TW200908064A - Cold cathode fluorescent lamp - Google Patents

Description

200908064 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 篇ttf案以2007年3月15日申請之日本專利申嗜幸第 2_817號做為優先權基準，其全文之揭露併入為參考。 【先前技術】 性二有絕佳特性(例如高輝度、高演色性特 螢光燈中，施加電。,魏_的冷陰極 =將稀有氣體及 電。藉由引起放釋級電子並產生發光放 電極辑此一冷陰極螢光燈的電極，並將這此 低至約戰，所以可容易地加以 等之有絕佳抗雜性，其確保财祕密封構件 狹而，J焊接，並且在施加4至5mA的情況下具有耐性。 = 用於近來大電視絲及高輝度液晶顯示單元之背光办的 ϋϊ ϊί右ί要忍耐不小於5mA之電流。為了此理由，使用 的ΐ極S;戈2:抗細生之翻、銳等高炫點燒結金屬所製成 例如’已報導有-種冷陰極螢光燈的電極構件係由多孔接合 200908064 全㈣、腿1所組成之群組的一或 部及凹部於在一起，且其具有αΐ至5 "m的連續凸 已教導有—^冷^公開^利公報第2_-156151號）。此外， 平均粒徑不超^ Τοή電極’由金屬(如鶴、銳、组、翻及銖或具有

然而，另„ 士 & 、丄，> )UJ 發生於焊4線=，顧堯結金屬所組成的電極，具有 的，電的問題。又’這些電極材料相較於鎳是昂貴 的，於9中/成疋困難的、消耗品(如夾具)在與此結合中是必需、 的，於是電極變成非常昂貴自二:疋々 微量的，化且體微粒的介面部分被 鎳或―種具有改善之抗賤艘性的電極’其由包含 鎳口至且政佈纪於其中的基底材料。 本至賴時，編_增加喻麵^ 朽,的在於提供一種包含電極之冷陰極螢光iv 且可在低成本下容易地加以製造。⑽赏站具有長哥命 【發明内容】 施加超過10mA之高電^時:冷陰成，即使當 知識的基礎上完成本發明。 尤&之可，。本發明者在此 200908064 ^亦即’本發明係關於一種冷陰極螢光燈，其包含：一光透射 ，，在，一内壁表面上設有一螢光物質層，該光透射管將一稀有 氣體及汞保留在内部，且利用一密封構件將該光透射管的兩端密 封住；電極，設置在該光透射管之内部中的兩端部分附近；及導 線，連接至該電極並如此設置以穿過該密封構件。在此冷陰極螢 中，該電極含有鎳作為一主成分，且含有鎢的範圍自不少於 質量百分比0.4%至不大於質量百分比6.5〇/〇。 【實施方式】 本發明之冷陰極螢光燈，包含：一光透射管，在其一内壁表 f上設有—螢光物質層，光透射管將一稀有氣體及汞保留在内 部，且利用一密封構件將光透射管的兩端密封住；電極，設置在 ，射^之内部中的兩端部分附近；及導線，連接至電極並如此 设置以穿财封構件。在此冷陰極榮光燈巾，電極含有錄作為一 όΐ/含有鎢的範圍自不少於質量百分比〇.4%至不大於質量 只要是發自螢光物質層的可見光可以穿過的材料，可使用

