mm，而實施例3的玻璃板Gp板厚為L 〇丽。最大 .彎曲角度分別為53。、32。。玻璃板厚愈薄則最大彎曲角度 '愈大，可推定將玻璃板厚設為愈厚則最大彎曲角度愈小。 如上述，因為欲確保最大彎曲角度3〇〇 測玻璃板GP的板厚最大為"職。 卜插…預 , 再者，玻璃板GP係盡可能愈薄愈好。理由係由玻璃板 GP所支撐的半導體晶圓sw(厚度⑽^^至5〇^m)、與不 需要玻璃板GP的半導體晶圓sw(厚度5〇//m以上），在半 導體製造裝置上均依相同條件施行處理。若將玻璃板Gp 設為盡可能的薄，便可緩和半導體晶圓sw側的厚度限 制，而增加自由度。此亦意味厚度上限大致相當於limm。 可預測玻璃板GP愈薄則最大彎曲角度愈大。但，若在 0. 3mm以下，便無法保有晶圓支撐玻璃基板的剛性，而無 u法安定地支撐半導體晶圓。所以，最好將玻璃板厚度設定 在0.3mm以上、且l.lnrn以下，尤以〇.5顏以上、且1〇咖 以下為佳。 即使厚0.3mm的玻璃板GP朝水平方向支撐時’該玻璃 ,板GP仍不會因自重而彎曲。厚50 // m的半導體晶圓sw雖 發生屈撓，但在將該半導體晶圓SW黏著於厚〇 . 3mm玻璃 板GP時，厚0. 3nm的玻璃板GP亦可將厚5〇从讯的半導體 晶圓SW水平支撐。 < <對玻璃板GP周緣部的耐衝擊性> > 97121371 32 200908200 就f施例1、實施例4、實施例5、實施例7及實施例9 的玻保板GP，以及比較例3、比較例了及比較例$的玻^ 板GP 行對周緣部的耐衝擊性測定。各實施例或各比 =例均係對3片至1〇片的玻璃板Gp施行測定。另外，本 實施形㈣周緣部的耐衝擊性，係指對從玻璃板Gp徑向 所施加衝擊的耐性，測定方法將使用圖6A至圖6C於後 述。另外，若玻璃板GP遭受損傷，則耐衝擊性的測定值 便發生誤差，因而賦予衝擊的樣品之玻璃板Gp，便只就工 片賦予1次衝擊，即使該玻璃板Gp無出現龜裂，亦不使 用於第2次的衝擊測定用。 [實施例1之玻璃板GP] 實施例1的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約1 〇〇 β ^，在 耐衝擊度測定中’落下距離14cm時，玻璃板GP無龜裂， 而落下距離24cm時’玻璃板GP將遭破壞。 [實施例4之玻璃板GP] 實施例4的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約1 〇〇 # m，在 耐衝擊度測定，落下距離14cm時’玻璃板GP無龜裂，而 落下距離24cm時，玻璃板GP遭破壞。 [實施例5之玻璃板GP] 實施例5的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約1 〇〇 # m，在 耐衝擊度測定中，落下距離14cm、落下距離24cm、及落 下距離34cm時，玻璃板GP均無出現龜裂。 [實施例7之玻璃板GP] 實施例7的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約1 〇〇 //in，在 97121371 33 200908200 耐衝擊度測定中，落下距離14cm時，玻璃板GP無龜裂， 而落下距離24cm時，玻璃板GP遭破壞。 [實施例9之玻璃板GP] - 實施例9的玻璃板GP中壓縮應力層厚度約25 # m，在 - 耐衝擊度測定中，落下距離14cm時，玻璃板GP無龜裂， 而落下距離24cm時，玻璃板GP遭破壞。 [比較例3之玻璃板GP ] 比較例3的玻璃板GP無壓縮應力層厚度，在耐衝擊度 測定中，落下距離2cm時玻璃板GP遭破壞。 [比較例7之玻璃板GP] 比較例7的玻璃板GP並無壓縮應力層厚度，在耐衝擊 度測定中，落下距離2cm時玻璃板GP遭破壞。 [比較例8之玻璃板GP] 比較例8的玻璃板GP並無壓縮應力層厚度，在耐衝擊 度測定中，落下距離14cm時，玻璃板GP係3片中將有2 ,片無龜裂，而3片中有1片遭受破壞。落下距離24cm時 玻璃板GP遭破壞。 以上結果如表4所示。 97121371 34 200908200 [表4 ] 落下距離（cni2_^ 落下後的玻璃 14 無龜裂（5片中之5片全部） 實施例1 1 ^ —一 24 破壞（3片中之3片全部） 實施例4 14 無龜裂（5片中之5片全部） 24 破壞（3片中之3片全部） 14 無龜裂（3片中之3片全部） 實施例5 24 無龜裂（3片中之3片全部） 34 無龜裂（5片中之5片全部） 實施例7 14 無龜裂（5片中之5片全部） 24 破壞（3片中之3片全部） 實施例9 14 無龜裂（3片中之3片全部） 24 破壞（3片中之3片全部） 比較例3 2 破壞（7片中之7片全部） 比較例7 2 破壞（10片中之10片全部^ ~ 比較例8 14 3片中之2片無龜裂、3片中之1片遭破璜 — 24 ^ 破壞（3片中之3片全部） <實施例1、實施例4、實施例5、實施例7及實施例9 的玻璃板GP，以及比較例3、比較例7及比較例8的玻璃 板GP考察> < <玻璃板GP的化學強化處理> > 實施例4的玻璃板GP、與比較例3的玻璃板GP，係屬 相同的玻璃基材且為相同的形狀’並施行相同的端面處 理，不同處在於實施例4的玻璃板GP被施以離子交換之 化學強化處理，相對地，比較例3的玻璃板Gp並未施行 離子交換之化學強化處理。比較例3的玻璃板⑼係在落 下距離^時遭破壞，相對地，實施例4的玻璃板GP則 即使落下距離14cm仍盔屮招淼划 p …、出現龜裂。即，若施行離子交換 之化學強化處理，可將料田说A 吳 對周緣部的耐衝擊性測定中之高度 棱尚達約7倍以上，因而 又 下 μ工六祕 可知在提升對周緣部的财衝擊性 下，離子交換之化學強π * ^ 手丨王 5曳化處理屬重要事項。 97121371 35 200908200 化學強化處理屬於重要事項的理由，經由下述便可理 解。

比較例3的玻璃板GP、與比較例7的玻璃板GP ’係相 同形狀且相同厚度，並均未施行離子交換之化學強化處 理。二者不同處在於比較例3的玻璃板Gp之玻璃基材係 破璃No. 1，相對地，比較例7的玻璃板GP則為pyrex(g)(註 冊商標）玻璃，且比較例3的玻璃板GP係以600號精磨施 行研削處理，相對地，比較例7的玻璃板Gp則施行研磨 處理。比較例7的Pyrex®(註冊商標）玻璃，相較於比較 =3未施行化學強化的玻璃N〇1，玻璃本身的強度（例如 彈性係數）較高，因而認為較具有對周緣部的耐衝擊性。 而且，因為比較例7的玻璃板⑶之周緣部亦有施行研磨 精磨，因而殘留損傷較小且較少於比較例3的6 〇 〇號精磨 研削處理，因而應該較不易發生龜裂。 但疋’比較例3的

^ ”…平乂例f的玻璃板GP 句係在洛下距離2cm時便遭破壞。由此現象得知，盥玻璃 的種類不具有太大的關聯，未施行化學強化的玻璃周 =之耐衝擊性非常低。即，為提升對周緣部的耐衝擊 性’離子交換之化學強化處理屬重要事項。 在提升對周緣部的耐衝擊性時，利用離子 強化處理屬重要事項，由下述亦可理解。 、匕仃子 實施例4、實施例7及實施例9係相同形狀、相同厚产， 並她行相同的端面處理。另一方面，該 又 採用玻璃No.卜玻璃Νο. 2及玻璃Ν〇. 3 ?人璃基材分別 _ S不同的玻璃 97121371 36 200908200 基材二利用最佳的離子交換進行化學強化處理，藉由後述 的[备百應力層測定，實施例4及實施例7的壓縮應力層深 度係約100# m，實施例9的壓縮應力層深度係約2_。 =衝擊度的結果，雖在^下距離14cm無出現龜裂，但 .在落下距離24cm時便遭破壞。