TW200905303A

TW200905303A - Multi-domain vertical alignment liquid crystal displays with improved angular dependent gamma curves

Info

Publication number: TW200905303A
Application number: TW097125966A
Authority: TW
Inventors: Rui-Bo Lu; Seung-Hee Lee; Shin-Tson Wu; Wang-Yang Li; Chung-Kuang Wei
Original assignee: Chi Mei Optoelectronics Corp; Univ Central Florida Res Found
Priority date: 2007-07-20
Filing date: 2008-07-09
Publication date: 2009-02-01
Also published as: US20090021660A1; US7605897B2; CN101387806B; CN101387806A; TWI383204B

Description

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1 W455UPA 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明疋有關於一穿透式多顯示域垂直配向型之液 ^員示H，且特別是有關於—種設備、裝置、系統及方法， i^產生具有廣視角之多顯示域垂直配向型之液晶顯不^，及產生於钭視角上之改良的伽瑪曲線，以應用於具有1¾效能之液晶顯示電视。 c:【先前技術】對於大榮幕之液日日顯示器（Liquid cryStai Display, LCD)而吕，通常得同時具有以下之特性··高對比、快速響應時間、廣視角、以及笛越的色彩表現，如低色偏及良好的角度相依色形均勻度。垂直配向（Verticai Alignment, VA) 技術係為LCD電視之主流技術之一，且係廣泛地為人們所研究與發展。正常黑架構之垂直配向型之LCD，於垂直 ^ 入射角度下，係展現出極佳的對比值。而有關於反應時間之議題，則可It由過驅動技術(overdrive and undershoot) 而得以改善’此技術係由S. T. Wu所提出，並記載於後述之文獻中：“Nematic liquid crystal modulator with response time less than 100 ps at room temperature’’，Appl. Phys. Lett.，Vol. 57, p_986, (1990)。為了達到廣視角之目的，係特別需要利用外部電場來形成多顯示域之垂直配向（Multi-domain Vertical Alignment，MVA)。於目前之實作中，係使用位於裝置基板 200905303

1 W4550PA 上的突起(protrusion)及狹缝（slit) ’來架構具有四個顯示域及八個顯示域的垂直配向型液晶。於最佳化補償薄膜的協助下，典型之MVA-LCD能在± 80度之視線光錐（cone)處，達到100 : 1之對比值，如Q. Hog等人於後述文獻中所描敘：“Extraordinarily-high-contrast and wide-view liquid crystal displays”，Appl. Phys. Lett·, vol. 86, p.121107 (2005)。此時，相較於共面轉換（In-Plane Switching, IPS) 之模式，垂直配向型模式於色偏及角度色彩均勻度上，所 f·, 呈現之色彩表現係略為遜色，其原因為垂直配向型模式經常於大斜度之視角上呈現明顯的全色階（gamut)曲線失真，如H. C. Jin等人於後述文獻中所描敘：“Development of 100-in. TFT-LCDs for HDTV and public-information-display applications’’，Journal of the SID， vol. 15, p.277 (2007)。為了改善垂直配向型之LCD之伽瑪曲線，許多方法 # 係被提出。從面板驅動的角度來看，LCD伽瑪曲線動態校正之方案係記載於後述之美國專利中：Y.C. Chen等人於 2001年所取得之美國專利案號No. 6,256,010 B1、以及H. Pan等人於2007年所取得之美國專利案號No. 7,164,284 B2。然而，上述之方案對於斜視角上改善伽瑪曲線之有效性，係無法使人確信的。從面板設計的角度來看，電容耦合（Capacitive Coupled，CC)之方法係揭露於 H. S. Kim 等人於2007年所獲准之美國專利案號N〇. 7,158,201 B2 ;再者’有關藉由兩個薄膜電晶體來產生八顯示域之方案，則 200905303

TW4550PA 係發表於後述之文獻中：s. s· Kim in SID，〇5 Digest, p.1842-1847 C. C. Liu et al in mn Display

Workshops，p.625-626 (2006)。雖然前述方法能夠改善相對的角度相依之伽瑪曲線，但卻增加了電路之複雜度。而且，當使用了兩個薄膜電晶體於一個單元之畫素^卻會增加製造成本、提高裝置的消耗功率。 Γ 【發明内容】及方提出™種設備、裝置、系統 i有不同晝素區之垂直配向型液晶顯示器，而旎於牙透扠式中呈現不同的臨界電壓。根，本&明之另—方面，提出—種創新之設備、裝 ΐ u於具有不同畫素區之垂直配向型液晶顯示益，以於牙透模式中形成多顯示域之液晶分佈。根據本發明之另—-i- -r- ,θ , 方面’提出一種創新之設備、 ^統，用於垂直配向型穿透式液晶顯示器之結構，且呈現輕微的角度相依之伽瑪曲線失真。置本Γ月之另一方面，提出一種創新之設備、裝糸；，用於具有簡易裝置結構盥盔配向fnjbbinii f 、製程之穿透式液晶顯干考 U配向⑽blng_free) 於第一實施例中量生產下提高良率。之元件。第-基板且有=種液晶顯示面板’包括下列佈層具有-厚度，且形成=於其上之一彩色濾光片。塗之—共同電極。第二基板且^色慮光片與設置於塗佈層上反具有—絕緣層，絕緣層位於面向 200905303

TW4550PA 第一基板之一内表面上。晝素電極形成於絕緣層上。多個共同及晝素顯示域導向係形成於共同電極與晝素電極上。多個電子屏障係位於共同電極或晝素電極之其一，以分割對應之共同電極及晝素電極之一為至少二不同區域。液晶層係以垂直配向，並夾置於第一及第二基板。顯示面板還包括一驅動電路，驅動電路係與共同電極與畫素電極連接，用以提供一電壓至共同電極與畫素電極，來產生一電場於第一基板及第二基板之間，並控制液晶分子之 ^ % 一配向（orientation)，此配向係對應至共同及顯示域導向與電子屏障之一定位，以形成一多顯示域垂直配向型之液晶顯示面板。此些顯示域導向係為形成於共同電極及晝素電極之突起或狹縫，以劃分共同電極為至少二共同電極，並劃分畫素電極為至少二晝素電極，以形成多顯示域垂直配向型液晶之架構。於一實施例中，此多個顯示域導向包括位於共同電極之共同電極顯示域導向、以及位於畫素電極之晝素電極顯〇示域導向，並位於液晶顯示面板之各晝素區中。共同顯示域導向係位於晝素顯示域導向之一侧及上方。於另一實施例中，共同顯示域導向係位在晝素顯示域導向之一側及上方，且電子屏障係位在晝素顯示域導向之相反之一側及上方，並劃分共同電極為一第一、第二、及一第三共同電極，以形成具有八個顯示域之多顯示域液晶顯示面板。於再一實施例中，共同顯示域導向係位在晝素顯示域導向之一側及上方，且電子屏障係位在晝素顯示域導向之相反之一側 200905303 及上方，並劃分共同電極為一第一及一第二共同電極，以形成於各晝素區上具有六個顯示域之多顯示域液晶顯示面板。於代替之實施例中，共同顯示域導向包括一第一及一第二共同顯示域導向，位於晝素顯示域導向之相反側，並劃分共同電極為三個共同電極。一晝素電子屏障係位於共同顯示域導向之其一之下方，並覆蓋晝素顯示域導向並鄰近於晝素電極，來形成單一晝素電極於共同導向之其一之下方，以形成於各晝素區上具有八個顯示域之多顯示域液晶顯示面板。為讓本發明之上述内容能更明顯易懂，下文特舉一些較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。【實施方式】於詳細說明本發明所揭露之實施例之前，需知本發明係非限定於為說明所顯示特定之安排而為之應用，本發明係適用於其它之實施方式。再者，此處所使用之字詞係以說明目的所用，並非用以限制本發明。請參照主要元件符號說明之段落，以識別本發明之各元件於說明書及圖式中之符號及其編號。本發明提出一穿透式垂直配向型液晶顯示器 (Vertically Aligned Liquid Crystal Display, VA LCD)之裝置結構，用以產生多個顯示域以提高可視角，且特別能夠改良角度相依之伽瑪曲線，而能增加色彩表現性能。本發明