LiΪ if璃）乍為本發明之冷陰極螢光燈中所使用的 ，用任何形狀的光透射f ’例如直管式及彎曲^ 可使用任何管徑的光透射管，而管徑的例子 1飞 後），從而發射螢光。依據使用之目的加以選擇明於 光物質’而其具體例子包含_酸鹽 土類邊先物質。藉由適當地組合上㈣光物 料物貪及稀 白光。較佳的情況是榮光物質層的厚度少u、可能造成發射 π11㈣但也不超過 200908064 28 /zm。 来』、氖等之稀有氣體密封蝴射管中。 先透射g _產生的放電電子撞縣原子，並 的紫外線。當冷陰極螢光燈照亮時，i 包含1至10Pa而稀有氣體的壓力例包含 T光透射管之内部兩端處的電極 6Ti=t於質量嫩。.4%至不多於質量百t比 ^的電極可抑制連接導線至電極時導線的退化以及利以U 此種電極的成形性非常好。 ，、乍為成刀之 f的鎢避衫極被離子化稀有氣體及汞之碰撞所減 鑛因而，令予電極優越的抗濺鍍性。又，即 極中的微量氧將晶粒的介面部分氧化 :01殘邊於電 晶粒之介面的接合，且可進一 含於電極的鎢強化 量在此範圍中，即使施加超過1()1^之\。，含 =有氣體及汞具有絕佳抗賴性，且能夠延長冷陰極螢“ 八t卜車ϋ的情況是包含於上述電極中之錮的範圍自不少於質旦百 刀比3/〇至不大於質量百分比35%。當鉬係 、、里百 J，及鎳的合金’從而進-步改善抗賤鑛性。如果耗電圍上成 鑛性，從而能延長冷陰極螢光燈的壽^邊電極具有絕佳抗錢 分比ί父佳的情況是上述電極包含紀的範圍自不少於質旦百 刀上〇.〇5 /〇至不大於質量百分比丨.丨〇%。包：貝里百 ，中之錄的晶粒得以細微狀態形成，例如 勺紀可使電 粒從。又，電極中的細微晶粒使粒子間的接合^固，句 200908064 幅避免電極被稀有氣體及汞的離子所濺铲。 較佳輯況是電極巾_或鐵含量^_、超 0.5¾。如果鈷或鐵含量皆不超過質量百 沾 ^ =能阻止將鎳之晶粒加以精製之纪 / ' 的晶粒傾向於細微地形成，藉以電：之鎳 從比較法所得之粒徑可得到曰電極的抗雜性。 在光學顯微鏡下觀察以_刻之^〜法包含 遵守”An Eduction t0 Meti之面/ς· 到㈣中(由 TheJapanS〇ciet；f〇== Κ· K. Taiga Shuppan發行)所述的方法編寫並由 光學顯微鏡的放大、具有〇.8 圈， 粒子尺寸數，藉以獲得平均粒徑丰Z斷相等 位於粒子尺寸數7與8間的中點 由於25的粒徑正好 由於上述電極的杯形开乂狀可蚀與以可獲得粒控的平均值。 所以較佳的情況是在光透^管及功率耗損得以減少， 其中杯狀開口彼此相對。在附近，一對電極， 板之鑄塊切掉構件並接合這些構件二^ ’亦^用包含自像 狀切斷像板之鏵塊並錘打圓圈央^藉由以圓圈的形 形成電極。然後，藉由執行所謂;杯形，而可容易地 =，頂蓋操作包含：將材料配線切易不狀電 的輸出可約略選擇杯的形狀，例如，杯的官之内徑及燈 2.75mm而長度為3至8inm。 的形狀在外徑可為1.05至 為了將電極連接至外部電源， 以下方式置入導線：將導線的—觀3虫==上述電極。