即，對周緣部的耐衝擊性 係若為經施行化學強化處理過的玻璃板GP，則與玻璃基 材的種類不太具有關聯。此外，若壓縮應力層深度達約 ,25 /z m以上，可謂亦未依存於壓縮應力層深度。 另外本貝施形態對周緣部的耐衝擊性測定，係依照對 玻璃板GP賦予衝擊僅為i次的條件施行測定。理由:若 在玻璃板GP的上下面或周緣部遭受損傷的狀態下，施行 對周緣部的财衝擊性測定，便有判定壓縮應力層深度較淺 的實施例9對周緣部的耐衝擊性為較低的可能性。 更進步，在對周緣部的耐衝擊性提升方面，利用離子 父換進行化车強化處理屬重要事項，由下述便可理解。 U 實施例5與比較例8均係依外徑2〇1_、厚度將 上下面施行研磨。另一方面，實施例5係玻璃基材為玻璃 No. 1，且最終端面處理係施行6〇〇號精磨的研削處理，而 比車乂例8則係玻璃基材為Pyrex<S)(註冊商標）玻璃，且最 終端面處理為研磨精磨。實施例5係即使落下距離Μ⑽， 玻璃板仍不致遭受破壞，相對地，比較例8在落下距離 24cm時發生龜裂。意味相較於現行通常使用之半導體晶 圓支撐玻璃基板的pyrex®(註冊商標）玻璃，經施行離子 交換之化學強化處理的玻璃板GP,較具有對周緣部的耐 97121371 37 200908200 衝擊性。 由以上的結果判斷，就壓縮應力層重要，且在與定位銷 等進行抵接或洗淨步驟等中，可承受所施加衝擊的玻璃板 GP之壓縮應力層深度將必須設為15 # m。因為玻璃板gp 數次重複使用，因而壓縮應力層的深度愈深愈不易遭受損 傷。但是’當具有壓縮應力層厚度大於220#!!!的壓縮應 力層厚度時’形狀本身便容易發生翹曲、波紋起伏情形。 ^即，厚度可謂在為了不致使玻璃板Gp的形狀本身發生翹 曲’壓縮應力層厚度最好設定在22〇//m以下。尤以壓縮 應力層深度在25//m至lOO/zm為佳。 < <玻璃板GP周緣部的面粗糖度> > 實施例4的玻璃板GP、與實施例1的玻璃板gp，係相 同的玻璃基材、且相同的形狀，並施行相同的化學強化處 理’不同處在於實施例4的玻璃板GP周緣部係施行600 號精磨的研削處理’相對地，實施例1的玻璃板Gp周緣 部係施行研磨處理。二者均在落下距離l4cifl時並無發生 龜裂，但在落下距離24cm時遭破壞。若確保落下距離i4cm 時對周緣部的耐衝擊性，便不需要至研磨處理，僅需進行 600號精磨研削處理之最終端面處理便已足夠。換句話 說’周緣部的面粗糙度以算術平均粗糙度Ra計在44〇nm 以下便可。 < <玻璃板GP之厚度> >

實施例4與實施例5中玻璃基材、形狀、端面處理及離 子交換處理均相同，但不同處在於實施例4的玻璃板GP 97121371 38 200908200 板厚為0.5mm，實施例5的玻璃板GP板厚為。就對 周緣部的耐衝擊性測定結果，實施例4係在落下距離ΐ4α 時並無發生龜裂，但在落下距離24cm時將遭破壞。另一 .方面，實施例5係即使落下距離34cm仍無龜裂情形。 - 如上述，比較例8現行一般使用作為支撐半導體晶圓 SW的玻璃板。 實施例4及比較例8的玻璃板GP均係直徑2〇lmm，且 广上下面被施行研磨。另一方面，實施例4玻璃基材厚度 〇. 5mm的玻璃No. 1，其最終端面處理係6〇〇號精磨的研削 處理，而比較例8厚度1. 〇mm的pyrex®(註冊商標）玻璃， 其隶終端面處理係研磨精磨。實施例4與比較例8均在落 下距離24cm時玻璃板GP遭破壞。實施例4在落下距離 14cm時並無出現龜裂。比較例8在落下距離14cm時所施 行測定的3片中有2片無龜裂，而3片中有}片遭受破壞。 此表不當與比較例8的玻璃板比較，實施例4的玻璃板具 有同等或同等級以上的對周緣部耐衝擊性。即，藉由施行 離子父換之化學強化處理，便可以一半的板厚〇. 5mm實現 與現行一般所使用比較例8同等級以上的對周緣部耐衝 擊性。 ，另外，日本專利特開2005-057046號公報、或特開 2006-156633號公報等所使用的玻璃板Gp厚度，係有 0. 625mm、0. 725mm、〇. 825_、i 000mm 等 4 種。所以， 若使用如本貝％例1等厚度〇. 玻璃板Gp，除具可撓 性或對周緣部的耐衝擊性之外，尚可達輕量化及耐久性的 97121371 39 200908200 提升。 <玻璃板GP之壓縮應力層測定方法> 圖4所示係玻璃板GP的壓縮應力層厚度敎方法圖。 - 壓縮應力層厚度之測定（其1) •若化學強化所產生的壓縮應力存在於玻璃板Gp内，便 因光彈效應導致壓縮應力部分呈現複折射性。在呈正交的 偏光板間載置玻璃板GP，若調整該玻璃板⑶彳向，在暗 广視野中便觀看到輪靡清晰明亮區域。藉由測量該明亮區^ …的寬度，便可測得壓縮應力層厚度。關於屢縮應力層較深 入的實施例1至實施例8、及比較例4(破璃Ν〇 ι或玻璃 No. 2)，依照本方法施行壓縮應力層厚度的測定。壓縮應 力層較淺的實施例9至實施例u、及比較例5(玻璃 No. 3)，明壳區域過薄而無法正確地測得厚度。 圖4(a)所示外徑201mm的玻璃板卯，首先沿寬2賴的 線42A及線42B，利用鑽石切割機切斷。然後，將經切斷 《的帶狀玻璃片中央部附近，以寬2〇mm沿線43A及線43β， 同樣地利用鑽石切割機切斷。所切取的玻璃片沿線A及 線42B切斷，並將此切斷面施行研削研磨。玻璃片在經研 磨後，便精磨成厚度約〇· 3mm，且上下面轉變為研磨面的 研磨玻璃片44。 使圖4(b)所示透明載玻璃47上’接觸研磨玻璃片44 其一研磨面’並利用熱熔膠黏著劑施行固定。經去除多餘 熱溶膠黏著劑之後’確認到玻璃片44整體研磨面穿透過 載玻璃47而透明光穿透。玻璃片44的面45B係沿圖4(a) 97121371 200908200 中的線43B切斷的切斷面，面45A係沿線43A切斷的切斷 面。面49係相當於圖4(a)所示玻璃板GP的上面，面48 係相當於玻璃板GP的下面。 f 在圖4(c)所示分別使偏光面正交的偏光板51A與偏光 板51B之間’插入經黏著研磨玻璃片44的載玻璃47。然 後’在偏光板51B下方所配置的光源53照射白色光。經 黏著研磨玻璃片44的載玻璃47,從偏光板51A上方方向 進行觀察。所觀察到的研磨玻璃片44之結果概略，如圖 4(d)所示。若通過正交的偏光板51a與51B從上方方向進 行觀察，則在未存在壓縮應力層的玻璃片並無發現任何暗 處。但是，可明顯地觀察到施行離子交換之化學強化處理 而存在壓縮應力層。研磨玻璃片44可觀察到沿面48及面 49明亮穿透的區域44T1及區域44T2,因而該等區域44T1 與區域44Τ2係壓縮應力層。此外，中心區域44Τ3亦可少 許明亮觀察到。該區域中心區域44Τ3係發生拉伸應力的 區域。此外，不透光區域44Β1及區域44β2依暗線形式存 在。該區域正好將壓縮應力與拉伸應力相抵消，而經抑制 應力發生的地方，在正交偏光板間將可觀察到暗區域。 使用附設測長功能的顯微鏡55，以微米單位測量明亮 部分的厚度’可測得壓縮應力層的深度。面48與面49係 相:於玻璃板GP的上下面，亦是利用石肖酸鹽溶液施行離 子父換的最前面。依微米單位測量從面48與面49起至 透光區域44Β1與區域44β2的厚度DE。但，因 的壓縮應力層厚度較厚，因而壓縮應力與拉伸應力相抵消 97121371 41 200908200 的不透光區域44B1及區域44B2的對比較低，而無法正確 地測定。因而’依以下的測定方法施行測定。 壓縮應力層厚度的測定（其2) 實施例8係測定經離子交換的厚度。本方法係使用依壓 縮應力層厚度測定（其1)所製得的研磨玻璃片44，利用 EPMACElectron Probe Micro-Analysis:電子微探分析 儀），施行納（Na)的線性分析（線上元素分析）。