TW200843582A - Manufacturing process of circuit board - Google Patents

Description

200843582 27004pif 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ’本發明是關於—種電路板(Circuit board)的製造方法， 此製造方法可自持有電路晶y的電路“保持構件 chip support member)，直接藉由轉印而將所需數量的電路 晶片配置於電路板片的表面。 【先前技術】 Ο

於構成液晶顯示器、有機電致發光 (Electrohlminescence，EL )顯示器等的顯示器的電路板 上，配置有用以控制顯示器的各晝素的微小電子元件 (deV1Ce)，並且形成有用以傳輸各微小料元件的輸入輸出 信號的電路。先前，在此t路板巾，則、電子元件是藉由 於玻璃製的電路板上直接就地製作而料配置。亦即，在 玻璃基板上，使用化學氣相沉積（ν^〇Γ Deposmon ’ CVD)法等的真空技術，依序積層絕緣膜、半 導體膜等，並在這些堆積膜上，應賴半導體積體電路的 製作步驟相同的步驟，來形成薄膜電晶體（Thin朽池 Transistor，TFT)等的微小電子元件。這些微小電子元件 2成在各晝素的附近，進行各畫素的開（〇n)、關（〇ff)、 濃淡等的控制，以實現顯示器上的圖像形成。 近年來，對於顯示器，期望能夠實現对〜1〇〇对等 的大晝面化，直至上市銷售，但需要上述玻璃基板及使用 真空技術的多階段步驟之電路板製作方法卻成為瓶頸，從 而難以削減成本。為了使大畫面顯示器得到廣泛應用，必 6 200843582 27004pit 面顯示器的製造成本 須削減成本，因而正探索可降低大晝 的電路板的製作方法。 旦 最、斤面顯示器的上述成本削減的迫切要求， ^此日一術（日本專利特開2〇〇3~248436號公 報）。此日本專利特開2m—248436號公報 術’是使用另行製作的電路晶月來作為微小電子元件，並 〇 :::=交輕的塑膠基板來作為電路板，應用印刷 技何將上以电路日日片配置於上述塑膠基板上，並且妒 路，藉此可便宜地提供大晝面顯示器。 、 杜中ί上ΐ日本專利特開2〇〇3一248436號公報所揭示的 技柯中，在塑膠基板上的所需位置上預先開出用以配置電 在上述先前技術中，必須預先在塑膠基板上開出電路 晶片的孔。若可削減此電路板片的製備步驟，則可進一牛 削減工時、削減成本。 / °另—方面’在電路晶片的表面’預先積層磁 'έ '«、V、膜。按照規定的圖案而磁性吸附這虺且 的所需數量的電路晶片，將這些電路晶片一次:地 上述塑膠基板上的孔内，從而形成配線圖案。 而且’上述先前技術巾，藉由另行製作電路晶片而可 使用便且的歸電路板片來作為電絲，但為了將另行製 作的，路晶片配置於電路板片，須利用磁性吸附，為此: 須在電路晶片表面預先形成顧。而且，在將電路晶片配 置於電路板>}上之後，必須自魏晶#的表面去除鎳膜。 為了從配置後的電路晶片去除鎳膜，必須進行使用趟酸、'容 200843582 27004pif 液的濕式_。而由於該濕式㈣處理，電路晶 電=、或電路晶片周邊的配線電路有可能會劣化。如^ 不而要用於對私路晶片之形成及去_膜的製程，則 減顯㈣_電路板的製造㈣、成本。因此，= 先月ίΐ技術中’較佳是期望不要有朗處理的製程，換言之， ，是期望有不依賴磁性機構的新的電路晶片轉； 【發明内容】 本發明是雲於上述狀況研發而成，其課題在於提供_ 種技術’〃此技術可將電路晶#便利並便宜地配置於電 =以簡易且回產率地製作嵌埋有用以控制顯示器用的各 旦素的電路晶片之顯示器用電路板。 為了解決上述課題，本發明的電路板的製造方法， 自持有電路晶片的電路晶片保持構件，使所需數量的電路 曰曰片選擇性地轉印至電路板片的表面，此電 法的特徵在於，騎上述所f數量㈣路晶片進彳 電路板片的轉印部位，選擇性地設為黏著部。 作為上述電路晶#轉構件，只要可持有電路晶片， 則可為任意㈣構件，通f可較好地錢膠帶（感▲ tape )。 .本發明的電路板的製造方法的賴在於包括下述步 驟··對具有由活性能量線硬錄樹麟朗未硬化層的電 路板片的上述未硬化層照射活性能量線，以選擇性上形成 硬化非黏著部與未硬化黏著部之未硬 使持有電路晶片的電路晶片保持構件的電路 200843582 27004pif 接觸選擇性地形成有上述未硬化黏著部與硬化非黏著部的 電路板片，以使電路晶片附著於上述電路板片的未硬化黏 著部的表面的步驟；以及藉由自上述電路板片剝離上述電 路晶片保持構件，而使電路晶片轉印至上述電路板片的未 硬化黏著部的步驟。 • 於上述未硬化黏著部形成步驟中，也可將選擇性地遮 蔽活性能量線(active energy ray)的遮罩(mask)貼合於上述 f) 電路板片的未硬化層（non_hardening layer)上，自貼合有上述 遮罩之一側對上述未硬化層照射活性能量線，藉此選擇性 地形成上述未硬化黏著部與硬化非黏著部。 於上述未硬化黏著部形成步驟中，還可將選擇性地設 置有開口部的片材貼合於上述電路板片的未硬化層上，並 對上述未硬化層照射活性能量線，藉此選擇性地形成上述 未硬化黏著部與硬化非黏著部。 於上述電路板的製造方法中，較理想的是，未硬化黏 為矩形’且縱橫方向的尺寸分別設定為大於（電路晶 片，）、小於等於（電路晶片寬+上述電路晶片保持構件中 白、雜電路晶片間隔x2+電路晶片寬的1/2)。 [發明效果] 2本發明，可提供—種將電路晶片配置於電路板片 帝路曰路板的製造方法，這種配置方法是自持有 持構件，直接藉由轉印而將所需數 的制路板μ喊®。財發㈣電路板 衣^方法巾’並顿另行形成的電路日日日片實闕膜形成 200843582 27004pif 等的特殊處理，而是使用一種利用 進行轉㈣技術。因此，藉由使用本翻的電=著^ ΐΐ二:鎳膜所必需的餘刻液等的處理d: 了二產率―鳩 厂活性能量線硬化性樹脂」 構成本發明的電路板月的材料，只要是可在 地設定黏著部且藉由硬化處理而硬化的材料，二 ==制’可較好地使絲性能量線硬化性樹脂。、 —士=杳明的電路板片的活性能量線硬化性樹脂，是 :::射紫外線、電子射線等的活性能量線而聚合、硬化 二本發明中使用的上述活性能量線硬化性樹脂，例 ’.（1)含有丙烯酸系聚合物、活性能量線聚合性 ，水（Oligomer)及/或聚合性單體、及視需要含有光聚 t祕__旨；（2)含有對側鏈導人具㈣合性不飽和 土的活H此里線硬化性官能基而形成的丙烯酸系聚合物、 及視系要g有光聚合^始劑的樹脂等。 於上述（1)的樹脂中，作為丙烯酸系聚合物，可較好 地，舉·酉旨（ester)部分的烧基的碳數為卜20的(甲基) 丙稀酸，與視需要而使用的具有含活性氫之官能基的單體 及其他單體的共聚物，亦即（甲基)丙烯酸_共聚物。 ^ =處:作為酯部分的烷基的碳數為1〜20的（曱基)丙 烯曰的示例，可列舉（甲基)丙烯酸曱酯、（甲基)丙烯酸乙 10 200843582 27004pif 酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（曱基）丙烯酸丁酯、（曱基）丙稀酸 戊酯、（甲基）丙稀酸己酯、（甲基）丙稀酸環己酯、（曱基）丙 烯酸2-乙基己酯、（曱基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸棕櫊 基酯（palmityl (meth)acrylate)，（甲基）丙烯酸十八烷基酯 . (stearyl (meth)acrylate)等。這些（甲基）丙烯酸酯可單獨 使用一種，亦可組合使用兩種或兩種以上。 疇 另一方面，作為視需要而使用的具有含活性氳之官能 ❹ 基的單體的示例’可列舉：（曱基）丙浠酸2-經基乙酉旨 (2-hydroxyethyl (meth)acrylate)、（甲基）丙烯酸 2-羥基丙 酯、（曱基）丙烯酸3-經基丙酯、（甲基）丙烯酸2-經基丁酯、 (曱基)丙烯酸3-經基丁酯、（甲基)丙稀酸4-經基丁酯等的 (曱基）丙烯酸羥基烷基酯；（甲基）丙烯酸單曱基胺基乙酯 (monomethylaminoethyl (meth)acrylate)、（曱基）丙浠酸單 乙基胺基丙酯等的（曱基）丙烯酸單烷基胺基烷基酯；丙烯 酸（acrylic acid )、曱基丙烯酸（mathacrylic acid )、丁烯酸 (crotonic acid )、馬來酸（maleic acid )、伊康酸（itaconic acid)、擰康酸（citraconic acid)等乙稀性不餘和叛酸等。 這些單體可單獨使用一種，亦可組合使用兩種或兩種以上。 (曱基)丙烯酸酯共聚物中，（曱基)丙烯酸酯的含量為5 ^ 〜wt% (重量百分比），較佳是50〜95 wt%，具有含活 性氫之官能基的單體的含量為〇〜95 wt%，較佳是5〜50 wt% 〇 而且’作為視需要而使用的其他單體的示例，可列舉： 乙酸乙烯酯（vinyl acetate )、丙酸乙烯酯（vinyl propi〇nate ) 11 200843582 27004pif 寺的乙細S曰類，乙細（ethylene )、丙細、異丁婦等稀煙類； 氯乙烯（chloroethene )、偏二氯乙烯（vinylidene chloride ) 等的鹵化婦烴類；苯乙稀（styrene )、α-甲基苯乙稀等的苯 乙細糸早體，丁二細（butadiene)、異戊二稀（isoprene)、 . 氯丁二稀（chloroprene )等的二烯系單體；丙烯腈 . (acrylonitrile)、曱基丙烯腈等的腈系單體；丙烯醯胺 (acrylamide)、N-曱基丙烯醯胺、N，N-二甲基丙烯醯胺等 〇 的丙烯醯胺類等。這些單體可單獨使用一種，亦可組合使 用兩種或兩種以上。（甲基）丙稀酸酯共聚物中，這些單體 的含量可為0〜30 wt%。 於該樹脂中，用作丙烯酸系聚合物的（甲基）丙稀酸酯 系共聚物，其共聚合形態並無特別限制，為隨機、嵌段、 接枝共聚物的任一種均可。而且，分子量以重量平均分子 量計較佳是大於等於30萬。 再者’上述重量平均分子量是藉由凝膠滲透層析 ， （GPC ’ Gel Permeation Chromatography)法而測定出的聚 苯乙稀換算值。 於本發明中，上述（甲基）丙烯酸酯系共聚物可單獨使 . 用一種，亦可組合使用兩種或兩種以上。 而且，作為活性能量線聚合性寡聚物，例如可列舉聚 酉曰丙烯酸酯（Polyester acrylate)系、環氧丙烯酸酯（epoxy acrylate)系、丙烯酸胺基曱酸醋（urethane acrylate)系、 ΛΚ_丙稀酸酯（polyether acrylate)系、聚丁二烯丙烯酸酯 系來石夕氧丙烯酸醋（silicone acrylate)系等。 12 200843582 27004pif 上述聚合性寡聚物的重量平均分子量，以利用GPC法 測定出的標準聚苯乙烯換算值計，較佳是在5〇〇〜1〇〇,〇〇〇 的範圍内選定，更佳是在1,000〜70,000的範圍内選定， 進一步更好的是在3,000〜40,000的範圍内選定。 • 上述t合性券聚物可單獨使用一種，亦可組合使用兩 種或兩種以上。 砉 另一方面，作為活性能量線聚合性單體，例如可列舉： Ο (曱基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（曱基）丙 烯酸嗎啉（mo卬holine (meth)acrylate)、（甲基）丙稀酸異冰 片酯（isobomeol (meth)acrylate )等單官能性丙烯酸酯類； 二（曱基）丙烯酸1，4- 丁二醇酯（Hbutanedi〇1 di(meth)acrylate)、二（曱基)丙稀酸ι，6·己二醇酯、二（曱基) 丙烯酸新戊二醇酯（neopentyl glyc〇1 di(lneth)aciylate)、二 (曱基)丙烯酸聚乙二醇酯、二（曱基)丙烯酸新戊二醇己二酸 g曰、一（曱基)丙稀酸經基特戊酸新戊二醇酯、二（甲基)丙烯 f 酸二環戊酯、二（甲基）丙烯酸己内酯改性二環戊烯酯、二 ^ (了基)丙烯酸環氧乙烷改性磷酸酯、二（甲基)丙烯酸烯丙: • 己酯、二（甲基)丙烯酸異氰尿酸酯、三（甲基）丙烯酸三羥 甲基丙烷酯、三（甲基）丙烯酸二季戊四醇酯、三（甲基）丙烯 酸季戊四醇酯、三（甲基）丙烯酸環氧丙烯改性三羥甲基丙 烷酯、異三聚氰酸三(丙稀醯氧基乙基)酯、五（甲基)兩$酸 丙酸改性二季細醇酯、六（甲基)_酸二季戊四醇醋、 六（f基)_酸己_改性二季戊四醇酯等。這些 單體可單獨使用-種，亦可組合使用兩種或兩種以上: 13 200843582 27004ριί 這些聚合性寡聚物或聚合性單體的使用量，通常，可 相對於（甲基）丙烯酸酯共聚物的固體成分100重量份而調 配3〜500重量份。 而且，作為活性能量線，通常是照射紫外線或電子射 . 線，當照射紫外線時，使用光聚合起始劑。作為該光聚合 ♦ 起始劑，例如可列舉安息香（benzoin)、安息香甲醚（benzoin methylether )、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香正丁 _、 ζ) 女息香異丁驗、苯乙酮（acetophenone )、二甲基胺基苯乙 酮、二甲氧基-u·二苯乙烷小酮 diphenylethane-1-on)、2,2-二曱氧基_2_苯基苯乙酮、2,2_ 二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2·經基-2-甲基-1-苯基丙烧-1-酮、1_羥基環己基苯基酮、2-曱基+[4-(曱硫基）苯基]-2-嗎淋基-丙烧 _1- _(2_methyl-l-[4-(methylthio)phenyl]_2-morpholine-propane-1-on )、4-(2-羥基乙氧基）苯基-2(羥基 -2-丙基)酮（4-(2-[hydroxyethoxy)phenyl-2(hydroxy-2-propl) ketone )、二苯甲 g同（benzophenone )、對苯基二苯曱酮、4,4’· 』 二乙基胺基二苯曱酮、二氯二苯曱酮、2-曱基蒽醌（2-methyl anthraquinone)、2-乙基蒽醌、2-第三丁基蒽醌、2-胺基蒽 " 酿、2-曱基嗟哺酮（2-methyl thioxanthone )、2-乙基嗟11頓酮、 ^ 2-氯噻噸酮、2,4-二曱基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、苄基 二曱基縮酮（benzyl dimethyl ketal )、苯乙酮二曱基縮酮、 對二曱基胺基苯甲酸酯、寡(2-輕基-2-甲基-l-[4-(l-丙細基） 苯基] 丙酮） ( oligo(2_hydroxy-2-me1;hyl-l-[4-(l-propenyl)phenyl]propanone))等。這些光聚 14 200843582 27UU4pit 合起始劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種或兩種以上。 上述光聚合起始劑的調配量，相對於上述活性能量線 硬化性樹脂的固體成分100重量份，通常為01〜10重量 份。 . 其次，於上述（2)的樹脂中，作為對側鏈導入具有聚 ^合性不飽和基的活性能量線硬化性官能基而形成的丙烯酸 系聚合物，例如可列舉：對上述（甲基）丙烯酸酯系聚合物 ❸ 的側鏈導入-COOH、-NCO、環氧基、-0H、_丽2等的活 性部位，使該活性部位與具有聚合性不飽和基的化合物反 應，從而對該丙烯酸系聚合物的側鏈導入具有聚合性不飽 和基的能量線硬化性官能基而形成的丙烯酸系聚合物。 為了對丙稀酸系聚合物導入上述活性部位，在製造該 丙烯酸系聚合物時，可使具有-COOH、_NC〇、環氧基、 -OH、-NH2專的官能基與聚合性不飽和基的單體或寡聚物 共存於反應系統中。具體而言，在製造上述〇)的樹脂中 所說明的丙烯酸系聚合物時，當導入_c〇〇H基時，可使用 ‘ （甲基)丙烯酸等，當導入-NCO基時，可使用2_(曱基)丙烯 氧基乙基異氰酸g旨等，當導入環氧基時，可使用（曱基） • 丙烯酸縮水甘油酯等，當導入-OH基時，可使用（曱基)丙 、 烯酸2_羥基乙酯、單（曱基)丙烯酸1，6-己二醇酯等，當導 入-NH2基時，可使用N-曱基（曱基)丙烯醯胺等。 作為具有與這些活性部位反應的聚合性不飽和基的化 合物，例如，可根據活性部位的種類，而自2_(曱基)丙烯 氧基乙基異氣酸g旨、（曱基)丙烯酸縮水甘油醋、單（曱基) 15 200843582 27004pif 丙烯酸季細醇酷、單（甲基)丙稀酸二季戊四醇_ 基)丙烯酸二羥甲基丙烷酯等中適當地選擇 ，可獲，上述活性部位而對丙烯酸系聚合物 的側鏈¥入具有聚合性不飽和基的活性能量線硬化性官处 .基而形成的丙稀酸系聚合物，亦即（曱基)丙歸酸醋此月b . 此導入有活性能量線硬化性官能基的（甲基)丙烯 共聚物’其重量平均分子量較佳是大於等於1〇〇,〇〇〇，^ 其好的疋大於等於300,000。再者，上述重量平均分子量 是利用GPC法而測定出的聚苯乙烯換算值。 而且，作為視需要而使用的光聚合起始劑，可使用上 述（1)的樹脂的說明中所例示的光聚合起始劑。 於上述（1)及（2)的活性能量線硬化性樹脂中，在 不損及本發明的效果的範圍内，可視需要而添加交聯劑、 增黏劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、軟化劑、 填充劑等。 作為上述交聯劑，例如可列舉：聚異氰酸酯 y ( poly isocyanate )化合物、環氧樹脂、三聚氰胺（melamine ) 樹月曰、脲（urea)樹脂、二搭（diaidehyde)類、經甲基聚 - 合物（methyl! Polymer)、氮丙啶（aziridine)系化合物、 - 金屬螯合物（metal chelate compound)、金屬烧醇鹽（metal alkoxide)、金屬鹽等，可較好地使用聚異氰酸酯化合物。 此交聯劑可相對於上述（曱基）丙烯酸酯共聚物的固體成分 100重量份而調配〇〜3〇重量份。 此處，作為聚異氰酸酯化合物的示例，可列舉：曱苯 16 200843582 27004pif 二異氰酸酯（tolylene diisocyanate)、二苯基甲烧一異乳酉夂 酯、苯二亞甲基二異氰酸酯（xylylene diisocyanate)等芳 香族聚異氰酸酯；六亞曱二異氰酸酯（hexameriiylene diisocyanate)等脂肪族聚異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯 (isophorone diisocyanate)、氫化二苯基曱烧二異氰酸酯等 脂環式聚異氰酸酯等；以及這些聚異氰酸酯的縮二脲 (biuret)化物、異氰尿酸酯（isocyanurate)化物，進而可 Ο