200905303 l W435UPA 所提出之液晶顯示器係可應用於與無磨擦(rubbing-free)及簡易之製私，較佳地，係使用具有負介電性(Δε<0)之液曰材料。曰請參照第！八及1Β圖，第1Α圖繪示為依照本發明之一貫施例之具有顯示域導向突起之MVALCD之平面圖，第1Β圖綠示乃第1Α圖中沿著Α-Α’線段之剖面圖。如第 1A及1B圖所示，MVALCD面板之各單元晝素1〇〇包括一下基板110、一上基板130及夹置於其間之一液晶層 150 °下基板11〇包括具有多個薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)112之一透明基板122、多條掃描線114、多條資料線116' —閘極絕緣層124、一保護層126、以及製成於透明基板122之一内表面上的多個晝素電極128。各TFT 112係設置於單元畫素區1〇〇之—之内，且係連接至對應之掃描線114與資料線116，如第1A圖所示。第 1B圖之閘極絕緣層124係形成以覆蓋掃描線114，保護層 126係生成以覆蓋資料線116 ’並位於透明基板122之上，透明基板122係可為一透明玻璃。閘極絕緣層124及保護層126皆可為一有機材料，例如為非晶碎碳氧(a-Si:C:0)及非晶石夕氧氣(a-Si:0:F);或者，閘極絕緣層124及保護層126亦皆可為一無機材料，例如為氮化矽（Silicon Nitride，SiNx)及氧化矽（silicon Oxide, Si02)，且可藉由電漿輔助式化學氣相沈積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)、或藉由相似之濺鍍方法來製成。各晝素電極128係電性連接至—對 200905303

TW4550PA 應之TFT 121。透明畫素電極128通常係由一電性傳導之材料所製成，且具有高光學穿透性，例如為氧化銦錫 (Indium Tin Oxide, ITO)、氧化銦鋅（Indium zinc 〇xide, IZO)、或氧化辞(Zin Oxide, ZnO)。各晝素電極128具有多個顯不域導向層129。顯示域導向層129係可為液晶配向之突起，並藉由沈積一有機材料（例如為a_si:c:〇及 a-SK〇:F)所形成、或藉由沈積一無機材料（例如為氮化矽 (SlNx)及氧化矽（Si〇2))所形成。顯示域導向層129亦可為液晶配向之狹縫，狹缝係藉由開口圖案層蝕刻透明晝素電極128來形成。上基板130包括一透明基板132、一彩色濾光片134、一塗佈層135、多個共同電極136、多個顯示域導向層138、及多個電子屏障層139。塗佈層135係設置於透明基板132 之下方，以覆蓋彩色濾光片134。塗佈層135之材料可以是丙烯酸（acrylic)樹脂、聚醯胺（polyainide)、聚亞胺 q (polyimide)、或酌·酸環氧(novolac epoxy)樹脂。塗佈層 135 係藉由使用微影（photolithography)及蝕刻製程而予以圖案化，以形成多個部分蝕刻之區域。未蝕刻的區域（未繪示）之處，可具有足夠之厚度，以使其兼備間隙物（ceU spcer) 之功能，來簡化製程、降低成本。各共同電極136係設置於塗佈層135上。透明共同電極136通常係由一電性傳導之材料所製成，且具有高光學穿透性’例如為IT0、IZ〇、或Zn0。電子屏障層139係設置以填補位於塗佈層135及共同電極136上之被部分姓 12 200905303

TW4550PA 相區域冑子屏障層139可以是_有機材料，例如為 a Si.C.O及a_Si:〇:F ;或者，電子屏障層亦可以是— …，材料’例如A SlNx及si〇2，且可藉纟pEcvd來製成、或藉由其它具有冑常知識者可知之相⑽的舰方法來製成。各共同電極136具有多個顯示域導向層138。顯示域導向層138係可為液晶配向之突起，並藉由沈積一有機材料（例如為a-Si:C:0及a_si:0:F)所形成、或藉由沈積一無 (機材料(例如為SiNjSi〇2)所形成。顯示域導向層138亦可為液晶配向之狹縫，狹縫係藉由開口圖案層蝕刻透明共同電極136來形成。液晶層150係垂直配向於下基板11〇與上基板13〇之間^ 112係切換為開啟狀態（〇N_state)時，電場會產生於下基板110與上基板丨30之間。如此，藉由顯示域導向層129、138及電子屏障層139，可使液晶層15〇之液晶分子傾斜於多個方向上，以達到—多顯示域液晶之架構。由於電子屏障層139之屏蔽效應（screeneffect)，靠近電子屏障層139之處的電場強度會小於其它區域之電場強度。因此，電子屏障層139係可劃分一單元晝素1〇〇為至少二不同之區域，例如一主要區161及一次要區162，而產生兩種不同的臨界電壓。在不同的灰階下，具有電子屏障層139之次要區162通常會產生較高的臨界電壓，而導致幸父低的焭度。因此，於各種灰階下，藉由兩不同區域16】及162所組成之亮度，係可改善MVA LCD面板之角度相依伽瑪曲線。主要區161與次要區162的面積比係介於 200905303

1 W4^^UKA 10 : 1至1 : 10之範圍内，而電子屏障層139與對應之液晶顯示面板100之面積比係典型地大於1 : 1〇〇〇。於使用Z字型之電極的典型MVA LCD中，當受到 TFT陣列之驅動時，一個單元晝素通常會形成四個液晶顯示域。於使用本發明之架構下，即使僅使用一個TFT，亦可形成超過四個液晶顯示域，其原因在於次要區162所具有之臨界電壓係不同於主要區161所具有之臨界電壓。如此，係可擴大MVA LCD面板之視角。 f 於模擬的過程中，各參數係設定如下。MVA LCD之結構係重覆以尺寸為100微米X 450微米之一單元晝素所架構。突起型式之晝素顯示域導向層129及共同顯示域導向層138係具有Z字型的寬度w = 12微米、及突出之高度 hp = 1.2微米。各相鄰之顯示域導向層於投影面上之間距g =35微米。電子屏障層139係由氮化矽所製成，且為平坦 (flat) ’並具有寬度we = 12微米、高度h叶2微米、且介電常數為7.0。主要區161與次要區162之面積比係選擇 I / 千 ' 為約2 : 1，介於上基板與下基板之間的液晶胞間距係約莫為4微米。所使用之液晶材料150係為默克(Merck)負型Λε 之液晶混合物MLC-6608(於波長λ = 550奈米（nm)時之雙折射率Δη = 0.083、介電異向性Δς = -4.2、黏滯係數 (rotational viscosity) γ! = 0.186 帕斯卡秒（Pa.s))，此液晶特料150於初始狀態上係與基板呈現垂直配向。於此例中，液晶材料之方位角係約為0度，預傾角約為90度。請參照第2圖’其纟會示為施加6伏特之有效值電髮& 14 200905303