所謂「EpMA」 係指對試料表面照射經調整為約1 # m的電子束，利用試 料與電子束的相互作用，檢測所產生之特性X線的分析。 所謂「使用ΕΡΜΑ的鈉（Na)線性分析」，係從指研磨玻璃片 44的面48或面49，朝玻璃内側施行線上的元素分佈分 析。從朝玻璃内側的線上距離、與所檢測到的鈉濃度分 佈，便可將未引發離子交換的區域、與鐘及發生離子交換 的納濃度有增加區域的轉折點特定。將從面48及面49起 至該轉折點位置間之距離視為壓縮應力層。依照本方法的 實施例8之壓縮應力層厚度係22〇 #瓜。 壓縮應力層厚度的測定（其 當使直線偏振光通過如玻璃的透明物體時，因該物體中 所產生的力（本實施例中為壓縮應力）而對光造成影響。藉 由測定該項影響’便可對物體内部產生作用的力進行解 析。本方法通稱「光彈性解析法」，已依JIS規格（r-3222) 一般化’有市售的表面應力計。壓縮應力層進入較淺的實 施例9至實施例11、及比較例5(玻璃n〇. 3)，係使用光 彈性解析法施行壓縮應力層的厚度測定。直接使用圖4(a) 97121371 42 200908200 所示玻璃板GP。另外，使用本方法’嘗試測量壓縮應力 層進入較深的實施例i至實施例8、及比較例4(玻璃N〇. 1 或玻璃Νο·2)，但並無法檢測到解析所需要的影像，而無 -法測量。 . <玻璃板GP的彎曲角度測定方法> 圖5所示係玻璃板GP的彎曲角度測定方法圖。圖5(a) 中，在厚25x寬200x深250mm的木板或鐵板等硬質板61A 上，黏貼厚3mmx寬200χ深250的橡膠片或塑料片等軟質 片62Α。準備經黏貼相同大小軟質片62β的相同大小硬質 板61Β ’並將28nnnx25Omm的侧面一致，以可以A地點為 基點進行彎折動作的方式，在A地點附近安裝鉸鏈。附有 軟質片62A的硬質板61A固定呈不動狀態，附有軟質片 62B的硬質板61B則可在A地點進行彎折。 然後’厚25x寬150x深250mm的半圓柱硬質板65，精 磨成深250mm且半徑12.5mm的半圓柱。在該半圓柱硬質 n板65上’將厚3mmx寬290x深250的第2軟質片66黏貼 成如圖5所示。 當玻璃板GP的彎曲角度測定時，各實施例及各比較例 的玻璃板GP被配置成A地點與玻璃板GP的圓中心線達一 致狀態。然後，為使玻璃板GP不動，上述附有第2軟質 片66的半圓柱硬質板65便押抵於玻璃板GP上。半圓柱 硬質板65押抵於玻璃板GP的位置，係位於第2軟質片 66的半圓柱最外部、與玻璃板gp的圓中心線成一致之位 置處。 97121371 43 200908200 接著，如圖5(b)所示，附有軟質片62B的硬質板61β 朝箭頭67方向，以A地點為支點緩慢旋轉。玻璃板⑶係 沿附有第2軟質片66之半圓柱硬質板65的下方半圓柱圓 -弧彎曲。朝箭頭67方向旋轉的角度係依脊曲角度約Γ/ -各進仃。所謂「彎曲角度」係指軟質片62A上面、與軟質 片62B上面的角度69。而且，所謂「最大彎曲角度」係 指玻璃板GP朝箭頭67方向儘量上舉，玻璃板⑶出現龜 〇裂時的角度。軟質片62A上面與軟質片62β上面的角度 69,係使用分度器以丨。單位進行測量。另外，可知玻璃板 GP衷入塑膠袋中才施行本測定則較為便利。理由係塑膠 袋在玻璃出現彎曲龜裂時有防止飛散發生的功用。更進一 步，因為玻璃板GP出現龜裂狀態保存於塑膠袋内，因此 將可詳細觀察龜裂狀態。 <對玻璃板GP周緣部的耐衝擊性測定方法〉 支撐半導體晶圓SW的玻璃板GP直徑，係直徑猶為大於 ί;所支撑半導體晶gj sw的直徑。理由係半導體晶圓Μ本身 斤承=的衝擊取而代之由玻璃板Gp承受的緣故。該衝擊 =在定位時與未圖示定位銷的碰撞、或與未圖示搬送機械 _撞、或玻璃板Gp之洗淨、或與未圖示儲存機台壁 面的碰撞。