列舉這些聚異氰酸酯與乙二醇（ethylene glycol)、新戊二 醇、二經甲基丙烧、蓖麻油（castor oil)等含低分子活性 氣之化合物的反應物即加合物等。這些交聯劑 可單獨使用一種，亦可組合使用兩種或兩種以上。 -中-νχ,τν ^ I I yj η>! rig ? 可對（1)的活性能量線硬化性樹脂，添加的在側鏈 上具有聚合性不飽和叙雜能量線硬錄基的（曱基 =醋共聚物。_/，可對⑵的活性能量線硬化性樹脂， II:、、_丙烯酸系聚合物、或者活性能量線聚合性寡聚 物或活性能量線聚合性單體。而且，亦叮、 入 化性樹脂的溶解性良好、且相對於上匕: (2)的樹脂為非活性w 工及 用。作為此種溶劑，例如;舉η當地選擇而使 醇、異丁醇、正丁醇、丙:本丁：本、甲醇'乙 種，亦可組合使用兩種或兩種谷劑可單獨使用一 200843582 27004pif 丄再者活li此i線中，就通用性、經濟性的觀點而言， 可幸乂好地使用紫外線。作為產生紫外線的燈，有高壓水銀 ^、金屬鹵素燈（metal halide lamp )、氤氣燈（χ_ lamp )、 無電極紫外線燈等。紫外線的照射量可適當地選擇，例如， 光量為1〜1500邊m2，照度為1〇〜5〇〇mWW左右。 η,明巾使用的電路板片，可使用上親性能量線硬 化性树脂並以如下方式來形成。 Ο 「電路板片的形成」 其以^上34活性能量線硬化性翻旨的塗佈液，於在剝離 面上設有剝離劑層的剝離片（重剝離型剝離片） 進;上：塗佈此塗佈液’當塗佈液含有溶劑時， 硬^二G 性能量線硬化性樹脂構成的未 ,^ Uo11 coater)、棒式塗佈機（bar 广er、1刀塗佈、機（blade coate〇、凹板印刷塗佈機 J 0 :〇咖。等的方法來進行塗佈，於室溫〜150°C、 片^^^^條件下乾燥1〜1G分鐘。而且，剝離 \ :=離片，可列舉在聚乙烯薄膜、或聚 t h ’h 、=、笨二甲酸乙二酉旨（polyethylene 樹脂上塗佈聚彻脂、醇酸(ai_ 等。曰此ί離Γ ί ; ί等的剝離劑而設有剝離劑層的剝離片 4此剝離片的厚度通常為2〇〜15〇_左右。 卜同&&於在_基材的單面上設有剝離劑層 18 200843582 27004pif 而形成的剝離片（輕剝離型剝離片）的剝離處理面上，余 佈上述塗佈液，當塗佈液含有溶劑時，進行加熱乾燥，二 製造具有由活性能量線硬化性樹脂構成的未硬化層