可依 另—端藉由穿過密封光透射管 至电極的底面，而其 ，況是導線具=⑽ 光透射管時的加熱所退化。又ϋ線被㈣構件接合至 了使用雙重結構的線， 200908064 .其中由鋼製成的中w導線塗佈有κ_ 量可有效地_射到光透射管的外面。饿用&期間電極的熱 設置密封構件將保留稀有氣體及果 =，以便上述導線穿過並具有經由導_#^=的兩=密 在岔封構件中使用玻璃珠、Kovar等等。 例如’ μΪΪΪ^之螢光㈣層與内縣面間，本發明之A阶祕 作為上述冷陰極螢光燈的开π方n及力乳化鈽)形成保護層。 =合、或與錄，及鶴的炫化物=:法並:=== 繩· °躺_輯塊咖 因為如此可獲得ί:==ϊί 上述=:==¾ .藉以可將鑄塊形成例如厚度性工作， 的材料線。在熱軋及冷軋之後，將 ::專片或m至2.6mm 並改善鋪展性。在此之後，勃t矣品A =人，精以釋放内部應力 頂蓋操作-材料線，2可° f由執行衝壓形成或 極。因此獲得炫融接合至電極Λ細日日體結構及枉狀的電 其令物質層時’製傷—分離液體， 射管之内壁表面 喷灑之方法作為塗佈方法。將二夜體。可扭用如浸入或 後’將電極排列在光透射，、光物質層。此 構件加以密封，造成導線穿過密 10 200908064 光透射管。 r劍圖之液晶面板的背光可作為本發明之冷陰極螢光燈的 =將略剖面圖所示的冷陰極螢光燈… 璃』二，較佳的範圍自U至5.0麵。在玻 的壓力減壓至大氣壓力之^匕之1，。 ί 體，導入此空間。如圖2之放大立體圖所 7 ’ JL中杯狀H岛處’配置有含上述化學組成物的杯狀電極 線9的-端‘至方式設置每一導線將導 3並牵引到玻m分而將其另一端穿過玻璃珠 及如螢光燈的電極，含鎳為主成分、規定量的鶴、 螢光产且有顯，且具有晶粒的微細結構，所以冷陰極 蛍tU：且具有顯者改善的抗濺鍍性及長壽命。 以下利用例示性實施例將進一步詳細說明本發明。 〔例示性實施例1〕 一起始材料在不小於鎳之熔點的溫度下熔化，其具 钔刀二匕二:4%鎳、3:3%鎢、25.0%錮、及剩餘非主要雜質(如碳、矽、 二=吴二部為0,3%)所組成的化學組成物。將此熔化物注入 卩ίϋϊ著重複熱軋及冷軋，而製造具有厚度α2_ 二研磨之後，將壓輾材料退火及衝壓形成， 二的κ卜/ 及長度5mm的杯狀電極。將具有〇·8醜之 構件。、ovar办~接至每一個獲得電極之底面部分而成為一體 為20^比較法量測電極之錄的平均粒徑。錄之晶粒的平均粒徑 以約略18_的厚度將含螢光物質的分離液體施加至具有 11 200908064 2.0mm讀孔的破脅 電極配置在破螭管内^=壁表面。將熔融接合至Kovar配線的 管的兩端皆由破螭珠所^部，使得電極的開口彼此相對，且玻璃 汞及稀有氣體，藉:封，Kovar配線穿過玻璃珠。此後，導入 就所得到的二冷陰極螢光燈。 從杯狀部分的耗觀^^說’在以管電流l〇mA的照亮後， ^，從電極之杯狀否良好。在下列標準的基礎 由。 咐地对估抗雜性。此結果顯示於表 200908064 表1