依此，因對玻璃板Gp的搬送等所造成的主要 ㈣’成為施加於玻璃板Gp端部的衝擊，因而與由將玻 放置水平並朝玻璃板Gp中心落下硬球的硬球落體 強度试驗中所產生之衝擊，在力的施加方向會有所不同。 此外’錢球落體強度試驗巾就搬料所產生對玻璃板 97121371 44 200908200 GP周緣部的衝擊，較難施行耐性評估。 本次所採用㈣衝擊度敎中，對端部的衝擊取代上述 =落體強度試驗，改為對玻璃板Gp端部施加搬送時等 的相同衝擊，並評估該耐衝擊性。 圖6A所不係對玻璃板Gp周緣部的耐衝擊性測㈣所使 =耐衝擊性敎H 7G，⑷係側視圖，（_前視圖。 U ’圖6B所示係耐衝擊性測定器7〇的玻璃板Gp附近 放大圖。圖6C所示係耐衝擊性敎時耐衝擊性測定器7〇 的使用方法圖。 如圖6A所示，耐衝擊性測定器7〇係具有：由方 向）χ45〇(χ方向）χ18(γ方向）mm的紅標材所構成之基座 73、與在該基座73上所安裝的玻璃承接底盤74。玻璃承 接底盤74係將玻璃板GP垂直立起的底盤，將玻璃板⑶ 垂直輕輕支撐的橡膠圓板78被設置於基座73上。本實施 形態中’因為使用直徑2Glmm的玻璃板Gp，因而使用直 徑100mm的橡膠圓板78。 基座73係安裝有4個固定導件支撐夾具？7，利用該固 定導件支撐夾具77安裝有平行於基^ 73的2個固定導件 構件76。2個固定導件構件76係嵌人於具有溝的2個移 動導件構件75中。落錘板Η係由紅櫟材構成的600(Z方 向）xl4〇(x方向）χ18(γ方向）_大小，重約l啦。落錘 板71係在一侧面分別安裝有移動導件構件。所以，落 錘板71便可經由移動導件構件75與㈣導件構件76， 平灯於基座73滑動。然後，調整橡膠圓板78的厚度，達 97121371 45 200908200 到玻璃板GP正好碰撞到落錘板71厚度中央附近處。 如圖6B所示，使落錘板71從上方落下，設定最初碰撞 到玻璃板GP的AP地點（在圖5所示範圍内）。在落錘板 71的AP地點，在每次耐衝擊度試驗落下，玻璃板Gp與 落錘板71相碰撞。該落錘板71在Ap地點處，為不致沿 玻璃板GP周緣部形狀發生沉陷，而配置有〇. 2(z方 向）x60(X方向）xl5(Y方向）mra的落錘板用不銹鋼板82。 若玻璃板GP的AP地點直接碰觸到落錘板用不銹鋼板， 在因衝擊發生龜裂前，便先遭受損傷，並以該損傷為起 點，有因落錘板71的重量或壓縮力而導致發生龜裂的可 能性。所以，在落錘板用不銹鋼板82上，黏貼有5(z方 向）x2〇(X方向）xl0(Y方向）mm的發泡胺基曱酸醋83。發 泡胺基甲酸酉旨83的功用係具有緩衝材的功能。另外，落 錘板71、落錘板用不銹鋼板82及發泡胺基甲酸酯⑽人 計為 1. 5kg。 σ 在玻璃承接底盤74與玻璃板Gp相接觸的βρ地點，亦 為不致沿玻璃板GP周緣部形狀發生沉陷的方式，配 〇·^方向）«方向）χ15(γ方向）腿的玻璃承接用不錄 =84。X’在玻璃承接㈣不銹鋼板84上黏貼有黏著 用氣乙婦製黏貼帶85。氦乙檢制私nr 烯製黏貼帶85的功用係除緩 衝材的功能之外，亦具有玻璃板GP的防滑功用。 再者，如晴圖⑽所示，依落錘板71停止 =點的高度處朝下方^的方式，在基座？3上配置擔止 。理由係為僅由衝擊力確認麵板Gp耐衝擊性。^， 97121371 46 200908200 因為將落錘板71、落錘板用不銹鋼板犯及發泡胺基甲酸 酉旨83設為合計1.5kg，因而不僅衝擊力，僅由對玻璃板 GP的壓縮力便有導致玻璃板GP發生龜裂的可能性。實際 -上，〇. lmm厚度的玻璃板GP只要稍微放置落錘板71，便 •會導致〇. lmm厚度的玻璃板GP發生龜裂。因此，配置擋 止81，構成僅落錘板71的衝擊力施加於玻璃板Gp。 如圖6C所示，在將耐衝擊性測定器7〇依傾斜角0傾斜 狀態下，施行玻璃板GP的耐衝擊性測定。為將玻璃板Gp 女疋地保持於橡膠圓板78上，便將傾斜角0設定為約6〜7。 