TW4550PA 共同電極136與晝素電極128之間時，於第1A及1B圖之架構下液晶指向（director)之模擬分佈圖。分佈圖係為一平面圖’且係從晝素單元的中點沿著Z軸的方向分割開來。如圖所示，由於邊場效應（fringingfield)與介於下基板u〇與上基板130之間的縱向（1〇ngitudinal)電場，液晶指向將會被重新導向’並垂直於電場方向。分別藉由晝素及共同顯示域導向突起層129及138，係可於主要區161中形成一典型之四個顯示域之結構。於次要區162中，傾斜的電子屏卩早層13 9係有助於形成額外的兩個顯示域。因此，於 TFT 112所提供之一外部電場之應用下，總共可形成六個液晶顯示域於整個晝素單元1 〇〇。若配合使用合適的補償膜，則可擴大此具有六個顯示域之MVA LCD之可視角。前述之補償膜例如係記錄於S. T. Wu及D. K. Yang所提出之文獻中.Reflective Liquid Crystal Displays (Wiley, New York, 2001)，第 12 章。 f . 請參照第3圖’其繪示為分別整個晝素loo、主要區 B - ’ 161及次要區162之電壓與亮度之相依曲線。於此例中，入射白光源係來自於傳統之冷陰極螢光燈管（Cold Cathode Fluorescent Lamp, CCFL)所提供之背光，此背光係於進入夾置於兩交錯之線性偏光片之MVA LCD面板之前，會先通過具有紅綠藍三種顏色之彩色濾光片。主要區 161之臨界電壓係約為2.25伏特之有效值，次要區之臨界電壓係約為2.40伏特之有效值。電子屏障層139會使得臨界電壓略微提高’導致於定義整個晝素100為具有一相同 15 200905303

I 之灰階時，次要區162會具有低於主要區161之亮度。於量化之分析上，於離軸方向上的影像失真係數Ι)(θ， φ)係疋義如下： Ό(θ,φ) = / ^^-/(^-^) " ^^Λ〇β~αχί3,Θ,φ) \ \ 哗，加-她） /..__〇 255 (Eq.l ) 此處’ ABi j係為於灰階值丨及灰階值j時之亮度差異。而符號係表示為於任意之灰階值時之平均值。 ρ 〇(θ，的係位於約〇至1之間。較小的〇(θ，φ)意味著影像失真之情形較輕微，如角度相依伽瑪曲線上所顯示，亦即，此時於離軸方向上具有較佳的影像品質。清參照第4圖’其緣示了整個晝素單元1〇〇之傳統你瑪曲線於伽瑪校正係數γ = 2.2時，且於不同入射角下之標繪圖。於此，方位角係設定約為〇度，並以具有256個^ 階值之8位元灰度(gray scale)來計算。於(㊀，ψ) = (6〇度，〇度）下，D之值為0.2994。〇請參照第5圖，其更繪示了主要區161之傳統伽瑪曲

線於伽瑪校正係數γ = 2.2時，且係以—傳統具有四顯示域之MVALCD為例。於(θ，φ) = (60度，〇度）之視角下，對應之D之值約為0.3510。概要地，相較於傳統之MVA LCD，本例之架構係可具有14.7%的改善成效，而能於離軸方向上產生較佳的影像品質。請參照第6A及6B圖，其係繪示本發明之另一實施例MVALCD面板之平面圖。第6A圖繪示為MVALCD面板之架構’第6B圖繪示乃第6A圖中沿著A_A，線段之剖 16 200905303 1 面圖。於此實施例中，主要元件係沿用第1A及IB圖之架構，並使用新的標號。此兩架構之主要差異在於：本實施例係採用不同之晝素與共同導向狹缝。相仿於第1A及1B圖所繪示之架構，於本實施例中， MVA LCD包括一下基板610、一上基板630及一夾置於其間的液晶層650。如第6B圖所示，下基板610包括一透明基板622、多個TFT 612、多條掃描線614、多條資料線 616、一閘極絕緣層624、一保護層626、以及多個畫素電極 628。各TFT 612係設置於單元晝素區600之一之内，且係連接至對應之掃描線614與資料線616,如第6A圖所示。如同前述之例，閘極絕緣層624係形成以覆蓋掃描線614, 保護層626係形成以覆蓋資料線616,並位於透明基板622 之上。閘極絕緣層624及保護層626皆可為一有機材料，例如a-Si:C:0及a-Si:0:F、或為一無機材料，例如SiNx 及Si02，且可藉由PECVD來製成、或藉由相似之濺鍍方法來製成。各畫素電極628係電性連接至一對應之TFT 612。透明晝素電極628通常係由一電性傳導之材料所製成，且具有高光學穿透性，例如為ITO、IZO或ZnO。與第1B圖所繪示之架構不同的是，各晝素電極628具有多個顯示域導向層629。顯示域導向層629係為液晶配向之狹缝，並藉由I虫刻透明晝素電極628，來產生顯示域導向層之狹缝629於晝素電極628中。上基板630包括一透明基板632、一彩色濾光片634、 17 200905303

TW4550PA 一塗佈層635、多個共同電極636、多個顯示域導向層638、及多個電子屏障層639。塗佈層635係設置於透明基板632 之下方’以覆蓋彩色據光片634。塗佈層635之材料可以是丙烯酸樹脂、聚酿胺、聚亞胺、或齡湛環氧樹脂。塗佈層635係藉由使用微影及蝕刻製程而予以圖案化，以形成多個部分蝕刻之區域，且具有之厚度典型地係大於〇.1微米。而未蝕刻的區域（未繪示）之處，則具有足夠之厚度’ 以使其兼備間隙物（cell spacer)之功能，來簡化製程、降低 C: 成本。如先前所述，各共同電極636係設置於塗佈層635 上。透明共同電極636通常係由一電性傳導之材料所製成，且具有高光學穿透性，例如為ITO、IZO、或ZnO。電子屏障層639係設置以填補位於塗佈層635及共同電極 636上之被部分#刻的區域。電子屏障層639可以是一有機材料，例如為a-Si:C:〇及a-Si:0:F ;或者，電子屏障層 q 639亦可以是一無機材料，例如為SiNx& Si02，且可藉由 PECVD來製成、或藉由其它具有通常知識者可知之相似的賤鑛方法來製成。與第1B圖之架構不同的是，各共同電極636具有多個顯示域導向層638。顯示域導向層638 係可為液晶配向之狹縫’狹縫係藉由開口圖案層來蚀刻透明共同電極636所形成。於模擬的過程中，各參數係設定如下。MVALCD之結構係重覆以尺寸為100微米X 600微米之一單元晝素所架構。狹縫型式之顯示域導向層629及638係具有1字型 18 200905303 1 卞各相鄰之顯示域導向層於投影面上之間距g = 35微米。於此 ^ . 〇 ^ 此例中’電子屏障層639係由氮化矽所製成，且為平坦，並且右如& /b, „ 人、有足度we = 12微米、高度h = 1.2 微米、且）丨電常數爲7r\ , # Φ ·〇。此兩個傾斜之電子屏障層639 係位於弟6 A圖所示之★热间所不之次要區662及次要區663上。主要區661與人要區662及663之面積比係選擇為約1 Μ，介於上基板與下基板之間的液晶胞間距係約為4微米。於此