Ni Mo w Y Co Fe 抗濺鍍性 >55 40 3.3 0.5 <0.05 <0.03 < >60 35 3.3 0.5 <0.05 <0.03 〇 >65 30 3.3 0.5 <0.05 <0.03 T >70 25 3.3 0.5 <0.05 <0.03 τ >80 15 3.3 0.5 <0.05 <0.03 τ >76.5 15 3.3 0.5 3.5 <0.03 < >80 15 3.3 0.5 0.5 <0.03 〇 >75.5 15 3.3 0.5 <0.05 4.5 < >80 15 3.3 0.5 <0.05 0.5 〇 >81 15 3.3 0.04 <0.05 <0.03 < >81 15 3.3 0.05 <0.05 <0.03 〇 >80 15 3.3 1.1 <0.05 <0.03 〇 >80 15 3.3 1.11 <0.05 <0.03 < >90 5 3.3 0.5 <0.05 <0.03 τ >92 3 3.3 0.5 <0.05 <0.03 τ >94 1 3.3 0.5 <0.05 <0.03 〇 >95 0 3.3 0.5 <0.05 <0.03 〇 >95 3 0.4 0.5 <0.05 <0.03 < >64 35 0.4 0.5 <0.05 <0.03 < >95 3 0.3 0.5 <0.05 <0.03 X >64 35 0.3 0.5 <0.05 <0.03 X >89.5 3 6.5 0.5 <0.05 <0.03 < >57.5 35 6.5 0.5 <0.05 <0.03 < >89.5 3 6.6 0.5 <0.05 <0.03 X >57.5 35 6.6 0.5 <0.05 <0.03 X >95.5 0 4 0.04 <0.05 <0.03 < >95.5 0 4 0.05 <0.05 <0.03 〇 >94.5 0 4 1.1 <0.05 <0.03 〇 >94.5 0 4 1.11 <0.05 <0.03 < >92 0 6.6 0.5 <0.05 <0.03 X >92.5 0 6.5 0.5 <0.05 <0.03 < >94 0 5 0.5 <0.05 <0.03 〇 >95 0 4 0.5 <0.05 <0.03 τ >93 0 4 0.5 1.8 <0.03 < >95 0 4 0.5 <0.05 1.5 < >97 0 2 0.5 <0.05 <0.03 τ >98 0 1.1 0.5 <0.05 <0.03 〇 >98.5 0 0.4 0.5 <0.05 <0.03 < >98.5 0 0.3 0.5 <0.05 <0.03 X >99 0 0.1 0.5 <0.05 <0.03 X >99 0 0 0.5 <0.05 <0.03 X T:所觀察到杯狀部分的損耗非常輕微。 13 200908064 。◦:雖然觀察到杯狀部分的損耗，但可充分使用冷陰極榮光 <:觀察到杯狀部分的損耗，且此為使用的臨界區域。 X ·杯狀部分_耗很大且冷陰極榮紐不能使用。 〔例示性實施例2 、.^ ,·，山只々❿ |y,j 2 j 除了將起始材_化學域物改變絲丨齡的化學 二夕卜’以如例祕實施例丨中_同方式製造冷 燈成= f 所付冷陰轉統的抗賴性純評估，其結果難於^中將 〔例示性實施例3〕 除了將起始㈣學域物改變絲丨所示的化學組 所如例雜實施例1中_同方式製造冷陰極螢光燈。將 斤传冷陰極螢紐的抗雜性加以評估，其結果顯示於表】中^ 〔例示性實施例4〕 所得冷陰極螢光燈的抗濺鍍性加以評估，其結果顯示於表^ 除了將祕材料的化學組成物改變絲丨所示的化學組 卜’ η!示性實施例1中的相同方式製造冷陰極螢光燈。將 中 〔比較例〕 除了將起始材料的化學組成物改變成表丨所示的 =以如例示性實施例丨中的相财式製造冷陰=== 仵ί陰極螢光燈的抗濺鍍性加以評估，其結果顯示於表1中。 從以上結果清楚可見：本發明之冷陰極螢光燈中所使 ^具有絕㈣抗濺雜，且本發日狀冷陰極螢光_耐久性非常 由於可將冷陰極螢光燈有利地應用到使用在電視機、電腦 之液晶顯示單摘背光、傳真等之·的讀取絲、f彡印機的擦 14 200908064 明壽善電極的抗濺鍍性而延 :受到氧化，且即電㈡】，極的表面區域較不 :ί2·冷陰極螢光燈具有㈣低：^ 【圖式簡單說明】 及 之冷陰極營光燈的概略剖面圖. 為圖1所不之電極的概略立體圖例。 【主要元件符號說明】 1冷陰極螢光燈 2玻璃管 3玻璃珠 螢光物質層 5内部空間 7 電極 8 底面部分 9 導線 10 開口

Claims (1)

1. 200908064 十、申請專利範圍： 1. .種冷陰極螢光燈，包含： ，光透射管，在其-内壁表面上設有 射管内部保存有一稀有氣體及汞， 一貪s，该光透 封構件密封住； μ先透射管的兩端利用—密 及 電極’土严在該光透射管之内部的兩 導線，連接於該電極並穿過該密 σ刀ί， 其中，該電極含有齡為其—主=件而設置； 分比0.4%(含)以上到質量百分比6 5%心以範圍自質量百 2. 如申請專利範圍第i項之冷陰極營光燈， 範圍自«百分比3%社至不大於質量百糾含有 3. 如申請專利範圍第i或2項之冷陰極榮 含有範圍自質量百分比0.05%以上到f4 j、 Μ電桮 紀，及含量剛財分比4^。比1·_下的 十一、圖式： 16