角度。使玻璃板GP靜止於既定位置處，再將落錘板71拉 起至既疋落下距離FL處並施行自然落體。落下距離依1 cm 單位進行測量。如上述，當施行耐衝擊度測定時，亦考慮 測定變動，便使用依相同條件所製得玻璃板Gp最少3片 以上’測定相同落下距離的耐衝擊性。此外，賦予衝擊的 樣品之玻璃板G P係1片僅賦予1次的衝擊。但是，最好 將玻璃板GP裝入透明聚乙烯袋中再施行測定。理由係即 使因衝擊導致玻璃板GP粉碎龜裂，但若裝入於透明聚乙 烯袋中便不致發生飛散情形。此外，因為發泡胺基甲酸酯 8 3在每次碰撞後便發生龜裂’因而每次碰撞後便馬上更 換重貼。因為氣乙烯製黏貼帶85並不會如發泡胺基甲酸 酯83頻繁發生龜裂情形，因而視需要再施行更換便可。 〈實施形態2 :經塗佈強化的玻璃板GP > 實施形態1中，已就經化學強化過的玻璃板GP進行說 明。除經化學強化過的玻璃板GP以外，即使經塗佈強化 97121371 47 200908200 的玻璃板GP，亦可提供最大3〇。以上彎曲的玻 又，可提供周緣部具有耐衝擊性的玻璃板Gp。以下便針 對滿足該條件的經塗佈強化之玻璃板Gp進行說明。 <玻璃基材> 經塗佈強化玻璃板GP所使用的玻璃基材，係與上述實 施形態1相同使用玻璃Νο」、玻璃Ν〇·2、玻璃N〇 3。因 為無必要施行化學強化’因而可為G 5mm厚或1()_厚的 低鹼玻璃或無鹼玻璃。與實施形態i相同，最好為將〇 3咖 厚至1.1厚的玻璃基材黏著於晶圓上並支撐的玻璃基 材。此外，玻璃基材的端面處理加卫至算術平均粗經度 Ra在400nm以下。 <塗佈劑> 用以提升玻璃基材的可撓性或周緣部耐衝擊性之塗佈 劑’係包括有聚醚砜，該塗佈劑的溶劑係包括有：芳香族 烴、鹵化煙、酉旨類、酮類、腈類、亞石風類中任一者。溶劑 係為了使㈣颯在塗佈财呈現安定，而從屬於芳香族 趣、南化煙、醋類、酉同類 '腈類、亞石風類中之 學種類中選擇2種以上。 塗佈劑對玻璃基材的塗佈方法，係可洲諸如浸塗、流 :式塗佈、旋塗、輕式塗佈、喷塗、網版印刷、橡膠版輪 轉印刷等方絲實施。將塗佈缝佈於玻璃基材之後，婉 乾無步驟、25Gt〜彻。C的燒成步驟，便可獲得塗佈強化 過之玻璃板GP。 塗佈膜的膜厚係2#m至〗〇#m，最好4以 97121371 48 200908200 由係若塗佈膜的膜 升或周緣部的耐衝擊性提：:’則玻璃基材的可撓性提 過10心則可撓性描^ 若塗佈膜的膜厚超 小。塗佈膜的u k或周緣部的耐衝擊性提升效果較 以㈣㈣成可為基材的單 材的周緣部形虑涂蚀脫 取对隹玻璃基 在玻璃膜。理由係經塗佈，可避免因彎曲而 2=所發生存在的微小龜裂擴大，並可增加 声：形成合i理由係與化學強化處理同等級的壓縮應力 層之形成，會增加耐衝擊性。 (產業上之可利用性） 本貝施例中，係以2〇〇mm半導體晶圓Μ為前 即使是_職半導體晶圓sw或新一代的45〇二 -曰曰圓SW，亦可適用本發明的晶圓支撐玻璃基板。 再者，本實施形態中，係舉具有經紫外線照射而降低黏 貼性之黏貼劑的雙面黏著薄膜AD為例。雙面黏著薄膜… 亦可為具有M lGGt：至25{rc的加熱而降㈣著層黏貼性 的黏貼劑111支撐破璃基板係不同於塑料材，耐熱性 亦優異。就此點，因為塑膠製晶圓支撐構件的耐熱溫度較 低，因而依材質有無法在約丨⑽它以上使用的情形。所以， 即使在使用經加熱而降低黏著層黏貼性之雙面黏著薄膜 的半導體晶圓SW之研削等時，仍可適用本發明晶圓支撐 玻璃基板。 再者，晶圓支撐玻璃基板係不同於塑膠製晶圓支撐構 件，因為玻璃與矽晶圓的膨脹係數通常係屬於相同範圍， 因而即使在溫度發生變化的情況，仍不易受膨脹差塑， V / 曰 97121371 49 200908200 焱乎不會有如塑膠製晶圓支撐構件般隨溫度變化而發生 翹曲的可能性。 