材。再者’此處所使用的剝離片的剝離力設定得比上 剝離型剝離片的剝離力小。 H Ο 於上述重剝離型剝離片上的未硬化層上 剝離型剝離片上的未硬化層，之後剝離輕剝離型剝離ί f覆進行此積層步驟，最域得具有由活性能量線硬化性 f月曰構成的規定厚度的未硬化層的電路板片，此未硬化層 疋由重剝離型剝離片與輕剝離型剝離片所夹持。上^ 化層的厚度為30〜1_ μηι，較佳是5〇〜5〇〇陣。 上述由活性能量線硬化性樹脂構成的未硬化層處於未 2 =止且it具有黏著性，直至被照射紫外線等活； =線為止。因此，可利用此未硬化層的活性能量線硬化 來遙擇性地形成未硬化部與硬化部。未硬化部具有黏著 m化部不具赫紐。性地軸未魏黏著部， 使電路日日片接觸馳得的未硬化黏著部的表面，從而使 路晶片轉印至電路板片上的所需位置。 赴^ t述電路板片上選擇性地形成未硬化黏著部的時間 排列：3電„接觸電路晶片保持構件上的電路晶片 之在使電路板片接觸電路晶片排列面 後作為電路晶片保持構件，可列舉 可列舉切割膠帶(dicingtape)等。 於上述電路板片上選擇性地形成未硬化黏著部時，主 19 200843582 27004pit 要有兩種方法。並—盏‘ 量線的遮罩將選擇性地遮蔽活性能 所照射的上，照射活性能量線，使 作為未硬柄料蔽的切射部分殘留 列舉在石英坡璃㈣敝上述活性能量線的遮罩，可 法：當進行自由基聚合時 此旦 述現象的方 Ρ 接觸，則此、曰# $ / 11此里線硬化性樹脂與氧 於含氧的氣氛(空氣)下化層上， 量線的照射遍及未硬化岸的敖^ 〖生此里線％，活性能 氧接觸的其他部分硬化:二=’ α由片材所覆蓋而不舆 於氧的作用而使硬化受阻，從日1σ部與氧接觸的部分由 利用此現象，來選擇性地 ^持未硬化的狀態’因此， 在上述剝離片上;;=二==。片材可列舉 =土雷射等眾所周知的進==可 乂子度通常為20〜〗50 μιη左右。 疋仃開孔剝離片的 於上述電路板片上選擇性 :二f根據未硬化__ί力:二著:的表 為轉印源的電路晶片保：J電路晶片的尺寸、作 ^動。各構件的黏著力大致々晶片的排列間隔而 的嶋 < 電路㈣的细心部的#=持： 20 200843582 27004pif 此=下’若以電路晶月保持構件上的排列間隔為基準， 片的黏”的矩形尺寸較佳是設為，縱橫方向分 路曰κ仅電路晶片寬）、且小於等於（電路晶片寬+上述電 路曰曰片保持構件中的鄰接電路晶片間隔χ2 寸小於上述下限值，則無法將電路晶片 甚至合若矩形尺寸超過上述上限值，則有時 甚至g夕餘地取得鄰接的電路晶片。 Ο 為;Ϊ ’ t據電路晶片$造步驟，當電路晶片保持構件 itr晶片的電路面有時不與膠帶的黏著面接 :與:i:tr的黏著面接觸著。當電路晶片的電路面 路曰片可使用另仃準備的轉印片自膠帶轉印電 η雷=上述轉印片將電路晶片轉印至電路板片。Ϊ 將電路晶片黏著面接觸著時’直接 電路量電路晶片2而形成的 符號3是切Ut，）1的概略平面圖。圖中， 如me)。而且，保持構件1 _形框架（ring 1上的電路晶片; A表不了此電路晶片保持構件 為平面正方形，ΠΓ一部分。各電路晶片2有時 方形的情況。㈣長方形，但圖中表示了為平面正 X表電路晶片2的縱尺寸，b表示橫尺寸， 符號a、b、X，^ 電路晶片2的間隔。藉由這些 ★明的電路板片的未硬化黏著部的矩形 21 200843582 27004pif 尺寸的較佳概略範圍為，縱方向的下限值為[a]，上 [a + 2x+ax (1/2)]。而且，橫方向的下限值為、阳 值為[b + 2x + bx (1/2)]。 艮 參照圖式，說明自電路晶片保持構件將所需數 =晶片配置於上述電路板片上的方法、及電路被的製造方 將電路晶片配置於電路板片的配置方法、 Ο 製造方法（1)」 私峪扳的 如圖3所示，將以上述方式製造的電路板片1〇的 财剝料（未圖示）自未硬化層11剝離，將此未硬化層 11貼合於驗石灰玻璃、石英玻鱗的玻璃基板12。此s， ^過活性能量線的重剝離型剝離片13處於未被剝離的狀 =4所不’將遮蔽活性能量線的部位形成為所需 1 (圖中為一處)、所需圖案的遮罩14,貼合於上述重制 離型_片13上，自上方照射活性能量線。、重制 、巧上述活性能量線的結果為，藉由遮軍14而遮 線的照射的部位殘留作為未硬化黏著部11a，而 :射㈣的其他部分成為硬化非黏著部训。3 ί錄化剝離片13及遮罩14 ’使 未更=Nlla及硬切轉部爪露出。 的+路t圖6所示’使由電路晶片支持構件1所支持 如圖7所示，當自電路板片10剝離電路晶片保 22 1個）的電路晶片2轉

最後，在嵌埋有所需數量（圖中為i個）的電路晶片 2的電路板23上，藉由真空蒸鍍或濺鍍、光微影技術等眾 所周知的電極及配線形成方法來形成用以控制晝素的配 線，製成電路板。 200843582 27004pif 量上(，為 中為1 1: Γ上述在所需部位上配置有所需數量(圖 -起載置μ ?晶片2的電路板片10 ’與玻璃基板12 載。繼而，於電路板片10上依序 玻璃基板22，並逐漸進行壓製。此處， 、坡璃基板22可使用上述_離片、玻璃基板。 Ρ者電路晶片2的未硬化黏著部lla未硬化而為軟質， =配置於表㈣電路晶片2嵌埋至電路板片iq内，電路 :片^的表面與電路板片1G的表面構成—連續的平面。此 4 ’藉由下方的玻璃基板12、上方的玻璃基板 22及剝離 曰卜對電路板片10均勻地施壓，因此即便嵌埋有電路 曰日片2亦不會損害表面的平坦性。 嵌埋了電路晶片2之後，保持附有上方的剝離片21 及玻璃基板22、玻璃基板12的狀態，自平面壓機2〇中取 出電路板片10。此後，如圖9所示，自下方的玻璃基板12 側對電路板片10照射活性能量線，以使電路板片1〇的未 硬化黏著部11a硬化。硬化後，當去除上方的玻璃基板22 及剝離片21時，如圖10所示，可獲得嵌埋有所需的電路 晶片2、整體已硬化的電路板片亦即電路板23。 23 200843582 27004pif 在麥照圖3〜7而μ 板片的配置方法中，Β ^、京將電路晶片配置於上述電路 】la與，占著部二除此：二硬化剛 自由基聚合來進行硬化的活；*明中’在藉由 下’亦可於活性能量'線照射時^I：線硬似生樹脂的情況 此阻礙硬化而選擇性地形成未硬化^的f部與氧接觸，藉 11〜15來說明此方法。 ^者ϋ卩。以下，參照圖 Ο 製造方:!2，:片配置於電路板片的配置方法、電路板的 的電 _ :所露出的未硬化層貼合於破;2二11:另並 祁^」丨1 )，取而代之，貼附開孔剝離片 30。在該開孔剝離片30上，按所需的円安來忐 中為1個)的孔30a。女斤而的—需數量(圖 30 12所示，於含氧氣氛下，自開孔剝離片 勺上方朝向未硬化層U照射活性能量線。如上所述， 由於在開孔剝離片30上開有孔3〇a，因此具有該孔3加的 部分的未硬化層11露出於外氣中。在此㈣下，於空氣等 的含氧氣氛下，當對未硬化層u照射活性能量線時，活性 能量線的曝光遍及未硬化層n的整個面，因此未硬化層 11的除孔30a以外的區域受到光硬化，但藉由孔3〇a而與 氧接觸的部分由於氧的作用而使硬化受阻，保持未硬化的 狀態，從而選擇性地形成未硬化黏著部lla，剩餘部分則 24 200843582 27004pif 成為硬化非黏著部llb。再者，圖12中是自開孔剝 的上方照射活性能讀，但亦可自朗基板 0 能量線。 I、、射活性 如上所述，使用開孔剝離片30並在含氧氣氛 _性能量_結果為，選擇性地形成了未硬化黏著部^射活 硬化非黏著部lib，隨後將開孔剝離片3〇剝離，如&與 所示，使未硬化黏著部lla及硬化非黏著部llb露出 〇 其次，如圖14所示，使由電路晶片保持構件！所支 的電路晶片2的排列面，接觸上述電路板片1〇的露出面上、 此後，如圖15所示，當自電路板片10剝離電路晶片。 保持構件1時，使所需數量（圖中為！個）的電路晶^ 2 轉印、配置於電路板片10上。此後，經由上述圖=〜 所示的步驟而形成電路板。 實施例 以下，表示本發明於電路板片上配置電路晶片的配置 方法、電路板的製造方法的實施例。再者，以下所示的實 ^ 施例僅為用以較好地說明本發明的例示，絲毫不用以限定 本發明。 • 以下所示的實施例1、2，是根據以上參照圖3〜1〇而 說明的利用電路板片的配置方法而進行的實施例。同樣， 實施例3是根據參照圖11〜15所說明的利用電路板片的配 置方法而進行的實施例。 「實施例1」 「電路板片的形成」 25 200843582 27004ρΐί