例中所使用之液晶材料係為默克負型^之液晶混合物 MLC 6608(於波長χ == 55〇奈米㈣)時之雙折射率 0·083 ”丨电異向性μ = _4 2、黏滯係數(她ti_卜isc〇si⑺ γ! = 0.18 6帕斯卡秒(p a · s))，此液晶材料於初始狀態上係與基板呈現垂直配向。液晶材料之方位角係約為〇度，預傾角約為90度。請參照第7圖，其繪示為施加6伏特之有效值電壓於共同電極636與晝素電極628之間時，本實施例之液晶指向（director)之模擬分佈圖。分佈圖係為一平面圖，且係從晝素單元的中點沿著Z轴的方向分割開來。如圖所示，由於邊緣效應與介於下基板610與上基板63〇之間的縱向電場’液晶指向將會被重新導向，並垂直於電場方向。分另,J 猎由晝素及共同顯不域導向狹縫629及638，係可於主要區661中形成一典型之四個顯示域之結構。於次要區662 及663中’電子屏障層639係有助於形成額外的四個顯示域。因此，於TFT 612所提供之一外部電場之應用下，總共可形成八個液晶顯示域於整個晝素單元6〇〇。若配合使 19 200905303

IW4550PA 用合適的補償膜’則可擴大此具有八個顯示域之MVA LCD 之可視角。請參照第8圖’其繪示為分別整個晝素6〇〇、主要區 661及次要區662及663之電壓與亮度之相依曲線。於此例中’入射白光源係來自於傳統CCFL所提供之背光，此背光係於進入夾置於兩交錯之線性偏光片（未緣示）之MVA LCD面板之前，會先通過具有紅綠藍三種顏色之彩色滤光片。主要區661之臨界電壓係約為2.25伏特之有效值，次要區之Bs界電Μ係約為2.3 2伏特之有效值。次要區會具有較高之臨界電壓的原因在於，因為電子屏障層639會使得會遮敝一部分的電場。因此，於定義整個晝素6〇〇為具有一相同之灰階時’次要區662及663會具有低於主要區661 之亮度。請參照第9圖，其繪示了整個畫素單元600之典型的伽瑪曲線於伽瑪校正係數γ = 2.2時，且於不同入射角下之標繪圖。如圖所示，方位角係設定約為0度，並以具有256

U 個灰階值之8位元灰度(gray scale)來計算。於(θ, φ) = (60 度，〇度）下，D之值為0.2771。相較於典型之傳統具有四顯示域之MVA LCD具有之 D值為0.3510，本例之架構係可具有21%的改善成效，故能於離軸方向上產生較佳的影像品質。請參照第10A及10B圖，其係繪示本發明之另一實施例MVALCD面板之架構。第10A圖繪示為MVALCD 面板之平面圖，第10B圖繪示乃第10A圖中沿著A-A’線 20 200905303 i w^f3Dur/\ 段之剖面圖。於此實施例中，主要元件係沿用第ΙΑ、IB、 όΑ及6B圖之架構，並使用新的標號。相仿於第6A及6B 圖所繪示之例’第10A及10B所繪示之架構分別包括晝素電極顯示域導向狹縫1029及共同電極顯示域導向狹縫 1038。主要差異在於：本實施例係採用不同之畫素與共同導向狹縫。相仿於第1A及1B圖所繪示之架構，本實施例於第 (' 10A及1〇B圖所繪示之架構中，MVALCD面板1〇〇〇包括一下基板1010、一上基板1030及一夾置於其間的液晶層 1050。如第6B圖所示，下基板1〇1〇包括一透明基板1〇22、多個TFT 1012、多條掃描線1014、多條資料線1〇16、一閘極絕緣層1〇24、一保護層1026、以及多個晝素電極 1028 ’如第ιοΒ圖所示。各TFT 1012係設置於單元晝素區1000之一之内，且係連接至對應之掃描線與資料線1016 ’如第i〇A圖所示。閘極絕緣層1〇24係形成以覆 (j 盘掃描線1014 ’保護層1026係形成以覆蓋資料線1016，並位於透明基板1〇22之上，透明基板1022係可為一透明玻璃。閘極絕緣層1024及保護層1026皆可為一有機材料’例如a-Si:C:0及a-Si:0:F、或為一無機材料，例如SiNx 及Si〇2，且可藉由PECVD來製成、或藉由具有通常知識者所知之相似之濺鑛方法來製成。如先前所述，各畫素電極丨〇28係電性連接至一對應之TFT 1012。透明晝素電極1028通常係由一電性傳導之材料所製成，且具有高光學穿透性’例如為ITO、IZ〇或 21 200905303

TW4550PA

ZnO。各晝素電極1028具有多個顯示域導向層W29。顯示域導向層1029係為液晶配向之狹縫’狹縫係藉由開口圖案層蝕刻透明畫素電極1028來形成° 上基板1030包括一透明基板1032、一彩色濾光片 1034、一塗佈層1035、多個共同電極1036、多個顯示域導向層1037、多個顯示域導向層1038、及多個電子屏障層1039。塗佈層1〇35係設置於透明基板1032之下方，以覆蓋彩色濾光片1034。塗佈層1035之材料可以是丙烯酸 f ' 樹脂、聚醯胺、聚亞胺、或齡酸環氧樹脂。塗佈層1035 係藉由使用微影及蝕刻製程而予以圖案化，以形成多個部分蝕刻之區域，且具有之厚度典型地係大於0_1微米。未蝕刻的區域係為主要區1061，被蝕刻的區域係為次要區 1062。各共同電極1036係設置於塗佈層1035及被蝕刻之次要區1062上。透明共同電極1036通常係由一電性傳導之 Q 材料所製成，且具有高光學穿透性’例如為ITO、IZO、或ZnO。電子屏障層1〇39係設置以填補位於共同電極1〇36 上之被蝕刻的次要區1062。電子屏障層1039可包括一有機材料，例如為a_Si:C:〇及a_Si:0:F ;或者，電子屏障層 1039亦可以是一無機材料，例如為SiNx& Si02，且可藉由PECVD來製成、或藉由其它具有通常知識者可知之相似的’賤錢方法來製成。如第10B圖所示，各共同電極1036 具有位於主要區1061内之多個顯示域導向層1〇38、以及具有位於次要區1062内之多個顯示域導向層1037。其等 22 200905303 TW4550PA 係可為液晶配向之狹縫，鉞狹縫係错由開口圖案蝕刻透明共同電極1036的過程中來形成。於模擬的過程中，各參數係設定如下。Μ*·之 ^係重覆以尺寸為⑽微米X彻微米之-單元晝素所乂才扣狹縫1式之顯不域導向層1G29及1Q38係具有Z字里的見度—w - 12微米。各相鄰之顯示域導向層於投影面上之間距g = 35微米。於办丨山卞於此例中，電子屏障層1039係由氮 $夕所製成且為平坦’並具有高度2微米、且介電常數為3.5。電子屏障層1〇39係覆蓋於次要區·及顯不^導向層1G37上，且於次要區觸中具有寬度約We. 12微米纟要區1G61與次要區}嶋之面積比係選擇為約 2小介於上基板與下基板之間的液晶胞間距係約為々微米於此例中’所使用之液晶材料係為默克負型心之液曰曰混合物MLC姻(於波長λ = 55〇奈米㈣時之雙折射^ △η - 0·083、介電異向性△卜4 2、黏滯係數 U二_lty) γι = G.186帕斯卡秒(Pa.s))，此液晶材料於初始狀態上係與基板呈現垂直配向。液晶材料之方位角係約為0 度’預傾角約為90度。請參照第11圖，其繪示為施加6伏特之有效值電聲於共同電極1036與晝素電極1028之間時，本實施例之咴晶指向之模擬分佈圖。分佈圖係為一平面圖，且係從書棄單元的中點沿著Z軸的方向分割開來。如圖所示，由於邊緣效應與介於下基板1010與上基板1030之間的縱向電場’液晶指向將會被重新導向，並垂直於電場方向。分列 23 200905303