【圖式簡單說明】 ® 1為在形成有半導體電路的半導體晶圓sw上黏貼著 玻璃板GP後至將玻璃板GP剥離的流程圖。 圖2A中，（a)為將半導體晶圓卯與玻璃板Gp黏著、固 定的狀態； (b )為研削的步驟。 r \ 圖2B中，（c)為經研削過的半導體晶圓sw剖視圖； (d) 為黏著有破璃用剝離膠帶耵的玻璃板Gp圖； (e) 為半導體晶圓sw安裝於真空吸盤上的狀態剖視圖。 圖2C中，（f)為從玻璃板Gp 一端進行剝離的中途狀筚 圖。 〜 (g)為將雙面黏著薄膜AD從半導體晶圓sw上剝離 態。 U圖3中，為玻璃板GP的立體示意圖。 (b)與（c)係該玻璃板GP的周緣部放大圖。 圖4(a)至⑷為玻璃才反GP的屢縮應力層厚度測定 圖。 .圖5U)及（b)為玻璃板卯的彎曲角度測定方法圖。 圖6A(a)及（b)為耐衝擊性测定器7〇圖。 圖6B為耐衝擊性敎㈣之玻璃板_近的放大圖。 圖6C為耐衝擊性測定時之耐衝擊性測定H 70的使用方 97121371 50 200908200 【主要元件符號說明】 31 研削裝置（鑽石研磨盤 35 真空吸盤 42A 、 42B 、 43A 、 43B 線 44 研磨玻螭片 44B1 > 44B2 不透光區域 44T1 、 44T2 、 44T3 區域 45A 、 45B 、 49 、 48 面 47 載玻璃 51A 、 51B 偏光板 53 光源 61A 、 61B 硬質板 62A 、 62B 軟質片 65 半圓柱硬質板 66 第2軟質片 70 耐衝擊性測定器 71 落錘板 73 基座 74 玻璃承接底盤 75 移動導件構件 76 固定導件構件 78 橡膠圓板 81 擋止 82 落錘板用不銹鋼 97121371 51 200908200 83 發泡胺基甲酸酯 84 玻璃承接板用不銹鋼板 85 氯乙烯製黏貼帶 AD 雙面黏著薄膜 DD 厚度 DE 厚度 DT 玻璃用剝離膠帶 GP 玻璃板（GP1、GP2…上下 L 外徑 PE 周緣部（端面） SW 半導體晶圓 97121371 52

Claims (1)

1. 200908200 十、申請專利範圍： 1. -種晶圓支撐玻璃基板’係黏著於半導體晶圓，並將 該半導體晶圓支撐的晶圓支撐玻璃基板；其特徵在於， '為了將上述晶圓支撐玻璃基板從上述半導體晶圓剝 - 離，而彎曲既定角度以上。 2. 如申請專利範圍第丨項之晶圓支撐玻璃基板，其中， 上述既定角度之最大彎曲角度度。 3. 一種晶圓支撐玻璃基板，係黏著於具有既定直徑之半 導體晶圓，並支撐該半導體晶圓且具有比上述既定直徑為 ^之直彳二的曰曰圓支樓玻璃基板；其特徵在於，上述晶圓支 撐玻璃基板至少在周緣部具有耐衝擊性。 4. 如申請專利範圍第丨至3項中任一項之晶圓支撐玻璃 基板，其中，上述晶圓支撐玻璃基板係具有經化學強化處 理的壓縮應力層。 5. 如申請專利範圍第4項之晶圓支撐玻璃基板，其中， Κ/上述晶圓支撐玻璃基板係含有如2〇或Lh〇。 6·如申請專利範圍第丨至3項中任一項之晶圓支撐玻璃 基板其中，上述晶圓支撑玻璃基板係具有經塗佈處理的 塗佈層。 7. 如申請專利範圍第4項之晶圓支撐玻璃基板，其中， 上述晶圓支撐玻璃基板的板厚係0. 3mm〜1. 1mm，上述壓縮 應力層的深度係15 # m以上且220 // ra以内。 8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之晶圓支撐玻璃 基板’其中’上述晶圓支撐玻璃基板係具有第1面、第2 97121371 53 200908200 面及周緣部； 上述周緣部係形成截角部、 連結之曲面。 或將上述第1面與第2 面相 以下 10.如申睛專利範圍第i至3項中任—項之晶圓支撐玻 璃基板’其中，上述半導體晶圓係具有既定直徑的圓形， 上述晶圓支撐玻璃基板係具有較上述既定直徑大一圈之 直徑的圓形。 97121371 54