V 於使丙烯酸丁酯（關東化學公司製）80重量份與丙烯 酸（關東化學公司製）20重量份在乙酸乙酯/丁酮混合溶 劑（重量比50 : 50)中進行反應而獲得的丙稀酸酯共聚物 (固體成分濃度35 wt%)中，以相對於共聚物中的丙烯酸 100當量為30當量的方式，添加2-甲基丙烯醯氧基乙基異 氰酸酯（國產化學公司製），在氮氣氛下，以40。(：的溫度 反應48小時，獲得在側鏈上具有活性能量線硬化性基且重 量平均分子量為85萬的導入活性能量線硬化性官能基而 形成的丙烯酸系共聚物。 相對於所獲得的導入活性能量線硬化性官能基而形成 的丙細酸糸共聚物的溶液的固體成分100重量份，使作為 光聚合起始劑的2,2-二曱氧基-1，2·二苯基乙烷酮（席巴 特製品化學公司製，商品名「Irgacure651」）3 〇重量份、 由活性能量線聚合性的多官能單體及寡聚物構成的組^物 j日精化工業公司製，商品名γ14__29β (Νρι)」）1〇〇 ，量份（固體成分80重量份）、及由聚異氰酸g旨化合物構 成的交聯劑（東洋油墨製造公司製，商品名「⑽ain· 1515」）h2重量份（固體成分〇.45重量份）溶解 口^ 丁 _，將固體成分濃度調整為4〇树％，進行 為均，的溶液為止，將此溶液作為塗佈液。 設置有：^8广的在聚對苯二甲酸乙二酯薄膜的單面上 塗佈機來塗佈上述塗佈^ 藉由刀片 L的度加熱乾燥90秒 26 200843582 27U04pir 鐘，製作具有厚度5〇 的未硬化層的片材。勺由活性威線硬化性樹脂構成 同樣地，另行於厚度38_的在聚對笨 薄膜的單面上設置有聚石夕氧系剝離劑層^曰 二佈液’《90t的溫度加熱乾燥面 ::=广的由活性能量線硬化性樹脂構成的未 於上述重剝離型剝離片上的未硬化層上，積層上 剝離片上的未硬化層，並將輕剝離賴離片剝離。 反復進灯此積層步驟，最終獲得具有由活性能量線硬化性 樹脂構成的働_厚度的未硬化層的電路板片，此未硬 化層是由重剝離型剝離片與輕剝離型剝離片所夾持。 「未硬化黏著部與硬化非黏著部的選擇性形成」 將有上述未硬化層的上述電路板片的輕亲y離型亲慘 ^剝離，並將上述未硬化層貼合於5，5⑽的驗石灰玻 璃基板。在此狀態下，於重剝離型剝離片上配置遮罩，並 自遮罩的上方，在照度400 mW/cm2、光量315 mJ/cm2的 條件下對電路板片照射以無電極燈（富訊燈光公司製，H bulb)為光源的紫外線。所使用的遮罩，是在石英^璃上 形成有四處鉻薄膜以遮蔽紫外線的遮罩（遮蔽部分··尺寸 為縱580 μηιχ橫580 μιη，間隔為1740 μιη)。藉由上述紫外 線的照射，於未硬化層上形成四處尺寸為縱58()]11111><橫58〇 μπι的未硬化黏著部，而其他部分則成為硬化非黏著部。 27 200843582 27U04pit 「將電路晶片轉印至電路板片上」 剝離上述電路板片的重剝離型剝離片，使上述未硬化 黏著部與硬化非黏著部露出。其次，自緊密地排列有電路 晶片（縱500 μπιχ橫500 μπιχ厚度200 μπι)的切割膠帶（琳 得科公司製，商品名「Adwill D — 650」，電路晶片保持構 件）的基材側，以無電極燈（富訊燈光公司製，H bulb) 作為光源’在照度400 mW/cm2、光量200 mJ/cm2的條件 〇 下照射紫外線之後，將切割膠帶的電路晶片排列面（電路 晶片間隔80 μιη)貼合於上述電路板片的露出面。隨後， 當自電路板片剝離切割膠帶時，於電路板片的未硬化黏著 部上，使四個電路晶片轉印、配置於所需位置。 龟路曰曰片的肷埋以及電路板片的硬化（電路板的 造)」 、 於鹼石灰玻璃基板上的配置有電路晶片的電路板片的 上方、、'二由剝離片（琳得科公司製，商品名r sp — ΡΕΤ3801」），而壓附另行準備的5 cmx5 cm的作為玻璃基 =的=石灰玻璃板，使用平面壓機以0.3 MPa的壓力來壓 ^刀麵在返回至常壓之後，自平面壓機中，取出持有 附有亲片上方的驗石灰玻璃板、下方的驗石灰玻璃基 ‘板的狀態的電路板片，自下方的未配置電路晶片之一侧的 鹼石灰玻璃基板侧，在照度4〇〇 mw/cm2、光量3 i5邊㈤2 =條:下對此電路板片照射以無電極燈（富訊燈光公司 衣帝Ulb)為光源的紫外線，以使未硬化部硬化。此後， 去除包路板上方的鹼石灰玻璃板及剝離片，獲得電路板片 28 200843582 27004pit 已硬化的電路板。 「實施例2」 使用二in中’作為對電路板片遮蔽紫外線的遮罩， 寸為縱780 _8—、間隔為1·-的 um) Γ二舲:、罩（未硬化黏著部尺寸：縱780 Kmx橫780 片的轉Ut’以與實施例1相同的方法，進行電路晶

板片置、將電路晶肢埋於電路板片、以及電路 板片的硬化，獲得電路板。 「實施例3」 的夫:1=1中，按如下方式對選擇性地形成電路板片 . 1者稍硬化非黏著部的步驟加以變更，除此以 夕卜，以財施例！相同的方式，進 =路晶片鼓埋於電路板片、以及電路板片二 獲得電路板。 未硬化黏著部與硬化非黏著部的選擇性形成」 μ幻!^、有上述未硬化層的上述電路板片的輕剝離型剝離 ’、，將此未硬化層貼合於5 emxS⑽的鹼石灰玻璃基 板’亚剝離另-表面的重娜型剝離片以使未硬化層露出。 準備於聚對苯二甲酸乙二酯薄膜的單面上設置 有聚石夕氧㈣離層⑽離y (琳得科股份有限公司製 口口名SP-PET3801」），對此剝離片照射二氧化碳雷射， 於與配置電路晶片#四處相對應的區域上開出52〇 μπιχ520 μηι、間隔為174〇μπι的正方形孔。 使以上述方式獲得的開孔剝離片貼合於上述電路板片 29 200843582 27004pif 的未硬化層的露出面。對於此狀態的電路板片，於*5 t 氛（含氧氣的氣氛）下，在照度400 mW/cm2 : Γ乳氣 。 m、光$ 1〇〇 mJ/cm2的條件下自開孔剝離片的上方對電路板片 化層照射以無電極燈（富訊燈光公司製，H blub)為光f 的紫外線。結果，於未硬化層上形成四處尺寸為縱52〇 一 = 橫520 μπι的未硬化黏著部，而其他部分則成為硬化=黏 著部。以後’以與實施例1相同的方法，進行電路曰片白、 Ο 轉印、配置、將電路晶片嵌埋於電路板片、以及電:板$ 的硬化，獲得電路板。 「參考例1」 於實施例1中，將所使用的遮罩的遮蔽部的尺寸設為 縱1050 μπιχ橫1050 μηι、間隔1740 μπι (黏著部的尺;了 縱1050 μιη、橫1050 μηι)，除此以外，以與實施例}相同 的方式，進行將電路晶片轉印、嵌埋、配置於電路板片r 及電路板片的硬化，獲得電路板。

「參考例2」 於實施例1中，將所使用的遮罩的遮蔽部的尺寸設為 縱400 μιηχ橫400 _、間隔174〇μηι (黏著部的尺寸^縱 400 ’、橫400 _)，除此以外，以與實施例1相同的方 式，進行將電路晶片轉印、嵌埋、配置於電路板 路板片的硬化，獲得電路板。 兒 「評價」 西Η ^述各實施例及參考例的電路晶片的轉印的可靠性坪 價是藉由下述方式來進行：藉由目測來確認最終電路板°片 30 200843582 27004pif 上是祕n所配置的電路山 埋至電路板片中。轉印測試是實施1〇次（n==i〇Hl 次測試中可配置所有的4㈣路晶片的情況 擇 地配置。並且，將除了所減量的四處以外 電路晶片（配置了 5個或5個以上的電路晶片=餘 或者未__需數㈣四處電料片（所 心 Ο 片為3個或3個以下)的情況，视作無法選擇性二 將其結果不於表1。 表1 實施例 實施例2 實施例 未硬化黏著部的尺寸 (縱 μηιχ橫 μπι)

方法，則^ό : ^付知，右使用本發明的電路板的製造 、0自电路晶片保持構件轉印、配置電而 二，著部設定為適當：尺寸， 可自电路晶片保持構件使所f數量二 硬化黏著部的表面。 祕<轉印至此未 [產業上的可利用性] 如以上所說明般，根據本發明的電路板的製造方法， 31 200843582 27ϋϋ4ριί 可自持有電路晶片的電路晶片保持構件，藉由轉印 需數董的電路晶片配置於電路板片的表面。而且，於太 明的電路板的製造方法中，不對另行形成的電路1發 賴形成等的特殊處理，而是使用一種利用所使用的= 的黏著力來進行轉印的技術。因此，藉由朗本發雷 路板的製造方法，無需制去除所必需的烟液等的處】 樂劑，從而可安全且高產率地製作大型顯示 【圖式簡單說明】 ^ 圖1是排列有電路晶片的電路晶片保持構件（切割膠 帶(dicing tape))的平面圖。 ^ 圖2是圖1的主要部分放大圖。 圖3是由活性能量線硬化性樹脂構成的電路板片的側 面音!J面圖。 圖4是經由遮罩來對電路板片照射活性能量線而選擇 性地形成，，化黏著部的狀態的側面剖面圖。 °疋路出有未硬化黏著部與硬化非黏著部的狀態的 電路板片的側面剖面圖。 · 圖6是使板片與電路晶保持構件（切割 膠帶） 相抵接的狀態的側面剖面圖。 0圖7是表不自電路板片剝離電路晶片保持構件（切割 膠V而將曰電路晶片轉印至電路板片的狀態的侧面剖面圖。 圖8是表不藉由平面壓機來使轉印至電路板片表面的 電路曰曰片^埋至電路板片内的狀態的侧面剖面圖。 圖9疋表不對肷埋有電路晶片的電路板片照射活性能 200843582 27004pif 量線，以使電路板片硬化的狀態的侧面剖面圖。 狀是電路晶片的嵌埋及電路板片的硬化已完成的 狀心的电路板片（電路板）的侧面剖面圖。 的t ΐ二是於由活性能量線硬化性_構成的電路板片 、路。上貼合有開孔剝離片的狀態的側面剖面圖。 路二=是表示於含氧氣氛下自開孔剝離片的上方對電 路板n雜能錄，❿麟性地 D. 硬化非黏著部的狀態的側面剖面圖。 更化4者賴 ，13是露出有未硬化黏著部與硬化非黏著部的狀離' 的電路板片的側面剖面圖。 〜 圖14是使電路板4與電路；偏 相抵接的狀態的侧面剖面圖。 刀。j膠咿） _圖二^表示自電路板片剝離電路晶片保持構件 而將電路晶片轉印至電路板片的狀態的 刀/ 【主要元件符號說明】 』面圖。 1 ·電路晶片保持構件（切割膠帶） 2 :電路晶片 3 :環形框架 10 :電路板片 Π:未硬化層 11a ·未硬化黏著部 nb :硬化非黏著部 12、22 :玻璃基板 13 :重剝離型剝離片 33 200843582

2/UU4piI 14 :遮罩 20 :平面壓機 21 :剝離片 23:硬化後的電路板片（電路板） 30 :開孔剝離片 30a :孔 a :縱尺寸 b :橫尺寸 X :間隔 34

Claims (1)

1. 200843582 27004pif 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ’本發明是關於—種電路板(Circuit board)的製造方法， 此製造方法可自持有電路晶y的電路“保持構件 chip support member)，直接藉由轉印而將所需數量的電路 晶片配置於電路板片的表面。 【先前技術】 Ο