1 W455UFA 藉由畫素及共同顯示域導向狹缝1029及1038，係可於主要區1061中形成一典型之四個顯示域之結構。於次要區 1062中，傾斜之顯示域導向狹缝層1037與電子屏障層 1039係有助於形成額外的二個顯示域。因此，於TFT 1012 所提供之一外部電場之應用下，總共可形成六個液晶顯示域於整個晝素單元1000。此具有六個顯示域之MVA LCD 係可擴大顯示面板之可視角。請參照第12圖，其繪示為分別整個晝素1000、主要 ' 區1061及次要區1062之電壓與亮度之相依曲線。於此例中，入射白光源係來自於傳統CCFL所提供之背光，此背光係於進入夾置於兩交錯之線性偏光片（未緣示）之MVA LCD面板之前，會先通過具有紅綠藍三種顏色之彩色濾光片。主要區1061之臨界電壓係約為2.25伏特之有效值’ 次要區之臨界電壓係約為3.00伏特之有效值。由於電子屏障層1039能有效地遮敝一部分的電場，因此，於定義整個晝素1000為具有一相同之灰階時，次要區1062會具有 ϋ 低於主要區1061之亮度。請參照第13圖，其繪示了整個晝素單元1000之典型的伽瑪曲線於伽瑪校正係數γ = 2.2時，且於不同入射角下之標繪圖。於此，方位角係設定約為0度，並以具有256 個灰階值之8位元灰度（gray scale)來計算。於(θ, φ) = (60 度，〇度）之視野方向下，D之值為0.2866。相較於典型之傳統具有四顯示域之MVA LCD具有之D值為0.3510，本例之架構係可具有18.4%的改善成效，故能於離軸方向上 24

200905303 I W4550PA 產生較佳的影像品質。請參照第14A及14B圖，其係繪示本發明之另一實施例MVALCD面板之架構。第14A圖繪示為MVALCD 面板之平面圖，第14B圖繪示乃第14A圖中沿著A-A’線段之剖面圖。於此實施例中，主要元件係沿用第ΙΑ、1B、 6A、6B、10A及10B圖之架構，並使用新的標號。相仿於第10A及10B圖所繪示之例，本實施例之架構分別包括畫素電極顯示域導向狹縫1429a及1429b及共同電極顯示域導向狹縫1438。如第14A及14B圖所示，MVALCD面板包括一下基板1410、一上基板1430及一夾置於其間的液晶層1450。下基板1410包括一透明基板1422、多個TFT 1412、多條掃描線1414、多條資料線1416、一閘極絕緣層1424、一保護層1426、多個晝素電極1428、多個顯示域導向層1429a 及1429b、以及多個電子屏障層1421。電子屏障層1421 係生成於透明基板1422之一内表面，且鄰近於液晶層 1450。各TFT 1412係設置於單元畫素區1400之一之内，且係連接至對應之掃描線1414與資料線1416，如第14A圖所示。閘極絕緣層1424係形成以覆蓋掃描線1414，保護層1426係形成以覆蓋資料線1416，並位於透明基板1422 之上’如第14B圖所示。閘極絕緣層丨424及保護層1426 皆可為一有機材料，例如a-Si:C:0及a-Si:0:F、或為一無機材料，例如SiNx及Si02，且可藉由PECVD來製成、或 25 200905303

1 W43^UPA 藉由具有通常知識者所知之相似之濺鍍方法來製成。如前述之例子不同的是，塗佈層1427係設置於位於下基板之保護層1426的上方。塗佈層1427之材料可以是丙稀酸樹脂、聚醯胺、聚亞胺、或酚醛環氧樹脂。塗佈層 1427係藉由使用微影及蝕刻製程而予以圖案化，以形成多個部分餘刻之區域，且具有之厚度典型地係大於〇.丨微米。未#刻的區域即是主要區1461，被蝕刻的區域即是次 ( 要區1462。各晝素電極1428係設置於塗佈層1427及被蝕刻之次要區1462上。透明晝素電極1428通常係由一電性傳導之材料所製成，且具有高光學穿透性，例如為IT〇、 ΙΖΟ、或 ΖηΟ。各晝素電極1428具有位於主要區1461内之多個顯示域導向層1429a、以及位於次要區1462内之多個顯示域導向層142%。其等係可為液晶配向之狹縫，狹縫係藉由開口圖案蝕刻透明共同電極1436來形成。電子屏障層1421 Q 係认置以填補位於晝素電極1428上之被餘刻的次要區 1462。電子屏障層1421可包括一有機材料，例如為 a-Si.C:〇及a-Si:0:F ·’或者，電子屏障層1421亦可以是一無機材料’例如為SiNx& Si〇2,且可藉由PECVD來製成、或藉由其它相似的濺鍍方法來製成。上基板1430包括一透明基板1432、一彩色遽光片 1434、多個共同電極1436、多個顯示域導向層1438。各共同電極1436具有多個顯示域導向層1438，顯示域導向層丨438係為液晶配向之狹縫，狹縫係藉由開口圖案層蝕 26 200905303

TW4550PA 刻共同畫素電極1436來形成。於此例中’各參數係設定如下。MVA LCD之結構係重覆以尺寸為100微米χ 6〇〇微米之一單元晝素所架構。狹縫型式之顯不域導向層1429a、1429b& 1438係選擇為具有z字型的寬度w==12微米。各相鄰之顯示域導向層於投影面上之間距g == 35微米。於此例中，平坦的電子屏障層1421具有高度h = 1.2微米、且介電常數為3 5。主要區1461與次要區1462之面積比係選擇為約丨：丨。介於上土板與下基板之間的液晶胞間距係約為4微米。於此例中’所使用之液晶材料係為默克負型紅之液晶混合物 MLC 6608(於波長χ = 55〇奈米（nm)時之雙折射率如= 0.083 ;丨電異向性△弓=4 2、黏滯係數(r〇tatj〇nai visc〇sjty) γ! - 0.186帕斯卡秒(Pa.s))，此液晶材料於初始狀態上係與基板呈現垂直配向。液晶材料之方位角係約為0度，預傾角約為90度。 Q 印參如、第15圖，其繪示為施加6伏特之有效值電壓於共同電極1436與畫素電極1428之間時，本實施例之液晶指向之模擬分佈圖。分佈圖係為一平面圖，且係從晝素單元的中點沿著Z軸的方向分割開來。如圖所示，由於邊緣效應與介於下基板14ι〇與上基板1430之間的縱向電場’液晶指向將會被重新導向，並垂直於電場方向。分別藉由顯示域導向狹縫1429a、1429b及1438，係可分別於主要區1461及次要區1462中形成一典型之四個顯示域之結構。此兩種位於主要區1461及次要區1462中之四個顯 27