   於構成液晶顯示器、有機電致發光 (Electrohlminescence，EL )顯示器等的顯示器的電路板 上，配置有用以控制顯示器的各晝素的微小電子元件 (deV1Ce)，並且形成有用以傳輸各微小料元件的輸入輸出 信號的電路。先前，在此t路板巾，則、電子元件是藉由 於玻璃製的電路板上直接就地製作而料配置。亦即，在 玻璃基板上，使用化學氣相沉積（ν^〇Γ Deposmon ’ CVD)法等的真空技術，依序積層絕緣膜、半 導體膜等，並在這些堆積膜上，應賴半導體積體電路的 製作步驟相同的步驟，來形成薄膜電晶體（Thin朽池 Transistor，TFT)等的微小電子元件。這些微小電子元件 2成在各晝素的附近，進行各畫素的開（〇n)、關（〇ff)、 濃淡等的控制，以實現顯示器上的圖像形成。 近年來，對於顯示器，期望能夠實現对〜1〇〇对等 的大晝面化，直至上市銷售，但需要上述玻璃基板及使用 真空技術的多階段步驟之電路板製作方法卻成為瓶頸，從 而難以削減成本。為了使大畫面顯示器得到廣泛應用，必 6 200843582 27004pit 面顯示器的製造成本 須削減成本，因而正探索可降低大晝 的電路板的製作方法。 旦 最、斤面顯示器的上述成本削減的迫切要求， ^此日一術（日本專利特開2〇〇3~248436號公 報）。此日本專利特開2m—248436號公報 術’是使用另行製作的電路晶月來作為微小電子元件，並 〇 :::=交輕的塑膠基板來作為電路板，應用印刷 技何將上以电路日日片配置於上述塑膠基板上，並且妒 路，藉此可便宜地提供大晝面顯示器。 、 杜中ί上ΐ日本專利特開2〇〇3一248436號公報所揭示的 技柯中，在塑膠基板上的所需位置上預先開出用以配置電 在上述先前技術中，必須預先在塑膠基板上開出電路 晶片的孔。若可削減此電路板片的製備步驟，則可進一牛 削減工時、削減成本。 / °另—方面’在電路晶片的表面’預先積層磁 'έ '«、V、膜。按照規定的圖案而磁性吸附這虺且 的所需數量的電路晶片，將這些電路晶片一次:地 上述塑膠基板上的孔内，從而形成配線圖案。 而且’上述先前技術巾，藉由另行製作電路晶片而可 使用便且的歸電路板片來作為電絲，但為了將另行製 作的，路晶片配置於電路板片，須利用磁性吸附，為此: 須在電路晶片表面預先形成顧。而且，在將電路晶片配 置於電路板>}上之後，必須自魏晶#的表面去除鎳膜。 為了從配置後的電路晶片去除鎳膜，必須進行使用趟酸、'容 200843582 27004pif 液的濕式_。而由於該濕式㈣處理，電路晶 電=、或電路晶片周邊的配線電路有可能會劣化。如^ 不而要用於對私路晶片之形成及去_膜的製程，則 減顯㈣_電路板的製造㈣、成本。因此，= 先月ίΐ技術中’較佳是期望不要有朗處理的製程，換言之， ，是期望有不依賴磁性機構的新的電路晶片轉； 【發明内容】 本發明是雲於上述狀況研發而成，其課題在於提供_ 種技術’〃此技術可將電路晶#便利並便宜地配置於電 =以簡易且回產率地製作嵌埋有用以控制顯示器用的各 旦素的電路晶片之顯示器用電路板。 為了解決上述課題，本發明的電路板的製造方法， 自持有電路晶片的電路晶片保持構件，使所需數量的電路 曰曰片選擇性地轉印至電路板片的表面，此電 法的特徵在於，騎上述所f數量㈣路晶片進彳 電路板片的轉印部位，選擇性地設為黏著部。 作為上述電路晶#轉構件，只要可持有電路晶片， 則可為任意㈣構件，通f可較好地錢膠帶（感▲ tape )。 .本發明的電路板的製造方法的賴在於包括下述步 驟··對具有由活性能量線硬錄樹麟朗未硬化層的電 路板片的上述未硬化層照射活性能量線，以選擇性上形成 硬化非黏著部與未硬化黏著部之未硬 使持有電路晶片的電路晶片保持構件的電路 200843582 27004pif 接觸選擇性地形成有上述未硬化黏著部與硬化非黏著部的 電路板片，以使電路晶片附著於上述電路板片的未硬化黏 著部的表面的步驟；以及藉由自上述電路板片剝離上述電 路晶片保持構件，而使電路晶片轉印至上述電路板片的未 硬化黏著部的步驟。 • 於上述未硬化黏著部形成步驟中，也可將選擇性地遮 蔽活性能量線(active energy ray)的遮罩(mask)貼合於上述 f) 電路板片的未硬化層（non_hardening layer)上，自貼合有上述 遮罩之一側對上述未硬化層照射活性能量線，藉此選擇性 地形成上述未硬化黏著部與硬化非黏著部。 於上述未硬化黏著部形成步驟中，還可將選擇性地設 置有開口部的片材貼合於上述電路板片的未硬化層上，並 對上述未硬化層照射活性能量線，藉此選擇性地形成上述 未硬化黏著部與硬化非黏著部。 於上述電路板的製造方法中，較理想的是，未硬化黏 為矩形’且縱橫方向的尺寸分別設定為大於（電路晶 片，）、小於等於（電路晶片寬+上述電路晶片保持構件中 白、雜電路晶片間隔x2+電路晶片寬的1/2)。 [發明效果] 2本發明，可提供—種將電路晶片配置於電路板片 帝路曰路板的製造方法，這種配置方法是自持有 持構件，直接藉由轉印而將所需數 的制路板μ喊®。財發㈣電路板 衣^方法巾’並顿另行形成的電路日日日片實闕膜形成 200843582 27004pif 等的特殊處理，而是使用一種利用 進行轉㈣技術。因此，藉由使用本翻的電=著^ ΐΐ二:鎳膜所必需的餘刻液等的處理d: 了二產率―鳩 厂活性能量線硬化性樹脂」 構成本發明的電路板月的材料，只要是可在 地設定黏著部且藉由硬化處理而硬化的材料，二 ==制’可較好地使絲性能量線硬化性樹脂。、 —士=杳明的電路板片的活性能量線硬化性樹脂，是 :::射紫外線、電子射線等的活性能量線而聚合、硬化 二本發明中使用的上述活性能量線硬化性樹脂，例 ’.（1)含有丙烯酸系聚合物、活性能量線聚合性 ，水（Oligomer)及/或聚合性單體、及視需要含有光聚 t祕__旨；（2)含有對側鏈導人具㈣合性不飽和 土的活H此里線硬化性官能基而形成的丙烯酸系聚合物、 及視系要g有光聚合^始劑的樹脂等。 於上述（1)的樹脂中，作為丙烯酸系聚合物，可較好 地，舉·酉旨（ester)部分的烧基的碳數為卜20的(甲基) 丙稀酸，與視需要而使用的具有含活性氫之官能基的單體 及其他單體的共聚物，亦即（甲基)丙烯酸_共聚物。 ^ =處:作為酯部分的烷基的碳數為1〜20的（曱基)丙 烯曰的示例，可列舉（甲基)丙烯酸曱酯、（甲基)丙烯酸乙 10 200843582 27004pif 酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（曱基）丙烯酸丁酯、（曱基）丙稀酸 戊酯、（甲基）丙稀酸己酯、（甲基）丙稀酸環己酯、（曱基）丙 烯酸2-乙基己酯、（曱基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸棕櫊 基酯（palmityl (meth)acrylate)，（甲基）丙烯酸十八烷基酯 . (stearyl (meth)acrylate)等。這些（甲基）丙烯酸酯可單獨 使用一種，亦可組合使用兩種或兩種以上。 疇 另一方面，作為視需要而使用的具有含活性氳之官能 ❹ 基的單體的示例’可列舉：（曱基）丙浠酸2-經基乙酉旨 (2-hydroxyethyl (meth)acrylate)、（甲基）丙烯酸 2-羥基丙 酯、（曱基）丙烯酸3-經基丙酯、（甲基）丙烯酸2-經基丁酯、 (曱基)丙烯酸3-經基丁酯、（甲基)丙稀酸4-經基丁酯等的 (曱基）丙烯酸羥基烷基酯；（甲基）丙烯酸單曱基胺基乙酯 (monomethylaminoethyl (meth)acrylate)、（曱基）丙浠酸單 乙基胺基丙酯等的（曱基）丙烯酸單烷基胺基烷基酯；丙烯 酸（acrylic acid )、曱基丙烯酸（mathacrylic acid )、丁烯酸 (crotonic acid )、馬來酸（maleic acid )、伊康酸（itaconic acid)、擰康酸（citraconic acid)等乙稀性不餘和叛酸等。 這些單體可單獨使用一種，亦可組合使用兩種或兩種以上。 (曱基)丙烯酸酯共聚物中，（曱基)丙烯酸酯的含量為5 ^ 〜wt% (重量百分比），較佳是50〜95 wt%，具有含活 性氫之官能基的單體的含量為〇〜95 wt%，較佳是5〜50 wt% 〇 而且’作為視需要而使用的其他單體的示例，可列舉： 乙酸乙烯酯（vinyl acetate )、丙酸乙烯酯（vinyl propi〇nate ) 11 200843582 27004pif 寺的乙細S曰類，乙細（ethylene )、丙細、異丁婦等稀煙類； 氯乙烯（chloroethene )、偏二氯乙烯（vinylidene chloride ) 等的鹵化婦烴類；苯乙稀（styrene )、α-甲基苯乙稀等的苯 乙細糸早體，丁二細（butadiene)、異戊二稀（isoprene)、 . 氯丁二稀（chloroprene )等的二烯系單體；丙烯腈 . (acrylonitrile)、曱基丙烯腈等的腈系單體；丙烯醯胺 (acrylamide)、N-曱基丙烯醯胺、N，N-二甲基丙烯醯胺等 〇 的丙烯醯胺類等。這些單體可單獨使用一種，亦可組合使 用兩種或兩種以上。（甲基）丙稀酸酯共聚物中，這些單體 的含量可為0〜30 wt%。 於該樹脂中，用作丙烯酸系聚合物的（甲基）丙稀酸酯 系共聚物，其共聚合形態並無特別限制，為隨機、嵌段、 接枝共聚物的任一種均可。而且，分子量以重量平均分子 量計較佳是大於等於30萬。 再者’上述重量平均分子量是藉由凝膠滲透層析 ， （GPC ’ Gel Permeation Chromatography)法而測定出的聚 苯乙稀換算值。 於本發明中，上述（甲基）丙烯酸酯系共聚物可單獨使 . 用一種，亦可組合使用兩種或兩種以上。 而且，作為活性能量線聚合性寡聚物，例如可列舉聚 酉曰丙烯酸酯（Polyester acrylate)系、環氧丙烯酸酯（epoxy acrylate)系、丙烯酸胺基曱酸醋（urethane acrylate)系、 ΛΚ_丙稀酸酯（polyether acrylate)系、聚丁二烯丙烯酸酯 系來石夕氧丙烯酸醋（silicone acrylate)系等。 12 200843582 27004pif 上述聚合性寡聚物的重量平均分子量，以利用GPC法 測定出的標準聚苯乙烯換算值計，較佳是在5〇〇〜1〇〇,〇〇〇 的範圍内選定，更佳是在1,000〜70,000的範圍内選定， 進一步更好的是在3,000〜40,000的範圍内選定。 • 上述t合性券聚物可單獨使用一種，亦可組合使用兩 種或兩種以上。 砉 另一方面，作為活性能量線聚合性單體，例如可列舉： Ο (曱基）丙烯酸環己酯、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯、（曱基）丙 烯酸嗎啉（mo卬holine (meth)acrylate)、（甲基）丙稀酸異冰 片酯（isobomeol (meth)acrylate )等單官能性丙烯酸酯類； 二（曱基）丙烯酸1，4- 丁二醇酯（Hbutanedi〇1 di(meth)acrylate)、二（曱基)丙稀酸ι，6·己二醇酯、二（曱基) 丙烯酸新戊二醇酯（neopentyl glyc〇1 di(lneth)aciylate)、二 (曱基)丙烯酸聚乙二醇酯、二（曱基)丙烯酸新戊二醇己二酸 g曰、一（曱基)丙稀酸經基特戊酸新戊二醇酯、二（甲基)丙烯 f 酸二環戊酯、二（甲基）丙烯酸己内酯改性二環戊烯酯、二 ^ (了基)丙烯酸環氧乙烷改性磷酸酯、二（甲基)丙烯酸烯丙: • 己酯、二（甲基)丙烯酸異氰尿酸酯、三（甲基）丙烯酸三羥 甲基丙烷酯、三（甲基）丙烯酸二季戊四醇酯、三（甲基）丙烯 酸季戊四醇酯、三（甲基）丙烯酸環氧丙烯改性三羥甲基丙 烷酯、異三聚氰酸三(丙稀醯氧基乙基)酯、五（甲基)兩$酸 丙酸改性二季細醇酯、六（甲基)_酸二季戊四醇醋、 六（f基)_酸己_改性二季戊四醇酯等。這些 單體可單獨使用-種，亦可組合使用兩種或兩種以上: 13 200843582 27004ριί 這些聚合性寡聚物或聚合性單體的使用量，通常，可 相對於（甲基）丙烯酸酯共聚物的固體成分100重量份而調 配3〜500重量份。 而且，作為活性能量線，通常是照射紫外線或電子射 . 線，當照射紫外線時，使用光聚合起始劑。作為該光聚合 ♦ 起始劑，例如可列舉安息香（benzoin)、安息香甲醚（benzoin methylether )、安息香乙醚、安息香異丙醚、安息香正丁 _、 ζ) 女息香異丁驗、苯乙酮（acetophenone )、二甲基胺基苯乙 酮、二甲氧基-u·二苯乙烷小酮 diphenylethane-1-on)、2,2-二曱氧基_2_苯基苯乙酮、2,2_ 二乙氧基-2-苯基苯乙酮、2·經基-2-甲基-1-苯基丙烧-1-酮、1_羥基環己基苯基酮、2-曱基+[4-(曱硫基）苯基]-2-嗎淋基-丙烧 _1- _(2_methyl-l-[4-(methylthio)phenyl]_2-morpholine-propane-1-on )、4-(2-羥基乙氧基）苯基-2(羥基 -2-丙基)酮（4-(2-[hydroxyethoxy)phenyl-2(hydroxy-2-propl) ketone )、二苯甲 g同（benzophenone )、對苯基二苯曱酮、4,4’· 』 二乙基胺基二苯曱酮、二氯二苯曱酮、2-曱基蒽醌（2-methyl anthraquinone)、2-乙基蒽醌、2-第三丁基蒽醌、2-胺基蒽 " 酿、2-曱基嗟哺酮（2-methyl thioxanthone )、2-乙基嗟11頓酮、 ^ 2-氯噻噸酮、2,4-二曱基噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、苄基 二曱基縮酮（benzyl dimethyl ketal )、苯乙酮二曱基縮酮、 對二曱基胺基苯甲酸酯、寡(2-輕基-2-甲基-l-[4-(l-丙細基） 苯基] 丙酮） ( oligo(2_hydroxy-2-me1;hyl-l-[4-(l-propenyl)phenyl]propanone))等。這些光聚 14 200843582 27UU4pit 合起始劑可單獨使用一種，亦可組合使用兩種或兩種以上。 上述光聚合起始劑的調配量，相對於上述活性能量線 硬化性樹脂的固體成分100重量份，通常為01〜10重量 份。 . 其次，於上述（2)的樹脂中，作為對側鏈導入具有聚 ^合性不飽和基的活性能量線硬化性官能基而形成的丙烯酸 系聚合物，例如可列舉：對上述（甲基）丙烯酸酯系聚合物 ❸ 的側鏈導入-COOH、-NCO、環氧基、-0H、_丽2等的活 性部位，使該活性部位與具有聚合性不飽和基的化合物反 應，從而對該丙烯酸系聚合物的側鏈導入具有聚合性不飽 和基的能量線硬化性官能基而形成的丙烯酸系聚合物。 為了對丙稀酸系聚合物導入上述活性部位，在製造該 丙烯酸系聚合物時，可使具有-COOH、_NC〇、環氧基、 -OH、-NH2專的官能基與聚合性不飽和基的單體或寡聚物 共存於反應系統中。具體而言，在製造上述〇)的樹脂中 所說明的丙烯酸系聚合物時，當導入_c〇〇H基時，可使用 ‘ （甲基)丙烯酸等，當導入-NCO基時，可使用2_(曱基)丙烯 氧基乙基異氰酸g旨等，當導入環氧基時，可使用（曱基） • 丙烯酸縮水甘油酯等，當導入-OH基時，可使用（曱基)丙 、 烯酸2_羥基乙酯、單（曱基)丙烯酸1，6-己二醇酯等，當導 入-NH2基時，可使用N-曱基（曱基)丙烯醯胺等。 作為具有與這些活性部位反應的聚合性不飽和基的化 合物，例如，可根據活性部位的種類，而自2_(曱基)丙烯 氧基乙基異氣酸g旨、（曱基)丙烯酸縮水甘油醋、單（曱基) 15 200843582 27004pif 丙烯酸季細醇酷、單（甲基)丙稀酸二季戊四醇_ 基)丙烯酸二羥甲基丙烷酯等中適當地選擇 ，可獲，上述活性部位而對丙烯酸系聚合物 的側鏈¥入具有聚合性不飽和基的活性能量線硬化性官处 .基而形成的丙稀酸系聚合物，亦即（曱基)丙歸酸醋此月b . 此導入有活性能量線硬化性官能基的（甲基)丙烯 共聚物’其重量平均分子量較佳是大於等於1〇〇,〇〇〇，^ 其好的疋大於等於300,000。再者，上述重量平均分子量 是利用GPC法而測定出的聚苯乙烯換算值。 而且，作為視需要而使用的光聚合起始劑，可使用上 述（1)的樹脂的說明中所例示的光聚合起始劑。 於上述（1)及（2)的活性能量線硬化性樹脂中，在 不損及本發明的效果的範圍内，可視需要而添加交聯劑、 增黏劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、軟化劑、 填充劑等。 作為上述交聯劑，例如可列舉：聚異氰酸酯 y ( poly isocyanate )化合物、環氧樹脂、三聚氰胺（melamine ) 樹月曰、脲（urea)樹脂、二搭（diaidehyde)類、經甲基聚 - 合物（methyl! Polymer)、氮丙啶（aziridine)系化合物、 - 金屬螯合物（metal chelate compound)、金屬烧醇鹽（metal alkoxide)、金屬鹽等，可較好地使用聚異氰酸酯化合物。 此交聯劑可相對於上述（曱基）丙烯酸酯共聚物的固體成分 100重量份而調配〇〜3〇重量份。 此處，作為聚異氰酸酯化合物的示例，可列舉：曱苯 16 200843582 27004pif 二異氰酸酯（tolylene diisocyanate)、二苯基甲烧一異乳酉夂 酯、苯二亞甲基二異氰酸酯（xylylene diisocyanate)等芳 香族聚異氰酸酯；六亞曱二異氰酸酯（hexameriiylene diisocyanate)等脂肪族聚異氰酸酯；異佛爾酮二異氰酸酯 (isophorone diisocyanate)、氫化二苯基曱烧二異氰酸酯等 脂環式聚異氰酸酯等；以及這些聚異氰酸酯的縮二脲 (biuret)化物、異氰尿酸酯（isocyanurate)化物，進而可 Ο

   列舉這些聚異氰酸酯與乙二醇（ethylene glycol)、新戊二 醇、二經甲基丙烧、蓖麻油（castor oil)等含低分子活性 氣之化合物的反應物即加合物等。這些交聯劑 可單獨使用一種，亦可組合使用兩種或兩種以上。 -中-νχ,τν ^ I I yj η>! rig ? 可對（1)的活性能量線硬化性樹脂，添加的在側鏈 上具有聚合性不飽和叙雜能量線硬錄基的（曱基 =醋共聚物。_/，可對⑵的活性能量線硬化性樹脂， II:、、_丙烯酸系聚合物、或者活性能量線聚合性寡聚 物或活性能量線聚合性單體。而且，亦叮、 入 化性樹脂的溶解性良好、且相對於上匕: (2)的樹脂為非活性w 工及 用。作為此種溶劑，例如;舉η當地選擇而使 醇、異丁醇、正丁醇、丙:本丁：本、甲醇'乙 種，亦可組合使用兩種或兩種谷劑可單獨使用一 200843582 27004pif 丄再者活li此i線中，就通用性、經濟性的觀點而言， 可幸乂好地使用紫外線。作為產生紫外線的燈，有高壓水銀 ^、金屬鹵素燈（metal halide lamp )、氤氣燈（χ_ lamp )、 無電極紫外線燈等。紫外線的照射量可適當地選擇，例如， 光量為1〜1500邊m2，照度為1〇〜5〇〇mWW左右。 η,明巾使用的電路板片，可使用上親性能量線硬 化性树脂並以如下方式來形成。 Ο 「電路板片的形成」 其以^上34活性能量線硬化性翻旨的塗佈液，於在剝離 面上設有剝離劑層的剝離片（重剝離型剝離片） 進;上：塗佈此塗佈液’當塗佈液含有溶劑時， 硬^二G 性能量線硬化性樹脂構成的未 ,^ Uo11 coater)、棒式塗佈機（bar 广er、1刀塗佈、機（blade coate〇、凹板印刷塗佈機 J 0 :〇咖。等的方法來進行塗佈，於室溫〜150°C、 片^^^^條件下乾燥1〜1G分鐘。而且，剝離 \ :=離片，可列舉在聚乙烯薄膜、或聚 t h ’h 、=、笨二甲酸乙二酉旨（polyethylene 樹脂上塗佈聚彻脂、醇酸(ai_ 等。曰此ί離Γ ί ; ί等的剝離劑而設有剝離劑層的剝離片 4此剝離片的厚度通常為2〇〜15〇_左右。 卜同&&於在_基材的單面上設有剝離劑層 18 200843582 27004pif 而形成的剝離片（輕剝離型剝離片）的剝離處理面上，余 佈上述塗佈液，當塗佈液含有溶劑時，進行加熱乾燥，二 製造具有由活性能量線硬化性樹脂構成的未硬化層 材。再者’此處所使用的剝離片的剝離力設定得比上 剝離型剝離片的剝離力小。 H Ο 於上述重剝離型剝離片上的未硬化層上 剝離型剝離片上的未硬化層，之後剝離輕剝離型剝離ί f覆進行此積層步驟，最域得具有由活性能量線硬化性 f月曰構成的規定厚度的未硬化層的電路板片，此未硬化層 疋由重剝離型剝離片與輕剝離型剝離片所夹持。上^ 化層的厚度為30〜1_ μηι，較佳是5〇〜5〇〇陣。 上述由活性能量線硬化性樹脂構成的未硬化層處於未 2 =止且it具有黏著性，直至被照射紫外線等活； =線為止。因此，可利用此未硬化層的活性能量線硬化 來遙擇性地形成未硬化部與硬化部。未硬化部具有黏著 m化部不具赫紐。性地軸未魏黏著部， 使電路日日片接觸馳得的未硬化黏著部的表面，從而使 路晶片轉印至電路板片上的所需位置。 赴^ t述電路板片上選擇性地形成未硬化黏著部的時間 排列：3電„接觸電路晶片保持構件上的電路晶片 之在使電路板片接觸電路晶片排列面 後作為電路晶片保持構件，可列舉 可列舉切割膠帶(dicingtape)等。 於上述電路板片上選擇性地形成未硬化黏著部時，主 19 200843582 27004pit 要有兩種方法。並—盏‘ 量線的遮罩將選擇性地遮蔽活性能 所照射的上，照射活性能量線，使 作為未硬柄料蔽的切射部分殘留 列舉在石英坡璃㈣敝上述活性能量線的遮罩，可 法：當進行自由基聚合時 此旦 述現象的方 Ρ 接觸，則此、曰# $ / 11此里線硬化性樹脂與氧 於含氧的氣氛(空氣)下化層上， 量線的照射遍及未硬化岸的敖^ 〖生此里線％，活性能 氧接觸的其他部分硬化:二=’ α由片材所覆蓋而不舆 於氧的作用而使硬化受阻，從日1σ部與氧接觸的部分由 利用此現象，來選擇性地 ^持未硬化的狀態’因此， 在上述剝離片上;;=二==。片材可列舉 =土雷射等眾所周知的進==可 乂子度通常為20〜〗50 μιη左右。 疋仃開孔剝離片的 於上述電路板片上選擇性 :二f根據未硬化__ί力:二著:的表 為轉印源的電路晶片保：J電路晶片的尺寸、作 ^動。各構件的黏著力大致々晶片的排列間隔而 的嶋 < 電路㈣的细心部的#=持： 20 200843582 27004pif 此=下’若以電路晶月保持構件上的排列間隔為基準， 片的黏”的矩形尺寸較佳是設為，縱橫方向分 路曰κ仅電路晶片寬）、且小於等於（電路晶片寬+上述電 路曰曰片保持構件中的鄰接電路晶片間隔χ2 寸小於上述下限值，則無法將電路晶片 甚至合若矩形尺寸超過上述上限值，則有時 甚至g夕餘地取得鄰接的電路晶片。 Ο 為;Ϊ ’ t據電路晶片$造步驟，當電路晶片保持構件 itr晶片的電路面有時不與膠帶的黏著面接 :與:i:tr的黏著面接觸著。當電路晶片的電路面 路曰片可使用另仃準備的轉印片自膠帶轉印電 η雷=上述轉印片將電路晶片轉印至電路板片。Ϊ 將電路晶片黏著面接觸著時’直接 電路量電路晶片2而形成的 符號3是切Ut，）1的概略平面圖。圖中， 如me)。而且，保持構件1 _形框架（ring 1上的電路晶片; A表不了此電路晶片保持構件 為平面正方形，ΠΓ一部分。各電路晶片2有時 方形的情況。㈣長方形，但圖中表示了為平面正 X表電路晶片2的縱尺寸，b表示橫尺寸， 符號a、b、X，^ 電路晶片2的間隔。藉由這些 ★明的電路板片的未硬化黏著部的矩形 21 200843582 27004pif 尺寸的較佳概略範圍為，縱方向的下限值為[a]，上 [a + 2x+ax (1/2)]。而且，橫方向的下限值為、阳 值為[b + 2x + bx (1/2)]。 艮 參照圖式，說明自電路晶片保持構件將所需數 =晶片配置於上述電路板片上的方法、及電路被的製造方 將電路晶片配置於電路板片的配置方法、 Ο 製造方法（1)」 私峪扳的 如圖3所示，將以上述方式製造的電路板片1〇的 财剝料（未圖示）自未硬化層11剝離，將此未硬化層 11貼合於驗石灰玻璃、石英玻鱗的玻璃基板12。此s， ^過活性能量線的重剝離型剝離片13處於未被剝離的狀 =4所不’將遮蔽活性能量線的部位形成為所需 1 (圖中為一處)、所需圖案的遮罩14,貼合於上述重制 離型_片13上，自上方照射活性能量線。、重制 、巧上述活性能量線的結果為，藉由遮軍14而遮 線的照射的部位殘留作為未硬化黏著部11a，而 :射㈣的其他部分成為硬化非黏著部训。3 ί錄化剝離片13及遮罩14 ’使 未更=Nlla及硬切轉部爪露出。 的+路t圖6所示’使由電路晶片支持構件1所支持 如圖7所示，當自電路板片10剝離電路晶片保 22 1個）的電路晶片2轉