200905303 TW4550PA 示域結構係不相同。因此，於TFT 1412所提供之一外部電場之應用下，總共可形成八個液晶顯示域於整個晝素單元1400。此具有八個顯示域之MVA LCD係可進一步擴大顯示面板之可視角。請參照第16圖，其繪示為分別整個畫素1400、主要區1461及次要區1462之電壓與亮度之相依曲線。於此例中，入射白光源係來自於傳統CCFL所提供之背光，此背光係於進入夾置於兩交錯之線性偏光片（未繪示）之MVA LCD面板之前，會先通過具有紅綠藍三種顏色之彩色濾光片。主要區1461之臨界電壓係約為2.25伏特之有效值，次要區14 6 2之臨界電壓係約為2.8 0伏特之有效值。於電子屏障層1421之效應下，次要區之臨界電壓係顯著地增加。因此，於定義整個晝素1400為具有一相同之灰階時，次要區1462會具有低於主要區1461之亮度。請參照第Π圖，其繪示第四實施例中之整個晝素單元1400之典型的伽瑪曲線於伽瑪校正係數γ = 2.2時，且於不同入射角下之標繪圖。於此，方位角係設定約為〇度，並以具有256個灰階值之8位元灰度來計算。於(θ, φ) = (60 度，〇度）之視野方向下，D之值為0.2369。相較於典型之傳統具有四顯示域之MVA LCD具有之D值為0.3510，第四實施例之架構係可具有32.5%的改善成效，故能於離軸方向上產生較佳的影像品質。

請參照第18A及18B圖，其係繪示本發明之另一實施例MVALCD面板之平面圖。第18A圖繪示為MVALCD 28 200905303

TW4550PA 面板之架構，第18B圖繪示乃第6A圖中沿著A-A，線段之剖面圖。於此實施例中，主要元件係沿用第1A、IB、6A 及6B圖之架構，並使用新的標號。相仿於第6A及6B圖所繪示之例，第18A及18B所緣示之架構分別包括晝素電極顯不域導向狹縫1829及共同電極顯示域導向狹縫 1838。主要差異在於：本實施例係採用不同之晝素與共同導向狹縫。相仿於第1A及1B圖所繪示之架構，於第18A及ι8Β ( 圖所繪示之另一架構中，MVA LCD面板1800包括一下基板1810、一上基板1830及夾置於其間之一液晶層185〇。下基板1810包括一透明基板1822、複數個TFT 1812、多條掃描線1814、多條資料線1816、一閘極絕緣層1824、一保護層1826、以及多個晝素電極1828。如第18A圖所示，各TFT 1812係設置於單元畫素區ι8〇〇之一之内，且係連接至對應之掃描線1814與資料線1816。閘極絕緣層 Q 1824係形成以覆蓋掃描線1814，保護層1826係形成以覆蓋資料線1816’並位於透明基板1822之上，透明基板18^2 係可為一透明玻璃。閘極絕緣層1824及保護層1826皆可為一有機材料’例如a-Si:C:0及a-Si:0:F、或為一無機材料，例如SiNx及Si〇2，且可藉纟PECVd來製成、或藉由具有通常知識知所知之相似之濺鍍方法來製成。如先前所述’各晝素電極1828係電性<連接至一對應之TFT 1812。透明晝素電極觀通常係由—電性傳導^ 材料所製成’且具有高光學穿透性’例如為汀〇、ιζ〇或 29

200905303 IW4550PA

ZnO。各晝素電極1828具有多個顯示域導向層1829。顯示域導向層1829係為液晶配向之狹缝，狹縫係藉由開口圖案蝕刻透明晝素電極1828來形成。上基板1830包括一透明基板1832、多個塗佈層 1835、多個共同電極1836、多個顯示域導向層1837、多個顯示域導向層1838、及多個電子屏障層1839。塗佈層 1835係設置於透明基板1832之下方，以覆蓋彩色滤光片 1834塗佈層1835之材料可以是丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚亞胺、或祕環氧樹脂。塗佈層1835係藉由使用微影及餘刻1¾而予以圖案化’以形成多個部分㈣之區域，且具有，厚度典型地係大於G1微米。而未關的區域係為主要區1861 ’而被餘刻的區域係為次要區1862。 =同電極1836係設置於塗佈層咖及祕刻之次要£ 862上。透明共同電極丨姑料所制β Ό通*係由一電性傳導之材枓斤衣成’且具有高光學穿透性，例或ΖηΟ。電子屏障層1839係設 ‘’、、上之被_的次要區體。電子^補展位於共同電極1836 材料，例如為a♦⑶及a_Si:〇 = _包括一有機還包括—無機材料，例如為SiNx及，=’電子屏障層⑽ 來製成、或藉由其它具有通常知識二2:且可藉由PECVD 法來製成。如帛⑽圖所示，各之相㈣賤鍛方顯示域導向層⑻8於主要區1δ6二電具有多個導向層咖於:欠要區中。其=及具有多個顯示域缝’狹縫係藉由開口圖案層蝕刻透明此可為液晶配向之狹处月共同電極1836來形 30

200905303 TW4550PA 成。MVALCD之結構係重覆以尺寸為100微米χ 450微米之一單元晝素所架構。顯示域導向層1829及1838係可例如為具有Z字型的寬度w = 12微米。各相鄰之顯示域導向層於投影面上之間距例如g = 35微米。於此例中，電子屏障層1839例如由氮化矽所製成，且為平坦，並具有例如為高度h= 1.2微米。電子屏障層1839係覆蓋次要區 1862,而位於次要區1862之顯示域導向層1837具有寬度 we = 12微米。主要區1861與次要區1862之面積比係選擇例如為約2 : 1，介於上基板與下基板之間的液晶胞間距例如約為4微米。於此例中，所使用之液晶材料可以為默克負型Δε之液晶混合物MLC-6608(於波長λ = 550奈米（nm) 時之雙折射率Δη = 0.083、介電異向性-4.2、黏滯係數 (rotational viscosity) γι = 0.186 帕斯卡秒（Pa.s))，此液晶材料於初始狀態上係與基板呈現垂直配向。液晶材料之方位角可以係約為0度，預傾角約為90度。此實施例之架構應能於離軸方向上產生較佳的影像品質。本發明所揭露之實施例中，共同及畫素顯示域導向係為狹缝，然亦可以代替以其它型式的架構，例如顯示域導向突起、或突起與狹缝之組合。綜上所述，雖然本發明已以一些較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作 31 200905303

I W43^U1JA 各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

32 200905303

TW4550PA 【圖式簡單說明】第1A圖繪示為依照本發明之一實施例之具有顯示域導向突起之MVA LCD之平面圖。第1B圖繪示乃第1A圖中沿著A-A’線段之剖面圖。弟2圖繪不為當施加電壓之有效值約為6伏特日寺，第 1A及1B圖之MVA LCD之液晶指向（director)之模擬分佈圖。第3圖繪示為第1A及1B圖中之MVALCD之電壓與 ( 亮度之相依曲線。第4圖繪示為當第1A及1B圖中之MVALCD於伽瑪校正係數γ = 2.2時，於不同入射角下之典型之伽瑪曲線。第5圖繪示為當傳統之具有四顯示域之MVALCD於伽瑪校正係數γ = 2.2時，於不同入射角下之伽瑪曲線。第6Α圖繪示依照本發明之另一實施例之具有顯示域導向狹縫之MVALCD之平面圖。 d 第6B圖繪示乃第6A圖中沿著A-A’線段之剖面圖。

(J 第7圖繪示為當施加電壓之有效值約為6伏特時，第 6A及6B圖之MVA LCD之液晶指向之模擬分佈圖。第8圖繪示為第6A及6B圖中之MVA LCD之電壓與亮度之相依曲線。第9圖繪示為當第6A及6B圖中之MVA LCD於伽瑪校正係數γ = 2.2時，於不同入射角下之典型之伽瑪曲線。