   最後，在嵌埋有所需數量（圖中為i個）的電路晶片 2的電路板23上，藉由真空蒸鍍或濺鍍、光微影技術等眾 所周知的電極及配線形成方法來形成用以控制晝素的配 線，製成電路板。 200843582 27004pif 量上(，為 中為1 1: Γ上述在所需部位上配置有所需數量(圖 -起載置μ ?晶片2的電路板片10 ’與玻璃基板12 載。繼而，於電路板片10上依序 玻璃基板22，並逐漸進行壓製。此處， 、坡璃基板22可使用上述_離片、玻璃基板。 Ρ者電路晶片2的未硬化黏著部lla未硬化而為軟質， =配置於表㈣電路晶片2嵌埋至電路板片iq内，電路 :片^的表面與電路板片1G的表面構成—連續的平面。此 4 ’藉由下方的玻璃基板12、上方的玻璃基板 22及剝離 曰卜對電路板片10均勻地施壓，因此即便嵌埋有電路 曰日片2亦不會損害表面的平坦性。 嵌埋了電路晶片2之後，保持附有上方的剝離片21 及玻璃基板22、玻璃基板12的狀態，自平面壓機2〇中取 出電路板片10。此後，如圖9所示，自下方的玻璃基板12 側對電路板片10照射活性能量線，以使電路板片1〇的未 硬化黏著部11a硬化。硬化後，當去除上方的玻璃基板22 及剝離片21時，如圖10所示，可獲得嵌埋有所需的電路 晶片2、整體已硬化的電路板片亦即電路板23。 23 200843582 27004pif 在麥照圖3〜7而μ 板片的配置方法中，Β ^、京將電路晶片配置於上述電路 】la與，占著部二除此：二硬化剛 自由基聚合來進行硬化的活；*明中’在藉由 下’亦可於活性能量'線照射時^I：線硬似生樹脂的情況 此阻礙硬化而選擇性地形成未硬化^的f部與氧接觸，藉 11〜15來說明此方法。 ^者ϋ卩。以下，參照圖 Ο 製造方:!2，:片配置於電路板片的配置方法、電路板的 的電 _ :所露出的未硬化層貼合於破;2二11:另並 祁^」丨1 )，取而代之，貼附開孔剝離片 30。在該開孔剝離片30上，按所需的円安來忐 中為1個)的孔30a。女斤而的—需數量(圖 30 12所示，於含氧氣氛下，自開孔剝離片 勺上方朝向未硬化層U照射活性能量線。如上所述， 由於在開孔剝離片30上開有孔3〇a，因此具有該孔3加的 部分的未硬化層11露出於外氣中。在此㈣下，於空氣等 的含氧氣氛下，當對未硬化層u照射活性能量線時，活性 能量線的曝光遍及未硬化層n的整個面，因此未硬化層 11的除孔30a以外的區域受到光硬化，但藉由孔3〇a而與 氧接觸的部分由於氧的作用而使硬化受阻，保持未硬化的 狀態，從而選擇性地形成未硬化黏著部lla，剩餘部分則 24 200843582 27004pif 成為硬化非黏著部llb。再者，圖12中是自開孔剝 的上方照射活性能讀，但亦可自朗基板 0 能量線。 I、、射活性 如上所述，使用開孔剝離片30並在含氧氣氛 _性能量_結果為，選擇性地形成了未硬化黏著部^射活 硬化非黏著部lib，隨後將開孔剝離片3〇剝離，如&與 所示，使未硬化黏著部lla及硬化非黏著部llb露出 〇 其次，如圖14所示，使由電路晶片保持構件！所支 的電路晶片2的排列面，接觸上述電路板片1〇的露出面上、 此後，如圖15所示，當自電路板片10剝離電路晶片。 保持構件1時，使所需數量（圖中為！個）的電路晶^ 2 轉印、配置於電路板片10上。此後，經由上述圖=〜 所示的步驟而形成電路板。 實施例 以下，表示本發明於電路板片上配置電路晶片的配置 方法、電路板的製造方法的實施例。再者，以下所示的實 ^ 施例僅為用以較好地說明本發明的例示，絲毫不用以限定 本發明。 • 以下所示的實施例1、2，是根據以上參照圖3〜1〇而 說明的利用電路板片的配置方法而進行的實施例。同樣， 實施例3是根據參照圖11〜15所說明的利用電路板片的配 置方法而進行的實施例。 「實施例1」 「電路板片的形成」 25 200843582 27004ρΐί

   V 於使丙烯酸丁酯（關東化學公司製）80重量份與丙烯 酸（關東化學公司製）20重量份在乙酸乙酯/丁酮混合溶 劑（重量比50 : 50)中進行反應而獲得的丙稀酸酯共聚物 (固體成分濃度35 wt%)中，以相對於共聚物中的丙烯酸 100當量為30當量的方式，添加2-甲基丙烯醯氧基乙基異 氰酸酯（國產化學公司製），在氮氣氛下，以40。(：的溫度 反應48小時，獲得在側鏈上具有活性能量線硬化性基且重 量平均分子量為85萬的導入活性能量線硬化性官能基而 形成的丙烯酸系共聚物。 相對於所獲得的導入活性能量線硬化性官能基而形成 的丙細酸糸共聚物的溶液的固體成分100重量份，使作為 光聚合起始劑的2,2-二曱氧基-1，2·二苯基乙烷酮（席巴 特製品化學公司製，商品名「Irgacure651」）3 〇重量份、 由活性能量線聚合性的多官能單體及寡聚物構成的組^物 j日精化工業公司製，商品名γ14__29β (Νρι)」）1〇〇 ，量份（固體成分80重量份）、及由聚異氰酸g旨化合物構 成的交聯劑（東洋油墨製造公司製，商品名「⑽ain· 1515」）h2重量份（固體成分〇.45重量份）溶解 口^ 丁 _，將固體成分濃度調整為4〇树％，進行 為均，的溶液為止，將此溶液作為塗佈液。 設置有：^8广的在聚對苯二甲酸乙二酯薄膜的單面上 塗佈機來塗佈上述塗佈^ 藉由刀片 L的度加熱乾燥90秒 26 200843582 27U04pir 鐘，製作具有厚度5〇 的未硬化層的片材。勺由活性威線硬化性樹脂構成 同樣地，另行於厚度38_的在聚對笨 薄膜的單面上設置有聚石夕氧系剝離劑層^曰 二佈液’《90t的溫度加熱乾燥面 ::=广的由活性能量線硬化性樹脂構成的未 於上述重剝離型剝離片上的未硬化層上，積層上 剝離片上的未硬化層，並將輕剝離賴離片剝離。 反復進灯此積層步驟，最終獲得具有由活性能量線硬化性 樹脂構成的働_厚度的未硬化層的電路板片，此未硬 化層是由重剝離型剝離片與輕剝離型剝離片所夾持。 「未硬化黏著部與硬化非黏著部的選擇性形成」 將有上述未硬化層的上述電路板片的輕亲y離型亲慘 ^剝離，並將上述未硬化層貼合於5，5⑽的驗石灰玻 璃基板。在此狀態下，於重剝離型剝離片上配置遮罩，並 自遮罩的上方，在照度400 mW/cm2、光量315 mJ/cm2的 條件下對電路板片照射以無電極燈（富訊燈光公司製，H bulb)為光源的紫外線。所使用的遮罩，是在石英^璃上 形成有四處鉻薄膜以遮蔽紫外線的遮罩（遮蔽部分··尺寸 為縱580 μηιχ橫580 μιη，間隔為1740 μιη)。藉由上述紫外 線的照射，於未硬化層上形成四處尺寸為縱58()]11111><橫58〇 μπι的未硬化黏著部，而其他部分則成為硬化非黏著部。 27 200843582 27U04pit 「將電路晶片轉印至電路板片上」 剝離上述電路板片的重剝離型剝離片，使上述未硬化 黏著部與硬化非黏著部露出。其次，自緊密地排列有電路 晶片（縱500 μπιχ橫500 μπιχ厚度200 μπι)的切割膠帶（琳 得科公司製，商品名「Adwill D — 650」，電路晶片保持構 件）的基材側，以無電極燈（富訊燈光公司製，H bulb) 作為光源’在照度400 mW/cm2、光量200 mJ/cm2的條件 〇 下照射紫外線之後，將切割膠帶的電路晶片排列面（電路 晶片間隔80 μιη)貼合於上述電路板片的露出面。隨後， 當自電路板片剝離切割膠帶時，於電路板片的未硬化黏著 部上，使四個電路晶片轉印、配置於所需位置。 龟路曰曰片的肷埋以及電路板片的硬化（電路板的 造)」 、 於鹼石灰玻璃基板上的配置有電路晶片的電路板片的 上方、、'二由剝離片（琳得科公司製，商品名r sp — ΡΕΤ3801」），而壓附另行準備的5 cmx5 cm的作為玻璃基 =的=石灰玻璃板，使用平面壓機以0.3 MPa的壓力來壓 ^刀麵在返回至常壓之後，自平面壓機中，取出持有 附有亲片上方的驗石灰玻璃板、下方的驗石灰玻璃基 ‘板的狀態的電路板片，自下方的未配置電路晶片之一侧的 鹼石灰玻璃基板侧，在照度4〇〇 mw/cm2、光量3 i5邊㈤2 =條:下對此電路板片照射以無電極燈（富訊燈光公司 衣帝Ulb)為光源的紫外線，以使未硬化部硬化。此後， 去除包路板上方的鹼石灰玻璃板及剝離片，獲得電路板片 28 200843582 27004pit 已硬化的電路板。 「實施例2」 使用二in中’作為對電路板片遮蔽紫外線的遮罩， 寸為縱780 _8—、間隔為1·-的 um) Γ二舲:、罩（未硬化黏著部尺寸：縱780 Kmx橫780 片的轉Ut’以與實施例1相同的方法，進行電路晶