第10Α圖繪示為依照本發明之另一實施例之MVA LCD面板之平面圖。 33 200905303

TW4550PA 第10B圖繪示乃第10A圖中沿著A-A’線段之剖面圖。第11圖繪示為當施加電壓之有效值約為6伏特時，第10A及10B圖之MVA LCD之液晶指向之模擬分佈圖。第12圖繪示為第10A及10B圖中之MVA LCD之電壓與亮度之相依曲線。第13圖繪示為當第10A及10B圖中之MVA LCD於伽瑪校正係數γ = 2.2時，於不同入射角下之典型之伽瑪曲線。第14Α圖繪示為依照本發明之另一實施例之MVA LCD面板之平面圖。第14B圖繪示乃第14A圖中沿著A-A’線段之剖面圖。第15圖繪示為當施加電壓之有效值約為6伏特時，第14A及14B圖之MVALCD之液晶指向之模擬分佈圖。第16圖繪示為第14A及14B圖中之MVA LCD之電壓與亮度之相依曲線。第17圖繪示為當第14A及14B圖中之MVALCD於伽瑪校正係數γ = 2.2時，於不同入射角下之典型之伽瑪曲線。第18Α圖繪示為依照本發明之另一實施例之MVA LCD面板之平面圖。第18B圖繪示乃第18A圖中沿著A-A’線段之剖面圖。 34 200905303

I W4^^U1JA 【主要元件符號說明】

C

100 、 600 、 110 、 610 、 112 、 612 、 114 、 614 、 116 、 616 、 122 、 622 、 124 、 624 、 126 ' 626 ' 128 、 628 、 129 ' 629 ' 130 、 630 、 132 、 632 、 134 、 634 、 135 、 635 、 136 、 636 、 138 、 638 、 1000 、 1400 、 1010 、 1410 、 1012 、 1412 、 1014 、 1414 、 1016 、 1416 、 1022 、 1422 、 1024 、 1424 、 1026 、 1426 、 1028 、 1428 、 1029 、 1429 、 1030 、 1430 、 1032 、 1432 、 1034 、 1434 、 1035 、 1435 、 1036 、 1436 、 1037 、 1038 、 1800 : MVA LCD 面板 1810 :下基板 1812 :薄膜電晶體 1814 :掃描線 1816 :資料線 1822 :透明基板 1824 :閘極絕緣層 1826 :保護層 1828 :畫素電極 1829 :顯示域導向層 1830 :上基板 1832 :透明基板 1834 :彩色濾光板 1835 :塗佈層 1836 :共同電極 1437、1438、1837、1838 ··顯示域導向層 139 :屏障層 150、1050、1850 :液晶層 161、 661、1061、1461、1861 :主要區 162、 662、663、1062、1462、1862 :次要區 639 :電子屏障 6 5 0 .液晶材料 35 200905303

TW4550PA 1039、1439、1839 :電子屏障層

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Claims

200905303 TW4550PA 十、申請專利範圍： 1. 一種多顯示域垂直配向型之液晶顯示面板，包括：一第一基板；一第二基板，具有一絕緣層及一保護層，該絕緣層係位於面向該第一基板之一内表面，該保護層係位於該絕緣之上；一塗佈層，形成於至少一部分之該第一基板及該保護層之其中之一； ^ ,, κ 一共同電極，設置於該第一基板及該塗佈層之其中之言—，一畫素電極，當該塗佈層係形成於該第一基板時，該晝素電極係形成於該保護層之上，而當該塗佈層係形成於該部分之該保護層之上時，該晝素電極係形成於鄰近於該塗佈層之其它部分之該保護層之上，且覆蓋該塗佈層；複數個共同及晝素顯示域導向（guide)，係分別形成於該共同電極及該晝素電極，該些共同顯示域導向與該些晝 ϋ 一素顯示域導向係為非對位（nonaligned); 一電子屏障，係形成於鄰近於該塗佈層之對應之該共同電極與該晝素電極之一；一垂直配向液晶層，係夾置於該第一及該第二基板之間；以及一驅動電路，係與該共同電極及該晝素電極連接，用以提供一電壓以產生一電場於該第一基板及該第二基板之間，來控制液晶分子之一配向（orientation)，該配向係對 37 200905303 I W4550PA 2至該複數個共同及晝素顯示域導向與該電子屏障之— =立（position) ’以形成—多冑示域垂直配向型之液晶顯示面扳。專利範圍第丨項所述之液晶顯示面板，其中該塗佈層之厚度係介於G微米（μηι)至5G微米之間。 3. 如申請專利範圍第丨項所述之液晶顯示面板，立中該電子屏障層對應至該液晶顯示面板之面積比係大於 1 : 1000 〇、 ' f ' 4. 如申料圍第〗項所狀液晶顯示面板，其中各該複數個共同及畫素顯示域導向係為-突起 (protrusion) ’且位於該共同電極及該晝素電極上，並延伸至孩液aa層，以形成該多顯示域液晶顯示面板之架構。 5. 如申請專職圍第丨項所叙液晶顯示面板，其中各該顯示域導向係為一顯示域導向之狹縫(slit)，且形成於及共同電極及該畫素電極，並劃分該共同電極為至少二 ):、同4 ’及劃分該畫素電極為至少二晝素電極，以形成 δ亥多顯示域液晶顯示面板之架構。 6. 如申凊專利範圍第J項所述之液晶顯示面板，其中該複數個共同及晝素顯示域導向包括：一共同顯示域導向’位於該液晶顯示面板之各該晝素區之該共同電極；以及 σ ▲旦素顯不域導向，位於該液晶顯示面板之各該晝素區之為晝素電極’該共同顯示域導向係位於該晝素顯示域導向之一側及上方。 38 200905303 IW4550PA Φ辞丘F1 如申-叫專利範圍第6項所述之液晶顯示面板’其 5顯不域專向係位在該晝素顯示域導向之一側及方’且該電子屏障係位在該畫素顯示域導向之相反之一側及上並劃分該共同電極為—第___第二、及-第了’、同1極’以形成具有人個顯示域之該多顯示域液晶顯不面板。 8_如申4專利範圍第6項所述之液晶顯示面板，其 Γ巾該共同顯示域導向係位在該晝素顯示域導向之-側及上方且忒屯子屏障係位在該晝素顯示域導向之相反之一側及上方’並劃分該共同電極為—第一及一第二共同電極以形成於各晝素區上具有六個顯示域之該多顯示域液晶顯不面板。 9·如申請專利第6項所述之液晶顯示面板，其中該共同顯示域導向係位在該晝素顯示域導向之一側及上方’且該電子屏障係位在該畫素顯示域導向之相反之一〇侧及上方，並劃分該共同電極為一第一及一第二共同電極，以形成於各晝素區上具有八個顯示域之該多顯示域液晶顯示面板。 10·如申請專利範圍第6項所述之液晶顯示面板，其中該共同顯示域導向包括：一第一及一第二共同顯示域導向，位於該晝素顯示域導向之相反側，並劃分§亥共同電極為至少二共同電極。 11.如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示面板，其中該驅動電路包括： 39 200905303 1 W43^UPA 複數條掃描線；複數條資料線；以及複數個薄膜電晶體，該些薄膜電晶體之一係設置於各液晶顯示面板之晝素區，該複數個薄膜電晶體係連接至該複數條掃描線及該複數條資料線。 12. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示面板，更包括z 交錯之一第一及一第二偏光片，係分別形成於該第一及該第二基板之一外表面。 13. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示面板，更包括：一彩色濾光片，係形成於該第一基板上，且介於該第一基板及該塗佈層之間。 14. 一種用以製造具有複數個晝素區之液晶顯示面板之方法，包括下列步驟：提供一第一基板；提供一第二基板；形成一絕緣層於該第二基板之一内表面；形成一保護層於該絕緣層上；形成一塗佈層於一部分之該第一基板及該保護層上；形成一共同電極於對應之該第一基板及該塗佈層之其中之一；形成一畫素電極於該絕緣層上；分別形成複數個非對位之共同顯示域導向（guide)及 200905303 TW4550PA 晝素顯示域導向於該共同電極及該晝素電極；形成一電子屏障於鄰近於該塗佈層之該對應之該共同電極與該晝素電極之其中之一；夾置一垂直配向型液晶層於該第一及該第二基板之間；以及 φ 5接一驅動電路與該共同電極及該晝素電極，以提供 -電壓至該共同電極及該晝素電極，以產生—電場於該第 f -基板及該第二基板之間，來控制液晶分子之—配向，該配^係對，至該複數個共同及畫素顯示域導向與該電子屏&之-定位，以形成一多顯示域垂直配向型之液晶顯示面板。、15·如中請專利範圍第14項所述之液晶顯示面板，其中連5 一驅動電路之該步驟包括下列之步驟：二製^複數個薄膜電晶體、複數條掃描線及複數條資料 in 一基板之該内表面’各該些薄膜電晶體係位於該 G A =素區之，且该絕緣層係覆蓋該複數個薄膜電晶體、該複數條掃描線及該複數條資料線。苴二申請專利範圍第14項所述之液晶顯示面板，，、以塗佈層之厚度係介於〇微米㈣至50微米之間。 1二申請專利範圍第14項所述之液晶顯示面板，於1 :'1 〇〇〇屏1^層對應至該液晶顯示面板之面積比係大 …專利範圍第14項所述之液晶顯示面板，素電極料電性料性之㈣，且具有光學穿透 200905303 TW4550PA 性’並選自由氧化銦錫（Indium Ήη 〇xide, ITO)、氧化銦鋅 (Indium Zinc Oxide，ΙΖΟ)、以及氧化鋅（Zin Oxide, Ζη〇)所組成之群組。 19. 如申睛專利範圍第14項所述之液晶顯示面板，其中开> 成s玄複數個顯示域導向包括下列步驟：开乂成共同顯示域導向突起(protrusion)及一畫素顯示域導向突起於各個對應之該共同電極與該畫素電極上。