   板片置、將電路晶肢埋於電路板片、以及電路 板片的硬化，獲得電路板。 「實施例3」 的夫:1=1中，按如下方式對選擇性地形成電路板片 . 1者稍硬化非黏著部的步驟加以變更，除此以 夕卜，以財施例！相同的方式，進 =路晶片鼓埋於電路板片、以及電路板片二 獲得電路板。 未硬化黏著部與硬化非黏著部的選擇性形成」 μ幻!^、有上述未硬化層的上述電路板片的輕剝離型剝離 ’、，將此未硬化層貼合於5 emxS⑽的鹼石灰玻璃基 板’亚剝離另-表面的重娜型剝離片以使未硬化層露出。 準備於聚對苯二甲酸乙二酯薄膜的單面上設置 有聚石夕氧㈣離層⑽離y (琳得科股份有限公司製 口口名SP-PET3801」），對此剝離片照射二氧化碳雷射， 於與配置電路晶片#四處相對應的區域上開出52〇 μπιχ520 μηι、間隔為174〇μπι的正方形孔。 使以上述方式獲得的開孔剝離片貼合於上述電路板片 29 200843582 27004pif 的未硬化層的露出面。對於此狀態的電路板片，於*5 t 氛（含氧氣的氣氛）下，在照度400 mW/cm2 : Γ乳氣 。 m、光$ 1〇〇 mJ/cm2的條件下自開孔剝離片的上方對電路板片 化層照射以無電極燈（富訊燈光公司製，H blub)為光f 的紫外線。結果，於未硬化層上形成四處尺寸為縱52〇 一 = 橫520 μπι的未硬化黏著部，而其他部分則成為硬化=黏 著部。以後’以與實施例1相同的方法，進行電路曰片白、 Ο 轉印、配置、將電路晶片嵌埋於電路板片、以及電:板$ 的硬化，獲得電路板。 「參考例1」 於實施例1中，將所使用的遮罩的遮蔽部的尺寸設為 縱1050 μπιχ橫1050 μηι、間隔1740 μπι (黏著部的尺;了 縱1050 μιη、橫1050 μηι)，除此以外，以與實施例}相同 的方式，進行將電路晶片轉印、嵌埋、配置於電路板片r 及電路板片的硬化，獲得電路板。

   「參考例2」 於實施例1中，將所使用的遮罩的遮蔽部的尺寸設為 縱400 μιηχ橫400 _、間隔174〇μηι (黏著部的尺寸^縱 400 ’、橫400 _)，除此以外，以與實施例1相同的方 式，進行將電路晶片轉印、嵌埋、配置於電路板 路板片的硬化，獲得電路板。 兒 「評價」 西Η ^述各實施例及參考例的電路晶片的轉印的可靠性坪 價是藉由下述方式來進行：藉由目測來確認最終電路板°片 30 200843582 27004pif 上是祕n所配置的電路山 埋至電路板片中。轉印測試是實施1〇次（n==i〇Hl 次測試中可配置所有的4㈣路晶片的情況 擇 地配置。並且，將除了所減量的四處以外 電路晶片（配置了 5個或5個以上的電路晶片=餘 或者未__需數㈣四處電料片（所 心 Ο 片為3個或3個以下)的情況，视作無法選擇性二 將其結果不於表1。 表1 實施例 實施例2 實施例 未硬化黏著部的尺寸 (縱 μηιχ橫 μπι)

   方法，則^ό : ^付知，右使用本發明的電路板的製造 、0自电路晶片保持構件轉印、配置電而 二，著部設定為適當：尺寸， 可自电路晶片保持構件使所f數量二 硬化黏著部的表面。 祕<轉印至此未 [產業上的可利用性] 如以上所說明般，根據本發明的電路板的製造方法， 31 200843582 27ϋϋ4ριί 可自持有電路晶片的電路晶片保持構件，藉由轉印 需數董的電路晶片配置於電路板片的表面。而且，於太 明的電路板的製造方法中，不對另行形成的電路1發 賴形成等的特殊處理，而是使用一種利用所使用的= 的黏著力來進行轉印的技術。因此，藉由朗本發雷 路板的製造方法，無需制去除所必需的烟液等的處】 樂劑，從而可安全且高產率地製作大型顯示 【圖式簡單說明】 ^ 圖1是排列有電路晶片的電路晶片保持構件（切割膠 帶(dicing tape))的平面圖。 ^ 圖2是圖1的主要部分放大圖。 圖3是由活性能量線硬化性樹脂構成的電路板片的側 面音!J面圖。 圖4是經由遮罩來對電路板片照射活性能量線而選擇 性地形成，，化黏著部的狀態的側面剖面圖。 °疋路出有未硬化黏著部與硬化非黏著部的狀態的 電路板片的側面剖面圖。 · 圖6是使板片與電路晶保持構件（切割 膠帶） 相抵接的狀態的側面剖面圖。 0圖7是表不自電路板片剝離電路晶片保持構件（切割 膠V而將曰電路晶片轉印至電路板片的狀態的侧面剖面圖。 圖8是表不藉由平面壓機來使轉印至電路板片表面的 電路曰曰片^埋至電路板片内的狀態的侧面剖面圖。 圖9疋表不對肷埋有電路晶片的電路板片照射活性能 200843582 27004pif 量線，以使電路板片硬化的狀態的侧面剖面圖。 狀是電路晶片的嵌埋及電路板片的硬化已完成的 狀心的电路板片（電路板）的侧面剖面圖。 的t ΐ二是於由活性能量線硬化性_構成的電路板片 、路。上貼合有開孔剝離片的狀態的側面剖面圖。 路二=是表示於含氧氣氛下自開孔剝離片的上方對電 路板n雜能錄，❿麟性地 D. 硬化非黏著部的狀態的側面剖面圖。 更化4者賴 ，13是露出有未硬化黏著部與硬化非黏著部的狀離' 的電路板片的側面剖面圖。 〜 圖14是使電路板4與電路；偏 相抵接的狀態的侧面剖面圖。 刀。j膠咿） _圖二^表示自電路板片剝離電路晶片保持構件 而將電路晶片轉印至電路板片的狀態的 刀/ 【主要元件符號說明】 』面圖。 1 ·電路晶片保持構件（切割膠帶） 2 :電路晶片 3 :環形框架 10 :電路板片 Π:未硬化層 11a ·未硬化黏著部 nb :硬化非黏著部 12、22 :玻璃基板 13 :重剝離型剝離片 33 200843582 2/UU4piI 14 :遮罩 20 :平面壓機 21 :剝離片 23:硬化後的電路板片（電路板） 30 :開孔剝離片 30a :孔 a :縱尺寸 b :橫尺寸 X :間隔 34 200843582 2 /UU^pn 十、申請專利範圍： 晶片！的製造方法，是自持有電路晶片的電路 路板片㈣牛所需數量的電路晶片選擇性地轉印至電 所述電路板的製造方法之特徵在於： 片的轉印^所需數量的電路晶片進行轉印的所述電路板 片勺轉卩邛位，選擇性地設為黏著部。

   盆由t如 Λ4專利範圍第1項所述之電路板的製造方法， ，、中所U電路晶片保持構件是膠帶。 3.-種電路板的製造方法，其特徵在於包括·· 對具有由活性能量線硬化性樹脂構成的未硬化層的電 路板片的所述未硬化層照射活性能量線，以選擇性地形成 硬化非黏著部絲硬化#著部之職未硬絲著部的形成 步驟；

   使持有電路晶片的電路晶片保持構件的電路晶片排列 面，接觸麵性地軸麵述未魏黏著部與所述硬化非 黏著部的所述電路板片，以使所述電路晶片附著於所述電 路板片的所述未硬化黏著部的表面之步驟；以及 藉由自所述電路板片剝離所述電路晶片保持構件，而 使所述電路晶片轉印至所述電路板片的所述未硬化黏著部 之步驟。 4·如申请專利範m第3項所述之電路板的製造方法， 其中於所述未硬化黏著部的形成步驟中，將選擇性地遮蔽 所述活性能量線的遮罩貼合於所述電路板片的所述未硬化 層上，自貼合有所述遮罩之一侧對所述未硬化層照射所述 35 200843582 Δ / UUHUIl 活性旎1線，藉此選擇性地形成所述未硬化黏著部與所述 硬化非黏著部。 5·如申請專利範圍第3項所述之電路板的製造方法， 其中於所述未硬化黏著部的形成步驟中，將選擇性地設置 有開口部的片貼合於所述電路板片的所述未硬化層上，並 對所述未硬化層照射所述活性能量線，藉此選擇性地形成 所述未硬化黏著部與所述硬化非黏著部。 6·如申請專利範圍第3項所述之電路板的製造方法， 其中所述未硬化黏著部的前端面為矩形，且縱橫方甸的尺 寸分別設定為·大於所述電路晶片寬、小於等於所述電路 晶片寬+所述電路晶片保持構件中的鄰接電路晶片間隔 X2 +所述電路晶片寬的1/2。