20. 如申明專利範圍第19項所述之液晶顯示面板，其中該共同顯示域導向突起與該晝素顯示域導向突起係藉由沉積—材料所形成，該材料係選自於由-有機材料及一無機材料所組成之群組。 21. 如申睛專利範圍第2〇項所述之液晶顯示面板，其^該有機材料係選自於由非晶石夕碳氧(a-Si..C:〇)及非晶矽氧氟（a-Si:〇:F)所組成之群組。苴由·*22^如申请專利範圍第2〇項所述之液晶顯示面板， - 4热機材料係選自於由氮化矽（ΜΗ。⑽犯如如，siNj 及乳化石夕（Silic〇n Oxide, Si02)所組成之群組。苴23_如申请專利範圍第14項所述之液晶顯示面板，八中形成該複數個顯示域導向之該步驟包括下列子步驟：成—共同顯示域導向狹縫(Slit)與一畫素顯示域導 °縫於各個對應之該共同電極與該晝素電極上。更包^4. 請專利範圍第14項所述之液晶顯示面板，肜成複數條掃描線及資料線於該第二基板上，以定義 42 200905303 1 W4»WA 一畫素電極區域；以及、形成連接至各畫素區之該些掃描線及該些資料線之複數個薄膜電晶體。 Μ.如中請專利範圍第14項所述之液晶顯示面板，其中形成該複數個顯示域導向之該步驟包括：形成-共同顯示域導向於該液晶顯示面板之各該畫素區之該共同電極；以及 — 〇 ^形成一畫素顯示域導向於該液晶顯示面板之各該畫素區之4旦素電極’該共同顯示域導向係位於域導向之一侧及上方。一f 1如中請專利範圍第14項所述之液晶顯示面板，其中該共同顯示域導向剌成以位在該晝素顯示域導向之-側及上方，且該電子屏障係位在該畫素顯示域導向之相反之側及上方，並劃分該共同電極為一第一、一第二 '及-第三共同電極’以形成於各晝素區中具有八個顯 U 不域之該多顯示域液晶顯示面板。如申明專利範圍第14項所述之液晶顯示面板，其中該共同顯示域導向係位在該畫素顯示域導向之一侧及上方’且該電子屏障係位在該晝素顯示域導向之相反之一侧及上方，並劃分該共同電極為—第一及一第二共同電極以升/成於各晝素區上具有六個顯示域之該多顯示域液晶顯示面板。 …如申明專利範圍第14項所述之液晶顯示面板’ 〃中形成該共同顯示域導向之該步驟更包括下列子步驟： 43 200905303 TW4550PA 形成一第一及一第二共同顯示域導向於該晝素顯示域導向之相反側’並劃分該共同電極為至少三共同電極。 29. 如申凊專利範圍第14項所述之液晶顯示面板，更包括下列步驟：層疊（layer)—彩色濾光片於第一基板之一内表面上，且介於該第一基板及該塗佈層之間。 30. —種多顯示域垂直配向型之液晶顯示面板，包括：一第一基板；一共同電極，設置於該第一基板之上；一第一及一第二共同顯示域導向，位於該共同電極，並劃賴共同電極為一第一、一第二及一第三共同電極； ^ 一第二基板，具有一絕緣層，該絕緣層係位於面向該第一基板之一内表面；一保護層，位於該絕緣層之上方；一塗佈層，形成於一部分之該保護層之上· -晝素電極，形成其它部分之該保護層之上，且位於鄰近於該塗佈層之侧，並位於該塗佈層之外表面；、域導向(guide) ’形成於該畫素電極，且係 f二:二該畫素顯示域導向係介於該第-及該第一共同顯不域導向之間及其下方，· ^ -晝素電子屏障，形成於該畫素電極之上於該塗佈層與财素顯示域導向，並心導向之一之下方，以劃分該晝素電極為三個^㈣不域 44 200905303 TW4550PA 及έ亥第二基板之一垂直配向液晶層，係夾置於該第間；以及一驅動電路，係與該共同電極及該晝素電極連接，用以提供產生—電場於該第—基板及該第二基板之間’來控制液晶分子之一配向，該配向係對應至該複數個共同及晝素顯示域導向與該電子屏障之一定位，以形成一多顯不域垂直配向型之液晶顯示面板。 31..如申請專利範圍第30項所述之液晶顯示面板，更包括· 一彩色遽光片，係形成於該第—基板上，一基板及該共同電極之間。 1 、^弟 32.如中請專利範圍第3G項所述之液晶顯示面板， ✓、中δ亥驅動電路包括：複數條掃描線；複數條資料線；以及〇、複數個薄膜電晶體，該些薄膜電晶體之一係設置於各液晶顯示面板之畫素區，該複數個薄膜電晶體係連接至該些掃描線及該些資料線。 33.刚專利範圍第3〇項所述之液晶顯示面板，八中各該複數個共同及晝素顯示域導向係為一突起 —GW，且位於料_極及該畫素f極上，並延伸至該液晶層，以形成該多顯示域液晶顯示面板之架構。 34·如申請專利範圍第32項所述之液晶顯示面板， ”中各該共_不域導向及晝素顯示域導向係為一狹縫 45 200905303 1 W4^^UPA (slit)，且形成於該共同電極及該晝素電極，以形成該多顯示域液晶顯示面板之架構。 35.如申請專利範圍第32項所述之液晶顯示面板，更包括：

交錯之一第一及一第二偏光片及該第二基板之一外表面。

形成於該第一 46